JPS58158639A - 光導電部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光線、可視光
線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁波に感
受性のある光導電部材に関する。 同体撮像装置、或いは像形成分野における電子写真用像
形成部材や原稿脱取装置における光導電層を形成する光
４電駒料としては、高感度で、ＳＮ比〔光電流（Ｉｐ）
／暗電流（Ｉｄ））が高く、照射する電磁波のスペクト
ル特性にマツチングした吸収スペクトル特性を有するこ
と、光応答性が速く、所望の暗抵抗値を有すること、使
用時において人体に対して無公害であること、更には固
体撮像装置においては、残像ｆ：所定時間内に容易に処
理することができること等の特性が要求される。 殊に、事務機としてオフィスで使用される電子写真装置
内に組込まれる電子写真用像形成部材の場合には、上記
の使用時における無公害性は重要な点である。 この様な点に立脚して最近注目されている光２＃、電材
料にアモルファスシリコン（以後ａ−８ｔと表記す）が
あり、例えば、独国公開第２７４６９６７円分報、同第
２８５５７１８号公報には電子写真用像形成部材として
、独国公開第２９３３４１１号公報には光電変換読取装
置への応用が記載されている。 百年ら、従来のａ−８ｉで構成された光導電層を有する
光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答性等の電気的
、光学的、光導電的特性、及び使用環境特性の点、更に
は経時的安定性及び耐久性の点において、各々、個々に
は特性の向上が計られているが、総合的な特性向上を計
る上で更に改良される余地が存、、するのが実情である
。 例えは、電子写真用像形成部材に適用した場合に、開光
感度化、高暗抵抗化全同時に計ろうとすると従来におい
てはその使用時において残留電位が残る場合が度々観測
され、この種の光導電部ドは長時間繰返し使用し続ける
と、繰返合な点が少なくなかった。 又、ａ−８ｉｉ狛で光導電層を構成する場合には、その
電気的、光導電的特性の改良を計るために、水素原子或
いは弗素原子や塩素原子等のノ・ロゲン原子、及び電気
伝導型の制御のために硼素原子や燐原子等が或いはその
他の特性改良のために他の原子が、各々構成原子として
光導電層中に含有されるが、これ等の構成原子の含有の
仕方如何によっては、形成した層の電気的或いは光導電
的特性や耐圧性に問題が生ずる場合があった。 即ち、例えば１、形成した光導電層中に光照射１、　、 によって発生したフォトキャリアの該層中での寿命が充
分でないこと、或いは暗部において、支持体側よシの電
荷の注入の阻止が充分でないこと等が生ずる場合があっ
た。 従って、ａ−３ｉｑ料そのものの特性改良が計られる一
方で光４電部材を設計する際に、上記した様な問題の総
てが解決される様に工夫される必要がある。 本発明は上記の話点に鑑み成されたもので、ａ−８ｉに
就で電子写真用像形成部材や固体撮像装置、読取装置等
に使用される光導電部材としての適用性とその応用性と
いう観点から総括的に鋭怠研究検討を続けた結果、シリ
コン原子を母体とし、水素原子Ｉ又はハロゲン原子■の
いずれか一方を少なくとも含有するアモルファス材料、
所謂水素化アモルファスシリコン、ハロゲン化アモルフ
ァスシリコン或いはハロゲン含有水素化アモルファスシ
リコン〔以後これ等の総称的茨記としてＩ　ａ−８ｉ　
（Ｈ，Ｘ）　Ｊを使用する〕から構成される元４電層全
有する光４電部材の層構成を以後に説明される様に特定
化する様に設計されて作成された光導電部材は実用上著
しく優れた特性を示すばかシでなく、従来の光導電部材
と較べでみてもあらゆる点において凌駕していること、
殊に電子写真用の光導電部材として著しく優れた特性を
有していることを見出した点に基づいている。 本発明は電気的、光学的、光導電的特性が便用環境に殆
んど影響を受けず常時安定し、耐光疲労に著しく長け、
繰返し使用に際しても劣化現象を起さず耐久性に優れ、
残留電位が全く又は殆んど観測されない光導電部材を提
供することを主たる目的とする。 本発明の他の目的は、電子写真用１奴形成部材として使
用させた場合、静電像形成のだめの帯電処理の際の電荷
保持能が充分あり、通常の電子写真法が極めて有効に適
用され得る優れた電子写真特性全治する光導電部材を提
供することである。 本発明の更に他の目的は、濃度が高＜、／％−７トーン
が鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得ること
が容易にできる電子写真用の光４電部材を提供すること
である。 本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性。 高ＳＮ比特性及び高耐圧性を有する光導電部材を提供す
ることでもある。 本発明の光導電部材は、光導電部材用の支持体と、シリ
コン原子全母体とし、構成原子として水素原子■又はハ
ロゲン原子（３）のいずれか−力金少なくとも含有する
非晶質材料Ｃａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ））で構成された、光導
電性を有する第一の非晶質層とシリコン原子と炭素原子
とを含む非晶質材料で構成された第二の非晶質層とを有
し、前記第一の非晶質層が、構成原子として酸素原子を
含有する第一の層領域と、層厚方向に連続的で且つ前記
支持体側の方に多く分布する分布状態で、構成原子とし
ての周期律表第■族に属する原子を含有する第二の層領
域とを有し、前記第１の層領域は、前記第一の非晶質層
の支持体側に内在していることを特徴とする。 」二記した様な層構成を取る様にして設計された本発明
の光４電部材は、前記した諸問題の総てを解決し得、極
めて優れた電気的、光学的。 光導電的特性、耐圧性及び使用環境特性を示す。 殊に、電子写真用像形成部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しておシ高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、制光疲労。 繰返し使用特性に長け、濃度が尚く、ハーフトーンが鮮
明に出て、且つ解像度の高い、高品質の画像を安定して
繰返し得ることができる。 以下、図面に従って本発明の光導電部材に就で詳細に説
明する。 第１図は、本発明の光導電部材の層構成全説明する為に
模式的に示した模式的構成図である。 第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材用として
の支持体１０１の上に、ａ−８ｊ（Ｈ，Ｘ）から成る光
導電性を有する第一の非晶質層（１）１０２と第二の非
晶質層（ＩＩ）１０６とを有し、第一の非晶質層（Ｉ）
１０２は、構成原子として酸素原子を含有する第１の層
領域０１０３と層厚方向に連続的で且つ前記支持体１０
１の方に多く分布する分布状態で構成原子として第■族
原子金含有する第２の層領域（［１０１０４とを有する
様に構成された層構造を有する。第１図に示す例におい
ては、第２の層領域ｆｕｎ　１０４は第一の非晶質層（
１）　１０２の全層領域を占め、第１の層領域０）１０
３が第２の層領域１］Ｉｔ）１０４の一部を構成する層
構造を有し、第１０層領域０）１０３は第一の非晶質層
（１）１０２０表向下に内在している。 第一の非晶質層ＣＩ）　１０２の上部層領域１０５には
、Ｖ素原子は含まれておらず、酸素原子は第１の層領域
（ＯＨＯ３のみに含有されている。第１の層領域（０）
１０３は酸素原子の含有によって重点的に高暗抵抗化と
支持体１０１と第一の非晶質層（Ｉ）１０２との間の密
着性の向上が計られ、上部層領域１０５には、酸素原子
を含有させずに高感度化が重点的に計られている。第１
の層領域（０）１０３に含有される酸素原子は層厚方向
に連続的で実質的に均一な分布状態で、且つ支持体１０
１と第一の非晶質層（１）　１０２との界面に平行な面
内に於いては、実質的に均一な分布状態で前記第１の層
領域（０）１０３中に含有される３、本発明において、
第一の非晶質層（１）　１０２を構成し、第１ｎ族原子
を含有する第２の層領域（至）１０４中に含有される第
■族原子としては、Ｂ（硼素）、Ａｔ（アルミニウム）
、Ｇａ（ガリウム）。 Ｉｎ（インジウム）、Ｔｚ（タリウム）等であり、殊に
好適に用いられるのはＢ　＋　Ｇａである。 本発明におい−Ｃは、第２の層領域（２）１０４中に含
有される第■族原子の分布状態は、層厚方向においては
、前記の様な分布状態分取シ、支持体１０１０表面と平
行な面内では実質的に均一な分布状態とされる。 第１の層領域Ｕ）１０３と上部層領域１０５との層厚は
、本発明の目的を効果的に達成させる為の重要な因子の
１つであるので形成される光導電部材に所望の特性が光
分与えられる様に、光導電部材の設計の隙に充分なる注
意が払われる必要がある。 本発明において、第１の層領域０）１ｏ３の層厚Ｔｏは
、その下限としては通常の場合、ｏ、ｏｏｉμ以上、好
ましくは０．００２μ以上、最適には０．００３μ以上
とされるのが望ましい。 父、上部層領域１（）５の層厚ＴＯは、その下限として
は通常の場合、０．０２μ以上、好ましくは０．０３μ
以上、最適には０．０５μ以上とされるのが望ましい。 第一の層領域（０）１０３の層厚Ｔｏの下限及び上部層
領域１０５の層厚Ｔの上限としては、両層領域に要求さ
れる特性と、第一の非晶質層（１）　１０２全体として
及び第二の非晶質層（ＩＤ１０６の夫々に要求される特
性との相互間の有機的関連性に基いて光導電部材の膚設
計の際に適宜所望に従って決定される。 本発明の光導電部材においては、第１図に示す様に、上
部層領域１０５にも構成原子として第■族原子が含有さ
れ、第一の非晶質層（１）　１０２の全体が第２の層領
域１０４とされる他に、上部層領域１０５には、第■族
原子を含有させずに第１の層領域（０）と第２の層領域
（２）とを同一層領域とすることも出来る。 この様な上部Ｊ一層領域０５に第■族原子を含有させな
い実施態様例の光導電部材においては、殊に、多湿雰囲
気中での繰返１〜使用によシ一層の顕著な効果を示し、
該雰囲気中での長期間の使用に充分なる耐久性を示す。 又、第１の層領域（０）内に第２の層領域（］ＩＩ）層
形成する場合も良好な実施態様例の１つとして挙げる事
が出来る。 第１の層領域（０）中に含有される酸素原子の量は、形
成される光導電部材に要求される特性に応じて所望に従
って適宜法められるが、通常の場合、ｏ、ｏｏ　１〜５
０　ａｔｏｍｉｃ　Ｘ、好ましくは０．００２〜４０　
ａｔｏｍｉｃ％、最適には０．００３〜３０　ａｔｏｍ
ｉｃ％とされるのが望ましいものである。 第１の層領域（Ｑの層厚Ｔｏが光分厚いか、又は第一の
非晶質層（１）の全層厚（Ｔｏ　＋　Ｔ　）に対する割
合が５分の２以上を越える様な場合には、第１の層領域
１０）中に含有される酸素原子の量の上限としては、通
常は、３　Ｑ　ａｔｏｍｉｃ％以ド、好ましくは２０　
ａｔｏｍｉｃ％以下、最適には１０　ａｔｏｍｉｃ　Ｘ
以下とされるのが望ましいものである。 第２図乃至第１０図には、本発明における光導′亀部材
の第一の非晶質層（１）を構成する第■族原子の含有さ
れている層領域側中に含有される第■族原子の層厚方向
の分布状態の典型的例が示される。 第２図乃至第１０図の例に於いて、酸素原子の含有され
る層領域０）は、層領域［相］と同一層領域であ−ても
、層領域［相］を内包しても、或いは、層領域（２）の
一部の層領域を共有しても良いものであるので以後の説
明に於いては、酸素原子の含有されている層領域（０）
については、殊に説明を要しない限り言及しない。 第２図乃至第１０図において、横軸は第■族原子の分布
濃度Ｃを、縦軸は、光導電性を示す第一の非晶質層（１
）を構成し、第■族原子の含有される層領域（２）の層
厚ｔｆ、示し、ｔＢは支持体側の界面の位１ｔを、ｔＴ
は支持体側とは反対側の界面の位置金示す。坤ち、第■
族の含有される）ｆＡ狽域（２）はｔＢ側よりｔＴ側に
向って層形成がなされる。 本発明においては、第■族原子の含有される層領域（２
）は、光導電部材を構成するａ　−Ｓｉ　（Ｈ，Ｘ）か
ら成シ、光導電性を示す第一の非晶質層（Ｉ）の全層領
域を占めても良いし、又、その一部葡占めても良い。 本発明において、前記層領域（２）が第一の非晶質層（
１）の一部の層領域を占める場合には、第１図の例で示
せば支持体１０１側の面を含んで第一の非晶質層（１）
１０２の下部層領域に設けられるのが好ましいものであ
る。 第２図には、層領域側中に含有される第■族原子の層厚
方向の分布状態の第１の典型例が示される。 第２図に示される例では、第■族原子の含有される層領
域（ト）が形成される表面と該層領域（４）の表面とが
接する界面位置ｔＢよ！ｌｌｔ＋の位置までは、第■族
原子の含有濃度ＣがＣ８なる一定の値を取り乍ら第■族
原子が形成される層領域（ト）に含有され１９位置ｔ８
より分布濃度Ｃは界面位置ｔＴに至るまでＣ２よシ徐々
に連続的に減少されている。界面位置１＝においては第
■族原子の分布濃度ＣはＣ３とされる。 第３図に示される例においては、含有される第■族原子
の分布濃度Ｃは位置ｔＢよ多位置ｔＴに至るまでＣ４か
ら徐々に連続的に減少して位置ｔＴにおいてＣ５となる
様な分布状態を形成している。 第４図の場合には、位置ｔ、Ｂより位置ｔ２までは第■
族原子の分布濃度ＣｆｄＣａと一定値とされ、位置ｔ２
と位置ｔＴとの間において、徐々に連続的に減少され、
位置ｔＴにおいて、実質的に零とされている。 第５図の場合には、第■族原子は位置ｔＢよ多位置ｔＴ
に至るまで、分布濃度ＣはＣ８よ多連続的に徐々に減少
され、位置ｔＴにおいて実質的に零とされている。 第６図に示す例においては、第■族原子の分布濃度Ｃは
、位置ｔＢと位置ｔ５間においては、Ｃ０と一定値でア
シ、位置１＝においてはＣ８゜とされる。 位置ｔ３と位置ｔＴとの間では、分布濃度Ｃは一次関数
的に位置ｔ、よ多位置ｔＴに至る１で減少されている。 第７図に示される例においては、分布碇度Ｃは位置１．
よシ位置ｔ、丑ではＣ１１の一定値を取シ、位置Ｌ４よ
多位置ｔＴまではＣＯよシＣ１，まで一次関数的に減少
する分布状態とされている。 第８図に示すｆｌｙ’ＩＩにおいては、位置ｔＢより位
置ｔＴに至るまで、第１■族原子の分布濃度ＣはＣ１４
よシ零に至る様に一次関数的に減少している。 第９図においては、位置ｔＢより位置ｔ、に主るまでは
第■族原子の分布濃度Ｃは、Ｃ□よシＣｓａまで一次関
数的に減少され、位置ｔ、と位置ｔＴとの間においては
、Ｃｌｌ１の一定値とされた例が示されている。 第１０図に示される例においては、第■族原子の分布濃
度Ｃは位置ｔＢにおいてＣ１２であり、位置ｔ０に至る
まではこのＣ１０より初めはゆっくシと減少され、ｔ６
の位置付近においては、急激に減少されて位置ｔ、では
Ｃ１０とされる。 位置ｔ、と位置ｔ、との間においては、分布濃度Ｃは初
め急激に減少されて、その後は、緩やかに徐々に減少さ
れて位置ｔ、でＣ７゜となり、位ｔｆｔｙと位置ｔ、と
の間では、極めてゆっくりと徐々に減少されて位置ｔ、
において、Ｃ０に至る。位置ｔ８と位ｉｆ　ｔＴの間に
おいては、分布濃度ＣはＣｔｏよシ実質的に零になる様
に図に示す如き形状の曲線に従って減少されている。 以上、第２図乃至第１０図により、層領域（２）中に含
有される第■族原子の層厚方向の分布状態の典型例の幾
つかを説明した様に、本発明においては、支持体側にお
いて、第１■族原子の分布濃度Ｃの高い部分を有し、界
面ｔＴ側においては、前記分布濃度Ｃは支持体側に較べ
て可成り低くされた部分を有する第■族原子の分布状態
が形成された層領域（２）が第一の非晶質層（１）に設
けられている。 本発明において、第一の非晶質層（１）を構成する第■
族原子の含有される層領域［相］は、上記した様に支持
体側の方に第■族原子が比較的高濃度で含有されている
局在領域Ａを有する。 局在領域Ａは、第２図乃至第１０図に示す記号を用いて
説明すれば、界面位置ｔＢより５μ以内に設けられるの
が望ましい。 本発明においては、上記局在領域Ａは、界面位置ｔＢよ
シ５μ厚までの全層領域ＬＴ　とされる場合もあるし、
又、１−領域ＬＴの一部とされる場合もある。 局在領域Ａを層領域ＬＴの一部とするか又は全部とする
かは、形成される第一の非晶質肩山に要求される特性に
従って適宜法められる。 局在領域Ａはその中に含有される第■族原子の層厚方向
の分布状態として第■族原子の分布濃度値の最大Ｃｍａ
ｘが通常は５　Ｑ　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、好適に
はＢ　ｇ　ａｔｏｍｉｃ　Ｉ）９ｍ以上、最適には１０
０１００ａｔｏ　ｐｐｍ以上とされる様な分布状態とな
り得る様に層形成されるのが望ましい。 即ち、本発明においては、第■族原子の含有される層領
域（至）は、支持体側からの層厚で５μ以内（ｔｎから
５μ厚の層領域）に分布濃度Ｃの最大値Ｃｍａｘが存在
する様に形成されるのが望ましい。 本発明において、第■族原子の含有される前記の層領域
（ト）中に含有される第■族原子の含有量としては、本
発明の目的が効果的に達成されれ様に所望に従−て適宜
法められるが、通常は０．０１〜５　Ｘ　１０’ａｔｏ
ｒｎｉｃ　ｐｐｍ　、好ましくは０．５−ＩＸＩＯ’ａ
ｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　、最適にはｉ〜５　Ｘ　１０ｓａ
ｔｏｒｎｉｃ　ｐｐｍとされるのが望ましいものである
。 不発明において、第一の非晶質層（１）の層厚は、所望
の電子写真特性が得られること及び経済的効果等の点か
ら、通常の場合、１〜１００μ、好ましくは１〜８０　
ＩＩ　、最適には２〜５０μとされるのが望ましい。 本発明において、ａ−Ｓｔ（Ｈ，Ｘ）で構成される第一
の非晶質層（Ｉ）全形成するには例えばグロー放電法、
スパッタリング法、或いｄ：イオンプレーティング法等
の放電現象を利用する真空堆積法によ−て成される。例
えば、グロー放電法によって、ａ−８ｉ（ＩＩ、Ｘ）で
構成される第一の非晶質層（Ｉ）を形成するには、基本
的にはシリコン原子（Ｓｊ）を供給し得るＳｉ供給用の
原料ガスと共に、水素原子■導入用の又は／及びハロゲ
ン原子（イ）尋人用の原料ガスを、内部が減圧にし得る
堆積室内に導入して、該堆積室内にグロー放電を生起さ
せ、予めノヅ「定位置に設置されである所定の支持体表
面上にａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）からなる層全形成させれば良
い。又、スパッタリング法で形成する場合には、例えば
Ａｒ、ｌｅｅ等の不活性ガス又はこれ等のガスをベース
とした混合ガスの雰囲気中でＳｉで構成されたメーケソ
トをスパッタリングする除、水素原子０又は／及びハロ
ゲン原子■導入用のガス奮スパッタリング用の堆積室に
導入しておれば良い。 不発明において、必要に応じて非晶質層中に含有される
ハロケン原子囚としては、具体的にはフッ素、塩素、臭
素、ヨウ素が皐けられ、殊に７ノ累、塩素を好適なもの
として挙げることが出来る。 本発す」において使用されるＳｉ供給用の原料ガスとし
ては、ＳｉＨ４、５ｉ２Ｌ　＋　５ＬＢ１ｉ８＋　Ｓｔ
＜Ｉ（＋ｏ等のガス状態の又はガス化し得る水累化硅累
（シラン類）が有効に使用されるものとして摩けられ、
殊に、層作成作業の扱い易さ、Ｓｉ供給効率の良さ等の
点でＳ　ＩＨ＜　＋　Ｓ　１２Ｌが好ましいものとして
挙げられる。 本発明において使用されるノ・ロゲン原子導入用の原料
ガスとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げら
れ、向えばノ・ロゲンガス、ノ・ロゲン化物、ハロゲン
間化合物、ノ・ログンで置換されたシラン誘導体等のガ
ス状態の又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙
げられる。 又、更には、シリコン原子とノ・ロゲン原子とを構成要
素とするガス状態の又はガス化し得るハロゲン原子全弁
む硅素化合物も有効なものとして本発明においては挙げ
ることが出来る。 本発明において好適に使用しイするノ１０ゲン化合物と
しては、具体的には、フッ素、塩素、具間化合物を挙げ
ることが出来る。 ハロゲン原子を含む硅素化合物、所鯖、・・ログン原子
で置換されたシラン誘導体としては、具体的にはＩ＋＋
１えば５ＩＦ４　ｒ　５１２Ｆ６　ｒ　５ｉＣｔ４　＋
　５ｉＢｒａ等のハロゲン化硅素が好ましいものとして
塞げることが出来る。 この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光導電部材を形成す
る場合には、Ｓｉを供給し得る原料ガスとしての水素化
硅素ガスを使用しなくとも、所定の支持体上にハロゲン
原子を含むａ−８ｉから成る第一の非晶質層（１）を形
成する事が用法る。 グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む第一の非晶
質層（１）を形成する場合、基本的には、Ｓｉ供給用の
原料ガスであるハロゲン化硅素ガスとＡｒ　、　Ｈ２，
Ｈｅ等のガス等を所定の混合比とガス流量になる様にし
て第一の非晶質層（１）を形成する堆積室に導入し、グ
ロー放電を生起してこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形
成することによって、所定の支持体上に第一の非晶質層
（１）を形成し得るものであるが、水素原子の導入を削
る為にこれ等のガスに更に水素原子を含む硅素化合物の
ガスもｈ定量混合して層形成しても良い。 又、各ガスは単独種のみでなく　Ｒ「定の混合比で核数
棟混合して使用しても差支えないものである３、 反応スパッタリング法或いはイオンブレーティング法に
依ってａ−３ｉ　（Ｈ、Ｘ）から成る第一の非晶質層（
１）’を形成するには、例えばスパッタリング法の場合
にはＳｉから成るターゲットを使用し、て、これを所定
のガスプラズマ雰囲気中でスパッタリングし、イオンブ
レーティング法の場合には、多結晶シリコン又は単結晶
シリコンを蒸発源として蒸着ボートに収好し１、このシ
リコン蒸発源を抵抗加熱法、或いはエレクトロンビーム
法（ＥＢ法）等によってカロ熱蒸発させ飛翔蒸発物を所
定のガスプラズマ雰囲気中を通過させる事で行う事が出
来る。 この除、スパッタリング法、イオンブレーティング法の
何れの場合にも形成される層中にノ・ロケン原子金纒入
するには、前記の７・ロゲン化合物又は前記の・・ロケ
ン原子を含む硅素化合物のガスを堆積室中に導入して該
ガスのプラズマ雰囲気全形成してやれば良いものでおる
。 又、水素原子ケ導入する場合には、水素原子尋人用の原
料ガス、例えば、Ｈ２，或いは前記したシラン類等のガ
スをスパッタリング用の堆積室中に尋人して該ガスのプ
ラズマ雰囲気を形成してやれば良い０、 不発り」においては、ハロゲン原子導入用の原料ガスと
して上記された・・ロケン化合物或いはハロゲンを含む
硅素化合物が有効なものとして使用されるものであるが
、その他に、ＨＦ　、　ＨＣｌ　。 ＨＢｒ　、　ＨＩ等のハ０ゲン化水素、ＳｉＨ２Ｆ２．
５ｉＨＪｚ　ｒＳｉＨｚＣ４，５ｉｌ（Ｃム＋　５ｉ）
ｌＪｒｚ　、　５ｉＨＢｒｓ等の７・ロゲン置換水素化
硅素、等々のガス状態の或いはガス化し得る、水素原子
全構成要素の１つとするノ・ロゲン化物も有効な第一の
非晶質層（１）形成用の出発物質として挙げる事が出来
る。 これ等の水素原子を含むノ・ロケン化物は、第一の非晶
質層中形成の際に層中に７・ロゲン原子の導入と同時に
電気的或いは光導電的特性の制御に極めて有効な水素原
子も導入されるので、本発明においては好適なハロゲン
原子導入用の原料として使用される。 水素原子を第一の非晶質層（１）中に構造的に導入する
には、上記の他にＨｌ　、或いはＳ　１Ｉ（４＋　Ｓ　
１２迅。 ５ｉｓＨｓ　、　５ｔ４Ｈ，、、等の水素化硅素のガス
をＳｉを供給する為のシリコン化合物と堆積室中に共存
させて放電を生起させる事でも行う事が出来る。 例えば、反応スパッタリング法の場合には、Ｓｉターゲ
ットを使用し、ハロゲン原子導入用のガス及びＨ２ガス
を必要に応じてＨｅ、Ａｒ等の不活性ガスも含めて堆積
室内に導入してプラズマ雰囲気を形成し、前記Ｓｉター
ゲツ１−をスパッタリングする事によって、基板上にａ
−８ｉ（Ｈ，Ｘ）から成る第一の非晶質層（１）が形成
される。 史には、不純物のドーピングも兼ねてＢ２Ｈａ艶ガスを
導入してやることも出来る。 本発明において、形成される光導電部材の第一〇非晶質
１ｉ１ｊ　ＣＩ）中に含有される水素原子■の量又はハ
ロゲン原子（３）の量又は水素原子と・・ロゲン原子の
量の和は通常の場合１〜４０　ａｔｏｍｉｃ％。 好適には５〜３　Ｑ　ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望ま
しい、ｊ第一の非晶質層Ｑ）中に含有される水素原子■
又は／及びハロゲン原子■の量を制御するには、例えば
支持体温度又は／及び水素原子０、或いはハロゲン原子
ｏｏｉ含有させる為に使用される出発物質の堆積装置系
内へ導入する量、放ｒＬ々力等を制御してやれば良い。 第一の非晶質層（１）に、第■族原子を含有する層領域
（ＩＩＩ）及び酸免卯子を含有する層領域０）を設ける
には、グロー放電法や反応スパッタリング法等による第
一の非晶質層（１）の形成の除に、第１］族原子導入用
の出発物質及び醒累原イ専入用の出発物質を夫々前記し
た第一の非晶質Ｍ＜Ｉ＞形成用の出発物質と共に使用し
で、形成される層中にその量を制御し、乍ら含有してや
る暮によ−て成される。 第一の非晶質層（１）全構成する、酸基原子の含有され
る層領域（０）及び第１ＩＩ族原子の含有される層領域
（ＩＩ）を夫々形成するにグ「１−放電法を用いる場合
各層領域形成用の原料ガスとなる出発物質としては、前
記した第一の非晶質層（Ｉ）形成用の出発物質の中から
所望に従って選択されたものに、賊索原子導入用の出発
物質又は／及び第ｎ１族原子導入用の出発物質がｉ（Ｊ
えられる。その様な酸素原子導入用の出発物質又は第■
族原子導入用の出発物質としては、少なくとも酸素原子
或いは第■族原子ｆｔ構成原子とするガス状の物質又は
ガス化し２得る物質をカス化したものの中の大概のもの
が使用され得る。 例えば層領域（０）全形成するのであれはシリコン原子
（Ｓｉ　）を構成原子とする原料カスと、酸素原子（０
）を構成原子とする原料ガスと、必要に応じて水素原子
■又は及びハロゲン原子■を構成原子とする原料ガスと
を所望の混合比で混合して使用するか、又は、シリコン
原子（Ｓｉ）ｉ構成原子とする原料ガスと、酸素原子（
Ｏ及び水素原子■を構成原子とする原料ガスとを、これ
も又所望の混合比で混合するか、或いは、シリコン原子
（８１）ｋ構成原子とする原料ガスと、シリコン原子（
Ｓｉ）、酸素原子０）及び水素原子（６）の３つを構成
原子とする原料カスとを混合して使用することが出来る
。 又、別には、シリコン原子（Ｓｔ）と水素原子０＝υと
を構成原子とする原料ガスに酸素原子０）を構成原子と
する原料ガスを混合して使用しても良い。 酸素原子導入用の出発物質となるものとして具体的には
、例えば酸素（０，）、オゾン（０３）、−酸化窒素（
ＮＯ）、二酸化窒素（ＮＯ２）　、−二酸化窒素（Ｎ、
Ｏ）、三二酸化空事（Ｎ２０ｓ　）　、四二酸什仝累（
Ｎ２０４）　、五二酸化窒素（Ｎ２０．）　、三酸化窒
素（Ｎｏ、）。 シリコン原子（Ｓｉ）と酸素原子（０）と水素原子１と
を構成原子とする、例えば、ジシロキサン０ＬＳｉＯ８
ｉＨｓ）　、）ジシロキサン（Ｈｓ　Ｓ　ｉ　Ｏ８１Ｈ
２０ｓ　ｉ　Ｈａ）等の低級シロキサン等を挙げること
が出来る。 層領域ａｌＩｌ′ｌｃグロー放電法を用いて形成する場
合に第■族原子導入用の出発物質として、本発明におい
て有効に使用されるのは、硼累原子導入用としては、Ｂ
Ｊ（、ａ　、　Ｂ４Ｈ１０、ＢａＨｏ　ｐＢａＨ＋ｏ　
ｌＢｓＨｏ　、　Ｂ６ＨＩ２　、　Ｂ６ＨＩ４等の水素
化硼素、ＢＦＡ　、　ＢＯ２。 ＢＢ　ｒａ等い−・ロゲン化硼素等が挙げられる。この
他、ｋｔｃｔ、　、　ＧａＣ４，Ｇａ　（０ｌｓ）ｓ　
ｌ　ＩｎＣｔ４１　Ｔｌｌ：Ａｓ等も孕けることが出来
る。 第■族原子を貧有する層領域（至）に導入される第■族
原子の含有量は、堆積室中に流入される第■族掠子尋入
用の出発物質のガス泥倉、ガス流量比、放′亀パワー、
支持体温度、堆積室内の圧力等全制御＋４することによ
って任意に制御され侍る。 スパッタリング法によって、酸素原子を含有する層領域
０を形成するには、単結晶又は多結晶のＳ１ウエーハー
又はＳｉ０ｇウェーハー、又はＳｉと５ｉｎ２が混合さ
れて金山されているウェーハーをターゲットとして、こ
れ等を棟々のガス雰囲気中でスパッターリンクすること
ＶＣよって行えば良い。 例エバ、Ｓ１ウエーハーｔターゲツトとして１史用すれ
ば、取木原子と必要に応じて水素原子又は／及びハロゲ
ン原子を２淳入する為の原料ガスを、必要に応じて稀釈
ガスで稀釈して、スパッター用の堆積室中に導入し、こ
れ等のガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｉウェーハ
ーをスパッターリングすれば良い。 又、別には、Ｓｉとｓｉｏ、とは別々のターゲットとし
て、又はＳｉと５ｉ０２の混合した一枚のターゲットを
使用することによって、スパッター用のガスとしての稀
釈ガスの雰囲気中で又に少なくとも水素原子０又は７／
及び・・ロゲン原子ＯＯを構成原子として含有するガス
雰囲気中でスパッターリンクすることによって成される
。酸素原子導入用の原料ガスとしては、先述したグロー
放電の例で示した原料ガスの中の酸素原子導入用の原料
ガスが、スパッターリングの場合にも有効なガスとして
使用され得る。 不発・明において、第一の非晶質層（１）　’ｉミグロ
ー電法で形成する際に使用される稀釈ガス或いはスパッ
ターリング法で形成される際に使用されるスパッターリ
ング用のガスとしては、所謂櫂ガス、例えばＨｅ　ｒ　
Ｎｅ　＋　Ａｒ等が好適なものとして挙げることが出来
る。 ／ ／ ／ ／′ ／ ／ ／ 第１図に示される光導電部材１００に於いては、第一の
非晶質層（Ｉ）　１０２上く形成される第二の非晶質層
（！［）　１０６は、自由表面１０７を有し、主に耐湿
性、連続繰り返し使用特性、耐圧性、使用環境特性、耐
久性に於いて本発明の目的を達成する為に設けられる。 又、本発明に於いては、第一の非晶質層（Ｉ）１０２と
第二の非晶質Ｗｉ　（ＩＩ）　１０６とを形成する非晶
質材料の各々がシリコン原子という共通の構成要素を有
しているので、積層界面に於いて化学的な安定性の確保
が充分酸されている。 第二の非晶質層（ＩＩ）は、シリコン原子と炭素原子と
で構成される非晶質材料（ａ−３ｉｘＣ１−、、但しｏ
＜ｘ＜ｉ）で形成される。 ａ−３ｉＸＣｔ−ｘで構成される第二の非晶質層（Ｉ［
）の形成はスパッターリング法、イオンインプランテー
ション法、イオンブレーティング法、エレクトロンビー
ム法等によって成される。これ等の製造法は、製造条件
、設備資本投下の負荷程度、製造規模、作製される光導
電部材に所望される特性等の要因によって適宜選択され
て採用されるが、所望する特性を有する光導電部材を製
造する為の作製条件の制御が比較的容易である、シリコ
ン原子と共に炭素原子を作製する非晶質層（ｎ）中に導
入するのが容易に行える等の利点からスパッタ　リング
法或いはエレクトロンビーム法、イオンブレーティング
法が好適に採用される。 スパッターリング法によって第二の非晶質層（ＩＩ）を
形成するには、単結晶又は多結晶のＳｉつニーバーとＣ
ウェーハー、又はＳｔとＣが混合されて含有されている
ウエーノ１−をターゲットとして、これ等を種々のガス
雰囲気中でスパッターリングすることによって行えば良
い。 例えば、Ｓｉウエーノ・−及びＣウエーノ飄−をターゲ
ットとして使用する場合には、Ｈｅ　、Ｎｅ　＋　Ａｒ
等のスパッターリング用のガスを、スノくツタ−用の堆
積室中に導入してガスプジズマを形成１〜、前記Ｓｔウ
ェーハー及びＣウェー／Ｓ−をスパッタ１）　７　ｐ″
“１１０“・　　　　　　　　、。 又、別には、ＳｔとＣの混合し７た一枚のターゲットを
使用することによって、スパッターリング用のガスを装
置系内に導入し、そのガス雰囲気中でスパッターリング
することによって成される。エレクトロンビーム法を用
いる場合には２個の蒸着ボート内に各々、単結晶又は多
結晶の高純度シリコン及び高純度グラファイトを入れ、
各々独立にエレクトロンビームによって同時蒸着するか
、又は同一蒸着ボート内に所望の混合比にして入れたシ
リコン及びブラフアイトラ継−のエレクトロンビームに
よって蒸着すればよい。第二の非晶質層（ｎ）中に含有
されるシリコン原子と炭素原子の含有比は前者の場合、
エレクトロンビームの加速電圧をシリコンとグラファイ
トに対して変化させることによって制御し、後者の場合
は、あらかじめシリコンとグラファイトの混合量を定め
ることによって制御する。イオンブレーティング法を用
いる場合は蒸着槽内に種々のガスを導入し、あらかじめ
槽の周囲に址いたコイルに高周波電界を印加してグ３グ 「ｔ−をおこ

【〜だ状態でエレクトロンビーム法を利用
してＳｌ及びＣを蒸着すればよい。 本発明に於ける第二の非晶質層ｆｌ）は、その要求され
る特性が所望通りに与えられる様に注意深く形成される
。 即ち、Ｓ＋、Ｃｆｒ：構成原子とする物質は、その作成
条件によって構造的には結晶からアモルファスまでの形
態を取り、電気物註的には導電性から半導体性、絶縁性
までの間の性質を、又光導電的性質から非光４電的性質
１での間の性質を、各々示すので、本発明に於いてＶＪ
］、目的に応じた所望の特性を有するａ　−８ｉ　ｘＣ
ｌ−エが形成される様に、所望に従ってその作成条件の
選択が厳密に成される。 例えば、第二の非晶質層（１■）を耐圧性の向上を主な
目的として設けるにはａ−８ｉ　ＸＣＩ−Ｘは使用環境
に於いて電気絶縁性的挙動の顕著な非晶質材料として作
成される。 又、連続繰り返し使用特性や使用環境特性の向上を主た
る目的として第二の非晶質層（ＩＩ）が設ｔ けられる場合には、上記の電気絶縁性の度合はある程度
緩和され、照射される光に対しである程度の感度を有す
る非晶質材料としてａ−３ｉＸＣ１−エが作成される。 第一の非晶質層（１）の表面にａ−８Ｉ　ＸＣｌ−アか
ら成る第二の非晶質層（ＩＩ）を形成する際、層形成中
の支持体篇度は、形成される層の１１９造及び特性を左
右する重要な因子であって、本発明に於いては、目的と
する・１４性を有するａ−８１）（Ｃ１−エが所望通り
に作成され得る様に層作成時の支持体温度が厳密に制御
されるのが望ましい。 本発明に於ける［ｉ的が効果的に達成される為の第二の
非晶質層（１■）を形成する際の支持体温度としては、
第二の非晶質層（ＩＩ）の形成法に併せて適宜最適範囲
が選択されて、第二の非晶質層（ＩＩ）の形成が行われ
るが、好適には２０〜３００℃、最適には２．０−２５
０　’Ｃとされるのが望ましいものである。 第二の非晶質層（ＩＩ）の形成には、層を構成する原子
の組成比の微妙な制御や層厚の制御が他の３≦ 方法に較べて比較的容易である事等の為に、スパッター
リング法やエレクトロンビーム法の採用が有利であるが
、これ等の層形成法で第二の非晶質層（ＩＩ）を形成す
る場合には、前記の支持体温度と同様に層形成の際の放
電パワーが作成されるａ　−Ｓ　ｉ　ＸＣｔ−エの特性
を左右する重要々因子の１つとして挙げることが出来る
。 本発明に於ける目的が達成される為の特性を有するａ−
８ｉｚＣ＋−８が生産性良く効果的に作成される為の放
電パワー条件としては、好適には５０Ｗ〜２５０Ｗ、最
適にはＳＯＷ〜１５０Ｗとされるのが望ましい。 本発明に於いては、第二の非晶質層（ＩＩ）を作成する
為の支持体温度、放電、パワーの望ましい数値範囲とし
て前記した範囲の値が挙げられるが、これ等の層作成フ
ァクターは、独立的に別々に決められるものではなく、
所望特性のａ−８ｔ、（Ｃ１−Ｘから成る第二の非晶質
層（Ｉｆ）が形成される様に相互的有機的関連性に基い
て各作成ファクターの最適値が決められるのが望ましい
。 Ｚ 本発明の光導電部材に於ける第二の非晶質層（ＩＩ）に
含有される炭素原子の量は、第二の非晶質層（ＩＩ）の
作製条件と同様本発明の目的を達成する所望の特性が得
られる層が形成される重要な因子である。 本発明に於ける第二の非晶質層（Ｈ）に含有される炭素
原子の量は、シリコン原子と炭素原子の和に対して通常
と１７でに士、Ｉ　Ｘ　１０−３〜９０　ａｔｏｍｉｃ
チ、好適には１〜８０　ａｔｏｍｉｃ先最適には１０〜
７５　ａｔｏｍｉｃ　％とされるのが望ましいものであ
る。 即ち、先のａ−８ｉｚＣ＋−エのＸの表示で行えば、Ｘ
が通常は０１〜０．９９９９’ｌ、好適には０．２〜０
．９９゜最適には０．２５〜０．９である。 本発明に於ける第二の非晶質層（ｎ）の層厚の数値範囲
は、本発明の目的を効果的に達成する様に所期の目的に
応じて適宜所望に従って決められる。 又、第二の非晶質層（１１）の層厚は、該層（ｎ）中に
含有される炭素原子の量や第一の非晶質層（Ｉ）の層厚
との関係に於いても、各々の層領域に要求３？ される特性に応じた有機的な関連性の下に所望に従−）
て適宜決定される必要がある、Ｗに加え得るに、生産性
や…・産性を加味した紅済性の点に於いても考慮される
のが望ましい。 本発明に於ける第二の非晶質層（■）の層厚としては、
通常０００３〜３０μ、好適には０００４〜２０μ、最
適には０．００５〜１０　ｔｔとされるのが望ましいも
のである。 本発明において使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性であっても良い。導電性支持体と１７では、
例えば、ＮｉＣｒ、ステンレス。 Ａｌ−Ｃｒ、　ＭＯ，Ａ１１Ｉ　Ｎ′ｂ、Ｔａ、　ｖ、
　Ｔ’＋　＋　Ｐｔ＋　Ｐｄ等の金属又はこれ等の合金
が挙げられる。 電気絶縁性支持体としては、ポリエステル。 ポリエチレン、ポリカーボネート、セルローズアセテー
ト、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル。 ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等の合
成樹脂のフィルム又はシート、ガラ′へ。 セラミック、紙等が通常使用される。これ等の電気絶縁
性支持体は、好適には少々くともその２ 一方の表面を導電処理され、該導電処理された表面側に
他の層が設けられるのが望ましい。 例えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｉＣｒ。 Ａｌ、　Ｃｒ、　ＮＴｏ＋　、Ａｕ、　Ｉｒ＋　Ｎｂ、
　Ｔａ、　Ｖ、　Ｔｉｔ　Ｐｔ、　Ｐｄ＋Ｉｎ２Ｏ３＋
　５ｎＯ２ｒ　ＩＴＯ（Ｉｎ２Ｏ５＋　５ｎＯｚ　）等
から成る薄膜を設けることによって導電性が付与され、
或いはポリエステルフィルム等の合成樹脂フィルムであ
れば、ＮｉＣｒ、　ｋｌ＋　Ａｇ＋　ｐｂ、　Ｚｎ、　
Ｎｉ＋　Ａｕ。 Ｃｒ、　Ｍｏ、　Ｉｒ、　Ｎｂ＋　Ｔａ、　Ｖ、　ＴＬ
　Ｐｔ等の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、ス
パッタリング等でその表面に設け、又は前記金属でその
表面をラミネート処理して、その表面に導電性が付与さ
れる。支持体の形状と［〜てば、円筒状、ベルト状、板
状等任意の形状とし得、所望によって、その形状は決定
されるが、例えば　第１図の光導電、部材１００を電子
写真用像形成部材として使用するのであれば連続高速複
写の場合に□１で１ け、無端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。支持
体の厚さは、所望通りの光導電部材が形成される様に適
宜決定されるが、光導電部材りＯ として可撓性が要求される場合には、支持体としての機
能が充分発揮される範囲内であれば可能々限り薄くされ
る。百年ら、この様な場合支持体の製造上及び取扱い上
、機械的強度等の点から、通常は、１０μ以上とされる
。 次に本発明の光導電部材の製造方法Ｖこついて説明する
。 第１１図に光導電部材の製造装置の一例を示す。 図中の１１０２〜１１０６のガスボンベには、本発明の
夫々の層領域を形成するための原料ガスが密封されてお
り、その１例としてたとえば１１０２１ｄ、Ｈｅで稀釈
されだ５ｉＨＬ（純度９９．９９９係、以下ＳｉＨ４／
’Ｈｅと略す。）ボンベ、１１ｏ３はＨｅで稀釈された
Ｂ　２　Ｈ６ガス（純度９９．９９９％。 以下Ｂ２’Ｈ６／Ｈｅ　と略す。）、１１０４はＨｅで
稀釈された５ｉ２Ｈｓガス（純度９９．９９チ、以下Ｓ
　ｉ　ｚＨｓ　／Ｈｅと略す。）ボンベ、１１０５けＮ
ｏガス（純度９９．９９９％）、１１０６ｉｄＨｅで稀
釈されたＳｉＦ’＜ガス（純度９９．９９９％、以下Ｓ
　ｉ　Ｆ４／　Ｈｅ　と略す。）ボｑ／ ンベである。 これらのガスを反応室１１０１に流入させるにはガスボ
ンベ１１０２〜１１０６のバルブ、１１２２〜１１２６
．ＩＪ−クバルブ１１３５が閉じられていることを確認
し、又、流入バルブ１１１２〜１１１６　。 流出バルブ１１１７〜１１２１　、補助バルブ１１３２
゜１１３３が開かれていることを確認して先づメインバ
ルブ１１３４を開いて反応室１１０１、ガス配管内を排
気する。次に真空計１１３６の読みが約５×１０　”−
６ｔｏｒｒ　　になった時点で補助パルプ１１３２　。 １１３３、流出バルブ１１１７〜１１２１を閉じる。 次にシリンダー状基体１１３７上に第１図に示す層構成
の光導電部材を形成する場合の１例をあげると、ガスボ
ンベ１１０２よりＳｉＨ４／）（６ガス、ガスボンベ１
１０３よりＢ　２　Ｈ６／Ｈｅガスを、ガスボンベ１１
０５よりＮｏガスを夫々バルブ１１２２゜１１２３．１
１２５を開いて出口圧ゲージ１１２７゜１１２８．１．
１３０の圧を夫々１　吟／　ａｒｔに調整し、流入バル
ブ１１１２，１１１３．１１１５を夫々徐々ニ開ケて、
マスフロコントローラ１１０７．１１０８ω２ １１１０内に夫々流入させる。引き続いて流出バルブ１
１１７．１１１８．１１２０補助バルブ１１３２を徐々
に開いて夫々のガスを反応室１１ｏ１に流入させる。こ
のと六のＳｉＨ４／Ｈｅガス流量とＢ２Ｈ６／Ｈｅガス
流量、　ＮＯガス流量との比が所望の値になるように流
出バルブ１１１７，１１１８．１１２０を調整し、又、
反応室内の圧力が所望の値になるように真空計１１３６
の読みを見ながらメインパルプ１１３４の開口を調整す
る。そして基体シリンダー１１３７の温度が加熱ヒータ
ー１１３８により５０〜４００℃の範囲の温度に設定さ
れていることを確認さねた後、電源１１４０を所望の電
力・に設定して反応室１１０１内にグロー放電を生起さ
せ、同時にあらかじめ設計された変化率曲線に従ってＢ
２Ｈ６／Ｈｅガスの流量を手動あるいは外部駆動モータ
等の方法によってバルブ１１１８’ｉ漸次変化させる操
作を行なって形成される層中に含有される硼素原子の層
厚方向の分布濃度を制御する。 上記の様ｅこして、所望層厚に硼素原子と酸素的 原子の含有された層領域（Ｂ、Ｏ）が形成された時点で
、流出バルブ１１２０を閉じ、反応室１１０１内へのＮ
ｏガスの流入を遮断する以外は、同条件にて引続き層形
成を行うことによって酸素原子は含有され珍いが、硼素
原子は含有されている層領域田）を層領域（Ｂ、Ｏ）上
に所望の層厚に形成する。この様にして、所望特性の第
一の非晶質層（１）を基体上に形成することが出来る。 硼素原子の含有される層領域（ト）は、第一の非晶質層
（１）の形成過程に於いて、適当な時点で、Ｂ２Ｈａ／
Ｈｅガスの反応室１１０１内への流入を断つことによっ
て、所望層厚に形成することが出来該層領域（２）が第
一の非晶質層（Ｉ）の全層領域を占める場合や一部を占
める場合のいずれも実現できる。 例えば、上記の例に於いては、層領域（Ｂ）を所望層厚
に形成した時点で、Ｂ２Ｈａ／Ｈｅガスの反応室１１０
１内への流入を流出バルブ１１１８を完全　　　　□に
閉じることによって断つこと以外は、同条件で引続き層
形成を行うことで、層領域（Ｂ）上に硼なグ 素原子及び酸素原子のいずれも含有されてないｒＶ４領
域を第一の非晶質層（Ｄの一部として形成することが出
来る。 又、硼素原子は含有さｆ′１４−いが酸素原子は含有さ
れる層領域を形成する場合には、例えばＮ。 ガスとＳｉＨ４／Ｈｅガスを使用して層形成すれば良い
。 第一の非晶質層（１）中にハロゲン原子を含有させる場
合には上記のガスにたとえばＳｉＦ４／Ｈｅを、更に付
加して反応室】１０１内に送り込む。 第一の非晶質層（Ｉ）上に第二の非晶質Ｉ！１（Ｉｆ）
を形成するには、例えば、次の様に行う。まずシャツｌ
−１１４２を開く。すべてのガス（ｌパル７”は一旦閉
じられ、反応室１１０１け、メインパルプ１１　：（４
を全開することにより、排気される。 高圧電力が印加される電極１１４１上には、予め高純度
シリコンウェハ１１４２−１．及び高純度グラファイト
ウェハ１１．４２−２が所望の面積比率で設置されたタ
ーゲットを設けておく。予めＳｉＦ４／Ｈｅガスの代り
にＡｒガスを充填しておいば たガスボンベ１１０５より、Ａｒガスを、反応室１１０
１内に導入１２、反応室１１ｏ１の内圧が０．（１５〜
１　ｔｏｒｒとなるようメインパルプ１１３４ｔ−Ｍｌ
ｉする。高圧電源１１　ｌｉ　ＯをＯＮとし前記のター
ゲットをスパッタリングすることにより、第一の非晶質
層（１）上に第二の非晶質層（［）を形成することが出
来る。 第二の非晶質Ｍ　（ＩＩ）中に含有される炭素原子の量
は、シリコンウェハ１１４２−１　とグラファイトウェ
ハ１１４２−２のスパッター面積比率や、ターゲラトラ
作成する際のシリコン粉末とグラファイト粉末の混合比
を所望に従って調整することによって所望に応じて制御
することが出来る。 夫々の層を形成する際に必要なガス以外の流出バルブは
全て閉じることは言うまでもなく、又、夫々の層を形成
する際、前層の形成に使用したガスが反応室１１０１内
、流出バルブ１１１７〜１１２１から反応室１１０１内
に至る配管内に残留することを避けるために、流出バル
ブ１１１７にに 〜１１２１を閉じ補助バルブＩＪ３２を開いてメインパ
ルプ１１３４を全開して系内Ｃｒ−ＪＥＩ−高真空に排
気する操作を必要に応じて行う。 ／ ／ ／ 実施例１ 第１１図に示［７だ製造装置を用い、非晶質層（■）内
で第１２図に示すよりなり及び０の濃度分布をもつ像形
成部材を、第１表の条件下で作成した。 こうして得られた像形成部材を帯電露光現像装置に設置
し、■５ＫＶで０．２　ｓｅｃ間コロナ帯電を行い直ち
に光像を照射した。光源はタングステンランプを用い、
１．、　Ｑ　ｌｕｘ、ｓｅｃの光量を、透過型のテスト
チャートを用いて照射した。 その後直ちに（→荷電性の現像剤（トナーとキャリヤを
含む）を部材表面をカスケードすることによって、部材
表面上に良好なトナー画像を得た。 このようにして葡られたトナー像を、一旦ゴブ′ ノ、文レードでクリーニングし、再び上記作像クリーニ
ング工程を繰り返した。Ｋ、・≠り返し回数１５万回以
上行っても、画像の劣化は見られな実施例２ 第１１図に示した製造装置を用い、非晶質層（Ｉ）内で
第１３図に示すよりなり及びＯの濃度分布をもつ像形成
部材を、第２表の条件下で作成した。 こうして得られた像形成部材を帯電露光現像装置に設置
し、■５Ｋｖで０．２　ｓｅｃ間コロナ帯電を行い直ち
に光像を照射した。光源はタングステンランプを用い、
１．’　Ｏ＃ｕｘ、ｓｅｃの光量を、透過型のテストチ
ャートを用いて照射した。 その後直ちにＯ荷電性の現像剤（トナーとキャリヤを含
む）を部材表面をカスケードすることによって、部材表
面上に良好なトナー画像を得た。 このようにして得られたトナー像を、−此ゴムブｉ／−
ドでクリーニング（−１再び上記作像クリーニング工程
を繰り返した。繰り返し回数１５万回以上行っても、画
像の劣化は卵１られなかった。 ｔρ 実施例３ 第２図に示した製造装置を用い、非晶質層（１）内で第
１４図に示すよりなり及びＯの濃度分布をもつ像形成部
材を、第３表の条件下で作成した。 こうして得られた像形成部材を帯電露光現像装置に設置
１〜、■５ＫＶで０．２　ｓｅｃ間コロナ帯電を行い直
ちに光像を照射した。光源はタングステンランプを用い
、１．０　Ａｕｘ、ｓｅｃの光量を、透過型のテストチ
ャートを用いて照射した。 その後直ちにＯ荷電性の現像剤（トナーとキャリヤを含
む）を部材表面をカスケードすることによって、部材表
面上に良好なトナー画像を得た。 このようにして得られたトナー像を、−ハゴブ ムダレードでクリーニングし、再び上記作像クリーニン
グエ稈を繰ゆ返した。繰り返し回数１５万回以上行って
も、画像の劣化は見られな　　　□かった。 衣 実施例４ Ｂ２Ｈ６の流量を変化させて、非晶質層（１）内で、第
１５図から第２０図に示すような硼素の濃度分布を持つ
像形成部材を作成した。その他の条件及び評価法につい
ては実施例１と全く同様に行い、下表の如き結果を得た
。 搾 第　　４　　表 ０　画像欠陥なく高画質 Ｏ画像欠陥なく、電着性非常に良好 ｔ 実施例５ ＮＯの流量を変化させて、非晶質層（Ｉ）内での酸素の
含有量を変える以外は実施例１と全く同様の方法で像形
成部材を作成し、実施例１と同様の方法で評価を行った
ところ、下表の如き結果を得た。 ゴ 第５表 ■　非常に良好 ７ 実施例６ 非晶質層（１）の厚さを２０μとし第１層領域の厚さを
変える以外は、実施例２と全く同様の方法で像形成部材
を作成し、同様の評価を行ったところ、下表の如き結果
を得た。 〃 第６表 Ｏ，Ｊ￥常に良好 ２ 実施例７ 非晶質Ｆｆ＆　（ＩＩ）の形成時、シリコンウェハとグ
ラファイトの面積比を変えて、非晶質層（ＩＩ）に於け
るシリコン原子と炭素原子の含有量比を変化させる以外
は、実施例１と全く同様な方法によって像形成部材を作
成した。こうして得られた像形成部材につき、実施例１
に述べた如き、作像。 現像、クリーニングの工程を約５万回繰り返した後画像
評価を行ったところ第７表の如き結果どＯ ど／ 実施例８ 非晶質層（「）の層厚を変える以外は、実施例１と全く
同様な方法によって像形成部材を作成した。実施例１に
述べた如き、作像、現像、クリーニングの工程を繰り返
し下記の結果を得た。 にＺ 第　　８　　表 １３ 実施例９ 非晶質層（Ｉ）の層形成方法を下表の如く変える以外は
実施例１と同様な方法で層形成を行い、評価をしたとこ
ろ良好な結果が得られた。 μ

【図面の簡単な説明】

坑１図は、本発明の光導電部材の層構成を説有する層領
域課の第■族原子の分布状態を説明図は夫々本発明の実
施例に於ける硼素原子と酸素原子の分布状態を示す説明
図である。 １、００　　・・・光導電部材 １０１　・・・支持体 １０２　・・・第一の非晶質層（１） １０３　・・・第一の層領域０） １０４　・・・第二の層領域（２） １０５　　・・・上部層領域 １０６　・・・第二の非晶質層（ｎ） １０７　・・・　自由表面 Ｃ 層／！ａｃｐＪ ノｔＮと［（／ｌｈツ ノ曽戸に・」、Ｃ〕・ノ 第１頁の続き ■発　明　者　大里陽− 東京都大田区下丸子３丁目３０番 ２号キャノン株式会社内 ０発　明　者　白井茂 東京都大田区下丸子３丁目３０番 ２号キャノン株式会社内

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）　　光導電部材用の支持体と、シリコン原子を母
   体とする非晶質材料で構成された、光導電性を有する第
   一の非晶質層と、シリコン原子と炭素原子とを含む非晶
   質材料で構成された第二の非晶質層とを有し前記第一の
   非晶質層が、構成原子として酸素原子を含有する第１の
   層領域と、層厚方向に連続的で且つ前記支持体側の方に
   多く分布する分布状態で、構成原子として周期律表第■
   族に属する原子を含有する第２の層領域とを有し、前記
   第１の層領域は、前記第一の非晶質層の支持体側に内在
   していることを特徴とする光導電部拐。
2. （２）第１の層領域と第２の層領域とが少なくともその
   一部を共有している特許請求の範囲第１項に記載の光導
   電部材。
3. （３）第２の層領域が第一の非晶質層の全層領域を実質
   的に占めている特許請求の範囲第１項に記載の光導電部
   材。