JPS6183544A

JPS6183544A - 電子写真感光体

Info

Publication number: JPS6183544A
Application number: JP20485184A
Authority: JP
Inventors: Katsumi Suzuki; 克巳鈴木
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1984-09-29
Filing date: 1984-09-29
Publication date: 1986-04-28

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の技術分野〕本発明は、レーデ−プリンタ等の画像形成装置に用いら
れる電子写真感光体の改良に関する。

〔発明の技術的背景とその問題点〕

従来、電子写真用感光体としては、Ｓｅ系、５ｓ−Ｔｅ
系、ＣｄＳ系、ＺｎＯ系光導電体や有機光導電体（ｏ、
ｐ、ｃと略称する）が用いられていた。

ところが、ＳｏやＣｄＳは感光体としての寿命が複写枚
数についてｌＯ万枚であり、高感度であるという利点が
ある反面、たとえば、Ｓｅは４５℃以上の高温の環境下
で結晶化してしまい特性劣化が生ずる欠点がある。また
、ＣｄＳは公害の問題から一部の西欧諸国ではすでに使
用が禁止されこれらの国への製品輸出の場合に障害にな
るところであった。

また、ＺｎＯやｏ、ｐ、ｃは無公害という利点はあるが
、バインダー樹脂中に色素や増感剤を分散するという製
造方法が採られているので、本質的に湿度に弱く、かつ
寿命が３０００枚〜１万枚と短かい欠点がある。

そこで、近年上述の欠点をもたないアモルファスシリコ
ン（以下、ａ−３ｉと称す）感光体が注目をあびるよう
になった。

ａ−３ｉ感元体は上記従来の感光体に比して、次のよう
な利点がある。

■　本質的に無公害であること、 ■　ビッカース硬度が１０００と硬いために寿命が１０
０万枚ときわめて長いこと、■　８００ｎｍの光波長に
まで分光感度を有すること、 ■　・ダンクロ光に対して半減露光量で０．６ｔ、ｓと
非常に高感度であること。

ところで、ａ−８ｌ感光体は、通常Ｓ　ＩＨ４ま之は５
１２Ｈ６のＳｌを含むがスを原料としてグロー放電下で
被成膜体上への成膜をなし得るが、何もドーピングしな
−で成膜された、いわゆるアンドープのａ−８ｌ膜は、
暗抵抗が１０１００儒以下と小さいため、これ暑このま
ま電子写真プロセスに適用すると、暗中での直流のコロ
ナ帯電時に十分な表面電位が得られない不具合がある。

そこで、この不具合を改善する定めに、種々の不純物の
ドーピングや層構成が提案されている。

友とえば、８１を含むガスに０□、ＮＯ，Ｎ２０などの
酸素を含むがスを微量混入してグロー放電下で成膜し７
’（ａ−３１膜では、暗抵抗’ｋ　１０１３Ω口と大き
くすることができるので、これを電子写Ｘ感光体として
用いると、直流のコロナ帯電時に３００〜４００■の十
分な表面電位が得られる。しかし、その反面、光感度も
半減露光量で３〜４Ｌ、ｓと若干悪くなってしまう。ま
之一般に、酸素を含むａ−８ｉ悪感光は光波劣により、
くり返し使用によって表面電位が低下してしまう欠点が
ある。

たとえば、第５図に感光体の表面構造を断面形で示す従
来構成のａ−３ｔ感光体は、４電性基板Ｊ上に、Ｓｉ中
にＢ等の周期表１１１Ａ族の元素をドーピングし九Ｐ型
のアモルファスシリコン（ａ−８ｉ）膜の電荷注入阻止
層２と、兵性のアモルファスシリコン（ａ−８ｉ）光導
電性Ｒ４３ト、Ｓｌ中に炭素を含んだ半絶縁性のアモル
ファスシリコンカーバイト（ａ−３ｉＣ）表面層４を順
次積み重ねた層構成となっている。

この構成のａ−３ｉ感光体では、直流のコロナ帯電時に
基板ノ０１すに誘起された電荷が電荷注入阻止層２によ
って阻止されるため、比較的高い表面電位が得られ、か
つ、光照射時にａ−３ｉ光導電性層３中で発生したキャ
リアの内コロナ電荷と同極性のものは容易に基板側へ抜
けるような整流性があるため、光照射に対して十分に高
い感度を示す。

このような構成のａ−８ｌ感光体では、十分な表面電位
？得るためには、通常、光導電性の水素化アモルファス
シリコン（以下、ａ−３ｉ　：Ｈと称す）層は、１００
口と抵抗が低い定め、膜厚を厚くしなければならない。

ところが、通常のａ−８１；Ｈ光導電性層中のキャリア
の移動度および寿命から計算すると、との膜厚が２０μ
ｍを越えると、光照射時にａ−８ｔ；Ｈ光導電性層の表
面層近傍で発生したキャリアが層内を走行中に失活して
しまって画像ピケやニジミの原因となる不具合があった
。

従って、この構成のａ−８ｔ悪感光では十分な表面電位
を得て、かつ、ピケやニジミのない画像を得る定めには
光導電性層の膜厚の設定が微妙で容易でなく、量産性や
歩留りｔ良く子ることが困難であった〇また、第６図に第５図と同様の断面形で示した他の従来
構成のａ−８ｉ悪感光は、導電性基板１λ上に、炭素、
酸素、窒素の内少なくとも１つ以上の元素を含んだ高抵
抗のａ−３ｔ電荷輸送層１２と、水素化アモルファスシ
リコン（ａ−８ｌ：Ｈ）光導電性層１３と、Ｓ１中に炭
素を含んだアモルファスシリコンカーバイト（ａ−８ｉ
Ｃ）　表面ｆ’Ｊノ４とｔ順次積み重ねた層構成となっ
ている。

この構成の場合、耐コロナ電圧は抵抗の大きい電荷輸送
層１２がもっているため、高表面電位が得られ、ａ−８
ｉ＊Ｈ光導電性層は光キャリアを発生するだけの機能を
有するだけでもよ込から高々５μｍもあればよい。ａ　
−８１電荷輸送層１２は高抵抗ではあるが同時に光感度
もなくなるため、キャリアの輸送機能のみもつ。しかし
、この炭素、酸素、ま友は窒素を含んだａ−３ｉ層は、
Ｓｔに対してこれら元素が数％〜数１ＯＮ含まないと、
その耐圧機能を果さないため、Ｓｉ中に多くの欠陥を生
じてしまう。そのため、単なるａ−８ｔＳＨ層よりもキ
ャリアの移動度や寿命が小さくなる場合が多く、従って
、前述のととく膜厚の設定が困難となシ、文字のニジミ
等の画質不良を生じさせる場合が多かった。

〔発明の目的〕

本発明は上記従来のａ−Ｓｉ感光体の不具合を改良する
ためになされたもので、その目的とす　　　“るところ
は十分な表面電位が得られ、高感度で、かつコピー画像
にニジミやピケ等のない良好な画質を得ることができる
電子写真感光体を提供するにある。

〔発明の概要〕

上記の目的を達成させる比めに１本発明においては、基
本的にいって、基板上に、水素乞４０原子％以上含む水
素化アモルファスシリコン電荷輸送層および水素を４０
原子に以下含む水素化アモルファス光導電性層とを積層
して構成しに電子写真感光体を提案するものである。

上記構成の本発明の電子写真感光体の提案にあｆｃ＃）
次のことを考慮した。

すなわチ、アモルファスシリコン（ａ−８ｔ）　膜は、
ＳｉＨ４やＳ１□Ｈ６等のグロー放電雰囲気で形成され
る。従って、膜中に水素が含有されることは言うまでも
ない。この水素が従来のａ−８ｔ中の未結合手（ダング
リングボンド）と結合して膜中欠陥の数を大幅に減少さ
せたことは公知である。従って、Ｓｔ模膜中炭素や酸素
や窒素を含有させて高抵抗化する従来の方法では、せっ
かく水素で補償しｆｃＳｉのダングリングボンドに新た
に炭素、酸素、窒素の欠陥を生ずるから、半導体として
、または電子写真感光体の電荷輸送層としては好ましく
ないことが認められる。

本発明は上述の点乞考ｋｚシて、導電性基板上に、水素
を４０原子％以上含む高抵抗の水素化アモルファスシリ
コン電荷輸送層および水素が４０原子％以下含む通常の
水素化アモルファスシリコン光導電性層を設けることに
より、上記の目的を達成し得る電子写真感光体７得るこ
とができた。

〔発明の実施例〕

以下、図面第１図な−し第４図を参照して本発明の詳細
な説明する。

第１図に感光体の表面の断面形で示すアモルファスシリ
コン（ａ−８ｉ）感光体で構成された第１の実施列の電
子写真感光体は、導電性基板２１上に、水素（以下、Ｈ
と記す）を４０原子に以上含む高抵抗の水素化アモルフ
ァスシリコ７（ａ−３ｉ；Ｈ）電荷輸送層２２と、Ｈが
４０原子％以下含有された通常の水素化アモルファスシ
リコン（ａ−３ｔ：Ｈ）光導電性層２３をこの頭に積み
重ねた層構造となっている。

一般に、Ｈを４０原子％以上含んだａ−８ｌ：Ｈは光導
電性がなくなることは知られて込るが、これと同時１ｃ
ＩＯΩｍ以上の高抵抗となυ、かつ、より多くのダング
リンゴンドがＨによシ補償されろため、キャリアの移動
度や寿命が長くなることが見出された。

このため、この高抵抗でキャリアの移動度が大きく寿命
の長いａ−８ｉ；Ｈ膜で電荷輸送層２２を構成すること
により、膜厚な１５〜３０μｍに設定すると、直流のコ
ロナ帯電に対して４５０Ｖ以上の十分な表面゛電位が得
られるだけでなく、光導電性層２３中で発生したキャリ
アが輸送層２２中で失活することがなく、従って、文字
の二・ノミやボケを生じない。

また、電荷輸送う２２として、このようにＨを４０原子
に以上含む１に−３１：Ｈを用いた構成におりで、光導
電性２３として、耐コロナ電圧やキャリアの良好な輸送
性能を考慮して、■を１原子に以下含有するａ−３ｔ：
Ｈ４用い比。

この場合、光導電性層２３は、アモルファスというより
は微結晶に近いから、５ｉ−８ｉ結合が非常に少ない。

また、光学パント９キヤツプも１．５５〜１．６５と、
Ｈケ１〜４０原子に含む通常のａ−８１：Ｈよシは、長
波長側にまで分光感度を有する。また、Ｈを１原子夕（
以下含むａ−８１；Ｈは微細晶に近くなるから、当然、
その暗抵抗が１０　０口と小さくなるが、その分、Ｈ’
に４０原子％以上含有するａ−８ｌ　；Ｈが高抵抗であ
るがら直流のコロナ帯電時に表面電位が低下することも
ない。このａ−３ｉ　：Ｈ光導電性層は光によってキャ
リア馨発生する機能のみあればよいから、高々５μｍの
膜厚でよい。

第２図に第１図と同様の態様で示す本発明の感光体の第
２の実施列は、第１の実８り１の応用列を示すａ−８ｌ
感光体である。すなわち、導電性基板３１上に、Ｂ等の
周期表■Ｂ族元素をドーピングしたＰ型またはＮ型のａ
−８ｌｔ荷注入阻止層３５と、その上にＨを４０原子に
以上含むａ−８ｌ：Ｈ電荷輸送層３２と、厚さが５μｍ
以下でＨが４０原子に以下のａ−８１：Ｈ光導電性層中
３を積み重ね、更にその上に炭素を含む水素化アモルフ
ァスシリコンカーバイト（ａ−８ＩＣ：Ｈ）表面層３４
を重ねて４層構造としたａ−８ｔ悪感光である。前記層
３５は、換言すれば、基板３ノと層３２の間に設けられ
ている。

表面１乞なすａ−３ＩＣ；Ｈ層３４は、Ｃ馨含んでいる
から、膜中の欠陥の数は比較的多いが、厚さが扁々５０
０Ｘ〜２μｍであるから、光導電性層中で発生しｔキャ
リアがその層中で失活す′ることはない。

このような層構造とすることによす、耐コロナ帯電性の
効果をより高めることができ、かつ、文字のニジミやピ
ケなどのない良好なコピー画像を得ることができる。

第３図に示す本発明の第３の実施列として示した電子写
真感光体は、導電性基板４ノの上に光導電性層４３を重
ね、その上に電荷輸送層４２乞重ねた層構造としてあり
、この層構造に第１図で示したａ−Ｓｉ：Ｈ電荷輸送層
ならびにａＳ＋：Ｈ光導電性層を適用すれば、第１図と
同様の効果を得ることができる。

第４図は、第１図ないし第３図に示す本発明の構成に係
る電子写真感光体であるａ−３ｉ悪感光ヲＷ　造スるア
モルファスシリコン（ａ−８１）成膜装置を示すもので
、まず、その構成を概説する。

５ノはベースで、その上面には反応室５２を形成する真
空反応容器５３が設置され、容器内には円筒状の対向電
極兼用ガス噴出管５４が設けられている。

ベース５１上にはモータ５５を駆動源とする歯車機１１
１５６を介して所定の速度で回転するターンテーブル５
７が設けられ、このテーブル５７上には受台５８を介し
て加熱ヒータ５９が載置式れている。

１之、受台５８上にはヒータ５９を囲むように感光体の
ドラムを構成する被成膜体としての導電性のアルミニウ
ムなどよりなる基板６０が載置されている。

ガス噴出管５４には放電生起用ラジオフリークエンシー
ツ４ワ−（Ｒ，Ｆ、　Ａワーと略称する）を源６ノが接
続されている。噴出管５４のガス通路５４ａの下端側に
対向する部分にはパルプ６２乞備えた原料ガス導入管が
接続されている。

更に、容器５３内にはテーブル５７に穿れた排気孔５７
ＩＬ・・・およびベース５１に穿れ友ガス排出口５１ａ
およびバルブ６６を介して、メカニカルプースクーポン
グ６４ａ、回転ボンｆ６４ｂ等の排気装＠６４を備え几
大流量排気系６５が接続されている。また、６８は内部
に金網６７を備えた活性種捕捉用のダストトラップであ
る。

上記構成の装置で成膜する場合、予め、容器５３内を４
ンプ６４ａと６４ｂにより真空に引き、この時、ヒータ
５９によシトラム状基体６０を所定温度にまで昇温させ
る。ま几、ドラム状基板６０はモータ６５によう所定の
周速で回転させておく。

次いで、バルブ６２を開成して原料ガスを容器５３内の
対向電極兼用ガス噴出管５４のガス通路５４ａ内へ導入
する。そして、バルブ６６を制御して容器５３内のガス
圧力を所定値に設定する。

ガス通路５４ａ内に導入されたガスは噴出管５４のガス
噴出管５４ｂよシ基板６０に向って噴き出させる。そし
て、電源６１から所定値の電力を電極兼用ガス噴出管５
４に印加され、基板６０と噴出管５４との間にグロー放
電を生起させる。

電極兼用ガス噴出管５４は絶縁リング６９によりて電気
的に絶縁されていて、基板６０および容器５３は接地さ
れている。

グロー放電によう原料ガスのプラズマが生起され、基板
６０上にアモルファスシリコン膜が層状に堆積し、成膜
がなされる。

以上、この成膜装置を用いた本発明の具体的実験列を説
明する。

〔実験例１〕まず容器５３を１０　　ｔｏｒｒの真空に引き、基体６
０を１２０℃にまで昇温させておく。次いでバルブ６２
を開成して原料ガスとして１００％５ｉ）（４ガス、３
００　ＳＣＣＭを容器内に導入する。

ガス圧１ｋ　１．２　ｔｏｒｒ　ｉｃ段設定た後、１３
．５６　ＭＨｚのＲ，Ｆ、パワーの電源６１’１ｆＯＮ
として４００Ｗの電力を印加する。これＫよ）、Ｓ　ｉ
Ｈ４”、ＳｉＨ“、Ｓ　ｉＨ２“　、ＳｉＨ３”　　等
のラジカルによるプラズマが生起し基板６０の表面にＨ
な４０原子％以上含むａ−８ｉ；Ｈ電荷輸送層の成膜か
開始される。

ここで、同条件で成膜されＱ　ａ−８ｉ　：ＨＴ６．荷
輸送層の特性を予め調べた結果、荷電粒子放射化分析に
より、膜中に４３原子％のＨが含有され、その暗抵抗は
１０１２０ｍである。

このよりなａ−３Ｓ　：Ｈ膜を約５時間で２０μｍの厚
さに成膜した後、電源６１をＯＦＦとしてバルブ６２を
閉成してガス導入を止める。そして、再度、容器５３内
をｌＱ　　ｔｏｒｒの真空に引き、同時に基体６０を２
３０℃にまで昇温させる。

再びバルブ６２を開成してＳｉＨ４がス、２００ＳＣＣ
Ｍ容器内に導入し、ガス圧ｆ　１．　Ｑ　ｔｏｒｒに設
定し友後、電位６１なＯＮとして１００Ｗの電力を印加
し、これによ）、ａ−８ｌ＊Ｈ光４電光層電性膜を開始
する。

上記条件で成膜し之ａ−８ｔ：）Ｉ光導電性層の特性は
、予め測定されていて、Ｈが１５原子％、暗抵抗が１０
　０ｍ、６３３　ｎｍの波長の１０１５ｐｈｏ　ｔｏｎ
ｓ　７ｃｍ２の光に対して明抵抗か１０　０ｍ、光学バ
ンドギャップが１．６９　ｅＶである。

上記ａ−３１：Ｈ光導電層の成膜は、約２時間で４μｍ
の厚さになるまで行なわれ、次いで、電源６１をＯＦＦ
とし、・々シブ６２を閉成してガスの導入を止める。そ
して、容器５３を再度１Ｏ−５ｔｏｒｒの真空に引く。

ヒーター５９をＯＦＦとし、基板６０の温度が１００℃
以下になるのを待って大気中へ基体６０を取シめす。

成膜処理による層構造の出来上ったａ−Ｓｔ感光体にマ
イナス６．０ｋＶの直流のコロナ帯電を行なっ几ところ
、マイナス３２０ｖの表面電位が得られ之Ｏまた１照度
２．　Ｏｌｕｘのタングステン光に対して半減露光量で
０．６ｔ、ｓの高感度を得几。一方、マイナス帯電後、
ハロゲンランプと原稿によシ光像照射を行ない、プラス
の乾式トナーを用いて現像可視化したところ、コントラ
ストおよび解像度ともに秀れた良好なコピー画像が得ら
れた。

プラスのコロナ帯電に対しては表面電位は乗らなかっ７
Ｃ。

〔実験列２〕実験例１と基本的に同一の条件で、Ｈが４３原子％含有
されたａ−８ｌ　：Ｈｔｌｉ荷輸送層を２０μｍ成膜し
た後、基板の温度を３５０℃にまで上げ、１００　Ｘ　
５ＩＨ４がス２００　ＳＣＣＭを容器内に導入し、圧力
１．Ｏｔｏｒｒ　％　ＲｌＦ、ノ’ワーの電源５０Ｗで
、ａ−３ｔｉＨ光導電性層を３μｍ成膜した。

上記条件で成膜したａ−８ｉ：Ｈ光導電性層の特性は、
予め測定されていて、Ｈが０．５原子％、暗抵抗が１０
９Ω画、６３３Ωｍの波長で１０１５ｐｈｏｔｏｎｓ／
ｃｒｎの光に対して明抵抗か１００ｍである。また、分
光感度が８３０Ωｍｌ／Ｃ’！で広がっていて、光学バ
ンドギャップは１．５９ｅｖであった。

成膜完了後、Ｒｏｐ　、　１４ワー電源乞ＯＦＦとし、
ガスの導入を止め、容器内’ｌ　１Ｏ−５ｔｏｒｒの真
空に引きなおし、次いで、ヒータをＯＦＦとし、基板が
１００℃以下になりｆｃところで大気中へ取シ出す。

このようにして製作した感光体にマイナス６、ＱｋＶの
直流のコロナ帯電を行なったところ、マイナス２８０Ｖ
の表面電位が得られた。

また、７８０Ωｍのレーデ−光、１＋ｍＷに対して半減
露光感度で５ｅｒｇ／ｃｒｎの高感度Ｚ示した。

また、マイナス帯電後、このレーデ−光で光像信号をス
キャンし、プラスの乾式トナーを用いて現像可視化した
ところ、コントラスト、解像度ともにすぐれ几良質のコ
ピー画像が得られた。

グラス帯電に対しては表面電位が乗らなかった。

〔実験列３〕成膜条件は下記の通りで、第２図に示す４層構造のａ−
８ｌ感光体の成膜を行なり之。

第１層（電荷注入阻止層３５）ＳｉＨ４，２００ＳＣＣ
Ｍ。

流量比で０□／５ＩＨ４＝４　Ｘの０□、流量比でＢ２
Ｈ，／Ｓ　１Ｈ４＝　１０　　のＢ２Ｈ２：圧力、０．
８　ｔｏｒｒ　；Ｒ，Ｆ、ノぐツー５０Ｗ；基板温度１
８０℃：膜厚５０００ＸのＰ　ｍａ−８１０２電荷注入
阻止層第２層（電荷輸送層ｓ　ｚ　）　ＳｉＨ４，３０
０ＳＣＣＭ；圧力、１．２　ｔｏｒｒ　：　Ｒ，Ｆ、　
／４ワー、４００Ｗ：基板温度、１２０℃；膜厚、１８
　μｍのａ−８ｉ：Ｈｔ電荷輸送層３層（光導電性層Ｊ　Ｊ　）　５ＩＨ４，２００ＳＣ
ＣＭ、流量比Ｂ２Ｈ６／５ｉＨ４−１０のＢ２Ｈ２；圧
力、ｉ、　。

ｔｏｒｒ　：　Ｒ＊Ｆ、　ｚ母ワー、１００Ｗ：基板温
度、２３０℃；膜厚４４−５Ａ１の真性のａ−８ｉ　：
Ｈ光導電性層第４層（表面積３４　）　５ＩＨ４，１５０ＳＣＣＭ　
、　０Ｍ４．１５０　ＳＣＣＭ　；圧力、１．５　ｔｏ
ｒｒ　：　Ｒ，Ｆ、　／４ワー３０ＱＷ；基板温度、２
３０℃；膜厚２０００久のａ　−Ｓ　ｉＣ：　Ｈ表面層上記条件で成膜したａ−８ｉ悪感光にグラス６．０ｋＶ
の直流のコロナ帯電を行なったところ、プラス５００ｖ
の表面電位が得られた。ま之、照度２．．０２ｕｘのタ
ングステン光照射で半減露光感度は０．７ｔ、ａであっ
た。

また、ハロゲンランプと原稿とによる光像照射７行なっ
た後、マイナスの乾式トナーによって現像可視化したと
ころ、コントラストおよび解像度のすぐれた良好なコピ
ー画像が得られた。

なお、上述の実験ｆ！ｉｌｊでは、Ｉ（’に４０原子％
以下を含むａ−８ｉＳＨ光導電性層の厚さ馨いずれも４
５μｍ以下としたが、これは、たとえば、Ｈを１原子％
以下含むａ−８１：Ｈ光４を性層のように暗抵抗が１０
　　Ωαと小さくなった場合、この層があまυ厚いと、
表面電位が横方向にリークしてしまい画像ピケを起こす
原因となるからであシ、好ましくは５μｍ以下の膜厚が
良い。

また、特に、Ｈが１原子％以下を含み、暗抵抗か１０　
０ｍと小さいようなａ−８ｌ　；Ｈ光導電性層を用いた
場合であっても、表面電位が十分で高品質の画侭を得る
ことができ、７８０Ωｍの半導体レーザーを露光に用い
九レーザープリンタ用に最適のａ−８１感光体を提供し
得る。

〔発明の効果〕

以上のように、本発明の電子写真感光体によれば、基板
上に水素を４０原子％以上含有する水素化アモルファス
シリコン電荷輸送層と、水素を４０原子％以下を含有し
た水素化アモルファスシリコン光導電性層を積み重ねた
層構造としたので、直流のコロナ帯電時に十分な表面電
位が得られるはかシか、コピー画像にニジミや？ケが生
じず、高解像度の良好な画質を得ることができ、特にた
とえば半導体レーザービ露光に用いたレーザープリンタ
用の感光体として最適である等、奏する効果はきわめて
犬である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の電子写真感光体の層構造を断面形で示
す第１の実施列の要部拡大断面図、第２図および第３図
は第１図と同じ態様でそれぞれ示す本発明の第２および
第３の実施例の要部拡大断面図、第４図は本発明の実施
例の感光体を製造するアモルファスシリコン成膜装置の
縦断面概要図、第５図および第６図は従来構成の電子写
真感光体の層構造をそれぞれ示す要部拡大断面図である
。２１．３１．４１・・・基板、２２，３２，４２・・・
水素化アモルファスシリコン電荷輸送層、２３．３３．
４３・・・水素化アモルファスシリコン光導電性層、３
４・・・水素化アモルファスシリコンカーバイト表面層
、３５・・・アモルファスシリコン電荷注入阻止層。出願人代理人　　弁理士　釣　江　武　３第１図第２図第３図第４図第５図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）基板上に、水素を４０原子％以上含む水素化アモ
ルファスシリコン電荷輸送層および水素を４０原子％以
下含む水素化アモルファスシリコン光導電性層とを積層
したことを特徴とする電子写真感光体。
（２）電荷輸送層が基板上に重ねられるとともに当該電
荷輸送層上に光導電性層が重ねられてなる特許請求の範
囲第１項記載の電子写真感光体。
（３）基板と電荷輸送層との間に、周期表IIIＡ又はＶ
Ａの元素を含むＰ型またはＮ型のアモルファスシリコン
電荷注入阻止層が設けられてなる特許請求の範囲第２項
記載の電子写真感光体。
（４）光導電性層の表面にＳｉを母体として炭素、酸素
、窒素のいずれか１以上の元素を含むアモルファスシリ
コン表面層が設けられてなる特許請求の範囲第２項また
は第３項記載の電子写真感光体。
（５）アモルファスシリコン電荷注入阻止層に、炭素、
酸素、窒素の少なくとも１つ以上の元素が含まれてなる
特許請求の範囲第３項記載の電子写真感光体。
（６）光導電性層の膜厚は５μｍ以内で、かつ、水素が
１原子％以下含まれてなる特許請求の範囲第１項または
第２項記載の電子写真感光体。
（７）感光体は、半導体レーザーを露光に用いたレーザ
ープリンタ用の感光体である特許請求の範囲第１項また
は第２項記載の電子写真感光体。