JP3124841B2 - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
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- JP3124841B2 JP3124841B2 JP04247730A JP24773092A JP3124841B2 JP 3124841 B2 JP3124841 B2 JP 3124841B2 JP 04247730 A JP04247730 A JP 04247730A JP 24773092 A JP24773092 A JP 24773092A JP 3124841 B2 JP3124841 B2 JP 3124841B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はアモルファスシリコン系
光導電層から成る電子写真感光体に関するものである。
光導電層から成る電子写真感光体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、アモルファスシリコン系光導電層
（以下、アモルファスシリコンをａ−Ｓｉと略記する）
から成る電子写真感光体が実用化され、その製造量は年
々増加の一途をたどっている。
（以下、アモルファスシリコンをａ−Ｓｉと略記する）
から成る電子写真感光体が実用化され、その製造量は年
々増加の一途をたどっている。
【０００３】このａ−Ｓｉ系感光体の基本構成は、図３
に示すように導電性基板１の上にａ−Ｓｉ系光導電層２
を形成し、更に例えばアモルファスシリコンカーバイド
等から成る表面層３を積層して表面硬度を高めるように
したが、その反面、この構成の電子写真感光体を高温高
湿下で使用した場合には、画像流れ（所謂、ボケと呼ば
れる）が発生し、実用上支障があった。
に示すように導電性基板１の上にａ−Ｓｉ系光導電層２
を形成し、更に例えばアモルファスシリコンカーバイド
等から成る表面層３を積層して表面硬度を高めるように
したが、その反面、この構成の電子写真感光体を高温高
湿下で使用した場合には、画像流れ（所謂、ボケと呼ば
れる）が発生し、実用上支障があった。
【０００４】この問題点に対して、この電子写真感光体
の付近にヒーターを設けて、その感光体を３５〜５０℃
に加熱し、これにより、その感光体表面の水分を減らし
て画像流れの発生を防いでいた。
の付近にヒーターを設けて、その感光体を３５〜５０℃
に加熱し、これにより、その感光体表面の水分を減らし
て画像流れの発生を防いでいた。
【０００５】また、感光体表面に付着する帯電生成物に
起因して、それが高温高湿下で水分を吸収し、画像流れ
の発生原因になっていることも判っており、それに対し
て効率的に帯電生成物を除去できるクリーニングプロセ
スが開発されている。
起因して、それが高温高湿下で水分を吸収し、画像流れ
の発生原因になっていることも判っており、それに対し
て効率的に帯電生成物を除去できるクリーニングプロセ
スが開発されている。
【０００６】
【従来技術の課題】しかしながら、上記構成のａ−Ｓｉ
系感光体並びにクリーニングプロセスにおいても、その
ａ−Ｓｉ系感光体を搭載した機器でもって常温常湿下で
耐刷を繰り返した後、電源を切り（感光体加熱用ヒータ
ーのＯＦＦ）、然る後に高温高湿下に数時間（または一
夜）放置し、再び電源を入れ（感光体加熱用ヒーターの
ＯＮ）、画像を形成したところ、最初の数十枚〜数百枚
に画像のかぶりを発生するという問題点があった。
系感光体並びにクリーニングプロセスにおいても、その
ａ−Ｓｉ系感光体を搭載した機器でもって常温常湿下で
耐刷を繰り返した後、電源を切り（感光体加熱用ヒータ
ーのＯＦＦ）、然る後に高温高湿下に数時間（または一
夜）放置し、再び電源を入れ（感光体加熱用ヒーターの
ＯＮ）、画像を形成したところ、最初の数十枚〜数百枚
に画像のかぶりを発生するという問題点があった。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１の電子
写真感光体は、導電性基板の上に光導電層と、ＳｉＣか
ら成るアモルファス状態の原子及び該原子のダングリン
グボンドを補償する水素またはフッ素の原子とから成る
表面層とを順次積層した構成において、前記アモルファ
ス状態の原子の密度が６．５×１０22原子／ｃｍ3 以下
であることを特徴とする。
写真感光体は、導電性基板の上に光導電層と、ＳｉＣか
ら成るアモルファス状態の原子及び該原子のダングリン
グボンドを補償する水素またはフッ素の原子とから成る
表面層とを順次積層した構成において、前記アモルファ
ス状態の原子の密度が６．５×１０22原子／ｃｍ3 以下
であることを特徴とする。
【０００８】本発明の請求項２の電子写真感光体は、導
電性基板の上に光導電層と、ＳｉＣから成るアモルファ
ス状態の原子及び該原子のダングリングボンドを補償す
る水素またはフッ素の原子とから成る表面層とを順次積
層した構成において、前記アモルファス状態の珪素原子
の密度が３．０×１０22原子／ｃｍ3 以下であり、且つ
前記アモルファス状態の炭素原子の密度が５．０×１０
22原子／ｃｍ3 以下であることを特徴とする。
電性基板の上に光導電層と、ＳｉＣから成るアモルファ
ス状態の原子及び該原子のダングリングボンドを補償す
る水素またはフッ素の原子とから成る表面層とを順次積
層した構成において、前記アモルファス状態の珪素原子
の密度が３．０×１０22原子／ｃｍ3 以下であり、且つ
前記アモルファス状態の炭素原子の密度が５．０×１０
22原子／ｃｍ3 以下であることを特徴とする。
【０００９】本発明の請求項３の電子写真感光体は、請
求項１または請求項２において、更にダングリングボン
ドを補償する水素またはフッ素のうち少なくとも１種の
原子の密度が５．０×１０22原子／ｃｍ3 以上であるこ
とを特徴とする。
求項１または請求項２において、更にダングリングボン
ドを補償する水素またはフッ素のうち少なくとも１種の
原子の密度が５．０×１０22原子／ｃｍ3 以上であるこ
とを特徴とする。
【００１０】
【作用】請求項１の電子写真感光体によれば、従来の表
面層に比べてアモルファス状態の原子の密度が６．５×
１０22原子／ｃｍ3 以下である比較的粗な膜構造の表面
層を積層したことにより、その表面層の含有水分量が少
なくなると考えられる。この理由については、本発明者
は推論の域を脱し得ないが、感光体加熱用ヒーターのＯ
ＦＦ時では、水分の吸着や侵入が抑えられ、また、感光
体加熱用ヒーターのＯＮの直後では、吸着や侵入する水
分の放出が早くなり、これにより、画像のかぶりの発生
が生じにくいと考える。その結果、前記のように従来の
ａ−Ｓｉ系感光体を搭載した機器である場合には、常温
常湿下で耐刷を繰り返すという耐刷テストにより、最初
の数十枚〜数百枚に画像のかぶりを発生し、また、表面
電位が数十Ｖ低下していたのが、上記構成の本発明の電
子写真感光体であれば、その電位低下がなく、画像のか
ぶりが発生しなくなった。
面層に比べてアモルファス状態の原子の密度が６．５×
１０22原子／ｃｍ3 以下である比較的粗な膜構造の表面
層を積層したことにより、その表面層の含有水分量が少
なくなると考えられる。この理由については、本発明者
は推論の域を脱し得ないが、感光体加熱用ヒーターのＯ
ＦＦ時では、水分の吸着や侵入が抑えられ、また、感光
体加熱用ヒーターのＯＮの直後では、吸着や侵入する水
分の放出が早くなり、これにより、画像のかぶりの発生
が生じにくいと考える。その結果、前記のように従来の
ａ−Ｓｉ系感光体を搭載した機器である場合には、常温
常湿下で耐刷を繰り返すという耐刷テストにより、最初
の数十枚〜数百枚に画像のかぶりを発生し、また、表面
電位が数十Ｖ低下していたのが、上記構成の本発明の電
子写真感光体であれば、その電位低下がなく、画像のか
ぶりが発生しなくなった。
【００１１】請求項２の電子写真感光体によれば、上記
構成のように３．０×１０22原子／ｃｍ3 以下で含有す
るアモルファス状態のＳｉ原子と、５．０×１０22原子
／ｃｍ3 以下で含有するアモルファス状態のＣ原子とを
組み合わせることにより、比較的粗な膜構造の表面層を
積層したことになり、これによっても、その表面層の含
有水分量が少なくなると考えられる。そして、同様に感
光体加熱用ヒーターのＯＦＦ時では、水分の吸着や侵入
が抑えられ、また、感光体加熱用ヒーターのＯＮの直後
では、吸着や侵入する水分の放出が早くなり、これによ
り、画像のかぶりの発生が生じにくいと考える。その結
果、高温高湿下で耐刷を繰り返すという更に過酷な耐刷
テストをした場合でも、表面電位の低下がなく、画像の
かぶりが発生しなくなった。
構成のように３．０×１０22原子／ｃｍ3 以下で含有す
るアモルファス状態のＳｉ原子と、５．０×１０22原子
／ｃｍ3 以下で含有するアモルファス状態のＣ原子とを
組み合わせることにより、比較的粗な膜構造の表面層を
積層したことになり、これによっても、その表面層の含
有水分量が少なくなると考えられる。そして、同様に感
光体加熱用ヒーターのＯＦＦ時では、水分の吸着や侵入
が抑えられ、また、感光体加熱用ヒーターのＯＮの直後
では、吸着や侵入する水分の放出が早くなり、これによ
り、画像のかぶりの発生が生じにくいと考える。その結
果、高温高湿下で耐刷を繰り返すという更に過酷な耐刷
テストをした場合でも、表面電位の低下がなく、画像の
かぶりが発生しなくなった。
【００１２】本発明者は、請求項２の電子写真感光体に
おいて更に過酷な耐刷テストに対して良好な結果が得ら
れた理由としては下記の通りであると推論する。
おいて更に過酷な耐刷テストに対して良好な結果が得ら
れた理由としては下記の通りであると推論する。
【００１３】即ち、オゾン（酸化）に弱いＳｉに、オゾ
ン（酸化）に強いＣを混合したことによるものと考えら
れるが、その他に光透過率を上げて高感度となったり
（光学的エネルギーＥgopt. ２．４ｅＶ以上）、残留電
位を小さくして濃度が確保できたり（光学的エネルギー
Ｅgopt. ３．０ｅＶ以上）、その合金化により硬度が上
がって必要な耐摩耗性が確保できた等の理由も考えられ
る。
ン（酸化）に強いＣを混合したことによるものと考えら
れるが、その他に光透過率を上げて高感度となったり
（光学的エネルギーＥgopt. ２．４ｅＶ以上）、残留電
位を小さくして濃度が確保できたり（光学的エネルギー
Ｅgopt. ３．０ｅＶ以上）、その合金化により硬度が上
がって必要な耐摩耗性が確保できた等の理由も考えられ
る。
【００１４】しかも、請求項３の電子写真感光体によれ
ば、ダングリングボンドを補償する水素またはフッ素の
うち少なくとも１種の原子の密度が５．０×１０22原子
／ｃｍ3 以上であることにより、粗な膜構造に対して共
有結合半径の小さな原子が隙間を埋めるように均一に分
布し、しかも、これらの水をはじく撥水作用効果もあ
り、これらの均一分布と撥水作用効果とが有効に組合っ
て吸着や侵入する水分が減少するものと考える。
ば、ダングリングボンドを補償する水素またはフッ素の
うち少なくとも１種の原子の密度が５．０×１０22原子
／ｃｍ3 以上であることにより、粗な膜構造に対して共
有結合半径の小さな原子が隙間を埋めるように均一に分
布し、しかも、これらの水をはじく撥水作用効果もあ
り、これらの均一分布と撥水作用効果とが有効に組合っ
て吸着や侵入する水分が減少するものと考える。
【００１５】また、各請求項の電子写真感光体によれ
ば、この表面層を積層したことによりクリーニングプロ
セスで拭き取られ易く、また、削られ易くなり、その新
しい表面は常に水の吸着量が少なく、脱離し易くなり、
これにより、帯電電位の横流れを防止し、その結果、画
像流れが生じにくくなっている。
ば、この表面層を積層したことによりクリーニングプロ
セスで拭き取られ易く、また、削られ易くなり、その新
しい表面は常に水の吸着量が少なく、脱離し易くなり、
これにより、帯電電位の横流れを防止し、その結果、画
像流れが生じにくくなっている。
【００１６】本発明者は上記構成の電子写真感光体は、
従来周知の電子写真感光体の表面層と比べてアモルファ
ス状態の原子の密度を下げて、粗な膜構造の表面層を積
層したが、これをグロー放電分解法により製作する場合
であれば、成膜条件にもよるが、従来に比べて成膜速度
を高め、ガス圧力を高め、高周波電力を低くすることに
より形成できると考える。
従来周知の電子写真感光体の表面層と比べてアモルファ
ス状態の原子の密度を下げて、粗な膜構造の表面層を積
層したが、これをグロー放電分解法により製作する場合
であれば、成膜条件にもよるが、従来に比べて成膜速度
を高め、ガス圧力を高め、高周波電力を低くすることに
より形成できると考える。
【００１７】また、このような成膜条件において、更に
ダングリングボンドを補償する水素またはフッ素のうち
少なくとも１種の原子の密度を５．０×１０22原子／ｃ
ｍ3以上にするには、従来に比べて、成膜速度を高め、
基板温度を低めに設定することにより形成できると考え
る。
ダングリングボンドを補償する水素またはフッ素のうち
少なくとも１種の原子の密度を５．０×１０22原子／ｃ
ｍ3以上にするには、従来に比べて、成膜速度を高め、
基板温度を低めに設定することにより形成できると考え
る。
【００１８】
【実施例】以下、本発明の電子写真感光体をグロー放電
分解法により製作した場合を例に挙げて説明する。
分解法により製作した場合を例に挙げて説明する。
【００１９】図１はこの実施例により製作した電子写真
感光体の層構成であり、図２はこの実施例に用いたグロ
ー放電分解装置である。
感光体の層構成であり、図２はこの実施例に用いたグロ
ー放電分解装置である。
【００２０】先ず図１においては、導電性基板４の上に
キャリア注入阻止層５とａ−Ｓｉ系光導電層６と表面層
７とを順次積層した構成であり、本例では導電性基板４
をアルミニウム金属により、キャリア注入阻止層５をａ
−Ｓｉ系の層により、表面層７をアモルファスシリコン
カーバイド層（以下アモルファスシリコンカーバイドを
ａ−ＳｉＣと略記する）により形成したものである。
キャリア注入阻止層５とａ−Ｓｉ系光導電層６と表面層
７とを順次積層した構成であり、本例では導電性基板４
をアルミニウム金属により、キャリア注入阻止層５をａ
−Ｓｉ系の層により、表面層７をアモルファスシリコン
カーバイド層（以下アモルファスシリコンカーバイドを
ａ−ＳｉＣと略記する）により形成したものである。
【００２１】上記導電性基板４はアルミニウム合金など
の導電部材、もしくは樹脂やガラスの表面に導電性膜を
蒸着等により形成したものにより構成してもよい。
の導電部材、もしくは樹脂やガラスの表面に導電性膜を
蒸着等により形成したものにより構成してもよい。
【００２２】上記キャリア注入阻止層５はａ−Ｓｉ系を
母材にして水素やハロゲン等を含有させ、更に周期律表
第III 族、第IV族、第V 族のうち少なくとも１種の元素
を含有させ、また必要により炭素、酸素、窒素などを含
有させることにより構成してもよい。
母材にして水素やハロゲン等を含有させ、更に周期律表
第III 族、第IV族、第V 族のうち少なくとも１種の元素
を含有させ、また必要により炭素、酸素、窒素などを含
有させることにより構成してもよい。
【００２３】上記表面層７は水素（Ｈ）もしくはフッ素
（Ｆ）をダングリングボンド補償用元素として用いたａ
−ＳｉＣ：Ｆ、ａ−ＳｉＣ：Ｈ：Ｆ等のアモルファス合
金層（ａ−はアモルファスを表示する）であっても同様
な作用効果があると考える。
（Ｆ）をダングリングボンド補償用元素として用いたａ
−ＳｉＣ：Ｆ、ａ−ＳｉＣ：Ｈ：Ｆ等のアモルファス合
金層（ａ−はアモルファスを表示する）であっても同様
な作用効果があると考える。
【００２４】次に図２のグロー放電分解装置８の構成を
説明する。
説明する。
【００２５】同図中、９は円筒形状の金属製反応炉、１
０は感光体ドラム装着用の円筒形状の導電性基板支持
体、１１は基板加熱用ヒーター、１２はａ−Ｓｉの成膜
に用いられる円筒形状のグロー放電用電極板であり、こ
の電極板１２にはガス噴出口１３が形成されており、そ
して、１４は反応炉内部へガスを導入するためのガス導
入口、１５はグロー放電に晒されたガスの残余ガスを排
気するためのガス排出口であり、１６は基板支持体１０
とグロー放電用電極板１２の間でグロー放電を発生させ
る高周波電源である。また、この反応炉９は円筒体９ａ
と、蓋体９ｂと、底体９ｃとからなり、そして、円筒体
９ａと蓋体９ｂとの間、並びに円筒体９ａと底体９ｃと
の間にはそれぞれ絶縁性のリング９ｄを設けており、こ
れによって高周波電源１６の一方の端子は円筒体９ａを
介してグロー放電用電極板１２と導通しており、他方の
端子は蓋体９ｂや底体９ｃを介して基板支持体１０と導
通している。また、蓋体９ｂに上に付設したモーター１
７により回転軸１８を介して基板支持体１０が回転駆動
され、これに伴って基板４も回転する。
０は感光体ドラム装着用の円筒形状の導電性基板支持
体、１１は基板加熱用ヒーター、１２はａ−Ｓｉの成膜
に用いられる円筒形状のグロー放電用電極板であり、こ
の電極板１２にはガス噴出口１３が形成されており、そ
して、１４は反応炉内部へガスを導入するためのガス導
入口、１５はグロー放電に晒されたガスの残余ガスを排
気するためのガス排出口であり、１６は基板支持体１０
とグロー放電用電極板１２の間でグロー放電を発生させ
る高周波電源である。また、この反応炉９は円筒体９ａ
と、蓋体９ｂと、底体９ｃとからなり、そして、円筒体
９ａと蓋体９ｂとの間、並びに円筒体９ａと底体９ｃと
の間にはそれぞれ絶縁性のリング９ｄを設けており、こ
れによって高周波電源１６の一方の端子は円筒体９ａを
介してグロー放電用電極板１２と導通しており、他方の
端子は蓋体９ｂや底体９ｃを介して基板支持体１０と導
通している。また、蓋体９ｂに上に付設したモーター１
７により回転軸１８を介して基板支持体１０が回転駆動
され、これに伴って基板４も回転する。
【００２６】このグロー放電分解装置を用いてａ−Ｓｉ
感光体ドラムを作製する場合には、ａ−Ｓｉ成膜用のド
ラム状基板４を基板支持体１０に装着し、ａ−Ｓｉ生成
用ガスをガス導入口１４より反応炉内部へ導入し、この
ガスをガス噴出口１３を介して基板面へ噴出し、更にヒ
ーター１１によって基板を所要の温度に設定するととも
に基板支持体１０と電極板１２の間でグロー放電を発生
させ、更に基板４を回転させることによって基板４の周
面にａ−Ｓｉ膜が成膜できる。
感光体ドラムを作製する場合には、ａ−Ｓｉ成膜用のド
ラム状基板４を基板支持体１０に装着し、ａ−Ｓｉ生成
用ガスをガス導入口１４より反応炉内部へ導入し、この
ガスをガス噴出口１３を介して基板面へ噴出し、更にヒ
ーター１１によって基板を所要の温度に設定するととも
に基板支持体１０と電極板１２の間でグロー放電を発生
させ、更に基板４を回転させることによって基板４の周
面にａ−Ｓｉ膜が成膜できる。
【００２７】（例１） 本例では、表１と表２に示す成膜条件により図１の構成
のａ−Ｓｉ系感光体Ａ〜感光体Ｃを製作した。いずれの
感光体も表１に示すような共通のキャリア注入阻止層５
とａ−Ｓｉ系光導電層６により構成するが、更に表２に
示すように成膜条件を変えて３種類の表面層７を形成
し、これに対応して３種類の感光体Ａ〜Ｃを製作した。
のａ−Ｓｉ系感光体Ａ〜感光体Ｃを製作した。いずれの
感光体も表１に示すような共通のキャリア注入阻止層５
とａ−Ｓｉ系光導電層６により構成するが、更に表２に
示すように成膜条件を変えて３種類の表面層７を形成
し、これに対応して３種類の感光体Ａ〜Ｃを製作した。
【００２８】
【表１】
【００２９】
【表２】
【００３０】また、上記３種類の表面層の原子数比と各
原子密度は、その各感光体Ａ〜Ｃの一部を１ｃｍ角に切
り出して、その表面層の分析値をＲＢＳ（ラザフォード
後方散乱）分析により求めた。また、水素原子密度はＳ
ＩＭＳ（二次イオン質量）分析法により求めた。その結
果を表３に示す。
原子密度は、その各感光体Ａ〜Ｃの一部を１ｃｍ角に切
り出して、その表面層の分析値をＲＢＳ（ラザフォード
後方散乱）分析により求めた。また、水素原子密度はＳ
ＩＭＳ（二次イオン質量）分析法により求めた。その結
果を表３に示す。
【００３１】
【表３】
【００３２】かくして得られた３種類の感光体Ａから感
光体Ｃについて、感光体温度を４５℃に設定し、常温常
湿下（２５℃、６０％ＲＨ）にて１万枚耐刷した後に、
高温高湿下（３３℃、８５％ＲＨ）に８時間放置し、こ
の状態で電源を入れて初期画像の状態を観るという実験
を行ったところ、画像のかぶりと画像流れの有無は表４
に示すような結果が得られた。
光体Ｃについて、感光体温度を４５℃に設定し、常温常
湿下（２５℃、６０％ＲＨ）にて１万枚耐刷した後に、
高温高湿下（３３℃、８５％ＲＨ）に８時間放置し、こ
の状態で電源を入れて初期画像の状態を観るという実験
を行ったところ、画像のかぶりと画像流れの有無は表４
に示すような結果が得られた。
【００３３】
【表４】
【００３４】この結果から明らかなように、原子の密度
が６．５×１０22原子／ｃｍ3 以下である表面層を備え
た感光体ＡとＢであれば、画像のかぶりと画像流れがな
い優れた感光体になることが判った。
が６．５×１０22原子／ｃｍ3 以下である表面層を備え
た感光体ＡとＢであれば、画像のかぶりと画像流れがな
い優れた感光体になることが判った。
【００３５】（例２） 本例では、表５と表６に示す成膜条件により図１の構成
のａ−Ｓｉ系感光体Ｄ〜感光体Ｈを製作した。いずれの
感光体も表５に示すような共通のキャリア注入阻止層５
とａ−Ｓｉ系光導電層６があるが、表６に示すように成
膜条件を変えて５種類の表面層７を形成し、これに対応
して５種類の感光体Ｄ〜Ｈを製作した。
のａ−Ｓｉ系感光体Ｄ〜感光体Ｈを製作した。いずれの
感光体も表５に示すような共通のキャリア注入阻止層５
とａ−Ｓｉ系光導電層６があるが、表６に示すように成
膜条件を変えて５種類の表面層７を形成し、これに対応
して５種類の感光体Ｄ〜Ｈを製作した。
【００３６】
【表５】
【００３７】
【表６】
【００３８】また、上記５種類の表面層の原子数比と各
原子密度は、（例１）と同様に各感光体Ｄ〜Ｈの一部を
１ｃｍ角に切り出して求めた。その結果を表７に示す。
原子密度は、（例１）と同様に各感光体Ｄ〜Ｈの一部を
１ｃｍ角に切り出して求めた。その結果を表７に示す。
【００３９】
【表７】
【００４０】かくして得られた５種類の感光体Ｄ〜感光
体Ｈについて、感光体温度を４５℃に設定し、常温常湿
下（２５℃、６０％ＲＨ）にて、もしくは高温高湿下
（３３℃、８５％ＲＨ）にて１万枚耐刷した後に、高温
高湿下（３３℃、８５％ＲＨ）に８時間放置し、この状
態で電源を入れて初期画像の状態を観るという実験を行
ったところ、画像のかぶりと画像流れの有無は表８に示
すような結果が得られた。
体Ｈについて、感光体温度を４５℃に設定し、常温常湿
下（２５℃、６０％ＲＨ）にて、もしくは高温高湿下
（３３℃、８５％ＲＨ）にて１万枚耐刷した後に、高温
高湿下（３３℃、８５％ＲＨ）に８時間放置し、この状
態で電源を入れて初期画像の状態を観るという実験を行
ったところ、画像のかぶりと画像流れの有無は表８に示
すような結果が得られた。
【００４１】
【表８】
【００４２】この結果から明らかなように、Ｓｉ原子の
密度が３．０×１０22原子／ｃｍ3以下、Ｃ原子の密度
が５．０×１０22原子／ｃｍ3 以下、また水素原子密度
が５．０×１０22原子／ｃｍ3 以上である表面層を備え
た感光体ＤとＥであれば、画像のかぶりと画像流れがな
い一層優れた感光体になることが判った。
密度が３．０×１０22原子／ｃｍ3以下、Ｃ原子の密度
が５．０×１０22原子／ｃｍ3 以下、また水素原子密度
が５．０×１０22原子／ｃｍ3 以上である表面層を備え
た感光体ＤとＥであれば、画像のかぶりと画像流れがな
い一層優れた感光体になることが判った。
【００４３】
【発明の効果】以上の通り、本発明の電子写真感光体
は、アモルファス状態の原子の密度が６．５×１０22原
子／ｃｍ3 以下である比較的粗な膜構造の表面層を積層
し、また、３．０×１０22原子／ｃｍ3 以下で含有する
アモルファス状態のＳｉ原子と、５．０×１０22原子／
ｃｍ3 以下で含有するアモルファス状態のＣ原子とを組
み合わせることにより、比較的粗な膜構造の表面層を積
層し、加えて、上記表面層のダングリングボンドを補償
する水素またはフッ素のうち少なくとも１種の原子の密
度が５．０×１０22原子／ｃｍ3 以上であることによ
り、画像のかぶりの発生が生じにくくなり、その結果、
従来の電子写真感光体の表面電位が数十Ｖ低下していた
のが、その電位低下がなく、画像のかぶりや画像流れが
生じなくなった。
は、アモルファス状態の原子の密度が６．５×１０22原
子／ｃｍ3 以下である比較的粗な膜構造の表面層を積層
し、また、３．０×１０22原子／ｃｍ3 以下で含有する
アモルファス状態のＳｉ原子と、５．０×１０22原子／
ｃｍ3 以下で含有するアモルファス状態のＣ原子とを組
み合わせることにより、比較的粗な膜構造の表面層を積
層し、加えて、上記表面層のダングリングボンドを補償
する水素またはフッ素のうち少なくとも１種の原子の密
度が５．０×１０22原子／ｃｍ3 以上であることによ
り、画像のかぶりの発生が生じにくくなり、その結果、
従来の電子写真感光体の表面電位が数十Ｖ低下していた
のが、その電位低下がなく、画像のかぶりや画像流れが
生じなくなった。
【００４４】また、従来の電子写真感光体を搭載した装
置では、常時、感光体加熱用ヒーターをＯＮにしていた
が、これに対して本発明の電子写真感光体を搭載した装
置では、それを画像形成の直前までＯＮにする必要がな
く、省電力化を達成した画像形成装置を提供することが
できた。
置では、常時、感光体加熱用ヒーターをＯＮにしていた
が、これに対して本発明の電子写真感光体を搭載した装
置では、それを画像形成の直前までＯＮにする必要がな
く、省電力化を達成した画像形成装置を提供することが
できた。
【図１】実施例における電子写真感光体の層構成を示す
断面図である。
断面図である。
【図２】実施例で用いたグロー放電分解装置の概略説明
図である。
図である。
【図３】アモルファスシリコン系電子写真感光体の基本
構成を示す断面図である。
構成を示す断面図である。
１、４・・・導電性基板５・・・・・キャリア注入阻止
層２、６・・・アモルファスシリコン系光導電層３、７
・・・表面層
層２、６・・・アモルファスシリコン系光導電層３、７
・・・表面層
Claims (3)
- 【請求項１】導電性基板の上に光導電層と、ＳｉＣから
成るアモルファス状態の原子及び該原子のダングリング
ボンドを補償する水素またはフッ素の原子とから成る表
面層とを順次積層した電子写真感光体であって、前記ア
モルファス状態の原子の密度が６．５×１０22原子／ｃ
ｍ3 以下であることを特徴とする電子写真感光体。 - 【請求項２】導電性基板の上に光導電層と、ＳｉＣから
成るアモルファス状態の原子及び該原子のダングリング
ボンドを補償する水素またはフッ素の原子とから成る表
面層とを順次積層した電子写真感光体であって、前記ア
モルファス状態の珪素原子の密度が３．０×１０22原子
／ｃｍ3 以下であり、且つ前記アモルファス状態の炭素
原子の密度が５．０×１０22原子／ｃｍ3 以下であるこ
とを特徴とする電子写真感光体。 - 【請求項３】前記ダングリングボンドを補償する水素ま
たはフッ素のうち少なくとも１種の原子の密度が５．０
×１０22原子／ｃｍ3 以上であることを特徴とする請求
項１または請求項２記載の電子写真感光体。
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|---|---|---|---|
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| JP4-206406 | 1992-08-03 | ||
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- 1992-09-17 JP JP04247730A patent/JP3124841B2/ja not_active Expired - Fee Related
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