JPS62151859A - 光導電体 - Google Patents
光導電体Info
- Publication number
- JPS62151859A JPS62151859A JP60293704A JP29370485A JPS62151859A JP S62151859 A JPS62151859 A JP S62151859A JP 60293704 A JP60293704 A JP 60293704A JP 29370485 A JP29370485 A JP 29370485A JP S62151859 A JPS62151859 A JP S62151859A
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- JP
- Japan
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- layer
- photoconductive
- photoconductive layer
- atoms
- base
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
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- G03G5/142—Inert intermediate layers
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は非晶質水素化シリコンから成る光導電層と、該
光導電層を支持する支持体との間に特定の中間層を介在
させる層を設けた光導電体に関するものである。
光導電層を支持する支持体との間に特定の中間層を介在
させる層を設けた光導電体に関するものである。
従来の技術
撮像デバイス、電子写真感光体等を構成する光導電体と
しては、高感度で、ＳＮ比〔光電流（Ｉ、）／暗電流（
Ｉｄ） ）が高く、照射する電磁波のスペクトル特性を
有すること、光応答性が良好で、所望の□暗抵抗値を有
すること、使用時に於いて人体に対して無公害である事
等が要求される。殊に、事務機としてオフィスで使用さ
れる電子写真装置内に組込まれる電子写真感光体の場合
には、無公害性は重要な点である０ この様な点に立脚して、近年光導電体材料として非晶質
水素化シリコン（以下ａ−８ｉ：Ｈと略す）の研究開発
が盛んになっている。ａ−８ｉ：Ｈはその特性上多くの
利点を有するが、高感度、高帯電能を実現する為には、
電磁波照射により光導電層中に発生したキャリアの移動
を妨げず、かつ暗時に支持体側からの電荷注入を阻止す
る層を光導電層界面に形成したブロッキング構成が有効
である。
しては、高感度で、ＳＮ比〔光電流（Ｉ、）／暗電流（
Ｉｄ） ）が高く、照射する電磁波のスペクトル特性を
有すること、光応答性が良好で、所望の□暗抵抗値を有
すること、使用時に於いて人体に対して無公害である事
等が要求される。殊に、事務機としてオフィスで使用さ
れる電子写真装置内に組込まれる電子写真感光体の場合
には、無公害性は重要な点である０ この様な点に立脚して、近年光導電体材料として非晶質
水素化シリコン（以下ａ−８ｉ：Ｈと略す）の研究開発
が盛んになっている。ａ−８ｉ：Ｈはその特性上多くの
利点を有するが、高感度、高帯電能を実現する為には、
電磁波照射により光導電層中に発生したキャリアの移動
を妨げず、かつ暗時に支持体側からの電荷注入を阻止す
る層を光導電層界面に形成したブロッキング構成が有効
である。
例えば、従来では特開昭５６−５６６０号に示されてい
る有機化合物、５７−５６８４７号の＆−（Ｓｉ Ｏ）
’Ｈ５７−５８１６１号の！ ＋−３ｍ ７’
＋−７１ ａ−（ＳｉｘＮ、 、）ｙ：Ｘ、 、 （Ｘ ： ／％
Ｏケン原子） ＋５７−６３５４５号の＆−３ｉｘＯ
，、、５６−２４３５６号のム１２０．やＳｉ Ｏｘな
どの酸化物やポリカーボネートのような有機高分子等が
ブロッキング作用を示す中間層として提案されている。
る有機化合物、５７−５６８４７号の＆−（Ｓｉ Ｏ）
’Ｈ５７−５８１６１号の！ ＋−３ｍ ７’
＋−７１ ａ−（ＳｉｘＮ、 、）ｙ：Ｘ、 、 （Ｘ ： ／％
Ｏケン原子） ＋５７−６３５４５号の＆−３ｉｘＯ
，、、５６−２４３５６号のム１２０．やＳｉ Ｏｘな
どの酸化物やポリカーボネートのような有機高分子等が
ブロッキング作用を示す中間層として提案されている。
発明が解決しようとする問題点
光導電層＆−３ｉ：Ｈの高感度、高帯電能の実現のため
に従来使われている中間層材料では、支持体側からの電
荷注入阻止層の働きが弱い、並びに電磁波照射により光
導電層中に発生したキャリアの移動を妨げる等の問題点
を生じていた。
に従来使われている中間層材料では、支持体側からの電
荷注入阻止層の働きが弱い、並びに電磁波照射により光
導電層中に発生したキャリアの移動を妨げる等の問題点
を生じていた。
そこで本願発明は、高感度、高帯電の光導電体を提供す
ることを目的とするものである。
ることを目的とするものである。
問題点を解決するための手段
この目的を達成するため本願発明は、アルミニウム元素
及び窒素原子を主成分とする非光導電性の膜を中間層と
して構成するものである。
及び窒素原子を主成分とする非光導電性の膜を中間層と
して構成するものである。
作用
光導電層と支持体との間に中間層を介入させるブロッキ
ング構造は、電子写真感光体の特性向上において、有力
な手段の１つである。アルミニウム元素及び窒素原子を
含む非光導電性材料で上記中間層を構成することによシ
、従来の材料を用いるよりはるかに特性の良い光導電体
を得ることが出来る。即ち、支持体側からの電子の注入
を阻止し、電磁波照射によシ発生するキャリアの光導電
層側から支持体側への移動の妨げにならないという働き
をする。
ング構造は、電子写真感光体の特性向上において、有力
な手段の１つである。アルミニウム元素及び窒素原子を
含む非光導電性材料で上記中間層を構成することによシ
、従来の材料を用いるよりはるかに特性の良い光導電体
を得ることが出来る。即ち、支持体側からの電子の注入
を阻止し、電磁波照射によシ発生するキャリアの光導電
層側から支持体側への移動の妨げにならないという働き
をする。
実施例
以下、本発明の一実施例について図面を用いて説明する
。
。
第１図は、本発明の光導電体の基本的な構成例を説明す
る為に模式的に示した模式的構成図であるＯ 第１図に示す光導電体は、支持体１の上に中間層２、該
中間層２に直接接触した状態に設けられている光導電層
３とで構成される層構造を有し、本発明の最も基本的な
例である。
る為に模式的に示した模式的構成図であるＯ 第１図に示す光導電体は、支持体１の上に中間層２、該
中間層２に直接接触した状態に設けられている光導電層
３とで構成される層構造を有し、本発明の最も基本的な
例である。
支持体１としては、ムｌ 、ステンレス、Ｏｒ。
Ｍｏ、ムｕ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐａ
等の金属又はこれ等の合金が挙げられる。また電気絶縁
性基板上に導電処理を施し、支持体として使用してもよ
い。中間層２は、アルミニウム元素及び窒素原子を主成
分とする非光導電性材料（以下ム７！Ｎｘと略記する）
で構成され、支持体１の側から光導電層３中への電荷の
流入を効果的に阻止し且つ電磁波の照射によって光導電
層３中に生じ、支持体１の側に向って移動するキャリア
の光導電層３の側から支持体１の側への通過を容易に許
す機能を有するものである。
等の金属又はこれ等の合金が挙げられる。また電気絶縁
性基板上に導電処理を施し、支持体として使用してもよ
い。中間層２は、アルミニウム元素及び窒素原子を主成
分とする非光導電性材料（以下ム７！Ｎｘと略記する）
で構成され、支持体１の側から光導電層３中への電荷の
流入を効果的に阻止し且つ電磁波の照射によって光導電
層３中に生じ、支持体１の側に向って移動するキャリア
の光導電層３の側から支持体１の側への通過を容易に許
す機能を有するものである。
ムｌＮｘの作成には、ＡＪ、−Ｈｅ ｅ−ＮＨ、あるい
は、ムＩＣ１！３−ＮＨ，、あるいはムＪＢｒ３−ＮＨ
，等を用いたプラズマＣｖＤ法や、ムＩｆターゲットと
しＮ２あるいはＮ２−ムｒあるいはＮ２−Ｎ２あるいは
ＮＨ３を用いた反応性スパッタリング法、ムｌＮをター
ゲットとし、Ｎ２あるいは）１２−Ａｒあるいはムｒ１
あるいはＮ２あるいはムｒ−Ｈ２、あるいは’２ ”２
あるいはＮＨ３を用いた反応性スパッタリング法、トリ
メチルアルミニウムとＮＨ，ｉ用いたＭＯＣＶＤ法等が
用いられる。また、光導電層３の非晶質シリコン（以下
膜中に含有する原子の種類に応じて、ａ−３ｉ：Ｈ，ａ
−３ｉ：Ｈ：Ｘ、ａ−５ｉ：Ｘ、 Ｘ ：／％Ｏゲ７
原子と略記する）は、ＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６，Ｓｉ３Ｈ
８，ＳｉＦ４゜５ｉＨＦ ＳｉＨＦ ＳｉＨＦ、５
ｉＣｊ？ 、５ｉＨ（ｅ３，５ｉＨ２０ｅ２゜５”
２２’ ３ ４Ｓｉ
Ｈ３Ｃｌ等のＳ１原子の原料ガスあるいはこれらのガス
をムｒ、Ｈｅ、Ｈ２等で希釈したガスを用いたプラズマ
ｃｖｎ法や、Ｓｉをターゲットとし、ムｒとＮ２の混合
ガス中、またはムｒとＳｉＦ４の混合ガスを用いた反応
性スパッタリング法や蒸着法で形成できる。
は、ムＩＣ１！３−ＮＨ，、あるいはムＪＢｒ３−ＮＨ
，等を用いたプラズマＣｖＤ法や、ムＩｆターゲットと
しＮ２あるいはＮ２−ムｒあるいはＮ２−Ｎ２あるいは
ＮＨ３を用いた反応性スパッタリング法、ムｌＮをター
ゲットとし、Ｎ２あるいは）１２−Ａｒあるいはムｒ１
あるいはＮ２あるいはムｒ−Ｈ２、あるいは’２ ”２
あるいはＮＨ３を用いた反応性スパッタリング法、トリ
メチルアルミニウムとＮＨ，ｉ用いたＭＯＣＶＤ法等が
用いられる。また、光導電層３の非晶質シリコン（以下
膜中に含有する原子の種類に応じて、ａ−３ｉ：Ｈ，ａ
−３ｉ：Ｈ：Ｘ、ａ−５ｉ：Ｘ、 Ｘ ：／％Ｏゲ７
原子と略記する）は、ＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６，Ｓｉ３Ｈ
８，ＳｉＦ４゜５ｉＨＦ ＳｉＨＦ ＳｉＨＦ、５
ｉＣｊ？ 、５ｉＨ（ｅ３，５ｉＨ２０ｅ２゜５”
２２’ ３ ４Ｓｉ
Ｈ３Ｃｌ等のＳ１原子の原料ガスあるいはこれらのガス
をムｒ、Ｈｅ、Ｈ２等で希釈したガスを用いたプラズマ
ｃｖｎ法や、Ｓｉをターゲットとし、ムｒとＮ２の混合
ガス中、またはムｒとＳｉＦ４の混合ガスを用いた反応
性スパッタリング法や蒸着法で形成できる。
第２図には、本発明の光導電体の別の実施態様例の構成
を説明する為の模式的構成図が示される。
を説明する為の模式的構成図が示される。
第２図に示す光導電体は、光導電層３の上に中間層２と
同様の機能を有する表面層４を設けた以外は、第１図に
示す光導電体と同様の層構造を有するものである。
同様の機能を有する表面層４を設けた以外は、第１図に
示す光導電体と同様の層構造を有するものである。
即ち、支持体１の上にアルミニウム元素と窒素原子を含
む非光導電材料ムＣＮｘを中間層２とし、その上に光導
電層３の非晶質シリコン層（ＩＬ−８ｉ：Ｈ。
む非光導電材料ムＣＮｘを中間層２とし、その上に光導
電層３の非晶質シリコン層（ＩＬ−８ｉ：Ｈ。
ａ−３ｉ：Ｈ：Ｘ、ａ−８ｉ：Ｘ ）を形成し、更にそ
の上に表面層４を積層する。表面層４ば、光導電体に帯
電処理を施して電荷像を形成する場合の様な使い方をす
る際、表面電荷が光導電層３に流入するのを阻止し且つ
、電磁波の照射を受けた際には、光導電層３中に発生し
たキャリアと、電磁波の照射を受けた部分の帯電電荷と
が再結合を起す様に、キャリ゛アの通過又は帯電電荷の
通過を容易に許す機能を有する。
の上に表面層４を積層する。表面層４ば、光導電体に帯
電処理を施して電荷像を形成する場合の様な使い方をす
る際、表面電荷が光導電層３に流入するのを阻止し且つ
、電磁波の照射を受けた際には、光導電層３中に発生し
たキャリアと、電磁波の照射を受けた部分の帯電電荷と
が再結合を起す様に、キャリ゛アの通過又は帯電電荷の
通過を容易に許す機能を有する。
表面層４は、Ｓ工Ｃｘ、ＳｉＯｘ、ＳｉＮｘ、Ｇｅ１ｘ
、Ｇｅｅｘ。
、Ｇｅｅｘ。
ＢＣｘ、 ＢＮｘ 等が挙ケラレル。
本発明に於ける中間層２の膜厚としては、前述した機能
が充分発揮される様に、層形成条件等によって所望に従
って適宜決定される。本発明に於ける中間層２の膜厚と
しては、通常の場合、０．０２〜２．０μｍとされるの
が望ましいものである。０．０２μｍ以下の場合、ピン
ホール、白点キズ等の発生が生じ、２．０μｍ以上にな
ると残留電位の増加が著しくなる。
が充分発揮される様に、層形成条件等によって所望に従
って適宜決定される。本発明に於ける中間層２の膜厚と
しては、通常の場合、０．０２〜２．０μｍとされるの
が望ましいものである。０．０２μｍ以下の場合、ピン
ホール、白点キズ等の発生が生じ、２．０μｍ以上にな
ると残留電位の増加が著しくなる。
実施例１
表面が清浄にされたモリブデン基板をマグネトロンスパ
ッタ装置内に配置し、反応容器内を５×１ｏ Ｔｏｒ
ｒ以下に基板を２５０’Ｃに加熱するムｌターケットヲ
使用し、ムｒ ： １〜ｓ ｍＴｏｒｒ、 Ｎ２：１
〜３ ｍＴｏｒｒ 、 １３．５６ ＭＨｚ高周波電力
３ｏｏ〜ｓｏｏｗ、ターゲット・基板間距離４６〜８６
ＪｆｆでｕＨｚ層’ｉｏ、０２〜２．０μｍ 、好まＬ
＜ ｔｒｉ １．０μｍ前後形成する。次に、基板及
び基板設置部を多結晶Ｓ１ターゲツト上に移動させ、基
板温度２５０’Ｃ、ムｆ ： １〜１ ｏｍＴｏｒｒ
、 ａ２： １〜６ｍＴｏｒｒ 、 １３．５６ ＭＨ
ｚ高周波電力３００〜８ｏ。
ッタ装置内に配置し、反応容器内を５×１ｏ Ｔｏｒ
ｒ以下に基板を２５０’Ｃに加熱するムｌターケットヲ
使用し、ムｒ ： １〜ｓ ｍＴｏｒｒ、 Ｎ２：１
〜３ ｍＴｏｒｒ 、 １３．５６ ＭＨｚ高周波電力
３ｏｏ〜ｓｏｏｗ、ターゲット・基板間距離４６〜８６
ＪｆｆでｕＨｚ層’ｉｏ、０２〜２．０μｍ 、好まＬ
＜ ｔｒｉ １．０μｍ前後形成する。次に、基板及
び基板設置部を多結晶Ｓ１ターゲツト上に移動させ、基
板温度２５０’Ｃ、ムｆ ： １〜１ ｏｍＴｏｒｒ
、 ａ２： １〜６ｍＴｏｒｒ 、 １３．５６ ＭＨ
ｚ高周波電力３００〜８ｏ。
Ｗ、ターゲット・基板間距離４６〜８５ｕｇで光導電層
ａ−８ｉ二Ｈ層を６〜１６μｍ形成する。
ａ−８ｉ二Ｈ層を６〜１６μｍ形成する。
第１図はこの様にして作成された光導電体の構成図であ
る。この光導電体に＋６．ＯＫＶのコロナチャージをか
けて帯電電位を測定したところ、飽和表面電位６ｏｏｖ
、残留電位６ｖ以下であった。
る。この光導電体に＋６．ＯＫＶのコロナチャージをか
けて帯電電位を測定したところ、飽和表面電位６ｏｏｖ
、残留電位６ｖ以下であった。
また、帯電２０秒後においてもａｏｏｖの帯電電位を示
した。本発明の実施例は、暗時の帯電能が犬きぐ、残留
電位の小さい電子写真感光体を提供する。
した。本発明の実施例は、暗時の帯電能が犬きぐ、残留
電位の小さい電子写真感光体を提供する。
実施例２
本実施例は第２図に示す構成の光導電体である。
鏡面研磨したムｅ ドラムを支持体１とし、これをドラ
ムスパッタ装置内に設置し、反応容器内を６×１０
Ｔｏｒｒ以下に排気後ムｌ ドラムを２５０°Ｃに加熱
する。ム召ターゲッｉ使用し、ムｒ：１〜６ ｍＴｏｒ
ｒ、 Ｎ２： １〜３ｍ’ｒｏｒｒ、 １３．５６ＭＨ
ｚ高周波電力０．６〜３．６ ＫＷでムロＮｘ層を０．
０２〜２．０μｍ１好ましくは１．０μｍ前後形成する
。次に、ドラムを多結晶Ｓｉ ターゲット上に移動させ
、人ｒ ： １〜１ ｏｍ’ｒｏｒｒ、 Ｎ２：１〜
５ｍ’ｒｏｒｒ 、高周波電力０．６〜３．６ＫＷで光
導電層ａ−ｓｉ：１（層を６〜１６μｍ形成する。さら
に、ムｒ ： １〜５ ｍＴｏｒｒ、 Ｎ２： １〜１
ｏｍＴｏｒｒ、高周波電力０．６〜３．０ ＫＷで表面
層ＳｉＮｘ全０．１〜０２μｍ形成する。このようにし
て作成した電子写真感光ドラムを市販の複写機に実装し
たところ、正帯電で８０万枚以上の耐刷性と良好な画像
が得られることが確認できた。
ムスパッタ装置内に設置し、反応容器内を６×１０
Ｔｏｒｒ以下に排気後ムｌ ドラムを２５０°Ｃに加熱
する。ム召ターゲッｉ使用し、ムｒ：１〜６ ｍＴｏｒ
ｒ、 Ｎ２： １〜３ｍ’ｒｏｒｒ、 １３．５６ＭＨ
ｚ高周波電力０．６〜３．６ ＫＷでムロＮｘ層を０．
０２〜２．０μｍ１好ましくは１．０μｍ前後形成する
。次に、ドラムを多結晶Ｓｉ ターゲット上に移動させ
、人ｒ ： １〜１ ｏｍ’ｒｏｒｒ、 Ｎ２：１〜
５ｍ’ｒｏｒｒ 、高周波電力０．６〜３．６ＫＷで光
導電層ａ−ｓｉ：１（層を６〜１６μｍ形成する。さら
に、ムｒ ： １〜５ ｍＴｏｒｒ、 Ｎ２： １〜１
ｏｍＴｏｒｒ、高周波電力０．６〜３．０ ＫＷで表面
層ＳｉＮｘ全０．１〜０２μｍ形成する。このようにし
て作成した電子写真感光ドラムを市販の複写機に実装し
たところ、正帯電で８０万枚以上の耐刷性と良好な画像
が得られることが確認できた。
発明の効果
以上述べてきたように本発明による光導電体は、非晶５
ｉシＩＪ ニア ７ （ＩＬ−３ｉ：Ｈ，ａ−８ｉ：Ｈ
：Ｘ、ａ−３ｉ：ＸＪ ｆ光導電層とし、光導電層と支
持体との間に五ＩＮｘを中間層として設けることにより
、帯電特性および光感度の優れた電子写真感光体を提供
する。
ｉシＩＪ ニア ７ （ＩＬ−３ｉ：Ｈ，ａ−８ｉ：Ｈ
：Ｘ、ａ−３ｉ：ＸＪ ｆ光導電層とし、光導電層と支
持体との間に五ＩＮｘを中間層として設けることにより
、帯電特性および光感度の優れた電子写真感光体を提供
する。
第１図、第２図は本発明の電子写真感光体の断面図であ
る。 １・・・・・・支持体、２・・・・・・中間層ム７ｉＮ
ｘ１３・・・・・・光導を層（ａ−８ｉ：Ｈ，ａ−８ｉ
：Ｈ：Ｘ、ａ−８ｉ：ＸＪ ： ハｌ：ｌゲン原子〕、
４・・・・・・表面層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名／−
、ｔ＊ｔ４ ３°−１特禾
る。 １・・・・・・支持体、２・・・・・・中間層ム７ｉＮ
ｘ１３・・・・・・光導を層（ａ−８ｉ：Ｈ，ａ−８ｉ
：Ｈ：Ｘ、ａ−８ｉ：ＸＪ ： ハｌ：ｌゲン原子〕、
４・・・・・・表面層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名／−
、ｔ＊ｔ４ ３°−１特禾
Claims (8)
- （１）支持体と、シリコン原子を母体とし、少なくとも
水素原子またはハロゲン原子を含有するアモルファス材
料で構成されている光導電層と、これ等の間に設けられ
支持体側から前記光導電層中へのキャリアの流入を阻止
し且つ電磁波照射によって前記光導電層中に生じ支持体
側に向かって移動するキャリアの光導電層側から支持体
側への通過を許す機能を有する中間層とを備えた光導電
部材に於いて前記中間層が、アルミニウム元素及び窒素
原子を含む、非光導電性材料で構成されている事を特徴
とする光導電体。 - （２）光導電層の表面に、シリコン原子を母体として含
む非光導電性のアモルファス材料で構成された表面層を
有する特許請求の範囲第１項記載の光導電体。 - （３）光導電層の表面に、無機絶縁材料又は有機絶縁材
料から成る表面層を有する特許請求の範囲第１項記載の
光導電体。 - （４）中間層の層厚が０．０２〜２．０μｍである特許
請求の範囲第１項記載の光導電体。 - （５）表面層中に水素原子又はハロゲン原子の少なくと
も一方が含有されている特許請求の範囲第２項記載の光
導電体。 - （６）表面層中に炭素原子が含有されている特許請求の
範囲第２項記載の光導電体。 - （７）表面層中に窒素原子が含有されている特許請求の
範囲第２項記載の光導電体。 - （８）表面層中に炭素原子、窒素原子及び酸素原子の中
に少なくとも２つが含有されている特許請求の範囲第２
項記載の光導電体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60293704A JPS62151859A (ja) | 1985-12-26 | 1985-12-26 | 光導電体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60293704A JPS62151859A (ja) | 1985-12-26 | 1985-12-26 | 光導電体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62151859A true JPS62151859A (ja) | 1987-07-06 |
Family
ID=17798152
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60293704A Pending JPS62151859A (ja) | 1985-12-26 | 1985-12-26 | 光導電体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62151859A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5041350A (en) * | 1988-08-17 | 1991-08-20 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Electrophotographic photoreceptor with inorganic compound in charge transport layer |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5767936A (en) * | 1980-10-14 | 1982-04-24 | Canon Inc | Photoconductive member |
| JPS5767937A (en) * | 1980-10-14 | 1982-04-24 | Canon Inc | Photoconductive member |
| JPS5928162A (ja) * | 1982-08-10 | 1984-02-14 | Toshiba Corp | 電子写真感光体 |
| JPS5974562A (ja) * | 1982-10-20 | 1984-04-27 | Ricoh Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPS60118848A (ja) * | 1983-12-01 | 1985-06-26 | Ricoh Co Ltd | 電子写真感光体 |
-
1985
- 1985-12-26 JP JP60293704A patent/JPS62151859A/ja active Pending
Patent Citations (5)
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