JPS628786B2 - - Google Patents
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Description
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光（ここでは広義の意味の光で、紫
外線、可視光線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示
す）の様な電磁波に感受性があり、画像形成分野
に於いて使用される電子写真用像形成部材に関す
る。 〔従来の技術〕 電子写真用像形成部材に於ける光導電層を構成
する光導電材料には、Se、Se−Te、CdS、
ZnO、或いはPVCzやTNF等のOPC材料が良く知
られているが、最近、例えば独国公開第2746967
号公報、同第2855718号公報に記載されてある様
に、光感度、分光波長領域、光応答性、暗抵抗等
の点に於いて他の光導電材料に較べて遜色ない特
性を有し、加えて非晶質にも拘らずｐ−ｎ制御が
容易に行える、人体に対して無公害である等の点
で、アモルフアスシリコン（以後Ａ−Siと表記す
る）が有望な光導電材料として注目を集めてい
る。 〔解決すべき問題点〕 この様にＡ−Siは他の光導電材料よりも多くの
点で優れた特性を有しており、電子写真用像形成
部材への適用としてその実用化が急速に進められ
ているが、未だ解決される可き点も残されてい
る。 例えば、場合によつてはその使用時に於いて、
残留電位が残る場合があり、繰返し使用を長時間
行うと疲労の蓄積が起こり、ゴースト現象を引起
す様になる、転写画像中に白抜けが生ずる等の不
都合が生ずる。 更には、層厚が十数μ以上になると層形成用の
真空堆積室から取り出した後、空気中での放置時
間の経過と共に、支持体表面からの層の浮きや剥
離、或いは層の亀裂が生ずる等の現象を引起し勝
ちになる、この現象は、殊に支持体が通常電子写
真分野に於いて使用されているドラム状支持体の
場合に多く起こる等、経時的安定性の点に於いて
解決さる可き点がある。 又、他方、例えば本発明者等の多くの実験によ
れば、電子写真用像形成部材の光導電層を構成す
る材料としてのＡ−Siは、従来のSe、CdS、ZnO
或いはPVCzやTNF等のCPC（有機光導電部材）
に較べて、数多くの利点を有するが、従来の太陽
電池用として使用する為の特性が付与されたＡ−
Siから成る単層構成の光導電層を有する電子写真
用像形成部材の上記光導電層に静電像形成の為の
帯電処理を施しても暗減衰（dark decay）が著
しく速く、通常の電子写真法が仲々適用され難い
事、及び多湿雰囲気中に於いては、上記傾向が著
しく、場合によつては現像時間まで帯電電荷を全
く保持し得ない事がある等、解決され得る可き点
が存在している事が判明している。 従つて、Ａ−Si材料そのものの特性改良が計ら
れる一方で光導電部材を設計する際に、上記した
様な所望の電気的、光学的及び光導電的特性が得
られる様に工夫される必要がある。 〔概略及び目的〕 本発明は上記の諸点の鑑み成されたもので、Ａ
−Siに就て電子写真用像形成部材としての適応性
とその応用性という観点から総括的に鋭意研究検
討を続けた結果、シリコン原子を母体とし、水素
原子(H)及びハロゲン原子（Ｘ）のいずれか一方を
少なくとも含有するアモルフアス材料（非晶質材
料）、所謂水素化アモルフアスシリコン、ハロゲ
ン化アモルフアスシリコン、或いはハロゲン含有
水素化アモルフアスシリコン〔以後これ等の総称
的表記として「Ａ−Si（Ｈ、Ｘ）」を使用する〕
から構成され、光導電性を示す非晶質層の層構成
を特定化して、以降に詳述される支持体上に該層
を設けることで得られる電子写真用像形成部材は
実用的に充分使用し得るばかりでなく、従来のと
較べてみても殆んどの点に於いて凌駕しているこ
と、殊に電子写真用として光感度及び画質安定性
に於いて著しく優れた特性を有していることを見
出した点に基いている。 本発明は電気的、光学的、光導電的特性が常時
安定していて、殆んど使用環境に制限を受けない
全環境型であり、耐光疲労に著しく長け、繰返し
使用に際しても劣化現象を起さず、残留電位が全
く又は殆んど観測されない電子写真用像形成部材
を提供することを主たる目的とする。 本発明の別の目的、全可視光域に於いて光感度
が高く、且つ光応答性の速い電子写真用部材を提
供することである。 本発明の他の目的は、通常の電子写真法が極め
て有効に適用され得る程度に、静電像形成の為の
帯電処理の際の電荷保持能が充分あり、且つ多湿
雰囲気中でもその特性の低下が殆んど観測されな
い優れた電子写真特性を有する電子写真用像形成
部材を提供することである。 本発明の更に他の目的は、濃度が高くハーフト
ーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い高品質画像
を得る事が容易に出来る電子写真用の光導電部材
を提供することである。 〔問題点を解決すべき手段〕 本発明の電子写真用像形成部材は化学構造的に
水を含む酸化アルミニウムから成る表面を有する
電子写真用の支持体と、水素原子(H)及びハロゲン
原子（Ｘ）の少なくともいずれか一方を含み、シ
リコン原子を母体とする非晶質材料〔Ａ−Si
（Ｈ、Ｘ）〕で構成され、光導電性を示す非晶質層
とを有し、該非晶質層は少なくともその一部に、
前記支持体の表面に略々平行な面内では実質的に
均一であり層厚方向には不均一で且つ前記支持体
とは反対の表面側の方に多く分布した状態で窒素
原子を含有する層領域を有し、該窒素原子の含有
量が0.02〜30原子％であり且つ、その層厚方向の
分布濃度の最大値が0.1〜60原子％である事を特
徴とする。 〔作用〕 上記した様な構成を取る様にして設計された電
子写真用像形成部材は、前記した諸問題の総てを
解決し得、極めてすぐれた電気的、光学的、光導
電的特性及び使用環境特性を示す。 殊に、電子写真用像形成部材として帯電処理の
際の電荷保持能に長け、画像形成への残留電位の
影響が全くなく、多湿雰囲気中でもその電気的特
性が安定しており高感度で、高SN比を有するも
のであつて耐光疲労、繰返し使用性に著しく長
け、濃度が高くハーフトーンが鮮明に出て、且つ
解像度の高い高品質の可視画像を常時安定的に得
る事が出来る。更には、支持体からの浮き、剥離
或いは層亀裂が生ぜず機械的及び電気的接触及び
密着性に優れている。長時間の繰返し使用に於い
ても、初期の特性の低下は見られない等々の長所
を有するものである。 〔実施態様例〕 以下、図面に従つて本発明の電子写真用像形成
部材に就て詳細に説明する。 第１図は、本発明の電子写真用としての光導電
部材の基本的な構成例を説明する為に模式的に示
した模式的構成図である。 第１図に示す光導電部材１００は、化学構造的
に水を含む酸化アリミニウムから成る表面を有す
る電子写真用としての支持体１０１の上に、必要
に応じて設けられる障壁層１０２、前記支持体１
０１又は該障壁層１０２に直接接触した状態に設
けられ、光導電性を示す非晶質層１０３とで構成
され、該非晶質層１０３は少なくともその一部に
窒素原子を含有する層領域を有し、該層領域に於
ける窒素原子の分布が前記支持体１０１の表面に
略々平行な面内では実質的に均一であり、層の厚
み方向には、不均一であつて、前記層領域に含有
されている窒素原子が前記支持体１０１とは反対
の表面側の方に多く分布し、窒素原子の含有量
Ctが0.02〜30原子％であり、且つその層厚方向の
分布濃度の最大値Cmaxが前記支持体１０１とは
反対の表面又は該表面の極く近傍に存し、Cmax
が0.1〜60原子％とされている。支持体１０１
は、少なくともその表面に化学構造的に水を含む
酸化アルミニウム皮膜を有するものであるが、斯
かる皮膜は最も端的には電子写真用として加工成
型した後適当な予備処理が施された純アルミニウ
ム又はアルミニウム合金の基体の表面に陽極酸化
処理を施し、次いで必要に応じて適当な前処理を
行つた後に、沸騰水処理又は蒸気処理を施すこと
によつてAl2O3・H2O又はAl2O3・3H2Oなる組成
のものとして得られる。 陽極酸化処理としては電気的絶縁耐力に優れた
皮膜が形成される方法が採用され、例えば蓚酸
法、硫酸法、クロム酸法を挙げることが出来る。 例えば蓚酸法としては、使用される電解液は例
えば１〜３％の蓚酸または蓚酸塩溶液、１〜
３％のマロン酸又はその塩類の溶液、蓚酸35
ｇ、KMnO4 １ｇの割合でこれ等を１の水に溶
解したもの等が挙げられる。 この場合の電流密度及び電圧は、使用される電
解液及び被処理材料等によつて適宜決められるも
のであるが、電流密度としては３〜20Amp／ｄ
cm2、電圧として40〜120volts程度とされる。 又、陽極酸化中の浴槽の温度としては、10〜30
℃程度の範囲とされる。 硫酸法の場合には、電解液を10〜70％の間に変
え、且つ電圧を10〜15voltsに保つて、処理時間
を10〜15分の間に変えることによつて、特性の異
なる皮膜を形成することができる。 この場合の使用電力としては、0.5〜2KWh／
m2の間に変化し、処理温度は15〜30℃程度とされ
る。 例えば、強くて硬い皮膜を作る場合には、硫酸
５％とグリセリン５％の液を用い、12〜15volts
で20〜40分間処理すれば良い。又、逆に柔軟性に
富む皮膜を得る場合には硫酸25％とグリセリン20
％の溶液を用い12℃〜30℃で、15voltsの電圧で
30〜60分間処理すれば良い。更には硫酸５〜10％
の溶液に多少のAl2（SO4）3を溶解した電解溶液
を使用して、液槽温度15〜20℃程度で行うことも
出来る。これ等の場合の使用電力としては、１m2
当り硬い皮膜を得る場合には2KWh程度、軟らか
い皮膜を得る場合には0.5〜1KWh程度である。
形成される皮膜の電気絶縁耐力を最大限にするに
は、液の濃度を60〜77％H2SO4とし、溶液の容積
15に対して１の割合のグリセリンを添加し、液槽
の温度を20〜30℃とし、電圧を約12volts、電流
密度0.1〜1.0Amp／ｄm2の条件下で処理すれば良
い。 上記の様な方法によつて陽極酸化処理された基
体は、洗滌等の適当な前処理を必要に応じて行つ
た後、最終的な形態の皮膜を形成する為に沸騰水
処理又は水蒸気処理が施される。 沸騰水処理は、脱塩してPHを５〜９に調整され
た水を80〜100℃程度に加熱された中に、前記陽
極酸化処理した基体を浸漬させれば良い。蒸気処
理法としては、予め沸騰水で良く洗滌し、更に
TiCl3、SnCl2、FeSO4等の還元性水溶液で処理し
て、皮膜に附着している電解液の成分を完全に除
去した後、４〜5.6Kg／cm2程度の過熱水蒸気中に
前記の陽極酸化された基体を適当時間保持すれば
良い。 本発明に於いて、所望特性とその上に形成され
る光導電層との良好なマツチングが得られる様な
皮膜が形成されるアルミニウム合金材料として
は、Al−Mg−Si系、Al−Mg系、Al−Mg−Mn
系、Al−Mn系、Al−Mg系、Al−Mg−Si系、Al
−Mg−Mn系、Al−Cu−Mg系、Al−Cu−Ni系、
Al−Cu系、Al−Si系、Al−Cu系、Al−Cu−Zn
系、Al−Cu−Ni系、Al−Si系、Al−Cu−Si系、
Al−Mg−Si系、等を挙げることが出来る。具体
的には、例えば、A51S、61S、63S、Aludur、
Legal、Anticodal、Pantal、SilalV、RS、52S、
56S、Hydroalium、BS−Seewasser、4S、KS−
Seewasser、3S、14S、17S、24S、Ｙ合金、
NS、RS、Silumin、アメリカ合金、ドイツ合
金、Kupfer−Silumin、Silumin−Gamma等の製
品規格名で市販されているものを挙げることが出
来る。 本発明に於ける支持体表面上に設けられる水を
化学構造的に含む皮膜の膜厚としては、その上に
形成される光導電層の特性及びその構成材料、層
厚等との相関関係に於いて所望に従つて適宜決定
されるものであるが、通常の場合0.05〜10μ、好
適には0.1〜５μ、最適には0.2〜２μとされるの
が望ましいものである。 障壁層１０２は支持体１０１の側から非晶質層
１０３側方向か又は非晶質層１０３側から支持体
１０１側方向へのフリーキヤリアの流入を効果的
に阻止し且つ電磁波照射時に於いて電磁波の照射
によつて非晶質層１０３中に生じ、支持体１０１
の側に向つて移動するフオトキヤリアの非晶質層
１０３の側から支持体１０１の側への通過を容易
に許す機能を有するものである。 障壁層１０２は、上記の様な機能を有するもの
であるが、支持体１０１と非晶質層１０３との間
で形成される界面に於いて、上記の様な障壁層１
０２と同様な機能が充分発揮されるのであれば、
本発明に於いては、障壁層１０２を強いて設ける
必要はない。 障壁層１０２は、シリコン原子を母体とし、炭
素原子、酸素原子、窒素原子の中から選択される
原子の少なくとも一種と、必要に応じて水素原子
又はハロゲン原子の少なくともいずれか一方とを
含む非晶質材料〈これ等を総称してＡ−〔Six
（Ｃ、Ｎ、Ｏ）１−ｘ〕ｙ（Ｈ、Ｘ）１−ｙと表
記する（但し、０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）〉又
は、電気絶縁性の金属酸化物或いは電気絶縁性の
有機化合物で構成される。 本発明に於いて、上記障壁層１０２中に含有さ
れるハロゲン原子（Ｘ）として好適なのは、Ｆ、
Cl、Br、Ｉであり、殊にＦ、Clが望ましいもの
である。 上記障壁層１０２を構成する非晶質材料として
有効に使用されるものとして具体的には、例えば
炭素系の非晶質材としてＡ−SiaC1-a、Ａ−
（SibC1-b）cＨ1-c、Ａ−（SidC1-d）eＸ1-e、Ａ−
（SifC1-f）g（Ｈ＋Ｘ）1-g、窒素系の非晶質材料と
してＡ−SihN1-h、Ａ−（SiiN1-i）jＨ1-j、Ａ−
（SikN1-k）lＸ1-l、Ａ−（SinN1-n）o（Ｈ＋Ｘ）1-o、
酸素系の非晶質材料としてＡ−（SipO1-p）gＨ1-g
等、更には上記の非晶質材料に於いて、Ｃ、Ｏ及
びＮの中の２種の原子を構成原子として含む非晶
質材料を挙げることが出来る。（但し０＜ａ、
ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆ、ｇ、ｈ、ｉ、ｊ、ｋ、ｌ、
ｍ、ｎ、ｐ、ｑ、＜１）。 これ等の非晶質材料は層構成の最適化設計に依
る障壁層１０２に要求される特性及び該障壁層１
０２上に積重される非晶質層１０３との連続的作
成の容易さ等によつて適宜最適なものが選択され
る。殊に特性面からすれば炭素系の非晶質材料を
選択するのがより好ましいものである。 障壁層１０２を上記の非晶質材料で構成する場
合の層形成法としてはグロー放電法、スパツタリ
ング法、イオンインプランテーシヨン法、イオン
プレーテイング法、エレクトロンビーム法等によ
つて成される。 グロー放電法によつて障壁層１０２を形成する
には、前記非晶質材料形成用の原料ガスを必要に
応じて稀釈ガスと所定量の混合比で混合して、支
持体１０１に設置してある真空堆積用の堆積室に
導入し、導入させたガスをグロー放電を生起させ
ることでガスプラズマ化して前記支持体１０１上
に前記の非晶質材料を堆積させれば良い。 本発明に於いて、炭素系の非晶質材料で構成さ
れる障壁層１０２を形成する為の原料ガスとして
有効に使用用されるのは、SiとＨとを構成原子と
するSiH4、Si2H6、Si3H8、Si4H10等のシラン
（Silane）類等の水素硅素ガス、ＣとＨとを構成
原子とする、例えば炭素数１〜５の飽和炭化水
素、炭素数２〜５のエチレン系炭化水素、炭素数
２〜４のアセチレン系炭化水素等が挙げられる。 具体的には、飽和炭化水素としてメタン
（CH4）、エタン（C2H6）、プロパン（C3H8）、ｎ
−ブタン（ｎ−C4H10）、ペンタン（C5H12）、エ
チレン系炭化水素としては、エチレン（C2H4）、
プロピレン（C3H6）、ブテン−１（C4H8）、ブテ
ン−２（C4H8）、イソブチレン（C4H8）、ペンテ
ン（C5H10）、アセチレン系炭化水素としては、
アセチレン（C2H2）、メチルアセチレン
（C3H4）、ブチン（C4H6）等が挙げられる。 SiとＣとＨとを構成原子とする原料ガスとして
は、Si（CH3）4、Si（C2H5）4等のケイ化アルキル
を挙げることが出来る。これ等の原料ガスの他、
Ｈ導入用の原料ガスとしては勿論H2も有効なも
のとして使用される。 障壁層１０２をハロゲン原子を含む炭素系の非
晶質材料で構成する為の層形成用の原料ガスの中
でハロゲン原子導入用の原料ガスとしては、例え
ばハロゲン単体、ハロゲン化水素、ハロゲン間化
合物、ハロゲン化硅素、ハロゲン置換水素化硅
素、水素化硅素等を挙げる事が出来る。具体的に
はハロゲン単体としては、フツ素、塩素、臭素、
ヨウ素のハロゲンガス、ハロゲン化水素として
は、FH、HI、HCl、HBr、ハロゲン間化合物と
しては、BrF、ClF、ClF3、ClF5、BrF3、IF7、
IF5、IFl、IBr、ハロゲン硅素としては、SiF4、
Si2F6、SiCl、SiCl3Br、SiCl2Br2、SiClBr3、
SiClI、SiBr4、ハロゲン置換水素化硅素として
は、SiH2F2、SiH2Cl2、SiHCl3、SiH3Cl、
SiH3Br、SiH2Br2、SiHBr3、水素化硅素として
は、SiH4、Si2H6、Si3H8、Si4H10等のシラン
（Silane）類、等々を挙げることが出来る。 これ等の他に、CCl4、CHF3、CH2F2、
CH3F、CH3Cl、CH3Br、CH3I、C2H5Cl等のハロ
ゲン置換パラフイン系炭化水素、SF4、SF6等の
フツ素化硫黄化合物、Si（CH3）4、Si（C2H5）4等
のケイ化アルキルやSiCl（CH3）3、SiCl2
（CH3）2、SiCl3CH3等のハロゲン含有ケイ化アル
キル等のシランの誘導体も有効なものとして挙げ
ることが出来る。 これ等の障壁層形成物質は、形成される障壁層
中に所定の組成比でシリコン原子、炭素原子及び
必要に応じてハロゲン原子及び水素原子とが含有
される様に、障壁層形成の際に所望に従つて選択
されて使用される。 例えば、シリコン原子と炭素原子と水素原子と
の含有が容易に成し得て、且つ所望の特性の障壁
層が形成され得るSi（CH3）4とハロゲン原子を含
有させるものとしてのSiHCl3、SiCl4、SiH2Cl2、
あるいはSiH3Cl等を所定の混合比でガス状態で
障壁層形成用の装置系内に導入してグロー放電を
生起させることによつて、Ａ−（SifC1-f）g（Ｘ＋
Ｈ）1-gから成る障壁層を形成することが出来る。 窒素系の非晶質材料で障壁層１０２を構成する
のにグロー放電法を採用する場合には、先に挙げ
た障壁層形成用の物質の中から所望に応じたもの
を選択し、それに加えて次の窒素原子導入用の原
料ガスを使用すれば良い。すなわち、障壁層１０
２形成用の窒素原子導入用の原料ガスに成り得る
ものとして有効に使用される出発物質は、Ｎを構
成原子とする或いはＮとＨとを構成原子とする例
えば窒素（N2）、アンモニア（NH3）、ヒドラジン
（H2NNH2）、アジン化水素（NH3）、アジ化アン
モニウム（NH4N3）等のガス状の又はガス化し得
る窒素、窒化物及びアジ化物等の窒素化合物を挙
げることが出来る。この他に、窒素原子の導入に
加えてハロゲン原子の導入も行えるという点か
ら、三弗化窒素（F3N）、四弗化窒素（F4N2）等の
ハロゲン化窒素化合物を挙げることが出来る。 上記したように、グロー放電法によて障壁層１
０２を形成する場合には、障壁層形成用の出発物
質を上記した物質の中より種々選択して使用する
ことにより、所望特性を有する所望構成材料で構
成された障壁層１０２を形成することが出来る。
障壁層１０２をグロー放電法で形成する場合の出
発物質の組合せで良好なものとして具体的には、
例えば、Si（CH3）4、SiCl（CH3）2等の単独ガス
またはSiH4−NH3系、SiCl4−NH4系、SiH4−N2
系、Si（CH3）4−SiH4系、SiCl2（CH3）2−SiH4系
等の混合ガスを挙げることが出来る。 スパツタリング法によつて炭素系の非晶質材料
で構成される障壁層１０２を形成するには、単結
晶又は多結晶のSiウエーハー又はＣウエーハー又
はSiとＣが混合されて含有されているウエーハー
をターゲツトとして、これ等を種々のガス雰囲気
中でスパツタリングすることによつて行えば良
い。 例えば、Siウエーハーをターゲツトとして使用
するものであれば、炭素原子と水素原子(H)又はハ
ロゲン原子（Ｘ）を導入する為の原料ガスを必要
に応じて稀釈ガスで稀釈して、スパツタ用の堆積
室中に導入し、これ等のガスのガスプラズマを形
成して前記Siウエーハーをスパツタリングすれば
良い。 又、別には、SiとＣとは別々のターゲツトとし
て、又はSiとＣの混合した一枚のターゲツトを使
用することによつて、少なくとも水素原子(H)又は
ハロゲン原子（Ｘ）を含有するガス雰囲気中でス
パツタリングすることによつて成される。 炭素原子又は水素原子或いはハロゲン原子導入
用の原料ガスとしては、先述したグロー放電の例
で示した原料ガスが、スパツタリング法の場合に
も有効なガスとして使用され得る。 スパツタリング法によつて窒素系の非晶質材料
で構成される障壁層１０２を形成するには、単結
晶又は多結晶のSiウエーハー又はSi3N4ウエーハ
ー又はSiとSi3N4が混合されて含有されているウ
エーハーをターゲツトとして、これ等を種々のガ
ス雰囲気中でスパツタリングすることによつて行
えば良い。 例えば、Siウエーハーをターゲツトとして使用
すれば、窒素原子と必要に応じて水素原子又は／
及びハロゲン原子を導入する為の原料ガス、例え
ばH2とH2、又は、NH3を必要に応じて稀釈ガス
で稀釈して、スパツタ用の堆積室中に導入し、こ
れ等のガスのガスプラズマを形成して前記Siウエ
ーハーをスパツタリングすれば良い。 又、別にSiとSi3N4とは別々のターゲツトとし
て、又はSiとSi3N4の混合して形成した一枚のタ
ーゲツトを使用することによつて、スパツタ用の
ガスとしての稀釈ガス雰囲気中で又は少なくとも
Ｈ原子及び／又はＸ原子を含有するガス雰囲気中
でスパツタリングすることによつて成される。 Ｎ原子導入用の原料ガスと成り得るものとして
は、先述したグロー放電の例で示した障壁層形成
用の出発物質の中のＮ原子導入用の原料ガスが、
スパツタリングの場合にも有効なガスとして使用
され得る。 本発明に於いて、障壁層１０２をグロー放電法
又はスパツタリング法で形成する際に使用される
稀釈ガスとしては、所謂・希ガス、例えばHe、
Ne、Ar等を好適なものとして挙げることが出来
る。 障壁層１０２を前記の非晶質材料で構成する場
合には、その要求される特性が所望通りに与えら
れる様に注意深く形成される。 即ち、SiとＣ、Ｏ、Ｎの中の少なくとも１つ及
び必要に応じてＨ又は／及びＸを構成原子とする
物質はその作成条件によつて構造的には結晶から
アモルフアスまでの形態で取り、電気物性的には
導電性から半導電性、絶縁性までの間の性質を、
又光導電的性質から非光導電的性質までの間の性
質を各々示すので本発明に於いては非光導電性の
非晶質材料が形成される様に、その作成条件の選
択が厳密に成される。 障壁層１０２を構成する前記の非晶質材料は障
壁層１０２の機能が、支持体１０１側から非晶質
層１０３側へのフリーキヤリアの注入を阻止し、
且つ非晶質層１０３中で発生したフオトキヤリア
が移動して支持体１０１側に通過するのを容易に
許すことを果たすものであることから、電気絶縁
性的挙動を示すものとして形成される。 又、非晶質層１０３中で発生したフオトキヤリ
アが障壁層１０２中を通過する際、その通過がス
ムーズに成される程度に通過するキヤリアに対す
る易動度（mobility）の値を有するものとして障
壁層１０２が形成される。 上記の様な特性を有する前記の非晶質材料から
成る障壁層１０２が形成される為の層作成条件の
中の重要な要素として、層作成時の支持体温度を
挙げる事が出来る。 即ち、支持体１０１の表面に前記非晶質材料か
ら成る障壁層１０２を形成する際、層形成中の支
持体温度は形成される層の構造及び特性を左右す
る重要な因子であつて、本発明に於いては目的と
する特性を有する前記非晶質材料が所望通りに作
成され得る様に層作成時の支持体温度が厳密に制
御される。 障壁層１０２を形成する際の支持体温度として
は障壁層１０２の形成法に併せて適宜最適範囲が
選択されて、障壁層１０２の形成が実行されるが
通常の場合20℃〜300℃、好適には50℃〜250℃と
されるのが望ましいものである。障壁層１０２の
形成には、同一系内で障壁層１０２から非晶質層
１０３、更には必要に応じて非晶質層１０３上に
形成される第３の層まで連続的に形成する事が出
来る、各層を構成する原子の組成比の微妙な制御
や層厚の制御が他の方法に比べて比較的容易であ
る事等の為に、グロー放電法やスパツタリング法
の採用が有利であるが、これ等の層形成法で障壁
層１０２を形成する場合には、前記の支持体温度
と同様に層形成の際の放電パワー、ガス圧が作成
される障壁層１０２の特性を左右する重要な因子
として挙げることが出来る。その目的が達成され
る為の特性を有する障壁層１０２が生産性よく効
果的に作成される為の放電パワー条件としては通
常１〜300W、好適には２〜150Wである。又、堆
積室内のガス圧は通常３×10-3〜5Torr、好適に
は８×10-3〜0.5Torr程度とされるのが望まし
い。 障壁層１０２に含有される炭素原子、窒素原
子、酸素原子及び水素原子、ハロゲン原子の量は
障壁層１０２の作成条件と同様、所望の特性が得
られる障壁層が形成される重要な因子である。 障壁層１０２をＡ−SiaC1-aで構成する場合に
は炭素原子の含有量は、ａの表示では0.1〜0.4、
好適には0.2〜0.35、最適には0.25〜0.3とされ、
Ａ−（SibC1-b）cＨ-cで構成する場合には、ｂ、ｃ
の表示で示せば、ｂが通常は0.1〜0.5、好適には
0.1〜0.35、最適には0.15〜0.3、ｂが通常は0.60
〜0.99、好適には0.65〜0.98、最適には0.7〜0.95
とされ、Ａ−（SidC1-d）eＸ1-e又は、Ａ−
（SifC1-f）g（Ｈ＋Ｘ）1-gで構成される場合には、
ｄ、ｅ、ｆ、ｇの表示では、ｄ、ｆが通常は0.1
〜0.47、好適には0.1〜0.35、最適には0.15〜
0.3、ｅ、ｇが通常は0.8〜0.99、好適には0.85〜
0.99最適には0.85〜0.98とされる。 障壁層１０２を窒素系の非晶質材料で構成する
場合、先ずＡ−SihN1-hの場合には窒素原子の含
有量はｈの表示では通常は0.43〜0.60好適には
0.43〜0.50とされる。 Ａ−（SiiN1-i）jＨ1-jで構成する場合には、ｉ、
ｊで表示すれば、ｉとしては通常0.43〜0.6、好
適には0.43〜0.5、ｊとしては通常0.65〜0.98、好
適には0.7〜0.95とされ、Ａ−（SikN1-k）lＸ1-l又は
Ａ−（SinN1-n）o（Ｈ＋Ｘ）1-oで構成する場合には
ｋ、ｌ、ｍ、ｎの表示では、ｋ、ｌが通常0.43〜
0.60、好適には0.43〜0.49、ｍ、ｎが通常は0.8〜
0.99、好適には0.85〜0.98とされる。 障壁層１０２を構成する電気絶縁性の金属酸化
物としては、TiO2、Ce2O3、ZrO2、HfO2、
GeO2、CaO、BeO、P2O5、Y2O3、Cr2O3、
Al2O3、MgO、MgO・Al2O3、SiO2・MgO、等を
好ましいものとして挙げることが出来る。これ等
は２種以上を併用して障壁層１０２を形成しても
良いものである。 電気絶縁性の金属酸化物で構成される障壁層１
０２の形成は、真空蒸着法、CVD（chemical
vapour deposition）法、グロー法電分解法、ス
パツタリング法、イオンインプランテーシヨン
法、イオンプレーテイング法、エレクトロンビー
ム法等によつて成される。 例えば、スパツタリング法によつて障壁層１０
２を形成するには、障壁層形成用の出発物質のウ
エーハーをターゲツトとしてHe、Ne、Ar、等の
スパツタ用のガス雰囲気中でスパツタリングする
ことによつて行えば良い。 エレクトロンビーム法を用いる場合には障壁層
形成用の出発物質を蒸着ボート内に入れてエレク
トロンビームを照射して蒸着すればよいが、支持
体１０１から非晶質層１０３中へのキヤリアの流
入を阻止し、且つ非晶質層１０３中で発生したフ
オトキヤリアが移動して支持体１０１側に通過す
るのを容易に許すことを果たすものであることか
ら、電気絶縁性的挙動を示すものとして形成され
る。 障壁層１０２の層厚の数値範囲は、その目的を
効果的に達成する為の重要な因子の１つである。
障壁層１０２の層厚が充分過ぎる程に薄いと、支
持体１０１の側からの非晶質層１０３側方向への
フリーキヤリアの流入を阻止する働きが充分果た
し得なくなり、又充分過ぎる程以上に厚いと、非
晶質層１０３中に於いて生ずるフオトキヤリアの
支持体１０１の側への通過する確率が極めて小さ
くなり、従つていずれの場合にも本発明の目的を
効果的に達成され得なくなる。 上記の点に鑑みて本発明の目的を効果的に達成
する為の障壁層１０２の層厚としては、通常の場
合30−1000Å、好適には50〜600Åである。 本発明に於いて、その目的を効果的に達成する
様に支持体１０１上に設けられる非晶質層１０３
は下記に示す半導体特性を有するＡ−Si（Ｈ、
Ｘ）で構成され、その層厚方向に後述する様な分
布を以つて酸素原子がドーピングされる。 ｐ型Ａ−Si（Ｈ、Ｘ）………アクセスプター
のみを含むもの。或いは、ドナーとアクセプタ
ーとの両方を含み、アクセプターの濃度
（Na）が高いもの。 p-型Ａ−Si（Ｈ、Ｘ）………のタイプに
於いてアクセプターの濃度（Na）が低い所謂
ｐ型不純物をライトリードープしたもの。 ｎ型Ａ−Si（Ｈ、Ｘ）………ドナーのみを含
むもの。或いはドナーとアクセプターの両方を
含み、ドナー濃度（Nd）が高いもの。 n-型Ａ−Si（Ｈ、Ｘ）………のタイプに於
いてドナーの濃度（Nd）が低い、所謂ノンド
ープのものか又はｎ型不純物をライトリードー
プしたもの。 ｉ型Ａ−Si（Ｈ、Ｘ）………NaNdＯの
もの又は、NaNdのもの。 本発明において、非晶質層１０３中含有される
ハロゲン原子（Ｘ）としては、具体的にはフツ
素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられ、殊にフツ
素、塩素を好適なものとして挙げることが出来
る。 本発明の光導電部材１００に於いて、非晶質層
１０３中には、その分布が支持体１０１の表面に
略々平行な面内では実質的に均一であり、層の厚
み方向には不均一であつて、支持体１０１とは反
対の表面側（第１図に於いては、自由表面１０４
側）の方に多く分布し、その最大分布濃度Cmax
の位置が前記表面又は、その極近傍にある様に窒
素原子が含有されている層領域が形成される。第
２図乃至第５図には、非晶質層１０３中に含有さ
れる窒素原子の非晶質層１０３の層厚方向の分布
状態の典型例が示される。第２図乃至第５図に於
いて縦軸は、非晶質層１０３の層厚ｔを示し、ｔ
pは支持体１０１又は障壁層１０２等の他のもの
との非晶質層１０３の接触界面位置（下部表面）
を、ｔsは自由表面１０４側の非晶質層１０３の
界面位置（上部表面）（第１図に於いては自由表
面１０４と同位置である。）を各々表わし、ｔpか
らｔsに向うに従つて、層厚ｔの厚くなることを
示し、横軸は非晶質層１０３の層向方向の任意の
位置に於ける窒素原子の分布濃度Ｃを示し、矢印
方向に分布濃度の増大が示され、Cmaxは非晶質
層１０３中に於ける窒素原子の最大分布濃度を示
すものである。 第２図に示す例に於いては、非晶質層１０３中
に含有される窒素原子の該層１０３中での分布状
態は、下部表面位置ｔpより上部表面位置ｔsに至
るに従つて単調的に連続的に増大し、位置t1に於
いて最大分布濃度Cmaxに至り、その後表面位置
ｔsまでの間は、分布量Ｃに変動がなく、Cmaxの
値を維持している。第３図に於いて、ｔp附近に
於いては、窒素原子は全く含有されていないかの
様に示されているが、窒素原子量の検出限界以下
は、窒素原子が含有されていないのと同様に扱つ
ている為である。 従つて、本発明に於いては窒素原子の量が０と
示される層領域（例えば第３図に於けるｔpとt2
との間の層領域）は、窒素原子が全く含まれない
か又は、検出限界量未満含有されているものとし
て扱われる。現在のところ、我々の技術レベルに
於いては窒素原子量の検出限界は50原子ppmで
ある。 本発明の光導電部材に於いては、高光感度化と
安定した画質特性が得られる様に窒素原子の分布
状態は上部表面位置ｔsに近くなるに従つて分布
量が増大する様に非晶質層１０３中に窒素原子が
含有される。 第１図に示される様に作成される光導電部材１
００の非晶質層１０３が自由表面１０４を有する
場合には、上部表面位置ｔs近傍に於いて、窒素
原子の含有量を他の層領域に較べて著しく増大さ
せて、自由表面１０４に付与される電荷の保持能
を向上させる様に設けることができる。この場
合、斯かる層領域は所謂一種の障壁層の機能を果
たすものである。 この様に、非晶質層１０３の自由表面１０４近
傍に於いて、窒素原子の含有量を他の層領域に較
べて極端に多くして、上部障壁層を非晶質層１０
３中に形成する事も出来るが、又別には非晶質層
１０３の表面上に、障壁層１０２を構成する材料
と同様の材料を使用して上部障壁層を形成するこ
とも出来る。この際の上部障壁層の層厚として
は、通常は30Å〜５μ、好適には50Å〜２μとさ
れるのが望ましい。 第３図に示す例に於いては、非晶質層１０３の
下部側t0とt2の間の層領域には、窒素原子が全く
含まれないか、又は検出限界量未満しか含有され
ていないものであり、位置T2よりt3に至るに従つ
て、窒素原子の分布濃度は一次関数的又は一次関
数に近い関数的に単調増加し、位値t3に於いて、
最大分布濃度Cmaxに達する。t3とt2との間の層
領域に於いては、窒素原子は最大分布量Cmaxで
一様均一に含有されている。第４図に示す例に於
いては、非晶質層１０３の下部層領域（t0とt4と
の間）では、その分布濃度が一定量C1で一様均
一に窒素原子が含有されており、上部層領域（t4
とt3の間）では、最大分布濃度Cmaxで一様均一
に分布した状態で窒素原子が含有されていて、下
部層領域と上部層領域に於いて、その分布量が不
連続的になつている。 第５図に示される例に於いては、非晶質層１０
３の下部表面位置t0から位置t5に至るまでは、一
定の分布量C2で窒素原子が含有されており、位
置t5より位置t6に至るに従つて窒素原子の分布濃
度は徐々に増大し、位置t6より上部表面位置ｔs
に至るまでは、窒素原子の分布濃度は急激に増大
し、上部表面位置ｔsに至つて最大分布濃度Cmax
を取る様に、窒素原子が分布している。 本発明に於いては窒素原子の最大分布濃度
Cmaxは、通常は前記した様な値を取り得るもの
であるが、好適には0.2〜60原子％、最適には0.5
〜60原子％の範囲から選択されるのが望ましいも
のである。 本発明の光導電部材に於いて、非晶質層１０３
中に含有される窒素原子は、前記した様に非晶質
層１０３の層厚方向にその含有量の分布が不均一
であり、且つ上部表面位置ｔs又はｔs近傍に於い
て最大分布濃度Cmaxを有し、上部表面位置ｔsか
ら下部表面位置t0に向つて、分布量が減少する様
な分布状態が非晶質層１０３中の層厚方向に形成
される様に所望の分布状態関数に従つて、非晶質
層１０３中に添加されることによつて、本発明の
所期の目的が効果的に達成されるものであるが、
更に非晶質層１０３全体に於いての含有される窒
素原子の含有量も、本発明の所期の目的を達成す
るのに重要である。 本発明に於いて、非晶質層１０３中に含有され
る窒素原子の全量の値は、通常は前記した値を取
り得るものであり、更には好適には0.02〜20原子
％、最適には0.02〜10原子％の範囲から選択され
るのが望ましいものである。 本発明において、主としてＡ−Si（Ｈ、Ｘ）で
構成される非晶質層１０３を形成するには例えば
グロー放電法、スパツタリング法、或いはイオン
プレーテイング法等の放電現象を利用する真空堆
積法によつて成される。例えば、グロー放電法に
よつて非晶質層１０３を形成するには、Siを生成
し得るSi生成原料ガスと共に、水素原子導入用の
又は／及びハロゲン原子導入用の原料ガスを内部
が減圧にし得る堆積室内に導入して、該堆積室内
にグロー放電を生起させ、予め所定位置に設置さ
れてある所定に支持体表面上にＡ−Si（Ｈ、Ｘ）
から成る層を形成させれば良い。窒素原子を形成
される層中に導入するには、層の成長に併せて、
窒素原子導入用の原料ガスを層の形成時に前記堆
積室内に導入してやれば良い。又、スパツタリン
グ法で形成する場合には、例えばAr、He等の不
活性ガス又はこれ等のガスをベースとした混合ガ
スの雰囲気中でSiで形成されたターゲツトをスパ
ツタリングする際、水素原子又は／及びハロゲン
原子導入用のガスをスパツタリング用の堆積室に
導入してやればよい。 この際に於ける非晶質層１０３中の窒素原子の
導入法としては層の成長に併せて、窒素原子導入
用の原料ガスを層形成時に前記堆積室中に導入し
てやれるか、又は層形成時に予め堆積室中の設け
た窒素原子導入用のターゲツトをスパツタリング
してやることが挙げられる。 本発明に於いて非晶質層１０３を形成する際に
使用されるSi生成原料ガスとしては、SiH4、
Si2H6、Si3H8、Si4H10等のガス状態の又はガス化
し得る水素化硅素（シラン類）が有効に使用され
るものとして挙げられ、殊に層作成作業の際に扱
い易さ、Si生成効率の良さ等の点でSiH4、Si2H6
が好ましいものとして挙げられる。 本発明において非晶質層１０３を形成する際に
使用されるハロゲン原子導入用原料ガスとして有
効なのは多くのハロゲン化合物が挙げられ、例え
ばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化合
物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス
状態の又はガス化し得るハロゲン化合物が好まし
く挙げられる。 又、更にはシリコン原子とハロゲン原子とを構
成要素とするガス状態の又はガス化し得るハロゲ
ンを含む硅素化合物も有効なものとして本発明に
於いては挙げることが出来る。 本発明に於いて好適に使用し得るハロゲン化合
物としては、具体的にはフツ素、塩素、臭素、ヨ
ウ素のハロゲンガス、BrF、ClF、ClF3、BrF5、
BrF3、IF7、ICl、IBr、IF5等のハロゲン間化合物
を挙げることが出来る。 ハロゲンを含む硅素化合物、所謂ハロゲンで置
換されたシラン誘導体としては、具体的には例え
ばSiF4、Si2F6、SiCl4、SiBr4等のハロゲン化硅
素を好ましいものとして挙げることが出来る。 この様なハロゲンを含む硅素化合物を採用して
グロー放電法によつて本発明の特徴的な光導電部
材を形成する場合には、Siを生成し得る原料ガス
としての水素化硅素ガスを使用しなくとも、所定
の支持体上にＡ−Si：Ｘから成る非晶質層を形成
する事が出来る。 グロー放電法に従つて、ハロゲン原子を含む非
晶質層１０３を作成する場合、基本的にはSi生成
用の原料ガスであるハロゲン化硅素ガスとAr、
H2、He等の稀釈ガスとを所定の混合比とガス流
量になる様にして非晶質層を形成する堆積室内に
導入し、グロー放電を生起してこれ等のガスのプ
ラズマ雰囲気を形成することによつて、所定の支
持体上に非晶質層１０３を形成し得るものである
が、水素原子の導入を計る為にこれ等のガスに更
に水素原子を含む硅素化合物のガスの所定量混合
して層形成しても良い。 又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で
複数種混合して使用しても差支えないものであ
る。 反応スパツタリング法或いはイオンプレーテイ
ング法に依つて主としてＡ−Si（Ｈ、Ｘ）から成
る非晶質層１０３を形成するには、例えばスパツ
タリング法の場合にはSiから成るターゲツトを使
用して、これを使定のガスプラズマ雰囲気中でス
パツタリングし、イオンプレーテイング法の場合
には、多結晶シリコン又は単結晶シリコンを蒸発
源として蒸着ボートに収容し、このシリコン蒸発
源を抵抗加熱法、或いはエレクトロンビーム法
（EB法）等によつて加熱蒸発させ飛翔蒸発物を所
定のガスプラズマ雰囲気中を通過させる事で行う
事が出来る。 この際スパツタリング法、イオンプレーテイン
グ法に何れの場合にも形成される層中にハロゲン
原子を導入するには、前記のハロゲン化合物又は
前記のハロゲン原子を含む硅素化合物のガスを堆
積室中に導入して該ガスのプラズマ雰囲気を形成
してやれば良いものである。 又、水素原子を導入する場合には、水素原子導
入用の原料ガス、例えばH2前記したシラン類等
のガスをスパツタリング用の堆積室中に導入して
該ガスのプラズマ雰囲気を形成してやれば良い。
形成される非晶質層中に層厚方向に所望の分布状
態を以つて含有される窒素原子は、グロー放電
法、イオンプレーテイング法、或いは反応スパツ
タリング法によつて非晶質層を形成する場合に
は、窒素原子導入用の原料ガスを層の形成時に層
の成長に併せて所望の流量に従つて層形成用の堆
積室中に導入してやれば良い。 又、スパツタリング法によつて非晶質層１０３
を形成する場合には、上記の他、窒素原子導入用
のターゲツトを前記堆積室内に設けて置き、層の
成長に併せて前記ターゲツトをスパツタリングし
てやれば良い。 本発明に於いて、非晶質層１０３中に窒素原子
を含有させる為に使用される窒素原子導入用の原
料ガスとなる出発物質として有効に使用されるの
は、ガス状態の又は容易にガス化し得る窒素化合
物の多くのものを挙げることが出来る。その様な
出発物質として、例えばＮを構成原子とする或い
はＨとＮとを構成原子とする例えば窒素（N2）、
アンモニア（NH3）、ヒドラジン（H2NNH2）、ア
ジ化水素（HN3）、アジ化アンモニウム
（NH4N3）等のガス状の又はガス化し得る窒素、窒
素化物及びアジ化物等の窒素化合物を挙げること
が出来る。この他に窒素原子の導入に加えて、ハ
ロゲン原子の導入も行えるという点から、三弗化
窒素（F3N）、四弗化窒素（F4N2）等のハロゲン化
窒素化合物を挙げることが出来る。 スパツタリング法によつて窒素原子の導入され
た非晶質層１０３を形成するには、単結晶又は多
結晶のSiウエーハー又はSi3N4ウエーハー又はSi
とSi3N4が混合されて含有されているウエーハー
をターゲツトとして、これ等を種々のガス雰囲気
中でスパツタリングするか、或いは単結晶又は多
結晶のSiウエーハーを炭素原子導入用の原料ガス
の雰囲気中でスパツタリングすれば良い。 例えば、Siウエーハーをターゲツトとして使用
すれば、窒素原子と必要に応じて水素原子又は／
及びハロゲン原子を導入する為の原料ガス、例え
ばH2とN2、又はNH3を必要に応じて稀釈ガスで
稀釈してスパツタ用の堆積室中に導入し、これ等
のガスのガスプラズマを形成して前記Siウエーハ
ーをスパツタリングすれば良い。 又、別にはSiとSi3N4とは別々のターゲツトと
して、又はSiとSi3N4の混合して形成した一枚の
ターゲツトを使用することによつて、スパツタリ
ング用のガスとしての稀釈ガスの雰囲気中で又は
少なくともＨ原子及び／又はＸ原子を含有するガ
ス雰囲気中でスパツタリングすることによつて成
される。 本発明に於いては、非晶質層１０３中には、窒
素原子の導入による効果と同様の効果を得る目的
で、窒素原子に加えて炭素原子又は／及び酸素原
子を導入することが出来る。 炭素原子又は酸素原子導入用の原料ガスと成り
得る出発物質としては、障壁層形成用の出発物質
として前記しものが有効な出発物質として採用さ
れる他、例えば、酸素（O2）、オゾン（O3）、一
酸化炭素（CO）、二酸化炭素（CO2）、一酸化窒
素（NO）、二酸化窒素（NO2）、一二酸化窒素
（N2O4）、三二酸化窒素（N2O3）、四二酸化窒素
（N2O4）、五二酸化窒素（N2O5）、三化窒素
（NO3）、SiとＯとＨとを構成原子とする、例えば
ジシロキサンH3SiOSiH8、トリシロキサン
H3SiOSiH2OSiH3等の低級シロキサン等も挙げる
ことが出来る。 本発明においては、非晶質層を形成する際に使
用されるハロゲン原子導入用の原料ガスとして前
記されたハロゲン化合物あるいはハロゲンを含む
硅素化合物が有効なものとして使用されるもので
あるが、そのほかに、HF、HCl、HBr、HI等の
ハロゲン化水素、SiH2F2、SiH3Cl2、SiHCl3、
SiH2Br2、SiHBr3等のハロゲン置換水素化硅素
等々のガス状態の或いはガス化し得る水素原子を
構成要素の１つとするハロゲン化物も有効な非晶
質層形成用の出発物質として挙げる事が出来る。 これらの水素原子を含むハロゲン化物は、非晶
質層形成の際に層中にハロゲン原子の導入と同時
に電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効な
水素原子も導入されるので、本発明においては好
適なハロゲン導入用の原料として使用される。 水素原子を非晶質層中に構造的に導入するに
は、上記の他にH2、或いはSiH4、Si2H6、
Si3H8、Si4H10等の水素化硅素のガスをSiを生成
する為のシリコン化合物と堆積室中に共存させて
放電を生起させる事でも行う事が出来る。 例えば、反応スパツタリング法の場合には、Si
ターゲツトを使用し、ハロゲン原子導入用のガス
及びH2ガスを必要に応じてHe、Ar等の不活性ガ
スも含めて堆積室内に導入してプラズマ雰囲気を
形成し、前記Siターゲツトをスパツタリングする
事によつて、所定の特性を有し、主としてＡ−Si
（Ｈ、ｘ）から成る非晶質層が形成される。 更には、不純物のドーピングを兼ねてB2H6、
PH3、PF3等のガスを導入してやることも出来
る。 本発明に於いて、形成される光導電部材の非晶
質層中に含有されるＨ又はＸの量又は（Ｈ＋Ｘ）
の量は通常の場合１〜40原子％、好適には５〜30
原子％とされるのが望ましい。 層中に含有されるＨ又は／及びＸの量を制御す
るには、例えば堆積支持体温度又は／及びＨを含
有させるために使用される出発物質の堆積装置系
内へ導入する量、放電電力等を制御してやれば良
い。非晶質層をｎ型傾向またはｐ型傾向あるいは
ｉ型とするには、グロー放電法や反応スパツタリ
ング法等による層形成の際に、ｎ型不純物または
ｐ型不純物、あるいは両不純を形成される層中に
その量を制御し乍らドーピングしてやる事によつ
て成される。 非晶質層中にドーピングされる不純物として
は、非晶質層をｉ型又はｐ型傾向にするには、周
期律表第族Ａの元素、例えばＢ、Al、Ca、
In、Tl等が好適なものとして挙げられる。 ｎ型傾向にする場合には、周期律表第族Ａの
元素、例えばＮ、Ｐ、As、Sb、Bi等が好適なも
のとして挙げられる。 本発明に於いて所望の伝導型を有する為に非晶
質層中に導入される不純物の量としては、周期律
表第族Ａの不純物の場合は３×10-2原子％以下
の量範囲でドーピングしてやれば良く、周期律表
第族Ａの不純物の場合には５×10-3原子％以下
の量範囲でドーピングしてやれば良い。 非晶質層の層厚は、非晶質層中で発生されるフ
オトキヤリアが効率良く所定の方向に輸送される
様に所望に従つて適宜決められ、通常は１〜100
μ、好適には５〜50μとされる。 実施例 １ 厚さ１mmで10cm×10cmの鏡面仕上げされたアル
ミニウム合金52S（Si、Mg、Crを含有する）の
基板にアルカリ及び酸洗浄を施した後、純水によ
つて洗浄を施した。この基板を５ｇ／の硫酸ア
ルミニウムが添加された７％の硫酸溶液に於て温
度18℃の条件で陽極酸化を施した。約５分間陽極
酸化を施した後、基板を硫酸溶液より引き上げ速
やかに沸騰した純水槽に浸した。約10分間の後に
基板を純水槽より引き上げた。このようにして処
理されたアルミニウム合金基板上の被覆層の厚さ
は約0.8μあつた。 このアルミニウム合金基板を使用し、完全にシ
ールドされたクリーンルーム中に設置された第６
図に示す装置を用い、以下の如き操作によつて電
子写真用像形成部材を作製した。 基板６０９は、固定部材６０３内の加熱ヒータ
６０８によつて±0.5℃の精度で加熱される。温
度は、熱電対（アルメルークロメル）によつて基
板裏面を直接測定されるようになされた。次いで
系内の全バルブが閉じられていることを確認して
からメインバルブ６１０を全開して、室６０１内
が排気され約５×10-6Torrの真空度にした。そ
の後ヒータ６０８の入力電圧を上昇させ、モリプ
デン基板温度を検知しながら入力電圧を変化さ
せ、250℃の一定値になるまで安定させた。 その後、補助バルブ６４１次いで流出バルブ６
２６，６２７，６２９および流入バルブ６２１，
６２２，６２４を全開し、マスフローコントロー
ラ６１６，６１７，６１９内も十分脱気真空状態
にされた。補助バルブ６４１、バルブ６２６，６
２７，６２９，６２１，６２２，６２４を閉じた
後、H2で10vol％に稀釈されたSiH4ガス（純度
99.999％、以下「SiH4(10)／H2」と略す）ボンベ
６１１のバルブ６３１、H2で0.1vol％に稀釈され
たNH3ガス（純度99.999％、以下「NH3（0.1）／
H2」と略す。）ボンベ６１２のバルブ６３２を開
け、出口圧ゲージ６３６，６３７の圧を１Kg／cm2
に調整し、流入バルブ６２１，６２２を徐々に開
けてマスフローコントローラ６１６，６１７内で
SiH4(10)／H2ガスを流入させた。引続いて、流出
バルブ６２６，６２７を徐々に開け、次いで補助
バルブ６４１を徐々に開けた。このときSiH4
(10)／H2ガス流量とNH3（0.1）／H2ガス流量比が
10：0.3になるようにマスフローコントローラ６
１６，６１７を調整した。次にピラニーゲージ６
４２の読みを注視しながら補助バルブ６４１の開
口を調整し、室６０１内が１×10-2Torrになる
まで補助バルブ６４１を開けた。室６０１内圧が
安定してからメインバルブ６１０を徐々に閉じ、
ピピラニーゲージ６４２の指示が0.1Torrになる
まで開口を絞つた。 ガス流入が安定し内圧が安定するのを確認し続
いて高周波電源６４３のスイツチをON状態にし
てシヤツタ（電極を兼ねる。）６０５を閉にして
電極６０３、シヤツタ６０５間に13.56MHzの高
周波電力を投入し室３０１内にグロー放電を発生
させ、10Wの入力電力とした。上記条件を３時間
保つて非晶質を構成する下部領域層を形成した。
その後、高周波電源６４３をOFF状態とし、グ
ロー放電を中止させた状態で流出バルブ６２７を
閉じ、次にNH3ガス（純度99.999％）ボンベ６１
４からバルブ６３４を通じて１Kg／cm2のガス圧
（出口圧ゲージ６３９の読み）で、流入バルブ６
２４、流出バルブ６２９を徐々に開いてマスフロ
ーコントローラ６１９にNH3ガスを流しマスフロ
ーコントローラ６１９の調整によつてNH3ガス
が、SiH4(10)／H2ガス流量の１／10になる様に
し、安定化させた。 引つづいき、再び高周波電源６４３をON状態
にして、グロー放電を再開させた。そのときの入
力電力を3Wにした。こうしてグロー放電を更に
10分間持続させて非晶質層を構成する上部領域層
を600Åの厚さに形成した後、加熱ヒータ６０８
をOFF状態にし、高周波電源６４８もOFF状態
とし、基板温度が100℃になるの待つてから流出
バルブ６２６，６２９及び流入バルブ６２１，６
２２，６２４を閉じ、メインバルブ６１０を全開
にして、室６０１内を10-5Torr以下にした後、
メインバルブ６１０を閉じ室６０１内をリークバ
ルブ６０６によつて大気圧として基板をとり出し
た。この場合、形成された層の全厚は約９μであ
つた。こうして得られた像形成部材を、帯電露光
実験装置に設置し、5.5KVで0.2sec間コロナ帯
電を行い、直ちに光像を照射した。光像はタング
ステンランプ光源を用い、1.0 lux・secの光量を
透過型のテストチートを通して照射させた。 その後直ちに、荷電性の現像剤（トナーとキ
ヤリアを含む）を部材表面にカスケードすること
によつて、部材表面上に良好なトナー画像を得
た。部材上のトナー画像を5.0KVのコロナ帯電
で転写紙上に転写した処、解像力に優れ階調再現
性のよい鮮明な高濃度の画像が得られた。 実施例 ２ 厚さ１mmで10cm×10cmの鏡面仕上げれたアルミ
ニウム合金61S（Cu、Si、Crを含有する）の基板
を、実施例１に於けると全く同様の陽極酸化処理
を施した後、充分に乾燥させた後、３気圧の過熱
水蒸気槽に20分間放置した。この基板を用い実施
例１と全く同様な方法で像形成部材を形成し、画
像性、耐久性を評価したところ共に良好な結果が
得られた。 実施例 ３ 陽極酸化時間を変えることによつて、基板表面
皮膜層の膜厚を変える以外は、実施例１と全く同
様な方法で、光導電性の非晶質層の形成を行い、
更に画像性、繰り反特性を評価したところ第１表
に示される結果を得た。ここで、現像は磁気ブラ
シ現線を用い、各感光体に対して最も良好な画像
を与える現像バイアス値が選択された。
外線、可視光線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示
す）の様な電磁波に感受性があり、画像形成分野
に於いて使用される電子写真用像形成部材に関す
る。 〔従来の技術〕 電子写真用像形成部材に於ける光導電層を構成
する光導電材料には、Se、Se−Te、CdS、
ZnO、或いはPVCzやTNF等のOPC材料が良く知
られているが、最近、例えば独国公開第2746967
号公報、同第2855718号公報に記載されてある様
に、光感度、分光波長領域、光応答性、暗抵抗等
の点に於いて他の光導電材料に較べて遜色ない特
性を有し、加えて非晶質にも拘らずｐ−ｎ制御が
容易に行える、人体に対して無公害である等の点
で、アモルフアスシリコン（以後Ａ−Siと表記す
る）が有望な光導電材料として注目を集めてい
る。 〔解決すべき問題点〕 この様にＡ−Siは他の光導電材料よりも多くの
点で優れた特性を有しており、電子写真用像形成
部材への適用としてその実用化が急速に進められ
ているが、未だ解決される可き点も残されてい
る。 例えば、場合によつてはその使用時に於いて、
残留電位が残る場合があり、繰返し使用を長時間
行うと疲労の蓄積が起こり、ゴースト現象を引起
す様になる、転写画像中に白抜けが生ずる等の不
都合が生ずる。 更には、層厚が十数μ以上になると層形成用の
真空堆積室から取り出した後、空気中での放置時
間の経過と共に、支持体表面からの層の浮きや剥
離、或いは層の亀裂が生ずる等の現象を引起し勝
ちになる、この現象は、殊に支持体が通常電子写
真分野に於いて使用されているドラム状支持体の
場合に多く起こる等、経時的安定性の点に於いて
解決さる可き点がある。 又、他方、例えば本発明者等の多くの実験によ
れば、電子写真用像形成部材の光導電層を構成す
る材料としてのＡ−Siは、従来のSe、CdS、ZnO
或いはPVCzやTNF等のCPC（有機光導電部材）
に較べて、数多くの利点を有するが、従来の太陽
電池用として使用する為の特性が付与されたＡ−
Siから成る単層構成の光導電層を有する電子写真
用像形成部材の上記光導電層に静電像形成の為の
帯電処理を施しても暗減衰（dark decay）が著
しく速く、通常の電子写真法が仲々適用され難い
事、及び多湿雰囲気中に於いては、上記傾向が著
しく、場合によつては現像時間まで帯電電荷を全
く保持し得ない事がある等、解決され得る可き点
が存在している事が判明している。 従つて、Ａ−Si材料そのものの特性改良が計ら
れる一方で光導電部材を設計する際に、上記した
様な所望の電気的、光学的及び光導電的特性が得
られる様に工夫される必要がある。 〔概略及び目的〕 本発明は上記の諸点の鑑み成されたもので、Ａ
−Siに就て電子写真用像形成部材としての適応性
とその応用性という観点から総括的に鋭意研究検
討を続けた結果、シリコン原子を母体とし、水素
原子(H)及びハロゲン原子（Ｘ）のいずれか一方を
少なくとも含有するアモルフアス材料（非晶質材
料）、所謂水素化アモルフアスシリコン、ハロゲ
ン化アモルフアスシリコン、或いはハロゲン含有
水素化アモルフアスシリコン〔以後これ等の総称
的表記として「Ａ−Si（Ｈ、Ｘ）」を使用する〕
から構成され、光導電性を示す非晶質層の層構成
を特定化して、以降に詳述される支持体上に該層
を設けることで得られる電子写真用像形成部材は
実用的に充分使用し得るばかりでなく、従来のと
較べてみても殆んどの点に於いて凌駕しているこ
と、殊に電子写真用として光感度及び画質安定性
に於いて著しく優れた特性を有していることを見
出した点に基いている。 本発明は電気的、光学的、光導電的特性が常時
安定していて、殆んど使用環境に制限を受けない
全環境型であり、耐光疲労に著しく長け、繰返し
使用に際しても劣化現象を起さず、残留電位が全
く又は殆んど観測されない電子写真用像形成部材
を提供することを主たる目的とする。 本発明の別の目的、全可視光域に於いて光感度
が高く、且つ光応答性の速い電子写真用部材を提
供することである。 本発明の他の目的は、通常の電子写真法が極め
て有効に適用され得る程度に、静電像形成の為の
帯電処理の際の電荷保持能が充分あり、且つ多湿
雰囲気中でもその特性の低下が殆んど観測されな
い優れた電子写真特性を有する電子写真用像形成
部材を提供することである。 本発明の更に他の目的は、濃度が高くハーフト
ーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い高品質画像
を得る事が容易に出来る電子写真用の光導電部材
を提供することである。 〔問題点を解決すべき手段〕 本発明の電子写真用像形成部材は化学構造的に
水を含む酸化アルミニウムから成る表面を有する
電子写真用の支持体と、水素原子(H)及びハロゲン
原子（Ｘ）の少なくともいずれか一方を含み、シ
リコン原子を母体とする非晶質材料〔Ａ−Si
（Ｈ、Ｘ）〕で構成され、光導電性を示す非晶質層
とを有し、該非晶質層は少なくともその一部に、
前記支持体の表面に略々平行な面内では実質的に
均一であり層厚方向には不均一で且つ前記支持体
とは反対の表面側の方に多く分布した状態で窒素
原子を含有する層領域を有し、該窒素原子の含有
量が0.02〜30原子％であり且つ、その層厚方向の
分布濃度の最大値が0.1〜60原子％である事を特
徴とする。 〔作用〕 上記した様な構成を取る様にして設計された電
子写真用像形成部材は、前記した諸問題の総てを
解決し得、極めてすぐれた電気的、光学的、光導
電的特性及び使用環境特性を示す。 殊に、電子写真用像形成部材として帯電処理の
際の電荷保持能に長け、画像形成への残留電位の
影響が全くなく、多湿雰囲気中でもその電気的特
性が安定しており高感度で、高SN比を有するも
のであつて耐光疲労、繰返し使用性に著しく長
け、濃度が高くハーフトーンが鮮明に出て、且つ
解像度の高い高品質の可視画像を常時安定的に得
る事が出来る。更には、支持体からの浮き、剥離
或いは層亀裂が生ぜず機械的及び電気的接触及び
密着性に優れている。長時間の繰返し使用に於い
ても、初期の特性の低下は見られない等々の長所
を有するものである。 〔実施態様例〕 以下、図面に従つて本発明の電子写真用像形成
部材に就て詳細に説明する。 第１図は、本発明の電子写真用としての光導電
部材の基本的な構成例を説明する為に模式的に示
した模式的構成図である。 第１図に示す光導電部材１００は、化学構造的
に水を含む酸化アリミニウムから成る表面を有す
る電子写真用としての支持体１０１の上に、必要
に応じて設けられる障壁層１０２、前記支持体１
０１又は該障壁層１０２に直接接触した状態に設
けられ、光導電性を示す非晶質層１０３とで構成
され、該非晶質層１０３は少なくともその一部に
窒素原子を含有する層領域を有し、該層領域に於
ける窒素原子の分布が前記支持体１０１の表面に
略々平行な面内では実質的に均一であり、層の厚
み方向には、不均一であつて、前記層領域に含有
されている窒素原子が前記支持体１０１とは反対
の表面側の方に多く分布し、窒素原子の含有量
Ctが0.02〜30原子％であり、且つその層厚方向の
分布濃度の最大値Cmaxが前記支持体１０１とは
反対の表面又は該表面の極く近傍に存し、Cmax
が0.1〜60原子％とされている。支持体１０１
は、少なくともその表面に化学構造的に水を含む
酸化アルミニウム皮膜を有するものであるが、斯
かる皮膜は最も端的には電子写真用として加工成
型した後適当な予備処理が施された純アルミニウ
ム又はアルミニウム合金の基体の表面に陽極酸化
処理を施し、次いで必要に応じて適当な前処理を
行つた後に、沸騰水処理又は蒸気処理を施すこと
によつてAl2O3・H2O又はAl2O3・3H2Oなる組成
のものとして得られる。 陽極酸化処理としては電気的絶縁耐力に優れた
皮膜が形成される方法が採用され、例えば蓚酸
法、硫酸法、クロム酸法を挙げることが出来る。 例えば蓚酸法としては、使用される電解液は例
えば１〜３％の蓚酸または蓚酸塩溶液、１〜
３％のマロン酸又はその塩類の溶液、蓚酸35
ｇ、KMnO4 １ｇの割合でこれ等を１の水に溶
解したもの等が挙げられる。 この場合の電流密度及び電圧は、使用される電
解液及び被処理材料等によつて適宜決められるも
のであるが、電流密度としては３〜20Amp／ｄ
cm2、電圧として40〜120volts程度とされる。 又、陽極酸化中の浴槽の温度としては、10〜30
℃程度の範囲とされる。 硫酸法の場合には、電解液を10〜70％の間に変
え、且つ電圧を10〜15voltsに保つて、処理時間
を10〜15分の間に変えることによつて、特性の異
なる皮膜を形成することができる。 この場合の使用電力としては、0.5〜2KWh／
m2の間に変化し、処理温度は15〜30℃程度とされ
る。 例えば、強くて硬い皮膜を作る場合には、硫酸
５％とグリセリン５％の液を用い、12〜15volts
で20〜40分間処理すれば良い。又、逆に柔軟性に
富む皮膜を得る場合には硫酸25％とグリセリン20
％の溶液を用い12℃〜30℃で、15voltsの電圧で
30〜60分間処理すれば良い。更には硫酸５〜10％
の溶液に多少のAl2（SO4）3を溶解した電解溶液
を使用して、液槽温度15〜20℃程度で行うことも
出来る。これ等の場合の使用電力としては、１m2
当り硬い皮膜を得る場合には2KWh程度、軟らか
い皮膜を得る場合には0.5〜1KWh程度である。
形成される皮膜の電気絶縁耐力を最大限にするに
は、液の濃度を60〜77％H2SO4とし、溶液の容積
15に対して１の割合のグリセリンを添加し、液槽
の温度を20〜30℃とし、電圧を約12volts、電流
密度0.1〜1.0Amp／ｄm2の条件下で処理すれば良
い。 上記の様な方法によつて陽極酸化処理された基
体は、洗滌等の適当な前処理を必要に応じて行つ
た後、最終的な形態の皮膜を形成する為に沸騰水
処理又は水蒸気処理が施される。 沸騰水処理は、脱塩してPHを５〜９に調整され
た水を80〜100℃程度に加熱された中に、前記陽
極酸化処理した基体を浸漬させれば良い。蒸気処
理法としては、予め沸騰水で良く洗滌し、更に
TiCl3、SnCl2、FeSO4等の還元性水溶液で処理し
て、皮膜に附着している電解液の成分を完全に除
去した後、４〜5.6Kg／cm2程度の過熱水蒸気中に
前記の陽極酸化された基体を適当時間保持すれば
良い。 本発明に於いて、所望特性とその上に形成され
る光導電層との良好なマツチングが得られる様な
皮膜が形成されるアルミニウム合金材料として
は、Al−Mg−Si系、Al−Mg系、Al−Mg−Mn
系、Al−Mn系、Al−Mg系、Al−Mg−Si系、Al
−Mg−Mn系、Al−Cu−Mg系、Al−Cu−Ni系、
Al−Cu系、Al−Si系、Al−Cu系、Al−Cu−Zn
系、Al−Cu−Ni系、Al−Si系、Al−Cu−Si系、
Al−Mg−Si系、等を挙げることが出来る。具体
的には、例えば、A51S、61S、63S、Aludur、
Legal、Anticodal、Pantal、SilalV、RS、52S、
56S、Hydroalium、BS−Seewasser、4S、KS−
Seewasser、3S、14S、17S、24S、Ｙ合金、
NS、RS、Silumin、アメリカ合金、ドイツ合
金、Kupfer−Silumin、Silumin−Gamma等の製
品規格名で市販されているものを挙げることが出
来る。 本発明に於ける支持体表面上に設けられる水を
化学構造的に含む皮膜の膜厚としては、その上に
形成される光導電層の特性及びその構成材料、層
厚等との相関関係に於いて所望に従つて適宜決定
されるものであるが、通常の場合0.05〜10μ、好
適には0.1〜５μ、最適には0.2〜２μとされるの
が望ましいものである。 障壁層１０２は支持体１０１の側から非晶質層
１０３側方向か又は非晶質層１０３側から支持体
１０１側方向へのフリーキヤリアの流入を効果的
に阻止し且つ電磁波照射時に於いて電磁波の照射
によつて非晶質層１０３中に生じ、支持体１０１
の側に向つて移動するフオトキヤリアの非晶質層
１０３の側から支持体１０１の側への通過を容易
に許す機能を有するものである。 障壁層１０２は、上記の様な機能を有するもの
であるが、支持体１０１と非晶質層１０３との間
で形成される界面に於いて、上記の様な障壁層１
０２と同様な機能が充分発揮されるのであれば、
本発明に於いては、障壁層１０２を強いて設ける
必要はない。 障壁層１０２は、シリコン原子を母体とし、炭
素原子、酸素原子、窒素原子の中から選択される
原子の少なくとも一種と、必要に応じて水素原子
又はハロゲン原子の少なくともいずれか一方とを
含む非晶質材料〈これ等を総称してＡ−〔Six
（Ｃ、Ｎ、Ｏ）１−ｘ〕ｙ（Ｈ、Ｘ）１−ｙと表
記する（但し、０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）〉又
は、電気絶縁性の金属酸化物或いは電気絶縁性の
有機化合物で構成される。 本発明に於いて、上記障壁層１０２中に含有さ
れるハロゲン原子（Ｘ）として好適なのは、Ｆ、
Cl、Br、Ｉであり、殊にＦ、Clが望ましいもの
である。 上記障壁層１０２を構成する非晶質材料として
有効に使用されるものとして具体的には、例えば
炭素系の非晶質材としてＡ−SiaC1-a、Ａ−
（SibC1-b）cＨ1-c、Ａ−（SidC1-d）eＸ1-e、Ａ−
（SifC1-f）g（Ｈ＋Ｘ）1-g、窒素系の非晶質材料と
してＡ−SihN1-h、Ａ−（SiiN1-i）jＨ1-j、Ａ−
（SikN1-k）lＸ1-l、Ａ−（SinN1-n）o（Ｈ＋Ｘ）1-o、
酸素系の非晶質材料としてＡ−（SipO1-p）gＨ1-g
等、更には上記の非晶質材料に於いて、Ｃ、Ｏ及
びＮの中の２種の原子を構成原子として含む非晶
質材料を挙げることが出来る。（但し０＜ａ、
ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆ、ｇ、ｈ、ｉ、ｊ、ｋ、ｌ、
ｍ、ｎ、ｐ、ｑ、＜１）。 これ等の非晶質材料は層構成の最適化設計に依
る障壁層１０２に要求される特性及び該障壁層１
０２上に積重される非晶質層１０３との連続的作
成の容易さ等によつて適宜最適なものが選択され
る。殊に特性面からすれば炭素系の非晶質材料を
選択するのがより好ましいものである。 障壁層１０２を上記の非晶質材料で構成する場
合の層形成法としてはグロー放電法、スパツタリ
ング法、イオンインプランテーシヨン法、イオン
プレーテイング法、エレクトロンビーム法等によ
つて成される。 グロー放電法によつて障壁層１０２を形成する
には、前記非晶質材料形成用の原料ガスを必要に
応じて稀釈ガスと所定量の混合比で混合して、支
持体１０１に設置してある真空堆積用の堆積室に
導入し、導入させたガスをグロー放電を生起させ
ることでガスプラズマ化して前記支持体１０１上
に前記の非晶質材料を堆積させれば良い。 本発明に於いて、炭素系の非晶質材料で構成さ
れる障壁層１０２を形成する為の原料ガスとして
有効に使用用されるのは、SiとＨとを構成原子と
するSiH4、Si2H6、Si3H8、Si4H10等のシラン
（Silane）類等の水素硅素ガス、ＣとＨとを構成
原子とする、例えば炭素数１〜５の飽和炭化水
素、炭素数２〜５のエチレン系炭化水素、炭素数
２〜４のアセチレン系炭化水素等が挙げられる。 具体的には、飽和炭化水素としてメタン
（CH4）、エタン（C2H6）、プロパン（C3H8）、ｎ
−ブタン（ｎ−C4H10）、ペンタン（C5H12）、エ
チレン系炭化水素としては、エチレン（C2H4）、
プロピレン（C3H6）、ブテン−１（C4H8）、ブテ
ン−２（C4H8）、イソブチレン（C4H8）、ペンテ
ン（C5H10）、アセチレン系炭化水素としては、
アセチレン（C2H2）、メチルアセチレン
（C3H4）、ブチン（C4H6）等が挙げられる。 SiとＣとＨとを構成原子とする原料ガスとして
は、Si（CH3）4、Si（C2H5）4等のケイ化アルキル
を挙げることが出来る。これ等の原料ガスの他、
Ｈ導入用の原料ガスとしては勿論H2も有効なも
のとして使用される。 障壁層１０２をハロゲン原子を含む炭素系の非
晶質材料で構成する為の層形成用の原料ガスの中
でハロゲン原子導入用の原料ガスとしては、例え
ばハロゲン単体、ハロゲン化水素、ハロゲン間化
合物、ハロゲン化硅素、ハロゲン置換水素化硅
素、水素化硅素等を挙げる事が出来る。具体的に
はハロゲン単体としては、フツ素、塩素、臭素、
ヨウ素のハロゲンガス、ハロゲン化水素として
は、FH、HI、HCl、HBr、ハロゲン間化合物と
しては、BrF、ClF、ClF3、ClF5、BrF3、IF7、
IF5、IFl、IBr、ハロゲン硅素としては、SiF4、
Si2F6、SiCl、SiCl3Br、SiCl2Br2、SiClBr3、
SiClI、SiBr4、ハロゲン置換水素化硅素として
は、SiH2F2、SiH2Cl2、SiHCl3、SiH3Cl、
SiH3Br、SiH2Br2、SiHBr3、水素化硅素として
は、SiH4、Si2H6、Si3H8、Si4H10等のシラン
（Silane）類、等々を挙げることが出来る。 これ等の他に、CCl4、CHF3、CH2F2、
CH3F、CH3Cl、CH3Br、CH3I、C2H5Cl等のハロ
ゲン置換パラフイン系炭化水素、SF4、SF6等の
フツ素化硫黄化合物、Si（CH3）4、Si（C2H5）4等
のケイ化アルキルやSiCl（CH3）3、SiCl2
（CH3）2、SiCl3CH3等のハロゲン含有ケイ化アル
キル等のシランの誘導体も有効なものとして挙げ
ることが出来る。 これ等の障壁層形成物質は、形成される障壁層
中に所定の組成比でシリコン原子、炭素原子及び
必要に応じてハロゲン原子及び水素原子とが含有
される様に、障壁層形成の際に所望に従つて選択
されて使用される。 例えば、シリコン原子と炭素原子と水素原子と
の含有が容易に成し得て、且つ所望の特性の障壁
層が形成され得るSi（CH3）4とハロゲン原子を含
有させるものとしてのSiHCl3、SiCl4、SiH2Cl2、
あるいはSiH3Cl等を所定の混合比でガス状態で
障壁層形成用の装置系内に導入してグロー放電を
生起させることによつて、Ａ−（SifC1-f）g（Ｘ＋
Ｈ）1-gから成る障壁層を形成することが出来る。 窒素系の非晶質材料で障壁層１０２を構成する
のにグロー放電法を採用する場合には、先に挙げ
た障壁層形成用の物質の中から所望に応じたもの
を選択し、それに加えて次の窒素原子導入用の原
料ガスを使用すれば良い。すなわち、障壁層１０
２形成用の窒素原子導入用の原料ガスに成り得る
ものとして有効に使用される出発物質は、Ｎを構
成原子とする或いはＮとＨとを構成原子とする例
えば窒素（N2）、アンモニア（NH3）、ヒドラジン
（H2NNH2）、アジン化水素（NH3）、アジ化アン
モニウム（NH4N3）等のガス状の又はガス化し得
る窒素、窒化物及びアジ化物等の窒素化合物を挙
げることが出来る。この他に、窒素原子の導入に
加えてハロゲン原子の導入も行えるという点か
ら、三弗化窒素（F3N）、四弗化窒素（F4N2）等の
ハロゲン化窒素化合物を挙げることが出来る。 上記したように、グロー放電法によて障壁層１
０２を形成する場合には、障壁層形成用の出発物
質を上記した物質の中より種々選択して使用する
ことにより、所望特性を有する所望構成材料で構
成された障壁層１０２を形成することが出来る。
障壁層１０２をグロー放電法で形成する場合の出
発物質の組合せで良好なものとして具体的には、
例えば、Si（CH3）4、SiCl（CH3）2等の単独ガス
またはSiH4−NH3系、SiCl4−NH4系、SiH4−N2
系、Si（CH3）4−SiH4系、SiCl2（CH3）2−SiH4系
等の混合ガスを挙げることが出来る。 スパツタリング法によつて炭素系の非晶質材料
で構成される障壁層１０２を形成するには、単結
晶又は多結晶のSiウエーハー又はＣウエーハー又
はSiとＣが混合されて含有されているウエーハー
をターゲツトとして、これ等を種々のガス雰囲気
中でスパツタリングすることによつて行えば良
い。 例えば、Siウエーハーをターゲツトとして使用
するものであれば、炭素原子と水素原子(H)又はハ
ロゲン原子（Ｘ）を導入する為の原料ガスを必要
に応じて稀釈ガスで稀釈して、スパツタ用の堆積
室中に導入し、これ等のガスのガスプラズマを形
成して前記Siウエーハーをスパツタリングすれば
良い。 又、別には、SiとＣとは別々のターゲツトとし
て、又はSiとＣの混合した一枚のターゲツトを使
用することによつて、少なくとも水素原子(H)又は
ハロゲン原子（Ｘ）を含有するガス雰囲気中でス
パツタリングすることによつて成される。 炭素原子又は水素原子或いはハロゲン原子導入
用の原料ガスとしては、先述したグロー放電の例
で示した原料ガスが、スパツタリング法の場合に
も有効なガスとして使用され得る。 スパツタリング法によつて窒素系の非晶質材料
で構成される障壁層１０２を形成するには、単結
晶又は多結晶のSiウエーハー又はSi3N4ウエーハ
ー又はSiとSi3N4が混合されて含有されているウ
エーハーをターゲツトとして、これ等を種々のガ
ス雰囲気中でスパツタリングすることによつて行
えば良い。 例えば、Siウエーハーをターゲツトとして使用
すれば、窒素原子と必要に応じて水素原子又は／
及びハロゲン原子を導入する為の原料ガス、例え
ばH2とH2、又は、NH3を必要に応じて稀釈ガス
で稀釈して、スパツタ用の堆積室中に導入し、こ
れ等のガスのガスプラズマを形成して前記Siウエ
ーハーをスパツタリングすれば良い。 又、別にSiとSi3N4とは別々のターゲツトとし
て、又はSiとSi3N4の混合して形成した一枚のタ
ーゲツトを使用することによつて、スパツタ用の
ガスとしての稀釈ガス雰囲気中で又は少なくとも
Ｈ原子及び／又はＸ原子を含有するガス雰囲気中
でスパツタリングすることによつて成される。 Ｎ原子導入用の原料ガスと成り得るものとして
は、先述したグロー放電の例で示した障壁層形成
用の出発物質の中のＮ原子導入用の原料ガスが、
スパツタリングの場合にも有効なガスとして使用
され得る。 本発明に於いて、障壁層１０２をグロー放電法
又はスパツタリング法で形成する際に使用される
稀釈ガスとしては、所謂・希ガス、例えばHe、
Ne、Ar等を好適なものとして挙げることが出来
る。 障壁層１０２を前記の非晶質材料で構成する場
合には、その要求される特性が所望通りに与えら
れる様に注意深く形成される。 即ち、SiとＣ、Ｏ、Ｎの中の少なくとも１つ及
び必要に応じてＨ又は／及びＸを構成原子とする
物質はその作成条件によつて構造的には結晶から
アモルフアスまでの形態で取り、電気物性的には
導電性から半導電性、絶縁性までの間の性質を、
又光導電的性質から非光導電的性質までの間の性
質を各々示すので本発明に於いては非光導電性の
非晶質材料が形成される様に、その作成条件の選
択が厳密に成される。 障壁層１０２を構成する前記の非晶質材料は障
壁層１０２の機能が、支持体１０１側から非晶質
層１０３側へのフリーキヤリアの注入を阻止し、
且つ非晶質層１０３中で発生したフオトキヤリア
が移動して支持体１０１側に通過するのを容易に
許すことを果たすものであることから、電気絶縁
性的挙動を示すものとして形成される。 又、非晶質層１０３中で発生したフオトキヤリ
アが障壁層１０２中を通過する際、その通過がス
ムーズに成される程度に通過するキヤリアに対す
る易動度（mobility）の値を有するものとして障
壁層１０２が形成される。 上記の様な特性を有する前記の非晶質材料から
成る障壁層１０２が形成される為の層作成条件の
中の重要な要素として、層作成時の支持体温度を
挙げる事が出来る。 即ち、支持体１０１の表面に前記非晶質材料か
ら成る障壁層１０２を形成する際、層形成中の支
持体温度は形成される層の構造及び特性を左右す
る重要な因子であつて、本発明に於いては目的と
する特性を有する前記非晶質材料が所望通りに作
成され得る様に層作成時の支持体温度が厳密に制
御される。 障壁層１０２を形成する際の支持体温度として
は障壁層１０２の形成法に併せて適宜最適範囲が
選択されて、障壁層１０２の形成が実行されるが
通常の場合20℃〜300℃、好適には50℃〜250℃と
されるのが望ましいものである。障壁層１０２の
形成には、同一系内で障壁層１０２から非晶質層
１０３、更には必要に応じて非晶質層１０３上に
形成される第３の層まで連続的に形成する事が出
来る、各層を構成する原子の組成比の微妙な制御
や層厚の制御が他の方法に比べて比較的容易であ
る事等の為に、グロー放電法やスパツタリング法
の採用が有利であるが、これ等の層形成法で障壁
層１０２を形成する場合には、前記の支持体温度
と同様に層形成の際の放電パワー、ガス圧が作成
される障壁層１０２の特性を左右する重要な因子
として挙げることが出来る。その目的が達成され
る為の特性を有する障壁層１０２が生産性よく効
果的に作成される為の放電パワー条件としては通
常１〜300W、好適には２〜150Wである。又、堆
積室内のガス圧は通常３×10-3〜5Torr、好適に
は８×10-3〜0.5Torr程度とされるのが望まし
い。 障壁層１０２に含有される炭素原子、窒素原
子、酸素原子及び水素原子、ハロゲン原子の量は
障壁層１０２の作成条件と同様、所望の特性が得
られる障壁層が形成される重要な因子である。 障壁層１０２をＡ−SiaC1-aで構成する場合に
は炭素原子の含有量は、ａの表示では0.1〜0.4、
好適には0.2〜0.35、最適には0.25〜0.3とされ、
Ａ−（SibC1-b）cＨ-cで構成する場合には、ｂ、ｃ
の表示で示せば、ｂが通常は0.1〜0.5、好適には
0.1〜0.35、最適には0.15〜0.3、ｂが通常は0.60
〜0.99、好適には0.65〜0.98、最適には0.7〜0.95
とされ、Ａ−（SidC1-d）eＸ1-e又は、Ａ−
（SifC1-f）g（Ｈ＋Ｘ）1-gで構成される場合には、
ｄ、ｅ、ｆ、ｇの表示では、ｄ、ｆが通常は0.1
〜0.47、好適には0.1〜0.35、最適には0.15〜
0.3、ｅ、ｇが通常は0.8〜0.99、好適には0.85〜
0.99最適には0.85〜0.98とされる。 障壁層１０２を窒素系の非晶質材料で構成する
場合、先ずＡ−SihN1-hの場合には窒素原子の含
有量はｈの表示では通常は0.43〜0.60好適には
0.43〜0.50とされる。 Ａ−（SiiN1-i）jＨ1-jで構成する場合には、ｉ、
ｊで表示すれば、ｉとしては通常0.43〜0.6、好
適には0.43〜0.5、ｊとしては通常0.65〜0.98、好
適には0.7〜0.95とされ、Ａ−（SikN1-k）lＸ1-l又は
Ａ−（SinN1-n）o（Ｈ＋Ｘ）1-oで構成する場合には
ｋ、ｌ、ｍ、ｎの表示では、ｋ、ｌが通常0.43〜
0.60、好適には0.43〜0.49、ｍ、ｎが通常は0.8〜
0.99、好適には0.85〜0.98とされる。 障壁層１０２を構成する電気絶縁性の金属酸化
物としては、TiO2、Ce2O3、ZrO2、HfO2、
GeO2、CaO、BeO、P2O5、Y2O3、Cr2O3、
Al2O3、MgO、MgO・Al2O3、SiO2・MgO、等を
好ましいものとして挙げることが出来る。これ等
は２種以上を併用して障壁層１０２を形成しても
良いものである。 電気絶縁性の金属酸化物で構成される障壁層１
０２の形成は、真空蒸着法、CVD（chemical
vapour deposition）法、グロー法電分解法、ス
パツタリング法、イオンインプランテーシヨン
法、イオンプレーテイング法、エレクトロンビー
ム法等によつて成される。 例えば、スパツタリング法によつて障壁層１０
２を形成するには、障壁層形成用の出発物質のウ
エーハーをターゲツトとしてHe、Ne、Ar、等の
スパツタ用のガス雰囲気中でスパツタリングする
ことによつて行えば良い。 エレクトロンビーム法を用いる場合には障壁層
形成用の出発物質を蒸着ボート内に入れてエレク
トロンビームを照射して蒸着すればよいが、支持
体１０１から非晶質層１０３中へのキヤリアの流
入を阻止し、且つ非晶質層１０３中で発生したフ
オトキヤリアが移動して支持体１０１側に通過す
るのを容易に許すことを果たすものであることか
ら、電気絶縁性的挙動を示すものとして形成され
る。 障壁層１０２の層厚の数値範囲は、その目的を
効果的に達成する為の重要な因子の１つである。
障壁層１０２の層厚が充分過ぎる程に薄いと、支
持体１０１の側からの非晶質層１０３側方向への
フリーキヤリアの流入を阻止する働きが充分果た
し得なくなり、又充分過ぎる程以上に厚いと、非
晶質層１０３中に於いて生ずるフオトキヤリアの
支持体１０１の側への通過する確率が極めて小さ
くなり、従つていずれの場合にも本発明の目的を
効果的に達成され得なくなる。 上記の点に鑑みて本発明の目的を効果的に達成
する為の障壁層１０２の層厚としては、通常の場
合30−1000Å、好適には50〜600Åである。 本発明に於いて、その目的を効果的に達成する
様に支持体１０１上に設けられる非晶質層１０３
は下記に示す半導体特性を有するＡ−Si（Ｈ、
Ｘ）で構成され、その層厚方向に後述する様な分
布を以つて酸素原子がドーピングされる。 ｐ型Ａ−Si（Ｈ、Ｘ）………アクセスプター
のみを含むもの。或いは、ドナーとアクセプタ
ーとの両方を含み、アクセプターの濃度
（Na）が高いもの。 p-型Ａ−Si（Ｈ、Ｘ）………のタイプに
於いてアクセプターの濃度（Na）が低い所謂
ｐ型不純物をライトリードープしたもの。 ｎ型Ａ−Si（Ｈ、Ｘ）………ドナーのみを含
むもの。或いはドナーとアクセプターの両方を
含み、ドナー濃度（Nd）が高いもの。 n-型Ａ−Si（Ｈ、Ｘ）………のタイプに於
いてドナーの濃度（Nd）が低い、所謂ノンド
ープのものか又はｎ型不純物をライトリードー
プしたもの。 ｉ型Ａ−Si（Ｈ、Ｘ）………NaNdＯの
もの又は、NaNdのもの。 本発明において、非晶質層１０３中含有される
ハロゲン原子（Ｘ）としては、具体的にはフツ
素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられ、殊にフツ
素、塩素を好適なものとして挙げることが出来
る。 本発明の光導電部材１００に於いて、非晶質層
１０３中には、その分布が支持体１０１の表面に
略々平行な面内では実質的に均一であり、層の厚
み方向には不均一であつて、支持体１０１とは反
対の表面側（第１図に於いては、自由表面１０４
側）の方に多く分布し、その最大分布濃度Cmax
の位置が前記表面又は、その極近傍にある様に窒
素原子が含有されている層領域が形成される。第
２図乃至第５図には、非晶質層１０３中に含有さ
れる窒素原子の非晶質層１０３の層厚方向の分布
状態の典型例が示される。第２図乃至第５図に於
いて縦軸は、非晶質層１０３の層厚ｔを示し、ｔ
pは支持体１０１又は障壁層１０２等の他のもの
との非晶質層１０３の接触界面位置（下部表面）
を、ｔsは自由表面１０４側の非晶質層１０３の
界面位置（上部表面）（第１図に於いては自由表
面１０４と同位置である。）を各々表わし、ｔpか
らｔsに向うに従つて、層厚ｔの厚くなることを
示し、横軸は非晶質層１０３の層向方向の任意の
位置に於ける窒素原子の分布濃度Ｃを示し、矢印
方向に分布濃度の増大が示され、Cmaxは非晶質
層１０３中に於ける窒素原子の最大分布濃度を示
すものである。 第２図に示す例に於いては、非晶質層１０３中
に含有される窒素原子の該層１０３中での分布状
態は、下部表面位置ｔpより上部表面位置ｔsに至
るに従つて単調的に連続的に増大し、位置t1に於
いて最大分布濃度Cmaxに至り、その後表面位置
ｔsまでの間は、分布量Ｃに変動がなく、Cmaxの
値を維持している。第３図に於いて、ｔp附近に
於いては、窒素原子は全く含有されていないかの
様に示されているが、窒素原子量の検出限界以下
は、窒素原子が含有されていないのと同様に扱つ
ている為である。 従つて、本発明に於いては窒素原子の量が０と
示される層領域（例えば第３図に於けるｔpとt2
との間の層領域）は、窒素原子が全く含まれない
か又は、検出限界量未満含有されているものとし
て扱われる。現在のところ、我々の技術レベルに
於いては窒素原子量の検出限界は50原子ppmで
ある。 本発明の光導電部材に於いては、高光感度化と
安定した画質特性が得られる様に窒素原子の分布
状態は上部表面位置ｔsに近くなるに従つて分布
量が増大する様に非晶質層１０３中に窒素原子が
含有される。 第１図に示される様に作成される光導電部材１
００の非晶質層１０３が自由表面１０４を有する
場合には、上部表面位置ｔs近傍に於いて、窒素
原子の含有量を他の層領域に較べて著しく増大さ
せて、自由表面１０４に付与される電荷の保持能
を向上させる様に設けることができる。この場
合、斯かる層領域は所謂一種の障壁層の機能を果
たすものである。 この様に、非晶質層１０３の自由表面１０４近
傍に於いて、窒素原子の含有量を他の層領域に較
べて極端に多くして、上部障壁層を非晶質層１０
３中に形成する事も出来るが、又別には非晶質層
１０３の表面上に、障壁層１０２を構成する材料
と同様の材料を使用して上部障壁層を形成するこ
とも出来る。この際の上部障壁層の層厚として
は、通常は30Å〜５μ、好適には50Å〜２μとさ
れるのが望ましい。 第３図に示す例に於いては、非晶質層１０３の
下部側t0とt2の間の層領域には、窒素原子が全く
含まれないか、又は検出限界量未満しか含有され
ていないものであり、位置T2よりt3に至るに従つ
て、窒素原子の分布濃度は一次関数的又は一次関
数に近い関数的に単調増加し、位値t3に於いて、
最大分布濃度Cmaxに達する。t3とt2との間の層
領域に於いては、窒素原子は最大分布量Cmaxで
一様均一に含有されている。第４図に示す例に於
いては、非晶質層１０３の下部層領域（t0とt4と
の間）では、その分布濃度が一定量C1で一様均
一に窒素原子が含有されており、上部層領域（t4
とt3の間）では、最大分布濃度Cmaxで一様均一
に分布した状態で窒素原子が含有されていて、下
部層領域と上部層領域に於いて、その分布量が不
連続的になつている。 第５図に示される例に於いては、非晶質層１０
３の下部表面位置t0から位置t5に至るまでは、一
定の分布量C2で窒素原子が含有されており、位
置t5より位置t6に至るに従つて窒素原子の分布濃
度は徐々に増大し、位置t6より上部表面位置ｔs
に至るまでは、窒素原子の分布濃度は急激に増大
し、上部表面位置ｔsに至つて最大分布濃度Cmax
を取る様に、窒素原子が分布している。 本発明に於いては窒素原子の最大分布濃度
Cmaxは、通常は前記した様な値を取り得るもの
であるが、好適には0.2〜60原子％、最適には0.5
〜60原子％の範囲から選択されるのが望ましいも
のである。 本発明の光導電部材に於いて、非晶質層１０３
中に含有される窒素原子は、前記した様に非晶質
層１０３の層厚方向にその含有量の分布が不均一
であり、且つ上部表面位置ｔs又はｔs近傍に於い
て最大分布濃度Cmaxを有し、上部表面位置ｔsか
ら下部表面位置t0に向つて、分布量が減少する様
な分布状態が非晶質層１０３中の層厚方向に形成
される様に所望の分布状態関数に従つて、非晶質
層１０３中に添加されることによつて、本発明の
所期の目的が効果的に達成されるものであるが、
更に非晶質層１０３全体に於いての含有される窒
素原子の含有量も、本発明の所期の目的を達成す
るのに重要である。 本発明に於いて、非晶質層１０３中に含有され
る窒素原子の全量の値は、通常は前記した値を取
り得るものであり、更には好適には0.02〜20原子
％、最適には0.02〜10原子％の範囲から選択され
るのが望ましいものである。 本発明において、主としてＡ−Si（Ｈ、Ｘ）で
構成される非晶質層１０３を形成するには例えば
グロー放電法、スパツタリング法、或いはイオン
プレーテイング法等の放電現象を利用する真空堆
積法によつて成される。例えば、グロー放電法に
よつて非晶質層１０３を形成するには、Siを生成
し得るSi生成原料ガスと共に、水素原子導入用の
又は／及びハロゲン原子導入用の原料ガスを内部
が減圧にし得る堆積室内に導入して、該堆積室内
にグロー放電を生起させ、予め所定位置に設置さ
れてある所定に支持体表面上にＡ−Si（Ｈ、Ｘ）
から成る層を形成させれば良い。窒素原子を形成
される層中に導入するには、層の成長に併せて、
窒素原子導入用の原料ガスを層の形成時に前記堆
積室内に導入してやれば良い。又、スパツタリン
グ法で形成する場合には、例えばAr、He等の不
活性ガス又はこれ等のガスをベースとした混合ガ
スの雰囲気中でSiで形成されたターゲツトをスパ
ツタリングする際、水素原子又は／及びハロゲン
原子導入用のガスをスパツタリング用の堆積室に
導入してやればよい。 この際に於ける非晶質層１０３中の窒素原子の
導入法としては層の成長に併せて、窒素原子導入
用の原料ガスを層形成時に前記堆積室中に導入し
てやれるか、又は層形成時に予め堆積室中の設け
た窒素原子導入用のターゲツトをスパツタリング
してやることが挙げられる。 本発明に於いて非晶質層１０３を形成する際に
使用されるSi生成原料ガスとしては、SiH4、
Si2H6、Si3H8、Si4H10等のガス状態の又はガス化
し得る水素化硅素（シラン類）が有効に使用され
るものとして挙げられ、殊に層作成作業の際に扱
い易さ、Si生成効率の良さ等の点でSiH4、Si2H6
が好ましいものとして挙げられる。 本発明において非晶質層１０３を形成する際に
使用されるハロゲン原子導入用原料ガスとして有
効なのは多くのハロゲン化合物が挙げられ、例え
ばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化合
物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス
状態の又はガス化し得るハロゲン化合物が好まし
く挙げられる。 又、更にはシリコン原子とハロゲン原子とを構
成要素とするガス状態の又はガス化し得るハロゲ
ンを含む硅素化合物も有効なものとして本発明に
於いては挙げることが出来る。 本発明に於いて好適に使用し得るハロゲン化合
物としては、具体的にはフツ素、塩素、臭素、ヨ
ウ素のハロゲンガス、BrF、ClF、ClF3、BrF5、
BrF3、IF7、ICl、IBr、IF5等のハロゲン間化合物
を挙げることが出来る。 ハロゲンを含む硅素化合物、所謂ハロゲンで置
換されたシラン誘導体としては、具体的には例え
ばSiF4、Si2F6、SiCl4、SiBr4等のハロゲン化硅
素を好ましいものとして挙げることが出来る。 この様なハロゲンを含む硅素化合物を採用して
グロー放電法によつて本発明の特徴的な光導電部
材を形成する場合には、Siを生成し得る原料ガス
としての水素化硅素ガスを使用しなくとも、所定
の支持体上にＡ−Si：Ｘから成る非晶質層を形成
する事が出来る。 グロー放電法に従つて、ハロゲン原子を含む非
晶質層１０３を作成する場合、基本的にはSi生成
用の原料ガスであるハロゲン化硅素ガスとAr、
H2、He等の稀釈ガスとを所定の混合比とガス流
量になる様にして非晶質層を形成する堆積室内に
導入し、グロー放電を生起してこれ等のガスのプ
ラズマ雰囲気を形成することによつて、所定の支
持体上に非晶質層１０３を形成し得るものである
が、水素原子の導入を計る為にこれ等のガスに更
に水素原子を含む硅素化合物のガスの所定量混合
して層形成しても良い。 又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で
複数種混合して使用しても差支えないものであ
る。 反応スパツタリング法或いはイオンプレーテイ
ング法に依つて主としてＡ−Si（Ｈ、Ｘ）から成
る非晶質層１０３を形成するには、例えばスパツ
タリング法の場合にはSiから成るターゲツトを使
用して、これを使定のガスプラズマ雰囲気中でス
パツタリングし、イオンプレーテイング法の場合
には、多結晶シリコン又は単結晶シリコンを蒸発
源として蒸着ボートに収容し、このシリコン蒸発
源を抵抗加熱法、或いはエレクトロンビーム法
（EB法）等によつて加熱蒸発させ飛翔蒸発物を所
定のガスプラズマ雰囲気中を通過させる事で行う
事が出来る。 この際スパツタリング法、イオンプレーテイン
グ法に何れの場合にも形成される層中にハロゲン
原子を導入するには、前記のハロゲン化合物又は
前記のハロゲン原子を含む硅素化合物のガスを堆
積室中に導入して該ガスのプラズマ雰囲気を形成
してやれば良いものである。 又、水素原子を導入する場合には、水素原子導
入用の原料ガス、例えばH2前記したシラン類等
のガスをスパツタリング用の堆積室中に導入して
該ガスのプラズマ雰囲気を形成してやれば良い。
形成される非晶質層中に層厚方向に所望の分布状
態を以つて含有される窒素原子は、グロー放電
法、イオンプレーテイング法、或いは反応スパツ
タリング法によつて非晶質層を形成する場合に
は、窒素原子導入用の原料ガスを層の形成時に層
の成長に併せて所望の流量に従つて層形成用の堆
積室中に導入してやれば良い。 又、スパツタリング法によつて非晶質層１０３
を形成する場合には、上記の他、窒素原子導入用
のターゲツトを前記堆積室内に設けて置き、層の
成長に併せて前記ターゲツトをスパツタリングし
てやれば良い。 本発明に於いて、非晶質層１０３中に窒素原子
を含有させる為に使用される窒素原子導入用の原
料ガスとなる出発物質として有効に使用されるの
は、ガス状態の又は容易にガス化し得る窒素化合
物の多くのものを挙げることが出来る。その様な
出発物質として、例えばＮを構成原子とする或い
はＨとＮとを構成原子とする例えば窒素（N2）、
アンモニア（NH3）、ヒドラジン（H2NNH2）、ア
ジ化水素（HN3）、アジ化アンモニウム
（NH4N3）等のガス状の又はガス化し得る窒素、窒
素化物及びアジ化物等の窒素化合物を挙げること
が出来る。この他に窒素原子の導入に加えて、ハ
ロゲン原子の導入も行えるという点から、三弗化
窒素（F3N）、四弗化窒素（F4N2）等のハロゲン化
窒素化合物を挙げることが出来る。 スパツタリング法によつて窒素原子の導入され
た非晶質層１０３を形成するには、単結晶又は多
結晶のSiウエーハー又はSi3N4ウエーハー又はSi
とSi3N4が混合されて含有されているウエーハー
をターゲツトとして、これ等を種々のガス雰囲気
中でスパツタリングするか、或いは単結晶又は多
結晶のSiウエーハーを炭素原子導入用の原料ガス
の雰囲気中でスパツタリングすれば良い。 例えば、Siウエーハーをターゲツトとして使用
すれば、窒素原子と必要に応じて水素原子又は／
及びハロゲン原子を導入する為の原料ガス、例え
ばH2とN2、又はNH3を必要に応じて稀釈ガスで
稀釈してスパツタ用の堆積室中に導入し、これ等
のガスのガスプラズマを形成して前記Siウエーハ
ーをスパツタリングすれば良い。 又、別にはSiとSi3N4とは別々のターゲツトと
して、又はSiとSi3N4の混合して形成した一枚の
ターゲツトを使用することによつて、スパツタリ
ング用のガスとしての稀釈ガスの雰囲気中で又は
少なくともＨ原子及び／又はＸ原子を含有するガ
ス雰囲気中でスパツタリングすることによつて成
される。 本発明に於いては、非晶質層１０３中には、窒
素原子の導入による効果と同様の効果を得る目的
で、窒素原子に加えて炭素原子又は／及び酸素原
子を導入することが出来る。 炭素原子又は酸素原子導入用の原料ガスと成り
得る出発物質としては、障壁層形成用の出発物質
として前記しものが有効な出発物質として採用さ
れる他、例えば、酸素（O2）、オゾン（O3）、一
酸化炭素（CO）、二酸化炭素（CO2）、一酸化窒
素（NO）、二酸化窒素（NO2）、一二酸化窒素
（N2O4）、三二酸化窒素（N2O3）、四二酸化窒素
（N2O4）、五二酸化窒素（N2O5）、三化窒素
（NO3）、SiとＯとＨとを構成原子とする、例えば
ジシロキサンH3SiOSiH8、トリシロキサン
H3SiOSiH2OSiH3等の低級シロキサン等も挙げる
ことが出来る。 本発明においては、非晶質層を形成する際に使
用されるハロゲン原子導入用の原料ガスとして前
記されたハロゲン化合物あるいはハロゲンを含む
硅素化合物が有効なものとして使用されるもので
あるが、そのほかに、HF、HCl、HBr、HI等の
ハロゲン化水素、SiH2F2、SiH3Cl2、SiHCl3、
SiH2Br2、SiHBr3等のハロゲン置換水素化硅素
等々のガス状態の或いはガス化し得る水素原子を
構成要素の１つとするハロゲン化物も有効な非晶
質層形成用の出発物質として挙げる事が出来る。 これらの水素原子を含むハロゲン化物は、非晶
質層形成の際に層中にハロゲン原子の導入と同時
に電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効な
水素原子も導入されるので、本発明においては好
適なハロゲン導入用の原料として使用される。 水素原子を非晶質層中に構造的に導入するに
は、上記の他にH2、或いはSiH4、Si2H6、
Si3H8、Si4H10等の水素化硅素のガスをSiを生成
する為のシリコン化合物と堆積室中に共存させて
放電を生起させる事でも行う事が出来る。 例えば、反応スパツタリング法の場合には、Si
ターゲツトを使用し、ハロゲン原子導入用のガス
及びH2ガスを必要に応じてHe、Ar等の不活性ガ
スも含めて堆積室内に導入してプラズマ雰囲気を
形成し、前記Siターゲツトをスパツタリングする
事によつて、所定の特性を有し、主としてＡ−Si
（Ｈ、ｘ）から成る非晶質層が形成される。 更には、不純物のドーピングを兼ねてB2H6、
PH3、PF3等のガスを導入してやることも出来
る。 本発明に於いて、形成される光導電部材の非晶
質層中に含有されるＨ又はＸの量又は（Ｈ＋Ｘ）
の量は通常の場合１〜40原子％、好適には５〜30
原子％とされるのが望ましい。 層中に含有されるＨ又は／及びＸの量を制御す
るには、例えば堆積支持体温度又は／及びＨを含
有させるために使用される出発物質の堆積装置系
内へ導入する量、放電電力等を制御してやれば良
い。非晶質層をｎ型傾向またはｐ型傾向あるいは
ｉ型とするには、グロー放電法や反応スパツタリ
ング法等による層形成の際に、ｎ型不純物または
ｐ型不純物、あるいは両不純を形成される層中に
その量を制御し乍らドーピングしてやる事によつ
て成される。 非晶質層中にドーピングされる不純物として
は、非晶質層をｉ型又はｐ型傾向にするには、周
期律表第族Ａの元素、例えばＢ、Al、Ca、
In、Tl等が好適なものとして挙げられる。 ｎ型傾向にする場合には、周期律表第族Ａの
元素、例えばＮ、Ｐ、As、Sb、Bi等が好適なも
のとして挙げられる。 本発明に於いて所望の伝導型を有する為に非晶
質層中に導入される不純物の量としては、周期律
表第族Ａの不純物の場合は３×10-2原子％以下
の量範囲でドーピングしてやれば良く、周期律表
第族Ａの不純物の場合には５×10-3原子％以下
の量範囲でドーピングしてやれば良い。 非晶質層の層厚は、非晶質層中で発生されるフ
オトキヤリアが効率良く所定の方向に輸送される
様に所望に従つて適宜決められ、通常は１〜100
μ、好適には５〜50μとされる。 実施例 １ 厚さ１mmで10cm×10cmの鏡面仕上げされたアル
ミニウム合金52S（Si、Mg、Crを含有する）の
基板にアルカリ及び酸洗浄を施した後、純水によ
つて洗浄を施した。この基板を５ｇ／の硫酸ア
ルミニウムが添加された７％の硫酸溶液に於て温
度18℃の条件で陽極酸化を施した。約５分間陽極
酸化を施した後、基板を硫酸溶液より引き上げ速
やかに沸騰した純水槽に浸した。約10分間の後に
基板を純水槽より引き上げた。このようにして処
理されたアルミニウム合金基板上の被覆層の厚さ
は約0.8μあつた。 このアルミニウム合金基板を使用し、完全にシ
ールドされたクリーンルーム中に設置された第６
図に示す装置を用い、以下の如き操作によつて電
子写真用像形成部材を作製した。 基板６０９は、固定部材６０３内の加熱ヒータ
６０８によつて±0.5℃の精度で加熱される。温
度は、熱電対（アルメルークロメル）によつて基
板裏面を直接測定されるようになされた。次いで
系内の全バルブが閉じられていることを確認して
からメインバルブ６１０を全開して、室６０１内
が排気され約５×10-6Torrの真空度にした。そ
の後ヒータ６０８の入力電圧を上昇させ、モリプ
デン基板温度を検知しながら入力電圧を変化さ
せ、250℃の一定値になるまで安定させた。 その後、補助バルブ６４１次いで流出バルブ６
２６，６２７，６２９および流入バルブ６２１，
６２２，６２４を全開し、マスフローコントロー
ラ６１６，６１７，６１９内も十分脱気真空状態
にされた。補助バルブ６４１、バルブ６２６，６
２７，６２９，６２１，６２２，６２４を閉じた
後、H2で10vol％に稀釈されたSiH4ガス（純度
99.999％、以下「SiH4(10)／H2」と略す）ボンベ
６１１のバルブ６３１、H2で0.1vol％に稀釈され
たNH3ガス（純度99.999％、以下「NH3（0.1）／
H2」と略す。）ボンベ６１２のバルブ６３２を開
け、出口圧ゲージ６３６，６３７の圧を１Kg／cm2
に調整し、流入バルブ６２１，６２２を徐々に開
けてマスフローコントローラ６１６，６１７内で
SiH4(10)／H2ガスを流入させた。引続いて、流出
バルブ６２６，６２７を徐々に開け、次いで補助
バルブ６４１を徐々に開けた。このときSiH4
(10)／H2ガス流量とNH3（0.1）／H2ガス流量比が
10：0.3になるようにマスフローコントローラ６
１６，６１７を調整した。次にピラニーゲージ６
４２の読みを注視しながら補助バルブ６４１の開
口を調整し、室６０１内が１×10-2Torrになる
まで補助バルブ６４１を開けた。室６０１内圧が
安定してからメインバルブ６１０を徐々に閉じ、
ピピラニーゲージ６４２の指示が0.1Torrになる
まで開口を絞つた。 ガス流入が安定し内圧が安定するのを確認し続
いて高周波電源６４３のスイツチをON状態にし
てシヤツタ（電極を兼ねる。）６０５を閉にして
電極６０３、シヤツタ６０５間に13.56MHzの高
周波電力を投入し室３０１内にグロー放電を発生
させ、10Wの入力電力とした。上記条件を３時間
保つて非晶質を構成する下部領域層を形成した。
その後、高周波電源６４３をOFF状態とし、グ
ロー放電を中止させた状態で流出バルブ６２７を
閉じ、次にNH3ガス（純度99.999％）ボンベ６１
４からバルブ６３４を通じて１Kg／cm2のガス圧
（出口圧ゲージ６３９の読み）で、流入バルブ６
２４、流出バルブ６２９を徐々に開いてマスフロ
ーコントローラ６１９にNH3ガスを流しマスフロ
ーコントローラ６１９の調整によつてNH3ガス
が、SiH4(10)／H2ガス流量の１／10になる様に
し、安定化させた。 引つづいき、再び高周波電源６４３をON状態
にして、グロー放電を再開させた。そのときの入
力電力を3Wにした。こうしてグロー放電を更に
10分間持続させて非晶質層を構成する上部領域層
を600Åの厚さに形成した後、加熱ヒータ６０８
をOFF状態にし、高周波電源６４８もOFF状態
とし、基板温度が100℃になるの待つてから流出
バルブ６２６，６２９及び流入バルブ６２１，６
２２，６２４を閉じ、メインバルブ６１０を全開
にして、室６０１内を10-5Torr以下にした後、
メインバルブ６１０を閉じ室６０１内をリークバ
ルブ６０６によつて大気圧として基板をとり出し
た。この場合、形成された層の全厚は約９μであ
つた。こうして得られた像形成部材を、帯電露光
実験装置に設置し、5.5KVで0.2sec間コロナ帯
電を行い、直ちに光像を照射した。光像はタング
ステンランプ光源を用い、1.0 lux・secの光量を
透過型のテストチートを通して照射させた。 その後直ちに、荷電性の現像剤（トナーとキ
ヤリアを含む）を部材表面にカスケードすること
によつて、部材表面上に良好なトナー画像を得
た。部材上のトナー画像を5.0KVのコロナ帯電
で転写紙上に転写した処、解像力に優れ階調再現
性のよい鮮明な高濃度の画像が得られた。 実施例 ２ 厚さ１mmで10cm×10cmの鏡面仕上げれたアルミ
ニウム合金61S（Cu、Si、Crを含有する）の基板
を、実施例１に於けると全く同様の陽極酸化処理
を施した後、充分に乾燥させた後、３気圧の過熱
水蒸気槽に20分間放置した。この基板を用い実施
例１と全く同様な方法で像形成部材を形成し、画
像性、耐久性を評価したところ共に良好な結果が
得られた。 実施例 ３ 陽極酸化時間を変えることによつて、基板表面
皮膜層の膜厚を変える以外は、実施例１と全く同
様な方法で、光導電性の非晶質層の形成を行い、
更に画像性、繰り反特性を評価したところ第１表
に示される結果を得た。ここで、現像は磁気ブラ
シ現線を用い、各感光体に対して最も良好な画像
を与える現像バイアス値が選択された。
【表】
実施例 ４
実施例１と同様にして用意したアルミニウム基
板を設置し続いて実施例１と同様の操作によつて
グロー放電堆積室６０１内を５×10-6Torrの真
空となし、基板温度は250℃に保たれた後実施例
１と同様の操作によつて補助バルブ６４１、次い
で流出バルブ６２６，６２７，６２９及び流入バ
ルブ６２１，６２２，６２４を全開し、アスフロ
ーコントローラ６１６，６１７，６１９も十分脱
気真空状態にされた。補助バルブ６４１、バル
ブ、６２６，６２７，６２９，６２１，６２２，
６２４を閉じた後、SiH4(10)／H2ガス（純度
99.999％）ボンベ６１１のバルブ６３１、NH
（0.1）／H2ガスボンベ６１２のバルブ６３２を開
け、出口圧ゲージ６３６，６３７の圧を１Kg／cm2
に調整し、流入バルブ６２１，６２２を徐々に開
けてアスフローコントローラ６１６，６１７内へ
SiH4(10)／H2ガス、NH3（0.1）／H2を各々流入さ
せた。引続いて、流出バルブ６２６，６２７を
徐々に開け次いで補助バルブ６４１を徐々に開け
た。このときSiH4(10)／H2ガス流量とNH3
（0.1）／H2ガス流量比が10：0.3になるようにマ
スフローコントローラ６１６，６１７を調整し
た。次にピラニーゲージ６４２の読みを注視しな
がら補助バルブ６４１の開口を調整し、室６０１
内が１×10-2Torrになるまで補助バルブ６４１
を開けた。室６０１内圧が安定してからメインバ
ルブ６１０を徐々に閉じ、ピラニーゲージ６４１
の指示が0.1Torrになるまで開口を絞つた。ガス
流入が安定し内圧が安定するのを確認し続いてシ
ヤツタ（電極を兼ねる。）６０５を閉にして高周
波電源６４３のスイツチをON状態にし、電極６
０３，６０５間に13.56MHzの高周波電力を投入
し室６０１内にグロー放電を発生させ、10Wの入
力電力とした。上記条件で基板上に非晶質を構成
する下部領域層を形成し始めると同時に５時間に
亘つて、アスフローコントローラ６１７の流量設
定値を連続的に増加し５時間後のSiH4(10)／H2ガ
ス流量とNH3（0.1）／H2ガス流量比が１：１に
なるように調整した。 そのようにして５時間経過後、高周波電源６４
３をOFF状態とし、グロー放電を中止させた状
態で流出バルブ６２７を閉じ、次に、NH3ガスボ
ンベ６１４からバルブ６３４を通じて１Kg／cm2の
ガス圧（出口圧ゲージ６３９の読み）で、流入バ
ルブ６２４、流出バルブ６２９を徐々に開いてマ
スフローコントローラ６１９NH3ガスを流してマ
スフローコントローラ６１９の調整によつてNH3
ガス流量がSiH4(10)／H2ガス流量の１／10になる
ように安定させた。 引き続き、再び高周波電源６４３をON状態に
して、グロー放電を再開させた。そのときの入力
電力を3Wにした。こうしてグロー放電を更に15
分間持続させて非晶質層を構成する上部領域層を
形成した後、加熱ヒータ６０８をOFF状態に
し、高周波電源６３４もOFF状態とし、基板温
度が100℃になるのを待つてから流出バルブ６２
１，６２２，６２４を閉じ、メインバルブ６１０
を全開にして、室６０１内を10-5Torr以下にし
た後、メインバルブ６１０を閉じ室６０１内をリ
ークバルブ６０６によつて大気圧として基板を取
り出した。この場合、形成された層の全厚は約15
μであつた。この像形成部材に就いて、実施例１
と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成し
たところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 ５ 実施例１と同様にして用意したアルミニウム基
板を設置し、続いて実施例１と同様の操作によつ
てグロー放電堆積室６０１内を５×10-6Torrの
真空となし、基板温度は250℃に保たれた後実施
例１と同様の操作によつて補助バルブ６４１、次
いで流出バルブ６２６，６２７および流入バルブ
６２１，６２２を全開し、マスフローコントロー
ラ６１６，６１７内も充分脱気真空状態にされ
た。補助バルブ６４１バルブ６２６，６２７，６
２１，６２２を閉じた後、SiH4(10)／H2ガス（純
度99.999％）ボンベ６１１のバルブ６３１、NH3
（0.1／H2ガスボンベ６１２のバルブ６３２を開
け、出口圧ゲージ６３６，６３７の圧を１Kg／cm2
に調整し、流入バルブ６２１，６２２を徐々に開
けてマスフローコントローラ６１６，６１７内へ
SiH4(10)／H2、NH3（0.1）／H2を各々流入させ
た。引続いて流出バルブ６２６，６２７を徐々に
開け、次いで補助バルブ６４１を徐々に開けた。
このときSiH4(10)／H2ガス流量とNH3（0.1）／H2
ガス流量比が10：0.3になるように流入バルブ６
２１，６２２を調整した。 次にピラニーゲージ６４２の読みを注視しなが
ら補助バルブ６４１の開口を調整し、室６０１内
が１×10-2Torrになるまで補助バルブ６４１を
開けた。室６０１内圧が安定してから、メインバ
ルブ６１０を徐々に閉じ、ピラニーゲージ６４１
の指示が0.1Torrになるまで開口を絞つた。ガス
流入が安定し内圧が安定するのを確認し、続いて
シヤツタ（電極を兼ねる。）６０５を閉じにして
高周波電源６４３のスイツチをON状態にし、電
極６０３，６０５間に13.56MHzの高周波電力を
投入し室６０１内にグロー放電を発生させ、10W
の入力電力とした。上記条件で基板上に非晶質層
を形成し始めると同時に５時間に亘つてマスフロ
ーコントローラ６１７の流量設定値を連続的に増
加し、５時間後のSiH4(10)／H2ガス流量とNH3
（0.1）／H2ガス流量比が１：10になるように調整
した。 こうして非晶質層を形成した後、加熱ヒータ６
０８をOFF状態にし、高周波電源６４３もOFF
状態とし基板温度が100℃になるのを待つてから
流出バルブ６２６，６２７および流入バルブ６２
１，６２２を閉じ、メインバルブ６１０を全開に
して室６０１内を10-5Torr以下にした後、メイ
ンバルブ６１０を閉じ室６０１内をリークバルブ
６０６によつて大気圧として基板を取り出した。
この場合形成された層の全厚は約15μであつた。
この像形成部材に就いて、実施例１と同様の条件
でおよび手順で転写紙上に画像を形成したところ
極めて鮮明な画像が得られた。 実施例 ６ SiH4(10)／H2ガスボンベ６１１をSiF4ガス（純
度90.999％）ボンベに、NH3（0.1）／H2ガスボ
ンベ６１２を、NH3を0.2vol％含むアルゴン（以
後「NH3（0.2）／Ar」と略す。純度90.999％）
ガスボンベに代え、又非晶質層の層形成初期時の
SiF4ガス流量と、NH3（0.2）／Arガス流量との
比を１：0.6に設定して、層形成を開始し、非晶
質層の形成終了時のSiF4ガス流量とNH3
（0.2）／Arガス流量比が１：18になるようにNH3
（0.2）／Arガス流量を連続的に増加させ、さら
にグロー放電の入力電力を100Wにした以外は、
実施例５と同様の操作条件にてアルミニウム基板
上に非晶質層を形成した。この場合形成された層
の厚さは約18μであつた。この像形成部材に就い
て、実施例１と同様の条件及び手順で転写紙上に
画像を形成したところ極めて鮮明な画像が得られ
た。 実施例 ７ 実施例１と同様にして用意したアルミニウム基
板を設定し続いて実施例１と同様の操作によつて
グロー放電堆積室６０１内を５×10-5Torrの真
空となし、基板温度は250℃に保たれた後、補助
バルブ６４１、次いで流出バルブ６２６，６２
７，６２８，６２９及び流入バルブ６２１，６２
２，６２３，６２４を全開し、マスフローコント
ローラ６１６，６１７，６１８，６１９内も十分
脱気真空状態にされた。 補助バルブ５４１、バルブ６２６，６２７，６
２８，６２９，６２１，６２２，６２３，６２４
を閉じた後、SiH4(10)／H2ガスボンベ６１１のバ
ルブ６３１、NH3（0.1）／H2ガスボンベ６１２
のバルブ６３２、H2で50vol ppmに稀釈された
B2H6ガス（純度99.999％、以下「B2H6（50）／
H2」と略す。）ボンベ６１３のバルブ６３３を開
け、出口圧ゲージ６３６，６３７，６３８の圧を
１Kg／cm2に調整し、流入バルブ６２１，６２２，
６２３を徐々に開けてマスフローコントローラ６
１６，６１７，６１８内へSiH4(10)／H2ガス、
NH3（0.1）／H2ガス、B2H6（50）／H2ガスを流
入させた。引続いて流出バルブ６２６，６２７，
６２８を徐々に開け、次いで補助バルブ６４１を
徐々に開けた。このときSiH4(10)／H2ガス流量と
NH3（0.1）／H2ガス流量比が10：0.3、SiH4(10)／
H2ガス流量とB2H6（50）／H2ガス流量比50：１
になるようにマスフローコントローラ６１６，６
１７，６１８を調整した。次にピラニーゲージ６
４３の読みを注視しながら補助バルブ６４１の開
口を調整し、室６０１内が１×10-2Torrになる
まで補助バルブ６４１を開けた。室６０１内圧が
安定してから、メインバルブ６１０を徐々に閉
じ、ピラニーゲージ６４２の指示0.1Torrになる
まで開口を絞つた。ガス流入が安定し内圧が安定
するのを確認し、続いて高周波電源６４３のスイ
ツチをON状態にしてシヤツタ（電極を兼ねる。）
６０５を閉にして、電極６０３、シヤツタ６０５
間に13.56MHzの高周波電力を投入し、室６０１
内にグロー放電を発生させ、10Wの入力電力とし
た。上記条件を３時間保つて非晶質層を構成する
下部領域層を形成した。その後、高周波電源６４
３をOFF状態とし、グロー放電を中止させた状
態で、流出バルブ６２７，６２８を閉じNH3ガス
ボンベ６１４からバルブ６３４を通じて１Kg／cm2
のガス圧（出口圧ゲージ６３９の読み）で流入バ
ルブ６２４流出バルブ６２９を徐々に開いてマス
フローコントローラ６１９にNH3ガスを流しマス
フローコントローラ６１６，６１９の調整によつ
てNH3ガスがSiH4(10)／H2ガスの流量の1/5になる
様に安定化させた。 引き続き、再び高周波電源６４３をON状態に
して、グロー放電を再開させた。そのときの入力
電力を3Wにした。こうしてグロー放電を更に10
分間持続させて非晶質層を構成する上部領域層を
600Åの厚さに形成した後、加熱ヒータ６０８を
OFF状態にし、高周波電源６４３もOFF状態と
し、基板温度が100℃になるのを待つてから流出
バルブ６２６，６２９及び流入バルブ６２１，６
２２，６２３，６２４を閉じ、メインバルブ６１
０を全開にして室６０１内を10-5Torr以下にし
た後、メインバルブ６１０を閉じ室６０１内をリ
ークバルブ６０６によつて大気圧として基板をと
り出した。この場合形成された層の全層は約９μ
であつた。こうして得られた像形成部材を帯電露
光実験装置に設置し、5.5KVで0.2sec間コロナ
帯電を行い、直ちに光像を照射した。光像はタン
グステンランプ光源を用い、1.0 lux・secの光量
を透過型のテストチヤートを通して照射させた。 その後直ちに、荷電性の現像剤（トナーとキ
ヤリアを含む）を部材表面にカスケードすること
によつて、部材表面上に良好なトナー画像を得
た。部材上のトナー画像を5.0KVのコロナ帯電
で転写紙上に転写した処、解像力に優れ、階調再
現性のよい鮮明な高濃度の画像が得られた。 次に上記像形成部材に就いて、帯電露光実験装
置で6.0KVで0.2sec間のコロナ帯電を行い、直
ちに0.8 lux・secの光量で画像露光を行い、その
後直ちに荷電性の現像剤を部材表面にカスケー
ドし、次に転写紙上に転写・定着したころ極めて
鮮明な画像が得られた。 この結果と先の結果から、本実施例で得られた
電子写真用像形成部材は、帯電極性に対する依存
性がなく画極性像形成部材の特性を具備している
ことが判つた。 実施例 ８ 第６図に示す装置を用い、以下の如き操作によ
つて電子写真用像形成部材を作成した。 実施例１と同様にして用意したアルミニウム基
板６０９を堆積室６０１内の所定位置にある固定
部材６０３に堅固に固定した。ターゲツト６０４
は多結晶高純度シリコン（99.999％）上に高純度
グラフアイト（99.999％）を設置したものであ
る。 基板６０９は、固定部材６０３内の加熱ヒータ
６０８によつて±0.5℃の精度で加熱される。温
度は熱電対（アルメル−クロメル）によつて基板
裏面を直接測定されるようになされた。次いで系
内の全バルブが閉じられていることを確認してか
らメインバルブ６１０を全開して一旦５×
10-6Torr程度まで真空にされ（このとき、系の
バルブは閉じられている）、補助バルブ６４１お
よび流出バルブ６２６，６２７，６２９，６３０
が開かれマスフローコントローラ６１６，６１
７，６２０内が十分に脱気された後、流出バルブ
６２６，６２７，６２９，６３０と補助バルブ６
４１が閉じられた。アルゴン（純度99.999％）ガ
スボンベ６１５のバルブ６３５を開け、出口圧力
計６４０の読みが１Kg／cm2になる様に調整された
後、流入バルブ６２５が開けられ、続いて流出バ
ルブ６３０が徐々に開けられ、アルゴンガスを室
６０１内に流入させた。ビラニーゲージ６１１の
指示が５×10-4Torrになるまで、流出バルブ６
３０が徐々に開けられ、この状態で流量が安定し
てから、メインバルブ６１０が徐々に閉じられ、
室内圧１×10-2Torrになるまで開口が絞られ
た。シヤツタ６０５開として、マスフローコント
ローラ６２０が安定するのを確認してから、高周
波電源６４３をON状態にし、ターゲツト６０４
および固定部材６０３間に13.56MHz、100Wの交
流電力が入力された。この条件で安定した放電を
続けるようにマツチングを取り層を形成した。こ
のようにして１分間放電を続けて100Å厚の下部
障壁層を形成した。その後周波電源643をOFF状
態にし、放電を一旦中止させた。引続いて流出バ
ルブ６３０を閉じ、メインバルブ６１０を全開し
て室６０１内のガスを抜き、５×10-6Torrまで
真空にした。その後ヒータ６０８の入力電圧を上
昇させ、基板温度を検知しながら入力電圧を変化
させ200℃の一定値になるまで安定させた。その
後実施例１と同様の操作、条件にて非晶質層を形
成した。このようにして得られた像形成部材を実
施例１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を
形成したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 ９ 実施例６のNH3を0.2vol％含むアルゴンガスボ
ンベ６１２、NH8を0.2vol％含む水素ガスボンベ
に代えた以外は実施例６と同様の操作、条件にて
アルミニウム基板上に非晶質層を形成した。 この場合形成された層の厚さは約15μであつ
た。この像形成部材に就いて実施例１と同様の条
件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極
めて鮮明な画像が得られた。 実施例 10 実施例１〜９に於いて、NH3の代わりにN2、
（NH3＋O2）、N2O、又は（N2＋O2）を用いた以外
は各実施例に於いて、略々同様の条件と手順によ
つて作成した光導電部材に対して、対応する電子
写真画像形成プロセスを適用したところ極めて高
品質の転写画像を得ることが出来た。又、長時間
に亘る繰返し使用に於いても転写画質の低下は観
察されなかつた。
板を設置し続いて実施例１と同様の操作によつて
グロー放電堆積室６０１内を５×10-6Torrの真
空となし、基板温度は250℃に保たれた後実施例
１と同様の操作によつて補助バルブ６４１、次い
で流出バルブ６２６，６２７，６２９及び流入バ
ルブ６２１，６２２，６２４を全開し、アスフロ
ーコントローラ６１６，６１７，６１９も十分脱
気真空状態にされた。補助バルブ６４１、バル
ブ、６２６，６２７，６２９，６２１，６２２，
６２４を閉じた後、SiH4(10)／H2ガス（純度
99.999％）ボンベ６１１のバルブ６３１、NH
（0.1）／H2ガスボンベ６１２のバルブ６３２を開
け、出口圧ゲージ６３６，６３７の圧を１Kg／cm2
に調整し、流入バルブ６２１，６２２を徐々に開
けてアスフローコントローラ６１６，６１７内へ
SiH4(10)／H2ガス、NH3（0.1）／H2を各々流入さ
せた。引続いて、流出バルブ６２６，６２７を
徐々に開け次いで補助バルブ６４１を徐々に開け
た。このときSiH4(10)／H2ガス流量とNH3
（0.1）／H2ガス流量比が10：0.3になるようにマ
スフローコントローラ６１６，６１７を調整し
た。次にピラニーゲージ６４２の読みを注視しな
がら補助バルブ６４１の開口を調整し、室６０１
内が１×10-2Torrになるまで補助バルブ６４１
を開けた。室６０１内圧が安定してからメインバ
ルブ６１０を徐々に閉じ、ピラニーゲージ６４１
の指示が0.1Torrになるまで開口を絞つた。ガス
流入が安定し内圧が安定するのを確認し続いてシ
ヤツタ（電極を兼ねる。）６０５を閉にして高周
波電源６４３のスイツチをON状態にし、電極６
０３，６０５間に13.56MHzの高周波電力を投入
し室６０１内にグロー放電を発生させ、10Wの入
力電力とした。上記条件で基板上に非晶質を構成
する下部領域層を形成し始めると同時に５時間に
亘つて、アスフローコントローラ６１７の流量設
定値を連続的に増加し５時間後のSiH4(10)／H2ガ
ス流量とNH3（0.1）／H2ガス流量比が１：１に
なるように調整した。 そのようにして５時間経過後、高周波電源６４
３をOFF状態とし、グロー放電を中止させた状
態で流出バルブ６２７を閉じ、次に、NH3ガスボ
ンベ６１４からバルブ６３４を通じて１Kg／cm2の
ガス圧（出口圧ゲージ６３９の読み）で、流入バ
ルブ６２４、流出バルブ６２９を徐々に開いてマ
スフローコントローラ６１９NH3ガスを流してマ
スフローコントローラ６１９の調整によつてNH3
ガス流量がSiH4(10)／H2ガス流量の１／10になる
ように安定させた。 引き続き、再び高周波電源６４３をON状態に
して、グロー放電を再開させた。そのときの入力
電力を3Wにした。こうしてグロー放電を更に15
分間持続させて非晶質層を構成する上部領域層を
形成した後、加熱ヒータ６０８をOFF状態に
し、高周波電源６３４もOFF状態とし、基板温
度が100℃になるのを待つてから流出バルブ６２
１，６２２，６２４を閉じ、メインバルブ６１０
を全開にして、室６０１内を10-5Torr以下にし
た後、メインバルブ６１０を閉じ室６０１内をリ
ークバルブ６０６によつて大気圧として基板を取
り出した。この場合、形成された層の全厚は約15
μであつた。この像形成部材に就いて、実施例１
と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成し
たところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 ５ 実施例１と同様にして用意したアルミニウム基
板を設置し、続いて実施例１と同様の操作によつ
てグロー放電堆積室６０１内を５×10-6Torrの
真空となし、基板温度は250℃に保たれた後実施
例１と同様の操作によつて補助バルブ６４１、次
いで流出バルブ６２６，６２７および流入バルブ
６２１，６２２を全開し、マスフローコントロー
ラ６１６，６１７内も充分脱気真空状態にされ
た。補助バルブ６４１バルブ６２６，６２７，６
２１，６２２を閉じた後、SiH4(10)／H2ガス（純
度99.999％）ボンベ６１１のバルブ６３１、NH3
（0.1／H2ガスボンベ６１２のバルブ６３２を開
け、出口圧ゲージ６３６，６３７の圧を１Kg／cm2
に調整し、流入バルブ６２１，６２２を徐々に開
けてマスフローコントローラ６１６，６１７内へ
SiH4(10)／H2、NH3（0.1）／H2を各々流入させ
た。引続いて流出バルブ６２６，６２７を徐々に
開け、次いで補助バルブ６４１を徐々に開けた。
このときSiH4(10)／H2ガス流量とNH3（0.1）／H2
ガス流量比が10：0.3になるように流入バルブ６
２１，６２２を調整した。 次にピラニーゲージ６４２の読みを注視しなが
ら補助バルブ６４１の開口を調整し、室６０１内
が１×10-2Torrになるまで補助バルブ６４１を
開けた。室６０１内圧が安定してから、メインバ
ルブ６１０を徐々に閉じ、ピラニーゲージ６４１
の指示が0.1Torrになるまで開口を絞つた。ガス
流入が安定し内圧が安定するのを確認し、続いて
シヤツタ（電極を兼ねる。）６０５を閉じにして
高周波電源６４３のスイツチをON状態にし、電
極６０３，６０５間に13.56MHzの高周波電力を
投入し室６０１内にグロー放電を発生させ、10W
の入力電力とした。上記条件で基板上に非晶質層
を形成し始めると同時に５時間に亘つてマスフロ
ーコントローラ６１７の流量設定値を連続的に増
加し、５時間後のSiH4(10)／H2ガス流量とNH3
（0.1）／H2ガス流量比が１：10になるように調整
した。 こうして非晶質層を形成した後、加熱ヒータ６
０８をOFF状態にし、高周波電源６４３もOFF
状態とし基板温度が100℃になるのを待つてから
流出バルブ６２６，６２７および流入バルブ６２
１，６２２を閉じ、メインバルブ６１０を全開に
して室６０１内を10-5Torr以下にした後、メイ
ンバルブ６１０を閉じ室６０１内をリークバルブ
６０６によつて大気圧として基板を取り出した。
この場合形成された層の全厚は約15μであつた。
この像形成部材に就いて、実施例１と同様の条件
でおよび手順で転写紙上に画像を形成したところ
極めて鮮明な画像が得られた。 実施例 ６ SiH4(10)／H2ガスボンベ６１１をSiF4ガス（純
度90.999％）ボンベに、NH3（0.1）／H2ガスボ
ンベ６１２を、NH3を0.2vol％含むアルゴン（以
後「NH3（0.2）／Ar」と略す。純度90.999％）
ガスボンベに代え、又非晶質層の層形成初期時の
SiF4ガス流量と、NH3（0.2）／Arガス流量との
比を１：0.6に設定して、層形成を開始し、非晶
質層の形成終了時のSiF4ガス流量とNH3
（0.2）／Arガス流量比が１：18になるようにNH3
（0.2）／Arガス流量を連続的に増加させ、さら
にグロー放電の入力電力を100Wにした以外は、
実施例５と同様の操作条件にてアルミニウム基板
上に非晶質層を形成した。この場合形成された層
の厚さは約18μであつた。この像形成部材に就い
て、実施例１と同様の条件及び手順で転写紙上に
画像を形成したところ極めて鮮明な画像が得られ
た。 実施例 ７ 実施例１と同様にして用意したアルミニウム基
板を設定し続いて実施例１と同様の操作によつて
グロー放電堆積室６０１内を５×10-5Torrの真
空となし、基板温度は250℃に保たれた後、補助
バルブ６４１、次いで流出バルブ６２６，６２
７，６２８，６２９及び流入バルブ６２１，６２
２，６２３，６２４を全開し、マスフローコント
ローラ６１６，６１７，６１８，６１９内も十分
脱気真空状態にされた。 補助バルブ５４１、バルブ６２６，６２７，６
２８，６２９，６２１，６２２，６２３，６２４
を閉じた後、SiH4(10)／H2ガスボンベ６１１のバ
ルブ６３１、NH3（0.1）／H2ガスボンベ６１２
のバルブ６３２、H2で50vol ppmに稀釈された
B2H6ガス（純度99.999％、以下「B2H6（50）／
H2」と略す。）ボンベ６１３のバルブ６３３を開
け、出口圧ゲージ６３６，６３７，６３８の圧を
１Kg／cm2に調整し、流入バルブ６２１，６２２，
６２３を徐々に開けてマスフローコントローラ６
１６，６１７，６１８内へSiH4(10)／H2ガス、
NH3（0.1）／H2ガス、B2H6（50）／H2ガスを流
入させた。引続いて流出バルブ６２６，６２７，
６２８を徐々に開け、次いで補助バルブ６４１を
徐々に開けた。このときSiH4(10)／H2ガス流量と
NH3（0.1）／H2ガス流量比が10：0.3、SiH4(10)／
H2ガス流量とB2H6（50）／H2ガス流量比50：１
になるようにマスフローコントローラ６１６，６
１７，６１８を調整した。次にピラニーゲージ６
４３の読みを注視しながら補助バルブ６４１の開
口を調整し、室６０１内が１×10-2Torrになる
まで補助バルブ６４１を開けた。室６０１内圧が
安定してから、メインバルブ６１０を徐々に閉
じ、ピラニーゲージ６４２の指示0.1Torrになる
まで開口を絞つた。ガス流入が安定し内圧が安定
するのを確認し、続いて高周波電源６４３のスイ
ツチをON状態にしてシヤツタ（電極を兼ねる。）
６０５を閉にして、電極６０３、シヤツタ６０５
間に13.56MHzの高周波電力を投入し、室６０１
内にグロー放電を発生させ、10Wの入力電力とし
た。上記条件を３時間保つて非晶質層を構成する
下部領域層を形成した。その後、高周波電源６４
３をOFF状態とし、グロー放電を中止させた状
態で、流出バルブ６２７，６２８を閉じNH3ガス
ボンベ６１４からバルブ６３４を通じて１Kg／cm2
のガス圧（出口圧ゲージ６３９の読み）で流入バ
ルブ６２４流出バルブ６２９を徐々に開いてマス
フローコントローラ６１９にNH3ガスを流しマス
フローコントローラ６１６，６１９の調整によつ
てNH3ガスがSiH4(10)／H2ガスの流量の1/5になる
様に安定化させた。 引き続き、再び高周波電源６４３をON状態に
して、グロー放電を再開させた。そのときの入力
電力を3Wにした。こうしてグロー放電を更に10
分間持続させて非晶質層を構成する上部領域層を
600Åの厚さに形成した後、加熱ヒータ６０８を
OFF状態にし、高周波電源６４３もOFF状態と
し、基板温度が100℃になるのを待つてから流出
バルブ６２６，６２９及び流入バルブ６２１，６
２２，６２３，６２４を閉じ、メインバルブ６１
０を全開にして室６０１内を10-5Torr以下にし
た後、メインバルブ６１０を閉じ室６０１内をリ
ークバルブ６０６によつて大気圧として基板をと
り出した。この場合形成された層の全層は約９μ
であつた。こうして得られた像形成部材を帯電露
光実験装置に設置し、5.5KVで0.2sec間コロナ
帯電を行い、直ちに光像を照射した。光像はタン
グステンランプ光源を用い、1.0 lux・secの光量
を透過型のテストチヤートを通して照射させた。 その後直ちに、荷電性の現像剤（トナーとキ
ヤリアを含む）を部材表面にカスケードすること
によつて、部材表面上に良好なトナー画像を得
た。部材上のトナー画像を5.0KVのコロナ帯電
で転写紙上に転写した処、解像力に優れ、階調再
現性のよい鮮明な高濃度の画像が得られた。 次に上記像形成部材に就いて、帯電露光実験装
置で6.0KVで0.2sec間のコロナ帯電を行い、直
ちに0.8 lux・secの光量で画像露光を行い、その
後直ちに荷電性の現像剤を部材表面にカスケー
ドし、次に転写紙上に転写・定着したころ極めて
鮮明な画像が得られた。 この結果と先の結果から、本実施例で得られた
電子写真用像形成部材は、帯電極性に対する依存
性がなく画極性像形成部材の特性を具備している
ことが判つた。 実施例 ８ 第６図に示す装置を用い、以下の如き操作によ
つて電子写真用像形成部材を作成した。 実施例１と同様にして用意したアルミニウム基
板６０９を堆積室６０１内の所定位置にある固定
部材６０３に堅固に固定した。ターゲツト６０４
は多結晶高純度シリコン（99.999％）上に高純度
グラフアイト（99.999％）を設置したものであ
る。 基板６０９は、固定部材６０３内の加熱ヒータ
６０８によつて±0.5℃の精度で加熱される。温
度は熱電対（アルメル−クロメル）によつて基板
裏面を直接測定されるようになされた。次いで系
内の全バルブが閉じられていることを確認してか
らメインバルブ６１０を全開して一旦５×
10-6Torr程度まで真空にされ（このとき、系の
バルブは閉じられている）、補助バルブ６４１お
よび流出バルブ６２６，６２７，６２９，６３０
が開かれマスフローコントローラ６１６，６１
７，６２０内が十分に脱気された後、流出バルブ
６２６，６２７，６２９，６３０と補助バルブ６
４１が閉じられた。アルゴン（純度99.999％）ガ
スボンベ６１５のバルブ６３５を開け、出口圧力
計６４０の読みが１Kg／cm2になる様に調整された
後、流入バルブ６２５が開けられ、続いて流出バ
ルブ６３０が徐々に開けられ、アルゴンガスを室
６０１内に流入させた。ビラニーゲージ６１１の
指示が５×10-4Torrになるまで、流出バルブ６
３０が徐々に開けられ、この状態で流量が安定し
てから、メインバルブ６１０が徐々に閉じられ、
室内圧１×10-2Torrになるまで開口が絞られ
た。シヤツタ６０５開として、マスフローコント
ローラ６２０が安定するのを確認してから、高周
波電源６４３をON状態にし、ターゲツト６０４
および固定部材６０３間に13.56MHz、100Wの交
流電力が入力された。この条件で安定した放電を
続けるようにマツチングを取り層を形成した。こ
のようにして１分間放電を続けて100Å厚の下部
障壁層を形成した。その後周波電源643をOFF状
態にし、放電を一旦中止させた。引続いて流出バ
ルブ６３０を閉じ、メインバルブ６１０を全開し
て室６０１内のガスを抜き、５×10-6Torrまで
真空にした。その後ヒータ６０８の入力電圧を上
昇させ、基板温度を検知しながら入力電圧を変化
させ200℃の一定値になるまで安定させた。その
後実施例１と同様の操作、条件にて非晶質層を形
成した。このようにして得られた像形成部材を実
施例１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を
形成したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 ９ 実施例６のNH3を0.2vol％含むアルゴンガスボ
ンベ６１２、NH8を0.2vol％含む水素ガスボンベ
に代えた以外は実施例６と同様の操作、条件にて
アルミニウム基板上に非晶質層を形成した。 この場合形成された層の厚さは約15μであつ
た。この像形成部材に就いて実施例１と同様の条
件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極
めて鮮明な画像が得られた。 実施例 10 実施例１〜９に於いて、NH3の代わりにN2、
（NH3＋O2）、N2O、又は（N2＋O2）を用いた以外
は各実施例に於いて、略々同様の条件と手順によ
つて作成した光導電部材に対して、対応する電子
写真画像形成プロセスを適用したところ極めて高
品質の転写画像を得ることが出来た。又、長時間
に亘る繰返し使用に於いても転写画質の低下は観
察されなかつた。
第１図は本発明の光導電部材の好適な実施態様
例の層構造を説明する為の模式的構成図、第２図
乃至第５図は各々本発明の光導電部材の非晶質層
中に含有される窒素原子の分布状態を説明する為
の模式的説明図、第６図は本発明の光導電部材を
作成する為の装置の一例を示す模式的説明図であ
る。 １００……光導電部材、１０１……支持体、１
０２……障壁層、１０３……非晶質層。
例の層構造を説明する為の模式的構成図、第２図
乃至第５図は各々本発明の光導電部材の非晶質層
中に含有される窒素原子の分布状態を説明する為
の模式的説明図、第６図は本発明の光導電部材を
作成する為の装置の一例を示す模式的説明図であ
る。 １００……光導電部材、１０１……支持体、１
０２……障壁層、１０３……非晶質層。
Claims (1)
- １ 化学構造的に水を含む酸化アルミニウムから
成る表面を有する電子写真用の支持体と、水素原
子及びハロゲン原子の少なくともいずれか一方を
含み、シリコン原子を母体とする非晶質材料で構
成され、光導電性を示す非晶質層とを有し、該非
晶質層は、少なくともその一部に、前記支持体の
表面に略々平行な面内では実質的に均一であり層
厚方向には不均一で且つ前記支持体とは反対の表
面側の方に多く分布した状態で窒素原子を含有す
る層領域を有し、該窒素原子の含有量が0.02〜30
原子％であり且つその層厚方向の分布濃度の最大
値が0.1〜60原子％である事を特徴とする電子写
真用像形成部材。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56062178A JPS57177152A (en) | 1981-04-24 | 1981-04-24 | Electrophotographic image forming material |
| US06/344,056 US4464451A (en) | 1981-02-06 | 1982-01-29 | Electrophotographic image-forming member having aluminum oxide layer on a substrate |
| DE19823204004 DE3204004A1 (de) | 1981-02-06 | 1982-02-05 | Elektrophotographisches bilderzeugungselement |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56062178A JPS57177152A (en) | 1981-04-24 | 1981-04-24 | Electrophotographic image forming material |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57177152A JPS57177152A (en) | 1982-10-30 |
| JPS628786B2 true JPS628786B2 (ja) | 1987-02-24 |
Family
ID=13192605
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56062178A Granted JPS57177152A (en) | 1981-02-06 | 1981-04-24 | Electrophotographic image forming material |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57177152A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0186974U (ja) * | 1987-11-30 | 1989-06-08 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50142241A (ja) * | 1973-07-30 | 1975-11-15 | ||
| JPS54145537A (en) * | 1978-05-04 | 1979-11-13 | Canon Inc | Preparation of electrophotographic image forming material |
| JPS5513939A (en) * | 1978-07-17 | 1980-01-31 | Shunpei Yamazaki | Photoelectronic conversion semiconductor device |
| JPS55127561A (en) * | 1979-03-26 | 1980-10-02 | Canon Inc | Image forming member for electrophotography |
-
1981
- 1981-04-24 JP JP56062178A patent/JPS57177152A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50142241A (ja) * | 1973-07-30 | 1975-11-15 | ||
| JPS54145537A (en) * | 1978-05-04 | 1979-11-13 | Canon Inc | Preparation of electrophotographic image forming material |
| JPS5513939A (en) * | 1978-07-17 | 1980-01-31 | Shunpei Yamazaki | Photoelectronic conversion semiconductor device |
| JPS55127561A (en) * | 1979-03-26 | 1980-10-02 | Canon Inc | Image forming member for electrophotography |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0186974U (ja) * | 1987-11-30 | 1989-06-08 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57177152A (en) | 1982-10-30 |
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