JPS5893385A

JPS5893385A - 光導電部材

Info

Publication number: JPS5893385A
Application number: JP56193201A
Authority: JP
Inventors: Kyosuke Ogawa; 小川　恭介; Shigeru Shirai; 茂白井; Junichiro Kanbe; 純一郎神辺; Keishi Saito; 恵志斉藤; Yoichi Osato; 陽一大里
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1981-11-30
Filing date: 1981-11-30
Publication date: 1983-06-03
Also published as: JPH0376035B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光線，可視光
線，赤外光線，Ｘ線、，ｒ線等を示す）の様な電磁波に
感受性のある光導電部材に関する。

固体撮偉装置、或いは像形成分野における電子写真用像
形成部材や原稿読取装置における光導電層を形成する光
導電材料としては、高感度で、８Ｎ比〔光電流（Ｉｐ）
　／暗電流（Ｉｄ））が高く、照射する電磁波のスペク
トル特性にマツチングした吸収スペクトル特性を有する
こと、光応答性が速く、所望の暗抵抗値を有すること、
使用時において人体く対して無公害であること、更には
固体撮倫装置においては、残儂を所定時間内に容易に処
理することができること等の特性が要求される。殊に、
事務機としてオフィスで使用される電子写真装置内に組
込まれる電子写真用像形成部材の場合には、□上記の使
用時における無公害性は重要な点である。

この様な点に立脚して最近注目されている光導電材料に
アモルファスシリコ７　（以１１　ａ　−８ｉと表記す
）があり、例えば、独国公開第２７４６９６７号公報、
同第２８５５７１８号公報には電子写真用像形成部材と
して独国公開第２９３３４１１号公報には光電変換読取
装置への応用が記載されている。

丙午ら、従来のａ−８ｉで構成された光導電層を有する
光導電部材は暗抵抗値、光感度、光応答性等の電気的、
光学的、光導電的特性、及び熱繰返し特性の点、′ｊ！
には経時的安定性の点において、総合的な特性向上を計
る必要があるという更に改良される可き点が存するのが
実情である。

例えば、電子写真用像形成部材に適用し九場合に、高光
感度化、高暗抵抗化を同時に計ろうとすると従来におい
てはその使用時において残留電位が残る場合が度々観測
され、この種の光１：１導電部材は長時間繰返し使用し続けると、繰返し使用に
よる疲労の蓄積が起って、残倫が生ずる所謂ゴースト現
象を発する様になる等の不都合な点が少なくなかった。

又は例えば、本発明者等の多くの実験によれば、電子写
真用像形成部材の光導電層を構成する材料としてのａ−
８ｉは、従来Ｏ８ｅ　、　Ｏｄ８　、Ｚｒ５Ｏ等の無機
光導慰材料或いはＰＶＯｇ　＋ＴＮＦ等の有機光導電材
料に較べて、数多くの利点を有するが、従来の太陽電池
用として使用する九めの特性が付与されたａ−８ｉから
成る単層構成の光導電層を有する電子写真用像形成部材
の上記光導電層に静電像形成の丸めの帯電処理を施して
も暗減衰（ｄａｒｘ　ｄｅｃａｙ　）が著しく速く、通
常の電子写真法が仲々適用され難いこと等、解決され得
る町き点が存在していることが判明している。

更に、ａ−８ｉ材料で光導電層を構成する場合には、そ
の電気的、光導電的特性の改良を計る九めに、水素原子
或いは弗素原子や塩壽原十等のハロゲン原子、及び電気
伝導ｍの制御のために＋ｌｌ！素原子や燐原子等ス或い
はその他０４１性改良のために他の原子が、各々構成原
子として光導電層中和含有されるが、これ等の構成原子
の含有の仕方如何によっては、形成した層の電気的、光
学的或いは光導電的特性に問題が生ずる場合がある。

即ち、例えば形成した光導電層中に光照射によって発生
したフォトキャリアの該層中での寿命が充分でないこと
、或いは暗部において、支持体側よりの電荷の注入の阻
止が充分でないこと等が生ずる場合が少なくない。

従ってａ−８ｉ材料そのものの特性改良が計られる一方
で光導電部材を設計する際に、上記した様な所望の電気
的、光学的及び光導電的特性が得られる様に工夫される
必要がある。

本発明は上記の論点ＫｆＩＩｉみ成され友もので、ａ−
８ｉＫ就て電子写真用像形成部材や固体撮侭装置、読取
装置等に使用される光導電部材としての適用性とその応
用性という観点から総括的に鋭意研究検討を続けた結果
、シリコン原子を母体とし、水素原子（Ｈ）又はノ・ロ
ゲン原子α）のいずれか一方を少なくとも含有するアモ
ルファス材料、所謂水素化アモルファスシリコン、ハロ
ゲン化アモルファスシリコン、或いはハロゲン含有水素
化アモルファスシリコン〔以後コれ等の総称的表記とし
て［ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）　Ｊ　　を使用する〕から構成
される光導電層を有する光導電部材の層構成を特定化す
る様に設計されて作成された光導電部材は実用上著しく
優れ九特性を示すばかりでなく、従来の光導電部材と較
べてみてもあらゆる点において凌駕していること、殊に
電子写真用の光導電部材として著しく優れた特性を有し
ていることを見出した点に基づいている。

本発明は電気的、光学的、光導電的特性が実質的に常時
安定しており、耐光疲労に著しく長け、繰返し使用に際
しても劣化現象を起さず耐久性に優れ、残留電位が全く
、又は殆んど観測されない光導電部材を提供することを
主たる目的とする。

本発明の他の目的は、電子写真用像形成部材として適用
させた場合、静電像形成のための帯電処理の際の電荷保
持能が充分あり、通常の電子写真法が極めて有効に適用
され得る優れた電子写真特性を有する光導電部材を提供
することである。

本発明の更に他の目的は、濃度が高く、ハーフトーンが
鮮明に出て且つ解儂度の高い、高品質ｉｉ＋儂を得る仁
とが容鳥にできる電子写真用の光導電部材を提供するこ
とである。

本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性、高ＳＮ比
特性及び支持体との間に良好な電気的接触性を有する光
導電部材を提供することでもある。

本発明の光導電部材は、光導電部材用の支持体と、シリ
コン原子を母体とし、構成原子として水素原子（Ｈ）又
はハロゲン原子α）のいずれか一方を少なくとも含有す
る非晶質材料（ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ））で構成された、光
導電性を有する非晶質層とを、有する光導電部材におい
て、前記非・１：）。

晶質層が構成原子として、層厚方向に不均一で連続的な
分布状態で窒素原子が含有されている第一の層領域と、
構成原子として層厚方向に不均一で連続的な分布状態で
周期律第層表に属する原子が含有されている第二の層領
域とを有する事ｆ特徴とする。

上記した様な層構成を取る様にして設計された本発明の
光導電部材は、前記し九諸問題の総てを解決し得、極め
て優れた電気的、光学的、光導電的特性及び使用環境特
性を示す。

殊に、電子写真用像形成部材として適用させた場合には
帯電処理の際の電荷保持能に長け、１ｉＩｌｉ　偉形成
への残留電位の影響が全くなく、その電気的特性が安定
しており高感度で、高８Ｎ比を有するものであって耐光
疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く、ハーフトー
ンが鮮明に出て、且つ解倫度の高い、高品質の可視画倫
を　７得ることができる。

以下、図面に従って本発明の光導電部材に就て詳細に説
明する。

第１図は、本発明の第１の実施態様例の光導電部材の層
構成を説明するために模式的に示した模式的構成図であ
る。

４１図に示す光導電部材１００は、光導電部材用として
の支持体１０１の上に、ａ−８４（Ｈ，Ｘ）から成る光
導電性を有する非晶質層１０２を有する。非晶質層１０
２は、構成原子として窒素原子を含有する第一の層領域
１０３　、周期律表第曹族に属する原子（第■族原子）
を含有する第二の層領域１０４及び第二の層領域１０４
上に、第層表原子が含有されてない表面層領域１０５と
から成る層構造を有する。第一の層領域１０３に含有さ
れる窒素原子は該層領域１０３に於いて層厚方向には連
続的に分布し、その分布状ｊｇ１は不均一とされるが、
支持体１０１０表面に実質的に平行な方向には連続的に
且つ実質的に均一に分布され／′ るのが好ましいものである。

第１図に示す光導電部材１００は非晶質層１０２の表面
部分には第■族原子が含有されない層領域１０５が設け
であるが、咳層領域１０５は必要に応じて設けられるも
ので、本発明に於いては必須要件ではない。即ち、例え
ば第１図に於いて第１の層領域１０３と第二の１領域１
０４とが同じ層領域であっても良いし、又、第一の層領
域１０３の中に第二の層領域１０４が設けられても良い
ものである。第二の層領域１０４中に含有される第１族
原子は、該層領域１０４　Ｋ於いて層厚方向には連続的
に分布し、その分布状態は不均一であり、且つ支持体１
０１の表面に実質的に平行な方向には連続的に且つ実質
的に均一に分布されるのが好ましいものである。

本発明の光導電部材に於いては、第一の層領域には窒素
原子の含有によって高暗抵抗化と、非晶質層が直接設け
られる支持体との間の密着性の向上が重点的に計られて
いる。殊に、第１図に示す光導電部材１００の様に非晶
質層１０２が窒素原子を含有する第一の層領域１０３、
第■族原子を含有する第二の層領域１０４、第■族原子
の含有されていない表面層領域１０５とを有し、第一の
層領域１０３と第二の層領域１０４とが共有する層領域
を有する層構造のｉ合により良好な結果が得られる。

又、本発明の光導電部材に於いては、第一の層領域１０
３に含有される窒素原子の該層領域１０３に於ける１−
厚方向の分布状態は第１には咳第−の層領域１０３の設
けられる支持体１０１又は他の層との密着性及び接触性
を良くする為に支持体１０１又は他の層との接合面側の
方に分布嬢度が高くなる様にされる。第２には、上記第
一の層領域１０３中に含有される窒素原子は、非晶質層
１０２の自由表面１０６側からの光照射に対して、表面
層領域１０５の高感度化を計る為に自由表面１０６側に
於いて分布濃度が次第に減少され、自由表面１０６に於
いては分布濃度が実質的に零となる様に第一の層領域１
０３中に含有されるのが好ましいものである。第二の層
領域１０４中に含有される第■族原子にあっては、非晶
質層１０２０表面層領域１０５に該第■族原子が含有さ
れない例の場合には、第二の層領域１０４と表面層領域
１０５との間の接合面での電気的接触性を滑らかにする
為九表面層領域１０５側に於いて、第二の層領域１０４
中のＩｓＩ族原子の分布濃度は表面層領域１０５との接
合面方向に次第に減少され、該接合面に於いて実質的に
零となる機に第■族原子の分布状態が形成されるのが好
ましいものである。

原子として使用されるのは、Ｂ（硼素）１Ｍ（アルミニ
ウム）　、　Ｇａ　（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム）
、Ｔ／（タリウム）等であり、殊に好適に用いられるの
はＢ、Ｇａである。

本発明において、第二の層領域中に含有される第■族原
子の含有量としては、本発明の目的が効果的に達成され
る様に所望に従って適宜法められるが、非晶質層を構成
するシリコン原子の量に対して、通常は１〜１００　ａ
ｔｏｍｉ　ｃ　ｐｐｍ　１好ましくは２〜５０　ａｔｏ
ｍｉｃ　ｐｐｍ１最適には３〜２０ａｔｏｍｉｃ　ｐｐ
ｍとされるのが望ましいものである。

第一の層領域中に含有される窒素原子の量に就ても形成
される光導電部材に要求される特性に応じて所望に従っ
て適宜法められるが、通常の場合、０．０１〜２０　ａ
ｔｏｍｉｃ％、好ましくは０．０２〜１０　ａｔｏｍｉ
ｃ％、最適には０．０３〜５　ａｔｏｍｉ　ｃ　％とさ
れるのが望ましいものである。

第２図乃至第９図の夫々には、本発明における光導電部
材の非晶質層中に含有される窒素原子及び第■族原子の
層厚方向の分布状態の典型的例が示される。

第２図乃至第１０図において、横軸は窒素原子又は第■
族原子の含有濃度Ｏを、縦軸は光導電性を示す非晶質層
の層厚方向を示し、ｔＢは支持体側の表面の位置を、ｔ
ｓは支持体側とは反対側の表面の位置を示す。詰り、窒
素原子及び第■族原子の含有される非晶質層はｔＢ側よ
りｔＢ側に向って層の成長がなされる。

尚、横軸のスケールは、窒素原子と第■族原子とでは異
なっている。又、第２図乃至第９図に於いて、実線Ａ２
〜Ａ９、実線Ｂ２〜Ｂ９は夫々窒素原子の分布濃度線、
第■族原子の分布濃度線を示す。

第２図には、非晶質層中に含有される窒素原子及び第■
族原子の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示される
。

＠２図に示す例では、ａ　−８ｉ　（Ｈ，Ｘ）から成り
光導電性を示す非晶質層（ｔｓｔＢ　）　（ｉｓからｔ
Ｂまでの全層領域）は、支持体側より窒素原子が分布濃
度ｑｏ）ｔで、第璽族原子が分布濃度ｑＩ）１で、層厚
方向に実質的に均一に分布している層領域（ｈ　ｔＢ）
　（ｔｔとｔＢとの間の層領域）と、窒素原子の分布濃
度が分布濃度ＱＯ）１から実質的に零になるまで線型的
に次第に減少し且つ第■族原子の分布濃度が分布濃度Ｑ
ｌ）１から実質的に零になるまで線型的に次第に減少し
ている層領域（１ｓ　ｔｓ）とを有している。

第２図に示す例の様に非晶質層（ｉｔｔＢ゛）が支持体
側表面けられ、支持体又は他の層との接触面（ｔＢに相
互）を有し、窒素原子及び第■族鳳子の分布が均一であ
る層領域（ｔｌｔＢ）を有する場合には、分布濃度ｑ１
．及び９ｏ）１は、支持体或いは他の層との関係に於い
て所望に従って適宜法められるものであるが、Ｃ（ＩＩ
ｌの場合シリコン原子に対して通常の場合０．１−１０
００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　。

好適には１〜４００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　、最適に
は２〜２００ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとされ、０（ｏ）１
の場合、シリコン原子に対して通常は０．０１〜３０　
ａｔｏｍｉ　ｃ　Ｘ、好適には０．０２〜２０　ａｔｏ
ｍｉｃ　Ｘ、最適には０：０３〜１０　ａｔｏｍｉｃ　
Ｎとされるのが望ましいものである。

層領域（ｔＢ　ｔｓ　）は、主に高光感度化を計る為に
設けられるものであり、該層領域（ｔｓｌｓ）の層厚は
、窒素原子の分布濃ｆ　０（０１１及びｆａＭ族原子の
分布濃度Ｃ＠１．殊に分布濃度０ｔｏ）ｔとの関係に於
いて適宜所望に従−りて決められる必要がある。

本発明に於いて、非晶質層の表面層領域に設けられる層
領域（ｉｓ　ｈ　）の層厚としては、通常５００Ａ〜３
μ　とされるのが望ましいものである。

第２図に示される様な窒素分子及び第■族原子の分布状
態を有する光ｉ電部材に於いては高光感度化及び高暗抵
抗化を計り乍ら、支持体又は他の層との間の密着性と支
持体側よりの非晶質層中への電荷の阻止性をより向上さ
せるには、第２°図に於いて一点鎖ＩＩｉＩｍで示す様
に非晶質層の支持体側表面（１Ｂの位置に相当）部分に
於いて、窒素原子の分布濃度を分布濃度０ｒｏ）ｔより
夏に高くした層領域（ｔ２ｔＢ）を設けるのが良いもの
である。

窒素原子が高濃度で分布している層領域（ｉｔｔＢ）に
於ける窒素原子の分布濃度０（、）＠としては、シリコ
ン原子に対して通常は、７０　ａｔｏｍｉｃ％以下、好
適には５ｏ　ａｔｏｍｔｃ％以下、最適には３０　ａｔ
ｏｍｉｃに以下とされるのが望ましいものである。窒素
原子が高濃度で分布される層領域に於ける窒素原子の分
布状態は、第２図に一点鎖線ａで示す様に層厚方向に一
定均一とされても曳いし、直接接合される隣接層領域と
の間の電気的接触を良好にする為に一点鎖線すで示す様
に、支持体側より、ある厚さまで一定値ｑＯ）２で、そ
の後は、０（ｏ）ｌになるまで連続的に次第に減少する
様にされても良い。

第二の層領域に含有される第璽族原子の該層領域に於け
る分布状態は、支持体側に於いて、分布濃度Ｏ［ｌｌで
一定値を維持した層領域〔層領域（１，１Ｂ）に相互〕
を有する様にされるのが通常であるが、支持体側より非
晶質層への電荷の注入をより効率良く阻止する為には支
持体側に第２図に一点鎖線Ｃで示す様に第■族原子が高
濃度で分布する層領域（１，１Ｂ）を設けるのが望まし
いものである。

本発明に於いては、層領域（１，１８）は位置１Ｂより
５μ以内に設けられるのが好ましい０層領域（１，１Ｂ
＞は、位置ｔＢより５μ厚までの全要領７域ＬＴとされ
ても良いし、又、層領域ＬＴの一部として設けられても
良い。

層領域（１，１８）を層領域ＬＴの一部とするか又は全
部とするかは、形成される非晶質層に要求される特性に
従って適宜法められる。

層領域（１，１８）はその中に含有されるｗＥＩ族原子
の層厚方向の分布状態として第■族原子の含有量分布値
（分布濃度値）の最大Ｏｍａｘがシリコン原子に対して
通常は５０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、好適には８　
Ｑ　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、最適には１０６１０６
ａｔｏ　ｐｐｍ以上とされる様な分布状態となり得る様
に層形成されるのが望ましい。

即ち、本発明においては、第■族原子の含有される第二
の層領域は、支持体側からの層厚で５μ以内（ｔＢから
５μ厚の層領域）Ｋ：含有量分布の最大値Ｏｍａｘが存
在する様に形成されるのが好ましいものである。

本発明【於いて、窒素原子が高濃度に分布している層領
域（ｔ２１Ｂ）の層厚及び第曹族原子が扁濃度に分布し
ている層領域（１３１Ｂ＞の層厚は、これ等の層領域に
含有される窒素原子或いは第■族原子の含有量及び含有
分布状態に応じて所望に従って適宜決定され、通常の場
合、５０Ａ〜５μ、好適には１００Ａ〜２μ、最適には
２００Ａ〜５０００Ａ　　とされるのが望ましいもので
ある。

第３図に示される例は、基本的には第２図に示した例と
同様であるが、異なる点は、第２図゛の例の場合にはｔ
ｌの位置より１窒素原子の分布濃度も第■族原子の分布
濃度も共に減少が始まり、位置１８に到って実質的に零
になっているＯＫ対して、第３図の係りの場合には、実
線Ａ３で示す様に窒素原子の分布濃度はｔ、の位置よシ
、実線Ｂ３で示す様に第■族原子の分布濃度はｔｌの位
置より、夫々減少が始まり、ｔ８の位置く於いて、両者
共に実質的に零になっていることである。

即ち、窒素原子の含有されている第一の層領域（１８１
Ｂ）は分布濃度Ｃ，）１で実質的に均一に分布されてい
る層領域（１，１Ｂ）と位置ｔ３より分布濃度０（。）
１から実質的に零に到るまで線型的に次第に減少してい
る層領域（１８１，＞とで構成されている。

第■族原子の含有される第二の層領域（１８１Ｂ）は、
分布濃度０＠１で実質的に均一に分布されている層領域
（１１１Ｂ）と、位置ｔ、より分布濃度Ｃ＠１から実質
的に零に到るまで線型的に次第に減少している層領域（
１８１，＞とで構成さｌている。　　　　　　　′□゛
□ 第一図に示す例は、第３図に示す例の変形例であって、
窒素原子が分布濃度Ｃ１゜）、で均一分布で含有されて
いる層領域（ｔｌｔＢ”）中に、第■族原子が分布濃度
０．１で均一分布で含有されている層領域（ｔ２ｔＢ）
が設けである点を除けば、第３図に示す場合と同様であ
る。

第５図に示す例は、第曹族原子が一定の分布濃度が均一
分布で含有゛されている層領域を２つ有する場合である
。

第５図に示す例の非晶質層は、支持体側よ炒輩素原子と
第■族原子との両方が含有されている層領域（１２１Ｂ
）と、該層領域（１，１，）上に第■族原子は含有され
ているが窒素原子は含有されてない層領域（１８１，）
とで構成されている。

そして、窒素原子の含有されている層領域（ｔ２１Ｂ）
は、分布濃度０．）１で層厚方向に１！質的に均一に分
布されている層領域（１，１Ｂ＞と、分布濃度０．。１
、より次第に線型的に減少されて実質的に零に到ってい
る層領域（１，１４）とで構成されている。

層領域（１８１Ｂ）は、支・特休側から第璽族原子が分
布濃度Ｃ＠１で実質的に均一分布している層領域（１，
１Ｂ（：分布濃度Ｃ＠１から分布濃度ｑ、）３ま−で線
型的に連続減少して分布している層領域（ｔｚｔｓ）、
分布濃度Ｃ＠３で実質的に均一分布している層領域（１
１１，＞　、及び分布濃度０−から線型的に連続減少し
て分布している層領域（１゜１、）とが積層された層構
成を有している。

第６図は、第５図に示す例の変形例が示される。

第６図に示す例の場合には、窒素原子と第層表原子とが
夫々、分布濃度０（０）１　ｔ　ｏ＠１で均一分布して
いる層領域（１４１８＞と、窒素原子が分布濃度Ｃ（。

、１から線型的゛に次第に減少されて実質的に零に到っ
ている層領域（１，１，）中に、線型的に減少する分布
状態で第■族原子が含有されている層領域（１３１４）
と分布濃度Ｃ１て実質的に均一分布状態で第■族原子が
含有されている層領域（１，１３）−とが設けられてい
る。

層領域（１２１８＞の上には、窒素原子が実質的に含有
さ些てない層領域（１８１，＞が設けられ、層領域（１
８１，）は、第■族原子が分布濃度〜。

で均一に含有されている層領域（１，１，）と、分高濃
度Ｏ＠３から次第に減少する状態で第璽族原子が含有さ
れている層領域（１，１，＞とで構成されている。

第７図には、非晶質層〔層領域（１，１８））の全領域
に第■族原子が含有され、表面位置ｔ、に於いても分布
濃度Ｏの３で第■族原子が含有されている例が示される
。

窒素原子の含有される層領域（ｔｇ　ｔｌ　）は、実ａ
Ａ７で示す様に、分布濃度Ｃｆｏ）１で均一分布状態で
窒素原子が含有されている層領域（１，１１）と、分布
濃度０ｏ）１から次第に減少されて零に到る分布状態で
窒素原子が含有されている層領域（ｔ、ｔ２）とを有す
る。

非晶質層中に於ける第■族原子の分布は、実−Ｂ７で示
される。即ち、第璽族原子の含有される層領域（１，１
！ｌ）は、分布濃度０＠１で均一に第層表原子が分布さ
れている層領域（１１１，）と、分布濃度へ、と分布濃
度Ｏ＠、との間の第■族原子の分布変化を連続させる為
に、これ等の分布濃度間で線型的に連続的に変化してい
る分布状態で第凹族原子が含有されている層領域（１，
１，）とを有する。

第８図には、第７図に示す例の変形例が示される。

非晶質層の全領域には、実線Ａ８及び実線Ｂ８で示す様
に、夫々、窒素原子及び第■族原子が含有されており、
要領Ｍ　（ｔ、　ｔ、　）に於いては、ｌ！素原子が分
布濃度ｑＯ）１で、第■族原子が分布濃度Ｃｍ１で夫々
、均一な分布状態で含有されており、層領域（１，１１
＞に於いては、第■族原子が分布濃度Ｃ１１１３の均一
な分布状態で含有されている。

窒素原子は、実線Ａ８で示される様に層領域（１，１，
）に於すて、支持体側よシ分布濃ｇ　Ｏ，。）１から線
型的に次第に減少されて位置ｔ、に於いて実質的に零に
なる様に含有されている。

介］１層領域（１１１２）では、第■族原子が分布濃度０（２
）、から分布濃度０−に到るまで徐々に減少する分布状
態で含有されている。

第９図に示す例に於いては、窒素原子、　！１族原子の
いずれもが、連続的に分布する層領域に於いて不均一な
分布状態で含有され、窒素原子の含有されている層領域
（ｔｌ’ｔ、　）中に第■族原子が含有されている層領
域（１，１１）が設けられている。

そして、層領域（ｔ、　ｔ、　）　Ｋ於いては、窒素原
子が分布濃度Ｃ（。）、で、第■族原子が分布濃度Ｃ０
１で、夫々一定の分布濃度で実質的に均一に含有されて
お塾、層領域（１１１，）では窒素原子及び第■族原子
が夫々層の成長に併せて次第に分布鰻度を減少する様に
含有され、第■族原子の場合には、位置ｔ１に於いて分
布濃度が実質上塔とされている。

窒素原子は、第■族原子の含有されてない層領域（１，
１１）に於いて線臘的な減少分布状態を形成する様は含
有され、ｔ、４Ｃ於いてその分布状態が実質的に零とさ
れている。

以上、第２図乃至第９図により、非晶質層中に含有され
る窒素原子及び第曹族原子の層厚方向の分布状態の典型
例の幾つかを説明し九が、第３図乃至第１θ図の場合に
おいても、第２図の場合に説明したのと同様に支持体側
に、窒素原子又はｇ層表原子の含有濃［０の高い部分を
、表面ｔ、側には、含有濃度０が支持体側に較べて可成
り低くされ九部分を有する分布状態が形成された層領域
を設けても良いものである。

本発明において、必要に応じて非晶質層中に含有される
）・ロゲン原子（Ｘ）としては、具体的にはフッ素、塩
素、臭素、ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素、塩素を好適
なものとして挙げることが出来る。

本発明において、ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される非晶
質層を形成するには例えばグロー放電法、スパッタリン
グ法、或いはイオンブレーティング法等の放電現象を利
用する真空堆積法によって成される。例えば、グロー放
電法によって、ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される非晶質
層を形成するに／Ｉｉ、基本的にはシリコン原子（８１
）を供給し得るＳｉ供給用の原料ガスと共に、水票原子
（Ｈ）導入用の又は／及びハｐゲン原子α）導入用の原
料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に導入して、該
堆積室内にグロー放電を生起させ、予め所定位置に設置
されである所定の支持体表面上にａ　−８ｉ　（Ｈ，Ｘ
）からなる層を形成させれば良い。父、スパッタリング
法で形成する場合には、例えばＡｒ、　Ｈｅ等の不活性
ガス又はこれ等のガスをペースとした混合ガスの雰囲気
中でＳｔで構成されたターゲットをスパッタリングする
際、水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入
用ノガスをスパッタリング用の堆積室に導入してやれば
良ｂ０本発明において使用される８１供給用の原料ガスとして
は、８ｉＨ，、Ｓｉｎ　、　８ｉｓル、Ｓねル・轡のガ
ス状態の又はガス化し得る水素化硅素（シラン類）が有
効に使用されるものとして挙げられ、殊に、層作成作業
の扱い島さ、８ｉ供給効率の良さ等の点で８ｉＨ４，８
ｉ、Ｈ，が好ましいものとして挙げられる。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げられ
、例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ノ・ロゲン間化
合物、ノ・ロゲンで置換されたシラン誘導体勢のガス状
態の又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げら
れる。

又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを構成要素
とするガス状態の又はガス化し得る、ハロゲン原子を含
む硅素化合物も有効なものとして本発明においては挙げ
ることが出来る。

本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲ
ンガス、ＢｒＦ　、　ＯＩＦ　、　０１１＠　。

ＢｒＦ、、　ＢｒＦ、、　ＩＦ、、　ＩＦｙ、　工０１
　、　ＩＢｒ等のハロゲン化合物を挙げることが出来る
。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、所鞘、ハロゲン原子で
置換されたシラン誘導体としては、具体的には例えばＳ
ｉＦ４．８ｉ、Ｆ、　、　Ｓｉｎ／、　、　８ｉＢｒ、
等のハロゲン化硅素が好ましいものとして挙げることが
出来る。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光導電部材を形成す
る場合には、ｓ量を供給し得る原料ガスとしての水素化
硅素ガスを使用しなくとも、所定の支持体上ＶｃＢ−８
ｉ：Ｘから成る非晶質電層を形成する事が出来る。

グロー放電法に従って、ノ・ロゲン原子を含む非晶質層
を製造する場合、基本的には、Ｓｉ供給用の原料ガスで
あるハロゲン化硅素ガスとＡｒ　。

Ｈ，、Ｈｅ等のガス等を所定の混合比とガス流量になる
様にして非晶質層を形成する堆積室に導入し、グロー放
電を生起してこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形成する
ことによって、所定の支持体上に非晶質層を形成し得る
ものであるが、水嵩原子の導入を計る為にこれ等のガス
に更に水素原子を含む硅素化合物のガスも所定量混合し
て層形成しても良い。

又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。

反応スパッタリング法或いはイオンブレーティング法に
依ってａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）　　から成る非晶質層を形成
するには、例えばスパッタリング法の場合には８ｉかも
成るターゲットを使用して、これを所定のガスプラズマ
雰囲気中でスパッタリングし、イオンブレーティング法
の場合には、多結晶シリコン又は単結晶シリコンを蒸発
源として蒸着ポー）Ｋ収容し、このシリコン蒸発源を抵
抗加熱法、或いはエレクトロンビーム法（ＨＢ法）等に
よって加熱蒸発させ飛翔蒸発物を所定のガスプラズマ雰
囲気中を通過させる事で行う事が出来る。

この際、スパッタリング法、イオンブレーティング法の
何れの場合にも形成される層中Ｋ　／％ロゲン原子を導
入するには、前記のハロゲン化合物又は前記のハロゲン
原子を含む硅素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガ
スのグラ７ズマ雰囲気を形成してやれば良いものである
。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｈ８、或いは前記したシラン類等のガ
スをスパッタリング用の堆積室中に導入して該ガスのプ
ラズマ雰囲気ｔ−形成してやれば良い。

本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
て上記されたハロゲン化合物或いはハロゲンを含む硅素
化合物が有効なものとして使用されるものであるが、そ
の他に、ＨＦ、　ＨＯ／　。

ＨＢｒ　、　ＨＩ等の／％０ゲン化水素、８ｉＨＪ１　
ｅ　８１Ｈ＊ＬｅＳ　ｉＨ，Ｏ／、　、　８ｉＨＯ／１
　、８ｉＨ１Ｂｒ、　、　８ｉＨＢｒ、　　等の／％Ｑ
ゲン置換水素化硅素、等々のガス状態の或いはガス化し
得る、水素原子を構成要素の１つとするハロゲン化物も
有効な非晶質層形成用の出発物質として挙げる事が出来
る。

これ等の水素原子を含むハロゲン化物は、非晶質層形成
の際に層中にハロゲン原子の導入と同時に電気的或いは
充電的特性の制御に極めて有効な水素原子も導入される
ので、本発明においては好適なハロゲン導入用の原料と
して使用される。

水素原子を非晶質層中に構造的に導入するＫは、上記ノ
他Ｋ　Ｈ，、或イハＳ　ｊＨａ　＊　８　！ｔＨｓ　ｔ
　Ｓ　！ＩＨＩ　ｔ８ｉ、Ｈ，。等の水素化硅素のガス
を８ｉを供給する為のシリコン化合物と堆積室中に共存
させて放電を生起させる事でも行う事が出来る。

例えば、反応スパッタリング法の場合には、８ｉターゲ
ツトを使用し、ハロゲン原子導入用のガス及びルガスを
必要に応じてＨｅ、　Ａｒ等の不活性ガス本含めて堆積
室内に導入してプラズマ雰囲気を形成し、前記Ｓｉター
ゲットをスパッタリングする事によって、基板上にａ−
８ｉ（Ｈ，Ｘ）から成る非晶質層が形成される。

更には、不純物のドーピングも兼ねてＢ、Ｈ・等のガス
を導入してやることも出来る。

本発明において、形成される光導電部材の非晶質層中に
含有される水素原子（Ｈ）の量又はハロゲン原子α）の
量又は水素原子とハロゲン原子の量の和は通常の場合１
〜４０　ａｔｏｍｉｃ　Ｘ　、好適には５〜３０　ａｔ
ｏｍｆｃＸとされるのが望ましい。

非晶質層中に含有さ□れる水素原子田）又は／及びハロ
ゲン原子（Ｘ）の量を制御するには、例えば支持体温度
又は／及び水素原子（Ｈ）、或いはハロゲン原子へ）を
含有させる為に使用される出発物質の堆積装置系内へ導
入する量、放電々力等を制御してやれば良い。

本発明に於て、非晶質層をグロー放電法又はスパッター
リング法で形成する際に使用される稀釈ガスとしては、
所謂槽ガス、例えばＨｅ　、Ｎｅ　。

居等が好適なものとして挙げることが出来る。

非晶質層中和窒素原子及び周期律表第■族原子を導入し
て、第一の層領域及び第二の層領域を形成するＫは、グ
ロー放電法や反応スパッタリング法等による層形成の際
に、第■族原子導入用の出発物質又は窒素原子導入用の
出発物質或いは両出発物質を前記した非晶質層形成用の
出発物質と共に使用して、形成される層中にその量を制
御し乍ら含有してやる事によって成される。

非晶質層を構成する第一の層領域を形成するのにグロー
放電法を用いる場合には、第１の層領域形成用の原料ガ
スとなる出発物質としては、前記した非晶質層形成用の
出発物質の中から所望に従って選択されたものに窒素原
子導入用の出発物質が加えられる。その様な窒素原子導
入用の出発物質としては、少なくとも窒素原子を構成原
子とするガス状の物質又はガス化し得る物質をガス化し
九ものの中の大概のものが使用され得る。

例えばシリコン原子（８ｉ）を構成原子とする原料ガス
と、窒素原子ω）を構成原子とする原料ガスと、必要に
応じて水素原子（Ｈ）又は及びハロゲン原子（Ｘ）を構
成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して使用
するか、又は、シリコン原子（８ｉ）を構成原子とする
原料ガスと、窒素原子（Ｎ）及び水素原子（Ｈ）を構成
原子とする原料ガスとを、これも又所望の混合比で混合
することが出来る。

又、別には、シリコン原子（８ｉ）と水素原子の）とを
構成原子とする原料ガスに窒素原子（Ｎ）を構成原子と
する原料ガスを混合して使用しても良い。

窒素原子導入用の原料ガスに成少得るものとして有効に
使用される出発物質として具体的には、Ｎを構成原子と
する或いはＮとＨとを構成原子とする例えば窒素（Ｎり
、アンモニア（ＮＨｉ）、ヒドラジン（Ｈ，ＮＮＨ，）
、アジ化水素（ＨＮ、）、アジ化アンモニウム（ＮＨ４
ＮＳ）等のガス状の又はガス化し得る窒素、窒化物及び
アジ化物等の窒素この他に、窒素原子の導入に加えて、
ノ１０ゲン原子の導入も行えるという点から、三弗化窒
素（’ｓＮ）　ｓ四弗化窒素（ｐａＮｔ）等のハロゲン
化窺素化合物を挙げることが出来る。

スパッターリング法によって、窒素原子を含有する第一
０層領域を形成するには、単結晶又は多結晶の別ウェー
ハー又は８輸Ｎ、ウエーノ％＋−１又は８ｉと８１．Ｎ
４が混合されて含有されているウェーハーをターゲット
として、これ等を種々のガス雰囲気中でスパッターリン
グするととによって行えば良い。

例えば、ｓ＆ウェーハーをターゲ２ットとして使用すれ
ば、窒素原子と必要に応じて水素原子又は／及びハロゲ
ン原子を導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガ
スで稀釈して、スパッター用ゐ堆積室中に導入し、これ
等のガスのガスプラズマを形成し□て前記別ウェーハー
をスパッターリングすれば良い。

父、別にＦｌｓｔと８ｉ、Ｎ、とは別々のターゲットと
して、文はＳｌと８ｉ１Ｎ４の混合した一枚のターゲッ
トを使用することによって、スパッター用のガスとして
の稀釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも水素原子（Ｈ）
又は／及びノ・ロゲン原子（Ｘ）ｔ−構成原子として含
有するガス雰囲気中でスバ、ターリングすることによっ
て成される０窒素原子導入用の原料ガスとしては、先述
し九グロー放電の例で示した原料ガスの中の脅素原子導
入用の原料ガスが、スパッターリングの場合にも有効な
ガスとして使用され得る。

本発明に於いて、非晶質層を構成する第一の層領域中に
は前述した様に窒素原子が含有されるものであるが、更
に窒素原子と同様の目的で窒素原子と同様の含有手法に
従らて酸素原子を含有させても良い。

酸素原子導入用の原料ガスに成り得るものとして有効に
使用される出発物質として具体的には１例えば、酸素（
ｏｔ）、オゾン（０畠）、−酸化炭素（ＣＯ）　？二酸
化炭素（ｃＯｓ）　を−酸化窒素（Ｎｏ）。

二酸化窒素（Ｎｏｔ）　−−二酸化窒素（ＮｔＯ）、三
二酸化窒素ＣＮｔＯｓＬ四二酸化窒素（Ｎ２０４）、ミ
ニ酸化窒素（ＮｔＯ１）ｅ三酸化ｇ１票（Ｎｏ、）、８
ｉと０とＨとを構成原子とする０例えばジシロキサン）
１１８１０８ｉＨ１、トリシロキサンＨ１８ｉ０８ｉＨ
，０８ｉＨ１等の低級シロキサン等管挙げることが出来
る。

又、非晶質層を構成する第二の層領域をス／＜ツタ−リ
ング法で形成する場合には、酸素原子導入用の出発物質
としては、８４０．又は８１と８ＩＯ８の混合された、
或いは８ｉ０１と８ｉｓＮ４の混合されえ、更には８１
と８ｉ０１と８−Ｎ４とが混合されたものを夫々ターゲ
ートとして所望に従って選択して使用することも出来る
０非晶質層を構成する第二の１領域を形成するには、前述
し喪非晶質層の形成の際に前記した非晶質層形成用とな
る原料ガスと共に、第層表原子導入用となるガス状態の
又はガス化し得る出発物質をガス状態で非晶質層形成の
為の真空堆積室中に導入してやれば良いものであるＯ第
二の層領域に導入される嬉層表原子の含有量は、堆積室
中に流入される第■族原子導入用の出発物質のガス流量
、ガス流量比、放電パワ−等を制御することによりて任
意に制御され得る０第層表原子導入用の出発物質として１本発明に於いて有
効に使用されるのは、硼素原子導入用としてはｈ　　Ｂ
ｔＨｓ　ｔ　Ｂ４Ｈ１・−Ｂ、Ｈ・−ＢＩＨＩＩ　−Ｂ
・Ｈ鵞・伊’％Ｈ１ｆ　ｔ　Ｂ６Ｈ１４等の水素化硼素
、　８１％　、　ＢＣｊｌ、　ＢＢｒ、等のハロゲン化
硼素等が挙げられる。この他１ＡＪＣ＆、　ＧａＣｊ、
　、　（ｈ　（ＣＨｓ　）ｓ　ｅ　Ｉ”Ｃｊｓ　、　Ｔ
Ｅ４ｓ等も挙げることが出来る。

本発明に於いて遷移層領域（窒素原子又は菖Ｉ族原子の
いずれかの分布濃度が層厚方向に変化している層領域）
の形成は分布濃度を変化６させるべき成分を含有するガ
スの流量を適宜変化させることにより達成される。例え
ば手動あるいは外部駆動モータ等の通常用いられている
何らかの方法により、ガス流路系の途中に設けられ九所
定のニードルパルプの開′ｏ′を漸次変化させる操作を
行えば良いりこのとき、流量の変化率は線型である必要
はなく、例えばマイコン等を用いて、あらかじめ股計さ
れた変化率−線に従りて流量を制御し、所望の含有率−
線を得ることもできる。

非晶質層作成の際遷移層領域と他の層領域との境界にお
いてプラズマ状態は維持されても。

中断されても膜の時性上には何ら影響を及ばさないが連
続的に行うのが管理上も好ましいう非晶質層の層厚社、
非晶質層中で発生されるフォトキャリアが効率良く輸送
される様に所望に従って適宜法められ、通常は、３〜１
１００ＪＩ好適には、５〜５０μとされる。

本発明において使用される支持体としては。

導電性でも電気絶縁性であっても良い。導電性支持体と
しては、例えば、ＮｉＣｒ　、ステンレス。

Ａｊ　、　Ｃｒ　、　Ｍｏ　、ムｕ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、
ＴＩ　、Ｐｔ　、Ｐｄ　　等の金属又はこれ等の合金が
挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ボリヱステル。

ρ・・１ポリエチレン、ポリカーボネート、セルローズ。

アセテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル。

ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ボリア建ド等の合
成樹脂のフィルム又はシート、ガラス。

セラミック、紙等が通常使用される０これ等の電気絶縁
性支持体は、好適には少なくともその一方の表面を導電
処理され、該導電処理され九＊ｉｒｕｗに他の層が設け
られるのが望ましい０例えば、ガラスであれば、その表
面にＮｉＣｒ　。

入ｊ、Ｃｒ　　、Ｍｏ　　、Ａｕ　　、Ｉｒ　　、Ｎｂ
、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ　　、Ｐｔ　　、Ｐｄ。

Ｉｎ１０ｇ　、　８ｎ０２　、　ＺＴＯ（Ｉｎ１０１　
＋８ｎＯ，）等から成る薄膜を設けることによって導電
性が付与され、或いはポリエステルフィルム等の合ｑ−
’１Ｍ脂７　イルムであれば、ＮｉＣｒ、ムＪ　ｔ　Ａ
ｇ　−Ｐｂｔ　”　ｙ　”　？人ｕ、Ｃｒ。

Ｍｏ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ　等の金属の
薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリング等で
その表面に設け、又は前記金属でその表面をラミネート
処理して、その表面に導電性が付与される。支持体の形
状としては、円筒状、ベルト状、板状等任意の形状とし
得、所望によってその形状は決定されるが、例えば、第
１図の光導電部材１００を電子写真用倫形成部材として
使用するのであれば連続高速複写の場合にＦｉ、無端ベ
ルト状又紘円筒状とするのが望ましい０支持体の厚さは
、所望通りの光導電部材が形成される様に適宜決定され
るが、光導電部材として可撓性が要求される場合には、
支持体としての機能が充分発揮される範囲内であれば可
能な限り薄くされる０而乍ら、この様な場合支持体の製
造上及び取扱い上、機械的強度等の点から。

通常は、１０μ以上とされる〇本発明の光導電部材においては、非晶質層上に、諌非晶
質層中への自由表面側からの電荷の注入を阻止する働き
のある。所謂障壁層と云われる表面層を設けるのが好ま
しいう非晶質層上に設けられる上部層は、シリコン原子
を母体とし、炭素原子（Ｃ）　％　ｉ！ｌ素原子（Ｎ）
の中から選択される原子の少なくとも一種と、必要に応
じて水素原子又はハロゲン原子の少なくと啄いずれか一
方とを含む非晶質材料〈これ等を総称して１（”ｘ（Ｃ
−Ｎ）ｒ−７：１ｊ’（Ｎ−Ｘ）＋−ｙと表記する（但
し、０〈菫＜１　、０＜ｙ＜１　）＞又は、電気絶縁性
の金属酸化物或いは電気絶縁性の有機化合物で構成され
る。

本発明において、上部層中に含有されるハロゲン原子（
ｘ）として好適なのはＦ　ｅ　Ｃ１ｅ　”　＊　■であ
り、殊ＫＦ　、　Ｃｊが望ましいものである。

素糸の非晶質材料としてａ　−８４０１−ａ　ｖ”　　
（８ｉｂＣｔ−ｂ）ｃＨｔ−ｃ　ｆ　”　　Ｃ”ｄＣｌ
−ｄ）ｓＸｌ−ｅ　ｅｌ（５ｉｔＣ１−ｔ　）ｇ　（Ｈ
十Ｘ　）ｌ−１窒素系の非晶質材料として”　　”ｈＮ
ｌ−ｈ　ｅ　”　　（”１Ｎｌ−ｉ）ｊＨｌ−ｊ　ｔ”
　　（”ｈＮｌ−ｋ）ＪＸｔ　−ｊ　ｅ　ａ（”ａｍＮ
ｔ−ａｍ）ｍ　（Ｈ＋Ｘ）ｔ−ｎ等、更には、上記の非
畢質材料において、Ｃ及びＮの２種の原子を構成原子と
して含む非晶質材料を挙げることが出来る（但し％Ｏ＜
ａ　、　ｂ　。

ｃ、ｄ、ｅ、ｆ、ｇ、ｈ、ム＊ｊ　＊に＠７１＠−＊”
＜１）。

これ等の非晶質材料は層構成の最適化設計に依る表面層
に要求される特性及び腋表面層と接触して設けられる非
晶質層との連続的作成の容易さ等によって適宜最適なも
のが選択される◎珠に特性面からすれば、炭素系の非晶
質材料を選択するのがより好ましいものである。

ｌＩ！面層を上記の非晶質材料で構成する場合の層形成
法としては・グロー放電法、スパッターリング法、イオ
ンインプランテーシｌン法、イオンブレーティング法、
エレクトロンビーム法等によりて成される。

表面層を前記の非晶質材料で構成する場合には、その要
求される特性が所望通りに４見られる様に注意深く形成
される。

即ち、　８ｉとＣ，Ｎの中の少なくとも１つ及び必要に
応じてＨ又は／及びＸを構成原子とする物質はその作成
条件によって構造的Ｋｄ結晶からアモルファスまでの形
態を取り、電気物性的には導電性から半導電性、絶縁性
までの間の性質を、又、光導電的性質から非光導電的性
質までの間の性質を、各々示すので１本発明においては
、少なくとも蘭視光領域において非光導電性であって暗
抵抗の高いとζろの非晶質材料が形成される様に、その
作成条件の選択が厳書に成される。

表面層に含有される炭素原子、　ｌｌ？Ｉ原子及び水素
原子、ハロゲン原子の量は、表面層の作成条件と同様、
所望の特性が得られる上部層が形成される重要な因子で
ある０表面層をａ−ｓｔ、ｃｌｌで構成する場合には炭素原子
の含有量は、シリコン原子に対して通常は６０〜９０　
ａｔｏｍｉｃ　９Ｇ、好適には６５〜８０　ａｔｏｍｉ
ｃ　９Ｇ、最適には７０〜７５　ａｔｏｍｉｃ嗟、１の
表示では０．１〜０．４．好適にＦｉｏ、　２〜０．３
５．最適には０．２５〜０．３とされｓ　　”　　（’
ｉｂ　Ｃｔ−ｂ　）ＣＨｌ−ｃ　　で構成する場合には
、炭素原子の含有量燻１通常３０〜９０ａｔｏｍｉｃ　
％　、好適には４０〜９０　ａｔｏｍｉｃ　％　、最適
には５０〜８０　ａｔｏｍｉｃ　％　、水素原子の含有
量としてＦｉ。

通常１〜４０履釉ｍｌＣチ、好適には２〜３５　ａｔｏ
ｍｉｃ　％、最適には５〜３０　ａｔｏｆｎｌ’　％　
＊　ｂｐ　ＣＯ表示テ示セＩｆ、ｂが通常は０．１〜０
，５．好適には０．１〜０．３５、媛適には０．１５〜
Ｇ、３．０が通常は０．６０〜０．９９゜好適には０．
６５〜０．９５％最適には０．７〜０．９５とされ、畠
−（８１ｄＣ１−ｄ）。Ｘｌ−１又ｔｉｔ、麿−（ｓｔ
ｔｃｔ−ｒ）。

（Ｈ＋Ｘ）１−１で構成される場合には、炭素原子の含
有量は通常は４０〜９　Ｑ　ａｔｏｍｉｃ　＠　、好適
には５０〜９　Ｑ　ａｔｏｍｉｃ％、最適には６０〜９
　Ｑ　ａｔｏｍｉｃチ。

ハロゲン原子又はハロゲン原子と水素原子とを併せた含
有量は通常は１〜２０　ａｔｏｍｉｃ　％　、好適には
１〜１８　ａｔｏｍｌｃ　９Ｇ　、最適に＃″ｊ２〜１
５　ｉｔｏｍｉｃ−。

とされ、ハロゲン原子と水素原子の両者が含有される場
合の水素原子の含有量は通常は１９ａｔｏｍｉｃ＄以下
、好適には１３　ａｔｏｍｉｃ−以下とされｂ’ｔ”ｔ
’ｅ厘の表示では、ｄ、ｆが通常は０．１〜０．４７．
好適には０．１〜０．３５．最適には０．１５〜ｏ、ａ
、ｅ、ｇが通常ＦｉＯ，Ｓ〜０．９９　。

好適には０．８５〜０．９９．最適には０．８５〜０．
９８とさｎる。

表面層を窒素系の非晶質材料で構成する場合。

先ずａ−８ｔｈＮ、−ｈの場合には、窒素原子の含有量
はシリコン原子に対して通常は４３〜６０ａｔｏｍｌｃ
−。

好適には４３〜５０　ａｔｏｍｉｃ　％　、　ｈの表示
で社通常は０．４３〜０．６０．好適には０．４３〜０
．５０とされる。

ａ　（ｓＡｔｓ、−ｔ）ｔｕ、、ｔで構成する場合には
、窒素原子含有量としては、通常は２５〜５５ａｔｅｍ
ＪｃｌＧ。

好適には３５〜５５　ａｔｏｍｌｃ−、水素原子の含有
瞳として＃ｉ−通常２〜３５　ａ　ｔｏｍｊｃ　ｑｌｋ
　、好適には５〜３　Ｑ　ａｔｏｍｉｃ嗟とされ、ｉ、
ｊで表示すれげ、ｉとしてＨ通常０．４３〜０．６．好
適ＫＦｉ０．４３〜０．５．ｊとして鉱通常０．６５〜
０．９８．好適には０．７〜０．９５とされ、　　ａ　
（８４ｋＮ、−ｋ）Ｉ　ＸＬＪ又は”　（”　ｌｎＮ＋
−ｎｔ）ｎ　（…■）　ｒ−７で構成する場合には窒素
原子の含有量は、通常３０〜６　Ｑ　ａｔｏｍｉｃ慢。

好適には４０〜６　Ｑ　ａｔｏｎｓｉｃ４．ハロゲン原
子又は、ハロゲン原子と水素原子を併せた含有貴社。

通常１〜２Ｑ　ａｔｏｍｉｃ　％　、好適には２〜１５
　ａｔｏｍｉｃ−とさｎ、ハロゲン原子と水素原子の両
者が含有される場合の水素原子の含有量鉱通常１９ａｔ
ｏｍｉｃ−以下、好適には１３　ａｔｏｍｉｃ−以下と
さｆ’Ｌ、　Ｋ−ｊ　−ｍ、ｎの表示では％　Ｋｔ　Ｊ
が通常ＨＯ，４３〜ｏ、ｓ、ｏ　。

好適には０．４３〜０．４９　、　ｍ　、　ｎが通常は
０．８〜ｏ９９゜好適には０．８５〜０．９８とされる
。

表面層を構成する電気絶縁性の金属酸化物としては、Ｔ
ｉｄｙ　、　Ｃｅ、０１　、　ｋＯ，、ＨｆＯ，、Ｇｅ
ｍ、　。

ＣａＯ、ＢｅＯ、ＹρＩｔ　Ｃｒ、０．、　ＡＪ、０１
．　Ｍｇ０−Ａｎρ、。

８ｉ０！・ＭｇＯ、等が好ましいものとして挙げること
電気絶縁性の金属酸化物で構成される表面層の形成は、
真空蒸着法、　ＣＶＤ（ｃｈｅｍｉｃａｌ　ｖａｐｏｕ
ｒｄｅｐｏｓｉｔ遥０ｆｉ）法、グロー法電分解法、ス
パッターリング法、イオンインプランテーシｌン法、イ
オンブレーティング法、エレクトロンビーム法、等によ
って的に達成する為の重要な因子の、１つである。

表面層の層厚が充分過ぎる程に薄いと、表面層の表面の
側からの非晶質層中の電荷の流入を阻止する働きが充分
果し得なくなり、父、充分過ぎる種以上に厚いと、光照
射によって非晶質１中において生ずるフォトキャリアと
表面１表面にある電荷との結合の確率が極めて小さくな
り、従って、いずれめ場合にも１表面層を設け１１する目的を効果的に達成され得なくなる。

次にグロー放電分解法によって生成される光導電部材の
製造方法について説明する。

第１Ｏ図にグロー放電分解法による光導電部材の製造装
置を示す。

図中の１００２．１００３．１００４のガスボンベには
、本発明の夫々の層を形成するための原料ガスが密封さ
れており、その−例としてたとえば１００２は、Ｈｅで
稀釈されたＳｉＨ，ガス（純度９９．９９９％。

以下ＳｉＨ，／Ｈｅと略ｔ。）ボンベ、１００３１ｄ　
Ｈｅで稀釈され九Ｂ鵞迅ガス（純度９９．９９９チ、以
下Ｂ＊Ｈ４／Ｈｅと略す。）ボンベ１００４はＣＨ４ガ
ス（純度９９．９９チ）ボンベ、１００５は鵬ガス（純
度９９．９９％）　　ボンベ、１００６はＨｅで稀釈さ
れたＳｉＦ、ガス（純度９９．９９９％、以下Ｓ　ｉ　
Ｆ４　／）Ｉｅと略−ｔｏ　＞ボンベである。

これらのガスを反応室１００１に流入させるにはガスボ
ンベ１００２〜１００′６のバルブ１０２２〜１０２６
、ＩＪ−クバルプ１０３５が夫々閉じられていることを
ａｉ認し、又、流入バルブ１０１２〜１０１６　、流出
バルブ１０１７〜１０２１　、補助バルブ１０３２．１
０３３が開かれていることを確認して先づメインバルブ
１０３４を開いて反応室１００１　。

及びガス配管内を排気する。次に真空計１０３６の読み
が５　Ｘ　１０　”ｔｏｒｒになった時点で補助バルブ
１０３２．１０３３　、流出パルプ１０１７〜１０２１
を閉じる。

基本シリンダー１０３７上に非晶質層を形成する場合の
一例をあげると、ガスボンベ１００２よりＳｉＨ４／Ｈ
ｅガス、ガスボンベ１００３よりＢｔＨａ／Ｈｅガスを
、ガスボンベ１００５より凪ガスを夫々バルブ１０２２
．１０２３．１０２５を開いて出ロ圧ゲマス７０コント
ローラ１００７．１００８．１０１０内にガスを反応室
１０“０１に流入させる。このときのＳ　ｉ　Ｈ４／）
（ｅガス流量とＢ、Ｌ　／Ｍｅガス流量と凪ガス流量と
の比が所望の値になるように流出パルプ１０１７．１０
１８．１０２０をａｎ螢し、又、反応室内の圧力が所望
の値になるように真空計１０３６の読みを見ながらメイ
ンバルブ１０３４の開口を満悦する。そして修体シリン
ダー１０３７の温度が加熱ヒーター１０３８により５０
〜４００℃の温度に設電されていることを４ｓ陥された
後、電源１０４０を所望の電力に設定して反応室１００
１内にグロー放電を生起させ、同時にあらかじめ設計さ
れた変化率曲線に従ってＢ！Ｈａ／Ｈｅガスの流量及び
Ｎ１ムガスの流量を夫々を手動あるいは外部駆動モータ
等の方法によってバルブ１０１８及び１０−２０を漸次
変化させる操作を行なって形成される１−中に含有され
るＢ等の第■族原子及び窒素原子の含有濃度を制御する
０非晶質Ｊ−上に更にｈｓ表面層を形成するには非晶質
層の形成の際に使用し九ＢＩＨＩ　／Ｉ（ｅガス及び凪
ガスのかわりにＣＩ−Ｌガスを用いて層形成を行なう。

夫々の！−を形成する際に必−なガス以外の流出パルプ
は全て閉じることはｈうまでもなく、父、夫々の層を形
成する際、前層の形成に使用したガスが反応室１００１
内、流出バルブ１０１７〜１０２１から反応室１００１
内に至る配管内に残留することを避けるために、流出パ
ルプ１０１７〜１０２１を閉じ補助バルブ１０３２．１
０３３を開いてメインバルブ１０３４を全開して系内を
一旦高真空に排気する操作を必要に応じて行なう。

又、１−形成を行なっている間は層形成□の均一化を計
るため基体シリンダー１０３７はモータ１０３９により
一定速度で回転させる。

以下実施例について説明する。

実施例１第１０図に示した製造装置を用い硼素の）及び窒素（へ
）の層中の含有蓋をパラメータとしで、Ａｔシリンダ上
に第２図に示す層構成を有する非晶質層の形成を行なっ
て電子写真用像形成部材を作製した。このときの共通の
作製条件は、第１表に示した通りである。

第２表に縦軸に硼素の含有量Ｃ（至）１、横軸に酸素の
含有１ｔＣ（へ）、とを夫々示し得られた各試料の計果
帖果を示す０作製した電子写真用像形成部材は、帯電−像路光一現像
一転写までの一連の電子写真プロセスを経て転写紙上に
顕像化された画像の〔濃度〕〔解像力〕〔階調再現性〕
等の優劣をもって綜合的に評価した。

＠１表実施例２第１０図に示した製造装置を用い、硼素の）及び窒素（
へ）の層中の含有量をパラメータとして、Ａｔ　　シリ
ンダ上に第３図に示す層構成を有する非晶質層の形成を
行なって、電子写真用像形成部材を得た。この際の非晶
質層を構成する各層領域の作成条件を下記第３表に示し
た。

得られた電子写真用像形成部材を用いて、実施例１と同
様に電子写真プロセスを適用して転写紙りにトナー画像
を繰返し形成したところ、安定して高品質のトナー転写
ｔｈ像を得ることが出来た。

第　　３　　表款電ｍ皺＠　：　ＩＬ５＠ＭＨｇ実施例３第１０図に示した製造装置を用い、硼素（６）及びｍＸ
（へ）の層中の含有量をパラメータとして、Ａｔシリン
ダ上に第４図に示す層構成を有する非晶質層の形成を行
なって、電子写真用像形成部材を得た。この際の非晶質
層を構成する各層溺域の作成乗件を下記第４表に示した
。

得られた電子写真用像形成部材を用いて、実−例１と同
様に電子写真プロセスを適用して転写紙上にトナー画像
を繰返し形成したところ、女足して高品質のトナー転写
画像を得ることが出来た。

／゛′ 第　　４　　表款電馬波＠　：　１３４ｇＭ１ｂ／実施列４１虞１０図に示した製造装置を用い、硼素（Ｂ）及び窒
素（へ）の層中の含有量をパラメータとして、Ａｔ　　
シリンダ上に第５図に示す層構成を有する非晶質層の形
成を行って、電子写真用像形成部材を得た。

この際の非晶質層を構成する各層領域の作成中性を下記
第５表に示した。

得られた電子写真用像形成部材の夫々を用いて実施例１
と同様に電子写真プロセスを適用して転写紙上にトナー
画像を繰返し形成したところ第６表に示す様な評価を得
ることが出来た。

但し、第５表中のＸ（４）は次の通りである０８４−１
・・・・・・ｌＸｌ０−’　　　８４−２・・・・・・
５Ｘ１０−’５４−３・・・・・・ｌＸｌ０−＠　　８
４−４・・・・・・５Ｘ１０　　”第　　５　　表放電周波款：　１ｊ、ｈｍＭ１ｈ第　　６　　表実施例５第１０図に示した製造装置を用い、硼Ｘ＠及び窒素（へ
）の層中の含有菫をパラメータとして、Ａｔ　　シリン
ダ上に第６図に示す層構成を有する非晶質層の形成を行
って、電子写真用像形成部材を得た。

この際の非晶質層を構成する各層領域の作成条件を下記
第７表に示した。

得られた電子写真用像形成部材の夫々を用いて、実施例
１と同様に′電子写真プロセスを適用して転写紙上にト
ナー画像を繰返し形成したところ第６表に示す様な評価
を得ることが出来た。

但し、第７表中のＸ（６）は次の通シである。

８５−Ａ・”・・・１ｘ１０　’　　　８５−２・−・
・−５×１０−’８５−３・・・・−・ｌＸ１０　”、
　　　５５−４・・・・−・５Ｘ１０　”８５−５・−
・−ＩＸＩＯ−”；　　　８５−６・・・−・・５Ｘ１
０　’５５−７・・・・ｌＸｌ０　”　　　８５−８・
−・−５Ｘ１０　　’５５−９・・・・・・ｌＸｌ０　
　’ 第　　７　　表放電馬鹸歇：　１３．５６Ｍ１ｂ実施列６第１０図に示した製造装置を用い、−木（６）及び窒素
（へ）の層中の言有菫をパラメータとして、ｈｔ　　シ
リンダ上にｗＩＪ７図に示す層構成を有する非晶質層の
形成を行って、電子写真用像形成部材を得た。

この際の非晶質層を構成する各層領域の作成条件を上記
第８：Ａに示した。

得られた電子写真用像形ｔｆｃ部材の夫々を用いて、実
施例１と同様に電子写真プロセスを適用して転写紙上に
トナー画像を峠返し形成したところ第６表に示す評価を
得ることが出来だ。

但し、第８表中のＸ（６）は次の逼りでるる。

５６−１・・・・・・ｌＸｌ０　　’　　　８６−２・
・・・・・５ＸＩＱ　　’５６−３・・・・・・ｌＸｌ
０　　’　　　８６−４・・・・−・５Ｘ１０　　’５
６−５・・・・・・ｌＸｌ０　　”　　　８６−６・・
・・・・２Ｘ１０−’第　　８　　表放電周被敷：　ＩＬ１ｉ６Ｍ）ｈ実施例７第１０図に示した製造装置を用い、硼素（６）及び酸素
００層中の含有量をパラメータとして。

Ａｔ　　シリンダ上に第８図に示す層構成を有する非晶
質層の形成を行りて、電子写真用像形成部材１ｒ得た。

この際の非晶質層を構成する各層領域の作成条件を下記
第９表に示した。

得られた電子写真用像形成部材の夫々を用いて、実施例
１と同様に電子写真プロセスを適用して転写紙上にトナ
ー画像を繰返し形成し九ところ第６表に示す様な評価を
得ることが出来友。

但し、第９衣中のＸ（γ）は次の通シである。

８７−１・−・・・・ｌＸ１０　　’　　　８７−２−
・−・５Ｘ１０　　”Ｓ７−３−−・・・−ＩＸＩＯ’
　　　８７−４−−−−−・５Ｘ１０　”８７−５−・
・・ｌＸｌ０　　’　　　８７−６−・−・・２Ｘ１０
”−’８７−７−−・−４Ｘ１０　　’　　　８７−８
・＝・８ｘ１０　　”５７−９・・・・・・ｌＸｌ０　
　’ 第　　９　　表放電周波ｔ　：　１１５６　Ｍｕｇ実施例８第１０図に示した製造装置を用い、ＡＡクシリンダ上第
９図に示す層構成を有する非晶質層の形成を層領域（ｉ
ｌＦ）ｓ層領域（ｔｔｔｓ）の夫々の層厚をパラメータ
として行って、電子写真用像形成部材を得た。この際の
非晶質層を構成する各層領域の作成条件を、下記Ｉ＠１
０表に示した。

得られた電子写真用像形成部材の夫々を用いて、実施例
１と同様に電子写真プロセスを適用して転写紙上にトナ
ー画像を繰返し形成したところ、第１１表に示す評価を
得ることが出来九〇第　　１０　　表放電周波数：　１３．５６ＭＨｚ／／′ 第　　１１　　表実施例９４１０図に示した製造装置を用い、硼素（６）及び窒素
（へ）の層中の含有量をパラメータとして、Ａｔシリン
ダ上に第２図に示す層構成を有する非晶質層の形成を行
って、電子写真用像形成部材を得た。この際の非晶質層
を構成する各層領域の作成条件を、下記第１２表に示し
た。

得られた電子写真用像形成部材を用いて、実施例１と同
様に電子写真プロセスを適用して転写紙上にトナー画像
を繰返し形成したところ、安定して一品質のトナー転写
画像を得ることが出来た。

第　　１２　　表放電Ｒ波数：　１１１．５６Ｍ）ｈ実施例１０実施例２と同様の条件と作製手順に従って、Ａｔシリン
ダ上に第３図に示す層構成を有する非晶質層を形成した
後に、該非晶質層上に以下の条件に従って、炭化シリコ
ン系の表面障壁層を形成した。この様にして得られた試
料に就て実施例１と同様に昧返し′ば子写真プロセスを
適用し、トナー転写画像を得たところ１００万枚目のト
ナー転写画像も極めて高品質であって、ｉ枚目の転写画
像と較べても何等畑色ないものであった。

使用ガス・・・ＣＨ４５ｉＨ，／）（ｅ　＝　１０　：　２５０流　　　量−
Ｓｔ　Ｈ，＝　１０　ＳＣ０Ｍ流量比−ＣＨ４／５ｉＨ
ａ　＝　３０ノ一形成速度・・・０．８４λ／ｓｅｃ　　、。

放電電力・・・０．１８Ｗ／ｄ橋板温度・・・２５０℃ 反応時圧・・・０．５　ｔｏｒｒ実施例１１実施？ｔｌ　４〜７に於ける試料ム５４−１〜５４−４
゜８５−１〜８５−９　、８６−１〜８６−６　、８７
−１−８７−９の夫々と同様の条件と手順によって、Ａ
ｔシリンダ上に非晶質層を形成した恢、各非晶質層上に
実施例１０と同悼の条件と手順によって炭化シリコツ系
の表面障壁層を形成して２８ケの試料（試料Ａ　８１１
−１〜８１１−２８　）を得た。谷試料に就て、実施例
１と同様に′−電子写真プロセス適用して所定の各転写
紙上にトナー画１域を繰返し形成したところいずれの転
写紙上にも一品質。

商解像度のトナー画像が得られた。

実施例１２第１０図に示した製造装置を用い、硼素の）及び窒素（
へ）の層中の含有量をパラメータとして、Ａｔシリンダ
上に第３図に示す層構成を有する非晶質層の形成を行っ
て、電子写真用葎形成部得られた電子写真用像形成部材
を用いて、実Ａ　Ｉ＋ｉｌ　１と同様に電子写真プロセ
スを適用して転写紙上にトナー画像を繰返し形成したと
ころ、安定して高品質のトナー転写画像を得ることが出
来た。

第　　１３　　表款電周波数：　ＩＬ５６Ｍｌｂ −／−

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光導電部材の構成の好適な例の１つ
を説明する為の模式的説明図、第２図乃至第９図は、夫
々、本発明の光導電部材を構成する非晶質層の１−構成
を説明する模式的説明図、第１０図は１本発明の光導電
部材を作製する為に使用された装置の模式的説明図であ
る。１００・・・光導電部材　　　１０１・・・支持体１０
２・・・非晶質層　　　　１０３・・・第一の層領域１
０４・・・第二の層領域　　１０５・・・層領域１ｔ１
６・・・上部層領域　　　１０７・・・自由表面出願人
　キャノン株式会社第２開９第７７二１８閲二手続補正書（自発）１Ｂ和５６年１２月１７日特許庁長官　島　１）春　樹　殿１　事件の表示光導電部材３、補正をする者事件との関係　　　　特許出願人住　所　東京都太田区下ル子：３−３０−２名称　（１
，００）キャノン株式会社代表者　賀、来　龍三部Ｌ３　　補正の内容（ＩＮ；＋ｌ　　明細書の第２１頁、同第２２頁、同第
６２画、及び同第６５頁の全文を夫々別紙の通り補正す
る。（ｂ）　　明細蒔第２３頁の第１行乃至第３行にある文
を削除する。（Ｃ）　　明細書の下記の個処にあるＱｏ）１．へＯｉ
２を夫々ＣｌＮ１１．Ｃｒ２に訂正する。（２）　　図面の第５図及び第６図を別紙の通り補正す
る。７　添付計知の目録（１）　　明細書の第２１頁、同第２２頁、同第６２自
、及び同第６５頁の夫々を記載した書面各−通（２）　　第５図及び第６図を夫々記載した図面、。各−通原子が分布濃度−２１で均一分布で３有されている層領
域（ｔ２ｔＢ）が設けである点を除けば、第：３図に示
す場合と同様である。第５図に示す例は、表面ｔ３に於いても第■族原子が分
布濃度Ｑ１３で含有されている層領域を有する場合であ
る。第５図に示す例の非晶質層は、支持体側より窒素原子と
第■族原子との両方が層厚方向に均一に含有されている
層領域（ｔ２ｔｅ）と、該層領域（ｔ２ｔＢ）上に第１
１族原子は均一に含有されているが窒素原子は不均一に
含有されている層領域（ｔｌ’ｔ２）と、窒素原子も第
■族原子も共に不均一に含有されている層領域（ｔｓ　
ｔ＋　）とで構成されている。即ち、窒素原子の含有されている層領域、、（ｔｓｔｎ
）は、分布濃度−１で層厚方向に実質的に均一に分布さ
れている層領域（ｔ２ｔＢ）と、分布濃度Ｃａｔ　より
次第に線型的に減少されて実質的に零に到っている層領
域（ｔｓｔ２）とで構成されている。Ｋ、；−領域（ｔｓｔＢ）は、支持体側から第［１１Ｊ
ＪＩＶ、ｉｌ’−が分布濃度ＣａＩＤ１　で実質的に均
一分布している層領域（ｔｌｔＢ）、分布濃度Ｃの１か
ら分布濃度Ｃ［相］３まで線型的に連続減少して分布し
ている層領域（ｔ３’　ｈ　）、とが積層された噛構成
を有している。第６図は、第５図に示す例の変形例が示される。第６図に示す例の場合には、窒素原子と第■１ｉ髪：０
ｔ３″−とが夫々、分布濃度ＣＮ　＋　＋　ＣＧＩｏ　
１で均一分布している層領域（ｈｔＢ）と、窒素原子が
分布濃度ＣＨ１から線型的に次第に減少されて実質的に
零に到っている層領域（ｔ３ｔ２）と、該層領域（ｔｓ
　ｔｚ　）中に、線型的に減少する分布状態で第■族原
子が含有されている層領域（ｔｌｔ２）と実質的に第■
族原子が含有されてない層領域（ｔｓ１＋）とが設けら
れている。第　　　５　　　表放電周波数；　１３．５６■ｈ第　　　７　　表放電周波数ｉ　１３．５６■ｈ手　　続　　補　　正　　書（自効昭和５７年１０−嘴ｉ日特許庁長官　　若　杉　和　夫　殿１、事件の表示昭和５６年特許願第１９３２０１号２、発明の名称光導電部材３、補正をする者事件との関係　　　　　特許出願人住所　東京都大田区下丸子３−３０−２名称　（１００
）キャノン株式会社代表者　賀　　来　　龍　三　部４、代理人　。居所　〒ＩＱ東京都大田区、下丸子３−３Ｏ−２（１）
　　明細占の「発明の詳細な説明」の欄（２）　　明細
書の「図面の簡単な説明」の欄６、補正の内容（１）■明細書の第１３頁第１３行目の「−制御一通常
は１〜１００−−−一好」を「−一−−通常は、０．０
１〜５　Ｘ　１０４１０４ａｔｏ　ｐｐｍ、好ましくは
、１〜１００１００ａｔｏ　ｐｐｍ、より好」と補正す
る。 ■　同第１３頁第１９行目の「場合、−−−一好ましく
は制御ｍ−」を「場合、０．００１　ｗ　３０　ａｔｏ
ｍｉｃ％、好ましくは、０．Ｏ１〜−制御一％、より好
ましくは−−−−−−Ｊと補正する。 ■　同第１５頁第１９行乃至同第２０行目の「−制御一
通常の場合−−−−１０００ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　、
好適には制御ｍ−」とあるのを「−制御一通常の場合、
０．１〜８　Ｘ　１０’　ａｔｏ＋＋３ｉｃ　ｐｐｍ、
好ましくは、１０．１〜１００１０００ａｔｏ　ｐｐｍ、より好適には
制御ｍ−」と補正する。 ■　同第１６頁第２行目の「−制御一通常は制御ｍ−。好適には」とあるのを「−制御一通常は、０．０１〜３
５　ａｊｏｍｉｃ％、好ましくは、０．０１〜３０ａｔ
ｏｍｉｃ％、より好適には」と補正Ｊる。 ■　同第４５頁第１７行目のｒ−−−−０，８５〜０．
８５、−−−−Ｊをｒ−−−−０，Ｅｉ５〜０．９８．
−−−−Ｊと補正する。 ■　同第４６頁第１１行目のｒ−１−＝ｏ、ｓｓ〜０．
９９゜−−−−Ｊをｒ−、−０，８２〜０．９１３．−
−−−Ｊと補正する。 ■　同第４６頁第１７行目のｒＯ，４３〜ｏ、ｅｏ−−
−−０，４３〜０．５σ−一−−」をｒｏ、４０〜０．
５７−−−−０．５３〜Ｑ、５？−−−−Ｊと補正する
。 ■、同第６８頁第３行目の「び酸素（０）の−−−−Ｊ
　とあるのを「び窒素（Ｎ）の−ｍ−−」　と補正する
。（２）明細書第７９頁第１０行乃至同第１１行目のＮＯ
５−−−一層領域Ｊ　　、　ｒｌｏｌｌｌ　−−−ｍ１
部層領域」を各々ｒ１０５−−−ｍ１部層領域Ｊ　　、
　ｒｌｏＢ、−−−一自由表面」と補正し、　　［１０
７−−−−自由表面」を削除する。

Claims

【特許請求の範囲】（１）光導電部材用の支持体と、シリコン原子を母体と
し、構成原子として水素原子又はハロゲン原子のいずれ
か一方を少なくとも含有する非晶質材料で構成され、光
導電性を示す非晶質層とを有する光導電部材において、
前記非晶質層が、構成原子として、層厚方向く不均一で
連続的な水媒＝分布状態で窒素原子が含有されている第
一の層領域と、構成原子として、層厚方向に不均一で連
続的な分布状態で周期律表第曹族に属する原子が含有さ
れている第二の層領域とを有する事を特徴とする光導電
部材。（２）第一の層領域と第二の層領域とは、少なくともそ
の一部を共有している特許請求の範囲第１項に記載の光
導電部材。同一層領域である特許請求の範囲第１項に記載の光導電
部材。（４）第二の層領域が第一の層領域中に内在している特
許請求の範囲第１ｍＫ記載の光導電部材・（５）＠−〇層領域が実質的に非晶質層の全層領域を構
成している特許請求の範囲第１項に記載の光導電部材。（６）第二の層領域が実質的に非晶質層の全領域を構成
している特許請求の範囲第１項に記載の光導電部材。（７）第一の層領域中に於ける窒素原子の分布状態は支
持体の設けである側とは反対側、に於いて減少分布を形
成している特許請求の範囲第１ＪＩＫ記載の光導電部材
。（８）第一０層領域中に於ける窒素原子の分布状態は支
持体側に於いて高湊度に分布を形成している特許請求の
範囲第１項に記載の光導電部材。