JPS58158646A - 電子写真用光導電部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、元（ここでは広義の元で、紫外光線、可伏光
線、赤外元線、Ｘ線、γ線等を示すンの株な電磁波に感
受性のある光導電部材に関する。

向体撮像装随、或いは像形成分野における電子写真用像
形成部材や原稿読取装置ｇにおける元導市贋を形成する
光専電材料としては、箇感朋で、ＳＮ比〔元直流（Ｉｐ
）／暗電ｆｆ１ｉ（Ｉｄ）］　が尚く、照射する電磁波
のスペクトル特性にマツチングした吸収スペクトル特性
を有すること、光応答性が速く、所望の暗抵抗値を有す
ること、使用時において人体に対して無公害であること
、史には固体伽像装置においては、残像舎所定時間内に
容易に処理することができること等の特性が要求される
。

殊に、−・責務機としてオフィスで使用される電子１ｑ
夾装置内に組込寸れる電子ｌｊ′真用体用像形成部材合
には、上記の使用時における無公害性は重要な点である
。

この株な点に立脚して市近江１１さｈている元専嘔材木
斗にアモルファスシリコン（以後ａ　−Ｓ　ｔと衣ｈピ
す）があり、例えは、独国公開第２７４６９６７号公報
、同第２８５５７１８号公報には改十為真用Ｉ象形成部
刊として、独国公１４’＋’Ｊ　Ｋ（’＋　２９３３４
１１月公報にば光重変換〆に、取装前”への１心用か記
Ｖ、されている。

百年ら、従来のａ−８ｉで構成さねた光導電層を有する
光導電部材は、暗抵抗１１な２光感度、介応答性等の電
勿的、光学的、′″＃Ｓ導市的判注、及び使用桐堺特性
の点、哄には経時的女定性及び１制久住の点において、
各々、個々ＶＣは特性の向上か訂られているが、１合的
な特性向」二を計る上で唄に改良さねる余地がイＩ−す
るのが実情である。

例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合に、筒元
感度化、面晰抵抗化を同時に計ろうとすると匠来におい
てはその、１史用時において残貿箪位が残る場合が度々
級、１１１すされ、この他の光導゛岨部材は長時Ｎ件返
し１史用し続けると、繰返し使用による疲労の蓄積が起
って、残像が生ずる即甜ゴースト現象を発する様になる
等の不都合な点が少なくなかった。

又、ａ−８ｉ材料で光導電層を構成する場合には、その
電気的１元導電的特性の改良を計るために、水素原子或
いは弗素原子や塩素原子等のハロゲン原子、及び電気伝
導型の副側１のためにＪｌｌｌｉ來原子や燐原子等が或
いはその他の特性改良のために他の原子が、各々構成原
子として光導電層中に含有されるが、これ等の構成原子
の含有の仕方用（ｎｉ　ＩＣよっては、形成した層の電
気的或いは光導電的％ｒ１：、や耐圧性に問題が生ずる
場合があった。

即ち、例えば、形成した光導電層中に光照射によって発
生したフォトキャリアの該層中での寿命が充分でないこ
と、或いは暗部において、支持体側よりの電荷の注入の
阻止が充分でないこと等が生ずる場合があった。

従って、ａ−８ｔ材料そのものの特性改良が計られ、る
一方で光導電部材を設計する際に、上記した椋な曲頭の
総てが解決される様に工夫さねる必装がある。

本発明（・ま上記の諸点に篭み成されたもので、ａ　　
Ｓｌに就て電子写真用像形成部材や固体撮像装置、胱取
装良等に使用される光４電部材としての通用性とその応
用びという四点から総括的に鋭意研究検討を続けた結果
、シリコン原子を相棒とし、水素原子卸又はハロゲン原
子（３）のいずれか一方を少なくとも含有するアモルフ
ァス材Ｎ　、”’ｒ　ＮＮ　水素化アモルファスシリコ
ン、ノ・ロゲン化アモルファスシリコン或いはハロゲン
含有水素化アモルファスシリコン〔、Ｌ）、後これ等の
総称的表記と１−で’ｉ−ａ　−８ｉ　（ＦＴ、　Ｘ）
−Ｉ　ｋ使用する〕から構成される光導電層を有する光
導電３部材の）ＶｆＩ構成を以後にＭ、明される様に特
定化する様に設訂されて作成された光導電部材は実用上
著しく優れた□性を示すばかりでなく、従来の光導電部
材と較べてみてもあらゆる点において凌駕していること
、殊に昂イ与真用の光導電部材として著しく優わた特性
を有していることを見出した点に基づいている。

本発明は電気的、光学的２元導電的特性が１史用慎境に
殆んど影＃を受けず常時安ボし、耐光疲労に著しく長け
、繰返し使用に際しても劣化現象を起さず１制久性に優
れ、残留電位が全く又は殆んど観測されない元４電部材
を提供することを主たる目的とする。

本発明の他の目的は、電子写真用像形成部材として適用
させた場什、静電イ象形欣のための帯電処理の際の電荷
保持能が充分あり、通常の電子写真法が極めて有効に適
用され得る優れた電子４貞特性を有する′ｙｃ：４電部
拐を提供することである。

本発明の更に他の目的は、′ａ度が高く、ノ・−フトー
ンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得るこ
とが容易にできる電子写真用の光導電部材を提供するこ
とである。

本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性。

＾ＳＮ比特性及び高耐圧性を有する光導電部材を提供す
ることでもある。

と、シリコン原子全母体とする非晶質材料で構成された
、元導電性金有する第一の非晶質ノ曽と、シリコン原子
と炭素原子とを含む非晶質材料で構成さねた第二の非晶
質層とを有し、−■ｉピ第一の非晶質層が、層厚方間ｖ
ｃ運絖的で目一つ前記支持体側の方に多く分布する分布
状態で、構成原自する第２の層憧塘とを有し、前記第１
の層領域は、Ｎｉｌ　ｆｊｌ″、第一の非晶′ｍ肴の前
記支持体側に内在し７ており、前記第２の層領域の層厚
Ｔ１＋と前記第一の非晶質層の層厚より前記第２の１曽
領域の層厚ＴＢを除いた分の層Ｐｔ’、　ＴとがＴＢ／
Ｔ≦１なる関保にあることを％徴とする。

上記した様な層構成を取る様にして設ざ↑きれた本発明
の光導′ｔｆＲｓ材は、前記した諸問題の総てを解決し
得、極めて優れた電気的、光学的。

光導電的特性、耐圧性及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用像形成部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その′由、
気的特性が安定しており筒感度で、高ＳＮ比を有するも
のであって、耐光疲労。

繰返し使用特性に長け、濃度が高く、ノ・−フト　　。

−ンが鮮明に出て、且つ解像度の高い、高品質の画像を
安定して繰返し得ることができる。

以下、図面に従って本発明の光導′嘔部材に就て詳細に
説明する。

ｇ１図は、本発明の光導電部材の層構成を説明する為に
模式的に示した模式的構成図である。

第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材用として
の支持体１０１の上に、ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）から成る光
導電性を有する第一の非晶質層（１）１０２とシリコン
原子と炭素原子とを含む非晶質材料で構成された第二の
非晶質１１（ＩＩ）１０６をＭする。

第一の非晶質層（Ｉ）１０２は、層厚方向に連続的で且
つ前記支持体１０１の方に多く分布する分布状態で、構
成原子として酸素原子を含有する第１の層領域（０）１
０３と構成原子として第■族原子を含有する第２の層領
域（Ｉｌｒ）１０４とを有する様に構成されたノ曽構造
を有する。第１図に下す例においては、第１のＩ層領域
（（＋）　１．０３が第２の層領域（１０１０４の一部
を占めた１曽構１青を有し、第１の増額素原子及び第■
族原子は実質的に含まれておらす、ｆ’Ｊ累原子は第１
の層領域（０）　１０３に第■族原子は第２０層頭域（
ｎｒ）１０４に含有されている。勿論、第１のＩｆｆＩ
匍域（０）１．０３には第１１［族原子も含まわている
。

本発明に於いて、上記の様な鳩構１１ν、とするのは、
＠１の層領域（０）１０３は、酸素原子の含有によって
高暗抵抗化と支持体１０１と第一の非晶質層（Ｉ）　１
．０２との間の密着性の向上が重点的に計られ、上ｔｆ
Ｂ膚頒域１０５には、酸素原子を含有させずに筒感度化
が重点的にば１られている。第１の層領域（０）１０３
に首肩される酸素原子は１−厚方向に連続的で不均一な
分布状態で、且つ支持体１０１と第一の非晶質ノー（Ｉ
）１０２との′＃−面に平行な面内に於いては、実質的
に均一な分布状態で前記第１の層領域（０）１０３中に
含刹され本発明において、第一の非晶質層（Ｉ）　１０
２を構成し、第■族原子を食上する第２の層領域（Ｉｌ
ｌ）１０４中に含有される第■族原子としては、Ｂ　（
Ｊｉｌ＋素）、Ａｔ（アルミニウム）、Ｇａ（ガリウム
）、Ｉｎ（インジウム）　、　Ｔ／４タリウム）等であ
り、殊に好適に用いられるのはＢ、Ｇａである。

本発明においては、第２のｒ＊層領域Ｉｌｌ）１０４中
に含有される第■族原子の分布状態は、層厚方向におい
て及び支持体１０１０表面と平行な面内に於いて実質的
に均一な分布状態とされる。

第１の層領域（０）　１０３と上部層領域１０５とのｊ
−厚は、本発明の目的を効果的ＫＮ成させる為の重要な
因子の１つであるので形成される光導電部材に所望の特
性が充分与えられる様に、光導電部材の設計の際に充分
なる注意が払われる必要がある。

本発明に於いて、第２の／ｆｆ領域（１１０１０４の層
厚ＴＢ　　は、その上限としては、通常の場合、５０μ
以Ｆ１好ましくはこ３０μ以下、最適にｅま、１０μ以
下とされるのが望ましい。

又、上部ノー領域１０５の層厚Ｔは、その下限としては
通常の場合、０．５μ以上、好１しくは１μ以上、嬢〕
闇には３μ以」二とされるのが望−ましい。

第２の１曽領域（ＩＩＩ）　１０４のノ曽厚ＴＢ　　の
下限及び−に都増額域１０５の層厚Ｔの上限としてＱま
、内層領域に要求される特性と第一の非晶質層（Ｔ）１
０２全体基ｒて光導電部材の層設計の際に、所望に従っ
て適宜決矩される。

本発明に於いては、上記の層厚ＴＲの下限及び層厚Ｔの
上限としては、通常は、ＴＢ／Ｔ≦１　なる関係ケ満足
する柳に夫々に対してス帥宜適切な数値が選択される。

層厚ＴＢ　　及び層厚Ｔの数値の選択に於いてより好１
しくば、ＴＢ／Ｔ≦０，９、最適にはＴｓ／Ｔ′≦０８
なる関係が満足される様にノー厚ＴＢ　　及び層厚Ｔの
値が決足されるのが望捷しいものである。

第１図に示す本発明の光導電部材に於いては、第■族原
子が含有されている第２の層領域（Ｉｌｌ）１０４内に
第１のノー領域（０）１０３が形成されているが、第１
の層領域（０）と第２０層領域（Ｎ）と全回−盾領域と
することも出来る。

又、第１の層領域（０）内に第２の層領域（Ｉｌｌ）を
形成する場合も良好な実施態様例の１つとして挙けるこ
とが出来る。

第１の層領域（０）中に含有される酸素原子の量は、形
成される元導電都拐に要求さねる特性に応じてＰ１丁望
に従って適宜状められるが、通常の場合、０．００１〜
５０　ａｔｏｒｎｉｃチ、好ましくは、０．００２〜４
０　ａｔｏｍｉｃ％、最適には０．００３〜３０ａｔｏ
ｍｉｃ％とされるのが望捷しいものである。

第１の層領域（０）の層厚＝　が光分厚いか又は第一の
非晶質層（Ｉ）の全層厚に対する割合が５分の２以上を
越える様な場合には、第１の層領域（０）中に含有され
る酸素原子の搦゛の上限としては、通常は、３０　ａｔ
ｏｒｎｉｃ％以下、好１しくは、２０ａｔｏｍｉｃ％以
下、最適には１０　ａｔｏｒｎｉｃ％以下とされるのが
望ましいものである。

本発明［於いては、第一の非晶質層（Ｉ）の層厚として
は、Ｑｒ望の′…、子与真特性が得られること及び経済
性等の点から通常は、１〜１００μ、好適には１〜８０
μ、最適には２〜５０μとされるのか望首しい。

第２図乃至第１０図ＶＣは、本発明における元導亀部材
の第一の非晶質／ｍ（Ｔ）を構成する第１の層領域（０
）中に色消さｔｌ、る＃″素原子の層厚方向の分布状態
の典型的例が手さｆする。

第２図乃至第１０図の例に於いて、第■族原子の食上さ
れる層領域（ＩＩＩ）は、＃用板（０）と同一層領域で
あっても、層領域（０）を内包しても、或いは、層領域
（０）の−Ｓの層領域を共有しても良いものであるので
以枯・の説明にか゛いては、第■族原子の含有σれてい
る層争口域（ＩＩＩ）については、殊に説明を要しない
限り言及しない。

第２図乃至第１０図において、横軸は酸素原子の分布両
度Ｃを、縦軸は、光導電性を示す非晶質層を構成し、酸
素原子の含有される１ｍ領域（０）の層厚ＴＢ　　を示
し、ｔＢｔｒｉ支持体側の界面の位置を、ｔＴは支持体
側とは反対側の界面の位置をボす。１１」ち、酸素原子
の含有される層領域（０）はｔＢ　　側よりｔ−ｒ　　
側に向って層形成がなされる。

本発明においては、酸素原子の含有される層領域（０）
は、光導電部材を構成するａ−８ｉ　（Ｈ，Ｘ）から成
り、光導電性をボす第一の非晶質層（Ｉ）の一部を占め
ている。

本発明［赴いて、前記層領域（０）は、第１図の例で示
せば第一の非晶質ＮＩ（Ｉ）の支持体１０１側の表面を
含んで第一の非晶質層（Ｉ）１０２の下部層領域に設け
られるのが好ましいものである。

第２図には、層領域（０）中に含有される酸素原子の層
厚方向の分布状態の第１の典型例が示される。

第２図に示される例では、酸素原子の含有される層領域
（０）が形成される表面と該層領域（０）の表面とが接
する界面位置ｔＢ　　よりｔ、の位置１では、酸素原子
の分布＃度ＣがＣ，なる一定の値を取り乍ら酸素原子が
形成される層領域（０）に含有σれ、位置ｔ１より分布
嬢度Ｃは界面位置ｔＴ　　に至る寸でＱより徐々に連続
的に減少されている。

界面位［嗜ｔＴｖｃｓ−いては酵素原イの分布濃度Ｃは
Ｃ８とされる。

第３図に示される例においでは、含有される酸素原子の
分布重度Ｃは位１＃ｔｏ　　より位置ｔ−ｒに至る甘で
Ｑから徐々Ｖこ連続的に減少して位置ｔ−ｒ　　におい
て６となる憾な分布状′ｒ＃４を形）或している。

１Ａ４１ン１の場合には、位置ｔＢ　　より位ｌｆｔ２
までは酸素原子の分布＃鵬ＣはＱと一軍イ直とさ第１−
１位置ｔ２と位■直ｔＴ　　との間において、徐々に連
続的に減少さね、位置Ｌ１・　において、実質的に零と
されている。

第５図の場合には、酸素原子に１位置ｔＢ　　より位置
ｔＴ　　に至る捷で、分布濃度ＣはＣ８より連続的に徐
々に減少さね、位置ｔ−ｒ　　において実質的に零とさ
ね、ている。

第６図に示す例においては、酸素原子の分布＃度Ｃは、
位ぬ′ｔＢ　　と位置第３間においては、Ｑと一定１１
白であり、１立置ｔＴ　　においてはＣ１ｏ　　とされ
る。位置ｔ、と位ｔｔｔＴ　　との闇では、分布濃度Ｃ
は一次関数的に位置ｔ、より位置ｔＴ　　に至るまで減
少されている。

第７図に示される例においては、分布濃度Ｃは位置ｔａ
　　より位置ｔ４までＣ１１の一定値を取り、位ｔ　第
４より位置ｔＴ　　まではＣＵよりＣＳＳまで一次関数
的に減少する分布状態とされている。

第８図に示す例においては、位置ｔＢ　　より位置ｔＴ
　　に至る葦で、酸素原子の分布濃度ＣＦｉＱ＜より零
に至る様に一次関数的に減少している。

第９図においては、位置ｔＢ　　より位Ｉｔｔａに至る
寸では酸素原子の分布濃度Ｃは、Ｃ１０よりＣ１６まで
一次関数的に減少され、位ｉｔ　ｔｓと位置ｔＴとの間
においては、Ｃ８，の一定値とされた例が示されている
。

第１０図に示される例においては、酸素原子の分布濃度
Ｃは位ｔｅａ　　においてＣＩ？　　であり、位Ｉｔ　
ｊａに至るまではこのＣＩ？　　より初めはゆっくりと
減少され、ｊｌ＋の位置付近においては、急激に減少さ
れて位置ｔ、ではＣ１８とされる。

位置【６と位置ｔ？との間においては、分布濃度０は初
め急激に減少されて、その後は、緩やかに除々に減少さ
れて位置ｔ７でＣＩＤとなり、位置ｔ７と位置ｔ８との
間では、極め−Ｃゆっくりと除々に減少されて位置ｔ８
において、（チ。に至る。位Ｍ　ｔｓと位［ｔ　Ｔの間
においては、分布濃度Ｃは０２ｏより実質的に零になる
様に図に示す如き形状の曲線に従って減少され−〔いる
。

以上、第２図乃至第１０図により１層領域（０）中に含
有さ牡る酸素原子の層厚方向の分布状態の興型例の幾つ
かを説明した様に、本発明においては、支持体側におい
て、酸素胞子の分布濃度Ｏの高い部分を有し、界面ｔＴ
側においては、前記分布濃度０は支持体側に較べて比較
的低くされた部分を有する分布状態で酸素原子が含有さ
れた層領域（０）が非晶質層に設けられている。

本発明において、非晶質層を構成する酸素原子の含有さ
扛る層領域（０１は、上記したように支持体側の方に酸
素原子が比較的高濃度で含有さｎている局在領域（Ａ）
を有するものとして設けられるのが望ましく、この場合
に支持体と非晶質層との間の密着性をより一層向上させ
ることが出来る。

局在領域（５）は、第２図乃至第１０図に示す記号を用
いて説明す詐ば、界面位置ｔＢより５μ以内に設けられ
るのが望ましい。

本発明においては、上記局在領域（５）は、界面位置ｔ
Ｂより５μ厚までの全層領域しとさｎる場合もあるし、
又、層領域り丁の一部とされる場合もある。

局在領域（Ａ）ｉ−領域り丁の一部とするか又は全部と
するかは、形成さｎる非晶質層に要求さｎる特性に従っ
て適宜決められる。

局在領域囚はその中に含有される酸素原子の層厚方向の
分布状態として酸素原子の分布濃度の最大値Ｏｍａｘが
、通常は５００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上好適には８
００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、最適には１００１０
００ａｔｏ　ｐｐｍ以上とされる様な分布状態となり得
る様に層形成さｎるのが望ましい。

即ち、本発明においては、酸素原子の含有さ扛る層領域
（０）は、支持体側からの層厚で５μ以ビ３　（ｔＢか
ら５μ厚の層領域）に分布皺贋０の最大値Ｏｍａｘが存
在する様に形成さ扛るのが望ましい。

不発明に２いて、原子の含翁される層領域（ＩＩＩｌ甲
に含有さ扛る第■族原子の含有量とし−Ｃは、本発明の
目的か効果的に達成される悼に所望に従って適亘決めら
れるが、通常は０．０１〜５　Ｘ　１０４１０４ａｔｏ
　ｐｐｍ　、好１しくは０．５〜ｌ　ｘ　１０’　ａ　
ｔｏｍ　１ｃｐｐｎ］、最適には１〜５　Ｘ　１０３１
０３ａｔｏ　ｐｐｍ　　とされるのが望ましいものであ
る。

本発明において、ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される第一
の非晶質層ｔｌ）　？ｉ−形成するには例えばグロー放
電法、スパッタリング法、或いはイオンブレーティング
法等の放電現象を利用するＸ空堆積法によって成される
。例えは、グロー放電法によって、ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）
で構成される第一の非晶水素原子■導入用の又は／及び
ハロゲン原子囚導入用の原料ガスを、内部が減圧にし得
る堆積室内に導入して、該堆積室内にグロー放電を生起
させ、予め所定位置に設置されである所定の不 支持表面上にａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成さ入 せれば良い。又、スパッタリング法で形成する場合には
、例えはＡｒ　、　Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等のガ
スをベースとした混合ガスの雰囲気中で８ｉで構成をれ
たターゲットにスパッタリングする際、水素原子（ハ）
父は／及びハロゲン原子内０ 本発明において、８費に応じて第一の非晶質層（１１中
Ｖｃ言有されるハロケン原子（３）としては、具体的に
はフッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙けられ、殊にフッ素
、塩素ケ好適なものとして挙けることが出来る。

本弁明において使用されるＳｉ供給用の原料ガスとして
は、５ｉｔ（４，８ｉ２ｉ（６，Ｓｉ、Ｈ８，Ｓｉ、Ｈ
，。等のガス状態の又はガス化し得る水素化硅素（シラ
ン類）が有効に使用δれるものとして挙げられ、殊に、
層作成作業の扱い易さ、８１供給効率の良さ等の点で８
ｉｉ−１，、Ｓｉ、Ｈ６が好ましいものとして挙けられ
る〇 不発明にふ・いて使用されるハロゲン原子導入用の原料
カスとして有効なのは、多くの・・ロゲン化合物か挙げ
られ、例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間
化合物、ハロゲンで置換δれたシラン誘導体等のガス状
態の又はガス化し得るハロゲン化合物が好１しく挙けら
れる。

又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とて構成璧素
とするガス状態の又はガス化し得る、２、［ ハロゲン原子？含む硅素化合物も有効なものとして本発
明においては挙けることが出来る。

本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハｉｆ
ｆゲンガス、ＢｒＦ　、　ＣＩ！Ｆ、　０ｉＦｇ　。

ＢｒＦ、　、　Ｂｒｋ’、　、　ＩＦ、　、　ＩＦ７．
　ＩＯ！　、　ＩＢｒ等のハロゲン間化合物を挙げるこ
とが出来る。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、所請、ハロゲン原子で
置換ちれたシラン誘導体としては、具体的には例えば８
ｉＦ、　、　Ｓｉ、Ｆ６．５ｉｌｌ、　、　８ｉＢｒ、
等のハロゲン化硅素が好ましいものとして挙げることが
出来る〇 この様なハロゲン原子金倉む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光導電部材を形成す
る場合には、Ｓｉを供給し得る原料ガスとしての水素化
硅素ガスを使用しなくとも、所定の支持体上にハロゲン
原子を含むａ−８ｉから成る第一の非晶質層（Ｉ）７形
成する事が出来る。

グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む２：２ 第−の非晶質層（ＩＥ、ｒ形成する場合、基本的には、
Ｓｉ供、Ｈ用の原料ガスであるハロゲン化姓素ガスとＡ
ｒ　、　Ｈ□Ｈｅ等のガス等午所定の混合比とカス流鎗
になる様にして第一の非晶質層（Ｉｔ　ｋ形成する堆積
室に導入し、グロー放電ケ生起してこれ等のガスのプラ
ズマ雰囲気を形ｈｖすることによって、所定の支持体上
に第一の非晶質層（Ｉｌｌ影形成得るものであるが、水
素原子の導入をｇ」る為にこれ等のガスに更に水素原子
領冴む硅素化合物のガスも所定量混合して層形成しても
良い〇又、各ガスは単独棟のみでなく所定の混合比で複
数種混合して使用しても差支えないものである。

反応スパッタリング法或いはイオングレーティング法に
依ってａ　　５ｉ（Ｈ，Ｘ）から成る第一の非晶質層（
１１ｋ形成するには、例えばスパッタリング法の場合に
は８ｉから成るターゲットを使用して、これ葡所定のガ
スプラズマ雰囲気中でスパッタリングし、イオングレー
ティング法の場合には、多結晶シリコン又は単結晶シリ
コンを２；（ 蒸発源として蒸着ボートに収容し、このシリコン蒸発源
を抵抗加熱法、或いはエレクトロンと一ム法（ＥＢ法）
等によって加熱蒸発させ飛翔蒸発物ケ所定のガスプラズ
マ雰囲気中を通過させる隼で行う事が出来る。

この際、スパッタリング法、イオンブレーティング法の
イｉ」れの場合にも形成される層中Ｖこハロゲン原子？
！ｌ−導入するには、前記のハロゲン化合物又は前記の
ハロゲン原子娑含む硅素化合物のカスを堆積室中に導入
して該ガスのプラズマ雰囲気全形成してやれば良いもの
である。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｈ２、或いは前記したシラン類等のガ
ス全スパッタリング用の堆積室中に導入して該ガスのプ
ラズマ雰囲気を形成してやれば良い。

本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
て上記でれたハロゲン化合物或いはハロゲン化物む硅素
化合物が有効なものとして使用されるものであるが、ヤ
の他に、ｉ（Ｆ　、　ＨＯＪ。

４ ＨＨｒ　、　ＨＩ等の／’ｔ　Ｏゲン化水素、ＳｉＨ，
ｉｉ”、　、　５ｉＨ２Ｉ、　。

８　ｔ　Ｈ２０４、Ｓｔ　）ＬＯＩ！３．８　＞　ｋｌ
（２Ｂｒ２　、８　ｓ　ｔ（Ｂｒ１等のハロゲンｆ！水
素化硅素、等々のガス状態の或いはガス化し得る、水素
原子を構成要素の１つとするハロゲン化物も有効な第一
の非晶質層（１）形成用の出発物質として挙げる事が出
来る。

これ等の水素原子を含む−・ロゲン化物は、第一の非晶
質層ｆＩ）形成の際に層中にハロゲン原子の導入と同時
に電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効な水素原
子も導入されるので、本発明においては好適なハロゲン
原子導入用の原料として使用される。

水素原子全第一の非晶質層（１１中に構造的に導入する
には、上記の他にＨ−１、或いは５ｉＥ（、、８ｉｔＨ
，。

８ｉ、Ｈ，、５ｉ４Ｈ１，等の水素化硅素のガスをＳｉ
を供給する為のシリコン化合物と堆積室中に共存させて
放１！金生起させる事でも行う事が出来る。

例えば、反応スパッタリング法の場合ｖＣｆ′ｉ、８ｉ
ターゲツトヲ使用し、ハロゲン原子導入用のガス及びＨ
，ガスを必要に応じてＨｅ　、　Ａｒ等の不活ｚｊ 性ガスも含めて堆積室内に導入してプラズマ雰囲気全形
成し、前記８ｉターゲツトをスパッタリングする事によ
って、支持体上にａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）から成る第一の非
晶質層（１）が形成される〇更には、不純物のドーピン
グも兼ねてＢ、）１．等のガス全導入してやることも出
来る。

本発明において、形成される光導電部材の第一の非晶質
層（１）中に富有される水素原子側の量又はハロゲン原
子（３）の童又は水素原子とハロゲン原子の量の和は通
常の場合１〜４０　ａｔｏｍｉｃチ、好適には５〜３０
ａｔｏｍｉｃチとされるのが望ましい。

第一の非晶質層（１）中に含有される水素原子■又は／
及びハロゲン原子（３）のｆａｒ制御するには、例えは
支持体温度又は／及び水素原子■、或いはハロゲン原子
（３）を含有させる為に使用される出発物質の堆積装置
系内へ導入する量、放電々力等を匍ｊ１＃シてやれは良
い。

第一の非晶質層（１１に、第１族原子會含有する層領域
（１）及び酸素原子を含有する層領域（Ｑ′！＋−設け
るには、グロー放電性や反応スパッタリング１１ 法等による第一の非晶質層（ｊｌの形成の際に、第１族
原子導入用の出促物質及び酸素原子導入用の出発物質を
夫々前記した第一の非晶質層（１１形成用の出発物質と
共に使用して、形成される層中にその蓋τ如ｊ（至）し
乍ら′ざ有してやる事によって成芒れる。

第一の非晶質Ｊｍｔｔ＋ｉ構成する、酸素原子の含有さ
Ｉしる層・頑域（Ｏｌ及び第■族原子の官有される層領
域（１１ｋ夫々形成するにグロー放電法を用いる場合各
層領域形成用の原料ガスとなる出発物質としては、前記
した第一の非晶質層（１１形成用の出発物質の甲から所
望に従って選択さ扛たものに、酸素原子導入用の出発物
質又は／及び第■族原子導入用の出発物質が加えられる
。その様なば索原子導入用の出発物質又は第１族原子導
入用の山軸物質としては、少なくともば素原子或いは第
Ｉ族原子ｒ構成原子とするガス状の物質又はガス化し得
る物質をガス化したものの中の大概のものが使用され得
る。

例えはｔ−ｖＩ域（Ｑｔ影形成るのであｎはシリコ７ ン原子（Ｓｉ）　（ｉｌ−構成原子とする原料ガスと、
酸素原子（Ｑ葡構成原子とする原料ガスと、必要に応じ
て水素原子■又は膚びハロゲン原子（３）を構成原子と
する原料ガスとを所望の混合比で混合して使用するか、
又は、シリコン原子（８ｉ）　ｋ構成原子とする原料ガ
スと、酸素原子（０１及び水素原子１−１　？ｒ構成原
子とする原料ガスとを、これも又ｒＪ丁望の混合比で混
合するか、或いは、シリコン原子（Ｓｉ）　ｋ構成原子
とする原料ガスと、シリコン原子（Ｓｉ）、ｆＷ累原子
（０）及び水素原子■の３つを構成原子とする原料カス
とを混合して使用することが出来る。

又、別には、シリコン原子（Ｓｉ）と水素原子■とを構
成原子とする原料ガスに酸素原子（０１を構成原子とす
る原料カスを混合して使用しても良い０ 酸素原子導入用の出発′＃寅となるものとして具体的に
は、例えは酸素（ｉｔ）　、オゾン（０３）、−□酸化
屋累（ＮＯ）　、二酸化窒素（ＮＯ２）　、−二酸化窒
素（Ｎ２０　）　＋三□二酸化窒素（Ｎｔｏｓ）−四二
酸化蓋素８ （Ｎ２０４）　、五二酸化窒素（Ｎ２（Ｊ５）　　、三
酸化窒素（Ｎｏ３）　、シリコン原子（Ｓｉ）と酸素原
子（０）と水素原子ｌとｋｊｍ成原子とする、例えは、
ジシロキサン（Ｈ３ＳｓＵＳ＋Ｈ３）、　）ジシロキサ
ン（Ｈ，Ｓ　ｉＯ８ｉ　Ｈ，Ｏ８…８）等の低級７０キ
サン等ケ挙けることが出来る０層領域（１１τグロー放
電法を用いて形成する場合に第１族原子導入用の出発物
質として、本発明において有効に使用されるのは、硼素
原子導入用としては、Ｂ、Ｈ，、８４Ｈ，。、Ｂ５Ｈｏ
　、８５ト１＋＋　、ＢａＨ＋。。

Ｂ１１ＨＩｊ！　、Ｂ６ＨＩ４等の水素化硼素、ＢＰ、
　、　ＢＣｌ、　、　ＢＢｒ、等のハロゲン化硼素等が
挙けられる。この他、Ａｌ０Ｉ３．　Ｇａ０Ｉ！ｓ、　
Ｇａ　（ＯＨ，）３．　ＩｎＣ１５，ＴＩＯ！３等も皐
げることが出来る。

第１族原子導入用する層領域（Ｍｌに導入ちれる第■族
原子のき有量は、堆積室中に流入される第■族原子導入
用の出発物質のガス流量、ガス流量比、放電パワー、支
持体温度、堆積室内の圧力等を制御することによって任
慈に制御され得る。

スパッタリング法によって、酸素原子を官有２；） する層領域（０１ｋ形成するには、単結晶又は多結晶の
Ｓｉウェーハー又はＳｉｎ、ウェーハー、又はＳｉと５
１０２が混合されて含有されているウェーハーケタ−ゲ
ットとして、これ等を種々のガス雰囲気中でスパッター
リングすることによって行えば良い。

例えば、Ｓｉウェーハー葡ターゲットとして使用すれば
、酸素原子と必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン
原子を導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガス
で稀釈して、スパッター用の堆積室中に導入し、これ等
のガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｉウェーハーを
スパッターリングすれば良い。

又、別には、ＳｉとＳｉｎ、とは別々のターゲットとし
て、又はＳｉと５ｉｎｔの混合した一枚のターゲットを
使用することによって、スパッター用のガスとしての稀
釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも水素原子（ｆ−１又
は／及びハロゲン原子（３）を構成原子として含有する
ガス雰囲気中でスパッターリングすることによって成さ
れる。酸素原子０ 導入用の原料ガスとしては、先述したグロー放電の例で
示した原料カスの中の酸素原子導入用の原料カスが、ス
パッターリングの場合にも有効なガスとして使用され得
る。

本発明において、第一の非晶質層（Ｉｌｌダグロー放電
法形成する際に使用される稀釈ガス、或いはスパッター
リング法で形成される際に使用さて挙けることが出来る
。

第１図に示される光導電部材１００に於いては、第一の
非晶質層（１１１０２上に形成される第二の非晶質層（
１）　１０６は、自由表面１０７を有し、主に耐湿性、
連続繰返し使用特性、耐圧性、使用環境特性、耐久性に
於いて本発明の目的を達成する為に設けられる。

本発明に於いては、第一の非晶質層（１）と第二の非晶
質層（幻と音形成する非晶質材料の各々がシリコン原子
という共通の構成要素を有しているので、積層界面に於
いて化学的な安定性の確１ 保が充分成されている。

第二の非晶＊　ｍ　（Ｉｌ＋は、シリコン原子と炭素原
子とで構成される非晶質材料（ａ−８ｔ　ｘ　０１−ｘ
、但し０＜Ｘ＜１）で形成される。

ａ−８ｉＸＣ１−ｘで構成される第二の非晶質層（１）
１０７の形成はスパッターリング法、イオンイングラン
テーシ、ン法、イオンブレーティング法、エレクトロン
ビーム法等によって成される。これ等の製造法は、製造
条件、設備資本投下の負荷程度、製造規模、作製される
光導電部材に所望される特性等の要因によって適宜選択
されて採用されるが、所望する特性を有する光導電部材
奮製造する為の作製条件の市り御が比較的容易である、
シリコン原子と共に炭素原子を作製する非晶質層（［）
中に導入するのが容易に行える等の利点からスパッター
リング法或いはエレクトロンビーム法、イオンブレーテ
ィング法が好適に採用される。

スパッターリング法によって第二の非晶質層（Ｉｌ’に
形成するには、単結晶又は多結晶のＳｉウニ２ −ハーとＣウェーハー、又はＳｉとＣとが混合されて貧
有されているウェーハーｔターケットとして、これ等１
１々のガス雰囲気中でスパッターリングすることによっ
て行えは良い。

？ｌＪχは、Ｓｉウェーハー及びＣウェーハーｔターゲ
ットとして使用する場合には、Ｈｅ　、　Ｎｅ　、　Ａ
ｒ等のスパッターリング用のガスを、スパッター用の堆
積室中に導入してガスプラズマ勿形成し、前記Ｓｉウェ
ーハー及びＣウェーハーτスパッターリングすれは良い
。

又、別Ｖこは、ＳｌとＣの混合した一枚のターゲット會
使用することによって、スパッターリング用のガス全装
置系内に導入し、そのガス雰囲気中でスパッターリング
することによって成される。エレクトロンビーム法を用
いる場合には２個の蒸着ボート内に各々、単結晶又は多
結晶の高純度シリコン及び高純度グラファイトを入れ、
各々独立にエレクトロンビームによって同時魚倉するか
、又は同−蒸着ボート内に所望の混合比Ｖこして入れた
シリコン及びグラファイト３、′（ １４１−のエレクトロンビームによって蒸着すればよい
。第二の非晶質層ｆＩｌｌ中に貧有されるシリコン原子
と炭素原子の含有比は前者の場合、エレクトロンビーム
の加速電圧をシリコンとグラファイトに対して変化ちせ
ることによって制御し、後者の場合は、あらかじめシリ
コンとグラファイトの混合蓋を定めることによって制御
する。イオンブレーティング法を用いる場合は蒸着槽内
に槓々のガス全導入しあらかじめ槽の周囲にまいたコイ
ルに高周波電界會印加してグロー？ｒおこした状態でエ
レクトロンビーム法全利用して８ｉ及びＯｉ蒸漸すれは
良い。

本発明に於ける第二の非晶質／［１１）は、その要求さ
れる特性が所望通りに与えられる様に注意深く形成場れ
る〇 即ち、Ｓｉ、Ｏ，を構成原子とする物質は、その作成条
件によって構造的には結晶からアモルファスｌでの形態
全敗り、電気物性的には導電性から午導俸性、絶縁性１
での間の性質ケ、又光導電的性實から非光４亀的性質葦
での間の性りＡ 質ｒ、各々示すので、本発明に於いては、目的に応じた
所望の特性？有するａ−８ｉｘ０１−ｘ　か形成される
様に、所望に使ってその作成条件の選択が厳密に放爆れ
る。

例えば、第二の非晶質層（Ｍｌ　ｅ耐圧性の向上全土な
目的として設けるにはａ−８ｉｘ０１−ｘは使用環境に
於いて電気絶線性的挙動の顕著な非晶質材料として作成
される。

又、連続繰返し１史用特性や使用環境特性の向上を主た
る目的として第二の非晶質ｊ麺用が設けられる場合には
、上記の電気絶線性の度合はある程度緩オ［１され、照
射ちれる光に対しである程度の感度τ有する非晶質材料
としてａ−８ｉｘＯＨ□が作成される。

第一〇非晶質層（１１の表面にａ　　ｂ　ｔ　ｘ　０１
−ｘ　から成る第二の非晶質１ｍ　ｆｉｌ　’に形成す
る際、層形成中の支持体温度は、形成される層の構造及
び特性ケ左右するＮ景な因子であって、本発明に於いて
は、目的とする特性τ有するａ−８ｔｘ０１−ｘ　が所
望曲りに作成され侍る株に層作成時の支持体；（５ 温度が厳密′に制御されるのが車重しい。

本発明に於ける目的が効果的に達成される為の第二の非
晶質層（ＩＩ）を形成する際の支持体温度としては、第
二の非晶質層（１１＋の形成法に併せて適宜最適範囲が
選択されて、第二の非晶質層（Ｉｌｌの形成が行われる
が、好適には２０〜３００°Ｃ１最適には２０〜２５０
℃とされるのが望ましいものである０ 第二の非晶質層（国）の形成には、層を構成する原子の
組成比の微妙な制御や層厚の制御が他の方法に較べて比
較的容易である事等の為に、スパッターリング法やエレ
クトロンビーム法の採用が有利であるが、これ等の層形
成法で第二の非晶質層（Ｍｌ　’に形成する場合には、
前記の支持体温度と同様に層形成の際の放電パワーが作
成されるａ　　５ＩＸＯＩ−Ｘ　の特性を左右する重要
な因子の１つとして挙けることが出来る。

本発明に於ける目的が達成される為の特性音１するａ　
　５ＩＸＯＩ−Ｘが生産性良く効果的に作成される為の
放電パワー条件としては、好適には５０３に Ｗ〜２５０Ｗ、最適には８０Ｗ〜１５０Ｗとされるのが
車重しい。

本発明に於いては、第二〇非晶質層（１１’に作成する
為の支持体温度、放電パワーの望ましい数値範囲として
前記した範囲の値が挙けられるが、これ等の層作成ファ
クターは、独立的に別々に決められるものではなく、所
望特性のａ−８ｉｘＯ□−８から成る第二の非晶質層（
厘）が形成される様に相づ゛ 互的有機的関連性に基枦て各作成ファクターの最適値が
決められるのが望ましい。

本発明の光導電部材に於ける第二の非晶質層（Ｍｌに含
有される炭素原子の童は、第二の非晶質層（１１の作製
条件と同様、本発明の目的を達成する所望の特性が得ら
れる層が形成される重要な因子である。

本発明に於ける第二の非晶質層ｆｌ）Ｖｃ宮有される炭
素原子の量は、シリコン原子と炭素原子の和に対して、
通常としては、Ｉ　Ｘ　１０’〜９０　ａｔｏｍｉｃ　
％、好適には１〜８０ａｔｏｍｉｃチ、最適には１０〜
７５ａｔｏｍｉｃチとされるのが望ましいものである。

即ち、先の３′７ ａ−８ｉｚＣ＋−Ｘの表示で行えば、Ｘが通常はｏ、ｉ
〜（１９９９９９、好適には０．２〜０．９９、最適に
は０２５〜０．９である。

本発明に於ける第二の非晶質層（ＩＩ）の層厚の数値範
囲は、本発明の目的を効果的に達成する様に所期の目的
に応じて適宜所望に従って決められる。

又、第二の非晶質層（ｎ）の層厚は、該層（ＩＩ）中に
含有される炭素原子の量や第一の非晶質層（Ｉ）の層厚
との関係に於いても、各々の層領域に要求される特性に
応じた有機的な関連性の下に所望に従って適宜決定され
る心安がある。

更に加え得るに、生産性や量産性を加味した経済性の点
に於いても考慮されるのが望ましい。

本発明に於ける第二の非晶質層（ＩＩ）の層厚としては
、通常０．００３〜３０μ、好適には０．００４〜２０
μ、最適には０．００５〜１０μとされるのが望ましい
ものである。

本発明において使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性であっても良い。導電性支持体としては、例
えばｓ　ＮｔＣｒ　Ｉステンレス。

Ａｌ　＋　Ｃｒ　９Ｍｏ　＊　Ａｕ　ｔ　Ｎｂ　、Ｔａ
　＋　Ｖ　、Ｔｉｅ　Ｐ　ｔ　＋　Ｐｄ等の金属又はこ
れ等の合金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル。

ポリエチレン、ポリカーボネート、セルローズアセテー
ト、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル。

ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等の合
成側脂のフィルム又はシート、ガラス。

セラミック、紙等が通常使用される。これ等の電気絶縁
性支持体は、好適には少なくともその一方の表面を導電
処理され、該導電処理された表向側に他の層が設けられ
るのが望ましい。

例えは、ガラスであれば、その表面に％　ＮｔＣｒ　＋
Ａｌ、　Ｃｒ　＋　Ｍｏ　＋　Ａｕ　、　Ｉｒ　＋　Ｎ
ｂ　＋　Ｔａ　＋　Ｖ　ｒ　Ｔｉ　＋　Ｐｔ　＋　Ｐｄ
　。

ＩｎｔＯｓ　　ｔ　Ｓｎｏｗ　　＊　ＩＴＯ（ＩｎｔＯ
ｓ　＋５ｎＯｔ　　）等から成る薄膜を設けることによ
って導電性が付与され、或いはポリエステルフィルム等
の合成樹脂フィルムであれば、ＮｉＣｒ　＋　Ａｌ＋　
Ａｇ　”＋　Ｐｂ　＊　Ｚｎ　＊　Ｎｔ　Ａｕ　ＨＣｒ
＋Ｍｏ、ＩｒｐＮｂ、Ｔａ、Ｖ、ＴｉｅＰｔ等の金属の
薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリンＪ（：
） グ等でその表面に設け、又は前記金属でその表面をラミ
ネート処理して、その表面に導電性が付与される。支持
体の形状としては、円筒状、ベルト状、板状等任意の形
状とし得、所望によって、その形状は決定されるが、例
えば、第１図の光導電部材１００を電子写真用像形成部
材として使用するのであれば連続高速複写の場合には、
無端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。支持体の
厚さは、所望通シの光導電部材が形成される様に適宜決
定されるが、光導電部材として可撓性が要求される場合
には、支持体としての機能が充分発揮される範囲内であ
れば可能な限シ薄くされる。百年ら、この様な場合支持
体の製造上及び取扱い上、機械的強度等の点１０ 次に本発明の光導電部材の製造方法の一例の概略につい
て説明する。

第１１図に光導電部材の製造装置の一例を示す。

図中の１１０２〜１１０６のガスボンベには、本発明の
夫々の層領域を形成するだめの原料ガスが密封されてお
り、その−例としてたとえば１１０２は、Ｈｅで稀釈さ
れた５ｉＨ４（純度９９．９９９％。

以下ＳｉＨ４／Ｈｅと略す。）ボンベ、１１０３はＨｅ
で１１０６けＨｅで稀釈されだ５ｉｎ４ガス（純度９９
．９９９％、以下５ｉｎ４／Ｈｅと略す。）ボンベであ
る。

これらのガスを反応室１１０１に流入させるにはガスボ
ンベ１１０２〜１１０６のバルブへ１１２２〜１１２６
　。

リークバルブ１１３５が閉じられていることを確認し、
又、流入バルブ１１１２〜１１１６、流出バルブ１１１
７〜１１２１、補助バルブ１１３２が開かれていること
を確認して先づメインバルブ１１３４を開いて反応室１
１０１、ガス配管内を排気する。次に１１ 真空１１１３６の読みが約５　Ｘ　１０　　ｔｏｒｒに
なった時点で補助パルプ１１３２．１１３３、流出バル
ブ１１１７〜１１２１を閉じる。

次に基体１１３７上に第１図に示す層構成の光導電部材
を形成する場合の一例をあげる。ガスボンベ１１０２よ
りＳｉＨ４／Ｈｅガス、　ガスボンベ１１０３よｌｉ　
Ｂ、Ｈ６／Ｈｅガスを、ガスボンベ　１１ｏ５よりＮＯ
ガスを夫々バルブ１１２２．１１２３　、１１２５を開
いて出口圧ゲージ１１２７　、１１２８　、１１３０の
圧を夫々１　ｋｇ　／　ｃｒｌｌに調整し、流入バルブ
１１１２゜１１１３　、１１１５を夫々徐々に開けて、
マス７０コントローラ１１０７．１１０８．１１１０内
に夫々流入させる。引き続いて流出バルブ１１１７，１
１１８゜１１２０、補助パルプ１１３２を徐々に開いて
夫々のガスを反応室１１０１に流入させる。このときの
ＳｉＨ４／Ｈｅガス流量と８２Ｈ６／Ｈｅガス流量、Ｎ
Ｏガス流量との比が所望の値になるように流出バルブ１
１１７　、１１１８　、１１２０を調整し、又、反応室
内の圧力が所望の値になるように真２ｉｔｌ’１１３６
の読みを見ながらメインバルブ１１３４の開口を４′） 調整する。そして基体シリンダー１１３７の温度が加熱
ヒーター１１３８により５０〜４００Ｃの範囲の温度に
設定されていることを確認された後、電源１１４０を所
望の電力に設定して反応室１１０１内にグロー放電を生
起させ、同時にあらかじめ設置された変化率曲線に従っ
てＮＯＯ２０流量を手動あるいは外部駆動モータ等の方
法によってバルブ１１２０を漸次変化させる操作を行な
って形成される層中に含有される酸素原子の層厚方向の
分布濃度を制御する。

Ｌ記の様にして、所望層厚に硼素原子と酸素原子の含有
された層領域（Ｂ、０）が形成された時点で、流出バル
ブ１１１８　、１１２０　′ｆ：閉じ、反応室１１０１
内へのＢ２Ｈ６／Ｈｅガス及びＮＯＯ２０流入を遮断す
る以外は、同条件にで引続き層形成を行うことによって
、酸素原子及びＤＵ１素原子の含有されない層領域を層
領域（Ｂ、Ｏ）上に所望の層厚に形成する。この様にし
て所望特性の第一の非晶質層ｍを基体１１３７−トに形
成することが出来る。

１１；（ 硼素原子の含有される層領域（ＩＩｌ、）は、第一の非
晶質層（Ｉ）の形成過程に於いて、適当な時点でＢｘＨ
ａ／Ｈｅガスの反応室１１０１内への流入を断つことに
よって、所望層厚に形成することができ該層領域（ｌｌ
ｌ）が層領域（０）の全層領域を占める場合や一部を占
める場合のいずれも実現出来る。

例えば、上記の例に於いては、層領域（Ｂ、Ｏ）を所望
層厚に形成した時点で、ＮＯＯ２０反応室１１０１内へ
の流入を流出バルブ１１２０を完全に閉じることによっ
て断つこと以外は、同条件で引続き層形成を行うことで
、層領域（Ｂ、０）上に硼素原子は含有されているが醒
゛素原子は含有されてない層領域を第一の非晶質層（Ｉ
）の一部として形成することが出来る。

又、硼素原子は含有されないが酸素原子は含有される層
領域を形成する場合には、例えはＮ。

ガスと５ｉＨａ　／Ｈｅガスを使用して層形成すれば良
い。

第一の非晶質層（Ｉ）中にハロゲン原子を含鳴させる場
合には上記のガスにたとえばＳｉＦ４／Ｈｅ　　を、更
に付加して反応室１１０１内に送シ込む。

１４ φ５−の非晶質層（１１、）：に第二の非晶質層（「）
を形成するには、例えば、次の様に行う。まずシャッタ
ー１１４２を開く。すべてのガス供給バルブは一旦閉じ
られ、反応室１１０１は、メインパルプ１１３４を全開
することにより、排気される。

高圧電力が印加される電極１１４１上には、予め高純度
シリコンウェハ１１４２−１　、及び高純度グファイト
ウエハ１１４２−２が所望の面積比率で設置されたター
ゲットを設けておく。ガスボンベ１１０４より、Ａｒガ
スを、反応室１１０１内に導入し、反応室１１０１の内
圧が０．０５〜１　ｔｏｒｒとなるようメインバルブ１
１３４を調節する。高圧電源１１４０をＯＮとし前記の
ターゲットをスパッターリングすることにより、第一の
非晶質層（１）上に第二の非晶質層ｆｌｌｌを形成する
ことが出来る。

第二の非晶質層（Ｉｔｉ中に含有される炭素原子の量ハ
、シリコンウェハ１１４２−１とグラファイトウェハ１
１４２−２のスパッター面積比率や、ターゲットを作成
する際のシリコン粉末とグラファイト粉末の混合比を所
望に従って調整すること１５ によって所望に応じて制御することが出来る。

夫々の層を形成する際に必要なガス以外の流出バルブは
全て閉じることは言うまでもなく、又、夫々の層を形成
する際、前層の形故に使用したガスが反応室１１０１内
、流出バルブ１１１７〜１１２１から反応室１１０１内
に至る配管内に残留することを避けるために、流出バル
ブ１１１７〜１１２１を閉じ補助バルブ１１３２を開い
てメインパルプ１１３４を全開し、て系内を一旦高真空
に排気する操作を必要に応じて行う。

実施例１ 第１１図に示した製造装置を用い、第１．第２領域層内
で、第１２図に示すよう々酸素濃度分布を持つ像形成部
材を第１表の条件下で作製した。

こうＬ２て得られた像形成部材を、帯電露光実験装置に
設置し■５．ＯｋＶで０．２ｓｐｃ間コロナ帯電を行い
、直ちに光像を照射し、た。光像はタングステンランプ
光源を用い、１．５　＃ｕｘ　−ｓｅｅの光量を透過型
のテストチャートを通し２て照射させた。

その径内ちに、○荷電性の現像剤（トナーとキャリアー
を含む）を部材表面をカスケードすることによって、部
材表面トに良好なトナー画像を得た。部材上のトナー画
像を、（’Ｆ’）　５．０　ｋＶのコロナ帯電で転写紙
トに転写し７た所、解像力に優れ、階調再聯性のよい鮮
明な高濃度の画像が・１′ン ８ 実施例２ 第１１図に示した製造装置を用い、第１、第２層内で第
１３図に示すような酸素分布濃度を有する像形成部材を
第２表の条件下で作成した。

その他の条件は実施例１と同様にして行った。

こうして得られた像形成部材に於いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。

１１：） ０ 実施例３ 第１１図に示した製造装置を用い、第１層内で第５図に
示すような酸素分布濃度を有する像形成部材を第３表の
条件下で作成しｆｒ、、。

その他の条例は実施例１と同様にして行った。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙トに画像を形成１１．たところ
榛めて鮮明な画質が得られた。

１ ２ 実施例４ 非晶質層（Ｉｌｌの形成の際に、シリコンウニ・・とグ
ラファイトの面積比を変えて、非晶質層（ＩＩ）中に於
けるシリコン７１１子と炭素原子の含有量比を変化させ
る以外は、実施例３と全く同様々方法によって像形成部
材を作成した。

こうして得らねた像形成部材につき実施例１に述べた如
き作像、現隊、クリーニングの工程を約５万回静り返し
た後画像評価を行ったところ第４表の如き結果を得た。

５ｊ（ ５・１ 実施例５ 非酩質層（■）の層厚を変える以外は、実施例１と全く
同様な方法によって像形成部材を作成［，７プζ。実が
１例１しτ述べた如き、作像、現像、クリーニングの工
程＾・繰り返し下記の結果を得た。

第　　５　　表 Ｓｊ 実施例６ 第１及び第２層の形成方法を下表の如く変える以外は、
実施例１と同様な方法で層形成を行い、実施例１と同様
な画質評価を行ったところ良好な結果が得られた。

１ ６ ５ン：

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光導電部材の層構成を説明する為の
模式的層構成図、第２図乃至第１０図は夫々非晶質層を
構成する酸素原子を含有する層領域り）中の酸素原子の
分布状態を説明する為の説明図、第１１図は、本発明で
使用された装置の模式的説明図で第１２図乃至第１４図
は夫々本発明の実施例に於ける酸素原子の分布状態を示
す説明図・である。 ｉｏｏ・・・光４電部材　　　１０１・・・支持体１０
２・・・第一の非晶質層（Ｉ） １０３・・・第１の層領域り） １０４・・・第２の増額域個） １０５・・・上部層領域 １０６・・・第二の非晶質層（Ｉｆ） ９ １０７・・・自由表面 出願人　　キャノン株式会社 ０ Ｃ 層Ｎｄ（ｐ） 第１３関 星 Ｎ厚ａ　＜ｐ＞ 第１４図 層厚差Ｃ／−）

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）光導電部材用の支持陣と、シリコン原子全母体と
   する非晶質材料で構成された、光導事件を有する第一の
   非晶質層と、シリコン原子と炭素原子と全含む非晶質材
   料で構成された第二の非晶′面層とを有し、前記り・、
   −の非晶質層が、Ｊｍ＋琴方同方向・■続的でｆｌつ…
   ■記支持体側の方ＶＣ多く分布する分布状態で、構成原
   子として酸素原子全含有する第１の１曽１利域と構成原
   子としてｊ司１（、す律表第■族に植する原子を含有す
   る第２の）層領域とを有（７、前ｄ［４第１の層領域は
   、＠制タルーの非晶質）輪の前記支持体側に内在してお
   り、酎［１第２の層領域の１曽厚′ｒＢと前記第一の非
   晶質層の層厚より前記第２の層領域の層厚ＴＢ’（’ｒ
   除いた分の層厚ＴとがＴＲ／Ｔ≦１なる関係にあること
   を時機とする光導″１臘部材。