JPS58149050A - 光導電部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光線、可視光
線、赤外光線、Ｘ線、ｒ線等を示す）の様な電磁波に感
受性のある光導電部材に関する。

固体撮像装置、或いは像形成分野における電子写真用像
形成部材や原稿読取装置における光導電層を形成する光
導電材料としては、高感度で、ＳＮ比〔光電流（Ｉｐ）
／暗電流（Ｉｄ）’：］が高く照射する電磁波のスペク
トル特性にマツチングした吸収スペクトル特性を有する
こと、光応答性が速く、所邊の暗抵抗値を有すること、
使用時において人体に対して無公害であること、更には
固体撮像装置においては、残像を所定時間内に容易に処
理することができること等の特性が要求される。殊に、
事務機としてオフィスで使用される電子写真装置内に組
込まれる電子写真用像形成部材の場合には、上記の使用
時における無公害性は重要な点である。

この様な点に立脚して最近注目されている光導電材料に
アモルファスシリコン（以後ａ−８ｔと表記す）があり
、例えば、独国公開第２７４６９６７号公報、同第２８
５５７１８号公報には電子写真用像形成部材として、独
国公開第２９３３４１１号公報には光電変換読取装置へ
の応用が記載さねている。

面乍ら、従来のａ−８ｔで構成された光導電層を有する
光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答性等の電気的
、光学的、光導電的特性、及び使用環境特性の点、更に
は経時的安定性及び耐久性の点において、各々、個々に
は特性の向上が計られているが総合的な特性向上を計る
上で更に改良される余地が存するのが実情である。

−］えば、電子写真用像形成部材として使用［７た場合
、暗部において、支持体側よりの電荷の注入の阻止が充
分でないこと、耐圧性や繰返し連続使用に対する耐久性
に問題がなくもないこと、或いは、転与紙に転写された
画像に俗に［白ヌケＪと呼ばれる、局所的な放電破壊現
象によると思われる画像欠陥や、例えば、クリーニング
に、ブレードを用いるとその摺擦によると思われる、俗
に「白スジ」と言われている所謂画像欠陥が生じたりし
ていた、又、多湿雰囲気中で使用ｊまたり、或いは多湿
雰囲気中に長時開放６　　　置した直後に使用すると俗
に云う画像のボケが生ずる場合が少なくなかった。

（には、層厚が十数μ以Ｈになると層形成用の真空堆積
室よね取り出した後、空気中での放置時間の経過と共に
、支持体表面からの層の浮きや剥離、或いは層に亀裂が
生ずる等の現象を引起し勝ちであった。この現象は、殊
に支持体が通常、電子写真分野に於いて使用されている
ドラム状支持体の場合に多く起る等、経時的安定性の点
に於いて解決される可き点がある。

従ってａ−８ｔ材料そのものの特性改良がＭｔられる一
方で光導電部材を設計する際に、上記した様な問題の総
てが解決される様に工夫される必要がある。

本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ−８ｉに
就て電子写真用像形成部材や固体撮像装置、読取装置等
に使用される光導電部材としての適用性とその応用性と
いう観点から総括的に鋭意研究検討を続けた結果、シリ
コン原子を母体と１１、水素原子（Ｈ）又はハロゲン原
子（Ｘ）のいずれか一方を少なくとも含有するアモルフ
ァス材料、所謂水素化アモルファスシリコン、ハロゲン
化アモルファスシリコン、或いはハロゲン含有水素化ア
ーｅルファス／リコン〔以後これ等の総称的表記として
ｒａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）Ｊを使用する〕から構成される光
導電層を有する光導電部材の層構成を以後に説明される
様な特定化のドに設計されて作成された光導電部材は実
用上者しく優れた特性を示すばかりでなく、従来の光導
電部材と較べて春でもあらゆる点において凌駕している
こと、殊に電子写真用の光導電部材として着しく優れた
特性を有していることを見出した点に基づいている。

本発明は、繰返し使用に際しても劣化現象を起さず耐久
性に優れ、又、耐圧性にも優れた光導電部材を提供する
ことを主たる目的とする。

本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層と支持体
との間や積層される層の各層間に於ける密着性に優れ、
構造配列的に緻密で安定的であり、層品質の高い光導電
部材を提供することである。

本発明の他の目的は、電子写真用像形成部材として適用
された場合、静電像形成のだめの帯電処理の際の電荷保
持能力が充分あり、通常の’ｉｌｌ写真法が極めて有効
に適用され得る優れ九′−子写真特性を有する光導電部
材を提供することである３、 本発明の恍導電部材は、光導電部材用、７）支持体と、
シリコン原子を母体と１７、構成原子と（７て・・ロゲ
ン原子と、３０　ａｔｏｍｉｃ壬までの窒素原子を含有
する非晶質材料で構成された補助層とシリコン原子を母
体とし、周期律表第纏族に属する原子を構成原子として
含有する非晶質材料で構成された電荷注入防止層と、シ
リコン原子を母体とする非晶質材料で構成され、光導電
性を示す非晶質層と、を有する事を特徴とする。

上記した様な層構成を取る様にして設計された本発明の
光導電部材は、前記１７た諸問題の総てを解決し得、極
めて優れた耐久性、耐圧性及び使用環境特性を示−ｔｏ 殊に、電子写真用像形成部材と［２て適用させた場合に
は、その電気的特性が安定しており耐光疲労、繰返し使
用特性に長け、高品質の画偉を安定して繰返し得ること
ができる。

又、本発明の光導電部材は支持体上に形成される非晶質
層が、層自体が強靭であって、且つ支持体との密着性に
著しく優れてお９、高速で長時間連続的に繰返し使用す
ることが出来る１、以下、図面に従って、本発明の光導
電部材に就て＃細に説明する。

第１図は、本発明の第１の実施態様例の光導電部材の層
構成を説明するために模式的に示した模式的構成図であ
る。

第１図に示す光導電部材００は、光導電部材用と［７て
の支持体１０１の、トに、シリコン原子を母体とし、構
成原子としてハロゲン原子と、窒素原子を３０　ａｔｏ
ｍｊｃ％未満含む非晶質材料で構成された補助層１０２
．電荷注入防止層１０３．光導電性を有する非晶質層１
０４を具備し、非晶質層１０４は自由表面１０６を有し
ている。

補助層１０２　Ｖｉ、王に、支持体１０１と電荷注入防
止層１０３との間の密着性を計る目的の為に設けられ、
支持体１０１と電荷注入防止層１０３の両方と親和性が
ある様に、後述する材質で構成される。

電荷注入防止層１０３は、支持体１０１側よね非晶質層
１０４中へ電荷が注入されるのを効果的に防止する機能
を主に有する。

非晶質層１０４は、感受性の光の照射を受けて該層１０
４中でフォトキャリアを発生し、所定方向に該フォトキ
ャリアを輸送する機能を有する。

本発明に於ける補助層は、シリコン原子（Ｓｉ）を母体
とし、構成原子として、窒素原子（Ｎ）とハロゲン原子
（Ｘ）と、必要に応じて水素原子（Ｈ）とをき有１〜、
窒素原子（Ｎ）の含有ｔ　Ｃ（Ｎ）が３０ａｔｏｍｉｃ
％未満である非晶質材料（以後、ｒａ−（ＳｉａＮ　１
−ａ）ｂ（Ｈ，ｘ）　ｔ−ｂＪと記す。但し、α６〈ａ
。

０．８≦ｂ）で構成される。

ａ−（ＳｉａＮｓ−ａ）ｂ（Ｈ，Ｘ）ｌ−５で構成され
る補助層の形成はグロー放電法、スパッターリング法ン
、イオンインプランテーション法、イオンプレーティノ
ブ法、エレクトロンビーム法等によって成される。これ
等の製造法ケよ、製造条件、設備輸率投下の負荷程度、
製造規模、作製される光導電部材に所望される特性等の
要因によって適宜選択されて採用されるが、所望する特
性を有する光導電部材を製造する為の作製条件の制御が
比較的容易である。シリコン原子と共に窒素原子及びハ
ロゲン原子を、作製する補助層中に導入するのが容易に
行える等の利点からグロー放龜法或いはスパッターリン
グ法が好適に採用される。

更に、本発明に於いては、グロー放電法とスパッターリ
ング法とを１ｒｊｊ−装置系内で併用して補助Ｊ―を形
成（、でも良い。

グロー放電法によって補助層を形成するにはａ−（Ｓｉ
ａＮ　＋−ａ）ｂ（Ｈ，Ｘ）　＋−ｂ形成用の原料ガス
を、必要に応じて稀釈ガスと所定−の混合比で混合して
、支持体の設置しである真空堆積用の堆積室に導入し、
導入されたガスガ囲気中に、グロー放電を生起させるこ
とでガスプラズマ化してＩＩＩ記支持体上にａ−（Ｓｉ
ａＮ　＋−ａ）ｂ（＋ｆ、Ｘ）　Ｉ−ｂを堆積させれば
良い。

本発明に於いて、ａ−（ＳｉａＮ　＋−ａ）ｂ（Ｈ，Ｘ
）　１−ｂ　　形成用の原料ガスとしては、Ｓｉ、Ｎ、
Ｘの中の少なくとも１つを構成原子とするガス状の物質
又はガス化し得る物質をガス化したものの中の大概のも
のが使用Ａｔ′Ｌ得る。

Ｓｉ、Ｎ、Ｘ　の中の１つとし２てＳｒを構成原子とす
る原料１）スを使用する場廿は、例えば、Ｓｉを構成原
子とする原料ガスと、Ｎを構成原子とする原料ガスと、
Ｘを構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合し
て１史川するか、又は、Ｓｉを構成原子とする原料ガス
と、Ｎ及びＸを構成原子とする原料ガスとを、これも又
所望の混合比で混合して使用することが出来る。

父、別には、ＳｉとＸとを構成原子とする原料ガスにＮ
を構成原子とする原料ガスを混合して使用しても良い。

本発明に於いて、ハロゲン原子Ｘとして好適なのけ、Ｆ
、　Ｃ１，Ｂｒ、　Ｉであり、殊にに；’、ＣＩが望ま
しいものである。

本発明に於いて、補助層は　シリコン原子と窒素原子と
ハロゲン原子とを含む非晶質材料で構成されるものであ
るが、前述した様に補助層には更に水素原子を含有させ
ることが出来る。

補助１−への水素原子の含有は、電荷注入防上ｌ−や非
晶質層との連続層形成の際に原料ガス種の一部共通化を
８計ることが出来るので生産コスト而の上で好都合であ
る。

本発明に紛い−Ｃ１補助層を形成するのに有効に使用さ
れる原料ガスと成り得る出発物質として１ｔ１常温常圧
に於いてガス状態のもの又は容易にガス化し得る物質を
挙げることが出来る。

この様な補助層形成用の出発物質としては、例えば、窒
素、窒化物、弗素化窒素及びアジ化物等の窒素化合物、
ハロゲン単体、ハロゲン化水素、ハロゲン間化合物、ハ
ロゲン化硅素、ハロゲン置換水素化硅素、水素化硅素等
を挙げる事が出来る 具体的には、窒素（Ｎ２）、窒素化合物としてはアンモ
ニア（ＮＨａ）、ヒドラジン（Ｈｚ　ＮＮＨ２’）　、
三弗化窒素（ＦｉＮ）、四弗化窒素（Ｆ　ａＮ　ｚ）、
アジ化水素（ＨＮ　ｓ）、アジ化アンモニウム（ＮＨ４
Ｎ　ｓ　）　　等、ノ・ロゲン単体としては、フッ素、
塩素、臭素、ヨウ素のハロゲンガス、ハロゲン化水素と
しては、ＦＨ，Ｈｌ、ＨＣｊ、ＨＢｒ、ハロゲン化水素
としては、Ｂ　ｒ　ｈ”　Ｔ　Ｃｊ　Ｆ　＋　ｅｊＦ　
ｓ　ｔ　ＣＪＦ　ｓ　＋　ＢｒＦ　ｓ　＋　ＢｒＦ　ｓ
　＊　ＩＰ”　ｙ　＋ＩＦ　５　、　ＩＣｊ　、　ＩＢ
ｒ、ハロゲン化水素としてはＳｉＦ４゜Ｓｉ　２Ｆ　ｇ
　、　５ｉＣｊ　４１５ｉＣｊ　ｓＢｒ　、　５ｉＣｊ
　ｔＢｒ　ｘ　＋　５ｉＣｊＢｒ　３゜５ｉＣｊ３Ｉ　
、ＳｉＢｒ４、ハロゲン置換水素化硅素としては、５ｉ
ＨｎＦｚ。ＳｉＨ工ｄ１宜、　５ｉＨＣｊ　ｓ　、　Ｓ
ｉＨｉｔ。

ＳｉＨｓＢｒ　、　ＳｉＨｘＢｒ　ｚ　＊　５ｉＨＢｒ
　ｓ水素化硅素としては、ＳｉＨ４，ｓｉ　ｚＨ鳴、Ｓ
ｔ　３Ｈｓ　、Ｓｉ　４Ｈ１１１等のシラン（５ｉｊａ
ｎｅ）類、等々を挙げることが出来る。

これ等の補助層形成用の出発物質ｅｔ１形成される補助
層中に、所定の組成比でシリコン原子。

窒素原子及びハロゲン原子と、必要に応じて水素原子と
が含有される様に、補助層形成の際に所望に従って選択
されて使用される。

例えば、シリコン原子と水素原子との含有が容易に成し
得て且つ所望の特性の補助層が形成され得るＳｉＨ４や
５ｉｚＨ６と窒素原子を含有させるものとしてのＮ！又
はＮＨ３と７・ロゲン原子を含有させるものとしてのＳ
ｉＦ　４　＋　ＳｉＨ２馬、５ｉＨＣｊ！ｓ。

５ｉＣＪ　ａ　、ＳｉＨｚｃ４　ｇ　＋或いはＳｉＨｍ
ＣＪｌ　等を所定の混合比でガス状態で補助層形成用の
装置系内に導入してグロー放電を生起させることによっ
て補助層を形成することが出来る。

或いは、形成される補助１ｍにシリコン原子とハロゲン
原子とを含有させることが出来るＳｉＦ４等と窒素原子
を含有させるものとしてのＮ２等を所定の混合比で、必
要に応じてＨｅ、　Ｎｅ、Ａｒ等の稀ガスと共に中間層
形成用の装置系内に導入してグロー放電を生起させて、
補助層を形成することも出来る。

スパッターリング法によって補助層を形成するには、高
純度単結晶又は多結昌のＳｉウエーノ・−又は５１ｍＮ
４ウエーハー又はＳｔと５ｉｌＮ４が混合されて形成さ
れたウェーハーをターゲットとして、これ等をハロゲン
原子と必要に応じて水素原子を構成要素として含む種々
のガス雰囲気中でスパッターリングすることに【って行
なえば良い。

例えば、Ｓｉウェーハーをターゲットとして使用すれば
、ＮとＸを導入する為の原料カスを、必要に応じて稀釈
ガスで稀釈し、て、スパッター用の堆積室中に導入し、
これ等のガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｉウェー
ハーをスパッターリングすれば良い。

父、別には、Ｓｔと５ｉｉＮ４とは別々のターゲットと
して、又はｓｌ゛とＳｉ３Ｎ４の混合して形成し、た一
枚のターゲットを使用することによって少なくともハロ
ゲン原子を含有するガス雰囲気中でスパッターリングす
ることによって成される。Ｎ及びＸ１必要に応じてＨの
導入用の原料ガスとなる物質としては先述したグロー放
電の例で示した補助層形成用の出発物質がスパッターリ
ング法の場合にも有効な物質として使用され得る。

本発明に於いて、補助層をグロー放電法又はスパッター
リング法で形成する際に使用される椀釈ガスとしては、
所謂１稀カス、例えばＨｅ　。

Ｎｅ、Ａｒ等が好適なものとして挙げることが出来る。

本発明の補助層を構成するａ−（ＳｉａＮ　１−ａ）ｂ
（Ｈ。

Ｘ）　＋−ｂは、補助層の機能が、支持体と電荷注入防
止層との間の密着を強固にし、加えてそれ等の間に於け
る電気的接触性を均一にするものであるから、補助層に
要求される特性が所望曲りに与えられる様に、その作成
条件の選択が厳密に成されて注意深く形成される。

本発明の目的に１した特性を有するａ−（ＳｉａＮ　ｔ
−＊　）ｂ　（Ｈ，Ｘ）　１−ｂが作成される為の作成
条件の中の重要な要素として、作成時の支持体温度を挙
げる事が出来る。

即ち、支持体の表面にａ−（ＳｉａＮ　＋−ａ）ｂ（Ｈ
，Ｘ）　Ｉ−ｂからなる補助層を形成する際、層形成中
の支持体温度は、形成される層の構造及び特性を左３）
　　　右する重要な因子であって、本発明に於いては、
目的とする特性を有するａ−（ＳｉａＮ　１−ａ）ｂ（
）（、Ｘ）　ｔ−ｂが所望曲りに作成され得る様に層作
成時の支持体温度が厳密に制御される。

本発明に於ける、所望の目的が効果的に達成される為の
補助層を形成する際の支持体温度ととしては、補助層の
形成法に併せて適宜最適範囲が選択され↑、補助層の形
成が実行されるが、通常の場合、５０〜３５０℃、好適
には１００〜２５０℃とされるのが望ましいものである
。補助層の形成には、同一系内で補助層から電荷注入防
止層、非晶質層、史には必要に応じて非晶質層上に形成
される他の／ｉｉまで連続的に形成することが出来る事
、各層を構成する原子の組成比の微妙な制御や層厚の制
御が他の方法に較べて比較的容易である事等の為に、グ
ロー放電法やスパッターリング法の採用が有利であるが
、これ衿の層形成法で補助層を形成する場合には、前記
の支持体温度と同様に層形成の際の放４　パワー及びガ
ス圧が作成されるａ−（ＳｉａＮ　１−ａ）ｂ（Ｈ，Ｘ
）　ｒｂの特性を左右する重要な因子として挙げること
が出来る。

本発明に於ける目的が達成される為の特性を有するａ−
（ＳｉａＮ　＋−ａ）ｂ（ルＸ）　ｒｂが生産性良く効
果的に作成される為の放電パワー条件としては、通常１
〜３００Ｗ、好適には２〜１００Ｗである。

堆積室内のガス圧はグロー放電法にて層形成を竹う場合
に於いて通常０．０１〜５Ｔｏｒｒ＋好適には０．１〜
０．５Ｔｏｒｒ程度に、スパッタリング法にて層形成を
行う場合に於いては、通常Ｉ　Ｘ　１０−３〜５　Ｘ　
１０　　Ｔｏｒｒ、好適には８ｘｌＯ−”　〜３ｘ１０
−”　Ｔｏｒｒ程度とされるのが望ましい。

本発明の光導電部材に於ける補助層に含有される窒素原
子及びハロゲン原子の量は、補助層の作製条件と同様本
発明の目的を達成する）ｆｒ望の特性が得られる補助層
が形成される為の重要な因子である。

本発明に於ける補助層に含有される窒素原子の１ｔＣ（
Ｎ）は、通常は、前記した値の範囲とされるが、ａｔｏ
ｍｉｃ優で表示すれば、好適にけｌＸｌ０−３≦Ｃ（Ｎ
）＜　３０　、　　より好ましくは、ｌ≦Ｃ（Ｎ）＜　
３０　、最適には１０≦Ｃ（Ｎ）（’３０とされるのが
望ましい０又ハロゲン原子（Ｘ）の菫としては、好適に
は１〜２０　ａｔｏｍｉｃ％、最適には２〜１５　ａｔ
ｏｍｉｃ優とされるのが望ましく、水素原子（【（）が
含まれる場合には、その瀘は、好適には１９　ａｔｏｍ
ｉｃチ以下。

最適にはｌ　３　ｉｔｏｍｉｃ％以下とされるのが望ま
しい０ ａ−（ＳｉａＮ　Ｉ−ＪＬ）ｂ（）ＬＸ）　１−ｂに於
けるａ、ｂの表示で示せば、ａの値としては、好適には
、０．６　（ａ≦α９９９９９　、より好ましくは、α
６（ａ≦０．９９　。

最適には０゜６　（ａ≦０．９．ｂの値としては、好適
にｔま０，８≦ｂ≦０９９．より好適には０．８５≦ｂ
≦０．９８とされるのが望ましい。

本発明に於ける補助ノーの１−厚の数値範囲は、本発明
の目的を効果的に達成する様に所望に従って適宜決定さ
れる。

本発明の目的を効果的に達成する為の補助層れるのが望
ましいものである。

本発明の光導ｉ部材を構成する電荷注入防止ｌ−は、シ
リコン原子（Ｓｉ　）を母体とし、周期律表第Ｖ族に属
する原子（第Ｖ族原子）と、好まし、くは、水素原子（
■（）又はハロゲン原子（Ｘ）或いはこの両者とを構成
原子とする非晶質材料（以振ｒａ−８ｉ（Ｖ、Ｈ，Ｘ）
Ｊと記す。）で構成され、その層厚を及び層中の第■族
原子の含有菫ＣｔＶ）　ｌ”、本：Ａ明の目的が効果的
に達成される悼に＝Ｗに従って適宜決められる。

本発明に於ける電荷注入防止層の層厚ｔとしては、好ま
しくは０３〜５μ、より好ましくは０．５〜２μとされ
るのが望ましく、父、第Ｖ族原子のＳ有ｔＣ（Ｖ）とし
ては、好ましくは、Ｉ×１０”　〜Ｉ　Ｘ　Ｉ　Ｏ’ａ
ｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　、より好ましくは、５　Ｘ　１０
”　〜Ｉ　Ｘ　１０”ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとされるの
が望ましい。

本発明において、電荷注入防止層中に含有される周期律
表第■族に属する原子として使用されるのは、Ｐ（燐）
、Ａｓ（砒素）、ｓｂ（ア′　　　／チモン）、Ｂｉ（
ビスマス）等であり、殊に好適に用いられるのはＰ　＋
　Ａ　ｓである。

本発明において、必要に応じて電荷注入防止層中に詮有
されるハロゲン原子（Ｘ）としては、具体的にはフッ素
、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素、塩素を
好適なものとして挙げることが出来る。

ａ−８ｔ　（Ｖ、　ＩＬ　Ｘ）　　で構成される電荷注
入防止層のｌ＃ｉ形成法としてはグ「コー放ｉｉ法、ス
パッターリング法、イオンインプンンデー／ヨン法。

イオングレーティング法、エレクトロンビーム法等が挙
けられる。これ等の製造法は、製造条件、設備資本投下
の負荷程度、製−造規模１作製される光導電部材に所望
される特性等の要因によって適宜選択されて採用される
が、所望する特性を有する光導電部材を製造する為の作
製条件の制御が比較的容易である、シリコン原子と共に
第Ｖ族原子、必要に応じて水素原子（Ｈ）やハロゲン原
子（Ｘ）を作製する電荷注入防止層中に導入するめが容
易に行える等の利点からグロー放電法或いはスパッター
リング法が好適に採用きれる。

更に、本発明に於いては、グロー放電法とスパッターリ
ング法とを同一装置系内で併用【７て電荷注入防止層を
形成しても良い。例えば、グロー放電法によって、ａ−
８ｉ　（Ｖ、　Ｈ，Ｘ）　　で構成される電荷注入防止
層を形成するには、箒本的にはシリコン原子（Ｓｉ）を
供給し得るＳｉ供給用の原料ガスと共に第■族原子を供
給し得る第Ｖ族原子導入用の原料ガス、必要に応じて水
素原子（Ｈ）導入用の父は／及びノ１０ゲン原子（Ｘ）
導入用の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に導
入して、該堆積室内にグロー放電を生起させ、予め所定
位置に設置され、既に補助層の設けである所定の支持体
の補助層上にａ　−Ｓ　ｉ（Ｖ　＋　Ｈ＋　Ｘ　）　　
からなる層を形成させれば良い。父、スパッタリング法
で形成する場合には、例えばＡｒ、Ｈ・等の不活性ガス
又はこれ等のガスをペースとした混合ガスの雰囲気中で
Ｓｔで構成されたターゲットをスパッタリングする際、
第■族原子導入用の原料ガスを、必要に応じて水素原子
（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用のガスと共
にスパッタリング用の堆積室に導入してやれば良い。

本発明において、電荷注入防止層を形成するのに使用さ
れる原料ガスとなる出発物質としては、次のものが有効
なものとして挙げることが出来る。

先ず、Ｓｉ供給用の原料ガスとなる出発物質としては、
ＳｉＨ４，５ｉｚｊ（ａ　、ｓｔ　５Ｈ１１、ｓｔ　４
Ｈ１１１等のガス状態の又はガス化し得る水素化硅素（
シラン類）が有効に使用されるものとして挙げられ、殊
に、層作成作業の扱い易さ、Ｓｉ供給効率の良さ等の点
でＳｉＨ４、Ｓｉ　２Ｈａが好ましいものとして挙げら
れる。

これ等の出発物質を使用すれば、層形成条件を適切に選
択することによって形成され″る補助層中にＳｌと共Ｋ
Ｈも導入し得る。

Ｓｉ供給用の原料ガスとなる有効な出発＊Ｊ質としては
、上記の水素化硅素の他に、ハロゲン原子（Ｘ）を含む
硅素化合物、所謂、ハロゲン原子で置換されたシラン誘
導体、具体的には例えばＳｔＦ　４　、　Ｓｉ　２Ｆ　
６　、５ＬＣ４４１５ｊＢｒ　ａ　　等ツバＣｌゲン化
硅素が好ましいものとして挙げることが出等々のガス状
帳の或いはガス化し得る、水素原子を構成要素の１つと
するハロゲン化物も有効な電荷注入防止層形成の為のＳ
ｉ供給用の出発物質と１−て挙ける事が出来る。

これ等の・・ロゲン原子（Ｘ）を含む硅素化合物を使用
する場合にも前述した様に、層形成条件の適切な選択に
よって形成される電荷注入防止層中にＳｉ　と共にＸを
導入することが出来る。・、上記した出発物質の中の水
素原子を含む・・ロゲン化硅素化合物は、補助層形成の
際に層中にノ・ロゲン原子（Ｘ）の導入と同時に電気的
或いは充電的特性の制御に極めて有効な水素原子（Ｈ’
）も導入されるので、本発明においては好適なハロゲン
間化合物（Ｘ）導入用の出発物質として使用、１　　　
される。

本発明において、補助層を形成する際に使用されるハロ
ゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスとなる有効な出発物質
としては、上記したものの他に、例えば、フッ素、塩素
、臭素、ヨウ素のハロゲン化物、ＢｒＦ　＊　ＣｊＦ　
＋　ＣＪＦ　ｓ　＋　ＢｒＦ’　ｓ　、ＢｒＦ５　＊Ｉ
Ｆ　ｓ　＋　ＩＰ　７１　ＩＣｊ　＊　ＩＢｒ　　等の
ハロゲン間化合物、ＨＦ　、　）ＩｃＪ　、　ＨＢｒ’
、　ＨＩ　　等のハロゲン化水素を挙げることが出来る
。

′電荷注入防止層中に第■族原子を構造的に導入するに
は、層形成の際に第■族原子尋人用の出発物質をガス状
態で堆積室中に、′電荷注入防止層を形成する・為の他
の出発物質と共に導入してやれば良い。この様な第Ｖ族
原子導入用の出発物質と成り得るものとしては、常温常
圧でガス状の又は、少なくとも層形成条汗下で容易にガ
ス化し得るものが採用されるのが望まし７い。

その様な第■族原子導入用の出発物質として、具体的に
は、燐原子導入用として＆ｌ、Ｐｉ（３゜ｐ　ｚＨ４＃
の水素−化燐、ＰＨ４Ｉ　、ＰＦ　ａ、ＰＦ６．Ｐｅａ
ｓＰＣＩ　ｓ　＊　ＰＢｒ　＊　＋　ＰＢｒ　ｓ　＋　
Ｐ　Ｉ　３等のハ（２ゲン化燐が挙げら１１る。この他
、ＡｓＨｓ　＋　Ａｗｌ”　ｓ　＊　Ａ！ＩＣＪ　ｓ　
、　ＡｓＢｒ　５Ａｓ）　５　、ＳｂＨ３＊　ｂｂＦｓ
　＋　ＳｂＦ　ｓ　＋　５ｂＣＪ　ｓ　、５ｂＣＪ　ｓ
　＋　ＢＩＨ５ＢｔＣ６ｓ　＊　ＢｔＢｒ　３等もＭｖ
族原子導入用の出発物質の有効なものとして挙げること
が出来る。

本発明に於いては、′電荷注入防止特性を与える為に電
荷注入防止層中に含有される第Ｖ族原子は、電荷注入防
止層の層厚方向に実質的に平行な面（支持体の表面に平
行な面）内及び層厚方向に於いては、実質的に均一に分
布されるのが良いものである。父、スパッタリング法で
電荷注入防止層を形成する場合には、例えばＡ　ｒ。

Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等のガスをペースとした混
合ガスの雰囲気中でＳｉ　で構成されたターゲットをス
パッタリングする際、第Ｖ族原子導入用の原料ガスを、
必要に応じて水素原子（１１）導入用の又は／及びノ・
ロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスと共にスパッタリン
グを行う真空堆積室内に導入してやれば良い。

本発明に、於いて、電荷注入防止層中に導入される第■
族原子の含有量は、堆積室中に流入される第Ｖ族原子導
入用の出発物質のガス流袖、カス流酸比、故電パワー、
支持体温度、堆積室内の圧力等を制御することによって
任意に制御され得る。

本発明に於いて、電荷注入防止層をグロー族えばＨｅ１
Ｎｅ＊　Ａｒ４が好適なものとして挙げることが出来る
。

本発明に於いて、ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される非晶
質層を形成するには例えばグロー放電法、スパッタリン
グ法、或いはイオンブレーティング法等の放電現象を利
用する真空堆積法によって成される。例えば、グロー放
電法によって、ａ−８ｉ（ｉ−ｉ、Ｘ）で構成される非
晶質層を形成するには、基本的にはシリコン原子（’Ｓ
ｔ）を供給し得るＳｉ供給用の原料ガスと共に、水素原
子（Ｈ）導入用の又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用
の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に導入して
、該堆積室内ｅこグロー放電を生起させ、予め所定位置
に設置されである所定の支持体表面上にａ−８ｉ（Ｈ＋
Ｘ）から成るｌ―全形成させれば良い。父、スパッタリ
ング法で形成する場合には、例えばＡｒ＋Ｈｅ等の不活
性ガス又はこれ等のガスをベースとした混合ガスの雰囲
気中で８１で構成されたターゲットをスパッタリングす
る際、水素原子（Ｈ）父は／及びハロゲン原子（Ｘ）導
入用のガスをスパッタリング用の堆積室に導入してやれ
ば良い。

本発明に於いて、必要に応じて非晶質層中に含有される
ハロゲン原子（Ｘ）としては、電荷注入防止層の場合に
挙げたのと同様のものを挙げることが出来る。

本発明に於いて、非晶質層を形成するのに使用されるＳ
ｉ供給用の原料ガスとしては、電荷注入防止層に就て説
明する際に挙げた５ｉＨａ−８ｉ　ＩＨ＠　ｌ　Ｓｔ　
ｓＨｓ　ｍ　Ｓｔ　４Ｈ１（１等のガス状態の又はガス
化し得る水素化硅素（シラン類）が有効に使用されるも
のとして挙げられ、殊に、層作成作、１　　　業の扱い
易さ、Ｓｉ供給効率の良さ等の点でＳＩＨ４？　ｂｔ　
ｚＨ・が好ましいものとして挙げられる。

本発明において、非晶質１を形成する際に使用されるハ
ロゲン原子導入用の原料ガスとして有効なのは、電荷注
入防止層の場合と同様に多くのハロゲン化合物が挙げら
れ、例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化
合Ｔｈ　、ハロゲンで置鴛されたシラン誘導体等のガス
状態の又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げ
られる。

又、更には、シリコン原子（Ｓｔ）とハロゲン原子（Ｘ
）とを構成要素とするガス状態の又はガス化し得る、ハ
ロゲン原子を含む硅素化合物も有効なものとして本発明
においては挙げることが出来る。

本発明に於いては、非晶質層には、伝導特性を制御する
物質を含有させることＫより、該層の伝導特性を所望に
従って任意に制御することが出来る。

この様な物質としては、所騙、半導体分野で云われる不
純物を挙げることが出来、本発明に於いては、形成され
る非晶質層を構成するａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）に対して、Ｐ
型伝導特性を与えるＰ型不純吻、具体的には周期律表第
厘族に属する原子（第膳族原子）例えば、Ｂ（硼素）、
　Ａｊ（アルミニウム＞ｅＧｔ＜ガリウム）、Ｉｎ（イ
ンジウム）、Ｔｌ（タリウム）等があり、殊に好適に用
いられるのはＢｅ　Ｇａである。

本発明に於いて、非晶質層に含有される伝導特性を制御
する物質の含有量は、該非晶質層に要求される伝導特性
、或いは該層隣に直に接触して設けられる他の層の特性
や、該軸の層との接触界ｆｆ１ｉＫ於ける特性との関係
等、有機的関連性に於いて、適宜選択することが出来る
。

本発明に於いて、非晶質層中に含有される伝導特性を制
御する物質の含有量としては、通常の場合０．００１〜
１０００ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ＊好適にはα０５〜５０
０ａｔｏｍｉｅ　ｐｐｍ　ｒ　Ｒ適にはα１〜２００ａ
ｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　　とされるのが望ましいものであ
る。

非晶質層中に伝導特性を制御する物質、例えば第厘族原
子を構造的に導入するには、層形成の際に第瓢族原子導
入用の出発物質をガス状態で堆積室中に、非晶質層を形
成する為の他の出発物質と共に導入してやれば良い。こ
の様な第厘族原子導入用の出発物質と成り得るものとし
ては、常温常圧でガス状の又は、少なくとも層形成条件
下で容易にガス化し得るものが採用されるのが望ましい
。その様な第厘族原子導入用の出発物質として具体的に
は硼素原子導入用としては％　ＢｍＨｓ　・Ｂ４Ｈ１＠
ＩＢＩＨＩ＊ＢｓＨｓｔｓＢ＠Ｈｘｅ＊Ｂ　ａＨｕ　＋
　Ｂ　ｓＨ１４等の水素化硼素、ＢＦ　ｓ　、　ＢＣＩ
　ｓ。

ＢＢｒ　ｓ等のハロゲン化硼素等が挙げられる０この他
、ＡｊＣｊ　ｓ　＊　ＧａＣｊ　ｓ　＋　Ｇａ　（ＣＨ
ｓ）　ｓ　＊　ＩｎＣＪ　ｓ　、　ＴｊＣｊｓ等も挙げ
ることが出来る。

本発明に於いて、形成される光導電部材の電荷注入防止
層及び非晶質層中に含有される水素原子（Ｈ）の量又は
ハロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子（Ｈ）とハロゲン
原子（Ｘ）の量゛の和（Ｈ＋Ｘ）は通常の場合１〜４０
ａｔｏｍｉｃ４１、好適には５〜３０ａｔｏｍｉｃ−と
されるのが望ましい。

電荷、注入防止層又は非晶質層中に含有される水素原子
（Ｈ）文は／及びハロゲン原子（Ｘ）の量を制御するに
は、例えば支持体温度又Ｆｉ／及び水素原子（Ｈ）、或
いはノ・ロゲン原子（Ｘ）を含有させる為に使用される
出発物質の堆積装置系内へ導入する量、放電々力等を制
御してやれば良い。

本発明において、非晶質層をグロー放電法で形成する際
に使用される稀釈ガス、或いはスパッタリング法で形成
される際に使用されるスパッターリング用のガスとして
は、所■稀ガス、例えばＨ・、Ｎ・、ムｒ等が好適なも
のとして挙げることか出来る。

本発明に於いて、非晶質層の層厚としては、作成される
光導電部材に要求される特性に応じて適宜法められるも
のであるが、通常は、１〜１００μ、好ましくは１〜８
０μ、最適には２〜５０声とされるのが望ましいもので
ある。

本発明に於いて、使用される支持体としては導電性でも
電気絶縁性であっても良い。導電性支持体としては、例
えば、ＮｉＣｒ、ステンレス。

Ａｊ、Ｃｒ、　Ｍｏ、　Ａｕ、Ｎｂｅ　’ｉ’ａ、　ｖ
、　Ｔｉ、　ｐｔ、　ｐａ等の金属又はこれ等の合金が
挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル。

ポリエチレ／、ポリカーボネート、セルローズ７　セｆ
　　）　＊ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル。

ポリ塩化ビニリゾ／、ポリスチレン、ポリアミド等の合
成樹脂のフィルム又はシート、ガラス。

セラミック、紙等が通常使用される。これ等の電気絶縁
性支持体は、好適には少なくともその一方の表面を導電
処理され、該導電処理された表面側に他の層が設けられ
るのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面Ｋ　５ＮｉＣｒ。

Ａｊ＋　Ｃｒｅ　Ｍｏｗ　Ａｕ＋　Ｉｒ＋　Ｎｂ、　Ｔ
ａ、　Ｖ、　Ｔｉ、　Ｐｔ。

Ｐｄ、　Ｉｎ　ｇｏｓ　ｅｓｎｏ　！’ｅ　ＩＴＳ（Ｉ
ｎ　２０　ｓ＋ｓｎＯり等から成る薄膜を設けることに
よって導電性が付与され、或いはポリエステルフィルム
等の合成樹脂フィルムであれば、ＮｘＣｒ　＊　Ａｊｔ
□ムｇ　、Ｐ　ｂ　、Ｚ　ｎ　ｅ　Ｎ　ｉ　。

Ａｕｔ　Ｃｒ、　Ｍｏ、　Ｉ　ｒ＋　Ｎｂ、　Ｔａ、　
Ｖ、　Ｔｉ、　Ｐｔ等の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビ
ーム蒸着、スパッタリング等でその表面に設け、又は前
記金属でその表面をラミネート処理して、その表面に導
電性が付与される。支持体の形状としては、円筒状、ベ
ルト状、板状等任意の形状とし得、所望によって、その
形状は決定されるが、例えば、第１図の光導電部材１０
０を電子写真用像形成部材として使用するのであれば連
続高速複写の場合には、無端ベルト状又は円筒状とする
のが望ましい。支持体の厚さは、所望通りの光導電部材
が形成される様に適宜決定されるが、光導電部材として
可撓性が要求される場合には、支持体としての４１１能
が充分発揮される範囲内であれば可能な限り薄くされる
。両年ら、この様な場合支持体の製造上及び取扱い上、
機械的強度等の点から、通常は、１０μ以上とされる。

第２図には、本発明の光導電部材の他の好適な実ｊ１ｍ
様例の層構成が示される。

第２図に示される光導電部材２００が、第１図に示され
る光導電部材１００と異なるところは、電荷注入防止層
２０３と光導電性を示す非晶質層２０５との間に上部補
助層２０４を有することである。

即ち、光導電部材２００は、支持体２０１９Ｍ支持体２
０１上に順に積層された、下部補助層２０２゜電荷注入
防止層２０３．上部補助層２０４及び非晶質層２０５と
を具備し、非晶質層２０５は自由表面２０６を有する。

上部補助層２０４は、電荷注入防止層２０３と非晶質層
２０５との間の密着を強固圧し、両層の接触界面に於け
る電気的接触を均一にしていると同時に、電荷注入防止
層２０３の上に直に設けることによって、電荷注入防止
層２０３０層質を強靭なものとしている。

第２図に示される光導電部材２００を構成する下部補助
層２０２及び上部補助層２０４は、第１図に示した光導
電部材１００を構成する補助層１０２の場合と同様の非
晶質材料を使用して、同様の特性が与えられる様に同様
な層作成手順と条件によって形成される。電荷注入防止
層２０３及び非晶質層２０５も、夫々、第１図に示す電
荷注入防止層１０３及び非晶質層１０４と同様の特性及
び機能を有し、第１図の場合と同様な層作威手順と条件
によって形成される。

次に本発明の光導電部材の製造方法の一例を図に従って
説明する。

第３図に光導電部材の製造装置の一例を示す。

図中の３０２〜３０６のガスボンベには、本発明の夫々
の層を形成する九めに使用されるガスが密封されてお沙
、その１例として、九とえば、３０２はＨｅで稀釈され
九５ｉＨｎ　ガス（純度９ａ９９９％、以下ＳｉＨａ　
／　Ｈｅと略す。）ボンベ、３０３はＨｅで稀釈された
ＰＨｓガス（純度９９．９９９優、以下Ｂ　雪Ｈｓ　／
　Ｈ・と略す。）ボンベ、３０４はＭＨＩガス（純［９
張９９チ）ボンベ、３０５はＡｒガスボンベ、３０６は
、Ｈ・で稀釈された５ｉＦｎガス（純度９９．９９９％
、以下ＳｉＦ　ａ　／　Ｈｅと略す）ボンベである。

これらのガスを反応室３０１に流入させるにはガスボン
ベ３０２〜３０６のバルブ３２２〜３２６、リークバル
ブ３３５が閉じられていることを確認し、又、流入バル
ブ３１２〜３１６、。流出バルブ３１７〜、　　　３２
Ｌ補助バルブ３３２が開かれていることを確認して先ず
メインバルブ３３４を開いて反応室３０１、及びガス配
管内を排気する。

次に真空計３３６の読みが約５Ｘ１０″″・ｔｏｒｒＫ
なった時点で、補助バルブ３３２、流入バルブ３１２〜
３１６、流出パルプ３１７〜３２１を閉じる。

その後、反応室３０１内に導入すべきガスのボンベに接
続さ八ているガス配管のバルブを所定通シ操作して、所
望するガスを反応室３０１内に導入する。

次に第１図に示す構成と同様の構成の光導電部材を作成
する場合の一例の概略を述べる。

所定の支持体３３７上に、先ず補助層をスパッタリング
法によって形成するには、まずシャッター３４２を開く
。すべてのガス供給バルブは一旦閉じられ、反応室３０
１はメインバルブ３３４を全開することＫよシ、排気さ
れる。高圧電力が印加される電極３４１上に高純度シリ
コンウェハ３４２−１．　　及び高純度Ｓｉ３Ｎ４ウェ
ハ３４２−２が所望の面積比率でターゲットとして設置
されている。ガスボンベ３０５よりＡｒガスを、ガスボ
ンベ３０６よｌ）　ＳｉＦ　ａ　／　Ｈ・ガスを夫々、
所定のバルブを操作して反応室３０１内に導入し、室の
内圧がα０５〜１　ｔｏｒｒとなるよう、メインバルブ
３３４を調節する０高圧電源３４０をＯＮとし、Ｓｔウ
ェハ３４２−１と５ｉｓＮ４ウエノ″−３４２−２とを
同時にスパッタリングすることＫより、シリコン原子、
窒素原子よシなる非晶質材料で構成された補助層を支持
体３３１上に形成することができるｏＪｌ形威形成、支
持体３３７は、加熱ヒータ３３８によって所望の温１ｊ
Ｋ加熱される０補助層をグロー放電法によって形成する
場合には、各、バルブを操作して、ボンベ３０２よりＳ
ｉＨａ　／　Ｈｅガスを、ボンベ３０４よりＮＨｓＨｅ
ガスｄｔ７ベ３０６より８１Ｆ　４　／　Ｈｅガスを、
夫々、所望する流量比で反応室３０１内に導入し、所望
時間の関グロー放電を行うことによって、支持体上に補
助層を形成することが出来る。

次に、１ｉ４記の補助層上に電荷注入防止層を形成する
。

補助層の形成終了後、電源３４０をＯＦＦにして放電を
中止し、一旦、装置のガス導入用の配管の全系のバルブ
を閉じ、反応室３０１内に残存するガスを反応室３０１
外に排出して所定の真空度にする。

その後、シャッター３４２を閉じ、ガスボ／ぺ３０２よ
りＳｉＨ４／　Ｈｅガスを、ガスボンベ３０３よりＰＨ
ｓ　／　Ｈｅ”ガスを、夫々バルブ３２２．３２３けて
°、マスフロコントローラ３０７，３０８内に夫スを反
応室３０１内に流入さぜる０このときの８ｉＨ４／　Ｈ
ｅガス流量、ＰＨｓ　／　Ｈｅガス流量の夫々の比が所
望の値になるよう流出パルプ３１７．３１８４　　′ を調整し、また、反応室３０１内の圧力が所望の値にな
るように真空計３３６の読みを見ながらメインバルブ３
３４の開口を調整する。

そして支持体３３７の温度が加熱ヒーター３３８によ＃
）５０〜４００℃の範囲の温度に設定されていることが
確認された俵、電源３４０をＯＮにして所望の電力に設
定し、反応室３０１内にグロー放電を生起させて支持体
３３７上に電荷注入防止層を形成する。

電荷注入防止層上に設けられる、光導電性を示す非晶質
層の形成は、例えばボンベ３０２内に充填されているＳ
　ｉＨ４／　Ｈｅガスを使用し、前記した電荷注入防止
層の場合と同様の手順によって行うことが出来る０ 非晶質層の形成の際に使用される原料ガス種としては、
５ｔｕｎ　ガスの他に、殊に５ｉｚＨｓガスが層形成速
度の向上を計る為に有効である。

実施例１ 第３図に示した製造装置により、アルミニウム基板上に
以下の条件で層形成を行った。

こうして得られた電子写真用像形成部材を複写装置に設
置゛し、０５ＫＶで０．２獣間コロナ帯電を行い、光像
を照射した。光源はタングステンランプを用い、光量は
１．　Ｏｌｕｘ・就とした。潜ｇＩ！は■荷電性の現像
剤（トナーとキャリヤを含む）によって現像され、通常
の紙に転写された転写画像における＃Ｊ偉大欠陥黒地部
の白ヌケ等）の有無をチェックしたが、それは全く認め
られ一ドによってクリーニングされ、次の複写工程に移
る。このような工程を繰り返し１０万回以上行っても画
像欠陥、層の剥れが全く生じなかった。

実施例２ スパッタリング用ターゲットであるＳｔ　ウェハとＳｉ
３Ｎ４ウェハの面積比をかえることにより、補助層にお
けるシリコン原子に対する窒素原子の含有量を変イヒさ
せる以外は実施例１と全く同様な方法によって電子写真
用像形成部材を作製し、実施例１と同様にして計測した
結果を次に示す。

第　　２　　表 補助層の層厚を変える以外は、実施例１と全く同様な方
法によって電子写真用像形成部材を作製し、実施例１と
同様にして評価した結果を次に示す。

第　　３　　表 実施例４ 電荷注入防止層の層厚と硼素含有量を次のように変える
以外は、実施例１と全く同様にして電子写真用像形成部
材を作製した。結果はいずれも良好であった。

実施例５ 第３図に示した製造装置によりアルミニウム基板上に以
下の条件で層形成を行った。

こうして得られた電子写真用像形成部材を実施例１と同
様にして評価したところ極めて良好な結果が得られた。

実施例６ 第３図に示した製造装置により、ドラム状アルミニウム
基板上に以下の条件にした以外は、実施例１と同様にし
て層形成を行った。

こうして得られた電子写真用像形成部材を、実施例１と
同様にして評価したところ極めて良好な結果が得られた
。

実施例７ 実施例１．５．６．　Ｋ於いて、非晶質層（Ｉ）の形成
を以下の表の条件にした以外は、各実施例に於ける条件
及び手順に従ってイ象形成部材を作成［７、各実施例に
於けるのと同様の評価を行つたところ、良好な結果が得
られた。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は夫々、本発明の光導電部材の好適な
実施態様例の構成を示す模式的構成図、第３図は本発明
の光導電部材を製造する為の装置の一例を示す模式的説
明図である。 １００．２００　　・・・光導電部材 １０１．２０１　　・・・支持体 １０２．２０２，２０４　　・−・補助層１０３．２０
３　　・・・電荷注入防止層１０４．２０５　　・・・
非晶質層 １０５．２０６　　・−・　自由表面 出願人　　キャノン株式会社 ２・−Ａ 第１頁の続き ［相］発　明　者　三角輝男 東京都大田区下丸子３丁目３０番 ２号キャノン株式会社内 ４３１−

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 光導電部材用の支持体と、シリコン原子を母体とし、構
   成原子としてハロゲン原子と、３０ａｔｏｒｎｉｃ＊ま
   での窒素原子を含有する非晶質材料で構成された補助層
   と、／リコン原子を母体とし、周期律表！Ｉｖ族に属す
   る原子を構成原子として含有する非晶質材料で構成され
   た電荷注入防止層と、シリコン原子を母体とする非晶質
   材料で構成され、光導電性を示す非晶質層と、を有する
   事を特徴とする光導電部材。