JPS62265669A - 光受容部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （発明の属する技術分野） 本発明は、シリコン原子を母体とするアモルファスシリ
コンで構成された光導電層を存する光受容部材、特に優
れた特性を有する表面像ＮＮＮを前記光導電層上に設け
た電子写真用感光体に適した光受容部材に関する。

（従来技術の説明） 従来、電子写真用感光体等に用いられる光受容部材とし
ては、その光感度領域の整合性が他の種類の光受容部材
と比べて優れているのに加えて、ビッカース硬度が高く
、公害の問題が少ない等の点から、例えば特開昭５４−
８ｆｉ３４１号公報や特開昭５６−４１３７４６号公報
にみられるようなシリコン原そを母体とし水素原子又は
ハロゲン原子のうちの少なくともいずれか一方を含有す
るアモルファス材料（以後、　’ａ−５ｉ（Ｈ，Ｘ）」
と表記する）光受容部材が注目されている。

ところでこうした光受容部材は、支持体上に、ａ−５ｉ
（ｌ（、Ｘ）で構成される光４電層を有するものである
ところ、該光４電層が帯電処理を受けた際に自由表面側
から光導電層中に電荷が注入されるのを阻止するととも
に、該光導電層の耐湿性、連続繰り返し使用特性、電気
的耐圧性、使用環境特性、および耐久性等を向上せしめ
、長期間安定した画像品質を得るために、該光導電層上
に表面保１ｉＦＩを設けることが知られている。

そして、前記表面保護層については、前述の各種機能を
効率的に発揮することが要求されるところ、種々の高抵
抗でかつ充分な光透過性を有する非単結晶質材料、即ち
、アモルファス材料又は／及び多結晶質材料が提案され
ており、それらの提案の１つとして窒化ホウ素を含有す
るアモルファス材料（以後’ａ−ＢＮ」と表記する。）
で構成された薄膜を用いることが知られている。（特開
昭５９−１２４４８号公報、特開昭６０−６１７６０号
公報参照）しかし、前記ａ−ＢＮで構成された薄膜を表
面保護層として用いる場合、時として、該ａ−ＢＮ薄膜
は、帯電処理におけるコロナ放電や、他の部材、例えば
クリーニングブレード等との接触をはじめとする種々の
機械的損傷による劣化が発生し、表面保護層に要求され
る前述の種々の機能を長期間にわたって発揮することが
不可能となるという問題がある。また、該ａ−８Ｎ薄膜
を用いた光受容部材は、帯電能が不充分であって、こう
した光受容部材を用いて画像形成を行なう場合には画像
上にゴーストが生じる等の画像品質の劣化となって現わ
れる場合もあるという問題もある。

〔発明の目的〕

本発明は、電子写真用感光体等に用いられる光受容部材
における表面保護層に関わる上述の問題を解決して、長
期間にわたって所望の機能を奏するものとした改善され
た表面保護層を有する光受容部材を提供することを主た
る目的とするものである。

本発明の他の目的は、常時安定した帯電能を宥し、長期
間にわたって優れた品質の画像が得られる電子写真用感
光体等に用いられる光受容部材を提供することにある。

〔発明の構成〕

本発明者らは、電子写真用感光体等に用いられる光受容
部材における表面保護層に関わる前述の諸問題を解決し
、上述の本発明の目的を達成すべく鋭怠研究を重ねたと
ころ、表面保護層として用いるＢＮ薄膜の構造が重要な
要因となるという知見を得た。

即ち、窒化ホウ素単結晶においては、構成元素の配位数
が３である六方晶系と、構成元素の配位数が４である立
方晶系との二種類の構造が知られている。

木発明者らは、窒化ホウ素で構成された＠膜を電子写真
用感光体に用いられる光受容部材の表面保護層として用
いる場合、前記窒化ホウ素の構造がいかに影響するかに
ついて検討を１、売けたところ、どんな構造の窒化ホウ
素でも表面保護層として用いられるわけではなく、特定
の配位数を有する構造の窒化ホウ素が適しているという
知見を得た。

即ち、配位数が３である六方晶系のものは、グラファイ
トと同一の構造であって、非富に柔らかく、モース硬度
は２であるため、表面保護層として用いた場合には、コ
ロナ放電により生じたイオン、オゾン、電子等の活性な
物質の衝撃に弱く、又、クリーニングブレード等の接触
をはじめとする種々のｍ域的損傷による劣化を生じるこ
とが判明した。

一方、構成元素の配位数が４である立方晶系の構造を有
するものは、硬度が大であって、コロナ放電や機械的衝
撃に対して充分な耐性を有していることが判明した。

従って、強度だけの面からみれば、表面保護層は４配位
イ１カ造・の窒化ホウ素を含有する非晶質材料で構成さ
れたものが好ましいこととなる。

ところで、電子写真法を用いた画像形成は、光受容部材
のコロナｆ電、画像露光、トナーによる現像、紙への転
写、及び光受容部材のクリーニング等の工程から成って
おり、これらの各プロセスにおいて、光受容部材の表面
は、異りた材質の部材と接触する。その結果、紙上へ転
写形成される画像の品質は、各プロセスで用いられる部
材と光受容部材表面との接触の良し悪しによって大きく
左右されることとなる６例えばひとつの例として、ブレ
ードによるクリーニング工程を考えた場合、光受容部材
表面が硬すぎると、ブレードの摩耗が早くなり、クリー
ニング不良をおこしやすくなる。また、ブレードの寿命
が短くなるために、複写機の維持費が高くなる。逆に、
光受容部材表面が柔らかすぎると、光受容部材表面は、
ブレードによって削られやすくなり、形成される画像は
画像欠陥が多くなり、さらに、光受容部材の寿命が短く
なるために、複写機の維持費が高くなる。

このように、光受容部材の表面硬度は、種々のプロセス
において接触する種々の部材の硬度とのバランスを考慮
して決定する必要があり、前述のごと台非常に硬い４配
位構造の窒化ホウ素を光受容部材の表面保護層として用
いた場合には、電子写真法による画像形成の各プロセス
の部材の夫々に、より一層の改良が要求されることとな
る。

本発明者は、こうした知見に基づいて更に研究を重ねた
ところ、４配位構造の窒化ホウ素と３配位構造の窒化ホ
ウ素とを混在せしめた非単結晶材料を表面保護層として
用いた場合には、各々のプロセスに用いられる各種の部
材とのバランスがとれた表面硬度を有する電子写真用光
受容部材を得ることができるこ“とが判明した。

また、本発明者らは、前述の４配位構造と３配位構造と
を混在して含有する非単結晶質ＢＮ薄膜を表面保護層と
して用いた場合について更に検討を続けたところ、該Ｎ
ｏｎ−ＢＮｆｉｉ膜に価電子制御剤を含有せしめること
により、表面保護層中への画像露光後の電荷の蓄積を防
止し、画像流れ、残留電位のない光受容部材が得られる
ことが判明した。

即ち、電子写真用光受容部材として用いた場合、画像露
光後に、光受容部材の表面層に電荷が蓄積すると、蓄積
した電荷が表面層と光導電層の赤面近傍で水平方向に移
動し、形成された画像には画像流れとなって現われるが
、本発明の光受容部材においては、表面保護層中に価電
子制御剤を含有せしめることにより、画像露光後に表面
保護層中に移動してきた電荷を、表面保護層の自由表面
まで移動させることができるため、画像流れや残留電位
の発生を防止することができるものである。

本発明は、これらの知見に基づいて完成せしめたもので
あって、その骨子とするところは、支持体と、該支持体
上に、シリコン原子を母体とし、水素原子又は、ハロゲ
ン原子のうちの少なくともいずれか一方を含有するアモ
ルファス材料で構成された光導電層と、表面保護層とを
少なくとも有する光受容層とからなる光受容部材におい
て、前記表面保護層が、４配位構造の窒化ホウ素と３配
位構造の窒化ホウ素とを混在して含有する非単結晶質材
料で構成されており、かつ、価電子制御剤を含有してい
る光受容部材にある。

本発明により提供される光受容部材は、その表面保護層
に特徴を有するものであるところ、支持体はもとより、
光導電層を始めとする他の構成層は用途目的に応じて任
意に選択することができる。

したがって以下に本発明の光受容部材についてその層構
成の典型側を、電子写真用のものにする場合について説
明するが本発明の光受容部材はこれにより限定されるも
のではない。

第１（＾）乃至（Ｉ）図は、電子写真用のものにした本
発明の光受容部材の層構成の典型的な例を模式的に示す
図である。

第１（Ａ）図に示す例は、支持体１０１上に、光導電１
ｉｉ　１Ｇ２及び表面保護層１０３をこの順に設けたも
のであり、表面保護ＦＮｏ：＋は自由表面１０７を有し
ている。

第１（Ｂ）図に示す例は、支持体上１０１に、電荷注入
阻止層１０４、光導電層１０２及び表面像Ｈ便層＋０３
をこの順に設けたものである。

第１（Ｃ）図に示す例は、支持体上１０１に、長波長兄
吸収Ｎ１０５．光導電層１０２及び表面保枢層１（１３
をこの順に設けたものである。

第１（Ｄ）図に示す例は、支持体上ｌｏｔに、密着層１
０６、光導電ｌ　１０２及び表面保護層１０３をこの順
に設けたものである。

第１（Ｅ）図に示す例は、電荷注入阻止／ｉ３ｉ　１０
４、密着層１０６、光導電層１０２及び表面保護層１０
３をこの順に設けたものであり、第１（Ｆ）に示す例は
、長波長光吸収層１０５、密着層１０６、光導電層１０
２及び表面保護ＦＩｘｏ３をこの順に設けたものである
。

第１ＣＧ）図に示す例は、支持体上１０１に、長波長光
吸収層１０５、電荷注入阻止層１０４、光導電Ｆ）　１
０２及び表面保護層１０３をこの順に設けたものであり
、鎖側においては長波長光吸収Ｆ１１０５、及び電荷注
入阻止ＰＪ１０４の順序を入れかえることもできる。

第１（Ｈ）図に示す例は、支持体上１０１に、長波長光
吸収１１０５、電荷注入阻止層１０４、光導電Ｉ！５１
０２及び表面保護層１０３をこの順に設けたものである
。

第１（■）図に示す例は、支持体上１０１に、電荷注入
阻止層１０４、光導電層１０２、中間層ｔｏｌｌ及び表
面保護層１０３をこの順に設けたものである。

本発明の光受容部材に用いる支持体１０１は、導電性の
ものであっても、また電気絶縁性のものであフてもよい
、導電性支持体としては、例えば、ＮｉＣｒ、ステンレ
ス、ＡＱ％Ｃｒ、ＭＯ１＾ｕ％Ｎｂ、　Ｔａ、　Ｖ、Ｔ
ｉ。

ｐｔ、ｐｂ等の金属又はこれ等の合金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルロースアセテート、ポリプ
ロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ
スチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシー
ト、ガラス、セラミック、紙等が挙げられる。これ等の
電気絶縁支持体は、好適には少なくともその一方の表面
を導電処理し、該導電処理された表面側に光受容層を設
けるのが望ましい。

例えばガラスであれば、その表面に、ＮｉＣｒ、ＡＱ、
Ｃｒ、Ｍｏ、＾ｕ％Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ％Ｖ％Ｔｉ、Ｐｔ
、Ｐｄ、Ｉｎｋ、、ＩＴＯ（Ｉｎ２ｏ、＋ｓｎ）等から
成る薄膜を設けることによって導電性を付与し、或いは
ポリエステルフィルム等の合成樹脂フィルムであれば、
ＮｉＣｒ、ＡＱ、　Ａｇ、Ｐｂ、Ｚｎ、Ｎｉ、＾ｕ、−
Ｃｒ、Ｍｏ、■「、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｊｌ、Ｐｔ等の
金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリン
グ等でその表面に設け、又は前記金属でその表面をラミ
ネート処理して、その表面に導電性を付与する。支持体
の形状は平滑表面或いは凹凸表面の板状無端ベルト状又
は円筒状等であることができ、その厚さは、所望通りの
光受容部材を形成しうる用に適宜決定するが、光受容部
材としての可撓性が要求される場合には、支持体として
の機能が充分発揮される範囲内で可能な限り薄くするこ
とができる。しかしながら、支持体の製造上及び取り扱
い上、機械的強度等の点から、通常は、１０μ以上とさ
れる。

第１（８）図に示す本発明の光受容部材において、支持
体１０１と光導′：Ｍ、層１０２の間に設けられる電荷
注入阻止層１０４は、光導電層１０２が帯電処理を受け
た際に支持体側から光導電層１０２中に電子が注入され
ることを阻止するために設けられる層であり、該電荷注
入阻止層１０４は、水素、又は多結晶シリコン（以後、
’ｐｏ　１ｙ−５Ｌ　（Ｈ、Ｘ）　Ｊ　ト呼称する。）
、あるいは両者を含むいわゆる非単結晶シリコン（以後
、’Ｎｏｎ−５ｔ（Ｈ，Ｘ）」　と呼称する。）〔なお
、微結晶質シリコンと通称されるものはａ−５ｉに分類
される。）に、周期律表第１ＩＩ族に属する原子（以後
、車に「第！！！族原子」と称す、）または周期律表Ｍ
ｖ族に属する原子（以後、単に「第Ｖ族原子」と称す、
）を含有せしめたもので構成されている。

該電荷注入阻止層１０４に含有せしめる第１Ｉ＋族原子
としては、具体的には、Ｂ（硼素）、＾Ｑ　（アルミニ
ウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム）、Ｔｌ
タリウム）等を用いることができるが、特に好ましいも
のは、８、Ｇａである。またｙ、ｖ族原子としては、具
体的には、Ｐ（ｇ４）、Ａｓ（砒素）、ｓｂ（アンチモ
ン）、８ｉ　　（ビスマス）等を用いることができるが
、特に好ましいものはＰ、　Ａｓである。そして電荷注
入阻止層１０４に含有せしめる第１Ｉ＋族原子又は第Ｖ
族原子の量は３〜５　ｘ　１Ｇ’ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ
、好ましくは５０〜１　　ｘ　１０’ａｔｏｍｉｃ　　
ｐｐｍ、　　ｌＸＩＯ２〜５　Ｘ　１Ｇ”ａｔｏｍｉｃ
ｐｐｍとすることが望ましい。

又、電荷注入阻止層１０４中に含有せしめるハロゲン原
子又は水素原子の量は、ＩＸＩＧ’〜７×１０’　ａｔ
ｏｍｉｃ　ｐｐｍとし、特にｐｏｌｙ−５ｌ（Ｈ，Ｘ）
で構成される場合には好ましくはｌＸＩＯ３〜２　Ｘ　
１Ｇ’ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとし、ａ−５ｒ　（ｌｌ　
、ＸＩ　で構成される場合にはｌＸｌ０’〜６　Ｘ　ｌ
ｏ’ａｔｏＩＩｌｉｃ　ｐｐｍとすることが望ましい、
　更に、本発明の光受容部材の電荷注入阻止層１０４の
層厚は０．０３〜１５μ、好ましくは０．０４〜１０μ
、最適には０．０５〜８μとするのが望ましい。

第１（Ｃ）図に示す本発明の光受容部材において、支持
体！０１と光導電Ｆ！　１０２との間に設けられる長波
長光吸収層１０５は、ゲルマ−ニウム原子（Ｇｅ）又は
スズ原子（Ｓｎ）のうちの少なくとも一方を含有するＮ
ｏｎ−５ｉ　（Ｈ、Ｘ）で構成される層であり、露光光
源としてレーザー光等の長波長光を用いた際に、光導電
層１０２において吸収しきれなかった長波長光を該長波
長光吸収層１０５が効率的に吸収することにより、支持
体１０１表面での長波長光の反射による干渉現象の現出
を顕著に防止する機能を有するものである。そして該長
波長光吸収層１０５中に含有せしめるＧξ原子の量又は
Ｓｎ原子の量あるいはそれらの和は、１〜ｉｏ’ａｔｏ
ａ＋ｉｃ　１）Ｉ）勲好ましくは１ｘ　１０’　〜９　
ｘ　１Ｇ’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、より好ましくは５
ｘ　１Ｇ’　〜８　ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ
とすることが望ましい、また長波長光吸収層１０５中に
含有せしめる水素原子又はハロゲン原子の景は、好まし
くは１×１０’　〜３　ｘ　１Ｇ’ａｔｏｍｉｃ　ｐｐ
ｍとすることが望ましく、特にｐｏｌｙ−５ｔ　（Ｇｅ
、Ｓｎ）　（Ｈ，Ｘ）の場合好ましくは１　ｘ　１０３
〜２　Ｘ　１０’ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　とし、ａ−５
ｔ（Ｇｅ。

Ｓｎ）　（Ｈ，Ｘ）の場合好ましくはＩ　ＸＩＯ’　〜
６　ｘｌＯ’ａｔｏｍｉｃ　９９１１とすることが望ま
しい。

更に本発明の光受容部材における長波長光吸収層１０５
の層厚は、０．０５〜２５μ、好ましくは０．０７〜２
０μ、最適には、０．１−１５μとするのが望ましい。

第１　（Ｄ）　ｍに示す本発明の光受容部材において、
支持体１０１と光導電層１０２どの間に設けられる密着
層１０６は、支持体１０１と光導電層１０２との一密着
性を改善せしめる機能を奏する層であって、酸素原子、
炭素原子および窒素原子の中から選ばれる少なくとも一
種を含有するＮｏｎ−５ｉ（Ｈ，Ｘ）　（以後、’Ｎｏ
ｎ−５ｉ　（０，Ｃ，Ｎ）　（Ｈ，Ｘ）Ｊと表記する。

）で構成されている。そして該密着層１０６中に含有せ
しめる酸素原子炭素原子、窒素原子の量、又はそれらの
中の少なくとも２つ以上の和は、１００〜９　Ｘ　ｔｏ
５ａｔｏＩＩｌｔｃ　ｐｐＩ１１好ましくは　１０１１
〜４　Ｘ　１０’　ａｔｏａ＋ｉｃ　ｐｐｍとすること
が望ましい、また、該密着層１０６中に含有せしめる水
素原子又はハロゲン原子の量ある。

いはそれらの和は好ましくは１０〜７　ｘ　１０’ａｔ
ｏのｉｃｐｐｍとし、特にｐｏｌｙ−５ｉ　（０，Ｃ，
Ｎ）　（ｔｌ、Ｘ）の場合にはｔｏ　〜２　ｘ　ｌｏ’
ａｔｏＬＱｉｃ　ｐｐｍ、ａ−５ｉ（０，Ｃ，Ｎ）　（
Ｈ，Ｘ）の場合には１　ｘ　１０３〜７　ｘ　ｌＯ’ａ
ｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとすることが望ましい。

ところで、本発明の光受容部材における電荷注入阻止層
１０４、長波長光吸収層ｔＯＳ及び密着層１０６は、こ
れらを組み合わせて用いることが可能であり、その典型
的な例を示したものが第１　（Ｅ）図乃至（１１）図で
ある。

更に、本発明の光受容部材においては、電荷注入阻止層
１０４又は長波長光吸収層１０５中に酸素原子、炭素原
子及び窒素原子の中から選ばれる少なくとも一種を含有
せしめることにより、これらの層に密着層としての機能
を兼ねそなえさせることも可能であり、また、長波長光
吸収層１０５中に第１ＩＩ族原子又は第Ｖ族原子を含有
せしめるか、あるいは電荷注入阻止層１０４中にゲルマ
ニウム原子又はスズ原子を含有せしめることにより、こ
れら両層の機能を兼ねそなえた暦とすることができる。

ところで、本発明の光受容部材における電荷注入阻止層
１０４、長波長光吸収１’１Ｊ１０５及び密着層ｔＯａ
は、Ｎｏｎ−５ｉ（Ｈ，Ｘ）を母体とする材料で構成さ
れているが、ｐｏｌｙ−５ｔ（Ｈ，Ｘ）で構成される層
を形成するについては種々の方法があり、例えば次のよ
うな方法があげられる。

その１つの方法は、基体温度を高温、具体的には４００
〜４５０℃に設定し、該基体上にプラズマＣＶＤ法によ
り膜を堆積せしめる方法である。

他の方法は、基体表面に先ずアモルファス状の膜を形成
、即ち、基体温度を約２５０℃にした基体上にプラズマ
ＣＶＤ法により膜を形成し、該アモルファス状の膜をア
ニーリング処理することによりｐｏｌｙ化する方法であ
る。該アニーリング処理は、基体を４００〜４５０℃に
約２０分間加熱するか、あるいは、レーザー光を約２０
分間照射することにより行なわれる。

本発明の光受容部材の光導電層１０２は、ａ−５ｔ（Ｈ
。

Ｘ）またはａ−５ｉ　（Ｇｅ、Ｓｎ）　（Ｈ，Ｘ）で構
成され、先導仏性を有する層であって、該層にはさらに
、Ｎ　ｍ族原子又は第Ｖ族原子又は／及び酸素原子、炭
素原子及び窒素原子の中から選ばれる少なくとも一種を
含有せしめることができる。

光導電層１０２中に含有せしめるハロゲン原子（Ｘ）と
しては、具体的にはフッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げ
られ、特にフッ素、塩素を好適なものとして挙げること
ができる。そして光導電層１０２中に含有せしめる水素
原子（ＩＩ）の量又はハロゲン原子（Ｘ）の量、あるい
は水素原子とハロゲン原子の量の和（Ｈ−Ｘ）は、好ま
しくは１〜４０ａｔＯＩＩｌｉｃ勲より好ましくは５〜
３０ａｔｏｍｉｃ　ｋとするのが望ましい、　また、光
導電層１０２中に第ｍ族原子原子又は第Ｖ族原子を含有
せしめる目的は、光導電層１０２の伝導性を制御するこ
とにある。このような第１ＩＩ族原子及び第Ｖ族原子と
しては、前述の電荷注入阻止層！０４中に含有せしめる
ものと同様のものを用いることができるが、光導電層１
０２に含有せしめる場合には、電荷注入阻止層１０４に
含有せしめたものとは逆の極性のものを含有せしめるか
、あるいは電荷注入阻止層１０４に含有せしめたものと
同極性のものを該層１０４に含有される量より一段と少
ない量にして含有せしめることができる。

光導電層１０２中に含有せしめる第１ＩＩ族原子又は第
Ｖ族原子の量は、好ましくはＩ　Ｘ　１Ｇ−’〜１×１
Ｇ３ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、より好ましくは５　ｘ　１
０−、”　〜５　ｘ１Ｇ’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、最
適には１　ｘ　１０−’〜２　ｘ　１０２）０２ａｔｏ
　ｐｐｒｎとすることが望ましい。

また光導電層１０２中に、酸素原子、炭素原子及び窒素
原子の中から選ばれる少なくとも一種を含有せしめる目
的は、光導電層１０２の高暗抵抗化をはかるとともに、
光導電層１０２の膜品質を向上せしめることにある。そ
して、光導電層１Ｇ２に含有せしめるこうした原子の量
は、好ましくは１×１０−３〜５ＯａｔｏＩＩｌｉｃ％
、より好ましくは２　Ｘ　１Ｇ−”−４０ａｔｏｍｉｃ
ｋ、最適には３　ｘ　１０−’〜３０ａｔｏｍｉｃ％と
するのが望ましい。

更に、光導電ｆｉｊ１０２中に、ゲルマニウム原子（Ｇ
ｅ）又はスズ原子（Ｓｎ）のうちの少なくとも一方を含
有せしめることができるが、こうした原子を含有せしめ
る目的は、レーザー光などの長波長光に対する感度を向
上せしめることにあり、この場合、光導電Ｆ１１０２中
に含有せしめるこれらの原子の量は、好ましくは１〜！
、５　ｘ　１０’ａｊｏｍｉｃ　ｐｐｍとするのが望ま
しい。

また、本発明の光受容部材において、光導電層の層厚は
、本発明の目的を効率的に達成するには重要な要因の１
．ってあって、光受容部材に所望の特性が与えられるよ
うに、光受容部材の設計の際には充分な注意を払う必要
があり、通常は１〜１００μとするが、好ましくは３〜
８０μ、最適には５〜５０μとする。

本発明の光受容部材において特徴とするところの表面保
護層１０３は、前述の光導電層１０２上に位置して設け
られ、自由表面１０７を有するものである。そして該表
面保護層１０３は、光受容部材に要求される計時性、即
ち、耐湿性、連続繰り返し使用特性、電気的耐圧性、使
用環境特性、および耐久性等を向上せしめると共に、光
受容層が帯電処理を受けた際に、自由表面１０７側から
光導電層１０２中に電荷を注入されるのを阻止する機能
を奏するものである。

かくなる本発明の光受容部材の表面保護層１０３は、価
電子制御剤を含有せしめた４配位構造と３配位揚造とを
混在して含有する非単結晶質窒化ホウ素〔以後、　’Ｎ
ｏｎ−ＢＪ　と表記する。〕、即ちアモルファス材料〔
以後、’ａ−８Ｊ　と表記する。〕又は多結晶質材料（
以後、’ｐｏｌｙ−ＢＮ」と表記する。〕あるいは両者
の混合物で構成されるものであり、更に、水素原子又は
ハロゲン原子のうちの少なくとも一方を含有せしめるこ
ともできる。〔以後、水素原子又はハロゲン原子の少な
くとも一方を含有するＮｏｎ−ＢＮを’Ｎｏｎ−ＢＮ　
（Ｈ、Ｘ）　Ｊ　と表記する。）本発明の表面保護層１
０３中に含有せしめる価電子制御剤としては、正帯電の
場合には表面保護層１０３をｎ型とじつるｎ型ドーパン
トを用い、負帯電の場合には、表面像；ｉ［１１０３を
ｐ型とじつるｐ型ドーパントを用いることができる具体
的には、ｎ型ドーパントとしてケイ素原子（Ｓｉ）又は
スズ原子（Ｓｎ）あるいはそれらの混合物（Ｓｉ＋Ｓｎ
）があげられ、ｐ型不純物ドーパントとしてゲルマニウ
ム原子（Ｇｅ）又は亜鉛原子（Ｚｎ）あるいはそれらの
混合物（Ｇｅ＋Ｚｎ）があげられる、そして、該表面保
護層中に含有せしめる価電子制御剤の量は好ましくは、
１００１０００ａｔｏ　ｐｐＩ１１以下、より好ましく
は７００　ａｔｏｍｔｃｐｐｍ以下、最適には５００ａ
ｔｏａ＋ｉｃ　ｐｐｍとすることが望ましい。

また、該表面保護層１０３を構成するＮｏｎ−ＢＮ（Ｏ
，Ｘ）の組成比を （Ｂ−Ｎ＋−−）＋−ｙ（）Ｉ、Ｘ）。

で表わすと、次の条件を満足していることが望ましい。

Ｘについて； ０．１≦Ｘ≦０．９、好ましくは０．２≦Ｘ≦０．８最
適には０．３≦Ｘ≦０．７ ｙについて； ０．４≦ｙ≦４０、好ましくは０．５≦ｙ≦３０最適に
は１≦ｙ≦２０ 本発明の光受容部材においては、表面保護層１０３の層
厚も本発明の目的を効率的に達成するために重要な要因
の１つであり、所望の目的に応じて適宜決定されるもの
であるが、表面保護層に含有せしめる構成原子の量、あ
るいは表面保護層に要求される特性に応じて相互的かつ
有機的関連性の下に決定する必要がある。更に生産性や
量産性も加味した経済性の点においても考慮する必要も
ある。

こうしたことから、本発明の光受容部材の表面保護層１
０３の層厚は、好ましくは０．００３〜３０μ、より好
ましくは０．００４〜２０μ、最適にはｏ、ｏｏｓ〜１
０μである。

更に本発明の光受容部材においては、前述の表面保護層
１０３と光導電層１０２との間に中間層１０１１を形成
せしめてもよい、該中間層１０８は、炭素原子を含有す
ルａ−５ｉ　（Ｈ，Ｘ）又はｐｏｌｙ−５ｉ　（Ｈ，Ｘ
）　テ構成されており、該中間層１０８中に含有せしめ
る炭素原子の量は、好ましくは２０〜９０ａｔｏｍｉｃ
％、より好ましくは３０〜８５ａｔｏｍｉｃ％、最適に
は４０〜８Ｑａｔｏｍｉｃ％とすることが望ましい、ま
た該中間ｆｉ１０８中に含有せしめる水素原子（Ｈ）の
量、ハロゲン原子（Ｘ）の量、及び水素原子子ハロゲン
原子（Ｏ＋Ｘ）の量は、好ましくは１〜７０ａｔｏａ＋
ｉｃ％、より好ましくは２〜６５ａｔｏｍｉｃ％、最適
には５〜１ｉＯａｔｏａ＋ｉｃ％とするのが望ましい、
さらに該中間Ｊｉｊ１０１１の層厚は、好ましくは０．
００３〜３０μｌ、より好ましくは０．００４〜２０μ
ｍ、最適にはｏ、ｏｏｓ〜１０μＩとするのが望ましい
。

次に、本発明の光受容部材のオーカ成層の形成方法につ
いて説明する。

本発明の光受容部材を構成する非晶質材料は、いずれも
グロー放電法（低周波ＣＶＤ、高周波ＣＶＤ又はマイク
ロ波ＣＶＤ等の交流放電ＣＶＤ。

あるいは直瀉放電ＣＶＤ等）、スパッタリング法、真空
蒸着法、イオンブレーティング法、光ＣＶＤ法、熱ＣＶ
Ｄ法などの種々の薄膜堆積法によって成形することがで
きる。これらのＲ膜堆積法は、製造条件、設備實本投下
の負荷程度、製造規模、作成される光受容部材に所望さ
れる特性等の要因によって適宜遭択されて採用されるが
、所望の特性を有する光受容部材を製造するに当っての
条件の制御が比較的容易であり、シリコン原子と共にハ
ロゲン原子及び水素原子の導入を容易に行い得る等のこ
とからして、グロー放電法或いはスパッタリング法が好
適である。そして、グロー放電法とスパッタリング法と
を同一装置系内で併用して形成してもよい。

例えば、グロー放電法により、価電子制御剤を含有する
４配°位構造と３配位構造とが混在したＮｏｎ−ＢＮ　
（Ｈ、Ｘ）で構成される表面像Ｍ’ＸＰＪを形成するに
は、基本的にはホウ素原子（Ｂ）を供給し得るＢ供給用
の原料ガスと、窒素原子（Ｎ）を供給し得るＮ供給用の
原料ガスと、ｎ型ドーパントであるケイ素原子（Ｓｔ）
又は／及びスズ原子（Ｓｎ）あるいはｐ型ドーパントで
あるゲルマニウム原子（Ｇｅ）又は／及び亜鉛原子（Ｚ
ｎ）を導入するための原料ガスと必要に応じて水素原子
（）Ｉ）導入用又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の
原料ガスとを、内部が減圧にし得る堆積室内に導入して
、該堆積室内にグロー放電を生起させ、Ｎｏｎ−ＢＮ（
Ｈ，Ｘ）から成る層を形成する。

前記Ｂ供給用の原料ガスとしては、Ｂ、Ｈ６、Ｂ１０．
。

Ｂ５Ｈ９、Ｂ５ＨＩ１．Ｂ６Ｈ１２、ＢＦ３．　ＢＣｌ
３等のガス状態の又はガス化し得る化合物があげられる
。

また、前記Ｎ供給用の原料ガスとしては、Ｎ２、Ｎ１１
３．ＮＦ３、ＮＦ２Ｃｌ、ＮＦＣｌ２、ＮＣＩ、、Ｎ２
Ｆ２．Ｎ２Ｆ４、ＮＨ２Ｃｌ、Ｎ　１１　Ｆ　２、ＮＨ
２Ｆ等のガス状態の又はガス化し得る化合物があげられ
る。

前記Ｓｉ導入用の原料ガスとしては、５ｉＨａ、Ｓｉ２
Ｈ６，５ＩＪａ、　５ｉＪ１゜、ＳｉＦ４．５ｉＣ１４
、等のガス状態の又はガス化し得るケイ素化合物があげ
られ、前記Ｓｎ導入用の原料ガスとしては５ｎＨａや５
ｎＦａ、５ｎＣ１４等のガス状態の又はガス化し得るス
ズ化合物があげられる。

また、前記Ｇ＠導入用の原料ガスとしては、　ＧｅＨ，
、Ｇｅ、Ｈ，、ＧａＦ、、等のガス状態の又はガス化し
得るゲルマニラ化合物があげられ、前記Ｚｎ導入用の原
料ガスとしてはＺｎ　（ＣＨｓ）　ｘ等のガス状態の又
はガス化し得る亜鉛化合物があげられる。

更にハロゲン原子導入用の原料ガスとしては、Ｆ７、Ｃ
Ｉ２、Ｉ３、Ｂｒ２、ＦＣｌ等のハロゲンガスが用いら
れ、水素原子導“入用の原料ガスとしては、水素ガスお
よびＨＦ％ＨＣＩ、　ＨＢｒ、　）ＩＩ、　Ｂ２Ｈ６、
Ｂ４ＨＩＯ１ＮＨ，、ＳｉＨ４，５ｉＪａ、５ｎ）Ｉ４
、ＧｅＨ４、Ｇｅｚｆｌａ等の水素化合物等のガス状態
の又はガス化しつるものがあげられる。

また、スパッタリング法によって価電子制御剤を含有す
る４配位構造と３配位構造とが混在したＮｏｎ−ＢＮ　
（Ｈ、Ｘ）層を形成するには、ターゲットとしてＢ、Ｎ
ターゲットを用い、前記Ｎ供給用原料ガスと　ｎ型ドー
パント又はｐ型ドーパントを供給しうる原料ガスとをＡ
ｒ等の不活性ガスと共に堆積室内に導入してプラズマ雰
囲気を形成し、前記ＢＮターゲットをスパッタリングす
るか、ターゲトとしてＢターゲットを用い、　ｎ型ドー
パント又はｐ型ドーパントを供給しつる原料ガスと、前
記Ｎ供給用原料ガスを多量に導入してプラズマ雰囲気を
形成し、前記Ｂターゲットとスパッタリングすることに
よって形成される。

また、グロー放電法によってａ−５ｔ（Ｈ，Ｘ）で構成
される層を形成するには、基本的にはシリコン原子（Ｓ
ｉ）を供給し得るＳｉ供給用の原料ガスと共に、水素原
子（）Ｉ）導入用の又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入
用の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に導入し
て、該堆積室内にグロー放電を生起させ、予め所定位置
に設置した所定の支持体表面上にａ−５ｉ（Ｈ，Ｘ）か
ら成る層を形成する。

前記Ｓｉ供給用のガスとしては、５ｉｌ１４．５ｉＪａ
、５ｉ３Ｈ，，５ｉ４Ｈ，。等のガス状態の又はガス化
し得る水素化硅素（シラン類）が挙げられ、特に、居形
成作業のし易さ、Ｓ＋供給効率の良さ等の点で、５ｉｌ
１４．５ｉ２Ｈ，が好ましい。

また、前記ハロゲン原子導入用の原料ガスとしては、多
くのハロゲン化合物が挙げられ、例えばハロゲンガス、
ハロゲン化物、ハロゲン間化合物、ハロゲンで置換され
たシラン誘導体等のガス状態の又はガス化しつるハロゲ
ン化合物が好ましい、具体的にはフ゛ツ素、塩素、臭素
、ヨウ素のハロゲンガス、ＢｒＦ、　ＣＩＦ、　ＣｌＦ
５、ＢｒＦ５、ＢｒＦ、、ＩＦ、、ＩＣＩ。

ＩＢｒ等のハロゲン間化合物、およびＳｉＦ４、Ｓｉ２
Ｆ６．５ｉＣ１４、ＳｉＢｒ４等のハロゲン化硅素が挙
げられる。

上述のごときハロゲン化硅素のガス状態の又はガス化し
つるものを用いる場合には、Ｓｉ供給用の原料ガスを別
途使用することなくして、ハロゲン原子を含有するａ−
５ｉで構成された層が形成できるので、特に有効である
。

また、前記水素原子供給用の原料ガスとしては、水素ガ
ス、ＨＦ、　ＨＣＩ　、　）ＩＢｒ　、　ＩＩＩ等のハ
ロゲン化物、５ｉ８４、ＳｉｚＨａ、５ｌｓＨａ　、５
ｉ４１１＋。等の水素化硅素、・あるいはＳｉＨ，Ｆ２
．５ｉＨ２Ｉ２．５ｉ）１２Ｃ１２，５ｉ）ＩＣ１３，
５ｔ）１２［１ｒｚ　Ｊ　５ｉＨＢｒｓ、等のハロゲン
置換水素化硅素等のガス状態の又はガス化しつるものを
用いることができ、これらの原料ガスを用いた場合には
、電気的あるいは光電的特性の制御という点で極めて有
効であるところの水素原子（Ｈ）の含有量の制御を容易
に行うことができるため、有効である。

そして、前記ハロゲン化水素又は前記ハロゲン置換水素
化硅素を用いた場合にはハロゲン原子の導入と同時に水
素原子（Ｈ）も導入されるので、特に有効である。

反応スパッタリング法或いはイオンブレーティング法に
依ってａ−５ｉ（Ｈ，Ｘ）から成る層を形成するには、
例えばスパッタリング法の場合には、ハロゲン原子を導
入するについては、前記のハロゲン化合物又は前記のハ
ロゲン原子を含む硅素化合物のガスを堆積室中に導入し
て該ガスのプラズマ雰囲気を形成してやればよい。

又、水素原子を導入−する場合には、水素原子導入用の
原料ガス、例えば、Ｈ２或いは前記したシラン類等のガ
スをスパッタリング用の堆積室中に導入して該ガスのプ
ラズマ７囲気を形成してやればよい。

例えば、反応スパッタリング法の場合には、ＳＩターゲ
ットを使用し、ハロゲン原子導入用のガス及びＨ，ガス
を必要に応じてＨａ、＾ｒ等の不活性ガスも含めて堆積
室内に導入してプラズマ雰囲気を形成し、前記Ｓｉター
ゲットをスパッタリングすることによって、支持体上に
ａ−５ｔ　（Ｈ，Ｘ）から成る層を形成する。

グロー放電法によってａ−５ｉＧｅ（Ｉ（、Ｘ）で構成
される層を形成するには、シリコン原子（Ｓｉ）を供給
しうるＳｉ供給用の原料ガスと、ゲルマニウム原子（Ｇ
ｅ）を供給しうるＧｅ供給用の原料ガスと、水素原子（
）Ｉ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を供給しつる水素
原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）供給用の原料
ガスを内部を減圧にしつる堆積室内に所望のガス圧状態
で導入し、該堆積室内にグロー放電を生起せしめて、予
め所定位置に設置しである所定の支持体表面上に、ａ−
５ｉＧｅ　（）ｌ　、Ｘ）で構成される層を形成する。

Ｓｉ供給用の原料ガス、ハロゲン原子供給用の原料ガス
、及び水素原子供給用の原料ガスとなりつる物質として
は、前述のａ−５ｉ　（Ｈ，Ｘ）で構成される層を形成
する場合に用いたものがそのまま用いられる。

また、前記Ｇｅ供給用の原料ガスとなりつる物質として
は、ＧｅＨ４、Ｇｅ２Ｈｓ　、　Ｇｅ２Ｈａ　、Ｇｅ４
Ｌａ、ＧｅＪ＋２、ＧｅａＨ＋ａ、ＧｅｙＪａ、Ｇｅ６
）１＋ａ、ＧｅＪ２ｏ等のガス状態の又はガス化しつる
水素化ゲルマニウムを用いることができる。特に、層作
成作業時の取扱易さ、Ｇｅ供給効率の良さ等の点から、
Ｇ　ｅ　Ｉｌ　４、Ｇ　ｅ　２）１６　、およびＧｅ３
Ｈ６が好ましい。

スパッタリング法によってａ−５ｉＧｅ　（Ｈ、Ｘ）で
４み成される層を形成するには、シリコンから成るター
ゲットと、ゲルマニウムから成るターゲットとの二枚を
、あるいは、シリコンとゲルマニウムからなるターゲッ
トを用い、これ等を所望のガス雰囲気中でスパッタリン
グすることによって行なう。

イオンブレーティング７去を用いてａ−５ｉＧｅ（Ｉｌ
、Ｘ）で構成される層を形成する場合には、例えば、多
結晶シリコン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマニウム
又はまた単結晶ゲルマニウムとを夫々蒸発源として蒸着
ボートに収容し、この蒸発源を抵抗加熱法あるいはエレ
クトロンビーム法（Ｅ、Ｂ、法）等によりて加熱蒸発さ
せ飛■蒸発物を所望のガスプラズマ霊囲気中を通過せし
めることで行ない得る。

スパッタリング法およびイオンブレーティング法のいず
れの場合にも、形成する層中にハロゲン原子を含有せし
めるには、前述のハロゲン化物又はハロゲン原子を含む
硅素化合物のガスを堆積室中に導入し、該ガスのプラズ
マ；囲気を形成すればよい、又、水素原子を導入する場
合には、水素原子供給用の原料ガス、例えば１１２ある
いは前記した水素化シラン類又は／及び水素化ゲルマニ
ウム等のガス類をスパッタリング用の堆積室内に導入し
てこれ等のガス類のプラズマ雰囲気を形成すればよい、
さらにハロゲン原子供給用の原料ガスとしては、前記の
ハロゲン化物或いはハロゲンを含む硅素化合物が有効な
ものとして挙げられるが、その他に、ＨＦ、　）ＩＣＩ
　、　ＨＢｒ　、Ｈｒ等のハロゲン化水素、５ｉＴｏＦ
ｔ、５＋）１２ｈ、５ｉＨ２Ｃ１，，５ｉＨＣ１５，５
ｉＬ２Ｂｒ、、５ｉＨＢｒ、、等のハロゲン置換水素化
硅素、およびＧｅ）ＩＦ、　、ＧｅＨ＊Ｆｚ、ＧｅＨ，
Ｆ　、　Ｇｅ）ＩＣＩｓ、ＧｅＨ，Ｃ１２、ＧｅＨｓｌ
：１．　　ＧｅＨＢｒ＊、　ＧｅＨ２Ｂｒ２　　、　Ｇ
ｅＨ３８ｒ、　　ＧｅＨＩｓ　　、Ｇｅ）Ｉ２）＊、Ｇ
ｅＨ３１等の水素化ハロゲン化ゲルマニウム等、ＧａＦ
、、ＧｅＣｌ４　、　Ｇｅ８ｒ４．　ＧｅＩａ、ＧａＦ
、、Ｇｅｔ：Ｉｔ、ＧｅＢｒｚ、Ｇｅ１２等のハロゲン
化ゲルマニウム等々のガス状態の又はガス化しつる物質
も有効な出発物質として使用できる。

グロー放電法、スパッタリング法あるいはイオンブレー
ティング法を用いて、スズ原子を含有するアモルファス
シリコン（以下、’ａ−５ｉＳｎ（＋１．Ｘ）」と表記
する。）で構成される光受容層を形成するには、上述の
ａ−５ｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ）で構成される層の形成の際に
、ゲルマニウム原子供給用の出発物質を、スズ原子（Ｓ
ｎ）供給用の出発物質にかえて使用し、形成する層中へ
のその二を制御しながら含有せしめることによって行な
う。

前記スズ原子（Ｓｔ＋）供給用の原料ガスとなりつる物
質としては、水素化スズ（ＳｎＨ４）やＳｎＦ２、Ｓｎ
Ｆ、、５ｎＣ１２，５ｎＣ１４，５ｎＢｒ、　、　５ｎ
８ｒ４．５ｎｌ、、５ｎｌａ等のハロゲン化スズ等のガ
ス状態の又はガス化しつるものを用いることができ、ハ
ロゲン化スズを用いる場合には、所定の支持体上にハロ
ゲン原子を含有するａ−５ｉで構成される層を形成する
ことができるので、特に有効である。なかでも、層作成
作業時の取り扱い易さ、Ｓｎ供給効率の良さ等の点から
、５ｎＣ１４が好ましい。

そして、５ｎＣ１，をスズ原子（Ｓｎ）供給用の出発物
質として用いる場合、これをガス化するには、固体状の
５ｎＣ１ａを加熱するとともに、Ａｒ、　Ｈｅ等の不活
性ガスを吹き込み、該不活性ガスを用いてバブリングす
るのが望ましく、こうして生成したガスを、内部を減圧
にした堆積室内に所望のガス圧状態で導入する。

グロー放電法、スパッタリング法、あるいはイオンブレ
ーティング法を用いて、　ａ−５ｔ　（Ｈ，Ｘ）に第１
Ｉ＋族原子又は第ｖ族原子、窒素原子、酸素原子あるい
は炭素原子を含有せしめた非晶質材料で構成された層を
形成するには、　ａ−５ｉ（）Ｉ、Ｘ）−の層の形成の
際に、第■族原子又は第Ｖ族原子導入用の出発物質、酸
素原子導入用の出発物質、窒素原子導入用の出発物質、
あるいは炭素原子導入用の出発物質を、前述したａ−５
ｉ（Ｈ，Ｘ）形成用の出発物質と共に使用して、形成す
る層中へのそれらの量を制御しながら含有せしめてやる
ことによって行なう。

例えば、グロー放電法を用いて、原子（０，（：、Ｎ）
を含有するａ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される層を形成す
るには、前述のａ−５ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される層を形
成する際に、原子（０，Ｃ，Ｎ）導入用の出発物質をａ
−５ｉ（Ｈ，Ｘ）形成用の出発物質とともに使用して形
成する層中へのそれらの量を制御しながら含有せしめる
ことによって行なう。

このような原子（０，Ｃ，Ｎ）導入用の出発物質として
は、少なくとも原子（０，Ｃ，Ｎ）を構成原子とするガ
ス状の物質又はガス化し得る物質であれば、はとんどの
ものが使用できる。

具体的には酸素原子（０）導入用の出発物質として、例
えば、酸素（０□）、オゾン（０，）、−酸化窒素（Ｎ
Ｏ）、−二酸化窒素（Ｎ２０）、三二酸化窒素（Ｎｚｏ
ｓ）、四二酸化窒素（８２０４）、三二酸化窒素（Ｎ２
０ｇ）、三酸化窒素（ＮＯｓ）、シリコン原子（Ｓｉ）
と酸素原子（０）と水素原子（）Ｉ）とを構成原子とす
る例えばジシロキサン（ＨｓＳｉＯ５ｉＨ３）、　トリ
シロキサン（Ｈ，５ｉＯ５ｉＨ２０ＳｉＨｓ）等の低級
シロキサン等が挙げられ、炭素原子（Ｃ）導入用の出発
物質としては、例えば、メタン（ＣＯ４）　、　エタン
（ＣＪａ）、プロパン（ＣＪａ）、ｎ−ブタン（ｎ−ｆ
：Ｊ＋ａ）　ｔペンタン（Ｃ５）１＋２）等の炭素数１
〜５の飽和炭化水素、エチレン（Ｃ２Ｈ４）、プロピレ
ン（Ｇ３１ａ）、ブテン−１（Ｃ４Ｈａ）、ブテン−２
（ｃ４ｈａ）、イソブチ゛レン（Ｃ４Ｈａ）、ペンテン
（ＣｓＨ＋。）等の炭素数２〜５のエチレン系炭化水素
、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、メチルアセチレン（Ｃｌ３
）、ブチン（Ｃ４）１ａ）等の、炭素ａ２〜４のアセチ
レン系炭化水素が挙げられ、窒素原子（Ｎ）導入用の出
発物質としては、例えば、窒素（Ｎ２）、アンモニア（
ＮＨ，）、ヒドラジン（Ｈ２ＮＮ）＋２）、アジ化水素
（ＨＮ３）　、アジ化アモニウム（ＮＨａＮｓ）　、三
弗化窒素（Ｆ３Ｎ）　、四三弗化窒素（Ｆ４Ｎ）が挙げ
られる。

例えば酸素原子を含有する層又は層領域を形成するのに
グロー放電法を用いる場合には、前記した光受容部材層
形成用の出発物質の中から所望に従って選択されたもの
に酸素原子導入用の出発物質が加えられる。その様な酸
素原子導入用の出発物質としては、少なくとも酸素原子
を構成原子とするガス状の物質又はガス化し得る物質で
あればほとんどのものが使用できる。

例えばシリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とする原料ガス
と、酸素原子（０）を構成原子とする原料ガスと、必要
に応じて水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）
を構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して
使用するか、又は、シリコン原子（Ｓｉ）を構成原子と
する原料ガスと、酸素原子（０１及び水素原子（）Ｉ）
を構成原子とする原料ガスとを、これも又所望の混合比
で混合するか、或いは、シリコン原子（Ｓｉ）を構成原
子とする原料ガスと、シリコン原子（Ｓｉ）、酸素原子
（０）及び水素原子（Ｈ）の３つを構成原子とする原料
ガスとを混合して使用することができる。

又、別には、シリコン原子（Ｓｉ）と水素原子（Ｉ（）
とを構成原子とする原料ガスに酸素原子（０）を構成原
子とする原料ガスを混合して使用してもよい。

具体的には、例えば酸素（０，）、オゾン（０，）、−
酸化窒素（ＮＯ）、二酸化窒素（ＮＯ２）、　−二酸化
窒素（Ｎ２０）、三二酸化窒素（ｓｚｏ３）、四二酸化
窒素（Ｎ　ｘ　Ｏ４１五二酸化窒素（！ｈｏ−ｓ）、三
酸化窒素（ＮＯｓ）、シリコン原子（Ｓｉ）と酸素原子
（０）と水素原子（Ｈ）　とを構成原子とする例えばジ
シロキサン（Ｈ，５ｉＯ５ｉ）Ｉｓｌ　、トリシロキサ
ン（ＨｓＳｉＯ５ｉＨｚＯ５ｉＨｓ）等の低級シロキサ
ン等が挙げられ、挙げることができる。

スパッタリング法によって、酸素原子を含有する層また
は要領域を形成するには、単結晶又はＳｉウェーハ又は
５ｉ０２ウエーハ、又はＳｉと５ｉ０２が混合されて含
有されているウェーハをターゲットとして、これ等を種
々のガス雰囲気中でスパッタリングすることによって行
なえばよい。

例えば、Ｓｉウェーハをターゲットとして使用すれば、
酸素原子と必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン原
子を導入する為の原料ガスを必要に応じて希釈ガスで希
釈して、スパッター用の堆積室内に導入し、これ等のガ
スのガスブラズ千を形成しテｔＲ記Ｓ　ｉウェーハをス
パッタリングすればよい。

又、別にはＳｉとＳｉＯ□とは別々のターゲットとして
、又はＳｉと５ｉ０２の混合した一枚のターゲットとを
使用することによって、スパッター用のとしての希釈ガ
スの７囲気中で又は少なくとも水素原子（Ｈ）又は／及
びハロゲン原子（Ｘ）を構成原子として含有するガス７
囲気中でスパッタリングすることによって形成できる。

酸素原子導入用の原料ガスとしては、前述したグロー放
電の例で示した原料ガスの中の酸素原子導入用の原料ガ
スが、スパッタリングの場合にも有効なガスとして使用
できる。

また、例えば炭素原子を含有するアモルファスシリコン
で構成される１層をグロー放電法により形成するには、
シリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とする原料ガスと、炭
素原子（Ｃ）を構成原子とする原料ガスと、必要に応じ
て水素原子（１１）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を構
成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して使用
するか、又はシリコン原子（５１）を構成原子とする原
料ガスと、炭素原子（Ｃ）及び水素原子（Ｈ）を構成原
子とする原料ガスとを、これも又所望の混合比で混合し
て使用するか、或いはシリコン原子（Ｓｉ）を構成原子
とする原料ガスと、シリコン原子（Ｓｉ）、炭素原子（
Ｃ）及び水素原子（）Ｉ）を構成原子とする原料ガスを
混合するか、更にまた、シリコン原子、水素原子を構成
原子とする原料ガスを混合して使用する。

このような原料ガスとして有効に使用されるのは、Ｓｉ
とＨとを構成原子とすル５１＋１４．５ｉ２Ｈ，，５ｉ
３Ｈ６Ｓｉ４Ｈ＋＠等のシラン（Ｓｉｌａｎｅ）頚等の
水素化硅素ガス、ＣとＨとを構成原子とする、例えば炭
素数１〜４の飽和炭化水素、炭素数２〜４のエチレン系
炭化水素、炭素数２〜３のアセチレン系炭化水素等が挙
げられる。

具体的には飽和炭化水素としては、例えば、メタン、（
ＣＨ４）、エタン（ＣＪｓ）、プロパン（Ｃ３Ｈ８）、
ｎ−ブタン（ｎ−Ｃ４Ｈ＋ｏ）　、ペンタン（ＣｓＬ２
）　、エチレン系炭化水素としては、エチレン（Ｃ２Ｈ
６）　、プロピレン（Ｃ３）１８）、ブテン−１（Ｃ４
ｔｌａ）、ブテン−２（ＣＪａ）、イソブチレン（Ｃａ
）Ｉａ）、ペンテン（ＣｓＨ＋ｏ）アセチレン系炭化水
素としては、アセチレン（ｈＨ２）、メチルアセチレン
（Ｃ３Ｈ４）、ブチン（Ｃ４Ｈａ）等が挙げられる。

ＳＩとＣと■とを構成原子とする原料ガスとしては、５
ｉ（Ｃ）Ｉｓ）ｎ、Ｓｉ　（Ｃ２）１，）４等のケイ化
アルキルを挙げることができる。これ等の原料ガスの他
、Ｈ導入用の原料ガスとしては勿論Ｈ２も使用できる。

スパッタリング法によってａ−５ｉＣ（Ｈ，Ｘ）で構成
される層を形成するには、単結晶又は多結晶のＳｉつ工
−ハ又はＣ（グラファイト）ウェーハ、又はＳｉとＣが
混合されているウェーハをターゲットとして、これ等を
所望のガス雰囲気中でスパッタリン例えばＳｉウェーハ
をターゲットとして使用する場合には、炭素原子、およ
び水素原子又は／及びハロゲン原子を導入する為の原料
ガスを、必要に応じて＾「、Ｈｅ等の希釈ガスで希釈し
て、スパッタリング用の堆積室内に導入し、これ等のガ
スのガスプラズマを形成して前記Ｓｉウェーハをスパッ
タリングすればよい。

又、別にはＳｉとＣは別々のターゲットとするか、ある
いはＳｔとＣの混合した一枚のターゲットとして使用す
る場合には、スパッタリング用のガスとして水素原子又
は／及びハロゲン原子導入用の原料ガスを、必要に応じ
て希釈ガスで希釈して、スパッタリング用の堆積室内に
導入し、ガスプラズマを形成してスパッタリングすれば
よい、該スパッタリング法に用いる各原子の導入用の原
料ガスとしては、前述のグロー放電法に用いる原料ガス
がそのまま使用できる。

例えば窒素原子を含有する層又は層領域を形成するのに
グロー放電法を用いる場合には、前記した光受容層形成
用の出発物質の中から所望に従って選択されたものに窒
素原子導入用の出発物質を加える。その様な窒素原子導
入用の出発物質としては、少なくとも窒素原子を構成原
子とするガス状の物質又はガス化し得る物質であればほ
とんどのものが使用できる。

例えばシリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とする原料ガス
と、窒素原子（Ｎ）を構成原子とする原料ガスと、必要
に応じて水素原子（ＩＩ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ
）を構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合し
て使用するか、又は、シリコン原子（Ｓｉ）を４．Ｗ成
原子とする原料ガスと、窒素原子（Ｎ）及び水素原子（
ＩＩ）を構成原子とする原料ガスとを、これも又所望の
混合比で混合するかして使用することができる。

又、別には、シリコン原子（Ｓｔ）と水素原子（１１）
とを構成原子とする原料ガスに窒素原子（Ｎ）をネミ成
原子とする原料ガスを混合して使用してもよい。

窒素原子を含有する層または層領域を形成する際に使用
する窒素元素（Ｎ）導入用の原料ガスとして有効に使用
される出発物質は、Ｎを構成原子とするか或いはＮとＨ
とを構成原子とする例えば窒素（Ｎ１）、アンモニア（
Ｎｕｓ）　、ヒドラジン（Ｈ，ＮＮ）１．）アジ化水素
（ＨＮｓ）　、アジ化アンモニウム（ＮＨ４Ｎり等のガ
ス状の又はガス化し得る窒素、窒化ホウ素物及びアジ化
物等の窒素化合物を挙げることができる。この他に、窒
素原子の導入に加えて、ハロゲン原子の導入も行なえる
という点から、三弗化窒素（ＦｓＮ）　、四三弗化窒素
（Ｆ、Ｎ）等のハロゲン化窒素化合物を挙げられる。

スパッタリング法によって、窒素原子を含有する層また
は層領域を形成するには、単結晶又はＳｉウェーハ又は
多結晶のＳｉウェーハ、又はＳｉ３Ｎ４ウェーハ、又は
Ｓｔとは５ＩＪ４が混合されて含有されているウェーハ
をターゲットとして、これ等を種々のガス雰囲気中でス
パッタリングすることによって行なえばよい。

例えば、Ｓｉウェーハをターゲットとして使用すれば、
・窒素原子と必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン
原子を導入する為の原料ガスを、必要に応じて希釈ガス
で希釈して、スパッター用の堆積室中に導入し、これ等
のガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｉミラニーへス
パッタリングすればよい。

又、別にはＳｔとＳｉ３Ｎ４　とは別々のターゲットと
して、又はＳｉとＳｉ３Ｎ、の混合した一枚のターゲッ
トを使用することによって、スパッター用のガスとして
の希釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも水素原子（Ｈ）
又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を構成原子として含有す
るガス雰囲気中でスパッタリングすることによって形成
できる。酸素原子導入用の原料ガスとしては、先述した
グロー放電の例で示した原料ガスの中の窒素原子導入用
の原料ガスが、スパッタリングの場合にも有効なガスと
して使用できる。

また、グロー放電法、スパッタリング法、あるいはイオ
ンブレーティング法を用いて、第１ＩＩ族原子又は第Ｖ
族原子を含有するａ−５ｉ（ＩＩ、Ｘ）で構成される層
の形成の際に、第１ＩＩ族原子又は第Ｖ族原子導入用の
出発物質を、ａ−５ｉ（Ｈ，Ｘ）形成用の出発物質と共
に使用して、形成する層中へのそれらの量を制御しなが
ら含有せしめてやることによって行なう。

第１ＩＩ族原子導入用の出発物質として具体的には硼素
原子導入用としては、Ｂ２Ｈ６、Ｂ４ＨＩＯ％　ａｓ）
Ｉｎ、ａ、Ｕ、、％ＢｓＨ１ｏ　、Ｂ＠Ｈ＋２　％　８
ｓＨ１４等の水素化硼素、ｕ、　、　ＢＣｌ、、Ｂａｒ
ｓ等のハロゲン化園素等が挙げられる。この他、ＡｕＣ
ｌ３、ＧａＣ１５、Ｇａ　（ＣＨ３）　ｚ、ＩｎＣ１５
、ＴＵＣＩｓ等も挙げることができる。

第Ｖ族原子導入用の出発物質として具体的には燐原子導
入用としてはＰｌｈ　％　Ｐ２Ｈ８等の水素化燐ＰＨ４
１％ＰＦｓ、ＰＦｓ、　ＰＣｌａ、ＰＣｌ５．　ＰＢｒ
、、ＰＢｒＢ、ＰＩ。

等のハロゲン化燐が挙げられる。この他、ＡｓＨ３、＾
ｓＦｓ、＾５ｃ１ｓ、＾５Ｂｒ３、ＡｓＦ５．５ｂＨｓ
、５ｂＦｓ、ＳｂＦ、、５ｂｃｔ、、５ｂＣ１ｓ、　Ｂ
ＩＨｓ、ＢｉＣｌ３％Ｂｉｅｒ６等も第Ｖ族原子導入用
の出発物質の有効なものとして挙げることができる。

以上記述したように、本発明の光受容部材の光受容層は
、グロー放電法、スパッタリング法等を用いて形成する
が、光受容層に含有せしめるゲルマニクム原子又は／及
びスズ原子、第１１１族原子又は第Ｖ族原子、酸素原子
、炭素原子又は、窒素原子、あるいは水素原子又は／及
びハロゲン原子の各々の含有量の制御は、堆積室内へ流
入する、各々の原子供給用出発物質のガス流量あるいは
各々の原子供給用出発物質問のガス流量比を制御するこ
とにより行なわれる。

また、光導電層および表面保ａｍ等の各構成層形成時の
支持体温度、堆積室内のガス、放電パワー等の条件は、
所望の特性を有する光受容部材を得るためには重要な要
因であり、形成する層の機能に考慮をはらって適宜選択
されるものである。

さらに、これらの層形成条件は、光導電層および表面保
護層等の各構成層に含有せしめる上記の各原子のｆｌ類
及び量によっても異なることもあることから、含有せし
める原子の種類あるいはその量等にも考慮をはらっで決
定する必要もある。

具体的には、４配位構造と３配位構造とが混在したＮｏ
ｎ−［ＩＮ　（Ｎ、Ｘ）からなる表面保護層を高周波（
１３，５８ＭＨｚ）プラズマＣＶＤ法により形成する場
合、堆積室内のガス圧は、通常１Ｏ−２〜１０丁ｏｒｒ
とするが、より好ましくは５　Ｘ　１０２〜２　Ｔｏｒ
ｒ、最適には０．１〜１τｏｒｒとする。また、支持体
温度は、通常Ｓｏ〜７００℃とするが、特にａＪＮ　（
Ｎ、Ｘ１層とする場合には５０〜４００℃、ｐｏｌｙ−
ＢＮ（Ｈ，Ｘ）層とする場合には２００〜７００℃とす
る。更に放電パワーは通常０．０１〜５　Ｗ　／　ｃ’
ｍ２．−より好ましくは０．０２〜２Ｗ／ｃ１１２とす
る。更にまた、Ｂ（＃給用原料ガス、Ｎ供給用原料ガス
及びＡ「ガスのガス流量比は、　Ｂ／Ｎが１／１００〜
５／１、より好ましくはｌ／８ｏ〜４／１となるように
し、Ａｒ／Ｂ＋Ｎが１／１〜ｏとなるようにする。

また、４配位構造と３配位構造とが混在したＮｏｎ−Ｂ
Ｎ（）Ｉ、Ｘ）からなる表面保護層をマイクロ波（２，
４５ＧＩＩＺ）　プラスＶＣＶＤ法にＪり形成ｔ６場　
”合、堆積室内のガス圧は通常１０−’〜２　Ｔｏｒｒ
、より好ましくは５　Ｘ　１０−’〜１．ＯＴｏｒｒ、
最適には５×１０−４〜０．７　Ｔｏｒｒとし、放電パ
ワーは通常０．１〜５０Ｗ／ｃｌｌ１２、より好ましく
は０．２〜３０Ｗ　／　ｃｍ’　とする、支持体温度及
び各原料ガスのガス流量比は、いずれも前述の高周波プ
ラズマＣＶＤ法による場合と同じである。

更に、４配位構造と３配位構造とが混在したＮｏｎ−Ｂ
Ｎ（Ｈ，Ｘ）からなる表面保護層をスパッタリング法に
より形成する場合、堆積室内のガス圧は通常１０”’〜
Ｉ　Ｔｏｒｒ、より好ましくは５　Ｘ　１０−４〜０．
７Ｔｏｒｒ、とし、放電パワーは０．０１〜ＩＯＷ　／
　ｃｍ”、より好ましくは０．０５〜８Ｗ／ｃｍ２とす
る。支持体温度は前述の高周波プラズマＣＶＤ法による
場合と同じである。

また、窒素原子、酸素原子、炭素原子等を含有せしめた
ａ−５ｔ（Ｈ，Ｘ）からなる層をグロー放電法により形
成する場合、支持体温度は、通常５０〜３５０℃とする
が、特に好ましくは５０〜２５０℃とする。

堆積室内のガス圧は通常０．Ｏ１〜Ｉ　Ｔｏｒｒとする
が、特に好ましくは０．１〜０．５　Ｔｏｒｒとする。

放電パワーは０．００５〜ＳＯＷ　／　ｃｍ２　とする
のが通常であるが、より好ましくは０．０１〜３０Ｗ　
／　ｃ＋ａ２とする。特に好ましくはｏ、ｏｉ〜２０Ｗ
／ｃｍ”　とする。

ａ−５ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）層をグロー放電法により形成す
る場合、あるいは第■■族原子又は第Ｖ族原子を含有せ
しめたａ−５ＩＧａ（）Ｉ、Ｘ）からなる層を形成する
場合については、支持体温度、通常５０〜３５０℃とす
るが、より好ましくは５０〜３００℃とするが、特に好
ましくは１００〜３００℃とする。そして堆積室内のガ
ス圧は通常０．０１〜５　Ｔｏｒｒとするが、好ましく
は０．００１〜３　　Ｔｏｒｒとし、特に好ましくは０
．０１〜ＩＴｏｒｒとする。また、放電パワーはｏ、ｏ
ｏｓ　〜ｓｏｗ／ｃｍ”　とするのが通常であるが、好
ましくは０．０１〜３０Ｗ　／　ｃｔａ２　とする、特
に好ましくは０．０１〜２０Ｗ７ｃｍ２　とする。

しかし、これらの、層形成を行なうについての支持体温
度、放電パワー、堆積室内のガス圧の具体的条件は、通
常には個々に独立しては容易には決め難いものである。

したがって、所望の特性の非晶質材料層を形成すべく、
相互的且つ有機的関連性に基づいて、層形成の互適条件
を決めるのが望ましい。

次に、グロー放電分解法によって形成される光導電部材
の製造方法について説明する。

第２図にグロー放電分解法による電子写真用光受容部材
の製造装置を示す。

図中の２０２，２０３，２０４，２０５．２０６．２４
！のガスボンベには、本発明の夫々の層を形成するため
の原料ガスが密封されており、その１例として、たとえ
ば、２０２は５ｉ）１４ガス（純度９９．９９９％）ボ
ンベ、２０３はＨ２で希釈されたＢ１１．ガス（純度９
９．９９９％、以下Ｂ２Ｈ６／Ｈ２と略す）ボンベ、２
０４はＮＯガス（純度９９．５％）ボンベ、２０５はＨ
ｅで希釈されたＢ、Ｈ，ガス（純度９９．９９９％、以
下Ｂ、Ｈ，／　Ｈｔ＋と略す）ボンベ、２０６はＨｅで
希釈されたＳｉＨ４ガス（純度９９．９９９％、以下Ｓ
ｉＨ，／）Ｉｅと略す）ボンベ、２４１はＮＨ３ガス（
純度９９．９９９％）ボンベである。　これらのガスを
反応室２０１に流入させるにはガスボンベ２０２〜２０
６，２４１のバルブ、リークバルブ２３５が閉じられて
いることを確認し、又、流入バルブ２）２〜２）６．２
４３、流出バルブ２）７〜２２），２４４、補助バルブ
２３２．２３３が開かれていることを確認して先ずメイ
ンバルブ２３４を・開いて反応室２０１、ガス配管内を
排気する０次に真空計２３６の読みが約５　Ｘ　１０−
’Ｔｏｒｒになった時点で、補助バルブ２３２．２３３
、流出バルブ２）７〜２２）．２４４を閉じる。

基体シリンダー２３７上に第１の層を形成する場合の１
例をあげると、ガスボンベ２０２よりＳｉＨ，ガス、ガ
スボンベ、２０３よりＢＪａ／Ｈｚガス、ガスボンベ、
２０４よりＮＯガス、バルブ２２２．２２３．２２４を
開いて出口圧ゲージ２２７．２２８　、２２９の圧を１
　ｋｇ７ｃｍ”に調節し、流入バルブ２）２．２）３．
２）４を徐々に開けて、マスフロコントローラ２０７．
２０１１．２０ｇ内に流入させる。引続いて流出バルブ
２）７．２）８．２）９、補助バルブ２３２を徐々に開
いて夫々のガスを反応室に流入させる。このときのＳｉ
Ｈ，ガス流量、ＢＪｓ／Ｈｚガス梳量、ＮＯガス渣量の
比が所望の値になるように流出バルブ２）７．２）８．
２）９を調整し、又、反応室内の圧力が所望の値になる
ように真空計２３６の読みを見ながらメインバルブ２３
４の開口を調整する。そして基体シリンダー２３７の温
度が加熱ヒーター２３８により５０〜３ＳＯ℃の温度に
設定されていることを確認された後、電源２４Ｇを所望
の電力に設定して反応室２０１内にグロー放電を生起さ
せ基体シリンダー上に第１の層を形成する。

第１の層にハロゲン原子を含有させる場合には、上記の
ガスに例えば５ＬＦ４ガスを更に付加して反応室２０１
に送り込む。

各層を形成する際ガス種の選択によっては、層形成速度
を更に高めることが出来る０例えばＳｉＨ。

ガスの代りに５ｉ２Ｈｓガスを用いて層形成を行なえば
数倍高めることが出来、生産性が向上する。

上記の様にして作成された第１の層上に第２の層を形成
するには、流出バルブ２）７〜２２！、２４４を閉じ、
補助バルブ２３２．２３３を開いてメインバルブ２３４
を全開して系内を一旦高真空に排気したのち、第１の層
の形成の際と同様なバルブ操作によってＢｚＨａ／Ｈａ
ガス、Ｎｉｌ、ガス及び電荷子制御成分を含有するガス
、￥Ｓ２図の例でいうと２０６のＳｉＨ，／Ｈｅガスを
所望の流量比で反応Ｎ１０１中に流し、所望の条件に従
プてグロー放電を生起させることによって成される。

第２の層中に含有される水素原子の量を変化させる場合
には、上記のガスに例えばＨ２ガスを付加して、Ｈ１ガ
スの反応室１０１内に導入される流量を所望に従って任
意に変えることによって所望に応じて１ＩｉｌＪａｌす
ることができる。

第２の暦にハロゲン原子を含有される場合には、上記の
ガスに例えばＮＦ、ガスを更に付加して反応室１０１内
に送り込む。

夫々の層を形成する際に必要なガス以外の流出は全て閉
じることは言うまでもなく、又、夫々の層を形成する際
、前層の形成に使用したガスが反応室１０１内、流出バ
ルブ２）７〜２２）．２（４から反応室１０１内に至る
配管内に残留することを避けるために、流出バルブ２）
７〜２２），２４４を閉じ補助バルブ２３２．２３３を
開いてメインバルブ２３４を全開して系内を一旦高真空
に排気する操作を必要に応じて行なう。

又、層形成を行なっている間は層形成の均一化を図るた
め基°体シリンダー２３７は、モータ２３９によって所
望される速度で一定に回転させる。

（実施例） 以下、実施例により本発明を更に詳細に説明するが、本
発明はこれらによフて限定されるものではない。

〈実施例！〉 第２図の製造装置を用い、第１表（ａ）、（ｂ）の作成
条件に従って鏡面加工を施したアルミシリンダー上に電
子写真用光受容部材を形成した。

又、別途、第２図と同型の装置を用い、シリンダー上の
サンプルホルダーにアルミ製基板及び単結晶Ｓｉウェハ
ーを設置し、同一仕様の表面層のみを形成したものを別
個に用意した。

光受容部材（以後ドラムと表現）の方は、電子写真装置
をセットして、種々の条件のもとに、初期のｆｉ能、残
留電位、ゴースト等の電子写真特性をチェックし、又、
１５０万枚実根耐久後の帯電能低下、表面削れ、画像欠
陥の増加等を調べた。

更に、クリーナーブレ・−ドを意識的に、摺擦エツジ部
分が摩耗したものと取り換え、白ベタ画像上に生じる地
力ブリの度合によりクリーニング性の優劣の比較も行っ
た。また更に、３５℃、８５％の高温、高温雰囲気中で
のドラムの画像流れについても評価した。

また、ドラムに直流高圧電圧を加えることにより絶縁耐
圧を調べた。さらに、先端が球形の針に一定の荷重をか
けて、ドラム表面にキズをつけることにより、耐キズ性
を調べた。上記の評価結果を第２表に示す。

第２表に見られる様に、主項目について良好な結果が得
られた。特に、画像欠陥、画像流れ、クリーニング性（
地力ブリの度合）に関しては優位性が認められた。″ アルミ基板上と単結晶Ｓｉウェハー上に成膜した表面層
のみの方（以後サンプルと表現）を、それぞれＥＸＡＦ
ＳとＩＨにより配位数を調べたところ、４配位と３配位
の混在したものであることがわかった。又、ＩＲ測測定
終了したＳｉウェーハサンプルの方は、ダイヤモンド針
で基盤目状に口／’Ｉｎｆｆ１のキズを付け、粘着テー
プによる１１１ｆｌｌテストを行い、残留応力の大小の
目安とした。

〈実施例２〉 表面層の原料ガスにＨ２ガスを付加して３４３表（ａ）
　、　（ｂ）に示す作成条件で、実施例１と同様に、ド
ラム及びサンプルを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第４表に示す。

第４表にみられる様に、実施例１と同様の特性が得られ
た。

又、サンプルの測定の結果、４配位と３配位の混在した
ものであることがわかった。

〈実施例３〉 表面層の作成時に、シリンダーのバイアス電圧が◆１０
０Ｖになるようにして第１表（ａ）、（ｂ）に示す作成
条件で、実施例１と同様に、ドラム及びサンプルを作成
し、同様の評価を行った。

その結果を第５表に示す。

第５表にみられる様に、実施例１と同様の特性が得られ
た。

又、サンプルの測定の結果、４配位３配位の混在したも
のであることがわかった。

〈実施例４〉 電荷注入阻止層、光導電層、表面層をそれぞれ第６表（
ａ）　、　（ｂ）に示す作成条件で実施例１と同様にド
ラムを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第７表に示す。

第７表にみられる様に実施例１と同様の特性が得られた
。

〈実施例５〉 アルミシリンダーに陽極酸化処理を行って、シリンダー
表面に酸化アルミニウム層（八ａｘｏｓ）ｒ作成して、
これを、電荷注入阻止層とし、この層の上に光導電層と
表面層をそれぞれ第８表（ａ）、（ｂ）に示す作成条件
で実施例１と同様にドラムを作成し、同様の評価を行っ
た。

その結果を第９表に示す。

第９表にみられる様に、実施例１と同様の特性が得られ
た。

〈実施例６〉 長波長光吸収Ｆｌ（以下ｒｌＲ吸収層」と称す、）、光
導電層、表面層をそれぞれ、第１０表（ａ）、（ｂ）に
示す作成条件で、実施例１と同様にドラムを作成し、同
様の評価を行った。

さらに７８５ｒｖの波長を有する半導体レーザーを画像
露光の光源に用いる電子写真装置にドラムをセラ・トし
て、画像上に干渉縞が現われるかチェックした。

その結果を第１１表に示す。

第１１表にみられる様に、実施例１と同様の特性が得ら
れ、干渉縞も現われなかった。

〈実施例７〉 密着層、光導ｉ層、表面層をそれぞれ、第１２表（ａ）
　、　（ｂ）に示す作成条件で、実施例１と同様にドラ
ムを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第１３表に示す。

′ＭＨ表にみられる様に、実施例！と同様の特性が得ら
れた。

〈実施例８〉 ＩＲ吸収居、電荷注入−阻止層、光導電層、表面ばを、
それぞれ、第１４表（ａ）、（ｂ）に示す作成条件で実
施例１と同様にドラムを作成し、実施例６と同様の評価
を行った。

その結果を第１５表に示す。

３４１５表にみられる様に、実施例１と同様の特性が得
られた。

〈実施例９〉 密着層、電荷注入阻止層、光導電層、表面層をそれぞれ
、第１６表（ａ）　、、　（ｂ）に示す作成条件で実施
例１−と同様にドラムを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第１７表に示す。

第１７表にみられる様に、実施例１と同様の特性が得ら
れた。

〈実施例１Ｇ＞ 密１１ＦＩ％ＩＲ吸収層、電荷注入阻止層、光導電層、
表面層を、それぞれ、第１８表（ａ）、（ｂ）に示す作
成条件で、実施例１と同様にドラムを作成し、実施例６
と同様の評価・を行った。

その結果を第１９表に示す。

第１９表にみられる様に、実施例１と同様の特性が得ら
れた。

〈実施例１１＞ 光導電層の作成条件を第２０表に示す数種の条件に変え
、それ以外は実施例１と同様の条件にて、複数のドラム
を用意した。

これらのドラムを実施例１と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例１と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例１２＞ 光導電層の作成条件を第２）表に示す数種の条件に変え
、それ以外は実施例２と同様の条件にて、複数のドラム
を用意した。

これらのドラムを実施例２と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例２と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例１３〉 光導電層の作成条件を第２２表に示す数種の条件に変え
、それ以外は実施例３と同様の条件にて、複数のドラム
を用意し・た。

これらのドラムを実施例３と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例３と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例１４〉 電荷注入阻止層の作成条件を第２３表に示す数種の条件
に変え、それ以外は実施例４と同様の条件にて、複数の
ドラムを用意した。

これらのドラムを実施例４と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例４と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例１５〉 電荷注入阻止層の作成条件を第２４表に示す数種の条件
に変え、光導電層の作成条件を第２５表に示す数種の条
件に変え、それ以外は実施例４と同様の条件にて、第２
６表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例４と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例４と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例１６〉 電荷注入阻止層の作成条件を第２４表に示す数種の条件
に変え、光導電層の作成条件を第２７表に示す数種の条
件に変え、表面層の作成条件を第２８表に示す条件にて
、第２９表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例４と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例４と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例１７〉 電荷注入阻止層の作成条件を第２４表に示す数種の条件
に変え、光導電層の作成条件を第２７表に示す数種の条
件に変え、表面層の作成条件を第３０表に示す条件にて
、￥Ｓ３１表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例４と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例４と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例Ｉ１１＞ 光導電層あ作成条件を第２５表に示すａｆ！の条件に変
え、をれ以外は実施例５と同様の条件にて、第３２表に
示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例５と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例５と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例１９＞ 表面層の作成条件を１ｌｊ２８表に示す条件に変え、光
導電層の作成条件を第２７表に示す数種の条件に変え、
それ以外は実施例５と同様の条件にて、第３３表に示す
複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例５と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例５と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例２０〉 表面層の作成条件を第３０表゛に示す条件に変え、光導
電層の作成条件を第２７表に示す数種の条件に変え、そ
れ以外は実施例５と同様の条件にて、第３４表に示す複
数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例５と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例５と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例２）〉゛ ！Ｒ吸収層の作成条件を第３５．３６表に示すａ種の条
件に変え、それ以外は実施例６と同様の条件にて、第３
７表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例６と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例６と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例２４〉 ＩＲ吸収層の作成条件を第３５．３８表に示す数種の条
件に変え、光導Ｔｉ層の作成条件を第２５表に示す数種
の条件に変え、それ以外は実施例６と同様の条件にて、
第３９表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例６と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例６と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例２３〉 ＩＲ吸収層の作成条件を第３５．３８表に示す数種の条
件に変え、光導電層の作成条件を第２７表に示す数種の
条件に変え、表′面層の作成条件を第２８表に示す条件
にて、第４０表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例６と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例６と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例２４〉 ＩＲ吸収層の作成条件を第３５．３８表に示す数種の条
件に変え、光導電層の作成条件を第２７表に示す数種の
条件に変え、表面層の作成条件を第３０表に示す条件に
て、第４１表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例６と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例６と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例２５〉 密ｓＦＩの作成条件を第４２表に示す数種の条件に変え
、それ以外は実施例７と同様の条件にて、第４３表に示
す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例７と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例７と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例２６〉 密着層の作成条件を第４４表に示す数種の条件に変え、
光導電層の作成条件を第２５表に示す数種の条件に変え
、それ以外は実施例７と同様の条件にて、第４５表に示
す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例７と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例７と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例２７〉 密着層の作成条件を′ｆＳ４４表に示す数種の条件に変
え、光４′ｒＫ、層の作成条件を第２７表に示す数種の
条件に変え、表面層の作成条件を第２８表に示す条件に
て、第４６表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例７と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例７と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例２８〉 密−着層の作成条件を第４４表に示す数種の条件に変え
、光導電層の作成−条件を第２７表に示す数種の条件に
変え、表面層の作成条件を第３０表に示す条件にて、第
４７表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例７と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例７と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例２９〉 ＩＲ吸収層の作成条件を第３５．３６表に示す数種の条
件に変え、それ以外は実施例８と同様の条件にて、第４
８表に示す複数のドラムを用意した。

こ−れらのドラムを実施例８と同様の評価にかけた結果
、いずれも実施例８と同様に、電子写真特性を十分に満
足するドラムが得られた。

〈実施例３０〉 電荷注入阻止層の作成条件を第４９表に示す数種の条件
に変え、ＩＲ吸収屡の作成条件を第３５．３８表に示す
数種の条件に変え、それ以外は実施例８と同様の条件に
て、第５０表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例８と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例８と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた６〈実施例３１〉 電荷注入阻止層の作成条件を第５１表に示す数種の条件
に変え、ＩＲ吸収層の作成条件を第３５．３８表に示す
数種の条件に変え、表面層の作成条件を第２８表に示す
条件にて、第５２表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例８と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例８と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例３２＞ 電荷注入阻止層の作成条件を第５１表に示す数種の条件
に変え、ＩＲ吸収層の作成条件を第３５．３８表に示す
数種の条件に変え、表面層の作成条件を第３０表に示す
条件にて、第５３表に示す′ａ数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例８と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例８と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例３３〉 密着層の作成条件を第４４．５４表に示す数種の条件に
変え、それ以外は実施例９と同様の条件にて、第５５表
に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例９と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例９と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例３４〉 電荷注入阻止層の作成条件を第５６表に示す数種の条件
に変え、密着層の作成条件を第４４．５７表に示す数種
の条件に変え、それ以外は実施例９と同様の条件にて、
第５８表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例９と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例９と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例３５〉 電荷注入阻止層の作成条件を第２４表に示す数種の条件
に変え、密着層の作成条件を第４４．５７表に示す数種
の条件に変え、表面層の作成条件を第２８表に示す条件
にて、第５９表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例９と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例９と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例３６〉 電荷注入阻止層の作成条件を第２４表に示す数種の条件
に変え、密着層の作成条件を第４４．５７表に示す数種
の条件に変え、表面層の作成条件を第３０表に示す条件
にて、第６０表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例９と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例９と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例３７〉 電荷注入阻止層の作成条件を第６１表に示す数種の条件
に変え、それ以外は実施例１Ｏと同様の条件にて、第６
２表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例１０と同様の評価にかけた結果
、いずれも実施例１Ｏと同様に、電子写真特性を十分に
満足するドラムが得られた。

〈実施例３８〉 電荷注入阻止層の作成条件を第６４表に示す数種の条件
に変え、光導電層の作成条件を第６３表に示す数種の条
件に変え、それ以外は実施例１０と同様の条件にて、第
６５表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例１０と同様の評価にかけた結果
、いずれも実施例１Ｏと同様に、電子写真特性を十分に
満足するドラムが得られた。

〈実施例３９〉 電荷注入阻止層の作成条件をｆ％６４表に示す数種の条
件に変え、光導電層の作成条件を第６６表に示す数種の
条件に変え、表面層の作成条件を第２８表に示す条件に
て、第６７表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例１Ｏと同様の評価にかけた結果
、いずれも実施例１０と同様に、電子写真特性を十分に
満足するドラムが得られた。

〈実施例４０〉 電荷注入阻止層の作成条件を第６４表に示す数種の条件
に変え、光ｉ　ｉ　Ｆの作成条件を第６６表に示す数種
の条件に変え、表面層の作成条件を第３０表に示す条件
にて、第６８表に示す複数のドラムな用意した。

これらのドラムを実施例１Ｏと同様の評価にかけた結果
、いずれも実施例１０と同様に、電子写真特性を十分に
満足するドラムが得られた。

〈実施例４１＞ 電荷注入阻止層の作成条件を第５１表に示す数種の条件
に変え、ＩＲ吸収層の作成条件を第３５．３８表に示す
数種の条件に変え、光導電層の作成条件を第６９表に示
す条件にして、表面層の作成条件を第７０表に示す条件
にて、第７１表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例８と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例８と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例４２〉 電荷注入阻止層の作成条件を第５１表に示す数種の条件
に変え、ＩＲ吸収屡の作成条件を第３５．３８表に示す
数種の条件に変え、光導電層の作成条件を第７２表に示
す条件にして、表面層の作成条件を第７０表に示す条件
にて、第７３表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例８と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例８と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例４３〉 電荷注入阻止層の作成条件を第５１表に示す数種の条件
に変え、ＩＲ吸収層の作成条件を第３５．３８表に示す
数種の条件に変え、光導電層の作成条件を第６９表に示
す条件にして、表面層の作成条件を第２８表に示す条件
にて、第７４表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例８と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例８と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例４４〉 電荷注入阻止層の作成条件を第５１表に示す数種の条件
に変え、！Ｒ吸収層の作成条件を第３５．３８表に示す
数種の条件に変え、光導電層の作成条件を第７２表に示
す条件にして、表面層の作成条件を第２８表に示す条件
にて、第７５表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例８と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例８と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例４５〉 電荷注入阻止層の作成条件を第５１表に示す数種の条件
に変え、！Ｒ吸収層の作成条件を第３５．３８表に示す
数種の条件に変え、光導電層の作成条件をＴ％６９表に
示す条件にして、表面層の作成条件を第３０表に示す条
件にて、第７６表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例８と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例８と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例４６〉 電荷注入阻止層の作成条件を第５１表に示す数種の条件
に変え、ＩＲ吸収店の作成条件を′Ｓ３５．３８表に示
すａＨｌの条件に変え、光導ＴｉＦ３の作成条件を第７
２表に示す条件にして１表面層の作成条件を第３０表に
示す条件にて、第７７表に示す複数のドラムを用意した
。

これらのドラムを実施例８と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例８と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例４７〉 電荷注入阻止層、光導電層の作成条件を第７８表に示す
条件にして、表面層の作成条件を第７９表に示す複数の
ドラムを用意した。

これらのドラムを実施例４と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例４と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例４８〉 ＩＲ吸収層、電荷注入阻止層、光導電層の作成条件を第
８０表に示す条件にして、表面層の作成条件を第８１表
に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例８と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例８と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例４９〉 密着層、ＩＲ吸収層、電荷注入阻止層、光導電層の作成
条件を第８２表に示す条件にして、表面層の作成条件を
第８３表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例１０と同様の評価にかけた結果
、いずれも実施例１Ｏと同様に、電子写真特性を十分に
満足するドラムが得られた。

〈実施例５０〉 電荷注入阻止層、光導電層、中間層、表面層をそれぞれ
第８４表に示す作成条件で、実施例１と同様にドラムを
作成し、同様の評価をかけた結果、実施例１と同様に、
きわめてすぐれた電子写真特性のドラムが得られた。

〈実施例５１＞ 鏡面加工を施したシリンダーを更に様々な角度を持つ剣
バイトによる旋盤加工に供し、第３図のような断面形状
で第８５表のような種々の断面パターンを持つシリンダ
ーを複数本用意した。該シリンダーを順次第２図の製造
装置にセットし、実施例１と同様の作成条件の基にドラ
ム作成に供した１作成されたドラムを実施例１と同様の
評価を行った結果、いずれも実施例１と同様に、電子写
真特性を十分に満足するドラムが得られた。

〈実施例５２〉 鏡面加工を施したシリンダーの表面を、引続き多数のベ
アリング円球の落下の基にざらしてシリンダー表面に無
数の打痕を生じせしめる、所謂表面ディンプル化処理を
施し、第４図のような断面形状で、第８６表のような種
々の断面パターンを持つシリンダーを複数本用意した。

該シリンダーを順次第２図の製造装置にセットし、実施
例１と同様の作成条件の基゛にドラム作成に供した６作
成されたドラムを実施例１と同様の評価を行った結果、
いずれも実施例１と同様に、電子写真特性を第２０表 ＊表面層は第１表（ｂ）に従う（無印は７５１表（ａ）
に従う）第２）表 ＊表面層は第３表（ｂｌ　に従う（無印は第３表（ａｌ
　　に従う）第２２表 ＊表面層は第１表（ｂｌ　に従う（無印は第１表（ａ）
に従う）第２３表 照ｑＪ＆唄果す衣（ａ）　ｋ便り Ｔ％２４表 第２５表 第３２表 ＊表面層は第８表（ｂ）に従う。

無印は下８表（ａｌ　　に従う。

第３３表 ＊表面層Ｂを使用。

無印は表面層Ａを使用。

第３４表 本表面癌Ｂを使用。

無印は表面居Ａを使用。

ｈ３３５　表 ′ｆＳ：３ｓ　　表（つづき） 第３６表 １５３６　表（つづき） 第３７表 ＊表面層は第１０表（ｂ３　　に従う 無印は第１０表（ａ）　　に従う 第３８表 第　３８　表（つづき） 第３９表 ＊表面層はＴＳ１０表（ｂ）に従う　　無印は第１Ｏ表
（ａ）　に従う第４０表 黙−」は表面層Ａを使用。

ＴＳ４１表 第４３表 ＊表面層は第１２表（ｂ）　　に従う 無印は第１２表（ａ）　　に従う ′Ｓ４５表 無印は第１２表（ａｌ　　にイ疋つ 第４６表 無印は表面増へを使用。

第４７表 第４８表 ＊電荷注入阻止層と表面層は′Ｓ１４表（ｂ）に従う。

無゛印は第１４表（ａ）　　に従う。

第４９表 第５０表 第５１表 第５２表 第５３表 第　　５５　　表 ＊電荷注入阻止層と表面層は第１６表（ｂ）に従う無印
は第１６表（ａ）　　に従う 第５６表 第６１表 第６２表 Ｔ％６４表 Ｈａｓ表 無印は第１８表＋ａ＋　　に捷つ 第６７表 第６８表 無印は表面層Ａを使用。

第７１表 無印は表面層Ａを使用。

第７３表 黙１：ｌＪは汲血贋Ａを使用。

第７４表 第７５表 無印は表面Ｉ曽へを使用。

第　７６表 ＊は表面層Ｂを使用、無印は表面ＦｉＡを使用。

ＴＳ７７表 ＊は表面ＦＩＢを使用、無印Ｃ士表面層Ａを使用。

第８５表 第８６表 （発明の効果の概略） 本発明の光受容部材は、４配位４．を造の窒化ホウ素と
３配位構造の窒化ホウ素とを混在して含有する非単結晶
質材料で構成された表面保護層を設け、　　たことによ
り、特に優れた耐湿性、連続繰り遮し使用特性、電気的
耐圧性、使用環境特性及び耐久性等を有するものであり
、本発明の光受容部材を電子写真用像形成部材として適
用させた場合には、残留電位の影響が全くなく、その電
気的特性が安定しており、特に、画像欠陥や画像流れ等
の発生がなく、クリーニング性にすぐれたものとなる。

【図面の簡単な説明】

第１（＾）〜（Ｉ１図は本発明の光受容部材の層構造の
典型例のいくつかを模式的に示した図であり、第２図は
本発明の光受容部材を製造するための装Ｍの一例で、グ
ロー放電法による製造袋にの模式的説明図である。第３
図及び第４図は、本発明の光受容部材の支持体の断面形
状の例を示す図である。 １００・・・光受容部材、ｌｏｔ・・・支持体、１０２
・・・光導電層、１０３　・・・表面保護層、１０４・
・・電荷注入阻止層、１０５・・・長波長光吸収層、１
０６・・・密着層、１０７・・・自由表面、ｔＯａ・・
・中間層、２０１・・・反応室、２０２〜２０６，２４
１・・・ガスボンベ、２０７〜２）１．２４２・・・マ
スフロコントローラ、２）２〜２）６．２４３・・・流
入バルブ２）゛７〜２２）．２４４・・・流出バルブ、
２２２〜２２６．２４５・・・バルブ、２２７〜２３１
・・・圧力調整器、２３２．２３３・・・補助バルブ、
２３４・・・メインバルブ、２３５・・・リークバルブ
２３６・・・真空計、２３７・・・基体シリンダー、２
３８・・・加熱ヒーター、２３９・・・モーター、２４
０・・・高周波電源 第１図

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. （１）支持体と、該支持体上に、シリコン原子を母体と
   し、水素原子又はハロゲン原子のうちの少なくともいず
   れか一方を含有するアモルファス材料で構成された光導
   電層と、表面保護層とを少なくとも有する光受容層とか
   らなる光受容部材において、前記表面保護層が、４配位
   構造の窒化ホウ素と３配位構造の窒化ホウ素を混在して
   含有する非単結晶質材料で構成されており、かつ、価電
   子制御剤を含有していることを特徴とする光受容部材。
2. （２）前記光受容層が、３層以上の多面構成である特許
   請求の範囲第（１）項に記載された光受容部材。
3. （３）前記光受容層が、電荷注入阻止層を有する特許請
   求の範囲第（２）項に記載された光受容部材。
4. （４）前記光受容層が、長波長光吸収層を有する特許請
   求の範囲第（２）項に記載された光受容部材。
5. （５）前記光受容層が、接着性を改善する機能を備えた
   接着層を有する特許請求の範囲第（２）項に記載された
   光受容部材。
6. （６）前記光導電層と前記表面保護層との間に中間層を
   有する特許請求の範囲第（２）項に記載された光受容部
   材。