JPS58106546A - 電子写真感光体製造方法 - Google Patents
電子写真感光体製造方法Info
- Publication number
- JPS58106546A JPS58106546A JP20652481A JP20652481A JPS58106546A JP S58106546 A JPS58106546 A JP S58106546A JP 20652481 A JP20652481 A JP 20652481A JP 20652481 A JP20652481 A JP 20652481A JP S58106546 A JPS58106546 A JP S58106546A
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- JP
- Japan
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- gas
- oxygen
- silicon carbide
- silane
- amorphous silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08278—Depositing methods
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、広義の意味の光（紫外光線、可視光線、赤外
光線、Ｘ線、α線等）に感受性があり、静電形成処理を
施されて、像形成され得る電子写真感光体の製造方法に
関する。
光線、Ｘ線、α線等）に感受性があり、静電形成処理を
施されて、像形成され得る電子写真感光体の製造方法に
関する。
従来のアモルファス炭化シリコン光電層の製造方法は水
素、ヘリウム、ネオン、アルゴン、キセノン等をベース
ガスとした、メタンガス、エタンガス、プロパンガス、
エチレンガス、プロピレンガス、アセチレンガス、等の
炭化水素ガス、シランガス、ジクロロシランガス、四弗
化シラン、ダイシラン、トリシラン等のシリコン系ガス
を所定の混合比とした混合ガスを排気系を具備した真空
槽内に所定内圧導入し、該真空槽内にグロー放電を起こ
さしめ、所定温度に保った支持基板上に析出し得られる
。又、ホスフィン、アルシン、シボ光電層の帯電極性を
正、負、又は正負両帯電能の光電層が得られている。し
かし、従来光感受性の十分あるアモルファス炭化シリコ
ン光電層は１μ惜あたりの帯電電圧がたかだか３０Ｖ〜
４０Ｖ程度のため、光電層の膜厚が１５〜２０μ怖以上
必、要であり、製造時間又該光電層と支持基板の残留応
力のため該光電層がはがれる等長期安定性が悪い等の欠
点を有していた。
素、ヘリウム、ネオン、アルゴン、キセノン等をベース
ガスとした、メタンガス、エタンガス、プロパンガス、
エチレンガス、プロピレンガス、アセチレンガス、等の
炭化水素ガス、シランガス、ジクロロシランガス、四弗
化シラン、ダイシラン、トリシラン等のシリコン系ガス
を所定の混合比とした混合ガスを排気系を具備した真空
槽内に所定内圧導入し、該真空槽内にグロー放電を起こ
さしめ、所定温度に保った支持基板上に析出し得られる
。又、ホスフィン、アルシン、シボ光電層の帯電極性を
正、負、又は正負両帯電能の光電層が得られている。し
かし、従来光感受性の十分あるアモルファス炭化シリコ
ン光電層は１μ惜あたりの帯電電圧がたかだか３０Ｖ〜
４０Ｖ程度のため、光電層の膜厚が１５〜２０μ怖以上
必、要であり、製造時間又該光電層と支持基板の残留応
力のため該光電層がはがれる等長期安定性が悪い等の欠
点を有していた。
本発明はかかる欠点を除去したもので、本発明によれば
アモルファス炭化ケイ素光電層の膜厚が１２μ惧以下で
十分な帯電能をもち安定性の優れた光電層を提供するも
のである。
アモルファス炭化ケイ素光電層の膜厚が１２μ惧以下で
十分な帯電能をもち安定性の優れた光電層を提供するも
のである。
以下、実施例に基づき本発明について詳しく説明する。
本発明は前記に示したベース・ガスのすべてに以下に示
した効果が得られるが、本実施では特に効果の著しいベ
ースガスであった水素ガスについて述べる。本実施に用
いたアモルファス炭化ケイ素の製造装發の概要図を第１
図に示す。１はガス導入管、２は真空チェンバー、３は
グロー放電用電極、４は支持基板で、ステンレス、Ａ７
．Ｏｒ、Ｍｏ、Ａｕ、工ｒ 、 Ｎ ｂ 、 Ｔ ａ
、 Ｖ 、 Ｔ ｉ 、 Ｐｔ、Ｐｄ、Ｏｕ、Ｎｉ等金
属又は該金属の組み合せによる合金又は、該金属を蒸着
した導電性支持基板、該支持体には耐熱性を示す合成樹
脂のフィルム、シート、ガラス、セラミックス等の絶縁
性支持体が有効なものとして拳げられる。５は該支持基
板を加熱しうる基板支持部兼電極、６は該真空チェンバ
ー支持架台、７は該基板支持部を支持する支持棒で回転
機構を有する、８は高周波用マツチング、ボックス、９
は４ＭθＨｚ又は１３．０６ＭｅＨｚ高周波電源、１０
は酸紫梁ガス導入管、Ｇはガス、０は酸素ガス、Ｐは排
気系である。
した効果が得られるが、本実施では特に効果の著しいベ
ースガスであった水素ガスについて述べる。本実施に用
いたアモルファス炭化ケイ素の製造装發の概要図を第１
図に示す。１はガス導入管、２は真空チェンバー、３は
グロー放電用電極、４は支持基板で、ステンレス、Ａ７
．Ｏｒ、Ｍｏ、Ａｕ、工ｒ 、 Ｎ ｂ 、 Ｔ ａ
、 Ｖ 、 Ｔ ｉ 、 Ｐｔ、Ｐｄ、Ｏｕ、Ｎｉ等金
属又は該金属の組み合せによる合金又は、該金属を蒸着
した導電性支持基板、該支持体には耐熱性を示す合成樹
脂のフィルム、シート、ガラス、セラミックス等の絶縁
性支持体が有効なものとして拳げられる。５は該支持基
板を加熱しうる基板支持部兼電極、６は該真空チェンバ
ー支持架台、７は該基板支持部を支持する支持棒で回転
機構を有する、８は高周波用マツチング、ボックス、９
は４ＭθＨｚ又は１３．０６ＭｅＨｚ高周波電源、１０
は酸紫梁ガス導入管、Ｇはガス、０は酸素ガス、Ｐは排
気系である。
該ガス導入管１より水素、シラン９及びメタン、該ガス
導入管１０より酸素を該真空チェンバー内に導入し、内
圧を０．１〜１０ｔ ｏｒｒ内に保ち、５０〜ＩＫＷ程
度の高周波を該両電極間３，５に印加しグロー放電を起
こさしめ、導入ガスを分解し、該支持基板上に本発明に
よるアモルファス炭化ケイ素を５〜１０μ情程度析出し
、アモルファス炭化ケイ素を光電層とする電子写真感光
体を得る。第１表に主な製造条件を記す。
導入管１０より酸素を該真空チェンバー内に導入し、内
圧を０．１〜１０ｔ ｏｒｒ内に保ち、５０〜ＩＫＷ程
度の高周波を該両電極間３，５に印加しグロー放電を起
こさしめ、導入ガスを分解し、該支持基板上に本発明に
よるアモルファス炭化ケイ素を５〜１０μ情程度析出し
、アモルファス炭化ケイ素を光電層とする電子写真感光
体を得る。第１表に主な製造条件を記す。
第１表 本実施による主な製造条件
該条件範囲内で以下に示す製造方法により作成したアモ
ルファス炭化ケイ素光電層を有する電子写真感光体を６
ＫＶコロナ帯電器で帯電し、帯電後２秒後の表面電位を
調べた（第２図参照）。
ルファス炭化ケイ素光電層を有する電子写真感光体を６
ＫＶコロナ帯電器で帯電し、帯電後２秒後の表面電位を
調べた（第２図参照）。
第２図は酸素流量と感光体の表面電位をプロットした図
である。ｔは酸素濃度、情は表面電位、α点は従来のア
モルファス炭化ケイ素光電層であり、酸素流量がＯ８ｌ
０Ｍの点を示す。第２図に示した様に酸素流量を増加す
るに従って表面電位が増加する。このとき、測定したそ
れぞれのアモルファス炭化ケイ素光電層の膜厚は７μ慨
と一定とし、該アモルファス炭化ケイ素光電層はシラン
、′メタン、及び水素の流量を一定とし、それぞれ酸素
流量を増加し、温度、高周波パワー及び排気能力を制御
する事によって内圧を一定に保ち作成した。酸素をアモ
ルファス炭化ケイ素中へ混入させる事によって、アモル
ファス炭化ケイ素の帯電特性は著しく向上し、実用上必
要な６００■の表面電位を得るのに該光電層膜厚がたか
だか５〜１２μ情程度で良く、製造時間の短縮及び基板
と光電層間の残留応力が著しく低減できた。２表に従来
のアモルファス炭化ケイ素電子写真感光体と本発明によ
るアモルファス炭化ケイ素電子写真感光体の所定の温度
（３０℃〜８０℃）、所定の相対湿度（６０％〜９５％
）中に１０００時開放誼後の不良の発生率を示す。
である。ｔは酸素濃度、情は表面電位、α点は従来のア
モルファス炭化ケイ素光電層であり、酸素流量がＯ８ｌ
０Ｍの点を示す。第２図に示した様に酸素流量を増加す
るに従って表面電位が増加する。このとき、測定したそ
れぞれのアモルファス炭化ケイ素光電層の膜厚は７μ慨
と一定とし、該アモルファス炭化ケイ素光電層はシラン
、′メタン、及び水素の流量を一定とし、それぞれ酸素
流量を増加し、温度、高周波パワー及び排気能力を制御
する事によって内圧を一定に保ち作成した。酸素をアモ
ルファス炭化ケイ素中へ混入させる事によって、アモル
ファス炭化ケイ素の帯電特性は著しく向上し、実用上必
要な６００■の表面電位を得るのに該光電層膜厚がたか
だか５〜１２μ情程度で良く、製造時間の短縮及び基板
と光電層間の残留応力が著しく低減できた。２表に従来
のアモルファス炭化ケイ素電子写真感光体と本発明によ
るアモルファス炭化ケイ素電子写真感光体の所定の温度
（３０℃〜８０℃）、所定の相対湿度（６０％〜９５％
）中に１０００時開放誼後の不良の発生率を示す。
又、感光体として必要な光感受性も調べたところ本実施
のアモルファス炭化ケイ素は本実施例のすべての範囲内
、すなわち酸素流量／（シラン流量＋メタン流量）が１
．２ Ｘ １０−’〜０．１３の間で実用上十分な光感
受性が得られた。このとき、該光電層中の酸素濃度を分
析したところ、０．０１〜１５原子パーセントのＨＭが
含まれていた。
のアモルファス炭化ケイ素は本実施例のすべての範囲内
、すなわち酸素流量／（シラン流量＋メタン流量）が１
．２ Ｘ １０−’〜０．１３の間で実用上十分な光感
受性が得られた。このとき、該光電層中の酸素濃度を分
析したところ、０．０１〜１５原子パーセントのＨＭが
含まれていた。
本発明によればアモルファス炭化ケイ素電子写真感光体
の製造時間と従来の３分の２程度に短縮でき、なお長期
安定性の優れたアモルファス炭化ケイ素電子写真感光体
が提供でき有用である。
の製造時間と従来の３分の２程度に短縮でき、なお長期
安定性の優れたアモルファス炭化ケイ素電子写真感光体
が提供でき有用である。
本発明は用いるガスを水素、シラン、メタン。
及び酸素に限るものでなく、ベースガスとしてヘリウム
、ネオン、アルゴン、及びキセノン等又炭“（７） 化水素ガスとして１．エタン、プロパン、エチレン、プ
ロピレン、アセチレン、又シリコン系ガスとして、及び
ジクロロシラン、四弗化シラン、及びダイシラン（Ｓｉ
、Ｈ，）、）リシラン（５ｉ３Ｈ６）等の高次シランガ
ス、さらに酸素系ガスとして一酸化炭素、二酸化炭素等
のガスがあげられ、該ガス群のいかなる組み合せ（同一
系ガスを２種類以上用いてもよい。）においても同様の
効果が得られた。
、ネオン、アルゴン、及びキセノン等又炭“（７） 化水素ガスとして１．エタン、プロパン、エチレン、プ
ロピレン、アセチレン、又シリコン系ガスとして、及び
ジクロロシラン、四弗化シラン、及びダイシラン（Ｓｉ
、Ｈ，）、）リシラン（５ｉ３Ｈ６）等の高次シランガ
ス、さらに酸素系ガスとして一酸化炭素、二酸化炭素等
のガスがあげられ、該ガス群のいかなる組み合せ（同一
系ガスを２種類以上用いてもよい。）においても同様の
効果が得られた。
本発明によるアモルファス炭化ケイ素電子写真感光体を
用いれば、安価な信顆性の高い感光体が提供でき、レー
ザープリンター、Ｌ：［ｅＤプリンター等コピア分野に
おいて有用である。
用いれば、安価な信顆性の高い感光体が提供でき、レー
ザープリンター、Ｌ：［ｅＤプリンター等コピア分野に
おいて有用である。
第１図は本実施例のアモルファス炭化ケイ素の製造装置
の概要図である。 第２図は酸素流量に対するアモルファス炭化ケイ素の帯
電能、すなわち表面電位の変化を示す図である。 （８） 第１図 第２図
の概要図である。 第２図は酸素流量に対するアモルファス炭化ケイ素の帯
電能、すなわち表面電位の変化を示す図である。 （８） 第１図 第２図
Claims (2)
- （１） 支持基板上にシリコン系ガス及び炭化水素ガ
スを用いて非晶質光電層を形成する電子写真感光体製造
方法において、構成原子中に酸素原子を含むガスを使用
することを特徴とする電子写真感光体製造方法。 - （２） 前記非晶質光電層中の酸素濃度が０．０１〜
１５原子パーセントとなるようなガスを使用することを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の電子写真感光体
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20652481A JPS58106546A (ja) | 1981-12-21 | 1981-12-21 | 電子写真感光体製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20652481A JPS58106546A (ja) | 1981-12-21 | 1981-12-21 | 電子写真感光体製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58106546A true JPS58106546A (ja) | 1983-06-24 |
Family
ID=16524787
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20652481A Pending JPS58106546A (ja) | 1981-12-21 | 1981-12-21 | 電子写真感光体製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58106546A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5106711A (en) * | 1988-04-25 | 1992-04-21 | Kyocera Corporation | Electrophotographic sensitive member |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54145539A (en) * | 1978-05-04 | 1979-11-13 | Canon Inc | Electrophotographic image forming material |
| JPS54145540A (en) * | 1978-05-04 | 1979-11-13 | Canon Inc | Electrophotographic image forming material |
| JPS5624354A (en) * | 1979-08-07 | 1981-03-07 | Fuji Photo Film Co Ltd | Electrophotographic receptor |
| JPS56156835A (en) * | 1980-05-08 | 1981-12-03 | Minolta Camera Co Ltd | Electrophotographic receptor |
| JPS5883856A (ja) * | 1981-11-13 | 1983-05-19 | Canon Inc | 電子写真用光導電部材 |
| JPS58100137A (ja) * | 1981-12-11 | 1983-06-14 | Toshiba Corp | 電子写真用感光体の製造方法 |
-
1981
- 1981-12-21 JP JP20652481A patent/JPS58106546A/ja active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54145539A (en) * | 1978-05-04 | 1979-11-13 | Canon Inc | Electrophotographic image forming material |
| JPS54145540A (en) * | 1978-05-04 | 1979-11-13 | Canon Inc | Electrophotographic image forming material |
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| JPS5883856A (ja) * | 1981-11-13 | 1983-05-19 | Canon Inc | 電子写真用光導電部材 |
| JPS58100137A (ja) * | 1981-12-11 | 1983-06-14 | Toshiba Corp | 電子写真用感光体の製造方法 |
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| US5106711A (en) * | 1988-04-25 | 1992-04-21 | Kyocera Corporation | Electrophotographic sensitive member |
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