JPS6180160A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
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- JPS6180160A JPS6180160A JP59200653A JP20065384A JPS6180160A JP S6180160 A JPS6180160 A JP S6180160A JP 59200653 A JP59200653 A JP 59200653A JP 20065384 A JP20065384 A JP 20065384A JP S6180160 A JPS6180160 A JP S6180160A
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- Japan
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- layer
- conductive substrate
- gas
- electrophotographic photoreceptor
- charge
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08235—Silicon-based comprising three or four silicon-based layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
- G03C1/00—Photosensitive materials
- G03C1/76—Photosensitive materials characterised by the base or auxiliary layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
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- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、光（紫外から可視、赤外、Ｘ線。
ｒ線等の電磁波をいう）に感受性のある電子写真感光体
に関する。
に関する。
近年、電子写真、撮像素子等の画像形成技術の分野にお
いて、非晶質シリコン（以下ａ−８ｔと書く）が光導電
性材料として注目されている。
いて、非晶質シリコン（以下ａ−８ｔと書く）が光導電
性材料として注目されている。
これはａ−８ｉが他の光導電性材料、たとえばＳｅ ＋
ＣｄＳ、 ５ｓ−Ｔｅ合金＋５ｅ−Ａｓ合金等の無機光
導電性材料や、ＰＶＣｚ、 ＴＮＦ等の有機光導電性材
料と比較して、可視領域においてすぐれた分光感度を有
し、表面硬度が高く、取扱いが容易であること、高い使
用温度に耐え無公害であること、また成膜方法として高
周波クロー放電分解法を用いれば、基板の形状材質等に
制限されずに、大面積でかつ均一な成膜が可能であるこ
と等の利点を有するためである０ 以上の様な優れた特性を生かしてａ−８ｉｒｊ、その応
用分野の一つである電子写真感光体への適用が各方面で
試みられており、実用化へ向けて急速に進展している〇 一般にａ−８ｉを電子写真用の感光体に適用しようとす
る場合、ａ−８ｉの暗所での比抵抗（以下、暗抵抗とい
う）に通常１０〜１００の程度であり、このままではａ
−３ｔ電子写真感光体表面に帯電させた電荷を保持する
ことができない。そこでキャリアを発生する光導電層に
不純物元素、例えば周期律表第 ａ族元素であるＢ。
ＣｄＳ、 ５ｓ−Ｔｅ合金＋５ｅ−Ａｓ合金等の無機光
導電性材料や、ＰＶＣｚ、 ＴＮＦ等の有機光導電性材
料と比較して、可視領域においてすぐれた分光感度を有
し、表面硬度が高く、取扱いが容易であること、高い使
用温度に耐え無公害であること、また成膜方法として高
周波クロー放電分解法を用いれば、基板の形状材質等に
制限されずに、大面積でかつ均一な成膜が可能であるこ
と等の利点を有するためである０ 以上の様な優れた特性を生かしてａ−８ｉｒｊ、その応
用分野の一つである電子写真感光体への適用が各方面で
試みられており、実用化へ向けて急速に進展している〇 一般にａ−８ｉを電子写真用の感光体に適用しようとす
る場合、ａ−８ｉの暗所での比抵抗（以下、暗抵抗とい
う）に通常１０〜１００の程度であり、このままではａ
−３ｔ電子写真感光体表面に帯電させた電荷を保持する
ことができない。そこでキャリアを発生する光導電層に
不純物元素、例えば周期律表第 ａ族元素であるＢ。
Ａ／、、＋Ｇａ、Ｉｎ等を少量ドーピングして暗抵抗を
上げ表面の電荷保持能を高くすることが考えられるが、
このようにしてもやはり光導電層のみでに帯電時に電荷
を保持できず、暗減衰をおさえることはできない。
上げ表面の電荷保持能を高くすることが考えられるが、
このようにしてもやはり光導電層のみでに帯電時に電荷
を保持できず、暗減衰をおさえることはできない。
そこで上記の問題を解決するための方法として、上記の
光導電層を高抵抗の絶縁層で挾むことが考えられる。こ
れは表面に電荷を帯電させる際に、表面ＶＣ設けられた
高抵抗の絶縁層で電荷を保持し、同時に光導電層と導電
性基板との間の高抵抗の絶縁層によって、導電性基板か
らの電荷の注入を阻止しようとするものである。
光導電層を高抵抗の絶縁層で挾むことが考えられる。こ
れは表面に電荷を帯電させる際に、表面ＶＣ設けられた
高抵抗の絶縁層で電荷を保持し、同時に光導電層と導電
性基板との間の高抵抗の絶縁層によって、導電性基板か
らの電荷の注入を阻止しようとするものである。
しかし、この方法の場合、電荷保持能は向上するが高抵
抗の絶縁４に電場が集中するため絶縁破壊が生じたり、
高抵抗の絶縁層と光導電層との界面にキャリアが蓄積さ
れて残留電位が大きくなるという問題が生じる。
抗の絶縁４に電場が集中するため絶縁破壊が生じたり、
高抵抗の絶縁層と光導電層との界面にキャリアが蓄積さ
れて残留電位が大きくなるという問題が生じる。
本発明は、以上の様な事情にもとづいてなされたもので
、帯電能、電荷保持能に代れ、′かつ高感度々電子写真
感光体を提供することを目的とする〇 〔発明の概要〕 本発明は、上記目的を達成するために、導電性基板上に
、シリコン原子を含む微結晶層と、この微結晶層と整流
性接触を形成するＯシリコン原子を含む非晶質層とをこ
の順に設け、帯電能、電荷保持能に優れ、かつ高感度な
電子写真感光体を提供するものである。
、帯電能、電荷保持能に代れ、′かつ高感度々電子写真
感光体を提供することを目的とする〇 〔発明の概要〕 本発明は、上記目的を達成するために、導電性基板上に
、シリコン原子を含む微結晶層と、この微結晶層と整流
性接触を形成するＯシリコン原子を含む非晶質層とをこ
の順に設け、帯電能、電荷保持能に優れ、かつ高感度な
電子写真感光体を提供するものである。
以下、本発明を図示の一実施例を参照しながら説明する
０ 第１図は、本発明の電子写真感光体の基本的な構成例を
説明するために模式的に電子写真感光体を示した模式的
構成図である。電子写真感光体１の層構成は第１図に示
すように導電性基板２の上に微結晶層３と光導電層とし
ての非晶質層４と表面層５とをこの順に積層してなる。
０ 第１図は、本発明の電子写真感光体の基本的な構成例を
説明するために模式的に電子写真感光体を示した模式的
構成図である。電子写真感光体１の層構成は第１図に示
すように導電性基板２の上に微結晶層３と光導電層とし
ての非晶質層４と表面層５とをこの順に積層してなる。
４電性基板２は、例えば、アルミニウム、ステンレスな
どの金属又はガラス、高分子フィルムの表面に導電性も
しくは半導電性物質をコーディングしたものが、利用で
き、平板状あるいはドラム状に形成して用いられる。
どの金属又はガラス、高分子フィルムの表面に導電性も
しくは半導電性物質をコーディングしたものが、利用で
き、平板状あるいはドラム状に形成して用いられる。
微結晶層３にＰ形の微結晶シリコンから成り、微結晶で
あるため比抵抗を容易に下げることができる。また光照
射時に導電性基板側へ走行するキャリアの拡散長が伸び
、正孔が導電性基板側に到達しやすくなり、結果として
電荷の帯電能、保持率が向上し、かつ残留電位が低下し
、良好な′イ、子写真特性が得られることになる。Ｐ形
にするためには周期律表第［Ｉａ族元素であるＢ、Ａｔ
、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｔなどを含むガスによりドーピング全
行えばよい。逆にＮ形にするためには周期律表第Ｖａ族
であるＮ、Ｐ、Ａｓなどを含むガスによりドーピングを
行う０ＰｆＳ厚Ｈ０，１〜３μｍ、好ましく’；−！０
．５〜２μｍが適当である。
あるため比抵抗を容易に下げることができる。また光照
射時に導電性基板側へ走行するキャリアの拡散長が伸び
、正孔が導電性基板側に到達しやすくなり、結果として
電荷の帯電能、保持率が向上し、かつ残留電位が低下し
、良好な′イ、子写真特性が得られることになる。Ｐ形
にするためには周期律表第［Ｉａ族元素であるＢ、Ａｔ
、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｔなどを含むガスによりドーピング全
行えばよい。逆にＮ形にするためには周期律表第Ｖａ族
であるＮ、Ｐ、Ａｓなどを含むガスによりドーピングを
行う０ＰｆＳ厚Ｈ０，１〜３μｍ、好ましく’；−！０
．５〜２μｍが適当である。
非晶質層４ｉ！ａ−８ｔからなり微結晶層３と整流性接
触（Ｐ Ｎ接合）を措成し、果面に空乏層領域が形成
されている。この空乏層領域に、不純物ドーピング量の
少ない非晶質層４の側に多く拡かり、このため非晶質層
内部の深い部分に到達する比較的長波長の光がこの空乏
層領域で吸収され、キャリアを発生させることになり、
その結果として、長波長の光に対しても感度を有するよ
うになり、電子写真感光体として高感度のものが得られ
ることになる０また非晶質層４は水素を１０原子チ以下
含有するが、このよりなａ−３ｉは通常のＳｉＨ４ガス
のみによる成膜で達成され、電気的特性は、暗抵抗がユ
ニ０１１Ω備明抵抗が１×１０６フオトン／ ｒｍ２・
ｓ ｅ ｃ 、６３３ｎｍの波長の光に対して＝１０６
Ωｃ７！と高抵抗でかつＳ／Ｎが１０４以上の良好なも
のが得られる０そして第２図に示す水素含有量と光学的
バンドギャップの関係かられかるように、水素含有Ｍが
多くなると光学的バンドギャップが大きくなり、長波長
の光、例えは７９０ ｎｍのレーザー元に対する感度が
悪くなる０これに対して不純物元素、例えばＧｅをドー
ピングする方法があるが、ＧｅＨ４ガスに高価であり、
さらにＧｅＨ４ガスとＳｉＨ４ガスの分解温度が異なる
ためＧ ｅ Ｈ４ガスが十分分解されないまま膜内にと
りこまれ電子写真特性の劣化が生じてしまう問題点があ
る・しかし水素含有量がｌＯ原子−以下のものは、光学
的バンドギャップが１．６５〜１．７０ｅＶであり通常
（１，７５ｅＶ）のものに比較してやや狭くなっており
長波長の光に対して高感度となる０さらに暗抵抗を上げ
帯電能を高めるために周期律表第１１１ａ族元素を少量
ドーピングすることで電子写真感光体として十分実用に
供することが可能となる０膜厚は５〜５０μｍ、好まし
くは１０〜４０μｍが適当である。
触（Ｐ Ｎ接合）を措成し、果面に空乏層領域が形成
されている。この空乏層領域に、不純物ドーピング量の
少ない非晶質層４の側に多く拡かり、このため非晶質層
内部の深い部分に到達する比較的長波長の光がこの空乏
層領域で吸収され、キャリアを発生させることになり、
その結果として、長波長の光に対しても感度を有するよ
うになり、電子写真感光体として高感度のものが得られ
ることになる０また非晶質層４は水素を１０原子チ以下
含有するが、このよりなａ−３ｉは通常のＳｉＨ４ガス
のみによる成膜で達成され、電気的特性は、暗抵抗がユ
ニ０１１Ω備明抵抗が１×１０６フオトン／ ｒｍ２・
ｓ ｅ ｃ 、６３３ｎｍの波長の光に対して＝１０６
Ωｃ７！と高抵抗でかつＳ／Ｎが１０４以上の良好なも
のが得られる０そして第２図に示す水素含有量と光学的
バンドギャップの関係かられかるように、水素含有Ｍが
多くなると光学的バンドギャップが大きくなり、長波長
の光、例えは７９０ ｎｍのレーザー元に対する感度が
悪くなる０これに対して不純物元素、例えばＧｅをドー
ピングする方法があるが、ＧｅＨ４ガスに高価であり、
さらにＧｅＨ４ガスとＳｉＨ４ガスの分解温度が異なる
ためＧ ｅ Ｈ４ガスが十分分解されないまま膜内にと
りこまれ電子写真特性の劣化が生じてしまう問題点があ
る・しかし水素含有量がｌＯ原子−以下のものは、光学
的バンドギャップが１．６５〜１．７０ｅＶであり通常
（１，７５ｅＶ）のものに比較してやや狭くなっており
長波長の光に対して高感度となる０さらに暗抵抗を上げ
帯電能を高めるために周期律表第１１１ａ族元素を少量
ドーピングすることで電子写真感光体として十分実用に
供することが可能となる０膜厚は５〜５０μｍ、好まし
くは１０〜４０μｍが適当である。
表面層５は、表面の安定化のために設けた比抵抗の高い
層であり炭化シリコンからなる０膜μｍが適当である。
層であり炭化シリコンからなる０膜μｍが適当である。
以上構成の電子写真感光体は第３図に示す電子写真感光
体成膜装置により成膜することができる〇 第３図に示すように、電子写真感光体成膜装置は、基台
６上に反応容器としての真空チェンバ７を気密可能に装
着し、基台６に接続するパイプ８ｔ−介して排気装置、
例えばメカニカルブースタポンプ９及びロータリーポン
プ１０により真空チェンバ７内を減圧、例えば １０
〜１０−’Ｔｏｒｒにするように構成される。真空チェ
ンバ７内の基台６には、ドラム保持装［１１がギヤ１２
を介して駆動装置１３により回転可能に立設されている
。ドラム保持装置１１に円筒形のドラム状導電性基板１
４を装着することができると共にヒータ１５を有してド
ラム状導電性基板１４ｔ−所定温度、例えば１５〜３０
０℃に加熱することができるように構成されろ。
体成膜装置により成膜することができる〇 第３図に示すように、電子写真感光体成膜装置は、基台
６上に反応容器としての真空チェンバ７を気密可能に装
着し、基台６に接続するパイプ８ｔ−介して排気装置、
例えばメカニカルブースタポンプ９及びロータリーポン
プ１０により真空チェンバ７内を減圧、例えば １０
〜１０−’Ｔｏｒｒにするように構成される。真空チェ
ンバ７内の基台６には、ドラム保持装［１１がギヤ１２
を介して駆動装置１３により回転可能に立設されている
。ドラム保持装置１１に円筒形のドラム状導電性基板１
４を装着することができると共にヒータ１５を有してド
ラム状導電性基板１４ｔ−所定温度、例えば１５〜３０
０℃に加熱することができるように構成されろ。
ドラム保持装置１１の周囲には、ガス導入部１６がこの
ドラム保持装置１１のまわりを取り囲むように配置され
る。ガス導入部１６のドラム保持装置１１に保持された
ドラム状導電性基板１４の外周面に対向する内周面は、
複数個のガス噴出孔１７を有すると共に電圧の印加によ
り放電を可能とする電極１８を兼ねている。ガス導入部
１６は、パイプを介して真空チェンバ７内に導くガスの
流量が調節されるように構成されている。
ドラム保持装置１１のまわりを取り囲むように配置され
る。ガス導入部１６のドラム保持装置１１に保持された
ドラム状導電性基板１４の外周面に対向する内周面は、
複数個のガス噴出孔１７を有すると共に電圧の印加によ
り放電を可能とする電極１８を兼ねている。ガス導入部
１６は、パイプを介して真空チェンバ７内に導くガスの
流量が調節されるように構成されている。
次に、第３図に示す電子写真感光体成膜装置を用いて、
本発明に係る電子写真感光体を成膜する方法を示す。
本発明に係る電子写真感光体を成膜する方法を示す。
まず、基台６より真空チェンバ７全開放して、ドラム保
持装置１１の細径部にドラム状導電性基板１４を装着し
た後、基台６に真空チェンバ７を気密に装着する。次い
でヒータ１５によりドラム状４に性基板１４ｔ−１５０
〜３００℃に加熱し、またロータリーポンプ１０により
真空チェンバ７内を約１０〜１０ Ｔｏｒｒに減圧
する。真空チェンバ７内の排気系を、ロータリーポンプ
１０からメカニカルブースタポンプ９に切り格えると同
時にバルブ１９を開いて、原料ガスを真空チェンバ７内
に導く。ここで原料ガスにシリコン原子を含むガス、例
えばＳ １Ｈ４Ｓｉｚｅｓ 、 ５ｉＴ−＜ｑのシリコ
ンを含むガスを用いる。この原料ガスは、ガス導入部１
６内を通りガス噴出孔１７よりドラム状導電性基板１４
に向って噴出する。噴出する混合ガスはメカニカルブー
スタポンプ９により真空チェンバ７外に排出される０そ
こで真空チェンバ７内の混合ガス圧力０．１〜ＩＴｏｒ
ｒ程度になるようにパルプ１９及びメカニカルブースタ
ボ／プ９金調節すると共に駆動装置１３にエリドラム保
持ｉｉ；（１１を回転させる。電極１８に周波数１３．
５６ＭＨｚの高周波電力を印加すると共に、ドラム状導
電性基板１４を接地することにより原料ガス中で放電を
行うと共に、原料ガスを供給することしてよりドラム状
導電性基析１４上に第１図に示すような微結晶層３、非
晶質層４、及び表面ｊ−１５が成層できる。
持装置１１の細径部にドラム状導電性基板１４を装着し
た後、基台６に真空チェンバ７を気密に装着する。次い
でヒータ１５によりドラム状４に性基板１４ｔ−１５０
〜３００℃に加熱し、またロータリーポンプ１０により
真空チェンバ７内を約１０〜１０ Ｔｏｒｒに減圧
する。真空チェンバ７内の排気系を、ロータリーポンプ
１０からメカニカルブースタポンプ９に切り格えると同
時にバルブ１９を開いて、原料ガスを真空チェンバ７内
に導く。ここで原料ガスにシリコン原子を含むガス、例
えばＳ １Ｈ４Ｓｉｚｅｓ 、 ５ｉＴ−＜ｑのシリコ
ンを含むガスを用いる。この原料ガスは、ガス導入部１
６内を通りガス噴出孔１７よりドラム状導電性基板１４
に向って噴出する。噴出する混合ガスはメカニカルブー
スタポンプ９により真空チェンバ７外に排出される０そ
こで真空チェンバ７内の混合ガス圧力０．１〜ＩＴｏｒ
ｒ程度になるようにパルプ１９及びメカニカルブースタ
ボ／プ９金調節すると共に駆動装置１３にエリドラム保
持ｉｉ；（１１を回転させる。電極１８に周波数１３．
５６ＭＨｚの高周波電力を印加すると共に、ドラム状導
電性基板１４を接地することにより原料ガス中で放電を
行うと共に、原料ガスを供給することしてよりドラム状
導電性基析１４上に第１図に示すような微結晶層３、非
晶質層４、及び表面ｊ−１５が成層できる。
またドーピングの方法（１、真空チェンバ７内にＳｔ原
子を含むガスを導入する際、同時にド−ピングしたい原
子を含むガスを導入するだけで以下に同じである０なお
、ａ−８ｔは周期律表第１ｎａ族、第Ｖａ族元素のドー
ピングにより、価電子制御が可能であり、この時、多量
のドーピングにより比抵抗は小さく、第１ＩＩａ族元素
の極少量のドーピングにより比抵抗は、やや大きくなる
。
子を含むガスを導入する際、同時にド−ピングしたい原
子を含むガスを導入するだけで以下に同じである０なお
、ａ−８ｔは周期律表第１ｎａ族、第Ｖａ族元素のドー
ピングにより、価電子制御が可能であり、この時、多量
のドーピングにより比抵抗は小さく、第１ＩＩａ族元素
の極少量のドーピングにより比抵抗は、やや大きくなる
。
次に第１図に示す電子写真感光体の各層の成膜条件を述
べる＠まず、十分に洗浄したのち乾燥させたＡ／、製の
ドラムを反応容器内に設置し、メカニカルブースタポン
プにより反応容器内がＩ Ｘ １０ ’Ｔｏｒｒの真
空度になるように排気する。これと同時にＡ／、製ドラ
ム加熱用ヒーターのｔｉｌｌＯＮにして設定温度１Ｆｒ
：３００℃にし加熱を行う。第１層の微結晶層３はＳｉ
Ｈ４ガスを流量３００ ＳＣＣＭでＢ２Ｈ６ガスをＳｉ
Ｈ４ガスに対する流量比（Ｂ２Ｈ６／ＳｉＨ＋）５Ｘ１
０−’で、ＣＨ４ガスをＳ ｉＨ４ガスに対する流量比
（ＣＨ４／５ｉＨ４） ２０ ’ｉｒで、Ａｒガスを流
量２００８ＣＣＭで、それぞれ導入し、反応圧力０．８
Ｔｏｒｒｓ印加電力２００Ｗで１０分開成膜を行うと、
膜厚１．５μｍで成膜される。次に印加電力をＯにし、
全てのガスの導入上止め、１５分間そのままの状態に保
ちその後、５ｆＨ４ガスを流量６００ＳＣＣＭでＢ２Ｈ
，ガスｔ−８ｉＨｔガスに対する流量比（Ｂ２Ｈｓ／５
ｔＨ４）Ｉ Ｘ １０ で、Ａｒガスを流量５００
ＳＣＣＭで、それぞれ導入し、反応圧力１，４Ｔｏｒｒ
ｓ印加電力４００Ｗで１．５時間成膜を行うと膜厚２２
μｍの第２屑の非晶質層４が成膜できる。次に印加電力
ｔ−Ｏにし、全てのガスの導入を止め、１５分間そのま
まの状態に保ち、その後ＳｉＨ４ガスを流量１００ Ｓ
ＣＣＭで、ＣＨ４ガスを流−！に４５０ ＳＣＣＭで、
それぞれ導入し、反応圧力０．６Ｔｏｒｒ、印加電力２
００Ｗで２０分間成膜を行うと、膜厚２μｍの第３層の
表面層５が成膜できる＠最後に加熱用ヒータを切り全て
のガスの導入を止め、２０分間そのままの状態に保ち、
さらにその後窒素ガスを反応容器内に導入し、成膜した
Ａｔ製ドラムの冷却を行い１００℃以下に温度が下がっ
たら窒素ガスの導入を止め、反応容器からＡｔＭドラム
を取り出す０以上の様にして第１図に示すような電子写
真感光体１の成膜が行われる。なお、ここで得られたサ
ーブル（サンプル−１とする）について非晶質層の水素
含有ｉｔ分析したところ３８．５チであった。
べる＠まず、十分に洗浄したのち乾燥させたＡ／、製の
ドラムを反応容器内に設置し、メカニカルブースタポン
プにより反応容器内がＩ Ｘ １０ ’Ｔｏｒｒの真
空度になるように排気する。これと同時にＡ／、製ドラ
ム加熱用ヒーターのｔｉｌｌＯＮにして設定温度１Ｆｒ
：３００℃にし加熱を行う。第１層の微結晶層３はＳｉ
Ｈ４ガスを流量３００ ＳＣＣＭでＢ２Ｈ６ガスをＳｉ
Ｈ４ガスに対する流量比（Ｂ２Ｈ６／ＳｉＨ＋）５Ｘ１
０−’で、ＣＨ４ガスをＳ ｉＨ４ガスに対する流量比
（ＣＨ４／５ｉＨ４） ２０ ’ｉｒで、Ａｒガスを流
量２００８ＣＣＭで、それぞれ導入し、反応圧力０．８
Ｔｏｒｒｓ印加電力２００Ｗで１０分開成膜を行うと、
膜厚１．５μｍで成膜される。次に印加電力をＯにし、
全てのガスの導入上止め、１５分間そのままの状態に保
ちその後、５ｆＨ４ガスを流量６００ＳＣＣＭでＢ２Ｈ
，ガスｔ−８ｉＨｔガスに対する流量比（Ｂ２Ｈｓ／５
ｔＨ４）Ｉ Ｘ １０ で、Ａｒガスを流量５００
ＳＣＣＭで、それぞれ導入し、反応圧力１，４Ｔｏｒｒ
ｓ印加電力４００Ｗで１．５時間成膜を行うと膜厚２２
μｍの第２屑の非晶質層４が成膜できる。次に印加電力
ｔ−Ｏにし、全てのガスの導入を止め、１５分間そのま
まの状態に保ち、その後ＳｉＨ４ガスを流量１００ Ｓ
ＣＣＭで、ＣＨ４ガスを流−！に４５０ ＳＣＣＭで、
それぞれ導入し、反応圧力０．６Ｔｏｒｒ、印加電力２
００Ｗで２０分間成膜を行うと、膜厚２μｍの第３層の
表面層５が成膜できる＠最後に加熱用ヒータを切り全て
のガスの導入を止め、２０分間そのままの状態に保ち、
さらにその後窒素ガスを反応容器内に導入し、成膜した
Ａｔ製ドラムの冷却を行い１００℃以下に温度が下がっ
たら窒素ガスの導入を止め、反応容器からＡｔＭドラム
を取り出す０以上の様にして第１図に示すような電子写
真感光体１の成膜が行われる。なお、ここで得られたサ
ーブル（サンプル−１とする）について非晶質層の水素
含有ｉｔ分析したところ３８．５チであった。
また、各層の膜厚以外の条件は上記の成膜条件と同様に
して成膜を行い、各層の膜厚の値を変えたものを第１表
に示す。ここでサンブルーフは微結晶層の代わりに、サ
ンプル−１と同一の成膜条件で得られる表面層の組成の
膜を形成したものである＠ 以下余白 このようにして得られた電子写真感光体の電子写真特性
を比較して示したのが第２表である。
して成膜を行い、各層の膜厚の値を変えたものを第１表
に示す。ここでサンブルーフは微結晶層の代わりに、サ
ンプル−１と同一の成膜条件で得られる表面層の組成の
膜を形成したものである＠ 以下余白 このようにして得られた電子写真感光体の電子写真特性
を比較して示したのが第２表である。
第２表
（画像 Ｏ良好 × 実用不可）
第２表から明らかなように、本発明による電子写真感光
体（サンプル−１〜サンプル−６）はサンブルーフと比
較して、帯電能（表面電位）、電荷保持能とも高く、か
つ残留電位は低く、さらに半減露光量が小さい、即ち高
感度であり良好な画像を得ることができる。
体（サンプル−１〜サンプル−６）はサンブルーフと比
較して、帯電能（表面電位）、電荷保持能とも高く、か
つ残留電位は低く、さらに半減露光量が小さい、即ち高
感度であり良好な画像を得ることができる。
以上説明したように、本発明によれば、帯電能、電荷保
持能が向上し、かつ高感度で良好な電子写真特性を得る
ことのできる電子写真感光体を提供することができる。
持能が向上し、かつ高感度で良好な電子写真特性を得る
ことのできる電子写真感光体を提供することができる。
第１図は、本発明の電子写真感光体を示す模式的構成図
、第２図は水素含有量と光学的ノ・ンドギャップの関係
を示す図、第３図に本発明の電子写真感光体を成膜する
ための成膜装置の概略構成図である０ １・・・電子写真感光体、２・・・導電性基板、３・・
・微結晶層、４・・・非晶質層 代理人弁Ｐ：・」、 則近憲佑（ほか１名）第 １
図
、第２図は水素含有量と光学的ノ・ンドギャップの関係
を示す図、第３図に本発明の電子写真感光体を成膜する
ための成膜装置の概略構成図である０ １・・・電子写真感光体、２・・・導電性基板、３・・
・微結晶層、４・・・非晶質層 代理人弁Ｐ：・」、 則近憲佑（ほか１名）第 １
図
Claims (4)
- （１）導電性基板上に、シリコン原子を含む微結晶層と
、この微結晶層と整流性接触を形成する、シリコン原子
を含む非晶質層とをこの順に設けたことを特徴とする電
子写真感光体。 - （２）前記微結晶層はＰ形であることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の電子写真感光体。 - （３）前記微結晶層はＮ形であることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の電子写真感光体。 - （４）前記非晶質層は水素を１０原子％以下含有するこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の電子写真感
光体。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59200653A JPH071395B2 (ja) | 1984-09-27 | 1984-09-27 | 電子写真感光体 |
| KR1019850006675A KR860002738A (ko) | 1984-09-27 | 1985-09-12 | 전자사진 감광체 |
| EP85112115A EP0176936A1 (en) | 1984-09-27 | 1985-09-25 | Electrophotographic photosensitive member |
| US07/017,874 US4769303A (en) | 1984-09-27 | 1987-02-24 | Electrophotographic photosensitive member |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59200653A JPH071395B2 (ja) | 1984-09-27 | 1984-09-27 | 電子写真感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6180160A true JPS6180160A (ja) | 1986-04-23 |
| JPH071395B2 JPH071395B2 (ja) | 1995-01-11 |
Family
ID=16427980
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59200653A Expired - Lifetime JPH071395B2 (ja) | 1984-09-27 | 1984-09-27 | 電子写真感光体 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4769303A (ja) |
| EP (1) | EP0176936A1 (ja) |
| JP (1) | JPH071395B2 (ja) |
| KR (1) | KR860002738A (ja) |
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| US4394426A (en) * | 1980-09-25 | 1983-07-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoconductive member with α-Si(N) barrier layer |
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| US4523214A (en) * | 1981-07-03 | 1985-06-11 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Solid state image pickup device utilizing microcrystalline and amorphous silicon |
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| US4582773A (en) * | 1985-05-02 | 1986-04-15 | Energy Conversion Devices, Inc. | Electrophotographic photoreceptor and method for the fabrication thereof |
-
1984
- 1984-09-27 JP JP59200653A patent/JPH071395B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1985
- 1985-09-12 KR KR1019850006675A patent/KR860002738A/ko not_active IP Right Cessation
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-
1987
- 1987-02-24 US US07/017,874 patent/US4769303A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4769303A (en) | 1988-09-06 |
| EP0176936A1 (en) | 1986-04-09 |
| KR860002738A (ko) | 1986-04-28 |
| JPH071395B2 (ja) | 1995-01-11 |
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