JPS58156945A - 電子写真用光導電部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光（ここでれ広義の光で、紫外光線、可視光
線、赤外光纏、Ｘ繍ｅ　　ｒｍ勢を示す）の様な電磁波
に感受性のある光導電部材に関する。

固体撮儂装置、或いＦｉ像形成分野における電子−写真
用像形成部材や原稿ＩＩ取懐装における光導電層を形成
する光導電材料としては、高感度で、８Ｎ比〔光電流（
Ｉｐ）／暗電ＩＩ　（Ｉｄ））が高く、照射する電磁波
のスペクトル特性にマツチングした吸収スペクトル特性
を有すること、光応答性が連く、所望の暗抵抗値を有す
る仁と、使用時において人体に対して無公害であること
、菱には一体操像装置においては、残置を所定時間内に
害鳥に部層することができるとと５Ｏ４１性が要求され
る。殊に、事務機としてオフィスで使用される電子写真
懐置内Ｋｌｌ込まれる電子写真用像形成部材の場合には
、上記の使用時における無公害性は−要な点である。

こＯ橡な点に立脚して最近注目されている光導電材料に
ア毫ルファスシリコン（以ｔｌｋｍ−８ｉと表配す）が
あ抄、例えば、独■公閤第２７４４１Ｎ７号公報、崗第
２８５５７１８号公報には電子写真用像形成部材として
、！１ＩＮＩｉ１会開第２９３３Ａ１１号公報には光電
変換読取装置への応用が記載されている。

画情ら、従来Ｑａ−８ｉで構成された光導電層を有する
光導電部材は、晰抵抗値、光感度、光応答性勢の電気的
、光学的、光導電的特性會及び耐湿性等の使用環境特性
の点、蔓には経時的安定性の点において、結合的な特性
向上を計る必要があるという更に改嵐される可を点が存
するのが実情である。

例えｄ１電子写真用儂影形成材に適用した場合に、高光
感度化、高暗抵抗化を同時に計ろうとすると従来におい
てはその使用時において残留電位が残る場合が度々観媚
され、仁の種の光導電部材は長時間繰返し使用し続ける
と、繰返し使用によ桑疲労の蓄積が起って、残像が生ず
る新開ゴースト現象を発する様になる等の不都合な点が
少なくなか５え。

又は例えば、本発明者勢の多くの実験によれば、電子写
真用像形成部材の光導電層を構成する材料としてのａ−
８ｉｉｊ、従来の８ｅ　、　Ｏ１２、ＺａＯ等の無機党
導電材料或−轄ＰＶＣｚやＴＮ？勢の有機光導電材料に
較べて、数多くの利点を有するが、従来の太陽電池用と
して使用するための特性が付与され九ａ−８１から成る
単層構成の光導電層を有する電子写真用像形成部材の上
記光導電層に静電像形成のための帯電ＩＩ＆塩を施して
も暗減衰（ｄａｒｋ　ｄｅｃａ）’　）が著しく速く１
通常の電子写真法が仲々適用され拳いこと、及び多湿雰
囲気中においては、上記傾向が著しく、場合によっては
現像時間まで帯電々荷を殆んど保持し得ないことがある
等、解決され得る可き点が存在していることが判明して
いる。

更に、ａ−８ｔ材料で光導電層を構成する場合には、そ
の電気的、光導電的特性の改爽を図る丸めに、水素原子
或いは弗素原子や塩素原子等のハロゲン原子、及び電気
伝導型の制御の丸めに硼素原子や燐原子等が或いはその
他の特性改爽のために他の原子が、各々構成原子として
光導電層中に含有されるが、これ等の構成原子の含有の
仕方如何によっては、形成し九層の電気的或いは光導電
的特性に問題が生ずる場合があるＯ 即ち、例えば、形成し九光導電鳩中に光照射によって発
生したフォト中ヤリアの該層中での寿命が充分でないこ
と、或いは暗部において、支持体側よ抄の電荷の注入の
阻止が充分でなｉこと郷が生ずる場合が少なくない。

従りて、ａ−８ｉ材料そＣ）４ＱＯ％性改良が計られる
一方で光導電部材を設計する際に、上記した様な所望の
電気的、光学的及び光導電的特性が得られる様に工夫さ
れる必要がある。

本発明は上記の諸点に鑑み成され友もので、ａ−８ｉに
就て電子写真用像形成部材や固体撮像装置、読取装置等
に使用される光導電部材としての適用性とそＯ応用性と
いう観点から総括的に鋭意研究検討を続けた結果、シリ
コン原子を母体とし、水素原子（へ）又はハロゲン原子
凶のいずれか一方を少なくとも含有するアモルファス材
料（非晶質材料）、所−水素化アモルファスシリコン、
ハロゲン化ア毫ルファスシリコン。

或いはハロゲン含有水素化アモルファスシリコン〔以後
これ等の総称的表記として「ａ−８４（Ｈ。

Ｘ）Ｊ　　を使用する〕から構成される光導電層を有す
る光導電部材の層構成を特定化する様に設計されて作成
された光導電部材は実用上着しく優れ丸物性を示すばか
抄でなく、従来の光導電部材と較べてみてもあらゆる点
において凌駕していること、殊に電子写真用の光導電部
材として着しく優れえ特性を有していることを見出した
点に基づいている。

本発明社電気的、光学的９元導電的特性が殆んど使用環
境に制御を受けず常時安定している全環境部であ抄、耐
光疲労に着しく畏け、繰返し使用に際しても劣化現象を
起さず耐久性に優れ、残留電位が全く又は殆んど観測さ
れない光導電部材を提供する仁とを主える目的とする。

本発明の他の目的は、電子写真用像形成部材として適用
させた場合、静電像形成のための帯電処１１０１！の電
荷保持能が充分あり、通常の電子写真法が極めて有効に
適用され得る優れた電子写真特性を有する光導電部材を
提供することである。

本発明の更に他の目的は、濃度が高く、ノ・−フトーン
が鮮明に出て且つ解ｇ１ｔの高い、高品質１儂を得るこ
とが容品にできる電子写真用の光導電部材を提供するこ
とである。

本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性。

高８Ｎ比特性及び支持体との関ＫｊＬ好な電気的接触性
を有する光導電部材を提供することでもある０ 本発明の光導電部材は、光導電部材用の支持体と、シリ
コン原子を母体とし、好ましくは構成原子として水嵩原
子（ハ）又はノ・ロゲン原子（４）のいずれか一方を少
なくとも含有する非晶質材料（ａ−８４（Ｈ，Ｘ）　）
　　で構成された、光導電性を有する第一の非晶質層と
シリコン原子と炭素原子とを含む非晶質材料で構成され
九第二の非晶質層と、を有し、前記非晶質層が構成原子
として、層厚方向に連続的であって前記支持体側の方に
多く分布した状態で、酸素原子を含有し、且つ周期律表
第層線に属する原子を層厚方向に均一連続的に含有する
ことを特徴とする。

上記し九様な層構成を取る様にして設計され九本発明の
光導電部材は、前記した諸問題の総てを解決し得、極め
て優れた電気的、光学的。

光導電的特性及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用像形成部材として適用させた場合には
帯電処理の際の電荷保持能に長け、画像形成への残留電
位の影響が全くなく、その電気的特性が安定しており高
感度で、高８Ｎ比を有するものであって耐光疲労、繰返
し使用特性、殊に多湿雰囲気中での繰返し使用特性に長
け、濃度が高く、ノ・−フトーンが鮮明に出て、且つ解
像度の高い、高品質の可視１儂を得ることができる。

以下、図面に従って、本発明の光導電部材に就て詳細に
説明する。

第１図は、本発明の光導電部材の層構成を説明するため
に模式的に示し九模式的構成図であるＯ 第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材用として
の支持体１０１の上に、ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）から成る光
導電性を有する第一の非晶質層（１）１０２と第二の非
晶質層（１）　１０３とを有し、前記第一の非晶質層（
１）　１０２　ａ、構成原子として層厚方向に連続的で
ありて前記支持体１０１側の方に多く分布した状態で酸
素原子を含有し、且つ周期律表第■族に属する原子（第
厘族原子）を層厚方向に均一連続的に含有する。

本発明に於いて、非晶質層（Ｉ）中に含有される第厘族
原子として使用されるのは、形成される非晶質層（Ｉ）
を構成するａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）　　に対して、ｐＨ伝導
特性を与えるＰ１１不純物であって、例えば、Ｂ（硼素
）　、　Ａｊ　（アルミニウム）、偽（ガリウム）、Ｉ
ｎ（インジウム）、ＴＩ（タリウム）等があ抄、殊に好
適に用いられるのは、Ｂ、Ｇａである。

本発明に於いて、非晶質層（Ｉ）中に含有され、伝導特
性を制御する物質としての第厘族原子の含有量は、非晶
質層（１）Ｋ要求される伝導特性、或いは非晶質層（１
）に直に接触して設けられる他の層の特性や、骸他の層
との接触界面に於する特性との関係等、有機的関連性に
於いて、適宜選択することが出来る。

本発明に於いて、非晶質層（１）中に含有される伝導特
性を制御する物質の含有量としては、通常の場合、ａｏ
ｌ　〜Ｇ　ｘ　１０４　ａｔｏｍｉｃ　１ｐ−好適には
ａ５〜Ｉ　Ｘ　１Ｇ４　ａｔｏｍｉｃ　ｙｐａ、最適に
は１〜５×１０”　ｍｔｏｍｉＣｌｐとされるのが望ま
しいものである。

非晶質層（１）中に伝導特性を制御する物質としての第
厘族原子を構造的に導入するには、層形成のＷＡＫ第厘
族原子導入用の出発物質をガス状態で堆積室中に、第一
の非晶質層（１）を形成する為の他の出発物質と共に導
入してやれば嵐い。

この様な第１族原子導入用の出発物質と威抄得るものと
しては、常温常圧でガス状の又は、少なくとも層形成条
件下で容Ｊ＆にガス化し得るものが採用されるのが望ま
しい。

第２ＷＪ乃Ｍｍ１（ＪＥＶｃは、本発明におゆる光導電
部材の第一の非晶質層中に含有される酸素原子の層厚方
向の分布状態の典蓋的例が示される。

第２図乃至第１０図において、横軸は酸素原子０層厚方
向の分布濃度Ｃを、縦軸は、光導電性を示す第一の非晶
質層（１）４ＤＪｌｉ厚を示し、ｔｉＩＦｉ支持体側の
界面の位置をｓ　’Ｔは支持体側とは反対側の界面の位
置を示す。即ち、酸素原子の含有される非晶質層（１）
ｄｔＢ儒よ抄もｔｉ側に向って層形成がなされる。

本発明においては、酸素原子の含有される非晶質層（１
）は、光導電部材を構成するａ　　Ｓｓ　（ＨｅＸ）か
ら成り、光導電性を示す。

第２図には、第一の非晶質層（１）中に含有される酸素
原子の層厚方向の分布状−の第１の典皺例が示される。

第２図に示される例で杜、ＷｌｌＡ厘子Ｏ含有される非
晶質層（Ｉ）が形成される表面（第１図で示せば支持体
１０１０１１面）と非晶質層（Ｉ）の表面が接する境界
面位置ｔ１よ抄ｔＳＯ位置まで社、酸素、　　　原子の
分布濃ＷＬＣがＣ１なる一定の値を取り乍も酸素原子が
、形成される非晶質層（１）Ｋ含有され、位置１．よ抄
は分布濃ｌｅｔよ抄境界向位置ｔｙＫＮる資で徐々に連
続的に減少されている。境界面位置ｔＴＫＴｈいては酸
素原子の分布ｅｔｃはＣ１とされる〇第５ＩｉＫ示され
る例においては、含有される酸素原子の分Ｉｌ員変Ｃは
位置ｔ１〕位置鰐に到るまで分布ＳａＣ，から徐々に連
続的に減少して位置（において分布濃Ｉｌ！偽となる様
な分布状態を形成している。

菖４−の場合に線、位置ｔＩＩよ染位置ｔ、迄は酸素原
子の分布濃ｆｃＩｄＬａｌｌ（Ｉｎと一定値とされ１位
置ｔ、と位置←との関において％徐々に連続的に減少さ
れ、位置（において、分Ｉｌ濃度Ｃは実質的に零とされ
ている。

第ｓＩｌの場合に社、酸素原子は位置ｔ、よ〉位置←Ｋ
ｌｌる壇で、分布ＩＩｋｍへより連続的に像々に減少さ
れ、位置ｔ？に゛おいて実質的に零とされている。

第６図に示す１ｌＩＫＴｈいては、酸素原子の分布ｆＩ
ｋ度ｃＬ位置ｔ１六位置ｔｓ閏においては、分布濃度へ
と一定値であ如、位置←においては分布濃度Ｃ１，６さ
れる。

位置ｔ、と位置ｔ、との間では、分布ＳａＣは一次関数
的に位置ｔ、より位置ｔＴＫ到る壕で減少されている。

Ｈ７図に示される例においては、位置−よｐ位置ｔ４ま
では分布ａ度Ｃ□の一定値を取如、位置ｔ４より位置ｔ
ｙまでは分布濃ｆ　Ｃｗｔ　よ抄分布鰻ｌｃｕまで一次
関数的に減少する分布状態とされている。

第８図に示す例においては、位置ｔＢよ秒位置ｔ！に至
るまで、酸素原子の分布濃１ｃは―度Ｃ謁より零に至る
様に一次関数的に減少している。

１１１９図において祉、位置ｔｌより位置ｔ、に至る壕
では酸素原子Ｏ分布濃［Ｃは、分布濃ｆ　Ｃａｍ１抄分
布濃度Ｃ−まて−次間数的に減少され、位置ｔＩと位置
型！との間において社、分布ｅｔｃ鱒の一定値とされた
例が示されている。

第１０ｖＡＫ示される例におｉては、酸素原子の分布員
度Ｃ社位置ｔｌにおいて分布濃度ＣＩ？であり、位置ｔ
＠ｉｌｌるまで社この分布１１１度Ｃ１１よ抄初めはゆ
りく抄と減少され、ｔ・の位置付近において紘、１徴に
減少されて位置ｔ・では分布員度Ｃ饅とされる。

れて位置ｔ１で分布濃度Ｃ１，とな勧、位置１．と位置
ｔａと０関では、他めてゆりく抄と徐々に減少されて位
置ｔ・において、分布＃ｉ度Ｃ冨・に至るＯ位置１．と
位置ｔｙ□間にお−て紘、分布濃度Ｃ諺・よ抄実質的に
零になる様に図に示す如き形状の―締に従って減少され
ている。

以上、第２ＷＡ乃至第１０図により、非晶質層（１）Ｋ
含有される酸素原子の層厚方向の分布状態Ｏ典瀝例の幾
つかを説明した橡に、本発明においては、支持体側にお
いて、＃Ｉ素鳳子の分布鏝ｆｃの＾い部分を有し、界ｆ
ｆ１ｔｙ側においては、＊配分布−直Ｃは支持体側に較
べて低くされた部分を有する分布状態で、酸素原子が含
有されえ第一の非晶質層（りが支持体上に設けられてい
る・ 零発＠において、第一の非晶質層（１）Ｕ、好ましくは
上記した様に支持体側の方に酸素原子が高濃度で含有さ
れている局在領域（５）を有する。

局在領域（Ａ）は、第２図乃至第１０図に示す記号を用
いて説明すれば、界面位置ｔＢよりＳｓ以内に設けられ
る。

本発明において社、上記鳩在領域ｔＡ社、界面位置ｔＢ
よ抄５μ厚までの金層領域騎とされる場合もあるし、又
、層領域ＬＴの一部とされる場合もある。

局在領域（４）を層領域１４〇一部とするか又社会部と
するかは、形成される第一０非晶質層（１）に要求され
る特性に従って適宜法められる。

局在領域（Ａ）Ｕその中に含有される酸素原子の層厚方
向の分布状態として酸素原子の含有量分布値（分布員度
値）の最大（Ｊｐｘ　　がシリコン原子に対して通常ｄ
　１　ａｔｏｍｉｃ−以上、好適には３　ａｔｏｍｉｃ
　５４　以上、最適Ｋｄ　５　ａｔｏｔａｉｃ　％　以
上とされる様な分布状■と１０得る様に層形成されるの
が望ましい。

即ち、本発明においては、酸素原子の含有される非晶質
層（ｉ）ａ、支持体側かもＯ層厚で５μ以内（釉から５
μ厚Ｏ層領域）に分布濃［０最大値Ｃｒｎａｘが存在す
る様に形成される。

上記の様に、非晶質層（１）に於いて支持体側Ｏ方Ｋｌ
素原子が高′ａ度に含有されている局在領斌四を微妙る
ことにより【支持体と第一の非晶質層（１）と０間の密
着性をよ妙効果的に促進することが出来る。

本発明の光導電部材に於いては、第一〇非晶質層（１１
０層厚としては、所望される特性の第一〇非晶質層（１
）が支持体上に形成される橡に層設計の蒙に適宜目的に
ｔ−２７で決定されるものであ勢、通常は１〜１００Ｊ
１１％好適には１〜８Ｇ＃、最適には２〜５０＃とされ
ゐのが望ましいものである・ 本発明にお−で、必ｌ！に応じて第一〇非晶質層（１）
中に含有される・・−ゲン原子頭としては、具体的には
フッ素、塩素、夷累、ヲウ素が挙げられ、殊にフッ素、
塩素を好適なものとして挙げる仁とが出来る。

本発明において、ａ−８１（ｔ（、Ｘ）で構成される第
一〇非晶質層（１）を形成するには例えばグロー放電法
、スパッタリング法、或いはイオンブレーティング法等
の放電現象を利用する真空堆積法によって威される。例
えば、グロー放電法によりて、　　ａ−８ｉ　（Ｈ，Ｘ
）で構成される第一の非晶質層（１）を形成するには、
基本的にはシリコン原子（８１）を供給し得る８ｉ供給
用の原料ガスと共に、水素原子■導入用の又社／及び・
・ロゲン原子凶導入用の原料ガスを、内部が減圧にし得
る堆積室内に導入して、諌堆積室内にグロー放電を生起
させ、予め所定位置に設置されである所定の支持体表面
上Ｋａ−８ｉ　（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成させれば嵐
い。又、スパッタリング法で形成する場合には、例えば
Ａｒ　、　Ｈｅ醇の不活性ガス又祉これ等Ｏガスをベー
スとした混合ガスの雰囲気中で８ｉで構成されたターゲ
ットをスパッタリングする際、水素原子１又は／及びノ
・−ゲン原子内導入用Ｏガスをスパッタリング用の堆積
室に導入してやれば良い。

本発明において使用される引供給用の原料ガスとしては
、８ｉＨ，、ｆ！ｉｌ、Ｈ，、８轟、Ｈ，、８轟、Ｈｌ
ｏ等のガス状態の又はガス化し得る水素化硅素（シラｙ
類）が有効に使用されるものとして挙げられ、殊に、層
作成作業の扱い易さ、８１供給効率ＯＪＬさ等の点で４
１（、、８ｉ、）ｉ、が好ましいものとして挙けられる
。

本斃＠において使用されるＩ−ロゲン原子導入用０１［
料ガスとして有効なの社、多くの／’Ｉ　Ｄゲン化合物
が挙げられ、例えば）・ロゲンガス、Ｉ・−ゲン化物、
／−ログｙ間化合物　／％ロゲンで置換されたシラン鱒
導体郷のガス状１００又はガス化し得るハロゲン化合物
が好ましく挙けられる。

又、ＷＫは、シリコン原子とノ・ログ７厘子−とを構威
要嵩とすゐガス状態の又はガス化し得る、ハロゲン原子
を含む硅素化合物も有効なものとして本発明において轢
拳けることが出来る。

本Ｉｉ―において好適に使用し得るＩ−ログン化舎物と
しては、臭体釣には、７ツ嵩、塩素、臭素、ｌつ素Ｏハ
ロゲンガス、ＢｒＦ　、　ＣｊＦ　、　ＣｊＦ、　。

ＢｒＦ５＊　ＢｒＦ、ｅ　ＩＦ、　ＩＰ、　ＩＣＪ　ｔ
　ＩＢｒ等０／％ロゲン関化合物を挙けることが出、来
る。

ハロゲン原子を含む硅素化食物、所醐、７Ｍｕゲン原子
で置換されたシラン誘導体としては、具体的には例えば
８１Ｆ４．８ｉ、Ｆ、ｌ　８ムＣ４ｕｅ　８１Ｂｒ４・
等のハロゲン化硅素が好ましいものとして挙げることが
出来る。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光導電部材を形成す
る場合には、Ｓｉを供給し得る原料ガスとしての水素化
硅素ガスを使用しなくとも、所定の支持体上ｆＣａ−８
ｉ：Ｘから成る第一の非晶質層（１）を形成する事が出
来る。

グロー放電法に従りて、ハロゲン原子を含む第一の非晶
質層（１）を製造する場合、基本的には別供給用の原料
ガスであるハロゲン化硅素ガスとＡｒｅＨｌ、Ｈｅ　Ｊ
ｌＯガス等を所定の混合比とガス流量になる様にして第
一の非晶質層（１）を形成する堆積室に導入し、グロー
放電を生起してこれ郷のガスのプラズマ雰囲気を形成す
ることによって、所定の支持体上に第二の非晶質層（１
）を形成し得るものであるが、水素原子の導入を計る為
にこれ等のガスに更に水素原子を含む硅素化合物のガス
も所定量混合して層形成しても良いＯ 又、各ガスは単独１ｍの拳でなく所定０ｆＩｈ合比で複
数種混合して使用しても差支えないものである。

反応スパッタリング法或いはイオンブレーティング法に
依りてａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）から成る第一〇非晶質層（１
）を形成するには、例えばスノくツタリング法の場合に
は８１から成るターゲットを使用して、これを所定のガ
スプラズマ雰囲気中でスパッタリングし、イオンブレー
ティング法の場合には、多結晶シ雫コン又は単結晶シリ
コンを蒸発源として蒸着ボートに収容し、このシリコン
蒸発源を抵抗加熱法、或いはエレクトーンビーム法（Ｂ
Ｂ＆）郷によって加熱蒸発させ飛翔蒸発物を所定めガス
プラズマ雰囲気中を通過させる事で行う事が出来る。

この際、スノぞツタリング法、イオンブレーティング法
の何れの場合にも形成多れる層中Ｋ　／％ロゲン原子を
導入するには、前記のノ・−ゲン化合物又轄前記のＩ・
ロゲン原子を含む硅素化合物のガスを堆積室中に導入し
て諌ガスのプラズマ雰囲気を形成してやれば喪いもので
ある。

又、水嵩原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えばｓＨ諺、或いは前記したシラン類等のガ
スをスパッタリング用の堆積室中に導入して腋ガメのプ
ラズマ雰囲気を形成してやれば棗い。

本発明において社、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
て上記され九ハロゲン化合物或いはハロゲンを含む硅素
化合物が有効なものとして使用されるものであるが、そ
の他に、ＨＦ、ＨＣＩ。

ＨＢｒ　、　ＨＩ等０／’Ｅｌゲン化水素、８ｉＨ，Ｆ
、、　８！Ｈ，Ｉ、。

８ｋＨ＊ＣＩ＊＊　８１ＨＣｊ、　８１Ｈ，Ｂｒ、ｅ　
８ｉＨＢｒ、　Ｉｌｌ　Ｏ７％　ａゲン置換水素化硅素
、等々のガス状態の或いはガス化し得る、水嵩原子を構
成要素の１つとするハロゲン化物も有効な第一〇非晶質
層（１）形成用の出発物質として挙ける事が出来る。

これ等の水素原子を含むハロゲン化物は、嬉−の非晶質
層（１）形成０１１に層中にハロゲン原子の導入と同時
に電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効な水素原
子も導入されるので、本実＠においては好適なノ・四ゲ
ン導入用の原料として使用される。

水素原子を第一〇非晶質層（１）中に構造的に導入する
には、王妃の他ＫＨ１歳いは引Ｈ４，８輸Ｈ＠。

８　ｉ＠Ｈｍ　ｅ　８１４　Ｈ＃等の水素化硅素のガス
を８ｉを供給する為のシリコン化合物と堆積室中に共存
させて放電を生起させる事でも行う事が出来る。

例えば、反応スパッタリング法の場合には、引ターゲッ
トを使用し、ノーロゲン原子導入用のガス及びＨ，ガス
を必要に応じてＨｅ、ムｒ　ｌｌｌ０不活性ガスも含め
て堆積室内に導入してプラズマ雰囲気を形成し、前記８
ｉターゲットをスパッタリングする参によって、基板上
にｍ−８！（Ｈ，Ｘ）から成る第一０非昂質層（１）が
形成される。

更には、不純物のドーピングも兼ねてＢ奪鳥等のガスを
導入してやることも出来る。

本発明において、形成される光導電部材の第一の非晶質
層（１）中に含有される水゛素原子（へ）の量又はハロ
ゲン原子（４）の量又は水素原子と／１０ゲン原子の量
の和轄通常の場合１〜４０ａｔｏｍｉＨ１、好適には５
〜３０ａｔｏｍｉＣ−とされるのが望ましい〇 第一の非晶質層（１）中に含有される水嵩原子（ハ）又
は／及びハロゲン原子（３）の量を制御するには、例え
ば支持体温度又は／及び水素原子０、或いはハロ、ゲン
原子に）を含有させる為に使用される出発物質の堆積装
置系内へ導入する量、放電々力等を制御してやれば良い
。

本発明Ｋｍて、第一〇非晶質層（１）をグロー放電法又
は不バッタリング法で形成する際に使用される稀釈ガス
として社、所關稀ガス、例えばＨｅ　、　Ｎｏ　、ムｒ
等が好適なものとして挙げる仁とが出来る。

本発明に於いて、第一〇非晶質層（１）中に酸素原子及
び周期律表第厘族原子を導入するには、グロー放電法や
反応スパッタリング法等による層形成のＩＩＫ、第■族
原子導入用の出発物質又セ　　は酸素原子導入用の出発
物質、或いは両出発物質を前記しえ非晶質層（１）形成
用の出発物質と共に使用して、形成される層中にその量
を制御し乍ら含有してやる事によって成される。

酸素原子の導入され九第−の非晶質層（Ｉ）を形成する
のにグロー放電法を用いる場合に＃ｉ、前記した非晶質
層（１）形成用の出発物質の中から所望に従って選択さ
れ丸ものに酸素原子導入用の出発物質が加えられる。そ
の様な酸素原子導入用の出発物質としては、少なくと４
酸素原子を構成原子とするガス状の物質又はガス化し得
る物質をガス化したものの中の大概のものが使用され得
る。

例えばシリコン原子（８ｉ）を構成原子とする原料ガス
と、酸素原子０を構成原子とする原料ガスと、必１’に
応じて水素原子（ハ）又は及びハロゲン原子内を構成原
子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して使用する
か、又は、シリコン原子（Ｓりを構成原子とする原料ガ
スと、酸素原子０及び水素原子（へ）を構成原子とする
原料ガスとを、これも又所望の混合比で混合するか、或
いは、シリコン原子（８りを構成原子とする原料ガスと
、シリコン原子（８ｉ）、　Ｉｌｌ素原子０及び水嵩原
子（）４０３つを構成原子とする原料ガスとを混合して
使用することが出゛来る。

又、別には、シリコン原子（８ｉ）と水素原子０とを構
成原子とする原料ガスに＠素原子０を構成原子とする原
料ガスを混合して使用しても良い・ 具体的には、例えば酸素（Ｏｒ）＝　　オゾン（Ｏｓ）
ｅ−酸化窒素（船）、二酸化窒素（ＮＯ，）、　　−二
酸化窒素（ＮＩＯ）、　　三二酸化窒素（Ｎ＊０ａ）−
四二酸化窒素（Ｎ諺Ｏａ）　＊三二酸化窒素（馬０．）
、　　三酸化窒素（Ｎｏ　ｓ　）−シリコン原子（８ｉ
）と酸素原子０と水素原子（ハ）とを構成原子とする、
例えば、ジシロキｔ　ｙ　Ｈ，８１０８１Ｈ１ｔ　　）
　９　ｙ　買＊　ｔ　ｙ　Ｈ，８ｉ０８１Ｈ，０８１Ｈ
。

等の低級シはキｔ７等を挙げ、ることが出来る。

スパッタリング法によって、酸素原子を含有する第一の
非晶質層（１）を形成するには、単結晶又は多結晶の８
ｉクエーハー又は８ｉ０．ウェーハー、又は８ＭとＳｉ
偽が温合されて含有されているウェーハーをターゲット
として、これ゛等を種々のガス雰囲気中でスパッタリン
グすることによって行えば良い。

例えば、８１ウエーノ・−をターゲットとして使用すれ
ば、酸素原子と必要に応じて水素原゛子又は／及びＩ−
ロゲン原子を導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀
釈ガスで稀釈して、ス／くツタ−用の堆積室中に導入し
、これ等Ｏガスのガスプラズマを形成して前記引ウェー
／−１−をスノ（ッタリ゛ングすれば良い。

又、別には、ＳｉとＳｔＯ，とは別々のターゲットとし
て、又は引と８１０雪Ｏｆｊｌｓ合した一枚のターゲッ
トを使用することによって、スパッター用のガスとして
の稀釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも水素原子１又ｔ
ｊ／及び）・ロゲン原子国を構成原子として含有するガ
ス雰囲気中でスパッタリングすることによりて成される
。酸素原子導入用の原料ガスとしては、先述したグ四−
放電の例で示し九原料ガスの中の酸素原子導入用の原料
ガスが、スパッタリングの場合にも有効なガスとして使
用され得る。

第厘族原子の導入された第一の非晶質層（１）を形成す
るには、前述し九第−の非晶質層（１）Ｏ形成の際に前
記した非晶質層（１）形成用となる原料ガスと共に、第
１族原子導入用となるガス状態の又はガス化し得る出発
物質をガス状塵で第一〇非晶質層（１）の形成の為Ｏ真
空堆積室中に導入してやれけ曳いものである。

非晶質層（１）中に導入される第璽族原子の含有量は、
堆積室中ＫｆＩＬ入されを第１族原子導入用の出発物質
のガス流量、ガス流量比、放電パワー等を制御すること
によつて任意に制御され得る。

第１族原子導入用の出発物質とし、本発明に於いて有効
に使用されるのは、′硼素原子導入用として社、ＢｉＨ
ｅｔ　ＢＪＬ＠＊　ＢｉＨｅｔ　ＢｓＨ＊ｔｐ　ＢｓＨ
ｍｅＢ＠Ｈ１ｌｔ　Ｂ＠Ｈ１４等の水素化硼素、ＢＦ□
ＢＣｊ１ＢＢｒ。

等のハロゲン化硼素等が挙げられる。この翁、）ＪＣｊ
、　ＧａＣｌ、、　Ｇａ（Ｇｌ、）、　ＩｎＣｊ、、　
ＴｌＣｌ＠郷も挙げ６員ゝ出来る・　　　　　　　ｉｆ
４，６ｆ３本発明に於いて第一の非晶質層（１）〜際に
、鋏層（１）に含有される酸素原子の分布濃度を層厚方
向に変化させて、所望０層厚方向の分布状−（ｄｅｐｔ
ｈ　ｐｒｏｆｔｌｅ）を有する非晶質層（１）を形成す
るに社ダ謬−放電の場合には分布濃度を変化させるべき
酸素原子を含有するガスの流量を所望に従って適宜変化
させる仁とによ抄達威される。

例えば手動あゐいは外部駆動モータ郷の通常用−られて
いる例らかの方法によ抄、ガス流路系の途中に設けられ
九所定のニードルバルブの開口を漸次変化させる操作を
行えば喪い。このとき、流量の変化率は纏皺である必要
社なく、例克ばｉイコン等を用いて、あらかじめ設計さ
れ九変化率―纏に従りて流量を制御し、所望の含有率−
纏を得ることもできる。

第一〇非晶質層（１）をスパッタリング法によりそ形成
する場合、咳第−の非晶質層（１）中に含有される酸素
原子０層厚方向の分布＃１１度を制御することによ勢、
酸素原子の層厚方向の所望の分布状部（−・ｐｔｈ　ｐ
ｒｏｆｉｌ・）　を形成するに社、第一には、グロー放
電法による場合と同機に％酸素原子導入用物質のガスを
使用し、諌ガスを堆積室中へ導入するｒＩＡのガス流量
を所望に従って適宜変化させることによって成される。

第二には、スパッタリング用のターゲットを、例えば組
と８山雪との混合されたターゲットを使用するのであれ
ば、Ｓｉと引０雪と０混合比を、ターゲットの層厚方向
に於いて、予め変化させておくことによって成される。

第１１１に示される光導電部材１００　Ｋ於いては、第
一の非晶質層（１）　１０２上に形成される。第二の非
晶質層（１）　１０３は、自由表面１０４を有し、主に
耐湿性、連続繰返し使用特性、耐圧性、使用環境特性、
耐久性に於いて本発明の目的を達成する為に設けられる
。

又、本発明に於いて社、第一の非晶質層（１）１０２と
第二の非晶質層（１）　１０３とを形成する非晶質材料
の各々がシリコン原子という共通の構成畳重を有してい
るので、積層界面に於いて化学的な安定性の確保が充分
成されている。

第二の非晶質層（麗）は、シリコン原子と炭素原子とで
構率される非晶質材料（ａ　８１ｘＣｔ　−Ｘ　％但し
０（Ｘ（１）で形成される。

ａ　５ｋｘｃｓ−Ｘで構成される第二の非晶質層（１）
の形成はスパッターりフグ法、イオンイン法ラ／テーク
璽ン法、イオンブレーティング法、エレクトロンビーム
法等によって成される。これ等の調造法は、製造条件、
設備資本投下の負荷種度、製造規模、作製される光導電
部材に所望される特性等の要因によって適宜選択されて
採用されるが、所望する特性を有する光導電部材を製造
する為の作製条件の制御が比較的容易である、シリコン
原子と共に炭素原子を作製する非晶質層（ＩＩ）中に導
入するのが容易に行える等の利点からスパッターりング
法或いはエレクトロンビーム法、イオンブレーティング
法が好適に採用される。

スパッターリング法によって第二の非晶質層（１）を形
成するには、単結晶又は多結晶のＳｔウェーハーとＣウ
ェー／′−−１又はＳｌとＣが混合されて含有されてい
る９ニーノー−をターゲットとして、これ等を種々のガ
ス雰囲気中でスノくツタ−リングすることによって行え
ば良い。

例えば、８１ウエーハー及びＣウェーハーをターゲット
として使用する場合にａ、Ｈｓ、Ｎ・、Ａｒ等のスパッ
ターリング用のガスを、スノ（ツタ−１用の堆゛積富中
に導入してガスプラズマを形成し、前記ｓｔウェー、−
−４びＣ）ニー／％　−２ｊＰスノ（ツタ−リングすれ
ば良い。

又、別には、８量とＣの滉合し九一枚のターゲットを使
用することによって、スパッターリング用のガスを装置
系内に導入し、そのガス雰囲気中でスパッターリングす
ることによって成される。エレクトロンビー五法奢用い
る場合には２個の蒸着ボート内に各々、単結晶又は多結
晶の高純度シリコン及び高純度グラファイトを入れ、゛
各々独立にエレクトロンと−五によって同時蒸着するか
、又は同一蒸着ポート内に所望の混合比にして入れたシ
リコン及びブラフアイトラ単一のエレクトロンビームに
よって蒸着すればよい、第二の非晶質層（ＩＩ）中に含
有されるシリコン原子′と炭素原子の含有比は前者の場
合。

エレクトロンビームの加速電圧をシリコンとグラファイ
トに対して変化させることによって制御し、後者の場合
は、あらかじめシリコンとグツファイトの滉合量を定め
ることによって制御する。゛イオンブレーティング法を
用いる場合は蒸着槽内に様々のガスを導入しあらかじめ
櫂の周１１Ｋｔいえコイλに高周波電界を印加してグロ
ーをおこした状態でエレクトロンビーム法を利用して８
１及びＣを蒸着すればよい。

本発明に於ける第二の非晶質層（Ｉ）は、その要求され
る特性が所望通知に与えられる様に注意深く形成される
。

卸ち、ｓｉ、ｃ、を構成原子とする物質は、その作成条
件によって構造的に社結晶からアモルファスまでの形態
を取り、電気物性的には導電性から半導体性、絶縁性ま
での間の性質を、又光導電的性質から非光導電的性質ま
での閏の性質を、各々示すので、本発明に於いては、目
的に応じた所望の特性を有する＆−８１工Ｃ５−ｘが形
成される様に、所望に従ってその作成条件の選択が厳＠
に成される。

例えば、第二の非晶質層（■）を耐圧性の向上を主な目
的として般社るにはａ　５ｉｘｃｔ−Ｘは使用環境に於
いて電気絶縁性的挙動の顕著な非晶質材料として作成・
される。

又、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上を主たる
目的として第二〇非晶質層（１）が設けられろ場合には
、上記の電気絶縁性の度合はある１１度緩和され、照射
される光に対しである程度の感度を有する非晶質材料と
してａ８１ｚ（４−２が作成される。

第一の非晶質層（１）の表面Ｋ　ａ　５ｉｚＣｔ−Ｘか
ら成る第二の非晶質層（１）を形成する際、層形成中の
支持体温度は、形成される層の構造及び特性を左右する
重畳な因子であって、本実ｆ１４に於いては、目的とす
る特性を有する畠−３ｉｘｃ、　、が所望通９に作成さ
れ得る様に層作成時の支持体温度が厳密に制御されるの
が望ましい。

本発明に於ける目的が効果的に達成される為の第二の非
晶質層（１）を形成する際の支持体温度としては、第二
の非晶質層（１）の形成法に併せて適宜最適範囲が選択
されて、第二の非晶質層（１）の形成が行われるが、好
適には２０〜３００″Ｃ最適には２０〜２５σＣとされ
るのが望ましいものである。

第二の非晶質層（ＩＩ）の形成には、層を構成する原子
の組成比の微妙な制御中層厚の制御が他の方法に較べて
比較的容易である事等の為に、スパッターリング法やエ
レクトロンビーム法の採用が有利であるが、これ等の層
形成法で第二の非晶質層（１）を形成する場合には、前
記の支持体温度と同様に層形成の際の放電パワーが作成
されるａ−８糟ｃｌ−ｘの特性を左右する重要な因子の
１つとして挙げることが出来る。

本発明に於ける目的が達成される為の特性を有するＩＬ
−８ＩＸＣ１−Ｘが生産性良く効果的に作成される為の
放電パワー条件としては、好適には５０Ｗ〜２５０　Ｗ
　、最適には８０Ｗ−１５０Ｗとされるのが望ましい。

本発明に於いては、第二の非晶質層（１）を作成する為
の支持体温ｆ、放電パワーの望ましい数値範囲として前
記し九範囲の値が挙げられるが、これ等の層作成ファク
ターは、独立的に別々に決められるものではなく、所望
特性のａ−８ｉｚＣｓｚから成る第二の非晶質層（厘）
が形成される様に相互的有機的関連性に基いて各作成フ
ァクターの最適値が決められるのが望ましい。

本穐明の光導電部材に於ゆる第二の非晶質層（１）　Ｋ
含有される炭素原子Ｏ量は、第二〇非晶質層（１）　０
作製条件と同様重置明の目的を達成する所望の特性が得
られる層が形成される重要な因子である０ 本ＪＭ明に１にける第二〇非晶質層（１）　Ｋ含有され
る炭素原子０１社、シリコン原子と炭素原子０１１に対
して通常として杜、ｌＸｌ０　〜９０ａｔｏｍｉｃｌｌ
、好適にＢ　１〜１１０　ａｔｏｍｉｃ創最適には１０
〜７　Ｓ　ａｔ＋ｏｍｉｃ％とされるのが望ましいもの
で番る０即ち、先のａ−８ｊＸＯｘ−ＸのｘＯＩＩ示で
行えば、Ｘが通常は０．１〜０．９９１１９９　、好適
にはＯ３″！　〜０．１ｍ９、最適Ｋａ０．２Ｓ−０，
９であるＯ本弛明に於叶る第二の非晶質層（１）　０層
厚の数値ｌＩ＃Ｉは、本発明の目的を効果的に達成する
様に所期の目的に応じて適宜所望に従って決められる〇 又、第二〇非晶質４（厘）の層厚は％鍍層（１）中に含
有される炭素原子の量中第一の非晶質層（１）０層厚と
の＠係に於−ても、各々Ｏ層領域ＫＩ！求される特性に
応じた有機的な関連性の下に所望に従って適宜決定され
る必要がめる０頁に加え得るに１生童性中量産性を加味
した経済性の点に於いても考慮されるのが望ましい。

本実ｆ１４ＫＩＩ＃ける第二〇非晶質層（１）　Ｏ層厚
としては、通常０．　Ｇ　Ｏ３〜３０声、好適にはα０
０４〜２０μ、最適に＃ｉｏ、ｏ　ｏ　ｓ〜１０声とさ
れるのが望ましいものである。

本発明に於いて使用される支持体として蝋。

導電性でも電゛気絶縁性であっても良い０導電性支持体
としては、ｆＩえば、Ｎｉ０ｒ、ステンレス。

Ａｊ、Ｏｒ、Ｍｏ、ムｗ　、Ｎｂ　、Ｔａ　、Ｖ　、Ｔ
Ｉ　、Ｐｔ。

Ｐｄ　＠ｔ）金属又はこれ等Ｏ合金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル。

ポリエチレン、ポリカーボネート、−にルローズアセテ
ート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル。

ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等の合
成樹脂のフィルム又はシート、ガラス。

セラミック、紙等が通常使用される０これ等の電気絶縁
性支持体は、好適には少なくともそＯ一方ｏ＊ｉｉｉを
導電処理され、鋏導電魁理された１ｌＩｉ＠に輸Ｏ層が
設けられるのが望ましい０儒えは、ガラスであれば、そ
の表面に、　Ｎｉ０ｒ。

ムＪ　、　Ｏｒ　、　Ｍｏ　、　Ａｕ　、　Ｉｒ　、　
Ｎｂ　、　Ｔａ　、　Ｖ　、　ＴＩ　、　Ｐｔ　、　Ｐ
ｄ　。

Ｉｎ＊Ｏｓ、　８ａ−０１、ＩＴＯ（Ｉｎ、Ｏ＠　＋８
ｓｓＯ＊）等から成る薄膜會歇けることによって導電性
が付与され、或いはポリエステルフィルム勢Ｏ合成樹脂
フィルムでＴｏＡ　ｉｊ　、Ｎｉ０ｒ　、ムｊ、ムｇ　
、　Ｐｂ　、　Ｚａ　＠　Ｎｉ　、ムｕ、Ｏｒ。

Ｍｅ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔ！　、Ｐｔ等Ｏ金属Ｏ
薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパツタリ／グ等で
そ０１１１ｉｉＫ設け、又はＩｌ＊ｌｅ金属でそｏ褒画
ｔツ建ネート部層して、七〇Ｓ画に導電性が付与される
。支持体の形状としては５円筒状、ベルト状、板状勢任
意の形状とし得、所望によって、その形状は決定される
が、例えば、嬉ｔａｍｅ光導電部材１００を電子写真吊
金形成部材として１１！用するＯ″１’６れば連続＾連
複写の場合には。

無端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。

支持体Ｏｌｉさは、所望過り０党導電−材が形成される
橡に適宜決定されるが、光導電Ｉｌ＃として可撓性が要
求される場合には、支持体としての機能が充分発揮され
る範囲内であれば可能な限り薄くされる０両生ら、この
様な場合支持体の製造上及び取扱い上、機械的強度等の
点から、通常は、１０μ以上とされる。

次に本発明の光導電部材の製造方法の一例の概略につ匹
て説明する。

本発明の夫々の層を形成するための原料ガスが密封され
てお）、その１例として九とえば１１０ｍは、Ｈｅで稀
釈され九〇１Ｌガス（純３ｆ８５１９９９％。

以下５ｉＨａ／Ｈ・と略す、）ｌンぺ、　　１１０３は
Ｈ・で−）ボンベ、１１０５はＨ・で稀釈され九８１Ｆ
ａガス（Ｎ＆　９９９９９１１　、以下ＢＩＦａ　／　
Ｈ・と略す。）ボンベ、１１０６はＣ嘗ルガス（純度９
９．９９チ）ボンベであ、る。

これらのガスを反応室１１０１　Ｋ　７１１人させるに
はガスボンベ１１０２〜１１０６のパルプ１１２２〜１
１２６　。

リークパルプ１１３５が閉じられていることを確認し、
又、流入パルプ１１１２〜１１１６　、流出パルプ１１
１７〜１１２１　、補助パルプ１１３２が開かれている
ことを確認して先づメインパルプ１１３４を開いて反応
室１１０１　、ガス配管内を排気する０次に真空計１１
３６の読みが約５×１０→ｔｏｒｒ　Ｋなつ九時点で補
助パルプ１１３２、流出パルプ１１１７〜１１２１を閉
じる。

基体１１３７上に第一の非晶質層（１）を形成する場合
の１例をあげると、ガスボンベ１１０２より８ｉＬ　／
　Ｈｅガス、ガスボンベ１１０３よりＢ雪Ｈ４／Ｈｅガ
ス、ガスボンベ１１０４よシＮＯガスを、パルプ１１２
２〜１１２４を開いて出口圧ゲージ１１２７〜１１２９
の圧を１＃／ｄＫｌｌ整し％流入パルプ１１１２〜１１
１４を徐々に開ケて、マス７０コントローラ１１０７〜
１１０９　内に１夫々、流入させる。引き続いて流出パ
ルプ１１１７〜１１１９　、補助パルプ１１３２を徐々
に開いて夫々のの ガスを反応９１１０１に流入させる。このとき５ｉＨａ
八 ／Ｈ・ガス流量とＮＯガス流蓋とＢｓＨｓ　／Ｈｅガス
流量との比が所望の値になるように流出パルプ１１１７
〜１１１９を調整し、又、反応室内の圧力が所望の値に
なるように真空計１１３６の読みを見ながらメインバル
ブ１１３４の開口を調整する。そして基体１１３７の温
度が加熱ヒーター１１３８により５０〜４０σＣの範囲
の温度に設定されていることを確認された後、電源１１
４０を所望の電力に設定して反応室１１０１内にグロー
放電を生起させ、同時にあらかじめ設計された変化率曲
線に従ってＮｏガスの流量を手＃あるいは外部駆動モー
タ等の方法により−Ｃ，＜ヤブ０、□、□次、イ、ヶ門
、やゆ、６ケって形成される層中に含有される酸素原子
の分布濃度を制御する。上記の様にして基体１１３７上
に先ず第一の非晶質層（１）を形成する。

第一の非晶質層（１）上に第二の非晶質層（ＩＩ）を形
成するには、例えば、次の様に行う。まずシャッター１
１４２を開く、すべてのガス供給パルプは一旦閉じられ
、反応室１１０１は、メインパルプ１１３４を全開する
ととによ）、排気される。

高圧電力が印加される電極１１４１上には、予め高純度
シリコンウェハ１１４２−１．及び高純度グラファイト
ウェハ１１４２−２が所望の面積比率で設置されたター
ゲットを設けておく。予め８ｉＦ４／Ｈ・ガスの代シに
Ａｒガスを充填しておい九ガスボンベ１１０５より、Ａ
ｒガスを、反応室１１０１内に導入し、反応室１１０１
の内圧が０．０５〜１　ｔｏｒｒとなるようにメインパ
ルプ１１３４を調節する。高圧電源１１４Ｇを倒とし前
記ターゲットをスパッタリングすることにより、第一〇
非晶質層（１）上に第二の非晶質層（舊）を形成するこ
とが出来る。

第二の非晶質層（１）中に含有される炭素原子の量は、
シリコンウェハ１１４２−１とグラファイトウェハ１１
４２−２のスパッター面積比率や、ターゲットを作成す
る際のシリコン粉末とグラファイト聯末の混合比を所望
に従って調整することによって所望に応じて制御するこ
とが出来る。

夫々の層を形成する際に必要なガス以外の流出パルプは
全て閉じることは首うまでもなく、又、夫々の層を形成
する際、前層の形成に使用し九ガスが反応３ｉ［１１０
１内、流出）くルブ１１１７〜１１２１から反応室１１
０１内に至る配管内に残留することを避けるために、流
出パルプ１１１７〜１１２１を閉じ補助パルプ１１３２
を開いてメインパルプ１１３４を全開して系内を一旦高
真空に排気する操作を必要に応じて行う。

実施例１ 拳威部材を嬉１１１１０条件下で作製しＩＩｃ。

乞うして得られ九ｔＩＩ形成郁材を帯電露光現像装置に
設置し、ｅＳｋＶで０．２　ｗ闘プーナ帯電を行い直ち
に光像を照射しえ０光源社タンダステンランプを用−、
１，Ｏｊ＠ｚ＊ｍの光量を、遥遥蓋Ｏテストチャートを
用いて照射し喪。

その４＆直ちＫｅ荷電性の現像剤（トナーとキャリヤを
含む）を部材表面をカスケードする仁とによって、　Ｉ
Ｉ＃ｌＩＩ！爾上ＫＪＩＬ好なトナー画像を得良〇 ζＯようにして得られえトナー像を、一旦ゴムブレード
でクリーニングし、再び上記作像クリ一二ングエ１を繰
）返した。Ｉ／Ｉｋ＃）返し目数１ｓ万−以上行っても
１画像の劣化紘見られなかつえ。

１１１表 基体Ｓｔｔ　　雪−・℃ 旗電馬１１ａ　　　ＩＩＬＩＩ＆ ＪＩｌＳ時内証　　−晶質層１１　　ａｌｔ＠ｎ＃　　
（２）　１１　ｌ 実施例２ 非晶質層（Ｚ）Ｏｓ　ｌｌ＆と８１Ｈａの流量比を変え
て５層中に含有されるＢ一度を変化させる以外紘、実施
例１と金（同機な方法によって像形成部材を作成し良０ こうして得られえ各像形成部材（試料２１〜２６）につ
自、実施ｆｉｌＫ述べえ如き１作働、ｌＩ像、タダー二
ングＯニーを約５万−繰に返し丸後画像評価を行つえと
ζろ第２９０如き結果を得九〇第　　２　　表 Ｏ優秀　　ｏｌＬ舒 実施例３ おけるｄｇｌＪｌでの酸素−腹を変える以外社、実施例
１と同様ＯＴＩ法によって、愉形成部材を作成し九〇 とうして１ｖれえ各愉形成部材試料Ａｌｌ〜３ｓＫつき
、実施例ＩＫ述べえ如き、作會、現像、クリーニングＯ
工１を約５万−繰）返し丸後画曹評価を行うえとζろ第
’３１１０如き結果を得えＯ第３表 Ｏ高感家で、かり■質良好 ０　■質良舒 Δ　−雷に高感度 実施例４ 非晶質層（１）Ｃ）形成時、シリコンウエハトク２７ア
イ）０画積比を変えて、非晶質層（１）Ｋ於けるシ９コ
ン原子と炭素原子０壽有量比を変化させる以外祉、貴−
例１と全く同機な方法によって＊＊威ＩＩ材を作成し九
〇こうして得られえ各ＩＩ形形部部材つき、実施例ＩＫ
述べえ如き、作置、現像、クリーニングの工程を約５万
−線に返し九後画像評価を行つ九ところ第４表（Ｕｏき
結果を得え。

第　　４　　表 Ｏ―當に良好 ０嵐好 Δ　貴層に＊鈴彎え墨 ×　画會欠鶏を生ずる 実施例− 非晶質層値）Ｏ層厚を変える以外紘、実施例１と全く同
機な方法によって像形成部材を作成しえ。実施例ＩＫ述
べえ如き、作置、現像、クリーニングＯニーを繰如返し
下記の結果を得九〇第Ｓ表 実施例６ 非晶質層（Ｉ）の作成条件を第６表の如く変える以外は
、実施例１と同様な方法によって像形成部材の作成を行
い、実施例１と同様の評価を行つ九とζろ良好な結果を
得九〇 Ｉ／ｌ１６１Ｉ＆ ４．　８ＷＪｔ）＠単ｔｋ讃− 第１１１ｍ、本弛明の光導電部材の層構成を説―する為
Ｏ模式的層構成図、第２８乃至第１０■は夫々、非晶質
層中に含有される酸素原子の分布状態を説−する為の説
明図、第１１図は、本慟−で使用され九装置の模式的説
明−、第１２ｓｉ＃ｉ、実施例に）Ｈする、非晶質層中
に含有される駿ｌｌ！原子の分布状簾をｗｉ判する説明
図である。

１００−−・光導電部材 １０１・・・支持体 ｌ・８・・・第一〇非晶質層（Ｉ） １１３・・・第二〇非晶質層（１） １０４−１！ｌ１ｂｌｌｉｉｉｊ ＄）言１出願人　　中ヤノン株式会社 −一一一→−Ｃ Ｃ −一一一→−Ｃ 第１頁の続き ０発　明　者　大里陽− 東京都大田区下丸子３丁目（資）番 ２号キャノン株式会社内 ０発　明　者　白井茂 東京都大田区下丸子３丁目（資）番 ２号キャノン株式会社内

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）光導電部材用の支持体と、シリコ／Ｊ［子を母体
   上する非晶質材料で構成された、光導電性を有する第一
   〇非晶質層とシリコン原子と炭素原子とを含む非晶質材
   料で構成された第二の非晶質層と、を有し、前記非晶質
   層が、構成原子として、層厚方向に連続的であって前記
   支持体側の方に多く分布した状態で酸素原子を含有し、
   且つ周期律表第厘族に属する原子を層厚方向に均一連続
   的に含有することを４１黴とする光導電部材。