JPH07117763B2 - 電子写真感光体の製造方法 - Google Patents
電子写真感光体の製造方法Info
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- JPH07117763B2 JPH07117763B2 JP63164480A JP16448088A JPH07117763B2 JP H07117763 B2 JPH07117763 B2 JP H07117763B2 JP 63164480 A JP63164480 A JP 63164480A JP 16448088 A JP16448088 A JP 16448088A JP H07117763 B2 JPH07117763 B2 JP H07117763B2
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- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
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- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
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Description
【発明の詳細な説明】 （ａ）産業上の利用分野 この発明は、電子写真方式の画像形成装置に用いられる
電子写真感光体の製造方法に関し、特に半導体レーザを
光源とするレーザプリンタの感光体の製造方法に関す
る。
電子写真感光体の製造方法に関し、特に半導体レーザを
光源とするレーザプリンタの感光体の製造方法に関す
る。
（ｂ）従来の技術 近年、電子写真方式を用いた画像形成装置には半導体レ
ーザを光源として用いるものが出現している。現在実用
化されている半導体レーザにおいて安定した高出力が得
られる最長発振波長は780〜830nmである。ところが、一
般的な画像形成装置に用いられている感光体や、Geを含
まないアモルファスシリコンを光導電層として用いた感
光体では長波長域の感度が低いという問題があり、その
ため長波長域の感度が高いGeを含むアモルファスシリコ
ン（以下、a-SiGeという。）を光導電層として用いた感
光体の実用化が期待されている。a-SiGeには、 長寿命である。
ーザを光源として用いるものが出現している。現在実用
化されている半導体レーザにおいて安定した高出力が得
られる最長発振波長は780〜830nmである。ところが、一
般的な画像形成装置に用いられている感光体や、Geを含
まないアモルファスシリコンを光導電層として用いた感
光体では長波長域の感度が低いという問題があり、その
ため長波長域の感度が高いGeを含むアモルファスシリコ
ン（以下、a-SiGeという。）を光導電層として用いた感
光体の実用化が期待されている。a-SiGeには、 長寿命である。
人体に対して無害である。
長波長に対して高感度である。
という利点がある。従来a-SiGeを光導電層として形成
（積層）するにはプラズマCVD法，スパッタ法等が用い
られており、このような方法により形成さる光導電層中
のH,ハロゲンの合計含有量（原料ガスによりＨまたはハ
ロゲンが含有される）は10〜40at％が限度であった。
（積層）するにはプラズマCVD法，スパッタ法等が用い
られており、このような方法により形成さる光導電層中
のH,ハロゲンの合計含有量（原料ガスによりＨまたはハ
ロゲンが含有される）は10〜40at％が限度であった。
（ｃ）発明が解決しようとする課題 ところが従来のa-SiGeを光導電層とした感光体（以下、
a-SiGe感光体という。）はGeを含まないものに比べて光
学的バンドギャップを小さくして長波長域の感度を上げ
ることができるものの、暗比抵抗が小さくなって帯電保
持能力が著しく劣り、また明導電率が低く充分な光感度
を得ることができずカールソン・プロセスを用いた感光
体として使用するには依然として不充分なものであっ
た。これは、光導電層中のH,ハロゲンの合計含有量が10
〜40at％程度であったためH,ハロゲンがGe原子に結合せ
ず、Ge原子自身のダングリング・ボンドがGeの添加とと
もに増加するためであると考えられる。
a-SiGe感光体という。）はGeを含まないものに比べて光
学的バンドギャップを小さくして長波長域の感度を上げ
ることができるものの、暗比抵抗が小さくなって帯電保
持能力が著しく劣り、また明導電率が低く充分な光感度
を得ることができずカールソン・プロセスを用いた感光
体として使用するには依然として不充分なものであっ
た。これは、光導電層中のH,ハロゲンの合計含有量が10
〜40at％程度であったためH,ハロゲンがGe原子に結合せ
ず、Ge原子自身のダングリング・ボンドがGeの添加とと
もに増加するためであると考えられる。
この発明は上記問題に鑑み、a-SiGeからなる光導電層の
電気的特性を向上させた電子写真感光体の製造方法を提
供することを目的とする。
電気的特性を向上させた電子写真感光体の製造方法を提
供することを目的とする。
（ｄ）課題を解決するための手段 この発明の電子写真感光体の製造方法は、導電性基体上
に、原料ガスの圧力を2.5〜3.5mtorrとするエレクトロ
ン・サイクロトロン・レゾナンス法を用いて、 Si(100-X-Y-Z)GeXHYXZ(at%) （ただしX:ハロゲン,0＜Ｘ＜100,0≦X,Y＜100,40≦Ｙ＋
Ｚ≦65） のアモルファス光導電層を、Siに対するGe含有量を5.3
〜150at％として形成することを特徴とする。
に、原料ガスの圧力を2.5〜3.5mtorrとするエレクトロ
ン・サイクロトロン・レゾナンス法を用いて、 Si(100-X-Y-Z)GeXHYXZ(at%) （ただしX:ハロゲン,0＜Ｘ＜100,0≦X,Y＜100,40≦Ｙ＋
Ｚ≦65） のアモルファス光導電層を、Siに対するGe含有量を5.3
〜150at％として形成することを特徴とする。
（ｅ）作用 本発明者等の実験によれば、a-SiGe光導電層中に含まれ
るH,ハロゲンの合計含有量がほぼ40at％以上であれば暗
比抵抗が1011Ωcm以上となり、電荷保持率を向上させる
ことができた。またH,ハロゲンの合計含有量がほぼ65at
％を越えると光学的バンドギャップが上昇し、Ge添加に
よる光学的バンドギャップ減少効果を打ち消して長波長
域感度が低下して半導体レーザ用の感光体としては不十
分なものとなった。
るH,ハロゲンの合計含有量がほぼ40at％以上であれば暗
比抵抗が1011Ωcm以上となり、電荷保持率を向上させる
ことができた。またH,ハロゲンの合計含有量がほぼ65at
％を越えると光学的バンドギャップが上昇し、Ge添加に
よる光学的バンドギャップ減少効果を打ち消して長波長
域感度が低下して半導体レーザ用の感光体としては不十
分なものとなった。
この発明のように、原料ガスの圧力を2.5〜3.5mtorrと
するエレクトロン・サイクロトロン・レゾナンス法を用
いてa-SiGe光導電層を形成すると、H,ハロゲンの合計含
有率がほぼ40〜65at％となる。
するエレクトロン・サイクロトロン・レゾナンス法を用
いてa-SiGe光導電層を形成すると、H,ハロゲンの合計含
有率がほぼ40〜65at％となる。
また、a-SiGe光導電層におけるGeの添加量がSi量に対し
て5.3at％以下であれば、Ge添加の効果がみられず光学
的バンドギャップが大きく長波長域の感度が悪かった。
さらにGe添加量をSi量に対して150at％以上にすると、
暗比抵抗が小さくなって電荷保持率が悪くなった。
て5.3at％以下であれば、Ge添加の効果がみられず光学
的バンドギャップが大きく長波長域の感度が悪かった。
さらにGe添加量をSi量に対して150at％以上にすると、
暗比抵抗が小さくなって電荷保持率が悪くなった。
（ｆ）実施例 第９図は、電子サイクロトロン共鳴法（以下、ECR法と
いう。）によるa-SiGe層の堆積装置の概略図である。な
おa-Si層を堆積する場合にも同様の装置が用いられる。
いう。）によるa-SiGe層の堆積装置の概略図である。な
おa-Si層を堆積する場合にも同様の装置が用いられる。
装置はプラズマを発生させるプラズマ室１と、a-SiGe層
を堆積させる堆積室２とを有している。プラズマ室１と
堆積室２とはプラズマ引出窓３で通じており、図示しな
い油拡散ポンプ，油回転ポンプにより真空排気される。
を堆積させる堆積室２とを有している。プラズマ室１と
堆積室２とはプラズマ引出窓３で通じており、図示しな
い油拡散ポンプ，油回転ポンプにより真空排気される。
プラズマ室１は空胴共振器構成でなり、導波管４から2.
45GHzのマイクロ波が導入される。なお、マイクロ波導
入窓５はマイクロ波が通過できる石英ガラス板でできて
いる。プラズマ室１にはH2ガスが導入される。プラズマ
室１の周囲には磁気コイル6,7が配置されている。磁気
コイル６はプラズマ発生磁界（875G）を発生させ、磁気
コイル７はプラズマ室１で発生したプラズマを堆積室２
に引き出すための発散磁界を形成する。
45GHzのマイクロ波が導入される。なお、マイクロ波導
入窓５はマイクロ波が通過できる石英ガラス板でできて
いる。プラズマ室１にはH2ガスが導入される。プラズマ
室１の周囲には磁気コイル6,7が配置されている。磁気
コイル６はプラズマ発生磁界（875G）を発生させ、磁気
コイル７はプラズマ室１で発生したプラズマを堆積室２
に引き出すための発散磁界を形成する。
堆積室２にはたとえばAl等からなるドラム状の導電性基
体８が装着される。導電性基体８は支持体により回転可
能に支持され、それにより表面上に均一にa-SiGeが堆積
される。また、堆積室２にはa-SiGeの原料ガスが導入さ
れる。原料ガスは、Ｈまたはハロゲンを含むSi化合物、
Ｈまたはハロゲンを含むGe化合物等であり、具体的には
Si化合物としてSiH4,Si2H6,SiF4,SiCl4,SiHCl3,SiH2Cl2
等、Ge化合物としてGeH4,GeF4,GeCl4,GeCl2等があげら
れる。また、正帯電用の光導電層を形成する場合にはＢ
化合物等、負帯電用の光導電層を形成する場合にはＰ化
合物等が原料ガスとして導入され、さらに表面層を形成
する場合にはCH4等が導入される。
体８が装着される。導電性基体８は支持体により回転可
能に支持され、それにより表面上に均一にa-SiGeが堆積
される。また、堆積室２にはa-SiGeの原料ガスが導入さ
れる。原料ガスは、Ｈまたはハロゲンを含むSi化合物、
Ｈまたはハロゲンを含むGe化合物等であり、具体的には
Si化合物としてSiH4,Si2H6,SiF4,SiCl4,SiHCl3,SiH2Cl2
等、Ge化合物としてGeH4,GeF4,GeCl4,GeCl2等があげら
れる。また、正帯電用の光導電層を形成する場合にはＢ
化合物等、負帯電用の光導電層を形成する場合にはＰ化
合物等が原料ガスとして導入され、さらに表面層を形成
する場合にはCH4等が導入される。
このような構成により導電性基体８上にa-SiGe層を形成
するには、まず排気系によりプラズマ室1,堆積室２を排
気し、プラズマ室１にはH2ガスを、堆積室２には原料ガ
スをそれぞれ導入する。次に、プラズマ室１にマイクロ
波を導入するとともに、磁気コイル6,7にて磁界を発生
させてプラズマを励起する。プラズマ化されたH2および
原料ガスは発散磁場により導電性基体８へ導かれ、a-Si
Geが導電性基体８上に堆積する。導電性基体８は支持体
により回転されるため導電性基体８表面上に均一に堆積
される。またプラズマの引出窓の位置、大きさ等を調整
することによりa-SiGe層の均一性が向上する。
するには、まず排気系によりプラズマ室1,堆積室２を排
気し、プラズマ室１にはH2ガスを、堆積室２には原料ガ
スをそれぞれ導入する。次に、プラズマ室１にマイクロ
波を導入するとともに、磁気コイル6,7にて磁界を発生
させてプラズマを励起する。プラズマ化されたH2および
原料ガスは発散磁場により導電性基体８へ導かれ、a-Si
Geが導電性基体８上に堆積する。導電性基体８は支持体
により回転されるため導電性基体８表面上に均一に堆積
される。またプラズマの引出窓の位置、大きさ等を調整
することによりa-SiGe層の均一性が向上する。
このような装置においてa-SiGe層を形成する場合、原料
ガスの圧力の設定によりa-SiGe層中のH,ハロゲンの含有
量を調整することができる。
ガスの圧力の設定によりa-SiGe層中のH,ハロゲンの含有
量を調整することができる。
第１図はa-SiGe層中のＨ含有量と、ガス圧との関係を表
した図であり、用いた原料ガスおよびその他の実験条件
は以下のとおりである。
した図であり、用いた原料ガスおよびその他の実験条件
は以下のとおりである。
マイクロ波出力:2.5kw 原料ガス ：SiH4,GeH4 ガス流量 ：SiH4＋GeH4＝120（sccm） SiH4／（SiH4＋GeH4）＝0.88 ガス圧 :2.5〜5.0mtorr 基体加熱 ：施さず 上記の範囲でガス圧を振って、形成されたa-SiGe光導電
層のＨ含有量が第１図に示されており、図から分かるよ
うに、ほぼ3.5mtorr以下であればＨ含有量は40at％以
上、それを越えると著しく低くなって25at％以下とな
る。このようにして形成されたa-SiGe層の暗比抵抗，半
導体レーザ（830nm）を光源とした場合の明導電率（η
μτ）をそれぞれ第２図，第３図に示した。図から分か
るように、ガス圧をほぼ3.5mtorr以下に選ぶ、すなわち
層中のＨ量を40at％以上とすることによって始めて暗比
抵抗が1011Ωcm以上となり、かつ明導電率が10-6以上と
半導体レーザを光源とする電子写真感光体の光導電層に
とって好ましい特性を得た。
層のＨ含有量が第１図に示されており、図から分かるよ
うに、ほぼ3.5mtorr以下であればＨ含有量は40at％以
上、それを越えると著しく低くなって25at％以下とな
る。このようにして形成されたa-SiGe層の暗比抵抗，半
導体レーザ（830nm）を光源とした場合の明導電率（η
μτ）をそれぞれ第２図，第３図に示した。図から分か
るように、ガス圧をほぼ3.5mtorr以下に選ぶ、すなわち
層中のＨ量を40at％以上とすることによって始めて暗比
抵抗が1011Ωcm以上となり、かつ明導電率が10-6以上と
半導体レーザを光源とする電子写真感光体の光導電層に
とって好ましい特性を得た。
なおa-SiGe層中のＨ含有量がほぼ65at％を越えると光学
的バンドギャップが上昇し、Ge添加による長波長感度特
性を打ち消してしまう。そのため、Ｈ含有量は40〜65at
％程度が好ましく、最も好ましくは40〜55at％程度であ
った。
的バンドギャップが上昇し、Ge添加による長波長感度特
性を打ち消してしまう。そのため、Ｈ含有量は40〜65at
％程度が好ましく、最も好ましくは40〜55at％程度であ
った。
次に、a-SiGe層中のSiとGeとの比率について述べる。a-
SiGe層中のＨ含有量が43〜48at％となるようにガス圧を
規制し、Si系の原料ガスとGe系の原料ガスとの比率を変
化させてa-SiGe層を形成し、層中のSi:Geの比率とa-SiG
eの特性との関係を調べた。その結果、Siに対しGeがほ
ぼ5.3at％以下では、Ge添加による光学的バンドギャッ
プの減少がほとんどみられず、長波長域の感度が悪く半
導体レーザ用感光体の光導電層としては不十分であっ
た。また、Siに対しGe量がほぼ150at％以上になると光
学的バンドギャップは減少するが、暗比抵抗が小さくな
り過ぎて電荷保持能力が低下し、電子写真感光体の光導
電層には適さないことが分かった。すなわちa-SiGe層中
のGe量はSi量に対して5.3〜150at％、好ましくは18〜82
at％、最も好ましくは43〜67at％であった。
SiGe層中のＨ含有量が43〜48at％となるようにガス圧を
規制し、Si系の原料ガスとGe系の原料ガスとの比率を変
化させてa-SiGe層を形成し、層中のSi:Geの比率とa-SiG
eの特性との関係を調べた。その結果、Siに対しGeがほ
ぼ5.3at％以下では、Ge添加による光学的バンドギャッ
プの減少がほとんどみられず、長波長域の感度が悪く半
導体レーザ用感光体の光導電層としては不十分であっ
た。また、Siに対しGe量がほぼ150at％以上になると光
学的バンドギャップは減少するが、暗比抵抗が小さくな
り過ぎて電荷保持能力が低下し、電子写真感光体の光導
電層には適さないことが分かった。すなわちa-SiGe層中
のGe量はSi量に対して5.3〜150at％、好ましくは18〜82
at％、最も好ましくは43〜67at％であった。
以上のようにしてECR法の堆積装置を用い、原料ガスの
ガス圧および原料ガス比を調整することにより良好な光
導電層を得ることができる。また、a-SiGe層を形成する
場合、良好な特性を持つa-SiGe層が形成されたガス圧
（2.5〜3.5mtorr）での成膜速度は0.5μm/minと他のガ
ス圧で成膜を行ったときよりも速く、また従来法に比べ
ても５〜６倍の速い速度で成膜を行うことができた。す
なわち、この実施例では高品質の光導電層を速い成膜速
度で形成することができる利点がある。また、成膜中に
は（SiH2）ｎを主としたポリマー粉の発生がなく、成膜
欠陥が生じることがないので感光体の歩留まりを向上さ
せてコストの安価な感光体を創出することが可能となっ
た。
ガス圧および原料ガス比を調整することにより良好な光
導電層を得ることができる。また、a-SiGe層を形成する
場合、良好な特性を持つa-SiGe層が形成されたガス圧
（2.5〜3.5mtorr）での成膜速度は0.5μm/minと他のガ
ス圧で成膜を行ったときよりも速く、また従来法に比べ
ても５〜６倍の速い速度で成膜を行うことができた。す
なわち、この実施例では高品質の光導電層を速い成膜速
度で形成することができる利点がある。また、成膜中に
は（SiH2）ｎを主としたポリマー粉の発生がなく、成膜
欠陥が生じることがないので感光体の歩留まりを向上さ
せてコストの安価な感光体を創出することが可能となっ
た。
なお、上記の実施例ではa-SiGe層の原料ガスとしてSi,G
eのＨ化合物を用いているためa-SiGe層中のＨ量につい
て述べているが、Si,Geのハロゲン化合物を用いた場合
にはa-SiGe層中のH,ハロゲンの合計量が40〜65at％、最
も好ましくは40〜55at％となる。
eのＨ化合物を用いているためa-SiGe層中のＨ量につい
て述べているが、Si,Geのハロゲン化合物を用いた場合
にはa-SiGe層中のH,ハロゲンの合計量が40〜65at％、最
も好ましくは40〜55at％となる。
＜実験例＞ 以上は光導電層として用いるa-SiGe層について述べた
が、実際の電子写真感光体は第４図に示すように、Al等
からなる導電性基体８上に、中間層11,光導電層12,表面
層13を積層したものである。中間層11,光導電層12,表面
層13は全てアモルファスシリコンで構成され、原料ガス
の種類，流量等の成膜条件を変えることによりGe,C等を
含有した層が形成される。以下、実際のa-SiGe感光体の
形成について述べる。
が、実際の電子写真感光体は第４図に示すように、Al等
からなる導電性基体８上に、中間層11,光導電層12,表面
層13を積層したものである。中間層11,光導電層12,表面
層13は全てアモルファスシリコンで構成され、原料ガス
の種類，流量等の成膜条件を変えることによりGe,C等を
含有した層が形成される。以下、実際のa-SiGe感光体の
形成について述べる。
実験例:1 第５図は正帯電用感光体（ｐ型）の形成条件を表した図
である。中間層はＢが多量にドープされたa-Si層、光導
電層は少量のＢがドープされたa-SiGe層、表面層はa-Si
C層となっている。図示するような条件で形成された光
導電層のＨ含有量は46at％であり、形成された感光体の
特性を測定したところ良好な結果が得られ、特に帯電特
性に優れていた。また、この感光体を用いて正帯電用レ
ーザプリンタで画像形成を行ったところ、高品質の画像
を得ることができた。
である。中間層はＢが多量にドープされたa-Si層、光導
電層は少量のＢがドープされたa-SiGe層、表面層はa-Si
C層となっている。図示するような条件で形成された光
導電層のＨ含有量は46at％であり、形成された感光体の
特性を測定したところ良好な結果が得られ、特に帯電特
性に優れていた。また、この感光体を用いて正帯電用レ
ーザプリンタで画像形成を行ったところ、高品質の画像
を得ることができた。
また成膜時には（SiH2）ｎを主としたポリマー粉が発生
することがないので成膜欠陥が発生せず、成膜速度，原
料ガスの利用効率も従来法に比べて６〜10倍とかなり良
い結果を得ることができた。
することがないので成膜欠陥が発生せず、成膜速度，原
料ガスの利用効率も従来法に比べて６〜10倍とかなり良
い結果を得ることができた。
実験例２ 第５図に示したa-SiGe感光体の製造条件において、光導
電層を形成する場合のガス圧のみを変化させてa-SiGe感
光体を作成した。なお、ガス圧は、 2.5、3.0、3.5、4.0、4.5、5.0（mtorr） の６種類とし、作成された感光体の帯電特性およびその
感光体により形成された画像の品質を第６図に示した。
なお、上記ガス圧のうち形成されるa-SiGe感光体のＨ含
有量が40〜65at％となるのは2.5、3.0、3.5の各ガス圧
のときである。図から分かるように、Ｈ含有量が40〜65
at％であるとき（2.5、3.0、3.5のガス圧のとき）には
帯電特性，形成画像品質とも良好な状態であった。
電層を形成する場合のガス圧のみを変化させてa-SiGe感
光体を作成した。なお、ガス圧は、 2.5、3.0、3.5、4.0、4.5、5.0（mtorr） の６種類とし、作成された感光体の帯電特性およびその
感光体により形成された画像の品質を第６図に示した。
なお、上記ガス圧のうち形成されるa-SiGe感光体のＨ含
有量が40〜65at％となるのは2.5、3.0、3.5の各ガス圧
のときである。図から分かるように、Ｈ含有量が40〜65
at％であるとき（2.5、3.0、3.5のガス圧のとき）には
帯電特性，形成画像品質とも良好な状態であった。
なお実験例1,2において、Si,Geの原料ガスとして他のＨ
化合物やハロゲン化合物を用いてもよく、Ｂを添加する
ための原料ガスとしてBH3,BCl3等を用いてもよい。ま
た、正帯電用感光体を形成するにはＢの他にAl、Ga、In
等を添加してもよい。さらに、表面層にはa-SiCの他
に、a-SiN、a-SiO等を成膜させてもよい。
化合物やハロゲン化合物を用いてもよく、Ｂを添加する
ための原料ガスとしてBH3,BCl3等を用いてもよい。ま
た、正帯電用感光体を形成するにはＢの他にAl、Ga、In
等を添加してもよい。さらに、表面層にはa-SiCの他
に、a-SiN、a-SiO等を成膜させてもよい。
実験例３ 第７図は負帯電用感光体（ｎ型）の形成条件を表した図
である。中間層はＰが多量にドープされたa-Si層、光導
電層は少量のＰがドープされたa-SiGe層、表面層はa-Si
C層となっている。図示するような条件で形成された光
導電層のＨ含有量は46at％であり、形成された感光体の
特性は特に帯電特性において優れていた。またこの感光
体を用いてた負帯電用レーザプリンタで画像形成を行っ
たところ、高品質の画像を得ることができた。
である。中間層はＰが多量にドープされたa-Si層、光導
電層は少量のＰがドープされたa-SiGe層、表面層はa-Si
C層となっている。図示するような条件で形成された光
導電層のＨ含有量は46at％であり、形成された感光体の
特性は特に帯電特性において優れていた。またこの感光
体を用いてた負帯電用レーザプリンタで画像形成を行っ
たところ、高品質の画像を得ることができた。
また成膜時、（SiH2）ｎを主としたポリマー粉が発生す
ることがないので成膜欠陥が発生せず、また成膜速度，
原料ガスの利用効率も従来法に比べて良い結果を得るこ
とができた。
ることがないので成膜欠陥が発生せず、また成膜速度，
原料ガスの利用効率も従来法に比べて良い結果を得るこ
とができた。
実験例４ 第７図に示したa-SiGe感光体の製造条件において、光導
電層を形成する場合のガス圧のみを変化させてa-SiGe感
光体を作成した。なお、ガス圧は、 2.5、2.8、3.3、3.8、4.3、4.8（mtorr） の６種類とし、作成された感光体の帯電特性およびその
感光体により形成された画像の品質を第８図に示した。
上記ガス圧のうち形成されるa-SiGe感光体のＨ含有量が
40〜65at％となるのは2.5、2.8、3.3の各ガス圧のとき
であり、これらのガス圧で形成されたa-SiGe感光体は帯
電特性，形成画像品質とも良好な状態であった。
電層を形成する場合のガス圧のみを変化させてa-SiGe感
光体を作成した。なお、ガス圧は、 2.5、2.8、3.3、3.8、4.3、4.8（mtorr） の６種類とし、作成された感光体の帯電特性およびその
感光体により形成された画像の品質を第８図に示した。
上記ガス圧のうち形成されるa-SiGe感光体のＨ含有量が
40〜65at％となるのは2.5、2.8、3.3の各ガス圧のとき
であり、これらのガス圧で形成されたa-SiGe感光体は帯
電特性，形成画像品質とも良好な状態であった。
なお実験例3,4において、Si,Geの原料ガスとしては他の
Ｈ化合物やハロゲン化物を用いてもよく、Ｐを添加する
ための原料ガスとしてPH3,PCl3等を用いてもよい。ま
た、負帯電用感光体を形成するにはＰの他にＮ、Sb、Ｏ
等を添加してもよい。さらに、表面層にはa-SiCの他
に、a-SiN、a-SiO等を成膜させてもよい。
Ｈ化合物やハロゲン化物を用いてもよく、Ｐを添加する
ための原料ガスとしてPH3,PCl3等を用いてもよい。ま
た、負帯電用感光体を形成するにはＰの他にＮ、Sb、Ｏ
等を添加してもよい。さらに、表面層にはa-SiCの他
に、a-SiN、a-SiO等を成膜させてもよい。
なお、このa-SiGe層は電子写真感光体の他にイメージセ
ンサの感光部、液晶と積層された画像記憶素子の感光部
のように外部からの光情報を電気信号に変換するデバイ
スの感光部にも適用できる。また、太陽電池のようなデ
バイスにも適用可能である。
ンサの感光部、液晶と積層された画像記憶素子の感光部
のように外部からの光情報を電気信号に変換するデバイ
スの感光部にも適用できる。また、太陽電池のようなデ
バイスにも適用可能である。
（ｇ）発明の効果 この発明の製造方法により製造した電子写真感光体は、
光導電層中のH,ハロゲンの合計量が40〜65at％に規制さ
れることにより暗比抵抗を上げて感光体の電荷保持能力
を向上させるとともに、明導電率を高くして光感度を良
くすることができる。
光導電層中のH,ハロゲンの合計量が40〜65at％に規制さ
れることにより暗比抵抗を上げて感光体の電荷保持能力
を向上させるとともに、明導電率を高くして光感度を良
くすることができる。
またSiに対するGeの含有量が5.3〜150at％に規制される
ことにより光学的バンドギャップを減少させて半導体レ
ーザに対応して長波長域光の感度を向上させることがで
きる。
ことにより光学的バンドギャップを減少させて半導体レ
ーザに対応して長波長域光の感度を向上させることがで
きる。
このようにこの発明によれば感光体の特性を向上させる
ことかでき、この感光体により形成される画像品質を向
上させることができる。
ことかでき、この感光体により形成される画像品質を向
上させることができる。
第１図はECR法により形成されるa-SiGe光導電層のＨ含
有量と成膜時の原料ガス圧との関係を表した図、第２
図，第３図はその原料ガス圧と暗比抵抗，明導電率との
関係を表した図である。また第４図はa-SiGe感光体の構
成を表した図、第５図は正帯電用のa-SiGe感光体の形成
条件を表した図であり、第６図は第５図における原料ガ
ス圧を変化させて形成したa-SiGe感光体の特性およびそ
れにより形成される画像の品質を表した図、第７図は負
帯電用のa-SiGe感光体の形成条件を表した図であり、第
８図は第７図における原料ガス圧を変化させて形成した
a-SiGe感光体の特性およびそれにより形成される画像の
品質を表した図である。さらに第９図はECR法によるa-S
iGe堆積装置の概略図である。 ８……導電性基体、11……中間層、12……光導電層、13
……表面層。
有量と成膜時の原料ガス圧との関係を表した図、第２
図，第３図はその原料ガス圧と暗比抵抗，明導電率との
関係を表した図である。また第４図はa-SiGe感光体の構
成を表した図、第５図は正帯電用のa-SiGe感光体の形成
条件を表した図であり、第６図は第５図における原料ガ
ス圧を変化させて形成したa-SiGe感光体の特性およびそ
れにより形成される画像の品質を表した図、第７図は負
帯電用のa-SiGe感光体の形成条件を表した図であり、第
８図は第７図における原料ガス圧を変化させて形成した
a-SiGe感光体の特性およびそれにより形成される画像の
品質を表した図である。さらに第９図はECR法によるa-S
iGe堆積装置の概略図である。 ８……導電性基体、11……中間層、12……光導電層、13
……表面層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭58−186748（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−98588（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−83544（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−2067（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−159167（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−81361（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】導電性基体上に、原料ガスの圧力を2.5〜
3.5mtorrとするエレクトロン・サイクロトロン・レゾナ
ンス法を用いて、 Si(100-X-Y-Z)GeXHYXZ(at%) （ただしX:ハロゲン,0＜Ｘ＜100,0≦X,Y＜100,40≦Ｙ＋
Ｚ≦65） のアモルファス光導電層を、Siに対するGe含有量を5.3
〜150at％として形成することを特徴とする電子写真感
光体の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63164480A JPH07117763B2 (ja) | 1988-06-30 | 1988-06-30 | 電子写真感光体の製造方法 |
| US07/368,807 US4990423A (en) | 1988-06-30 | 1989-06-20 | Photosensitive member for electrophotography |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63164480A JPH07117763B2 (ja) | 1988-06-30 | 1988-06-30 | 電子写真感光体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0212261A JPH0212261A (ja) | 1990-01-17 |
| JPH07117763B2 true JPH07117763B2 (ja) | 1995-12-18 |
Family
ID=15793975
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63164480A Expired - Fee Related JPH07117763B2 (ja) | 1988-06-30 | 1988-06-30 | 電子写真感光体の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4990423A (ja) |
| JP (1) | JPH07117763B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002360109A (ja) * | 2001-06-06 | 2002-12-17 | Asahi Kasei Corp | 格子状増養殖装置及びその製造方法 |
| CN101186446B (zh) * | 2007-11-27 | 2010-08-11 | 西安交通大学 | 光敏特性的二氧化锗基有机-无机复合材料的制备方法 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU530905B2 (en) * | 1977-12-22 | 1983-08-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member |
| US4147667A (en) * | 1978-01-13 | 1979-04-03 | International Business Machines Corporation | Photoconductor for GaAs laser addressed devices |
| US4471042A (en) * | 1978-05-04 | 1984-09-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Image-forming member for electrophotography comprising hydrogenated amorphous matrix of silicon and/or germanium |
| JPS57119361A (en) * | 1981-01-16 | 1982-07-24 | Canon Inc | Image forming member for electrophotography |
| JPS58186748A (ja) * | 1982-04-26 | 1983-10-31 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPS59159167A (ja) * | 1983-03-01 | 1984-09-08 | Zenko Hirose | アモルフアスシリコン膜の形成方法 |
| DE3322782A1 (de) * | 1983-06-24 | 1985-01-03 | Basf Farben + Fasern Ag, 2000 Hamburg | Hitzehaertbare bindemittelmischung |
| JPS6183544A (ja) * | 1984-09-29 | 1986-04-28 | Toshiba Corp | 電子写真感光体 |
| DE3789522T2 (de) * | 1986-01-23 | 1994-08-04 | Canon Kk | Lichtempfindliches Element, verwendbar in der Elektrophotographie. |
| US4760008A (en) * | 1986-01-24 | 1988-07-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electrophotographic photosensitive members and methods for manufacturing the same using microwave radiation in magnetic field |
| JPS6381361A (ja) * | 1986-09-26 | 1988-04-12 | Canon Inc | 電子写真感光体の製造方法 |
| JPS63107098A (ja) * | 1986-10-23 | 1988-05-12 | 三菱電機株式会社 | 電子部品自動装着機 |
| JPH0712383B2 (ja) * | 1986-12-26 | 1995-02-15 | 能美防災株式会社 | 防災設備 |
| JPS63169216A (ja) * | 1986-12-31 | 1988-07-13 | Shiyouda Shoji Kk | 配線基板の切断方法 |
-
1988
- 1988-06-30 JP JP63164480A patent/JPH07117763B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-06-20 US US07/368,807 patent/US4990423A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4990423A (en) | 1991-02-05 |
| JPH0212261A (ja) | 1990-01-17 |
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |