JPS58147749A - 光導電部材 - Google Patents
光導電部材Info
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- JPS58147749A JPS58147749A JP57031235A JP3123582A JPS58147749A JP S58147749 A JPS58147749 A JP S58147749A JP 57031235 A JP57031235 A JP 57031235A JP 3123582 A JP3123582 A JP 3123582A JP S58147749 A JPS58147749 A JP S58147749A
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- Japan
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- atoms
- amorphous
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- charge injection
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/0825—Silicon-based comprising five or six silicon-based layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08235—Silicon-based comprising three or four silicon-based layers
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明け、光（ここでは広義の光で、紫外光線、可視光
線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁波に感
受性のある光導電部材に関する０ 固体撮備装置、或いは像形成分野における電子写真用像
形成部材や原稿読取装置における光導電層を形成する光
導電材料としては、高感賓で、ＳＮ比〔光電流（Ｉｐ）
／暗電流（Ｉｄ） ）が高く、照射する電磁波のスペ
クトル特性にマツチングした吸収スペクトル特性を有す
ること、光応答性が速く、所望の暗抵抗値を有すること
、使用時において人体に対して無公害であること、更に
は固体撮像装量においてけ、残骨を虜定時間内に容易に
処理することができること等の特性が要求される。殊に
、事務機としてオフィスで使用される甫子写真装電内に
組込まれる電子写真用像形成部材の場合には、上記の使
用時における無公害性は重要な点である。
線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁波に感
受性のある光導電部材に関する０ 固体撮備装置、或いは像形成分野における電子写真用像
形成部材や原稿読取装置における光導電層を形成する光
導電材料としては、高感賓で、ＳＮ比〔光電流（Ｉｐ）
／暗電流（Ｉｄ） ）が高く、照射する電磁波のスペ
クトル特性にマツチングした吸収スペクトル特性を有す
ること、光応答性が速く、所望の暗抵抗値を有すること
、使用時において人体に対して無公害であること、更に
は固体撮像装量においてけ、残骨を虜定時間内に容易に
処理することができること等の特性が要求される。殊に
、事務機としてオフィスで使用される甫子写真装電内に
組込まれる電子写真用像形成部材の場合には、上記の使
用時における無公害性は重要な点である。
この様表点に立脚して最近注目されている光導電材料に
アモルファスシリコン（以後ａ−８ｔと表記す）があ妙
、例えば、強国公開＠２７４６９６７号公報、同第２８
５５７１８号公報には電子写真用像形成部材として、強
国公開＠ ２９３３４１１号公報には光電変換読取装置
への応用が記載されている。
アモルファスシリコン（以後ａ−８ｔと表記す）があ妙
、例えば、強国公開＠２７４６９６７号公報、同第２８
５５７１８号公報には電子写真用像形成部材として、強
国公開＠ ２９３３４１１号公報には光電変換読取装置
への応用が記載されている。
丙午ら、従来のａ ８ｉで構成された光導電聯を有す
る光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答性等の１気
的、光学的、光導電的特性、及び使用環境特性の点、更
には経時的安定性及び耐久性の点において、各々、個々
には特性の向上が計られているが総合的な特性向上を計
る上で更に改良される余地が存するのが実情である。
る光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答性等の１気
的、光学的、光導電的特性、及び使用環境特性の点、更
には経時的安定性及び耐久性の点において、各々、個々
には特性の向上が計られているが総合的な特性向上を計
る上で更に改良される余地が存するのが実情である。
例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合に１暗部
において、支持体側よりの電荷の注入の阻止が充分でな
いこと、耐圧性や繰返し連続使用に対する耐久性に問題
がなく胤ないこと、或いは、転写紙に転写された画像に
俗に「白ヌケ」と呼ばれる、局所的な放電破壊現象によ
ると思われる画像欠陥や、例えば、クリーニングに１ブ
レードを用いるとその摺擦によると思われる、俗に「白
スジ」と云われている所謂画像欠陥が生じｒ（？してい
た。又、多湿雰囲気中で使用したり、或いけ多湿雰囲気
中に長時間放置した直後に使用すると俗に云う画像のボ
ケが生ずる場合が少なくなかった。
において、支持体側よりの電荷の注入の阻止が充分でな
いこと、耐圧性や繰返し連続使用に対する耐久性に問題
がなく胤ないこと、或いは、転写紙に転写された画像に
俗に「白ヌケ」と呼ばれる、局所的な放電破壊現象によ
ると思われる画像欠陥や、例えば、クリーニングに１ブ
レードを用いるとその摺擦によると思われる、俗に「白
スジ」と云われている所謂画像欠陥が生じｒ（？してい
た。又、多湿雰囲気中で使用したり、或いけ多湿雰囲気
中に長時間放置した直後に使用すると俗に云う画像のボ
ケが生ずる場合が少なくなかった。
更には、層厚が十数μ以上となると層形成用の真空堆積
室より取り出した後、空気中での放置時間の経過と共に
、支持体表面からの層の浮きや剥離、成い離層に亀裂が
生ずる等の現象を引起し待ちであった。この現参は、株
に支持体が通常、電子写真特性に於いて使用されている
ドラム状支持体の場合に多く起る等、経時的安定性の点
に於いて解決さねる可き点がある。
室より取り出した後、空気中での放置時間の経過と共に
、支持体表面からの層の浮きや剥離、成い離層に亀裂が
生ずる等の現象を引起し待ちであった。この現参は、株
に支持体が通常、電子写真特性に於いて使用されている
ドラム状支持体の場合に多く起る等、経時的安定性の点
に於いて解決さねる可き点がある。
従ってａ−８ｔ材料そのものの特性改良が計られる一方
で光導電部材を設計する際に、上記［また様々問題の総
てが解決される様に工夫される必要がある。
で光導電部材を設計する際に、上記［また様々問題の総
てが解決される様に工夫される必要がある。
本発明は上記の諸点Ｋｌｉみ成されたもので、ａ−８ｉ
Ｋ就て電子写真用像形Ｆｆｉ、部材や固体撮偉装雪、読
宅装置等に使用される光導電部材としての遺用件とその
応用性という観点から峰括的に鋭意研究検討を続けた結
果、シリコン−子を母体とし、水素原子（Ｈ）又はハロ
ゲン原子（Ｘ）のいずれか一方を少なくとも含有するア
モルファス材料、所謂水素化アモルファスシリコン、ハ
ロケン化アモルファスシリコン、唆いけハロゲン含有水
素化アモルファスシリコン〔以後これ等の総称的表記と
してｒ ａ−８ｔ （ＩＥＩ、 Ｘ） ｊを使用する〕
から構成される光導電層を有する光導電部材の層構成を
以後に説明される様な特定化の下に設計されて作成され
た光導電部材は実用上著しく優れた特性を示すばか抄で
なく、従来の光導電部材と較べてみてもあらゆる点にお
いて凌駕していること、殊に電子写真用の光導電部材と
して著しく優れた特性を有していることを見出した点に
苓づいている。
Ｋ就て電子写真用像形Ｆｆｉ、部材や固体撮偉装雪、読
宅装置等に使用される光導電部材としての遺用件とその
応用性という観点から峰括的に鋭意研究検討を続けた結
果、シリコン−子を母体とし、水素原子（Ｈ）又はハロ
ゲン原子（Ｘ）のいずれか一方を少なくとも含有するア
モルファス材料、所謂水素化アモルファスシリコン、ハ
ロケン化アモルファスシリコン、唆いけハロゲン含有水
素化アモルファスシリコン〔以後これ等の総称的表記と
してｒ ａ−８ｔ （ＩＥＩ、 Ｘ） ｊを使用する〕
から構成される光導電層を有する光導電部材の層構成を
以後に説明される様な特定化の下に設計されて作成され
た光導電部材は実用上著しく優れた特性を示すばか抄で
なく、従来の光導電部材と較べてみてもあらゆる点にお
いて凌駕していること、殊に電子写真用の光導電部材と
して著しく優れた特性を有していることを見出した点に
苓づいている。
本発明は、耐光疲労に著しく長け、繰返し使用に際して
も劣化現象を起さず耐久性にも優れた光導電部材を提供
することを主たる目的とする０ 本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層と支持体
との間や積層される層の各層間に於ける密着性に優れ、
構造配列的に緻密で安定的であり、層品質の高い光導電
部材を提供することである。
も劣化現象を起さず耐久性にも優れた光導電部材を提供
することを主たる目的とする０ 本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層と支持体
との間や積層される層の各層間に於ける密着性に優れ、
構造配列的に緻密で安定的であり、層品質の高い光導電
部材を提供することである。
本発明の他の目的は、電子写真用像形成部材として適用
させた場合、静電傷形成のだめの帯電処理の際の電荷保
持能力が充分あり、通常の電子写真法が極めて有効に適
用されイ”４る優れた電子写真特性を有する光導電部材
を提供することである。
させた場合、静電傷形成のだめの帯電処理の際の電荷保
持能力が充分あり、通常の電子写真法が極めて有効に適
用されイ”４る優れた電子写真特性を有する光導電部材
を提供することである。
本発明の光導電部材は、光導電部材用の支持体と、シリ
コン原子を母体とし、構成原子として水素原子と、含有
量が高々２５ ａｔｏｍｉｃ＊ ４での窒素原子とを含
有する非晶質材料で構成された補助層と、シリコン原子
を母体とし、周期律表第Ｖ族Ｋ１１ｉする原子を構成原
子として含有する非晶質材料で構成された電荷注入防止
層と、シリコン原子を母体とする非晶質材料で構成され
、光導電性を示す非晶質層と、を有する事を特徴とする
。
コン原子を母体とし、構成原子として水素原子と、含有
量が高々２５ ａｔｏｍｉｃ＊ ４での窒素原子とを含
有する非晶質材料で構成された補助層と、シリコン原子
を母体とし、周期律表第Ｖ族Ｋ１１ｉする原子を構成原
子として含有する非晶質材料で構成された電荷注入防止
層と、シリコン原子を母体とする非晶質材料で構成され
、光導電性を示す非晶質層と、を有する事を特徴とする
。
上記した様な層構成を取る様にして設計された本発明の
光導電部材は、前記した諸間鴨の総てを解決し得、極め
て優れた耐久性、耐圧性及び使用環境特性を示す。
光導電部材は、前記した諸間鴨の総てを解決し得、極め
て優れた耐久性、耐圧性及び使用環境特性を示す。
殊に、電子写真用僧形成部材として適用させた場合には
、その電気的特性が安定しており耐光疲労、繰返し使用
特性に長け、高品質の画情を安定して繰返し得ることが
できる。
、その電気的特性が安定しており耐光疲労、繰返し使用
特性に長け、高品質の画情を安定して繰返し得ることが
できる。
父、本発明の光導電部材は支持体上に形成される非晶質
層が、層自体が強靭であって、且つ支持体との密着性に
著しく優れており、高速で長時間連続的に繰返し使用す
ることが出来る。
層が、層自体が強靭であって、且つ支持体との密着性に
著しく優れており、高速で長時間連続的に繰返し使用す
ることが出来る。
以下、図面に従って、本発明の光導電部材に就て詳細に
説明する。
説明する。
第１図は１本発明の第１の実施態様例の光導電部材の一
構成を説明するために模式的に示した模式的構成図であ
る。
構成を説明するために模式的に示した模式的構成図であ
る。
第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材用として
の支持体１０１の上に、シリコン原Ｒ８１）を母体とし
、構成原子として水素原子（）Ｉ）と。
の支持体１０１の上に、シリコン原Ｒ８１）を母体とし
、構成原子として水素原子（）Ｉ）と。
２５ ａｔｏｍｉｃ−未満の窒素原子（Ｎ）とを含む非
晶質材で構成された補助！ＩＩ １０２ 、電荷注入防
止層１０３、光導電性を有する非晶質！１１０４を具備
し、非晶質＃１０４は自由表面１０６を有している。補
助層１０２け、主に、支持体１０１と電荷″注入防止層
１０３との間の密着性を計る目的の為に設けられ、支持
体１０１と電荷注入防止層１０３の両方と親和性がある
様に、後述する材質で構成される。
晶質材で構成された補助！ＩＩ １０２ 、電荷注入防
止層１０３、光導電性を有する非晶質！１１０４を具備
し、非晶質＃１０４は自由表面１０６を有している。補
助層１０２け、主に、支持体１０１と電荷″注入防止層
１０３との間の密着性を計る目的の為に設けられ、支持
体１０１と電荷注入防止層１０３の両方と親和性がある
様に、後述する材質で構成される。
電荷注入防止層１０３は、支持体１０１＠より非晶質＃
１０４中へ電荷が注入されるのを効果的に防止する機能
を主に有する。非晶質層１０４け、感受性の光の照射を
受けて該４０１４中でフォトキャリアを発生し、所定方
向に該フォトキャリアを輸送する機能を有する。
１０４中へ電荷が注入されるのを効果的に防止する機能
を主に有する。非晶質層１０４け、感受性の光の照射を
受けて該４０１４中でフォトキャリアを発生し、所定方
向に該フォトキャリアを輸送する機能を有する。
本発明に於ける補助層は、シリコン原子（Ｓｌ）を母体
とし、構成原子として窒素原子と、水素原子とを含有し
、窒素原子の含有量Ｃ（Ｎ）が２５ａｔｏｍｉｃ−未満
である非晶質材料（以後ａ−（ＳｉｇＮ＋−Ｂ） ｂ）
（＋−ｂと記す。但し、０．６＜ａ、０．６５≦ｂ）で
構成される。
とし、構成原子として窒素原子と、水素原子とを含有し
、窒素原子の含有量Ｃ（Ｎ）が２５ａｔｏｍｉｃ−未満
である非晶質材料（以後ａ−（ＳｉｇＮ＋−Ｂ） ｂ）
（＋−ｂと記す。但し、０．６＜ａ、０．６５≦ｂ）で
構成される。
ａ −（５ｉＢＮｔ−ａ）ｂＨｔ−ｂで構成される補助
層の形成はグロー放電法、スパッターリング法、イオン
インプランテーション法、イオンブレーティング法、エ
レクトロンビーム法等によって故事 される。これ等の製造法は、製造φ件、設備資本投下の
負荷程度、製造規模、作製される光導電部材に所望され
る特性等の要因によって適宜選択されて採用されるが、
所望する特性を有する光導電部材を製造する為の作製条
件の制御が比較的容易であるが、シリコン原子と共に窒
素原子及び水素原子を作製する補助層中に導入するのが
容易に行なえる等の利点からグロー放電法或いはスパッ
ターリング法が好適に採用される０ 更に１本発明に於いては、グロー放電法とスパッターリ
ング法とを同一装置内で併用して中間ｌ１ｌ（１２を形
成しても良い。
層の形成はグロー放電法、スパッターリング法、イオン
インプランテーション法、イオンブレーティング法、エ
レクトロンビーム法等によって故事 される。これ等の製造法は、製造φ件、設備資本投下の
負荷程度、製造規模、作製される光導電部材に所望され
る特性等の要因によって適宜選択されて採用されるが、
所望する特性を有する光導電部材を製造する為の作製条
件の制御が比較的容易であるが、シリコン原子と共に窒
素原子及び水素原子を作製する補助層中に導入するのが
容易に行なえる等の利点からグロー放電法或いはスパッ
ターリング法が好適に採用される０ 更に１本発明に於いては、グロー放電法とスパッターリ
ング法とを同一装置内で併用して中間ｌ１ｌ（１２を形
成しても良い。
グロー放電法によって補助層を形成するには、ａ −（
５ｔａＮｚ−ａ）ｂｕｔ −ｂ 形成用の原料ガスを、
必要に応じて稀釈ガスと所定量の混合比で混合して、支
持体の設置しである真空堆積用の堆積室に導入し、導入
されたガスをグロー放電を生起させることでガスプラズ
マ化して前記支持体Ｎ＋ 上Ｋ ａ −（Ｓｉａ＆−ａ ）ｂＴ（＋−ｂを堆積さ
せれば良い０ 本発明に於いてａ （Ｓ ｉ ＢＮｓ−ａ ）ｂＨＩ
−１） 形ＦＲ。
５ｔａＮｚ−ａ）ｂｕｔ −ｂ 形成用の原料ガスを、
必要に応じて稀釈ガスと所定量の混合比で混合して、支
持体の設置しである真空堆積用の堆積室に導入し、導入
されたガスをグロー放電を生起させることでガスプラズ
マ化して前記支持体Ｎ＋ 上Ｋ ａ −（Ｓｉａ＆−ａ ）ｂＴ（＋−ｂを堆積さ
せれば良い０ 本発明に於いてａ （Ｓ ｉ ＢＮｓ−ａ ）ｂＨＩ
−１） 形ＦＲ。
用の原料ガスとしてｔｆ、Ｓｉ 、 Ｎ、 ）ｌ の中
の少なくとも１つを構成原子とするガス状の物質又はガ
ス化し得る物質をガス化した本のの中の大概のものが使
用され得る。
の少なくとも１つを構成原子とするガス状の物質又はガ
ス化し得る物質をガス化した本のの中の大概のものが使
用され得る。
Ｓｔ、Ｎ、Ｈの中の１つとしてＳｉを構成原子とする原
料ガスを使用する場合は、例えばＳｔを構成原子とする
原料ガスと、Ｎを構成原子とする原料ガスと、Ｈを構成
原子とする原料ガスとを所嗜の混合比で混合して使用・
するか、又は、Ｓｌ を構成原子とする原料ガスと、
Ｎ及びＨを構成原子とする原料ガスとを、これも又同筆
の混合比で混合して使用することが出来る。
料ガスを使用する場合は、例えばＳｔを構成原子とする
原料ガスと、Ｎを構成原子とする原料ガスと、Ｈを構成
原子とする原料ガスとを所嗜の混合比で混合して使用・
するか、又は、Ｓｌ を構成原子とする原料ガスと、
Ｎ及びＨを構成原子とする原料ガスとを、これも又同筆
の混合比で混合して使用することが出来る。
又、別には、 Ｓｔ とＨとを構成原子とする原料ガ
スにＮを構成原子とする原料ガスを混合１て使用しても
良い。
スにＮを構成原子とする原料ガスを混合１て使用しても
良い。
本発明に於いて、補助層形成用のＩＮ科ガスに成り得る
ものとして有効に使用される出発物質は、ＳｌとＨとを
構成原子とするＳｉｇａ 、Ｓｉ＊Ｈ＊ −８ｉｓ’Ｈ
ａ −５ｉａＨ＋。等のシラン（５ｉｔａｎｅ ）
＠等の水素化硅素、Ｎを構成原子とする或いはＮとＨと
を構成原子とする例えば窒素（Ｎｔ）％ アンモ二ｙ
（凪） ｓ ヒドラジン（Ｈ，ＮＮＨ，）、アジ化水
素（ＩＮ、 ）アジ化アンモニウム（ＮＨａＮｍ）等の
ガス状の又はガス化し得る窒素、窒化物及びアジ化物等
の窒素化合物を挙げることが出来る。これ等の補助層形
成用の出発物質となるものの他、Ｈ導入用原料ガスとし
ては勿論几も有効なものとして使用される。
ものとして有効に使用される出発物質は、ＳｌとＨとを
構成原子とするＳｉｇａ 、Ｓｉ＊Ｈ＊ −８ｉｓ’Ｈ
ａ −５ｉａＨ＋。等のシラン（５ｉｔａｎｅ ）
＠等の水素化硅素、Ｎを構成原子とする或いはＮとＨと
を構成原子とする例えば窒素（Ｎｔ）％ アンモ二ｙ
（凪） ｓ ヒドラジン（Ｈ，ＮＮＨ，）、アジ化水
素（ＩＮ、 ）アジ化アンモニウム（ＮＨａＮｍ）等の
ガス状の又はガス化し得る窒素、窒化物及びアジ化物等
の窒素化合物を挙げることが出来る。これ等の補助層形
成用の出発物質となるものの他、Ｈ導入用原料ガスとし
ては勿論几も有効なものとして使用される。
スパッターリング法によって補助層を形成するには、単
結晶又は多結晶のＳｉ ウエーノ〜−又はＳｉｍＮ＊
ウェーハー又はＳｔとＳｉ、Ｎａが混合されて含有さ
れているウェーハーをターゲットとして、これ等を種々
のガス雰囲気中でスパッターリングすることによって行
なえば良い。
結晶又は多結晶のＳｉ ウエーノ〜−又はＳｉｍＮ＊
ウェーハー又はＳｔとＳｉ、Ｎａが混合されて含有さ
れているウェーハーをターゲットとして、これ等を種々
のガス雰囲気中でスパッターリングすることによって行
なえば良い。
例えば、８１ウエーハーをターゲットとして使用すれば
、ＮとＨを導入する為の原料ガス、例えば九と鴇、又は
島を、必要に応じて稀釈ガスで稀釈して、スパッター用
の堆積室中に導入し、これ等のガスのガスプラズマを形
成して前記Ｓｔウェーハーをスパッターリングすれば良
い０ 又、別には、 Ｓｉ ｌ ５ｉａＮ４とは別々のターゲ
ットとして、又はＳｔとＳｉ、Ｎ、の混合し、て形成し
た一枚のターゲットを使用することによって、少なくと
もＨ原子を含有するガス雰囲気中でスパッターリングす
ることによって成される。
、ＮとＨを導入する為の原料ガス、例えば九と鴇、又は
島を、必要に応じて稀釈ガスで稀釈して、スパッター用
の堆積室中に導入し、これ等のガスのガスプラズマを形
成して前記Ｓｔウェーハーをスパッターリングすれば良
い０ 又、別には、 Ｓｉ ｌ ５ｉａＮ４とは別々のターゲ
ットとして、又はＳｔとＳｉ、Ｎ、の混合し、て形成し
た一枚のターゲットを使用することによって、少なくと
もＨ原子を含有するガス雰囲気中でスパッターリングす
ることによって成される。
Ｎ又はＨ導入用の原料ガスと成り得る本のとしては、先
述、したグロー放電の例で示した補助層形成用の出発物
質のガスが、スパッターリングの場合にも有効表ガスと
して使用され得る。
述、したグロー放電の例で示した補助層形成用の出発物
質のガスが、スパッターリングの場合にも有効表ガスと
して使用され得る。
本発明に於いて、補助層をグロー放電法又はスパッター
リング法で形成する際に使用される稀釈ガスとしては、
所謂・希ガス、例えｔ′ｉＨｅ。
リング法で形成する際に使用される稀釈ガスとしては、
所謂・希ガス、例えｔ′ｉＨｅ。
Ｎｅ ＠ Ａｒ等が好適な本のとして挙げることが出来
る。
る。
本発明の補助層を構成するａ （５ｉｚＮｔ−ｘ ）
ｙＨ，−７は補助層の機能が、支持体と電荷注入防止
層との間の密着を強固にし、加えてそれ等の間に於ける
電気的接触性を均一にするものであるから補助層に要求
される特性が所望溝＃）に与見られる様にその作成条件
の選択が厳密に’１４されて注意深く形成される。
ｙＨ，−７は補助層の機能が、支持体と電荷注入防止
層との間の密着を強固にし、加えてそれ等の間に於ける
電気的接触性を均一にするものであるから補助層に要求
される特性が所望溝＃）に与見られる様にその作成条件
の選択が厳密に’１４されて注意深く形成される。
本発明の目的に適した特性を有するａ−（ＳｌＢＮ＠
−＠ ） ｂ）１． ｂが作成される為の作成条件の中
の重！！な要素として、作成時の支持体温度を挙げる事
が出来る。
−＠ ） ｂ）１． ｂが作成される為の作成条件の中
の重！！な要素として、作成時の支持体温度を挙げる事
が出来る。
即ち、支持体の表面Ｋ ａ −（８１１Ｎｍ ｍ ）を
晶−すから成る補助層を）成する際、層形成中の支持体
１１Ｊ１ｊは、形成される層の構造及び４性を左右する
重要な因子であって、本発明に於いては、目的とする特
性を有するａ （８１１Ｎｓ−＠ ）ｌ）Ｈｌ−ｂが
所望通シに作成され得る様に層作成時の支持体電電が厳
密に制御される。
晶−すから成る補助層を）成する際、層形成中の支持体
１１Ｊ１ｊは、形成される層の構造及び４性を左右する
重要な因子であって、本発明に於いては、目的とする特
性を有するａ （８１１Ｎｓ−＠ ）ｌ）Ｈｌ−ｂが
所望通シに作成され得る様に層作成時の支持体電電が厳
密に制御される。
本発明に於ける目的が効果的に達成される為の補助層を
形成する際の支持体温度としては補助層の形成法に併せ
て連室最適範囲が選択されて、補助層の形成が実讐され
るが、通常の場合、５０℃〜３５０℃、好適には１００
℃〜２５０℃とされる亀のがｗＩましいものである。
形成する際の支持体温度としては補助層の形成法に併せ
て連室最適範囲が選択されて、補助層の形成が実讐され
るが、通常の場合、５０℃〜３５０℃、好適には１００
℃〜２５０℃とされる亀のがｗＩましいものである。
補助層の形成には、同一系内で補助層から電荷注入防止
層、非晶質層、ｌ！には必要に応じて非晶質層上に形成
される他の層まで連続的に形成する事が出来る、各層を
構成する原子の組成比の微妙な制御子層厚の制御が他の
方法に較べて比較的容易である事等の為に、グロー放電
法やスパッターリング法の採用が有利であるが、これら
の層形成法で補助層を形成する場合には、前記の支持体
温度と同様に層形成の際の放電ノ（ワー及びガス圧が作
成されるａ−（８１＠Ｎｔ−ａ）ｂＨａ−ｂ Ｃ）％性
を左右する重要な因子として挙げられる。
層、非晶質層、ｌ！には必要に応じて非晶質層上に形成
される他の層まで連続的に形成する事が出来る、各層を
構成する原子の組成比の微妙な制御子層厚の制御が他の
方法に較べて比較的容易である事等の為に、グロー放電
法やスパッターリング法の採用が有利であるが、これら
の層形成法で補助層を形成する場合には、前記の支持体
温度と同様に層形成の際の放電ノ（ワー及びガス圧が作
成されるａ−（８１＠Ｎｔ−ａ）ｂＨａ−ｂ Ｃ）％性
を左右する重要な因子として挙げられる。
本発明に於ゆる目的が達成される為の特性を有するａ
−（８１１に−ａ ）ｂルーｂが生産性良く効果的に形
成される為の放電パワー条件としては、通常１〜３００
Ｗ％好適には２〜１００ Ｗである。
−（８１１に−ａ ）ｂルーｂが生産性良く効果的に形
成される為の放電パワー条件としては、通常１〜３００
Ｗ％好適には２〜１００ Ｗである。
堆積車内のガス圧は通常グミー放電にて層形成を行う場
合に於いて０．０１〜５ Ｔｏｒｒ ｓ好適には０、１
〜０．５ Ｔｈｒｒ ８ＦＩ Ｋ％ スパッタリング法
にて層形成を行なう場合に於いては１通常１０−３〜５
×１Ｏ−１Ｔｈｒｒ 、 好適には８ Ｘ １０−’
〜３ Ｘ １０−２Ｔｈｒｒ １１度とされるのが望ま
しい。
合に於いて０．０１〜５ Ｔｏｒｒ ｓ好適には０、１
〜０．５ Ｔｈｒｒ ８ＦＩ Ｋ％ スパッタリング法
にて層形成を行なう場合に於いては１通常１０−３〜５
×１Ｏ−１Ｔｈｒｒ 、 好適には８ Ｘ １０−’
〜３ Ｘ １０−２Ｔｈｒｒ １１度とされるのが望ま
しい。
本発明の光導電部材に於ける補助層に含有される窒素原
子（Ｎ）及び水素原子（Ｈ）の量は、補助層の作成条件
と同様、本発明の目的を達成する所望の特性が得られる
補助層が形成される重要な因子である。
子（Ｎ）及び水素原子（Ｈ）の量は、補助層の作成条件
と同様、本発明の目的を達成する所望の特性が得られる
補助層が形成される重要な因子である。
本発ＩＪｊｌＫ於ける補助層に含有される窒素原子（Ｎ
）の量Ｃ（Ｎ） は、通常は前記し九値の範囲とされ
るが、ａｔｏｍｉｃ−で表示すれば、好適には、Ｉ Ｘ
１０””≦Ｃ（Ｎ）＜ ２５ ＊よ抄好ましくは、１
≦Ｃ（Ｎ） ＜ ２５ ＊最適には１０≦Ｃ（Ｎ）＜２
５とされるのが望ましい０又、水素原子（Ｈ）の量とし
ては、好適には２〜３５ ａｔｏｍｉｅｓ ｅ最適には
５〜３０ ａｔｏｍｉｅ−とされるのが望ましい。
）の量Ｃ（Ｎ） は、通常は前記し九値の範囲とされ
るが、ａｔｏｍｉｃ−で表示すれば、好適には、Ｉ Ｘ
１０””≦Ｃ（Ｎ）＜ ２５ ＊よ抄好ましくは、１
≦Ｃ（Ｎ） ＜ ２５ ＊最適には１０≦Ｃ（Ｎ）＜２
５とされるのが望ましい０又、水素原子（Ｈ）の量とし
ては、好適には２〜３５ ａｔｏｍｉｅｓ ｅ最適には
５〜３０ ａｔｏｍｉｅ−とされるのが望ましい。
ａ −（８１ＢＮｔ−ａ ） １）Ｈｔ−１）に於ける
ａ、ｂの表示で示せばａの値としては、好適には０．６
＜ ａ≦０．９９９９９．よシ好ましくは、０．６（
ａ≦０．９９゜最適には０．６ ＜ ａ≦０．９．ｂの
値としては、好適には、０．６５≦ｂ≦０．９８ 、よ
秒好適には０，７≦ｂ≦０．９５とされるのが望ましい
。
ａ、ｂの表示で示せばａの値としては、好適には０．６
＜ ａ≦０．９９９９９．よシ好ましくは、０．６（
ａ≦０．９９゜最適には０．６ ＜ ａ≦０．９．ｂの
値としては、好適には、０．６５≦ｂ≦０．９８ 、よ
秒好適には０，７≦ｂ≦０．９５とされるのが望ましい
。
本発明に於ける補助層の層厚の数値範囲は、本発明の目
的を効果的に達成する様に所望に従って適宜決定される
。
的を効果的に達成する様に所望に従って適宜決定される
。
本発明の目的を効果的に達成する為の補助層の層厚とし
ては、通常の場合３０λ〜２μ、好適には４０Ａ〜１．
５μ、最適には５０人〜１．５μとされるのが望ましい
本のである。
ては、通常の場合３０λ〜２μ、好適には４０Ａ〜１．
５μ、最適には５０人〜１．５μとされるのが望ましい
本のである。
本発明の光導電部材を構成する電荷注入防止層は、シリ
コン原子（Ｓｔ）を母体とし、周期律表第Ｖ族に属する
原子（第Ｖ族原子）と、好ましくは、水素原子（Ｈ）又
はノ・ロゲン原子（Ｘ）、或いはこの両者とを構成原子
とする非晶質材料（以後ｒ ａ−８ｉ （Ｖ、 Ｈ，Ｘ
） ｊと記す）で構成され、その層厚を及び層中の第
Ｖ族原子の含有ｔ Ｃ（Ｙ） は、本発明の目的が効
果的に達成される様に所望に従りて遭宣決められる。
コン原子（Ｓｔ）を母体とし、周期律表第Ｖ族に属する
原子（第Ｖ族原子）と、好ましくは、水素原子（Ｈ）又
はノ・ロゲン原子（Ｘ）、或いはこの両者とを構成原子
とする非晶質材料（以後ｒ ａ−８ｉ （Ｖ、 Ｈ，Ｘ
） ｊと記す）で構成され、その層厚を及び層中の第
Ｖ族原子の含有ｔ Ｃ（Ｙ） は、本発明の目的が効
果的に達成される様に所望に従りて遭宣決められる。
本発明に於ける電荷注入防止層の層厚ｔとしては、好ま
しくは０．３〜５μ、より好★しくは０、５〜２μとさ
れるのが望ましく、又、第Ｖ族原子の含有量Ｃ（Ｖ）と
しては、好ましくは１ｘｌｏ冨〜１ ｘ １０’ａｔｏ
ｍｉｃ ｐｐｍ ｔ よシ好ましくは、５Ｘ １０”
〜Ｉ Ｘ １０’ａｔｏｍｉｅ ｐｐｍ とされるの
が望ましい。
しくは０．３〜５μ、より好★しくは０、５〜２μとさ
れるのが望ましく、又、第Ｖ族原子の含有量Ｃ（Ｖ）と
しては、好ましくは１ｘｌｏ冨〜１ ｘ １０’ａｔｏ
ｍｉｃ ｐｐｍ ｔ よシ好ましくは、５Ｘ １０”
〜Ｉ Ｘ １０’ａｔｏｍｉｅ ｐｐｍ とされるの
が望ましい。
本発明において、電荷注入防止層中に含有されｂ周期律
表第Ｖ族に属する原子として使用され石のは、Ｐ（燐）
、Ａｓ （砒素）、８ｂ （アンチモン）、Ｂｉ（ビス
マス）等であ詐、殊に好適に用いられるのはｐ、Ａｓ
である。
表第Ｖ族に属する原子として使用され石のは、Ｐ（燐）
、Ａｓ （砒素）、８ｂ （アンチモン）、Ｂｉ（ビス
マス）等であ詐、殊に好適に用いられるのはｐ、Ａｓ
である。
本発明において、必要に応じて電荷注入防止層中に含有
されるノ・ロゲン原子（Ｘ）としては、異体的にはフッ
素、塩素、臭素、ヨウ素等ｔ１げられ、殊にフッ素、塩
素を好適なものとして挙げることが出来る。
されるノ・ロゲン原子（Ｘ）としては、異体的にはフッ
素、塩素、臭素、ヨウ素等ｔ１げられ、殊にフッ素、塩
素を好適なものとして挙げることが出来る。
ａ−８量（Ｖ、Ｈ，ｘ）で構成される電荷注入防止層の
形成には、補助層の形成の場合と同様に１例えばグロー
放電法、スノくツタリング法、或いけイオンブレーティ
ング法等の放電現象を利用する真空堆積法が採用される
。
形成には、補助層の形成の場合と同様に１例えばグロー
放電法、スノくツタリング法、或いけイオンブレーティ
ング法等の放電現象を利用する真空堆積法が採用される
。
これ等の製造法は、製造条件、設備資本投下の負荷程度
、製造規模９作製される光導電部材に所望される特性等
の要因によって適宜選択されて採用されるが、所望する
特性を有する光導電部材を製造する為の作製条件の制御
が比較的容易である、シリコン原子と共に第Ｖ族原子。
、製造規模９作製される光導電部材に所望される特性等
の要因によって適宜選択されて採用されるが、所望する
特性を有する光導電部材を製造する為の作製条件の制御
が比較的容易である、シリコン原子と共に第Ｖ族原子。
必要に応じて水素原子（Ｈ）やノ）ロゲン原子（Ｘ）を
作製する電荷注入防止層中に導入するのが容易に行える
等の利点からグルー放電法或いはスパッターリング法が
好適に採用される。
作製する電荷注入防止層中に導入するのが容易に行える
等の利点からグルー放電法或いはスパッターリング法が
好適に採用される。
更に、本発明に於いては、グロー放電法とスパッターリ
ング法とを同一装置系内で併用して電荷注入防止層を形
成しても良い。
ング法とを同一装置系内で併用して電荷注入防止層を形
成しても良い。
例えば、グロー放電法によってａ−８ｔ（Ｖ。
Ｈ，Ｘ）で構成される電荷注入防止層を形成するＫＦｉ
、基本的にはシリコン原子（Ｓｔ ）を供給し得るＳｉ
供給用の原料ガスと共に、第Ｖ族原子を供給し得る第Ｖ
族原子導入用の原料ガス。
、基本的にはシリコン原子（Ｓｔ ）を供給し得るＳｉ
供給用の原料ガスと共に、第Ｖ族原子を供給し得る第Ｖ
族原子導入用の原料ガス。
必要に応じて水素原子（Ｈ）導入用の又は／及びハロゲ
ン原子（Ｘ）導入用の原料ガスを、内部が減圧にし得る
堆積室内に導入して、該堆積室内にグロー放電を生起さ
せ、予め所定位置に設置され、既に補助層の設けである
所定の支持体の補助層表面上にａ−８ｉ （Ｖ、 Ｈ，
Ｘ ）からなる層を形成させれば良い。又、スパッタリ
ング法で形成する場合には、例えばＡｔ、Ｈｅ等の不活
性ガス又はこれ等のガスをペースとした混合ガスの雰囲
気中でＩＳｉで構成されたターゲットをスパッタリング
する際、第Ｖ族原子導入用の原料ガスを、必要に応じて
水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の
ガスと共にスパッタリング用の堆積室に導入してやれば
良い。
ン原子（Ｘ）導入用の原料ガスを、内部が減圧にし得る
堆積室内に導入して、該堆積室内にグロー放電を生起さ
せ、予め所定位置に設置され、既に補助層の設けである
所定の支持体の補助層表面上にａ−８ｉ （Ｖ、 Ｈ，
Ｘ ）からなる層を形成させれば良い。又、スパッタリ
ング法で形成する場合には、例えばＡｔ、Ｈｅ等の不活
性ガス又はこれ等のガスをペースとした混合ガスの雰囲
気中でＩＳｉで構成されたターゲットをスパッタリング
する際、第Ｖ族原子導入用の原料ガスを、必要に応じて
水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の
ガスと共にスパッタリング用の堆積室に導入してやれば
良い。
本発明において電荷注入防止層を形成するのに使用され
る原料ガスとなる出発物質としては。
る原料ガスとなる出発物質としては。
次のものが有効なものとして挙げることが出来るＯ
先ず、Ｓｌ供給用の原料ガスとなる出発物質と１−ては
、ＳｉＬ ＊ ５１ｇｎ５ ＊ ５ｔｉｒｓ ｔ ５
ｌａＨ４ｅ等のガス状態の又はガス化し得る水素化硅素
（シラン類）が有効に使用されるものとして挙げられ、
殊に％層作成作業の扱い易さ、Ｓｌ 供給効率のしｌ 良さ等の点で５ｉｎｓ 、 Ｓｉｔ＆が好ましいものと
鴬へ げられる。
、ＳｉＬ ＊ ５１ｇｎ５ ＊ ５ｔｉｒｓ ｔ ５
ｌａＨ４ｅ等のガス状態の又はガス化し得る水素化硅素
（シラン類）が有効に使用されるものとして挙げられ、
殊に％層作成作業の扱い易さ、Ｓｌ 供給効率のしｌ 良さ等の点で５ｉｎｓ 、 Ｓｉｔ＆が好ましいものと
鴬へ げられる。
これ等の出発物質を使用すれば層形成条件を適切Ｋｉｔ
択する仁とＫよって形成される補助層中に８１ と共に
Ｈも導入し得る。
択する仁とＫよって形成される補助層中に８１ と共に
Ｈも導入し得る。
Ｓｌ供給用の原料ガスとなる有効な出発物質としては、
上記の水素化硅素の他に、ハロゲン噸子（Ｘ）を含む硅
素化合物、所謂、ハロゲン原子で置換されたシラン誘導
体、具体的ＫＶｉ例えば５ｉＦａ ｔ Ｓｉ＊Ｆｓ ｔ
５ｉＣ１ａ ｔ ５ｉＢｒａ 等のハロゲン化硅素
が好ましい本のとして挙げる仁とが出来る。
上記の水素化硅素の他に、ハロゲン噸子（Ｘ）を含む硅
素化合物、所謂、ハロゲン原子で置換されたシラン誘導
体、具体的ＫＶｉ例えば５ｉＦａ ｔ Ｓｉ＊Ｆｓ ｔ
５ｉＣ１ａ ｔ ５ｉＢｒａ 等のハロゲン化硅素
が好ましい本のとして挙げる仁とが出来る。
更には、８１１（ｔＦｔ −５ｉＨｔＩｔ −８１迅０
４．Ｓ％ＨＣＡＩ 。
４．Ｓ％ＨＣＡＩ 。
５ＩＬＢｒ＊ ？ ５ＩＨＢｒ＠等のハロゲン置換水素
化硅素、等々のガス状態の或いはガス化し得る、水素原
子を構成要素の１つとする）・ロゲン化物も有効な電荷
注入防止層形成の為のＳｌ供給用の出発物質として挙げ
る事が出来る。
化硅素、等々のガス状態の或いはガス化し得る、水素原
子を構成要素の１つとする）・ロゲン化物も有効な電荷
注入防止層形成の為のＳｌ供給用の出発物質として挙げ
る事が出来る。
これ等のハロゲン原子（Ｘ）を含む硅素化合物を使用す
る場合にも両速した様に層形成条件の適切な選択によっ
て形成される電荷注入防止層中Ｋ Ｓｔ と共にＸを導
入することが出来る。
る場合にも両速した様に層形成条件の適切な選択によっ
て形成される電荷注入防止層中Ｋ Ｓｔ と共にＸを導
入することが出来る。
上記した出発物質の中水素原子を含むハロゲン化硅素化
合物は、補助層形成の際に層中にハロゲン原子（Ｘ）の
導入と同時に電気的或いは光電的特性の制御に極めて有
効な水素原子（Ｈ）も導入されるので、本発明において
は好適なハロゲン原子（Ｘ）導入用の出発物質として使
用される０ 本発明において補助層を形成する際に使用されるハロゲ
ン原子（Ｘ）導入用の原料ガスとなる有効な出発物質と
しては、上記したものの他に１例えばフッ素、塩素、臭
素、ヨウ素のハロゲンガス％ ＢｒＦ、 ＣｔＦ、 Ｃ
ｔＦ、 ＢｒＦＩｅ ＢｒＦ、、 ＩＦ、。
合物は、補助層形成の際に層中にハロゲン原子（Ｘ）の
導入と同時に電気的或いは光電的特性の制御に極めて有
効な水素原子（Ｈ）も導入されるので、本発明において
は好適なハロゲン原子（Ｘ）導入用の出発物質として使
用される０ 本発明において補助層を形成する際に使用されるハロゲ
ン原子（Ｘ）導入用の原料ガスとなる有効な出発物質と
しては、上記したものの他に１例えばフッ素、塩素、臭
素、ヨウ素のハロゲンガス％ ＢｒＦ、 ＣｔＦ、 Ｃ
ｔＦ、 ＢｒＦＩｅ ＢｒＦ、、 ＩＦ、。
ＩＰ、 ＊ ＩＣｔ ＊ ＩＢｒ 等のハＱゲン間化合
物、ワ。
物、ワ。
Ｋｉｔ 、 ＨＢｒ 、 Ｈｌ 等のハロゲン化水素
を挙げることが出来る。
を挙げることが出来る。
電荷注入防止層中罠第■族原子を構造的に導入するには
、層形成の際に第Ｖ族摩子導入用の出発物質をガス状態
で堆積室中に電荷注入防止層を形成する為の他の出発物
質と共に導入してやれば負い。この様な第Ｖ族原子導入
用の出発物質と成シ得るものとしては、常温常圧でガス
状の又は、少なくとも層形成条件下で容易にガス化し得
るものが採用されるのが望ましい。
、層形成の際に第Ｖ族摩子導入用の出発物質をガス状態
で堆積室中に電荷注入防止層を形成する為の他の出発物
質と共に導入してやれば負い。この様な第Ｖ族原子導入
用の出発物質と成シ得るものとしては、常温常圧でガス
状の又は、少なくとも層形成条件下で容易にガス化し得
るものが採用されるのが望ましい。
その様な第Ｖ族原子導入用の出発物質として、具体的に
は、燐原子導入用としては、 ＰＲ，、Ｐ山等の水素化
燐、ＰＨ４Ｉ ＋ ＰＦ３ ｅ ＰＦｓ ＊ ＰＣｌ５
ｔ ＰＣ４ｅＰＢｒｓ ＠ ＰＢｒｓ ｔ ＰＩ３
等のハロゲン化燐が挙げられる。
は、燐原子導入用としては、 ＰＲ，、Ｐ山等の水素化
燐、ＰＨ４Ｉ ＋ ＰＦ３ ｅ ＰＦｓ ＊ ＰＣｌ５
ｔ ＰＣ４ｅＰＢｒｓ ＠ ＰＢｒｓ ｔ ＰＩ３
等のハロゲン化燐が挙げられる。
この他、ＡＩＩＲＩ ＊ ＡｓＦｍ ｔ Ａｔ１Ｃ１
ｓ ＊ Ａｌ！Ｂｒｓ 、ＡｓＦ５ ｌ５ｂＨｓ ｔ
５ｈｙｓ ＊ ａｄ”ｓ ＊ 原人＊ ｌ１ｌｉＣＡ
ｓ ｓ ＢｆＨｍ ｔ ＢｉＣｊｍ ＊ ＢｉＢｒｍ
’４も第Ｖ族原子導入用の出御物質の有効なものとして
挙げることが出来る。
ｓ ＊ Ａｌ！Ｂｒｓ 、ＡｓＦ５ ｌ５ｂＨｓ ｔ
５ｈｙｓ ＊ ａｄ”ｓ ＊ 原人＊ ｌ１ｌｉＣＡ
ｓ ｓ ＢｆＨｍ ｔ ＢｉＣｊｍ ＊ ＢｉＢｒｍ
’４も第Ｖ族原子導入用の出御物質の有効なものとして
挙げることが出来る。
本発明に於いては電荷注入防止特性を与える為に電荷注
入防止層中に含有される第Ｖ族原子は、電荷注入防止層
の層厚方向に実質的に平行な面（支持体の表面に平行な
面）内及び層厚方向に於いては、実質的に均一に分布さ
れるのが良いものである。
入防止層中に含有される第Ｖ族原子は、電荷注入防止層
の層厚方向に実質的に平行な面（支持体の表面に平行な
面）内及び層厚方向に於いては、実質的に均一に分布さ
れるのが良いものである。
又、スパッタリング法で電荷注入防止層を形成する場合
には、例えばＡｒ、 Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等の
ガスをベースとした混合ガスの雰囲気中でＳｉで構成さ
れ九ターゲットをスパッタリングする際、第Ｖ族原子導
入用の原料ガスを必要に応じて水素原子（Ｈ）導入用の
又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスと共に
スパッタリングを行う真空堆積室内に導入してやれば良
い。
には、例えばＡｒ、 Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等の
ガスをベースとした混合ガスの雰囲気中でＳｉで構成さ
れ九ターゲットをスパッタリングする際、第Ｖ族原子導
入用の原料ガスを必要に応じて水素原子（Ｈ）導入用の
又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスと共に
スパッタリングを行う真空堆積室内に導入してやれば良
い。
本発明に於いて、電荷注入防止層中に導入される第Ｖ族
原子の含有量は、堆積室中に流入されるｆ４ｖ族原子導
入用の出発物質のガス流量、ガス流量比、放電パワー、
支持体温度、堆積室内の圧力等を制御することによって
任意に制御され得る。
原子の含有量は、堆積室中に流入されるｆ４ｖ族原子導
入用の出発物質のガス流量、ガス流量比、放電パワー、
支持体温度、堆積室内の圧力等を制御することによって
任意に制御され得る。
本発明に於いて、電荷注入防止層中に必要に応じて含有
されるＩ・ロゲ／原子（ｘ）とし【は、補助層の説明の
際に記したのと同様のものが挙げられる。
されるＩ・ロゲ／原子（ｘ）とし【は、補助層の説明の
際に記したのと同様のものが挙げられる。
本発明に於いて、電荷注入防止層をグルー放電法又はス
パッターリング法で形成する際に使用される稀釈ガスと
しては、所謂、希ガス、例えばＨｅ 、 Ｎｅ 、 Ａ
ｅ 等が好適なものとして挙げることが出来る。
パッターリング法で形成する際に使用される稀釈ガスと
しては、所謂、希ガス、例えばＨｅ 、 Ｎｅ 、 Ａ
ｅ 等が好適なものとして挙げることが出来る。
本発明において、ａ−８ｉ （Ｈ，Ｘ ）で構成される
非晶質層を形成するには例えばグロー放電法、スパッタ
リング法、或いはイオンブレーティング法等の放電現象
を利用する真空堆積法によって成される。例えば、グロ
ー放電法によってａ−８１（Ｈ−Ｘ）で構成される非晶
質層を形成するには、禎本的にはシリコン原子（Ｓｔ
）を供給し得るＳｉ 供給用の原料ガスと共に１水素原
子（Ｈ）導入用の又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用
の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に導入して
、核堆積室内にグロー放電を生起させ、予め所定位置に
設置されである所定の支持体上の電荷注入防止層表面上
にａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）から成る層を形成させれば良い０
又、スパッタリング法で形成する場合には、例えばＡｒ
、Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等のガスをペースとした
混合ガスの雰囲気中でＳｉで構成されたターゲットをス
パッタリングする際、水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲ
ン原子（Ｘ）導入用のガスをスパッタリング用の堆積室
に導入してやれば良い。
非晶質層を形成するには例えばグロー放電法、スパッタ
リング法、或いはイオンブレーティング法等の放電現象
を利用する真空堆積法によって成される。例えば、グロ
ー放電法によってａ−８１（Ｈ−Ｘ）で構成される非晶
質層を形成するには、禎本的にはシリコン原子（Ｓｔ
）を供給し得るＳｉ 供給用の原料ガスと共に１水素原
子（Ｈ）導入用の又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用
の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に導入して
、核堆積室内にグロー放電を生起させ、予め所定位置に
設置されである所定の支持体上の電荷注入防止層表面上
にａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）から成る層を形成させれば良い０
又、スパッタリング法で形成する場合には、例えばＡｒ
、Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等のガスをペースとした
混合ガスの雰囲気中でＳｉで構成されたターゲットをス
パッタリングする際、水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲ
ン原子（Ｘ）導入用のガスをスパッタリング用の堆積室
に導入してやれば良い。
本発明において、必要に応じて非晶質層中に含有される
ハロゲン原子（Ｘ）としては、補助層の場合に挙げたの
と同様のものを挙げることが出来る。
ハロゲン原子（Ｘ）としては、補助層の場合に挙げたの
と同様のものを挙げることが出来る。
本発明において非晶質層を形成するのに使用されるＳｉ
供給用の原料ガスとしては、補助層や電荷注入防止層に
就て説明する際に挙けた５ｔ）ｆ、 。
供給用の原料ガスとしては、補助層や電荷注入防止層に
就て説明する際に挙けた５ｔ）ｆ、 。
ｓｔ雪Ｈａ ｔ ＳｉｍＬ ｔ Ｓｉｎル。等のガス状
態の又はガス化し得る水素化硅素（シラン類）が有効に
使用されるものとして挙げられ、殊に、層作成作業の扱
い易さ％Ｓｔ供給効率の良さ等の点でＳ汎。
態の又はガス化し得る水素化硅素（シラン類）が有効に
使用されるものとして挙げられ、殊に、層作成作業の扱
い易さ％Ｓｔ供給効率の良さ等の点でＳ汎。
５ｂＨａが好ましいものとして挙げられる。
本発明において非晶質層を形成する際に使用されるハロ
ゲン原子導入用の原料ガスとして有効なのは、補助層の
場合と同様に多くのハロゲン化合物が挙げられ、例えば
ハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化合物、ハロ
ゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状態の又はガス
化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられる。
ゲン原子導入用の原料ガスとして有効なのは、補助層の
場合と同様に多くのハロゲン化合物が挙げられ、例えば
ハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化合物、ハロ
ゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状態の又はガス
化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられる。
又、更には、クリコン原子（Ｓｔ ）とノ・ロゲン原子
（Ｘ）とを構成要素とするガス状態の又はガス化し得る
、ハロゲン原子を含む硅素化合物４有効なものとして本
発明においては挙げることが出来る。
（Ｘ）とを構成要素とするガス状態の又はガス化し得る
、ハロゲン原子を含む硅素化合物４有効なものとして本
発明においては挙げることが出来る。
本発明に於いては、非晶質層には、伝導特性を制御する
物質を含有させること罠よ妙、咳層の伝導特性を所望に
従って任意に制御する仁とが出来る。
物質を含有させること罠よ妙、咳層の伝導特性を所望に
従って任意に制御する仁とが出来る。
この様な物質としては、所謂、半導体分野で云われる不
純物を挙けることが出来、本発明に於いては、形成され
る非晶質層を構成するａ −８ｉ（Ｈ，Ｘ）に対して、
Ｐ型伝導特性を与えるＰ型不純物、具体的には、周期律
表第■族に鳩する原子（第瓢族原子）、例えば、Ｂ（＃
素）、Ａｊ（アルミニウム） 、 Ｇａ （ガリウム）
、Ｉｎ（インジウム）＃Ｔｔ（タリウム）等があや、殊
に好適に用いられるのはＢＩＧ＆である。
純物を挙けることが出来、本発明に於いては、形成され
る非晶質層を構成するａ −８ｉ（Ｈ，Ｘ）に対して、
Ｐ型伝導特性を与えるＰ型不純物、具体的には、周期律
表第■族に鳩する原子（第瓢族原子）、例えば、Ｂ（＃
素）、Ａｊ（アルミニウム） 、 Ｇａ （ガリウム）
、Ｉｎ（インジウム）＃Ｔｔ（タリウム）等があや、殊
に好適に用いられるのはＢＩＧ＆である。
本発明に於いて、非晶質層に含有される伝導特性を制御
する物質の含有量は、該非晶質層に要求される伝導特性
、或いは該層（Ｉ） Ｋ直に接触して設けられる他の層
の特性や、＃他の層との接触界面に於ける特性との関係
等、有機的関連性に於いて、適宜選択することが出来る
。
する物質の含有量は、該非晶質層に要求される伝導特性
、或いは該層（Ｉ） Ｋ直に接触して設けられる他の層
の特性や、＃他の層との接触界面に於ける特性との関係
等、有機的関連性に於いて、適宜選択することが出来る
。
本発明に於いて、非晶質層中に含有される伝導特性を制
御する物質の含有量としては、通常の場合、０．００１
〜１０００ ａｔｏｍｉｅ ｐｐｍｔ好適Ｋ好適ｉｏ、
０５〜５００ ａｔｏｍｉｃ ｐＰｍ ｅ最：Ｉｌｌ
には０．１〜２００ ａｔｏｍｉｃ ＰＰｍ とされ
るのが望ましいものである。
御する物質の含有量としては、通常の場合、０．００１
〜１０００ ａｔｏｍｉｅ ｐｐｍｔ好適Ｋ好適ｉｏ、
０５〜５００ ａｔｏｍｉｃ ｐＰｍ ｅ最：Ｉｌｌ
には０．１〜２００ ａｔｏｍｉｃ ＰＰｍ とされ
るのが望ましいものである。
非晶質層中に伝導特性を制御する物質２例えば第璽族原
子を構造的に導入するには、層形成の際に第■族原子導
入用の出発物質をガス状態で堆積室中に、非晶質層を形
成する為の他の出発物質と共に導入してやれば良い。こ
の様な第■族原子導入用の出発物質と成抄得るものとし
ては、常温常圧でガス状の又は、少なくと電層形成条件
下で容易くガス化し得るものが採用されるのが望ましい
。
子を構造的に導入するには、層形成の際に第■族原子導
入用の出発物質をガス状態で堆積室中に、非晶質層を形
成する為の他の出発物質と共に導入してやれば良い。こ
の様な第■族原子導入用の出発物質と成抄得るものとし
ては、常温常圧でガス状の又は、少なくと電層形成条件
下で容易くガス化し得るものが採用されるのが望ましい
。
その様な第躍族原子導入用の出発物質として具体的には
硼素原子導入用としては＝ ＢｔＨａ−Ｂａ）Ｌ・。
硼素原子導入用としては＝ ＢｔＨａ−Ｂａ）Ｌ・。
ＢＩＬ ＊ ＢｍＨｓｔ−＆Ｈｔｅ −Ｂ＠ＨＩＳ −
ＢｍＨｓｔ等の水素化硼素、ＢＦｍ ｅ ＢＣ４ｔ Ｂ
Ｂｒｍ 等のハロゲン化硼素等が挙げらレル。コノ他
％ＡＩＣＩＢ ＋ ＧａＣ４、Ｇ’Ｒ（０５ｊＪ、ｓ
＋ＩｎＣ４、Ｔｔｃ４ 等も挙げることが出来る。
ＢｍＨｓｔ等の水素化硼素、ＢＦｍ ｅ ＢＣ４ｔ Ｂ
Ｂｒｍ 等のハロゲン化硼素等が挙げらレル。コノ他
％ＡＩＣＩＢ ＋ ＧａＣ４、Ｇ’Ｒ（０５ｊＪ、ｓ
＋ＩｎＣ４、Ｔｔｃ４ 等も挙げることが出来る。
本発明において、形成される光導電部材の電荷注入防止
層及び非晶質層中に含有される水素原子（Ｈ）の量又は
ハロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子（Ｈ）とハロゲン
原子（Ｘ）の景の和（Ｈ＋Ｘ）は通常の場合１〜４０
ａｔｏｍｉｅ−１好適には５〜３０ ａｔｏｍｉｃｌＩ
とされるのが望ましい◇電荷注入防止層又は非晶質層中
に含有される水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（
Ｘ）の竜を制御するには、例えば支持体温度又は／及び
水素原子（Ｈ）、或いはハロゲン原子（Ｘ）を含有させ
る為に使用される出発物質の堆積装置系内へ導入する量
、放電々力等を制御してやれば負い。
層及び非晶質層中に含有される水素原子（Ｈ）の量又は
ハロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子（Ｈ）とハロゲン
原子（Ｘ）の景の和（Ｈ＋Ｘ）は通常の場合１〜４０
ａｔｏｍｉｅ−１好適には５〜３０ ａｔｏｍｉｃｌＩ
とされるのが望ましい◇電荷注入防止層又は非晶質層中
に含有される水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（
Ｘ）の竜を制御するには、例えば支持体温度又は／及び
水素原子（Ｈ）、或いはハロゲン原子（Ｘ）を含有させ
る為に使用される出発物質の堆積装置系内へ導入する量
、放電々力等を制御してやれば負い。
本発１５１１において、非晶質層をグロー放電法で形成
する際に使用される種釈ガス、或匹はスパッタやフグ法
で形成される際に使用されるスパッターリング用のｌス
としては、所謂種ガス、例えばＨｅ 、 Ｎｅ 、 Ａ
ｒ、等が好適なものとして挙けることが出来る。
する際に使用される種釈ガス、或匹はスパッタやフグ法
で形成される際に使用されるスパッターリング用のｌス
としては、所謂種ガス、例えばＨｅ 、 Ｎｅ 、 Ａ
ｒ、等が好適なものとして挙けることが出来る。
本発明に於−て、非晶質層の層厚としては、作成される
光導電部材に！！求される特性に応じて適宜法められる
ものであるが、通常は、１〜１００声、好ましくは１〜
８０μ、最適には２〜５０μとされるのが望まし％Ａも
のである。
光導電部材に！！求される特性に応じて適宜法められる
ものであるが、通常は、１〜１００声、好ましくは１〜
８０μ、最適には２〜５０μとされるのが望まし％Ａも
のである。
本発明におｉで使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性であって％ ＆ ｖｈｏ導電性支持体として
は、例えば、ＮｉＣｒ、ステンレス。
電気絶縁性であって％ ＆ ｖｈｏ導電性支持体として
は、例えば、ＮｉＣｒ、ステンレス。
）Ｊ 、Ｃｒ 、Ｍｏ 、Ａｕ 、Ｎｂ 、Ｔａ 、Ｖ
、Ｔｉ 、Ｐｔ 、Ｐｄ等の金属又はしれ等の合金が
挙げられる。
、Ｔｉ 、Ｐｔ 、Ｐｄ等の金属又はしれ等の合金が
挙げられる。
電気絶縁性支持体としては、ポリエステル。
ポリエチレン、ポリカーボネート、セルリーズアセテー
ト、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル。
ト、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル。
ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ボリア建ド等の合
成樹脂のフィルム又はシート、ガラス。
成樹脂のフィルム又はシート、ガラス。
セラミック、紙等が通常使用される。これ郷の電気絶縁
性支持体は、好適忙は少なくともその一方の表面を導電
処理され、皺導電処理された表面側に他の層が設けられ
るのが望ましい。
性支持体は、好適忙は少なくともその一方の表面を導電
処理され、皺導電処理された表面側に他の層が設けられ
るのが望ましい。
例えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｉＣｒ。
Ａｎ 、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｒ 、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、
Ｔｉ 、Ｐｔ 、Ｐｄ。
Ｔｉ 、Ｐｔ 、Ｐｄ。
Ｉｎ、０． 、８ｎＯ，、ＩＴＯ（Ｉｎ、Ｏｓ＋ ８ｎ
Ｏ，）等から成る薄膜を設けるととＫよって導電性が付
与され、梁いはポリエステルフィルム等の合成樹脂フィ
ルムであれば、ＮｉＣｒ 、ｋｌ 、Ａｇ 、Ｐｂ 、
Ｚｎ 、Ｎｉ 、Ａｕ、Ｃｒ。
Ｏ，）等から成る薄膜を設けるととＫよって導電性が付
与され、梁いはポリエステルフィルム等の合成樹脂フィ
ルムであれば、ＮｉＣｒ 、ｋｌ 、Ａｇ 、Ｐｂ 、
Ｚｎ 、Ｎｉ 、Ａｕ、Ｃｒ。
Ｍｏ、、Ｉｒ、 Ｎｂ、 Ｔａ、 Ｖ、 Ｔｉｅ Ｐｔ
等の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタ
リング等でその表面に設け、又は前記金属てその表面を
ラミネート部層して、その表面に導電性が付与される。
等の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタ
リング等でその表面に設け、又は前記金属てその表面を
ラミネート部層して、その表面に導電性が付与される。
支持体の形状としては、円筒状、ベルト状。
板状等任意の形状とし得、所望によって、その形状は決
定されるが、例えば、第１図の光導電部材１００を電子
写真用僚形成部材とじて使用するのであれば連続高速複
写の場合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが望ま
し−〇支持体の厚さは、所望通ヤの光導電部材が形成さ
れる様に適宜決定されるが、光導電部材として可撓性が
要求される場合には、支持体としての機能が充分発揮さ
れる範囲内であれば可能な限抄薄くされる。丙午ら、こ
の様な場合支持体の製造上及び取扱い上、機械的強度等
の点から、通常はｌＯμ以上とされる。
定されるが、例えば、第１図の光導電部材１００を電子
写真用僚形成部材とじて使用するのであれば連続高速複
写の場合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが望ま
し−〇支持体の厚さは、所望通ヤの光導電部材が形成さ
れる様に適宜決定されるが、光導電部材として可撓性が
要求される場合には、支持体としての機能が充分発揮さ
れる範囲内であれば可能な限抄薄くされる。丙午ら、こ
の様な場合支持体の製造上及び取扱い上、機械的強度等
の点から、通常はｌＯμ以上とされる。
第２図に社、本発明の光導電部材の他の好適な爽施態様
例の層構成が示される。
例の層構成が示される。
第２図に示される光導電部材２００が、第１図に示され
る光導電部材１００と異なるところは、電荷注入防止層
２０３と光導電性を示す非晶質層２０５との間に上部補
助層２０４を有することである。
る光導電部材１００と異なるところは、電荷注入防止層
２０３と光導電性を示す非晶質層２０５との間に上部補
助層２０４を有することである。
即ち、光導電部材２００は、支持体２０１．該支持体２
０１上に順に積層された、下部補助層２０２゜電荷注入
防止層２０３．上部補助層２０４及び非晶質層２０５と
を具備し、非晶質層２０５は自由表面２０６を有する。
０１上に順に積層された、下部補助層２０２゜電荷注入
防止層２０３．上部補助層２０４及び非晶質層２０５と
を具備し、非晶質層２０５は自由表面２０６を有する。
上部補助層２０４は、電荷注入防止層２０３と非晶質層
２０５との間の密着を強固にし、両層の接触界面に於け
る電気的接触を均一にしていると同時に１電荷注入防止
＄ ２０３の上に直に設けることによって、電衝注入防
ｔｌ−１１１２０３０層質を強靭なものとして−る。
２０５との間の密着を強固にし、両層の接触界面に於け
る電気的接触を均一にしていると同時に１電荷注入防止
＄ ２０３の上に直に設けることによって、電衝注入防
ｔｌ−１１１２０３０層質を強靭なものとして−る。
第２図に示される光導電部材２００を構成する下部補助
層２０２及び上部補助層２０４は、第１図に示した光導
電部材１００を構成する補助層１０２の場合と同様の非
晶質材料を使、用して、同様の特性が与えられる様に同
様な層作成手順と条件によって形成される。電荷注入防
止層２０３及び非晶質層２０５も夫々、第１図に示す電
荷注入防止層１０３及び非晶質層１０４と同様の特性及
び機能を有し、第１図の場合と同様な層作成手頓と条件
によって形成される。
層２０２及び上部補助層２０４は、第１図に示した光導
電部材１００を構成する補助層１０２の場合と同様の非
晶質材料を使、用して、同様の特性が与えられる様に同
様な層作成手順と条件によって形成される。電荷注入防
止層２０３及び非晶質層２０５も夫々、第１図に示す電
荷注入防止層１０３及び非晶質層１０４と同様の特性及
び機能を有し、第１図の場合と同様な層作成手頓と条件
によって形成される。
次にグロー放電分解法によって形成される光導電部材の
製造方法について説明する。
製造方法について説明する。
第３図にグロー放電分解法による光導電部材の製造装置
を示す。
を示す。
図中の３０２ 、３０３ 、３０４ 、３０５ のガ
スボンベには、本発明の夫々の層を形成する丸めの原料
ガスが密封されており、その−例として、たとえば、３
０２はＨｅで稀釈され九８ｉＨ，ガス（純度９９．９９
９％、以下８ｉＨ，、／Ｈｅと略す。）ボンベ、３０３
はＨｅで稀釈された田、ガス（純ｒ！ＩＬ９９．９９９
％、以下ＰＨ，／Ｈｅと略す。）ボンベ、３０４ ｔｉ
ＮＨ，カＸ （Ｍ［９９，９％）（純度９９．９９％
）ボンベ、３０５はＨｅで稀釈された８ｉＦ、ガス（純
度９９．９９９％、 以下８４Ｆ４／Ｈｅと略す。）ボ
ンベである。
スボンベには、本発明の夫々の層を形成する丸めの原料
ガスが密封されており、その−例として、たとえば、３
０２はＨｅで稀釈され九８ｉＨ，ガス（純度９９．９９
９％、以下８ｉＨ，、／Ｈｅと略す。）ボンベ、３０３
はＨｅで稀釈された田、ガス（純ｒ！ＩＬ９９．９９９
％、以下ＰＨ，／Ｈｅと略す。）ボンベ、３０４ ｔｉ
ＮＨ，カＸ （Ｍ［９９，９％）（純度９９．９９％
）ボンベ、３０５はＨｅで稀釈された８ｉＦ、ガス（純
度９９．９９９％、 以下８４Ｆ４／Ｈｅと略す。）ボ
ンベである。
これらのガスを反応室３０１に流入させるにはガスボン
ベ３０２〜３０５のバルブ３２２〜３２５、リークバル
ブ３３５が閉じられていることを確認し又、流入バルブ
３１２〜３１５、流出バルブ３１７〜３２０、ｍ助パル
プ３３２が開かれていることを確耀して先ずメインパル
プ３３４を開いて反応室部、ガス配管内を排気する。次
に真空計３３６の読みが約５ ｘ １Ｑ ｔｏｒｒにな
った時点で、補助パルプ３３２、流出バルブ３１７〜３
２０を閉じる。
ベ３０２〜３０５のバルブ３２２〜３２５、リークバル
ブ３３５が閉じられていることを確認し又、流入バルブ
３１２〜３１５、流出バルブ３１７〜３２０、ｍ助パル
プ３３２が開かれていることを確耀して先ずメインパル
プ３３４を開いて反応室部、ガス配管内を排気する。次
に真空計３３６の読みが約５ ｘ １Ｑ ｔｏｒｒにな
った時点で、補助パルプ３３２、流出バルブ３１７〜３
２０を閉じる。
基体シリンダー３３７上に層を形成する場合の一例をあ
げると、ガスボンベ３０２より８ｉＨ，／Ｈｅガス、ガ
スボンベ３０３よＦ）ＰＨ，／Ｈｅ ガスの夫々を、パ
ルプ３２２．３．２３を開−て出口圧ゲージ３２７ 、
３２８の圧を１ｋｇ／ｃｄＫｉｌＮ！整し、流入バルブ
３１２ 、３１３を徐々に開けて、マスフロコントロー
ラ３０７． ３０８内に流入させる。引き続いて流出バ
ルブ３１７ 、３１８、補助パルプ３３２を徐々に開い
て夫々のガスを反応室３０１に流入させる。このときの
８ｉＨ４／Ｈｅガス流量、ＰＨ，／Ｈｅガス流量の比が
所望の値に表るように流出バルブ３１７，３１８を調整
し、又、反応室内の圧力が所望の値になるように真空計
３３６の読みを見慶がらメインパルプ３３４の開口を調
整する。そして基体シリンダー３３７の温度が加熱ヒー
ター３３８により５０〜４００℃の範囲内の温度に設定
されていることを確認された後、電源３４０を所望の電
力に設定して反応室３０１内にグロー放電を生起させ基
体シリンダー上に目的とする層を形成する。形成される
層中にハロゲン原子を含有させる場合には上記のガスに
たとえば８ｓＦ４／Ｈｅを、更に付加して反応室内に送
９込む。
げると、ガスボンベ３０２より８ｉＨ，／Ｈｅガス、ガ
スボンベ３０３よＦ）ＰＨ，／Ｈｅ ガスの夫々を、パ
ルプ３２２．３．２３を開−て出口圧ゲージ３２７ 、
３２８の圧を１ｋｇ／ｃｄＫｉｌＮ！整し、流入バルブ
３１２ 、３１３を徐々に開けて、マスフロコントロー
ラ３０７． ３０８内に流入させる。引き続いて流出バ
ルブ３１７ 、３１８、補助パルプ３３２を徐々に開い
て夫々のガスを反応室３０１に流入させる。このときの
８ｉＨ４／Ｈｅガス流量、ＰＨ，／Ｈｅガス流量の比が
所望の値に表るように流出バルブ３１７，３１８を調整
し、又、反応室内の圧力が所望の値になるように真空計
３３６の読みを見慶がらメインパルプ３３４の開口を調
整する。そして基体シリンダー３３７の温度が加熱ヒー
ター３３８により５０〜４００℃の範囲内の温度に設定
されていることを確認された後、電源３４０を所望の電
力に設定して反応室３０１内にグロー放電を生起させ基
体シリンダー上に目的とする層を形成する。形成される
層中にハロゲン原子を含有させる場合には上記のガスに
たとえば８ｓＦ４／Ｈｅを、更に付加して反応室内に送
９込む。
夫々の層を形成する際に必要なガス以外の流出パルプは
全て閉じることけ言うまでもなく、又夫々の層を形成す
る際、前層の形成に使用したガスが反応室３０１内、流
出パルプ３１７〜３２０から反応室３０１内に至る配管
内に！！！留することを避けるために、流出パルプ３１
７〜３２０を閉じ補助パルプ３３２を開−てメインパル
プ３３４ヲ全開して系内を一旦高真空に排気する操作を
必要に応じて行う。
全て閉じることけ言うまでもなく、又夫々の層を形成す
る際、前層の形成に使用したガスが反応室３０１内、流
出パルプ３１７〜３２０から反応室３０１内に至る配管
内に！！！留することを避けるために、流出パルプ３１
７〜３２０を閉じ補助パルプ３３２を開−てメインパル
プ３３４ヲ全開して系内を一旦高真空に排気する操作を
必要に応じて行う。
又、層形成を行っている間は層形成の均一化を計るため
基体シリンダー３３７は、モータ３３９により一定速度
で回転する。
基体シリンダー３３７は、モータ３３９により一定速度
で回転する。
以下、実施例について説明する。
実施例１
第３図に示した製造装置により、ドラム状アルミニウム
基板上に以下の条件で層形成を行っ札 こうして得られた電子写真用像形成部材を複写装置に設
置し、ｅ５ｒｖで０．２露間コロナ帯電を行い、光俸を
照射した。光源はタングステンランプを用い、光査は１
．０１ｕｘ＊ｗｃ とした。
基板上に以下の条件で層形成を行っ札 こうして得られた電子写真用像形成部材を複写装置に設
置し、ｅ５ｒｖで０．２露間コロナ帯電を行い、光俸を
照射した。光源はタングステンランプを用い、光査は１
．０１ｕｘ＊ｗｃ とした。
潜像は■荷電性の現俸剤（トナーとキャリヤを含む）に
よって現僧され、通常の紙に転写されたが、転写画情は
、極めて良好なものであった。
よって現僧され、通常の紙に転写されたが、転写画情は
、極めて良好なものであった。
転写されないで感光ドラム上に残ったトナーは、ゴムブ
レードによってクリーニングされ、次の複写工程に移る
。このよう表工程を繰ヤ返し１０万回以上行っても層は
がれは全く生ぜず、父、画情は良好であった。
レードによってクリーニングされ、次の複写工程に移る
。このよう表工程を繰ヤ返し１０万回以上行っても層は
がれは全く生ぜず、父、画情は良好であった。
実施例２
補助層におするシリコン原子に対する９章原子の含有量
を変化させる以外は実施例１と全く同様な方法によって
、電子写真用像形成部材を作製し喪。
を変化させる以外は実施例１と全く同様な方法によって
、電子写真用像形成部材を作製し喪。
実施例１と同様にして評価した結果を次に示す。
第 ２ 表
実施例３
補助層の層厚を変える以外は、実施例１と全く同様な方
法によって電子写教用像形成郁材を作製した。
法によって電子写教用像形成郁材を作製した。
実施例１と同様にして評価し九結果を次に示す。
第 ３ 表
実施例４
電荷注入防ｌ）−，１ｍｌの層厚と燐含有量を次のよう
に変える以外は、実施例１と全く同様にして電子写真用
傷形成部材を作製した。結果はいずれも良好であった。
に変える以外は、実施例１と全く同様にして電子写真用
傷形成部材を作製した。結果はいずれも良好であった。
第 ４ 表
実施例５
第３図に示した製造装置により、ドラム状アルミニウム
基板上に以下の条件で層形成を行った。
基板上に以下の条件で層形成を行った。
得られたドラムは、層はがれ、画會欠陥の全くなｉ１高
品質な亀のであった。
品質な亀のであった。
実施例・
１１３図に示し九製造装置によ）ドラム状アルミニウム
基板上に以下の条件で層形成を行った。
基板上に以下の条件で層形成を行った。
こうして得られ良電子写真用１１形成部材を実施例１と
同様にして評価したとζろ極めて曳好な結果が得られた
。
同様にして評価したとζろ極めて曳好な結果が得られた
。
実施例７
実施例１． ５．６に於−て、非晶質層の形成を以下の
表の条件にした以外は、各実施例に於ける条件及び手順
に従って儂形成部材を作成し、各実施例に於けるのと同
様の評価を行ったところ、喪好な結果が得られた。
表の条件にした以外は、各実施例に於ける条件及び手順
に従って儂形成部材を作成し、各実施例に於けるのと同
様の評価を行ったところ、喪好な結果が得られた。
／／′
第１図及び第２図は夫々本発明の光導電部材の好適な実
施態様例の層構造を模式的に示し、九模式的層構成図、
第３図社、本発明の光導電部材を製造する為の装置の一
例を示す模式的説明図である。 １００．２００・・・光導電部材 １０１．２０１・・・支持体 １０２、 ２０２． ２０４・・・補助層１０４．２０
５・・・非晶質層 １０５、＄０６・・自由表面 出願人 キャノン株式会社 ｔ、イ 代理人 丸島儀１・、
施態様例の層構造を模式的に示し、九模式的層構成図、
第３図社、本発明の光導電部材を製造する為の装置の一
例を示す模式的説明図である。 １００．２００・・・光導電部材 １０１．２０１・・・支持体 １０２、 ２０２． ２０４・・・補助層１０４．２０
５・・・非晶質層 １０５、＄０６・・自由表面 出願人 キャノン株式会社 ｔ、イ 代理人 丸島儀１・、
Claims (1)
- 光導電部材用の支持体と、シリコン原子を母体とし、構
成原子として２５ ａｔｏｍｉｅｓ １での窒素原子と
、水素原子と、を含有する非晶質材料で構成された補助
層と、シリコン原子を母体とし、周期律表第Ｖ族に属す
る原子を構成原子として含有する非晶質材料で構成され
た電荷注入防止層と、；シリコン原子を母体とする非晶
質材料で構成され、光導電性を示す非晶質層とを有する
事を特徴とする光導電部材。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57031235A JPS58147749A (ja) | 1982-02-26 | 1982-02-26 | 光導電部材 |
| US06/463,043 US4452874A (en) | 1982-02-08 | 1983-02-01 | Photoconductive member with multiple amorphous Si layers |
| CA000420977A CA1183380A (en) | 1982-02-08 | 1983-02-04 | Photoconductive member including amorphous si matrix in each of interface, rectifying and photoconductive layers |
| FR8301874A FR2521316B1 (fr) | 1982-02-08 | 1983-02-07 | Element photoconducteur |
| DE19833304198 DE3304198A1 (de) | 1982-02-08 | 1983-02-08 | Photoleitfaehiges bauelement |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57031235A JPS58147749A (ja) | 1982-02-26 | 1982-02-26 | 光導電部材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58147749A true JPS58147749A (ja) | 1983-09-02 |
| JPH0410623B2 JPH0410623B2 (ja) | 1992-02-25 |
Family
ID=12325736
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57031235A Granted JPS58147749A (ja) | 1982-02-08 | 1982-02-26 | 光導電部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58147749A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7246889B2 (en) | 2003-06-30 | 2007-07-24 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Inkjet printing head |
| US7249413B2 (en) | 2003-06-30 | 2007-07-31 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing inkjet printing head |
-
1982
- 1982-02-26 JP JP57031235A patent/JPS58147749A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7246889B2 (en) | 2003-06-30 | 2007-07-24 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Inkjet printing head |
| US7249413B2 (en) | 2003-06-30 | 2007-07-31 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing inkjet printing head |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0410623B2 (ja) | 1992-02-25 |
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| JPS58137843A (ja) | 光導電部材 | |
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