JPH07117763B2 - 電子写真感光体の製造方法 - Google Patents
電子写真感光体の製造方法Info
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- JPH07117763B2 JPH07117763B2 JP63164480A JP16448088A JPH07117763B2 JP H07117763 B2 JPH07117763 B2 JP H07117763B2 JP 63164480 A JP63164480 A JP 63164480A JP 16448088 A JP16448088 A JP 16448088A JP H07117763 B2 JPH07117763 B2 JP H07117763B2
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- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
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- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
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Description
【発明の詳細な説明】 (a)産業上の利用分野 この発明は、電子写真方式の画像形成装置に用いられる
電子写真感光体の製造方法に関し、特に半導体レーザを
光源とするレーザプリンタの感光体の製造方法に関す
る。
電子写真感光体の製造方法に関し、特に半導体レーザを
光源とするレーザプリンタの感光体の製造方法に関す
る。
(b)従来の技術 近年、電子写真方式を用いた画像形成装置には半導体レ
ーザを光源として用いるものが出現している。現在実用
化されている半導体レーザにおいて安定した高出力が得
られる最長発振波長は780〜830nmである。ところが、一
般的な画像形成装置に用いられている感光体や、Geを含
まないアモルファスシリコンを光導電層として用いた感
光体では長波長域の感度が低いという問題があり、その
ため長波長域の感度が高いGeを含むアモルファスシリコ
ン(以下、a-SiGeという。)を光導電層として用いた感
光体の実用化が期待されている。a-SiGeには、 長寿命である。
ーザを光源として用いるものが出現している。現在実用
化されている半導体レーザにおいて安定した高出力が得
られる最長発振波長は780〜830nmである。ところが、一
般的な画像形成装置に用いられている感光体や、Geを含
まないアモルファスシリコンを光導電層として用いた感
光体では長波長域の感度が低いという問題があり、その
ため長波長域の感度が高いGeを含むアモルファスシリコ
ン(以下、a-SiGeという。)を光導電層として用いた感
光体の実用化が期待されている。a-SiGeには、 長寿命である。
人体に対して無害である。
長波長に対して高感度である。
という利点がある。従来a-SiGeを光導電層として形成
(積層)するにはプラズマCVD法,スパッタ法等が用い
られており、このような方法により形成さる光導電層中
のH,ハロゲンの合計含有量(原料ガスによりHまたはハ
ロゲンが含有される)は10〜40at%が限度であった。
(積層)するにはプラズマCVD法,スパッタ法等が用い
られており、このような方法により形成さる光導電層中
のH,ハロゲンの合計含有量(原料ガスによりHまたはハ
ロゲンが含有される)は10〜40at%が限度であった。
(c)発明が解決しようとする課題 ところが従来のa-SiGeを光導電層とした感光体(以下、
a-SiGe感光体という。)はGeを含まないものに比べて光
学的バンドギャップを小さくして長波長域の感度を上げ
ることができるものの、暗比抵抗が小さくなって帯電保
持能力が著しく劣り、また明導電率が低く充分な光感度
を得ることができずカールソン・プロセスを用いた感光
体として使用するには依然として不充分なものであっ
た。これは、光導電層中のH,ハロゲンの合計含有量が10
〜40at%程度であったためH,ハロゲンがGe原子に結合せ
ず、Ge原子自身のダングリング・ボンドがGeの添加とと
もに増加するためであると考えられる。
a-SiGe感光体という。)はGeを含まないものに比べて光
学的バンドギャップを小さくして長波長域の感度を上げ
ることができるものの、暗比抵抗が小さくなって帯電保
持能力が著しく劣り、また明導電率が低く充分な光感度
を得ることができずカールソン・プロセスを用いた感光
体として使用するには依然として不充分なものであっ
た。これは、光導電層中のH,ハロゲンの合計含有量が10
〜40at%程度であったためH,ハロゲンがGe原子に結合せ
ず、Ge原子自身のダングリング・ボンドがGeの添加とと
もに増加するためであると考えられる。
この発明は上記問題に鑑み、a-SiGeからなる光導電層の
電気的特性を向上させた電子写真感光体の製造方法を提
供することを目的とする。
電気的特性を向上させた電子写真感光体の製造方法を提
供することを目的とする。
(d)課題を解決するための手段 この発明の電子写真感光体の製造方法は、導電性基体上
に、原料ガスの圧力を2.5〜3.5mtorrとするエレクトロ
ン・サイクロトロン・レゾナンス法を用いて、 Si(100-X-Y-Z)GeXHYXZ(at%) (ただしX:ハロゲン,0<X<100,0≦X,Y<100,40≦Y+
Z≦65) のアモルファス光導電層を、Siに対するGe含有量を5.3
〜150at%として形成することを特徴とする。
に、原料ガスの圧力を2.5〜3.5mtorrとするエレクトロ
ン・サイクロトロン・レゾナンス法を用いて、 Si(100-X-Y-Z)GeXHYXZ(at%) (ただしX:ハロゲン,0<X<100,0≦X,Y<100,40≦Y+
Z≦65) のアモルファス光導電層を、Siに対するGe含有量を5.3
〜150at%として形成することを特徴とする。
(e)作用 本発明者等の実験によれば、a-SiGe光導電層中に含まれ
るH,ハロゲンの合計含有量がほぼ40at%以上であれば暗
比抵抗が1011Ωcm以上となり、電荷保持率を向上させる
ことができた。またH,ハロゲンの合計含有量がほぼ65at
%を越えると光学的バンドギャップが上昇し、Ge添加に
よる光学的バンドギャップ減少効果を打ち消して長波長
域感度が低下して半導体レーザ用の感光体としては不十
分なものとなった。
るH,ハロゲンの合計含有量がほぼ40at%以上であれば暗
比抵抗が1011Ωcm以上となり、電荷保持率を向上させる
ことができた。またH,ハロゲンの合計含有量がほぼ65at
%を越えると光学的バンドギャップが上昇し、Ge添加に
よる光学的バンドギャップ減少効果を打ち消して長波長
域感度が低下して半導体レーザ用の感光体としては不十
分なものとなった。
この発明のように、原料ガスの圧力を2.5〜3.5mtorrと
するエレクトロン・サイクロトロン・レゾナンス法を用
いてa-SiGe光導電層を形成すると、H,ハロゲンの合計含
有率がほぼ40〜65at%となる。
するエレクトロン・サイクロトロン・レゾナンス法を用
いてa-SiGe光導電層を形成すると、H,ハロゲンの合計含
有率がほぼ40〜65at%となる。
また、a-SiGe光導電層におけるGeの添加量がSi量に対し
て5.3at%以下であれば、Ge添加の効果がみられず光学
的バンドギャップが大きく長波長域の感度が悪かった。
さらにGe添加量をSi量に対して150at%以上にすると、
暗比抵抗が小さくなって電荷保持率が悪くなった。
て5.3at%以下であれば、Ge添加の効果がみられず光学
的バンドギャップが大きく長波長域の感度が悪かった。
さらにGe添加量をSi量に対して150at%以上にすると、
暗比抵抗が小さくなって電荷保持率が悪くなった。
(f)実施例 第9図は、電子サイクロトロン共鳴法(以下、ECR法と
いう。)によるa-SiGe層の堆積装置の概略図である。な
おa-Si層を堆積する場合にも同様の装置が用いられる。
いう。)によるa-SiGe層の堆積装置の概略図である。な
おa-Si層を堆積する場合にも同様の装置が用いられる。
装置はプラズマを発生させるプラズマ室1と、a-SiGe層
を堆積させる堆積室2とを有している。プラズマ室1と
堆積室2とはプラズマ引出窓3で通じており、図示しな
い油拡散ポンプ,油回転ポンプにより真空排気される。
を堆積させる堆積室2とを有している。プラズマ室1と
堆積室2とはプラズマ引出窓3で通じており、図示しな
い油拡散ポンプ,油回転ポンプにより真空排気される。
プラズマ室1は空胴共振器構成でなり、導波管4から2.
45GHzのマイクロ波が導入される。なお、マイクロ波導
入窓5はマイクロ波が通過できる石英ガラス板でできて
いる。プラズマ室1にはH2ガスが導入される。プラズマ
室1の周囲には磁気コイル6,7が配置されている。磁気
コイル6はプラズマ発生磁界(875G)を発生させ、磁気
コイル7はプラズマ室1で発生したプラズマを堆積室2
に引き出すための発散磁界を形成する。
45GHzのマイクロ波が導入される。なお、マイクロ波導
入窓5はマイクロ波が通過できる石英ガラス板でできて
いる。プラズマ室1にはH2ガスが導入される。プラズマ
室1の周囲には磁気コイル6,7が配置されている。磁気
コイル6はプラズマ発生磁界(875G)を発生させ、磁気
コイル7はプラズマ室1で発生したプラズマを堆積室2
に引き出すための発散磁界を形成する。
堆積室2にはたとえばAl等からなるドラム状の導電性基
体8が装着される。導電性基体8は支持体により回転可
能に支持され、それにより表面上に均一にa-SiGeが堆積
される。また、堆積室2にはa-SiGeの原料ガスが導入さ
れる。原料ガスは、Hまたはハロゲンを含むSi化合物、
Hまたはハロゲンを含むGe化合物等であり、具体的には
Si化合物としてSiH4,Si2H6,SiF4,SiCl4,SiHCl3,SiH2Cl2
等、Ge化合物としてGeH4,GeF4,GeCl4,GeCl2等があげら
れる。また、正帯電用の光導電層を形成する場合にはB
化合物等、負帯電用の光導電層を形成する場合にはP化
合物等が原料ガスとして導入され、さらに表面層を形成
する場合にはCH4等が導入される。
体8が装着される。導電性基体8は支持体により回転可
能に支持され、それにより表面上に均一にa-SiGeが堆積
される。また、堆積室2にはa-SiGeの原料ガスが導入さ
れる。原料ガスは、Hまたはハロゲンを含むSi化合物、
Hまたはハロゲンを含むGe化合物等であり、具体的には
Si化合物としてSiH4,Si2H6,SiF4,SiCl4,SiHCl3,SiH2Cl2
等、Ge化合物としてGeH4,GeF4,GeCl4,GeCl2等があげら
れる。また、正帯電用の光導電層を形成する場合にはB
化合物等、負帯電用の光導電層を形成する場合にはP化
合物等が原料ガスとして導入され、さらに表面層を形成
する場合にはCH4等が導入される。
このような構成により導電性基体8上にa-SiGe層を形成
するには、まず排気系によりプラズマ室1,堆積室2を排
気し、プラズマ室1にはH2ガスを、堆積室2には原料ガ
スをそれぞれ導入する。次に、プラズマ室1にマイクロ
波を導入するとともに、磁気コイル6,7にて磁界を発生
させてプラズマを励起する。プラズマ化されたH2および
原料ガスは発散磁場により導電性基体8へ導かれ、a-Si
Geが導電性基体8上に堆積する。導電性基体8は支持体
により回転されるため導電性基体8表面上に均一に堆積
される。またプラズマの引出窓の位置、大きさ等を調整
することによりa-SiGe層の均一性が向上する。
するには、まず排気系によりプラズマ室1,堆積室2を排
気し、プラズマ室1にはH2ガスを、堆積室2には原料ガ
スをそれぞれ導入する。次に、プラズマ室1にマイクロ
波を導入するとともに、磁気コイル6,7にて磁界を発生
させてプラズマを励起する。プラズマ化されたH2および
原料ガスは発散磁場により導電性基体8へ導かれ、a-Si
Geが導電性基体8上に堆積する。導電性基体8は支持体
により回転されるため導電性基体8表面上に均一に堆積
される。またプラズマの引出窓の位置、大きさ等を調整
することによりa-SiGe層の均一性が向上する。
このような装置においてa-SiGe層を形成する場合、原料
ガスの圧力の設定によりa-SiGe層中のH,ハロゲンの含有
量を調整することができる。
ガスの圧力の設定によりa-SiGe層中のH,ハロゲンの含有
量を調整することができる。
第1図はa-SiGe層中のH含有量と、ガス圧との関係を表
した図であり、用いた原料ガスおよびその他の実験条件
は以下のとおりである。
した図であり、用いた原料ガスおよびその他の実験条件
は以下のとおりである。
マイクロ波出力:2.5kw 原料ガス :SiH4,GeH4 ガス流量 :SiH4+GeH4=120(sccm) SiH4/(SiH4+GeH4)=0.88 ガス圧 :2.5〜5.0mtorr 基体加熱 :施さず 上記の範囲でガス圧を振って、形成されたa-SiGe光導電
層のH含有量が第1図に示されており、図から分かるよ
うに、ほぼ3.5mtorr以下であればH含有量は40at%以
上、それを越えると著しく低くなって25at%以下とな
る。このようにして形成されたa-SiGe層の暗比抵抗,半
導体レーザ(830nm)を光源とした場合の明導電率(η
μτ)をそれぞれ第2図,第3図に示した。図から分か
るように、ガス圧をほぼ3.5mtorr以下に選ぶ、すなわち
層中のH量を40at%以上とすることによって始めて暗比
抵抗が1011Ωcm以上となり、かつ明導電率が10-6以上と
半導体レーザを光源とする電子写真感光体の光導電層に
とって好ましい特性を得た。
層のH含有量が第1図に示されており、図から分かるよ
うに、ほぼ3.5mtorr以下であればH含有量は40at%以
上、それを越えると著しく低くなって25at%以下とな
る。このようにして形成されたa-SiGe層の暗比抵抗,半
導体レーザ(830nm)を光源とした場合の明導電率(η
μτ)をそれぞれ第2図,第3図に示した。図から分か
るように、ガス圧をほぼ3.5mtorr以下に選ぶ、すなわち
層中のH量を40at%以上とすることによって始めて暗比
抵抗が1011Ωcm以上となり、かつ明導電率が10-6以上と
半導体レーザを光源とする電子写真感光体の光導電層に
とって好ましい特性を得た。
なおa-SiGe層中のH含有量がほぼ65at%を越えると光学
的バンドギャップが上昇し、Ge添加による長波長感度特
性を打ち消してしまう。そのため、H含有量は40〜65at
%程度が好ましく、最も好ましくは40〜55at%程度であ
った。
的バンドギャップが上昇し、Ge添加による長波長感度特
性を打ち消してしまう。そのため、H含有量は40〜65at
%程度が好ましく、最も好ましくは40〜55at%程度であ
った。
次に、a-SiGe層中のSiとGeとの比率について述べる。a-
SiGe層中のH含有量が43〜48at%となるようにガス圧を
規制し、Si系の原料ガスとGe系の原料ガスとの比率を変
化させてa-SiGe層を形成し、層中のSi:Geの比率とa-SiG
eの特性との関係を調べた。その結果、Siに対しGeがほ
ぼ5.3at%以下では、Ge添加による光学的バンドギャッ
プの減少がほとんどみられず、長波長域の感度が悪く半
導体レーザ用感光体の光導電層としては不十分であっ
た。また、Siに対しGe量がほぼ150at%以上になると光
学的バンドギャップは減少するが、暗比抵抗が小さくな
り過ぎて電荷保持能力が低下し、電子写真感光体の光導
電層には適さないことが分かった。すなわちa-SiGe層中
のGe量はSi量に対して5.3〜150at%、好ましくは18〜82
at%、最も好ましくは43〜67at%であった。
SiGe層中のH含有量が43〜48at%となるようにガス圧を
規制し、Si系の原料ガスとGe系の原料ガスとの比率を変
化させてa-SiGe層を形成し、層中のSi:Geの比率とa-SiG
eの特性との関係を調べた。その結果、Siに対しGeがほ
ぼ5.3at%以下では、Ge添加による光学的バンドギャッ
プの減少がほとんどみられず、長波長域の感度が悪く半
導体レーザ用感光体の光導電層としては不十分であっ
た。また、Siに対しGe量がほぼ150at%以上になると光
学的バンドギャップは減少するが、暗比抵抗が小さくな
り過ぎて電荷保持能力が低下し、電子写真感光体の光導
電層には適さないことが分かった。すなわちa-SiGe層中
のGe量はSi量に対して5.3〜150at%、好ましくは18〜82
at%、最も好ましくは43〜67at%であった。
以上のようにしてECR法の堆積装置を用い、原料ガスの
ガス圧および原料ガス比を調整することにより良好な光
導電層を得ることができる。また、a-SiGe層を形成する
場合、良好な特性を持つa-SiGe層が形成されたガス圧
(2.5〜3.5mtorr)での成膜速度は0.5μm/minと他のガ
ス圧で成膜を行ったときよりも速く、また従来法に比べ
ても5〜6倍の速い速度で成膜を行うことができた。す
なわち、この実施例では高品質の光導電層を速い成膜速
度で形成することができる利点がある。また、成膜中に
は(SiH2)nを主としたポリマー粉の発生がなく、成膜
欠陥が生じることがないので感光体の歩留まりを向上さ
せてコストの安価な感光体を創出することが可能となっ
た。
ガス圧および原料ガス比を調整することにより良好な光
導電層を得ることができる。また、a-SiGe層を形成する
場合、良好な特性を持つa-SiGe層が形成されたガス圧
(2.5〜3.5mtorr)での成膜速度は0.5μm/minと他のガ
ス圧で成膜を行ったときよりも速く、また従来法に比べ
ても5〜6倍の速い速度で成膜を行うことができた。す
なわち、この実施例では高品質の光導電層を速い成膜速
度で形成することができる利点がある。また、成膜中に
は(SiH2)nを主としたポリマー粉の発生がなく、成膜
欠陥が生じることがないので感光体の歩留まりを向上さ
せてコストの安価な感光体を創出することが可能となっ
た。
なお、上記の実施例ではa-SiGe層の原料ガスとしてSi,G
eのH化合物を用いているためa-SiGe層中のH量につい
て述べているが、Si,Geのハロゲン化合物を用いた場合
にはa-SiGe層中のH,ハロゲンの合計量が40〜65at%、最
も好ましくは40〜55at%となる。
eのH化合物を用いているためa-SiGe層中のH量につい
て述べているが、Si,Geのハロゲン化合物を用いた場合
にはa-SiGe層中のH,ハロゲンの合計量が40〜65at%、最
も好ましくは40〜55at%となる。
<実験例> 以上は光導電層として用いるa-SiGe層について述べた
が、実際の電子写真感光体は第4図に示すように、Al等
からなる導電性基体8上に、中間層11,光導電層12,表面
層13を積層したものである。中間層11,光導電層12,表面
層13は全てアモルファスシリコンで構成され、原料ガス
の種類,流量等の成膜条件を変えることによりGe,C等を
含有した層が形成される。以下、実際のa-SiGe感光体の
形成について述べる。
が、実際の電子写真感光体は第4図に示すように、Al等
からなる導電性基体8上に、中間層11,光導電層12,表面
層13を積層したものである。中間層11,光導電層12,表面
層13は全てアモルファスシリコンで構成され、原料ガス
の種類,流量等の成膜条件を変えることによりGe,C等を
含有した層が形成される。以下、実際のa-SiGe感光体の
形成について述べる。
実験例:1 第5図は正帯電用感光体(p型)の形成条件を表した図
である。中間層はBが多量にドープされたa-Si層、光導
電層は少量のBがドープされたa-SiGe層、表面層はa-Si
C層となっている。図示するような条件で形成された光
導電層のH含有量は46at%であり、形成された感光体の
特性を測定したところ良好な結果が得られ、特に帯電特
性に優れていた。また、この感光体を用いて正帯電用レ
ーザプリンタで画像形成を行ったところ、高品質の画像
を得ることができた。
である。中間層はBが多量にドープされたa-Si層、光導
電層は少量のBがドープされたa-SiGe層、表面層はa-Si
C層となっている。図示するような条件で形成された光
導電層のH含有量は46at%であり、形成された感光体の
特性を測定したところ良好な結果が得られ、特に帯電特
性に優れていた。また、この感光体を用いて正帯電用レ
ーザプリンタで画像形成を行ったところ、高品質の画像
を得ることができた。
また成膜時には(SiH2)nを主としたポリマー粉が発生
することがないので成膜欠陥が発生せず、成膜速度,原
料ガスの利用効率も従来法に比べて6〜10倍とかなり良
い結果を得ることができた。
することがないので成膜欠陥が発生せず、成膜速度,原
料ガスの利用効率も従来法に比べて6〜10倍とかなり良
い結果を得ることができた。
実験例2 第5図に示したa-SiGe感光体の製造条件において、光導
電層を形成する場合のガス圧のみを変化させてa-SiGe感
光体を作成した。なお、ガス圧は、 2.5、3.0、3.5、4.0、4.5、5.0(mtorr) の6種類とし、作成された感光体の帯電特性およびその
感光体により形成された画像の品質を第6図に示した。
なお、上記ガス圧のうち形成されるa-SiGe感光体のH含
有量が40〜65at%となるのは2.5、3.0、3.5の各ガス圧
のときである。図から分かるように、H含有量が40〜65
at%であるとき(2.5、3.0、3.5のガス圧のとき)には
帯電特性,形成画像品質とも良好な状態であった。
電層を形成する場合のガス圧のみを変化させてa-SiGe感
光体を作成した。なお、ガス圧は、 2.5、3.0、3.5、4.0、4.5、5.0(mtorr) の6種類とし、作成された感光体の帯電特性およびその
感光体により形成された画像の品質を第6図に示した。
なお、上記ガス圧のうち形成されるa-SiGe感光体のH含
有量が40〜65at%となるのは2.5、3.0、3.5の各ガス圧
のときである。図から分かるように、H含有量が40〜65
at%であるとき(2.5、3.0、3.5のガス圧のとき)には
帯電特性,形成画像品質とも良好な状態であった。
なお実験例1,2において、Si,Geの原料ガスとして他のH
化合物やハロゲン化合物を用いてもよく、Bを添加する
ための原料ガスとしてBH3,BCl3等を用いてもよい。ま
た、正帯電用感光体を形成するにはBの他にAl、Ga、In
等を添加してもよい。さらに、表面層にはa-SiCの他
に、a-SiN、a-SiO等を成膜させてもよい。
化合物やハロゲン化合物を用いてもよく、Bを添加する
ための原料ガスとしてBH3,BCl3等を用いてもよい。ま
た、正帯電用感光体を形成するにはBの他にAl、Ga、In
等を添加してもよい。さらに、表面層にはa-SiCの他
に、a-SiN、a-SiO等を成膜させてもよい。
実験例3 第7図は負帯電用感光体(n型)の形成条件を表した図
である。中間層はPが多量にドープされたa-Si層、光導
電層は少量のPがドープされたa-SiGe層、表面層はa-Si
C層となっている。図示するような条件で形成された光
導電層のH含有量は46at%であり、形成された感光体の
特性は特に帯電特性において優れていた。またこの感光
体を用いてた負帯電用レーザプリンタで画像形成を行っ
たところ、高品質の画像を得ることができた。
である。中間層はPが多量にドープされたa-Si層、光導
電層は少量のPがドープされたa-SiGe層、表面層はa-Si
C層となっている。図示するような条件で形成された光
導電層のH含有量は46at%であり、形成された感光体の
特性は特に帯電特性において優れていた。またこの感光
体を用いてた負帯電用レーザプリンタで画像形成を行っ
たところ、高品質の画像を得ることができた。
また成膜時、(SiH2)nを主としたポリマー粉が発生す
ることがないので成膜欠陥が発生せず、また成膜速度,
原料ガスの利用効率も従来法に比べて良い結果を得るこ
とができた。
ることがないので成膜欠陥が発生せず、また成膜速度,
原料ガスの利用効率も従来法に比べて良い結果を得るこ
とができた。
実験例4 第7図に示したa-SiGe感光体の製造条件において、光導
電層を形成する場合のガス圧のみを変化させてa-SiGe感
光体を作成した。なお、ガス圧は、 2.5、2.8、3.3、3.8、4.3、4.8(mtorr) の6種類とし、作成された感光体の帯電特性およびその
感光体により形成された画像の品質を第8図に示した。
上記ガス圧のうち形成されるa-SiGe感光体のH含有量が
40〜65at%となるのは2.5、2.8、3.3の各ガス圧のとき
であり、これらのガス圧で形成されたa-SiGe感光体は帯
電特性,形成画像品質とも良好な状態であった。
電層を形成する場合のガス圧のみを変化させてa-SiGe感
光体を作成した。なお、ガス圧は、 2.5、2.8、3.3、3.8、4.3、4.8(mtorr) の6種類とし、作成された感光体の帯電特性およびその
感光体により形成された画像の品質を第8図に示した。
上記ガス圧のうち形成されるa-SiGe感光体のH含有量が
40〜65at%となるのは2.5、2.8、3.3の各ガス圧のとき
であり、これらのガス圧で形成されたa-SiGe感光体は帯
電特性,形成画像品質とも良好な状態であった。
なお実験例3,4において、Si,Geの原料ガスとしては他の
H化合物やハロゲン化物を用いてもよく、Pを添加する
ための原料ガスとしてPH3,PCl3等を用いてもよい。ま
た、負帯電用感光体を形成するにはPの他にN、Sb、O
等を添加してもよい。さらに、表面層にはa-SiCの他
に、a-SiN、a-SiO等を成膜させてもよい。
H化合物やハロゲン化物を用いてもよく、Pを添加する
ための原料ガスとしてPH3,PCl3等を用いてもよい。ま
た、負帯電用感光体を形成するにはPの他にN、Sb、O
等を添加してもよい。さらに、表面層にはa-SiCの他
に、a-SiN、a-SiO等を成膜させてもよい。
なお、このa-SiGe層は電子写真感光体の他にイメージセ
ンサの感光部、液晶と積層された画像記憶素子の感光部
のように外部からの光情報を電気信号に変換するデバイ
スの感光部にも適用できる。また、太陽電池のようなデ
バイスにも適用可能である。
ンサの感光部、液晶と積層された画像記憶素子の感光部
のように外部からの光情報を電気信号に変換するデバイ
スの感光部にも適用できる。また、太陽電池のようなデ
バイスにも適用可能である。
(g)発明の効果 この発明の製造方法により製造した電子写真感光体は、
光導電層中のH,ハロゲンの合計量が40〜65at%に規制さ
れることにより暗比抵抗を上げて感光体の電荷保持能力
を向上させるとともに、明導電率を高くして光感度を良
くすることができる。
光導電層中のH,ハロゲンの合計量が40〜65at%に規制さ
れることにより暗比抵抗を上げて感光体の電荷保持能力
を向上させるとともに、明導電率を高くして光感度を良
くすることができる。
またSiに対するGeの含有量が5.3〜150at%に規制される
ことにより光学的バンドギャップを減少させて半導体レ
ーザに対応して長波長域光の感度を向上させることがで
きる。
ことにより光学的バンドギャップを減少させて半導体レ
ーザに対応して長波長域光の感度を向上させることがで
きる。
このようにこの発明によれば感光体の特性を向上させる
ことかでき、この感光体により形成される画像品質を向
上させることができる。
ことかでき、この感光体により形成される画像品質を向
上させることができる。
第1図はECR法により形成されるa-SiGe光導電層のH含
有量と成膜時の原料ガス圧との関係を表した図、第2
図,第3図はその原料ガス圧と暗比抵抗,明導電率との
関係を表した図である。また第4図はa-SiGe感光体の構
成を表した図、第5図は正帯電用のa-SiGe感光体の形成
条件を表した図であり、第6図は第5図における原料ガ
ス圧を変化させて形成したa-SiGe感光体の特性およびそ
れにより形成される画像の品質を表した図、第7図は負
帯電用のa-SiGe感光体の形成条件を表した図であり、第
8図は第7図における原料ガス圧を変化させて形成した
a-SiGe感光体の特性およびそれにより形成される画像の
品質を表した図である。さらに第9図はECR法によるa-S
iGe堆積装置の概略図である。 8……導電性基体、11……中間層、12……光導電層、13
……表面層。
有量と成膜時の原料ガス圧との関係を表した図、第2
図,第3図はその原料ガス圧と暗比抵抗,明導電率との
関係を表した図である。また第4図はa-SiGe感光体の構
成を表した図、第5図は正帯電用のa-SiGe感光体の形成
条件を表した図であり、第6図は第5図における原料ガ
ス圧を変化させて形成したa-SiGe感光体の特性およびそ
れにより形成される画像の品質を表した図、第7図は負
帯電用のa-SiGe感光体の形成条件を表した図であり、第
8図は第7図における原料ガス圧を変化させて形成した
a-SiGe感光体の特性およびそれにより形成される画像の
品質を表した図である。さらに第9図はECR法によるa-S
iGe堆積装置の概略図である。 8……導電性基体、11……中間層、12……光導電層、13
……表面層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭58−186748(JP,A) 特開 昭54−98588(JP,A) 特開 昭61−83544(JP,A) 特開 昭63−2067(JP,A) 特開 昭59−159167(JP,A) 特開 昭63−81361(JP,A)
Claims (1)
- 【請求項1】導電性基体上に、原料ガスの圧力を2.5〜
3.5mtorrとするエレクトロン・サイクロトロン・レゾナ
ンス法を用いて、 Si(100-X-Y-Z)GeXHYXZ(at%) (ただしX:ハロゲン,0<X<100,0≦X,Y<100,40≦Y+
Z≦65) のアモルファス光導電層を、Siに対するGe含有量を5.3
〜150at%として形成することを特徴とする電子写真感
光体の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63164480A JPH07117763B2 (ja) | 1988-06-30 | 1988-06-30 | 電子写真感光体の製造方法 |
US07/368,807 US4990423A (en) | 1988-06-30 | 1989-06-20 | Photosensitive member for electrophotography |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63164480A JPH07117763B2 (ja) | 1988-06-30 | 1988-06-30 | 電子写真感光体の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0212261A JPH0212261A (ja) | 1990-01-17 |
JPH07117763B2 true JPH07117763B2 (ja) | 1995-12-18 |
Family
ID=15793975
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63164480A Expired - Fee Related JPH07117763B2 (ja) | 1988-06-30 | 1988-06-30 | 電子写真感光体の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4990423A (ja) |
JP (1) | JPH07117763B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002360109A (ja) * | 2001-06-06 | 2002-12-17 | Asahi Kasei Corp | 格子状増養殖装置及びその製造方法 |
CN101186446B (zh) * | 2007-11-27 | 2010-08-11 | 西安交通大学 | 光敏特性的二氧化锗基有机-无机复合材料的制备方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4265991A (en) * | 1977-12-22 | 1981-05-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member and process for production thereof |
US4147667A (en) * | 1978-01-13 | 1979-04-03 | International Business Machines Corporation | Photoconductor for GaAs laser addressed devices |
US4471042A (en) * | 1978-05-04 | 1984-09-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Image-forming member for electrophotography comprising hydrogenated amorphous matrix of silicon and/or germanium |
JPS57119361A (en) * | 1981-01-16 | 1982-07-24 | Canon Inc | Image forming member for electrophotography |
JPS58186748A (ja) * | 1982-04-26 | 1983-10-31 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | 電子写真用感光体 |
JPS59159167A (ja) * | 1983-03-01 | 1984-09-08 | Zenko Hirose | アモルフアスシリコン膜の形成方法 |
DE3322782A1 (de) * | 1983-06-24 | 1985-01-03 | Basf Farben + Fasern Ag, 2000 Hamburg | Hitzehaertbare bindemittelmischung |
JPS6183544A (ja) * | 1984-09-29 | 1986-04-28 | Toshiba Corp | 電子写真感光体 |
ES2054659T3 (es) * | 1986-01-23 | 1994-08-16 | Canon Kk | Elemento fotorreceptor destinado a su empleo en electrofotografia. |
US4760008A (en) * | 1986-01-24 | 1988-07-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electrophotographic photosensitive members and methods for manufacturing the same using microwave radiation in magnetic field |
JPS6381361A (ja) * | 1986-09-26 | 1988-04-12 | Canon Inc | 電子写真感光体の製造方法 |
JPS63107098A (ja) * | 1986-10-23 | 1988-05-12 | 三菱電機株式会社 | 電子部品自動装着機 |
JPH0712383B2 (ja) * | 1986-12-26 | 1995-02-15 | 能美防災株式会社 | 防災設備 |
JPS63169216A (ja) * | 1986-12-31 | 1988-07-13 | Shiyouda Shoji Kk | 配線基板の切断方法 |
-
1988
- 1988-06-30 JP JP63164480A patent/JPH07117763B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-06-20 US US07/368,807 patent/US4990423A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0212261A (ja) | 1990-01-17 |
US4990423A (en) | 1991-02-05 |
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