JPS62267760A - 光受容部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （発明の属する技術分野） 本発明は、シリコン原子を母体とするアモルファスシリ
コンで構成された光導電層を有する光受容部材、特に優
れた特性を有する表面保護層を前記光導電層上に設けた
電子写真用感光体に適した光受容部材に関する。

（従来技術の説明） 従来、電子写真用感光体等に用いられる光受容部材とし
ては、その光感度領域の整合性が他の種類の光受容部材
と比べて優れているのに加えて、ビッカース硬度が高く
、公害の問題が少ない等の点から、例えば特開昭５４−
８８３４１号公報や特開昭５６−＋１３７４６号公報に
みられるようなシリコン原子を母体とし水素原子又はハ
ロゲン原子のうちの少なくともいずれか一方を含有する
アモルファス材料（以後、’ａ−５ｉ　（Ｈ、Ｘ）　Ｊ
と表記する）光受容部材が注目されている。

ところでこうした光受容部材は、支持体上に、ａ−５ｉ
（Ｈ，Ｘ）で構成される光導電層を有するものであると
ころ、該光導電層が帯電処理を受けた際に自由表面側か
ら光導電層中に電荷が注入されるのを阻止するとともに
、該光導電層の耐湿性、連続繰り返し使用特性、電気的
耐圧性、使用環境特性、および耐久性等を向上せしめ、
長期間安定した画像品質を得るために、該光導電層上に
表面保護層を設けることが知られている。

そして、前記表面保護層については、前述の各ｆ！１１
ｍ能を効率的に発揮することが要求されるところ、種々
の高抵抗でかつ充分な光透過性を有する非単結晶質材料
、即ち、アモルファス材料又は／及び多結晶質材料が提
案されており、それらの提案の１つとして窒化ホウ素を
含有するアモルファス材料（以後’ａ−ＢＮ」と表記す
る。）で構成された薄膜を用いることが知られている。

（特開昭５９−１２４４１１号公報、特開昭６０−６１
７６０号公報参照）７しかし、前記ａ−ＢＮで構成され
た薄膜を表面保護層として用いる場合、時として、該ａ
−ＢＮ薄膜は、帯電処理におけるコロナ放電や、他の部
材、例えばクリーニングブレード等との接触をはじめと
する種々の機械的損傷による劣化が発生し、表面保護層
に要求される前述の種々の機能を長期間にわたって発揮
することが不可能となるという問題がある。また、該ａ
−ＢＮｌｌｉｉを用いた光受容部材は、帯電能が不充分
であって、こうした光受容部材を用いて画像形成を行な
う場合には画像上にゴーストが生じる等の画像品質の劣
化となって現われる場合もあるという問題もある。

（発明の目的） 本発明は、電子写真用感光体等に用いられる光受容部材
における表面保護層に関わる上述の問題を解決して、長
期間にわたって所望の機能を奏するものとした改善され
た表面保護層を有する光受容部材を提供することを主た
る目的とするものである。

本発明の他の目的は、常時安定した帯電能を有し、長期
間にわたって優れた品質の画像が得られる電子写真用感
光体等に用いられる光受容部材を提供することにある。

（発明の構成〕 本発明者らは、電子写真用感光体等に用いられる光受容
部材における表面保護層に関わる前述の諸問題を解決し
、上述の本発明の目的を達成すべく鋭意研究を重ねたと
ころ、表面保護層として用いる８Ｎ薄膜の構造が重要な
要因となるという知見を得た。

即ち、窒化ホウ素単結晶においては、構成元素の配位数
が３である六方晶系と、構成元素の配位数が４である立
方晶系との二ｆ！１Ｂの構造が知られている。

本発明者らは、窒化ホウ素で構成された薄膜を電子写真
用感光体に用いられる光受容部材の表面保護層として用
いる場合、前記窒化ホウ素の構造がいかに影響するかに
ついて検討を続けたところ、どんな構造の窒化ホウ素で
も表面保護層として用いられるわけではなく、特定の配
位数を有する構造の窒化ホウ素が通しているという知見
を得た。

即ち、配位数が３である六方晶系のものは、ブラファイ
トと同一の構造であって、非常に柔らかく、モース硬度
は２であるため、表面保護層として用いた場合には、コ
ロナ放電により生じたイオン、オゾン、電子等の活性な
物質の衝撃に弱く、又、クリーニングブレード等の接触
をはじめとする種々の機械的損傷による劣化を生じるこ
とが判明した。更に、六方晶系の構造を有するものは抵
抗値が比較的小さいために、これを表面保護層に用いた
光受容部材は、帯電能が小さく、形成された画像品質の
悪化をきたすところとなることも判明した。

一方、構成元素の配位数が４である立方晶系の構造を有
するものは、硬度が大であって、コロナ放電や機絨的衝
磐に対して充分な耐性を有しており、更に、抵抗値が大
であるため、表面保護層を構成する材料として用いた場
合には、°充分な帯電能を有し、良好な画像を形成しつ
る光受容部材が得られることが判明した。

従って、強度だけの面からみれば、表面保護層は４配位
構造の窒化ホウ素を含有する非単結晶質材料で構成され
たものが好ましいこととなる。

ところで、電子写真法を用いた画像形成は、光受容部材
のコロナ帯電、画像露光、トナーによる現像、紙への転
写、及び光受容部材のクリーニング等の工程から成って
おり、これらの各プロセスにおいて、光受容部材の表面
は異なった材質の部材と接触する。

その結果、紙上へ転写形成される画像の品質は、各プロ
セスで用いられる部材と光受容部材表面との接触の良し
悪しによって大きく左右されることとなる０例えばひと
つの例として、ブレードによるクリーニング工程を考え
た場合、光受容部材が硬すぎると、ブレードの摩耗が速
くなり、クリーニング不良をおこしやすくなる。またブ
レードの寿命が短くなるために、複写機の維持費が高く
なる。逆に、光受容部材表面が柔かすぎると、光受容部
材表面はブレードによって削られやすくなり、形成され
る画像は画像欠陥が多くなり、さらに、光受容部材の寿
命が短くなるために、複写機の維持費が高くなる。

このように、光受容部材の表面硬度は、種々のプロセス
において接触する種々の部材の硬度とのバランスを考慮
して決定する必要があり、前述のごとき非常に硬い４配
位構造の窒化ホウ素を光受容部材の表面保護層として用
いた場合には、電子写真法による画像形成の各プロセス
の部材の夫々に、より一層の改良が要求されることとな
る。

本発明は、こうした知見に基づいて更に研究を重ねたと
ころ、下部表面保護層として４配位構造の窒化ホウ素を
含有する非単結晶質材料からなる薄膜を用い、上部表面
保護層として４配位構造の窒化ホウ素と３配位構造の窒
化ホウ素とを混在して含有する非単結晶質材料からなる
薄膜を用いた場合には、各々のプロセスに用いられる各
種の部材とのバランスがとれた表面硬度を有し、かつ優
れた帯電能を有する電子写真用光受容部材を得ることが
できることが判明した。

また、本発明者らは、二層構造を有する表面保護層を用
いた場合について更に検討を続けたところ、該表面保護
層中に価電子制御剤を含有せしめることにより、表面保
護層中への画像露光後の電荷の蓄積を防止し、画像流れ
、残留電位のない光受容部材が得られることが判明した
。

即ち、電子写真用光受容部材として用いた場合、画像露
光後に光受容部材の表面層に電荷が蓄積すると、蓄積し
た電荷が表面層と光導電層の界面近傍で水平方向にＢ動
じ、形成された画像には画像流れとなって現われるが、
本発明の光受容部材においては、表面保護層中に価電子
制御剤を含有せしめることにより、画像露光後に表面保
護層中に８勅してきた電荷を、表面保護層の自由表面ま
で移動させることができるため、画像流れや残留電位の
発生を防止することができるものである。

本発明は、これらの知見に基づいて完成せしめたもので
あって、その骨子とするところは、支持体と、該支持体
上に、シリコン原子を母体とし、水素原子又は、ハロゲ
ン原子のうちの少なくともいずれか一方を含有するアモ
ルファス材料で構成された光導電層と、表面保護層とを
少なくとも有する光受容層とからなる光受容部材におい
て、前記表面保護層が、４配位構造の窒化ホウ素を含有
する非単結晶質材料で構成された下部表面層と、４配位
構造の窒化ホウ素と３配位構造の窒化ホウ素とを混在し
て含有する非単結晶質材料で構成された上部表面層とか
ら構成されており、かつ、価電子制御剤を含有している
光受容部材にある。

本発明により提供される光受容部材は、その表面保護層
に特徴を有するものであるところ、支持体はもとより、
光導電層を始めとする他の構成層は用途目的に応じて任
意に遷択することができる、　したがって以下に本発明
の光受容部材についてその層構成の典型例を、電子写真
用のものにする場合について説明するが本発明の光受容
部材はこれにより限定されるものではない。

第１（＾）乃至（１１図は、電子写真用のものにした本
発明の光受容部材の層構成の典型的な例を模式的に示す
図である。

第１（Ａ）図に示す例は、支持体１０１上に、光導電層
１０２及び表面保護層１０３をこの順に設けたものであ
り、表面保護層１０３は下部表面Ｎ１０３及び上部表面
層１０３の二層構造を有しており、上部表面層１０３は
自由表面１０７を有している。

第１（Ｂ）図に示す例は、支持体上１０１に、電荷注入
阻止層１０４、光導電層１０２及び表面保護層１０３を
この順に設けたものである。

第１（Ｃ）図に示す例は、支持体上１０１に、長波長光
吸収Ｊｌｉｌ　１０５．光導電層１０２及び表面保護層
１０３をこの順に設けたものである。

第１（０）図に示す例は、支持体上１０１に、密着層１
０６、光導電層１０２及び表面保護層１０３をこの順に
設けたものである。

第１（Ｅ）図に示す例は、電荷注入阻止層１０４、密着
１ｉｉ１０６．光導電層１０２及び表面保護層１０３を
この順に設けたものであり、第１（Ｆ）に示す例は、長
波長光吸収層１０５、密着層１０８、光導電層１０２及
び表面保護層１０３をこの順に設けたものである。

第１（Ｇ）図に示す例は、支持体上１０１に、長波長光
吸収層１０５、電荷注入阻止層１０４、光導電層１０２
及び表面保護層１０３をこの順に設けたものであり、語
例においては長波長光吸収層１０５、及び電荷注入阻止
層１０４の順序を入れかえることもできる。

第１（Ｈ）図に示す例は、支持体上１０１に、長波長光
吸収層１０５、電荷注入阻止層１０４、光導電層１０２
及び表面保護層１０３をこの順に設けたものである、　
第１（■）図に示す例は、支持体上１０１に、電荷注入
阻止層１０４．光導電層１０２、中間層１０８及び表面
保護層１０３をこの順に設けたものである。

本発明の光受容部材に用いる支持体１０１は、導電性の
ものであっても、また電気絶縁性のものであってもよい
。導電性支持体としては、例えば、Ｎｉ（：ｒ、ステン
レス、　ＡＱ％Ｃｒ、Ｍ□、＾ｕ、　Ｎｂ、　Ｔａ、　
Ｖ、　Ｔｉ。

ｐｔ、ｐｂ等の金属又はこれ等の合金が−挙げられる。

電気絶縁支持体としては、ポリエステル、ポリエチレン
、ポリカーボネート、セルロースアセテート、ポリプロ
ピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリス
チレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシート
、ガラス、セラミック、紙等が挙げられる。これ等の電
気絶縁支持体は、好適には少なくともその一方の表面を
導電処理し、該導電処理された表面側に光受容層を設け
るのが望ましい。

例えばガラスであれば、その表面に、　ＮｉＣｒ。

ＡＱ、　Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｒ、ｌｌｂ、τａ、　Ｖ
、τｉ、　Ｉ’ｔ、　Ｐｄ、　Ｉｎｋｓ、　Ｉτ０（Ｉ
ｎｚｏｓ◆Ｓｎ）等から成る薄膜を設けることによって
導電性を付与し、或いはポ１ｊエステルフィルム等の合
成樹脂フィルムであれば、ＮｉＣｒ％成、Ａｇ、　Ｐｂ
、Ｚｎ％Ｎｉ、　Ａｕ、　Ｃｒ、　Ｍｏ、Ｉｒ、　Ｎｂ
、　Ｔａ、　Ｖ、　ＴＱ、　Ｐｔ等の金属の薄膜を真空
蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリング等でその表面に
設け、又は前記金属でそ、の表面をラミネート処理して
、その表面に導電性を付与する。支持体の形状は平滑表
面或いは凹凸表面の板状無端ベルト状又は円筒状等であ
ることかでと、その厚さは、所望通りの光受容部材を形
成しつる用に適宜決定するが、光受容部材としての可撓
性が要求される場合には、支持体としての機能が充分発
揮される範囲内で可能な限り薄くすることができる。し
かしながら、支持体の製造上及び取り扱い上、機械的強
度等の点から、通常は、１０μ以上とされる。

第１（Ｂ）図に示す本発明の光受容部材において、支持
体１０１　と光導電層！０２の間に設けられる電荷注入
阻止層１０４は、光導電層１０２が％Ｆ導電処理受けた
際に支持体側から光導電層１０２中に電子が注入される
ことを阻止するために設けられる層であり、該電荷注入
阻止Ｆ１１０４は、水素、又は多結晶シリコン（以後、
’ｐｏｌｙ−５ｉ　（ＬＸ）」と呼称する。）、あるい
は両者を含むいわゆる非単結晶シリコン（以後、’Ｎｏ
ｎ−５ｔ　（Ｈ，Ｘ）Ｊ　と呼称する。）〔なお、微結
晶質シリコンと通称されるものはａ−５ｔに分類される
。〕に、周期律表第１ＩＩ族に属する原子（以後、単に
「第１ＩＩ族原子」と称す。）または周期律表第Ｖ族に
属する原子（以後、車に「第■族原子」と称す、）を含
有せしめたもので構成されている。

該電荷注入阻止層１０４に含有せしめる第１ＩＩ族原子
としては、具体的には、Ｂ（硼素）、ＡＱ　　（アルミ
ニウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム）、Ｔ
ｌタリウム）等を用いることができるが、特に好ましい
ものは、Ｂ、　Ｇａである。また第Ｖ族原子としては、
具体的には、Ｐ（燐）、Ａｓ（砒素）、ｓｂ（アンチモ
ン）、Ｂｉ　　（ビスマス）等を用いることができるが
、特に好ましいものはＰ、　Ａｓである。そして電荷注
入阻止層１０４に含有せしめる第１ＩＩ族原子又は第Ｖ
族原子の量は３〜５　ｘ　１０’ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ
、好ましくは５０〜１　ｘ　１０’ａｔｏｍｉｃ　ｐｐ
ｍ、　　１　ｘ　１０”　〜５　ｘ　ｌｏ’ａｔｏｍｉ
ｃｐｐｍとすることが望ましい。

又、電荷注入阻止層１０４中に含有せしめるハロゲン原
子又は水素原子の量は、ｌＸ１０３〜７Ｘ１０’　ａｔ
ｏｍｉｃ　ｐｐｍとし、特にｐｏｌｙ−５ｉ　（）Ｉ、
Ｘ）で構成される場合には好ましくはＩ　Ｘ　１０’〜
２×１０″ａｔｏＩＩｌｉｃ　ｐｐＩｌｌとし、ａ−５
ｉ　（Ｈ，Ｘ）　で構成される場合には１　ｘ　１０’
　〜６　ｘ　１０’ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとすることが
望ましい、　更に、本発明の光受容部材の電荷注入阻止
層１０４の層厚は０．０３〜１５μ、好ましくは０．０
４〜ｌＯμ、最適には０．０５〜８μとするのが望まし
い。

第１（Ｃ）図に示す本発明の光受容部材において、支持
体１０１と光導電層１０２との間に設けられる長波長光
吸収層１０５は、ゲルマニウム原子（Ｇｅ）又はスズ原
子（Ｓｎ）のうちの少なくとも一方を含有するＮｏｎ−
５ｌ（Ｈ，Ｘ）で構成される層であり、露光光源として
レーザー光等の長波長光を用いた際に、光導電層１０２
において吸収しきれなかった長波長光を該長波長光吸収
層ｔＯＳが効率的に吸収することにより、支持体１０１
表面での長波長光の反射による干渉現象の現出を顕著に
防止する機能を有するものである。そして該長波長光吸
収層１０５中に含有せしめるＧｅ原子の量又はＳｎ原子
の量あるいはそれらの和は、１〜ｉｏ’ａｔｏａ＋ｉｃ
　ｐｐｍ、好ましくは１ｘ　１０’　〜９　ｘ　１０’
　ａｔｏａ＋ｉｃ　ｐｉ）ｆｆｌ、より好ましくは５ｘ
　１０２〜８　ｘ　１Ｇ’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとす
ることが望ましい、また長波長光吸収層１０５中に含有
せしめる水素原子又はハロゲン原子の量は、好ましくは
ｌＸ１０３〜３　Ｘ　ｌｏ’ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとす
ることが望ましく、特にｐｏｌｙ−５ｌ　（Ｇｅ、Ｓｎ
）　（Ｈ，Ｘ）の場合好ましくは１　ｘ　１Ｇ’　〜２
　ｘ　ｌｏ’ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　とし、ａ−５ｉ（
Ｇｅ。

Ｓｎ）　（Ｉ（、Ｘ）の場合好ましくは１　ｘｌＯ’　
〜６ＸｌＯ’ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとすることが望まし
い。

更に本発明の光受容部材における長波長光吸収層１０５
の層厚は、０．０５〜２５μ、好ましくは０．０７〜２
０μ、最適には、０．１〜１５μとするのが望ましい。

第１（Ｄ）図に示す本発明の光受容部材において、支持
体１０１　と光導電層１０２どの間に設けられる密着１
１１０８は、支持体１０１と光導電層１０２との密着性
を改善せしめる機能を奏する層であって、酸素原子、炭
素原子および窒素原子の中から選ばれる少なくとも一種
を含有するＮｏｎ−５ｔ（＄１．Ｘ）　（以後、’Ｎｏ
ｎ−５ｉ（０，Ｃ，Ｎ）　（ＬＸ）　Ｊと表記する。）
で構成されている。そして該密着層１０６中に含有せし
める酸素原子炭素原子、窒素原子の量、又はそれらの中
の少なくとも２つ以上の和は、１００〜９　Ｘ　１０’
ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ好ましくは　１００〜４　ｘ　１
０’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐａ＋とす°ることが望ましい
、また、該密着層１０６中に含有せしめる水素原子又は
ハロゲン原子の量あるいはそれらの和は好ましくは１０
〜７　Ｘ　１Ｇ’ａｔｏｍｉｃｐｐｍとし、特にｐｏｌ
ｙ−５ｔ（０，Ｃ，Ｎ）　（）Ｉ、Ｘ）の場合には１１
１〜２　ｘ　１０’ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ％ａ−５ｉ（
０，Ｃ，Ｎ）　（）Ｉ、Ｘ）の場合にはＩ　Ｘ　１０’
　〜フｘ　１０’ａｔｏｌＩｌｉｃ　ｐｐｍとすること
が望ましい。

ところで、本発明の光受容部材における電荷注入阻止層
１０４、長波長光吸収層ｔＯＳ及び密着層１０６は、こ
れらを組み合わせて用いることが可能であり、その典型
的な例を示したものが第１（Ｅ）図乃至（Ｈ）図である
。

更に、本発明の光受容部材においては、電荷注入阻止層
１０４又は長波長光吸収層１０５中に酸素原子、炭素原
子及び窒素原子の中から運ばれる少なくとも一種を含有
せしめることにより、これらの層に密着層としての機能
を兼ねそなえさせることも可能であり、また、長波長光
吸収層１０５中に第１ＩＩ族原子又は第Ｖ族原子を含有
せしめるか、あるいは電荷注入阻止層１０４中にゲルマ
ニウム原子又はスズ原子を含有せしめることにより、こ
れら両層の機能を兼ねそなえた層とすることができる。

ところで、本発明の光受容部材における電荷注入阻止層
１０４、長波長光吸収層１０５及び密着層１０８は、Ｎ
ｏｎ−５ｉ（）Ｉ、Ｘ）を母体とする材料で構成されて
いるが、ｐｏｌｙ−５ｉ（■、Ｘｌで構成される層を形
成するについては種々の方法があり、例えば次のような
方法があげられる。

その１つの方法は、基体温度を高温、具体的には４００
〜４５０℃に設定し、該基体上にプラズマＣＶＤ法によ
り膜を堆積せしめる方法である。

他の方法は、基体表面に先ずアモルファス状の膜を形成
、即ち、基体温度を約２５０℃にした基体上にプラズマ
ＣＶＤ法により膜を形成し、該アモルファス状の膜をア
ニーリング処理することによりｐｏｌｙ化する方法であ
る。該アニーリング処理は、基体＆　４００〜４５０℃
に約２０分間加熱するか、あるいは、レーザー光を約２
０分間照射することにより行なわれる。

本発明の光受容部材の光導電層１０２は、ａ−Ｓｉ（）
Ｉ。

Ｘ）またはａ−５ｔ（Ｇｅ、Ｓｎ）　（）１．Ｘ）で構
成され、先導伝性を有する層であって、該層にはさらに
、第ｍ族原子又は第■族原子又は／及び酸素原子、炭素
原子及び窒素原子の中から遷ばれる少なくとも一種を含
有せしめることができる。

光導電層１０２中に含有せしめるハロゲン原子（に）と
しては、具体的にはフッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げ
られ、特にフッ素、塩素を好適なものとして挙げること
ができる。そして光導電層１０２中に含有せしめる水素
原子（）Ｉ）の量又はハロゲン原子（Ｘ）の量、あるい
は水素原子とハロゲン原子の量の和（トｘ）は、好まし
くは１〜４０ａｔｏｍｉｃ机より好ましくは５〜３０ａ
ｔｏｍｉｃ　９６とするのが望ましい、　また、光導電
層１０２中に第１１１族原子原子又は第Ｖ族原子を含有
せしめる目的は、光導電層１０２の伝導性を制御するこ
とにある。このような第１ＩＩ族原子及び￥Ｓｖ族原子
としては、前述の電荷注入阻止層１０４中に含有せしめ
るものと同様のものを用いることができるが、光導電層
１０２に含有せしめる場合には、電荷注入阻止層１０４
に含有せしめたものとは逆の極性のものを含有せしめる
か、あるいは電荷注入阻止層１０４に含有せしめたもの
と同極性のものを該１ｉ１１０４に含有される量より一
段と少ない量にして含有せしめることができる。

光導電層１０２中に含有せしめる第１ＩＩ族原子又は第
Ｖ族原子の量は、好ましくはＩ　Ｘ　１０−’〜１×ｔ
ｏ’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、より好ましくは５　Ｘ　
１Ｇ−”−５Ｘ１０’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、最適に
は１　ｘ　１Ｇ−’〜２　ｘ　１０２１０２ａｔｏ　Ｐ
９Ｉ１１とすることが望ましい。

また先導を層ＩＯ２中に、酸素原子、炭素原子及び窒素
原子の中から運ばれる少なくとも一種を含有せしめる目
的は、光導電層１０２の高暗抵抗化をはかるとともに、
光導電層１０２の膜品質を向上せしめることにある。そ
して、光導電層１０２に含有せしめるこうした原子の量
は、好ましくは１×１０−３〜５０ａｔｏｍｉｃ％、よ
り好ましくは２　Ｘ　、１０−’〜４０ａｔｏｍｉｃｋ
、最適には３　ｘ　１０−’〜３０ａｔｏｍｉｃ％とす
るのが望ましい。

更に、光導電層１０２中に、ゲルマニウム原子（Ｇｅ）
又はスズ原子（Ｓｎ）のうちの少なくとも一方を含有せ
しめることができるが、こうした原子を含有せしめる目
的は、レーザー光などの長波長光に対する感度を向上せ
しめることにあり、この場合、光導電Ｆ１１０２中に含
有せしめるこれらの原子の量は、好ましくは１〜９．５
　Ｘ　１０’ａｔｏｍｉｃ　ｐｐ［ｌｌとするのが望ま
しい。

また、本発明の光受容部材において、光導電層の層厚は
、本発明の目的を効率的に達成するには重要な要因の１
つであって、光受容部材に所望の特性が与えられるよう
に、光受容部材の設計の際には充分な注意を払う必要が
あり、通常は１〜１００μとするが、好ましくは３〜８
０μ、最適には５〜５０μとする。

本発明の光受容部材において特徴とするところの表面層
ｆｆ１ＦＮｕは、前述の光導電層ＩＯ２上に位置して設
けられ、感光層１０２に接する下部表面層１０３と、該
下部表面層上に設けられる上部表面層１０３との二層構
造を有しており、該上部表面層（よ自由表面１０７を有
するものである。そして該表面保護層１０３は、光受容
部材に要求される諸特性、即ち、耐湿性、連続繰り返し
使用特性、電気的耐圧性、使用環境特性、および耐久性
等を向上せしめると共に、光受容層が帯！処理を受けた
際に、自由表面１０７側から光導電層１０２中に電荷を
注入されるのを阻止する機能を奏するものである。

かくなる本発明の光受容部材の表面保護層１０３の下部
表面１’１１０３’は、４配位構造の窒化ホウ素を含有
する非単結晶質材料〔以後、’Ｎｏｎ−ＢＮ」　と表記
する。〕、即ちアモルファス材料〔以後、　’ａ−ＢＮ
」と表記する。）又は多結晶質材料（以後、　’ｐｏｌ
ｙ−ＢＮ）と表記する。）あるいは両者の混合物で構成
されており、表面保護層１０３の上部表面層１０３は、
４配位構造と３配位構造が混在したＮｏｎ−ＢＮで構成
されており、該下部表面層１０３及び上部表面層１０３
″に、価電子制御剤を含有するものである。更に該下部
表面層及び上部表面層には、必要に応じて水素原子又は
ハロゲン原子のうちの少なくとも一方を含有せしめるこ
ともできる。（以後、水素原子又はハロゲン原子を含有
するＮｏｎ−［ＩＮをｒ　Ｎｏｎ−ＢＮ（Ｈ、Ｘ）　Ｊ
と表記する。〕 本発明の表面保護層１０３中に含有せしめる価電子制御
剤としては、正帯電の場合には表面保護層１０３をｎ型
とじつる　ｎ型ドーパントを用い、負帯電の場合には表
面保護ｊｊｌ１０３をｐ型とじつるｐ型ドーパントを用
いることができる。具体的には、ｎ型ドーパントとして
ケイ素原子（Ｓｉ）又はスズ原子（Ｓｎ）あるいはそれ
らの混合物（Ｓｉ＋Ｓｎ）があげられ、　ｐ型ドーパン
トとしてゲルマニウム原子（Ｇｅ）又は亜鉛原子（Ｚｎ
）あるいはそれらの混合物（Ｇｅ＋Ｚｎ）があげられる
。そして、該表面保護層中に含有せしめる価電子制御剤
の量は、好ましくは１０００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以
下、より好ましくは７００　ａｔｏａ＋ｉｃ　ｐｐｍ以
下、最適には５００　ａｔｏＩＩｌｉｃ　ｐｐｍ以下と
することが望ましい。

また、該表面保護層１０３を構成するＮｏｎ−ＢＮ（Ｈ
。

Ｘ）の組成比を （８−Ｎ＋−ｘ）　＋−ｙ（Ｈ，Ｘ）ｙで表わすと、次
の条件を満足していることが望ましい。

４配位構造のＮｏｎ−ＢＮからなる下部表面層の場合に
は、 Ｘについて； ０．２５≦Ｘ≦０．７５、好ましくは０．３≦Ｘ≦０．
７最適には０．４≦Ｘ≦０６ ｙについて； ０．４≦ｙ≦４０、好ましくはＯ，Ｓ≦ｙ≦３０最適に
は１≦ｙ≦２０ ４配位構造と３配位構造が混在したＮｏｎ−［ＩＮとか
らなる上部表面層の場合には、 Ｘについて； ０．１≦Ｘ≦０．９、好ましくは０．２≦Ｘ≦０．８最
適には０．３≦Ｘ≦０．７ ｙについて； ０．４≦ｙ≦４０、好ましくは０．５≦ｙ≦３０最適に
は１≦ｙ≦２０ 本発明の光受容部材においては、表面保護層１０３のＰ
Ｊ厚も本発明の目的を効耶的に達成するために重要な要
因の１つであり、所望の目的に応じて適宜決定されるも
のであるが、表面保護層に含有せしめる構成原子の量、
あるいは表面保護層に要求される特性に応じて相互的か
つ有機的関連性の下に決定する必要がある。更に生産性
や量産性も加味した経済性の点においても考慮する必要
もある。

こうしたことから、本発明の光受容部材の表面保護層１
０３０層厚は、好ましくは０．００３〜３０μ、より好
ましくは０．００４〜２０μ、最適には０．００５〜１
０μである。

更に本発明の光受容部材においては、前述の表面保護層
１０３と光導電層！０２との間に中間層１０８を形成せ
しめてもよい、該中間層１０８は、炭素原子を含有する
ａ−５ｔ（Ｈ，Ｘ）又はｐｏｌｙ−５Ｌ（Ｈ，Ｘ）で構
成されており、該中間層ＩＮ中に含有せしめる炭素原子
の量は、好ましくは２．０〜９０ａｔｏｍｉｃ％、より
好ましくは３０〜８５ａｔｏｍｉｃ％、最適には４０〜
８０ａｔｏｍｉｃ％とすることが望ましい。また該中間
層！０８中に含有せしめる水素原子（Ｈ）の量、ハロゲ
ン原子（Ｘ）の量、及び水素原子＋ハロゲン原子（ｌ（
＋Ｘ）の量は、好ましくは１〜フ［ｌａｔｏｍＬｃ％、
より好ましくは２〜８Ｓａｔｏｍｉｃ％、最適には５〜
６０ａｔｏｍｉｃ％とするのが望ましい、さらに該中間
層１０８の層厚は、好ましくは０．００３〜３０μｍ１
より好ましくは０．００４〜２０μｍ、最適にはｏ、ｏ
ｏｓ〜！Ｏμｍとするのが望ましい。

次に、本発明の光受容部材の構成層の形成方法について
説明する。

本発明の光受容部材を構成する非晶質材料は、いずれも
グロー放電法（低周波ＣＶＤ、高周波ＣＶＤ又はマイク
ロ波ＣＶＤ等の交流放電ＣＶＤ、あるいは直流放電ＣＶ
Ｄ等）、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンブレー
ティング法、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法などの種々の薄膜
堆積法によって成形することができる。これらの薄膜堆
積法は、製造条件、設備資本投下の負荷程度、製造規模
、作成される光受容部材に所望される特性等の要因によ
って適宜選択されて採用されるが、所望の特性を有する
光受容部材を製造するに当っての条件の制御が比較的容
易であり、シリコン原子と共にハロゲン原子及び水素原
子の導入を容易に行い得る等のことからして、グロー放
電法或いはスパッタリング法が好適である。そして、グ
ロー放電法とスパッタリング法とを同一装置系内で併用
して形成してもよい。

例えば、グロー放電法により、価電子制御剤を含有する
Ｎｏｎ−ＢＮ　（Ｈ、Ｘ）で構成される表面保護層を形
成するには、基本的にはホウ素原子（Ｂ）を供給し得る
Ｂ供給用の原料ガスと、窒素原子（Ｎ）を供給し得るＮ
供給用の原料ガスと、　ｎ型ドーパントであるケイ素原
子（Ｓｉ）又は／及びスズ原子（Ｓｎ）あるいはｐ型ド
ーパントであるゲルマニウム原子（Ｇｅ）又は／ＴｊＬ
び亜鉛原子（Ｉｎ）を導入するための原料ガスと、必要
に応じて水素原子（Ｈ）導入用又は／及びハロゲン原子
（Ｘ）導入用の原料ガスとを、内部が減圧にし得る堆積
室内に導入して、該堆積室内にグロー放電を生起させ、
Ｎｏｎ−！ＩＮ（Ｈ，Ｘ）から成る層を形成する。

前記Ｂ供給用の原料ガスとしては、Ｂ２＋１．、ＢＪ、
。

ＢｓＨｉ、　ＢｓＨ＋　ｒ、　ＢａＨ＋□、ＢＦ、、Ｂ
Ｃｌ３等のガス状態の又はガス化し得る化合物があげら
れる。

また、前記Ｎ供給用の原料ガスとしては、Ｎ２、ＮＨｓ
、ＮＦｓ、ＮＦ２Ｃ１，ＮＦＣｌｚ、ＮＣｌ５、ＮｚＦ
ｔ、Ｎｄ４、Ｎ）１．Ｃ１゜Ｎ１（Ｆ、ＪＩＨ，Ｆ等の
ガス状態の又はガス化し得る化合物があげられる。

前記Ｓｔ導入用の原料ガスとしては、ＳｉＨ４，５ｉ２
）１６．５ｉＪａ、　５Ｉ４ＨＩ。、　ＳｉＦ４．　５
ｉＣ１４等のガス状態の又はガス化し得るケイ素化合物
があげられ、前記Ｓｎ　４人用の原料ガスとしては、Ｓ
ｎＨ４，５ｎＦｔ、　　Ｓｎ（：Ｌｍ　　等のガス状態
の又はガス化し得るスズ化合物があげられる。

また、前記Ｇｅ導入用の原料ガスとしては、Ｇｅ）１ａ
、Ｇａ２Ｈ，６，ＧｅＦａ　　等のガス状態の又はガス
化し得るゲルマニウム化合物があげられ、前記Ｚｎ導入
用の原料ガスとしては、２ｎ　（ＣＨ３）　２　　等の
ガス状態の又はガス化し得る亜鉛化合物があげられる。

更に、ハロゲン原子導入用の原料ガスとしては、Ｆｚ、
Ｃｈ、ｈ、Ｂｒｚ、ＦＣｌ等のハロゲンガスが用いられ
、水素原子導入用の原料ガスとしては、水素ガス　およ
びＨＦ、１（ＣＩ、Ｈｌ、）ＩＢ「、Ｂ２Ｈａ、Ｂ４）
１ｔ。、Ｎ）Ｉ、、　５ｉＨａ、５ｉ２Ｈａ、　ＳｎＨ
４，ＧｅＨ４、Ｇｅ、Ｈ６等の水素化合物等のガス状態
の又はガス化し得るものがあげられる。

また、スパッタリング法によって価電子制御剤を含有す
る４配位構造のＮｏｎ−ＢＮ（Ｈ，Ｘ）層からなる下部
表面層を形成するには、ターゲットとしてＢＮターゲッ
トを用い、前記Ｂ供給用原料ガスをＡｒ等の不活性ガス
と共に堆積室内に導入してプラズマ雰囲気を形成し、前
記ＢＮターゲットをスパッタリングすることによって形
成される。

また、スパッタソング法によフて価電子制御剤を含有す
る４配位構造と３配位構造とが混在したＮｏｎ−ＢＮ（
Ｈ，Ｘ）からなる上部表面層を形成するには、ターゲッ
トとしてＢＮターゲットを用い、前記Ｎ供給用原料ガス
と　ｎ型ドーパント又はｐ型ドーパントを供給しつる原
料ガスとを計等の不活性ガスと共に堆積室内に導入して
プラズマ；囲気を形成し、前記ＢＮターゲットをスパッ
タリングするか、ターゲットとしてＢターゲットを用い
、　ｎ型ドーパント又はｐ型ドーパントを供給しつる原
料ガスと、前記Ｎ供給用原料ガスを多量に導入してプラ
ズマ；囲気を形成し、前記Ｂターゲットをスパッタリン
グすることによって形成される。

また、グロー放電法によって、ａ−５ｉ　（Ｈ，Ｘ）で
構成される層を形成するには、基本的にはシリコン原子
（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の原料ガスと共に、水
素原子（ｌ（）導入用の又は／及びハロゲン原子（Ｘ）
導入用の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に導
入して、該堆積室内にグロー放電を生起させ、予め所定
位置に設置した所定の支持体表面上にａ−５ｔ　（Ｈ，
Ｘ）から成る層を形成する。前記Ｓｉ供給用のガスとし
ては、ＳｉＨ４，５ｉｚＨａ、Ｓｔ、）１．．５ｉ４）
１１０等のガス状態の又はガス化し得る水素化硅素（シ
ラン類）が挙げられ、特に、層形成作業のし易さ、Ｓｔ
供給効率の良さ等の点で、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６が好ま
しい。

また、前記ハロゲン原子導入用の原料ガスとしては、多
くのハロゲン化合物が挙げられ、例えばハロゲンガス、
ハロゲン化物、ハロゲン間化合物、ハロゲンで置換され
たシラン誘導体等のガス状態の又はガス化しつるハロゲ
ン化合物が好ましい、具体的にはフッ素、塩素、臭素、
ヨウ素のハロゲンガス、ＢｒＦ、　ＣＩＦ、　ｆ：ＨＦ
３．　ＢｒＦ５、ＢｒＦ３、ＩＦ、、１０１゜ＩＢｒ等
のハロゲン間化合物、および５ＩＦａ、Ｓｉ２Ｆ６．５
ｉＣ１４，５ｆＢｒ４等のハロゲン化硅素が挙げられる
。

上述のごときハロゲン化硅素のガス状態の又はガス化し
つるものを用いる場合には、Ｓｉ供給用の原料ガスを別
途使用することなくして、ハロゲン原子を含有するａ−
Ｓｔで構成された層が形成できるので、特に有効である
。

また、前記水素原子供給用の原料ガスとしては、水素ガ
ス、ＨＦ、　ＨＣＩ　、　）ＩＢｒ　、　ＨＩ等のハロ
ゲン化物、ＳｉＨ４，５ｉＪ６．５ｉ３Ｈａ　、５ｉ４
Ｈ＋。等の水素化硅素、アルイはＳｉＨ２Ｆ２．５ｉＴ
ｏｈ、ＳｉＨ，Ｃ１２，５ｉＨＣ１，，５ｉＨｄｒ２．
５ｉ）ＩＢｒ３、等のハロゲン置換水素化硅素等のガス
状態の又はガス化しうるものを用いることができ、これ
らの原料ガスを用いた場合には、電気的あるいは光電的
特性の制御という点で極めて有効であるところの水素原
子（Ｈ）の含有量の制御を容易に行うことができるため
、有効である。

そして、前記ハロゲン化水素又は前記ハロゲン置換水素
化硅素を用いた場合にはハロゲン原子の導入と同時に水
素原子（）Ｉ）も導入されるので、特に有効である。

反応スパッタリング法或いはイオンブレーティング法に
依ってａ−５ｔ（Ｈ，Ｘ）から成る層を形成するには、
例えばスパッタリング法の場合には、ハロゲン原子を導
入するについては、前記のハロゲン化合物又は前記のハ
ロゲン原子を含む硅素化合物のガスを堆積室中に導入し
て該ガスのプラズマ雰囲気を形成してやればよい。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば％　Ｈ２或いは前記したシラン類等のガ
スをスパッタリング用の堆積室中に導入して該ガスのプ
ラズマ；囲気を形成してやればよい。

例えば、反応スパッタリング法の場合には、Ｓｉターゲ
ットを使用し、ハロゲン原子導入用のガス及びＨ２ガス
を必要に応じてＨｅ、　Ａｒ等の不活性ガスも含めて堆
積室内に導入してプラズマ雰囲気を形成し、前記Ｓｉタ
ーゲットをスパッタリングすることによって、支持体上
にａ−５ｉ　（Ｈ，Ｘ）から成る層を形成する。

グロー放電法によってａ−５ｉＧｅ（）１．Ｘ）で構成
される層を形成するには、シリコン原子（Ｓｉ）を供給
しうるＳｉ供給用の原料ガスと、ゲルマニウム原子（Ｇ
ｅ）を供給しうるＧｅ供給用の原料ガスと、水素原子（
）Ｉ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を供給しつる水素
原子（）Ｉ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）供給用の原
料ガスを内部を減圧にしつる堆積室内に所望のガス圧状
態で導入し、該堆積室内にグロー放電を生起せしめて、
予め所定位置に設置しである所定の支持体表面上に、ａ
−５ｉＧｅ（）ｌ、Ｘ）で構成される層を形成する。

Ｓｉ供給用の原料ガス、ハロゲン原子供給用の原料ガス
、及び水素原子供給用の原料ガスとなりつる物質として
は、前述のａ−５ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される届を形成す
る場合に月いたものがそのまま用いられる。

また、前記Ｇｅ供給用の原料ガスとなりつる物質として
は、ＧｅＨ４、Ｇｅ２Ｈａ　、　Ｇｅ３Ｈ６、ＧｅＪ＋
ｏ、Ｇｅ１）１＋ｚ、Ｇａ６Ｈ＋４、Ｇａ６Ｈ＋４、Ｇ
ｅ６Ｈ１６，Ｇｅ６Ｈ１６等のガス状態の又はガス化し
つる水素化ゲルマニウムを用いることがで診る。特に、
層作成作業時の取扱易さ、Ｇｅ供給効率の良さ等の点か
ら、ＧｅＨ，、Ｇｅ２）１ａ　％　およびＧｅ３）１．
が好ましい。

スパッタリング法によってａ−５ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）で構
成される層を形成するには、シリコンから成るターゲッ
トと、ゲルマニウムから成るターゲットとの二枚を、あ
るいは、シリコンとゲルマニウムからなるターゲットを
用い、これ等を所望のガス：囲気中でスパッタリングす
ることによって行なう。

イオンブレーティング法を用いてａ−ＳＩＧｅ　（＋（
、Ｘ）で構成される層を形成する場合には、例えば、多
結晶シリコン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマニウム
又はまた単結晶ゲルマニウムとを夫々蒸発源として蒸着
ボートに収容し、この蒸発源を抵抗加熱法あるいはエレ
クトロンビーム法（Ｅ、Ｂ、法）等によって加熱蒸発さ
せ飛翔蒸発物を所望のガスプラズマ雰囲気中を通過せし
めることで行ない得る。

スパッタリング法およびイオンブレーティング法のいず
れの場合にも、形成する層中にハロゲン原子を含有せし
めるには、前述のハロゲン化物又はハロゲン原子を含む
硅素化合物のガスを堆積室中に導入し、該ガスのプラズ
マ＄囲気を形成すればよい。又、水素原子を導入する場
合には、水素原子供給角の原料ガス、例えばＨ２あるい
は前記した水素化シラン類又は／及゛び水素化ゲルマニ
ウム等のガス類をスパッタリング用の堆積室内に導入し
てこれ等のガス類のプラズマ雰囲気を形成すればよい、
さらにハロゲン原子供給用の原料ガスとしては、前記の
ハロゲン化物或いはハロゲンを含む硅素化合物が有効な
ものとして挙げられるが、その他に、ＨＦ、　ＭＣＩ　
、　）ＩＢｒ　、　ＨＩ等のハロゲン化水素、ＳｉＨ，
Ｆ、、５ｔ）１＊ｈ、５ｉＨｚＣ１２，５ｉ）ＩＣｈ、
５ｉＨ２Ｂｒ２．５ｉＨＢｒｓ、等のハロゲン置換水素
化硅素、およびＧａＨＦ５　、ＧａＨＣｌ５、Ｇｅｔ（
３Ｆ　、　ＧａＨＣｌ５、ＧｅＨ２Ｃ１２、・Ｇｅ）１
３ｃｌ、Ｇｅ）ｌＢｒｓ、Ｇｅ）１２Ｂｒ２　、ＧｅＨ
３Ｂｒ、　ＧｅＨＩ＝、Ｇｅ６Ｈ１６、ＧｅＨ３１等の
水素化ハロゲン化ゲルマニウム等、ＧｅＦ４、ＧｅＣＬ
ａ　、ＧｅＢｒ４、Ｇｌ！Ｉ４、ＧｅＦｚ、ＧｅＣ１２
、ＧｅＢｒ２、ＧａＩｚ等のハロゲン化ゲルマニウム等
々のガス状態の又はガス化しうる物質も有効な出発物質
として使用できる。

グロー放電法、スパッタリング法あるいはイオンブレー
ティング法を用いて、スズ原子を含有するアモルファス
シリコン（以下、　’ａ−５ｉＳｎ（）１．Ｘ）」と表
記する。）で構成される光受容層を形成するには、上述
のａ−ＳｉＧθ（）ｌ、Ｘ）で構成される層の形成の際
に、ゲルマニウム原子供給用の出発物質を、スズ原子（
Ｓｎ）供給用の出発物質にかえて使用し、形成する層中
へのその量を制御しながら含有せしめることによフて行
なう。

前記スズ原子（Ｓｎ）供給用の原料ガスとなりつる物質
としては、水素化スズ（ＳｃＩ３）やＳｎＦ２．５ｎＦ
ｎ、５ｎＣ１２，５ｎＣ１４，ＳｎＢｒ２　、５ｎＢｒ
４１５ｎｌ７．５ｎ１４等のハロゲン化スズ等のガス状
態の又はガス化しうるものを用いることができ、ハロゲ
ン化スズを用いる場合には、所定の支持体上にハロゲン
原子を含有するａ−５＋で構成される層を形成すること
ができるので、特に有効である。なかでも、層作成作業
時の取り扱い易さ、Ｓｎ供給効率の良さ等の点から、Ｓ
ｎ（：１４が好ましい。

そして、５ｎＣ１，をスズ原子（Ｓｎ）供給用の出発物
質として用いる場合、これをガス化するには、固体状の
５ｎＣ１４を加熱するとともに、Ａｒ、　Ｈｅ等の不活
性ガスを吹き込み、該不活性ガスを用いてバブリングす
るのが望ましく、こうして生成したガスを、内部を減圧
にした堆積室内に所望のガス圧状態で導入する。

グロー放電法、スパッタリング法、あるいはイオンブレ
ーティング法を用いて、ａ−５ｉ（Ｈ，Ｘ）に第１ＩＩ
族原子又は第Ｖ族原子、窒素原子、酸素原子あるいは炭
素原子を含有せしめた非晶質材料で構成された層を形成
するには、ａ−５ｔ（ｌ（、Ｘ）の層の形成の際に、第
１ＩＩ族原子又は第Ｖ族原子導入用の出発物質、酸素原
子導入用の出発物質、窒素原子導入用の出発物質、ある
いは炭素原子導入用の出発物質を、前述したａ−５ｔ　
（Ｈ，Ｘ）形成用の出発物質と共に使用して、形成する
層中へのそれらの量を制御しながら含有せしめてやるこ
とによって行なう。

例えば、グロー放電法を用いて、原子（０，１：、Ｎ）
を含有するａ−５ｉ（ｌ（、Ｘ）で構成される暦を形成
するには、前述のａ−５ｔ　（Ｈ，Ｘ）で構成される層
を形成する際に、原子（ｏ、ｃ、Ｎ）導入用の出発物質
をａ−５ｉ（Ｈ，Ｘ）形成用の出発物質とともに使用し
て形成する層中へのそれらの量を制御しながら含有せし
めることによって行なう。

このような原子（０，Ｃ，Ｎ）　４人用の出発物質とし
ては、少なくとも原子（０，Ｃ，Ｎ）を構成原子とする
ガス状の物質又はガス化し得る物質であれば、はとんど
のものが使用できる。

具体的には酸素原子（０）導入用の出発物質として、例
えば、酸素（０２）、オゾン（０，）、−酸化窒素（Ｎ
Ｏ）、−二酸化窒素（Ｎ２０）、三二酸化窒素（Ｎ２０
ｓ）、四三酸化窒素（Ｎ２０４）、三二酸化窒素（Ｎ２
０５）、三酸化窒素（Ｎｆｈ）、シリコン原子（Ｓｉｌ
と酸素原子（０）と水素原子（Ｈ）とを構成原子とする
例えばジシロキサン（Ｈ３ＳｉＯ５＋）１ｓ）、　トリ
シロキサン（ＨｓＳｉＯ５ｉＨ２０ＳｉＨ３）等の低級
シロキサン等が挙げられ、炭素原子（Ｃ）導入用の出発
物質としては、例えば、メタン（ＣＨ４）、エタン（Ｃ
２Ｈｓ）、プロパン（Ｃ３１（６）、ｎ−ブタン（ｎ−
Ｃ４Ｈ＋ｏ）　、ペンタン（ＣｓＨ＋２）等の炭素数１
〜５の飽和炭化水素、エチレン（ＣＺＯ，）、プロピレ
ン（Ｃｓ）Ｉｓ）、ブテン−ｔ　（Ｃ４Ｈ６）、ブテン
−２（ＣＪａ）、イソブチレン（Ｃ４Ｈａ）、ペンテン
（ＣｓＨ＋ｏ）等の炭素数２〜５のエチレン系炭化水素
、アセチＬｔ　ン（Ｃ２Ｈ２）、メｆ　）Ｌｔ　７　セ
ｆ　Ｌ／　’Ｊ　（ＣｓＬ）、ブチン（ＣＪａ）等の、
炭素数２〜４のアセチレン系炭化水素が挙げられ、窒素
原子（Ｎ）導入用の出発物質としては、例えば、窒素（
Ｎ２）、アンモニア（ＮＨ３）、ヒドラジン（）１２Ｎ
ＮＨ２）、アジ化水素（）ＩＮ３）　、アジ化アモニウ
ム（ＮＨ４Ｎ３）　、三弗化窒素（Ｆ３Ｎ）　、四三弗
化窒素（Ｆ４Ｎ）が挙げられる。

例えば酸素原子を含有する層又は層領域を形成するのに
グロー放電法を用いる場合には、前記した光受容部材層
形成用の出発物質の中から所望に従って選択されたもの
に酸素原子導入用の出発物質が加えられる。その様な酸
素原子導入用の出発物質としては、少なくとも酸素原子
を構成原子とするガス状の物質又はガス化し得る物質で
あればほとんどのものが使用できる。

例えばシリコン原子（Ｓｔ）を構成原子とする原料ガス
と、酸素原子（０１を構成原子とする原料ガスと、必要
に応じて水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）
を構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して
使用するか、又は、シリコン原子（Ｓｔ）を構成原子と
する原料ガスと、酸素原子（０）及び水素原子（）Ｉ）
を構成原子とする原料ガスとを、これも又所望の混合比
で混合するか、或いは、シリコン原子（Ｓｉ）を構成原
子とする原料ガスと、シリコン原子（Ｓｔ）、酸素原子
（０）及び水素原子（）Ｉ）の３つを構成原子とする原
料ガスとを混合して使用することができる。

又、別には、シリコン原子（Ｓｉ）と水素原子（Ｈ）と
を構成原子とする原料ガスに酸素原子（０）を構成原子
とする原料ガスを混合して使用してもよい。

具体的には、例えば酸素（０２）、オゾン（０３）、−
酸化窒素（ＮＯ）、二酸化窒素（ＮＯ２）、　−二酸化
窒素（Ｎ２０）、三二酸化窒素（Ｎ２０３）、四三酸化
窒素（Ｎ２０４）三二酸化窒素（ＮＪｓ）、三酸化窒素
（ＮＯ３）、シリコン原子（Ｓｉ）と酸素原子（ｏ）と
水素原子（１１）　とを構成原子とする例えばジシロキ
サン（Ｈ３ＳｉＯ５ｉｌ（３）　、トリシロキサン（Ｈ
コ５ｉＯ５ＬｌｈＯ５ｉ）Ｉｓ）等の低級シロキチン等
が挙げられ、挙げることができる。

スパッタリング法によって、酸素原子を含有する層また
は層領域を形成するには、単結晶又はＳｉウェーハ又は
Ｓ＋０．ウェーハ、又はＳｉと５ｉ０２が混合されて含
有されているウェーハをターゲットとして、これ等を種
々のガス７囲気中でスパッタリングすることによって行
なえばよい。

例えば、Ｓｉウェーハをターゲットとして使用すれば、
酸素原子と必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン原
子を導入する為の原料ガスを必要に応じて希釈ガスで希
釈して、スパッター用の堆積室内に導入し、これ等のガ
スのガスプラズマを形成して前記Ｓｉウェーハをスパッ
タリングすれはよい。

又、別にはＳｌとＳｉｎ、とは別々のターゲットとして
、又はＳｔとＳｉｎ、の混合した一枚のターゲットとを
使用することによって、スパッター用のとしての希釈ガ
スの７囲気中で又は少なくとも水素原子（Ｈ）又は／及
びハロゲン原子（Ｘ）を構成原子として含有するガス雰
囲気中でスパッタリングすることによって形成できる。

酸素原子導入用の原料ガスとしては、前述したグロー放
電の例で示した原料ガスの中の酸素原子導入用の原料ガ
スが、スパッタリングの場合にも有効なガスとして使用
できる。

また、例えば炭素原子を含有するアモルファスシリコン
で構成される層をグロー放電法により形成するには、シ
リコン原子（Ｓｉｌを構成原子とする原料ガスと、炭素
原子（Ｃ）を構成原子とする原料ガスと、必要に応じて
水素原子（）Ｉ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を構成
原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して使用す
るか、又はシリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とする原料
ガスと、炭素原子（Ｃ）及び水素原子（Ｈ）を構成原子
とする原料ガスとを、これも又所望の混合比で混合して
使用するか、或いはシリコン原子（Ｓ　ｔ）を構成原子
とする原料ガスと、シリコン原子（Ｓｉ）、炭素原子（
、Ｃ）及び水素原子（Ｈ）を構成原子とする原料ガスを
混合するか、更にまた、シリコン原子、水素原子を構成
原子とする原料ガスを混合して使用する。

このような原料ガスとして有効に使用されるのは、Ｓｉ
とＨとを構成原子とする５ｉ）１４．５ｉ２Ｈ，、Ｓｔ
、）Ｉ。

５ｉ４１（Ｈａ等゛のシラン（Ｓｉｌａｎａ）ｉｆｉ等
の水素化硅素ガス、ＣとＨとを構成原子とする、例えば
炭素数１〜４の飽和炭化水素、炭素数２〜４のエチレン
系炭化水素、炭素数２〜３のアセチレン系炭化水素等が
挙げられる。

具体的には飽和炭化水素としては、例えば、メタン（Ｃ
Ｈ４）　、　ｘタン（Ｃ２Ｈ８）、プロパン（ＣＪａ）
、ｎ−ブタン１ｎ−ＣＪ＋ｏ）　、ペンタン（Ｃ５Ｈ１
２）、エチレン系炭化水素としては、エチレン（ＣＪａ
）　、プロピレン（Ｃｓ）Ｉａ）、ブテン−１（Ｃ４Ｈ
８）、ブテン−２（ｃ４ｔ＋ａ）、イソブチレン（Ｃ４
Ｈ６）、ペンテン（ＣｓＬｏ）アセチレン系炭化水素と
しては、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、メチルアセチレン（
Ｃ３Ｈ４）、ブチン（１：４Ｈｓ）等が挙げられる。

５１とＣとＨとを構成原子とする原料ガスとしては、５
１　（ｆ：Ｈｓ）　ａ、Ｓｔ　（ＣＪｓ）＜等のケイ化
アルキルを挙げることができる。これ等の原料ガスの他
、Ｈ導入用の原料ガスとしては勿論１（、も使用できる
。

スパッタリング法によってａ−５ｉｔ：（Ｈ，Ｘ）で構
成される層を形成するには、単結晶又は多結晶のＳｉウ
ェーハ又はＣ（グラファイト）ウェーハ、又はＳｔとＣ
が混合されているウェーハをターゲットとして、これ等
を所望のガス雰囲気中でスパッタリングすることによつ
て行なう。

例えば、Ｓｉウェーハをターゲットとして使用する場合
には、炭素原子、および水素原子又は／及びハロゲン原
子を導入する為の原料ガスを、必要に応じてＡ「、Ｈｅ
等の希釈ガスで希釈して、スパッタリング用の堆積室内
に導入し、これ等のガスのガスプラズマを形成して前記
Ｓｉウェーハをスパッタリングすればよい。

又、別にはＳｉとＣは別々のターゲットとするか、ある
いはＳｌとＣの混合した一枚のターゲットととして使用
する場合には、スパッタリング用のガスとして水素原子
又は／及びハロゲン原子導入用の原料ガスを、必要に応
じて希釈ガスで希釈して、スパッタリング用の堆積室内
に導入し、ガスプラズマを形成してスパッタリングすれ
ばよい。

該スパッタリング法に用いる各原子の導入用の原料ガス
としては、前述のグロー放電法に用いる原料ガスがその
まま使用できる。

例えば窒素原子を含有する層又は層領域を形成するのに
グロー放電法を用いる場合には、前記した光受容層形成
用の出発物質の中から所望に従って選択されたものに窒
素原子導入用の出発物質を加える。その様な窒素原子導
入用の出発物質としては、少なくとも窒素原子を構成原
子とするガス状の物質又はガス化し得る物質であればほ
とんどのものが使用できる。

例えばシリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とする原料ガス
と、窒素原子（Ｎ）を構成原子とする原料ガスと、必要
に応じて水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）
を構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して
使用するか、又は、シリコン原子（Ｓｉ）を構成原子と
する原料ガスと、窒素原子（Ｎ）及び水素原子ＤＩ）を
構成原子と原料ガスとを、これも又所望の混合比で混合
するかして使用することができる。

又、別には、シリコン原子（Ｓｔ）と水素原子（Ｈ）と
を構成原子とする原料ガスに窒素原子（Ｎ）を構成原子
とする原料ガスを混合して使用してもよい。

窒素原子を含有する層または層１！ｉ域を形成する際に
使用する窒素元素（Ｎ）導入用の原料ガスとして有効に
使用される出発物質は、Ｎを構成原子とするか或いはＮ
とＨとを構成原子とする例えば窒素（Ｎ、）、アンモニ
ア（ＮＨコ）、ヒドラジン（８２ＮＮＨ２）アジ化水素
（ＨＮｓ）　、アジ化アンモニウム（Ｎ）１４Ｎ３）等
のガス状の又はガス化し得る窒素、窒化ホウ素物及びア
ジ化物等の窒素化合物を挙げることができる。この他に
、窒素原子の導入に加えて、ハロゲン原子の導入も行な
えるという点から、三弗化窒素ＣＦ３Ｎ）　、四三弗化
窒素（Ｆ４Ｎ）等のハロゲン化窒素化合物を挙げられる
。

スパッタリング法によって、窒素原子を含有する層また
は層領域を形成するには、単結晶又はＳｔウェーハ又は
多結晶のＳｔウェーハ、又は５ｊ３Ｎ４ウエーハ、又は
ＳＬとはＳｉ３Ｎ４が混合されて含有されているウェー
ハをターゲットとして、これ等を種々のガス：囲気中で
スパッタリングすることによって行なえばよい。

例えば、Ｓｉミラニーへターゲットとして使用すれば、
窒素原子と必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン原
子を導入する為の原料ガスを、必要に応じて希釈ガスで
希釈して、スパッター用の堆積室中に導入し、これ等の
ガスのガスプラズマを形成して前記ＳＬウェー八へスパ
ッタリングすればよい。

又、別にはＳｉと５ｒｓＮａ　とは別々のターゲットと
して、又はＳｉとＳｉ３Ｎ４の混合した一枚のターゲッ
トを使用することによって、スパッター用のガスとして
の希釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも水素原子（１４
）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を構成原子として含有
するガス雰囲気中でスパッタリングすることによって形
成できる。酸素原子導入用の原料ガスとしては、先述し
たグロー放電の例で示した原料ガスの中の窒素原子導入
用の原料ガスが、スパッタリングの場合にも有効なガス
として使用できる。

また、グロー放電法、スパッタリング法、あるいはイオ
ンブレーティング法を用いて、第■族原子又は第Ｖ族原
子を含有するａ−５Ｌ（Ｈ，Ｘ）で構成される層の形成
の際に、第１ＩＩ族原子又は第■族原子導入用の出発物
質を、ａ−５１（Ｈ，Ｘ）形成用の出発物質と共に使用
して、形成する層中へのそれらの量を制御しながら含有
せしめてやることによりて行なう。

第１ＩＩ族原子導入用の出発物質として具体的には硼素
原子導入用としては、ＢＪ８．８４ＨＩＯ、Ｂｉａｓ、
ＢｓＨ＋＋、ＢａＬｏ　、　ＢａＬ２．　Ｂ８）１１４
等の水素化硼素、Ｂｈ　、ＢＣｌ３、ＢＢｒ３等のハロ
ゲン化硼素等が挙げられる。この他、八Ｑ　Ｃ１３、Ｇ
ａＣＬｓ、Ｇａ　（ＣＨ３）　ｔ、ＩＩＴＣ１３、ＴＱ
Ｃ１＋等も挙げることができる。

第■族原子導入用の出発物質として具体的には燐原子導
入用としてはＰＨ３、Ｐ２Ｈａ等の水素化燐ＰＨ，Ｉ、
ＰＦ、、ＰＦｓ、ＰＣｌ５、ＰＣｌ５、ＰＢｒｓ、！’
Ｂｒｓ、　ｌ’１３等のハロゲン化燐が挙げられる。こ
の他、ＡｓＨ，、ＡｓＦ３、ＡｓＣ１，、ＡｓＢｒ５、
ＡｓＦ５、ＳｂＨ，、ＳｂＦ、、ＳｂＦ、、５ｂＣ１ｓ
、５ｂＣ１ｓ、Ｂｉａｓ、Ｂ１Ｃ１１、Ｂ１Ｂｒ１等も
第■族原子導入用の出発物質の有効なものとして挙げる
ことができる。

以上記述したように、本発明の光受容部材の光受容層は
、グロー放電法、スパッタリング法等を用いて形成する
が、光受容層に含有せしめるゲルマニウム原子又は／及
びスズ原子、第１ＩＩ族原子又は第Ｖ族原子、酸素原子
、炭素原子又は、窒素原子、あるいは水素原子又は／及
びハロゲン原子の各々の含有量の制御は、堆積室内へ流
入する、各々の原子供給用出発物質のガス流量あるいは
各々の原子供給用出発物質間のガス流量比を制御するこ
とにより行なわれる。

また、光導電層および表面保護層等の各構成層形成時の
支持体温度、堆積室内のガス、放電パワ−等の条件は、
所望の特性を有する光受容部材を得るためには重要な要
因であり、形成する層の機能に考慮をはらって適宜選択
されるものである。

さらに、これらの層形成条件は、光導電層および表面保
護層等の各構成層に含有せしめる上記の各原子の種類及
び量によっても異なることもあることから、含有せしめ
る原子の種類あるいはその王等にも考慮をはらって決定
する必要もある。

具体的には、価電子制御剤を含有する４配位構造のＮｏ
ｎ−ＢＮ　（Ｎ、Ｘ）からなる下部表面層を高周波（１
３，５６Ｍ）＋２１　プラズマＣＶＤ法により形成する
場合、堆積室内のガス圧は、通常１０−２〜１０Ｔｏｒ
ｒとするが、より好ましくは５　Ｘ　１０’〜２　Ｔｏ
ｒｒ、最適には０．１〜Ｉ　Ｔｏｒｒとする。また、支
持体温度は、通常５０〜７００℃とするが、特にＮｏｎ
−８Ｎ　（Ｎ　、　Ｘ）層とする場合には５０〜４００
℃、ｐｏｌｙ−ＢＮ（Ｈ，Ｘ）層とする場合には２００
〜７００℃とする。更に放電パワーは通常０．０１〜５
　Ｗ　／　ｃｍ２、より好ましくは０．０２〜２Ｗ／ｃ
Ｉ１１２とする。更にまた、Ｂ供給用原料ガス、Ｎ供給
用原料ガス及び計ガスのガス流量比は、Ｂ／Ｎが１１５
〜１００／１、より好ましくは１／４〜８０／１となる
ようにし、Ａｒ／Ｂ＋Ｎが１／１０〜１００／１、より
好ましくは１／７〜８０／１となるようにする。

また、価電子制御剤を含有する４配位構造のＮ。

ｎ−ＢＮ（Ｈ，Ｘｌ　からなる下部表面層をマイクロ波
（２，４５ＧＨｚ）プラズマＣＶＤ法により形成する場
合、堆積室内のガス圧は通常１０−４〜２　Ｔｏｒｒ、
より好ましくは５　ｘ　１０−’　〜１．ＯＴｏｒｒ、
最適には５Ｘ１０−’〜０゜７　Ｔｏｒｒとし、放電パ
ワーは通常０．１〜５０Ｗ　／　ｃｍ２、より好ましく
は０．２〜３０Ｗ　／　（ｚ”とする。支持体温度及び
各原料ガスのガス流量比は、いずれも前述の高周波プラ
ズマＣＶＤ法による場合と同じである。

更に、価電子制御剤を含有する４配・位構造のＮ。

ｎ−ＢＮ　（）Ｉ、Ｘ）からなる下部表面層をスパッタ
リング法により形成する場合、堆積室内のガス圧は通常
１Ｇ−’〜Ｉ　Ｔｏｒｒ、より好ましくは５　ｘ　１０
−４〜０．７７ｏｒｒ、とし、放電パワーは０．０１＝
　ＩＯＷ　／　ｃｍ’、より好ましくは０．０５〜８Ｗ
／ｃｍ２とする。支持体温度は前述の高周波プラズマＣ
ＶＤ法による場合と同じである。

また、価電子制御剤を含有する４配位構造と３配位構造
とが混在したＮｏｎ−ＢＮ　（Ｈ，Ｘ）からなる上部表
面層を高周波（１３，５６ＭＨ２）プラズマＣＶＤ法に
より形成する場合、堆積室内のガス圧は、通常１０−２
〜ｌ　０Ｔｏｒｒとするが、より好ましくは５　Ｘ　１
０’〜２　Ｔｏｒｒ、最適には０．１〜Ｉ　Ｔｏｒｒと
する。また、支持体温度は、通常５０〜７００℃とする
が、特にＮｏｎ−ａＮ（Ｈ，Ｘ）　Ｎとする場合には、
５０〜４００℃、ｐｏｌｙ−ＢＮ（ｌ（、Ｘ）層とする
場合には、２００〜７００℃とする。

更に放電パワーは通常０．０１〜５　Ｗ　／　ｃｍ’、
より好ましくは０．０２〜２　Ｗ　７ｃｍ”とする、更
にまた、Ｂ供給用原料ガス、Ｎ供給用原料ガス及びＡｒ
ガスのガス流出比は、Ｂ／Ｎが１／１００〜５／１．よ
り好ましくはｌ７８０〜４／１となるようにし、Ａｒ／
Ｂ十Ｎが１／１〜０となるようにする。

また、価電子制御剤を含有する４配位１１！＋造と３配
位構造とが混在したＮｏｎ−ＢＮ（）Ｉ、Ｘ）からなる
上部表面層を高周波（２，４５ＧＨ２）　プラズマＣＶ
Ｄ法により形成する場合、堆積室内のガス圧は通常１０
−’〜２　Ｔｏｒｒ、より好ましくは５　Ｘ　１０−’
〜１．ＯＴｏｒｒ、最適には５　Ｘ　１０−’〜０．フ
Ｔｏｒｒとし、放電パワーは通常０．１〜５０Ｗ　／　
ｃｍ’、より好ましくは０．２〜３０Ｗ／ｃｍ’とする
。支持体温度及び各原料ガスのガス流量比は、いずれも
前述の高周波プラズマＣＶＤ法による場合と同じである
。

更に、価電子制御剤を含有する４配位構造と３配位構造
とが混在したＮｏｎ−ＢＮ　（Ｈ，Ｘ）からなる上部表
面層をスパッタリング法により形成する場合、堆積室内
のガス圧は通常１０−４〜Ｉ　Ｔｏｒｒ、より好ましく
は５　Ｘ　１０−４〜０．７Ｔｏｒｒ、とじ、放電パワ
ーは０゜０１〜ＩＯＷ　／　ｃｍ”、より好ましくは０
．０Ｓ〜８　Ｗ　／ａｍ’とする。支持体温度は前述の
高周波プラズマＣＶＤ法による場合と同じである。

また、窒素原子、酸素原子、炭素原子等を含有せしめた
ａ−５ｉ（Ｈ，Ｘ）からなる層をグロー放電法により形
成する場合、支持体温度は、通常５０〜３５０℃とする
が、特に好ましくは５０〜２５０℃とする。

堆積室内のガス圧は通常０．０１〜Ｉ　Ｔｏｒｒとする
が、特ニ好ましくは０．１〜０．５　Ｔｏｒｒとする。

放電パワーはｏ、ｏｏｓ〜５０Ｗ／ｃｍ’とするのが通
常であるが、より好ましくは０．０１〜３０Ｗ　／　ｃ
ｍ２　とする、特に好ましくは０．０１〜２０Ｗ　／　
ｃｍ’　とする。

ａ−５ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）層をグロー放電法により形成す
る場合、あるいは第Ｈ１族原子又は第Ｖ族原子を含有せ
しめたａ−５ｉＧθ（）ｌ、Ｘ）からなる層を形成する
場合については、支持体温度、通常５０〜３５［１℃と
するが、より好ましくは５０〜３００℃とするが、特に
好ましくは１００〜３００℃とする。そして堆積室内の
ガス圧は通常０．０１〜５　Ｔｏｒｒとするが、好まし
くは０．００１〜３　　Ｔｏｒｒとし、特に好ましくは
０．０１〜ＩＴｏｒｒとする。また、放電パワーは０．
００５〜５０Ｗ／ｃがとするのが通常であるが、好まし
くは０．Ｏ１〜３０Ｗ／ｃｍ２　とする、特に好ましく
は０．０１〜２０Ｗ／ｃｍ”　とする。

しかし、これらの、層形成を行なうについての支持体温
度、放電パワー、堆積室内のガス圧の具体的条件は、通
常には個々に独立しては容易には決め難いものである。

したがって、所望の特性の非晶質材料層を形成すべく、
相互的且つ有機的関連性に基づいて、層形成の至適条件
を決めるのが望ましい。

次に、グロー放電分解法によって形成される光導電部材
の製造方法について説明する。

第２図にグロー放電分解法による電子写真用光受容部材
の製造装置を示す。

図中の２０２．２０３．２０４．２０５．２０６．２４
１．２４７のガスボンベには、本発明の夫々の層を形成
するための原料ガスが密封されており、その１例として
、たとえば、２０２はＳｉＨ，ガス（純度９９．９９９
％）ボンベ、２０３はＨ２で希釈されたＢ２）１．ガス
（純度９９．９９９％、以下Ｂ２Ｈ１／Ｈ２と略す）ボ
ンベ、２０４はＮＯガス（純度９９．５％）ボンベ、２
０５はＡｒで希釈された８２Ｈ６ガス（純度９９．９９
９％、以下ＢＪｓ／Ａｒと略す）ボンベ、２０６は）Ｉ
ｅで希釈されたＢ、Ｈ，ガス（純度９９．９９９％、以
下８２Ｈ，／Ｈｅと略す）ボンベ、２４１はＨｅで希釈
された５ｉｔ（、ガス（純度９９．９９９％、以下Ｓｉ
Ｈ４／）Ｉｅと略す）ボンベ、２４７はＮＨ，ガス（純
度９９．９９９％）ボンベである。

これらのガスを反応室２０１に流入させるにはガスボン
ベ２０２〜２０１ｉ　、　２４１．２４７のバルブ、リ
ークバルブ２３５が閉じられていることを確認し、又、
流入バルブ２１２〜２１６　、２４３，２４９、流出バ
ルブ２１７〜２２１　、２４４，２５０、補助バルブ２
３２　、２３３が開かれていることを確認して先ずメイ
ンバルブ２３４を開いて反応室２０１、ガス配管内を排
気する。次に真空計２３６の読みが約５　ｘ　１Ｇ−’
Ｔｏｒｒになった時点で、補助バルブ２３２　、２３３
　、流出バルブ２１７〜２２１．２４４．２５０を閉じ
る。

基体シリンダー２３７上に第１の層を形成する場合の１
例をあげると、ガスボンベ２０２よりＳｉＬガス、ガス
ボンベ、２０３より８２）ＩＳ／Ｈ２ＳｉＨ４ガスンベ
２０４よりＮＯガス、バルブ２２２　、２２３　、２２
４を問いて出口圧ゲージ２２７　、２２８　、２２９の
圧を１　ｋｇ／ｃｍ’に調節し、流入バルブ２１２　、
２１３．２１４を徐々に開けて、マスフロコントローラ
２０７．２０８．２０９内に流入させる。引続いて流出
バルブ２１７．２１８．２１９、補助バルブ２３２を徐
々に開いて夫々のガスを反応室に流入させる。このとき
の５ｉＨａガス流量、ａ、ｏ、／ｎ２ガス流量、ＮＯガ
ス流量の比が所望の値になるように流出バルブ２１７，
２１８，２１９を調整し、又、反応室内の圧力が所望の
値になるように真空計２３８の読みを見ながらメインバ
ルブ２３４の開口を調整する。そして基体シリンダー２
３７の温度が加熱ヒーター２３８により５０〜３５０℃
の温度に設定されていることを確認された後、電源２４
０を所望の電力に設定して反応室２０１内にグロー放電
を生起させ基体シリンダー上に第１の層を形成する。

第１の層にハロゲン原子を含有される場合には、上記の
ガスに例えばＳｉＨ４ガスを更に付加して反応室２０１
に送り込む。

各層を形成する際ガス種の選択によっては、層形成速度
を更に高めることが出来る０例えば５ｉ）Ｉ４ガスの代
りに５ｉ、Ｈ，ガスを用いて層形成を行なえば数倍高め
ることが出来、生産性が向上する。

上記の様にして作成された第１の層上に第２の層を形成
するには、流出バルブ２１７〜２２＋、２４４．２４フ
を閉じ、補助バルブ２３２．２３３を開いてメインバル
ブ２３４を全開して系内を一旦高真空に排気したのち、
第１の層の形成の際と同様なバルブ操作によって３２）
＋６／＾ｒガス、Ｂ２Ｈ，／Ｈｅガス、ＮＨ，ガス及び
価電子制御剤を含むガス、第２図の例でいうと　２４１
のＳｉＨ４／Ｈａガスを所望の流量比で反応室１０１中
に流し、所望の条件に従ってグロー放電を生起させるこ
とによって成される。

第２の層中に含有される水素原子の量を変化させる場合
には、上記のガスに例えばＨ２ガスを付加して、Ｈ２ガ
スの反応室１０１内に導入される流量を所望に従って任
意に変えることによって所望に応じて制御することがで
きる。

第２の層にハロゲン原子を含有させる場合には、上記の
ガスに例えばＮＦ３ガスを更に付加して反応室１０１内
に送り込む。

夫々の層を形成する際に必要なガス以外の流出は全て閉
じることは言うまでもなく、又、夫々の層を形成する際
、前層の形成に使用したガスが反応室１０１内、流出バ
ルブ２１７〜２２１から反応室１０１内に至る配管内に
残留することを避けるために、流出バルブ２１７〜２２
１を閉じ補助バルブ２３２　、２３３を開いてメインバ
ルブ２３４を全開して系内を一旦高真空に排気する操作
を必要に応じて行なう。

又、層形成を行なっている間は層形成の均一化を図るた
め基体シリンダー２３７は、モータ２３９によって所望
される速度で一定に回転させる。

（実施例） 以下、実施例により本発明を更に詳細に説明するが、本
発明はこれらによりて限定されるものではない。

〈実施例１〉 ′Ｍ２図の製造装置を用い、第１表　（ａ）　、　（ｂ
）の作成条件に従って鏡面加工を施したアルミシリンダ
ー上に電子写真用光受容部材を形成した。

又、別途、第２図を同型の装置を用い、シリンダー上の
サンプルホルダーにアルミ製基板及び単結晶Ｓｉウェハ
ーを設置し、同一仕様の上部表面層及び下部表面層のみ
をそれぞれ形成したものを別個に用意した。

光受容部材（以後ドラムと表現）の方は、電子写真装置
をセットして、種々の条件のもとに、初期の帯電能、残
留電位、ゴースト等の電子写真特性をチェックし、又、
１５０万故実機耐久後の帯電能低下、表面削れ、画像欠
陥の増加等を調べた。

更に、クリーナブレードを意識的に摺擦エツジ部分が摩
耗したものと取り換え、白ベタ画像上に生じる地力ブリ
の度合によりクリーニング性の優劣の比較も行った。ま
た更に、３５℃、８５％の高温高温雰囲気中でのドラム
の画像流れについても評価した。

また、ドラムに直流高圧電圧を加えることにより絶縁耐
圧を調べた。さらに、先端が球形の針に一定の荷重をか
けて、ドラム表面にキズをつけることにより、耐キズ性
を調べた。上記の評価結果を第２表に示す。

第２表に見られる様に、全項目について良好な結果が得
られた。　特に、画像欠陥、画像流れ、絶縁耐圧、財キ
ズ性、クリーニング性（地力ブリの度合）については、
著しい優位性が認められた。

アルミ基板上と単結晶Ｓｉウェハー上に成膜した上部、
下部それぞれの表面層のみの方（以後サンプルと表現）
を、それぞれＥＸＡＦＳとＩＲにより配位数を調べたと
ころ、下部表面層は４配位であり、上部表面層は４配位
と３配位の混在したものであることがわかった。

〈実施例２〉 表面層の原料ガスにＨ２ガスを付加して第３表（ａ）　
、　（ｂ）に示す作成条件で、実施例１と同様に、ドラ
ム及びサンプルを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第４表に示す。

第４表にみられる様に、実施例１と同様の特性が得られ
た。

又、サンプルの測定の結果、下部表面層が４配位であり
、上部表面層が３配位と４配位の混在したものであるこ
とがわかった。

〈実施例３〉 表面層の作成時に、シリンダーのバイアス電圧が下部表
面層につき一１５０ｖになるように、又、上部表面層に
つき＋１００Ｖになるようにして第１表（ａ）、　（ｂ
）に示す作成条件で、実施例１と同様に、ドラム及びサ
ンプルを作成し、同様の評価を行った。

その結果を′ｉ４５表に示す。

Ｎ５表にみられる様に、実施例１と同様の特性が得られ
た。

又、サンプルの測定の結果、下部表面層が４配位であり
、上部表面層が３配位と４配位の混在したものであるこ
とがわかフた。

〈実施例４〉 電荷注入阻止層、光導電層、表面層をそれぞれ第６表（
ａ）　、　（ｂ）に示す作成条件で実施例１と同様にド
ラムを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第７表に示す。

第７表にみられる様に実施例１と同様の特性が得られた
。

〈実施例５〉 アルミシリンダーに陽極酸化処理を行って、シリンダー
表面に酸化アルミニウムＮＣＡＱ２ｏｓ）を作成して、
これを、電荷注入阻止層とし、この層の上に光導電層と
表面層をそれぞれ第８表　（ａ）、　（ｂ）に示す作成
条件で実施例１と同様にドラムを作成し、同様の評価を
行った。

その結果を第９表に示す。

第９表にみられる様に、実施例１と同様の特性が得られ
た。

〈実施例６〉 長波長光吸収Ｎ（以後、ｒ　　ＩＲ吸収層」とする、）
、光導電層、表面層をそれぞれ、第１０表（ａ）　、（
ｂ）に示す作成条件で、実施例１と同様にドラムを作成
し、同様の評価を行った。

さらに７８５ｎｍの波長を有する半導体レーザーを画像
露光の光源に用いる電子写真装置にドラムをセットして
、画像上に干渉縞が現われるかチェックした。

その結果を第１１表に示す。

第１１表にみられる様に、実施例１と同様の特性が得ら
れ、干渉縞も現われなかった。

〈実施例７〉 密着層、光導電層、表面層をそれぞれ、第１２表（ａ）
　、　（ｂ）に示す作成条件で、実施例１と同様にドラ
ムを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第１３表に示す。

′！Ｊ１３表にみられる様に、実施例１と同様の特性が
得られた。

〈実施例８〉 ＩＲ吸収層、電荷注入阻止層、光導電層、表面層を、そ
れぞれ、第１４表（ａ）、（ｂ）に示す作成条件で実施
例１と同様にドラムを作成し、実施例６と同様の評価を
行った。

その結果を第１５表に示す。

＄１５表にみられる様に、実施例１と同様の特性が得ら
れた。

〈実施例９〉 密着層、電荷注入阻止層、光導電層、表面層をそれぞれ
、第１８表（ａ）　、　（ｂ）に示す作成条件で実施例
１と同様にドラムを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第１７表に示す。

第１７表にみられる様に、実施例１と同様の特性が得ら
れた。

〈実施例１０〉 密着層、ＩＲ吸収層、電荷注入阻止層、光導電層、表面
層を、それぞれ、第１８表（ａ）、（ｂ）に示す作成条
件で、実施例１と同様にドラムを作成し、実施例６と同
様の評価を行った。

その結果を第１９表に示す。

第１９表にみられる様に、実施例１と同様の特性が得ら
れた。

〈実施例１１＞ 光導電層の作成条件を第２０表に示す数種の条件に変え
、それ以外は実施例１と同様の条件にて、複数のドラム
を用意した。

これらのドラムを実施例１と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例１と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例１２＞ 光導電層の作成条件を第２１表に示す数種の条件に変え
、それ以外は実施例２と同様の条件にて、？ｌＩ数のド
ラムを用意した。

これらのドラムを実施例２と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例２と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例１３〉 光導電層の作成条件を第２２表に示す数種の条件に変え
、それ以外は実施例３と同様の条件にて、複数のドラム
を用意した。

これらのドラムを実施例３と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例３と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例１４〉 電荷注入阻止層の作成条件を第２３表に示す数種の条件
に変え、それ以外は実施例４と同様の条件にて、複数の
ドラムを用意した。

これらのドラムを実施例４と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例４と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例１５〉 電荷注入阻止層の作成条件を第２４表に示す数種の条件
に変え、光導電層の作成条件を第２５表に示す数種の条
件に変え、それ以外は実施例４と同様の条件にて、第２
６表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例４と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例４と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例ｉｓ＞ 電荷注入阻止層の作成条件を第２４表に示す数種の条件
に変え、光導電層の作成条件を第２７表に示す数種の条
件に変え、表面層の作成条件を第２８表に示す条件にて
、第２９表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例４と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例４と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例１７〉 電荷注入阻止層の作成条件を第２４表に示す数種の条件
に変え、光導電層の作成条件を第２７表に示す数種の条
件に変え、表面層の作成条件を第３０表に示す条件にて
、第３１表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例４と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例４と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例１８〉 光導電層の作成条件を第２５表に示す数種の条件に変え
、をれ以外は実施例５と同様の条件にて、第３２表に示
す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例５と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例５と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例１Ｂ＞ 表面層の作成条件を第２８表に示す条件に変え、光導電
層の作成条件を第２７表に示す数種の条件に変え、それ
以外は実施例５と同様の条件にて、第３３表に示す複数
のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例５と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例５と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例２０＞ 表面層の作成条件を＄　３　Ｑ表に示す条件に変え、光
導電層の作成条件を第２７表に示す数種の条件に変え、
それ以外は実施例５と同様の条件にて、第３４表に示す
複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例５と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例５と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例２１＞ ＩＲ吸収層の作成条件を第３５．３６表に示す数種の条
件に変え、それ以外は実施例６と同様の条件にて、第３
７表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例６と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例６と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例２４〉 ＩＲ吸収層の作成条件を第３５．３８表に示す数種の条
件に変え、光導電層の作成条件を第２５表に示す数種の
条件に変え、それ以外は実施例６と同様の条件にて、第
３９表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例６と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例６と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例２３〉 ＩＲ吸収層の作成条件を第３５．３８表に示す数種の条
件に変え、光導電層の作成条件を第２７表に示す数種の
条件に変え、表面層の作成条件を第２８表に示す条件に
て、第４０表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例６と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例６と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例２４〉 ＩＲ吸収層の作成条件を第３５．３８表に示す数種の条
件に変え、光導電層の作成条件を第２７表に示す数種の
条件に変え、表面層の作成条件を第３０表に示す条件に
て、第４１表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例６と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例６と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例２５〉 密着層の作成条件を第４２表に示す数種の条件に変え、
それ以外は実施例７と同様の条件にて、第４３表に示す
複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例７と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例７と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例２６〉 密着層の作成条件を第４４表に示す数種の条件に変え、
光導電層の作成条件を第２５表に示す数種の条件に変え
、それ以外は実施例７と同様の条件にて、第４５表に示
す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例７と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例７と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例２７〉 密着層の作成条件を第４４表に示す数種の条件に変え、
光導電層の作成条件を第２７表に示す数種の条件に変え
、表面層の作成条件を第２８表に示す条件にて、第４６
表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例７と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例７と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例２８〉 密着層の作成条件を第４４表に示す数種の条件に変え、
光導電層の作成条件を第２７表に示す数種の条件に変え
、表面層の作成条件を第３０表に示す条件にて、Ｎ４７
表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例７と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例７と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例２９〉 ！Ｒ吸収層の作成条件を第３５．３６表に示す数種の条
件に変え、それ以外は実施例８と同様の条件にて、第４
８表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例８と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例８と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例３０＞ 電荷注入阻止層の作成条件を第４９表に示す数種の条件
に変え、ＩＲ吸収暦の作成条件を第３５．３８表に示す
数種の条件に変え、それ以外は実施例８と同様の条件に
て、第５０表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例８と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例８と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例３１〉 電荷注入阻止層の作成条件を第５１表に示す数種の条件
に変え、ＩＲ吸収層の作成条件を第３５．３８表に示す
数種の条件に変え、表面層の作成条件を第２８表に示す
条件にて、第５２表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例８と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例８と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例３２〉 電荷注入阻止層の作成条件を第５１表に示す数種の条件
に変え、ＴＲ吸収層の作成条件を第３５．３８表に示す
数種の条件に変え、表面層の作成条件を第３０表に示す
条件にて、第５３表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例８と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例８と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例３３〉 密着層の作成条件を３４４４．５４表に示す数種の条件
に変え、それ以外は実施例９と同様の条件にて、第５５
表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例９と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例９と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例３４〉 電荷注入阻止層の作成条件を第５６表に示す数種の条件
に変え、密着層の作成条件を第４４．５７表に示す数種
の条件に変え、それ以外は実施例９と同様の条件にて、
第５８表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例９と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例９と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例３５〉 電荷注入阻止層の作成条件を第２４表に示す数種の条件
に変え、密着層の作成条件を第４４．５７表に示す数種
の条件に変え、表面層の作成条件を第２８表に示す条件
にて、第５９表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例９と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例９と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例３６〉 電荷注入阻止層の作成条件を第２４表に示す数種の条件
に変え、密着層の作成条件を箪４４．５７表に示す数種
の条件に変え、表面層の作成条件を第３０表に示す条件
にて、第６０表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例９と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例９と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例３７〉 電荷注入阻止層の作成条件を第６１表に示す数種の条件
に変え、それ以外は実施例１０と同様の条件にて、第６
２表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例１Ｏと同様の評価にかけた結果
、いずれも実施例１Ｇと同様に、電子写真特性を十分に
満足するドラムが得られた。

〈実施例３８〉 電荷注入阻止層の作成条件を第６４表に示す数種の条件
に変え、光導電層の作成条件を第６３表に示す数種の条
件に変え、それ以外は実施例１Ｏと同様の条件にて、第
６５表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例１０と同様の評価にかけた結果
、いずれも実施例１０と同様に、電子写真特性を十分に
満足するドラムが得られた。

〈実施例３９〉 電荷注入阻止層の作成条件を第６４表に示す数種の条件
に変え、光導電層の作成条件を第６６表に示す数種の条
件に変え、表面層の作成条件を第２８表に示す条件にて
、第６７表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例１０と同様の評価にかけた結果
、いずれも実施例１０と同様に、電子写真特性を十分に
満足するドラムが得られた。

〈実施例４０＞ 電荷注入阻止層の作成条件を第６４表に示す数種の条件
に変え、光導電層の作成条件を第６６表に示す数種の条
件に変え、表面層の作成条件を第３０表に示す条件にて
、第６８表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例１０と同様の評価にかけた結果
、いずれも実施例１０と同様に、電子写真特性を十分に
満足するドラムが得られた。

〈実施例４１〉 電荷注入阻止層の作成条件を第５１表に示す数種の条件
に変え、ＴＲ吸収層の作成条件を第３５．３８表に示す
数種の条件に変え、光４電層の作成条件を第６９表に示
す条件にして、表面層の作成条件を第７０表に示す条件
にて、第７１表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例８と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例８と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例４２〉 電荷注入阻止層の作成条件を第５１表に示す数種の条件
に変え、ＩＲ吸収層の作成条件を第３５．３８表に示す
数種の条件に変え、光導電層の作成条件をＮ７２表に示
す条件にして、表面層の作成条件を第７０表に示す条件
にて、第７３表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例８と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例８と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例４３〉 電荷注入阻止層の作成条件を第５１表に示す数種の条件
に変え、ＩＲ吸収層の作成条件を第３５．３８表に示す
数種の条件に変え、光導電層の作成条件を第６９表に示
す条件にして、表面層の作成条件を第２８表に示す条件
にて、第７４表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例８と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例８と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例４４〉 電荷注入阻止層の作成条件を第５１表に示す数種の条件
に変え、ＩＲｒｇ！Ｌ敗層の作成条件を第３５．３８表
に示す数種の条件に変え、光導電層の作成条件を第７２
表に示す条件にして、表面層の作成条件を第２８表に示
す条件にて、第７５表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例８と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例８と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例４５〉 電荷注入阻止層の作成条件を第５１表に示す数種の条件
に変え、ＩＲ＠収層の作成条件を第３５．３８表に示す
数種の条件に変え、光導電層の作成条件を第６９表に示
す条件にして、表面層の作成条件を第３０表に示す条件
にて、第７６表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例８と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例８と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例４Ｂ＞ 電荷注入阻止層の作成条件を第５１表に示す数種の条件
に変え、ＩＲ吸収層の作成条件を第３５．３８表に示す
数種の条件に変え、光導電層の作成条件を第７２表に示
す条件にして、表面層の作成条件を第３０表に示す条件
にて、第７７表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例８と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例８と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例４７〉 電荷注入阻止層、光導電層の作成条件を第７８表に示す
条件にして、表面層の作成条件を第７９表に示す複数の
ドラムを用意した。

これらのドラムを実施例４と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例４と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例４８〉 ＩＲ吸収層、電荷注入阻止層、光導電層の作成条件を第
８０表に示す条件にして、表面層の作成条件を第８１表
に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例８と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例８と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例４９〉 密着層、ＩＲ吸収層、電荷注入阻止層、光導電層の作成
条件を第８２表に示す条件にして、表面層の作成条件を
東８３表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例１０と同様の評価にかけた結果
、いずれも実施例１０と同様に、電子写真特性を十分に
満足するドラムが得られた。

〈実施例５０〉 電荷注入阻止層、光導電層、中間層、表面層をそれぞれ
第８４表に示す作成条件で、実施例１と同様にドラムを
作成し、同様の評価をかけた結果、実施例１と同様に、
きわめてすぐれた電子写真特性のドラムが得られた。

〈実施例５１＞ 鏡面加工を施したシリンダーを更に様々な負度を持つ剣
バイトによる旋盤加工に供し、第３図のような判断形状
で第８５表のような種々の断面パターンを持つシリンダ
ーを複数本用意した。該シリンダーを順次Ｎ２図の製造
装置にセットし、実施例１と同様の作成条件の基にドラ
ム作成に供した０作成されたドラムを実施例１と同様の
評価を行った結果、いずれも実施例１と同様に、電子写
真特性を十分に満足するドラムが得られた。

〈実施例５２〉 鏡面加工を施したシリンダーの表面を、引続き多数のベ
アリング用球の落下の基にさらしてシリンダー表面に無
数の打痕を生じせしめる、所謂表面ディンプル化処理を
施し、第４図のような判断形状で、第８６表のような種
々の断面パターンを持つシリンダーを複数本用意した。

該シリンダーを順次第２図の製造装置にセットし、実施
例１と同様の作成条件の基にドラム作成に供した０作成
されたドラムを実施例１と同様の評価を行った結果、い
ずれも実施例１と同様に、電子写真特性を十分に満足す
るドラムが得られた。

第２表 Ｏ□　非常に良好 ○　□　に良好 第４表 ◎　□　非常に良好 Ｏ□　に良好 第５表 Ｏ□　非常に良好 Ｏ□　に良好 第７表 ◎　□　非常に良好 Ｏ□　に良好 第９表 ◎　□　非常に良好 ０　□　に良好 第１３表 Ｏ□　非常に良好 Ｏ□　に良好 第１７表 ◎　□　非常に良好 Ｏ□　に良好 第２０表 本表面層は第１表（ｂｌ　に従う（無印は第１表（ａ）
　に従う）第２１表 本表面層は第３表（ｂ）　　に従う（無印は第３表（ａ
）　　に従う）３４２３表 ＊關北腎Ｖ８し一〇 第２４表 第２５表 第　　３２　　表 ＊表面層は第８表（ｂ）　に従う。

無印は第８表（ａ）に従う。

Ｎ３３表 ＊表面ＦＪＢを使用。

無印は表面ＦＪＡを使用。

ＭＢ２表 ＊表面層Ｂを使°用。

無印は表面層Ａを使用。

第３５表 第　３５　表（つづき） 第３６表 第　　３７　　表 ＊表面層は第１０表（ｂ）　　に従う 無印はｉｔｏ表（ａ）　　に従う 第３８表 第　３８　表（つづき） 第３９表 本表面層は第１０表（ｂｌ　仲従う　　無印は第１０表
（８１に従う第４０　表 無印は表面層Ａを使用。

′Ｍ４１表 無印は表面層Ａを使用。

第４３表 ＊表面層は第１２表（ｂ）　に従う 無印は第１２表（ａ）　　に従う １４５表 無印は第１ｚ表（ａｌ　に征つ ′Ｍ４６表 無印は表面１’３Ａを使用。

第４７表 第４８表 ＊電荷注入阻止層と表面層は第１４表（ｂ）に従う。

無印は第１４表（ａ）　　に従う。

第４９表 第５０表 第５１表 ’ｆｓ　５２表 第５３表 無印は表面層Ａを使用。

第　　５５　　表 ＊電荷注入阻止層と表面層は第１６表（ｂ）に従う無印
は第１６表（ａ）　に従う 第５６表 第６１表 第６２表 第６４表 第６５表 無印は夷１８汲（ａｌ　に促つ 第６７表 第６８表 無−」は表面層Ａを使用。

第７１表 無印は表面層Ａを使用。

第７３表 ＊は表面層Ｂを使用 無印は表面ＮＡを使用。

第７４表 第７５表 無印は表面層Ａを快１１ｉ。

第　７６表 ＊は表面ＦＩＢを使用、無印は表面層Ａを使用。

第７７表 −は表面層Ｂを使用、無印は表面層Ａを使用。

第８５表 第８６表 （発明の効果の概略） 本発明の光受容部材は、４配位構造のＮｏｎ−ＢＮ　（
）１．Ｘ）からなる下部表面層と、３配位構造と４配位
構造とが混在したＮｏｎ−ＢＮ　（）１．Ｘ）からなる
上部表面層との二層構造の表面保護層を設け、かつ、該
表面保護層中に価電子制御剤を含有せしめたことにより
、特に（！れた耐湿性、連続繰り返し使用特性、電気的
耐圧性、使用環境特性及び耐久性等を有するものであり
、本発明の光受容部材を電子写真用像形成部材として適
用させた場合には、残留電位の影響が全くなく、その電
気的特性が安定しておつ、特に画像欠陥や画像流れ等の
発生がなく、クリーニング性にすぐれたものとなる。

【図面の簡単な説明】 第１（Ａ）〜（１１図は本発明の光受容部材の層構造の
典型例のいくつかを模式的に示した図であり、第２図は
本発明の光受容部材を製造するための装置の一例で、グ
ロー放電法による製造装置の模式的説明図である。第３
図及び第４図は、本発明の光受容部材の支持体の断面形
状の例を示す図である。 １００・・・光受容部材、１０１・・・支持体、＋０２
・・・光導電層、１０３・・・表面保護層、＋０３’・
・・下部表面層、１０３″・・・上部表面層、１０４・
・・電荷注入阻止層、１゜５・・・長波長光吸収層、１
０６・・・密着層、１０７・・・自由表面、１０８・・
・中間層、２０１・・・反応室、２０２〜２０６．２４
１．２４７・・・ガスボンベ、２０７〜２１１．２４２
．２４８・・・マスフロコントローラ、２１２〜２１６
．２４３．２４９　・・・流入バルブ２１７〜２２１．
２４４．２５０・・・流出バルブ、２２２〜２２６．２
４５．２５１・・・バルブ２２７〜２３１．２４６，２
５２・・・圧力調整器、２３２．２３３・・・補助バル
ブ、２３４・・・メインバルブ、２３５・・・リークバ
ルブ２３６川真空計、２３７・・・基体シリンダ−、２
３８・・・加熱ヒーター、２３９・・・モーター、２４
０・・・高周波電源 第１図

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. （１）支持体と、該支持体上に、シリコン原子を母体と
   し、水素原子又はハロゲン原子のうちの少なくともいず
   れか一方を含有するアモルファス材料で構成された光導
   電層と、表面保護層とを少なくとも有する光受容層とか
   らなる光受容部材において、前記表面保護層が、４配位
   構造の窒化ホウ素を含有する非単結晶質材料で構成され
   た下部表面層と、４配位構造の窒化ホウ素と３配位構造
   の窒化ホウ素とを混在して含有する非単結晶質材料で構
   成された上部表面層とから構成されており、かつ、価電
   子制御剤を含有していることを特徴とする光受容部材。
2. （２）前記光受容層が、３層以上の多層構成である特許
   請求の範囲第（１）項に記載された光受容部材。
3. （３）前記光受容層が、電荷注入阻止層を有する特許請
   求の範囲第（２）項に記載された光受容部材。
4. （４）前記光受容層が、長波長光吸収層を有する特許請
   求の範囲第（２）項に記載された光受容部材。
5. （５）前記光受容層が、接着性を改善する機能を備えた
   接着層を有する特許請求の範囲第（２）項に記載された
   光受容部材。
6. （６）前記光導電層と前記表面保護層との間に中間層を
   有する特許請求の範囲第二項に記載された光受容部材。