JPS6226458B2 - - Google Patents
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Landscapes
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Description
本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光
線、可視光線、赤外光線、Ｘ線、γ線、α線等を
示す）の様な電磁波を利用して像形成するのに使
用される電子写真用像形成部材に関する。 従来、電子写真用像形成部材の光導電層を構成
する光導電材料としては、Se、CdS、ZnO等の無
機光導電材料やポリ−Ｎビニルカルバゾール
（PVK）、トリニトロフルオレノン（TNF）等の
有機光導電材料（OPC）が一般的に使用されて
いる。 而乍ら、これ等の光導電材料を使用する電子写
真用像形成部材に於いては、未だ諸々の解決され
得る可き点があつて、ある程度の条件緩和をし
て、個々の状況に応じて各々適当な電子写真用像
形成部材が使用されているのが実情である。 例えば、Seを光導電層形成材料とする電子写
真用像形成部材は、Se単独では、例えば、可視
光領域の光を利用する場合、その分光感度領域が
狭いのでTeやAsを添加して分光感度領域を拡げ
ることが計られている。 而乍ら、この様な、TeやAsを含むSe系光導電
層を有する電子写真用像形成部材は、確かに分光
感度領域は改良されるが、光疲労が大きくなる為
に、同一原稿を連続的に繰返し、コピーすると複
写画像の画像濃度の低下やバツクグランドの汚れ
（白地部分のカブリ）を生じたり、又引続き他の
原稿をコピーすると前の原稿の画像が残像として
複写される（ゴースト現象）等の欠点を有してい
る。 而も、Se、殊にAs、Teは人体に対して極めて
有害な物質であるので、製造時に於いて、人体へ
の接触がない様な製造装置を使用する工夫が必要
であつて、装置への資本投下が著しく大きい。更
には、製造後に於いても、光導電層が露呈してい
ると、クリーニング等の処理を受ける際、光導電
層表面は直に摺擦される為に、その一部が削り取
られて、現像剤中に混入したり、複写機内に飛散
したり、複写画像中に混入したりして、人体に接
触する原因を与える結果を生む。又、Se系光導
電層は、その表面がコロナ放電に、連続的に多数
回繰返し晒されると、層の表面付近が結晶化又は
酸化を起して光導電層の電気的特性の劣化を招く
場合が少なくない。或いは、又、光導電層表面が
露呈していると、静電像の可視化（現像）に際
し、液体現像剤を使用する場合、その溶剤と接触
する為に耐溶剤性（耐液現性）に優れていること
が要求されるが、この点に於いて、Se系光導電
層は必ずしも満足しているとは断言し難い。 これ等の点を改良する為に、Se系光導電層の
表面を、所謂保護層や電気絶縁層等と称される表
面被覆層で覆うことが提案されている。 而乍ら、これ等の改良に関しても、光導電層と
表面被覆層との接着性、電気的接触性及び表面被
覆層に要求される電気的特性や表面性の点に於い
て充分なる解決が成されているとは云い難いのが
現情である。 又、別には、Se系光導電層は、通常の場合真
空蒸着によつて形成されるので、その為の装置へ
の著しい資本投下を必要とし、且つ、所期の光導
電特性を有する光導電層を再現性良く得るには、
蒸着温度、蒸着基板温度、真空度、冷却速度等の
各種の製造パラメーターを厳密に調整する必要が
ある。 更に、表面被覆層は、光導電層面に、フイルム
状のものを接着剤を介して貼合するか、又は、表
面被覆層形成材料を塗布して形成される為に、光
導電層を形成する装置とは別の装置を設置する必
要があつて、設備投資の著しい増大があつて、昨
今の様な減速経済成長期に於いては甚だ芳しくな
い。 又、Se系光導電層は、電子写真用像形成部材
の光導電層としての高暗抵抗を保有する為に、ア
モルフアス状態に形成されるが、Seの結晶化が
約65℃と極めて低い温度で起る為に、製造後の取
扱い中に、又は使用中に於ける周囲温度や画像形
成プロセス中の他の部材との摺擦による摩擦熱の
影響を多分に受けて結晶化現象を起し、暗抵抗の
低下を招き易いという耐熱性上にも欠点がある。 一方、ZnO、CdS等を光導電層構成材料として
使用する電子写真用像形成部材は、その光導電層
が、ZnOやCdS等の光導電材料粒子を適当な樹脂
結合剤中に均一に分散して形成されている。こ
の、所謂バインダー系光導電層を有する像形成部
材は、Se系光導電層を有する像形成部材に較べ
て製造上に於いて有利であつて、比較的製造コス
トの低下を計ることが出来る。即ち、バインダー
系光導電層は、ZnOやCdSの粒子と適当な樹脂結
着剤とを適当な溶剤を用いて混練して調合した塗
布液を適当な基体上に、ドクターブレード法、デ
イツピング法等の塗布方法で塗布した後固化させ
るだけで形成することが出来るので、Se系光導
電層を有する像形成部材に較べ製造装置にそれ程
の資本投下をする必要がないばかりか、製造法自
体も簡便且つ容易である。 而乍ら、バインダー系光導電層は、基本的に構
成材料が光導電材料と樹脂結着剤の二成分系であ
るし、且つ光導電材料粒子が樹脂結着剤中に均一
に分散されて形成されなければならない特殊性の
為に、光導電層の電気的及び光導電的特性や物理
的化学的特性を決定するパラメータが多く、従つ
て、斯かるパラメーターを厳密に調整しなければ
所望の特性を有する光導電層を再現性良く形成す
ることが出来ずに歩留りの低下を招き量産性に欠
けるという欠点がある。 又、バインダー系光導電層は、分散系という特
殊性故に、層全体がポーラスになつており、その
為に湿度依存性が著しく、多湿雰囲気中で使用す
ると電気的特性の劣化を来たし、高品質の複写画
像が得られなくなる場合が少なくない。 更には、光導電層のポーラス性は、現像の際の
現像剤の層中への侵入を招来し、離型性、クリー
ニング性が低下するばかりか使用不能を招く原因
ともなり、殊に、液体現像剤を使用すると毛管現
象による促進をうけてそのキヤリアー溶剤と共に
現像剤が層中に侵透するので上記の点は著しいも
のとなり、Se系光導電層の場合と同様に光導電
層表面を表面被覆層で覆うことが必要となる。 而乍ら、この表面被覆層を設ける改良も、光導
電層のポーラス性に起因する光導電層表面の凹凸
性故に、その界面が均一にならず、光導電層と表
面被覆層との接着性及び電気的接触性の良好な状
態を得る事が仲々困難であるという欠点が存す
る。 又、CdSを使用する場合には、CdS自体の人体
への影響がある為に、製造時及び使用時に於い
て、人体に接触したり、或いは、周囲環境下に飛
散したりすることのない様にする必要がある。
ZnOを使用する場合には、人体に対する影響は殆
んどないが、ZnOバインダー系光導電層は光感度
が低く、分光感度領域が狭い、光疲労が著しい、
光応答性が悪い等の欠点を有している。 又、最近注目されているPVKやTNF等の有機
光導電材料を使用する電子写真用像形成部材に於
いては、表面が導電処理されたポリエチレンテレ
フタレート等の適当な支持体上にPVKやTNF等
の有機光導電材料の塗膜を形成するだけで光導電
層を形成出来るという製造上に於ける利点及び可
撓性に長けた電子写真用像形成部材が製造出来る
という利点を有するものであるが、他方に於い
て、耐湿性、耐コロナイオン性、クリーニング性
に欠け、又光感度が低い、可視光領域に於ける分
光感度領域が狭く且つ短波長側に片寄つている等
の欠点を有し、極限定された範囲でしか使途に供
されていない。然もこれ等の有機光導電材料の中
には発癌性物質の疑いがあるものもある等、人体
に対してその多くは全く無害であるという保証が
なされていない。 この様に、電子写真用像形成部材の光導電層を
形成する材料として従来から指摘されている光導
電材料を使用した電子写真用像形成部材は利点と
欠点を併せ持つ為に、ある程度、製造条件及び使
用条件を緩和して各々の使途に合う適当な電子写
真用像形成部材を各々に選択して実用に供してい
るのが現情である。 従つて、上述の諸問題点の解決された優れた電
子写真用像形成部材が得られる様な電子写真用像
形成部材の光導電層を形成する材料としての第３
の材料が所望されている。 その様な材料として最近有望視されているもの
の中に例えばアモルフアスシリコン（以後ａ−Si
と略記する）やアモルフアスゲルマニウム（以後
ａ−Geと略記する）がある。 ところでａ−Si膜やａ−Ge膜は、開発初期の
ころは、その製造法や製造条件によつて、その構
造が左右される為に種々の電気的特性・光学的特
性を示し、再現性の点に大きな問題を抱えてい
た。例えば、初期に於いて、真空蒸着法やスパツ
ターリング法で形成されたａ−Si膜は、ボイド等
の欠陥を多量に含んでいて、その為に電気的性質
も光学的性質も大きく影響を受け、基礎物性の研
究材料としてもそれ程注目されてはいず、応用の
為の研究開発もなされなかつた。而乍ら、アモル
フアスではｐ、ｎ制御が不可能とされていたの
が、ａ−Siに於いて、1976年初頭にアモルフアス
としては初てｐ−ｎ接合が実現し得るという報告
Applid Physics Letter；Vol.28、No.2、15
January 1976）が成されて以来、大きな関心が
集められ、以後上記の不純物のドーピングによつ
てｐ−ｎ接合が得られることに加えて結晶性シリ
コン（ｃ−Siと略記する）では非常に弱いルミネ
センスがａ−Siでは高効率で観測できるという観
点から、例えば米国特許第4064521号にみられる
ように主として太陽電池（光起電器）への応用に
研究開発の穂先が向けられて来ている。そして該
米国特許は、基体にシラン中グロー放電により得
たａ−Si体を重ね、その上に金属層と、電極を内
包する抗反射層を有してなる太陽電池を開示して
いる。該米国特許にはまた、前記ａ−Si体につい
て、ひと言それに水素が存在すれば良好な電子特
性に有利であると思われる、と記載されている
が、これについてはそれ以上の開示はなく事実と
して具体化されたものではない。 この様に、これ迄に報告されているａ−Si膜
は、太陽電池用として開発されたものであるの
で、その電気的特性・光学的特性の点に於いて、
電子写真感光体の光導電層としては使用し得ない
のが実情である。即ち、太陽電池は、太陽エネル
ギーを電流の形に変換して取り出すので、SN比
が良くて、効率良く電流を取り出すには、ａ−Si
膜の抵抗は小さくなければならないが、余り抵抗
が少さ過ぎると光感度が低下し、SN比が悪くな
るので、その特性の一つとしての抵抗は105〜108
Ω・cm程度が要求される。 而乍ら、この程度の抵抗（暗抵抗：暗所での抵
抗）を有するａ−Si膜は、電子写真感光体の光導
電層としては、余りにも抵抗（暗抵抗）が低く過
ぎて、現在、知られている電子写真法を適用する
のでは全く使用し得ない。この暗抵抗の問題はａ
−Geについてもまた同様である。 又、電子写真感光体の光導電層形成材料として
は、明抵抗（光照射時の抵抗）が暗抵抗に較べて
２〜４桁程度小さいことが要求されるが、従来、
報告されているａ−Si膜やａ−Ge膜では精々２
桁程度であるので、この点に於いても従来のａ−
Si膜やａ−Ge膜では、その特性を充分満足し得
る光導電層とは成り得なかつた。 又、別には、これ迄のａ−Si膜に関する報告で
は、暗抵抗を増大させると光感度が低下し、例え
ば、暗抵抗が1010Ω・cmでのａ−Si膜では、光
抵抗を同程度の値を示すことが示されているが、
この点に於いても、従来のａ−Si膜は電子写真感
光体の光導電層とは成り得なかつた。 そして、電子写真感光体の光導電層は、上記要
件の外に、静電動性、耐コロナイオン性、耐溶剤
性、耐光疲労性、耐湿性、耐熱性、耐摩耗性、ク
リーニン性等の要件を満足するものでなければな
らない。 ａ−Siについて報告した文献はいくつか見られ
るが、それ等のいずれにも前述の各種要件を満足
する電子写真感光体の光導電層を示唆するところ
は見当らない。 例えば、Journal of Photographic Science
Vol.25、No.3、pp.127〜28（May／June 1977）
には、グロー放電によるａ−Siの製法が報告され
ているが、その製法及び得られるａ−Siについて
の具体的開示は全くなく、単に得られるａ−Siが
特徴的密度状態と輸送特性を有する光導電物質た
り得ることを記載するにとどまつている。 また、Applied Physics Letters、Vol.30、
No.11、pp.561−563（June １、1977）には、グ
ロー放電法で作成した水素化ａ−Siについての記
載はあるが、膜の厚みと水素の量的関係を開示す
るにとどまつている。 更に、Solid States Communications Vol.23、
pp.155−158（1977）には、rfスパツター法で作
成した水素化ａ−Siについて報告されているが、
その内容はそうしたａ−Siの性状についての試
験、その結果の検討であり、その中でスパツター
法で作成した水素化ａ−Siの太陽電池材料として
の使用可能性を示唆し、それが暗導電性が非常に
低くしたがつて光電池の内部抵抗は非常に高いで
あろうと推測している程度であり、報告の結輪の
ところで、“しかしながら水素導入の機能として
の光応答の詳細な挙動は、輸送及び再結合におけ
るSi−Ｈ反結合状態の役割について新たな問題を
提起する。また、Ｈ−補償SiからSi−Ｈ合金に至
るまでを含めて、その物質の変化する原子配列及
び構造を注意深く検討する必要があることは明ら
かである。これが系統的に行われるまでは、ここ
に述べたような試験から導き出される結論は、そ
れ等が示唆する新たな観点に対しての予備的なも
のとして考えるべきである。“としているところ
であつて、上述した電子写真感光体の光導電層に
ついては全く触れるところはない。 更にまた、Journal of Electrochemical
Society、Vol.116、No.1、pp.77−81（January、
1969）には、シランガスからアモルフアスシリコ
ン膜を堆積するについての方法、得られたものに
ついての電気抵抗、活性化エネルギー、光学的性
質等が記載されているが、電子写真法への適用に
ついて触れるところは全くなく、また、水素原子
含有量、抵抗値、高感度、SN比の関係等電子写
真法での使用について不可欠な諸要件についての
示唆もない。 本発明は、上記の諸点に鑑み成されたものでａ
−Si及びａ−Geに就て電子写真用像形成部材の
光導電層への適用という観点から総括的に鋭意研
究検討した結果、酸素を化学修飾物質（chemical
modifier）として含むａ−Si又は／及びａ−Ge、
更にはこれらに窒素又は／及び炭素を一部含有さ
せたａ−Si又は／及びａ−Geの半導体層とすれ
ば、電子写真用像形成部材の光導電層として極め
て有効に適用され得るばかりでなく、電子写真用
像形成部材の従来の光導電層と較べて殆んどの点
に於いて凌駕していることを見出した点に基いて
いる。 本発明は、製造時に於いては、装置のクローズ
ドシステム化が容易に出来るので、人体に対する
悪影響を避け得ることが出来、又一旦製造された
ものは使用上に際し、人体ばかりかその他の生
物、更には自然環境に対しての影響がなく無公害
であつて、殊に耐熱性、耐湿性に優れ、電子写真
特性が常時安定していて、殆んど使用環境に限定
を受けない全環境型であり、耐光疲労性、耐コロ
ナイオン性に著しく長け、繰返し使用に際しても
劣化現象を起さない電子写真用像形成部材を提供
することを主たる目的とする。 本発明の他の目的は、濃度が高く、ハーフトー
ンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画像を
得る事が容易に出来る電子写真用像形成部材を提
供することである。 本発明のもう一つの目的は、暗抵抗及び光感度
が高く、又、分光感度領域が略々全可視光域を覆
つており暗減衰速度が小さくて光応答性が速く、
且つ耐摩耗性、クリーニング性、耐溶剤性に優れ
た電子写真用像形成部材を提供することでもあ
る。 本発明の所期の目的は、光導電層を、シリコー
ン又は／及びゲルマニウムを母体とし、酸素を化
学修飾物質として含むアモルフアス半導体（以降
ａ−半導体と略記する）で形成することによつて
達成される。 本発明の電子写真用像形成部材の最も代表的な
構成例が第１図及び第２図に示される。第１図に
示される電子写真用像形成部材１は、支持体２、
光導電層３から構成され、光導電層３は像形成面
となる自由表面を有し、該層３は、シリコン又
は／及びゲルマニウムを母体とし、酸素と、必要
に応じて窒素又は／及び炭素とを化学修飾物質と
して含むａ−半導体で形成されている。 上記の様に、Si（シリコン）又は／及びGe
（ゲルマニウム）を母体とするａ−半導体に酸素
を化学修飾物質の形で含有させて光導電層を形成
すると、暗抵抗の著しい増大と、高光感度化を計
ることが出来、従来のSe系光導電層と較べても
優るとも劣らない程極めて優れた電子写真特性を
有する光導電層と成り得る。Si又は／及びGeを
母材とするａ−半導体に酸素、窒素、を化学修飾
物質の形で含有させるには、例えば光導電層をグ
ロー放電法で形成する場合には、酸素、窒素、酸
化物、窒化物等の化合物のガスをSi又は／及び
Geを形成する原料ガスと共に内部を減圧にし得
る堆積室内に導入して該堆積室内でグロー放電を
生起させて光導電層を形成すれば良い。又、例え
ば光導電層をスパツターリング法で形成する場合
には、所望の混合比とし、例えば（Si＋SiO2）、
（Si＋Si3N4）なる成分で混合成形したスパツター
用のターゲツトを使用するか、SiウエハーとSiO2
又はSi3N4ウエハーの二枚のターゲツトを使用し
て、スパツターリングを行うか、又は酸素ガスや
窒素ガス又は酸素や窒素を含んだ化合物のガス
を、例えばArガス等のスパツター用のガスと共
に堆積室内に導入して、Si又はGe、或いは（Si
＋Ge）のターゲツトを使用してスパツターリン
グを行つて光導電層を形成すれば良い。 本発明において、使用され得る酸素や窒素の化
合物としては、形成される光導電層に不必要な不
純物が取り込まれないものであつて、且つ光導電
層中に酸素や窒素が化学修飾物質として有効な形
で含有されるものであれば大概の酸素や窒素の化
合物が使用され得る。その様な酸素や窒素の化合
物として、好適には常温に於いてガス状態を取り
得るものが有効である。 例えば酸素化合物としては、酸素（O2）、一酸
化炭素、二酸化炭素、一酸化窒素、二酸化窒素、
そして窒素化合物としては、窒素（N2）、アンモ
ニア、等のほか多数の化合物が有用である。 本発明に於いて、形成される光導電層中に含有
される酸素の量は、形成される光導電層の特性を
大きく左右するものであつて、所望に応じて適宜
決定されねばならないが、通常の場合、0.1〜30
原子％、好適には0.1〜20原子％、最適には0.2〜
15原子％とされるのが望ましい。 本発明に於いて、Si又は／及びGeを母体と
し、酸素を含むａ−半導体で構成される光導電層
は下記のタイプのａ−半導体の中の一種類で層形
成するか又は少なくとも二種類を選択し、異なる
タイプのものが接合される状態として層形成する
事によつて成される。 ｎ型………ドナー（donor）のみを含むも
の、或いは、ドナーとアクセプター
（acceptor）との両方を含み、ドナーの濃度
（Nd）が高いもの。 ｐ型………アクセプターのみを含むもの。或
いは、ドナーとアクセプターとの両方を含み、
アクセプターの濃度（Na）が高いもの。 ｉ型………NaNd０のもの、又は、Na
Ndのもの。 本発明の電子写真用像形成部材の光導電層を構
成する層としての〜のタイプのａ−半導体層
は、後に詳述する様にグロー放電法や反応スパツ
タリング法等による層形成の際に、ｎ型不純物又
は、ｐ型不純物或いは両不純物を、形成される。
ａ−半導体層中にその量を制御してドーピングし
てやる事によつて形成される。 この場合、本発明者等の実験結果からの知見に
よれば、層中の不純物の濃度を1015〜1019cm-3の
範囲内に調整することによつて、より強いｎ型
（又はより強いｐ型）のａ−半導体層からより弱
いｎ型（又はより弱いｐ型）のａ−半導体層を形
成する事が出来る。 〜のタイプのａ−半導体層は、グロー放電
法、スパツタリング法、オンインプランテーシヨ
ン法、イオンプレーテイング法等によつて形成さ
れる。これらの製造法は、製造条件、設備資本投
下の負荷程度、製造規模、製造される像形成部材
に所望される電子写真特性等の要因によつて適宜
選択されて採用されるが、所望する電子写真特性
を有する像形成部材を製造する為の制御が比較的
容易である、〜のタイプに制御する為にａ−
半導体層中に不純物を導入するのに族又は族
の不純物を置換型で導入することが出来る等の利
点からグロー放電法が好適に採用される。 更に、本発明に於いては、グロー放電法とスパ
ツタリング法とを同一装置系内で併用してａ−半
導体層を形成しても良い。ａ−半導体層は、本発
明の目的とする電子写真用像形成部材が得られる
可く、Ｈ（水素）が含有される。ここに於いて、
「ａ−半導体層中にＨが含有されている」という
ことは、「Ｈが、Si又はGeと結合した状態」、「Ｈ
がイオン化して層中に取り込まれている状態」又
は「H2として層中に取り込まれている状態」の
何れかの、又はこれ等の複合されている状態を意
味する。ａ−半導体層へのＨの含有は、層を形成
する際、製造装置系内にSiH4、Si2H6、GeH4等の
化合物又はH2の形で導入した後熱分解、グロー
放電分解等の方法によつて、それ等の化合物又は
H2を分解して、ａ−半導体層中に、層の成長に
併せて含有させても良いし、又、イオンインプラ
ンテーシヨン法で含有させても良い。 本発明者の知見によれば、ａ−半導体層中への
Ｈの含有量は、形成される像形成部材が実際面に
於いて適用され得るか否かを左右する大きな要因
の一つであつて、殊に形成されるａ−半導体層を
ｐ型又はｎ型に制御する一つの要素として、極め
て重要であることが判明している。 本発明に於いて、形成される像形成部材を実際
面に充分適用させ得る為には、ａ−半導体層中に
含有されるＨの量は通常の場合１〜40原子％、好
適には５〜30原子％とされるのが望ましい。ａ−
半導体層中へのＨ含有量が上記の数値範囲に限定
される理由の理論的裏付は今の処、明確にされて
おらず推論の域を出ない。而乍ら、数多くの実験
結果から、上記数値範囲外のＨの含有量では、例
えば本発明の像形成部材の光導電層を構成するａ
−半導体層としての要求に応じた特性に制御する
のが極めて困難である。製造された電子写真用像
形成部材は照射される電磁波に対する感度が極め
て低い、又は場合によつては、該感度が殆んど認
められない、電磁波照射によるキヤリヤーの増加
が小さい等が認められ、Ｈの含有量が上記の数値
範囲内にあるのが必要条件であることが裏付けら
れている。ａ−半導体層中へのＨの含有は、例え
ば、グロー放電法では、ａ−半導体を形成する出
発物質がSiH4、Si2H6、GeH4等の水素化物を使用
するので、SiH4、Si2H6、GeH4等の水素化物が分
解してａ−半導体層が形成される際、Ｈは自動的
に層中に含有されるが、更にＨの層中への含有を
一層効率良く行なうには、ａ−半導体層を形成す
る際に、グロー放電を行なう装置系内にH2ガス
を導入してやれば良い。 スパツターリング法による場合にはAr等の不
活性ガス又はこれ等のガスをベースとした混合ガ
ス雰囲気中でSi又はGe、或いは（Si＋Ge）、更に
はこれ等と酸素又は／及び窒素の化合物を含むも
のをターゲツトとしてスパツターリングを行なう
際にH2ガスを導入してやるか又はSiH4、Si2H6等
の水素化硅素ガスやGeH4等の水素化ゲルマニウ
ムガス、或いは、不純物のドーピングも兼ねて
B2H6、PH3等のガスを導入してやれば良い。 本発明の目的を達成する為にａ−半導体層中に
含有されるＨの量を制御するには、蒸着基板温度
又は／及びＨを含有させる為に使用される出発物
質の製造装置系内へ導入する量を制御してやれば
良い。更には、ａ−半導体層を形成した後に、該
層を、活性化した水素雰囲気中に晒しても良い。
又、この時ａ−半導体層を結晶温度以下で加熱す
るのも一つの方法である。殊にａ−半導体層の暗
抵抗を向上させるためには、該加熱処理法は有効
な手段である。又、高強度の光の様な電磁波を照
射して、ａ−半導体層の暗抵抗を向上させる方法
も有効な方法である。 ａ−半導体層中でドーピングされる不純物とし
ては、ａ−半導体層をｐ型にするには、周期律表
第族Ａの元素、例えばＢ、Al、Ga、In、Tl、
等が好適なものとして挙げられ、ｎ型にする場合
には周期律表第族Ａの元素、例えば、Ｐ、
As、Sb、Bi等が好適なものとして挙げられる。
これ等の不純物は、ａ−半導体層中に含有される
量がppmオーダーであるので、光導電層を構成
する主物質程その公害性に注意を払う必要はない
が出来る限り公害性のないものを使用するのが好
ましい。この様な観点からすれば、形成されるａ
−半導体層の電気的・光学的特性を加味して、例
えば、Ｂ、As、Ｐ、Sb等が最適である。この他
に、例えば、熱拡散やインプランテーシヨンによ
つてLi等がインターステイシアルにドーピングさ
れることでｎ型に制御することも可能である。 ａ−半導体層中にドーピングされる不純物の量
は、所望される電気的・光学的特性に応じて適宜
決定されるが、周期律表第族Ａの不純物の場合
には、通常10-6〜10-3原子％、好適には10-5〜
10-4原子％、周期律表第族Ａの不純物の場合に
は、通常10-8〜10-3原子％、好適には10-8〜10-4
原子％とされるのが望ましい。 これ等不純物のａ−半導体層中へのドーピング
方法は、ａ−半導体層を形成する際に採用される
製造法によつて各々異なるものであつて、具体的
には、以降の説明又は実施例に於いて詳述され
る。 第１図に示される電子写真用像形成部材の如
き、光導電層３が自由表面を有し、該自由表面
に、静電像形成の為の帯電処理が施される像形成
部材に於いては、光導電層３と支持体２との間
に、静電像形成の際の帯電処理時に支持体２側か
らのキヤリアーの注入を阻止する働きのある障壁
層を設けるのが一層好ましいものである。この様
な支持体２側からのキヤリアーの注入を阻止する
働きのある障壁層を形成する材料としては、選択
される支持体の種類及び形成される光導電層の電
気的特性に応じて適宜選択されて適当なものが使
用される。その様な障壁層形成材料としては、例
えば、Al2O3、SiO、SiO2等の無機絶縁性化合
物、ポリエチレン、ポリカーボネイト、ポリウレ
タン、パリレン等の有機絶縁性化合物、Au、
Ir、Pt、Ph、Pd、Mo等の金属である。 支持体２としては、導電性でも電気絶縁性であ
つても良い。導電性支持体としては、例えば、ス
テンレス、Al、Cr、Mo、Au、Ir、Nb、Te、
Ｖ、Ti、Pt、Pd等の金属又はこれ等の合金が挙
げられる。電気絶縁性支持体としては、ポリエス
テル、ポリエチレン、ポリカーボネイト、セルロ
ーズトリアセテート、ポリプロピレン、ポリ塩化
ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポ
リアミド等の合成樹脂のフイルム又はシート、ガ
ラス、セラミツク、紙等が通常使用される。これ
等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともそ
の一方の表面を導電処理されるのが望ましい。 例えば、ガラスであれば、In2O3、SnO2等でそ
の表面が導電処理され、或いはポリエステルフイ
ルム等の合成樹脂フイルムであれば、Al、Ag、
Pb、Zn、Ni、Au、Cr、Mo、Ir、Nb、Ta、Ｖ、
Ti、Pt等の金属で真空蒸着、電子ビーム蒸着、
スパツタリング等で処理し、又は前記金属でラミ
ネート処理して、その表面が導電処理される。支
持体の形状としては、円筒状、ベルト状、板状
等、任意の形状とし得、所望によつて、その形状
は決定されるが、連続高速複写の場合には無端ベ
ルト状又は円筒状とするのが望ましい。支持体の
厚さは、所望通りの像形成部材が形成れる様に適
宜決定されるが、線形成部材として可撓性が要求
される場合には、支持体としての機能が充分発揮
される範囲内であれば、可能な限り薄くされる。
而乍ら、この様な場合、支持体の製造上及び取扱
い上、機械的強度等の点から通常は10μ以上とさ
れる。第２図に示される電子写真用像形成部材４
は、支持体５、光導電層６から構成され、光導電
層６は像形成面となる自由表面を有し、該層６中
には空乏層７が形成されている。 光導電層６中に空乏層７を設けるには、光導電
層６を前記のタイプのａ−半導体の中の少なくと
も二種類を選択し、異なるタイプのものが接合さ
れる状態として層形成する事によつて成される。 即ち、空乏層７は、例えば所望に従つた表面特
性を有する支持体５上に、先ず、ｉ型のａ−半導
体層を所定の層厚で形成し、次いで該ｉ型ａ−半
導体層上にｐ型のａ−半導体層を形成することに
よつてｉ型ａ−半導体層とｐ型ａ−半導体層との
接合部として形成される（以後、空乏層７に関し
て支持体５側のａ−半導体層を内部層８、自由表
面側のａ−半導体層を外部層９と称する）。詰
り、空乏層７は異なるタイプのａ−半導体層が接
合される様に、光導電層６を形成した場合に、内
部ａ−半導体層と外部ａ−半導体層との境界遷移
領域に形成される。 空乏層７は、電子写真用像形成部材に静電像を
形成するプロセス中の一工程である電磁波照射工
程の際に、照射される電磁波を吸収して移動可能
なキヤリアーを生成する層としての機能を有す
る。又、空乏層７は定常状態では、フリーキヤリ
アーの枯渇した状態となつているので所謂真性半
導体としての挙動を示す。 第１図及び第２図に示される像形成部材は、光
導電層が自由表面を有する構成のものであるが、
光導電層表面上には従来のある種の電子写真用像
形成部材の様に、所謂保護層や電気的絶縁層等の
表面被覆層を設けてもよい。その様な表面被覆層
を有する像形成部材が第３図に示される。 第３図に示される像形成部材１０は、支持体１
１と光導電層１２と光導電層１２上に自由表面を
有する表面被覆層１３を有する点以外は、構成上
に於いて、第１図に示される像形成部材１と本質
的に異なるものではない。而乍ら表面被覆層１３
に要求される特性は、適用する電子写真プロセス
によつて各々異なる。即ち、例えば、特公昭42−
23910号公報、同43−24748号公報に記載されてい
るNP方式の様な電子写真プロセスを適用するの
であれば、表面被覆層１３は、電気的絶縁性であ
つて、帯電処理を受けた際の静電荷保持能が充分
あつて、ある程度以上の厚みがあることが要求さ
れるが、例えば、カールソンプロセスの如き電子
写真プロセスを適用するのであれば、静電像形成
後の明部の電位は非常に小さいことが望ましいの
で表面被覆層１３の厚さとしては非常に薄いこと
が要求される。表面被覆層１３は、その所望され
る電気的特性を満足するのに加えて、光導電層１
２に化学的・物理的に悪影響を与えないこと、光
導電層１２との電気的接触性及び接着性、更には
耐湿性、耐摩耗性、クリーニング性等を考慮して
形成される。 表面被覆層１３の形成材料として有効に使用さ
れるものとして、その代表的なのは、ポリエチレ
ンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリプロ
ピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、
ポリビニルアルコール、ポリスチレン、ポリアミ
ド、ポリ四弗化エチレン、ポリ三弗化塩化エチレ
ン、ポリ弗化ビニル、ポリ弗化ビニリデン、六弗
化プロピレン−四弗化エチレンコポリマー、三弗
化エチレン一弗化ビニリデンコポリマー、ポリブ
テン、ポリビニルブチラール、ポリウレタン等の
合成樹脂、ジアセテート、トリアセテート等のセ
ルロース誘導体等が挙げられる。これ等の合成樹
脂又はセルロース誘導体は、フイルム状とされて
光導電層１２上に貼合されても良く、又、それ等
の塗布液を形成して光導電層１２上に塗布し、層
形成しても良い。表面被覆層１３の層厚は、所望
される特性に応じて、又、使用される材質によつ
て適宜決定されるが、通常の場合、0.5〜70μ程
度とされる。殊に表面被覆層１３が先述した保護
層としての機能が要求される場合には、通常の場
合、10μ以下とされ、逆に電気的絶縁層としての
機能が要求される場合は、通常の場合10μ以上と
される。而乍ら、この保護層と電気絶縁層とを差
別する層厚値は、使用材料及び適用される電子写
真プロセス、設計される像形成部材の構造によつ
て変動するもので、先の10μという値は絶対的な
ものではない。 又、この表面被覆層１３は、先に述べた如き反
射防止層としての役目も荷わせれば、その機能が
一層拡大されて効果的となる。 参考例 １ 完全にシールドされたクリーンルーム中に設置
された第４図に示す装置を用い、以下の如き操作
によつて電子写真用像形成部材を作製した。 表面が清浄にされた0.2mm厚５cm角のアルミニ
ウム板（基板）１７を、支持台１４上に静置され
たグロー放電蒸着槽１５内の所定位置にある固定
部材１８に堅固に固定した。基板１７は固定部材
１８内の加熱ヒーター１９によつて±0.5℃の精
度で加温される。温度は、熱電対（アルメルーカ
ロメル）によつて基板裏面を直接測定されるよう
になされた。次いで系内の全バルブが閉じられて
いることを確認してからメインバルブ２２を全開
して、槽１５内が排気され、約５×10-6torrの真
空度にした。その後ヒーター１９の入力電圧を上
昇させ、アルミニウム基板温度を検知しながら入
力電圧を変化させ、400℃の一定値になるまで安
定させた。 その後、補助バルブ２４、ついで流出バルブ４
３，４５及び流入バルブ３７，３９を全開し、フ
ローメーター３１，３３内も十分脱気真空状態に
された。補助バルブ２４、バルブ４３，４５，３
７，３９を閉じた後、シランガス（純度99.999
％）ボンベ２５のバルブ４９を開け、出口圧ゲー
ジ５５の圧を１Kg／cm2に調整し、流入バルブ３７
を徐々に開けてフローメータ３１内へシランガス
を流入させた。引きつづいて、流出バルブ４３を
徐々に開け、ついで補助バルブ２４を徐々に開
け、ピラニーゲージ２３の読みを注視しながら補
助バルブ２４の開口を調整し、槽１５内が１×
10-2torrになるまで補助バルブ２４を開けた。槽
内圧が安定してから、メインバルブ２２を徐々に
閉じピラニーゲージ２３の指示が0.5torrになる
まで開口を絞つた。内圧が安定するのを確認し、
続いてアンモニアガス（純度99.999％）ボンベ２
７のバルブ５１を開き、出口圧ゲージ５７の圧を
１Kg／cm2に調整し、流入バルブ３９を徐々に開け
フローメータ３３にアンモニアガスを流入させた
後、流出バルブ４５を徐々に開け、フローメータ
３３の読みが、シランガスの流量の5vol％になる
様に流出バルブ４５の開口を定め、安定化させ
た。高周波電源２０のスイツチをon状態にし
て、誘導コイル２１に、5MHzの高周波電力を投
入し、槽内１５のコイル内部（槽上部）にグロー
放電を発生させ、30Wの入力電力とした。上条件
で基板上にａ−半導体を生長させ、10時間同条件
を保つた後、その後、高周波電源２０をoff状態
とし、グロー放電を中止させた。引き続いて、加
熱ヒーター１９の電源をoffとし、基板温度が100
℃になるのを待つてから補助バルブ２４、流出バ
ルブ４３，４５を閉じメインバルブ２２を全開に
して、槽内を10-5torr以下にした後、メインバル
ブ２２を閉じ槽１５内をリークバルブ１６によつ
て大気圧としてａ−半導体層を形成した基板を取
り出した。この場合、形成されたａ−半導体層の
全厚は約20μであつた。 こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験
装置に設置し、6KVで0.2sec間コロナ帯電を行
い、直ちに光像を照射した。光像は、タングステ
ンランプ光源を用い、15lux・secの光量を透過型
のテストチヤートを通して照射された。 その後直ちに、荷電性の現像剤（トナーとキ
ヤリアーを含有）を像形成部材表面にカスケード
することによつて、部材表面上に良好なトナー画
像を得た。部材上のトナー画像を、5KVのコロ
ナ帯電で転写紙上に転写した所、解像力に優れ、
階調再現性のよい鮮明な高濃度の画像が得られ
た。 更に、同装置を同様に操作して、原料ガスの混
合比を変化させた。一定のシランガス流量に対し
てアンモニアガス流量を以下の値で変化させ、上
述の帯電露光、現像の操作を同一条件で施すこと
によつてそれぞれの画像を比較し評価した。 その結果を表１に示した。
線、可視光線、赤外光線、Ｘ線、γ線、α線等を
示す）の様な電磁波を利用して像形成するのに使
用される電子写真用像形成部材に関する。 従来、電子写真用像形成部材の光導電層を構成
する光導電材料としては、Se、CdS、ZnO等の無
機光導電材料やポリ−Ｎビニルカルバゾール
（PVK）、トリニトロフルオレノン（TNF）等の
有機光導電材料（OPC）が一般的に使用されて
いる。 而乍ら、これ等の光導電材料を使用する電子写
真用像形成部材に於いては、未だ諸々の解決され
得る可き点があつて、ある程度の条件緩和をし
て、個々の状況に応じて各々適当な電子写真用像
形成部材が使用されているのが実情である。 例えば、Seを光導電層形成材料とする電子写
真用像形成部材は、Se単独では、例えば、可視
光領域の光を利用する場合、その分光感度領域が
狭いのでTeやAsを添加して分光感度領域を拡げ
ることが計られている。 而乍ら、この様な、TeやAsを含むSe系光導電
層を有する電子写真用像形成部材は、確かに分光
感度領域は改良されるが、光疲労が大きくなる為
に、同一原稿を連続的に繰返し、コピーすると複
写画像の画像濃度の低下やバツクグランドの汚れ
（白地部分のカブリ）を生じたり、又引続き他の
原稿をコピーすると前の原稿の画像が残像として
複写される（ゴースト現象）等の欠点を有してい
る。 而も、Se、殊にAs、Teは人体に対して極めて
有害な物質であるので、製造時に於いて、人体へ
の接触がない様な製造装置を使用する工夫が必要
であつて、装置への資本投下が著しく大きい。更
には、製造後に於いても、光導電層が露呈してい
ると、クリーニング等の処理を受ける際、光導電
層表面は直に摺擦される為に、その一部が削り取
られて、現像剤中に混入したり、複写機内に飛散
したり、複写画像中に混入したりして、人体に接
触する原因を与える結果を生む。又、Se系光導
電層は、その表面がコロナ放電に、連続的に多数
回繰返し晒されると、層の表面付近が結晶化又は
酸化を起して光導電層の電気的特性の劣化を招く
場合が少なくない。或いは、又、光導電層表面が
露呈していると、静電像の可視化（現像）に際
し、液体現像剤を使用する場合、その溶剤と接触
する為に耐溶剤性（耐液現性）に優れていること
が要求されるが、この点に於いて、Se系光導電
層は必ずしも満足しているとは断言し難い。 これ等の点を改良する為に、Se系光導電層の
表面を、所謂保護層や電気絶縁層等と称される表
面被覆層で覆うことが提案されている。 而乍ら、これ等の改良に関しても、光導電層と
表面被覆層との接着性、電気的接触性及び表面被
覆層に要求される電気的特性や表面性の点に於い
て充分なる解決が成されているとは云い難いのが
現情である。 又、別には、Se系光導電層は、通常の場合真
空蒸着によつて形成されるので、その為の装置へ
の著しい資本投下を必要とし、且つ、所期の光導
電特性を有する光導電層を再現性良く得るには、
蒸着温度、蒸着基板温度、真空度、冷却速度等の
各種の製造パラメーターを厳密に調整する必要が
ある。 更に、表面被覆層は、光導電層面に、フイルム
状のものを接着剤を介して貼合するか、又は、表
面被覆層形成材料を塗布して形成される為に、光
導電層を形成する装置とは別の装置を設置する必
要があつて、設備投資の著しい増大があつて、昨
今の様な減速経済成長期に於いては甚だ芳しくな
い。 又、Se系光導電層は、電子写真用像形成部材
の光導電層としての高暗抵抗を保有する為に、ア
モルフアス状態に形成されるが、Seの結晶化が
約65℃と極めて低い温度で起る為に、製造後の取
扱い中に、又は使用中に於ける周囲温度や画像形
成プロセス中の他の部材との摺擦による摩擦熱の
影響を多分に受けて結晶化現象を起し、暗抵抗の
低下を招き易いという耐熱性上にも欠点がある。 一方、ZnO、CdS等を光導電層構成材料として
使用する電子写真用像形成部材は、その光導電層
が、ZnOやCdS等の光導電材料粒子を適当な樹脂
結合剤中に均一に分散して形成されている。こ
の、所謂バインダー系光導電層を有する像形成部
材は、Se系光導電層を有する像形成部材に較べ
て製造上に於いて有利であつて、比較的製造コス
トの低下を計ることが出来る。即ち、バインダー
系光導電層は、ZnOやCdSの粒子と適当な樹脂結
着剤とを適当な溶剤を用いて混練して調合した塗
布液を適当な基体上に、ドクターブレード法、デ
イツピング法等の塗布方法で塗布した後固化させ
るだけで形成することが出来るので、Se系光導
電層を有する像形成部材に較べ製造装置にそれ程
の資本投下をする必要がないばかりか、製造法自
体も簡便且つ容易である。 而乍ら、バインダー系光導電層は、基本的に構
成材料が光導電材料と樹脂結着剤の二成分系であ
るし、且つ光導電材料粒子が樹脂結着剤中に均一
に分散されて形成されなければならない特殊性の
為に、光導電層の電気的及び光導電的特性や物理
的化学的特性を決定するパラメータが多く、従つ
て、斯かるパラメーターを厳密に調整しなければ
所望の特性を有する光導電層を再現性良く形成す
ることが出来ずに歩留りの低下を招き量産性に欠
けるという欠点がある。 又、バインダー系光導電層は、分散系という特
殊性故に、層全体がポーラスになつており、その
為に湿度依存性が著しく、多湿雰囲気中で使用す
ると電気的特性の劣化を来たし、高品質の複写画
像が得られなくなる場合が少なくない。 更には、光導電層のポーラス性は、現像の際の
現像剤の層中への侵入を招来し、離型性、クリー
ニング性が低下するばかりか使用不能を招く原因
ともなり、殊に、液体現像剤を使用すると毛管現
象による促進をうけてそのキヤリアー溶剤と共に
現像剤が層中に侵透するので上記の点は著しいも
のとなり、Se系光導電層の場合と同様に光導電
層表面を表面被覆層で覆うことが必要となる。 而乍ら、この表面被覆層を設ける改良も、光導
電層のポーラス性に起因する光導電層表面の凹凸
性故に、その界面が均一にならず、光導電層と表
面被覆層との接着性及び電気的接触性の良好な状
態を得る事が仲々困難であるという欠点が存す
る。 又、CdSを使用する場合には、CdS自体の人体
への影響がある為に、製造時及び使用時に於い
て、人体に接触したり、或いは、周囲環境下に飛
散したりすることのない様にする必要がある。
ZnOを使用する場合には、人体に対する影響は殆
んどないが、ZnOバインダー系光導電層は光感度
が低く、分光感度領域が狭い、光疲労が著しい、
光応答性が悪い等の欠点を有している。 又、最近注目されているPVKやTNF等の有機
光導電材料を使用する電子写真用像形成部材に於
いては、表面が導電処理されたポリエチレンテレ
フタレート等の適当な支持体上にPVKやTNF等
の有機光導電材料の塗膜を形成するだけで光導電
層を形成出来るという製造上に於ける利点及び可
撓性に長けた電子写真用像形成部材が製造出来る
という利点を有するものであるが、他方に於い
て、耐湿性、耐コロナイオン性、クリーニング性
に欠け、又光感度が低い、可視光領域に於ける分
光感度領域が狭く且つ短波長側に片寄つている等
の欠点を有し、極限定された範囲でしか使途に供
されていない。然もこれ等の有機光導電材料の中
には発癌性物質の疑いがあるものもある等、人体
に対してその多くは全く無害であるという保証が
なされていない。 この様に、電子写真用像形成部材の光導電層を
形成する材料として従来から指摘されている光導
電材料を使用した電子写真用像形成部材は利点と
欠点を併せ持つ為に、ある程度、製造条件及び使
用条件を緩和して各々の使途に合う適当な電子写
真用像形成部材を各々に選択して実用に供してい
るのが現情である。 従つて、上述の諸問題点の解決された優れた電
子写真用像形成部材が得られる様な電子写真用像
形成部材の光導電層を形成する材料としての第３
の材料が所望されている。 その様な材料として最近有望視されているもの
の中に例えばアモルフアスシリコン（以後ａ−Si
と略記する）やアモルフアスゲルマニウム（以後
ａ−Geと略記する）がある。 ところでａ−Si膜やａ−Ge膜は、開発初期の
ころは、その製造法や製造条件によつて、その構
造が左右される為に種々の電気的特性・光学的特
性を示し、再現性の点に大きな問題を抱えてい
た。例えば、初期に於いて、真空蒸着法やスパツ
ターリング法で形成されたａ−Si膜は、ボイド等
の欠陥を多量に含んでいて、その為に電気的性質
も光学的性質も大きく影響を受け、基礎物性の研
究材料としてもそれ程注目されてはいず、応用の
為の研究開発もなされなかつた。而乍ら、アモル
フアスではｐ、ｎ制御が不可能とされていたの
が、ａ−Siに於いて、1976年初頭にアモルフアス
としては初てｐ−ｎ接合が実現し得るという報告
Applid Physics Letter；Vol.28、No.2、15
January 1976）が成されて以来、大きな関心が
集められ、以後上記の不純物のドーピングによつ
てｐ−ｎ接合が得られることに加えて結晶性シリ
コン（ｃ−Siと略記する）では非常に弱いルミネ
センスがａ−Siでは高効率で観測できるという観
点から、例えば米国特許第4064521号にみられる
ように主として太陽電池（光起電器）への応用に
研究開発の穂先が向けられて来ている。そして該
米国特許は、基体にシラン中グロー放電により得
たａ−Si体を重ね、その上に金属層と、電極を内
包する抗反射層を有してなる太陽電池を開示して
いる。該米国特許にはまた、前記ａ−Si体につい
て、ひと言それに水素が存在すれば良好な電子特
性に有利であると思われる、と記載されている
が、これについてはそれ以上の開示はなく事実と
して具体化されたものではない。 この様に、これ迄に報告されているａ−Si膜
は、太陽電池用として開発されたものであるの
で、その電気的特性・光学的特性の点に於いて、
電子写真感光体の光導電層としては使用し得ない
のが実情である。即ち、太陽電池は、太陽エネル
ギーを電流の形に変換して取り出すので、SN比
が良くて、効率良く電流を取り出すには、ａ−Si
膜の抵抗は小さくなければならないが、余り抵抗
が少さ過ぎると光感度が低下し、SN比が悪くな
るので、その特性の一つとしての抵抗は105〜108
Ω・cm程度が要求される。 而乍ら、この程度の抵抗（暗抵抗：暗所での抵
抗）を有するａ−Si膜は、電子写真感光体の光導
電層としては、余りにも抵抗（暗抵抗）が低く過
ぎて、現在、知られている電子写真法を適用する
のでは全く使用し得ない。この暗抵抗の問題はａ
−Geについてもまた同様である。 又、電子写真感光体の光導電層形成材料として
は、明抵抗（光照射時の抵抗）が暗抵抗に較べて
２〜４桁程度小さいことが要求されるが、従来、
報告されているａ−Si膜やａ−Ge膜では精々２
桁程度であるので、この点に於いても従来のａ−
Si膜やａ−Ge膜では、その特性を充分満足し得
る光導電層とは成り得なかつた。 又、別には、これ迄のａ−Si膜に関する報告で
は、暗抵抗を増大させると光感度が低下し、例え
ば、暗抵抗が1010Ω・cmでのａ−Si膜では、光
抵抗を同程度の値を示すことが示されているが、
この点に於いても、従来のａ−Si膜は電子写真感
光体の光導電層とは成り得なかつた。 そして、電子写真感光体の光導電層は、上記要
件の外に、静電動性、耐コロナイオン性、耐溶剤
性、耐光疲労性、耐湿性、耐熱性、耐摩耗性、ク
リーニン性等の要件を満足するものでなければな
らない。 ａ−Siについて報告した文献はいくつか見られ
るが、それ等のいずれにも前述の各種要件を満足
する電子写真感光体の光導電層を示唆するところ
は見当らない。 例えば、Journal of Photographic Science
Vol.25、No.3、pp.127〜28（May／June 1977）
には、グロー放電によるａ−Siの製法が報告され
ているが、その製法及び得られるａ−Siについて
の具体的開示は全くなく、単に得られるａ−Siが
特徴的密度状態と輸送特性を有する光導電物質た
り得ることを記載するにとどまつている。 また、Applied Physics Letters、Vol.30、
No.11、pp.561−563（June １、1977）には、グ
ロー放電法で作成した水素化ａ−Siについての記
載はあるが、膜の厚みと水素の量的関係を開示す
るにとどまつている。 更に、Solid States Communications Vol.23、
pp.155−158（1977）には、rfスパツター法で作
成した水素化ａ−Siについて報告されているが、
その内容はそうしたａ−Siの性状についての試
験、その結果の検討であり、その中でスパツター
法で作成した水素化ａ−Siの太陽電池材料として
の使用可能性を示唆し、それが暗導電性が非常に
低くしたがつて光電池の内部抵抗は非常に高いで
あろうと推測している程度であり、報告の結輪の
ところで、“しかしながら水素導入の機能として
の光応答の詳細な挙動は、輸送及び再結合におけ
るSi−Ｈ反結合状態の役割について新たな問題を
提起する。また、Ｈ−補償SiからSi−Ｈ合金に至
るまでを含めて、その物質の変化する原子配列及
び構造を注意深く検討する必要があることは明ら
かである。これが系統的に行われるまでは、ここ
に述べたような試験から導き出される結論は、そ
れ等が示唆する新たな観点に対しての予備的なも
のとして考えるべきである。“としているところ
であつて、上述した電子写真感光体の光導電層に
ついては全く触れるところはない。 更にまた、Journal of Electrochemical
Society、Vol.116、No.1、pp.77−81（January、
1969）には、シランガスからアモルフアスシリコ
ン膜を堆積するについての方法、得られたものに
ついての電気抵抗、活性化エネルギー、光学的性
質等が記載されているが、電子写真法への適用に
ついて触れるところは全くなく、また、水素原子
含有量、抵抗値、高感度、SN比の関係等電子写
真法での使用について不可欠な諸要件についての
示唆もない。 本発明は、上記の諸点に鑑み成されたものでａ
−Si及びａ−Geに就て電子写真用像形成部材の
光導電層への適用という観点から総括的に鋭意研
究検討した結果、酸素を化学修飾物質（chemical
modifier）として含むａ−Si又は／及びａ−Ge、
更にはこれらに窒素又は／及び炭素を一部含有さ
せたａ−Si又は／及びａ−Geの半導体層とすれ
ば、電子写真用像形成部材の光導電層として極め
て有効に適用され得るばかりでなく、電子写真用
像形成部材の従来の光導電層と較べて殆んどの点
に於いて凌駕していることを見出した点に基いて
いる。 本発明は、製造時に於いては、装置のクローズ
ドシステム化が容易に出来るので、人体に対する
悪影響を避け得ることが出来、又一旦製造された
ものは使用上に際し、人体ばかりかその他の生
物、更には自然環境に対しての影響がなく無公害
であつて、殊に耐熱性、耐湿性に優れ、電子写真
特性が常時安定していて、殆んど使用環境に限定
を受けない全環境型であり、耐光疲労性、耐コロ
ナイオン性に著しく長け、繰返し使用に際しても
劣化現象を起さない電子写真用像形成部材を提供
することを主たる目的とする。 本発明の他の目的は、濃度が高く、ハーフトー
ンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画像を
得る事が容易に出来る電子写真用像形成部材を提
供することである。 本発明のもう一つの目的は、暗抵抗及び光感度
が高く、又、分光感度領域が略々全可視光域を覆
つており暗減衰速度が小さくて光応答性が速く、
且つ耐摩耗性、クリーニング性、耐溶剤性に優れ
た電子写真用像形成部材を提供することでもあ
る。 本発明の所期の目的は、光導電層を、シリコー
ン又は／及びゲルマニウムを母体とし、酸素を化
学修飾物質として含むアモルフアス半導体（以降
ａ−半導体と略記する）で形成することによつて
達成される。 本発明の電子写真用像形成部材の最も代表的な
構成例が第１図及び第２図に示される。第１図に
示される電子写真用像形成部材１は、支持体２、
光導電層３から構成され、光導電層３は像形成面
となる自由表面を有し、該層３は、シリコン又
は／及びゲルマニウムを母体とし、酸素と、必要
に応じて窒素又は／及び炭素とを化学修飾物質と
して含むａ−半導体で形成されている。 上記の様に、Si（シリコン）又は／及びGe
（ゲルマニウム）を母体とするａ−半導体に酸素
を化学修飾物質の形で含有させて光導電層を形成
すると、暗抵抗の著しい増大と、高光感度化を計
ることが出来、従来のSe系光導電層と較べても
優るとも劣らない程極めて優れた電子写真特性を
有する光導電層と成り得る。Si又は／及びGeを
母材とするａ−半導体に酸素、窒素、を化学修飾
物質の形で含有させるには、例えば光導電層をグ
ロー放電法で形成する場合には、酸素、窒素、酸
化物、窒化物等の化合物のガスをSi又は／及び
Geを形成する原料ガスと共に内部を減圧にし得
る堆積室内に導入して該堆積室内でグロー放電を
生起させて光導電層を形成すれば良い。又、例え
ば光導電層をスパツターリング法で形成する場合
には、所望の混合比とし、例えば（Si＋SiO2）、
（Si＋Si3N4）なる成分で混合成形したスパツター
用のターゲツトを使用するか、SiウエハーとSiO2
又はSi3N4ウエハーの二枚のターゲツトを使用し
て、スパツターリングを行うか、又は酸素ガスや
窒素ガス又は酸素や窒素を含んだ化合物のガス
を、例えばArガス等のスパツター用のガスと共
に堆積室内に導入して、Si又はGe、或いは（Si
＋Ge）のターゲツトを使用してスパツターリン
グを行つて光導電層を形成すれば良い。 本発明において、使用され得る酸素や窒素の化
合物としては、形成される光導電層に不必要な不
純物が取り込まれないものであつて、且つ光導電
層中に酸素や窒素が化学修飾物質として有効な形
で含有されるものであれば大概の酸素や窒素の化
合物が使用され得る。その様な酸素や窒素の化合
物として、好適には常温に於いてガス状態を取り
得るものが有効である。 例えば酸素化合物としては、酸素（O2）、一酸
化炭素、二酸化炭素、一酸化窒素、二酸化窒素、
そして窒素化合物としては、窒素（N2）、アンモ
ニア、等のほか多数の化合物が有用である。 本発明に於いて、形成される光導電層中に含有
される酸素の量は、形成される光導電層の特性を
大きく左右するものであつて、所望に応じて適宜
決定されねばならないが、通常の場合、0.1〜30
原子％、好適には0.1〜20原子％、最適には0.2〜
15原子％とされるのが望ましい。 本発明に於いて、Si又は／及びGeを母体と
し、酸素を含むａ−半導体で構成される光導電層
は下記のタイプのａ−半導体の中の一種類で層形
成するか又は少なくとも二種類を選択し、異なる
タイプのものが接合される状態として層形成する
事によつて成される。 ｎ型………ドナー（donor）のみを含むも
の、或いは、ドナーとアクセプター
（acceptor）との両方を含み、ドナーの濃度
（Nd）が高いもの。 ｐ型………アクセプターのみを含むもの。或
いは、ドナーとアクセプターとの両方を含み、
アクセプターの濃度（Na）が高いもの。 ｉ型………NaNd０のもの、又は、Na
Ndのもの。 本発明の電子写真用像形成部材の光導電層を構
成する層としての〜のタイプのａ−半導体層
は、後に詳述する様にグロー放電法や反応スパツ
タリング法等による層形成の際に、ｎ型不純物又
は、ｐ型不純物或いは両不純物を、形成される。
ａ−半導体層中にその量を制御してドーピングし
てやる事によつて形成される。 この場合、本発明者等の実験結果からの知見に
よれば、層中の不純物の濃度を1015〜1019cm-3の
範囲内に調整することによつて、より強いｎ型
（又はより強いｐ型）のａ−半導体層からより弱
いｎ型（又はより弱いｐ型）のａ−半導体層を形
成する事が出来る。 〜のタイプのａ−半導体層は、グロー放電
法、スパツタリング法、オンインプランテーシヨ
ン法、イオンプレーテイング法等によつて形成さ
れる。これらの製造法は、製造条件、設備資本投
下の負荷程度、製造規模、製造される像形成部材
に所望される電子写真特性等の要因によつて適宜
選択されて採用されるが、所望する電子写真特性
を有する像形成部材を製造する為の制御が比較的
容易である、〜のタイプに制御する為にａ−
半導体層中に不純物を導入するのに族又は族
の不純物を置換型で導入することが出来る等の利
点からグロー放電法が好適に採用される。 更に、本発明に於いては、グロー放電法とスパ
ツタリング法とを同一装置系内で併用してａ−半
導体層を形成しても良い。ａ−半導体層は、本発
明の目的とする電子写真用像形成部材が得られる
可く、Ｈ（水素）が含有される。ここに於いて、
「ａ−半導体層中にＨが含有されている」という
ことは、「Ｈが、Si又はGeと結合した状態」、「Ｈ
がイオン化して層中に取り込まれている状態」又
は「H2として層中に取り込まれている状態」の
何れかの、又はこれ等の複合されている状態を意
味する。ａ−半導体層へのＨの含有は、層を形成
する際、製造装置系内にSiH4、Si2H6、GeH4等の
化合物又はH2の形で導入した後熱分解、グロー
放電分解等の方法によつて、それ等の化合物又は
H2を分解して、ａ−半導体層中に、層の成長に
併せて含有させても良いし、又、イオンインプラ
ンテーシヨン法で含有させても良い。 本発明者の知見によれば、ａ−半導体層中への
Ｈの含有量は、形成される像形成部材が実際面に
於いて適用され得るか否かを左右する大きな要因
の一つであつて、殊に形成されるａ−半導体層を
ｐ型又はｎ型に制御する一つの要素として、極め
て重要であることが判明している。 本発明に於いて、形成される像形成部材を実際
面に充分適用させ得る為には、ａ−半導体層中に
含有されるＨの量は通常の場合１〜40原子％、好
適には５〜30原子％とされるのが望ましい。ａ−
半導体層中へのＨ含有量が上記の数値範囲に限定
される理由の理論的裏付は今の処、明確にされて
おらず推論の域を出ない。而乍ら、数多くの実験
結果から、上記数値範囲外のＨの含有量では、例
えば本発明の像形成部材の光導電層を構成するａ
−半導体層としての要求に応じた特性に制御する
のが極めて困難である。製造された電子写真用像
形成部材は照射される電磁波に対する感度が極め
て低い、又は場合によつては、該感度が殆んど認
められない、電磁波照射によるキヤリヤーの増加
が小さい等が認められ、Ｈの含有量が上記の数値
範囲内にあるのが必要条件であることが裏付けら
れている。ａ−半導体層中へのＨの含有は、例え
ば、グロー放電法では、ａ−半導体を形成する出
発物質がSiH4、Si2H6、GeH4等の水素化物を使用
するので、SiH4、Si2H6、GeH4等の水素化物が分
解してａ−半導体層が形成される際、Ｈは自動的
に層中に含有されるが、更にＨの層中への含有を
一層効率良く行なうには、ａ−半導体層を形成す
る際に、グロー放電を行なう装置系内にH2ガス
を導入してやれば良い。 スパツターリング法による場合にはAr等の不
活性ガス又はこれ等のガスをベースとした混合ガ
ス雰囲気中でSi又はGe、或いは（Si＋Ge）、更に
はこれ等と酸素又は／及び窒素の化合物を含むも
のをターゲツトとしてスパツターリングを行なう
際にH2ガスを導入してやるか又はSiH4、Si2H6等
の水素化硅素ガスやGeH4等の水素化ゲルマニウ
ムガス、或いは、不純物のドーピングも兼ねて
B2H6、PH3等のガスを導入してやれば良い。 本発明の目的を達成する為にａ−半導体層中に
含有されるＨの量を制御するには、蒸着基板温度
又は／及びＨを含有させる為に使用される出発物
質の製造装置系内へ導入する量を制御してやれば
良い。更には、ａ−半導体層を形成した後に、該
層を、活性化した水素雰囲気中に晒しても良い。
又、この時ａ−半導体層を結晶温度以下で加熱す
るのも一つの方法である。殊にａ−半導体層の暗
抵抗を向上させるためには、該加熱処理法は有効
な手段である。又、高強度の光の様な電磁波を照
射して、ａ−半導体層の暗抵抗を向上させる方法
も有効な方法である。 ａ−半導体層中でドーピングされる不純物とし
ては、ａ−半導体層をｐ型にするには、周期律表
第族Ａの元素、例えばＢ、Al、Ga、In、Tl、
等が好適なものとして挙げられ、ｎ型にする場合
には周期律表第族Ａの元素、例えば、Ｐ、
As、Sb、Bi等が好適なものとして挙げられる。
これ等の不純物は、ａ−半導体層中に含有される
量がppmオーダーであるので、光導電層を構成
する主物質程その公害性に注意を払う必要はない
が出来る限り公害性のないものを使用するのが好
ましい。この様な観点からすれば、形成されるａ
−半導体層の電気的・光学的特性を加味して、例
えば、Ｂ、As、Ｐ、Sb等が最適である。この他
に、例えば、熱拡散やインプランテーシヨンによ
つてLi等がインターステイシアルにドーピングさ
れることでｎ型に制御することも可能である。 ａ−半導体層中にドーピングされる不純物の量
は、所望される電気的・光学的特性に応じて適宜
決定されるが、周期律表第族Ａの不純物の場合
には、通常10-6〜10-3原子％、好適には10-5〜
10-4原子％、周期律表第族Ａの不純物の場合に
は、通常10-8〜10-3原子％、好適には10-8〜10-4
原子％とされるのが望ましい。 これ等不純物のａ−半導体層中へのドーピング
方法は、ａ−半導体層を形成する際に採用される
製造法によつて各々異なるものであつて、具体的
には、以降の説明又は実施例に於いて詳述され
る。 第１図に示される電子写真用像形成部材の如
き、光導電層３が自由表面を有し、該自由表面
に、静電像形成の為の帯電処理が施される像形成
部材に於いては、光導電層３と支持体２との間
に、静電像形成の際の帯電処理時に支持体２側か
らのキヤリアーの注入を阻止する働きのある障壁
層を設けるのが一層好ましいものである。この様
な支持体２側からのキヤリアーの注入を阻止する
働きのある障壁層を形成する材料としては、選択
される支持体の種類及び形成される光導電層の電
気的特性に応じて適宜選択されて適当なものが使
用される。その様な障壁層形成材料としては、例
えば、Al2O3、SiO、SiO2等の無機絶縁性化合
物、ポリエチレン、ポリカーボネイト、ポリウレ
タン、パリレン等の有機絶縁性化合物、Au、
Ir、Pt、Ph、Pd、Mo等の金属である。 支持体２としては、導電性でも電気絶縁性であ
つても良い。導電性支持体としては、例えば、ス
テンレス、Al、Cr、Mo、Au、Ir、Nb、Te、
Ｖ、Ti、Pt、Pd等の金属又はこれ等の合金が挙
げられる。電気絶縁性支持体としては、ポリエス
テル、ポリエチレン、ポリカーボネイト、セルロ
ーズトリアセテート、ポリプロピレン、ポリ塩化
ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポ
リアミド等の合成樹脂のフイルム又はシート、ガ
ラス、セラミツク、紙等が通常使用される。これ
等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともそ
の一方の表面を導電処理されるのが望ましい。 例えば、ガラスであれば、In2O3、SnO2等でそ
の表面が導電処理され、或いはポリエステルフイ
ルム等の合成樹脂フイルムであれば、Al、Ag、
Pb、Zn、Ni、Au、Cr、Mo、Ir、Nb、Ta、Ｖ、
Ti、Pt等の金属で真空蒸着、電子ビーム蒸着、
スパツタリング等で処理し、又は前記金属でラミ
ネート処理して、その表面が導電処理される。支
持体の形状としては、円筒状、ベルト状、板状
等、任意の形状とし得、所望によつて、その形状
は決定されるが、連続高速複写の場合には無端ベ
ルト状又は円筒状とするのが望ましい。支持体の
厚さは、所望通りの像形成部材が形成れる様に適
宜決定されるが、線形成部材として可撓性が要求
される場合には、支持体としての機能が充分発揮
される範囲内であれば、可能な限り薄くされる。
而乍ら、この様な場合、支持体の製造上及び取扱
い上、機械的強度等の点から通常は10μ以上とさ
れる。第２図に示される電子写真用像形成部材４
は、支持体５、光導電層６から構成され、光導電
層６は像形成面となる自由表面を有し、該層６中
には空乏層７が形成されている。 光導電層６中に空乏層７を設けるには、光導電
層６を前記のタイプのａ−半導体の中の少なくと
も二種類を選択し、異なるタイプのものが接合さ
れる状態として層形成する事によつて成される。 即ち、空乏層７は、例えば所望に従つた表面特
性を有する支持体５上に、先ず、ｉ型のａ−半導
体層を所定の層厚で形成し、次いで該ｉ型ａ−半
導体層上にｐ型のａ−半導体層を形成することに
よつてｉ型ａ−半導体層とｐ型ａ−半導体層との
接合部として形成される（以後、空乏層７に関し
て支持体５側のａ−半導体層を内部層８、自由表
面側のａ−半導体層を外部層９と称する）。詰
り、空乏層７は異なるタイプのａ−半導体層が接
合される様に、光導電層６を形成した場合に、内
部ａ−半導体層と外部ａ−半導体層との境界遷移
領域に形成される。 空乏層７は、電子写真用像形成部材に静電像を
形成するプロセス中の一工程である電磁波照射工
程の際に、照射される電磁波を吸収して移動可能
なキヤリアーを生成する層としての機能を有す
る。又、空乏層７は定常状態では、フリーキヤリ
アーの枯渇した状態となつているので所謂真性半
導体としての挙動を示す。 第１図及び第２図に示される像形成部材は、光
導電層が自由表面を有する構成のものであるが、
光導電層表面上には従来のある種の電子写真用像
形成部材の様に、所謂保護層や電気的絶縁層等の
表面被覆層を設けてもよい。その様な表面被覆層
を有する像形成部材が第３図に示される。 第３図に示される像形成部材１０は、支持体１
１と光導電層１２と光導電層１２上に自由表面を
有する表面被覆層１３を有する点以外は、構成上
に於いて、第１図に示される像形成部材１と本質
的に異なるものではない。而乍ら表面被覆層１３
に要求される特性は、適用する電子写真プロセス
によつて各々異なる。即ち、例えば、特公昭42−
23910号公報、同43−24748号公報に記載されてい
るNP方式の様な電子写真プロセスを適用するの
であれば、表面被覆層１３は、電気的絶縁性であ
つて、帯電処理を受けた際の静電荷保持能が充分
あつて、ある程度以上の厚みがあることが要求さ
れるが、例えば、カールソンプロセスの如き電子
写真プロセスを適用するのであれば、静電像形成
後の明部の電位は非常に小さいことが望ましいの
で表面被覆層１３の厚さとしては非常に薄いこと
が要求される。表面被覆層１３は、その所望され
る電気的特性を満足するのに加えて、光導電層１
２に化学的・物理的に悪影響を与えないこと、光
導電層１２との電気的接触性及び接着性、更には
耐湿性、耐摩耗性、クリーニング性等を考慮して
形成される。 表面被覆層１３の形成材料として有効に使用さ
れるものとして、その代表的なのは、ポリエチレ
ンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリプロ
ピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、
ポリビニルアルコール、ポリスチレン、ポリアミ
ド、ポリ四弗化エチレン、ポリ三弗化塩化エチレ
ン、ポリ弗化ビニル、ポリ弗化ビニリデン、六弗
化プロピレン−四弗化エチレンコポリマー、三弗
化エチレン一弗化ビニリデンコポリマー、ポリブ
テン、ポリビニルブチラール、ポリウレタン等の
合成樹脂、ジアセテート、トリアセテート等のセ
ルロース誘導体等が挙げられる。これ等の合成樹
脂又はセルロース誘導体は、フイルム状とされて
光導電層１２上に貼合されても良く、又、それ等
の塗布液を形成して光導電層１２上に塗布し、層
形成しても良い。表面被覆層１３の層厚は、所望
される特性に応じて、又、使用される材質によつ
て適宜決定されるが、通常の場合、0.5〜70μ程
度とされる。殊に表面被覆層１３が先述した保護
層としての機能が要求される場合には、通常の場
合、10μ以下とされ、逆に電気的絶縁層としての
機能が要求される場合は、通常の場合10μ以上と
される。而乍ら、この保護層と電気絶縁層とを差
別する層厚値は、使用材料及び適用される電子写
真プロセス、設計される像形成部材の構造によつ
て変動するもので、先の10μという値は絶対的な
ものではない。 又、この表面被覆層１３は、先に述べた如き反
射防止層としての役目も荷わせれば、その機能が
一層拡大されて効果的となる。 参考例 １ 完全にシールドされたクリーンルーム中に設置
された第４図に示す装置を用い、以下の如き操作
によつて電子写真用像形成部材を作製した。 表面が清浄にされた0.2mm厚５cm角のアルミニ
ウム板（基板）１７を、支持台１４上に静置され
たグロー放電蒸着槽１５内の所定位置にある固定
部材１８に堅固に固定した。基板１７は固定部材
１８内の加熱ヒーター１９によつて±0.5℃の精
度で加温される。温度は、熱電対（アルメルーカ
ロメル）によつて基板裏面を直接測定されるよう
になされた。次いで系内の全バルブが閉じられて
いることを確認してからメインバルブ２２を全開
して、槽１５内が排気され、約５×10-6torrの真
空度にした。その後ヒーター１９の入力電圧を上
昇させ、アルミニウム基板温度を検知しながら入
力電圧を変化させ、400℃の一定値になるまで安
定させた。 その後、補助バルブ２４、ついで流出バルブ４
３，４５及び流入バルブ３７，３９を全開し、フ
ローメーター３１，３３内も十分脱気真空状態に
された。補助バルブ２４、バルブ４３，４５，３
７，３９を閉じた後、シランガス（純度99.999
％）ボンベ２５のバルブ４９を開け、出口圧ゲー
ジ５５の圧を１Kg／cm2に調整し、流入バルブ３７
を徐々に開けてフローメータ３１内へシランガス
を流入させた。引きつづいて、流出バルブ４３を
徐々に開け、ついで補助バルブ２４を徐々に開
け、ピラニーゲージ２３の読みを注視しながら補
助バルブ２４の開口を調整し、槽１５内が１×
10-2torrになるまで補助バルブ２４を開けた。槽
内圧が安定してから、メインバルブ２２を徐々に
閉じピラニーゲージ２３の指示が0.5torrになる
まで開口を絞つた。内圧が安定するのを確認し、
続いてアンモニアガス（純度99.999％）ボンベ２
７のバルブ５１を開き、出口圧ゲージ５７の圧を
１Kg／cm2に調整し、流入バルブ３９を徐々に開け
フローメータ３３にアンモニアガスを流入させた
後、流出バルブ４５を徐々に開け、フローメータ
３３の読みが、シランガスの流量の5vol％になる
様に流出バルブ４５の開口を定め、安定化させ
た。高周波電源２０のスイツチをon状態にし
て、誘導コイル２１に、5MHzの高周波電力を投
入し、槽内１５のコイル内部（槽上部）にグロー
放電を発生させ、30Wの入力電力とした。上条件
で基板上にａ−半導体を生長させ、10時間同条件
を保つた後、その後、高周波電源２０をoff状態
とし、グロー放電を中止させた。引き続いて、加
熱ヒーター１９の電源をoffとし、基板温度が100
℃になるのを待つてから補助バルブ２４、流出バ
ルブ４３，４５を閉じメインバルブ２２を全開に
して、槽内を10-5torr以下にした後、メインバル
ブ２２を閉じ槽１５内をリークバルブ１６によつ
て大気圧としてａ−半導体層を形成した基板を取
り出した。この場合、形成されたａ−半導体層の
全厚は約20μであつた。 こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験
装置に設置し、6KVで0.2sec間コロナ帯電を行
い、直ちに光像を照射した。光像は、タングステ
ンランプ光源を用い、15lux・secの光量を透過型
のテストチヤートを通して照射された。 その後直ちに、荷電性の現像剤（トナーとキ
ヤリアーを含有）を像形成部材表面にカスケード
することによつて、部材表面上に良好なトナー画
像を得た。部材上のトナー画像を、5KVのコロ
ナ帯電で転写紙上に転写した所、解像力に優れ、
階調再現性のよい鮮明な高濃度の画像が得られ
た。 更に、同装置を同様に操作して、原料ガスの混
合比を変化させた。一定のシランガス流量に対し
てアンモニアガス流量を以下の値で変化させ、上
述の帯電露光、現像の操作を同一条件で施すこと
によつてそれぞれの画像を比較し評価した。 その結果を表１に示した。
【表】
評価基準…◎…優 ○…良 △…実用上可
×…不可
次に、アンモニアガス流量比をシランガス流量
の10vol％に固定し、アルミニウム基板温度を変
化させて同様の評価を行つた結果を表２に示す。
×…不可
次に、アンモニアガス流量比をシランガス流量
の10vol％に固定し、アルミニウム基板温度を変
化させて同様の評価を行つた結果を表２に示す。
【表】
表２中の（ ）内は、窒素雰囲気中400℃の熱
処理１時間後の評価であり、低い基板温度でａ−
半導体層を形成した像形成部材では、熱処理によ
つて鮮明度は改善された。 実施例 １ 完全にシールドされたクリーンルーム中に設置
された第４図に示す装置を用い、以下の如き操作
によつて電子写真用像形成部材を作製した。 表面が清浄にされた0.2mm厚５cm角のアルミニ
ウム板（基板）１７を、支持台１４上に静置され
たグロー放電蒸着槽１５内の所定位置にある固定
部材１８に堅固に固定した。基板１７は、固定部
材１８内の加熱ヒーター１９によつて±0.5℃の
精度で加温される。温度は、熱電対（アルメルー
カロメル）によつて基板裏面を直接測定されるよ
うになされた。次いで系内の全バルブが閉じられ
ていることを確認してからメインバルブ２２を全
開して、槽１５内が排気され、約５×10-6torrの
真空度にした。その後ヒーター１９の入力電圧を
上昇させ、アルミニウム基板温度を検知しながら
入力電圧を変化させ、400℃の一定値になるまで
安定させた。 その後、補助バルブ２４についで流出バルブ４
３，４６及び流入バルブ３７，４０を全開し、フ
ローメーター３１，３４内も十分脱気真空状態に
された。補助バルブ２４、バルブ４３，４６，３
７，４０を閉じた後、シランガス（純度99.999
％）ボンベ２５のバルブ４９を開け、出口圧ゲー
ジ５５の圧を１Kg／cm2に調整し、流入バルブ３７
を徐々に開けてフローメータ３１内へシランガス
を流入させた。引きつづいて、流出バルブ４３を
徐々に開け、ついで補助バルブ２４を徐々に開
け、ビラニーゲージ２３の読みを注視しながら補
助バルブ２４の開口を調整し、槽内が１×
10-2torrになるまで補助バルブ２４を開けた。槽
内圧が安定してから、メインバルブ２２を徐々に
閉じピラニーゲージ２３の指示が0.5torrになる
まで開口を絞つた。内圧が安定するのを確認し、
続いて二酸化炭素ガス（純度99.999％）ボンベ２
８のバルブ５２を開き、出口圧ゲージ５８の圧を
１Kg／cm2に調整し、流入バルブ４０を徐々に開け
フローメータ３４に二酸化炭素を流入させた後、
流出バルブ４６を徐々に開け、フローメータ３４
の読みが、シランガスの流量の0.5vol％になる様
に流出バルブ４６の開口を定め、安定化させた。
高周波電源２０のスイツチをon状態にして、誘
導コイル２１に5MHzの高周波電力を投入し、槽
内１５のコイル内部（槽上部）にグロー放電を発
生させ、30Wの入力電力とした。上条件で基板上
にａ−半導体層を生長させ、８時間同条件を保つ
た後、その後、高周波電源２０をoff状態とし、
グロー放電を中止させた。引き続いて、加熱ヒー
ター１９の電源をoffとし、基板温度が100℃にな
るのを待つてから補助バルブ２４、流出バルブ４
３，４６を閉じメインバルブ２２を全開にして、
槽１５内を10-5torr以下にした後、メインバルブ
２２を閉じ槽１５内をリークバルブ１６によつて
大気圧としてａ−半導体層の形成された基板を取
り出した。この場合、形成されたａ−半導体層の
全厚は約18μであつた。 こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験
装置に設置し、6KVで0.2sec間コロナ帯電を行
い、直ちに光像を照射した。光像は、タングステ
ンランプ光源を用い、10lux・secの光量を遷過型
のテストチヤートを通して照射された。 その後直ちに、荷電性の現像剤（トナーとキ
ヤリアーを含有）を像形成部材表面にカスケード
することによつて、像形成部材表面上に良好なト
ナー画像を得た。像形成部材上のトナ画像を、＋
5KVのコロナ帯電で転写紙上に転写した所、解像
力に優れ、階調再現性のよい鮮明な高濃度の画像
が得られた。 実施例 ２ 完全にシールドされたクリーンルーム中に設置
された第４図に示す装置を用い、以下の如き操作
によつて電子写真用像形成部材を作製した。 表面が清浄にされた0.2mm厚５cm角のアルミニ
ウム板（基板）１７を、支持台１４上に静置され
たグロー放電蒸着槽１５内の所定位置にある固定
部材１８に堅固に固定した。基板１７は、固定部
材１８内の加熱ヒーター１９によつて±0.5℃の
精度で加温される。温度は、熱電対（アルメルー
カロメル）によつて基板裏面を直接測定されるよ
うになされた。次いで系内の全バルブが閉じられ
ていることを確認してからメインバルブ２２を全
開して、槽１５内が排気され、約５×10-6torrの
真空度にした。その後ヒーター１９の入力電圧を
上昇させ、アルミニウム基板温度を検知しながら
入力電圧を変化させ、350℃の一定値になるまで
安定させた。 その後、補助バルブ２４、ついで流出バルブ４
４，４６及び流入バルブ３８，４０を全開し、フ
ローメーター３２，３４内も十分脱気真空状態に
された。補助バルブ２４、バルブ４４，４６，３
２，３４を閉じた後、ゲルマンガス（純度99.999
％）ボンベ２６のバルブ５０を開け、出口圧ゲー
ジ５６の圧を１Kg／cm2に調整し、流入バルブ３８
を徐々に開けてフローメータ３２内へゲルマンを
流入させた。引きつづいて、流出バルブ４４を
徐々に開け、ついで補助バルブ２４を徐々に開
け、ピラニーゲージ２３の読みを注視しながら補
助バルブ２４の開口を調整し、槽１５内が１×
10-2torrになるまで補助バルブ２４を開けた、槽
１５内圧が安定してから、メインバルブ２２を
徐々に閉じ、ピラニーゲージ２３の指示が
0.5torrになるまで開口を絞つた。内圧が安定す
るのを確認し、続いて二酸化炭素（純度99.99
％）ボンベ２８のバルブ５２を開き、出口圧ゲー
ジ５８の圧を１Kg／cm2に調整し、流入バルブ４０
を徐々に開けフローメータ３４に二酸化炭素を流
入させた後、流出バルブ４６を徐々に開け、フロ
ーメータ３４の読みが、ゲルマンガスの流量の10
％になる様に流出バルブ４６の開口を定め、安定
化させた。続いて高周波電源２０のスイツチを
on状態にして、誘導コイル２１に、5MHzの高周
波電力を投入し、槽内１６のコイル内部（槽上
部）にグロー放電を発生させ、30Wの入力電力と
した。上条件で基板上にａ−半導体層を生長さ
せ、８時間同条件を保つた後、その後、高周波電
源２０をoff状態とし、グロー放電を中止させ
た。引き続いて、加熱ヒーター１９の電源をoff
とし、基板温度が100℃になるのを待つてから補
助バルブ２４、流出バルブ４４，４６を閉じメイ
ンバルブ２２を全開にして、槽１５内を10-5torr
以下にした後、メインバルブ２を閉じ槽１５内を
リークバルブ１６によつて大気圧として基板を取
り出した。この場合、形成されたａ−半導体層の
全厚は約18μであつた。 こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験
装置に設置し、6KVで0.2sec間コロナ帯電を行
い、直ちに光像を照射した。光像は、キセノンラ
ンプ光源を用い、15lux・secを遷過型のテストチ
ヤートを通して照射された。 その後直ちに、荷電性の現像剤（トナーとキ
ヤリアーを含有）を像形成部材表面にカスケード
することによつて、像形成部材表面上に良好なト
ナー画像を得た。像形成部材上のトナー画像を、
＋5KVのコロナ帯電で転写紙上に転写した所、解
像力に優れ、階調再現性のよい鮮明な高濃度の画
像が得られた。 実施例 ３ 第５図に示す装置を用いて、以下の如き操作に
よつて電子写真用像形成部材を作製した。 表面が清浄された0.2mm厚10cm×10cm角のアル
ミニウム板を基板として、スパツタリング蒸着槽
６１内の加熱ヒーター６４と熱電対を内蔵した固
定部材６３上に固定された。基板６２と対向した
電極６６上には、多結晶シリコン板（純度99.999
％）ターゲツト６５が基板６２と平行に約4.5cm
離されて対向するように固定された。 槽６１内は、メインバルブ６７を全開して一旦
５×10-7torr程度まで真空にされ、（このとき、
系の全バルブは閉じられている）、補助バルブ７
１および流出バルブ８７，８８，８９が開らかれ
十分に脱気された後、流出バルブ８７，８８，８
９と補助バルブ７１が閉じられた。 基板６２は、加熱ヒーター電源が入力され、
200℃に保たれた。そして水素（純度99.99995
％）ボンベ７２のバルブ７５を開け、出口圧力計
７８によつて１Kg／cm2に出口圧を調整した。続い
て、流入バルブ８１を徐々に開いて、フローメー
タ８４内に水素ガスを流入させ、続いて、流出バ
ルブ８７を徐々に開き更に、補助バルブ７１を開
いた。 槽６１の内圧を、圧力計６８で検知しながら流
出バルブ８７を調整して５×10-5torrまで流入さ
せた。引き続きアルゴンガス（純度99.9999％）
ボンベ７３のバルブ７６を開け、出口圧力計７９
の読みが１Kg／cm2になる様に調整された後、流入
バルブ８２が開けられ、続いて流出バルブ８８が
徐々に開けられ、アルゴンガスを槽６１内に流入
させた。槽内圧計６８の指示が５×10-4torrにな
るまで、流出バルブ８８が徐々に開けられ、この
状態で流量が安定してから、メインバルブ６７が
徐々に閉じられ、槽内圧が１×10-2torrになるま
で開口が絞られた。続いて、二酸化窒素ガス（純
度99.99％）ボンベ７４のバルブ７７を開き、出
口圧ゲージ８０を１Kg／cm2に調整し流入バルブ８
３を開き、徐々に流出バルブ８９を開けフローメ
ータ８６の読みから、水素ガスのフローメータ８
４の示す流量の約5vol％の流量で流入されるよう
に流出バルブ８９を調整した。フローメータ８
４，８５，８６が安定するのを確認してから、高
周波電源７０をon状態にし、ターゲツト６５お
よび固定部材６３間に13.56MHz、500W、1.6KV
の交流電力が入力された。この条件で安定した放
電を続ける様にマツチングを取りながら層を形成
した。この様にして８時間放電を続け層を形成し
た。高周波電源７０をoff状態とし、加熱ヒータ
ー６４の電源もoff状態とした。基板温度が100℃
以下になるのを待つて、流出バルブ８７，８８，
８９を閉じ、補助バルブ７１を閉じた後、メイン
バルブ６７を全開して槽内のガスを抜いた。その
後メインバルブ６７を閉じてリークバルブ６９を
開いて大気圧にリークしてからａ−半導体層の形
成された基板を取り出した。 この場合、形成されたａ−半導体層の厚さは、
18μであつた。 こうして得られた像形成部材を、参考例１と同
様に試験した所、6KVのコロナ帯電荷電性現
像剤の組み合せの場合に、解像力、階調性、画像
濃度ともにすぐれた画像が得られた。 実施例 ４ 第５図に示す装置を用いて、以下の如き操作に
よつて電子写真用像形成部材を作製した。 表面が清浄された0.2mm厚10cm×10cm角のアル
ミニウム板を基板として、スパツタリング蒸着槽
６１内の加熱ヒーター６４と熱電対を内蔵した固
定部材６３上に固定された。基板６２と対向した
電極６６上には、シリコン粉末（純度99.999％）
98重量部と二酸化けい素粉末（純度99.99％）２
重量部を充分混合した後、ホツトプレスしたター
ゲツト６５が基板６２と平行に約4.5cm離されて
対向するように固定された。 槽６１内は、メインバルブ６７を全開して一旦
５×10-7torr程度まで真空にされ（このとき、系
の全バルブは閉じられている）、補助バルブ７１
および流出バルブ８７，８８が開らかれ十分に脱
気された後、流出バルブ８７，８８と補助バルブ
７１が閉じられた。 基板６２は、加熱ヒーター電源が入力され、
200℃に保たれた。そして水素（純度99.99995
％）ボンベ７２のバルブ７５を開け、出口圧力計
７８にによつて１Kg／cm2に出口圧を調整した。続
いて、流入バルブ８１を徐々に開いて、フローメ
ータ８４内に水素ガスを流入させ、続いて、流出
バルブ８７を徐々に開き更に、補助バルブ７１を
開いた。 槽６１の内圧を、圧力計６８で検知しながら流
出バルブ８７を調整して５×10-5torrまで流入さ
せた。引き続きアルゴン（純度99.9999％）ガス
ボンベ７３のバルブ７６を開け、出口圧力計７９
の読みが１Kg／cm2になる様に調整された後、流入
バルブ８２が開けられ、続いて、流出バルブ８８
が徐々に開けられ、アルゴンガスを槽６１内に流
入させた。槽内圧計６７の指示が５×10-4torrに
なるまで、流出バルブ８８が徐々に開けられ、こ
の状態で流量が安定してから、メインバルブ６７
が徐々に閉じられ、槽内圧が１×10-2torrになる
まで開口が絞られた。ガス流量及び槽内圧が安定
するのを確認してから、高周波電源７０をon状
態にし、ターゲツト６５および固定部材６３間に
13.56MHz、500W、1.6KVの交流電力が入力され
た。この条件で安定した放電を続ける様にマツチ
ングを取りながら層を形成した。この様にして10
時間放電を続け層を形成した。のち、高周波電源
７０をoff状態とし、加熱ヒーター６４の電源も
off状態とした。基板温度が100℃以下になるのを
待つて、流出バルブ８７，８８を閉じ、補助バル
ブ７１を閉じた後、メインバルブ６７を全開して
槽６１内のガスを抜いた。その後メインバルブ６
７を閉じてリークバルブ６９を開いて大気圧にリ
ークしてからａ−半導体層の形成された基板を取
り出した。 この場合、形成されたａ−半導体層の厚さは、
20μであつた。 こうして得られた像形成部材を、参考例１と同
様に試験した所、6KVのコロナ帯電荷電性現
像剤の組み合せの場合に、解像力、階調性、画像
濃度ともにすぐれた画像が得られた。 参考例 ２ 基板として0.2mm厚、５cm×５cm角のモリブデ
ン基板を清浄にした後、参考例１と同様に槽１５
内に設置した。続いて、参考例１と同様の操作に
よつてグロー放電槽１５内を５×10-6torrの真空
となし、基板温度は400℃に保たれた後、参考例
１と同様にシランガスとアンモニアガス（シラン
流量の5vol％）が流され、槽１５内は、0.8torrに
調節された。この時、更にホスフインガスが、シ
ランガスの0.61vol％となるように、ホスフイン
ガスボンベ２９からバルブ５３を通して、１Kg／
cm2のガス圧（出口圧力ゲージ５９の読み）で流入
バルブ４１、流出バルブ４７の調節によつてフロ
ーメータ３５の読みから槽１５内にシランガス及
びアンモニアガスとを混合流入させた。ガス流入
が安定し槽内圧が一定となり、基板温度が400℃
に安定してから、参考例１と同様に高周波電源２
０をon状態として、グロー放電を開始させた。
この条件で、６時間グロー放電を持続させた後、
高周波電源２０をoff状態としてグロー放電を中
止させた。その後、流出バルブ４３，４５，４７
を閉じ、補助バルブ２４、メインバルブ２２を全
開にして、槽１５中を５×10-6torrまで真空にし
た。その後、補助バルブ２４、メインバルブ２２
は閉じられ、流出バルブ４３及び４５を徐々に開
け、補助バルブ２４、メインバルブ２２を上記し
た層の形成時と同じシランガス及びアンモニアガ
スの流量状態になる様に復帰された。続いて、ジ
ボランガスボンベ３０のバルブ５４を開け、出口
圧ゲージ６０の圧を１Kg／cm2に調整し、流入バル
ブ４２を徐々に開けて、フローメータ３６内へジ
ボランガスを流入させた。更に流出バルブ４８を
徐々に開け、フローメータ３６の読みがシランガ
スの流量の0.02vol％になる様に流出バルブ４８
の開口を定め、槽１５内へのシランガス及びアン
モニアガスの流量とともに流量が安定化するのを
待つた。続いて、高周波電源２０を再びon状態
として、グロー放電を開始させ、この条件でグロ
ー放電を45分間持続させた後、加熱ヒーター１９
及び高周波電源２０をoff状態として、基板温度
が100℃になるのを待つた。その後、補助バルブ
２４、流出バルブ４３，４５，４８を閉じ、メイ
ンバルブ２２を全開にして槽１５内を一旦
10-5torr以下にした後、メインバルブ２２を閉じ
て、槽１５内をリークバルブ１６によつて大気圧
した後、基板を取り出した。こうして像形成部材
を得た。形成された全層の厚さは約15μであつ
た。 こうして得られた像形成部材を、参考例１と同
様に帯電露光の実験装置に静置して画像形成の試
験をした所、6KVのコロナ帯電、荷電性現像
剤の組み合せの場合に、極めて良質のコントラス
トの高いトナー画像が転写紙上に得られた。 参考例 ３ 表面が清浄にされた0.1mm厚のAl基板（４cm×
４cm角）が参考例１と同様に第４図に示す装置の
固定部材１８上に静置された。続いて実施例１と
同様の操作によつてグロー放電蒸着槽１５内及び
全ガス流入系を５×10-6torrの真空となし、基板
温度は450℃に保たれた。参考例１と同様の各バ
ルブ操作で槽１５内にシランガスとアンモニアガ
ス（シラン流量の5vol％）が流され、槽１５内圧
は0.3torrにされた。 更にジボランガスボンベ３０のバルブ５４を開
け、出口圧ゲージ６０圧を１Kg／cm2に調整し、流
入バルブ４２を徐々に開け、フローメーター３６
の読みがシランガス流量の0.05vol％になる様に
流出バルブ４８も徐々に開けられて、ジボランガ
スが流入された。シランガス、アンモニアガス及
びジボランガス共に流量が安定化し、基板温度が
450℃で安定化してから、高周波電源２０をon状
態として、槽１５内にグロー放電を開始させた。
この条件でグロー放電を15分間行つた後、グロー
放電を続けながら、ジボランの流出バルブ４８を
フローメータ３６を注視しながら徐々に閉じ、シ
ランガス流量に対してジボランガス流量が
0.01vol％になるまで開口を絞つた。この条件で
更にグロー放電を８時間続けた後、高周波電源を
offとしてグロー放電を中止させ、続いて加熱ヒ
ーター１９をoff状態とした後、基板温度が100℃
になるのを待つて、補助バルブ２４、流出バルブ
４３，４５，４８共に閉じられ、メインバルブ２
２が全開されて槽１５が一旦10-5torr以下にされ
てからメインバルブ２２を閉じ、リークバルブ１
６を開いて槽１５内を大気圧に戻してから基板を
取り出した。形成されたａ−半導体層の全厚は約
16μであつた。 こうして得られたサンプルを、サンプル裏面の
Al面を接着テープで目ばりした後更にポリカー
ボネート樹脂の30％トルエン溶液に垂直方向にサ
ンプルを浸漬した後、1.5cm／secの速度で引き上
げてａ−半導体層上にポリカーボネート樹脂層を
15μ厚に設けた。その後接着テープは除去され
た。 得られた像形成部材を、市販の複写機（NP−
L7キヤノン株式会社製）を改造した実験機のド
ラム（感光層のないAlドラム）に接地されるよ
うに固定し、7KV一次帯電、露光同時AC6KV
帯電、現像（荷電性液体現像剤）、液絞り（ロ
ーラー絞り）、転写5KV帯電の連結工程によつ
て普通紙上に鮮明な画像コントラストの高い画像
を得た。又この工程をくりかえし10万枚以上コピ
ーしても初期の良質な画像を維持した。
処理１時間後の評価であり、低い基板温度でａ−
半導体層を形成した像形成部材では、熱処理によ
つて鮮明度は改善された。 実施例 １ 完全にシールドされたクリーンルーム中に設置
された第４図に示す装置を用い、以下の如き操作
によつて電子写真用像形成部材を作製した。 表面が清浄にされた0.2mm厚５cm角のアルミニ
ウム板（基板）１７を、支持台１４上に静置され
たグロー放電蒸着槽１５内の所定位置にある固定
部材１８に堅固に固定した。基板１７は、固定部
材１８内の加熱ヒーター１９によつて±0.5℃の
精度で加温される。温度は、熱電対（アルメルー
カロメル）によつて基板裏面を直接測定されるよ
うになされた。次いで系内の全バルブが閉じられ
ていることを確認してからメインバルブ２２を全
開して、槽１５内が排気され、約５×10-6torrの
真空度にした。その後ヒーター１９の入力電圧を
上昇させ、アルミニウム基板温度を検知しながら
入力電圧を変化させ、400℃の一定値になるまで
安定させた。 その後、補助バルブ２４についで流出バルブ４
３，４６及び流入バルブ３７，４０を全開し、フ
ローメーター３１，３４内も十分脱気真空状態に
された。補助バルブ２４、バルブ４３，４６，３
７，４０を閉じた後、シランガス（純度99.999
％）ボンベ２５のバルブ４９を開け、出口圧ゲー
ジ５５の圧を１Kg／cm2に調整し、流入バルブ３７
を徐々に開けてフローメータ３１内へシランガス
を流入させた。引きつづいて、流出バルブ４３を
徐々に開け、ついで補助バルブ２４を徐々に開
け、ビラニーゲージ２３の読みを注視しながら補
助バルブ２４の開口を調整し、槽内が１×
10-2torrになるまで補助バルブ２４を開けた。槽
内圧が安定してから、メインバルブ２２を徐々に
閉じピラニーゲージ２３の指示が0.5torrになる
まで開口を絞つた。内圧が安定するのを確認し、
続いて二酸化炭素ガス（純度99.999％）ボンベ２
８のバルブ５２を開き、出口圧ゲージ５８の圧を
１Kg／cm2に調整し、流入バルブ４０を徐々に開け
フローメータ３４に二酸化炭素を流入させた後、
流出バルブ４６を徐々に開け、フローメータ３４
の読みが、シランガスの流量の0.5vol％になる様
に流出バルブ４６の開口を定め、安定化させた。
高周波電源２０のスイツチをon状態にして、誘
導コイル２１に5MHzの高周波電力を投入し、槽
内１５のコイル内部（槽上部）にグロー放電を発
生させ、30Wの入力電力とした。上条件で基板上
にａ−半導体層を生長させ、８時間同条件を保つ
た後、その後、高周波電源２０をoff状態とし、
グロー放電を中止させた。引き続いて、加熱ヒー
ター１９の電源をoffとし、基板温度が100℃にな
るのを待つてから補助バルブ２４、流出バルブ４
３，４６を閉じメインバルブ２２を全開にして、
槽１５内を10-5torr以下にした後、メインバルブ
２２を閉じ槽１５内をリークバルブ１６によつて
大気圧としてａ−半導体層の形成された基板を取
り出した。この場合、形成されたａ−半導体層の
全厚は約18μであつた。 こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験
装置に設置し、6KVで0.2sec間コロナ帯電を行
い、直ちに光像を照射した。光像は、タングステ
ンランプ光源を用い、10lux・secの光量を遷過型
のテストチヤートを通して照射された。 その後直ちに、荷電性の現像剤（トナーとキ
ヤリアーを含有）を像形成部材表面にカスケード
することによつて、像形成部材表面上に良好なト
ナー画像を得た。像形成部材上のトナ画像を、＋
5KVのコロナ帯電で転写紙上に転写した所、解像
力に優れ、階調再現性のよい鮮明な高濃度の画像
が得られた。 実施例 ２ 完全にシールドされたクリーンルーム中に設置
された第４図に示す装置を用い、以下の如き操作
によつて電子写真用像形成部材を作製した。 表面が清浄にされた0.2mm厚５cm角のアルミニ
ウム板（基板）１７を、支持台１４上に静置され
たグロー放電蒸着槽１５内の所定位置にある固定
部材１８に堅固に固定した。基板１７は、固定部
材１８内の加熱ヒーター１９によつて±0.5℃の
精度で加温される。温度は、熱電対（アルメルー
カロメル）によつて基板裏面を直接測定されるよ
うになされた。次いで系内の全バルブが閉じられ
ていることを確認してからメインバルブ２２を全
開して、槽１５内が排気され、約５×10-6torrの
真空度にした。その後ヒーター１９の入力電圧を
上昇させ、アルミニウム基板温度を検知しながら
入力電圧を変化させ、350℃の一定値になるまで
安定させた。 その後、補助バルブ２４、ついで流出バルブ４
４，４６及び流入バルブ３８，４０を全開し、フ
ローメーター３２，３４内も十分脱気真空状態に
された。補助バルブ２４、バルブ４４，４６，３
２，３４を閉じた後、ゲルマンガス（純度99.999
％）ボンベ２６のバルブ５０を開け、出口圧ゲー
ジ５６の圧を１Kg／cm2に調整し、流入バルブ３８
を徐々に開けてフローメータ３２内へゲルマンを
流入させた。引きつづいて、流出バルブ４４を
徐々に開け、ついで補助バルブ２４を徐々に開
け、ピラニーゲージ２３の読みを注視しながら補
助バルブ２４の開口を調整し、槽１５内が１×
10-2torrになるまで補助バルブ２４を開けた、槽
１５内圧が安定してから、メインバルブ２２を
徐々に閉じ、ピラニーゲージ２３の指示が
0.5torrになるまで開口を絞つた。内圧が安定す
るのを確認し、続いて二酸化炭素（純度99.99
％）ボンベ２８のバルブ５２を開き、出口圧ゲー
ジ５８の圧を１Kg／cm2に調整し、流入バルブ４０
を徐々に開けフローメータ３４に二酸化炭素を流
入させた後、流出バルブ４６を徐々に開け、フロ
ーメータ３４の読みが、ゲルマンガスの流量の10
％になる様に流出バルブ４６の開口を定め、安定
化させた。続いて高周波電源２０のスイツチを
on状態にして、誘導コイル２１に、5MHzの高周
波電力を投入し、槽内１６のコイル内部（槽上
部）にグロー放電を発生させ、30Wの入力電力と
した。上条件で基板上にａ−半導体層を生長さ
せ、８時間同条件を保つた後、その後、高周波電
源２０をoff状態とし、グロー放電を中止させ
た。引き続いて、加熱ヒーター１９の電源をoff
とし、基板温度が100℃になるのを待つてから補
助バルブ２４、流出バルブ４４，４６を閉じメイ
ンバルブ２２を全開にして、槽１５内を10-5torr
以下にした後、メインバルブ２を閉じ槽１５内を
リークバルブ１６によつて大気圧として基板を取
り出した。この場合、形成されたａ−半導体層の
全厚は約18μであつた。 こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験
装置に設置し、6KVで0.2sec間コロナ帯電を行
い、直ちに光像を照射した。光像は、キセノンラ
ンプ光源を用い、15lux・secを遷過型のテストチ
ヤートを通して照射された。 その後直ちに、荷電性の現像剤（トナーとキ
ヤリアーを含有）を像形成部材表面にカスケード
することによつて、像形成部材表面上に良好なト
ナー画像を得た。像形成部材上のトナー画像を、
＋5KVのコロナ帯電で転写紙上に転写した所、解
像力に優れ、階調再現性のよい鮮明な高濃度の画
像が得られた。 実施例 ３ 第５図に示す装置を用いて、以下の如き操作に
よつて電子写真用像形成部材を作製した。 表面が清浄された0.2mm厚10cm×10cm角のアル
ミニウム板を基板として、スパツタリング蒸着槽
６１内の加熱ヒーター６４と熱電対を内蔵した固
定部材６３上に固定された。基板６２と対向した
電極６６上には、多結晶シリコン板（純度99.999
％）ターゲツト６５が基板６２と平行に約4.5cm
離されて対向するように固定された。 槽６１内は、メインバルブ６７を全開して一旦
５×10-7torr程度まで真空にされ、（このとき、
系の全バルブは閉じられている）、補助バルブ７
１および流出バルブ８７，８８，８９が開らかれ
十分に脱気された後、流出バルブ８７，８８，８
９と補助バルブ７１が閉じられた。 基板６２は、加熱ヒーター電源が入力され、
200℃に保たれた。そして水素（純度99.99995
％）ボンベ７２のバルブ７５を開け、出口圧力計
７８によつて１Kg／cm2に出口圧を調整した。続い
て、流入バルブ８１を徐々に開いて、フローメー
タ８４内に水素ガスを流入させ、続いて、流出バ
ルブ８７を徐々に開き更に、補助バルブ７１を開
いた。 槽６１の内圧を、圧力計６８で検知しながら流
出バルブ８７を調整して５×10-5torrまで流入さ
せた。引き続きアルゴンガス（純度99.9999％）
ボンベ７３のバルブ７６を開け、出口圧力計７９
の読みが１Kg／cm2になる様に調整された後、流入
バルブ８２が開けられ、続いて流出バルブ８８が
徐々に開けられ、アルゴンガスを槽６１内に流入
させた。槽内圧計６８の指示が５×10-4torrにな
るまで、流出バルブ８８が徐々に開けられ、この
状態で流量が安定してから、メインバルブ６７が
徐々に閉じられ、槽内圧が１×10-2torrになるま
で開口が絞られた。続いて、二酸化窒素ガス（純
度99.99％）ボンベ７４のバルブ７７を開き、出
口圧ゲージ８０を１Kg／cm2に調整し流入バルブ８
３を開き、徐々に流出バルブ８９を開けフローメ
ータ８６の読みから、水素ガスのフローメータ８
４の示す流量の約5vol％の流量で流入されるよう
に流出バルブ８９を調整した。フローメータ８
４，８５，８６が安定するのを確認してから、高
周波電源７０をon状態にし、ターゲツト６５お
よび固定部材６３間に13.56MHz、500W、1.6KV
の交流電力が入力された。この条件で安定した放
電を続ける様にマツチングを取りながら層を形成
した。この様にして８時間放電を続け層を形成し
た。高周波電源７０をoff状態とし、加熱ヒータ
ー６４の電源もoff状態とした。基板温度が100℃
以下になるのを待つて、流出バルブ８７，８８，
８９を閉じ、補助バルブ７１を閉じた後、メイン
バルブ６７を全開して槽内のガスを抜いた。その
後メインバルブ６７を閉じてリークバルブ６９を
開いて大気圧にリークしてからａ−半導体層の形
成された基板を取り出した。 この場合、形成されたａ−半導体層の厚さは、
18μであつた。 こうして得られた像形成部材を、参考例１と同
様に試験した所、6KVのコロナ帯電荷電性現
像剤の組み合せの場合に、解像力、階調性、画像
濃度ともにすぐれた画像が得られた。 実施例 ４ 第５図に示す装置を用いて、以下の如き操作に
よつて電子写真用像形成部材を作製した。 表面が清浄された0.2mm厚10cm×10cm角のアル
ミニウム板を基板として、スパツタリング蒸着槽
６１内の加熱ヒーター６４と熱電対を内蔵した固
定部材６３上に固定された。基板６２と対向した
電極６６上には、シリコン粉末（純度99.999％）
98重量部と二酸化けい素粉末（純度99.99％）２
重量部を充分混合した後、ホツトプレスしたター
ゲツト６５が基板６２と平行に約4.5cm離されて
対向するように固定された。 槽６１内は、メインバルブ６７を全開して一旦
５×10-7torr程度まで真空にされ（このとき、系
の全バルブは閉じられている）、補助バルブ７１
および流出バルブ８７，８８が開らかれ十分に脱
気された後、流出バルブ８７，８８と補助バルブ
７１が閉じられた。 基板６２は、加熱ヒーター電源が入力され、
200℃に保たれた。そして水素（純度99.99995
％）ボンベ７２のバルブ７５を開け、出口圧力計
７８にによつて１Kg／cm2に出口圧を調整した。続
いて、流入バルブ８１を徐々に開いて、フローメ
ータ８４内に水素ガスを流入させ、続いて、流出
バルブ８７を徐々に開き更に、補助バルブ７１を
開いた。 槽６１の内圧を、圧力計６８で検知しながら流
出バルブ８７を調整して５×10-5torrまで流入さ
せた。引き続きアルゴン（純度99.9999％）ガス
ボンベ７３のバルブ７６を開け、出口圧力計７９
の読みが１Kg／cm2になる様に調整された後、流入
バルブ８２が開けられ、続いて、流出バルブ８８
が徐々に開けられ、アルゴンガスを槽６１内に流
入させた。槽内圧計６７の指示が５×10-4torrに
なるまで、流出バルブ８８が徐々に開けられ、こ
の状態で流量が安定してから、メインバルブ６７
が徐々に閉じられ、槽内圧が１×10-2torrになる
まで開口が絞られた。ガス流量及び槽内圧が安定
するのを確認してから、高周波電源７０をon状
態にし、ターゲツト６５および固定部材６３間に
13.56MHz、500W、1.6KVの交流電力が入力され
た。この条件で安定した放電を続ける様にマツチ
ングを取りながら層を形成した。この様にして10
時間放電を続け層を形成した。のち、高周波電源
７０をoff状態とし、加熱ヒーター６４の電源も
off状態とした。基板温度が100℃以下になるのを
待つて、流出バルブ８７，８８を閉じ、補助バル
ブ７１を閉じた後、メインバルブ６７を全開して
槽６１内のガスを抜いた。その後メインバルブ６
７を閉じてリークバルブ６９を開いて大気圧にリ
ークしてからａ−半導体層の形成された基板を取
り出した。 この場合、形成されたａ−半導体層の厚さは、
20μであつた。 こうして得られた像形成部材を、参考例１と同
様に試験した所、6KVのコロナ帯電荷電性現
像剤の組み合せの場合に、解像力、階調性、画像
濃度ともにすぐれた画像が得られた。 参考例 ２ 基板として0.2mm厚、５cm×５cm角のモリブデ
ン基板を清浄にした後、参考例１と同様に槽１５
内に設置した。続いて、参考例１と同様の操作に
よつてグロー放電槽１５内を５×10-6torrの真空
となし、基板温度は400℃に保たれた後、参考例
１と同様にシランガスとアンモニアガス（シラン
流量の5vol％）が流され、槽１５内は、0.8torrに
調節された。この時、更にホスフインガスが、シ
ランガスの0.61vol％となるように、ホスフイン
ガスボンベ２９からバルブ５３を通して、１Kg／
cm2のガス圧（出口圧力ゲージ５９の読み）で流入
バルブ４１、流出バルブ４７の調節によつてフロ
ーメータ３５の読みから槽１５内にシランガス及
びアンモニアガスとを混合流入させた。ガス流入
が安定し槽内圧が一定となり、基板温度が400℃
に安定してから、参考例１と同様に高周波電源２
０をon状態として、グロー放電を開始させた。
この条件で、６時間グロー放電を持続させた後、
高周波電源２０をoff状態としてグロー放電を中
止させた。その後、流出バルブ４３，４５，４７
を閉じ、補助バルブ２４、メインバルブ２２を全
開にして、槽１５中を５×10-6torrまで真空にし
た。その後、補助バルブ２４、メインバルブ２２
は閉じられ、流出バルブ４３及び４５を徐々に開
け、補助バルブ２４、メインバルブ２２を上記し
た層の形成時と同じシランガス及びアンモニアガ
スの流量状態になる様に復帰された。続いて、ジ
ボランガスボンベ３０のバルブ５４を開け、出口
圧ゲージ６０の圧を１Kg／cm2に調整し、流入バル
ブ４２を徐々に開けて、フローメータ３６内へジ
ボランガスを流入させた。更に流出バルブ４８を
徐々に開け、フローメータ３６の読みがシランガ
スの流量の0.02vol％になる様に流出バルブ４８
の開口を定め、槽１５内へのシランガス及びアン
モニアガスの流量とともに流量が安定化するのを
待つた。続いて、高周波電源２０を再びon状態
として、グロー放電を開始させ、この条件でグロ
ー放電を45分間持続させた後、加熱ヒーター１９
及び高周波電源２０をoff状態として、基板温度
が100℃になるのを待つた。その後、補助バルブ
２４、流出バルブ４３，４５，４８を閉じ、メイ
ンバルブ２２を全開にして槽１５内を一旦
10-5torr以下にした後、メインバルブ２２を閉じ
て、槽１５内をリークバルブ１６によつて大気圧
した後、基板を取り出した。こうして像形成部材
を得た。形成された全層の厚さは約15μであつ
た。 こうして得られた像形成部材を、参考例１と同
様に帯電露光の実験装置に静置して画像形成の試
験をした所、6KVのコロナ帯電、荷電性現像
剤の組み合せの場合に、極めて良質のコントラス
トの高いトナー画像が転写紙上に得られた。 参考例 ３ 表面が清浄にされた0.1mm厚のAl基板（４cm×
４cm角）が参考例１と同様に第４図に示す装置の
固定部材１８上に静置された。続いて実施例１と
同様の操作によつてグロー放電蒸着槽１５内及び
全ガス流入系を５×10-6torrの真空となし、基板
温度は450℃に保たれた。参考例１と同様の各バ
ルブ操作で槽１５内にシランガスとアンモニアガ
ス（シラン流量の5vol％）が流され、槽１５内圧
は0.3torrにされた。 更にジボランガスボンベ３０のバルブ５４を開
け、出口圧ゲージ６０圧を１Kg／cm2に調整し、流
入バルブ４２を徐々に開け、フローメーター３６
の読みがシランガス流量の0.05vol％になる様に
流出バルブ４８も徐々に開けられて、ジボランガ
スが流入された。シランガス、アンモニアガス及
びジボランガス共に流量が安定化し、基板温度が
450℃で安定化してから、高周波電源２０をon状
態として、槽１５内にグロー放電を開始させた。
この条件でグロー放電を15分間行つた後、グロー
放電を続けながら、ジボランの流出バルブ４８を
フローメータ３６を注視しながら徐々に閉じ、シ
ランガス流量に対してジボランガス流量が
0.01vol％になるまで開口を絞つた。この条件で
更にグロー放電を８時間続けた後、高周波電源を
offとしてグロー放電を中止させ、続いて加熱ヒ
ーター１９をoff状態とした後、基板温度が100℃
になるのを待つて、補助バルブ２４、流出バルブ
４３，４５，４８共に閉じられ、メインバルブ２
２が全開されて槽１５が一旦10-5torr以下にされ
てからメインバルブ２２を閉じ、リークバルブ１
６を開いて槽１５内を大気圧に戻してから基板を
取り出した。形成されたａ−半導体層の全厚は約
16μであつた。 こうして得られたサンプルを、サンプル裏面の
Al面を接着テープで目ばりした後更にポリカー
ボネート樹脂の30％トルエン溶液に垂直方向にサ
ンプルを浸漬した後、1.5cm／secの速度で引き上
げてａ−半導体層上にポリカーボネート樹脂層を
15μ厚に設けた。その後接着テープは除去され
た。 得られた像形成部材を、市販の複写機（NP−
L7キヤノン株式会社製）を改造した実験機のド
ラム（感光層のないAlドラム）に接地されるよ
うに固定し、7KV一次帯電、露光同時AC6KV
帯電、現像（荷電性液体現像剤）、液絞り（ロ
ーラー絞り）、転写5KV帯電の連結工程によつ
て普通紙上に鮮明な画像コントラストの高い画像
を得た。又この工程をくりかえし10万枚以上コピ
ーしても初期の良質な画像を維持した。
第１図、第２図及び第３図は、各々本発明の電
子写真用像形成部材の構成の一例を示す模式的構
成断面図、第４図及び第５図は各々本発明の電子
写真用像形成部材を製造する為の装置の一例を示
す模式的説明図である。 １，４，１０……電子写真用像形成部材、２，
５，１１……支持体、３，６，１２……光導電
層、１３……表面被覆層、１５，６１……蒸着
槽、１７……基板、１８，６３……固定部材、１
９……ヒーター、２０，７０……高周波電源、２
５，２６，２７，２８，２９，３０，７２，７
３，７４……ガスボンベ。
子写真用像形成部材の構成の一例を示す模式的構
成断面図、第４図及び第５図は各々本発明の電子
写真用像形成部材を製造する為の装置の一例を示
す模式的説明図である。 １，４，１０……電子写真用像形成部材、２，
５，１１……支持体、３，６，１２……光導電
層、１３……表面被覆層、１５，６１……蒸着
槽、１７……基板、１８，６３……固定部材、１
９……ヒーター、２０，７０……高周波電源、２
５，２６，２７，２８，２９，３０，７２，７
３，７４……ガスボンベ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 支持体と、シリコン及びゲルマニウムの少な
くともいずれか一方を母体とするアモルフアス半
導体から成り、水素と酸素を含む光導電層とを有
する事を特徴とする電子写真用像形成部材。 ２ 光導電層が空乏層を有する特許請求の範囲第
１項に記載の電子写真用像形成部材。 ３ 光導電層が更に窒素又は炭素を含有する特許
請求の範囲第１項及び同第２項に記載の電子写真
用像形成部材。 ４ 表面被覆層を更に有する特許請求の範囲第１
項乃至同第３項に記載の電子写真用像形成部材。 ５ 前記光導電層中の水素の含有量が１〜40原子
％である特許請求の範囲第１項に記載の電子写真
用像形成部材。 ６ 前記光導電層中の酸素の含有量が0.1〜30原
子％である特許請求の範囲第１項に記載の電子写
真用像形成部材。 ７ 前記光導電層中にｎ型不純物が含有されてい
る特許請求の範囲第１項に記載の電子写真用像形
成部材。 ８ 前記ｎ型不純物が、周期律表第族の元素で
ある特許請求の範囲第７項に記載の電子写真用像
形成部材。 ９ 前記周期律表第族の元素がＰ、As、Sb、
及びBiの中より選択されるものである特許請求の
範囲第８項に記載の電子写真用像形成部材。 １０ 前記光導電層中にｐ型不純物が含有されて
いる特許請求の範囲第１項に記載の電子写真用像
形成部材。 １１ 前記ｐ型不純物が、周期律表第族の元素
である特許請求の範囲第１０項に記載の電子写真
用像形成部材。 １２ 前記周期律表第族の元素が、Ｂ、Al、
Ga、In及びTlの中より選択されるものである特
許請求の範囲第１１項に記載の電子写真用像形成
部材。 １３ 前記ｎ型不純物の含有量が10-8〜10-3原子
％である特許請求の範囲第７項に記載の電子写真
用像形成部材。 １４ 前記ｐ型不純物の含有量が、10-6〜10-3原
子％である特許請求の範囲第１項に記載の電子写
真用像形成部材。 １５ 前記光導電層の伝導特性が、ｎ型、ｐ型及
びｉ型の中より選択される特性である特許請求の
範囲第１項に記載の電子写真用像形成部材。 １６ 前記光導電層が、第一の伝導特性を有する
層領域と、該層領域の伝導特性とは異なる第２の
伝導特性を有する層領域との積層構造を有するも
のである特許請求の範囲第１項に記載の電子写真
用像形成部材。 １７ 前記支持体と前記光導電層との間に障壁層
を更に有する特許請求の範囲第１項に記載の電子
写真用像形成部材。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5360578A JPS54145539A (en) | 1978-05-04 | 1978-05-04 | Electrophotographic image forming material |
| US06/036,226 US4471042A (en) | 1978-05-04 | 1979-05-04 | Image-forming member for electrophotography comprising hydrogenated amorphous matrix of silicon and/or germanium |
| US06/418,293 US4565731A (en) | 1978-05-04 | 1982-09-15 | Image-forming member for electrophotography |
| US06/790,155 US4664998A (en) | 1978-05-04 | 1985-10-22 | Electrophotographic image forming member having hydrogenated amorphous photoconductive layer including carbon |
| US06/932,160 US4745041A (en) | 1978-05-04 | 1986-11-18 | CVD process for forming semiconducting film having hydrogenated germanium matrix |
| US07/198,582 US4830946A (en) | 1978-05-04 | 1988-05-16 | CVD process for forming an image forming member for electrophotography |
| US08/471,156 US5573884A (en) | 1978-05-04 | 1995-06-06 | Image-forming member for electrophotography |
| US08/479,856 US5753936A (en) | 1978-05-04 | 1995-06-07 | Image forming member for electrophotography |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5360578A JPS54145539A (en) | 1978-05-04 | 1978-05-04 | Electrophotographic image forming material |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57162651A Division JPS58111949A (ja) | 1982-09-18 | 1982-09-18 | 電子写真用像形成部材 |
| JP57162652A Division JPS58111950A (ja) | 1982-09-18 | 1982-09-18 | 電子写真用像形成部材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54145539A JPS54145539A (en) | 1979-11-13 |
| JPS6226458B2 true JPS6226458B2 (ja) | 1987-06-09 |
Family
ID=12947510
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5360578A Granted JPS54145539A (en) | 1978-05-04 | 1978-05-04 | Electrophotographic image forming material |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS54145539A (ja) |
Families Citing this family (43)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4484809B1 (en) * | 1977-12-05 | 1995-04-18 | Plasma Physics Corp | Glow discharge method and apparatus and photoreceptor devices made therewith |
| JPS5624354A (en) * | 1979-08-07 | 1981-03-07 | Fuji Photo Film Co Ltd | Electrophotographic receptor |
| JPS5664347A (en) * | 1979-10-30 | 1981-06-01 | Fuji Photo Film Co Ltd | Electrophotographic receptor |
| JPS5692543A (en) * | 1979-12-27 | 1981-07-27 | Fujitsu Ltd | Preparation of electrophotographic receptor |
| JPS56142681A (en) * | 1980-04-07 | 1981-11-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Photoelectric converter and manufacture thereof |
| JPS56115573A (en) * | 1980-02-15 | 1981-09-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Photoconductive element |
| JPS56156834A (en) * | 1980-05-08 | 1981-12-03 | Minolta Camera Co Ltd | Electrophotographic receptor |
| DE3153301C2 (ja) * | 1980-05-08 | 1991-09-26 | Minolta Camera K.K., Osaka, Jp | |
| JPS56156836A (en) * | 1980-05-08 | 1981-12-03 | Minolta Camera Co Ltd | Electrophotographic receptor |
| JPS5781268A (en) * | 1980-11-08 | 1982-05-21 | Minolta Camera Co Ltd | Electrophotographic receptor |
| JPS56156835A (en) * | 1980-05-08 | 1981-12-03 | Minolta Camera Co Ltd | Electrophotographic receptor |
| US4889783A (en) * | 1980-06-25 | 1989-12-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Printing member for electrostatic photocopying |
| US5545503A (en) * | 1980-06-25 | 1996-08-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of making printing member for electrostatic photocopying |
| JPS5737352A (en) * | 1980-08-15 | 1982-03-01 | Stanley Electric Co Ltd | Electrophotographic receptor |
| JPS5753227U (ja) * | 1980-09-10 | 1982-03-27 | ||
| US4394426A (en) * | 1980-09-25 | 1983-07-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoconductive member with α-Si(N) barrier layer |
| JPS5790933A (en) * | 1980-11-27 | 1982-06-05 | Seiko Epson Corp | Manufacture of amorphous semiconductor film |
| JPS57119362A (en) * | 1981-01-17 | 1982-07-24 | Canon Inc | Photoconductive member |
| US4490453A (en) * | 1981-01-16 | 1984-12-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoconductive member of a-silicon with nitrogen |
| JPS57147279A (en) * | 1981-03-09 | 1982-09-11 | Stanley Electric Co Ltd | Field effect transistor using amorphous silicon and manufacture of insulating film for the same transistor |
| US4409311A (en) * | 1981-03-25 | 1983-10-11 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member |
| JPS57172344A (en) * | 1981-04-17 | 1982-10-23 | Minolta Camera Co Ltd | Electrophotographic photorecepter |
| JPS5812322A (ja) * | 1981-07-15 | 1983-01-24 | Hitachi Ltd | 半導体膜の形成方法 |
| JPH0723962B2 (ja) * | 1981-09-24 | 1995-03-15 | 株式会社半導体エネルギ−研究所 | ドラム形感光体の作製方法 |
| JPS5893385A (ja) * | 1981-11-30 | 1983-06-03 | Canon Inc | 光導電部材 |
| JPS5891684A (ja) * | 1981-11-26 | 1983-05-31 | Canon Inc | 光導電部材 |
| JPS5895743A (ja) * | 1981-12-03 | 1983-06-07 | Seiko Epson Corp | 電子写真用像形成部材 |
| JPS58100137A (ja) * | 1981-12-11 | 1983-06-14 | Toshiba Corp | 電子写真用感光体の製造方法 |
| JPS58106547A (ja) * | 1981-12-21 | 1983-06-24 | Seiko Epson Corp | 電子写真感光体製造方法 |
| JPS58106546A (ja) * | 1981-12-21 | 1983-06-24 | Seiko Epson Corp | 電子写真感光体製造方法 |
| JPS58107546A (ja) * | 1981-12-22 | 1983-06-27 | Seiko Epson Corp | 電子写真感光体製造方法 |
| JPS58168215A (ja) * | 1982-03-30 | 1983-10-04 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 非晶質半導体 |
| JPH0588390A (ja) * | 1982-11-01 | 1993-04-09 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 感光体用半導体素子 |
| JPH0644552B2 (ja) * | 1983-03-30 | 1994-06-08 | 三井東圧化学株式会社 | 非晶質薄膜の製法 |
| JPS608847A (ja) * | 1983-06-29 | 1985-01-17 | Toshiba Corp | 電子写真感光体 |
| JPS60104954A (ja) * | 1983-11-11 | 1985-06-10 | Hitachi Koki Co Ltd | 電子写真像形成部材 |
| JPS60104955A (ja) * | 1983-11-11 | 1985-06-10 | Hitachi Koki Co Ltd | 電子写真像形成部材 |
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1978
- 1978-05-04 JP JP5360578A patent/JPS54145539A/ja active Granted
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54145539A (en) | 1979-11-13 |
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