JPS6059366A - 光導電部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

本発明け、光（ここでは広義の光で紫外光線。 可視光線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁
波に感受性のある光導電部材に関する。 固１４′撮像装置、戊いは像形成°分野にお６′るｍ子
写真用像形成部材や原稿読取装置における光導電層を形
成する光導電材料としては、高感度で、ＳＮ比〔光薗流
（Ｉｐ）／暗電流（Ｉｄ）が高く、照射する７ｒＬ磁波
のスペクトル特性にマツチングし′＃吸収スペクトル特
性を有すること、光応答性が辻く、所望の暗抵抗値を有
すること、使用時ＶＣおいて人体に対して無公害である
こと、更には固体ｗｔ像装置　ｒ　ｊ−？いてけ、残像
を所定時間内に容易に処便することができること等の特
性が要求される。殊に、事務機としてオフィスで使用き
れる電子写真装置内に組込１ねる電子写真用像形成部材
の場合には、上記の使用貼における缶公害性は市要介点
で））る。 この様な点に立脚して最近注目さねている光導電１料に
アモルファスシリコン（ＪＱＩ′＃、ａ−８ｉと表記す
）があり、例えば、独国公開第２７４６９６７号公報、
同第２８５５７１８号公報には電子写真用俟涯成部相と
して、秒国公開第２９３３４１１号公報に幻光電変換島
取装置への応用が記載はれている。 ｎｒｉ乍ら、従来のａ−８ｉ″？１’構成さＪまた光睨
宵層をイ１すＺ＋　ｊｆ、ｆｐ　ｎｊ部利け、暗抵抗値
、光舵度、光応答性等の電気的、光学的、光勇電的特性
、及び耐湿性等の使用環境特性の点、更ＶＣは経時的安
定性の点において、総合的な特性向上を図る必要がある
という更に改良ζｊる可き点が存するのが実情である。 例えば、電子′１ｇ′真用住形成部材に適用した場合に
、高光感度化、高暗抵抗化を同時ＶＣ図ろうとすると、
従来においては、その使用時において残留電位が残る場
合が度々観測され、と、の種の光導電部′！Ａけ長詩ｒ
ｌｔＩ糾゛・返し使用１７続けろと、ｖ！、−返し使用
による疲労の蓄積が＠１つて、残像が生ずる所謂ゴース
ト現象を発する様になる。或い１件、高速で繰返し使用
するとげ；容性が次第に低下する等の不都合な点か生ず
る場合が少たくたかった。 更

【け、ａ　−Ｓ　ｉ日可視光飴域の短波長（０１１に
較べて、長波長側の波長領域よ秒も長い波長領域の吸収
係数が比較的小さく、現在実用化されている半導目・レ
ーザとのマツチングに於いて、通常使用されているハロ
ゲンランプや螢光灯を光源とする場合、−長波長側の光
を有効に使用し得ていないという点に於いて、夫々改良
される余ｈ１ｊがダＵつている。 又、別には、照射される光が光導電層中に於Ｖ・て、充
分吸ＩＩｖざｊずに、支持体に到達する光のｆｌ′が多
く斤ると、支持体自体が光導電層を透過して釆る光に対
する反射率が高い場合には、光導電Ｊζζ山内於いて多
重反射による干渉が起って、画像の「ボケ」が生ずる一
要因となる。 この杉響は、触゛像度を上げる為に、照射スポットを小
さくする稈大きくなり、殊に半導体レーザを光源とする
場合には大きな問題とたっている、 更に、ａ　−Ｓ　ｉ杓料で光導電層を構成する場合には
、その電気的、光導電的特性の改良を図るために、水素
原子或いけ非業原子や均素原子等のハロゲン原子、及び
亀勿、伝導仰の制御のためにｍｌ素原子や燐原子等が或
いはその他の特性改良のためｖｃ　ｆＩｐの原子が、各
々構を原子として光４５軍層中に含有されるが、これ等
の構成原子の含有の仕方如何によっては、形成した層の
電気的或いは光陰、電的特性に問題が生ずる場合がある
。 即ち、例えば、形成、した光導ｆ［層中に光ＪＴ（＃射
によって発生したフォトキャリアの該層中での寿命が充
分でないこと、或いは暗部において、支持体側よりの電
荷の注入の１１１１止が７１１分で人いこと等が生ずる
場合が少介くない。 更にけ、層ｊワが十数／１以上になると層形成用の真空
堆ね室より取り出した後、空気中での放１ｕ時間の経過
と共に、支＋ｊ　Ｉ／Ｉζ表向からの層の浮きや剥離、
成りは層に亀裂が４トする等の現像を引起しＩＩｊ＃ち
であった。この現象（・」、殊に支１１体が通］ｉ、電
子写真分野Ｊこ於０て使用゛さスジているドラム状支持
体の場合に多く起る等、経時的安定性の点に於いて解決
される川き点がある。 従ってａ　−Ｓ　ｉ材イ′４そのものの特性改ｒミか図
られる一方で光導電部材を駁計する際に、上記した様な
問題の総てが解決される様に工夫される必要がある。 本発明は上記の諸点に襦み成されたもので、ａ−８ｉに
就で電子写真用毅杉成部材やｂ舅体撮像装置、読取装置
等に使用される光導電部材としての適用性とその応用性
という観点から総括的に鋭意研究検討を続けた結果、シ
リコン原子（Ｓｉ）とゲルマニウム原子（Ｇｅ）とを母
体とし、水素原子（Ｉ」）又はハロゲン原子（Ｘ）のい
ずれか一方を少なくとも含有するアモルファス材料、所
謂水素化アモルファスシリコンゲルマ−ニウム、ハロケ
ン化アモルファスシリコンゲルマニウム、或いはハｐゲ
ン含有水素化アモルファスシリコンゲルマニウム〔以後
これらの総称的表記として「ａ　−Ｓ　ｉＧｅ　（）ｉ
、Ｘ）　Ｊを使用する〕から構成される光導電性を示す
光受容層を有する光′４軍部材の構成、を以後に説明さ
れる様な特定化の下に設計されて作成された光導電部材
は実＃４町上著しく優れた特性を示すばかりでなく、従
来の光導電部材と較べてみてもあらゆる点ＶＣおいて佼
駕していること、殊に電子写真用の光導゛成部材として
著しく優れた特性を有していること及び長波長側に於け
る吸収スペクトル特性に便れていることを見出した点に
基づいている。 本発明は電気的、光学的、光導電的特性が常時安定して
いて、殆んど使用環境に制限を受けない全環境型であり
、長波長側の光感度特性に優れると共に耐光疲労に著し
く長け、繰返し使用に際しても劣化現象を起さず、残留
電位が全く又は殆んど観測されない光導亀部拐を提供す
ることを主たる目的とする。 本発明の別の目的は、全司視光域に於いて光感度が高く
、殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且つ光応答
の速い光導電部材を提供することである。 本発明の他の目的は、支持体上に設けられる地ｊと支持
体との間や泡層される層の各層間ｆ０於ける密着性ｖＣ
優れ、構造配列的に　密で安定的であり、層品質の高い
光導電部材を提供することである。 本発明の他の目的は、電子写真用の像形成部材としてａ
ｍさせた場合、通常のｍ子写真法が極めてイｊ効に適用
され得る程度に、静電像形成の為の帯電処理の際の車前
保持能が充分あり、且つ多湿雰囲気中でもその特性の低
下が殆んど観測されない優れた電子写真特性を有する光
導電部材を提供することである。 本発明の史に他の目的は、濃度が高く、ノ１−７トーン
が１明に出て且つ解像度の高い、高品η画像を？υる事
か容易に出来る電子ず貫用の充満１′市部相を提供する
ことである。 不発りＪの更にもう１つの目的に１高光感度性。 高ＳＮ比特性入ひ支扮Ｖ・−との間に良好な電気的接触
性含有するＸ鳩一部材を提供することでもある。 不発１ル］の光導ｍ　ｇ、ｌ、打針Ｌ１光導？（、部相
用の支持体と、シリコ／原子とゲルマニウムＫパ子とを
含ｔｒ非晶質４’Ａ’　ｄ−Ｃｈ４　ｈ’ｙｒされた、
光導電’Ｖｌ　３示す光受容）Ｊとを有し、該光受容Ｊ
４は、室累原子を層厚方向に不均一に含有する層領域（
Ｎ）を有し、該層領域（Ｎ）に於ける室累原子の＋＜＊
　ｌ’＃方向に於ける分布濃度曲線が？＃らかであって
、且つ最大分布濃度か光受容層の内部にある事を特徴と
する。 上記した様な層構成を取る様にして設計された本発明の
光導電部材は、前記した諸問題の総てを解決し得、極め
て優れた電気的、光学的。 光導電的特性、電気的耐圧性及び使用環境特性を示す。 殊に、電子写真用像形成部材として適用させた場合には
、画像形成、への殉情電位の影幹が全くなく、その電気
的特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するもの
であって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、＃度が扁
く、７１−７トーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い、
高品質の画像を安定して繰返し得ることができる。 又、本発明の光導電部材は支持体上に形成される光受容
層が、層自体が強靭であって、且つ支持体との密着性に
著しくｉｐねでおり、高速で長時間連続的に繰返し使用
することができる。 更に、本発明の光導電部材は、全司視光域に於いて光感
度か高く、殊に半導体レーザとのマツチングにＷね、且
つ光応答か速い。 以下、図面に従って、本発明の光導電部材に就て詳卸１
に説明する。 第１図は、本発明の第１の実施態様例の光導７１ｉ部材
の層構成をｄジ明するために模式的に示した模式的構成
図である。 第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材用として
の支持１５１０１の上に、ａ　−Ｓ　ｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ
）から成り、窒素原子を含有し、光導電性をイｆする光
受容層】０２とを有する。 光受容層１０２中に含有されるゲルマニウム原子釦、該
光受容層１０２中に万偏無く均一に分゛布する様に含有
されても良いし、或いは層厚方向にけ万偏なく含有され
てはいるが分布濃度が不均一であっても良い。両年ら、
いずれの場合にも支持体の表面と平行な面内方向に於い
ては、均一な分布で万偏無く含有されるのが面内方向に
於ける特性の均一化を計る点からも必要である。特に、
光受容層１０２の層厚方向には万偏無く含有されていて
、且つ前記支持体１０１の設けられである１１（すとけ
反対の側（光受容層１０２の表面１０４但１）の方に対
して前記支持体側（光受容層１０２と支持体１０１との
界面側）の方に多く分布した状態となる様にするか、或
いは、この逆の分布状態となる様に前記光受容層１０２
中に含有される。 本発明の光導電部材にオｒいて幻、前布”した様に光受
容層中に含有されるゲルマニウム原子の分布状態は、層
厚方向においては、前記の様な分布状態を取り、支持体
の表面と平行な面内方向には均一な分布状態とされるの
が望ましい。 第２図乃至第１Ｏ図には、本発明における光導電部材の
光受容層中に含有されるゲルマニウム原子の層〃方向の
分布状態が不均一な場合の典型的例が示される。 枦２図乃至榮ｌＯ図において、横軸はゲルマニウム原子
の分布濃度Ｃを、細軸は光導電性を示す光受容層の層厚
を示し、ｔＢは支持体側の光受容層の表面の位置を、ｔ
Ｔは支持ｔ４−　ｆｉｌ！Ｉとけ反対側の光受容層の表
面の位置？を示す。ｌｋｌち、ゲルマニウム原子の含有
される光受容層はｔＢ側よりｔＴＱｌｌｉに向って層形
成、がなされる。 第２図には、光受容層中に含有されるゲルマニウム原子
の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示される。 第２図に示される例では、ゲルマニウム原子の含有され
る光受容Ｍが形成される表面と該光受容／？＋１の表向
とが接する界面位置ｔＢよりｔｌの位’＋ＩＪまでは、
ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃがｃｔなる＝ｙｉ！の４
＋Ｉ′４をｌｊｘり乍らゲルマニウム原子が、形成され
る光受容層に含有され、位置１．よりは界面位置ｔＴに
至るまで分布濃度Ｃ２より徐々に連続ｎ・：１に減少さ
れている。界面位置ｔＴにおいてはゲルマニウム原子の
分布濃度ＣＩ″ＩＣ８とされる。 第３図に示される例においては、含有されるゲルマニウ
ム原子の分布濃度Ｃけ位置ｔＢより位置ｔＴＶｃ至るま
で濃度Ｃ４から徐々に連Ｍ　ｎ′Ｊ［減少して位置ｔＴ
において濃度Ｃｉ々る様な分布状態を形成している。 第４図の場合には、位置ｔＢより位置ｔ２までけゲルマ
ニウム原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ６と一定値とさね、位
置ｔ、と位＃ＩＴとの間に卦いて、徐々［連続的に減少
され、位置ｔＴにおいて、分布濃度Ｃは実質的に零とさ
れている（ここで実質的に零とけ検出限界ｉｔ未胸の場
合である）。 第５図の場合には、ゲルマニウム原子の分布濃！！ｆＣ
は位置ｔＢより位置ｔＴに牽るまで、濃度ｃ８より連続
的に徐々に減少され、位置ｔｒにおいて実質的に零とさ
れている。 第６図に示す例においては、ゲルマニウム原子の分布濃
度Ｃは、位置ｔＢと位置１３間にむいては、濃度Ｃ０と
一定値であり、位置ｔＴにおいては濃度ＣＩ（ｌ　され
る。位Ｈｔ３と位［ｔＴとの間では、分布濃度Ｃけ一次
関数的に位置ｔ、より位置ｔＴに至るまで沖少されてい
る。 第７図にテされる例においては、分布濃度Ｃけ位置ｔＢ
より位置ｔ４までは濃度ｃＩＩの一定値を取り、位置ｔ
４より位置ｔＴまでは濃度ＣＩ２より濃度Ｃ７３まで一
次関数的に減少する分布状態とされている。 第、８図に示す例に才？いては、位置１Ｂより位置ｔＴ
に至るまで、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃけ濃度Ｃ１
４より実質的に零に至る楳に一次関数的に減少している
。 ＠９図においては、位置ｔＢより位置１．に至るまでは
ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは、濃度Ｑｔ　よル濃度
Ｃ４まで一次関敷的に減少され、位ｆｆ’２　ｔｌ＋と
位置ｔ１・との間においては、濃度Ｃ＋＋の一定値とさ
れた例が示されている。 第１Ｏ図に示される例においては、ゲルマニウム原子の
分布濃度Ｃは位Ｍｔｎにおいて濃度ＣＩ！であシ、位置
ｔ６に至るまでｔまこの濃度ｃｒｔ　より初めはゆっく
りと減少され、ｔ、の位晶゛付近においては、力、激に
減少されて位置ｔ６では濃度ＣＩｍとされる。 位置ｔ６と位ｒ４ｔ、との間においては、初め急派に減
少されて、その後は、緩かに徐々に減少されて位置ｔヶ
で濃度Ｃ，・となシ、位１ｉｆｌ″Ｌ７と位置ｔ。 との間では、極めてゆつくシと徐々に減少されて位置ｔ
、において、い度ｅｔａに至る。位置ｔ、と位置を丁の
間においては、斜度Ｃｆｆ１よ勺実質的に零になる様に
図に示す如き形状の曲線に従って減少されている。 以上、第２図乃至第１０図により、光受容層中に含有さ
れるゲルマニウム原子の層厚方向の分布状態の典型例の
幾つかを説明した様に、本発明においては、支持体側に
おいて、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃの高い部分を有
し、界面ｔＴ側においては、前記分布濃度Ｃは支持体側
に較へて可成シ低くされた部分を有するゲルマニウム原
子の分布状態が光受容層に設けられている場合は、好適
な例の１つとして挙げられる。 本発明に於ける光導電部材を構成する光受容層は、好ま
しくは上記した様に支持体側の方か、又は、これとは逆
に自由表面側の方にゲルマニウム原子が比較的高濃度で
含有されている局在１）ｔ１域（Ａ）を有するのが望ま
しい。 例えば、局在領域（Ａ）は、第２図乃至第１０図に示す
記号を用いて説明すれば、界面位ＢＬＢよ９５８以内に
設けられるのが望ましい。　゛′上記局在領域（Ａ）は
、界面位置

【Ｂよシ５μ厚までの全層領域（ＬＴ）とさ
れる場合もあるし、又、層領域（Ｌｙ）の一部とされる
場合もある。 局在領域（Ａ）を層領域（ＬＴ）の一部とするか又は全
部とするかは、形成される光受容層に要求される特性に
従って適宜状められる。 局在領域（Ａ）はその中に含有されるゲルマニウム原子
の層厚方向の分布状態としてゲルマニウム原子の分布濃
度の最大値Ｃｍａｘがシリコン原子との和に対して、好
ましくけ１００Ｑ　ａｔｏｍｉｃｐｐｍ以上、よシ好ま
しく／／１５０００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、最適
にはＩ　ＸＩ　Ｏ’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｒｎ以上とさ
れる様な分布状態となシ得る様に層形成されるのが望ま
しい。 即ち、本発明においては、ゲルマニウム原子の含有され
る光受容層は、支持体側からの層厚で５μ以内（ｔＢか
ら５μ厚の層領域）に分布８；楚度ノ最大値Ｃｍａｘが
存在する様に形成されるのが好ましいものである。 本発明において、光受容層中に含有されるゲルマニウム
原子の含有相−としては、本発明の目的が効果的に達成
される様に所望に従って適宜状められるが、シリコン原
子との和に対して好ましくは１〜９．５ＸＩ　Ｏ’　ａ
ｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、より好ましくは１００〜８Ｘ１０
’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　、最適には、５０　（Ｌ〜
７Ｘ　１０　”　ａｔｏｒｎｉｃ　ｐｐｍ　とされるツ
カ望ましい。 光受容層中に於けるゲルマニウム原子の分布状態が、全
層領域にゲルマニウム原子が述絞的に分布し、ゲルマニ
ウム原子の層厚方向の分布濃度Ｃが支持体ｆｌｊ１１よ
シ光受容層の自由表面側に向って、減少する変化が与え
られているか、又は、この逆の変化が与えられている場
合には、分布濃度Ｃの変化率曲線を所望に従って任意に
設計することによって、要求される特性を持った光受容
層を所望通シに実現することが出来る。 例えば、光受容層中に於けるゲルマニウムの分布濃度Ｃ
を支持体側に於いては、充分高め、光受容層の自白表面
側に於いては、極力低める様な、分布濃度Ｃの変化を、
ゲルマニウム原子の分布濃度曲線に与えることによって
、可視光領域を含む、比較的短波長から比較的短波長迄
の全領域の波長の光に対して光感度化を図ることが出来
ると共に、レーザ光等の可干渉光に対しての干渉防止を
効果的にｄすることか出来る。 更には、後述さＩする様に、）゛Ｃ受容層の支持体側端
部に於いて、ゲルマニウムｊ−４ｉ子の分布濃度Ｃを極
端に大きくすることにより、半導体レーザを使用した場
合の、光受容層のレーザ照射面１１ｔ１に於いて充分吸
収し切れない長波長側の光を光受容層の支持体（１＋＋
１姑部層領域に於いて、実質的に完全に吸収する仁とカ
ζ出来、支持体面からの反射による干渉を効果的に防止
することが出来る。 本発明の光導電部相に於いでれ１１、高光感度化と高暗
抵抗比、更に幻２、光受容層の自由表面からの電荷の注
入を防止する目的の為に、光受容層中には、窒素原子が
含有される。光受容層中に含有される窒素原子ｔｆｉ、
光受容層の全層領域に万逼なく含有されても良いし、或
いは、光受容層の一部の１＠領域のみに含有させて遍在
させても良い。 Ｎ素原子の含有される層領域（ｉ＞すｔｔＣ於ける窒素
原子の分布状態は分布濃度Ｃ（Ｎ）が、光受容層の支持
体の表面と平行な面内方向に於いては、均一であっても
、層厚方向には不均一である。 本発明に於いては、本発明の目的をより効果的に達成す
る為に層領域（Ｎ）に於ける窒素原子の層厚方向に於け
る分布濃度曲線は、全領域に於いて滑らかであって且つ
連続している様に層領域（Ｎ）中には窒素原子が含有さ
れる。又、前記分布濃度曲線が、その最大分布濃度Ｃｍ
ａｘを光受容層の内部に存在する様に設計されることに
より、後述される効果が顕著に発揮される。 本発明に於いては、前記の最大分布濃度Ｃｍａｘは、好
ましくは、光受容層の支持体とは反対の表面（第１図で
は自由表面（１！Ｉ＋　’）の近傍に設けられるのが望
ましい。この場合、最大分布濃度Ｃｍａｘを適当に選ぶ
ことで光受容層の自由表面側よシ帯電処理を受けた際に
該表面から光受容層内部に電荷が注入されるのを効果的
に阻止することが出来る。 又、前記自由表面近傍に於いては、窒素原子の分布濃度
Ｃ（Ｎ）が自由表面に向って最大分布濃度Ｃｍａｘよシ
急峻に減少する様に窒素原子を光受容層に含有させるこ
とにより、多湿雰囲気中での耐久性を一層向上させるこ
とが出来る〇本発明に於いては、窒素原子の分布濃度曲
線は最大分布濃度Ｃｍａｘを光受容層の内部に有するが
、更に分布濃度の極大値が支持体側の方に存する様に分
布濃度曲線を設８トシて、窒素原子を含有させることに
よシ支持体と光受容層との間の密着性と電荷注入の阻止
を向上させることが出来る。 本発明に於いて、窒素原子は、光受容層の中央部層領域
に於いては、暗抵抗の増大を努めるも光感度を低下させ
ない程度の猾範囲で含有させることが望ましい。 本発明に於いて、窒素原子の最大分布濃度Ｃｍａｘとし
ては、シリコン原子とゲルマニウム原子と窒素原子の和
（以後［Ｔ　（８ｉＧｅＮ）　ｊと記す）に対して、好
ましくけ６７　ａ　ｔｏｍｉｃ％以下、よシ好ましくは
５０　ａｔｏｍｉｃ％以下、最適には４０ａｔｏｍｉｃ
係以下とされるのが望ましい。 第１１図乃至＠１４図には、光受容層全体としての窒素
原子の分布状態の典型的例が示される。尚、これ等の図
の説明に当っては断わることなく使用される記号は、第
２図乃至第１０図に於いて使用したのと同様の意味を持
つ。 第】Ｉ図例示される例では、位置ｔＢよ多位置ｔ４では
窒素原子の分布濃度Ｃ（Ｎ）は濃度Ｃ１ｌとされ、位置
ｔｏから位［１＋＋まで増加し位置ｔ１６で窒素原子の
分布濃度Ｃ（Ｎ）はピーク値ｃｔ＊になる。位置ｔ＋　
ａから位置ｔ、まで窒素原子の分布濃度Ｃ（Ｎ）は減少
し位置ｔ・ｒで濃度Ｃ１＋　となる。 第１２図に示される例では、位置ｔ８から位置ｔ＋２ま
では窒素原子の分布（ｌ湯度Ｃ（Ｎ）は濃度Ｃ，。 とされ位置Ｌｔから位１ｔ’５ｔ＋ｓまで急激に増加し
位１σｔｌｌで窒素原子の分布（醜度はピーク値Ｃｗｔ
をとシ位俗Ｌｘから位置１丁まで濃度がｅよとんど零に
なるまで減少する。 第１３図に示される例では、位置ｔＢがら位置ｔ１４　
まで窒素原子の分布濃度Ｃ（Ｎ）がＣｗｔからＣｔｓ　
までゆるやか罠増加し、位置ｔ、善で窒素原子の分布濃
度Ｃ（Ｎ）はピーク値Ｃ２６となる。位置ｔＩ４から位
置ＩＴまで窒素原子の分布濃度Ｃ（Ｎ；は急激に減少し
て位置ｔＴで窒素原子の分布濃度はＣｆｔ　となる。 ＠１４図に示される例では、位置ＩＢで窒素原子の分布
濃度Ｃ（Ｎ）はＣ２１で、位ばｔｌ、まで窒素原子の分
布濃度Ｃ（Ｎ）は減少し、濃度Ｃ１ｉ　となる位置ｔｌ
ｆｆから位置ｔｈｅ　まで、窒素原子の分布濃度Ｃ（Ｎ
）は濃度Ｃｔｓで一定である。位置ｔ１８から位［？、
ｌｔ＋７まで窒素原子の分布濃度Ｃ（Ｎ）は増加し、位
置ｔｌ？で窒素原子の分布濃度Ｃ（Ｎ）はピーク値Ｃｔ
ｓ　をとる。６７置ｔＩ、から位置ｔＴまで窒素原子の
分布濃度Ｃ（Ｎ）は減少し位ｊｇｔＴで濃度Ｃ，拳とな
る。 本発明に於いて、光受容層ＶＣ設けられる窒素原子の含
有されている層領域（Ｎ）は、光感度と暗抵抗の向上を
主たる目的とする場合には、光受容層の全層領域を占め
る様に設けられ、光受容層の自由表面からの電荷の注入
を防止するためには、自由表面近傍に設けられ支持体と
光受容層との間の密着性の強化を図るのを主たる目的と
する場合には、光受容層の支持体側端部層領域を占める
様に設けられる。 前者の場合、層領域（Ｎ）中に含有される窒素原子の含
有量は、高光感度を維持する為に比較的少なくされ、２
孔口の場合光受容層の自由表面からの電荷の注入を防ぐ
ために比較的多くされ、後者の場合には、支持体との密
着性の強化を確実に図る為に比較的多くされるのが望ま
しい０ 又、上記三渚を同時に達成する目的の為には、支持体側
に於いて比較的高濃度に分布させ、元受容湘の中央に於
いて比較的低破産に分布させ、光受容層の自由表面・絢
の表面１ｔ、１領域には、窒素原子を多くした様な窒集
原子の分布状態を層領域（Ｎ）中に形成すれば良い。 自由表面からの電荷の注入を防止するために自由表面側
で、屋素原子の分布（１１１度を高くしだ層領域（０）
を形成する。 本発明に於いて、光受容層に設けられる層領域（Ｎ）に
含有される窒素原子の含有量は、層領域（Ｎ）自体に要
求される特性、或いは該層領域（Ｎ）が支持体に直に接
触して設けられる場合には、該支持体との接触界面に於
ける特性との関係等、廟機的関連性に於いて、適宜選択
することが出来る。 又、前記層領域（Ｎ）に直に接触した他の層領域が設け
られる」島台にｄｌ、ｉｉ？他の層領域の特性や、該他
の層領域との接触界面に於ける特性との１伜も考慮され
て、′：ｌ素原子の含有量が適宜選択される。 層領域（Ｎ）中に含有される′−，【素原子の袖は、形
成される元導電部月に要求されるｆ特性に応じて所望に
従って適宜法めらｉするが、’ｌ’　（Ｓ　１（ＪｅＮ
　）に対して好ましくは、０．００１〜５　（１ａ　ｔ
ｏｍｉｃ　％　。 よシ好ましく１ｉ、０．００２〜４０　ａ　ｔｏｍｉ　
ｃ％、最適Ｖこは０．００３〜３０　ａｔｏｍｉｃ　％
とｉ　ｊ１ルノｉ：ｇ　ｉ　Ｉ。 いものである。 本発明に於いて、層１ｉ１’ｊ域（Ｎ）がゲＣ受容層の
全域を占めるか、或いは、光受容層の全域を占めなくと
も、層領域（Ｎ）の層厚Ｔｏの光受容層の層厚Ｔに占め
る割合が充分多い場合には、層領域（Ｎ）に含有される
窒素原子の含有量の上限は、前記の値より充分小なくさ
れるのが望ましい。 本発明の場合に（叶、／ｉ！′７領域（Ｎ）の層厚Ｔｏ
が光受容層の層厚Ｔにλ１１−で占める割合が５分の２
以上となる様な、ｆＪ′）合には、層領域（Ｎ）中に含
有されろｔｌ　３Ｈ原子の量の上限と］７てけ、Ｔ（Ｓ
ｉＧｅＮ）に対して好１しくは、３　ｎ　ａ　ｔｏｍｉ
　ｃ係以下、より好ましく　４−、Ｊ：、２０　ａ　ｔ
ｏｍｉ　ｃ係以下、最適には１゜ａｔｏｍｉｃチ以下と
されるのが重重しい。 本発明にＪ）−いて、光受容層を構成する窒素原子の含
有される層領域（Ｎ）は、−ヒ記し７た様に支持体（ｉ
ｌｌｊ及び自由表面近傍の方に窒素原子が比較的高６１
１度で含有されている局在領域（Ｈ，）を有するものと
して設けられるのが望１しく、前者のｗ合には、支持体
とブＣ受容層との間の密着性をより一層向上させること
及び受容電位の向上が出来る。 上記局在領域（Ｂ）は、第１１図乃至第１４図に示す信
号を用いて説明すれば、界面位置ｔＢまたは自由表面ｔ
Ｔ、ｌＪ５μ以内に設けられるのが望ましい。 本発明においてはｓ」二Ｆｔｌｆｆｉ局γＦ領域（Ｂ）
は、界面位置ｔＢまたは自由表面ｔＴより５μ厚までの
全層領域（ＬＴ　）とされる場合もあるし、父、層領域
（ＬＴ）の一部とされる場合もある。 局在領域を層領域（ＬＴ　）の一部とするか又は全部と
するかは、形成される光受容層に要求される特性に従っ
て適宜法められる。 局在領域（Ｂ）はその中に含有される窒素原子の層厚方
向の分布状態として窒素原子の分布濃度（ｊＣＮ）の最
大値Ｃｎ１ａＸが、好ましくは５００ａｔｏｍｉｃ　ｐ
ｐｍ以上、より好ましく”ｄ　８００ａｔｏｍｉｃｐＩ
）ｍ以上、最適には１０（１０ａｔｏｍｊｃ　ｐｉ）ｍ
とされる様な分布状態となり得る様に層形成きれるのが
望ましい。 即ち、本発明においては、窒素原子の含有される層領域
（Ｎ）は、支持体（１＋１１−、ｉだは自由表面がらの
層厚で５μ以内（ｔｎまたはｔＴから５μ厚の層領域）
に分布濃度の最大値ＣｍａＸが存在する様に形成される
のが望ましい。 本発明において、必要に応じて光受容層中に含有される
ハロゲン原子（Ｘ）としては、具体的にはフッ素、塩素
、臭素、ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素、塩素を好適な
ものとして挙げることが出来る。 本発明の光導電部材に於いては、光受容層中には、伝導
特性を支配する物質を含有させることにより、光受容層
の伝導特性を所望に従って任意に制御することが出シ１
６る。 この様な物質としては、所謂、半導体分野で云われる不
純物を挙げることが出来、本発明に於いては、形成され
る光受容層を構成するｎ−８Ｉ　Ｇｅ　（Ｈ＋　Ｘ　）
に対して、ｐ型伝導特性を与えるｐ型不純物及びｎ型伝
導特性を与えるｎ型不純物を挙げることが出来る。具体
的には、ｐ型不純物としては周期律表第■族に属する原
子（第１■族原子）、例えば、Ｂ（硼素）、ＡＺ（アル
ミニウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム）。 Ｔｔ（クリラム）等があり、殊に好適に用いられるのは
、Ｂ、Ｇａである。 Ｉｌ型不純物としては、周期律表第■族に属する原子（
第Ｖ族原子）、例えば、Ｐ（燐）　、Ａｓ（砒素）、Ｓ
ｂ（アンチモン）、Ｂｉ（ビスマス）等であり、殊に、
好適に用いられるのは、Ｐ、Ａｓである。 本発明に於いて、光受容層中に含有される伝導特性を制
御する物質の含有→！ｌ′は、該光受容層に要求される
伝導特性、或い目該光受容層が直に接触して設けら′Ｉ
Ｌる支持体との接触界面に於ける４゛￥性との関係等、
有機的門；！１工性に於いて、適宜選択することが出来
る。 父、前記の伝４特性を制御する物質を光受容層中に含有
させるのに、該光受容層の所望される層領域に局在的に
含有さｌ↓−る１合、妹に、光受容層の支持体側端部層
領域に含有させる場合には、該層領域に直に接触して設
けられる他の層領域の特性や、該他の層領域との接触界
面に於ける特性との関係も考慮されて、伝導特性を制御
する物質の含有量が適宜選択される。 本発明に於いて、光受容層中に含有される伝導特性を制
御する物質の含−有１としては、好ましくは、０．０１
〜５　Ｘ　１０’　ａ　ｔｏｍｔ　ｅ　ｐｐｒｎ　Ｉ　
より好ましく　’ｃ１．０．５〜Ｉ　Ｘ　１．０’　ａ
ｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　＋最適には１〜５　Ｘ　１０’　
ａｔｏｍｉ　ｃ　ｐｐｍとされるのが望ましいものであ
る。 本発明に於いて、伝導１゛￥性を支配する物質が含有さ
Ｊする層領域に於ける該物質の含有量が好ましくは３０
　ａｔｏｍｉｃ　ｐＩ）ｍ以上、より好ましくは５０　
ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、最適には、１００　ａｔｏ
ｍｉｃｐｐｍ以上の場合には、前記物質ｔよ、光受容層
の一部の層領域に局所的に含有されるのが望゛ましく、
殊に光受容層の支持体側端部層領域（Ｅ）　Ｋ偏在させ
るのが望ましい。 上記の中、光受容ｔ―の支持体側端部層領域［Ｆ］に前
記の数置以上の含有量となる様に前記の伝導特性を支配
する物質を含有さすることによって、例えば該含有させ
る物質が前記のｐ型不純物の場合には、光受容層の自由
表面が０）極性に帯電処理を受けだ際に支持体側からの
光受容層中への電子の注入を効果的に阻止することが出
来、又、前記含有させる物＋ｐｔが前記の１１型不純物
の場合には、光受容層の自由表面が○極性に帯電処理を
受けた際に、支持体側から光受容層中への正札の注入を
ｘ’＃　果的にｌ’１４止することが出来る。 この様に、前記端部層領域（Ｅ）に一方の極性の伝導特
性を支配する物質を含有さ１七る場合には、光受容ｊ・
１４の残りの層領域、即ち、前記端部層領域（Ｅ）を除
いた部分の層領域（Ｚ）には、他の極性の伝導特性を支
配する物′丙を含イＪさせても良いし、或いは、同極性
の伝導１１に性を支配する物質を、端部層１・α域（Ｅ
）に含−（Ｔさオシる実際の４．１よりも一段と少ない
針にして含有させても良いものである。 この様な計、９合、前記層領域＜Ｚ＞中に含有される前
記伝導’Ｉ（１′件を支配する物ｔ１の含イ１Ｆ々とじ
ては、端部層領域（Ｅ）に含有さＪしる前記物＋１ノｊ
の極性や含有量に応じて所望に従って適宜決定されるも
のであるが、好ましくは、０．００１〜１００１０００
ａｔｏ　Ｐｐｍｂより好ましくは０．０５〜５００ａｔ
ｏｍｉｃｐＰｍ１最適には０．１〜２００　ａｔｏｍｉ
ｃ　ｐｐｍとされるのが得ましいものである。 本発明に於いて、端部層領域（Ｅ）及び層領域（Ｚ）に
同種の伝導性を支配する物質を含有させる場合には、層
領域（Ｚ）に於ける含有量としては、好ましくは、３０
　ａｔｏｍｉｃ　ｐＴ）ｍ以下とするのが望オしいもの
である。上記した場合の他に、本発明に於いては、光受
容層中に、一方の極性を有する伝導性を支配する物質を
含有させた層領域と、他方の極性を有する伝導性を支配
する物質を含有させだ層領域とを直に接触する様に設け
て、該接触領域に所謂空乏層を設けることも出来る。詰
り、例えば、光受容層中に、前記のｐ型不純物を含有す
る層領域と前記のｎ型不純物を含有する層領域とを直に
接触する様に設けて所謂ｐ−ｎ接合を形成して、空乏層
を設けることが出来る。 本発明において、ａ−８ｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ　）で構成さ
れる光受容層を形成するには例えばグロー放電法、スパ
ッタリング法、或いはイオンブレーティング法等の放電
現象を利用する真空堆積法によって成される。例えば、
グロー放電法によって、ａ−８ｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ）で構
成される光受容層を形成するには、基本的にはシリコン
原子（Ｓｉ　）を供給し得るＳｔ供給用の原料ガスとゲ
ルマニウム原子（Ｇｅ）を供給し得るＧｅ供給用の原料
ガスと、必要に応じて水素原子（Ｈ）導入用の原料ガス
又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスを、内
部が減圧例し得る堆積室内に所望のガス圧状態で導入し
て、該堆積室内にグロー放電を生起させ、予め所定位置
に設置されである、所定の支持体表面一ヒにａ　−５ｉ
Ｇｅ　（Ｈ，Ｘ　）から成る層を形成すれば良い０又、
ゲルマニウム原子を不均一な分布状態で含有させるには
ゲルマニウム原子の分布濃度を所望の変化率曲線に従っ
て制御し乍らａ　５ｉＧｅ　（Ｈ＋　Ｘ）からなる層を
形成さ→明Ｉｔげ白い、、■、スパッタリング法〒１に
府する場合には、例えばＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガス又は
これ等のガスをベースとした混合ガスの雰囲気中でＳｉ
で構成されたターゲット、或いは、該ターゲットとＧｅ
で構成されたターゲットの二枚を使用して、父は％Ｓ１
とＧｅの混合されたターゲットを使用して、必要に応じ
て、Ｈｅ、Ａｒ等の稀釈ガスで稀釈されたＧｅ供給用の
厚（゛・１ガスを、必要に応じて、水素原子（）ｌ）又
は／及びノ・ロゲン原子（Ｘ）導入用のガスをスパッタ
リング用の堆積室に導入し、所望のガスのプラズマ雰囲
気を形成することによって成される。ゲルマニウム原子
の分布を不均一にするｊδ合には、前記Ｇｅ供給用の原
料ガスのガス流量を所望の変化率曲線に従って制御し乍
も、前記のターゲットをスノくツタリングしてやれば良
い。 イオンブレーティング法の場合には、例えば多結晶シリ
コン又は乍結晶シリコンと多結晶ゲルマニウム又は単結
晶ゲルマニウムとを、夫々蒸発源として蒸着ボートに収
容し、この蒸発源・を抵抗加熱法、我いは、エレクトロ
ンビーム法（ＥＢ法ン等によって加熱蒸発させ、飛翔蒸
発物を所望のガスプラズマ雰囲気中を通過させる以外は
、スパッタリング法の場合と同様にする事で行うことが
出来る。 本発明において使用されるＳｉ供給用の原料ガスと成り
得る物質としては、ＳｉＬ　ｒ　５１ｔＩ（６ｒＳ　ｉ
　ｇＨｓ　＋　Ｓ　ｉＪ＋ｏ等のガス状態の又はガス化
し得る水素化硅素（シラン類）が有効に使用されるもの
として挙げられ、殊に、層作成作・省時の取扱い易さ、
Ｓｉ供給効率ｏａさ等の点テＳ　ｉＨ４＋　Ｓ　１２１
（ｓが好ましいものとして挙げられる。 Ｇｅ供給用の原料ガスと成り得る物質としては、ＧｅＩ
（４ｔ　ＧｅｔＨｅ　ｔ　Ｇｅｓル、　Ｇｅ４Ｈ４゜ｔ
　Ｇｅ５ｌ−１１Ｉ　ＨＧｅｏＨｕ　＋Ｇｅ７Ｈ＋ｅ　
＋　ＧｅＪ（＋８１　ＧｅｏＨ２ｏ等のガス状態の又は
ガス化し得る水素化ゲルマニウムが有効に使用されるも
のとして挙げられ、殊に、ｊ※作成作業時の取扱い易さ
、Ｇｅ供給効率の良さ等の点で、Ｇｅ）１４゜Ｇｅ、Ｈ
ｓ　、　Ｇｅ３．Ｈｅが好ましいものとして挙げられる
。 本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げられ
、例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化合
物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状態の
又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられる
。 又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とをｔ、ｌ、
ｌ成要紫とするガス状態の又はガス化し得る、ハロゲン
原子を含む水素化硅素化合物も有効なものとして本発明
においては挙げることが出来る。 本発明において好適に使用しｉ４Ｊるハロゲン化合物と
しては、具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハ
ロゲンガス、ＢｒＦ　、ＣＬＦ　）　ＣＬＦｓ　＋Ｂｒ
Ｆａ　Ｈ１３ｒＦｓ　Ｔ　ＩＦ、＋　）　ＩＦ７　ＨＩ
ＣＡＪ　ＩＢｒ等のハロゲン化合物を挙げることが出来
る。 ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲン原子で
置換さｉしたシラン誘導体としては、具体的には１り１
１えばＳｉＦ％　＋　５ｉｔＦ６＋　５ｉＣ４ＨＳｉＢ
ｒ４等のハロゲン化硅素が好ましいものとして挙げるこ
とが出来る。 この様なハロゲン原子を陰む硅素化合物を採用し、てグ
ロー放電法によって本発明の特徴的な光導電部拐を形成
する場合には、Ｇｅ供給用の原料ガスと共にＳｉを供給
し得る原料ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくと
も、所望の支持体上にハロゲン原子を含むａ　５ｉＧｃ
から成る光受容層を形成する事が出来る。 グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む光受容層を
？！造する。局舎ｓ　ｆ、１１：本市には、例えばＳｉ
供給用の原料ガスとなるハロゲン化硅素とＧｅ供給用の
原料ガスとなる水素化ゲルマニウムとＡｒ、　）１．　
Ｈｅ等のガス等をＩ９［定の混合比とガス流ｉ’／Ｉ：
になる様にし７て光受容層に：形成する堆積室に導入し
、グロー放電を生起してとれ（・）のガスのプラズマ雰
囲気を形成することによって、所望の支持体上に光受容
層を形成し得るものであるが、水素原子の導入割合の１
１７１１　？＋’ｌｌｌを一層谷易になる様に図る為に
これ等のガスに更に水素ガス又は水素原子を宵む硅素化
合物のガスも所望険混合して層形成しても良い。 又、各ガスは−１）４独種のみでｈ（所宇の混を１七で
籾数種混合して１吏用しても７・。主支えないものであ
る。 スパッタリング法、イオンプレーディング法の河れの場
合にも形成される層中にハロゲン原子を導入するに一１
前記のハロゲン化合物又は前記のハロゲン原子を含む硅
素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガスのプラズマ
雰囲気を形１１１ｊ　Ｌでやれば良いものである。 又、水素ｊ１：（−子を導入する場合には、水素原子２
ｎ入用の原料ガス、ｌ４＝ｌｌえげ、Ｈ２、或いは前記
したシラン類又は／及び水素化ゲルマニウム等のガス）
、１１をスパッタリング用の堆積室中に導入して該ガス
・ハ１のプラズマ雰囲気を形成してやれば良い。 本発明においては、ハロゲンｌｉ；Ｃ子導入用の原料ガ
スとして上記さＪしたハロゲン化合物代いはハロゲンを
含む硅素化合物が有効なものとして使用されるものであ
るが、その他に、■伊、ＨＣｔ。 ｌ−ｌＢｒ　、　ＨＩ等のハロゲン化水素、５ｉＨ２１
ｉ’ｔ　＋　５ｉＨｔＩｔ。 ５ｉＨ２Ｃ４＋　５ｉＨＣ４＋　５ｉＨｔＢｒ２　、５
ｉｌ−ｆＪ３ｒ３等のハロゲ７置換水素化硅素、及びＧ
ｅＲＦｐ　、　ＧｅＨ２Ｒ、ＧｅＨ３Ｆ。 ＧｅＨＣｌｘ　＋　ＧｅＨ２Ｃ４＋　ＧｅＨ３Ｃ４，Ｇ
ｅＨＢｒ５　＋　ＧｅＩ■ｔＢｒｔ　＋ＧｅＨｇＢｒ　
＋　ＧｅＨＩｓ　＋　ＧｅＨ２Ｃ４ｌ　Ｇｅ’Ｈ３Ｉ等
の水素化ハロゲン化ゲルマニウム、等の水素原子を構成
要素の１つとするハロゲン化物％　ＧｅＦ４＋　ＧｅＣ
ｌ４　ｙＧｅＢｒｎ　、　Ｇｅ１．　ｌ　ＧｅＦｔ　、
ＧｅＣ４１ＧｅＢｒ２１　ＧｅＩｔ等のハロゲン化ゲル
マニウム、等々のガス状態の或いはガス化し得る物質も
有効な光受容層形成用の出発物質として単げろ事が出来
る。 これ等の物質の中、水素原子を含むハロゲン化物は、光
受容層形成の除に層中にハロゲン原子の導入と同時に電
気的或いは光電的特性の制御に極めて有効な水素原子も
導入されるので、本発明においては好適なハロゲン導入
用の原料として使用される。 水素原子を光受容層中に構造的に導入するには、上記の
曲にＨ２、或いは５ＩＨ４＋　５ｉｔＨａ　＋　Ｓｔｓ
Ｈａ　ｌ５１４ＨＩＯ等の水素化硅素をＧｅを供給する
為のゲルマニウム又はゲルマニウム化合物と、或いは、
ＧｅＨ４ｇ　Ｇｅ２＆　ＨＧｅ５Ｉ（８，Ｃｅ４Ｈ＋ｏ
　ｒ　ＧｅａＨｎ　ｌ　ＧｅａＨｔ４＊ＧｅｙＲ６＋　
ＧｅａＨ＋ｓ　Ｔ　ＧｅｏＨＬｏ等の水素化ゲルマニウ
ムとＳｔを供給する為のシリコン又はシリコン化合物と
、を堆積室中に共存させて放電を生起させる事でも行う
車が出来る。 本発明の好ましい例において、形成される光導電部材の
光受容層中に含有される水素原子０の量、又は）・ロゲ
ン原子（Ｘ）の量、又は水素原子とハロゲン原子の量の
和（Ｈ＋Ｘ　）は好ましくけ０．（１１〜４０　ａｔｏ
ｍｉｃ％、より好ましくは０．０５〜３０　ａｔｏｍｉ
ｃ’ｌ、最適には０．１−２５　ａｔｏｍｉ　ｃ％とさ
れるのが望ましいっ 光受容層中に含有される水素原子（Ｔ（）又は／及び・
・ロゲン１東子（Ｘ）の量を制御するには、例えば支持
体温度又は／及び水素原子（Ｈ）、或いはハロゲン原子
（Ｘ’）を含有させる為に使用される出発物質の唯積装
置系内へ導入する量、放電々力等を制御してやれば良い
。 本発明の光導電部材に於ける光受容層の層厚は、光受容
層中で発生されるフォトキャリアが効率良く輸送される
様に所望に従って適宜法められ、好ましくは１〜１００
μ、より好ましくは１〜８０μ、最適には２〜５０μと
されるのが望ましい。 本発明に於いて、光受容層に窒素原子の含有された層領
域（へ）を設けるには、光受容層の形成の際に窒素原子
導入用の出発物質を前記した光受容層形成用の出発物質
と共に使用して、形成される層中にその量を制御し乍ら
含有してやれば良い。 層領域（へ）を形成するのにグロー放電法を用いる場合
には、前記した光受容層形成用の出発物質の中から所望
に従って選択されたものに窒素原子導入用の出発物質が
加えられる。その様な窒素原子導入用の出発物質として
は、少なくとも窒素原子を構成原子とするガス状の物質
又はガス化し得る物質をガス化したものの中の大概の東
の充イ市田訃ｌ耳六− 例えばシリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とする原料ガス
と、窒素原子（０）を構成原子とする原料ガスと、必要
に応じて水素原子０力又は及びノ・ロゲン原子（３）を
構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して使
用するか、又は、シリコン原子（Ｓｔ　）を構成原子と
する原料ガスと、窒素原子（へ）及び水素原子圓を構成
原子とする原料ガスとを、これも又所望の混合比で混合
するか。 或いは、シリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とする原料ガ
スと、シリコン原子（Ｓｉ）、窒素原子■及び水素原子
（６）の３つを構成原子とする原料ガスとを混合して使
用することが出来る。 又、別には、シリコン原子（Ｓｔ）と水素原子α力とを
構成原子とする原料ガスに、窒素原子（５）を構成原子
とする原料ガス、を混合して使用しても良い。 層領域Ｎを形成する際に使用される窒素原子（財）導入
用の原料ガスに成り得るものとして有効に使用される出
発物質は、Ｎｆ：構成原子とする或いはＮとＨとを構成
原子とする例えば窒素（Ｎ２）　、アンモニア（ＮＩ（
Ｓ）　、ヒドラジン（ＨｚＮＮＨｚ　）アジ化水素（Ｉ
（Ｎｓ）　、アジ化アンモニウム（ＮＨ４Ｎｓ　）等の
ガス状の又はガス化し得る窒素、窒化物及びアジ化物等
の窒素化合物を挙げることが出来る。この他に、窒素原
子（ｂりの導入に加えて、ハロゲン原子（３）の導入も
行えるという点から、三弗化窒素（ＦＡＮ）　、四弗化
窒素（Ｆ４Ｎ２）等のハロゲン化窒素化合物を誉げるこ
とが出来る。 本発明に於いては、層領域（へ）中には窒素原子で得ら
れる効果を更に助長させる為に、窒素原子に加えて更に
酸素原子を含有することが出来る。酸素原子を層領域（
へ）に導入する為の酸素原子導入用の原料ガスとしては
、例えば酔：素（０２）。 オゾン（０３）　、−酸化窒素（ＮＯ）　、二酸化窒素
（ＮＯ２）　−−二酸化窒素（ＮｔＯ）　、三二酸化窒
素（Ｎｔｏｓ）　、四三酸化窒素（ＮｚＯ＊）−三二酸
化窒素（Ｎ２０５）　、三酸化窒素（ＮＯ３）　’−シ
リコン原子（Ｓｉ）と酸素原子０）と水素原子−とを構
成原子とする。 例えば、ジシロキサン（ＨＩＩＳ　ＩＯ８Ｉｎ２　）　
ｒ　）ジシロキサン（ＩＴｓＳｔＯ８ｉＨｚＯ８ｉＨｓ
）等の低級シロキサン等を挙げることが出来る。 スパッタリング法（よって、窒素原子を含有する光受容
層を形成するには、単結晶又は多結晶のＳｉウェーハー
又はＳｉ３Ｎ４　ウェーッ・−１又はＳｔと５ｉｓＮ４
が混合されて含有されているウェーハーをターゲットと
して、これ等を種々のガス雰囲気中でスパッタリングす
ることによって行えば良い。 例えば、Ｓｉウェーハーをターゲットとして使用すれば
、窒素原子と必要に応じて水素原子又は／及び）・ロゲ
ン原子を導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガ
スで稀釈して、スパッター用の堆積室中に導入し、これ
等のガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｉウェーッ１
−をスノぐツタリングすれば良い。 又、別には、Ｓｔと５ｉｓＮ＊とは別々のターゲットと
して、又はＳｉと５ｉｓＮ４の混合した一枚のターゲッ
トを使用することによって、スパッター用のガスとして
の稀釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも水素原子（ロ）
又は／及びノ・ロゲン原子（３）を構成原子として含有
するガス雰囲気中でスパッタリングすることによって成
される。酸素原子導入用の原料ガスとしては、先述した
グロー放電の例で示しだ原料ガスの中の窒素原子導入用
の原料ガスが、スパッタリングの場合にも有効なガスと
して使用され得る。 本発明に於いて、光受容層の形成の際に、窒素原子の含
有される層領域（へ）を設ける場合、該層領域（へ）に
含有される窒素原子の分布濃度Ｃ■を層厚方向に変化さ
せて、所望の層厚方向の分イ１ｊ状態（ｄｅｐｔｈ　Ｊ
）ｒｏｆｉｌ、ｅ）を有する層領域（へ）を形成するに
は、夕日−放電の場合には、分布濃度Ｃ（へ）を変化さ
せるべき窒素原子導入用の出発物質のガスを、そのガス
流面゛を所望の変化率曲線に従って適宜変化させ乍ら、
堆積室内に導入することによって成される。 「１］えは手動あるいは外部駆動モータ等の通常用いら
れている何らかの方法により、ガス流路系の途中に設け
られた所定のニードルパルプの開口を漸次変化させる操
作を行えば良い。このとき、流量の変化率は線型である
必要はなく、例えばマイコン等を用いて、あらかじめ設
計された変化率曲線に従って流量を制御し、所望の含有
率曲線を得ることもできる。 層領域（へ）をスパッタリング法によって形成する場合
、窒素原子の層厚方向の分布濃度Ｃ■を層厚方向で変化
させて、窒素原子の層厚方向の所望の分布状態（ｄｅｐ
ｔｈ　ｐｒｏｆｉｌｅ）を形成するには、第一には、グ
ロー放電法による場合と同様に、窒素原子導入用の出光
物質をガス状態で使用し、該ガスを堆積室中へ導入する
際のガス流１ｔを所望に従って適宜変化させることによ
って成される。 第二には、スパッタリング用のターゲットを。 例えばＳｔと５ｉｓＮ＋との混合され／こターゲットを
使用するのであれば、　ＳｔとＳｉ＊Ｎ４との混合比を
。 ターゲットの層厚方向に於いて、予め変化させておくこ
とによって成される。 光受容層中に、伝導特性を制■１１する物質５例えば第
１族原子或いは第Ｖｉ原子を構造的に導入するには、層
形成の際に、第１族原子導入用の出発物質或いは第■か
；原子導入用の出発物質をガス状態で堆Ｍ室中に、光受
容ノＩｒ；を形成する為の他の出発＋ｈｇ　ｉ：ｒ、と
共に渚、大してやれば良い。 この様な第１族原子導入用の出発′物質とをシ得るもの
としては、當温マ；）川でカス状の又は、少なくとも層
形成争件下で容易にガス化しｌＩるものが採用ぜれるの
が望首しい。その様な８１１■族原子尋入用の出発物質
として具体的にはｊｊｐｌ素原子専入用としでは、Ｂ、
）↓ｅ　、　Ｂ４．ＨＩ。、　Ｂ５Ｈｇ　ｒ　Ｂ６ＨＩ
Ｉ　ｒＤＪ（＋。、　Ｂ６Ｉ−１，１２、１３１！Ｈ１
４等の水メ１化（４，す１ｊ累、ＢＦ３　、ＤＣＩＢ　
。 ＢＴ３ｒｓ％のハロゲン化飢ｉ）累／９が挙げられる。 この他、／’１１Ｃ１３、ＧａＣｊｓ　、　Ｇａ（Ｃ１
ｆｓ）、＊　Ｉｎ（Ｊｓ　、　ｉ’１ｃｌｓ等も挙げる
ことが出来る。 第１族原子導入用の出発物質として、本発明において有
効に伯ｉ用されるのは、燐原子２１１人用としては、Ｐ
Ｈｓ　、　ｆ’２Ｈ＋等の水素化燐、　ＰＨ４，Ｉ　。 ＰＦ３　、　ＰＦ５　、　ＰＣＡｓ　ｐ　ＰＣＪ、　、
　ＰＢｒ３　、　Ｐ］３ｒ５．　ＰＩｓ等のハロゲン化
燐が挙げらノＬる。Ｌ　’））　−ＩＩ！、　＊　Ａ８
Ｉ（３ｙ　ＡＯＦｓ　ｐＡｓＣｊ！３．　Ａｓ１ｌｒｓ
　、　ＡｓＦ’５　、５ｂｌ（ｓ　＋　Ｓｂ」（”ｓ　
＊　ＳｂＦ’Ｂ　、　５ｂＣ１ｓ　ｐＳｂＣ１５ｔ　Ｂ
ｉＨｓ　＃　ＢｉＣＪ３．　Ｂ１Ｂｒ５等もｔＪｆ、　
Ｖ　ｌｙｊ原子原子用入用発物質の有効なものとして挙
げることが出来る。 本発明に於いて、光受容１−を４１４成し、伝導特性を
支配する物質を含有して支持体側に偏在して設けられる
層領域の層厚としては、該層領域と該層領域上に形成さ
れる光受容層を栖成する他の層領域とに侠求される（Ｖ
、ｌ、性に応じ′を所望に従って適宜決定されるもので
ある妙４、その下限としては、好ましくはＢ０ス以上、
よシ＠せしくけ・１０Å以上、最適には５０Å以上とさ
れるのが望ましい。 ヌ、上記層領域中に３鳴される伝導特性を制御する物質
の自翁充が３０　ａｔｏｍｉｃ　ｌ）ｒ）ｍ以上とされ
る場合には、該層領域の層厚の上限としては、好ましく
は１０μ以下、よシ好ましくは８μ以下、最適には５μ
以下とされるのが望１、しい。 本発明において使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性であっても良い。導電性支持体としては１例
えは％ＮｔＣ’　＊ステンレス。 ＡＩ、Ｃｒ、Ｍｏ　、Ａｕ　、Ｎｂ　、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ
　、Ｐｔ　、Ｐｄ等の金属又はこれ等の合金が挙げられ
る。 電気絶縁付支持体としてｔｌｌ、ポリニスデル。 ポリエチレン、ポリカーボネート、セルローズアセテ−
１・、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル。 ポリ塩化ビニリデン、ボリスチし・ン、・ｊ′リアミド
等の合成樹脂の、フィルｌ、ＶＣ、シート、ガラス。 セラミックｒ　ｂ’；竺、うζ通常使用さノする。これ
等の電気Ｐ、縁性支持体は、好適には少なくともその一
方の表面を導電処理され、該う、グ；Ｗｉ処理さオした
表面側に他の層が設けら・１するのが望ましい。 例えば、ガラスでを・れげ、その表面に、ＮｉＣｒ。 Ａ’　＋　Ｃｒ　Ｔ　Ｍｔ＞　ｌ　Ａｌｌ　ｌ　Ｉ　ｒ
　ｒ　Ｎｂ　ｌ　’Ｌ’ａ　ｌ　ｖ’　Ｉ　Ｔｔ　ｌ　
ｐｔ　＋　ｐｄｒＩ　！１２０３　、５１１０２　、　
ＩＩ’Ｏ（１’ｎ□Ｏｓ　＋Ｓ１１．０２　）等から成
る薄膜を設けることによって導電＋（、が付力され、或
いはポリエステルフィルム等の合ｂＫ　技１　、ＩＩＭ
フィルムであればｔ　ＮｉＣｒ、Ａ／ｌ、Ａｇ、Ｐｄ、
Ｚｒ＋、Ｎｉ　、Ａｎ。 Ｃｒ、ｒｖ’ｉｏ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、　Ｔｊ　、
Ｐｔ等の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパ
ッタリング等でその表面に設け、又は前把金属でその表
面を２ミネート処理して、その表面に導電性が付与され
る。支持体の形状としては１円筒状。 ベルト状、板状等任意の形状とし、得、所望によって、
その形状は決定されるが、例えば、第１図の光導電部材
１００を電子写真用像形成部材として使用するのであれ
ば連続高速複写の場合には、無端ベルト状又は円筒状と
するのが望ましい。支持体の厚さは、所望桶りの光導電
部材が形成される様に適宜決定されるが、光導電部材と
して可撓性が要求される場合には、支持体としての機能
が充分発揮される範囲内であれば可能な限シ簿くさｉす
る。両年ら、との様な場合支持体の製造上及び取扱い＋
、イ・５械的強度等の点から、好まし７〈は１０μ以上
とされる。 次に本発明の光導電、部材の製造方法の一例の概、略に
ついて説明する。 第１５図に光導電部材の製造装置の一例を示すＯ 図中の１１０２〜１１０６のガスボンベには１本発明の
光導電部材を形成するだめの原料ガスカ；密封されてお
シ、その−例としてたとえば１１ｏ２はｓ　Ｈｅで稀釈
された５ｉＪＩ４ガス（純度９９．９９９％。 以下Ｓ　ｉＨ４／Ｈｅと略す。）ボンベ、　１１０３は
Ｉ−Ｉｅで稀釈されたＧｅＨ，ガス（純度９９．！１１
９９チ、以下ＧｅＨ４／Ｈ，ｅと略す。）ボンベ、１１
ｏ４はＨｅで稀釈されたＳｉＦ、ガス（純度９９．９９
％、以下ＳｉＦ４ΔＨｅと略す。）ボンベ、１１０５は
ＮＨｓガス（純度９９．９９９％）ボンベ、１１０６は
Ｈ２ガス（純度９９．９９９％）ボンベである。 これらのガスを反応室１１０１に流入させるには、ガス
ボンベ１１０２〜１１０６ノハルブ１１２２〜１１２６
．　リークパルプ１１３５が閉じられていることを確認
し、又、流入パルプ１１１２〜１１１６、流出パルプ１
１１７〜１１２１．補助パルプ１１３２゜１１３３が開
かれていることを確認して、先づメインパルプ１１３４
を開いて反応室１１０１、及び各ガス配管内を排気する
。次に真空計１１３６の読みが約５　Ｘ　１０　ｔｏｒ
ｒになった時点で補助パルプ１１３２　、１１３３、流
出パルプ１１１７〜１１２１を閉じる。 次にシリンダー状基体１１３７上番て光受容層を形成す
る場合の一例をあげると、ガスボ′ンベ１１０２よＦ）
　Ｓ　ｉ　Ｈ４／Ｈｅガス、ガスボンベ１１ｏ３よ’）
　ＧｅＨｔ／Ｈｅガス、ガスボンベ１１ｏ５よりＮＨｓ
ガスをパルプ１１２２，１１２３．１１２４を開いて出
口用ゲージ１１２７，１１２８．１１２９の圧を１　／
ｌ、ｇ／ｃｖＩ　Ｋ調整し、流入パルプ１１１２，１１
１３．１１１４を徐々に開けて、マス７ｏコｙトローラ
１１０７，１１０８．１１０９内に夫々流入させる。引
き続いて流出パルプ１１１７゜１１１８．１１１９　、
補助パルプ１１３２を徐々に開いて夫々のガスを反応室
１１０１に流入させる。このときのＳ　ｉ　Ｈ４／　Ｈ
ｅガス流量どＧｅ）ｉｔ　／　Ｈｅガス流量とＤｏｌ■
ｓガス流量との比が所望の値になるように流出バルブ１
１１７　、１１１８　、１１１９を調整し、又、反応室
１１０１内の圧力が所望の値になるように真空計１１３
６の読みを見ながらメインバルブ１１３４の開口を調整
する。そして基体１１３７の温度が加熱ヒーター１１３
８にょシ５ｏ〜４００’Ｃの範囲の温度に設定されてい
ることを確認された後、電源１１４０を所望の電力に設
定して反応室１１０１内にグロー放電を生起恣せ、同時
にあらかじめ設計された変化率曲線に従ってＮＨｓガス
又は／及びＧｅＨ＋／Ｈｅガスの流量を手動あるいは外
部駆動モータ等の方法によってパルプ１１１８の開「１
を漸次変化させる操作を行なって形成される層中に含有
されるゲルマニウム原子の分布０度を制御する。 又、層形成を行っている間は層形成の均一化を図るため
基体１１３７はモータ１１３９により一定速度で回転さ
せてやるのが望ましい。 以下実施例について説明する。 実施例１ 第１５図に示した製造装置により、シリンダー状のＡｌ
ｌ基体上に第３表に示す条件で電子写真用像形成部材と
しての試料（試料Ａｌ１１〜１３−４）を夫々作成した
（第２表）。 各試料に於けるゲルマニウム原子の含有分布濃度は第１
６図に、又、窒素原子の含有分布濃度は第１７図に示さ
れる。 こうしてイ；Ｉられだ各試料を、帯電露光実験装置に設
置し■５．ＯＫＶで０．３ｓｅｃ間コロナイ１テ電を行
い、直ちに光像を照射した。光像はタングステンランプ
光源を用い、２１ｕｘ−ｓｅｃの光量を透過型のテスト
チャートを通して照射させた。 その後直ちに、ｅ荷電性の現像剤（トナーとキャリアー
を含む）を保形成部材表面をカスケードすることによっ
て、像形成部材表面上に良好なトナー画像を得た。像形
成部材上のトナー画像を、■５．０　ｋＶのコロナ帯電
で転写紙上に転写した所、いずれの試料もＷｌｌ方力慢
れ１階調再現性のよい鮮明な高儂度の画像が得られた。 上記に於いて、光源をタングステンランプの代りにＦ３
１０　ｎｍのＧａＡｓ系半導体レーザ（１０ｒｎＷ）を
用いて、静電像の形成を行った以外は、上記と同様のト
ナー画像形成条件にして、各試料に就いてトナー転写画
像の画質評価を行ったところ、いずれの試料もｆ！Ｒ俄
力に優れ、階調再現性の良い鮮明な高品位の画像が得ら
れた。 実施例２ 第１５図に示した製造装置によシ、シリンダ−状のＡＩ
基体上に第３表に示す東件で電子写真用像形成部材とし
ての試料（試料Ａ　２１　１〜４２３４）を夫々作成し
た　（第４表）。 各試料に於けるゲルマニウム原子の含有分布濃度（ｒ、
１第１６図に、又、窒素原子の含有分布濃度（ｌ′ｌｉ
、第１７図に示される。 これ等のＥ料の夫々に就いて、実施例１と同株のｉ面仰
肛価テストを行ったところ、いずれの試ｆ１も高品質の
トナー転写画像を力えた。又、各試第１に就い−Ｃ３Ｂ
”Ｃ２８０ヂＩｔ　Ｔ（のり境に於いて２０万回の縁返
し使用デストを行ったととろいずれの試料も画像品質の
低下は見られなか第２表 第４表 以上の本発明の実施例に於ける共通の層作成条件を以下
に示す。 基体温度；ゲルマニウム原子（Ｇｅ　）含有層・・・・
約２００’Ｃ放屯周波数：１３．５６１１１１ｚ 反応時反応室内圧＝　０．３　Ｔｏｒｒ

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の光導電部材の層ｔｔＮ成を説明する為
の模式的層１１．）成図、第２（２Ｉ乃至第１０図は夫
々光受容層中のゲルマニウム原子の分布状態を説明する
為の新、関口、第１１図乃至第１４図は夫々光受容層中
の９素原子の分布状態を説明するだめの説明図、第１５
図は本発明で使用され／ζ装置の模式的説明図で、第１
６図、第１７図は夫々本発明の実施例に於ける各原子の
分布状態を示す分布状態図である。 １００　・・・・光導爪部オ　１０１　・・・支　持　
体１０↓・・・・・光受容層 出願人　キャノン株式会社 代理人　丸　島　儀　−宵ぐζで □ソ’：　ｔ、；１ −一一一→−Ｃ −一−□→−Ｃ □−−−→−Ｃ 一−Ｃ −□−ｃ −□−−〇

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）光導電部材用の支持体と、シリコン原子とゲルマ
   ニウム原子とを含む非晶質材料で構成された、光導電性
   を示す光受容層とを有し、該光受容層は、窒素原子を層
   厚方向に不均一に含有する層領域（Ｎ）を有し、該Ｍ領
   域（Ｎ）に於ける窒素原子の層厚方向に於ける分布濃度
   曲線が滑らかであって、且つ最大分布濃度が光受容層の
   内部にある事を特徴とする光導電部材。 （２・　光受容層中に水素原子が含有されている特許請
   求の範囲第１項に記載、の光導電部材。 （３）　光受容層中にハロゲン原子が含有されている特
   許請求の範囲第１項及び同第２項に記載の光導電部材。 （４）　光受容層中に於けるゲルマニウム原子の分布状
   態が、層厚方向に不均一である特許請求の範囲第１項に
   記載の光導％Ｅ部利。 （５）光受容層中に於けるゲルマニウム原子の分布状態
   が層厚方向に均一である特許請求の範囲第１項に記載の
   光導ｍ部材。 （６）　光受容層に伝導性を支配する物質が含有されて
   いる特許請求の範囲第１珀に記載の光導電部材。 （７）伝導性を支配する物質が周期律表第Ｖ族に属する
   原子である特許請求の範囲第６項に記載の光導電部材。 （８）伝導せを支配する物智が周期律表第Ｖ族に叫する
   原子である特許請求の範囲第６項に記載の光導電部材。