JPH071395B2 - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
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- JPH071395B2 JPH071395B2 JP59200653A JP20065384A JPH071395B2 JP H071395 B2 JPH071395 B2 JP H071395B2 JP 59200653 A JP59200653 A JP 59200653A JP 20065384 A JP20065384 A JP 20065384A JP H071395 B2 JPH071395 B2 JP H071395B2
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- layer
- gas
- conductive substrate
- film
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08235—Silicon-based comprising three or four silicon-based layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
- G03C1/00—Photosensitive materials
- G03C1/76—Photosensitive materials characterised by the base or auxiliary layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
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- Inorganic Chemistry (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、光（紫外から可視，赤外,X線,r線等の電磁波
をいう）に感受性のある電子写真感光体に関する。
をいう）に感受性のある電子写真感光体に関する。
近年、電子写真、撮像素子等の画像形成技術の分野にお
いて、非晶質シリコン（以下ａ−Siと書く）が光導電性
材料として注目されている。これはａ−Siが他の光導電
性材料，たとえばSe,CdS,Se-Te合金,Se-As合金等の無機
光導電性材料や、PVCz,TNF等の有機光導電性材料と比較
して、可視領域においてすぐれた分光感度を有し、表面
硬度が高く、取扱いが容易であること、高い使用温度に
耐え無公害であること、また成膜方法として高周波グロ
ー放電分解法を用いれば、基板の形状材質等に制限され
ずに、大面積でかつ均一な成膜が可能であること等の利
点を有するためである。
いて、非晶質シリコン（以下ａ−Siと書く）が光導電性
材料として注目されている。これはａ−Siが他の光導電
性材料，たとえばSe,CdS,Se-Te合金,Se-As合金等の無機
光導電性材料や、PVCz,TNF等の有機光導電性材料と比較
して、可視領域においてすぐれた分光感度を有し、表面
硬度が高く、取扱いが容易であること、高い使用温度に
耐え無公害であること、また成膜方法として高周波グロ
ー放電分解法を用いれば、基板の形状材質等に制限され
ずに、大面積でかつ均一な成膜が可能であること等の利
点を有するためである。
以上の様な優れた特性を生かしてａ−Siはその応用分野
の一つである電子写真感光体への適用が各方面で試みら
れており、実用化へ向けて急速に進展している。
の一つである電子写真感光体への適用が各方面で試みら
れており、実用化へ向けて急速に進展している。
一般にａ−Siを電子写真用の感光体に適用しようとする
場合、ａ−Siの暗所での比抵抗（以下、暗抵抗という）
は通常108〜1010Ωcm程度であり、このままではａ−Si
電子写真感光体表面に帯電させた電荷を保持することが
できない。そこでキヤリアを発生する光導電層に不純物
元素、例えば周期律表第IIIa族元素であるB,Al,Ga,In等
を少量ドーピングして暗抵抗を上げ表面の電荷保持能を
高くすることが考えられるが、このようにしてもやはり
光導電層のみでは帯電時に電荷を保持できず、暗減衰を
おさえることはできない。
場合、ａ−Siの暗所での比抵抗（以下、暗抵抗という）
は通常108〜1010Ωcm程度であり、このままではａ−Si
電子写真感光体表面に帯電させた電荷を保持することが
できない。そこでキヤリアを発生する光導電層に不純物
元素、例えば周期律表第IIIa族元素であるB,Al,Ga,In等
を少量ドーピングして暗抵抗を上げ表面の電荷保持能を
高くすることが考えられるが、このようにしてもやはり
光導電層のみでは帯電時に電荷を保持できず、暗減衰を
おさえることはできない。
そこで上記の問題を解決するための方法として、上記の
光導電層を高抵抗の絶縁層で挾むことが考えられる。こ
れは表面に電荷を帯電させる際に、表面に設けられた高
抵抗の絶縁層で電荷を保持し、同時に光導電層と導電性
基板との間の高抵抗の絶縁層によつて、導電性基板から
の電荷の注入を阻止しようとするものである。しかし、
この方法の場合、電荷保持能は向上するが高抵抗の絶縁
層に電場が集中するため絶縁破壊が生じたり、高抵抗の
絶縁層と光導電層との界面にキヤリアが蓄積されて残留
電位が大きくなるという問題が生じる。
光導電層を高抵抗の絶縁層で挾むことが考えられる。こ
れは表面に電荷を帯電させる際に、表面に設けられた高
抵抗の絶縁層で電荷を保持し、同時に光導電層と導電性
基板との間の高抵抗の絶縁層によつて、導電性基板から
の電荷の注入を阻止しようとするものである。しかし、
この方法の場合、電荷保持能は向上するが高抵抗の絶縁
層に電場が集中するため絶縁破壊が生じたり、高抵抗の
絶縁層と光導電層との界面にキヤリアが蓄積されて残留
電位が大きくなるという問題が生じる。
本発明は、以上の様な事情にもとづいてなされたもの
で、帯電能、電荷保持能に優れ、かつ高感度な電子写真
感光体を提供することを目的とする。
で、帯電能、電荷保持能に優れ、かつ高感度な電子写真
感光体を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の電子写真感光体は
導電性基板と、この導電性基板上に設けられ、シリコン
原子を含み、周期律表第IIIa族もしくは第Va族元素をド
ープすることにより形成したＰ型もしくはＮ型の0.1〜
３μｍの厚みを有する微結晶層と、前記微結晶層上に接
触して設けられることにより前記微結晶層との界面に空
乏層を形成し、前記微結晶層にドープされる元素よりも
少量の周期律表第IIIa族元素を含有するとともに、５〜
50μｍの厚みを有し、水素原子を10原子％以下の濃度で
含有する光学的バンドギャップが1.65〜1.70eVのシリコ
ン原子を含む非晶質層とを有する。この構成により、帯
電能、電荷保持能に優れ、かつ高感度な電子写真感光体
を提供するものである。
導電性基板と、この導電性基板上に設けられ、シリコン
原子を含み、周期律表第IIIa族もしくは第Va族元素をド
ープすることにより形成したＰ型もしくはＮ型の0.1〜
３μｍの厚みを有する微結晶層と、前記微結晶層上に接
触して設けられることにより前記微結晶層との界面に空
乏層を形成し、前記微結晶層にドープされる元素よりも
少量の周期律表第IIIa族元素を含有するとともに、５〜
50μｍの厚みを有し、水素原子を10原子％以下の濃度で
含有する光学的バンドギャップが1.65〜1.70eVのシリコ
ン原子を含む非晶質層とを有する。この構成により、帯
電能、電荷保持能に優れ、かつ高感度な電子写真感光体
を提供するものである。
以下、本発明を図示の一実施例を参照しながら説明す
る。
る。
第１図は、本発明の電子写真感光体の基本的な構成例を
説明するために模式的に電子写真感光体を示した模式的
構成図である。電子写真感光体１の層構成は第１図に示
すように導電性基板２の上に微結晶層３と光導電層とし
ての非晶質層４と表面層５とをこの順に積層してなる。
説明するために模式的に電子写真感光体を示した模式的
構成図である。電子写真感光体１の層構成は第１図に示
すように導電性基板２の上に微結晶層３と光導電層とし
ての非晶質層４と表面層５とをこの順に積層してなる。
導電性基板２は、例えば、アルミニウム、ステンレスな
どの金属又はガラス、高分子フイルムの表面に導電性も
しくは半導電性物質をコーデイングしたものが、利用で
き、平板状あるいはドラム状に形成して用いられる。
どの金属又はガラス、高分子フイルムの表面に導電性も
しくは半導電性物質をコーデイングしたものが、利用で
き、平板状あるいはドラム状に形成して用いられる。
微結晶層３はＰ形の微結晶シリコンから成り、微結晶で
あるため比抵抗を容易に下げることができる。また光照
射時に導電性基板側へ走行するキヤリアの拡散長が伸
び、正孔が導電性基板側に到達しやすくなり、結果とし
て電荷の帯電能、保持率が向上し、かつ残留電位が低下
し、良好な電子写真特性が得られることになる。Ｐ形に
するためには周期律表第IIIa族元素であるB,Al,Ga,In,T
lなどを含むガスによりドーピングを行えばよい。逆に
Ｎ形にするためには周期律表第Va族であるN,P,Asなどを
含むガスによりドーピングを行う。膜厚は0.1〜３μm,
好ましくは0.5〜２μｍが適当である。
あるため比抵抗を容易に下げることができる。また光照
射時に導電性基板側へ走行するキヤリアの拡散長が伸
び、正孔が導電性基板側に到達しやすくなり、結果とし
て電荷の帯電能、保持率が向上し、かつ残留電位が低下
し、良好な電子写真特性が得られることになる。Ｐ形に
するためには周期律表第IIIa族元素であるB,Al,Ga,In,T
lなどを含むガスによりドーピングを行えばよい。逆に
Ｎ形にするためには周期律表第Va族であるN,P,Asなどを
含むガスによりドーピングを行う。膜厚は0.1〜３μm,
好ましくは0.5〜２μｍが適当である。
非晶質層４はａ−Siからなり微結晶層３と整流性接触を
構成し、果面に空乏層領域が形成されている。この空乏
層領域は、不純物ドーピング量の少ない非晶質層４の側
に多く拡がり、このため非晶質層内部の深い部分に到達
する比較的長波長の光がこの空乏層領域で吸収され、キ
ヤリアを発生させることになり、その結果として、長波
長の光に対しても感度を有するようになり、電子写真感
光体として高感度のものが得られることになる。また非
晶質層４は水素を10原子％以下含有するが、このような
ａ−Siは通常のSiH4ガスのみによる成膜で達成され、電
気的特性は、暗抵抗が1011Ωcm明抵抗が１×106フオ
トン／cm2・sec,633nmの波長の光に対して106Ωcmと
高抵抗でかつS/Nが104以上の良好なものが得られる。そ
して第２図に示す水素含有量と光学的バンドギヤツプの
関係からわかるように、水素含有量が多くなると光学的
バンドギヤツプが大きくなり、長波長の光、例えば790n
mのレーザー光に対する感度が悪くなる。これに対して
不純物元素、例えばGeをドーピングする方法があるが、
GeH4ガスは高価であり、さらにGeH4ガスとSiH4ガスの分
解温度が異なるためGeH4ガスが十分分解されないまま膜
内にとりこまれ電子写真特性の劣化が生じてしまう問題
点がある。しかし水素含有量が10原子％以下のものは、
光学的バンドギヤツプが1.65〜1.70eVであり通常（1.75
eV）のものに比較してやや狭くなつており長波長の光に
対して高感度となる。さらに暗抵抗を上げ帯電能を高め
るために周期律表第IIIa族元素を少量ドーピングするこ
とで電子写真感光体として十分実用に供することが可能
となる。膜厚は５〜50μｍ、好ましくは10〜40μｍが適
当である。
構成し、果面に空乏層領域が形成されている。この空乏
層領域は、不純物ドーピング量の少ない非晶質層４の側
に多く拡がり、このため非晶質層内部の深い部分に到達
する比較的長波長の光がこの空乏層領域で吸収され、キ
ヤリアを発生させることになり、その結果として、長波
長の光に対しても感度を有するようになり、電子写真感
光体として高感度のものが得られることになる。また非
晶質層４は水素を10原子％以下含有するが、このような
ａ−Siは通常のSiH4ガスのみによる成膜で達成され、電
気的特性は、暗抵抗が1011Ωcm明抵抗が１×106フオ
トン／cm2・sec,633nmの波長の光に対して106Ωcmと
高抵抗でかつS/Nが104以上の良好なものが得られる。そ
して第２図に示す水素含有量と光学的バンドギヤツプの
関係からわかるように、水素含有量が多くなると光学的
バンドギヤツプが大きくなり、長波長の光、例えば790n
mのレーザー光に対する感度が悪くなる。これに対して
不純物元素、例えばGeをドーピングする方法があるが、
GeH4ガスは高価であり、さらにGeH4ガスとSiH4ガスの分
解温度が異なるためGeH4ガスが十分分解されないまま膜
内にとりこまれ電子写真特性の劣化が生じてしまう問題
点がある。しかし水素含有量が10原子％以下のものは、
光学的バンドギヤツプが1.65〜1.70eVであり通常（1.75
eV）のものに比較してやや狭くなつており長波長の光に
対して高感度となる。さらに暗抵抗を上げ帯電能を高め
るために周期律表第IIIa族元素を少量ドーピングするこ
とで電子写真感光体として十分実用に供することが可能
となる。膜厚は５〜50μｍ、好ましくは10〜40μｍが適
当である。
表面層５は、表面の安定化のために設けた比抵抗の高い
層であり炭化シリコンからなる。膜厚は100Å〜10μ
ｍ、好ましくは500Å〜５μｍが適当である。
層であり炭化シリコンからなる。膜厚は100Å〜10μ
ｍ、好ましくは500Å〜５μｍが適当である。
以上構成の電子写真感光体は第３図に示す電子写真感光
体成膜装置により成膜することができる。
体成膜装置により成膜することができる。
第３図に示すように、電子写真感光体成膜装置は、基台
６上に反応容器としての真空チエンバ７を気密可能に装
着し、基台６に接続するパイプ８を介して排気装置、例
えばメカニカルブースタポンプ９及びロータリーポンプ
10により真空チエンバ７内を減圧、例えば10-3〜10-4To
rrにするように構成される。真空チエンバ７内の基台６
には、ドラム保持装置11がギヤ12を介して駆動装置13に
より回転可能に立設されている。ドラム保持装置11は円
筒形のドラム状導電性基板14を装着することができると
共にヒータ15を有してドラム状導電性基板14を所定温
度、例えば15〜300℃に加熱することができるように構
成される。ドラム保持装置11の周囲には、ガス導入部16
がこのドラム保持装置11のまわりを取り囲むように配置
される。ガス導入部16のドラム保持装置11に保持された
ドラム状導電性基板14の外周面に対向する内周面は、複
数個のガス噴出孔17を有すると共に電圧の印加により放
電を可能とする電極18を兼ねている。ガス導入部16は、
パイプを介して真空チエンバ７内に導くガスの流量が調
節されるように構成されている。
６上に反応容器としての真空チエンバ７を気密可能に装
着し、基台６に接続するパイプ８を介して排気装置、例
えばメカニカルブースタポンプ９及びロータリーポンプ
10により真空チエンバ７内を減圧、例えば10-3〜10-4To
rrにするように構成される。真空チエンバ７内の基台６
には、ドラム保持装置11がギヤ12を介して駆動装置13に
より回転可能に立設されている。ドラム保持装置11は円
筒形のドラム状導電性基板14を装着することができると
共にヒータ15を有してドラム状導電性基板14を所定温
度、例えば15〜300℃に加熱することができるように構
成される。ドラム保持装置11の周囲には、ガス導入部16
がこのドラム保持装置11のまわりを取り囲むように配置
される。ガス導入部16のドラム保持装置11に保持された
ドラム状導電性基板14の外周面に対向する内周面は、複
数個のガス噴出孔17を有すると共に電圧の印加により放
電を可能とする電極18を兼ねている。ガス導入部16は、
パイプを介して真空チエンバ７内に導くガスの流量が調
節されるように構成されている。
次に、第３図に示す電子写真感光体成膜装置を用いて、
本発明に係る電子写真感光体を成膜する方法を示す。
本発明に係る電子写真感光体を成膜する方法を示す。
まず、基台６より真空チエンバ７を開放して、ドラム保
持装置11の細径部にドラム状導電性基板14を装着した
後、基台６に真空チエンバ７を気密に装着する。次いで
ヒータ15によりドラム状導電性基板14を150〜300℃に加
熱し、またロータリーポンプ10により真空チエンバ７内
を約10-3〜10-4Torrに減圧する。真空チエンバ７内の排
気系を、ロータリーポンプ10からメカニカルブースタポ
ンプ９に切り換えると同時にバルブ19を開いて、原料ガ
スを真空チエンバ７内に導く。ここで原料ガスはシリコ
ン原子を含むガス、例えばSiH4Si2H6,SiF4等のシリコン
を含むガスを用いる。この原料ガスは、ガス導入部16内
を通りガス噴出孔17よりドラム状導電性基板14に向つて
噴出する。噴出する混合ガスはメカニカルブースタポン
プ９により真空チエンバ７外に排出される。そこで真空
チエンバ７内の混合ガス圧が0.1〜1Torr程度になるよう
にバルブ19及びメカニカルブースタポンプ９を調節する
と共に駆動装置13によりドラム保持装置11を回転させ
る。電極18に周波数13.56MHZの高周波電力を印加すると
共に、ドラム状導電性基板14を接地することにより原料
ガス中で放電を行うと共に、原料ガスを供給することに
よりドラム状導電性基板14上に第１図に示すような微結
晶層３、非晶質層４、及び表面層５が成層できる。
持装置11の細径部にドラム状導電性基板14を装着した
後、基台６に真空チエンバ７を気密に装着する。次いで
ヒータ15によりドラム状導電性基板14を150〜300℃に加
熱し、またロータリーポンプ10により真空チエンバ７内
を約10-3〜10-4Torrに減圧する。真空チエンバ７内の排
気系を、ロータリーポンプ10からメカニカルブースタポ
ンプ９に切り換えると同時にバルブ19を開いて、原料ガ
スを真空チエンバ７内に導く。ここで原料ガスはシリコ
ン原子を含むガス、例えばSiH4Si2H6,SiF4等のシリコン
を含むガスを用いる。この原料ガスは、ガス導入部16内
を通りガス噴出孔17よりドラム状導電性基板14に向つて
噴出する。噴出する混合ガスはメカニカルブースタポン
プ９により真空チエンバ７外に排出される。そこで真空
チエンバ７内の混合ガス圧が0.1〜1Torr程度になるよう
にバルブ19及びメカニカルブースタポンプ９を調節する
と共に駆動装置13によりドラム保持装置11を回転させ
る。電極18に周波数13.56MHZの高周波電力を印加すると
共に、ドラム状導電性基板14を接地することにより原料
ガス中で放電を行うと共に、原料ガスを供給することに
よりドラム状導電性基板14上に第１図に示すような微結
晶層３、非晶質層４、及び表面層５が成層できる。
またドーピングの方法は、真空チエンバ７内にSi原子を
含むガスを導入する際、同時にドーピングしたい原子を
含むガスを導入するだけで以下は同じである。なお、ａ
−Siは周期律表第IIIa族、第Va族元素のドーピングによ
り、価電子制御が可能であり、この時、多量のドーピン
グにより比抵抗は小さく、第IIIa族元素の極少量のドー
ピングにより比抵抗は、やや大きくなる。
含むガスを導入する際、同時にドーピングしたい原子を
含むガスを導入するだけで以下は同じである。なお、ａ
−Siは周期律表第IIIa族、第Va族元素のドーピングによ
り、価電子制御が可能であり、この時、多量のドーピン
グにより比抵抗は小さく、第IIIa族元素の極少量のドー
ピングにより比抵抗は、やや大きくなる。
次に第１図に示す電子写真感光体の各層の成膜条件を述
べる。まず、十分に洗浄したのち乾燥させたAl製のドラ
ムを反応容器内に設置し、メカニカルブースタポンプに
より反応容器内が１×10-6Torrの真空度になるように排
気する。これと同時にAl製ドラム加熱用ヒーターの電源
をONにして設定温度を300℃にし加熱を行う。第１層の
微結晶層３はSiH4ガスを流量300SCCMでB2H6ガスをSiH4
ガスに対する流量比（B2H6/SiH4）５×10-4で、CH4ガス
をSiH4ガスに対する流量比（CH4/SiH4）20％で、Arガス
を流量200SCCMで、それぞれ導入し、反応圧力0.8Torr、
印加電力200Wで10分間成膜を行うと、膜厚1.5μｍで成
膜される。次に印加電力を０にし、全てのガスの導入を
止め、15分間そのままの状態に保ちその後、SiH4ガスを
流量600SCCMでB2H6ガスをSiH4ガスに対する流量比（B2H
6/SiH4）１×10-7で、Arガスを流量500SCCMで、それぞ
れ導入し、反応圧力1.4Torr、印加電力400Wで1.5時間成
膜を行うと膜厚22μｍの第２層の非晶質層４が成膜でき
る。次に印加電力を０にし、全てのガスの導入を止め、
15分間そのままの状態に保ち、その後SiH4ガスを流量10
0SCCMで、CH4ガスを流量450SCCMで、それぞれ導入し、
反応圧力0.6Torr、印加電力200Wで20分間成膜を行う
と、膜厚２μｍの第３層の表面層５が成膜できる。最後
に加熱用ヒータを切り全てのガスの導入を止め、20分間
そのままの状態に保ち、さらにその後窒素ガスを反応容
器内に導入し、成膜したAl製ドラムの冷却を行い100℃
以下に温度が下がつたら窒素ガスの導入を止め、反応容
器からAl製ドラムを取り出す。以上の様にして第１図に
示すような電子写真感光体１の成膜が行われる。なお、
ここで得られたサープル（サンプル−１とする）につい
て非晶質層の水素含有量を分析したところ38.5％であつ
た。
べる。まず、十分に洗浄したのち乾燥させたAl製のドラ
ムを反応容器内に設置し、メカニカルブースタポンプに
より反応容器内が１×10-6Torrの真空度になるように排
気する。これと同時にAl製ドラム加熱用ヒーターの電源
をONにして設定温度を300℃にし加熱を行う。第１層の
微結晶層３はSiH4ガスを流量300SCCMでB2H6ガスをSiH4
ガスに対する流量比（B2H6/SiH4）５×10-4で、CH4ガス
をSiH4ガスに対する流量比（CH4/SiH4）20％で、Arガス
を流量200SCCMで、それぞれ導入し、反応圧力0.8Torr、
印加電力200Wで10分間成膜を行うと、膜厚1.5μｍで成
膜される。次に印加電力を０にし、全てのガスの導入を
止め、15分間そのままの状態に保ちその後、SiH4ガスを
流量600SCCMでB2H6ガスをSiH4ガスに対する流量比（B2H
6/SiH4）１×10-7で、Arガスを流量500SCCMで、それぞ
れ導入し、反応圧力1.4Torr、印加電力400Wで1.5時間成
膜を行うと膜厚22μｍの第２層の非晶質層４が成膜でき
る。次に印加電力を０にし、全てのガスの導入を止め、
15分間そのままの状態に保ち、その後SiH4ガスを流量10
0SCCMで、CH4ガスを流量450SCCMで、それぞれ導入し、
反応圧力0.6Torr、印加電力200Wで20分間成膜を行う
と、膜厚２μｍの第３層の表面層５が成膜できる。最後
に加熱用ヒータを切り全てのガスの導入を止め、20分間
そのままの状態に保ち、さらにその後窒素ガスを反応容
器内に導入し、成膜したAl製ドラムの冷却を行い100℃
以下に温度が下がつたら窒素ガスの導入を止め、反応容
器からAl製ドラムを取り出す。以上の様にして第１図に
示すような電子写真感光体１の成膜が行われる。なお、
ここで得られたサープル（サンプル−１とする）につい
て非晶質層の水素含有量を分析したところ38.5％であつ
た。
また、各層の膜厚以外の条件は上記の成膜条件と同様に
して成膜を行い、各層の膜厚の値を変えたものを第１表
に示す。ここでサンプル−７は微結晶層の代わりに、サ
ンプル−１と同一の成膜条件で得られる表面層の組成の
膜を形成したものである。
して成膜を行い、各層の膜厚の値を変えたものを第１表
に示す。ここでサンプル−７は微結晶層の代わりに、サ
ンプル−１と同一の成膜条件で得られる表面層の組成の
膜を形成したものである。
このようにして得られた電子写真感光体の電子写真特性
を比較して示したのが第２表である。
を比較して示したのが第２表である。
第２表から明らかなように、本発明による電子写真感光
体（サンプル−１〜サンプル−６）はサンプル−７と比
較して、帯電能（表面電位）、電荷保持能とも高く、か
つ残留電位は低く、さらに半減露光量が小さい、即ち高
感度であり良好な画像を得ることができる。
体（サンプル−１〜サンプル−６）はサンプル−７と比
較して、帯電能（表面電位）、電荷保持能とも高く、か
つ残留電位は低く、さらに半減露光量が小さい、即ち高
感度であり良好な画像を得ることができる。
以上説明したように、本発明によれば、帯電能、電荷保
持能が向上し、かつ高感度で良好な電子写真特性を得る
ことができる電子写真感光体を提供することができる。
持能が向上し、かつ高感度で良好な電子写真特性を得る
ことができる電子写真感光体を提供することができる。
第１図は、本発明の電子写真感光体を示す模式的構成
図、第２図は水素含有量と光学的ハンドギヤツプの関係
を示す図、第３図は本発明の電子写真感光体を成膜する
ための成膜装置の概略構成図である。 １……電子写真感光体、２……導電性基板、３……微結
晶層、４……非晶質層
図、第２図は水素含有量と光学的ハンドギヤツプの関係
を示す図、第３図は本発明の電子写真感光体を成膜する
ための成膜装置の概略構成図である。 １……電子写真感光体、２……導電性基板、３……微結
晶層、４……非晶質層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭59−121050（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−27263（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−129859（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−127934（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−121743（ＪＰ，Ａ) 実開 昭56−153946（ＪＰ，Ｕ)
Claims (1)
- 【請求項１】導電性基板と、 この導電性基板上に設けられ、シリコン原子を含み、周
期律表第IIIa族もしくは第Va族元素をドープすることに
より形成したＰ型もしくはＮ型の0.1〜３μｍの厚みを
有する微結晶層と 前記微結晶層上に接触して設けられることにより前記微
結晶層との界面に空乏層を形成し、前記微結晶層にドー
プされる元素よりも少量の周期律表第IIIa族元素を含有
するとともに、５〜50μｍの厚みを有し、水素原子を10
原子％以下の濃度で含有する光学的バンドギャップが1.
65〜1.70eVのシリコン原子を含む非晶質層と、 を有することを特徴とする電子写真感光体。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59200653A JPH071395B2 (ja) | 1984-09-27 | 1984-09-27 | 電子写真感光体 |
| KR1019850006675A KR860002738A (ko) | 1984-09-27 | 1985-09-12 | 전자사진 감광체 |
| EP85112115A EP0176936A1 (en) | 1984-09-27 | 1985-09-25 | Electrophotographic photosensitive member |
| US07/017,874 US4769303A (en) | 1984-09-27 | 1987-02-24 | Electrophotographic photosensitive member |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59200653A JPH071395B2 (ja) | 1984-09-27 | 1984-09-27 | 電子写真感光体 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6180160A JPS6180160A (ja) | 1986-04-23 |
| JPH071395B2 true JPH071395B2 (ja) | 1995-01-11 |
Family
ID=16427980
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59200653A Expired - Lifetime JPH071395B2 (ja) | 1984-09-27 | 1984-09-27 | 電子写真感光体 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
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| EP (1) | EP0176936A1 (ja) |
| JP (1) | JPH071395B2 (ja) |
| KR (1) | KR860002738A (ja) |
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| US4523214A (en) * | 1981-07-03 | 1985-06-11 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Solid state image pickup device utilizing microcrystalline and amorphous silicon |
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| US4582773A (en) * | 1985-05-02 | 1986-04-15 | Energy Conversion Devices, Inc. | Electrophotographic photoreceptor and method for the fabrication thereof |
-
1984
- 1984-09-27 JP JP59200653A patent/JPH071395B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1985
- 1985-09-12 KR KR1019850006675A patent/KR860002738A/ko not_active Abandoned
- 1985-09-25 EP EP85112115A patent/EP0176936A1/en not_active Ceased
-
1987
- 1987-02-24 US US07/017,874 patent/US4769303A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR860002738A (ko) | 1986-04-28 |
| US4769303A (en) | 1988-09-06 |
| JPS6180160A (ja) | 1986-04-23 |
| EP0176936A1 (en) | 1986-04-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |