JPH01156758A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、電子写真感光体に関し、特に、感光層に非晶
質ケイ素を用いた電子写真感光体に関する。

従来の技術 近年、支持体上に非晶質ケイ素光導電層を有する電子写
真感光体について、種々のものが提案されている。この
様な非晶質ケイ素光導電層を有する電子写真感光体は、
シランガスのグロー放電分解法等により、ケイ素の非晶
質膜を導電性基板上に形成したものであって、非晶質ケ
イ素膜中に水素原子が組み込まれて光導電性を呈するも
のでおる。この非晶質ケイ素感光層を有する電子写真感
光体は、感光層の表面硬度が高くて傷付き難く、摩耗に
も強く、耐熱性も高く、機械的強度においても優れてい
る。更に、非晶質ケイ素は、分光感度域が広く、高い光
感度を有し、感光特性も優れている。

発明が解決しようとする問題点 しかしながら、非晶質ケイ素を用いた電子写真感光体は
、暗減衰が大きく、帯電しても十分な帯電電位かえられ
ないという欠点を有している。したがってこの様な電子
写真感光体を使用して複写物を作成すると、画像濃度が
低く、又、中間調の再現性に乏しい複写物となる。

この暗減衰の大きいことによる帯電電位の低下に対する
対策として、一般に感光層と導電性基板との界面に電荷
注入阻止層としてｐ−型またはｎ−型非晶質ケイ素層を
設けることが試みられている。しかしながら、この場合
、帯電性を向上させるためには、電荷注入阻止層を比較
的厚めに設けたり、電荷注入阻止層中の不純物濃度を上
げるなどの措置が必要でおり、この措置は、成膜時間の
増加、或いは使用ガス（ドーピングガス）量の増加とい
った製造上の欠点をもたらし、更に基板との接着性の低
下をももたらす。

一般に、非晶質ケイ素を用いた電子写真感光体は、基板
との接着性が悪い。即ち、非晶質ケイ素系感光層を用い
た電子写真感光体において、アルミニウム基板と非晶質
ケイ素系感光層との接着性が悪いので、感光層の成膜中
、或いは成膜後放置中、場合によっては感光体として繰
り返し使用中に、感光層の基板からの剥離を発生し、極
めて重大な画像欠陥を引き起こす場合がめる。また、こ
の基板からの感光層の剥離は、感光層の帯電特性改善の
ためほう素を含有させた場合に、はう素濃度が高い程激
しくなり、帯電特性向上を図る上での一つの障害になっ
ている。

これらの欠点を解決するための方法として、アルミニウ
ム基板上に直接陽極酸化処理を施すことによって、陽極
酸化皮膜を形成することが試みられている。（例えば、
特開昭５９−３６２５６、同５７−１０４　　。

９３８、同５７−１７７１４７、同５７−１７７１４９
号公報）しかしながら、この場合、陽極酸化皮膜上の非
晶質ケイ素系感光層の接着性（着膜安定性）が未だ十分
でなく、感光層が剥離する現象がしばしば見られた。

本発明の目的は、従来の技術における上記の欠点を解消
した非晶質ケイ素感光層を有する電子写真感光体を提供
することにおる。

即ち、本発明の目的は、基板と感光層との密着性に優れ
た非晶質ケイ素感光層を有する電子写真感光体を提供す
ることにある。

本発明の他の目的は、帯電電位の暗減衰が極めて小さく
、帯電性が高い非晶質ケイ素感光層を有する電子写真感
光体を提供することにある。

問題点を解決するための手段 本発明者は、陽極酸化の代わりに、純水沸騰水中煮沸処
理または加熱水蒸気処理を施したアルミニウム基板を使
用すると、上記の目的が達成されることを見出だし、本
発明を完成するに至った。

すなわち、本発明の電子写真感光体は、純水沸騰水中煮
沸処理または加熱水蒸気処理を施してなるアルミニウム
基板上に非晶質ケイ素系感光層を設けてなることを特徴
とする。

以下、本発明の詳細な説明する。

第１図は、本発明の電子写真感光体の模式的断面図であ
る。図中、１はアルミニウム基板、２はアルミニウムの
水和酸化物皮膜、３は非晶質ケイ素系感光層でおる。

本発明において、アルミニウム基板１としては、純Ａ１
系の材料の他に、Ａｌ−Ｈｇ系、Ａｌ−１’ｌ（］−３
ｉ系、Ａ１−Ｈｇ−Ｍｎ系、Ａ　ｌ−Ｍｎ系、Ａ　ｌ−
Ｃｕ系、Ａｌ−３ｉ系、Ａｌ−Ｃｕ−Ｚｎ系、Ａｌ−Ｃ
ｕ−Ｎｉ系、Ａｌ−Ｃｕ−３ｉ系、ＡＩ−Ｈ（１−３！
系等のアルミニウム合金材料の中から適宜選択して形成
された基板をあげることができる。

本発明においてアルミニウム基板に施される純水沸騰水
中煮沸処理または加熱水蒸気処理は、次のようにして行
われる。表面を鏡面切削仕上げし、所定の形状に加工さ
れたアルミニウム基板を、有機溶剤或いはフロン溶剤中
で超音波洗浄し、続いて、純水中で超音波洗浄する。特
に、アルミニウム基板が円筒形状で必る場合には、円筒
の内・外面を清浄化する。この洗浄処理が不十分である
と、所望の特性をみたす良質な水和酸化物皮膜を形成す
ることができない。引き続き、純水沸騰水中煮沸処理ま
たは加熱水蒸気処理により、アルミニウム基板上にアル
ミニウムの水和酸化物被膜を形成する。すなわち、ステ
ンレス鋼または硬質ガラス等で作成された容器中に、純
水を所定の液面になるまで入れ、電熱器、投げ込みヒー
ター、ガスバーナ等の加熱手段を用いて、純水を加熱し
、又は水蒸気化させる。次いで、アルミニウム基板をこ
の加熱した純水中に浸漬して煮沸するか、又は、加熱水
蒸気中にさらし、それによってアルミニウム基板上にア
ルミニウムの水和酸化物皮膜を形成させる。純水沸騰水
中煮沸処理又は加熱水蒸気処理の時間は、通常０．１秒
〜１８０分、好ましくは２０秒〜６０分でおる。

加熱純水中に浸漬することにより水和酸化物皮膜を形成
する場合、加熱純水の温度は、１００’Ｃ（沸騰水）で
あることが、皮膜の特性上、又、液温制御の容易さの点
から望ましいが、５０℃〜１００°Ｃの間において適宜
に設定してもよい。本発明において用いる純水としては
、蒸溜水又はイオン交換水等を用いることが可能である
が、特に塩素力などの不純物が十分に取り除かれている
ことが、水和酸化物皮膜の腐蝕やピンホール発生防止の
ために必要不可欠である。このようにして生成される水
和酸化物皮膜は、おおむねＡｌ２Ｏ３・ｎＨ２Ｏ（ｎ＝
　１〜４）の化学式で表すことができる。

次いで、第１図に示す非晶質ケイ素（ａ−３ｉ：アモル
ファスシリコン）系感光層３が形成される。

非晶質ケイ素系感光層としては、ケイ素を主成分として
構成されているのが好ましく用いられる。

このようなケイ素を主成分として構成される非晶質ケイ
素感光層は、グロー放電法、スパッタリング法、イオン
ブレーティング法、真空蒸着法等によりアルミニウム基
板上に形成することができる。

これらの膜形成方法は、目的に応じて適宜選択されるが
プラズマＣＶＤ法によりシラン（Ｓ＋Ｈ４）ガスをグロ
ー放電分解する方法（グロー放電法）が好ましく、この
方法によれば、膜中に適量の水素を含有した比較的暗抵
抗が高く、かつ、光感度も高い電子写真等の感光体とし
て好適な特性を有する非晶質ケイ素感光層を得ることが
できる。以下、プラズマＣＶＤ法を例にあげて説明する
。

ケイ素を主成分とする非晶質ケイ素感光層を作成するた
めの原料としては、シラン、ジシランをはじめとするシ
ラン類等がめる。又、非晶質ケイ素感光層を形成する際
、必要に応じて各種混合ガス、例えば、水素、ヘリウム
、アルゴン、ネオン等のキャリアガスを用いることも可
能である。又、感光層の暗抵抗の制御、あるいは帯電極
性の制御を目的として、更に上記のガス中にジボラン（
８２Ｈ６）ガス、ホスフィン（ＰＨ３＞ガス等のドーパ
ントガスを混入させ、光導電層膜中へのホウ素（Ｂ）ｉ
るいはリン（Ｐ）等の不純物元素の添加（ドーピング）
を行うこともできる。又、更には、暗抵抗の増加、光感
度の増加、あるいは帯電能（単位膜厚光たりの帯電能力
めるいは帯電電位）の増加を目的として、感光層中にハ
ロゲン原子、炭素原子、酸素原・子、窒素原子等を含有
してもよい。更に又、長波長域感度の増加を目的として
、感光層中にゲルマニウム（Ｇｅ）等の元素を添加する
ことも可能でおる。特に、感光層は、ケイ素を主成分と
し、少量の元素周期律表第■族元素（好ましくはホウ素
）を添加してなるｉ形半導体層でおるのが好ましい。上
記柱々の元素を感光層中に添加含有させるためには、プ
ラズマＣＶＤ装置内に、主原料であるシランガスととも
に、それらの元素を含む物質のガス化物を導入してグロ
ー放電分解を行えばよい。

グロー放電分解は、交流放電及び直流放電のいずれにお
いても、有効な膜形成手段として採用することができる
が、交流放電の場合を例にとると、次の通りである。即
ち、周波数は、通常０，１〜３０ＨＩＩＺ　、好ましく
は５〜２０ＭＨｚ、放電時の真空度は０．１〜５Ｔｏｒ
ｒ　（１３，３〜６６７Ｐａ　）　、基板加熱温度は１
００〜４００℃である。

上記ケイ素を主成分とする感光層の膜厚は、任意に設定
できるが、１頗〜１００ＩｆＩｒＩ、特に５頗〜５０μ
ｍの範囲に設定するのが望ましい。

又、本発明の電子写真用感光体は、必要に応じて上記ケ
イ素を主成分とする非晶質ケイ素感光層の上部あるいは
下部に隣接して、他の層を形成してもよい。これらの層
としては、例えば次のものが必げられる。

電荷注入阻止層として、例えばアモルファスシリコンに
元素周期律表第■族必るいはＶ族元素を添加してなるｎ
形半導体層、ｎ形半導体層、あるいは絶縁層が、また長
波長増感層として、例えば、アモルファスシリコンにゲ
ルマニウム、錫を添加してなる層が、更に又、接着層と
してアモルファスシリコンに窒素、炭素、酸素等を添加
してなる層、その他、元素周期律表第１［ＩＢ族元素、
Ｖ族元素を同時に含む層等、感光体の電気的及び画像的
特性を制御できる層があげられる。これらの各層の膜厚
は任意に決定できるが、通常０．０１１Ｉｍ〜１０即の
範囲に設定して用いられる。

本発明においては、非晶質ケイ素感光層とアルミニウム
基板上に形成された水和酸化物皮膜との間に、ｐ型止晶
質ケイ素層を有する場合、帯電特性などの特性向上が最
も顕著に発揮されるのでおる。

上記の各層もまた、上記と同様にしてプラズマＣＶＤ法
により形成することができる。即ち、上記不純物元素を
含む物質のガス化物をシランガスと共にプラズマＣＶＤ
装置内に導入してグロー放電分解を行って形成する。各
層の膜形成においては、交流放電及び直流放電のいずれ
においても、有効な膜形成手段として採用することがで
きるが、交流放電の場合を例にとると、次の通りである
。

即ち、周波数は、通常、ｏ、ｉ〜３０ＨＨ２，好ましく
は５〜２０聞１１放電時の真空度は０．１〜５Ｔｏｒｒ
（１３，３〜６６７Ｐａ　）　、基板加熱温度は１００
〜４００′Ｃである。

実施例 次に実施例によって本発明の詳細な説明する。

実施例１ 表面を鏡面切削仕上げした外径１２１＃φの円筒形状の
高純度（４Ｎ＞ＡＩ−Ｍｑ合金基板（以下、Ａ１基板と
いう）を、アセトンを用いて室温で１０分間超音波洗浄
した後、続いて、室温の純水中で１０分間超音波洗浄し
た。引き続いて、純水沸騰水中煮沸処理を１０分間実施
し、Ａ１基板上にＡ１の水和酸化物皮膜を形成した。

次に、このＡ１基板を、円筒状基板上へのアモルファス
シリコン膜の生成が可能な容量結合型プラズマＣＶＤ装
置内の所定の位置に配置した。引き続いてシラン（Ｓ　
ｉ　Ｈ４）ガスとジボラン（Ｂ２Ｈ６）ガスの混合ガス
をグロー放電分解することにより、上記の水和酸化物皮
膜が形成されたＡ１基板上に、水素とホウ素を含む膜厚
０．Ｑ＃１のｐ型の非晶質ケイ素膜を生成した。このと
きの非晶質ケイ素膜の生成条件は次の通りでおった。

基板温度を２５０℃に維持し、反応室内に１００％シラ
ン（Ｓ　ｉ　Ｈ４）ガスを毎分２００ｃｃ、水素稀釈の
ｉｏｏｐｐｍジボラン（Ｂ２１−１６＞ガスを毎分２０
０ｃｃで流入させ、反応槽内を０．５Ｔｏｒｒ　（６６
、７Ｎ　／　ｒｒｔ　）の内圧に維持した後、１３．５
６）ＩＨ７の高周波電力を投入して、グロー放電を生じ
せしめ、高周波電源の出力をｉ　ｏｏｗに維持した。

続いてシラン（Ｓ　ｉ　Ｈ４）ガスとジボラン（Ｂ２Ｈ
６）ガスの混合ガスをグロー放電分解することにより、
上記のｐ型の非晶質ケイ素層の上に水素と微量のホウ素
を含む比較的高暗抵抗で膜厚２０即のｉ型の非晶質ケイ
素膜を生成した。このときの非晶質ケイ素膜の生成条件
は次の通りで必つた。

基板温度を２５０　’Ｃに維持し、反応室内に１００％
シラン（Ｓ　ｉ　Ｈ４）ガスを毎分３００ｃｃ、水素稀
釈の１１００ｐｐジボラン（Ｂ２Ｈ６）ガスを毎分３Ｃ
Ｃ。

更に、１００％水素（町）ガスを毎分２５０ｃｃで流入
させ、反応槽内を１．５Ｔｏｒｒ（２００，ＯＮ／ｍ＞
の内圧に維持した後、１３．５６聞２の高周波電力を投
入して、グロー放電を生じせしめ、高周波電源の出力を
４００Ｗに維持した。

以上の手順により純水沸騰水中煮沸処理を施したＡＩ基
板上にｐ型の非晶質ケイ素層及びｉ型の非晶質ケイ素感
光層とを有する感光体を作製した。

得られた電子写真用感光体に対して、正帯電特性を測定
したところ、感光体流入電流１０μＡ　／　ｃｍの場合
、コントラスト電位（帯電電位−残留電位）は８８０Ｖ
、又、暗減衰率は３７％／　ＳｅＣであった。

更にＡ１基板と非晶質ケイ素感光層の接着性は良好であ
って安定しており、感光層の形成後、放置しても剥離現
象はまったく生じなかった。

比較例１ 純水沸騰水中煮沸処理を行っていないＡ１基板を用いる
以外は、実施例１と同様にしてｐ型の非晶質ケイ素層及
びｉ型の非晶質ケイ素感光層を形成した。得られた電子
写真用感光体に対して同様な方法で正帯電特性を測定し
たところ、感光体流入電流１０μＡ　／　ｃｒｎの場合
、コントラスト電位（帯電電位−残留電位）は６３０Ｖ
　、又、暗減衰率は４１％／　Ｓｅｃであった。また、
この電子写真感光体を常温常湿の下に一週間放置したと
ころ、非晶質ケイ素感光層の約５０％の部分がＡＩ基板
からの剥離した。

実施例２ 実施例１におけると同様のＡＩ基板を用い、同様に洗浄
処理及び純水沸騰水中煮沸処理を施して、Ａ１の水和酸
化物皮膜を形成した。

次にこのＡ１基板を、円筒状基板上へのアモルファスシ
リコン膜の生成が可能な容量結合型プラズマＣＶＤ装置
内の所定の位置に配置した。引き続いてシラン（Ｓ　！
　Ｈ４）ガスとジボラン（Ｂ２Ｈ６）ガスの混合ガスを
グロー放電分解することにより、上記の水和酸化物皮膜
を形成したＡ１基板上に、水素と微量のホウ素を含む比
較的高暗抵抗で、膜厚２５即の１型の非晶質ケイ素膜を
生成した。このときの非晶質ケイ素膜の生成条件は次の
通りであった。

基板温度を２５０　’Ｃに維持し、反応室内に１００％
シラン（Ｓ　ｉ　Ｈ４）ガスを毎分２４０ｃＣ，水素稀
釈の１１００ｐｐジボラン（Ｂ２Ｈ２）ガスを毎分２．
５ＣＣ。

更に、１００％水素（Ｈ２）ガスを毎分２００ｃｃで流
入させ、反応槽内を１．０Ｔｏｒｒ　（１３３，４Ｎ／
ｍ）の内圧に維持した後、１３．５６ＭＨｚの高周波電
力を投入して、グロー放電を生じせしめ、高周波電源の
出力を５００Ｗに維持した。

このようにして水和酸化物皮膜を設けたＡＩ基板上にｉ
型の非晶質ケイ素感光層を有する電子写真感光体を得た
。

得られた電子写真用感光体に対して、正帯電特性を測定
したところ、感光体流入電流１０μＡ　／　ｃｍの場合
、コントラスト電位（帯電電位−残留電位）は５７０Ｖ
　、又、暗減衰率は４３％／　ＳｅＣであった。

更にＡ１基板と非晶質ケイ素感光層の接着性は良好で必
って安定しており、感光層の形成後、放置しても剥離現
象はまったく生じなかった。

比較例２ 純水沸騰水中煮沸処理を行っていないＡ１基板を用いる
以外は、実施例２におけると同様にしてｉ型の非晶質ケ
イ素感光層を形成した。得られた電子写真用感光体に対
して同様な方法で正帯電特性を測定したところ、感光体
流入電流１０μＡ　／　ｃｍの場合、コントラスト電位
（帯電電位−残留電位）は５１０Ｖ　、又、暗減衰率は
５７％／　Ｓｅｃであった。

また、この電子写真感光体を常温常湿の下に一週間放置
したところ、非晶質ケイ素感光層の約３０％の部分がＡ
１基板からの剥離した。

実施例３ 実施例１におけると同様のＡ１基板を、フロン溶剤を用
いて室温で２０分間超音波洗浄した後、続いて、室温の
純水中で１０分間超音波洗浄した。引き続いて、加熱水
蒸気処理を２５分間実施し、Ａ１の水和酸化物皮膜を形
成した。

次に、このＡＩＭ板を、円筒状基板上へのアモルファス
シリコン膜の生成が可能な容量結合型プラズマＣＶＤ装
置内の所定の位置に配置した。引き続いてシラン（Ｓ　
ｉ　Ｈ４）ガスとジボラン（８２Ｈ６）ガスの混合ガス
をグロー放電分解することにより、上記の水和酸化物皮
膜を形成したＡ１基板上に、水素とホウ素を含む膜厚０
．４μｍのｐ型の非晶質ケイ素膜を生成した。このとき
の非晶質ケイ素膜の生成条件は次の通りでめった。

基板温度を２５０　’Ｃに維持し、反応室内に１００％
シラン（ＳｉＨ４）ガスを毎分４００ｃｃ、水素稀釈の
１００ｐｐｍジボラン（Ｂ２Ｈ６）ガスを毎分６００Ｃ
Ｃで流入させ、反応槽内を０．５Ｔｏｒｒ　（６６、７
Ｎ　／　ｒｄ　）の内圧に維持した後、１３．５６）Ｉ
Ｈ２の高周波電力を投入して、グロー放電を生じせしめ
、高周波電源の出力を１５０Ｗに維持した。

続いてシラン（Ｓ　ｉ　Ｈ４）ガスとジボラン（Ｂ２　
Ｈ６）ガスの混合ガスをグロー放電分解することにより
、上記のｐ型の非晶質ケイ素層の上に水素と微量のホウ
素を含む比較的高暗抵抗で膜厚２０即のｉ型の非晶質ケ
イ素膜を生成した。このときの非晶質ケイ素膜の生成条
件は次の通りであった。

基板温度を２５０℃に維持し、反応室内に１００％シラ
ン（Ｓ　ｉ　Ｈ４＞ガスを毎分４００ｃｃ、水素稀釈の
１０ｐｐｍジボラン（Ｂ２　Ｈ６）ガスを毎分１２０ｃ
ｃ、更に、１００％水素（町）ガスを毎分３００ｃｃで
流入させ、反応槽内をｏ、　５Ｔｏｒｒ　（６６、７Ｎ
　／　ｍ　＞の内圧に維持した後、１３．５６８ＩＩＺ
の高周波電力を投入して、グロー放電を生じせしめ、高
周波電源の出力を１５０Ｗに維持した。

以上の手順により加熱水蒸気処理を施したＡ１基板上に
ｐ型の非晶質ケイ素層及びｉ型の非晶質ケイ素感光層と
を有する感光体を作製した。

得られた電子写真用感光体に対して、正帯電特性を測定
したところ、感光体流入電流１０μＡ　／　ｃｍの場合
、コントラスト電位（帯電電位−残留電位）は７００Ｖ
、又、暗減衰率は３８％／　Ｓｅｃであった。

更にＡ１基板と非晶質ケイ素感光層の接着性は良好で必
って安定しており、感光層の形成後、放置しても剥離現
象はまったく生じなかった。

比較例３ 純水沸騰水中煮沸処理を行っていないＡＩ基板を用いる
以外は、実施例３におけると同様にしてｐ型の非晶質ケ
イ素層及びｉ型の非晶質ケイ素感光層を形成した。得ら
れた電子写真用感光体に対して同様な方法で正帯電特性
を測定したところ、感光体流入電流１０μＡ　／　ｃｍ
の場合、コントラスト電位（帯電電位−残留電位）は６
７０Ｖ、又、暗減衰率は４０％／　ＳｅＣでおった。ま
た、この電子写真感光体を常温常湿の下に一週間放置し
たところ、非晶質ケイ素感光層の約６０％の部分がＡ１
基板からの剥離した。

実施例４ 実施例１におけると同様のＡＩ基板を、アセトンを用い
て室温で１０分間超音波洗浄した後、続いて、室温の純
水中で１０分間超音波洗浄した。引き続いて、純水沸騰
水中煮沸処理を２０分間実施し、Ａ１基板上にＡ１の水
和酸化物皮膜を形成した。

次に、このＡ１基板を、円筒状基板上へのアモルファス
シリコン膜の生成が可能な容量結合型プラズマＣＶＤ装
置内の所定の位置に配置した。引き続いてシラン（Ｓ　
ｉ　Ｈ４）ガスとジポラン（Ｂ２Ｈ６）ガスの混合ガス
をグロー放電分解することにより、上記の水和酸化物皮
膜及び陽ｆｆ１ｌ化皮膜を形成したＡ１基板上に、水素
とホウ素を含む膜厚０．４仮のｐ型の非晶質ケイ素膜を
生成した。このときの非晶質ケイ素膜の生成条件は次の
通りで必った。

基板温度を２５０℃に維持し、反応室内に１００％シラ
ン（Ｓ　ｉ　Ｈ４）ガスを毎分２００ＣＣ１水素稀釈の
ｉｏｏｐｐｍジポラン（Ｂ２　Ｈ６）ガスを毎分２００
ＣＣで流入させ、反応槽内を０．５ＴＯｒｒ　（６６、
７Ｎ　／　ＴＩｉ＞の内圧に維持した後、１３．５６Ｍ
Ｈｚの高周波電力を投入して、グロー放電を生じせしめ
、高周波電源の出力を４００Ｗに維持した。

続いてシラン（Ｓ　ｉ　Ｈ４）ガスとジボラン（Ｂ２町
）ガスの混合ガスをグロー放電分解することにより、上
記のｐ型の非晶質ケイ素層の上に水素と微量のホウ素を
含む比較的高暗抵抗で膜厚１８μｍのｉ型の非晶質ケイ
素膜を生成した。このときの非晶質ケイ素膜の生成条件
は次の通りでめった。

基板温度を２５０　’Ｃに維持し、反応室内に１００％
シラン（Ｓ’１Ｈ４）ガスを毎分３５０ＣＣ１水素稀釈
の１００ｐｐｍジボラン（８２１−１６＞ガスを毎分３
ＣＣ１更に、１００％水素（町）ガスを毎分２５０ＣＣ
で流入ざぜ、反応槽内を１．０ＴＯｒｒ　（１３３，４
Ｎ／ｆｆの内圧に維持した後、１３．５８ＭＨｚの高周
波電力を投入して、グロー放電を生じせしめ、高周波電
源の出力を５００Ｗに維持した。

以上の手順により、純水沸騰水中煮沸処理を施したＡ１
基板上に、ｐ型の非晶質ケイ素層及びｉ型の非晶質ケイ
素感光層とを有する感光体を作製した。

得られた電子写真用感光体に対して、正帯電特性を測定
したところ、感光体流入電流１０μＡ　／　ｃｍの場合
、コントラスト電位（帯電電位−残留電位）は、６５０
Ｖ　、また、暗減衰率は３５％／　ｓｅｃであつた。ざ
らに、Ａ１基板と非晶質ケイ素感光層との接着性は安定
で良好なものであった。

比較例４ 純水沸騰水中煮沸処理を行っていないＡ１基板を用いる
以外は、実施例４におけると同様にしてｐ型の非晶質ケ
イ素層及びｉ型の非晶質ケイ素感光層を形成した。得ら
れた電子写真用感光体に対して同様な方法で正帯電特性
を測定したところ、感光体流入電流１０μ“Ａ　／　ｃ
ｍの場合、コントラスト電位（帯電電位−残留電位）は
６２０　Ｖ、又、暗減衰率は３８％／ＳｅＣでおった。

また、この電子写真感光体を常温常湿の下に一週間放置
したところ、非晶質ケイ素感光層の約７０％の部分がＡ
１基板からの剥離した。

実施例５ 実施例１にあけると同様のＡ１基板を用い、同様に洗浄
処理及び純水沸騰水中煮沸処理を施して、Ａ１の水和酸
化物皮膜を形成した。

次に、このＡ１基板を、円筒状基板上へのアモルファス
シリコン膜の生成が可能な容量結合型プラズマＣＶＤ装
置内の所定の位置に配置した。引き続いてシラン（Ｓ　
ｉ　Ｈ４）ガスとジボラン（Ｂ２Ｈ６）ガスの混合ガス
をグロー放電分解することにより、上記の水和酸化物皮
膜及び陽極酸化皮膜を形成したＡ１基板上に、水素と微
量のホウ素を含む比較的高暗抵抗で膜厚１８即の１型の
非晶質ケイ素膜を生成した。このときの非晶質ケイ素膜
の生成条件は次の通りでおった。

プラズマＣＶＤ装置の反応至内の所定の位置に円筒型Ａ
１基板を設置し、基板温度を所定の温度である２５０’
Ｃに維持し、反応至内に１００％シラン（Ｓ　ｉ　Ｈ４
）ガスを毎分３００ＣＣ，水素稀釈の１１００ｐｐジボ
ラン（８２Ｈ６）ガスを毎分１０ＣＣ１更に、１００％
水素（町）ガスを毎分２００ＣＣで流入させ、反応槽内
を１．０Ｔｏｒｒ（１３３，４Ｎ／ｍ＞の内圧に維持し
た後、１３．５６ＭＨ７の高周波電力を投入して、グロ
ー放電を生じせしめ、高周波電源の出力を２００Ｗに維
持した。

得られた電子写真用感光体に対して、正帯電特性を測定
したところ、感光体流入電流１０μＡ　／　ｃｍの場合
、コントラスト電位（帯電電位−残留電位）は５００Ｖ
、又、暗減衰率は３６％／　Ｓｅｃであった。

ざらに、Ａ１基板と非晶質ケイ素感光層との接着性は安
定で良好なものでめった。

比較例５ 純水沸騰水中煮沸処理を行っていないＡ１基板を用いる
以外は、実施例５におけると同様にしてｉ型の非晶質ケ
イ素感光層を形成した。得られたの電子写真用感光体に
対して同様な方法で正帯電特性を測定したところ、感光
体流入電流１０μＡ／ｃｍの場合、コントラスト電位（
帯電電位−残留電位）は４７５Ｌ又、暗減衰率は４０％
／　ＳｅＣで１７＞ツた。また、この電子写真感光体を
常温常湿の下に一週間放置したところ、非晶質ケイ素感
光層の約２０％の部分がＡＩ基板からの剥離した。

以上の実施例及び比較例の結果から、本発明の電子写真
用感光体は、暗減衰率が減少し、帯電特性が向上したも
のであること、及び基板と非晶質ケイ素感光層との接着
性に優れるものであることが分った。

発明の効果 以上の結果からも明らかなように、本発明の非晶質ケイ
素感光層を有する電子写真用感光体は、純水沸騰水中煮
沸処理又は加熱水蒸気処理を行って水和酸化物皮膜を形
成させたアルミニウム基板を用いて構成されたものでお
るから、基板と感光層との接着性、密着性は極めて高い
。

又、本発明の電子写真用感光体は、暗減衰が小さくて極
めて帯電性が高く、且つ、帯電特性が外部環境の雰囲気
の変化によって影響を受けず、常時安定した高い画像濃
度を得ることができる。又、可視光域から赤外域の広範
囲な波長の光に対して光感度の優れたもので、半導体レ
ーザービームプリンタ用感光体としても適用できる。

更に、本発明の電子写真用感光体は、耐熱性、化学安定
性が高く、かつ、機械的強度が高く、耐摩耗性に優れ、
繰返し使用しても優れた画質の画像を与える。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の電子写真感光体の基本的構成を示す模
式図である。 １・・・アルミニウム基板、２・・・水和酸化物皮膜、
３・・・・・・非晶質ケイ素系感光層。 特許出願人　　富士ゼロックス株式会社代理人　　　　
弁理士　　渡部　剛 １・・・アルミニウム基板 ２・・・水和酸化物皮月美 ３・・・；Ｌμ品質ケイ素系感光層 第１図

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）純水沸騰水中煮沸処理または加熱水蒸気処理を施
   してなるアルミニウム基板上に非晶質ケイ素感光層を設
   けてなることを特徴とする電子写真感光体。
2. （２）非晶質ケイ素感光層がｉ型非晶質ケイ素層である
   ことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の電子写
   真感光体。
3. （３）非晶質ケイ素感光層とアルミニウム基板上に形成
   された水和酸化物皮膜との間にｐ型非晶質ケイ素層を設
   けてなることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載
   に電子写真感光体。