JPS62149873A - 電子写真感光体の作製方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する技術分野〕 本発明は電子写真感光体の作製方法に関する。

〔従来技術とその問題点〕

従来、電子写真感光体として例えばアモルファスＳｅ１
またはアモルファスＳｅｔこ八ｓ、　Ｔｅ、　Ｓｂなど
の不純物をドープした光導電性材料を用いた感光体、あ
るいはＺｎＯ’ｂｅｄｓなどの光導電性材料を樹脂バイ
ンダーに分散させて用いた感光体などが使用されている
。しかしながら、これらの感光体は耐熱性。

環境汚染性１機械的強度の点で問題がある。

近年、光導電性材料としてアモルファスシリコン（ａ−
Ｓｉ）を用いることによってこれら従来の電子写真感光
体の欠点を解決する技術が提案されている。蒸着あるい
はスパッタリングによって作製されたａ−５ｉは暗所で
の比抵抗が１０５０・Ｃｌ１１と低く、また、光導重度
が極めて小さいので電子写真感光体用の光導電性材料と
しては望ましくない。このようなａ−３ｉでは、５ｉ−
３ｉ結合が切れた１いわゆるダングリングボンドが生成
し、この欠陥に起因してエネルギーギャップ内に多くの
局在準位が存在する。このために熱励起担体のホッピン
グ伝導が生じて暗比抵抗が小さくなり、また光励起担体
が局在準位に捕獲されるために光導電性が悪くなってい
る。

これに対してシランガス（ＳｉＨ，）のグロー放電分解
または光ＣｖＤによって作製した水素化アモルファスシ
リコン（ａ−３ｉ（旧）では上記欠陥を水素原子（Ｉｆ
）で捕獲し、ＳｌにＨを結合させることによってダング
リングボンドの数を大幅に低減できるので光導電性が極
めて良好になり、ρ型およびｎ型の価電子制御も可能と
なったが、暗比抵抗値は高々１０８〜１０９Ω・Ｃ１ｎ
であって電子写真感光体として充分な１０′２Ω・Ｃｍ
以上の暗比抵抗値に対してまだ低い。

従ってこのようなａ−Ｓ　ｉ　（Ｈ）からなる感光体は
表面電位の暗減衰速度が大きく初期帯電位が低い。

そこで、このようなａ−３ｉ（ｔｌ）に電荷保持能を付
与するため、はう素を適量ドープすることにより暗比抵
抗を１０１２Ω・０ｍ以上まで高め、カールソン方式に
よる複写プロセスに適用することを可能にしている。

このようなａ−３ｉ（Ｈ）を表面とする感光体は初期的
には良好な画像が得られるものの、長期間大気中あるい
は高湿中に保存しておいた後画像評価した場合しばしば
画像不良を発生することが判明している。また、多数回
複写プロセスを経験するとしだいに画像ぼけを生じてく
ることもわかっている。このような劣化した感光体は特
に高湿中において画像ぼけを発生しやすく、複写回数が
増すと画像ぼけを生じ始める臨界湿度はしだいに下がる
傾向があることが確かめられている。

上述のごと＜　、ａ−５ｉ　（■）を表面層とする感光
体は長期にわたって大気や湿気にさらされることにより
、あるいは複写プロセスにおけるコロナ放電などで生成
される化学種（オゾン、窒素酸化物。

発生期酸素など〉により、感光体最表面が影響を受けや
すく何らかの化学的な変質によって画像不良を発生する
ものと考えられているが、その劣化メカニズムについて
はこれまでにまだ十分な検討はなされていない。このよ
うな画像不良の発生を防止し耐刷性を向上するために、
ａ−３ｉ（Ｈ）を表面　１層とする感光体の表面にさら
に保護層を設けて化学的安定化を図る方法が試みられて
いる。

例えば、表面保護層として水素化アモルファス炭化シリ
コン（ａ−３ｉ、ＩＣ＋−ｘ（Ｈ）、　０＜ｘ＜１）、
　　あるいは水素化アモルファス窒化シリコン（ａ−３
ｉイＮ、−、（Ｈ）。

０＜Ｘ＜１）を設けることによって感光体表面層の複写
プロセスあるいは環境雪囲気による劣化を防ぐ方法が知
られている（特開昭５７−１１５５５９号公報）。

しかし、表面保護層中の炭素濃度あるいは窒素濃度を最
適な値に選べば耐刷性をかなり改良することができるが
、高湿度雰囲気中（Ｒ）ｌ　８０％以上）での耐湿性を
維持することができず、数万枚の複写プロセスを経験す
ると相対湿度６０％台で画像ぼけを発生し、これらの表
面保護層を付与しても耐刷性９耐湿性を大幅に向上する
ことができない状況にある。

本発明者等は、上記諸問題を解決すべ（ａ−Ｓｉ材料に
ついて電子写真感光体に使用される光導電体としての適
用性とその実用性という観点から総括的に研究検討を続
けた結果、ａ−３ｉ系の感光層上に水素化アモルファス
炭素からなる表面保護層を設けた層構成に設計され作製
された感光体は、実用上十分使用し得るばかりでなく、
従来の感光体と較べてみてもほとんどの点において凌駕
しており、著しく優れた特性、耐剛性、耐環境性ををし
ていることを見出し既に提案している。本発明者等は、
このような表面保護層の最良、最適な形成方法について
検討をすすめてきた。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、前述の欠点を除去して、長期保存およ
び繰り返し使用に際しても劣化現象を起こさず、高湿雰
囲気中においても画像不良などの特性の低下がほとんど
観測されない、感光体としての特性が常時安定していて
ほとんど使用環境に制限を受けない耐久性、耐刷性、耐
湿性に優れたａ−３ｉ系感光体の作製方法を提供するこ
とにある。

さらに、本発明の他の目的は、光感度が高く、分光感度
も可視域全般にわたっている感光体の作製方法を提供す
ることである。

さらに、本発明の他の目的は、疲労特性に優れかつ比較
的残留電位の低い感光体の作製方法を提供することにあ
る。

〔発明の要点〕

本発明の目的は、導電性基体上にＲＦグロー放電分解に
よりアモルファスシリコン（ａ−５ｉ）系の感光層と水
素化アモルファス炭素（ａ−Ｃ（Ｈ）　）からなる表面
層とを順次積層して成膜することを含む電子写真感光体
の作製方法において、前記表面層を成膜するに際して、
供給される原料ガスを単位ガス量当たり３００〜２００
００Ｊ／ｃｃのエネルギーで分解することによって達成
される。

〔発明の実施例〕

以下本発明の感光体の作製方法について詳細に説明する
。

本発明による感光体の一例は第１ｆｆｌに示した如く導
電性基体１１０上に感光層１２０と表面層１３０が積層
された構造である。

ここで導電性基体１１０は円筒状、シート状いずれでも
良く、材質的にはアルミニウム、ステンレス鋼などの金
属、あるいはガラス、樹脂上に導電処理をほどこしたも
のでも良い。

感光層１２０は、材料的には水素化アモルファスシリコ
ン（ａ−Ｓ　ｉ　（Ｈ）　）　、水素化弗素化アモルフ
ァスシリコン（ａ−３ｉ　（Ｆ、　ｆｌ）　）、水素化
アモルファス炭化シリコｙ（ａ−ｓ＋１−ｘＣ＋（ｕ）
、　Ｑ＜ｘ＜ｌ）、水素化弗素化アモルファス炭化シリ
コン（ａ−３ｉ、ｘＣ，（Ｆ、Ｈ）、　０＜Ｘ＜１）。

水素化アモルファス窒化シリコン（ａ−ＳｉＮｘ（Ｉ（
）。

０＜Ｘ＜４／３）、　　水素化弗素化アモルファス窒化
シリコン（ａ−５ｉＮ、（Ｆ、）Ｉ＞、　Ｏ＜Ｘ＜４／
３）、水素化アモルファス酸化シリコン（ａ−５ｉＯ，
（Ｈ）、　０＜Ｘ＜２）、水素化弗素化７　％　／ｌ／
　７７　ス酸化シリコン（ａ−５ｉ（］、（Ｆ、Ｈ）、
　Ｑ＜Ｘ＜２）。

のうちの少なくとも一つを用いた層である。膜厚は５〜
６０μ印が実用的である。

感光層１２０の中には必要に応じてブロッキング層１２
１．光導電層１２２．バッファ層１２３などの機能分離
層を設けることが有効である。

ブロッキング層１２１の目的は、導電性基体１１０から
の電荷の注入を阻止することである。材料的には、＾１
２０３．　ＡＩＮ、　Ｓｉｎ、　Ｓｉｎ□、　ａ−３ｉ
ｔ−１ｌＣＸ（Ｐ、Ｈ（０＜ｘ＜１）、　　ａ−ＳｉＮ
Ｘ（旧（０＜Ｘ＜４／３）、　　ａ−Ｃ（Ｈ）、　　弗
素化アモルファス炭素（ａ−Ｃ（Ｆ））、　　周期律表
■族、■族の元素などをドープしたａ−Ｃ（Ｈ）、　ａ
−Ｃ（Ｆ）、　　周期律表■族、Ｖ族の元素などをドー
プしたａ−３ｉ　（Ｈ）　　などを使用できる。膜厚は
、１μｍ以下と薄い方が良い。

光導電層１２２は対象とする光の吸収能に優れかつ光導
電率の大きい材料が好ましく　、ａ−Ｓｉ（Ｈ）。

ａ−３ｉ（Ｆ、Ｈ）、　　ａ−ｓｌ、、−＋＋ｃｘ（ｕ
）（０＜ｘ＜０１３）、　　ａ−ＳｉＮ、（）Ｉ）（０
＜に＜０．２）、　　ａ−３ｉＯ，（）Ｉ）（０＜ｘ＜
０．１＞、　　ａ−Ｓｉｔ−ｘＧｅ、Ｉ（）Ｉ）などや
、これらに周期律表■族、Ｖ族の元素などをドープした
材料が好ましい。膜厚は３μｍ以上６０μｍ以下が実用
上好ましい。

バッファ層１２３の目的はより基体側の層１例えば光導
電層１２２と表面層１３０との材料的異質性を緩和する
ことである。材料的には、ａ−３ｉ　ｌ−、Ｉｃ、　（
ｔｌ）（Ｑ＜ｘ＜ｌ）、ａ−３ｉ、−、ＣＸ（Ｐ、）Ｉ
）（Ｑ＜ｘ＜ｌ）、　　ａ−３ｉＮ、（Ｈ）（０＜Ｘ＜
４／３）、　　ａ−３ｉＯ，（ｔｌ）（０＜ｘ＜２）、
　　ａ−３ｉＯ，（Ｆ、■（０、＜ｘ＜２）などを使用
できる。バッファ層１２３の膜厚は、分光感度、残留電
位、隣接する層との電気的整合性などの兼ね合いで決ま
るが、１μｍ以下が望ましい。

表面層１３０は水素と炭素を含むアモルファス履（ａ−
Ｃ（）ｔ）　）であって、基本的にＸ線あるいは電子線
による回折像が明確でない膜であり、例え一部に結晶部
を含んだとしてもその比率は低いことを意味している。

さらに、膜中の水素は炭素と結合し、赤外線吸収スペク
トルにおいて少なくとも２９００ｃ＋ｕ−’近辺の吸収
が存在する。

表面層１３０中の水素濃度は通常１〜６０原子％であり
、成膜条件すなわち原料ガス、放電パワー。

バイアス電圧、ガス流量、ガス圧、基板温度などに依存
するが、好適にはｌＯ〜４０原子％である。

またそのエネルギーギャップＢｇはｌ、　３ａＶ以上３
．２ｅＶ以下が好ましく、さらに好適には２，１ｅＶ以
上２．７ｅＶ以下であり、屈折率は１，５以上２，６以
下が好ましい。さらに比抵抗は１０８〜１０１ＳΩ・ｃ
ｍが好ましく、密度は１．３ｇ／ｃｆｆ１以上が好適で
ある。

本発明者等の知見によれば、ａ−Ｃ（）Ｉ）表面層中に
含有される水素原子と炭素原子との結合形態は炭素原子
同志の結合状態を反映しており、形成されたａ−Ｃ（Ｈ
）層が電子写真感光体の表面層として適用され得るか否
かを左右する大きな要因の一つであって重要であること
が判明している。炭素原子同志の結合状態としてはダイ
アモンド結合（四配位）。

グラファイト結合（三配位）などがある。グラファイト
結合や炭素と水素とからなるポリマー状結合（−ＣＨ２
）−を主体とするａ−Ｃ（ｆｌ）膜は耐薬品性に劣り、
また（成域的強度にも劣ることが知られており、他方、
ダイアモンド結合を主体とするａ−Ｃ（Ｈ）膜は耐薬品
性および機械的強度に著しくすぐれていることはすでに
報告されている。

本発明者等はこの点に鑑み、ａ−Ｃ（Ｈ）膜成膜中の原
料ガスを分解するに要する単位ガス量当たりのエネルギ
ーと得られるａ−Ｃ（Ｈ）膜の耐薬品性ならびに機械的
強度に関して鋭意検討を重ねた結果、ａ−Ｃ（ＩＩ）膜
を作製する際のある特定の単位ガス量当たりの原料ガス
の分解に要するエネルギー範囲とａ−Ｃ（Ｈ）膜の耐薬
品性および機械的強度との間に特有の関係が存在するこ
とを見いだし、本発明を行うに至ったのである。

次に本感光体の作製方法について第２図に概念的系統図
として例示する製造装置より説明する。

真空槽２１０の中にアルミニウム円筒からなる導電性基
体２２０を基体保持部２２１に装着し、真空槽２１０内
の圧力を１Ｏ−６Ｔｏｒｒになるように排気ポンプ２４
０により排気バルブ２４１を介して排気する。基体２２
０の温度を所定温度１例えば５０〜３５０℃の範囲内の
あ・る温度になるように保持部２２１内のヒータ２３０
および対向’Ｎ　３２５２のヒータ２３１により加熱す
る。

保持部２２１と導電性基体２２０は周方向の膜均一性を
出すために回転する。

次に前述のような各ヨを成膜するに必要な各種の原料ガ
スの圧力容器２９１〜２９５の中から成膜に必要なガス
の圧力容器バルブ、例えば２８１を開け、流量調節計２
７１を通しストップバルブ２６１を開けて真空槽２１０
の中に供給する。他のガスについても同様である。次に
、槽内圧力を所定の圧力１例えば０．００１〜５Ｔｏｒ
ｒに調整後、高周波（ＲＦ）電源２５０から高周波（１
３，５６ＭＨｚ）　Ｎ力を絶縁材２５１を通して対向電
極２５２に供給し、２５２と基体２２０の間にグロー。

放電を発生させて成膜を行う。第２図には圧力容器およ
びそれに附属する装置は５セツト示されているが、この
セット数は使用する原料ガスの種類に応じて増減されて
よい。

ａ−Ｃ（Ｈ）表面層の作製条件としては、基体温度は０
〜２００℃好適には５０〜１５０℃が望ましく、単位ガ
ス量当たりのガスの分解に要するエネルギーは３００Ｊ
／ｃｃ　〜２００００Ｊ／ｃｃが望ましい。ガス圧は０
．００１〜０．５Ｔｏｒｒ、好適には０．００５〜０．
２Ｔｏｒｒが望ましい。

成膜時には外部からバイアス電圧を加えることも膜質の
制御上有効である。またＲＦ放電の場合は自然にバイア
スが発生してくる。これを通常は自己バイアスと呼んで
いるが、このようなバイアス電圧は＋１００〜５００Ｖ
、　−１００〜−１５００Ｖが適している。

以下、具体的な実施例について説明する。

実施例　１ トリクロールエチレンで脱脂洗浄したアルミニウムの円
筒基体２２０を第２図の製造装置の真空槽２１０の保持
部２２１に装着し、次の条件で厚さ０．２μｍのブロッ
キング層１２１を形成した。

５Ｉ８４　（１００％）流量　　　　　　　２５０　ｃ
ｃ／分Ｂ、Ｈ，（５０００ＰＰＭ、　８２ベース）流量
　２０　ｃｃ／分ガス圧　　　　　　　　　　　　０．
５　ＴｏｒｒＲＰ電力　　　　　　　　　　　　　５０
１１基体温度　　　　　　　　　　　２００　℃成膜時
間　　　　　　　　　　　１０分間さらに、この上に次
の条件で光導電層１２２を厚さ２５μｍに形成した。

ｓ１＋、　（１００％）流量　　　　　　　　２００　
ｃｃ／分Ｂ２Ｈｓ　（２０ＰＰＭ、　８２ベース）流Ｉ
！　　　１０ｃｃ／分ガス圧　　　　　　　　　　　　
１，２　ＴｏｒｒＲＦ電力　　　　　　　　　　　　　
３００Ｗ基体温度　　　　　　　　　　　２００　℃成
膜時間　　　　　　　　　　　３時間さらに、この上に
次の条件でバッファ層１２３を厚さ０，１μｍに形成し
た。

５ＩＨ４（１００％）流量　　　　　　　１００　ｃｃ
／分ＣＨ，（１００％）流量　　　　　　　　８０　ｃ
ｃ／分Ｂ２Ｌ　（２０００ＰＰＭ、　Ｈ，ベース）流量
　１５　ｃｃ／分ガス圧　　　　　　　　　　　　１．
Ｑ　ＴｏｒｒＲＦ電力　　　　　　　　　　　　　２０
０Ｗ基体温度　　　　　　　　　　　２００　℃成膜時
間　　　　　　　　　　　２分間さらに、この上に次の
条件で表面層１３０を厚さ０．１μｍに形成した。

Ｃ３Ｌ　（１００％）流量　　　　　　　２０　ｃｃ／
分ガス圧　　　　　　　　　　　　Ｑ、ｌ　ＴｏｒｒＲ
Ｆ電力　　　　　　　　　　　　　２００Ｗ成膜時間　
　　　　　　　　　　５分間この表面層を形成したとき
の基体温度は、９０℃〜１１０℃である。基体温度は赤
外線温度計と熱電対により測定した。

以上のようにして形成した感光体における光導電層１２
２のエネルギーギャップＥｇは１．８ｅＶである。

また、バッファ層１２３の組成はａ−３ｌｏ、　ｆｆｃ
Ｏ，ｆｆ（ｌｌ）であり、そのＥｇは２．ｌｅＶである
。さらに表面層１３０のＢｇは２．７ｅＶであり、膜の
密度は１．７ｇ／　ｃｔｌ、屈折率は２．１でＫｎｏｏ
ｐ硬度は２０００　ｋｇｆ／　＋ｎｍ”である。さらに
、熱放出から測定した水素濃度は３５原子％であった。

この感光体をカールソン方式の普通紙複写機に装着し５
万枚のコピーを実施したが、極めて鮮明な画像が得られ
た。また、５万枚コピー実施後のコピーテストにおいて
、温度３５℃相対湿度８５％の雰囲気におけるコピーに
おいても画像は鮮明であった。

比較のために、試料１と同様の手順で表面層だけがない
感光体を作製し、同様に５万枚コピー実施後、コピーテ
ストを行ったが、温度３５℃相対湿度６０％の雰囲気に
右けるコピーですでに画像分解能が低下し１画像ぼけが
生じた。従ってこの表面層を形成することにより耐湿性
が大幅に向上することが判る。

表面層１３０の形成のためには必ずしもＣ３Ｈ，を用い
る必要はなく、各種の炭化水素１例えばＣＨ，。

Ｃ２Ｈ６，Ｃ４１１１０，Ｃ２Ｈ，、Ｃ２Ｈ２，Ｃ６Ｈ
６などのガスおよびこれらのガスと水素や酸素との混合
ガスの使用が可能である。特に数％の酸素の添加は感光
体の特性の安定化に有効であるが、その場合でも本成膜
方法が適用される。

実施例　２ 第３図に原理的に示した装置を用いて円筒基体面に形成
されたａ−Ｃ（Ｈ）膜の膜質とその分布を調査した。

第３図において、３１０は真空槽であり、その内部に真
空槽内壁に固着された支持部材３１１にその一端が円筒
軸が水平になるように接続保持されかつ軸を中心として
回転可能な円筒状支持体３２１が設けられ、この支持体
を所定の空間をおいて囲むようにして円筒電極３３０が
その中心軸が支持体の中心軸と一致するように絶縁部材
を介して真空槽内壁に固着されている。この円筒電極３
３０は絶縁材３３１を通して外部のＲＦ電源３３２に接
続されている。

また、真空槽壁の支持体３２１の軸の延長上にあたる部
位に相対してガス供給口３４０と排気口３５０が設けら
れている。さらに、支持体３２１および円筒電極３３０
はそれぞれヒータ３６０．３６１により温度制御され所
定の温度に保持できるようになっている。

支持体３２１にアルミニウム円筒基体３２０を装着し回
転させながらヒータ３６０により基体温度を１００℃に
保つ。真空槽３１０内を排気口３５０より排気バルブ３
５１を介して排気装置３５２より排気し、原料ガスとし
てのプロパンＣＪｓ（１００％）をボンベ３４４より圧
力容器バルブ３４３．流量調節計３４２．ストップバル
ブ３４１を介してガス供給口３４０から真空槽３１０に
供給する。供給されたガスは基体３２０と円筒電極３３
０により形成されている空間を流れ排気口３５０より真
空槽３１０外へ排気される。このように原料ガスを流し
ながらＲＦ電源３３２より基体３２０と円筒電極３３０
との間にＲＦ電力を投入するとグロー放電が発生し原料
ガスのＣ３Ｈａが分解して基体３２０表面上にａ−Ｃ（
Ｈ）膜が形成される。ガスの流入する側の基体端をＯ位
置とし基体上ＸＣＩ＋＋の位置でガスが分解してａ−Ｃ
（１１）が堆積する場合、ガスは基体の０位置からｘ　
ａｍの位置に到達するまでの間に得たエネルギーを分解
エネルギーとして要したことになりその単位ガス量当た
りに供給されたエネルギーＢ　ＣＪ／ｃｃ）は次の〔１
〕式で与えられる。

ココテ、　１１ｔ　［１１１３＋　ＲＦ電力Ｐ＝Ｐｓ／
Ｐｗ　：　Ｐｓは１気圧。

Ｐｗは放電圧力（７ｏｒｒ　） ｒｌ（ａｍ）：　円筒電極の半径 ｒ２（ｃｍ）＋　円筒基体の半径 β（ｃｍ）１円筒基体の長さ Ｆ［ｃｃ］、供給ガス流量 ｘ（ａｍ）、ガス流入側の基体端からの距離 である。

本発明者等の調査によると表面層として硬度が６００〜
３０００　ｋｇｆ／　ｍｍ２の範囲にあるａ−Ｃ（Ｈ）
膜を有する感光体は５万枚以上の画像出し試験に充分耐
えることが判明している。そこでｒ＋＝１０．　ｒ２＝
２０゜ｆ　＝５０．であるような第３図に示す装置を用
い、円筒基体面上にテストピースとしての８１ウエハー
およびガラス基板を距離Ｘの位置にセットし、ａ−Ｃ（
Ｈ）の成膜を行ない、各位置で形成されたａ−Ｃ（Ｈ）
膜の硬度が６００〜３０００　ｋｇｆ／　ａｍ’の範囲
になるようにしようとすると、Ｆ＝１００．　Ｐｗ＝０
．１．１１ｔ＝５０となり、これらの条件により円筒基
体上の位置とその位置における単位ガス量当たりの供給
エネルギーを〔１〕式により求めると第４図に示す線図
のようになる。

また、実際に成膜されたａ−Ｃ（Ｈ）膜の硬度と基体上
の位置の関係を第５図に、ガラス上に成膜された膜の透
過率より求めた光学的エネルギーギャップと基体上の位
置関係を第６図に示す。これらの図に右いて、横軸はガ
ス流入側の基体端を基準とした基体上の位置を示す。

この光学的エネルギーギャップが１．３ｅＶ以上ある場
合には、そのようなａ−Ｃ（Ｈ）膜を表面層として有す
る感光体は充分な光感度を示すことは知られている。

以上のことから、画像出し５万枚を行った後においても
画像品質が劣化しないような感光体を得るためには、そ
の硬度の点においては第４図と第５図から表面層として
のａ−Ｃ（Ｈ）膜成膜時の必要な単位ガス量当たりの分
解エネルギーは３００Ｊ／ｃｃ以上であり、その光感度
の点では第４図と第６図とから必要な分解エネルギーは
２００００Ｊ／ｃｃ以下となり、結局感光体として好適
な表面層としてのａ−Ｃ（Ｈ）膜を得るためにはその成
膜時の単位ガス量当たりの分解に要するエネルギーＢは
３００〜２００００Ｊ／ｃｃの範囲が適している。

以上述べた実施例においては感光層の形成をＲＦグロー
放電分解により行ったがこの方法に限られることはなく
、例えば光ＣＶＤ法で形成してもよい。

〔発明の効果〕

本発明によれば、アモルファスシリコン系の感光層上に
水素化アモルファス炭素からなる表面層を形成するにあ
たり、３００〜２００００Ｊ／ｃｃいう単位ガス量当た
りのガス分解エネルギー範囲で行う。このような条件で
成膜を行うことにより、長期保存および繰り返し使用に
際しても劣化現象を起こさず、耐久性、耐湿性、耐刷性
に優れ、かつ、光感度などの感光体としての特性の優れ
た電子写真用感光体を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による感光体の一例を示す模式的断面図
である。第２図は本発明による方法を実施するための製
造装置の一例の概念的系統図である。第３図は本発明の
方法による膜質分布評価用成膜装置の一例の模式的断面
図である。第４図は基体上の位置に対する単位ガス量当
たりに供給されるエネルギーを計算により求めた線図、
第５図は基体上の位置に対する膜硬度の実測値を示す線
図、第６図は同じく基体上の位置に対する光学的エネル
ギーギャップを膜の透過率より求めて示した線図である
。 １１０：導電性基体　１２０：感光層　１３０：表面層
。 第１図 第２図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １）導電性基体上に、ＲＦグロー放電分解によりアモル
   ファスシリコン系の感光層と水素化アモルファス炭素か
   らなる表面層とを順次積層して成膜することを含む電子
   写真感光体の作製方法において、前記表面層を成膜する
   間、供給される原料ガスを分解するに要するエネルギー
   が単位ガス量当たり３００〜２００００Ｊ／ｃｃである
   ことを特徴とする電子写真感光体の作製方法。