JPS60125846A - 電子写真像形成部材 - Google Patents
電子写真像形成部材Info
- Publication number
- JPS60125846A JPS60125846A JP23337983A JP23337983A JPS60125846A JP S60125846 A JPS60125846 A JP S60125846A JP 23337983 A JP23337983 A JP 23337983A JP 23337983 A JP23337983 A JP 23337983A JP S60125846 A JPS60125846 A JP S60125846A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- amorphous
- layer
- image forming
- forming member
- electrophotographic image
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体レーザ発振波長領域（７８０訊）におい
て、感度を有するアモルファス水素化シリコン光導電体
に関するものである。
て、感度を有するアモルファス水素化シリコン光導電体
に関するものである。
アモルファス水素化シリコンは、固有の性質として、光
波長６５０ｎｍ近辺に感光体感度のピーク値を持ち、長
波長７００？Ｌ？７′Ｌ以上においてはこの感度がピー
ク値よシも１桁以上低下する特性を有している。従って
アモルファス水素化シリコンを電子写真用感光体ドラム
、特にレーザプリンターの感光体ドラムとして使用する
とき、ヘリウム−ネオンレーザに対しては使用可能なも
のの、半導体レーザに対しては長波長の増感を実現しな
ければならなかった。長波長増感に関する答易な方法は
、オブチカルギャップの小さな元素を添加することであ
り、ゲルマニウム、錫の添加が有効なことが知られてい
る。しかしこれらの元素を単独でアモルファス水素化シ
リコンに添加したとき、オプチカルギャップは確実にこ
れらの元素量に比例して小さくなるものの、長波長感度
の増感は実現しえなかった。それは膜内欠陥が急増し、
これら欠陥に光キャリアが捕獲され、膜内を走行できな
いという事情によるものであった。
波長６５０ｎｍ近辺に感光体感度のピーク値を持ち、長
波長７００？Ｌ？７′Ｌ以上においてはこの感度がピー
ク値よシも１桁以上低下する特性を有している。従って
アモルファス水素化シリコンを電子写真用感光体ドラム
、特にレーザプリンターの感光体ドラムとして使用する
とき、ヘリウム−ネオンレーザに対しては使用可能なも
のの、半導体レーザに対しては長波長の増感を実現しな
ければならなかった。長波長増感に関する答易な方法は
、オブチカルギャップの小さな元素を添加することであ
り、ゲルマニウム、錫の添加が有効なことが知られてい
る。しかしこれらの元素を単独でアモルファス水素化シ
リコンに添加したとき、オプチカルギャップは確実にこ
れらの元素量に比例して小さくなるものの、長波長感度
の増感は実現しえなかった。それは膜内欠陥が急増し、
これら欠陥に光キャリアが捕獲され、膜内を走行できな
いという事情によるものであった。
本発明の目的は、上記したゲルマニウム添加により派生
した。欠陥を他元素の添加にょシ補償し良好な長波長増
感を実現することにある。
した。欠陥を他元素の添加にょシ補償し良好な長波長増
感を実現することにある。
本発明は、■■■■族の半導体、半金属のアモルファス
状態において、単元素あるいは同族元素状態よりも、異
種族元素を含む化合物状態では、膜内の構造緩和が生じ
、内部ストレインが低減すルトイ’） Ｊ、 Ｏ，ＰＪ
ＬＬｌ、ＬＰ（Ｐ％、Ｒｂｙ、 Ｌａｕ； ４２巻１１
５１頁１９７９年）の主張を考慮し、着手したものであ
るこの理論が直接アモルファス水素化シリコンに対し、
適用されるか否かは議論の余地が残されているものの、
感光体と同様構成の撮像管の光キヤリア発生層として、
セレン−テルル（Ｓ−−Ｔ−）系テハ問題かあり、セレ
ン−テルル−５ｉ 素（Ｅｚ−Ｔ４−Ａ８）の化合物状
態が利用されている事実、あるいは、ゲルマニウムオキ
サイド（Ｇ４０りを原材料としスパッタリング法で作成
された、水素を含むアモルファス酸素化ゲルマニウムが
、アモルファス水素化ゲルマニウムよりも熱処理等にお
いて安定なことから検討されることになった。また、こ
れらの事実に加えて、同族化合物状態のアモルファス水
素化シリコン、カーボン系において、ジボラン（Ｂ２Ｈ
６）あるいはホスフィン（ＰＨりの微量添加は、添加し
ない状態に比較し、オプティカルギャップが低下し、光
導電層が３桁の範囲内で良好になることが観測されてい
る。これらはこのアモルファス系において、各々の添加
物が膜内ネットワーク中の不飽和結合手（ダングリング
ボンド）を補償するという事実から理解されている。更
に、最近の実験結果では、■族のアモルファス水素化シ
リコンに■族元素の硼素（Ｂ）あるいは■族元素の燐（
Ｐ）の微量添加は、不飽和結合手（ダングリングボンド
）を増加させるものの、両者の微量弁用添加では逆に不
飽和結合手（ダングリングボンド）を著しく減少させる
ことが明らかにされている以上、いくつかの実験事実を
整理すると、欠陥の少ない■族のアモルファス状態中へ
の微量添加物は欠陥を多くするが、欠陥の多い■族同志
のアモルファス状態中では、■、Ｖ１■族の微量添加物
は不飽和結合手（ダングリングボンド）などの膜内欠陥
を低減すると理解できる。
状態において、単元素あるいは同族元素状態よりも、異
種族元素を含む化合物状態では、膜内の構造緩和が生じ
、内部ストレインが低減すルトイ’） Ｊ、 Ｏ，ＰＪ
ＬＬｌ、ＬＰ（Ｐ％、Ｒｂｙ、 Ｌａｕ； ４２巻１１
５１頁１９７９年）の主張を考慮し、着手したものであ
るこの理論が直接アモルファス水素化シリコンに対し、
適用されるか否かは議論の余地が残されているものの、
感光体と同様構成の撮像管の光キヤリア発生層として、
セレン−テルル（Ｓ−−Ｔ−）系テハ問題かあり、セレ
ン−テルル−５ｉ 素（Ｅｚ−Ｔ４−Ａ８）の化合物状
態が利用されている事実、あるいは、ゲルマニウムオキ
サイド（Ｇ４０りを原材料としスパッタリング法で作成
された、水素を含むアモルファス酸素化ゲルマニウムが
、アモルファス水素化ゲルマニウムよりも熱処理等にお
いて安定なことから検討されることになった。また、こ
れらの事実に加えて、同族化合物状態のアモルファス水
素化シリコン、カーボン系において、ジボラン（Ｂ２Ｈ
６）あるいはホスフィン（ＰＨりの微量添加は、添加し
ない状態に比較し、オプティカルギャップが低下し、光
導電層が３桁の範囲内で良好になることが観測されてい
る。これらはこのアモルファス系において、各々の添加
物が膜内ネットワーク中の不飽和結合手（ダングリング
ボンド）を補償するという事実から理解されている。更
に、最近の実験結果では、■族のアモルファス水素化シ
リコンに■族元素の硼素（Ｂ）あるいは■族元素の燐（
Ｐ）の微量添加は、不飽和結合手（ダングリングボンド
）を増加させるものの、両者の微量弁用添加では逆に不
飽和結合手（ダングリングボンド）を著しく減少させる
ことが明らかにされている以上、いくつかの実験事実を
整理すると、欠陥の少ない■族のアモルファス状態中へ
の微量添加物は欠陥を多くするが、欠陥の多い■族同志
のアモルファス状態中では、■、Ｖ１■族の微量添加物
は不飽和結合手（ダングリングボンド）などの膜内欠陥
を低減すると理解できる。
この結論に基づき、本発明は、通常製作法では欠陥の多
いアモルファス水素化シリコンゲルマニウム系に、少量
の酸素（０）および硼素（Ｂ）を添加し、感光体ドラム
の光キヤリア発生層として、半導体レーザ発振波長領域
の増感を実現したものである。
いアモルファス水素化シリコンゲルマニウム系に、少量
の酸素（０）および硼素（Ｂ）を添加し、感光体ドラム
の光キヤリア発生層として、半導体レーザ発振波長領域
の増感を実現したものである。
本発明を図面をもって説明する。この光導電体ａ）Ｊ１
１法νＩ：ｌｒｌｏ ２賦 ｍ 外ｖ 〃 ロ − ツ
に営 偽哄η−上 ｈ 宗 王目 ぞ！ 音１．ン一
−即ち、各種生成原料ガスをプラズマ化して、これらを
支持体■上に積層することにより膜は製作される。支持
体は感光体ドラムとして利用することから、本実施例で
はアルミ板を選択する。公知のグロー放電法の手法に従
い、アルミ板を放電槽４に設置し、支持体ヒータ毘によ
シ所定温度に加熱するとともに、放電槽４、配管系、ガ
ス混合タンク７を高真空（Ｉ ＸＩＯＴｏｒｒ程度）に
排気する。
１法νＩ：ｌｒｌｏ ２賦 ｍ 外ｖ 〃 ロ − ツ
に営 偽哄η−上 ｈ 宗 王目 ぞ！ 音１．ン一
−即ち、各種生成原料ガスをプラズマ化して、これらを
支持体■上に積層することにより膜は製作される。支持
体は感光体ドラムとして利用することから、本実施例で
はアルミ板を選択する。公知のグロー放電法の手法に従
い、アルミ板を放電槽４に設置し、支持体ヒータ毘によ
シ所定温度に加熱するとともに、放電槽４、配管系、ガ
ス混合タンク７を高真空（Ｉ ＸＩＯＴｏｒｒ程度）に
排気する。
高真空が得られたのち水素ガスや希ガスのような膜組成
に直接関係しないガスを全系に充満させ、グロー放電時
のガス流量および真空度とする。まず第２図に示すよう
に、アルミ支持体ｎ上に障壁層止を作る。本実施例では
光導電層四に窒素を使用することから、残留、吸着ガス
による炭素、酸素元素の膜汚染を回避するため、アモル
ファスシリコンナイトライド（ＳＡ３Ｎ４）の層とする
。この障壁層迅は、窒素ガスあるいはアンモニアガスと
シランガスの混合比を、Ｎ２ ／ ＢＬＨ４≧０．５あ
るいはＮＨａ／ ５ＬＨ４＞ ０．５とし、また、放電
槽４の真空度を１から５ Ｔｏｒｒ内に、−Ｖ片雷雷力
か臀道雷扇１０側徐時に比較して、１．５から２倍程度
に高めることにより得られる。この障壁層迅はエネルギ
ーギャップが広く、高電気抵抗にあることから、感光体
ドラムにおいては暗中初期帯電電圧の暗減衰の抑止に効
果的であるものの、膜厚が厚すぎると、半導体レーザ光
により、光キヤリア発生層２０にて生成した光キャリア
の走行を妨げ残留電位を大きくする。このため、膜厚は
０．１ρ以下、望ましい値は０．５μｍ以下であった。
に直接関係しないガスを全系に充満させ、グロー放電時
のガス流量および真空度とする。まず第２図に示すよう
に、アルミ支持体ｎ上に障壁層止を作る。本実施例では
光導電層四に窒素を使用することから、残留、吸着ガス
による炭素、酸素元素の膜汚染を回避するため、アモル
ファスシリコンナイトライド（ＳＡ３Ｎ４）の層とする
。この障壁層迅は、窒素ガスあるいはアンモニアガスと
シランガスの混合比を、Ｎ２ ／ ＢＬＨ４≧０．５あ
るいはＮＨａ／ ５ＬＨ４＞ ０．５とし、また、放電
槽４の真空度を１から５ Ｔｏｒｒ内に、−Ｖ片雷雷力
か臀道雷扇１０側徐時に比較して、１．５から２倍程度
に高めることにより得られる。この障壁層迅はエネルギ
ーギャップが広く、高電気抵抗にあることから、感光体
ドラムにおいては暗中初期帯電電圧の暗減衰の抑止に効
果的であるものの、膜厚が厚すぎると、半導体レーザ光
により、光キヤリア発生層２０にて生成した光キャリア
の走行を妨げ残留電位を大きくする。このため、膜厚は
０．１ρ以下、望ましい値は０．５μｍ以下であった。
次に光導電層扮を障壁層１８上に積層する。この層は暗
中初期帯電電圧（４００〜６００ Ｖ ）の保持、およ
び上述光キャリアが膜内を走行しうる機能を持たねばな
らない。両者の機能を実現させるためには、アモルファ
ス水素化シリコン膜内の不飽和結合手（ダングリングボ
ンド）と電気抵抗値が重要な役割をはだし、障壁層なし
の状態で、膜厚あたりの帯′電電圧が４０〜５０ ／工
が良好であった。このよう々光導電層は放電槽４の真空
度が２ Ｔｏｒｒ以下、支持体１１の温度２５０〜３０
０°Ｃにおいて、アモルファス水素化シリコく単独で、
あるいはＮ２ ／ ＢＬＨ４≦１、Ｂ２Ｈ６／ （Ｎ２
−）−ＢＬＨ４）＜、 ０．０１ ｆｘ イＬ ＮＨａ
／ ＢＬＨ４＜ １、Ｂ２Ｈ６／ （ＮＨａ 十ＢＬ
ＩＩ＜ ）≦０．Ｏ１のガス比による窒素（Ｎりあるい
は光キヤリア発生層は光導電層と同様の真空度、支持体
温度のもとで、シランガス（ＢＬ１１４）とゲルマンガ
ス（昨Ｈ４）のガス比眞山／ ５Ａａ４ ＜０ 、４ま
た、酸素（０）とジボランガス（Ｂ２Ｈ６）に関しては
、０２ ／（ＳＬＬ −１−Ｇ４１Ｈ４） ＜、 ０
、１、Ｂ２Ｈ６／ （ＳＡＬ ＋Ｇ４Ｈ４） ’−０，
１のもとで作製された。この層において、［株］山／
ＢＬＨ４の比が大きくなると、オプチカルギャップは低
下するが、暗減衰が増加し、望ましくなかった。また膜
厚に関しても、膜厚増加により感度は増加するが、暗減
衰も同様に増大した。このため光キャリア発生層側の膜
厚は１μｍ以下、望ましい値は０．５μｍ以下であった
。
中初期帯電電圧（４００〜６００ Ｖ ）の保持、およ
び上述光キャリアが膜内を走行しうる機能を持たねばな
らない。両者の機能を実現させるためには、アモルファ
ス水素化シリコン膜内の不飽和結合手（ダングリングボ
ンド）と電気抵抗値が重要な役割をはだし、障壁層なし
の状態で、膜厚あたりの帯′電電圧が４０〜５０ ／工
が良好であった。このよう々光導電層は放電槽４の真空
度が２ Ｔｏｒｒ以下、支持体１１の温度２５０〜３０
０°Ｃにおいて、アモルファス水素化シリコく単独で、
あるいはＮ２ ／ ＢＬＨ４≦１、Ｂ２Ｈ６／ （Ｎ２
−）−ＢＬＨ４）＜、 ０．０１ ｆｘ イＬ ＮＨａ
／ ＢＬＨ４＜ １、Ｂ２Ｈ６／ （ＮＨａ 十ＢＬ
ＩＩ＜ ）≦０．Ｏ１のガス比による窒素（Ｎりあるい
は光キヤリア発生層は光導電層と同様の真空度、支持体
温度のもとで、シランガス（ＢＬ１１４）とゲルマンガ
ス（昨Ｈ４）のガス比眞山／ ５Ａａ４ ＜０ 、４ま
た、酸素（０）とジボランガス（Ｂ２Ｈ６）に関しては
、０２ ／（ＳＬＬ −１−Ｇ４１Ｈ４） ＜、 ０
、１、Ｂ２Ｈ６／ （ＳＡＬ ＋Ｇ４Ｈ４） ’−０，
１のもとで作製された。この層において、［株］山／
ＢＬＨ４の比が大きくなると、オプチカルギャップは低
下するが、暗減衰が増加し、望ましくなかった。また膜
厚に関しても、膜厚増加により感度は増加するが、暗減
衰も同様に増大した。このため光キャリア発生層側の膜
厚は１μｍ以下、望ましい値は０．５μｍ以下であった
。
光キヤリア発生層２０の製作において、７ラン（Ｓｊ／
Ｈ４）、ゲルマン（Ｇ４Ｈ４）およびジボラン（Ｂ２Ｈ
６）の３ｗｉ類のガスは、原料ガスボンベ順から、ガス
圧力計あるいはガス流量計８により所定の値に制御し、
ガス混合タンク７に導き、これらの一様混合化を可能と
しだ。このため、ゲルマンガス（Ｇ、Ｈ４）供給当初は
、混合ガスタンク７内のゲルマニウム（Ｇ−）濃度が低
く、また、供給停止後においても徐々にゲルマニウム（
→濃度が低下する。この事情は光キヤリア発生層２０内
のゲルマニウム濃度にも反映し、なだらかな裾をもつガ
ウス分布型、濃度分布になることが予想され、これはま
た、発生光キャリアの走行上、特性の良好さに寄与して
いるものと考えられた。
Ｈ４）、ゲルマン（Ｇ４Ｈ４）およびジボラン（Ｂ２Ｈ
６）の３ｗｉ類のガスは、原料ガスボンベ順から、ガス
圧力計あるいはガス流量計８により所定の値に制御し、
ガス混合タンク７に導き、これらの一様混合化を可能と
しだ。このため、ゲルマンガス（Ｇ、Ｈ４）供給当初は
、混合ガスタンク７内のゲルマニウム（Ｇ−）濃度が低
く、また、供給停止後においても徐々にゲルマニウム（
→濃度が低下する。この事情は光キヤリア発生層２０内
のゲルマニウム濃度にも反映し、なだらかな裾をもつガ
ウス分布型、濃度分布になることが予想され、これはま
た、発生光キャリアの走行上、特性の良好さに寄与して
いるものと考えられた。
最後に、この光ギヤリア発生層２０上に更に光導電層紛
および障壁層侶を積層しなければならないが、これは上
述の過程と同様にして実現された。
および障壁層侶を積層しなければならないが、これは上
述の過程と同様にして実現された。
本発明の実施例は、高周波グロー放電法にて説明した。
しかし本発明はこの方法に限定されるものでは々く、高
周波スパッタリング法においても適用可能である。即ち
スパッタリング、ターゲットとして、高純度シリコンお
よびゲルマニウムノ結晶板を高周波電極上に、然るべき
面積比で設置するか、あるいはシリコンゲルマニウムの
化合物を利用することにより、又、スノくンタリンクガ
スとして、水素及びアルゴンの混合ガスに、ジボラン及
び酸素ガスを混合させることによ如実現しうる。
周波スパッタリング法においても適用可能である。即ち
スパッタリング、ターゲットとして、高純度シリコンお
よびゲルマニウムノ結晶板を高周波電極上に、然るべき
面積比で設置するか、あるいはシリコンゲルマニウムの
化合物を利用することにより、又、スノくンタリンクガ
スとして、水素及びアルゴンの混合ガスに、ジボラン及
び酸素ガスを混合させることによ如実現しうる。
本発明は、電子写真像形部材への適用を主体にして説明
してきた。しかし、本発明は、ゲルマニウム（Ｇ４）を
利用し長波長増感をしようとする場合、電子写真像形成
部材に限定されることなく、例えば、撮像管に太陽電池
においても適用することが可能である。
してきた。しかし、本発明は、ゲルマニウム（Ｇ４）を
利用し長波長増感をしようとする場合、電子写真像形成
部材に限定されることなく、例えば、撮像管に太陽電池
においても適用することが可能である。
本発明によれば、従来アモルファス水素化シリコンゲル
マニウム系ｆおいて観測されていた極めて小さな光伝導
度が、酸素、硼素の膜内欠陥補償作用により、飛躍的向
上が実現され、オプチカルギャップ１．４から１．５θ
■のもとで、初期帯電電圧４００■以上、また、光波長
８００ ””のもとて半減露光量感度０．１ ｄ７．、
以上を得ることが可能となった。
マニウム系ｆおいて観測されていた極めて小さな光伝導
度が、酸素、硼素の膜内欠陥補償作用により、飛躍的向
上が実現され、オプチカルギャップ１．４から１．５θ
■のもとで、初期帯電電圧４００■以上、また、光波長
８００ ””のもとて半減露光量感度０．１ ｄ７．、
以上を得ることが可能となった。
第１図は本発明像形成部材の製造装置の模式図である。
第２図は本発明実施例の縦断面図である。図において、
１は高周波発振器、２はマツチングボックス、３は電極
、４は放電槽、５はバルブ、６は全体ガス流量計、７は
ガス混合タンク、８ハカスｆｉ！計、９はボンベパルプ
、ｌＯハカスボンベ、ｌｌは支持体、１２は支持体ヒー
タ、１３は配管用拡散ポンプ、１４は配管用ロータリポ
ンプ、迅は主拡散ポンプ、正はブスタボンプ、１７は主
ロータリぐ ポンプ、１８は障壁層、Ｂは光導電層、加は光キヤリア
発生層である。 特許出願人の名称 日立工機株式会社
１は高周波発振器、２はマツチングボックス、３は電極
、４は放電槽、５はバルブ、６は全体ガス流量計、７は
ガス混合タンク、８ハカスｆｉ！計、９はボンベパルプ
、ｌＯハカスボンベ、ｌｌは支持体、１２は支持体ヒー
タ、１３は配管用拡散ポンプ、１４は配管用ロータリポ
ンプ、迅は主拡散ポンプ、正はブスタボンプ、１７は主
ロータリぐ ポンプ、１８は障壁層、Ｂは光導電層、加は光キヤリア
発生層である。 特許出願人の名称 日立工機株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１） 金属支持体と、アモルファス水素化シリコンで
構成される光導電層において、当該光導電層内に、ゲル
マニウム（帆）、酸素（０）、硼素（Ｂ）を含む、アモ
ルファス水素化シリコンゲルマニウムの光キヤリア発生
層の薄層領域を有することを特徴とする電子写真像形成
部材。 Ｇ２） 光キヤリア発生層の生成原料ガス、７ラン（ｓ
＝Ｈ４）、ゲルマン（Ｇ４Ｈ４）、酸素（０２）および
ジボラン（Ｂ２Ｈ６）において、ガス圧力比が ０２／
（ＳＬＨ４十０４Ｈ４） ＜ ０．１ Ｂ２Ｈ６／ （
ｓＬｍ ＋ Ｇ４Ｅ（・≦０．１ であることを特徴と
する特許請求範囲第１項記載の電子写真像形成部材。 （３）当該電子写真像形成部材の表面および金属支持体
との界面に、アモルファスシリコンカーノくイト（９−
ｃｌ系、アモルファスシリコンオキサイドＰｃＱ）系、
アモルファス７リコンナイトライド（ＳｉａＮ４）系の
いずれかによる薄層領域を有することを特徴とする特許
請求範囲第１項又は第２項記載の電子写真像形成部材。 （４）アモルファス水素化シリコンの光導電層か、窒素
（Ｎ）と硼素（Ｂ）を有することを特徴とする特許請求
範囲第１１第２又は第３項記載の電子写真像形成部材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23337983A JPS60125846A (ja) | 1983-12-09 | 1983-12-09 | 電子写真像形成部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23337983A JPS60125846A (ja) | 1983-12-09 | 1983-12-09 | 電子写真像形成部材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60125846A true JPS60125846A (ja) | 1985-07-05 |
Family
ID=16954175
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23337983A Pending JPS60125846A (ja) | 1983-12-09 | 1983-12-09 | 電子写真像形成部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60125846A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4738912A (en) * | 1985-09-13 | 1988-04-19 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member having an amorphous carbon transport layer |
| US4741982A (en) * | 1985-09-13 | 1988-05-03 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member having undercoat layer of amorphous carbon |
| US4743522A (en) * | 1985-09-13 | 1988-05-10 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member with hydrogen-containing carbon layer |
| US4749636A (en) * | 1985-09-13 | 1988-06-07 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member with hydrogen-containing carbon layer |
| US4851313A (en) * | 1986-06-10 | 1989-07-25 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member comprising charge generating layer and charge transporting layer and process for preparing same |
| US4863820A (en) * | 1985-07-01 | 1989-09-05 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member having amorphous silicon-germanium layer and process for producing same |
| US5000831A (en) * | 1987-03-09 | 1991-03-19 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Method of production of amorphous hydrogenated carbon layer |
| US5166018A (en) * | 1985-09-13 | 1992-11-24 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member with hydrogen-containing carbon layer |
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