JPS6227388B2 - - Google Patents

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JPS6227388B2
JPS6227388B2 JP57162651A JP16265182A JPS6227388B2 JP S6227388 B2 JPS6227388 B2 JP S6227388B2 JP 57162651 A JP57162651 A JP 57162651A JP 16265182 A JP16265182 A JP 16265182A JP S6227388 B2 JPS6227388 B2 JP S6227388B2
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image forming
photoconductive layer
forming member
electrophotographic image
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JP57162651A
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Toshuki Komatsu
Yutaka Hirai
Katsumi Nakagawa
Tadaharu Fukuda
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Canon Inc
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Canon Inc
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Publication date
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Publication of JPS6227388B2 publication Critical patent/JPS6227388B2/ja
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  • Physics & Mathematics (AREA)
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Description

【発明の詳现な説明】
本発明は、光ここでは広矩の光で、玫倖光
線、可芖光線、赀倖光線、線、γ線、α線等を
瀺すの様な電磁波を利甚しお像圢成するのに䜿
甚される電子写真甚像圢成郚材に関する。 埓来、電子写真甚像圢成郚材の光導電局を構成
する光導電材料ずしおは、Se、CdS、ZnO等の無
機光導電材料やポリ−ビニルカルバゟヌル
PVK、トリニトロフルオレノンTNF等の
有機光導電材料OPCが䞀般的に䜿甚されお
いる。 而䜜ら、これ等の光導電材料を䜿甚する電子写
真甚像圢成郚材に斌いおは、未だ諞々の解決され
埗る可き点があ぀お、ある皋床の条件緩和をし
お、個々の状況に応じお各々適圓な電子写真甚像
圢成郚材が䜿甚されおいるのが実情である。 䟋えば、Seを光導電局圢成材料ずする電子写
真甚像圢成郚材は、Se単独では、䟋えば、可芖
光領域の光を利甚する堎合、その分光感床領域が
狭いのでTeやAsを添加しお分光感床領域を拡げ
るこずが蚈られおいる。 而乍ら、この様な、TeやAsを含むSe系光導電
局を有する電子写真甚像圢成郚材は、確かに分光
感床領域は改良されるが、光疲劎が倧きくなる為
に、同䞀原皿を連続的に繰返し、コピヌするず耇
写画像の画像濃床の䜎䞋やバツクグランドの汚れ
癜地郚分のカブリを生じたり、又、匕続き他
の原皿をコピヌするず前の原皿の画像が残像ずし
お耇写されるゎヌスト珟象等の欠点を有しお
いる。 而も、Se、殊にAs、Teは人䜓に察しお極めお
有害な物質であるので、補造時に斌いお、人䜓ぞ
の接觊がない様な補造装眮を䜿甚する工倫が必芁
であ぀お、装眮ぞの資本投䞋が著しく倧きい。曎
には、補造埌に斌いおも、光導電局が露呈しおい
るず、クリヌニング等の凊理を受ける際、光導電
局衚面は盎ちに摺擊される為に、その䞀郚が削り
取られお、珟像剀䞭に混入したり、耇写機内に飛
散したり、耇写画像䞭に混入したりしお、人䜓に
接觊する原因を䞎える結果を生む。又、Se系光
導電局は、その衚面がコロナ攟電に、連続的に倚
数回繰返し晒されるず、局の衚面付近が結晶化又
は酞化を起しお光導電局の電気的特性の劣化を招
く堎合が少なくない。或いは、又、光導電局衚面
が露呈しおいるず、静電像の可芖化珟像に際
し、液䜓珟像剀を䜿甚する堎合、その溶剀ず接觊
する為に耐溶剀性耐液珟性に優れおいるこず
が芁求されるが、この点に斌いお、Se系光導電
局は必ずしも満足しおいるこずは断蚀し難い。 これ等の点を改良する為に、Se系光導電局の
衚面を、所謂保護局や電気絶瞁局等ず称される衚
面被芆局で芆うこずが提案されおいる。 而乍ら、これ等の改良に関しおも、光導電局ず
衚面被芆局ずの接着性、電気的接觊性及び衚面被
芆局に芁求される電気的特性や衚面性の点に斌い
お充分なる解決が成されおいるずは云い難いのが
珟情である。 又、別には、Se系光導電局は、通垞の堎合真
空蒞着によ぀お圢成されるので、その為の装眮ぞ
の著しい資本投䞋を必芁ずし、䞔぀、所期の光導
電特性を有する光導電局を再珟性良く埗るには、
蒞着枩床、蒞着基板枩床、真空床、冷华速床等の
各皮の補造パラメヌタヌを厳密に調敎する必芁が
ある。 曎に、衚面被芆局は、光導電局衚面に、フむル
ム状のものを接着剀を介しお貌合するか、又は、
衚面被芆局圢成材料を塗垃しお圢成される為に、
光導電局を圢成する装眮ずは別の装眮を蚭眮する
必芁があ぀お、蚭備投資の著しい増倧があ぀お、
昚今の様な枛速経枈成長期に斌いおは甚だ芳しく
ない。 又、Se系光導電局は、電子写真甚像圢成郚材
の光導電局ずしおの高暗抵抗を保有する為に、ア
モルフアス状態に圢成されるが、Seの結晶化が
箄65℃ず極めお䜎い枩床で起る為に、補造埌の取
扱い䞭に、又は䜿甚䞭に斌ける呚囲枩床や画像圢
成プロセス䞭の他の郚材ずの摺擊による摩擊熱の
圱響を倚分に受けお結晶化珟象を起し、暗抵抗の
䜎䞋を招き易いずいう耐熱性䞊にも欠点がある。 䞀方、ZnO、CdS等を光導電局構成材料ずしお
䜿甚する電子写真甚像圢成郚材は、その光導電局
が、ZnOやCdS等の光導電材料粒子を適圓な暹脂
結着剀䞭に均䞀に分散しお圢成されおいる。こ
の、所謂バむンダヌ系光導電局を有する像圢成郚
材は、Se系光導電局を有する像圢成郚材に范べ
お補造䞊に斌いお有利であ぀お、比范的補造コス
トの䜎䞋を蚈るこずが出来る。即ち、バむンダヌ
系光導電局は、ZnOやCdSの粒子ず適圓な暹脂結
着剀ずを適圓な溶剀を甚いお混緎しお調合した塗
垃液を適圓な基䜓䞊に、ドクタヌブレヌド法、デ
むツピング法等の塗垃方法で塗垃した埌固化させ
るだけで圢成するこずが出来るので、Se系光導
電局を有する像圢成郚材に范べ補造装眮にそれ皋
の資本投䞋をする必芁がないばかりか、補造法自
䜓も簡䟿䞔぀容易である。 而乍ら、バむンダヌ系光導電局は、基本的に構
成材料が光導電材料ず暹脂結着剀の二成分系であ
るし、䞔぀光導電材料粒子が暹脂結着剀䞭に均䞀
に分散されお圢成されなければならない特殊性の
為に、光導電局の電気及び光導電的特性や物理的
化孊的特性を決定するパラメヌタヌが倚く、埓぀
お、斯かるパラメヌタヌを厳密に調敎しなければ
所望の特性を有する光導電局を再珟性良く圢成す
るこずが出来ずに歩留りの䜎䞋を招き量産性に欠
けるずいう欠点がある。 又、バむンダヌ系光導電局は、分散系ずいう特
殊性故に、局党䜓がポヌラスにな぀おおり、その
為に湿床䟝存性が著しく、倚湿雰囲気䞭で䜿甚す
るず電気的特性の劣化を来たし、高品質の耇写画
像が埗られなくなる堎合が少なくない。 曎には、光導電局のポヌラス性は、珟像の際の
珟像剀の局䞭ぞの䟵入を招来し、離型性、クリヌ
ニング性が䜎䞋するばかりか䜿甚䞍胜を招く原因
ずもなり、殊に、液䜓珟像剀を䜿甚するず毛管珟
象による促進をうけおそのキダリアヌ溶剀ず共に
珟像剀が局䞭に䟵透するので䞊蚘の点は著しいも
のずなり、Se系光導電局の堎合ず同様に光導電
局衚面を衚面被芆で芆うこずが必芁ずなる。 而乍ら、この衚面被芆局を蚭ける改良も、光導
電局のポヌラス性に起因する光導電局衚面の凹凞
性故に、その界面が均䞀にならず、光導電局ず衚
面被芆局ずの接着性及び電気的接觊性の良奜な状
態を埗る事が仲々困難であるずいう欠点が存す
る。 又、CdSを䜿甚する堎合には、CdS自䜓の人䜓
ぞの圱響がある為に、補造時及び䜿甚時に斌い
お、人䜓に接觊したり、或いは、呚囲環境䞋に飛
散したりするこずのない様にする必芁がある。
ZnOを䜿甚する堎合には、人䜓に察する圱響は殆
んどないが、ZnOバむンダヌ系光導電局は光感床
が䜎く、分光感床領域が狭い、光疲劎が著しい、
光応答性が悪い等の欠点を有しおいる。 又、最近泚目されおいるPVKやTNF等の有機
光導電材料を䜿甚する電子写真甚像圢成郚材に斌
いおは、衚面が導電凊理されたポリ゚チレンテレ
フタレヌト等の適圓な支持䜓䞊にPVKやTNF等
の有機光導電材料の塗膜を圢成するだけで光導電
局を圢成出来るずいう補造䞊に斌ける利点及び可
撓性に長けた電子写真甚像圢成郚材が補造出来る
ずいう利点を有するものであるが、他方に斌い
お、耐湿性、耐コロナむオン性、クリヌニング性
に欠け、又光感床が䜎い、可芖光領域に斌ける分
光感床領域が狭く䞔぀短波長偎に片寄぀おいる等
の欠点を有し、極限定された範囲でしか䜿途に䟛
されおいない。然もこれ等の有機光導電材料の䞭
には発癌性物質の疑いがあるものもある等、人䜓
に察しおその倚くは党く無害であるずいう保蚌が
なされおいない。 この様に、電子写真甚像圢成郚材の光導電局を
圢成する材料ずしお埓来から指摘されおいる光導
電材料を䜿甚した電子写真甚像圢成郚材は、利点
ず欠点を䜵せ持぀為に、ある皋床、補造条件及び
䜿甚条件を緩和しお各々の䜿途に合う適圓な電子
写真甚像圢成郚材を各々に遞択しお実甚に䟛しお
いるのが珟情である。 埓぀お、䞊述の諞問題点の解決された優れた電
子写真甚像圢成郚材が埗られる様な電子写真甚像
圢成郚材の光導電局を圢成する材料ずしおの第
の材料が所望されおいる。 その様な材料ずした最近有望芖されおいるもの
の䞭に䟋えばアモルフアスシリコン以埌−Si
ず略蚘するやアモルフアスゲルマニりム以埌
−Geず略蚘するがある。 ずころで−Si膜や−Ge膜は、開発初期の
ころは、その補造法や補造条件によ぀お、その構
造が巊右される為に皮々の電気的特性・光孊的特
性を瀺し、再珟性の点に倧きな問題を抱えおい
た。䟋えば、初期に斌いお、真空蒞着法やスパツ
タリング法で圢成された−Si膜は、ボむド等の
欠陥を倚量に含んでいお、その為に電気的性質も
光孊的性質も倧きく圱響を受け、基瀎物性の研究
材料ずしおもそれ皋泚目されおはいず、応甚の為
の研究開発もなされなか぀た。而乍ら、アモルフ
アスでは、制埡が䞍可胜ずされおいたのが、
−Siに斌いお、1976幎初頭にアモルフアスずし
おは初めお−接合が実珟し埗るずいう報告
Applid Physics LetterVol.28、No.2、
15January 1976が成されお以来、倧きな関心
が集められ、以埌䞊蚘の䞍玔物のドヌピングによ
぀お−接合が埗られるこずに加えお結晶性シ
リコン−Siず略蚘するでは非垞に匱いルミ
ネセンスが−Siでは高効率で芳枬できるずいう
芳点から、䟋えば米囜特蚱第4064521号にみられ
るように䞻ずしお倪陜電池光起電噚ぞの応甚
に研究開発の穂先が向けられお来おいる。そしお
該米囜特蚱は、基䜓にシラン䞭グロヌ攟電により
埗た−Si䜓を重ね、その䞊に金属局ず、電極を
内包する抗反射局を有しおなる倪陜電池を開瀺し
おいる。該米囜特蚱にはたた、前蚘−Si䜓に぀
いお、ひず蚀それに氎玠が存圚すれば良奜な電子
特性に有利であるず思われる、ず蚘茉されおいる
が、これに぀いおはそれ以䞊の開瀺はなく事実ず
しお具䜓化されたものではない。 この様に、これ迄に報告されおいる−Si膜
は、倪陜電池甚ずしお開発されたものであるの
で、その電気的特性・光孊的特性の点に斌いお、
電子写真感光䜓の光導電局ずしおは䜿甚し埗ない
のが実情である。即ち、倪陜電池は、倪陜゚ネル
ギヌを電流の圢に倉換しお取り出すので、SN比
が良く、効率良く電流を取り出すには、−Si膜
の抵抗は小さくなければならないが䜙り抵抗が少
さ過ぎるず光過床が䜎䞋し、SN比が悪くなるの
で、その特性の䞀぀ずしおの抵抗は105〜108Ω・
cm皋床が芁求される。 而乍ら、この皋床の抵抗暗抵抗暗所での抵
抗を有する−Si膜は、電子写真感光䜓の光導
電局ずしおは、䜙りにも抵抗暗抵抗が䜎く過
ぎお、珟圚、知られおいる電子写真法を適甚する
のでは党く䜿甚し埗ない。この暗抵抗の問題は
−Geに぀いおもたた同様である。 又、電子写真感光䜓の光導電局圢成材料ずしお
は、明抵抗光照射時の抵抗が暗抵抗に范べ
お、〜桁皋床小さいこずが芁求されるが、埓
来、報告されおいる−Si膜や−Ge膜では
粟々桁皋床であるので、この点に斌いおも埓来
の−Si膜や−Ge膜では、その特性を充分満
足し埗る光導電局ずは成り埗なか぀た。 又、別には、これ迄の−Si膜に関する報告で
は、暗抵抗を増倧させるず光感床が䜎䞋し、䟋え
ば、暗抵抗が1010Ω・cmでの−Si膜では、光
抵抗を同皋床の倀に瀺すこずが瀺されおいるが、
この点に斌いおも、埓来の−Si膜は電子写真感
光䜓の光導電局ずは成り埗なか぀た。 そしお、電子写真感光䜓の光導電局は、䞊蚘芁
件の倖に、静電特性、耐コロナむオン性、耐溶性
剀、耐光疲劎性、耐湿性、耐熱性、耐摩耗性、ク
リヌニング性等の芁件を満足するものでなければ
ならない。 −Siに぀いお報告した文献はいく぀か芋られ
るが、それ等のいずれにも前述の各皮芁件を満足
する電子写真感光䜓の光導電局を瀺唆するずころ
は芋圓らない。 䟋えば、Journal of Photographic Science
Vol.25、No.3、pp.127〜28MayJune 1977
には、グロヌ攟電による−Siの補法が報告され
おいるが、その補法及び埗られる−Siに぀いお
の具䜓的開瀺は党くなく、単に埗られる−Siが
特城的密床状態ず茞送特性を有する光導電物質た
り埗るこずを蚘茉するにずどた぀おいる。 たた、Applied Physics Letters、Vol.30、
No.11、pp.561−563June 、1977には、グ
ロヌ攟電法で䜜成した氎玠化−Siに぀いおの蚘
茉はあるが、膜の厚みず氎玠の量的関係を開瀺す
るにずどた぀おいる。 曎に、Solid States Communications Vol.23、
pp.155−1581977には、rfスパツタヌ法で䜜
成した氎玠化−Siに぀いお報告されおいるが、
その内容はそうした−Siの性状に぀いおの詊
隓、その結果の怜蚎であり、その䞭でスパツタヌ
法で䜜成した氎玠化−Siの倪陜電池材料ずしお
の䜿甚可胜性を瀺唆し、それが暗導電性が非垞に
倚くしたが぀お光電池の内郚抵抗は非垞に高いで
あろうず掚枬しおいる皋床であり、報告の結論の
ずころで、“しかしながら氎玠導入の機胜ずしお
の光応答の詳现な挙動は、茞送及び再結合におけ
るSi−反結合状態の圹割に぀いお新たな問題を
提起する。たた、−補償SiからSi−合金に至
るたでを含めお、その物質の倉化する原子配列及
び構造を泚意深く怜蚎する必芁があるこずは明ら
かである。これが系統的に行われるたでは、ここ
に述べたような詊隓から導き出される結論は、そ
れ等が瀺唆する新たな芳点に察しおの予備的なも
のずしお考えるべきである。“ずしおいるずころ
であ぀お、䞊述した電子写真感光䜓の光導電局に
぀いおは党く觊れるずころはない。 曎にたた、Journal of Electrochemical
Society、Vol.116、No.1、pp.77〜81January、
1969には、シランガスからアモルフアスシリコ
ン膜を堆積するに぀いおの方法、埗られたものに
぀いおの電気抵抗、掻性化゚ネルギヌ、光孊的性
質等が蚘茉されおいるが、電子写真法ぞの適甚に
぀いお觊れるずころは党くなく、たた、氎玠原子
含有量、抵抗倀、高感床、SN比の関係等電子写
真法での䜿甚に぀いお䞍可欠な諞芁件に぀いおの
瀺唆もない。 本発明は、䞊蚘の諞点に鑑み成されたもので
−Si及び−Geに就お電子写真甚像圢成郚材の
光導電局ぞの適甚ずいう芳点から総括的に鋭意研
究怜蚎した結果、窒玠を化孊修食物質chemical
modifierずしお含む−Si又は及び−Ge、
曎にはこれらに炭玠を䞀郚含有させた−Si又
は及び−Geの半導䜓局ずすれば、電子写真
甚像圢成郚材の光導電局ずしお極めお有効に適甚
され埗るだかりでなく、電子写真甚像圢成郚材の
埓来の光導電局ず范べお殆んどの点に斌いお凌駕
しおいるこずを芋出した点に基いおいる。 本発明は、補造時に斌いおは、装眮のクロヌズ
ドシステム化が容易に出来るので、人䜓に察する
悪圱響を避け埗るこずが出来、又䞀旊補造された
ものは䜿甚䞊に際し、人䜓ばかりかその他の生
物、曎には自然環境に察しおの圱響がなく無公害
であ぀お、殊に耐熱性、耐湿性に優れ、電子写真
特性が垞時安定しおいお、殆んど䜿甚環境に限定
を受けない党環境型であり、耐光疲劎性、耐コロ
ナむオン性に著しく長け、繰返し䜿甚に際しおも
劣化珟象を起さない電子写真甚像圢成郚材を提䟛
するこずを䞻たる目的ずする。 本発明の他の目的は、濃床が高く、ハヌフトヌ
ンが鮮明に出お䞔぀解像床の高い、高品質画像を
埗る事が容易に出来る電子写真甚像圢成郚材を提
䟛するこずである。 本発明のもう䞀぀の目的は、暗抵抗及び光感床
が高く、又、分光感床領域が略々党可匏光域を芆
぀おおり暗枛衰速床が小さくお光応答性が速く、
䞔぀耐摩耗性、クリヌニング性、耐溶剀性に優れ
た電子写真甚像圢成郚材を提䟛するこずでもあ
る。 本発明の所期の目的は、光導電局は、シリコン
又は及びゲルマニりムを母䜓ずし、窒玠を化孊
修食物質ずしお含むアモルフアス半導䜓以埌
−半導䜓ず略蚘するで圢成するこずによ぀お達
成される。 本発明の電子写真甚像圢成郚材の最も代衚的な
構成䟋が第図及び第図に瀺される。第図に
瀺される電子写真甚像圢成郚材は、支持䜓、
光導電局から構成され、光導電局は、像圢成
面ずなる自由衚面を有し、該局は、シリコン又
は及びゲルマニりムを母䜓ずし、窒玠ず、必芁
に応じお炭玠を化孊修食物質ずしお含む−半導
䜓で圢成されおいる。 䞊蚘の様に、Siシリコン又は及びGe
ゲルマニりムを母䜓ずする−半導䜓に窒玠
を化孊修食物質の圢で含有させお光導電局を圢成
するず、暗抵抗の著しい増倧ず、高光感床化を蚈
るこずが出来、埓来のSe系光導電局ず范べおも
優るずも劣らない皋極めお優れた電子写真特性を
有する光導電局ず成り埗る。Si又は及びGeを
母䜓ずする−半導䜓に窒玠を化孊修食物質の圢
で含有させるには、䟋えば光導電局をグロヌ攟電
法で圢成する堎合には、窒玠、窒化物等の化合物
のガスをSi又は及びGeを圢成する原料ガスず
共にう内郚を枛圧にし埗る堆積宀内に導入しお該
堆積宀内でグロヌ攟電を生起させお光導電局を圢
成すれば良い。又、䟋えば光導電局をスパツタヌ
リング法で圢成する堎合には、所望の混合比ず
し、䟋えばSiSi3N4なる成分で混合成圢した
スパツタヌ甚のタヌゲツトを䜿甚するか、Siã‚Šã‚š
ハヌずSi3N4り゚ハヌの二枚のタヌゲツトを䜿甚
しお、スパツタヌリングを行うか、又は窒玠ガス
又は窒玠を含んだ化合物のガスを、䟋えばArガ
ス等のスパツタヌ甚のガスず共に堆積宀内に導入
しお、Si又はGe、或いはSiGeのタヌゲツ
トを䜿甚しおスパツタヌリングを行぀お光導電局
を圢成すれば良い。 本発明に斌いお、䜿甚され埗る窒玠の化合物ず
しおは、圢成される光導電局に䞍必芁な䞍玔物が
取り蟌たれないものであ぀お、䞔぀光導電局䞭に
窒玠が化孊修食物質ずしお有効な圢で含有される
ものであれば倧抂の窒玠の化合物が䜿甚され埗
る。その様な窒玠の化合物ずしお、奜適には垞枩
に斌いおガス状態を取り埗るものが有効である。 䟋えば窒玠化合物ずしおは、窒玠N2、アン
モニア、等のほか倚数の化合物が有甚である。 本発明に斌いお、圢成される光導電局䞭に含有
される酞玠の量は、圢成される光導電局の特性を
倧きく巊右するものであ぀お、所望に応じお適宜
決定されねばならないが、通垞の堎合、0.1〜
30atomic、奜適には0.1〜20原子、最適に
は、0.2〜15原子ずされるのが望たしい。 本発明に斌いお、Si又は及びGeを母䜓ず
し、窒玠を含む−半導䜓で構成される光導電局
は䞋蚘のタむプの−半導䜓の䞭の䞀皮類で局圢
成するか又は少なくずも二皮類を遞択し、異なる
タむプのものが接合される状態ずしお局圢成する
事によ぀お成される。 型  ドナヌdonorのみを含むもの、
或いは、ドナヌずアクセプタヌacceptorず
の䞡方を含み、ドナヌの濃床Ndが高いも
の。 型  アクセプタヌのみを含むもの。或い
は、ドナヌずアクセプタヌずの䞡方を含み、ア
クセプタヌの濃床Naが高いもの。 型  NaNdのもの又は、NaNdの
もの。 本発明の電子写真甚像圢成郚材の光導電局を構
成する局ずしおの〜のタむプの−半導䜓局
は、埌に詳述する様にグロヌ攟電法や反応スパツ
タヌリング法等による局圢成の際に、型䞍玔物
又は、型䞍玔物、或いは、䞡䞍玔物を、圢成さ
れる−半導䜓局䞭にその量を制埡しおドヌピン
グしおやる事によ぀お圢成される。 この堎合、本発明者等の実隓結果からの知芋に
よれば、局䞭の䞍玔物の濃床を1015〜1019cm-3の
範囲内に調敎するこずによ぀お、より匷い型
又はより匷い型の−半導䜓局からより匱
い型又はより匱い型の−半導䜓局を圢
成する事が出来る。 〜のタむプの−半導䜓局は、グロヌ攟電
法、スパツタヌリング法、むオンむンプランテヌ
シペン法、むオンプレヌテむング法等によ぀お圢
成される。これ等の補造法は、補造条件、蚭備資
本投䞋の負荷皋床、補造芏暡、補造される像圢成
郚材に所望される電子写真特性等の芁因によ぀お
適宜遞択されお採甚されるが、所望する電子写真
特性を有する像圢成郚材を補造する為の制埡が比
范的容易である、〜のタむプに制埡する為に
−半導䜓局䞭に䞍玔物を導入するのに呚期埋衚
族又は族の䞍玔物を眮換型で導入するこずが
出来る等の利点からグロヌ攟電法が奜適に採甚さ
れる。 曎に、本発明に斌いおは、グロヌ攟電法ずスパ
ツタヌリング法ずを同䞀装眮系内で䜵甚しお−
半導䜓局を圢成しおも良い。−半導䜓局は、本
発明の目的ずする電子写真甚像圢成郚材が埗られ
る可く、氎玠が含有される。ここに斌い
お、「−半導䜓局䞭にが含有されおいる」ず
いうこずは、「が、Si又はGeず結合した状
態」、「がむオン化しお局䞭に取り蟌たれおいる
状態」又は「H2ずしお局䞭に取り蟌たれおいる
状態」の䜕れかの又はこれ等の耇合されおいる状
態を意味する。−半導䜓局ぞのの含有は、局
を圢成する際、補造装眮系内にSiH4、Si2H6、
GeH4等の化合物又はH2の圢で導入した埌熱分
解、グロヌ攟電分解等の方法によ぀お、それ等の
化合物又はH2を分解しお、−半導䜓局䞭に、
局の成長に䜵せお含有させおも良いし、又、むオ
ンむンプランテヌシペン法で含有させおも良い。 本発明者の知芋によれば、−半導䜓局䞭ぞの
の含有量は、圢成される像圢成郚材が実際面に
斌いお適甚され埗るか吊かを巊右する倧きな芁因
の䞀぀であ぀お、殊に圢成される−半導䜓局を
型又は型に制埡する䞀぀の芁玠ずしお、極め
お重芁であるこずが刀明しおいる。 本発明に斌いお、圢成される像圢成郚材を実際
面に充分適甚させ埗る為には、−半導䜓局䞭に
含有されるの量は通垞の堎合〜40原子、奜
適には〜30原子ずされるのが望たしい。−
半導䜓局䞭ぞの含有量が䞊蚘数倀範囲に限定さ
れる理由の理論的裏付は今の凊、明確にされおお
らず掚論の域を出ない。而乍ら、数倚くの実隓結
果から、䞊蚘数倀範囲倖のの含有量では、䟋え
ば本発明の像圢成郚材の光導電局を構成する−
半導䜓局ずしおの芁求に応じた特性に制埡するの
が極めお困難である、補造された電子写真甚像圢
成郚材は照射される電磁波に察する感床が極めお
䜎い、又は堎合によ぀おは、該感床が殆んで認め
られない、電磁波照射によるキダリアヌの増加が
小さい等が認められ、の含有量が䞊蚘の数倀範
囲内にあるのが必芁条件であるこずが裏付けられ
おいる。−半導䜓局䞭ぞのの含有は、䟋え
ば、グロヌ攟電法では、−半導䜓を圢成する出
発物質がSiH4、Si2H6、GeH4等の氎玠化物を䜿甚
するので、SiH4、SiH2H6、GeH4等の氎玠化物が
分解しお−半導䜓局が圢成される際、は自動
的に局䞭に含有されるが、曎にの局䞭ぞの含有
を䞀局効率良く行なうには、−半導䜓局を圢成
する際に、グロヌ攟電を行なう装眮系内にH2ガ
スを導入しおやれば良い。 スパツタリング法による堎合にはAr等の䞍掻
性ガス又はこれ等のガスをベヌスずした混合ガス
雰囲気䞭でSi又はGe、或いはSiGe、曎には
これ等ず窒玠の化合物を含むものをタヌゲツトず
しおスパツタヌリング法を行なう際にH2ガスを
導入しおやるか又はSiH4、Si2H6等の氎玠化硅玠
ガスやGeH4等の氎玠化ゲルマニりムガス、或い
は、䞍玔物のドヌピングも兌ねおB2H6、PH3等の
ガスを導入しおやれば良い。 本発明の目的を達成する為に−半導䜓局䞭に
含有されるの量を制埡するには、蒞着基板枩床
又は及びを含有させる為に䜿甚される出発物
質の補造装眮系内ぞ導入する量を制埡しおやれば
良い。曎には、−半導䜓局を圢成した埌に、該
局を、掻性化した氎玠雰囲気䞭に晒しおも良い。
又は、この時−半導䜓局を結晶枩床以䞋で加熱
するのも䞀぀の方法である。殊に−半導䜓局の
暗抵抗を向䞊させるためには、該加熱凊理法は有
効な手段である。又、高匷床の光の様な電磁波を
照射しお、−半導䜓局の暗抵抗を向䞊させる方
法も有効な方法である。 −半導䜓局䞭にドヌピングされる䞍玔物ずし
おは、−半導䜓局を型にするには、呚期埋衚
第族の元玠、䟋えば、Al、Ga、In、Tl等
が奜適なものずしお挙げられる。型にする堎合
には、呚期埋衚第族の元玠、䟋えば、、
As、Sb、Bi等が奜適なものずしお挙げられる。
これ等の䞍玔物は、−半導䜓局䞭に含有される
量がppmオヌダヌであるので、光導電局を構成
する䞻物質皋その公害性に泚意を払う必芁はない
が出来る限り公害性のないものを䜿甚するのが奜
たしい。この様な芳点からすれば、圢成される
−半導䜓局の電気的・光孊的特性を加味しお、䟋
えば、、As、、Sb等が最適である。この他
に、䟋えば、熱拡散やむンプランテヌシペンによ
぀おLi等がむンタヌステむシアルにドヌピングさ
れるこずで型に制埡するこずも可胜である。 −半導䜓局䞭にドヌピングされる䞍玔物の量
は、所望される電気的・光孊的特性に応じお適宜
決定されるが、呚期埋衚第族の䞍玔物の堎合
には、通垞10-6〜10-3原子、奜適には10-5〜
10-4原子、呚期埋衚第族の䞍玔物の堎合に
は、通垞10-8〜10-3原子、奜適には10-8〜10-4
原子ずされるのが望たしい。 これ等䞍玔物の−半導䜓局䞭ぞのドヌピング
方法は、−半導䜓局を圢成する際に採甚される
補造法によ぀お各々異なるものであ぀お、具䜓的
には、以降の説明又は実斜䟋に斌いお詳述され
る。 第図に瀺される電子写真甚像圢成郚材の劂
き、光導電局が自由衚面を有し、該自由衚面
に、静電像圢成の為の垯電凊理が斜される像圢成
郚材に斌いおは、光導電局ず支持䜓ずの間
に、静電像圢成の際の垯電凊理時に支持䜓偎か
らのキダリアヌの泚入を阻止する働きのある障壁
局を蚭けるのが䞀局奜たしいものである。この様
な支持䜓偎からのキダリアヌの泚入を阻止する
働きのある障壁局を圢成する材料ずしおは、遞択
される支持䜓の皮類及び圢成される光導電局の電
気的特性に応じお適宜遞択されお適圓なものが䜿
甚される。その様な障壁局圢成材料ずしおは、䟋
えば、Al2O3、SiO、SiO2等の無機絶瞁性化合
物、ポリ゚チレン、ポリカヌボネむト、ポリりレ
タン、パリレン等の有機絶瞁性化合物、Au、
Ir、Pt、Ph、Pd、Mo等の金属である。 支持䜓ずしおは、導電性でも電気絶瞁性であ
぀おも良い。導電性支持䜓ずしおは、䟋えば、ス
テンレス、Al、Cr、Mo、Au、Ir、Nb、Te、、
、Ti、Pt、Pd等の金属又はこれ等の合金が挙
げられる。電気絶瞁性支持䜓ずしおは、ポリ゚ス
テル、ポリ゚チレン、ポリカヌボネヌト、セルロ
ヌズトリアセテヌト、ポリプロピレン、ポリ塩化
ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポ
リアミド等の合成暹脂のフむルム又はシヌト、ガ
ラス、セラミツク、玙等が通垞䜿甚される。これ
等の電気絶瞁性支持䜓は、奜適には少なくずもそ
の䞀方の衚面を導電凊理されるのが望たしい。 䟋えば、ガラスであれば、In2O3、SnO2等でそ
の衚面が導電凊理され、或いはポリ゚ステルフむ
ルム等の合成暹脂フむルムであれば、Al、Ag、
Pb、Zn、Ni、Au、Cr、Mo、Ir、Nb、Ta、、
Ti、Pt等の金属で真空蒞着、電子ビヌム蒞着、
スパツタヌリング等で凊理し、又は前蚘金属でラ
ミネヌト凊理しお、その衚面が導電凊理される。
支持䜓の圢状ずしおは、円筒状、ベルト状、板状
等、任意の圢状ずし埗、所望によ぀お、その圢状
は決定されるが、連続高速耇写の堎合には、無端
ベルト状又は円筒状ずするのが望たしい。支持䜓
の厚さは、所望通りの像圢成郚材が圢成される様
に適宜決定されるが、像圢成郚材ずしお可撓性が
芁求される堎合には、支持䜓ずしおの機胜が充分
発揮される範囲内であれば、可胜な限り薄くされ
る。而乍ら、この様な堎合、支持䜓の補造䞊及び
取扱い䞊、機械的匷床等の点から、通垞は、10ÎŒ
以䞊ずされる。第図に瀺される電子写真甚像圢
成郚材は、支持䜓、光導電局から構成さ
れ、光導電局は像圢成面ずなる自由衚面を有
し、該局䞭には空乏局が圢成されおいる。 光導電局䞭に空乏局を蚭けるには、光導電
局を、前蚘のタむプの−半導䜓の䞭の少なく
ずも二皮類を遞択し、異なるタむプのものが接合
される状態ずしお局圢成する事によ぀お成され
る。 即ち、空乏局は、䟋えば、所望に埓぀た衚面
特性を有する支持䜓䞊に、先ず、型の−半
導䜓局を所定の局厚で圢成し、次いで該型−
半導䜓局䞊に型の−半導䜓局を圢成するこず
によ぀お型−半導䜓局ず型−半導䜓局ず
の接合郚ずしお圢成される以埌、空乏局に関
しお支持䜓偎の−半導䜓局を内郚局、自由
衚面偎の−半導䜓局を倖郚局ず称する。詰
り、空乏局は、異なるタむプの−半導䜓局が
接合される様に、光導電局を圢成した堎合に、
内郚−半導䜓局ず倖郚−半導䜓局ずの境界遷
移領域に圢成される。 空乏局は、電子写真甚像圢成郚材に静電像を
圢成するプロセス䞭の䞀工皋である電磁波照射工
皋の際に、照射される電磁波を吞収しお移動可胜
なキダリアヌを生成する局ずしお機胜を有する。
又、空乏局は、定垞状態では、フリヌキダリヌ
の枯枇した状態ずな぀おいるので所謂真性半導䜓
ずしおの挙動を瀺す。 第図及び第図に瀺される像圢成郚材は、光
導電局が自由衚面を有する構成のものであるが、
光導電局衚面䞊には埓来のある皮の電子写真甚像
圢成郚材の様に、所謂保護局や電気的絶瞁局等の
衚面被芆局を蚭けおもよい。その様な衚面被芆局
を有する像圢成郚材が第図に瀺される。 第図に瀺される像圢成郚材は、支持䜓
ず光導電局ず光導電局䞊に自由衚面を
有す衚面被芆局を有する点以倖は、構成䞊に
斌いお、第図に瀺される像圢成郚材ず本質的
に異なるものではない。而乍ら衚面被芆局に
芁求される特性は、適甚する電子写真プロセスに
よ぀お各々異なる。即ち、䟋えば、特公昭42−
23910号公報同43−24748号公報に蚘茉されおいる
NP方匏の様な電子写真プロセスを適甚するので
あれば、衚面被芆局は、電気的絶瞁性であ぀
お、垯電凊理を受けた際の静電荷保持胜が充分あ
぀お、ある皋床以䞊の厚みがあるこずが芁求され
るが、䟋えば、カヌル゜ンプロセスの劂き電子写
真プロセスを適甚するのであれば、静電像圢成埌
の明郚の電䜍は非垞に小さいこずが望たしいので
衚面被芆局の厚さずしおは非垞に薄いこずが
芁求される。衚面被芆局は、その所望される
電気的特性を満足するのに加えお、光導電局
に化孊的・物理的に悪圱響を䞎えないこず、光導
電局ずの電気的接觊性及び接着性、曎には耐
湿性、耐摩耗性、クリヌニング性等を考慮しお圢
成される。 衚面被芆面の圢成材料ずしお有効に䜿甚さ
れるものずしお、その代衚的なものは、ポリ゚チ
レンテレフタレヌト、ポリカヌボネヌト、ポリプ
ロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデ
ン、ポリビニルアルコヌル、ポリスチレン、ポリ
アミド、ポリ四北化゚チレン、ポリ䞉北化塩化゚
チレン、ポリ北化ビニルポリ北化ビニリデン、六
北化プロピレン−四北化゚チレンコポリマヌ、䞉
北化゚チレン−北化ビニリデンコポリマヌ、ポ
リブデン、ポリビニルブチラヌル、ポリりレタン
等の合成暹脂、ゞアセテヌト、トリアセテヌト等
のセルロヌス誘導䜓等が挙げられる。これ等の合
成暹脂又はセルロヌス誘導䜓は、フむルム状ずさ
れお光導電局䞊に貌合されおも良く、又、そ
れ等の塗垃液を圢成しお、光導電局䞊に塗垃
し、局圢成しおも良い。衚面被芆局の局厚
は、所望される特性に応じお、又、䜿甚される材
質によ぀お適宜決定されるが、通垞の堎合、0.5
〜70Ό皋床ずされる。殊に衚面被芆局が先述
した保護局ずしおの機胜が芁求される堎合には、
通垞の堎合、10Ό以䞋ずされ、逆に電気的絶瞁局
ずしおの機胜が芁求される堎合には、通垞の堎合
10Ό以䞊ずされる。而乍ら、この保護局ず電気絶
瞁局ずを差別する局厚倀は、䜿甚材料及び適甚さ
れる電子写真プロセス、蚭蚈される像圢成郚材の
構造によ぀お、倉動するもので、先の10Όずいう
倀は絶瞁的なものではない。 又、この衚面被芆局は、先に述べた劂き反
射防止局ずしおの圹目も荷わせれば、その機胜が
䞀局拡倧されお効果的ずなる。 実斜䟋  完党にシヌルドされたクリヌンルヌム䞭に蚭眮
された第図に瀺す装眮を甚い、以䞋の劂き操䜜
によ぀お電子写真甚像圢郚材を䜜補した。 衚面が枅浄された0.2mm厚cm角のアルミニり
ム板基板を、支持台䞊に静眮された
グロヌ攟電蒞着槜内の所定䜍眮にある固定郚
材に堅固に固定した。基板は、固定郚材
内の加熱ヒヌタヌによ぀お±0.5℃の粟
床で加枩される。枩床は、熱電察アルメルヌカ
ロメルによ぀お基板裏面を盎接枬定されるよう
になされおいた。次いで系内の党バルブが閉じら
れおいるこずを確認しおからメむンバルブを
党開しお、槜内が排気され、玄×10-6torr
の真空床にした。その埌ヒヌタヌの入力電圧
を䞊昇させ、アルミニりム基板枩床を怜知しなが
ら入力電圧を倉化させ、400℃の䞀定倀になるた
で安定させた。 その埌、補助バルブ、぀いで流出バルブ
及び流入バルブを党開し、フ
ロヌメヌタヌ内も十分脱気真空状態に
された。補助バルブ、バルブ
を閉じた埌、シランガス玔床99999
ボンベのバルブを開け、出口圧ゲヌ
ゞの圧をKgcm2に調敎し、流入バルブ
を埐々に開けおフロヌメヌタ内ぞシランガス
を流入させた。匕き぀づいお、流出バルブを
埐々に開け、぀いで補助バルブを埐々に開
け、ピラニヌゲヌゞの読みを泚芖しながら補
助バルブの開口を調敎し、槜内が×
10-2torrになるたで補助バルブを開けた。局
内圧が安定しおから、メむンバルブを埐々に
閉じピラニヌゲヌゞの指瀺が0.5torrになる
たで開口を絞぀た。内圧が安定するのを確認し、
続いおアンモニアガス玔床99.999ボンベ
のバルブを開き、出口圧ゲヌゞの圧を
Kgcm2に調敎し、流入バルブを埐々に開け
フロヌメヌタにアンモニアガスを流入させた
埌、流出バルブを埐々に開け、フロヌメヌタ
の読みが、シランガスの流量の5volになる
様に流出バルブの開口を定め、安定化させ
た。高呚波電源のスむツチをon状態にし
お、誘導コむルに、5MHzの高呚波電力を投
入し、槜内のコむル内郚槜䞊郚にグロヌ
攟電を発生させ、30Wの入力電力ずした。䞊条件
で基板䞊に−半導䜓局を生長させ、10時間同条
件を保぀た埌、その埌、高呚波電源をoff状
態ずし、グロヌ攟電を䞭止させた。匕き続いお、
加熱ヒヌタヌの電源をoffずし、基板枩床が
100℃になるのを埅぀おから補助バルブ、流
出バルブを閉じメむンバルブを党
開にしお、槜内を10-5torr以䞋にした埌、メむン
バルブを閉じ槜内をリヌクバルブに
よ぀お倧気圧ずしお−半導䜓局を圢成した基板
を取り出した。この堎合、圢成された−半導䜓
局の党厚は玄20Όであ぀た。 こうしお埗られた像圢成郚材を、垯電露光実隓
装眮に蚭眮し、6KVで0.2sec間コロナ垯電を行
い、盎ちに光像を照射した。光像は、タングステ
ンランプ光源を甚い、15lux・secの光量を透過型
のテストチダヌトを通しお照射された。 その埌盎ちに、荷電性の珟像剀トナヌずキ
ダリアヌを含有を像圢成郚材衚面にカスケヌド
するこずによ぀お、郚材衚面䞊に良奜なトナヌ画
像を埗た。郚材䞊のトナヌ画像を、5KVのコロ
ナ垯電で転写玙䞊に転写した所、解像力に優れ、
階調再珟性のよい鮮明な高濃床の画像が埗られ
た。 曎に、同装眮を同様に操䜜しお、原料ガスの混
合比を倉化させた。䞀定のシランガス流量に察し
おアンモニアガス流量を以䞋の倀で倉化させ、䞊
述の垯電露光、珟像の操䜜を同䞀条件で斜すこず
によ぀おそれぞれの画像を比范し評䟡した。 その結果を衚に瀺した。
【衚】 評䟡基準◎ 優 ○ 良
△ 実甚䞊可 × 䞍可
次に、アンモニアガス流量比をシランガス流量
の10volに固定し、アルミニりム基板枩床を倉
化させお同様の評䟡を行぀た結果を衚に瀺す。
【衚】 衚䞭の 内は、窒玠雰囲気䞭400℃の熱
凊理時間埌の評䟡であり、䜎い基板床で−半
導䜓局を圢成した像圢成郚材では、熱凊理によ぀
お鮮明床は改善された。 実斜䟋  基板ずしお0.2mm厚、cm×cm角のモリブデ
ン基板を枅浄にした埌、実斜䟋ず同様に槜
内に蚭眮した。続いお、実斜䟋ず同様の操䜜に
よ぀おグロヌ攟電槜内を×10-6torrの真空
ずなし、基板枩床は400℃に保たれた埌、実斜䟋
ず同様にシランガスずアンモニアガスシラン
流量の5volが流され、槜内は、0.8torrに
調節された。この時、曎にホスフむンガスが、シ
ランガスの0.61volずなるように、ホスフむン
ガスボンベからバルブを通しお、Kg
cm2のガス圧出口圧力ゲヌゞの読みで流入
バルブ、流出バルブの調節によ぀おフロ
ヌメヌタの読みから槜内にシランガス及
びアンモニアガスずを混合流入させた。ガス流入
が安定し槜内圧が䞀定ずなり、基板枩床が400℃
に安定しおから、実斜ず同様に高呚波電源
をon状態ずしお、グロヌ攟電を開始させた。こ
の条件で、時間グロヌ攟電を持続させた埌、高
呚波電源をoff状態ずしおグロヌ攟電を䞭止
させた。その埌、流出バルブを
閉じ、補助バルブ、メむンバルブを党開
にしお、槜䞭を×10-6torrたで真空にし
た。その埌、補助バルブ、メむンバルブ
は閉じられ、流出バルブ及びを埐々に開
け、補助バルブ、メむンバルブを䞊蚘し
た局の圢成時ず同じシランガス及びアンモニアガ
スの流量状態になる様に埩垰された。続いお、ゞ
ボランガスボンベのバルブを開け、出口
圧ゲヌゞの々圧をKgcm2に調敎し、流入バ
ルブを埐々に開けお、フロヌメヌタ内ぞ
ゞボランガスを流入させた。曎に流出バルブ
を埐々に開け、フロヌメヌタの読みがシラン
ガスの流量の0.02volになる様に流出バルブ
の開口を定め、槜内ぞのシランガス及びア
ンモニアガスの流量ずずもに流量が安定化するの
を埅぀た。続いお、高呚波電源を再びon状
態ずしお、グロヌ攟電を開始させ、この条件でグ
ロヌ攟電を45分間接続させた埌、加熱ヒヌタヌ
及び高呚波電源をoff状態ずしお、基板枩
床が10℃になるのを埅぀た。その埌、補助バルブ
、流出バルブを閉じ、メむ
ンバルブを党開しお槜内を䞀旊10-5torr
以䞋にした埌、メむンバルブを閉じお、槜
内をリクバルブによ぀お倧気した埌、基板
を取り出した。こうしお像圢成郚材を埗た。圢成
された党局の厚さは玄15Όであ぀た。 こうしお埗られた像圢成郚材を、実斜䟋ず同
様に垯電露光の実隓装眮に静眮しお画像圢成の詊
隓をした所、6KVのコロナ垯電、荷電性珟像
剀の組み合せの堎合に、極めお良質の、コントラ
ストの高いトナヌ画像が転写玙䞊に埗られた。 実斜䟋  衚面が枅浄にされた0.1mm厚のAl基板cm×
cm角が実斜䟋ず同様に第図に瀺す装眮の
固定郚材䞊に静眮された。続いお実斜䟋ず
同様の操䜜によ぀おグロヌ攟電蒞着槜内及び
党ガス流入系を×10-6torrの真空ずなし、基板
枩床は、450℃に保たれた。実斜䟋ず同様の各
バルブ操䜜で槜内にシランガスずアンモニア
ガスシラン流量の5volが流され、槜内
圧は0.3torrにされた。 曎にゞボランガスボンベのバルブを開
け、出口圧ゲヌゞ圧をKgcm2に調敎し、流
入バルブを埐々に開け、フロヌメヌタヌ
の読みがシランガス流量の0.05volになる様に
流出バルブも埐々に開けられお、ゞボランガ
スが流入された。シランガス、アンモニアガス及
びゞボランガス共に流量が安定化し、基板枩床が
450℃で安定化しおから、高呚波電源をon状
態ずしお、槜内にグロヌ攟電を開始させた。
この条件でグロヌ攟電を15分間行぀た埌、グロヌ
攟電を続けながら、ゞボランの流出バルブを
フロヌメヌタを泚芖しながら埐々に閉じ、シ
ランガス流量に察しおゞボランガス流量が
0.01volになるたで開口を絞぀た。この条件で
曎にグロヌ攟電を時間続けた埌、高呚波電源を
offずしおグロヌ攟電を䞭止させ、続いお加熱ヒ
ヌタヌをoff状態ずした埌、基板枩床が100℃
になるのを埅぀お、補助バルブ、流出バルブ
共に閉じられ、メむンバルブ
が党開されお槜が䞀旊10-5torr以䞋にされ
おからメむンバルブを閉じ、リヌクバルブ
を開いお槜内を倧気圧に戻しおから基板を
取り出した。圢成された−半導䜓局の党厚は玄
16Όであ぀た。 こうしお埗られたサンプルを、サンプル裏面の
Al面を接着テヌプで目ばりした埌曎にポリカヌ
ボネヌト暹脂の30トル゚ン溶液に垂盎方向にサ
ンプルを浞挬した埌、1.5cmsecの速床で匕き䞊
げお−半導䜓局䞊にポリカヌボネヌト暹脂局を
15Ό厚に蚭けた。その埌接着テヌプは陀去され
た。 埗られた像圢成郚材を、垂販の耇写機NP−
L7のキダノン株匏䌚瀟補を改造した実隓機の
ドラム感光局のないAlドラムに接地される
ように固定し、7KV1次垯電、露光同時AC6KV
垯電、珟像荷電性液䜓珟像剀、液絞りロ
ヌラヌ絞り、転写5KV垯電の連結工皋によ぀
お普通玙䞊に鮮明な画像コントラストの高い画像
を埗た。又この工皋をくりかえし10䞇枚以䞊コピ
ヌしおも初期の良質な画像を維持した。
【図面の簡単な説明】
第図、第図及び第図は、各々本発明の電
子写真甚像圢成郚材の構成の䞀䟋を瀺す暡匏的構
成断面図、第図及び第図は各々本発明の電子
写真甚像圢成郚材を補造する為の装眮の䞀䟋を瀺
す暡匏的説明図である。   電子写真甚像圢成郚材、
  支持䜓、  光導電
局、  衚面被芆局、  蒞着
槜、  基板、  固定郚材、
  ヒヌタヌ、  高呚波電源、

  ガスボンベ。

Claims (1)

  1. 【特蚱請求の範囲】  支持䜓ず、シリコンを母䜓ずするアモルフア
    ス半導䜓から成り、氎玠ず0.1〜30原子の窒玠
    を含む光導電局ずを有するこずを特城ずする電子
    写真甚像圢成郚材。  前蚘光導電局が空乏局を有する特蚱請求の範
    囲第項に蚘茉の電子写真甚像圢成郚材。  衚面被芆局を曎に有する特蚱請求の範囲第
    項乃至同第項に蚘茉の電子写真甚像圢成郚材。  前蚘光導電局䞭の氎玠の含有量が〜40原子
    である特蚱請求の範囲第項に蚘茉の電子写真
    甚像圢成郚材。  前蚘光導電局がゲルマニりムを含有する特蚱
    請求の範囲第項に蚘茉の電子写真甚像圢成郚
    材。  前蚘光導電局が型䞍玔物を含有する特蚱請
    求の範囲第項に蚘茉の電子写真甚像圢成郚材。  前蚘型䞍玔物が、呚期埋衚第族の元玠で
    ある特蚱請求の範囲第項に蚘茉の電子写真甚像
    圢成郚材。  前蚘呚期埋衚第族の元玠が、As、Sb及
    びBiの䞭より遞択されるものである特蚱請求の範
    囲第項に蚘茉の電子写真甚像圢成郚材。  前蚘光導電局が型䞍玔物を含有する特蚱請
    求の範囲第項に蚘茉の電子写真甚像圢成郚材。  前蚘型䞍玔物が、呚期埋衚第族の元玠
    である特蚱請求の範囲第項に蚘茉の電子写真甚
    像圢成郚材。  前蚘呚期埋衚第族の元玠が、、Al、
    Ga、In及びTlの䞭より遞択されるものである特
    蚱請求の範囲第項に蚘茉の電子写真甚像圢成
    郚材。  前蚘型䞍玔物の含有量が10-8〜10-3原子
    である特蚱請求の範囲第項に蚘茉の電子写真
    甚像圢成郚材。  前蚘型䞍玔物の含有量が、10-6〜10-3原
    子である特蚱請求の範囲第項に蚘茉の電子写
    真甚像圢成郚材。  前蚘光導電局の䌝導特性が、型、型及
    び型の䞭より遞択される特性である特蚱請求の
    範囲第項に蚘茉の電子写真甚像圢成郚材。  前蚘光導電局は、第䞀の䌝導特性を有する
    局領域ず、該局領域の䌝導特性ずは異なる第二の
    䌝導特性を有する局領域ずの積局構造を有する特
    蚱請求の範囲第項に蚘茉の電子写真甚像圢成郚
    材。  前蚘支持䜓ず前蚘光導電局ずの間に障壁局
    を曎に有する特蚱請求の範囲第項に蚘茉の電子
    写真甚像圢成郚材。
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