JPS6226459B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光
線、可視光線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）
の様な電磁波を利用して像形成するのに使用され
る電子写真用像形成部材に関する。 従来、電子写真用像形成部材の光導電層を構成
する光導電材料としては、Se、CdS、ZnO等の無
機光導電材料やポリ−Ｎビニルカルバゾール
（PVK）、トリニトロフルオレノン（TNF）等の
有機光導電材料（OPC）が一般的に使用されて
いる。 而乍ら、これ等の光導電材料を使用する電子写
真用像形成部材に於いては、未だ諸々の解決され
得る可き点があつて、ある程度の条件緩和をし
て、個々の状況に応じて各々適当な電子写真用像
形成部材が使用されているのが実情である。 例えば、Seを光導電層形成材料とする電子写
真用像形成部材は、Se単独では、例えば、可視
光領域の光を利用する場合、その分光感度領域が
狭いのでTeやAsを添加して分光感度領域を拡げ
ることが計られている。 而乍ら、この様な、TeやAsを含むSe系光導電
層を有する電子写真用像形成部材は、確かに分光
感度領域は改良されるが、光疲労が大きくなる為
に、同一原稿を連続的に繰返し、コピーすると複
写画像の画像濃度の低下やバツクグランドの汚れ
（白地部分のカブリ）を生じたり、又、引続き他
の原稿をコピーすると前の原稿の画像残像として
複写される（ゴースト現像）等の欠点を有してい
る。 而も、Se、殊にAs、Teは人体に対して極めて
有害な物質であるので、製造時に於いて、人体へ
の接触がない様な製造装置を使用する工夫が必要
であつて、装置への資本投下が著しく大きい。更
には、製造後に於いても、光導電層が露呈してい
ると、クリーニング等の処理を受ける際、光導電
層表面は直に摺擦される為に、その一部が削り取
られて、現像剤中に混入したり、複写機内に飛散
したり、複写画像中に混入したりして、人体に接
触する原因を考える結果を生む。又、Se系光導
電層は、その表面がコロナ放電に、連続的に多数
回繰返し晒されると、層の表面付近が結晶化又は
酸化を起して光導電層の電気的特性の劣化を招く
場合が少なくない。或いは、又、光導電層表面が
露呈していると、静電像の可視化（現像）に際
し、液体現像剤を使用する場合、その溶剤と接触
する為に耐溶剤性（耐液現性）に優れていること
が要求されるが、この点に於いて、Se系光導電
層は必ずしも満足しているとは断言し難い。 これ等の点を改良する為に、Se系光導電層の
表面を、所謂保護層や電気絶縁層等と称される表
面被覆層で覆うことが提案されている。 而乍ら、これ等の改良に関しても、光導電層と
表面被覆層との接着性、電気的接触性及び表面被
覆層に要求される電気的特性や表面性の点に於い
て充分なる解決が成されているとは云い難いのが
現情である。 又、別には、Se系光導電層は、通常の場合真
空蒸着によつて形成されるので、その為の装置へ
の著しい資本投下を必要とし、且つ、所期の光導
電特性を有する光導電層を再現性良く得るには、
蒸着温度、蒸着基板温度、真空度、冷却速度等の
各種の製造パラメーターを厳密に調整する必要が
ある。 更に、表面被覆層は、光導電層表面に、フイル
ム状のものを接着剤を介して貼合するか、又は、
表面被覆層形成材料を塗布して形成される為に、
光導電層を形成する装置とは別に装置を設置する
必要があつて、設備投資の著しい増大があつて、
昨今の様な減速経済成長期に於いては甚だ芳しく
ない。 又、Se系光導電層は、電子写真用像形成部材
の光導電層としての高暗抵抗を保有する為に、ア
モルフアス状態に形成されるがSeの結晶化が約
65℃と極めて低い温度で起る為に、製造後の取扱
い中に、又は使用中に於ける周囲温度や画像形成
プロセス中の他の部材との摺擦による摩擦熱の影
響を多分に受けて結晶化現象を起し、暗抵抗の低
下を招き易いという耐熱性上にも欠点がある。 一方、ZnO、CdS等を光導電層構成材料として
使用する電子写真用像形成部材は、その光導電層
が、ZnOやCdS等の光導電材料粒子を適当な樹脂
結合剤中に均一に分散して形成されている。こ
の、所謂バインダー系光導電層を有する像形成部
材は、Se系光導電層を有する像形成部材に較べ
て製造上に於いて有利であつて、比較的製造コス
トの低下を計ることが出来る。即ち、バインダー
系光導電層は、ZnOやCdSの粒子と適当な樹脂結
着剤とを適当な溶剤を用いて混練して調合した塗
布液を適当な基板上に、ドクターブレード法、デ
イツピング法等の塗布方法で塗布した後固化させ
るだけで形成することが出来るので、Se系光導
電層を有する像形成部材に較べ製造装置にそれ程
の資本投下をする必要がないばかりか、製造法自
体も簡便且つ容易である。 而乍ら、バインダー系光導電層は、基本的に構
成材料が光導電材料と樹脂結着剤の二成分系であ
るし、且つ光導電材料粒子が樹脂結着剤中に均一
に分散されて形成されなければならない特殊性の
為に、光導電層の電気的及び光導電的特性や物理
的化学的特性を決定するパラメーターが多く、従
つて、斯かるパラメーターを厳密に調整しなけれ
ば所望の特性を有する光導電層を再現性良く形成
することが出来ずに歩留りの低下を招き量産性に
欠けるという欠点がある。 又、バインダー系光導電層は、分散系という特
殊性故に、層全体がポーラスになつており、その
為に湿度依存性が著しく、多湿雰囲気中で使用す
ると電気的特性の劣化を来たし、高品質の複写画
像が得られなくなる場合が少なくない。 更には、光導電層のポーラス性は、現像の際の
現像剤の層中への侵入を招来し、離型性、クリー
ニング性が低下するばかりか使用不能を招く原因
ともなり、殊に、液体現像剤を使用すると毛管現
象による促進をうけてそのキヤリアー溶剤と共に
現像剤が層中に侵透するので上記の点は著しいも
のとなり、Se系光導電層の場合と同様に光導電
層表面を表面被覆層で覆うことが必要となる。 而乍ら、この表面被覆層を設ける改良も、光導
電層のポーラス性に改因する光導電層表面の凹凸
性故に、その界面が均一にならず、光導電層と表
面被覆層との接着性及び電気的接触性の良好な状
態を得る事が仲々困難であるという欠点が存す
る。 又、CdSを使用する場合には、CdS自体の人体
への影響がある為に、製造時及び使用時に於い
て、人体に接触したり、或いは、周囲環境下に飛
散したりすることのない様にする必要がある。
ZnOを使用する場合には、人体に対する影響は殆
んどないが、ZnOバインダー系光導電層は光感度
が低く、分光感度領域が狭い、光疲労が著しい、
光応答性が悪い等の欠点を有している。 又、最近注目されているPVKやTNF等の有機
光導電材料を使用する電子写真用像形成部材に於
いては、表面が導電処理されたポリエチレンテレ
フタレート等の適当な支持体上にPVKやTNF等
の有機光導電材料の塗膜を形成するだけで光導電
層を形成出来るという製造上に於ける利点及び可
撓性に長けた電子写真用像形成部材が製造出来る
という利点を有するものであるが、他方に於い
て、耐湿性、耐コロナイオン性、クリーニング性
に欠け、又光感度が低い、可視光領域に於ける分
光感度領域が挾く且つ短波長側に片寄つている等
の欠点を有し、極限定された範囲でしか使途に供
されていない。然もこれ等の有機光導電材料の中
には発癌性物質の疑いがあるものもある等、人体
に対してその多くは全く無害であるという保証が
なされていない。 この様は、電子写真用像形成部材の光導電層を
形成する材料として従来から指摘されている光導
電材料を使用した電子写真用像形成部材は、利点
を欠点を併せ持つ為に、ある程度、製造条件及び
使用条件を緩和して各々の使途に合う適当な電子
写真用像形成部材を各々に選択して実用に供して
いるのが現情である。 従つて、上述の諸問題点の解決された優れた電
子写真用像形成部材が得られる様な電子写真用像
形成部材の光導電層を形成する材料としての第３
の材料が所望されている。 その様な材料として最近有望視されているもの
の中に例えばアモルフアスシリコン（以後ａ−Si
と略記する）やアモルフアスゲルマニウム（以後
ａ−Geと略記する）がある。 ところでａ−Si膜やａ−Ge膜は、開発初期の
ころは、その製造法や製造条件によつて、その構
造が左右される為に種々の電気的特性・光学的特
性を示し、再現性の点に大きな問題を抱えてい
た。例えば、初期に於いて、真空蒸着法やスパツ
ターリング法で形成されたａ−Si膜は、ボイド等
の欠陥を多量に含んでいて、その為に電気的性質
も光学的性質も大きく影響を受け、基礎物性の研
究材料としてもそれ程注目されてはいず、応用の
為の研究関発もなされなかつた。而乍ら、アモル
フアスではｐ、ｎ制御が不可能とされていたの
が、ａ−Siに於いて、1976年初頭にアモルフアス
としては初めて、ｐ−ｎ接合が実現し得るという
報告Applid Physics Letter；vol.28、No.2、15
January1976）が成されて以来、大きな関心が集
められ、以後上記の不純物のドーピングによつ
て、ｐ−ｎ接合が得られることに加えて結晶性シ
リコン（ｃ−Siと略記する）では非常に弱いルミ
ネセンスがａ−Siでは高効率で観測できるという
観点から、例えば米国特許第4064521号にみられ
るように主として太陽電池（光起電器）への応用
に研究開発の穂先が向けられて来ている。そして
該米国特許は、基体にシラン中グロー放電により
得たａ−Si体を重ね、その上に金属層と、電極を
内包する抗反射層を有してなる太陽電池を開示し
ている。該米国特許にはまた、前記ａ−Si体につ
いて、ひと言それに水素が存在すれば良好な電子
特性に有利であると思われる、と記載されている
が、これについてはそれ以上の開示はなく事実と
して具体化されたものではない。 この様に、これ迄に報告されているａ−Si膜
は、太陽電池用として開発されたものであるの
で、その電気的特性・光学的特性の点に於いて、
電子写真感光体の光導電層としては使用し得ない
のが実情である。即ち、太陽電池は、太陽エネル
ギーを電流の形に変換して取り出すので、SN比
が良くて、効率良く電流を取り出すには、ａ−Si
膜の抵抗は小さくなければならないが余り抵抗が
少さ過ぎると光感度が低下し、SN比が悪くなる
ので、その特性の一つとしての抵抗は10⁵〜10⁸
Ω・cm程度が要求される。 而乍ら、この程度の抵抗（暗抵抗：暗所での抵
抗）を有するａ−Si膜は、電子写真感光体の光導
電層としては、余りにも抵抗（暗抵抗）が低く過
ぎて、現在、知られている電子写真法を適用する
のでは全く使用し得ない。この暗抵抗の問題はａ
−Geについてもまた同様である。 又、電子写真感光体の光導電層形成材料として
は、明抵抗（光照射時の抵抗）が暗抵抗に較べて
２〜４桁程度小さいことが要求されるが、従来、
報告されているａ−Si膜やａ−Ge膜では精々２
桁程度であるので、この点に於いても従来のａ−
Si膜やａ−Ge膜では、その特性を充分満足し得
る光導電層とは成り得なかつた。 又、別には、これ迄のａ−Si膜に関する報告で
は、暗抵抗を増大させると光感度が低下し、例え
ば、暗抵抗が10¹⁰Ω・cmでのａ−Si膜では、光
抵抗を同程度の値を示すことが示されているが、
この点に於いても、従来のａ−Si膜は電子写真感
光体の光導電層とは成り得なかつた。 そして、電子写真感光体の光導電層は、上記要
件の外に、静電特性、耐コロナイオン性、耐溶剤
性、耐光疲労性、耐湿性、耐熱性、耐摩耗性、ク
リーニング性等の要件を満足するものでなければ
ならない。 ａ−Siについて報告した文献はいくつか見られ
るが、それ等のいずれにも前述の各種要件を満足
する電子写真感光体の光導電層を示唆するところ
は見当らない。 例えば、Journal of Photographic Science
Vol.25、No.3、pp.127〜28（May／June1977）に
は、グロー放電によるａ−Siの製法が報告されて
いるが、その製法及び得られるａ−Siについての
具体的開示は全くなく、単に得られるａ−Siが特
徴的密度状態と輸送特性を有する光導電物質たり
得ることを記載するにとどまつている。 また、Applied Physics Letters、Vol.30、
No.11、pp.561−563（June1、1977）には、グロ
ー放電法で作成した水素化ａ−Siについての記載
はあるが、膜の厚みと水素の量的関係を開示する
にとどまつている。 更に、Solid States Communications Vol.23.
pp.155−158（1977）には、rfスパツター法で作
成した水素化ａ−Siについて報告されているが、
その内容はそうしたａ−Siの性状についての試
験、その結果の検討であり、その中でスパツター
法で作成した水素化ａ−Siの太陽電池材料として
の使用可能性を示唆し、それが暗導電性が非常に
低くしたがつて光電池の内部抵抗は非常に高いで
あろう推測している程度であり、報告の結論のと
ころで、“しかしながら水素導入の機能としての
光応答の詳細な挙動は、輸送及び再結合における
Si−Ｈ反結合状態の役割について新たな問題を提
起する。また、Ｈ−補償SiからSi−Ｈ合金に至る
までを含めて、その物質の変化する原子配列及び
構造を注意深く検討する必要があることは明らか
である。これが系統的に行われるまでは、ここに
述べたように試験から導き出される結論は、それ
等が示唆する新たな観点に対しての予備的なもの
として考えるべきである。”としているところで
あつて、上述した電子写真感光体の光導電層につ
いては全く触れるところはない。 更にまた、Journal of Electrochemical
Society、Vol.116、No.1、pp.77−81（January、
1969）には、シランガスからアモルフアスシリコ
ン膜を堆積するについての方法、得られたものに
ついての電気抵抗、活性化エネルギー、光学的性
質等が記載されているが、電子写真法への適用に
ついて触れるところは全くなく、また、水素原子
含有量、抵抗値、高感度、SN比の関係等電子写
真法での使用について不可欠な諸要件についての
示唆もない。 本発明は、上記の諸点に鑑み成されたものでａ
−Si及びａ−Geに就て電子写真用像形成部材の
光導電層への適用という観点から総括的に鋭意研
究検討を続けた結果、炭素を化学修飾物質
（chemical modifier）として含むａ−Si又は／及
びａ−Geの半導体層とすれば、電子写真用像形
成部材の光導電層として極めて有効に適用され得
るばかりでなく、電子写真用像形成部材の従来の
光導電層と較べて殆んどの点に於いて凌駕してい
ることを見出した点に基いている。 本発明は、製造時に於いては、装置のクローズ
ドシステム化が容易に出来るので、人体に対する
悪影響を避け得ることが出来、又一旦製造された
ものは使用上に際し、人体ばかりかその他の生
物、更には自然環境に対しての影響がなく無公害
であつて、殊に耐熱性、耐湿性に優れ、電子写真
特性が常時安定していて、殆んど使用環境に限定
を受けない全環境型であり、耐光疲労性、耐コロ
ナイオン性に著しく長け、繰返し使用に際しても
劣化現象を起さない電子写真用像形成部材を提供
することを主たる目的とする。 本発明の他の目的は、濃度が高く、ハーフトー
ンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画像を
得る事が容易に出来る電子写真用像形成部材を提
供することである。 本発明のもう一つの目的は、暗抵抗及び光感度
が高く、又、分光感度領域が略々全可視光域を覆
つており暗減衰速度が小さくて光応答性が速く、
且つ耐摩耗性、クリーニング性、耐溶剤性に優れ
た電子写真用像形成部材を提供することでもあ
る。 本発明の所期の目的は、光導電層を、シリコン
又は／及びゲルマニウムを母体とし、炭素を化学
修飾物質として含むアモルフアス半導体（以降ａ
−半導体を略記する）で形成することによつて達
成される。 本発明の電子写真用像形成部材の最も代表的な
構成例が第１図、第２図及び第３図に示される。
第１図に示される電子写真用像形成部材１は、支
持体２、光導電層３から構成され、光導電層３
は、像形成面となる自由表面を有し、該層３は、
シリコン又は／及びゲルマニウムを母体とし、炭
素を化学修飾物質として含むａ−半導体で形成さ
れている。 上記の様にａ−Si又は／及びａ−Geを母体と
するａ−半導体に炭素を化学修飾物質の形で含有
させて光導電層を形成すると、暗抵抗の著しい増
大と、高光感度化を計ることが出来、従来のSe
系光導電層と較べても優るとき劣らない程極めて
優れた電子写真特性を有する光導電層と成り得
る。 ａ−Si又は／及びａ−Geを母体とするａ−半
導体に炭素を化学修飾物質の形で含有させるに
は、例えば光導電層をグロー放電法で形成する場
合には、炭素化合物のガスをSi又は／及びGeを
形成する原料ガスと共に内部を減圧にし得る堆積
室内に導入して該堆積室内でグロー放電を生起さ
せ光導電層を形成すれば良い。又、例えば光導電
層をスパツターリング法で形成する場合には、所
望の混合比とし、（Si＋Ｃ）、（Ge＋Ｃ）、（Si＋Ge
＋Ｃ）なる成分で形成したスパツター用のターゲ
ツトを使用するかSi又は／及びGeのウエハーと
Ｃウエハーの二枚のターゲツトを使用して、スパ
ツターリングを行うか、又は炭素化合物のガス
を、例えばArガス等のスパツター用のガスと共
に堆積室内に導入して、Si又はGe、或いは（Si
＋Ge）のターゲツトを使用してスパツターリン
グを行つて光導電層を形成すれば良い。 本発明に於いて、使用され得る炭素化合物とし
ては、形成される光導電層に不必要な不純物が取
り込まれないものであつて、且つ光導電層中に炭
素が化学修飾物質とし有効な形で含有されるもの
であれば大概の炭素化合物が使用され得る。 その様な炭素化合物として、好適には、常温に
於いて、ガス状態を取り得るものが有効である。
その様なものとしては例えば炭素数１〜４の飽和
炭化水素、炭素数２〜４のエチレン系炭化水素、
炭素数２〜３のアセチレン系炭化水素等が挙げら
れる。 具体的には、飽和炭化水素としてはメタン
（CH₄）、エタン（C₂H₆）、プロパン（C₃H₈）、ｎ
−ブタン（ｎ−C₄H₁₀）、エチレン系炭化水素と
しては、エチレン（C₂H₄）、プロピレン
（C₃H₆）、ブテン−１（C₄H₈）、ブテン−２
（C₄H₈）、イソブチレン（C₄H₈）、アセチレン系炭
化水素としては、アセチレン（C₂H₂）、メチルア
セチレン（C₃H₄）が挙げられる。 本発明に於いて、形成される光導電層中に、化
学修飾物質として含有される炭素の量は、形成さ
れる光導電層の特性を大きく左右するものであつ
て、所望に応じて適宜決定されねばならないが、
通常の場合、0.1〜30原子％、好適には0.1〜20原
子％、最適には、0.2〜15原子％とされるのが望
ましい。 本発明に於いて、Si又は／及びGeを母体と
し、炭素を化学修飾物質として含むａ−半導体で
構成される光導電層は、下記のタイプのａ−半導
体の中の一種類で層形成するか又は少なくとも二
種類を選択し、異なるタイプのものが接合される
状態として層形成する事によつて成される。 ｎ型……ドナー（donor）のみを含むもの、
或いは、ドナーとアクセプター（acceptor）と
の両方を含み、ドナーの濃度（Nd）が高いも
の。 ｐ型……アクセプターのみを含むもの。或い
は、ドナーとアクセプターの濃度（Na）が高
いもの。 ｉ型……NaNdＯのもの又は、NaNdの
もの。 本発明の電子写真用像形成部材の光導電層を構
成する層としての〜のタイプのａ−半導体層
は、後に詳述する様にグロー放電法や反応スパツ
タリング法等による層形成の際に、ｎ型不純物又
はｐ型不純物、或いは、両不純物を、形成される
ａ−半導体層中にその量を制御してドーピングし
てやる事によつて形成される。 この場合、本発明者等の実験結果からの知見に
よれば、層中の不純物の濃度を10¹⁵〜10¹⁹cm^-3の
範囲内に調整することによつて、より強いｎ型
（又はより強いｐ型）のａ−半導体層からより弱
いｎ型（又はより弱いｎ型）のａ−半導体層を形
成する事が出来る。 〜のタイプのａ−半導体層は、グロー放電
法、スパツターリング法、イオンインプランテー
シヨン法、イオンプレーテイング法等によつて形
成される。これ等の製造法は、製造条件、設備資
本投下の負荷速度、製造規模、製造される像形成
部材に所望される電子写真特性等の要因によつて
適宜選択されて採用されるが、所望する電子写真
特性を有する像形成部材を製造する為の制御が比
較的容易である、〜のタイプに制御する為に
ａ−半導体層中に不純物を導入するのに周期律表
の族又は族の不純物を置換型で導入すること
が出来る等の利点からグロー放電法が好適に採用
される。 更に、本発明に於いては、グロー放電法とスパ
ツターリング法とを同一装置系内で併用してａ−
半導体層を形成しても良い。ａ−半導体層は、本
発明の目的とする電子写真用像形成部材が得られ
る可く、Ｈが含有される。ここに於いて、「ａ−
半導体層中にＨが含有されている」ということ
は、「Ｈが、Si又はGeと結合した状態」、「Ｈがイ
オン化して層中に取り込まれている状態」又は
「H₂として層中に取り込まれている状態」の何れ
かの又はこれ等の複合されている状態を意味す
る。ａ−半導電層へのＨの含有は、層を形成する
際、製造装置系内にSiH₄、Si₂H₆、GeH₄等の化合
物又はH₂の形で導入した後、熱分解、クロー放
電分解等の方法によつて、それ等の化合物又は
H₂を分解して、ａ−半導体層中に、層の成長に
併せて含有させても良いし、又、イオンインプラ
ンテーシヨン法で含有させても良い。 本発明者の知見によれば、ａ−半導体層中への
Ｈの含有量は、形成される像形成部材が実際面に
於いて適用され得るか否かを左右する大きな要因
の一つであつて、殊に形成されるａ−半導体層を
ｐ型又はｎ型に制御する一つの要素として、極め
て重要であることが判明している。 本発明に於いて、形成される像形成部材を実際
面に充分適用させ得る為には、ａ−半導体層中に
含有されるＨの量は通常の場合１〜40原子％好適
には５〜30原子％とされるのが望ましい。ａ−半
導体層中へのＨ含有量が上記の数値範囲に限定さ
れる理由の理論的裏付は今の処、明確にされてお
らず推論の域を出ない。而乍ら数多くの実験結果
から、上記数値範囲外のＨの含有量では、例えば
本発明の像形成部材の光導電層を構成するａ−半
導体層としての要求に応じた特性に制御するのが
極めて困難である、製造された電子写真用像形成
部材は照射される電磁波に対する感度が極めて低
い、又は場合によつては、該感度が殆んど認めら
れない、電磁波照射によるキヤリアーの増加が小
さい等が認められ、Ｈの含有量が上記の数値範囲
内にあるのが必要条件であることが裏付けられて
いる。ａ−半導体層中へのＨの含有は、例えば、
グロー放電法では、ａ−半導体を形成する出発物
質がSiH₄、Si₂H₆、GeH₄等の水素化物を使用する
ので、SiH₄、Si₂H₆、GeH₄等の水素化物が分解し
てａ−半導体層が形成される際、Ｈは自動的に層
中に含有されるが、更にＨの層中への含有を一層
効率良く行なうには、ａ−半導体層を形成する際
に、グロー放電を行なう装置系内にH₂ガスを導
入してやれば良い。 スパツターリング法による場合にはAr等の不
活性ガス又はこれ等のガスをベースとした混合ガ
ス雰囲気中でSi又はGe、或いは（Si＋Ge）、更に
はこれ等の炭素を含むものをターゲツトとしてス
パツターリングを行なう際にH₂ガスを導入して
やるか又はSiH₄、Si₂H₆等の水素化硅素ガスや
GeH₄等の水素化ゲルマニウムガス、或いは、不
純物のドーピングも兼ねてB₂H₆、PH₃等のガスを
導入してやれば良い。 本発明の目的を達成する為にａ−半導体層中に
含有されるＨの量を制御するには、蒸着基板温度
又は／及びＨを含有させる為に使用される出発物
質の製造装置系内へ導入する量を制御してやれば
良い。更には、ａ−半導体層を形成した後に、該
層を、活性化した水素雰囲気中に晒しても良い。
又、この時ａ−半導体層を結晶温度以下で加熱す
るのも一つの方法である。殊にａ−半導体層の暗
抵抗を向上させるためには、該加熱処理法は有効
な手段である。又、高強度の光の様な電磁波を照
射して、ａ−半導体層の暗抵抗を向上させる方法
も有効な方法である。 ａ−半導体層中にドーピングされる不純物とし
ては、ａ−半導体層をｐ型にするには、周期律表
第族Ａの元素、例えばＢ、Al、Ga、In、Tl等
が好適なものとして挙げられ、ｎ型にする場合に
は、周期律表第族Ａの元素、例えばＮ、Ｐ、
As、Sb、Bi等が好適なものとして挙げられる。
これ等の不純物は、ａ−半導体層中に含有される
量がppmオーダーであるので、光導電層を構成
する主物質程その公害性に注意を払う必要はない
が出来る限り公害性のないものを使用するのが好
ましい。この様な観点からすれば、形成されるａ
−半導体層の電気的・光学的特性を加味して、例
えば、Ｂ、As、Ｐ、Sb等が最適である。この他
に、例えば、熱拡散やインプランテーシヨンによ
つてLi等がインターステイシアルにドーピングさ
れることでｎ型に制御することも可能である。 ａ−半導体層中にドーピングされる不純物の量
は、所望される電気的・光学的特性に応じて適宜
決定されるが、周期律表第族Ａの不純物の場合
には、通常10^-6〜10^-3原子％、好適には10^-5〜
10^-4原子％、周期律表第族Ａの不純物の場合に
は、通常10^-8〜10^-3原子％、好適には10^-8〜10^-4
原子％とされるのが望ましい。 これ等不純物のａ−半導体層中へのドーピング
方法は、ａ−半導体層を形成する際に採用される
製造法によつて各々異なるものであつて、具体的
には、以降の説明又は実施例に於いて詳述され
る。 第１図に示される電子写真用像形成部材の如
き、光導電層３が自由表面を有し、該自由表面
に、静電像形成の為の帯電処理が施される像形成
部材に於いては、光導電層３と支持体２との間
に、静電像形成の際の帯電処理時に支持体２側か
らのキヤリアーの注入を阻止する働きのある障壁
層を設けるのが一層好ましいものである。この様
な支持体２側からのキヤリアーの注入を阻止する
働きのある障壁層を形成する材料としては、選択
される支持体の種類及び形成される光導電層の電
気的特性に応じて適宜選択されて適当なものが使
用される。その様な障壁層形成材料としては、例
えば、Al₂O₃、SiO、SiO₂等の無機絶縁性化合
物、ポリエチレン、ポリカーボネイト、ポリウレ
タン、パリレン等の有機絶縁性化合物Au、Ir、
Pt、Rh、Pd、Mo等の金属である。 支持体２としては、導電性でも電気絶縁性であ
つても良い。導電性支持体としては、例えばステ
ンレス、Al、Cr、Mo、Au、Ir、Nb、Te、Ｖ、
Ti、Pt、Pd等の金属又はこれ等の合金が挙げら
れる。電気絶縁性支持体としては、ポリエステ
ル、ポリエチレン、ポリカーポネート、セルロー
ズトリアセテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビ
ニル、ポリ塩化ビリニデン、ポリスチレン、ポリ
アミド等の合成樹脂のフイルム又はシート、ガラ
ス、セラミツク、紙等が通常使用される。これ等
の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその
一方の表面を導電処理されるのが望ましい。 例えば、ガラスであれば、In₂O₃、SnO₂等でそ
の表面が導電処理され、或いはポリエステルフイ
ルム等の合成樹脂フイルムであれば、Al、Ag、
Pb、Zn、Ni、Au、Cr、Mo、Ir、Nb、Ta、Ｖ、
Ti、Pt等の金属で真空蒸着、電子ビーム蒸着、
スパツタリング等で処理し、又は前記金属でラミ
ネート処理して、その表面が導電処理される。支
持体の形状としては、円筒状、ベルト状、板状
等、任意の形状として得、所望によつて、その形
状は決定されるが、連続高速複写の場合には、無
端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。 支持体の厚さは、所望通りの像形成部材が形成
される様に適宜決定されるが、像形成部材として
可撓性が要求される場合には、支持体としての機
能が充分発揮される範囲内であれば、可能な限り
薄くされる。而乍ら、この様な場合、支持体の製
造上及び取扱い上、機械的強度等の点から、通常
は、10μ以上とされる。 第２図に示される電子写真用像形成部材４は支
持体５、光導電層６から構成され、光導電層６は
像形成面となる自由表面を有し、該層６中には空
乏層７が形成されている。 光導電層６中に空乏層７を設けるには、光導電
層６を、前記のタイプのａ−半導体の中の少なく
とも二種類を選択し、異なるタイプのものが接合
される状態として層形成することによつて成され
る。 即ち、空乏層７は、例えば、所望に従つた表面
特性を有する支持体５上に、先ず、ｉ型のａ−半
導体層を所定の層厚で形成し、次いで該ｉ型ａ−
半導体層上にｐ型のａ−半導体層を形成すること
によつてｉ型ａ−半導体層とｐ型ａ−半導体層と
の接合部として形成される（以後、空乏層７に関
して支持体５側のａ−半導体層を内部層８、自由
表面側のａ−半導体層を外部層９と称する）。詰
り、空乏層７は、異なるタイプのａ−半導体層が
接合される様に、光導電層６を形成した場合に、
内部ａ−半導体層と外部ａ−半導体層との境界遷
移領域に形成される。空乏層７は、電子写真用像
形成部材に静電像を形成するプロセス中の一工程
である電磁波照射工程の際に、照射される電磁波
を吸収して移動可能なキヤリアーを生成する層と
しての機能を有する。又、空乏層７は、定常状態
では、フリーキヤリアーの枯渇した状態となつて
いるので所謂真性半導体としての挙動を示す。 第１図及び第２図に示される像形成部材は、光
導電層が自由表面を有する構成のものであるが、
光導電層表面上には従来のある種の電子写真用像
形成部材の様に、所謂保護層や電気的絶縁層等の
表面被覆層を設けてもよい。その様な表面被覆層
を有する像形成部材が第３図に示される。 第３図に示される像形成部材１０は、支持体１
１と光導電層１２と光導電層１２上に自由表面を
有する表面被覆層１３を有する点以外は、構成上
に於いて、第１図に示される像形成部材１又は第
２図に示される像形成部材４と本質的に異なるも
のではない。而乍ら、表面被覆層１３に要求され
る特性は、適用する電子写真プロセスによつて
各々異なる。即ち、例えば、特公昭42−23910号
公報、同43−24748号公報に記載されているNP方
式の様な電子写真プロセスを適用するのであれ
ば、表面被覆層１３は、電気的絶縁性であつて、
帯電処理を受けた際の静電荷保持能が充分であつ
て、ある程度以上の厚みがあることが要求される
が、例えば、カールソンプロセスの如き電子写真
プロセスを適用するのであれば、静電像形成後の
明部の電位は非常に小さいことが望ましいので表
面被覆層１３の厚さとしては非常に薄いことが要
求される。表面被覆層１３は、その所望される電
気的特性を満足するのに加えて、光導電層１２に
化学的・物理的に悪影響を与えないこと、光導電
層１２との電気的接触性及び接着性、更には耐湿
性、耐摩耗性、クリーニング性等を考慮して形成
される。 表面被覆層１３の形成材料として有効に使用さ
れるものとして、その代表的なのは、ポリエチレ
ンテレフタレート、ポリカーポネート、ポリプロ
ピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、
ポリビニルアルコール、ポリスチレン、ポリアミ
ド、ポリ四弗化エチレン、ポリ三弗化塩化エチレ
ン、ポリ弗化ビニル、ポリ弗化ビニリデン、六弗
化プロピレン−四弗化エチレンコポリマー、三弗
化エチレン一弗化ビニリデンコポリマー、ポリブ
デン、ポリビニルブチラール、ポリウレタン等の
合成樹脂、ジアセテート、トリアセテート等のセ
ルロース誘導体等が挙げられる。これ等の合成樹
脂又はセルロース誘導体は、フイルム状とされて
光導電層１２上に貼合されても良く、又、それ等
の塗布液を形成して、光導電層１２上に塗布し、
層形成しても良い。表面被覆層１３の層厚は、所
望される特性に応じて、又、使用される材質によ
つて適宜決定されるが、通常の場合、0.5〜70μ
程度とされる。殊に表面被覆層１３が先述した保
護層としての機能が要求される場合には、通常の
場合、10μ以下とされ、逆に電気的絶縁層として
の機能が要求される場合には、通常の場合10μ以
上とされる。而乍ら、この保護層と電気絶縁層と
を差別する層厚値は、使用材料及び適用される電
子写真プロセス、設計される像形成部材の構造に
よつて、変動するもので、先の10μという値は絶
対的なものではない。 又、この表面被覆層１３は、反射防止層として
の役目も荷わせれば、その機能が一層拡大されて
効果的となる。 以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明す
る。 実施例 １ 完全にシールドされたクリーンルーム中に設置
された第４図に示す装置を用い、以下の如き操作
によつて電子写真用像形成部材を作製した。 表面が清浄にされた0.2mm厚５cmφのアルミニ
ウム板（基板）１７を支持台１４上に静置された
グロー放電堆積室１５内の所定位置にある固定部
材１８に堅固に固定した。基板１７は、固定部材
１８内の加熱ヒーター１９によつて±0.5℃の精
度で加温された。温度は、熱対（アルメル−カロ
メル）によつて基板裏面を直接測定されるように
なされた。次いで系内の全バルブが閉じられてい
ることを確認してからメインバルブ２２を全開し
て、室１５内が排気され、約５×10^-6torrの真空
度にした。その後ヒーター１９の入力電圧を上昇
させ、アルミニウム基板温度を検知しながら入力
電圧を変化させ、400℃の一定値になるまで安定
させた。 その後、補助バルブ２４、ついで流出バルブ４
３，４５及び流入バルブ３７，３９を全開し、フ
ローメーター３１，３３内も十分脱気真空状態に
された。補助バルブ２４、バルブ４３，４５，３
７，３９を閉じた後、シランガス（純度99.999
％）ボンベ２５のバルブ４９を開け、出口圧ゲー
ジ５５の圧を１Kg／cm²に調整し、流入バルブ３７
を徐々に開けてフローメータ３１内へシランガス
を流入させた。引きつづいて、流出バルブ４３を
徐々に開け、ついで補助バルブ２４を徐々に開
け、ピラニーゲージ２３の読みを注視しながら補
助バルブ２４の開口を調整し、室１５内が１×
10^-2torrになるまで補助バルブ２４を開けた。室
１５内圧が安定してから、メインバルブ２２を
徐々に閉じピラニーゲージ２３の指示が0.5torr
になるまで開口を絞つた。内圧が安定するのを確
認し、続いてエチレンガス（純度99.99％）ボン
ベ２７のバルブ５１を開き、出口圧ゲージ５７の
圧を１Kg／cm²に調整し、流入バルブ３９を徐々に
開けフローメータ３３にエチレンを流入させた
後、流出バルブ４５を徐々に開け、フローメータ
３３の読みが、シランガスの流量の10％になる様
に流出バルブ４５の開口を定め、安定化させた。
高周波電源２０のスイツチをon状態にして、誘
導コイル２１に、5MHzの高周波電力を投入しコ
イル部（室上部）の室１５内にグロー放電を発生
させ、30Wの入力電力とした。上条件で基板上に
ａ−半導体層を生成させ、８時間同条件を保つた
後、その後、高周波電源２０をoff状態とし、グ
ロー放電を中止させた。引き続いて加熱ヒーター
１９の電源をoffとし、基板温度が100℃になるの
を待つてから補助バルブ、流出バルブ４３，４５
を閉じメインバルブ２２を全開にして、室１５内
を10^-5torr以下にした後、メインバルブ２２を閉
じ室１５内をリークバルブ１６によつて大気圧と
して基板を取り出した。この場合、形成されたａ
−半導体層の全厚は約16μであつた。こうして得
られた像形成部材を、帯電露光実験装置に設置
し、6KVで0.2sec間コロナ帯電を行い、直ちに
光像を照射した。光像は、タングステンランプ光
源を用い、1.5lux・secの光量を透過型のテスト
チヤートを通して照射された。 その後直ちに、荷電性の現像剤（トナーとキ
ヤリアーを含む）を部材表面にカスケードするこ
とによつて、部材表面上に良好なトナー画像を得
た。部材上のトナー画像を、＋5KVのコロナ帯電
で転写紙上に転写した所、解像力に優れ、階調再
現性のよい鮮明な高濃度の画像が得られた。 更に、同装置を同様に操作して、一定のシラン
ガス流量に対してエチレンガス流量を以下の値で
変化させて像形成部材No.2〜No.6を作成し各々
に上述の帯電露光−現像の操作を同一条件で施す
ことによつてそれぞれの画像を比較し評価した。
その結果を第１表に示した。

【表】 評価基準；◎…優 ○…良 △…実用上可
次に、エチレンガス流量比をシランガス流量の
10Vol％に固定し、アルミニウム基板温度を第２
表に示す様に各々変化させて形成した像形成部材
No.7〜No.11に就て同様の評価を行つた結果を第
２表に示す。

【表】 表中の（ ）内は、窒素中400℃の熱処理１時
間後の評価であり、低い基板温度の析出感光体で
は、熱処理によつて鮮明度は改善された。 実施例 ２ 完全にシールドされたクリーンルーム中に設置
された第４図に示す装置を用い、以下の如き操作
によつて電子写真用像形成部材を作製した。 表面が清浄にされた0.2mm厚５cmφのアルミニ
ウム板（基板）１７を、支持台１４上に静置され
たグロー放電堆積室１５内の所定位置にある固定
部材１８に堅固に固定した。基板１７は、固定部
材１８内の加熱ヒーター１９によつて±0.5℃の
精度で加温される。温度は、熱電対（アルメル−
カロメル）によつて基板裏面を直接測定されるよ
うになされた。次いで系内の全バルブが閉じられ
ていることを確認してからメインバルブ２２を全
開して、室１５内が排気され、約５×10^-5torrの
真空度にした。その後、ヒーター１９の入力電圧
を上昇させ、アルミニウム基板温度を検知しなが
ら入力電圧を変化させ、300℃の一定値になるま
で安定させた。 その後、補助バルブ２４、ついで流出バルブ４
４，４６及び流入バルブ３８，４０を全開し、フ
ローメーター３２，３４内も十分脱気真空状態に
された。補助バルブ２４、バルブ４４，４６，３
２，３４を閉じた後、ゲルマンガス（純度99.999
％）ボンベ２６のバルブ５０を開け、出口圧ゲー
ジ５６の圧を１Kg／cm²調整し、流入バルブ３８を
徐々に開けてフローメーター３２内へゲルマンガ
スを流入させた。引きつづいて、流出バルブ４４
を徐々に開け、ついで補助バルブ２４を徐々に開
け、ピラニーゲージ２３の読みを注視しながら補
助バルブ２４の開口を調整し、室１５内が１×
10^-2torrになるまで補助バルブ２４を開けた。槽
内圧が安定してから、メインバルブ２２を徐々に
閉じピラニーゲージ２３の指示が0.5torrになる
まで開口を絞つた。内圧が安定するのを確認し、
続いてアセチレンガス（純度99.99％）ボンベ２
８のバルブ５２を開き、出口圧ゲージ５８の圧を
１Kg／cm²に調整し、流入バルブ４０を徐々に開け
フローメータ３４にアセチレンを流入させた後、
流出バルブ４６を徐々に開け、フローメータ３４
の読みが、ゲルマンガスの流量の20％になる様に
流出バルブ４６の開口を定め安定化させた。続い
て高周波電源２０のスイツチをon状態にして、
誘導コイル２１に、5MHzの高周波電力を投入
し、室１５内のコイル内部（室上部）にグロー放
電を発生させ、10Wの入力電力とした。上条件で
基板上にａ−半導体層を生長させ、８時間同条件
を保つた後、その後、高周波電源２０をoff状態
とし、グロー放電を中止させた。引き続いて、加
熱ヒーターの電源をoffとし、基板温度が100℃に
なるのを待つてから流出バルブ４４，４６を閉じ
メインバルブ２２を全開にして、室内を10^-5torr
以下にした後、補助バルブ２４、メインバルブ２
２を閉じ室１５内をリークバルブ１６によつて大
気圧として基板を取り出した。この場合形成され
たａ−半導体層の全厚は約18μであつた。 こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験
装置に設置し、6KVで0.2sec間コロナ帯電を行
い、直ちに光像を照射した。光像は、キセノンラ
ンプ光源を用い、15lux・secを透過型のテストチ
ヤートを通して照射された。 その後直ちに、荷電性の現像剤（トナーとキ
ヤリアーを含有）を部材表面にカスケードするこ
とによつて、部材表面上に良好なトナー画像を得
た。部材上のトナー画像を、＋5KVのコロナ帯電
で転写紙上に転写した所、解像力に優れ、階調再
現性のよい鮮明な高濃度の画像が得られた。 実施例 ３ 完全にシールドされたクリーンルーム中に設置
された第４図に示す装置を用い、以下の如き操作
によつて電子写真用像形成部材を作製した。表面
が清浄にされた0.2mm厚５cmφのアルミニウム板
（基板）１７を、グロー放電堆積室１５内の所定
位置にある固定部材１８に堅固に固定した。基板
１７は、固定部材１８内の加熱ヒーター１９によ
つて±0.5℃の精度で加温された。温度は、熱電
対（アルメル−クロメル）によつて基板裏面を直
接測定されるようになされた。次いで系内の全バ
ルブが閉じられていることを確認してからメイン
バルブ２２を全開して、室１５内が排気され、約
５×10^-5torrの真空度にした。その後、ヒーター
１９の入力電圧を上昇させ、アルミニウム基板温
度を検知しながら入力電圧を変化させ、350℃の
一定値になるまで安定させた。 その後、補助バルブ２４、ついで流出バルブ４
３，４４，４５及び流入バルブ３７，３８，３９
を全開し、フローメーター３１，３２，３３内も
十分脱気真空状態にされた。補助バルブ２４、バ
ルブ４３，４４，４５，３７，３８，３９を閉じ
た後、シランガス（純度99.999％）ボンベ２５の
バルブ４９を開け、出口圧ゲージ５５の圧を１
Kg／cm²に調整し、流入バルブ３７を徐々に開けて
フローメータ３１内へシランガスを流入させた。
引きつづいて、流出バルブ４３を徐々に開け、つ
いで補助バルブ２４を徐々に開け、ピラニーゲー
ジ２３の読みを注視しながら補助バルブ２４の開
口を調整し、室１５内が１×10^-2torrになるまで
補助バルブ２４を開けた。室内圧が安定してか
ら、メインバルブ２２を徐々に閉じピラニーゲー
ジ２３の指示が0.5torrになるまで開口を絞つ
た。内圧が安定するのを確認して、続いてゲルマ
ンガス（純度99.999％）ボンベ２６のバルブ５０
を開き、出口圧ゲージ５６の圧を１Kg／cm²に調整
し、流入バルブ３８を徐々に開けフローメータ３
２にゲルマンを流入させた後、流出バルブ４４を
徐々に開け、フローメータ３２の読みが、シラン
ガスの流量の30％になる様に流出バルブ４４の開
口を定め、安定化させた。続いて、エチレンガス
（純度99・99％）ボンベ２７のバルブ５１を開
き、出口圧ゲージ５７の圧を１Kg／cm²に調整し、
流入バルブ３９を徐々に開けフローメータ３３に
エチレンを流入させた後、流出バルブ４５を徐々
に開け、フローメータ３３の読みが、シランガス
の流量の20％になる様に流出バルブ４５の開口を
定め、安定化させた。続いて、高周波電源２０の
スイツチをon状態にして、誘導コイル２１に、
5MHzの高周波電力を投入し、室内１５のコイル
内部（室上部）にグロー放電を発生させ、30Wの
入力電力とした。上条件で基板上にａ−半導体層
を生長させ、８時間同条件を保つた後、その後、
高周波電源２０をoff状態とし、グロー放電を中
止させた。引き続いて、加熱ヒーターの電源を
offとし、100℃になるのを持つてから補助バルブ
２４、流出バルブ４３，４４，４５を閉じてメイ
ンバルブ２２を全開にして、室内を10^-5torr以下
にした後、メインバルブ２２を閉じ室１５内をリ
ークバルブ１６によつて大気圧として基板を取り
出した。この場合、形成された層の全厚は約18μ
であつた。 こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験
装置に設置し、6KVで0.2sec間コロナ帯電を行
い、直ちに光像を照射した。光像は、タングステ
ンランプ光源を用い、15lux・secの光量を透過型
のテストチヤートを通して照射された。 その後直ちに、荷電性の現像剤（トナーとキ
ヤリアーを含有）を像形成部材表面にカスケード
することによつて、部材表面上に良好なトナー画
像を得た。部材上のトナー画像を、＋5KVのコロ
ナ帯電で転写紙上に転写した所、解像力に優れ、
階調再現性のよい鮮明な高濃度の画像が得られ
た。 実施例 ４ 実施例１と同様にアルミニウム基板を設置し、
続いて、実施例１と同様の操作によつてグロー放
電堆積室１５内を５×10^-6torrの真空となし、基
板温度は400℃に保たれた後、実施例１と同様に
シランガスとエチレンガス（シランの10％）が流
され、室内は、0.8torrに調節された。この時、
更にホスフインガスが、シランガスの0.03％とな
るように、ホスフインガスボンベ２９からバルブ
５３を通して、１Kg／cm²のガス圧（出口圧力ゲー
ジ５９の読み）で流入バルブ４１、流出バルブ４
７の調節によつてフローメータ３５の読みから室
１５内にシランガス及びエチレンガスと混合流入
された。ガス流入が安定し室内圧が一定となり、
基板温度が400℃に安定してから、実施例１と同
様に高周波電源２０をon状態として、グロー放
電を開始させた。この条件で、６時間グロー放電
を持続させた後、高周波電源２０をoff状態とし
てグロー放電を中止させた。その後、流出バルブ
４３，４５，４７を閉じ、補助バルブ２４、メイ
ンバルブ２２を全開にして、室１５中を５×
10^-6torrまで真空にした。その後、補助バルブ２
４、メインバルブ２２は閉じられ、流出バルブ４
３及び４５を徐々に開け、補助バルブ２４、メイ
ンバルブ２２を上記した層の形成時と同じシラン
ガス及びエチレンガスの流量状態になる様に復起
された。続いて、ジボランガスボンベ３０のバル
ブ５４を開け、出口圧ゲージ６０の圧を１Kg／cm²
に調整し、流入バルブ４２を徐々に開けて、フロ
ーメータ３６内へジボランガスを流入させた。更
に流出バルブ４８を徐々に開け、フローメータ３
６の読みがシランガスの流量の0.04％になるよう
に流出バルブ４８の開口を定め、室１５内へのシ
ランガス及びエチレンガスの流量とともに流量が
安定化するのを待つた。続いて、高周波電源２０
を再on状態として、グロー放電を開始させ、こ
の条件でグロー放電を45分間持続させた後、加熱
ヒーター１９及び高周波電源２０をoff状態とし
て、基板温度が100℃になるのを持つた。その
後、補助バルブ２４、流出バルブ４３，４５，４
８を閉じメインバルブ２２を全開にして室１５内
を一旦10^-5torr以下にした後、メインバルブ２２
を閉じて、室１５内をリークバルブ１６によつて
大気圧した後、基板を取り出した。こうして像形
成部材を得た。形成された全層の厚さは約15μで
あつた。 こうして得られた像形成部材を、実施例１と同
様に帯電露光の実験装置に静置して画像形成の試
験をした所、−6KVのコロナ放電、荷電性現像
剤の組み合せの場合に、極めて良質の、コントラ
ストの高いトナー画像が転写紙上に得られた。 実施例 ５ 表面が清浄にされた0.1mm厚のAl基板（４×４
cm）が実施例１と同様に第３図に示す装置の固定
部材１８上に静置された。続いて、実施例１と同
様の操作によつてグロー放電堆積室１５内及び全
ガス流入系５×10^-6torrの真空となし、基板温度
は、450℃に保たれた。実施例１と同様の各バル
ブ操作で室１５内にシランガスをエチレンガス
（シランガス流量の５％）が流され、室１５内圧
は0.3torrにされた。 更にジボランガスボンベ３０のボンベ５４を開
け、出口圧ゲージ60圧を１Kg／cm²に調整し流入バ
ルブ４２を徐々に開け、フローメーター３６の読
みがシランガス流量の0.10％になる様に流出バル
ブ４８も徐々に開けられてジボランガスが流入さ
れた。シランガス、エチレンガス及びジボランガ
ス共に流量が安定化し、基板温度が450℃で安定
化してから、高周波電源２０をon状態として、
室１５内にグロー放電を開始させた。この条件で
グロー放電を15分間行つた後、グロー放電を続け
ながら、ジボランの流出バルブ４８をフローメー
タ３６を注視しながら徐々に閉じ、シランガス流
量に対してジボランガス流量が0.03％になるまで
開口を絞つた。この条件で更にグロー放電を８時
間続けた後、高周波電源をoffとしてグロー放電
を中止させ、続いて加熱ヒーター１９をoff状態
として後、基板温度が100℃になるのを待つて、
補助バルブ２４、流出バルブ４３，４５，４８共
に閉じられ、メインバルブ２２が全開されて室１
５が一旦10^-5torr以下にされてからメインバルブ
２２を閉じ、リーバルブ１６を開いて室１５内を
大気圧に戻してから基板を取り出した。 形成された層の全厚は約16μであつた。こうし
て得られたサンプルを、サンプル裏面のAl面を
接着テープで目ばりした後更にポリカーボネート
樹脂の30％トルエン溶液に垂直方向にサンプルを
浸漬した後、1.5cm／secの速度で引き上げてａ−
半導体層上にポリカードネート樹脂15μ層を設け
た。その後接着テープは除去された。 得られた像形成部材を、市販の複写機（NP−
L7キヤノン株式会社製）を改造した実験機の感
光体用ドラム（感光層のないAlドラム）に接地
されるように固定し、7KV1次帯電、露光同時
AC6KV帯電、現像（荷電性液体現像剤）液絞
り（ローラー絞り）、転写5KV帯電の連結工程
によつて普通紙上に鮮明な画像コントラストの高
い画像を得た。又、この工程をくりかえし10万枚
以上コピーしても初期の良質な画像を維持した。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図及び第３図は、本発明の電子写
真用像形成部材の構成の一例を示す模式的構成断
面図、第４図は本発明の電子写真用像形成部材を
製造する為の装置の一例を示す模式的説明図であ
る。 １，４，１０……電子写真用像形成部材、２，
５，１１……支持体、３，６，１２……光導電
層、１３……表面被覆層、１５……堆積室、１７
……基板、１８……固定部材、１９……ヒータ
ー、２０……高周波電源、２５，２６，２７，２
８，２９，３０……ガスボンベ。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 支持体と、シリコン及びゲルマニウムの少な
   くともいずれか一方を母体とし、１〜40原子％の
   水素を含むアモルフアス半導体から成り、炭素を
   含有する光導電層とを有することを特徴とする電
   子写真用像形成部材。 ２ 前記光導電層が空乏層を有する特許請求の範
   囲第１項に記載の電子写真用像形成部材。 ３ 前記光導電層中に不純物が含有されている特
   許請求の範囲第１項及び同第２項に記載の電子写
   真用像形成部材。 ４ 前記不純物は、ｐ型不純物である特許請求の
   範囲第３項に記載の電子写真用像形成部材。 ５ 前記ｐ型不純物は、周期律表第族Ａの元素
   である特許請求の範囲第４項に記載の電子写真用
   像形成部材。 ６ 前記周期律表第族Ａの元素は、Ｂ、Al、
   Ga、In及びTlの中より選択されるものである特
   許請求の範囲第５項に記載の電子写真用像形成部
   材。 ７ 前記不純物は、ｎ型不純物である特許請求の
   範囲第３項に記載の電子写真用像形成部材。 ８ 前記ｎ型不純物は、周期律表第族Ａの元素
   である特許請求の範囲第７項に記載の電子写真用
   像形成部材。 ９ 前記周期律表第族Ａの元素は、Ｎ、Ｐ、
   As、Sb及びBiの中より選択されるものである特
   許請求の範囲第８項に記載の電子写真用像形成部
   材。 １０ 炭素の含有量が0.1〜30原子％である特許
   請求の範囲第１項に記載の電子写真用像形成部
   材。 １１ 表面被覆層が更に設けてある特許請求の範
   囲第１項に記載の電子写真用像形成部材。