JPS58137844A - 光導電部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光線、可視光
線、赤外光線、Ｘ＠、　　γ線等を示す）の様な電磁波
に感受性のある先導ｉ１１部材に関する。

固体撮偉装置、或いは像形成分野における電子写真用傷
形成部材や原稿読取装置における光導電層を形成する光
導電材料としては、高感度で、ＳＮ比〔充電ｆｉ（Ｉｐ
）／暗電流（Ｉｄ）　）が高く、照射する電磁波のスペ
クトル特性にマツチングした吸収スペクトル特性を有す
ること、光応答性が速く、所望の暗抵抗傭を有すること
、使用時において人体に対して無公害であること、更に
は固体撮渫装置においては、残濠を所定時間内に容易に
処理することができること等の特性が要求される。殊に
、事務機としてオフィスで使用される電子写真装置内に
組込まれる電子写真用１象形成部材の場合には、上記の
使用時における無公害性は重要な点である。

この様な点に立脚して最近注目されている光導電材料に
アモルファスシリコン（以後ａ　−８ｉと表記す）があ
り、例えば、独国公開第２７４６９６７号公報、同第２
８５５７１８号公報には電子写真用像形成部材として、
独国公開第２９３３４１１号公報には充電変換読取装置
への応用が記載されている。

丙午ら、従来のａ　−８ｉで構成された光導電層を有す
る光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答性等の電気
的、光学的、光導電的特性、及び使用環境特性の点、更
には経時的安定性及び耐久性の点において、各々、個々
には特性の向上が計られているが総合的な特性向上を計
る上で更に改良される余地が存するのが実情である。

例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合に、高光
感度化、高暗抵抗化を同時に計ろうとすると従来におい
てはその使用時において残留電位が残る場合が′−々観
測され、この糧の光導電部材は長時間繰返し使用し続け
ると、繰返し使用による疲労の蓄積が起って、残偉が生
ずる所■ゴースト現象を発する様になる等の不都合な点
が少なくなかった。

又、ａ−８ｉ材料で光導電層を構成する場合には、その
電気的、光導電的特性の改良を計るために、水素原子或
いは弗素原子や塩素原子等のハーグン原子、及び電気伝
導型の制御のために硼素原子や燐原子勢が或いはその他
の特性改良のために他の原子が、各々構成原子として光
導電層中に含有されるが、これ等の構成原子の含有の仕
方如何によっては、形成した層の電気的或いは光導電的
特性や耐圧性に問題が生ずる場合があった。

即ち、例えば、形成した光導電層中に光照射によって発
生したフォトキャリアの該層中での寿命が充分でないこ
とや暗部において、支持体側よ抄の電荷の注入の阻止が
充分でないこと、或いは、転写紙に転写され九画備に俗
に「白ヌケ」と呼ばれる、局所的な放電破壊現象による
と思われる両津欠陥や、例えば、クリーニングに、ブレ
ードを用いるとその摺擦によると思われる。俗Ｋ「白ス
ジ」と云われている所謂向傷欠陥が生じたりしていた。

又、多湿雰囲気中で使用した抄、或いは多湿雰囲気中に
長時間放置した直後に使用すると俗に云うｉｉ偉のボケ
が生ずる場合が少なくなかりた。

更には、層厚が十数μ以上になると層形成用の真空堆積
室より取抄出した後、空気中での放電時間の経過と共に
、支持体表面からの層の浮きや剥離、或いは層に亀裂が
生ずる等の現象を引起し勝ちになる。この現象は、殊に
支持体が通常、電子写真分野に於いて使用されているド
ラム状支持体の場合に多く起る等、経時的安定性の点に
於いて解決される可き点がある。

従ってａ−８Ｉ材料そのものの特性改良が計られる一方
で光導電部材を設計する際に、上記した様な問題の総て
が解決される様に工夫される必要がある。

本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ　−８ｉ
に就て電子写真用像形成部材や固体撮像装置、読取装置
等に使用され条光導電部材としてＯ適用性とその応用性
という観点から総括的に鋭意研究検討を続けた結果、シ
リコン原子を母体とし、水素原子Ｉ又はＩ・ロゲン原子
囚のいずれか一方を少なくとも含有するアモルファス材
料、所謂水素化アモルファスシリコン、ノ・ロゲン化ア
モルファスシリコン、或いはノ＼ロゲン含有水素化アモ
ルファスシリコン〔以後これ等の総称的表記としてｒ　
ａ−８ｉ　（Ｈ，Ｘ　）　　）　　を使用する〕から構
成される光導電層を有ｒる光導電部材の層構成を以後に
説明される様な特定化の下に設計されて作成された光導
電部材は実用上書しく優れた特性を示すばか抄でなく、
従来の光導電部材と較べてみてもあらゆる点において凌
駕していること、殊に電子写真用の光導電部材として蓄
しく優れた特性を有していることを見出した点に基づい
ている。

本発明は電気的、光学的、光導電的特性が使用環境に殆
んど依存なく実質的に常時安定しており、耐光疲労に著
しく長け、繰返し使用に際しても劣化現象を起さず耐久
性、耐湿性に優れ、残留電位が全く又は殆んど観測され
ない光導電部材を提供することを主たる目的とする。

本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層と支持体
との間や積層される層の各層間に於ける密着性に優れ、
構造配列的に緻密で安定的であり、層品質の高い光導電
部材を提供することである。

本発明の他の目的は、電子写真用像形成部材として適用
させた場合、静電傷形成のための帯電処理の際の電荷保
持能力が充分あり、通常の電子写真法が極めて有効に適
用され得る優れた電子写真特性を有する光導電部材を提
供することである。

本発明の更に他の目的は、長期の使用に於いてｌ１ｉｌ
ｉ像欠陥や画情のボケが全くなく、濃度が高く、ハーフ
トーンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画儂を得
ることが容易にできる電子写真用の光導電部材を提供す
ることである。

本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性。

高８Ｎ比特性及び高耐圧性を有する光導電部材を提供す
ることでもある。

本発明の光導電部材は、光導電部材用の支持体と、シリ
コン原子（８ｉ　）を母体とし、構成原子としてｉｌ秦
厘子ｙ慶員書する非晶質材料で構成された補助１と、シ
リコン原子を母体とし、構成原子として水嵩原子０又は
・・ロゲン原子囚のいずれか一方を少なくとも含有する
非晶質材料（ａ　−５ｔ（Ｈ。

Ｘ））で構成され、光導電性を有する第一の非晶質層と
を有し、前記第一の非晶質層が、構成原子として酸素原
子を含有する第一の層領域と構成原子として周期律表第
１族ＫＲする原子を含有する第二の層領域とを有し、こ
れ等は、少なくとも互いの一部を共有して前記支持体側
の方に内在されており１前記第二の層領域の層厚をｔｍ
とし、前記第一の非晶質層の層厚と第二の層領域の層厚
ｔｌとの差をＴとすれば１Ｂ／　（Ｔ＋ｔｍ）≦０．４
　の関係が成立し、前記第一の非晶質層上に、シリコン
原子と炭素原子と水素原子とを構成原子として含む非晶
質材料で構成された第二の非晶質層を有する事を特徴と
する。

上記した様な層構成を取る様にして設計された本発明の
光導電部材は、前記した諸問題の総てを解決し得、極め
て優れた電気的、光学的。

光導電的特性、耐圧性及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用像形成部材として適用させた場合には
、画儂形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定してお抄高感度で、高８Ｎ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く
、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い、高品
質の画情を安定して繰返し得ることができる。

又、本発明の光導電部材は支持体上に形成される非晶質
層が、層自体が強靭であって、且つ支持体との密着性に
著しく優れており、高速で長時間連続的に繰返し使用す
ることが出来る。

以下、図面に従って、本発明の光導電部材に就て詳細に
説明する。

第１図は、本発明の第１の実施態様例の光導電部材の層
構成を説明するために模式的に示した模式的構成図であ
る。

第１図に示す光導電部材１００Ｆｉ、光導電部材用とし
ての支持体１０１の上に、補助層１０２　ａ　−８ｉ（
Ｈ，Ｘ）から成抄、光導電性を示す第一の非晶質層（１
）　１０３及び第二の非晶質層（１）　１０８を有する
。補助層１０２は、主に１支持体１０１と非晶質層１０
３との間の密着性を計る目的の為に設けられ支持体１０
１と非晶質層１０３の両方と親和性がある様に後述する
特性を有する材質で構成されるＯ 本発明の光導電部材に於ける補助層は、シリコン原子（
Ｓｌ）を母体とし、構成原子として窒素原子−と、必要
に応じて水素原子に）、ノ・ロゲ／原子（３）とを含有
する非晶質材料（以後１’−ａ−８ｉＮ（Ｈ，Ｘ）Ｊと
記す）で構成される。

ａ　−ＳｉＮ　（Ｈ，Ｘ）としては、シリコン原子（Ｓ
ｔ）を母体とし窒素原子Ｎを構成原子とする非晶質材料
（以後［ａ　−８ｉａＮｔ−ａＪと記す）、シリコン原
子（ｓｉ）を母体とし窒素原子（へ）と水素原子的を構
成原子とする非晶質材料（以後１”ａ　　（ＳｉｂＮｌ
−ｂ）ｅＨｌ−ｅＪと記す）、シリコン原子（８ｉ　）
を母体とし窒素原子（へ）とノ・ロゲン原子囚と必要に
応じて水素原子鵠とを構成原子とする非晶質材料（以後
ｒ　ａ　　（８’ａＮｓ−ａ）ｓ（Ｈ＋Ｘｈ−ｅＪと記
す）とを挙げることが出来る。

本発明において、必要に応じて補助層中に含有されるハ
ロゲン原子凶としては、具体的にはフッ素、塩素、臭素
、ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素、塩素を好適なものと
して挙げることが出来る。

補助層を上記の非晶質材料で構成する場合の層形成法と
してはグロー放電法、スパッターリング法、イオンイン
プランテーシ冒ン法、イオンブレーティング法、エレク
トロンビーム法等が挙げられる。これ等の製造法社、製
造条件。

設備資本投下の負荷程度、製造規模９作製される光導電
部材に所望される特性等ＯＩｔ因によって適宜選択され
て採用されるが、所望する特性を有する光導電部材を製
造する為の作製条件の制御が比較的容易である、シリコ
ン原子と共に窒素原子、必要に応じて水素原子やノ・ロ
ゲン原子を作製する補助層中に導入するのが容易に行え
る等の利点からグロー放電法或いはスパッタ＋　＋７ン
グ法が好適（採用される。

更に、本発明に於いては、グロー放電法とスパッターリ
ング法とを同一装置系内で併用して補助層を形成しても
良い。

グロー放電法によって、ａ　−８ｉＮ（Ｈ，Ｘ）で構成
される補助層を形成するには、基本的にはシリコン原子
（Ｓｔ）を供給し得るＳｉ供給用の原料ガスと、窒素原
子Ｎ導入用の原料ガスと、必要に応じて水素原子■導入
用の又は／及びハロゲン原子囚導入用の原料ガスを、内
部が減圧にし得る堆積室内に導入して、骸堆積室内にグ
ロー放電を生起させ、予め所定位置に設置されである所
定の支持体表面上にａ　−８ｉＮ（Ｈ，Ｘ）からなる補
助層を形成させれば良い。

又、スパッタリング法で補助層を形成する場合には、例
えば次の様にされる。

第一には、例えばＡｒ、　Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ
等のガスをベースとした混合ガスの雰囲気中で８ｉで構
成されたターゲットをスパッタリングする際、窒素原子
（へ）導入用の原料ガスを、必要に応じて水素原子Ｏ導
入用の又は／及びハロゲン原子囚導入用の原料ガスと共
にスパッタリングを行なう真空堆積室内に導入してやれ
ば良い。

第二には、スパッタリング用のターゲットとして８ｉ、
Ｎ、で構成されたターゲットか、或いは別で構成された
ターゲットとＳｌ、Ｎ、で構成されたターゲットの二枚
か、又は別とＳｔ、Ｎ、とで構成されたターゲットを使
用することで形成される補助層中へ窒素原子（財）を導
入することが出来る。この際、前記の窒素原子Ｎ導入用
の原料ガスを併せて使用すればその流量を制御すること
補助層中に導入される窒素原子軸の量を任意に制御する
ことが容易である。

補助層中へ導入される窒素原子ＮＯ含有量は、窒素原子
（へ）導入用の原料ガスが堆積を中の・尊大される際の
流量を制御するか、又は窒素原子（へ）導入用のターゲ
ット中に含有される窒素原子（へ）の割合を該ターゲッ
トを作成する際に調整するか、或いはこの両者を行うこ
とによって、所望に従って任意に制御することが出来る
。

本発明において使用される８ｉ供給用の原料ガスとなる
出発物質としては、ＳｉＨ，、８ｉ、Ｈ，、８ｉ。

Ｈ，、８１，Ｈ，。等のガス状態の又はガス化し得る水
°素化硅素（シラン類）が有効に使用される本のとして
挙げられ、殊に、層作成作業の扱い易さ、引供給効率の
臭さ等の点でＳｉＨ４，８ｉ、Ｈ６が好オしいものとし
て挙げられる。

これ等の出発物質を使用すれば層形成条件を適切に選択
することによって形成される補助層中にＳｉと共にＨも
導入し得る。

８１供給用の原料ガスとなる有効な出発物質としては上
記の水素化硅素の他にハロゲン原子（３）を含む硅素化
合物、所謂、ハロゲン原子で置換されたシラン誘導体、
具体的には例えば８！Ｆ、。

ｓｔ、ｐ、、　８ｉＣ１，８ｉＢｒ４等のハロゲン化水
素が好ましいものとして挙げることが出来、更には、Ｓ
ｇＨ，Ｆｌ、　８ｉＨＩ１１ｔ　８１Ｈ，ＣＪｌ、　８
ｉＨ（Ｊ、、　８１Ｈ，Ｂｒ、。

８１ＨＢｒ、等のハロゲン置換水素化硅素、等々のガス
状態の或りはガス化し得る、水素原子を構成要素の１つ
とするハロゲン化物も有効な補助層形成の為のＳ１供給
用の出発物質として挙げる事が出来る。

これ等のハロゲン原子内を含む硅素化合物を使用する場
合にも前述した様に層形成条件の適切な選択によって形
成される補助層中［８１と共にＸを導入することが出来
る。

上記した出発物質の中水素原子を含むハロゲン化硅素化
合物祉、補助層形成の＠に層中にハロゲン原子内の導入
と同時に電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効な
水素原子軸も導入されるので、本発明においては好適な
ハロゲン原子内導入用の出発物質として使用される。

本発明忙おいて補助層を形成する際に使用されるハロゲ
ン原子内導入用の原料ガスとなる有効な出発物質として
は上記したものの他に、例えばフッ素、塩素、臭素、ヨ
ウ素の）・ロゲンガス、ＢｒＦ、　ＣＡＰ、　ＣＩＦＢ
、　ＢｒＦ、、　ＢｒＦｇｔ　ＩＦ、ｔ　ＩＦｙ＋ＩＣ
１，ＩＢｒ　＠　０　ハロゲン間化合物、ＨＦ、　ＨＣ
Ｉ。

ＨＢｒ、　ＨＩ　等のハロゲン化水素を挙げることが出
来る。

補助層を形成する際に使用される窒素原子Ｎ導入用の原
料ガスに成抄得るものとして有効に使用される出発物質
は、Ｎを構成原子とする或いはＮとＨとを構成原子とす
る例えば窒素（ＮりＩアンモニア（ＮＨ，）、ヒドラジ
ン（Ｈ，ＮＮＨ，）、アジ化水素（ＨＮｓ）、アジ化ア
ンモニウム（ＮＨ４Ｎ、）等のガス状の又はガス化し得
る窒素、窒化物及びアジ化物等の窒素化金物を挙げるこ
とが出来る。

こｏ　＊　ｒｃ　ｓ窒素原子軸の導入に加えて、ハロゲ
ン原子ＯＱｏ導入も行えるという点から、三弗化窒素（
ＦｍＮ　）−四弗化窒素（Ｐ＊Ｎｔ）等のハロゲン化窒
素化合物を挙げることが出来る。

本発明に於いて、補助層をグロー放電法又はスパッター
リング法で形成する際に使用される稀釈ガスとしては、
所謂、希ガス、例えｌｌ１Ｈｅ。

Ｎｅ、Ａｒ等が好適なものとして挙げることが出来る。

本発明の補助層を構成するａ−８ｉＮ（Ｈ，Ｘ）なる非
晶質材料は、補助層の機能が、支持体と非晶質層との間
の密着を強固にし、加えてそれ等の関に於ける電気的接
触性を均一にするものであるから、補助層に要求される
特性が所望通りに与えられる様にその作成条件の選択が
厳密に成されて、注意深く作成される。

本発明の目的に適した特性を有する。−８４Ｎ（Ｈ，Ｘ
）から成る補助層が形成される為の層作成条件の中の重
要な要素として、層作成時の支持体温度を挙げる事が出
来る〇 即ち、支持体の表面にａ−８ｉＮ（Ｈ，Ｘ）から成る補
助層を形成する際、層形成中の支持体ｉＩ！嵐は、形成
される層の構造及び特性を左右する重畳な因子であって
、本発明に於いては、目的とする特性を有するａ−８ｉ
Ｎ（Ｈ，Ｘ）が所望通りに作成され得る様に層作成時の
支持体温度が厳密に制御される・ 本発明に於ける目的が効果的に達成場れる為の補助層を
形成する際の支持体温度としては補助層の形成法に併せ
て適宜最適範囲が選択されて、補助層の形成が実行され
るが、通常の場合、５０℃〜３５０℃、好適には、１０
０℃〜２５０℃とされるのが望ましいものである。補助
層の形成には、同一系内で補助層、非晶質層（１）、か
ら非晶質層（Ｉ）、更には必要に応じて他の層まで連続
的に形成する事が出来る、各層を構成する原子の組成比
の微妙な制御子層厚の制御が他の方法に比べて比較的容
易である事等の為に、グロー放電法やスパッターリング
法の採用が有利であるが、これ等の層形成法で補助層を
形成する場合には、前記の支持体ａｔと同様に層形成の
際の放電パワー、ガス圧が、作成される補助層の特性を
左右する重畳な因子として挙けることが出来る０ 本発明に於ける目的が達成される為の特性を有する補助
層が生産性よく効果的に作成される為の放電パワー条件
としては、通常１〜３００Ｗ好適に紘２〜１５０Ｗであ
る０又、堆積室内のガス圧は通常３　Ｘ　１０−”　〜
５　Ｔｏｒｒ、好適には８Ｘ１０−”〜９．５Ｔｏｒｒ
程度とされるのが望ましい。

本発明の光導電部材に於ける補助層に含有される窒素原
子の量及び必要に応じて含有される水素原子、ハロゲン
原子の量は、補助層の作製条件と同様、本発明の目的を
達成する所望の特性が得られる補助層が形成される重要
な因子であるＯ 補助層中に富有される窒素原子（Ｎ）の量、水素原子（
Ｈ）の量、ノーロゲン原子（Ｘ）の量の夫々は、本発明
の目的が効果的に達成される様に上記の層作成条件を考
慮し乍ら所望に健って任意に決定される０ 補助層をａ−ｓｔ、Ｎ１−、で構成する場合には、窒素
原子の補助層中の含有量紘好ましくはｌＸｌ０”−”〜
６０ａｔｏｍｉｃ％、よシ好適にはｌ　〜ｓｏａｔｏｍ
＋ｃｄ、１の表示では好ましくは０．４〜０．９９９９
９、より好適には５〜０．９９とされるのが望ましい。

ａ　−（５ｉｂＮ１−ｂ　）ｃＨｓ−ｃで構成する場合
には、窒素原子（Ｎ）の含有量としては、好ましくは１
×１０−”　〜５５　ａｔｏｍｉｃ％　、よシ好適には
１〜５５ａｔｃｍｉｃ−１水素原子の含有量としては、
好ましくは２〜３５　ａｔｏｍｉｃｌＧ　、より好適に
は５〜３０ａｔｏｍｉｃ％とされ、ｂ、ｃで表示すれは
、ｂとしては通常０．４３〜０．９９９９９、より好適
には０．４３〜０．９９、Ｃとしては通常０．６５〜０
．９８、好適には０．７〜０．９５とされ、ａ−（Ｓｉ
　Ｎ　　）　（Ｈ，Ｘ）　　　で構成する場合ｄ　　ｒ
−ｄ　　ｅ　　　　　　　ｌ−ｅには、窒素原子の含有
量は、好ましくはｌＸｌ０−”〜６０　ａｔｏｍｉｃ％
　、よシ好適には１〜６０ａｔｏｍｉｃ％、ハロゲン原
子の含有量、又は、・・ロゲン原子と水ｌＬ原子とを併
せ丸首有量は、好１しくは１〜２０　ａｔｏｍｉｃ−１
よシ好適には２〜１５　ａｔｏｍｉｃ％とされ、この場
合の水素原子の含有量は好ましくは１９ａｔｏｍｉｃ−
以下、より好適に＃′ｉ、１３　ａｔｏｍｉｃ％以下と
されるのが望ましい・ ｄ、ｅの表示で示せは、ｄとしては、好筐しくは、０．
４３〜０．９９９９９、よシ好ましく祉、０．４３〜０
．９９、Ｃとしては、好ましくは、０．８〜０．９９、
よシ好ましくは、０．８５〜０．９８とされるのが望ま
しい。

本発明に於ける光導電部材を構成する補助層の層厚とし
ては、該補助層上に設けられる非晶質層の層厚及び非晶
質層の特性に応じて、所望に従って適宜決定される。

本発明に於いて、補助層の層厚としては、通常は、ａｏ
Ｘ〜２μ、好ましくは、４０Ｘ−１，５μ、最適にＦｉ
５０Ａ−１，５μとされるのが望ましい◎第１図に示さ
れる光導電部材１００４’Ｃ於ける第一の非晶質層（１
１１０３は、構成原子として酸素原子を含有する第一の
層領域０１０４、周期律表第１族に属する原子（第菖族
原子）を含有する第二の層領域（１１１０５、及び第二
の層領域（１）ｉｏｓ上に、酸素原子及び第１族原子が
含有されてない層領域１０７とから成る層構造を有する
。

第一０層領域０１０４と層領域１０７との間に設けられ
ている層領域１０６には第■族原子は含有されているが
酸素原子は含有されてない＠第一〇層領域−１０４に含
有される酸素原子は、戚い鉱第二の層領域（１）　１０
５に含有される第■族原子は、各層領域に於ｉて、層厚
方向には連続的に均一に分布し、支持体１０１の表面に
実質的に平行な面内に於いては連続的に且つ実質的に均
一に分布されるのが好ましいものである〇第１図に示す
場合の例の様な本発明の光導電部材に於いては、非晶質
層（１）１０３の上部表面側部分には、酸素原子及び第
厘族原子が官有されない層領域（第１図に示す表面層領
域１０７に相当）を有するが、第１族原子は含有されて
いるが、酸素原子は官有されない層領域（第１図に示す
層領域１０６）は必すしも設けられることを景しない。

即ち、例えば第１図に於いて、第一の層領域１０４（０
）と第二の層領域（１１１０５とが同じ層領域であって
も良いし、又、第一〇層領域（（Ｊ１１０４の中に第二
の層領域（ｍ）　ｉｏｓが設けられても良いものである
＠ 本発明の光導電部材に於いては、第一の層領域８には、
酸素原子の含有によって、高暗抵抗化と、第一の非晶質
層（１１が直接設けられる補助層との間の密着性の向上
が重点的に計られ、上部表面側の層領域には酸素原子を
含有させずに高感度化が重点的に計られている。

殊に、第１図に示す光導電部材１００の様に、非晶質層
（１）　１０３が、酸素原子を含有する第一０層領域０
１０４、第璽族原子を含有する第二の層領域（１１１０
５、酸素原子の含有されていない層領域１０６、及び酸
素原子及び第■族原子の含有されていない層領域１０７
とを有し、第一の層領域０１０４と第二の層領域偵）　
１０５とが共有する層領域を有する層構造の場合により
良好な結果が得られる・ 本発明の光導電部材に於いては第一の非晶質層（１）の
一部を構成し酸素原子の含有される第一の層領域（Ｑは
、１つには非晶質層（１）の補助層とのｍｓ性の向上を
計る目的の為に、又、非晶質層（１１の一部を構成し第
厘族原子の含有される第二０層領域（１）は、１つには
、非晶質層（ｌ）の自由表面側より帯電処理を施された
際、支持体側より非晶質層（ＩＩの内部に電荷が注入さ
れるのを阻止する目的の為に夫々、非晶質層（１）の一
部として支持体と非晶質層（１）とが接合する層領域と
して、少なくとも互いの一部を共有する構造で設けられ
る。

又、別には第二の層領域（厘）の補助層と、或い線第二
の層領域（１）の上に直接設けられる層領域との密着性
の向上をより一層効果的に達成するには、第一の層領域
（０１１ｒ葡助層との接触界面から、第二の層領域（１
）を内包する様に設ける、結シ、補助層との接触界面か
ら第二の層領域ｔ１）の上方まで延在させて第二の層領
域（１１’に含んだ層構造となる様に第一の層領域０を
非晶質層中１０中に設けるのが好ましいものである〇 本発明において、第一の非晶質層（りを構成する第二の
層領域（１）中に含有量れる崗期律表第厘族に属する原
子として使用されるのけ％Ｂ（ｔ＃１素）、Ｍ（アルミ
ニウム）、Ｇａ　（ガリウム）、Ｉｎ　（インジウム）
、Ｔｔ　（タリウム）等であり、殊に好適に用いられる
のはＢ　、　Ｇａである。

本発明において、第二の層領域（厘）中に含有される第
夏族原子の含有量としては、本発明の目的が効果的に達
成される様に所望に従うて適宜法められるが、層領域（
組に於いて通常は３０〜５　ｘ　１０　　ａｔｏｍｉｃ
　Ｉ）ｐｍ、好ましくは５０〜ｌＸｌ０’ａｔｏｍｉｃ
　ｐｐｍ、最適には１００〜５Ｘ１０　ａｔｏｍｉｃｐ
ｐｍとされるのが望ましいものである・ 第一の層領域（Ｏｆ中に含有される酸素原子の量に就て
も形成される光導電部材に要求される特性に応じて所望
に従って適宜法められるが、通常の礪合、０．００１〜
５０　ａｔｏｍｉｃ　％　、好ましくは、０．００２〜
４０　ａｔｏｍｉｃ　％　、最適には０．００３〜３０
ａｔｏｍｉｃｌＧとされるのが望ましいものである。

本発明の光導電部材に於いては、第鳳族原子の含有され
ている層領域（１）の層厚１．と（第１図でＬ層領域１
０４の層厚）、層領域（１１の上に設けられた、層領域
（１）を除いた部分の層領域（第１図では層領域１０６
）の層厚′ｒとは、その関係が先に示した様な関係式を
満足する様に決められるものであるが、より好ましく゛
は、先に示した関係式の値が０．３５以下、最適には０
．３以下とされるのが望ましい・ 本発明に於いて、第璽族原子の含有される層領域（１）
の層厚１ｍｌとしては、通常は３０Ａ〜５μ、好適には
４０Ａ〜４μ、最適には５０Ａ〜３μとされるのが望ま
しいものである。

又、前記層厚Ｔと層厚ｔＢとの和（’ｒ＋ｔＢ）として
は、通常は１〜１００μ、好適には１〜８０μ、最適に
は２〜５０声とされるのが望ましいものであるＯ 酸素原子の含有される層領域（ｑの層厚ｔ。とじては、
少なくともその一部の層領域を共有する層領域（１）の
層厚−との関係に於いて適宜所望する目的に従って決定
されるのが望ましい。即ち層領域（１）と、該層領域（
１）と直に接触する補助層との間の密着性の強化を計る
目的であれば、層領域（ｑは、層領域（１）の支持体側
端部層領域に少なくとも設けられてあれは良いから、層
慣域ｔａの層厚ｔ。とには高々層領域（幻の層厚指分だ
けあれば喪い。

又、層領域（厘）と該層領域（１）上に直に設けられる
層領域（第１図で示せは層領域１０７に相当する）との
間の密着性の強化を計るのであれは、層領域０は層領域
（扉）の支持体の設けである側とは反対の端部層領域に
少なくとも設けてあれば良いから、層領域００層厚ｔ。

とじて祉、高々、層領域ｔｌｌの層厚ｔ１分だけあれは
良い。

更に、上記２つの点を満足する場合を考慮すれは層領域
（Ｏｆの層厚ｔ。とじては、少なくとも層領域（厘）の
層厚ｔＢだけある必要があり、且つ、この場合は、層領
域０中に層領域（璽）が設けられた層構造とされる必要
がある。

層領域（Ｍｌと、該層領域（厘）上に直に設けられる層
領域との間の密着性を一層効果的に計るには層領域（Ｑ
を層領域（１）の上方（支持体のある側とは反灼方向ン
に延在させるのが好ましいものである。

本発明に於いて、層厚ｔ。とじては上記した点通常の場
合１０λ〜ｌｏμ、好適には２０Ａ〜８μ、最適には３
０Ｘ〜５μとされるのが望ましいものである。

第１図に示される光導電部材１００に於−ては、第一の
非晶質層（１）　１０３上に形成される第二の非晶質層
（Ｉｔ）１０８は、自由表面１０９を有し、主に耐湿性
、連続繰返し使用特性、耐圧性使用項境特性、耐久性に
於いて本発明の目的を達成する為に設けられる。

本発明に於いては、第一の非晶質層（１）と第二の非晶
質層（鳳）とを形成する非晶質材料の各々がシリコン原
子という共通の構成要素を有しているので、積層界面に
於いて化学的な安定性の確保が充分成されて−る。

第二の非晶質層（１）は、シリコン原子と炭素原子と水
素原子とで構成される非晶質材料〔ａ−（８ｓ　ｘ　Ｃ
＋　Ｘ　）　ＹＨＩＹ　ｅ但し０＜ｘ、ｙ＜１’）で形
成される。

ａ　−（８ｉｘＣ＠−ｘ）ｙＨ，−ｙで構成される第二
の非晶質層（１）の形成はグロー放電法、スパッターリ
ング法、イオンインプランテーション法、イオンブレー
ティング法、エレクトロンビーム法等によって成される
。これ等の製造法は、製造条件、設備資本投下の負荷程
度、製造規模、作製される光導電部材に所望される特性
等の要因によって適宜選択されて採用されるが、所望す
る特性を有する光導電部材を製造する為の作製条件の制
御が比敏的容易である。シリコン原子と共に炭素原子及
び水！原子を作製する第二〇非晶質層（鳳）中に導入す
るが容易に行える等の利点からグロー放電法或いはスパ
ッターリング法が好適に採用される。

更に本発明に於いては、グロー放電法とスパッターリン
グ法とを同一装置系内で併用して第二の非晶質層（ｌｊ
）を形成しても良い。

グロー放電法によって第二の非晶質層（１１を形成する
には、ａ−（５ｉｘＣ，−、ｘ）ｙ　Ｈ，−ｙ形成用の
原料ガスを、必要に応じて稀釈ガスと所定量の混合比で
混合して、支持体の設置しである真空堆積用の堆積室に
導入し、導入されたガスをグロー放電を鉋起させること
でガスプラズマ化１て前記支持体上に既に形成されであ
る第一の非晶質層（１）上Ｋ　ａ−（ＳｉｘＣ，−ｘ）
ｙ　Ｈ，−ｙを堆積させれは良い。

本発明に於いてａ　−（Ｓ　１ｘＣ１−ｘ）ｙＨ，−ｙ
形成用の原料ガスとしては、Ｓｉ、Ｃ，Ｈの中の少々く
とも一つを構成原子とするガス状の物質又はガス化し得
る物質をガス化したものの中の大概のものが使用され得
る。

８ｉ　、　Ｃ，Ｈの中の１つとして８４を構成原子とす
る原料ガスを使用する場合は、例えば８ｉを構成原子と
する原料ガスと、Ｃを構成原子とする原料ガスと、Ｈを
構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して使
用するか、又は、Ｓｉを構成原子とする原料ガスと、Ｃ
及びＨを構成原子とする原料ガスとを、これ４又所望の
混合比で混合するか、或いは、ＳＮを構成原子とする原
料ガスと、８ｉ、　Ｃ及びＨの３つを構成原子とする原
料ガスとを混合して使用することが出来る。

又、別には、ＳｉとＨとを構成原子とする原料ガスにＣ
を構成原子とする原料ガスを混合して使用しても良い。

本発明に於いて、第二の非晶質層（ｆｌ）形成用の原料
ガスとして有効に使用されるのは、ＳｌとＨとを構成原
子とするＳ　ｉＨ，、Ｓ　ｉ、Ｈ，、Ｓ　ｉ、Ｈ，、Ｓ
　ｉ。

Ｈｌ。等のシラン（Ｓｉｌａｎｅ）類等の水素化硅ｉガ
ス、ＣとＨとを構成原子とする、例えば炭素数１〜４の
飽和炭化水素、炭素数２〜４のエチレン系炭化水素、炭
素数２〜３のアセチレン系炭化水素等が挙げられる。

具体的には、飽和炭化水素としては、メタン（ＣＨ，）
、エタン（ＣａＨａ）、プロパｙ　（ＣＨ，）、　ｎ−
ブタｙ（ｎ−Ｃ，Ｈ，。）、ペンタ７　（ＣｓＨＩり　
＋　エチレン系炭化水素としては、エチレン（ＣＩＨ４
）、プロピレン（ＣａＨｓ）、ブチ／−１（Ｃ４Ｈａ　
）＋ブテンー２（Ｃ４Ｈ＠）、イソブチレン（Ｃ４ＨＩ
）、ペンテン（ＣｓＨＩ−）　。

アセチレン系炭化水素としては、アセチ−レン（Ｃｔ　
Ｈｔ　）−メチルアセチレン（ＣＩ　Ｈ４）、ブチン（
ＣａＨａ　）等が挙げられる。

ＳｉとＣとＨとを構成原子とする原料ガスとしては、５
ｉ（ＣＨｌ）４．８１（ＣＩＨＩ）４　等のケイ化アル
キルを挙げることが出来る。これ等の原料ガスの他、Ｈ
導入用の原料ガスとしては勿論Ｈ！４１有効なものとし
て使用される。

スパッターリング法によって第二の非晶質層（閣）を形
成するには、単結晶又は多結晶の８ｉウエーハー又はＣ
ウエーノ・−又は８ｉとＣが混合されて含有されている
ウエーノ・−をターゲットとして、これ等を種々のガス
雰囲気中でスパッターリングすることＫよって行えば良
い。

例えば、Ｓｉウエーノ・−をターゲットとして使用すれ
ば、ＣとＨを導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀
釈ガスで稀釈して、スパッター用の堆積室中に導入し、
これ等のガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｉウェー
ハーをスパッターリングすれば良い。

又、別には、ＳＩとＣとは別々のターゲットとして、又
は８４とＣの混合した一枚のターゲットを使用すること
によって、少なくと４水素原子を含有するガス雰囲気中
でスパッターリングすることによって成される。

ＣＸはＨ導入用の原料ガスとしては、先述したグロー放
電の例で示し九原料ガスが、スノくツタ−リングの場合
にも有効なガスとして使用さ。

れ得る。

本発明に於ｉて、第二の非晶質層（ＩＩ）をグロー放電
法又はスパッターリング法で形成する際に使用される稀
釈ガスとしては、所謂・希ガス。

例えばＨｅ、Ｎｅ、Ａｒ等が好適なものとして挙げるヒ
とが出来る。

本発明に於ゆる第二の非晶質層（１）は、その要求され
る特性が所望通りに与えられる様に注意課く形成される
。

即ち、　ｓｉ、ｃ、及びＨを構成原子とする物質はその
作成条件によって構造的には結晶からアモルファスまで
の形箇を取り、電気物性的には導電性から半導体性、絶
縁性までの間の性質を、又光導電的性質から非光導電的
性質までの間の性質を、各々示すので、本発明に於いて
は、目的に応じた所望の特性を有するａ−８ｉｘＣ，−
ｘが形成される様に、所望に従ってその作成条件の選択
が厳密に成される。

例えば、第二の非晶質層（１）を耐圧性の向上を主な目
的として設けるには、ａ−（８ｉｘＣ，−ｘ）ｙＨｒ　
　Ｙは使用条件下に於いて電気絶縁性的挙動の顕著な非
晶質材料として作成される。

又、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上を主たる
目的として第二の非晶質層（１）が設けられる場合には
、上記の電気絶縁性の度合はある程度緩和され、照射さ
れる光に対しである種度の感度を有する非晶質材料とし
てａ−（８ｉｘＣ，−ｘ）ｙＨｔｙが作成される、 第一の非晶質層（１）の表面Ｋ　ａ−（８ｉｘＣ，−Ｘ
）　７Ｈｓ　　Ｙから成る第二の非晶質層（１）を形成
する際、層形成中の支持体温度社、形成される層の構造
及び特性を左右する重要な因子であって、本発明に於ｉ
′Ｃ社、目的とする特性を有すゐａ−（ＳｉＸｃ、−ｘ
）ｙＨｌ−ｙが所望通９に作成され得る様に層作成時の
支持体温度が嫌者に制御されるのが望ましφ。

本発明に於ける目的が効果的に達成される為の第二の非
晶質層（１）を形成する際の支持体温度として杜第二の
非晶質層（Ｉ）の形成法に併せて適宜最適範囲が選択さ
れて、第二の非晶質層（Ｉｉｌρ形成が実行されるが、
通常の場合、５０℃〜３５０℃、好適には１００℃〜２
５０℃とされるの力Ｉ望ましいものである。第二の非晶
質層１）の形成には、層を構成する原子の組成比の微妙
な制御や層厚の制御が他の方法に較べて比較的容易であ
る事等の為に、グロー放電法やスノくツタ−リング法の
棟用が有利であるが、これ等の層形成法で第二の非晶質
層（１）を形成する場合には、前記の支持体温度と同様
に層薙成の際の放電・くワー、ガス圧が作成されるａ−
（８ｉｘＣ，−ｘ）ｙＨ，−ｙの特性を左右する１農な
因子の１つである。

本発明に於ける目的が達成される為の特性を有するａ−
（８ｉｘＣ，−ｘ）ｙＨ，−ｙが生産性良く効果的に作
成される為の放電ノくワー条件としては、通常、１０〜
３００Ｗ、好適には２０〜２００Ｗとされるのが望まし
い。堆積室内のガス圧は通常０．０１〜ｌ　Ｔｅｒｒｓ
好適には０．１〜０．５Ｔｏｒｒ程度とされるのが望ま
しい。

本発明に於鱒ては、第二の非晶質層（蓋）を作成する為
の支持体側り放電ノくワ一の望まし一数値範囲として前
記した範囲が値が挙げられるが、これ等の層作成ファク
ターは、独立的に芹１々に決められるものではなく、所
望特性の＠−（８ｉｘＣ＋　”）ｙＨｔづかも成る第二
の非晶質層（１）が形成される様に相互的有機的関連性
に基ｉて、各層作成ファクターの最適値が決められるの
が望ましい、 本発明の光導電部材に於ける第二の非晶質層（１）に含
有される炭素原子及び水素原子の量は、第二の非晶質層
（１）の作製条件と同様、本発明の目的を達成する所望
の特性が得られる第二の非晶質層（厘）が形成される重
要な因子である。

本発明に於ける第二の非晶質層（１）Ｋ含有される炭素
原子の量は通常はＩ　Ｘ　１０−”〜９０　ａｔｏｍｉ
ｃ％とされ、好ましくは１〜９０ａｔｏｍｉｃ％、最適
には１０〜８Ｑａｔｏｍｉｃ％とされるのが望まし−４
のである。水素原子の含有量としては、通常の場合１〜
４０ａｔｏｍｉｃ％、好ましく　Ｉａ　２〜３５ａｔｏ
ｍｉｃ％、最適には５〜３０ａｔｏｍｉＣ％とされるの
が望ましく、これ等の範囲に水素含有量がある場合に形
成される光導電部材は、実際面に於いて優れたものとし
て充分適用させ得るものである。

即ち、先のａ−（８ｉｘＣ，−ｘ）ｙＨ，−ｙの表示で
行えばＸが通常は０．１〜０．９９９９９、好適には０
．１〜０．９９、最適には０１５〜０．９、ｙが通常０
．６〜０．９９、好適には０．６５〜０．９８　、最適
には０．７〜０．９５であるのが望ましい。

本発明に於ける第二の非晶質層（１１）の層厚の数値範
囲は、本発明の目的を効果的に達成する為の重要な因子
の１つである。

本発明に於ける第二の非晶質層（Ｉｔ）の層厚の数値範
囲は、本発明の目的を効果的に達成する様に所期の目的
に応じて適宜所望に従って決められる。

又、第二の非晶質層（ｆｌ）の層厚は、該１１１１中に
含有される炭素原子や水素原子の量、第一の非晶質層（
１）の層厚等との関係に於いても、各々の層領域に要求
される特性に応じた有機的な関連性の下に所望に従って
適宜決定される必要がある。更に加え得るに１生産性中
量意性を加味した経済性の点に、於いても考慮されるの
が望ましい。

本発明に於ける第二の非晶質層（…）の層厚としては、
通常０．００３〜３０＃好適には０．００４〜２０μ最
適にけｏ、ｏｏｓ〜１０＃とされるのが望ましいも本発
明において使用される支持体としてＦｉ、導電性で４電
気絶縁性であってもよい。導電性支持体として社、例え
ば％　ＮｔＯｒ、ステンレス。

Ａｎ　、　Ｏｒ　、　Ｍｏ　、　Ａｕ　、　Ｎｂ　、　
Ｔａ　、　Ｖ　、　Ｔｉ　、　Ｐｔ　。

Ｐｄ　等の金属又はこれらの合金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル。

ポリエチレン、ポリカーボネート、セルローズアセテー
ト、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル。

ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等の合
成樹脂のフィルム又はシート、ガラス。

セラミック、紙等が通常使用される。ζｔらの電気絶縁
性支持体拡、好適には少なくともその一方の素面を導電
処理、され、該導電処理さｆ′した表戯儒に他の層が設
けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｉＣｒ。

ＡＪ　＊　Ｏｒ　＋　Ｍｏ　、　Ａｕ　、　Ｉｒ　、　
Ｎｂ　、　Ｔａ　、　Ｖ　、　Ｔｉ。

Ｐｉ　、　Ｐｄ　、　Ｉｎ、Ｏｉｌ　、　８ｎＣ％　、
　ＩＴＯ、（Ｉｎ、Ｃ％＋８ｎＯ，）等から成る薄膜を
設けることによって導電性が付与され、或いはポリエス
テルフィルム等の合成樹脂フィルムであればｓ　Ｎ５Ｃ
ｒ　＊　Ａｊ＊　Ａｇ＊Ｐｂ　　、　　Ｚｎ　　、　　
Ｎｉ　　ｅ　　Ａｕ　　、　　Ｏｒ　　＊　　Ｍｏ　　
＋　　Ｉｒ　　＊　　Ｎｂ　　。

Ｔａ　、　Ｖ　、　Ｔｉ　＊　Ｐｉ　　等の金属の薄膜
を真空蒸着。

電子ビーム蒸着、スパッタリング等でその表面に設け、
又は前記金属でその表面を２ミネート処理して、その表
面に導電性が付与される。支持体の形状としては、円筒
状、ベルト状、板状等任意の形状とし得、所望によって
、その形状は決定されるが、例えば、第１図の光導電部
材１００を電子裏写用像形成部材として使用するのであ
れば連続高速複写の場合には、無端ベルト状又は円筒状
とするのが望ましい。支持体の厚さＦｉ、所望通りの光
導電部材が形成される様に適宜決定さハるが、光導電部
材として可撓性が要求される場合には、支持体としての
機能が充分発揮される範囲内であれば可能な限り薄くさ
れる。丙午ら、この様な場合支持体の製造上及び取扱い
上１機械的強度等の点から、通常は１゜塵以上とされる
。

本発明においてｓ　ａ　ａｔ（Ｈ＋Ｘ）で構成される第
一の非晶質層（Ｉ）を形成するには例えとグロー放電法
、スパッタリング法、或いはイオンブレーティング法尋
Ｏ放電現象を利用する真空堆積法によって成される。例
えば、グロー放電法によって、ａ　８１（ＨＩＸ）で構
成される非晶質層（Ｉ）を形成するには、基本的にはシ
リコン原子（８ｉ）ｔ−供給し得る８ｉ供給用の原料ガ
スと共に、水素原子（Ｈ）導入用の又は／及びハロゲン
原子（Ｘ）導入用の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆
積室内に導入して、該堆積室内にグロー放電を生起させ
、予め所定位置に設置されである所定の支持体表面上に
概に形成されである補助層上Ｋａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）から
なる層を形成させれば良い。又、スパッタリング法で形
成する場合には、例えばＡｒ　、　Ｈｅ勢の不活性ガス
又はこれらのガスをベースとした混合ガスの雰囲気中で
Ｓｉで構成されたターゲットをスパッタリングする際、
水素原子（Ｈ）又ｔｉ／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用
のガスをスパッタリング用の堆積室に導入してやれば良
。

本発明において、必要に応じて非晶質層（１）中に含有
されるハロゲン原子（Ｘ）として＃′ｉ。

具体的にはフッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙けらｎ、殊
にフッ素、塩素を好適なものとして挙けることが出来る
。

本発明に於て使用１れる８ｉ供給用の原料ガスとしてＦ
ｉ％８１に＋　８　＋　２　Ｈｓ　＋　Ｓ　ｇ　Ｂ　Ｈ
ｌ　＊　Ｓ　ｉ４　Ｈｌ。等のガス状態の又祉ガス化し
得る水素化硅素（シラン類）が有効に使用さｎるものと
して挙げらｔ１殊に。

層作成作業の扱い易さ、、８ｉ供給効率の良さ等の点で
８ｉＨ，、８ｉ、Ｈ，が好ましい亀の２して挙げられる
。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙けられ
、例えに、ハロゲン化物。

ハロゲン化物、ハロゲン間化合物、ハ四グンで置換され
たシラン誘導体等のガス状能の又蝶ガス化し得るハロゲ
ン化合物が好ましく挙げられる０ 又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを構成要素
とするガス状能の又はガス化し得るハロゲン原子を含む
硅素化合物も有効なものとして本発明においては挙げる
ことが出来る。

本発明において好適に使用し得るノ・ロゲ゛ン化合物と
しては、具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素の／
Ｎ　Ｏゲンガス、ＢｒＦ　、　ＣＩＦ　、　ＣｒＦ３　
。

ＢｒＦ＠　、　ＢｒＦ＠　、　ＩＦＦ　、　ＩＦｙ　、
　Ｉｃｅ　、　ＩＢｒ等のノ１０ゲン関化合物を挙ける
ことが出来る。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、所論、ハロゲン原子で
置換されたシラン誘導体としては、具体的には例えばＳ
ｉＦ４　＠　５ｉｌＦｓ　ｔ　ＳＩＣ／４　＠　ＳｉＢ
ｒ４等のハロゲン化硅素が好ましいものとして挙げるこ
とが出来る。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の待機的な光導電部材を形成す
る場合には、Ｓｌを供給し得る原料ガスとしての水素化
硅素ガスを使用しなくとも、所定の支持体上に既に設け
である補助層上にハロゲン原子を含むａ−８ｉから成る
非晶質層（１）を形成する事が出来る。

グロー放電法に従りて、ハロゲン原子を含む非晶質層（
１）を形成する場合、基本的には、Ｓ１供給用の原料ガ
スであるハロゲン化硅素ガスとＡｒ　、　Ｈｌ　、　Ｈ
ｅ等のガス等を所定の混合比とカス流量になる様にして
非晶質層（１）を形成する堆積室に導入し、グー−放電
を生起してこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形成するこ
とＫよって、所定の支持体上に非晶質層を形成し得るも
のであるが、水素原子の導入を計る為にこれ等のガスＫ
ｊ！に水素原子を含む硅素化金物のガスも所定量混合し
て層形成しても良ｉ０ 又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。

反応スパッタリング法或いはイオンブレーティング法に
依りてａ　−８１（ＨｅＸ）から成る非晶質層（１）を
形成するには、例えばスパッタリング法の場合にはＳｌ
から成るターゲットを使用して、これを所定のガスプラ
ズマ雰囲気中でスバ、タリングし、イオンブレーティン
グ法の場合には、多結晶シリコン又は単結晶シリコンを
蒸発源として蒸着ボー）Ｋ収容し、このシリコン蒸発源
を抵抗加熱法、或いはエレクトロンと−五法（ＥＢ法）
等によって加熱蒸発させ飛翔蒸発物を所定のガスプラズ
マ雰囲気中を通過させる事で行う事が出来る。

仁の際、スパッタリング法、イオンブレーティング法の
何れの場合にも形成される層中にノ・ロゲン原子を導入
するには、前記のＩ・ロゲン化合物又は前記のハロゲン
原子を含む硅素化金物のオスを堆積室中に導入して該ガ
スのプラズマ雰囲気を形成してやれば良いものである。

又、水−原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、為、或いは前記し九シラ７類等のガス
をスパッタリング用の堆積室中に導入して＃ガスのプラ
ズマ雰囲気を形成してやれば良い。

本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
て上記されたハロゲン化合物或いはハロゲンを含む硅素
化合物が有効なものとして使用されるものであるが、そ
の他に、ＨＰ、　ＨＣ／。

ＨＢｒ、　ＨＩ等のハロゲン化水素、８１Ｈ，Ｆ＊　ｅ
　８１％ｂ　ｔＳｉＩ％ＣＺ、　、　５ｉＨＣｔ１　、
　Ｓｉ％Ｂｒｌ　、　８１ＨＢｒ１等のハロゲン置換水
素化硅素、等々のガス状態の或いはガス化し得る、水素
原子を構成要素の１つとするハロゲン化物も有効な非晶
質層（１）形成用の出発物質として挙ける事が出来る。

これ等の水素原子を含むハロゲン化物は、非晶質層（１
）形成の際に層中にハロゲン原子の導入と同時に電気的
或いは光電的特性の制御Ｋ１１ｉＩめて有効な水素原子
も導入されるので、本発明においては好適なハロゲン原
子導入用の原料として使用される。

水素原子を非晶質層（１）中に構造的に導入するには、
上記の他に＆、或いは引Ｈａ　−８１＊Ｈｓ　−８ｉｓ
Ｈｓ　ｔ　Ｓ１＊Ｈ＊ｅ　等の水素化硅素のガスを８ｉ
を供給する為のシリコン化合物と堆積室中に共存させて
放電を生起させる事でも行う事が出来る。

例えに１反応スパッタリング法の場合には、Ｓ１ターゲ
ツトを使用し、／％四ゲン原子導入用のガス及び為ガス
を必ｌ！に応じてＨ・、Ａｒ勢の不活性ガスも含めて堆
積室内に導入してプラズマ雰囲気を形成し、前記Ｓ１タ
ーゲツトをスパッタリングする事によりて、補助層上に
ａ　−Ｓ　ｉ　（Ｈ；　Ｘ　）から成る非晶質層（１）
が形成される。

更には、不純物のドーピングも兼ねてＩＩＩｔＨａ等の
ガスを導入してやることも出来る。

本発明において、形成される光導電部材の第一の非晶質
層（１）中に含有される水素原子（Ｈ）の量又はハロゲ
ン原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン原子の量の和
（Ｈ＋Ｘ）は通常の場合１〜４０　ａｔｏｍｉｅ−１好
遣には５〜３０　ａｔｏｍｉｅ！ｉとされるのが望まし
い。

第一〇非晶質層（１）中に含有される水素原子（Ｈ）又
は／及びハロゲン原子（Ｘ）の量を制御するには、例え
に支持体温度又は／及び水素原子（Ｈ）、或いはハロゲ
ン原子（Ｘ）を含有させる為に使用される出発物質の堆
積装置系内へ導入する量、款電々力等を制御してやれば
良い。

非晶質層（１）Ｋ、第厘族原子を含有する層領域（層）
及び酸素原子を含有する層領域（０）を設置るＫＦｉ、
グロー放電法や反応スパッタリング法等による非晶質層
（１）の形成の際に、第■族原子導入用の出発物質及び
酸素原子導入用の出発物質を夫々前記し九非晶質層（１
）形成用の出発物質と共に使用して、形成される層中に
その量を制御し乍ら含有してやる事によって成されるＯ 第一の非晶質層（１）を構成する、酸素原子の含有され
る層領域（０）及び第１族鳳子の含有される層領域（Ｉ
Ｉ）を夫々形成、するのにグロー放電法を用いる場合、
各層領域形成用の原料ガスとなる出発物質としては、前
記した非晶質層（１）形成用の出発物質の中から所望に
従って選択されたものに、酸素原子導入用の出発物質又
は／及び第履族原子導入用の出発物質が加えられる。

その様な酸素原子導入用の出発物質又は第膳族原子導入
用の出発物質として社、少なくとも酸素原子或いは第厘
族原子を構成原子とするガス状の物質又はガス化し得る
物質をガス化し九ものの中の大概のものが使用され得る
。

例えば層声域（０）を形成するのであれば、シリコン原
子（Ｓｌ）を構成原子とする原料ガスと、酸素原子（０
）を構成原子とする原料ガスと、必要に、応じて水素原
子（Ｈ）又は／及びノ・ロゲン原子（Ｘ）を構成原子と
する原料ガスとを所望の混合比で混合して使用するか、
又は、シリコン原子（Ｓｌ）を構成原子とする原料ガス
と、酸素原子（０）及び水素原子（Ｈ）を構成原子とす
る原料ガスとを、これも又７ｙｒｉＩの混合比で混合す
るか、或匹は、シリコン原子（８１）を構ｉｆｔ原子と
するＮ科ガスと、シリコン原子（Ｓｔ）、酸素原子向及
び水嵩原子（Ｈ）　Ｏ３つを構成原子とする原料ガスと
を混合して使用することが出来る〇又、別には、シリコ
ン原子（Ｓｉ）と水ｌＡ原子（Ｈ）とを構成原子とする
原料ガスＫｉ！Ｉ１２素原子（Ｊ）を構成原子とする原
料ガスを混合して使用しても良い〇 酸素原子導入用の出発物質となるものとして具体的には
、例えば酸素（へ）、オゾン（Ｏｓ）、−酸化窒素（Ｎ
Ｏ）を二酸化窒素（ＮＯ，）、−二酸化書素（ＮｔＯ）
　、三二酸化窒素（Ｎ＊０ｓ）ｓ　ｉ！ｇ二酸化窒素（
Ｎ、０．）　、三二酸化窒素（ＮＩＯＩ）　ｓ三酸化窒
素（Ｎｏ、）　、シリコン原子（８１）と酸素原子（０
）と水素原子（Ｈ）とを構成原子とする、例えば、ジシ
ロキサンＨｓＳ１０８１Ｈｓ　　、　）リシロキサンＨ
ｓ別Ｏ８１％０８１Ｈ，等の低級シロ中サン等を挙げる
ことが出来る。

層領域（１）ｔ−グロー放電法を用いて形成する場合に
第厘族原子導入用の出発物質として、本発明において有
効に使用されるのは、硼素原子導入用としては、ＢｍＬ
　＊　ＢａＨ２・ｌ晶ｖ　ＢｓＨｕ　−Ｂｊ（ａｓ　。

Ｂ＠ＨＷ　−＆Ｈｖａ等の水素化硼素、Ｂ１２　、　Ｂ
ｃｔ＠　、　！１ＢｒＢ等のハロゲン化硼素ＩＩＩが挙
けられる０この他、ＡｌＣｌ５　ｓ　ＧｍＣ１ｍ　ｌ　
ｃｍ（ｃｎｓ）ｓ　ｅ　ＩｎＣ４ｐ　ＴｌＣ１ｇ勢も挙
げる仁とが出来る。

第膳族原子を含有する層領域（厘）Ｋ導入される第置族
原子の含有量性１．堆積室中に流入される第履族原子導
入用の出発物質のガス流量、ガス流量比、放電パワー、
支持体温度、堆積室内の圧力等を制御することによりて
任意に制御され得る。

スパッターリング法によって、酸素原子を含有する層領
域（０）　を形成するには、単結晶又は多結晶のＳ１ウ
ェーハー又Ｆｉ８ｉ０．ウェーハー、又はＳｌとＳｌへ
が混合されて含有されているウェーハーをターゲットと
して、これ等を種々のガス雰囲気中でスパッター、リン
グするととＫよって行えば良い。

例えば、Ｓｉウェーハー倉ターゲットとして使用すれば
、酸Ｉｌ原子と必要に応じて水素原子又は／及びハロゲ
ン原子を導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガ
スで稀釈して、スパッター用の堆積室中に導入し、これ
等のガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｉウェーハー
をスパッターリングすれｄ良い。

又、別には、Ｓｉと８３０．とは別々のターゲットとし
て、又はＳｉと８１０．の混合し九一枚のターゲットを
使用することによって、スパッター用のガスとしての稀
釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも水素原子（Ｈ）又は
／及びハロゲン原子（Ｘ）を構成原子として含有するガ
ス雰囲気中でスパッターリングすることによって成され
る０酸素原子導入用の原料ガスとして杜、先述したグロ
ー放電の例で示し九原料ガスの中の酸素原子導入用の原
料ガスが、スパッターリングの場合にも有効なガスとし
て使用され得る。

本発明において、非晶質層をグロー放電法で形成する際
に使用される稀釈ガス、或いはスバ、クリング法で形成
される際に使用されるスパッターリング用のガスとして
は、所１ＩＩＩガス、例えばＨｅ　、　Ｎｅ　、　Ａｒ
郷が好適なものとして挙けることが出来る。

第２図には、本発明の光導電部材の他の好適な実施簡様
例の層構成が示されるう第２図に示される光導電部材２
００が、第１図に示される光導電部材１００と異なると
ころは、第一の非晶質層（１）　２０３がその中に、下
部補助層２０２−１　　と同様の機能を果す上部補助層
２０２−２を有することである。

即ち、光導電部材２００　Ｆｉ、支持体２０１．該支持
体２０１上ＫｊｌＫ積層された、下部補助層２０２−１
、第一の非晶質層（１）　２０３及び第二の非晶質層（
ＩＩ）　２０８とを具備し、非晶質層（１）　２０３は
、酸素原子の含有されている第一の層領域（０１２０４
と、第１族原子の含有されている第二〇層領域１）２０
５と、層領域２０６と層領域２０７との間に上部補助層
２０２−２とを有している。

上部補助層２０２−２は、層領域（ｉ）２０５と層領域
２０７との間の密着を強固にし、両者の接触界面に於け
る電気的接触を均一にしていると同時に、層領域（１）
　２０５上に直に設けることによって層領域（ＩＤ２０
５の層質を強靭なものとしている。

第２図に示される光導電部材２００を構成する下部補助
層２０２−１及び上部補助層２０２−２は、第１図に示
した光導電部材１００を構成する補助層１０２の場合と
同様の非晶質材料を使用して、同様の特性が与えられる
様に同様表層作成手順と条件によって形成される。

非晶質層（１）　２０３及び非晶質層（ＩＩ）　２０８
も、第１図に示す非晶質層（１）　１０３及び非晶質層
（ｆｌ）１０８と夫々同様の特性及び機能を″有し、第
１図の場合と同様な層作成手順と薬件によって作成され
る。

次忙本発明の光導電部材の製造方法の一例の概略につい
て説明する。

第３図に光導電部材の製造装置の一例を示す。

図中の３０２．３０３．３０４．３０５　、３０６．の
ガスボンベには、本発明の夫々の層領域を形成するため
の原料ガスが密封されておや、その１例としてたとえば
３０２は、Ｈｅで鵬釈され九８ｉＨ４ガス（純度９９．
９９９％、以下８ｉＨ，／Ｉ和と略す。）ボンベ、３０
３はＨｅで稀釈され九Ｂ、Ｈ，ガス（純度９９．９９９
％。

町ＢｔＨｓ／Ｈｅと略す。）ボンベ、３ｏ４はＣ，Ｈ，
ガス９９．９９９％）ボンベである。

これらのガスを反応室３０１に流入させるにはガスボン
ベ３０２〜３０６のパルプ、３２２〜３２６゜リークパ
ルプ３３５が閉じられていることを確認し、又、流入パ
ルプ３１２〜３１６、流出バルブ３１７〜３２１、補助
パルプ３３２が開かれていることを確認して先づメイン
パルプ３３４を開いて反応室３０１、ガス配管内を排気
する。次に真空計３３６の読みが約５ｘｌＱ　　ｔｏｒ
ｒになった時点で補助パルプ３３２．３３３．流入バル
ブ３２２〜３２６．流出パルプ３１７〜３２１を閉じる
。その後、反応室３０１内に導入すべきガスのボンづに
接続されているガス配管のパルプを所定通シ操作して、
所望するガ作成する場合の一例の概略を述べる。

先ず、シリンダー状支持体３３７上に補助層を　　　　
□形成する場合の１例をあげると、ガスボンベ３０２よ
り８　ｉ　Ｈ，／Ｈｅガス、ガスボンベ３０６よりＮ（
（、ガスをパルプ３２２．３２６を開−て出口圧ゲージ
３２７゜３３１〕圧を１　＃ｖ／ａｌＩＫ　ＩＩＩ整し
、流入バルブ３１２，３１６を徐々に開けて、マスフロ
コントローラ３０７，３１１内に流入させる。引き続い
て流出パルプ３１７．３２１、補助パルプ３２２徐々に
開いて夫々のガスを反応室３０１　Ｋ流入させる。この
ときの８　ｓ　Ｈ＠　、／Ｈｅガス流量とＮＵ、ガス流
量との比が所望の龍になるように流出パルプ３１７．３
２１を調整し、又、反応室３０１内の圧力が所望の値に
なるように真空計３３６の読みを見ながらメインパルプ
３３４の開口を調整する。そして支持体３３７の温度が
瑯熱ヒーター３３８により５０〜４００℃の範囲の温ｆ
に設定されて−ることを確認した後、電源３４０を所望
の電力に設定して反応室３０１内にグロー放電を生起さ
せて補助層を支持体３３７上に形成する。

形成される補助層中にハロゲン原子を導入するＫは、例
えば上記の補助層の作成に郷ての説明に於いて、８！Ｈ
，ガスの代りに％ＳｉＦ、ＳｉＨ４ガスか、ＳｉＨ４ガ
スに５ＩＦ４ガスを加えて層形成するととくよって成さ
れる。

補助層中に含有される窒素原子や水素原子、ハロゲン原
子の含有量は、これ等の原子を構成原子とする補助層形
成用の出発物質を反応室３０１に導入する際の流量を調
整することＫよって制御される。

例えば窒素原子の含有量の制御は、ＮＨ，ガスの流量を
、又、ハロゲン原子の含有量の制御は、８ｉＦ、ガスの
流量を、夫々調整することによって成される。

次に、支持体３３７上に第一の非晶質層（１）を形成す
る場合の１例をあげる。シャッター３４２は閉じられて
お秒、電源３４０より高圧電力が印加されるよう接続さ
れている。ガスボンベ３０２よ塾Ｓｉ＆／）ｌｅガス、
ガスボンベ３０３より　ＢｔＨ，／Ｈｅ　　ガス、ガス
ボンベ３０５からＮｏガスの夫々をバルブ３２２　、３
２３　、３２５を夫々間いて出口圧ゲージ３’２７　、
３２８　、３３０の夫々の圧を１麺／ｄＫｖＩ４整し、
流入ハに−１３１２、３１３、３１５を徐ｋＫｌｌｌて
、マスフロコストローラ３０７　、３０８　。

３１０内に流入させる。引き続いて流出バルブ３１７゜
３１８　、３２０、補助バルブ３３２を徐ｋＫ開いて夫
々のガスを反応室３０１　Ｋ流入させる。このときのＳ
　ｉ　Ｈａ　／Ｈｅガス流膏１Ｂ＊Ｌ／Ｈｅガス流量、
Ｎ。

ガス流儀の夫々の比が所望の値になるように流出パルプ
３１７　、３１８　、３２０の開口を夫々調整し、又、
反応室３０１内の圧力が所望の値になるように真空計３
３６の読みを見ながらメインバルブ偶の開口を調整する
。そして支持体３３７の温度が加熱ヒーター３３８によ
シ５０〜４００℃の範囲の所望の温度に設定されている
ことを確認された後、電源３４０を所望の電力に設定し
て反応室３０１内にグロー放電を生起させて支持体３３
７上に先ず硼素と酸素の含有され九層領域を形成する。

この際％　ＢｔＨａＡｅガス、或いはＮｏガスの反応室
３０１内への導入を各対応するガス導入管のバルブを閉
じることＫよって連断することで、硼素の含有される層
領域、或いは、酸素の含有される層領域の層厚を所望に
従って任意に制御することが出来る。

硼素と酸素が夫々含有された層領域が上記の様にして所
望層厚に形成され死後、流出パルプ３１８．３２０の夫
々を閉じて、引き続きグロー放電を所望時間続けること
によって、硼素と酸素が夫々含有され九層領域上に、硼
素及び酸素の含有されない層領域が所望の層厚に形成さ
虹て、第一の非晶質層（１１）の形成が終了する。

本発明の光導電部材に於いては、前述した様に非晶質層
（１）を構成する層領域（０）と層領域（ＩＩＩ）とは
、少なくと４その一部の層領域を共有するものであるか
ら、非晶質層（蓋）を形成する際に例えばシルガスとＮ
ｏガスとを所望の流量で反応室３０１に同時に導入す、
！−間を所望の長さ設ける必要がある。

例えば、前述した轡す非晶質層５Ｉ）の形成開始時から
所望の時間、Ｂ晶ガスとＮＯガーーとを反応室３０１内
に導入し、該時間？経過後、いずれかのガスを反応室３
０１内に導入するのを止めることＫよりて層領域（０）
又は層領域（ＩＩＩ）のいずれか一方の層領域中忙他の
層領域を設けることが出来る。

或いは、非晶質層（１）の形成の際Ｋ　ＢｔＨ，ガスか
Ｎｏガスのいずれか一方を所望時間反応室３０１内に導
入した後、他方を更に反応室３０１内に導入して所望時
間の層形成を行うことＫよりて、硼素か酸素のいずれか
が含有されている層領域上に、硼素と酸素の両者が含有
されている層領域を形成することが出来る。

父、仁の際、ＢｔＨ＠ガスか又はＮｏガスのいずれか一
方だけを反応室３０１内に導入するのを止め、他方を引
き続き導入することＫよって、硼素と酸素の両者が含有
されている層領域上に硼素か又は酸素のいずれか一方が
含有されている層領域を形成することが出来る。

第２図に示す光導電部材２００の例の場合の様に第一の
非晶質層（１）　２０３中に上部補助１１２（１２−２
を有する光導電部材の場合には、非晶質−（１）　２０
３の形成の途中に於いて、前記した方法によ′って形成
される下部補助層２０２−１と同様の層形成を行うこと
Ｋよって、非晶質層（１）中に上部補助層をｉけること
が出来る。

上記の様な操作によって、支持体３３７上に形晟された
第一の非晶質＃（１）上に第二の非晶質層（Ｉｔ）を形
成するＫは、第一の非晶質＊　（１）の形成の際と同様
なバルブ操作によって例えば、５ＩＨ４ガス−ＣｖＨａ
ガスの夫々を、必要に応じてＨ＠　等の稀釈ガスで゛稀
釈して、所望の流量比で反応室２０１中に流し゛、所龜
漬東件に従って、グロー放電を生起させるこ”とによっ
て成される。

夫々の層を形成する際に必要なガスの流出パルプ以外の
流出バルブは全て閉じることは言うまでもなく、又夫々
の層を形成する際、繭層の形成に使用したガスが反応室
３０１内、流出バルブ３１７〜３２１から反応室３０１
内に至るガス配管内に残留することを避ける九″めに、
流出バルブ３１７〜３２１を閉じ補助バルブ３３２　、
３３３を開いてメインバルブ３３４を全開して系内を一
旦高真空に排気する操作を必要に応じて行う。

又１層形成を行っている間は層形成の均一化を計るため
シリンダー状支持体３３７は、モータ３３９によって所
望される速度で一定に回転させる。

実施例１ 第３図に示した製造装置により、ドラム状アルミニウム
基板上に以下の条件で層形成を行った。

こうして得られた像形成部材を帯ｔｍ光現儂装置に設置
し、の５　ｋＶで０．２　式間コロナ帯亀を行い、直ち
に光量を照射した。光源社、タングステンランプを用い
、１．０　ｌｕｘａｗｔの光量を、透過型のテストチャ
ートを用いて照′射した。

その後直ちにθ荷電性の現像剤（トナーとキャリヤを含
む）゛を部材表面をカスケードすることによって、部材
表面上に良好なトナー画像を得た。

このようにして得られたトナー像を、一旦ゴムブレード
でクリーニングし、再び上紀作儂クリーニング工程を繰
抄返した。繰り返し回数１５万回以上行っても、０１ｌ
ｉｌ）の劣化は見られなかった。

実施例２ 第３図に示した製造装−により、ドラム状Ｍ基板上に以
下の条件で層形成を行った。

第　　　２　　　表 その他の条件は実施例１と同様にして行った。

こうして得られた像形成部材を帯％露光現像装置に設置
し、＄５ｋＶで０．２１１！ｃ間コロナ帯電を行い、直
ちに光量を照射した。光源はタングステンランプを用い
、１．　Ｑ　／ｇＸｓｓｅｃの光量を透過型のテストチ
ャートを用いて照射した。

その後直ちにｅ荷電性の現像剤（トナーとキャリヤを含
む）を部材表面をカスケードフることによって、部材表
面上に良好なトナー画像を得た。

このようにして得られたトナー像を−１ゴムブレードで
クリーニングし、内び上記作像、クリーニング工程を繰
り返した。繰り返し回数１０方向以上９１′″）１も画
像の劣化は見られなかった。

実施例３ ４３１２３に示した装置により、ドラム状Ａ／基板上に
以下の条件で層形成を行った。

第３表 その他の条件は、実施例１と同様にして行った。

こうして得られた像形成部材を帯電露光現像装置に設置
し、■５　ｋＶで０．２　＆間コロナ放電を行い、直ち
に光像を照射した。光源はタングステンランプを用い、
１．０／ＬＩＸ−区の光量を透過型のテストチャートを
用いて照射した。

その後直ちにｅ荷電性の現倫剤（トナーとキャリヤを含
む）を部材表面をカスケードすることによって、部材表
面上に濃度の極めて肯い良好なトナーｉｂ＊を得た。

このようにして得られたトナー像を−、旦ゴムブレード
でクリーニングし、再び上記作像、クリー二ングエ糧を
繰り返した。繰り返し回数１５万回以上行っても、ｍｆ
ｌｌの劣化は見られなかつ九。

実施例４ 第二の非晶質層（璽）の形成の際と、シリコンウェハと
グラファイトの面積比を変え１、非晶質層（１）中に於
けるシリコン原子と炭素原子の含有量比を炭化させる以
外は、実施例３と全く同様な方法によって像形成部材を
作成した。

こうして得られた像形成部材につき実施例ＩＫ述べえ如
き作像、現像、クリーニングの工程を約５万回繰り返し
た後画像評価を行ったところ第４表の如き結果を得た。

第　　４　　表 第二の非晶質層（１）の層厚を変える以外は、実施例１
と全く同様な方法によって像形成部材を作成した。実施
例１）に述べた如き、作像、現像、クリーニングの工程
を繰り返し下記の結果を得意。

第　　５　　表　　、 実施例６ 補助層と非晶質層（１）の形成方法を下表の如く変える
以外は、実施例１と同様な方法で像形成部材を作成し、
実施例１と同様な方法で評価を行ったところ良好な結果
が得られた。

実施例７ ・補助層と非晶質層（夏）の形成方法を下表の如く変え
る以外は、実施例１と同様な方法で債形成部材を作成し
、実施例１と同様な方法で評価を行ったところ、良好な
結果が得られた。

第　　７　　表 実施例８ 第３図に示した製造装置により、ドラム入／基板上に以
下の条件中−にした他ｔｉ実施例１と同様にして層形成
を行った。

この様にして得られた電子写真用像形成部材に実施例２
と同様の評価を行ったところ、良好な結果が得られた。

実施例９ 第３図に示しだ製造装置により、Ａ／基板上に以下の条
件で層形成を行った。

第９表 その他の条件は、実施例１と同様にして行った。

こうして得られた傷形成部材に就いて実施例３と同様の
評価を行ったところ、高品質の画像が得られ耐久性に優
れたものであった。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は、夫々本発明の光導’ｋ　？１１Ｓ
材の好適な実施例態様例の層構造を模式的に不し九模式
的層構成図、ｍ３図は、本発明の光導電部材を製造する
為の装置の一例を示す模式的説明図である。 １００　、２００・・・先導を部材、　　１０１，２０
１・・・支持体１０２　、２０２−先２０２−２．・・
補助層１０３　、２０３・・・第一の非晶質Ｍ（１１１
０４、２０４・・・第一の鳩領域（０）１０５　、２０
５・・・第二の層領域個）１０８　、２０８・・・第二
の非晶質層（１１１０９、２０９・・・自由表面 出願人　　キャノン株式会社

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）　　光導電部材用の支持体と、シリコン原子を母
   体とし、構成原子として窒素１子を含有する非晶質材料
   で構成された補助層と、シリコン原子を母体とし、構成
   原子として水素原子又は・・ロゲン原子のいずれ力・一
   方を少なくとも含有する非晶質材料で構成され、光導電
   性を示す第一の非晶質層とを有し、岐記第−の非晶質層
   が、酸素原子を含有する第一の層領域と、構成原子とし
   て周期律表第璽族に属する原子を含有する第二０層領域
   とを有し、これ等は、少なくとも互いの一部を共有して
   前記支持体側の方に内在されてお抄、前記第二の層領域
   の層厚を１１とし、餉記第−の非晶質層の層厚と第二の
   層領域の層厚ｔ＋ｓとの差をＴとすれば ｔｍ／（Ｔ＋　ｔｍ　）≦０．４ の関係が成立し、前記第一の非晶質層上に、シリコン原
   子と炭素原子と水素原子とを構成原子として含む非晶質
   材料で構成された第二の非晶質層を有する事を特徴とす
   る光導電部材。