JPS608847A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
- Publication number
- JPS608847A JPS608847A JP58115967A JP11596783A JPS608847A JP S608847 A JPS608847 A JP S608847A JP 58115967 A JP58115967 A JP 58115967A JP 11596783 A JP11596783 A JP 11596783A JP S608847 A JPS608847 A JP S608847A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- amorphous silicon
- mho
- film
- photosensitive layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は良好なる長波長感度を有するアモルファスシリ
コン電子写真感光体に関する。
コン電子写真感光体に関する。
従来電子写真感光体としてはａ−Ｓｅが広く用いられて
きたがａ−８６は機械的強度が不足しているために耐久
性に乏しい。又、近年光源にレーザーを用いられ始めて
いるが、半導体レーザーの波長は８００ｎｍ位で比較的
長波長であるのでａ−Ｓｅでは対応が難しい。一方，近
年注目をあびてぃるａ−Ｓｉは硬く機械的強度に秀れ、
又光感度も良好なので電子写真感光体に適していて，各
所で実用化研究が行なわれている。ａ − Ｓｉはａ
− Ｓｅに比べて長波長感度に秀れているが、光学的バ
ンドギャグは１．７ｅＶ前後であるので８００ｎｍ付近
の感度をあげるためには更に光学的バンドギャップを／
」＼さくする必要がある。そのために通常は＋ Ｇｅを
ドープして光学的バンドギャップを小さくしているか，
Ｇｅをドープしたａ − Ｆ３ｌはＧｅを入れすぎる
と非常にもろく（クラック）や基板からの剥離を生じ易
くなり，又、暗導電率が非常に大きくなってしまい電子
写真感光体には使えなくなる。
きたがａ−８６は機械的強度が不足しているために耐久
性に乏しい。又、近年光源にレーザーを用いられ始めて
いるが、半導体レーザーの波長は８００ｎｍ位で比較的
長波長であるのでａ−Ｓｅでは対応が難しい。一方，近
年注目をあびてぃるａ−Ｓｉは硬く機械的強度に秀れ、
又光感度も良好なので電子写真感光体に適していて，各
所で実用化研究が行なわれている。ａ − Ｓｉはａ
− Ｓｅに比べて長波長感度に秀れているが、光学的バ
ンドギャグは１．７ｅＶ前後であるので８００ｎｍ付近
の感度をあげるためには更に光学的バンドギャップを／
」＼さくする必要がある。そのために通常は＋ Ｇｅを
ドープして光学的バンドギャップを小さくしているか，
Ｇｅをドープしたａ − Ｆ３ｌはＧｅを入れすぎる
と非常にもろく（クラック）や基板からの剥離を生じ易
くなり，又、暗導電率が非常に大きくなってしまい電子
写真感光体には使えなくなる。
この発明は先に述べた従来技術の困μｉ・−を克服して
，長波長感度に秀れた不子写Ｘ感光体を提供することに
ある。
，長波長感度に秀れた不子写Ｘ感光体を提供することに
ある。
本発明の電子写真感光体においては、ａ−８ｉよりなる
感光層の一部又は全部に（支）とＣを添加し。
感光層の一部又は全部に（支）とＣを添加し。
光学的バンドギャップを小さくすると同時に膜のひずみ
を小さく抑えクラックや基板からの膜の剥離を防いで長
波長増感を実現した。
を小さく抑えクラックや基板からの膜の剥離を防いで長
波長増感を実現した。
本発明の電子写真感光体においては長波長増感をａ −
８１にＧｅとＣを同時に添加することにより実現してい
る。この場合龜のみを添加するのと違ってＯｅと８１の
原子の大きさの差に起因する膜中の歪みを原子半径の小
さいＣを少量ｓｉのｎｅｔｗｏｒｋに入れることにより
緩和しているので、クラックや基板からの剥離と言った
機械的なトラブルは生じない。一般にＣをａ−８ｉ中に
ドープするとバンド・ギャップは太ぎくなるがＧｅをド
ープして生ずる歪みを緩和するにはごく微分のＣがｎｅ
ｔｗｏｒｋにとり込まれれば良いからバンドギャップは
１．５ｅＶ以下にすることも容易である。ＧｅとＣを同
時に添加した長波長増感層は又、内部応力が充分に緩和
されているのでｍｉｄ ｇａｐ ５ｔａｔｅｓが少なく
、暗導電率は充分小さいので電子写真に用いることがで
きる。更に、クラック等を生じないので生産の際の再現
性、歩留に秀れている。
８１にＧｅとＣを同時に添加することにより実現してい
る。この場合龜のみを添加するのと違ってＯｅと８１の
原子の大きさの差に起因する膜中の歪みを原子半径の小
さいＣを少量ｓｉのｎｅｔｗｏｒｋに入れることにより
緩和しているので、クラックや基板からの剥離と言った
機械的なトラブルは生じない。一般にＣをａ−８ｉ中に
ドープするとバンド・ギャップは太ぎくなるがＧｅをド
ープして生ずる歪みを緩和するにはごく微分のＣがｎｅ
ｔｗｏｒｋにとり込まれれば良いからバンドギャップは
１．５ｅＶ以下にすることも容易である。ＧｅとＣを同
時に添加した長波長増感層は又、内部応力が充分に緩和
されているのでｍｉｄ ｇａｐ ５ｔａｔｅｓが少なく
、暗導電率は充分小さいので電子写真に用いることがで
きる。更に、クラック等を生じないので生産の際の再現
性、歩留に秀れている。
ここでは、基板にＭドラムを用いた正帯電用の電子写真
感光体を例に挙げる。
感光体を例に挙げる。
脱脂洗浄したＭドラム（１）を１通常良く知られたグロ
ー放電によるａ−８ｉ堆積装置に装着して１Ｏ−６ｉｏ
ｒｒ台の真空中で２００℃まで昇温する。次にこの堆積
装置中に１００チシラン、 ９９．９５係メタン、並び
に水素ベース２０００ ｐｐｍのジボランをそれぞれ１
５０ ＳＣＣＭ 、 １５０ ＳＣＣＭ 、 ７５ Ｓ
ＣＣＭ導入してガス圧を０．５ ｔｏｒｒとしてＲＩＦ
Ｓ力２５Ｗでグロー放電プラズマを生起せしめＡ／ド
ラム（１）の上に暗導電率１０ υ函以上のｐ型ａ −
ｓｉｃ 膜（２）を２μ成膜して電荷注入阻止層とした
。続いてガスを１００チシラン１５０ＳＣＣＭ。
ー放電によるａ−８ｉ堆積装置に装着して１Ｏ−６ｉｏ
ｒｒ台の真空中で２００℃まで昇温する。次にこの堆積
装置中に１００チシラン、 ９９．９５係メタン、並び
に水素ベース２０００ ｐｐｍのジボランをそれぞれ１
５０ ＳＣＣＭ 、 １５０ ＳＣＣＭ 、 ７５ Ｓ
ＣＣＭ導入してガス圧を０．５ ｔｏｒｒとしてＲＩＦ
Ｓ力２５Ｗでグロー放電プラズマを生起せしめＡ／ド
ラム（１）の上に暗導電率１０ υ函以上のｐ型ａ −
ｓｉｃ 膜（２）を２μ成膜して電荷注入阻止層とした
。続いてガスを１００チシラン１５０ＳＣＣＭ。
ト水素ベース２０ ｐＩ）ｍのジボラン？、５ＳＣＣＭ
に切り換え５０ＷのＲＦ電力のプラズマにより暗導電率
ｉｏ −ｓｔυｃＩｒＬ７’以下のｌ型ａ−８ｉ：Ｈ層
（３）を１５μ形成し、又この上にカスを１５０ ＳＣ
ＣＭ ノ１００％シ２ン、５゜ＳＣＣＭ ノ９９．９５
ｑ６メタ、 ７．１５０ ＳＣＣＭ ノ水素ヘース１
０係ゲルマンに切り換えてＲＦ ｌ力２５Ｗで光学的バ
ンドギャップ１．４５ ｅＶのＣ、Ｇｅをドープしたａ
−８ｉ：Ｈ層（４）を３μ成膜シ、更ニ（３）と同じ１
型ａ−８ｉ ： Ｈ／１（５）を２μ形成して感光層（
６）とした。最後ｉｎ １００ ％ ５ｉ）Ｉ、と９９
．９５９１タントをそれぞれ１５０ＳＣＣＭ堆私空中に
導入してガス圧１．０ ｔｏｒｒ 、 ＲＦ電力１００
Ｗでプラズマをたて暗導電率１０１４υｃｍ−”以下の
ａ −ＳｉＣ膜（７）を０１μ形成して電子写真感光体
（８）とした。
に切り換え５０ＷのＲＦ電力のプラズマにより暗導電率
ｉｏ −ｓｔυｃＩｒＬ７’以下のｌ型ａ−８ｉ：Ｈ層
（３）を１５μ形成し、又この上にカスを１５０ ＳＣ
ＣＭ ノ１００％シ２ン、５゜ＳＣＣＭ ノ９９．９５
ｑ６メタ、 ７．１５０ ＳＣＣＭ ノ水素ヘース１
０係ゲルマンに切り換えてＲＦ ｌ力２５Ｗで光学的バ
ンドギャップ１．４５ ｅＶのＣ、Ｇｅをドープしたａ
−８ｉ：Ｈ層（４）を３μ成膜シ、更ニ（３）と同じ１
型ａ−８ｉ ： Ｈ／１（５）を２μ形成して感光層（
６）とした。最後ｉｎ １００ ％ ５ｉ）Ｉ、と９９
．９５９１タントをそれぞれ１５０ＳＣＣＭ堆私空中に
導入してガス圧１．０ ｔｏｒｒ 、 ＲＦ電力１００
Ｗでプラズマをたて暗導電率１０１４υｃｍ−”以下の
ａ −ＳｉＣ膜（７）を０１μ形成して電子写真感光体
（８）とした。
こうしてつくられた電子写真感光体は表面電位５００
Ｖ、 ８００ｎｍの感度５ ｅｒｇβと良好でレーザー
ビームプリンターに適用でき、機械的強度に秀れ１０万
枚以上コピーしても全く劣化しながった。
Ｖ、 ８００ｎｍの感度５ ｅｒｇβと良好でレーザー
ビームプリンターに適用でき、機械的強度に秀れ１０万
枚以上コピーしても全く劣化しながった。
又、上記の実施例では、感光層（６）の一部にＧｅ、Ｃ
をｄｏｐｅ したａ−８ｉ：Ｈ層を形成して込るが、惑
う’ｌ； ｉ （Ｇ）全体をＯｅ、Ｃをｄｏｐｅ Ｌ、
たａ−８ｉ：ＨＪＫ・にすれば更に長波長感度に秀れた
電子写真感光体を作ることが出来る。
をｄｏｐｅ したａ−８ｉ：Ｈ層を形成して込るが、惑
う’ｌ； ｉ （Ｇ）全体をＯｅ、Ｃをｄｏｐｅ Ｌ、
たａ−８ｉ：ＨＪＫ・にすれば更に長波長感度に秀れた
電子写真感光体を作ることが出来る。
訴
図面は本発明の詳細な説明する懐面図である。
Claims (2)
- （１）感光層が非晶質シリコンよりなる電子写真感光体
において、前記感光層の一部又は全部に伽とＣを添加し
たことを特徴とする電子写真感光体。 - （２）導電性基板と感光層の間に基板からの電荷の注入
を明止する電荷注入阻止層を有したことを特徴とする特
許 写真感光体。 範囲第２項記載の電子写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58115967A JPS608847A (ja) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58115967A JPS608847A (ja) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | 電子写真感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS608847A true JPS608847A (ja) | 1985-01-17 |
| JPH0548912B2 JPH0548912B2 (ja) | 1993-07-22 |
Family
ID=14675566
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58115967A Granted JPS608847A (ja) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS608847A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63135954A (ja) * | 1986-11-27 | 1988-06-08 | Kyocera Corp | 電子写真感光体 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54145540A (en) * | 1978-05-04 | 1979-11-13 | Canon Inc | Electrophotographic image forming material |
| JPS54145539A (en) * | 1978-05-04 | 1979-11-13 | Canon Inc | Electrophotographic image forming material |
| JPS55121239U (ja) * | 1979-02-21 | 1980-08-28 | ||
| JPS57105744A (en) * | 1980-12-23 | 1982-07-01 | Canon Inc | Photoconductive member |
| JPS5860747A (ja) * | 1981-10-07 | 1983-04-11 | Oki Electric Ind Co Ltd | 電子写真感光体 |
| JPS5888753A (ja) * | 1981-11-24 | 1983-05-26 | Oki Electric Ind Co Ltd | 電子写真感光体 |
-
1983
- 1983-06-29 JP JP58115967A patent/JPS608847A/ja active Granted
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54145540A (en) * | 1978-05-04 | 1979-11-13 | Canon Inc | Electrophotographic image forming material |
| JPS54145539A (en) * | 1978-05-04 | 1979-11-13 | Canon Inc | Electrophotographic image forming material |
| JPS55121239U (ja) * | 1979-02-21 | 1980-08-28 | ||
| JPS57105744A (en) * | 1980-12-23 | 1982-07-01 | Canon Inc | Photoconductive member |
| JPS5860747A (ja) * | 1981-10-07 | 1983-04-11 | Oki Electric Ind Co Ltd | 電子写真感光体 |
| JPS5888753A (ja) * | 1981-11-24 | 1983-05-26 | Oki Electric Ind Co Ltd | 電子写真感光体 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63135954A (ja) * | 1986-11-27 | 1988-06-08 | Kyocera Corp | 電子写真感光体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0548912B2 (ja) | 1993-07-22 |
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