JPS6221158A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の技術分野］ この発明は、帯電特性、光感度特性及び耐環境性等が優
れた電子写真感光体に関する。

［発明の技術的背景とその問題点コ 従来、電子写真感光体の光導電層を形成する材料として
、ＣｄＳ、ＺｎＯ，Ｓｅ、３ｅ−Ｔｅ若。

しくはアモルファスシリコン等の無機材料又はポリ−Ｎ
−ビニルカルバゾール（ＰＶＣｚ）若しくはトリニトロ
フルオレン（ＴＮＦ）等の有機材料が使用されている。

しかしながら、これらの従来の光導電性材料においては
、光導電特性上、又は製造上、種々の問題点があり、感
光体システムの特性をある程度犠牲にして使用目的に応
じてこれらの材料を使い分けている。

例えば、Ｓｅ及びＣｄＳは、人体に対して有害な材料で
あり、その製造に際しては、安全対策上、特別の配慮が
必要である。従って、製造装置が複雑となるため製造コ
ストが高いと共に、特に、Ｓｅは回収する必要があるた
め回収コストが付加されるという問題点がある。また、
Ｓｅ又は５ｅ−Ｔｅ系においては、結晶化温度が６５℃
と低いため、複写を繰り返している間に、残雪等により
光導電特性上の問題が生じ、このため、寿命が短いので
実用性が低い。

更に、ＺｎＯは、酸化還元が生じやすく、環境雰囲気の
影響を著しく受けるため、使用上、信頼性が低いという
問題点がある。

更にまた、ｐｖｃｚ及びＴＮＦ等の有機光導電性材料は
、発癌性物質である疑いが持たれており、人体の健康上
問題があるのに加え、有機材料は熱安定性及び耐摩耗性
が低く、寿命が短いという欠点がある。

一方、アモルファスシリコン（以下、ａ−５ｉと略す）
は、近時、光導電変換材料として注目されており、太陽
電池、薄膜トランジスタ及びイメージセンサへの応用が
活発になされている。このａ−３ｉの応用の一環として
、ａ−３ｉを電子写真感光体の光導電性材料として使用
する試みがなされており、ａ−８ｉを使用した感光体は
、無公害の材料であるから回収処理の必要がないこと、
他の材料に比して可視光領域で高い分光感度を有するこ
と、表面硬度が高く耐摩耗性及び耐衝撃性が優れている
こと等の利点を有する。

このａ−３ｉは、カールソン方式に基づく感光体として
検討が進められているが、この場合に、感光体特性とし
て抵抗及び光感度が高いことが要求される、しかしなが
ら、この両特性を単一層の感光体で満足させることが困
難であるため、光導電層と導電性支持体との間に障壁層
を設け、光導電層上に表面電荷保持層を設けた積層型の
構造にすることにより、このような要求を満足させてい
る。

ところで、ａ−３ｉは、通常、シラン系ガスを使用した
グロー放電分解法により形成されるが、この際に、ａ−
３ｉ１１中に水素が取り込まれ、水素量の差により電気
的及び光学的特性が大きく変動する。即ち、ａ−８ｉｌ
ｌｌＪに侵入する水素のＭが多くなると、光学的バンド
ギャップが大きくなり、ａ−３ｉの抵抗が高くなるが、
それにともない、長波長光に対する光感度が低下してし
まうので、例えば、半導体レーザを搭載したレーザど−
ムプリンタに使用することが困難である。また、ａ−８
ｉ膜中の水素の含有量が多い場合は、成膜条件によって
、（ＳｉＨ２）ｎ及びＳｉＨ２等の結合構造を有するも
のが膜中で大部分の領域を占める場合がある。そうする
と・、ボイドが増加し、シリコンダングリングボンドが
増加するため、光導電特性が劣化し、電子写真感光体と
して使用不能になる。逆に、ａ−３ｉ中に侵入する水素
の量が低下すると、光学的バンドギャップが小さくなり
、その抵抗が小さくなるが、長波長光に対する光感度が
増加する。しかし、水素含有量が少ないと、シリコンダ
ングリングボンドと結合してこれを減少させるべき水素
が少なくなる。このため、発生するキャリアの移動度が
低下し、寿命が短くなると共に、光導電特性が劣化して
しまい、電子写真感光体として使用し難いものとなる。

なお、長波長光に対する感度を高める技術として、シラ
ン系ガスとゲルマンＱｅＨ４とを混合し、グロー放言分
解することにより、光学的バンドギャップが狭い躾を生
成するものがあるが、一般に、シラン系ガスとＧｅＨ＋
とでは、最適基板温度が異なるため、生成した膜は構造
欠陥が多く、良好な光導電特性を得ることができない。

また、ＧｅＨ４の廃ガスは酸化されると有毒ガスとなる
ので、廃ガス処理も複−雑である。従って、このような
技術は実用性がない。

［発明の目的］ この発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであって
、帯電能が優れており、残留電位が低く、近赤外領域ま
での広い波長領域に亘って感度が高（、基板との密着性
が良く、耐環境性が優れた電子写真感光体を提供するこ
とを目的とする。

［発明の概要］ この発明に係る電子写真感光体は、導電性支持体と、こ
の導電性支持体の上に形成された障壁層と、この障壁層
の上に形成された電荷移動層と、この電荷移動層の上に
形成された電荷発生層と、を有する電子写真感光体にお
いて、前記電荷発生層は、マイクロクリスタリンシリコ
ンで形成され１乃至１０μｍの層厚を有し、前記電荷移
動層は、炭素、窒素及び酸素から選択された少なくとも
一種の元素を含有するアモルファスシリコンで形成され
３乃至８０μｍの層厚を有することを特徴とする。

この発明は、前述の従来技術の欠点を解消し、優れた光
導電特性（電子写真特性）と耐環境性とを兼備した電子
写真感光体を開発すべく本願発明者等が種々実験研究を
重ねた結果、マイクロクリスタリンシリコン（以下、μ
Ｃ−８ｉと略す）を電子写真感光体の少なくとも一部に
使用することにより、この目的を達成することができる
ことに想到して、この発明を完成させたものである。

［発明の実施例］ 以下、この発明について具体的に説明する。この発明の
特徴は、従来のａ−３ｉの替りにμＣ−８ｉを使用した
ことにある。つまり、光導電層の全ての領域又は一部の
領域がマイクロクリスタリンシリコン（μＣ−８ｉ）で
形成されているが、マイクロクリスタリンシリコンとア
モルファスシリコン（ａ−８ｉ　）との混合体で形成さ
れているか、又はマイクロクリスタリンシリコンとアモ
ルファスシリコンとの積層体で形成されている。また、
機能分離型の電子写真感光体においては、電荷発生層に
μＣ−８ｉを使用している。

μＣ−８ｉは、以下のような物性上の特徴により、ａ−
３ｉ及びポリクリスタリンシリコン（多結晶シリコン）
から明確に区別される。即ち、Ｘ線回折測定においては
、ａ−３ｉは、無定形であるため、ハローのみが現れ、
回折パターンを認めることができないが、μＣ−８ｉは
、２θが２７乃至２８．５°付近にある結晶回折パター
ンを示す。また、ポリクリスタリンシリコンは暗抵抗が
１０８Ω・Ｃｔａであるのに対し、μＣ−８ｉは１０１
１Ω・α以上の暗抵抗を有する。このμＣ−８ｉは粒径
が約数十オングストローム以上である微結晶が集合して
形成されている。

μＣ−８ｉとａ−８ｉとの混合体とは、μＣ−３ｉの結
晶領域がａ−８ｉ中に混在していて、μＣ−８ｉ及びａ
−３ｉが同程度の体積比で存在するものをいう。また、
μＣ−８ｉとａ−３ｉとの積層体とは、大部分がａ−３
ｉからなる層と、μＣ−８ｉが充填された層とが積層さ
れているものをいう。

このようなμＣ−８ｉを有する光導電層は、ａ−３ｉと
同様に、高周波グロー放電分解法により、シランガスを
原料として、導電性支持体上にμＣ−８ｉを堆積させる
ことにより製造することができる。この場合に、支持体
の温度をａ−８ｉを形成する場合よりも高く設定し、高
周波電力もａ−８ｉの場合よりも高く設定すると、μＣ
−８ｉを形成しやすくなる。また、支持体温度及び高周
波電力を高くすることにより、シランガスなどの原料ガ
スの流層を増大させることができ、その結果、成膜速度
を早くすることができる。また、原料ガスのＳｉＨｓ及
び５ｉ２Ｈｓ等の高次のシランガスを水素で希釈したガ
スを使用することにより、μＣ−８ｉを一層高効率で形
成することができる。

第１図は、この発明に係る電子写真感光体を製造する装
置を示す図である。ガスボンベ１．２゜３．４には、例
えば、夫々ＳｉＨ４，Ｂ２　Ｈｓ　。

Ｈ２、ＣＨ４等の原料ガスが収容されている。これらの
ガスボンベ１．２．３．４内のガスは、流ｍ調整用のバ
ルブ６及び配管７を介して混合器８に供給されるように
なっている。各ボンベには、圧力計５が設置されており
、この圧力計５を監視。

しつつ、バルブ６を調整することにより、混合器８に供
給する各原料ガスの流隋及び混合比を調節することがで
きる。混合器８にて混合されたガスは反応容器９に供給
される。反応容器９の底部１１には、回転軸１０が鉛直
方向の回りに回転可能に取りつけられており、この回転
軸１０の上端に、円板状の支持台１２がその面を回転軸
１０に垂直にして固定されている。反応容器９内には、
円筒状の電極１３がその軸中心を回転軸１０の軸中心と
一致させて底部１１上に設置されている。

感光体のドラム基体１４が支持台１２上にその軸中心を
回転軸１０の軸中心と一致させて載置されており、この
ドラム基体１４の内側には、ドラム基体加熱用のヒータ
１５が配設されている。電極１３とドラム基体１４との
間には、高周波ｌ１１６が接続されており、電極１３及
びドラム基体１４１ｉ１に高周波電流が供給されるよう
になっている。回転軸１０はモータ１８により回転駆動
される。反応容器９内の圧力は、圧力計１７により監視
され、反応容器９は、ゲートバルブ１８を介して真空ポ
ンプ等の適宜の排気手段に連結されている。

このように構成される装置により感光体を製造する場合
には、反応容器９内にドラム基体１４を設置した後、ゲ
ートバルブ１９を開にして反応容器９内を約０．１トル
（ＴＯｒｒ）の圧力以下に排気する。次いで、ボンベ１
．２，３．４から所要の反応ガスを所定の混合比で混合
して反応容器９内に導入する。この場合に、反応容器９
内に導入するガス流量は、反応容器９内の圧力が０．１
乃至１トルになるように設定する。次いで、モータ１８
を作動させてドラム基体１４を回転させ、ヒータ１５に
よりドラム基体１４を一定温度に加熱すると共に、高周
波電源１６により電極１３とドラム基体１４との間に高
周波電流を供給して、両者間にグロー放電を形成する。

これにより、ドラム基体１４上にマイクロクリスタリン
シリコン（μＣ−８ｉ）が堆積する。なお、原料ガス中
にＮ２０．ＮＨ３、ＮＯ２、Ｎ２　、ＣＨ４。

Ｃ２）−（４，０２ガス等を使用することにより、これ
らの元素をμＣ−８ｉ中に含有させることができる。

このように、この発明に係る電子写真感光体は従来のａ
−３ｉを使用したものと同様に、クローズドシステムの
製造装置で製造することができるため、人体に対して安
全である。また、この電子写真感光体は、耐熱性、耐湿
性及び耐摩耗性が浸れて°いるため、長期に亘り繰り返
し使用しても劣化が少なく、寿命が長いという利点があ
る。さらに、Ｇｅｔ−Ｉ４等の長波長増感用ガスが不要
であるので、廃ガス処理設備を設ける必要がなく、工業
的生産性が著しく高い。

μＣ−８ｉには、水素を０．１乃至３０原子％含有させ
ることが好ましい。これにより、暗抵抗と明抵抗とが調
和のとれたものになり、光導電特性が向上する。μＣ−
８ｉの光学的エネルギギャップＥａは、ａ−３ｉの光学
的エネルギギャップＥａ　（１，６５乃至１．７０ｅｖ
）に比較して小さい。つまり、μＣ−８ｉの光学的エネ
ルギギャップは、μＣ−８ｉｔｊ１結晶のＭ晶粒径及び
結晶化度により変化し、結晶粒径及び結晶化度の増加に
より、その光学的エネルギギャップが低下して、結晶シ
リコンの光学的エネルギギャップ１．１ｅ■に近づく。

ところで、μＣ−８ｉ層及びａ−８ｉ層は、この光学的
エネルギギャップよりも大きなエネルギの光を吸収し、
小さなエネルギの光は透過する。このため、ａ−８ｉは
可視光エネルギしか吸収しないが、ａ−３ｉより光学的
エネルギギャップが小さなμＣ−８ｉは、可視光より長
波長であってエネルギが小さな近赤外光までも吸収する
ことができる。従って、μＣ−８ｔは広い波長領域に亘
って高い光感度を有する。

このような特性を有するμＣ−８ｉは、半導体レーザを
光源に使用したレーザプリンタ用の感光体材料として好
適である。ａ−８ｉをレーザプリンタ用の感光体に使用
すると、半導体レーザの光波長が７９０ｎｍとａ−３ｉ
が高感度である波長領域より長いため、感光体感度が不
十分になり、このため、半導体レーザの能力以上のレー
ザ強度を感光体に印加する必要があって、実用上問題が
ある。一方、μＣ−８ｉで感光体を形成した場合には、
その高感度領域が近赤外領域にまでのびているので、光
感度特性が極めて優れた半導体レーザプリンタ用の感光
体を得ることができる。

このような優れた光感度特性を有するμＣ−８ｉの光導
電特性を一唐向上させるために、μＣ−３ｉに水素を含
有させることが好ましい。μＣ−３ｉ層への水素のドー
ピングは、例えば、グロー放電分解法による場合は、Ｓ
ｉＨ＋及び５ｉ２Ｈｓ等のシラン系の原料ガスと、水素
等のキャリアガスとを反応容器内に導入してグロー放電
させるか、Ｓ　ｉ　Ｆ４及び５ｉＣｌ＋等のハロゲン化
ケイ素と、水素ガスとの混合ガスを使用してもよいし、
また、シラン系ガスと、ハロゲン化ケイ素との混合ガス
で反応させてもよい。更に、グロー放電分解法によらず
、スパッタリング等の物理的な方法によってもμＣ−Ｓ
　を層を形成することができる。なお、μＣ−８ｉを含
む光導電層は、光導電特性上、１乃至８０μｍの膜厚を
有することが好ましく、更に膜厚を５乃至５０μｍにす
ることが望ましい。

先導’ｌＪｉは、実質的に全ての領域をμＣ−８ｔで形
成してもよいし、ａ−８ｉとμＣ−８ｉとの混合体又は
積層体で形成してもよい。帯電能は、積層体の方が高く
、光感度は、その体積比にもよるが、赤外領域の長波長
領域では混合体の方が高く、可視光領域では両者はほと
んど同一である。

このため、感光体の用途により、実質的に全ての領域を
μＣ−３ｉにするか、又は混合体若しくは積層体で構成
すればよい。

μＣ−８ｉに、窒素Ｎ、炭素Ｃ及び酸素０から選択され
た少なくとも１１１の元素をドーピングすることが好ま
しい。これにより、μＣ−８ｉの暗抵抗を高くして光導
電特性を高めることができる。

これらの元素はμＣ−８ｉの粒界に析出し、またシリコ
ンダングリングボンドのターミネータとして作用して、
バンド間の禁制帯中に存在する状態密度を減少させ、こ
れにより、暗抵抗が高くなると考えられる。

導電性支持体と光導電層との間に、ｒａ壁層を配設する
ことが好ましい。この障壁層は、導電性支持体と、光導
電層との間の電荷の流れを抑制することにより、光導電
性部材の表面における電荷の保持機能を高め、光導電性
部材の帯電能を高める。

カールソン方式においては、感光体表面に正帯電させる
場合には、支持体側から光導電層へ電子が注入されるこ
とを防止するために、障壁層をｐ型にする。一方、感光
体表面に負帯電させる場合には、支持体側から光導電層
へ正孔が注入されることを防止するために、障壁層をｎ
型にする。また、障壁層として、絶縁性の躾を支持体の
上に形成することも可能である。障壁層はμＣ−３ｉを
使用して形成してもよいし、ａ−８ｉを使用して障壁層
を構成することも可能である。

μＣ−８ｉ及びａ−３ｉをｐ型にするためには、周期律
表の第■族に属する元素、例えば、ホウ素Ｂ１アルミニ
ウムＡＩ、ガリウムＧａ１インジウム■ｎ１及びタリウ
ムＴ１等をドーピングすることが好ましく、μＣ−８ｉ
ｌをｎ型にするためには、周期律表の第Ｖ族に属する元
素、例えば、窒素Ｎ１リンＰ１ヒ素Ａｓ、アンチモンＳ
ｂ、及びビスマス３ｉ等をドーピングすることが好まし
い。

このｎ型不純物又はｎ型不純物のドーピングにより、支
持体側から光導電層へ電荷が移りすることが防止される
。

光導電層の上に表面層を設けることが好ましい。

光導電層のμＣ−８ｉは、その屈折率が３乃至４と比較
的大きいため、表面での光反射が起き°やすい。このよ
うな光反射が生じると、光導電層に吸収される光器の割
合いが低下し、光損失が大きくなる。このため、表面層
を設けて反射を防止することが好ましい。また、表面層
を設けることにより、光導電層が損傷から保護される。

さらに、表面層を形成することにより、帯電能が向上し
、表面に電荷がよくのるようになる。表面層を形成する
材料としては、Ｓｉ：ｉＮ４．５ｉＯｚ、ＳｉＣ。

Ａｌ１０３　、ａ−８ｉＮ：Ｈ，ａ−８ｉＯ；Ｈ。

及びａ−８ｉＣ：Ｈ等の無機化合物及びポリ塩化ビニル
及びポリアミド等の有機材料がある。

電子写真感光体に適用される光導電性部材としては、上
述のごとく、支持体上に障壁層を形成し、この障壁層上
に光導電層を形成し、この光導電層の上に表面層を形成
したものに限らず、支持体の上に電荷移動層（ＣＴＬ）
を形成し、電荷移動層の上に電荷発生層（ＣＧＬ）を形
成した機能分離型の形態に構成することもできる。この
場合に、電荷移動層と、支持体との間に、障壁層を設け
てもよい。電荷発生層は、光の照射によりキャリアを発
生する。この電荷発生層は、層の一部又は全部がマイク
ロクリスタリンシリコンμＣ−Ｓ　＋でできており、そ
の厚さは１乃至１０μｍにすることが好ましい。電荷移
動層は電荷発生層で発生したキャリアを高効率で支持体
側に到達させる層であり、このため、キャリアの寿命が
長く、移動度が大きく輸送性が高いことが必要である。

電荷移動層はａ−８ｉで形成することができる。暗抵抗
を高めて帯電能を向上させるために、周期律表の第■族
又は第Ｖ族のいずれか一方に属する元素をライトドーピ
ングすることが好ましい。また、帯電能を一層向上させ
、電荷移動層と電荷発生層との両澄能を持たせるために
、ｄ、Ｎ、Ｏの元素のうち、いずれか１種以上を含有さ
せてもよい。電荷移動層は、その膜厚が薄過ぎる場合及
び厚過ぎる場合はその機能を充分に発揮しない。このた
め、電荷径ｅ層の厚さは３乃至８０μｍであることが好
ましい。

障壁層を設けることにより、電荷移動層と電荷発生層と
を有する機能分離型の感光体においても、その電荷保持
機能を高め、帯電能を向上させることができる。なお、
障壁層をｐ型にするか、又はｎ型にするかは、その帯電
特性に応じて決定される。この障壁層は、ａ−８ｉで形
成してもよく、またμｃ−ｓ　ｉで形成してもよい。

この出願に係る発明の特徴は、電荷移動層が。

その層厚が３乃至８０μｍであって、Ｃ，Ｏ，Ｎから選
択された少なくとも一種の元素を含有するａ−８ｉで形
成されており、電荷発生層が、その層厚が１乃至１０μ
ｍであって、μＣ−８ｉで形成されていることにある。

第２図及び第３図は、この発明を具体化した電子写真感
光体の断面図であり、第２図においては、アルミニウム
製導電性支持体２１上に、電荷移動！！２３が形成され
、電荷移動！Ｉ２３の上に電荷発生１１２４が形成され
ている。一方、第３図においては、電荷発生層２４の上
に更に表面層２５が形成されている。電荷発生１２４は
、少なくともその一部が、μｃ−ｓ　ｉからなり、電荷
径ｉｌ１層２３はａ−３ｉで形成され　１ている。

電荷発生層２４が、主としてμＣ−Ｓ　＋で形成されて
いることにより、μＣ−Ｓ　＋が赤外Ｉｉ域にて高光吸
収度を有しているため、感光体を可視光領域から近赤外
債ｌ！（例えば、半導体レーザの発振波長である７９０
ｎｍ付近）まで、高感度化することができる。つまり、
μＣ−Ｓ　＋は、その光学的エネルギギャップＥａがａ
−８ｉの光学的エネルギギャップ１．６５乃至１．７０
ｅＶよりも小さいため、近赤外光を吸収して電荷を発生
する作用を有する。このため、μＣ−８ｉを電荷発生層
に使用することにより、ＲＰＣ（普通紙複写ｌ；１）及
び半導体レーザを使用したレーザプリンタの双方にこの
感光体を使用することが可能になる。

μＣ−Ｓ　ｒ自体は、若干、ｎ型であるが、主としてこ
のμＣ−８ｉからなる電荷発生層２４に周期律表の第■
族に屈する元素をライトドープ（１０−７乃至１０−３
原子％）することにより、電荷発生層２４は、ｉ型（真
性）半導体になり、暗抵抗が＾くなり、ＳＮ比と帯電能
が向上する。

また、電荷発生層２４に、Ｃ，Ｏ，Ｎのうち少なくとも
一種の元素を光導電率が低下しない程度に含有させるこ
とにより、帯電能（Ｎ荷保持機能）を一層高めることが
できる。電荷発生層２４の層厚は、１乃至１０μｍであ
る。電荷発生層の層厚が１０μｍを超えると、成膜に長
時間を必要とし、また、層が剥離しやすくなる。一方、
電荷発生層２４の層厚が１μｍ未満であると、キャリア
の発生効率が低い。以上のような理由から、電荷発生層
２４の層厚を１乃至１０μｍにし、更に好ましくは、層
厚は４乃至８μｍである。

電荷移動層２３は、電荷発生層２４で発生した電荷を高
効率で支持体２１に移動させるために設けられた層であ
り、ａ−３ｉで形成さ、れている。

この電荷移動層２３に周期律表第■族に属する元素をラ
イトドープすることにより、その暗抵抗を高め、電荷保
持機能を間接的に高めることができる。また、電荷移動
層２３に、電荷のημτ積が低下しない程度にＣ，Ｏ，
Ｎを含有させてもよい。

電荷移動層は、キャリアを捕獲するトラップ（状態密度
）が存在しないことが理想的である。このため、トラッ
プとなるシリコンダングリングボンドを除去するために
、微量のＣ，Ｏ，Ｎを電荷移動Ｈ２３に含有させること
が好ましい。このＣ１０、Ｎの量は、キャリアの走行性
を考慮すると、２０原子％以下であることが好ましい。

電荷移動層の層厚は、３乃至８０μｍである。電荷移動
層の帯電能を高く維持するためには、層厚を厚くするこ
とが必要である一方、電荷移動層が厚すぎると、キャリ
アが走行しにくくなり、キャリアが支持体まで到達する
ことが困難になる。このような理由により、電荷移動層
２３の層厚は、３乃至８０μｍ、好ましくは、１０乃至
５０μｍ１更に好ましくは、１５乃至３０μｍである。

第３図に示すように、電荷発生層２４の上に、表面層２
５を形成した光導電性部材においては、この表面層２４
が、Ｃ，Ｏ，Ｎのうち、少なくとも１種以上の元素を含
有するａ−８ｉ（ａ−８ｉＣ；Ｈ，ａ−８ｉＯ：Ｈ，ａ
−８ｉＮ：Ｈ，ａ−８ｉＣＮ：Ｈ等）で形成されている
。これにより、光導電層の表面が保護され、耐環境性及
び帯電能が向上する。このＣ，Ｏ，Ｎの含有看は、１０
乃至５０原子％であることが好ましい。

次に、この発明の実施例について説明する。

ＬＬＬ 導電性基板としてのＡ１製ドラム　（直径８０ｍｍ、長
さ３５０ｍｍ）をトリクレンで脱脂し、洗浄し乾燥させ
た後、反応容器内に装填した。このドラムは、必要に応
じてその表面が酸処理、アルカリ処理又はサンドブラス
ト処理され、その干渉防止が図られる。反応容器内を、
図示しない拡散ポンプにより、排気し、約１０′Ｓの真
空度にする。その後、ドラム基体を加熱し、約３００℃
に保持する。次いで、５００８ＣＣＭの流量のＳｉＨ４
ガス、このＳｉＨ＋ガス流量に対する流量比がＩＯ−’
　（７）Ｂ２　Ｈｓ　ガス、及び１１００５ＣＣのＣＨ
４ガスを混合して反応容器に供給した。

その後、メカニ°カルブースタポンプ及びロータリポン
プにより反応容器内を排気し、その圧力を１トルに調整
した。電極に１３．５６ＭＨｚで３００ワツトの高周波
電力を印加して、電極とドラム基体との間に、３ｉＨ４
，８２Ｈ６及びＣＨ４のプラズマを生起させ、支持体２
１上にアモルファス炭化シリコン層である電荷輸送層２
３を２０μｍ形成した。その後、ＳｉＨ４ガスの流量を
２００ＳＣＣＭ％Ｂ２　ＨｓのＳｉＨ４に対する流量比
を１０−’、Ｈ２ガスの流量を２８ＬＭに設定してこれ
らのガスを反応容器内に導入した。反応圧力が１．２ト
ルの状態で２ＫＷの電力を投入して成膜し、１０μｍの
電荷発生ＩＦＪ２４　ＣｕＣ−８ｉ層）を形成した。次
いで、同様の操作により、Ｃ２０、Ｎを含有するａ−３
ｉを成膜し、表面層２５を形成した。このようにして成
膜した感光体を７９０ｎｍの発振波長の半導体レーザを
搭載したレーザプリンタに搭載して画像を形成したとこ
ろ、感光体表面における露光量が２５ｅｒｇ／ｃＩｉで
あっても、解像度が高い鮮明な画像を形成することがで
きた。また、複写を繰返して転写プロセスの再現性及び
安定性を調査したところ、転写画像は極めて良好であり
１、耐コロナ性、耐湿性及び耐Ｊｌ耗性等が優れている
ことが実証された。

［発明の効果］ この発明によれば、高抵抗で帯電特性が優れており、ま
た可視光及び近赤外光領域において高光感度特性を有し
、製造が容易であり、実用性が高い光導電性部材を得る
ことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明に係る光導電性部材の製造装置を示す
図、第２図及び第３図はこの発明の実施例に係る光導電
性部材を示す断面図である。 １．２，３．４；ボンベ、５：圧力計、６；バルブ、７
：配管、８；混合器、９；反応容器、１０：回転軸、１
３：電極、１４ニドラム基体、１５；ヒータ、１６；高
周波電源、１９：ゲートバルブ、２１；支持体、２３：
電荷移動層、２４：電荷発生層、２５；表面層 出願人代理人　弁理士　鈴江武彦 ］ｄ 第１図　゛

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. （１）導電性支持体と、この導電性支持体の上に形成さ
   れた電荷移動層と、この電荷移動層の上に形成された電
   荷発生層と、を有する電子写真感光体において、前記電
   荷発生層は、マイクロクリスタリンシリコンで形成され
   １乃至１０μｍの層厚を有し、前記電荷移動層は、炭素
   、窒素及び酸素から選択された少なくとも一種の元素を
   含有するアモルファスシリコンで形成され３乃至８０μ
   ｍの層厚を有することを特徴とする電子写真感光体。
2. （２）前記電荷発生層は、水素を含有することを特徴と
   する特許請求の範囲第１項に記載の電子写真感光体。
3. （３）前記電荷発生層は、周期律表の第III族又は第Ｖ
   族に属する元素から選択された少なくとも一種の元素を
   含有することを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第
   ２項に記載の電子写真感光体。
4. （４）前記電荷移動層は、水素を含有することを特徴と
   する特許請求の範囲第１項に記載の電子写真感光体。
5. （５）前記電荷移動層は、周期律表の第III族又は第Ｖ
   族に属する元素から選択された少なくとも一種の元素を
   含有することを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第
   ４項に記載の電子写真感光体。
6. （６）前記電荷移動層は、炭素、窒素及び酸素から選択
   された少なくとも一種の元素を含有することを特徴とす
   る特許請求の範囲第１項、第４項又は第５項のいずれか
   １項に記載の電子写真感光体。
7. （７）前記電荷発生層の上には、表面層が形成されてい
   ることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の電子
   写真感光体。