JPS58134646A - 光導電部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光線、可視光
線、赤外光線、Ｘ線、Ｔ＃ｉ！等を示す）の様な電磁波
に感受性のある尤導電部拐に関する０ 固体撮像装置、或いは像形成分野における電子写真用像
形成部材や原稿読増装置における光導電層を形成する光
導電材料としては、高感度で、ＳＮ比〔光電流（Ｉｐ）
／暗電流（■ｄ）〕が高く、照射する′ｄＬ磁波のスペ
クトル特性にマツチングした吸収スペクトル特性を有す
ること、光応答性が速く、所望の暗抵抗値を有すること
、使用時において人体に対して無公害であること、更に
は固体撮像装置においては、残像を所定時間内に容易に
処理することができること等の特性が要求される。殊に
、事務機としてオフィスで使用される電子写真装置内に
組込まれる電子σ真用像形成部材の場合には、と記の使
用時における無公害性は重要な点である。

この様な点に立脚して最近注目されている光−導電材料
にアモルファスシリコン（以後ａ−８ｉと表記す）があ
り、例えば、独国公開第２７４６９６７号公報、同第２
８５５７１８号公報には電子写真用像形成部材として、
独国公開第２９３３４１１号公報には光電変換読取装置
への応用が記載されている。

百年ら、従来のａＳｔで構成された光導電層を有する光
導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答性等の電気的、
光学的、光導電的特性、及び使用環境特性の点、四には
経時的安定性及び耐久性の点において、各々、個々には
特性の向上が計られているが総合的な特性同上を計る上
で更に改良される余地が存するのが実情である。

例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合に、高光
感度化、高暗門抗化を同時に計ろうとすると従来におい
てはその使用時において残留電位が残る場合が度々観測
され、この種の光導軍部材は長時間繰収し使用し続ける
と、繰返し使用による疲労の蓄積が起って、残像が生ず
る所謂ゴースト現象を発する様になる等の不都合な点が
少なくなかった。

又、ａ−８ｉ材料で光導ｗＬ１−を構成する場合には、
その電気的、光導電的特性の改良を計るために、水素原
子或いは弗素原子や塩素原子等のハロゲン原子、及びイ
ス伝導型の制御のために硼素原子や燐原子等が或いはそ
の他の特性改良のだめに他の原子が、各々構成原子とし
て光導電層中に含有されるが、これ等の構成原子の含有
の仕方如何によっては、形成したｊｆ４の電気的或いは
光導電的特性や耐圧性史には、耐久性等に問題が生ずる
場合があった。

即ち、例えば電子写真用像形成部材として使用した場合
、形成しだ光導Ｘ層中に光照射によって発生した？゛］
］オドキヤリア層中での寿命５、、′Ｖ゛； が充分でないことや暗部において、支持体側よりの電荷
の注入の阻止が充分でないこと、或いは、転写紙に転写
された画像に俗に「白ヌケ」と呼ばれる、局所的な放電
破壊現象によると思われる画像欠陥や、例えば、クリー
ニングに、ブレードを用いるとその摺擦によると思われ
る、俗に「白スジ」と云われている所謂画像欠陥が生じ
たりしていた。又、多湿雰囲気中で使用したり、或いは
多湿雰囲気中に長時間放置した直後に使用すると俗に云
う画像のボケが生ずる場合が少なくなかった。

四には、層厚が十数μ以上になると層形成用の真空堆積
室より取り出した後、空気中での放置時間の経過と共に
、支持体表面からの１の浮きや剥離、或いは層に亀裂が
生ずる等の現象を引起し勝ちであった。この現象は、殊
に支持体が通常、゛１子写真分野に於いて使用されてい
るドラム状支持体の場合に多く起る等、経時的安定性の
点に於いて解決される町き点がある。

従ってａ−８ｉ材料そのものの特性改良が計られる一方
で光導電部材を設計する際に、上記した様な問題の総て
が解決される様に工夫される必要がある。

本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ−８ｉ［
就で電子写に用像形成部材や固体撮像装置、読取装置等
に使用される光導電部材としての適用性とその応用性と
いう観点から認−的に鋭意研究検討を続けた結果、シリ
コン原子を材ｎ、所ｇＭ水素化アモルファスシＩＪコン
・、ハロ゛ゲン化アモルファスシリコン、或いは）＜　
ｔ４二夛”ン含有水素化アモルファスシリコン〔以後こ
れ等の総称的表記として［ａ　−８ｉ　（Ｈ，Ｘ　）　
十−天使用する〕から構成される光導電層を有する光導
′１部材の１−構成を以後に説明される様な特定化の下
に設計されて作成された光導電部材は実用上著しく優れ
た特性を示すばかりでなく、従来の光導電部材と較べて
みてもあらゆる点において凌駕していること、殊に電子
写真用の光導電部材として著しく優れた特性を有してい
ることを見出した点に基づいている。

本発明は電気的、光学的、光導電的特性が使用環境に殆
んど依存なく実質的に常時安定しており、耐光疲労に著
しく長け、繰返し使用に際しても劣化現象を起さず耐久
性、耐湿性に優れ、残留電位が全く又は殆んど観測され
ない光導電部材を提供することを主たる目的とする。

本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層と支持体
との間や積層される層の各層間に於ける密着性に優れ、
構造配列的に緻密で安定的であり、１−品質の篩い光導
電部材を提供することである。

本発明の他の目的は、電子写真用像形成部材として適用
させた場合、靜’＜　ｉ１１！形成のための帯電処理の
際の電荷保持能力が充分あり、通常の成子写真法が極め
て有効に適用され得る優れた′１子写真特性を有する光
導電部材を提供することである。

本発明のりに他の目的は、’ｉｓ度が尚＜、ハーフトー
ンが鮮明に出て且つ讐、像度の高い、高品質画像を得る
ことが容易にできる電子写真用の光導電部材を提供する
ことである。

本発明の光導電部材は、光導電部材用の支持体と、シリ
コン原子を母体とし、窒素原子を構成原子として含有す
る非晶質材料で構成された補助層と、シリコン原子を母
体と１７、周期律表第？「族に属する原子を構成原子と
して含有する非晶質材料で構成された電荷注入防止層と
、シリコン原子を母体とし、構成原子として水素原子又
はハロゲン原子のｂずれか一方を少なくとも含有する非
晶質材料で構成され、光導電性を示す第一の非晶質層と
、該非晶質層上に設けられ、シリコン原子と炭素原子と
を構成原子として含む非晶質材料で構成された第二の非
晶質１−と、を有し、前記電荷注入防止層の層厚ｔが３
０λ以上で０．３μ未満であり且つ電荷注入防止層記ｔ
が３０Ａ以上”・：で且っ前記Ｃ（Ｉｌｌ）が３０　ａ
ｔｏｒｎｉｃｐｐｍ以上で１００　ａｔ４＋ｎｉｃ　ｐ
ｐｍ未満である事を特徴′１１゜ とする。　　　　　　・ ヒ記した様な層構成を取る様にして設計された本発明の
光導電部材は、前記した諸問題の総てを解決し得、極め
て優れた電気的、光学的。

光導電的特性、耐圧性及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用像形成部材として適用させた１合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く
、ハーフトーンが鮮明に出て、目、つ解像度の高い、高
品質の画像を安定して繰返し得ることができる。

又、本発明の光導電部材は支持体上に形成される非晶質
層が、層自体が強靭であって、且つ支持体との密着性に
著しく優れており、高速で長時間連続的に繰返し使用す
ることが出来る。

以下、図面に従って、本発明の光導電部材に就て詳細に
説明する。

第１図は、本発明の第１の実施態様例の光導電部材の層
構成を説明するために模式的に示した模式的構成図であ
る。

第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材用として
の支持体１０１の上に、補助層１０２、電荷注入防止層
１０３、光導電性を有する第一の非晶質ｌ＠（Ｉ）　１
０４　、シリコン原子と炭素原子とを構成原子とする非
晶質材料（以後［ａ−８’ｘＣｔ−ｘＪと記す）で構成
される第二の非晶質層（旧１０５を具備し、非晶質１！
　（ＩＩ）　１０５は自由表面１０６を有している。

補助層１０２は主に、支持体１０１と電荷注入防止層１
０３との間の密着性を計る目的の為に設けられ、支持体
１０１と°畦荷注入防止層１０３０両万と親＋口性があ
る様に、後述する材質で構成される。

電荷注入防止層１０３は、支持体１０１側より非晶質層
１０４中へ電荷が注入されるのを効果的に防止する機能
を主に有する。

非晶質Ｉ＠　（Ｉ）　１０４は、感受性の光の照射を受
けて該１ｍ　１０４中でフォトキャリアを発生し、所定
方向に該フォトキャリアを輸送する機能を主に有する。

非晶質層（ＩＩ）　１０５は、主に耐湿性、連続繰返し
使用特性、耐用性、使用環境特性、耐久性に於いて本発
明の目的を達成する為に設けられる。

本発明の光導電部材に於ける補助層は、シリコン原子を
母体とし、構成原子として窒素原子と必要に応じて水素
原子（Ｈ）、ハロゲン原子（Ｘ）とを含有する非晶質材
料（以後「ａ−８１Ｎ（Ｈ，Ｘ）Ｊと記す）で構成され
る。

ａ−８ｉＮ（）ｌ、　Ｘ）としては、シリコン原子（Ｓ
ｉ）を母体とし窒素原子（Ｎ）を構成原子とする非晶質
材料（以後「ａ　８ｊａＮｌ−ａ　Ｊと記す）、シリコ
ン原子（Ｓｉ）を母体とし、窒素原子（Ｎ）と水素原子
（Ｈ）を構成原子とする非晶質材料（以後［ａ　−（Ｓ
　１ｂＮｌ−ｂ　）ｃ）Ｉ、−ＣＪと記す）、シリコン
原子（Ｓｉ）し を母体と、窒素原子（Ｎ）と・・ロゲン原子（Ｘ）と八 必要に応じて水素原子（Ｈ）とを構成原子とする非晶質
材料（以後ｒａ　（８’１ｃｔＮｔ−ｄ）６（Ｈ，Ｘ）
＋　−ｅ　Ｊと記す）とを挙げることが出来る。

本発明において、必要７に応じて補助層中に倉内。

有されるハロゲン原子（Ｘ）としては、具体的にはフッ
素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素、塩素
を好適なものとして挙げることが出来る。

補助層を上記の非晶質材料で構成する場合の層形成法と
してはグロー放電法、スパッターリング法、イオンイン
プランテーション法、イオンブレーティング法、エレク
トロンビーム法等が挙げられる。これ等の製造法は、製
造条件。

設備資本投下の負荷程度、梨造規模９作製される光導′
１部材に所望される特性等の要因によって適宜選択され
て採用されるが、所望する特性を有する光導電部材を製
造する為の作裂条佇の制御が比較的容易である、シリコ
ン原子と共に窒素原子、必要に応じて水素原子やハロゲ
ン原子を作製する補助１−中に導入するのが容易に行え
る等の利点からグロー放電法或いはスパッターリング法
が好適に採用される。

更に、本発明に於いては、グロー放電法とスパッターリ
ン・夕、法とを同一装置系内で併用ｉ〜て補助層を杉成
し１ても良い。グロー放電法によって、ａ−８ｉＮ（Ｈ
，Ｘ　）で構成される補助層を形成するには、基本的に
はシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得る出供給用の原料ガ
スと、窒素原子（Ｎ）導入用の原料ガスと、必要に応じ
て水素原子（Ｈ）導入用の又は／及びノ・ロゲン原子（
Ｘ）導入用の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内
に導入して、該堆積室内にグロー放電を生起させ、予め
所定位置に設置されである所定の支持体表面上にａ−８
ｉＮ（Ｈ，Ｘ）からなる補助１−を形成させれば良い。

又、スパッタリング法で補助層を形成する場合には、例
えば次の様にされる。

第一には、例えばＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等
のガスをベースとした混合ガスの雰囲気中でＳｉで構成
されたターゲットをスパッタリングする際、窒素原子（
Ｎ）導入用の原料ガスを、必要に応じて水素原子（１（
）導入用の父は／及びハロゲン原子（Ｘ／）導入用の原
料ガスと共にスノくツタリングを行う真空堆積室内に導
入してやれば良い。

第二には、スパッタリング用のターゲットとしてＳｉ、
Ｎ４　で構成されたターゲットか、或いはＳｉで構成さ
れたターゲットとＳｉ、Ｎ、　で構成されたターゲット
の二枚か、父はＳｉと８ｉ、Ｎ、　　とで構成されたタ
ーゲットを使用することで形成される補助１−中へ窒素
原子（Ｎ）を導入することが出来る。この際、前記の窒
素原子（Ｎ）導入用の原料ガスを併せて使用すればその
流量を制御することで補助層中に導入される窒素原子（
Ｎ）の量を任意に制御することが容易である。

補助１−中への導入される窒素原子（Ｎ）の含有量は、
窒素原子（Ｎ）導入用の原料ガスが堆積室中へ導入され
る際の流量を制御するか、又は窒素原子（Ｎ）導入用の
ターゲット中に含有される窒素原子（Ｎ）の割合を、該
ターゲットを作成する際に調整するか、或いは、この両
者を行うことによって、所望に従って任意に制御するこ
とが出来る。

本発明において使用されるＳｉ供給用の原料ガスとなる
出発物質としては、８　ｉＨ４，Ｓ　ｉ、Ｈ，、８ｉ、
Ｈ，。

８ｉ、）（、。等のガス状態の又はガス化し得る水素化
硅素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙げら
れ、殊に、層作成作業の扱い易さ、Ｓｉ供給効率の良さ
等の点でＳｉＨ４，５ｉＪ（、が好ましいものとして挙
げられる。

これ等の出発物質を使用すれば、層形成条件を適切に選
択することによって形成される補助層中に８１と共にＨ
も導入し得る。

Ｓｉ供給用の原料ガスとなる有効な出発物質としては、
上記の水素化硅素の他に、ハロゲン原子（Ｘ）を含む硅
素化合物、所謂、ハロゲン原子で置換されたシラン誘導
体、具体的には例えばＳｉＦ、　、　Ｓｉ２Ｆ６．　Ｓ
ｉＣ／、　、　５ｉＢｒ、等のハロゲン化硅素が好まし
いものと１〜で挙げることが出来、更には、８ｉ）（、
Ｆ、　、　ＳｉＨ，Ｉ、　、　ＳｉＨ，Ｃ４、５ｉＨＣ
ｚ、　、　ＳｉＨ，Ｂｒ、　。

５ｉＨＢｒ、　　等のハロゲン置換水素化硅素、等々の
ガス状態の或いはガス化し得る、水素原子を構成要素の
１つとするハロゲン・、化物も有効な補助層形成の為の
８ｉ供給用の出発物質として挙げる事が出来る。

これ等のハロゲン原子（Ｘ）を含む硅素化合物を使用す
る場合にも前述した様に、層形成条件の適切な一択によ
って形成される補助層中に８ｉと共にＸを導入すること
が出来る丘記した出発物質の中の水素原子を含むハロゲ
ン化硅素化合物は、補助Ｉ一層形成際に層中にハロゲン
原子α）の導入と同時に電気的或いは光・電的特性の制
御＋１１に極めて有効な水素原子（Ｈ）も導入されるの
で、本発明においては好適なハロゲン原子（Ｘ）導入用
の出発物質として使用される。

本発明において補助層を形成する際に使用されるハロゲ
ン原子（Ｘ）導入用の原料ガスとなる有効な出発物質と
しては、上記したものの他に、例えば、フッ素、塩素、
臭素、ヨウ素のハロゲンガス、ＢｒＦ、　ＣＩ！Ｆ、　
ＣｌＦ３．　ＢｒＦ、、　ＢｒＦ’３．　Ｉｆｉ１８．
　ＩＩ！”、。

ＩＣｅ、　ｉＢｒ　　等ノハロゲン間化合物、Ｈ１ｉ’
　、　ｆｆｃ／　。

ＨＢｒ　、　１−ｆＩ等のハロゲン化水素を挙げること
が出来る。　　　　　　１ 補助層を形成す□する際に使用される窒素原子（Ｎ）１
４゜ 導入用の原料ガスに成り得るものとして有効に使用され
る出発物質は、Ｎを構成原子とする或いはＮとＨとを構
成原子とする例えば９素ωい。

アンモニア（Ｎｌ−Ｉ、）　、　　ヒドラジン（ＨｌＮ
Ｎ）［２）、アジ化水素（ｌ（Ｎ、）、アジ化アンモニ
ウム（ＮＨ，Ｎ、）等のガス状の又はガス化し得る窒素
、窒化物及びアジ化物等の窒素化合物を挙げることが出
来る。

この他に、窒素原子（Ｎ）の導入に加えて、ノ・ロゲン
原子（Ｘ）の導入も行えるという点から、三弗化窒素（
ＦｓＮ　＞　、四弗化窒素（Ｆ４Ｎ？　）等のノ・ロゲ
ン化窒素化合物を挙げることが出来る。

本発明に於いて、補助層をグロー放電法又はスパッター
リング法で形成する際に使用される稀釈ガスとしては、
所謂、希ガス、例えば１（ｅ。

Ｎｅ、Ａｒ等が好適なものとして挙げることが出来る０ 本発明の補助層を構成するａ−８ｉＮ（Ｈ，Ｘ　）なる
非晶質材料は、補助層の機能が、支持体と電荷注入防止
層との間の密着を強固にし加えてそれ等の間に於ける４
気的接触性を均一にするものであるから、補助層に要求
される特性が所望通りに与えられる様にその作成条件の
選択が厳密に成されて、注意深く作成される。

本発明の目的に適した特性を有するｔｔ　ｂ　ＩＮ（Ｈ
＋Ｘ）から成る補助層が形成される為の層作成条件の中
の重要な要素として、層作成時の支持体温度を挙げる事
が出来る。叩ち、支持体の表面にａ　−５ｉＮ　（Ｈ，
Ｘ　）から成る補助層を形成する際、１−１杉成中の支
持体温度は、形成される層の構造及び特性を左右する重
要な因子であって、本発明に於いては、目的とする特性
を何するａ　−８１Ｎ（１１，Ｘ）が所望通りに作成さ
れ得る様に１−作成時の支持体温度が厳密に制御される
。本発明に於ける目的が効果的に達成される為の補助層
を形成する際の支持体温ｖとしては補助層の形成法に併
せて℃〜２５０℃とされるのが望ましいものである。補
助層の形成には、同一系内で補助層から電荷注入防止層
、非晶質層、更には必要に応じて非晶質層上に形成され
る他の層まで連続的に彫版する事が出来る、各層を構成
する原子の組成比の微妙な制御や層厚の制御が他の方法
に比べて比較的容易である事等の為に、グロー放電法や
スパッターリング法の採用が有利であるが、これ等の層
形成法で補助；−を形成する場合には、前記の支持体温
度と同様に層形成の際の放電パワー、ガス圧が、作成さ
れる補助層の特性を左右する重要な因子として挙けるこ
とが出来る。本発明に於ける目的が達成される為の特性
を肩する補助層が生産性よく効果的に作成される為の放
・１パワ一条件としては、通常１〜３００Ｗ、好適には
２〜１５０Ｗである。

父、堆積室内のガス圧は通常３Ｘ１０”〜５’ｒｏｒｒ
、好適には８×１０−３〜０．５’、［’ｏｒｒ程度と
されるのが望ましい。

本発明の光導電部材に於ける補助層に含有される窒素原
子の會及び必要に応じて含有される水素原子、ハロゲン
原子の歌は、補助層の作製条件と同様、本発明の目的を
達成する所望の特性が得られる補助層が形成される重要
な因子である。

補助層中に含有される窒素原子（Ｎ）の量、水、・１゜ 素原子（ｉｆ）の奮、ハロゲン原子の量の夫々は、本発
明の目的が効果的に達成される様に上記の層作成条件を
考慮し乍ら所望に従って任意に決定される。

補助層をａ−８ｉａＮ１−ａ　　で構成する場合には、
窒素原子の補助層中の含有°駄は好ましくはｌ×１０　
−６　Ｑ　ａｔｏｍｉｃ％、より好適には１〜５０　ａ
ｔｏｍｉｃ％、ａの表示では好ましくは０．４７−０．
９９９９９　。

よね好適には０．４Ｊ〜０．９９　とされるのが望捷１
゜い。

ａ−（ＳｉｂＮｌ−ｂ）ｃＨ，−Ｃで構成する場合には
、窒素原子（Ｎ）の含有量として１才、好ましくはｌＸ
ｌ０　〜５５ａｔｏ＋ｎ１ｃＸ　、より好適にはｌ’−
５５ａｔｏｍｉｃ％、水素原子の含有量としては、好ま
しくけ２〜３５　ａｔｏｍｉｃ　％　、より好適には５
〜３０　ａｔｏｍｉｃ％とされ、ｂ、ｃで表示すれば、
ｂとしては通常０．４３〜０．９９９９９．より好適に
は０．４３〜０．９９．ｃとしては通常０６５〜０．９
８．好適には０．７〜０．９５とされ、Ｂ−（ｓｉｄＮ
１ｊ’　ｄ）ｅ（Ｈ，Ｘ）１−ｅで構成する場合には窒
素原子ア：含有量は、好ましくはｌＸｌ０”〜６０　ａ
ｔｏｍｉｃ％、より好適にはｌ−６０ａｌｏｒｎｉｃ　
Ｘ　。

ハロゲン原子の含有量、又は、ハロゲン原子と水素原子
とを併せた含有量け、好ましく（１１〜２０　ａｔｏｍ
ｉｃ　％　、より好適には２〜１５　ａｔｏｍｉｃ％と
され、この場合の水素原子の含有量は好ましくは１９　
ａｔｏｍｉｃ％以下、より好適にはｌ　３　ａｔｏｍｉ
ｃＸ以下されるのが望ましい。

ｄ、ｅの表示で示せば、ｄとしては、好ましくは０．４
３〜０．９９９９９．　　より好ましくは０．４３〜０
．９９．Ｃとしては、好ましくＦｉＯ，Ｓ〜０．９９．
　　より好ましくは、０．８５〜０．９８　とされるの
が望ましい。

本発明に於ける光導電部材を構成する補助層の層厚とし
ては、該補助層上に設けられるｔ荷注入防止層の層厚及
び電荷注入防止層の特性に応じて、所望に従って適宜決
定される。

本発明に於いて、補助層の層厚としては、通常は、３０
λ〜２μ、好ましくは、４０Ａ　〜１．５μ、最適には
５０λ〜１．５μとされるのが望ましい。

本発明の光２４１を部材を構成する電荷注入防止層は、
シリコン原子（８ｉ）を母体とし、周期律表第■族に属
する原子（第■族原子）と、好ましくは、水素原子（１
１）又はハロゲン原子＜Ｘ＞、或いはこの両者とを構成
原子とする非晶質材料（以後ｒ　ａ−８ｉ（ＩＩｌ、　
）（、Ｘ）　Ｊと記す）で構成され、その層厚を及び層
中の第１■族原子の含有量Ｃ（ｌｉｔ）は、前記した範
囲内の値とされる。

本発明に於ける′電荷注入防止層の層厚を及び第■族原
子の含有ｔ　Ｃ（ＩＩｌ）としては、より好ましくは、
４０λ≦ｔ　＜　０．３　ｔｔで且っＣ（ＩＩｌ）が４
０　ａｔｏｍｉｃｐｐｍ以上であるか父は４０　ａｔｏ
ｒｎｉｃ　ｐｐｍ≦Ｃ（ＩＩ）　＜１００　ａｔｏｍｉ
ｃ　ｐｐｍで且つｔが４０Ａ以上、最適には、５０Ａ≦
ｔ　＜　０．３　ｐで巨っｃ（ｍ）が５０　ａｔｏｒｎ
ｉｃｐｐｍ以上であるか、又Ｆｉ５０　ａｔｏｍｉｃ　
ｐｐｍ　＜、　ｑ■）（１００ａｔｏｒｎｉｃ　ｐｐｍ
で且つｔが５０Ａ以上であるのが望ましい。

本発明において、電荷注入防止１−中に含有される周１
υｊ律表４ｉＩＩ族に属する原子として使用されるのは
、Ｂ（硼素）、Ａｉ（アルミニウム）。

Ｇａ　（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム）、’ｒｚ（タ
リウム）等であり、殊に好適に用いられるのはＢ、Ｇａ
である。

ａ　−８ｉ　（ＩＩ、　Ｈ，Ｘ　）　テ構成すｈ　ルｉ
ｔ　荷注入防＋）−層の形成には、補助層の形成の場合
と同様に、例えばグロー放電法、スパッタリング法、或
いはイオンブレーティング法等の放電現象を利用する真
空堆積法が採用される。例えば、グロー放電法によって
、ａ−８ｉ（■、　Ｈ，Ｘ　）　テ構成される電荷注入
防止１−を形成するには、基本的にはシリコン原子（８
ｉ）ｉ供給ｌ〜得る８ｉ供給用の原料ガスと共に第■族
原子を供給し得る第■族原子導入用の原料ガス、必要に
応じて水素原子（Ｈ）導入用の又は／及びノ・ロゲン原
子（Ｘ）導入用の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積
室内に導入して、該堆積室内にグロー放′離を生起させ
、れば良い。父、スパッタリング法で形成する場合には
、例えばＡｒ、Ｈｅ等の不、活性ガス又はこれ等のガス
をベースと１〜だ混合：′ガスの雰囲気中でＳｉで構成
されたターゲットをスパッタリングする際、第■族原子
導入用の原料ガスを、必要に応じて水素原子（Ｈ）又は
／及びノ・ロゲン原子（３）導入用のガスと共にスパッ
タリング用の堆積室に導入してやれば良い。

本発明において電荷注入防止層を形成するのに使用され
る原料ガスとなる出発物質としては、第■族原子導入用
の原料ガスとなる出発物質を除いて、補助層形成用の出
発物質と同様のものが所望に従って選択されて使用され
る。

ＭＬ荷注入防市層中に第１ＩＩ族原子を構造的に導入す
るには、ｌ−形成の際に第１■族原子導入用の出発物質
をガス状態で堆積室中に電荷注入防止層を形成する為の
他の出発・白質と共に導入してやれば醍い。この様な第
■族原子導入用の出発物′貞と成り得るものとしては、
常温常圧でガス状の父は、少なぐとも１−形成条件下で
容易にガス化し得るものが採用されるのが望ましい。

その様な第１族原子導入用の出発物質と１〜て具体的に
は硼素原子□−人用としては、Ｂ、１１．　、　Ｂ４ｏ
、・。

Ｈ，Ｈ，、Ｌ（、Ｈ，、、ＢＪ４．。、　Ｂ６Ｈ１２、
Ｂ６Ｈ１４等の水素化硼素、ＢＦ３．　ＢＣ／、　、　
、ＨＢｒ、　　鴫のハロゲン化硼素等が挙げられる。コ
ノ他、ＡｅＣｚａ　、　Ｇａｐ／３．　（）ａ　（ＣＩ
（３）、、　’Ｉｎｃｅ３゜ＴｅＣｚｓ等も挙げること
が出来る。

本発明に於いては電荷注入防止特性を与える為に電荷注
入防止層中に含有される第■族原子は、電荷注入防止１
−の層厚方向に実質的に平行な面（支持体の表面に平行
な面）内及び層厚方向に於いては、実質的に均一に分布
されるのが−良いものである。

本発明に於いて、電荷注入防止層中に導入される第■族
原子の含有量は、堆積室中に流入される第■族原子導入
用の出発物質のガス流量、ガス流量比、放電パワー、支
持体温度、堆積室内の圧力等を制御することによって任
意に制御され得る。

本発明に於いて、電荷注入防ＩＦ層中に必要に応じて含
有されるハロゲン原子（Ｘ）としては、補助層の説明の
際に記したのと同様のものが挙げられる。

本発明において、ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）　　で構成される
第一の非晶質層（Ｉ）を形成するには例えばグロー放電
法、スパッタリング法、或いはイオンブレーティング法
等の放電現象を利用する真空堆積法によって成される。

例えば、グロー放電法によって、　ａ−８ｉ（ｌ（Ｘ）
で構成される非晶質層を形成するには、基本的にはシリ
コン原玉８１を供給し得るＳｉ供給用の原料ガスと共に
、水素原子（Ｈ）　４人用の又は／及びハロゲン原子（
Ｘ）導入用の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内
に導入して、該堆積室内にグロー放′成を生起させ、予
め所定位置に設置されである所定の支持体表面上にａ　
−８ｉ　（）−Ｉ、　Ｘ）から成る層を形成させれば良
い。又、スパッタリング法で層成する１合には、鉤えば
Ａｒ、　Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等のガスをペース
とした混合ガスの雰囲気中でＳｉで構成されたターゲッ
トをスパッタリングする際、水素原子（■１）父は／及
びハロゲン原子（Ｘ）導入用のガスをスパッタリング用
の堆積室に導入してやれば良い。

本発明において、必要に応じて非晶質層（Ｉ）中に含有
されるハロゲン原子（Ｘ）としては、補助層の場合に挙
げたのと同様のものを挙゛げることが出来る。

本発明において非晶質層（Ｉ）を形成するのに使用され
るＳ１供給用の原料ガスとしては、補助層や電荷注入防
＋ｈ層に就て説明する際Ｖこ挙げた８０（、、８ｉ、）
（６，Ｓｉ、Ｈ，、Ｓｉ、Ｈ，ｏ　等のガス状態の又は
ガス化し得る水素化硅素（シラン類）が有効に使用され
るものとｊ−て挙げられ、殊に、層作成作業の扱い易さ
、Ｓｉ供給効率の良さ等の点で、Ｓ　ｉＨ４，Ｓ　ｉ、
Ｈ，が好ましいものとして挙げられる。

本発明において非晶質層（Ｉ）を形成する際に使用され
るハロゲン原子導入用の原料ガスとして有効なのは、補
助層の場合と同様に多くのハロゲン化合物が挙げられ、
例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化合物
、ハロゲンで置換きれたシラン誘導体等、のガス状態の
又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられる
Ｏｌ： 又、更には、シリコン原子（８ｉ）とハロゲン原子（Ｘ
）とを構成要素とするガス状態の又はガス化し得る、ハ
ロゲン原子を含む硅素化合物も有効なものとして本発明
においては挙げることが出来る。

本発明において、形成される光導電部材の電荷注入防七
層及び非晶質１ｎ（Ｉ）中に含有される水素原子（Ｈ）
の量又はハロゲン原子（Ｘ）の歇又は水素原子（Ｈ）と
ハロゲン原子（Ｘ）の−緻の和（Ｈ十Ｘ）は通常の場合
１〜４０　ａｔｏｍｉｃ　％、好適ニは５〜３０　ａｔ
ｏｍｉｃ％とされるのが望ましい。

′螺荷注入防市層又は非晶質層（Ｉ）中に含有される水
素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）の通を制御
するには、例えば支持体温度又け／及び水素原子（由、
或いはハロゲン原子（Ｘ−）を含有さぜる為に使用され
る出発物質の堆積装置系内へ導入する量、放電々力等を
制御してやれば良い。　　　□ 本発明におい・：て、非晶質層（１）をグロー放電法で
形成する際：に便用される稀釈ガス、或いはスパッタリ
ング法で形成される際に使用されるスパッターリング用
のガスとしては、所謂稀ガス、例えばＨｅ　、　Ｎｅ　
、　Ａｒ　　等が好適なものとじて挙げることが出来る
。

本発明に於いて、非晶質層（Ｉ）の層厚としては、作成
される光導電部材に要求される特性に応じて適宜決めら
れるものであるが、通常は、１〜１００μ、好普しくは
１〜８０μ、最適には２〜５０μとされるのが望ましい
ものである。

本発明の光導電部材に於いては、第一の非晶質層（Ｉ）
上に設けられる第二の非晶質層（Ｈ）は、シリコン原子
と炭素原子とで構成される非晶質材料（ａ−８ＩＸＣ１
−Ｘ　％但しＯ〈×〈１）で形成されるので、非晶質１
６（Ｉ）と第二の非晶質層（Ｉ）とを形成する非晶質材
料の各々がシリコン原子という共通の構成要素を有して
いるので、積層界面に於いて化学的な安定性の確保が充
分成されている。

Ｂ−８ｊｚＣｉ−ｘで構成される第二の非晶質層（Ｉｔ
）の形成はスパッターリング法、イオンプランテーショ
ン法、イオンブレーティング法、エレクトロンビーム法
等によって成される。これ等の製造法は、製造条件、設
備費本投下の負荷程度、製造規模、作製される光導電部
材に所望される特性等の要因によって適宜選択されて採
用されるが、所望する特性を有する光導電部材を製造す
る為の作製条件の制御が比較的容易である、シリコン原
子と共に炭素原子を作製する中間層中に導入するのが容
易に行える等の利点からスパッターリング法或いはエレ
クトロンビーム法、イオンブレーティング法が好適に採
用される。

スパッターリング法によって第二の非晶質層（ｎ）を形
成するには、単結晶又は多結晶のＳｉウェーハーとＣウ
ェーハー、又は８ｉとＣが混合されて含有されているウ
ェーハーをターゲットとして、これ等を種々のガス雰囲
気中でスパッターリングすることによって行えば良い。

例えば、出ウェーハー及びＣウェーハーをターゲットと
して使用する場合には、Ｈｅ　＋　Ｎｅ　＊　Ａ　ｒ等
のスパッターリング用のガスを、スパッター用の堆積室
中に導入してガスプラズマを形成し、前記ＳＩウェーハ
ー及びＣウェーハーをスパッターリングすれば良い。

父、別には、ＳｉとＣの混合した一枚のターゲットを使
用することによって、スパッターリング用のガスを装置
系内に導入し、そのガス雰囲気中でスパッターリングす
ることによって成される。エレクトロンビーム法を用い
る場合には２個の蒸着ボート内に各々、単結晶又は多結
晶の高純度シリコン及び高純度グラファイトを入れ、各
々独立にエレクトロンビームによって同時蒸着するか、
又は同一蒸着ポート内に所望の混合比にして入れたシリ
コン及びグラファイトを単一のエレクトロンビームによ
って蒸着すればよい。第二の非晶質層（ＩＩ）中に含有
されるシリコンと炭素の含有比は前者の場合、エレクト
ロンビームの加速電圧をシリコンとグラファイトに対し
て変化させることによって制御し、後者の場合は、あら
かじめシリコンとグラフアイ１゜混合量を定ゎ、。と、
よ”＞−ｃ制御す、０イオンブレーテイング法を用いる
場合は蒸着槽内に種々のガスを導入しあらかじめ檜の周
囲にまいたコイルに高周波電界を印加してグローをおこ
した状態でエレクトロンビーム法を利用して３ｉ及びＣ
全蒸着すればよい。

本発明に於ける第二の非晶質層（１）は、その要求され
る特性が所望通りに与えられる様に注意深く形成される
。

即ち、８ｉ、　Ｃ，を構成原子とする物質は、その作成
条件によって構造的には結晶からアモルファスまでの形
態を取り、電気物性的には導電性から半導体性、絶縁性
までの間の性質を、又光導電的性質から非光導電的性質
までの間の性質を、各々示すので、本発明に於いては、
目的に応じた所望の特性を有するａ−８ｉｘＣＩＸが形
成される様に、所望に従ってその作成条件の選択が厳密
に成される。

例えば、第二の非晶質層（［１）を耐圧性の向上を主な
目的として鰺けるにはａ−ｓ＋ｘｃ１　ｙは使用′１ 環境に於いて電気続縁性的挙動の顕著な非晶質材料とし
て作成される。

又、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上を王たる
目的として第二の非晶質層（Ｗ）が設けられる場合には
、上記の電気絶縁性の度合はある程度緩和され、照射さ
れる光に対しである程度の感度を有する非晶質材料とし
てａ−８ｉＸＣＩ　Ｘが作成される。

第一　ｔｖ　非晶質層（１）の表面にａｓ’ＸＣ１−Ｘ
から成る第二の非晶質＃（ＩＩ）を形成する際、層形成
中の支持体温度は、形成される層の構造及び特性を左右
する重要な因子であって、本発明に於いては、目的とす
る特性を有するａ−８ｉｘＣ１−Ｘが所望通りに作成さ
れ得る様に層作成時の支持体温度が厳密に制御されるの
が望ましい。

本発明に於ける目的が効果的に達成される為の第二の非
晶質層（１１）を形成する際の支持体温度としては、第
二の非晶質層（Ｉ）の形成法に併せて適宜最適範囲が選
択されて、第二の非晶質層（ＩＩ）の形成が行われるが
、好適にＦｉ、２０〜３００℃、最適には２０〜２５０
℃とされるのが望ましいものである。

第二の非晶質層（１１）の形成には、層を構成する原子
の組成比の微妙な制御や層厚の制御が他の方法に較べて
比較的容易である事等の為に、スパッターリング法やエ
レクトロンビーム法ノ採用が有利であるが、これ等の層
形成法で第二の非晶質層（Ｉｔ）を形成する場合には、
前記の支持体温度と同様に層形成の際の放電パワーが作
成されるａ　８１ＸＣＩ　Ｘの特性を左右する重要な因
子の１つとして挙げることが出来る。

本発明に於ける目的が達成される為の特性を有するａ−
８ＩＸＣ１−ｘが生産性良く効果的に作成される為の放
′醒パワー条件としては、好適には５０Ｗ　〜２５０Ｗ
、最適には８０Ｗ〜１５ｏＷとさレルのが望ましい。

本発明に於いては、第二の非晶質層（Ｉｔ）を作成する
為の支持体温度、放電パワーの望ましい数値範囲として
前記した範囲の値が挙げられるが、これ等の層作成ファ
クターは、独立的に別々に決められるものではなく、所
望特性のａ−８ｉｘＣｔ−ｘ　から成る第二の非晶質層
（ＩＩ）が形成される様に相互的有機的関連性に基いて
各層作成ファクターの最適値が決められるのが望ましい
。

本発明の光導電部材に於ける第二の非晶質層（１］）に
含有される炭素原子の量は、第二の非晶質ｒｆＪ（■）
の作製条件と同様本発明の目的を達成する所望の特性が
得られる層が形成される重要な因子である。

本発明に於ける第二の非晶質層（１）に含有される炭素
原子の量は、シリコン原子と炭素原子の和に対して通常
としては、１ｘｌＯ〜９０ａｔｏｍｉｃ％、好適には１
〜８０　ａｔｏｍｉｃ　Ｘ％峡適には１０〜７５　ａｔ
ｏｍｉｃ％とされるのが望ましいものである。即ち、先
のａ−８ｉｘＣＩＸのＸの表示で行えば、Ｘが通常は０
．１−０．９９９９９、好適には０．２〜０．９９、最
適には０．２５〜０．９である。

本発明に於ける第二の非晶質層（ＩＩ）の層厚の数値範
囲は、本発明の目的を効果的に達成する様に所期の目的
に応じて適宜所望に従って決め、：１ られる。　　　　　　　　（、Ｉ・１′・５父、第二の
非晶質層（ＩＩ）の層厚は、該層（Ｉ［）中に含有され
る炭素原子の量や第一の非晶質層（Ｉ）の１−厚との関
係に於いても、各々の層領域に要求される特性に応じた
有機的な関連性のドに所望に従って適宜決定される必要
がある。

更に加え得るに、中量性や量産性を加味１．た経済性の
点に於いても考慮されるのが望゛ましい。

不発明に於ける第二の非晶質層（１）の層厚としては、
通常０．００３〜３０μ、好適には０．００４〜２０μ
、最適には０．００５〜１０μ　とされるのが望−まし
いものである。

本発明において使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性であっても良い。導電性支持体としては、例
えば、ＮｉＣｒ、ステンレス。

Ａ７．Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ
、）’ｄ等の金属又はこれ等の合金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル。

ポリエチレン、ポリカーボネート、セルローズアセテー
ト、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル。

ポリ塩化ピニリ１ｆン、ポリスチレン、ポリアミド等の
合成樹脂のフィルム又はシート、ガラス。

セラミック、紙等が通常使用される。これ等の電気絶縁
性支持体は、好適には少なくともその一方の表面を導電
処理され、該導電処理された表面側に他の層が設けられ
るのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｉＣｒ。

Ａｅ、肖、Ｍｏ、Ａｕ、　Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、’Ｐ
ｉ、Ｐｔ、Ｐｄ。

Ｉｎ、Ｏ，、５ｎ０２．　ＩＴＯ（Ｉｎ、０．　＋８ｎ
Ｏ，）等から成る薄膜を設けることによって導電性が付
与され、成いはポリエステルフィルム等の合成樹脂フィ
ルムチあれば、ＮｉＣｒ　、　Ａｅ、　Ａｇ　、　Ｐｂ
　、　Ｚｎ　、　Ｎｉ　、　Ａｕ　。

Ｃｒ、Ｍｏ、　Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ等の
金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリン
グ等でその表面に設け、又は前記金属でその表面をラミ
ネート処理して、その表面に導電性が付与される。支持
体の形状としては、円筒状。

ベルト状、板状等任意の形状とし得、所望によって、そ
の形状は決定されるが、例えば、第１図の光導電部材１
００を′−子写真用像形成部材として使用するのであれ
ば連続高速複写の場合には、無端ベルト状又は円筒状と
するのが望ましい。支持体の厚さは、所望通りの光導電
部材が形成される様に適宜決定されるが、光導電部材と
して可撓性が要求される場合には、支持体としての機能
が充分発揮される範囲内であれば可能な限如薄くされる
。百年ら、この様な場合支持体の製造上及び取扱い上、
機械的強度等の点から、通常は、ｌＯμ以上とされる。

第２図には、本発明の光導電部材の他の好適な実施態様
例の層構成が示され名、。

第２図に示される光導電部材−２０６゛が、第１図に示
される光導電部材１００と異な゛ルトころは、−荷注入
防市１４２０３と光導電性を丞子−非晶質層２０５との
間に上部補助層２０４を有林ことであるＯ 即ち、光導′成部材２００は、支持体２０１、該支持体
２０１上に順に積層された、下部補助層２０２゜電荷注
入防止層２０３．上部補助層２０４．第一の非晶質層（
１）　２０５及び第二の非晶質層（ＩＩ）　２０６とを
具備し、非晶質層（ＩＩ）　２０６は自由表面２０７を
有する。上部補助ｆｆｆ１２０４は、電荷注入防止層２
０３と非晶質層（Ｉ）　２０５との間の密着を強固にし
、両層の接触界面に於ける電気的接触を均一にしている
と同時に、電荷注入防止＋５２０３の上に互に設けるこ
とによって、電荷注入防止層２０３の１−質を強靭なも
のとしている。

第２図に示される光導電部材２００を構成する下部補助
層２０２及び上部補助層２０４は、第１図に示した光導
電部材１００を構成する補助１１１０２の場合と同様の
非晶質材料を使用して、同様の特性が与えられる様に同
様な層作成手順と条件によって形成される。′鉱荷注入
防止ｉ＠２０３及び非Ｊ％５ｔ）ｍ　（ｉ）　２０５　
、非晶質１ｄ　＜Ｈ）　２０６も、夫々、第１図に示す
電荷注入防止ｊｌｌ１０３及び非晶質層（Ｉ）１０４．
非晶質Ｉｔ！　（１１）　１０５と同様の特性及び機能
を有し、第１図の場合と同様な層作成手順と条件によっ
て形成される。

次に第３図に示す真空堆積装置によって作成される光導
電部材の蜆遣方法について説明する。

図中の３１１〜３１５の各ガネボンベには、水金明の夫
々の層を形成するために使用されるガスが密封されてお
り、その１例としてたとえばボンベ３１１には、Ｈｅで
稀釈されたｓ１＋４４ガス（純度９９．９９９Ｎ、以下
８ｉＦＶＨｅ　と略す。）カ、ボンベ３１２にはＨｅで
稀釈された馬Ｈ６ガス（純度９９．９９９％、以下Ｂ、
Ｈ６／Ｈｅと略す。）カ、ボンベ３１３にはＨｅで稀釈
されたＳｉＦ、ガス（純度９９．９９％、以下Ｓｉｉ′
＋４／Ｈｅと略す。）が、ボンベ３１４にはＮＨ，ガス
（純度９９．９９９に）が、ボンベ３１５にはＡｒガス
（純度９９．９９９％）が、夫々充填されている。これ
等のボンベ中に充填されるガスの種類は、形成される層
の種類に併せて、適宜代えることは云うまでもない。

これらのガスを反応室３０１に流入させるにはガスボン
ベ３１１〜３１５の各バルブ３３１〜３３５゜リークバ
ルブ３０６が閉じられていることを確認し、又、流入バ
ルブ３２１〜３２５、流出バルブ３あ〜３３０１補助パ
ルプ３４１が開かれていることを確認して先づメインパ
ルプ３１０を開いて反応室３０１、及びガス配、・９管
内を排気する。次に真空１ｔ３４２の絖みが約５Ｘ”１
０　’ｔｏｒｒ　になった時点で補助バルブ３４１、流
出パルプ３２６〜３３０を閉じる。

その後、反応室３０１内に導入すべきガスのボンベに接
続されているガス配管のバルブを所定通り操作１−で、
所望するガスを反応室３０１内に導入する。

次に、４Ｘ１図に示す構成の光導電部材を作成する場合
の一例の概要を述べる。

ガスボンベ３１１より５ｉ）（４／Ｈｅガスを、ガスボ
ンベ３１４よりＮｌ（、ガスを夫々、バルブ３３１．３
３９を開いて出口圧ゲージ３３６．　３３９の圧が夫々
ＩＫｇ／１ｌ１７７ｆになる様に調整し、次いで流入バ
ルブ３２１゜３２４を夫々徐々に開けて、マスフローコ
ントローラ３１６．　３１９内に夫々流入させる。引き
続いて流出パルプ３２６．　３２９．補助バルブ３４１
を徐々に開いて夫々のガスを反応室３０１内に流入させ
る。この時、ＳｉＨ，／Ｈｅガス流量とＮＨ，ガス流量
との比が所望の１１１になる様に流出パルプ３２６゜３
２９の開口を調整し、父、反応室内の圧力が所望の値に
なる様に真窒計３４２の読みを見ながらメインバルブ３
１０の開口を調整する。　゛そして、支持体３０９の温
度が加熱ヒータ３０８により５０〜４００℃の範囲の温
度に設定されていることを確認された後、電源３４０を
所望の電力に設定して反応室３０１内にグロー放電を生
起させ、所望時間このグロー放電を維持して、所望層厚
の補助層を支持体上に作成する。

補助層上に’Ｒ１荷注入防止層を作成するＫは、例えば
、次の様に成される。

補助層の形成終了後、電源３４３をＯＦＦにして放電を
中止し一旦、装置のガス導入用の配管の全系のバルブを
閉じ、反応室３０１内に残存するガスを反応室３０１外
に排出して所定の真空度にする。

その陵、ガスボンベ３１１より５ｉｌＩ４／Ｈｅ　−ｔ
ｊ　スを、ガスボンベ３１２よりＨ，Ｈ，／Ｈｅガスを
、夫々バルブ３３１　、　３３２を開いて出口圧ゲージ
３３６．　３３７の圧を夫々１にｙ　／　ｃｒｌｌに調
整し、流入バルブ３２１゜３２２を夫々徐々に開けて、
マスフロコントローラ３１６．　３１７内に夫々流入さ
せる。引き続いて流出パルプ３２６　、　３２７　、補
助バルブ３４１を徐々に開１／−１て夫々のガスを反応
室３０１に流入させる。

このときの８ｉＨ，／Ｈｅガス流儀とＢ、Ｈ６／Ｈｅガ
ス流量との比が所望の値になるように流出バルブ３２６
゜３２７を調整し、又、反応室内の圧力が所望の値にな
るように真空計３４２の読み會見ながらメインパルプ３
１０の開口を調整する。そして支持体３０９の温度が加
熱ヒーター３０８により５０〜４００℃の範囲の温度に
設定されていることを確認された後、電源３４３を所望
の電力に設電して反応室３０１内にグロー放電を生起さ
せ、所定時間、グロー放電を維持して、所望層厚の電荷
注入防止層を補助層上に形成する。

第一の非晶質層（Ｉ）の形成は、例えばボンベ３１１内
に充填されている８ｉＨ４／Ｈｅガスを使用し、前記し
た補助層や′１荷注入防止層の場合と同様の手順によっ
て行うことが出来る。

第一の非晶質層（Ｉ）の形成の際に使用する原料ガス種
としては、５ｉｌ（４／Ｈｅガスの他に、殊にＳ嶋Ｈ，
／Ｈｅガスが１−形成速、度の向上を計る為に有１： 効である。

第一の非晶質層（Ｉ）上に第二の非晶質１ｍ（ＩＩ）を
形成するには、例えば、次の様に行う。まずシャッター
２０５を開く。すべてのガス供給パルプは一旦閉じられ
、反応室２０１は、メインパルプ２１０を全開すること
により、排気される。

高圧電力が印加される電極２０２上には、予め高純度シ
リコンウェハ２０４−１．及び高純度グラファイトウェ
ハ２０４−２が所望の面積比率で設置されたターゲット
が設けられている。ガスボンベ２１５より、Ｍガスを、
反応室２０１内に導入し、反応室２０１の内圧が０．０
５〜１　ｔｏｒｒとなるようメインパルプ２１０を調節
する。高圧電源をＯＮと１〜ターゲツトを同時にスパッ
タリングすることにヨ）、第一の非晶３９ｍ（Ｉ）上に
第二の非晶質１−（ｎ）を形成することが出来る。

補助層、電荷注入防止層、第一の非晶質１ｍ（１）中に
ハロゲン原子（Ｘ）を含有させる場合には、前記した各
層を形成する為に使用されるガスにＮＩＪえばＳｉＦ４
／）（ｅを、更に付加して反応室２０１内□・。

に送り込むことによって成される。

実施例１ 第３図に示した製造装置により、アルミニウム基板上に
、以下の条件で層形成を行った。

’　　ｔｍ　　’　　０．２Ｔｏｒｒ こうして得られた儂形成部材を帯電露光現像装置に設置
し、■５ｋＶで０．２８ｅｅ間コロナ帯電を行い、直ち
に光量を照射した。光源はタングステンランプを用い、
１．０Ｊｕｘ４ｅｅの光量を、透過型のテストチャート
を用いて照射した。

その後直ちにｅ荷電性の現像剤（トナーとキャリアを含
む）ｔ一部材表面をカスケードすることによって、部材
表面上に良好なトナー画像を得た。

このようにして得られたトナー像を、一旦ゴムブレード
でクリーニングし、再び上渦Ｃ作像クリーニング工程を
繰り返した。繰り返し回数１５力回以上行っても、画像
の劣化は見られなかった。

実施例２ 第３図に示した製造装置に、ｌ：９％Ａｌ基板上に以下
の条件で層形成を行った。

第　２　表 その他の条件は実施例１と同様にして？′Ｔ）た。

こうして得られた像形成部材を帯電露光現像装置に設置
し、■５ＫＶで０．２　ｓｅｃ間コロナ帯ｔを行い、直
ちに光像を照射した。光源はタングステンランプを用い
、　　１．０／ｕｘ・ｓｅｃの光ｔｉ透過型のテストチ
ャートラ用いて照射した。

その後直ちにＯＶｉ電件の現像剤（トナーとキャリアを
含む）′（ｉｌ一部材表面をカスケードすることによっ
て、部材表面上に良好なトナー画像を得た。

このようにし゛〔得られたトナー像を一旦ゴムプＶ−ド
でクリーニングし、再び上記作像、クリーニング工程を
繰り返した。繰り返し回数１０万回以上行っても画像の
劣化は見られなかった。

実施例３ 第３図に示した装置により％Ａ／基板上に以下の条件で
層形成を行った。

−２−２−一　　□゛′ 一／− 第　　３　　表 その他の条件は、実施例１と同様にして行った。

こうして得られた像形成部材を帯電露光現像装置に設置
し、■５ＫＶで０．２　ｓｅｃ間コロナ故＊を行い、直
ちに光像を照射した。光源はタングステンランプを用い
、１．Ｏ１ｕｘ−ｓｅｃの光量を透過型のテストチャー
トを用いて照射した。

その後直ちに′ｅ荷電性の現像剤（トナーとキャリヤ金
倉む）を部材表面をカスケードすることによつ−Ｃ１部
材表面上に濃度の極めて高い良好なトナー画像を得た。

このようにして得られたトナー像會一旦ゴムブレードで
クリーニングし、再び上記作像、クリーニング工程′（
ｉ−繰り返した。繰り返し回数１５万回以上行っても、
画像の劣化は見ら）Ｌなかった０ 実施例４ 補助層、電荷注入防止層、非晶質層（１）の形成方法を
第４表の如く変えること、並びに非晶質層（１■）の形
成時、シリコ／ウェハとグラファイトの面積比會変え−
Ｃ１第２の非晶質層に於けるシリコン原子とカーボン原
子の含有量比を変化させること以外は、実施例３と全く
同様な方法によって像形成部材を作成した。こうして得
られた像形成部材につき、実施例１に述べた如き１作像
、現像、クリーニングの工程を約５万回繰り返した後画
像評価を行ったところ、第５表の如き結果を得た。

／− 第　　４　　表 第　　５　　表 実施例５ 非晶質層（１１）の膜厚を変える以外は、実施例１と全
く同様な方法によって像形成部材を作成した。実施例１
に述べた如き、作像、現像、クリーニングの工程を繰り
返し下記の結果を得た。

第　　６　　表 実施例６ 非晶質層（Ｉ）以外の層の形成方法を下表の如く変える
以外は、実施例１と同様な方法で像形成部材を作成し、
実施例１と同様な方法で評価を行ったところ良好な結果
が得られた。

−／／ ：、：、・　　−′ 、；、’Ｆ、＋ｐ；・ 、１− ・他Ｌ−７ 第　　７　　表 実施例７ 非晶質層（ＩＩ）以外の層の形成方法を下表の如く変え
る以外は、実施例１と同様な方法で像形成部材を作成・
□し、実施例１と同様な方法で評価を行ったところ、良
好な結果が得られた。

゛・　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　−／／、゛三− ・弓Δ 第　　８　　表

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は、夫々本発明の光導電部材の好適な
実施態様例の層構造を模式的に示した模式的層構成図、
第３図は、本発明の光導電部材を製造する為の装置の一
例を示す模式的説明図である。 １００．２００・・光導電部材　１０１．２０１・・・
支持体１０２．２０２．２０４・・補助層 １０４．２０５　　第一の非晶質層（■）１０５．２０
６・・・第二の非晶質層（１１）１０５、．２０７・・
・自由表面 −″・′：、 ５゜ ３２３−

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 光導電部材用の支持体と、シリコン原子を母体とし、窒
   素原子を構成原子として含有する非晶質材料で構成され
   た補助層と、シリコン原子を母体とし、周期律表第■族
   に属する原子を構成原子として含有する非晶質材料で構
   成された電荷注入防止層と、シリコン原子を母体とし、
   構成原子として水素原子又は・・ロゲン原子のいずれか
   一方を少なくとも含有する非晶質材料で構成され、光導
   電性を示す第一の非晶質層と、該非晶質１壷上に設けら
   れ、シリコン原子と炭素原子とを構成原子として含む非
   晶質材料で構成された第二の非晶質層と、を有し、前記
   電荷注入防止層の音厚ｔが３０λ以上で０．３μ未満で
   あり且つ電荷注入防止層中に含有される前記周前記Ｃ佃
   ）が３０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上で１００　ａｔｏ
   ｍｉｃｐｐｍ未幽である事を特徴とする光導電部材。