JPS62115460A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、帯電特性、光感度特性及び耐環境性等が優
れた電子写真感光体に関する。

［従来技術とその問題点］ 従来、電子写真感光体の光導電層を形成する材料として
、ＣｄＳ、ＺｎＯ，Ｓｅ、５ｅ−Ｔｅ若しくはアモルフ
ァスシリコン等の無機材料又はポリ−Ｎ−ビニルカルバ
ゾール（ＰＶＣｚ）若しくはトリニトロフルオレン（Ｔ
ＮＦ）等の有機材料が使用されている。しかしながら、
これらの従来の光導電性材料においては、光導電特性上
、又は製造上、種々の問題点があり、感光体システムの
特性をある程度犠牲にして使用目的に応じてこれらの材
料を使い分けている。

例えば、Ｓｅ及びＣｄＳは、人体に対して有害な材料で
あり、その製造に際しては、安全対策上、特別の配慮が
必要である。従って、製造装置が複雑となるため製造コ
ストが高いと共に、特に、Ｓｅは回収する必要があるた
め回収コストが付加されるという問題点がある。また、
Ｓｅ又は５ｅ−Ｔｅ系においては、結晶化温度が６５℃
と低いため、複写を繰り返している間に、残雪等により
光導電特性上の問題が生じ、このため、寿命が短いので
実用性が低い。

更に、ＺｎＯは、酸化還元が生じやすく、環境雰囲気の
影響を著しく受けるため、使用上、信頼性が低いという
問題点がある。

更にまた、ＰＶＣｚ及びＴＮＦ等の有機光導電性材料は
、発癌性物質である疑いが持たれており、人体の健康上
問題があるのに加え、有機材料は熱安定性及び耐摩耗性
が低く、寿命が短いという欠点がある。

一方、アモルファスシリコン（以下、ａ−５：と略す）
は、近時、゛光導電変換材料として注目されており、太
陽電池、薄膜トランジスタ及びイメージセンサへの応用
が活発になされている。このａ−８ｉの応用の一環とし
て、ａ−３ｉを電子写真感光体の光導電性材料として使
用する試みがなされており、ａ−８ｉを使用した感光体
は、無公害の材料であるから回収処理の必要がないこと
、他の材料に比して可視光領域で高い分光感度を有する
こと、表面硬度が高く耐摩耗性及び耐衝撃性が優れてい
ること等の利点を有する。

このａ−８ｉは、カールソン方式に基づく感光体として
検討が進められているが、この場合に、感光体特性とし
て抵抗及び光感度が高いことが要求される、しかしなが
ら、この両特性を単一層の感光体で満足させることが困
難であるため、光導電層と導電性支持体との間にブロッ
キング層を設け、光導電層上に表面電荷保持層を設けた
積層型の構造にすることにより、このような要求を満足
させている。

ところで、ａ−８ｉは、通常、シラン系ガスを使用した
グロー放電分解法により形成されるが、この際に、ａ−
３ｉ膜中に水素が取り込まれ、水素最の差により電気的
及び光学的特性が大きく変動する。即ち、ａ−５ｉ膜に
侵入する水素の量が多くなると、光学的バンドギャップ
が大きくなり、ａ−５ｉの抵抗が高くなるが、それにと
もない、長波長光に対する光感度が低下してしまうので
、例えば、半導体レーザを搭載したレーザビームプリン
タに使用することが困難である。また、ａ−８ｉｌＪ中
の水素の含有量が多い場合は、成膜条件によって、（Ｓ
：Ｈ２）ｎ及びＳｉＨ２等の結合構造を有するものが膜
中で大部分の領域を占める場合がある。そうすると、ボ
イドが増加し、シリコンダングリングボンドが増加する
ため、光導電特性が劣化し、電子写真感光体として使用
不能になる。逆に、ａ−８ｉ中に侵入する水素の量が低
下すると、光学的バンドギャップが小さくなり、その抵
抗が小さくなるが、長波長光に対する光感度が増加する
。しかし、水素含有量が少ないと、シリコンダングリン
グボンドと結合してこれを減少させるべき水素が少なく
なる。このため、発生するキャリアの移動度が低下し、
寿命が短くなると共に、光導電特性が劣化してしまい、
電子写真感光体として使用し難いものとなる。

尚、長波長光に対する感度を高める技術として、シラン
系ガスとゲルマンＧ１３Ｈ４とを混合し、グロー放電分
解することにより、光学的バンドギャップが狭い膜を生
成するものがあるが、一般に、シラン系ガスとＧｅＨ４
とでは、最適基板温度が異なるため、生成した膜は構造
欠陥が多く、良好な光導電特性を得ることができない。

また、Ｇｅｔ−Ｉ４の廃ガスは酸化されると有毒ガスと
なるので、廃ガス処理も複雑である。従って、このよう
な技術は実用性がない。

この発明は、かかる事情に鑑みてなされたちのであって
、帯電能が優れており、残留電位が低く、広い波長領域
に亘って感度が高く、耐環境性が優れた電子写真感光体
を提供することを目的とする。

［問題点を解決するための手段］ この発明に係る電子写真感光体は、導電性支持体と、こ
の導電性支持体上に形成された光導電層と、を有する電
子写真感光体において、前記光導電層は、前記導電性支
持体に接する第１のアモルファスシリコン層と、第２の
アモルファスシリコン層と、前記第１及び第２のアモル
ファスシリコン層の間に挟まれたマイクロクリスタリン
シリコン層とを備え、前記第１及び第２のアモルファス
シリコン層の少なくともどちらか一方の層には、炭素、
窒素及び酸素から選択された少なくとも一種の原子が層
厚方向に不均一な濃度分布を形成していることを特徴と
する。

この発明の電子写真感光体は、前述の従来技術の欠点を
解消し、優れた光導電特性（ｉ！子写真特性）と耐環境
性とを兼備えた電子写真感光体を開発すべく本願発明者
等が種々実験研究を重ねた結果、光導Ｎ層の一部又は全
部が、種としてマイクロクリスタリンから成るか、又は
アモルファスシリコンとマイクロクリスタリンシリコン
との積層体とすることにより、この目的を達成すること
ができることに想到して、この発明を完成させたもので
ある。

以下、この発明について具体的に説明する。

この発明には、アモルファスシリコン（以下ａ−８ｉと
する）又はマイクロクリスタリンシリコン（以下μＣ−
８ｉとする）が使用される。

μＣ−８ｉは、以下のような物性上の特徴により、ａ−
３ｉ及びポリクリスタリンシリコン（多ＦＭ晶シリコン
）から明確に区別される。即ち、Ｘ線回折測定において
は、ａ−３ｉは、無定形であるため、ハローのみが現れ
、回折パターンを認めることができないが、μＣ−３ｉ
は、２θが２７乃至２８．５’付近にある結晶回折パタ
ーンを示す。

また、ポリクリスタリンシリコンは暗抵抗が１０”Ω・
ｃｌであるのに対し、μＣ−８ｉは１０’Ω・α以上の
暗抵抗を有する。このμＣ−Ｓ　＋は粒径が約数十オン
グストローム以上である微結晶が集合して形成されてい
る。

このようなμＣ−８ｉ層は、ａ−８ｉと同様に、高周波
グロー放電分解法により、シランガスを原料として、導
電性支持体上にμＣ−８ｉを堆積させることにより製造
することができる。この場合に、支持体の温度をａ−３
ｉを形成する場合よりも高く設定し、高周波電力もａ−
８ｉの場合よりも高く設定すると、μＣ−８ｉを形成し
やすくなる。また、支持体温度及び高周波電力を高くす
ることにより、シランガスなどの原料ガスの流量を増大
させることができ、その結果、成膜速度を早くすること
ができる。また、原料ガスのＳ　Ｉ　Ｈ４及び５ｉ２ｅ
ｓ等の高次のシランガスを水素で希釈したガスを使用す
ることにより、μＣ−８ｉを一層高効率で形成すること
ができる。

第１図は、この発明に係る電子写真感光体を製造する装
置を示す図である。ガスボンベ１．２゜３．４には、例
えば、夫々Ｓｉ　Ｈ４、Ｂ２　Ｈ６。

Ｈ２、ＣＨ４等の原料ガスが収容されている。これらの
ガスボンベ１．２．３．４内のガスは、流量調整用のバ
ルブ６及び配管７を介して混合器８に供給されるように
なっている。各ボンベには、圧力計５が設置されており
、この圧力計５を監視しつつ、バルブ６を調整すること
により、混合器８に供給する各原料ガスの流量及び混合
比を調節することができる。混合器８にて混合されたガ
スは反応容器９に供給される。反応容器９の底部１１に
は、回転軸１０が鉛直方向の回りに回転可能に取りつけ
られており、この回転軸１０の上端に、円板状の支持台
１２がその面を回転軸１０に垂直にして固定されている
。反応容器９内には、円筒状の電極１３がその軸中心を
回転軸１０の軸中心と一致させて底部１１上に設置され
ている。

感光体のドラム基体１４が支持台１２上にその軸中心を
回転軸１０の軸中心と一致させてｌｌ！置されており、
このドラム基体１４の内側には、ドラム基体加熱用のヒ
ータ１５が配設されている。電１仮１３とドラム基体１
４との間には、高周波電源１６が接続されており、電橋
１３及びドラム基体１４間に高周波電流が供給されるよ
うになっている。回転軸１０はモータ１８により回転駆
動される。反応容器９内の圧力は、圧力計１７により監
視され、反応容器９は、ゲートバルブ１８を介して真空
ポンプ等の適宜の排気手段に連結されている。

このように構成されるｉ置により感光体を製造する場合
には、反応容器９内にドラム基体１４を設置した後、ゲ
ートバルブ１９を開にして反応容器９内を約０．１トル
（Ｔｏｒｒ）の圧力以下に排気する。次いで、ボンベ１
．２．３．４から所要の反応ガスを所定の混合比で混合
して反応容器９内に導入する。この場合に、反応容器９
内に導入するガス流量は、反応容器９内の圧力が０．１
乃至１トルになるように設定する。次いで、モータ１８
を作動させてドラム基体１４を回転させ、ヒータ１５に
よりドラム基体１４を一定温度に加熱すると共に、高周
波電！［１６によりＩｆｔｆ！１３とドラム基体１４と
の間に高周波電流を供給して、両者間にグローＭ電を形
成する。これにより、ドラム基体１４上にμＣ−Ｓ　＋
が堆積する。なお、［Ｆｌガス中にＮ２０．Ｎ）（３、
ＮＯ２、Ｎ２　。

ＣＨ４、Ｃ２Ｈ４，０２ガス等を使用することにより、
これらの原子をμＣ−８ｉ中に含有させることができる
。

このように、この発明に係る電子写真感光体は従来のａ
−３ｉを使用したものと同様に、クローズドシステムの
製造装置で製造することができるため、人体に対して安
全である。また、この電子写真感光体は、耐熱性、耐湿
性及び耐摩耗性が優れているため、長期に亘り繰り返し
使用しても劣化が少なく、寿命が長いという利点がある
。さらに、ＧｅＨ＋等の長波長増感用ガスが不要である
ので、廃ガス処理設備を設ける必要がなく、工業的生産
性が著しく＾い。

μＣ−８ｔには、水素を０．１乃至３０原子％含有させ
ることが好ましい。これにより、暗抵抗と明抵抗とが調
和のとれたものになり、光導電特性が向上する。μＣ−
８ｉの光学的エネルギギャップＥａは、ａ−８ｉの光学
的エネルギギャップＥａ　（１，６５乃至１．７０ｅＶ
）に比較して小さい。つまり、μｃ−ｓ　ｉの光学的エ
ネルギギャップは、μｃ−ｓ　ｒ微結晶の結晶粒径及び
結晶化度により変化し、結晶粒径及び結晶化度の増加に
より、その光学的エネルギギャップが低下して、結晶シ
リコンの光学的エネルギギャップ１．１ｅｖに近づく。

ところで、μＣ−８ｉ！！及びａ−８ｉ層は、この光学
的エネルギギャップよりも大きなエネルギの光を吸収し
、小さなエネルギの光は透過する。このため、ａ−８ｉ
は可視光エネルギしか吸収しないが、ａ−８ｉより光学
的エネルギギャップが小さなμｃ−ｓ　ｉは、可視光よ
り長波長であってエネルギが小さな近赤外光までも吸収
することができる。従って、μＣ−８ｉは広い波長領域
に亘って高い光感度を有する。

このような特性を有するμＣ−８ｉは、半導体レーザを
光源に使用したレーザプリンタ用の感光体材料として好
適である。ａ−３ｉをレーザプリンタ用の感光体に使用
すると、半導体レーザの光波長が７９０ｎｍとａ−３ｉ
が高感度である波長領域より長いため、感光体感度が不
十分になり、このため、半導体レーザの能力以上のレー
ザ強度を感光体に印加する必要があって、実用上問題が
ある。一方、μｃ−ｓ　ｒで感光体を形成した場合には
、その高感度領域が近赤外ｉＪ域にまでのびているので
、光感度特性が極めて優れた半導体レーザプリンタ用の
感光体を得ることができる。

このような優れた光感度特性を有する μｃ−ｓ　ｒの光導電特性を一層向上させるために、μ
ｃ−ｓ　ｒに水素を含有させることが好ましい。

ｆｌｃ−８ｉ！への水素のドーピングは、例えば、グロ
ー放電分解法による場合は、Ｓｉ！−１＋及び５ｉ２Ｈ
！ｉ等のシラン系の原料ガスと、水素等のキャリアガス
とを反応容器内に導入してグロー放電させるか、Ｓ　ｉ
　Ｆ４及び５ｉＣＩ４等のハロゲン化ケイ素と、水素ガ
スとの混合ガスを使用してもよいし、また、シラン系ガ
スと、ハロゲン化ケイ素との混合ガスで反応させてもよ
い。更に、グロー放電分解法によらず、スパッタリング
等の物理的な方法によってもμｃ−ｓ　ｉ層を形成する
ことができる。なお、μＣ−８ｔを含む光導電層は、光
導電特性上、１乃至８０Ｌ１ｍの膜厚を有することが好
ましく、更に膜厚を５乃至５０μｍにすることが望まし
い。

光導電層は、実質的に全ての領域をμＣ−８ｉで形成し
てもよいし、ａ−８ｉとμＣ−８ｉとの混合体又は積層
体で形成してもよい。帯電能は、積層体の方が高く、光
感度は、その体積比にもよるが、赤外領域の長波長領域
では混合体の方が高く、可視光領域では両者はほとんど
同一である。

このため、感光体の用途により、実質的に全ての領域を
μｃ−ｓ　ｒにするか、又は混合体若しくは積層体で構
成すればよい。

μｃ−ｓ　ｉに、窒素Ｎ、炭素Ｃ及び酸素０から選択さ
れた少なくとも１種の原子をドーピングすることが好ま
しい。これにより、μＣ−８ｉの暗抵抗を高くして光導
電特性を高めることができる。

これらの原子はμｃ−ｓ　ｒの粒界に析出し、またシリ
コンダングリングボンドのターミネータとして作用して
、バンド間の禁制布中に存在する状態密度を減少させ、
これにより、暗抵抗が高くなると考えられる。

導電性支持体と光導電層との間に、ブロッキング層を配
設することが好ましい。このブロッキング層は、導電性
支持体と、光導電層との間の電荷の流れを抑制すること
により、光導電性部材の表面における電荷の保持機能を
高め、光導電性部材の帯電能を高める。カールソン方式
においては、感光体表面に正帯電させる場合には、支持
体側から光導電層へ電子が注入されることを防止するた
めに、ブロッキング層をｐ型にする。一方、感光体表面
に負帯電させる場合には、支持体側から光導電層へ正孔
が注入されることを防止するために、ブロッキング層を
ｎ型にする。また、ブロッキング層として、絶縁性の膜
を支持体の上に形成することも可能である。ブロッキン
グ層はμＣ−８＋を使用して形成してもよいし、ａ−３
ｔを使用してブロッキング層を構成することも可能であ
る。

μＣ−８ｉ及びａ−３ｉをｐ型にするためには、周期律
表の第■族に属する原子、例えば、ホウ素Ｂ、アルミニ
ウムＡＩ、ガリウム（３８、インジウムｌｎ、及びタリ
ウムＴ１等をドーピングすることが好ましく、μＣ−８
ｉ層をｎ型にするためには、周期律表の第Ｖ族に属する
原子、例えば、窒素Ｎ、リンＰ、ヒ素Ａｓ、アンチモン
Ｓｂ、及びビスマスＢｉ等をドーピングすることが好ま
しい。

このｎ型不純物又はｎ型不純物のドーピングにより、支
持体側から光導Ｎｍへ電荷が移動することが防止される
。

光導Ｉ１１の上に表面層を設けることが好ましい。

光導電層のμＣ−８ｉは、その屈折率が３乃至４と比較
的大きいため、表面での光反射が起きやすい。このよう
な光反射が生じると、光導電層に吸収される光量の割合
いが低下し、光損失が大きくなる。このため、表面層を
設けて反射を防止することが好ましい。また、表面層を
設けることにより、光導電層が損潴から保護される。さ
らに、表面層を形成することにより、帯電能が向上し、
表面に電荷がよくのるようになる。表面層を形成する材
料としては、Ｓｉ３Ｎ４．５ｉ０２．３ｉＣ１ＡＩ２０
３　　、ａ−８ｉＮ：Ｈ，ａ−３ｉＯ：Ｈｌ及びａ−８
ｉＣ：Ｈ等の無機化合物及びポリ塩化ビニル及びポリア
ミド等の有磯材料がある。

電子写真感光体に適用される光導電性部材としては、上
述のごとく、支持体上にブロッキング層を形成し、この
ブロッキング１上に光導電層を形成し、この光導電層の
上に表面層を形成したものに限らず、支持体の上に電荷
移動Ｉ（ＣＴＬ）を形成し、電荷移動層の上に電荷発生
層（ＣＧＬ）を形成した機能分離型の形態に構成するこ
ともできる。この場合に、電荷移動層と、支持体との間
に、ブロッキング層を設けてもよい。電荷発生層は、光
の照射によりキャリアを発生する。この電荷発生層は、
層の一部又は全部がμＣ−８ｉ又はａ−８ｉでできてお
り、その厚さは０，１乃至１０μｍにすることが好まし
い、、電荷移ａ層は電荷発生層で発生したキャリアを高
効率で支持体側に到達させる層であり、このため、キャ
リアの寿命が長く、移ｉ度が大きく輸送性が高いことが
必要である。電荷移動層はａ−３ｉで形成することがで
きる。暗抵抗を高めて帯電能を向上させるために、周期
律表の第■族又は第Ｖ族のいずれか一方に属する原子を
ライトドーピングすることが好ましい。また、帯電能を
一層向上させ、電荷移動層と電荷発生層との両機能を持
たせるために、Ｃ２Ｎ、Ｏの原子のうち、いずれか１種
以上を含有させてもよい。電荷移動層は、その膜厚が薄
過ぎる場合及び厚過ぎる場合はその機能を充分に発揮し
ない。このため、電荷移動層の厚さは３乃至８０μｍで
あることが好ましい。

ブロッキング層を設けることにより、電荷移動層と電荷
発生層とを有する機能分離型の感光体においても、その
電荷保持機能を高め、帯電能を向上させることができる
。なお、ブロッキング層をｎ型にするか、又はｎ型にす
るかは、その帯電特性に応じて決定される。このブロッ
キング層は、ａ−８ｉで形成してもよく、またμｃ−ｓ
　ｒで形成してもよい。

この出願に係る発明の特徴は、光導電層が、前記導電性
支持体に接する第１のアモルファスシリコン層と、第２
のアモルファスシリコン層と、前記第１及び第２のアモ
ルファスシリコン層の間に挟まれたマイクロクリスタリ
ンシリコン層とを備え、前記第１及び第２のアモルファ
スシリコン層の少なくともどちらか一方の層には、炭素
、窒素及び酸素から選択された少なくとも一種の原子が
層厚方向に不均一な濃度分布を形成していることにある
。

［実施例コ 次に、第２を参照してこの発明を具体化した電子写真感
光体の層の構成について説明する。

第２図に示す電子写真感光体において、アルミニウム製
導電性支持体１０１の上には、光導電層１０３が積層さ
れている。光導電層１０３には、第１のａ−８ｉ層１０
５と、μｃ−８ｉ層１０４と、第２のａ−３ｉ層１０６
とが積層され、この第２のａ−８ｉｌ１０６には、Ｃ，
Ｏ，Ｎの原子の少なくとも１つ以上の原子が含有されて
いる。

更に、この第２のａ−８ｉｌｉ１０６に含有されている
、Ｃ，Ｏ，Ｎの原子の少なくとも１つ以上の原子は層厚
み方向であって、支持体側が薄くなるように不均一な濃
度分布が形成されている。

この発明の電子写真感光体によれば、光導電層１０３に
は支持体１０１から順次光導電性の第１のａ−ｓ　；５
１ｏ５、μｃ−ｓ　ｒ層１０４、そして第２ａ−３ｉ層
１０６の順序で８１Ｉ層している。

このような電子写真感光体の構成によれば、電子写真感
光体に可視光付近の光が照射された場合は、主に第２の
ａ−ｓ　１Ｗａ１ｏ６が吸収し、ここで吸収しきれない
光をマイクロクリスタリンシリコンμＣ−８ｉ層１０４
が吸収する。また、近赤外線付近の波長の光が照射され
た場合には、第２のａ−８ｉ層１０６は数十％しか吸収
せず、その残り全てをμＣ−８ｉ層１０４が吸収するこ
とができる。

ａ−３ｉのみを光導電層として用いた場合には、可視光
付近の感度が高く、通常レーザプリンタに用いられる近
い赤外線付近の波長の光に対して光感度が急激に落ちる
ので、画像のカブリ、ツブシ、カブリ、！１衝縞による
画像の濃度分布ムラ等画像欠陥が生じるという不都合が
ある。しかし、本願の電子写真感光体によれば、上述し
たように、第１及び第２のａ−ｓ　ｉｌ　０５及び１０
６の間にμＣ−３ｉ　ｆｉｌ　０４を備えているから、
広い範囲の波長の光を吸収することができ、その結果鮮
明な画像を得ることができる。

電子写真感光体が帯電された場合には、第２のａ−３ｉ
層１０６は、その自由表面側に電荷を保持し、次に、光
が照射された場合には、第１のａ−３ｉ層１０５とμｃ
−３ｉ１１０４とに光キャリヤが発生する。発生した光
キャリヤは瞬時に輸送され第２のアモルファスシリコン
層１０６の自由表面側に保持されている電荷を中和する
。この場合、光導電層が第１のａ−３ｉ層１０５とμＣ
−８ｉ層１０４とを含有しているから、帯電能が向上し
、且つ高いコントラストを得ることができる。

第２のａ−３ｉ層１０６には、Ｃ，０，Ｎの原子の少な
くとも１つの原子が含有されているが、この含有物の濃
度分布は層圧方向に不均一に形成されている。この場合
、層の剥がれまたはクラックの発生が防止でき、更に、
キャリヤのトラップが防止されるから、画像のぼけ又は
流れを防止できる。もし、含有物の濃度分布が層圧方向
に一定であると、この層に光学的禁止帯幅の比較的大き
い層を形成する場合、成膜後、これらの２層間の密着性
が悪いという問題がある。その結果、２層間の密着性が
悪く剥がれあるいはクラックが生じる。又は、２層の特
質が相違するためこれらの層間にキャリヤがトラップさ
れ、画像がボケたり流れたりする。

この発明によれば、可視光から近赤外線までの波長の光
に対して高い感度であるため、長波長光に対して高感度
であり、レーザプリンタ用の感光体として使用すること
ができ、更に高い解像度及び高いコストで帯電能が優れ
た感光体を提供することができる。

次に、この発明の実施例について説明する。

夫１」」− 導電性基板としてのＡ１製ドラム（直径８０ｍｍ、長さ
３５０ｍｍ）をトリクレンで脱脂し、洗浄し乾燥させた
後、反応容器内に装填した。このドラムは、必要に応じ
てその表面が酸処理、アルカリ処理又はサンドブラスト
処理され、その干渉防止が図られる。ドラム基体１０１
を加熱し、約３００℃に保持する。次いで、ＳｉＨ＋ガ
ス流量に対する流量比が５Ｘ１０４の８２　Ｈｓガス、
２０％のＣＨ４ガス、７０％のＨ２ガスを混合して反応
容器に供給した。その後、メカニカルブースタポンプ及
びａ〜タリボンプにより反応容器内を排気し、反応圧力
を０．５７ｏｒ　（トル）に調整した。モータ１８によ
り基体１４を回転させながら、電極に２５０Ｗ（ワット
）の高周波電力を印加して、電極とドラム基体との間に
、ＳｉＨ４゜Ｂ２　Ｈｓ及びＣＨ４のプラズマを生起さ
せ（グロー放ｔｓ）成膜した。成膜中に、Ｂ２　Ｈａ及
びＣｌ−１４ガスの流ｍを徐々に絞り、最終的にＣＨ４
ガス１％、８２　Ｈ６ガス１０−＠に下げた。この条件
下で、約１５分間成膜を続け、支持体１０１上に、膜厚
２μｍの第１のａ−３ｉ層１０５を形成した。

第１のａ−３ｉ層１０５の成膜終了後、Ｓｉｎ＋ガス流
量に対してＨ２ガスを７００％の比で供給し、反応圧力
を０．５トル、高周波電力２５０Ｗ（ワット）で６時間
成膜を続け、Ｉｌｌ厚１４μｍ、結晶粒径３５人、結晶
化度６０％のμＣ−８ｉ層１０４を形成した。

次に、ＳｉＨ＋ガス流最に対してＣＨ４ガスを１％、Ｈ
２ガスを１００％の流量比で供給し、反応圧力が０．５
トル、１５０Ｗの高周波電力を印加して、放電を開始し
た。成膜中、ＣＨ４の供給」を次第に増し続け、ＣＨ４
ガスの流量を５００％にまで増し、３０分間成膜した。

このようにして、３μｍの第２のａ−８ｉ層１０６を形
成した。

以上のように形成した感光体に６．０ＫＶ　（キロボル
ト）の電圧を印加したところ、表面電位は４００Ｖ、１
５秒の保持率は６０％であった。

更に、第３図のグラフに示すように、この実施例による
感光体の波長に対する光感度を測定した。

この第３図は、横軸に光の波長（ｎｍ）　、縦軸に感度
（ｃｍ／ｅｒＱ）を取り、多光の波長における感度を測
定した。このグラフにおいて、実線は実施例１の測定結
果、破断線は従来の感光体１による測定結果を示す。こ
めグラフから明らかなように、この実施例１によれば、
従来に比較して、約７００乃至８００ｎｍの長波長領域
の光について良好な感度を得ることができた。

次に、各感光体をレーザプリンタに装着し、このレーザ
プリンタにより画像を形成し、この画像を比較した。こ
の場合、実施例１では高い解像度且つ高いコントラスト
の鮮明な画像が得られた。

実施例１において、ａ−３ｉ層１０６を形成する場合に
、５ｉｆ−１＋ガス流量に対するＣＨ４ガスの流暢比を
様々に変化させて第２のａ−８ｉ層１０６を形成した。

その地の点については実施例１と同じ条件で成膜し、炭
素Ｃの添加濃度をその層厚方向に濃度分布を形成した。

この場合の第２のａ−８１Ｊｉｌ　０６におＩｔ　ルＪ
ｉ厚と、ｓ　ｒ　Ｈ４カス流」に対するＣＨ４ガスの流
量比との関係を第４乃至第１２図に示す。第４乃至第１
２図において、横軸には０％０１Ｎの原子内すくなくと
もいずれか１つを含むガスの流量比、縦軸に層の厚みを
示している。これらのブラフのいずれの場合においても
、それぞれのガスに含まれている原子の濃度は層の厚み
方向に不均一に形成されている。

この実施例２の場合、実施＠１と同様の効果を得ること
ができた。

Ｆ発明の効果１ この発明によれば、高抵抗で帯電特性が優れており、ま
た可視光及び近赤外光Ｉｊ域において高光

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明に係る電子写真感光体の製造装置を示
す図、第２図はこの発明の実施例に係る電子写真感光体
を示す断面図、第３図は光の波長と感度との関係を示す
グラフ図、第４乃至第１２図は層を形成する場合の層厚
とＣ，Ｏ，Ｎのガス流量との関係を示すブラフ図である
。 １．２．３．４；ボンベ、５；圧力計、６；バルブ、７
；配管、８：混合器、９；反応容器、１０；回転軸、１
３；電極、１４ニドラム基体、１５；ヒータ、１６：高
周波電源、１９：ブートバルブ、１０１；支持体、１０
３；光導電層。 出願人代理人　弁理士　鈴江武彦 ｄ 第１図 刀゛スヨ巳ｌ 第４図 第７図 第１０図 第５図　　第６図 第８図　　第９図 第１１図　　第１２図 １、事件の表示 特願昭６０−２５６０６６号 ２、発明の名称 電子写真感光体 ３、補正をする者 事件との関係特許出願人 ４、代理人 ５、自発補正 ７、補正の内容 （１）特許請求の範囲を別紙のとおり訂正する。 （２）明細書中、第２頁第３行目に、「低く」とあるの
を「高く」に訂正する。 （３）　　明細書中、ｖ４８頁第１行目に、１種」とあ
るのを「主」に訂正する。 （４）　　明細書中、第２２頁第１行目１ｃ、ｒ緩衝線
」とあるのを「干渉縞」に訂正する。 （５）明細書中、第２３頁第１行目、第２３頁第５行目
に、それぞれ「層圧」とあるのを「層厚」に訂正する。 （６）明畑書中、第２８頁第１行目に、「ブラフ」とあ
るのを「グラフ」に訂正する。 ２、特許請求の範囲 （Ｌ）導電性支持体と、この導電性支持体上に形成され
た光導′：４．屑と、を有する電子写真感光体にかいて
、前記光導電層は、前記導電性支持体に接する第１のア
モルファスシリコン層ト、　第ｚのアモルファスシリコ
ン層と、前記第１及び第２のアモルファスシリコン層の
間に挾まれたマイクロクリスタリンシリコン層とを備え
、前記第１及び第２のアモルファスシリコン層の少なく
ともどちらか一方の層には、炭素、窒素及び酸素から選
択された少なくとも一種の原子を含有し、その濃度分布
が層厚方向に不均一に変化していることを特徴とする電
子写真感光体。 （２）前記第１のアモルファスシリコン層には１周期律
表第■族及び第Ｖ族から選択された少なくとも一種の原
子が含まれていることを特徴とする特許請求の範囲第１
項に記載の電子写真感光体。 （３）前記周期律表の第■族又は第Ｖ族に属する原子か
ら選択された少なくとも一種の原子の濃度分布ｉｄ　、
導電性支持体側の濃度が高く形成されていることを特徴
とする特許請求の範囲第１項又は第２項に記載の電子写
真感光体。 （４）前記第２のアモルファスシリコン層は。 炭素、窒素及び酸素から選択された少なくとも一種の原
子を含有し、導電性支持体側の濃度が低くなるように層
厚方向に不均一に分布をしていることを特徴とする特許
請求の範囲′＄１項乃至第３項のいずれか一項に記載の
電子写真感光体。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）導電性支持体と、この導電性支持体上に形成され
   た光導電層と、を有する電子写真感光体において、前記
   光導電層は、前記導電性支持体に接する第１のアモルフ
   ァスシリコン層と、第２のアモルファスシリコン層と、
   前記第１及び第２のアモルファスシリコン層の間に挟ま
   れたマイクロクリスタリンシリコン層とを備え、前記第
   １及び第２のアモルファスシリコン層の少なくともどち
   らか一方の層には、炭素、窒素及び酸素から選択された
   少なくとも一種の原子を含有し、その濃度分布が層厚方
   向に不均一に変化していることを特徴とする電子写真感
   光体。
2. （２）前記第１のアモルファスシリコン層には、周期律
   表第III族及び第IV族から選択された少なくとも一種の
   原子が含まれていることを特徴とする特許請求の範囲第
   １項に記載の電子写真感光体。
3. （３）前記周期律表の第III族又は第Ｖ族に属する原子
   から選択された少なくとも一種の原子の濃度分布は、導
   電性支持体側の濃度が低く形成されていることを特徴と
   する特許請求の範囲第１項又は第２項に記載の電子写真
   感光体。
4. （４）前記第２のアモルファスシリコン層は、炭素、窒
   素及び酸素から選択された少なくとも一種の原子を含有
   し、導電性支持体側の濃度が低くなるように層厚方向に
   不均一に分布をしていることを特徴とする特許請求の範
   囲第１項乃至第３項のいずれか一項に記載の電子写真感
   光体。