JPS61295561A - 光導電性部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の技術分野］ この発明は、電子写真感光体等に使用され、帯電特性、
光感度特性及び耐環境性等が優れた光導電性部材に関す
る。

［発明の技術的背景とその問題点コ 従来、電子写真感光体の光導電層を形成する材料として
、ＣｄＳ、ＺｎＯ１Ｓｅ、５ｅ−Ｔｅ若しくはアモルフ
ァスシリコン等の無機材料又はポリ−Ｎ−ビニルカルバ
ゾール（ＰＶＣｚ）若しくはトリニトロフルオレン（Ｔ
ＮＦ）等の有機材料が使用されている。しかしながら、
これらの従来の光導電性材料においては、光導電特性上
、又は製造上、種々の問題点があり、感光体システムの
特性をある程度犠牲にして使用目的に応じてこれらの材
料を使い分けている。

例えば、Ｓｅ及びＣｄＳは、人体に対して有害な材料で
あり、その製造に際しては、安全対策上、特別の配慮が
必要である。従って、製造装置が複雑となるため製造コ
ストが高いと共に、特に、Ｓｅは回収する必要があるた
め回収コストが付加されるという問題点がある。また、
Ｓｅ又は５ｅ−Ｔｅ系においては、結晶化温度が６５℃
と低いため、複写を繰り返している間に、残電等により
光導電特性」二の問題が生じ、このため、寿命が短いの
で実用性が低い。

更に、ＺｎＯは、酸化還元が生じやすく、環境雰囲気の
影響を著しく受けるため、使用上、信頼性が低いという
問題点がある。

更にまた、ＰＶＣｚ及びＴＮＦ等の有機光導電性材料は
、発癌性物質である疑いが持たれており、人体の健康上
問題があるのに加え、有機材料は熱安定性及び耐摩耗性
が低く、寿命が短いという欠点がある。

一方、アモルファスシリコン（以下、ａ−３ｔと略す）
は、近時、光導電変換材料として注目されており、太陽
電池、薄膜トランジスタ及びイメージセンサへの応用が
活発になされている。このａ−Ｓｉの応用の一環として
、ａ−８ｔを電子写真感光体の光導電性材料として使用
する試みがなされており、ａ−３ｔを使用した感光体は
、無公害の材料であるから回収処理の必要がないこと、
他の材料に比して可視光領域で高い分光感度を有するこ
と、表面硬度が高く耐摩耗性及び耐衝撃性が優れている
こと等の利点を有する。

このａ−５ｔは、カールソン方式に基づく感光体として
検討が進められているが、この場合に、感光体特性とし
て抵抗及び光感度が高いことが要求される、しかしなが
ら、この両特性を単一層の感光体で満足させることが困
難であるため、光導電層と導電性支持体との間に障壁層
を設け、光導電層上に表面電荷保持層を設けた積層型の
構造にすることにより、このような要求を満足させてい
る。

ところで、ａ−３ｉは、通常、シラン系ガスを使用した
グロー放電分解法により形成されるが、この際に、ａ−
３ｉ膜中に水素が取り込まれ、水素量の差により電気的
及び光学的特性が大きく変動する。即ち、ａ−３ｉ膜に
侵入する水素の量が多くなると、光学的バンドギヤツプ
が大きくなり、ａ−３ｉの抵抗が高くなるが、それにと
もない、長波長光に対する光感度か低下してしまうので
、例えば、半導体レーザを搭載したレーザビームプリン
タに使用することが困難である。また、ａ−８ｉ膜中の
水素の含有量が多い場合は、成膜条件によって、（Ｓｉ
Ｈ）　　及びＳ　ｉ　Ｈ２等の結合ｎ 構造を有するものが膜中で大部分の領域を占める場合が
ある。そうすると、ボイドが増加し、シリコンダングリ
ングボンドが増加するため、光導電特性が劣化し、電子
写真感光体として使用不能になる。逆に、ａ−３ｔ中に
侵入する水素の量が低下すると、光学的バンドギャップ
が小さくなり、その抵抗が小さくなるが、長波長光に対
する光感度が増加する。しかし、水素含有計が少ないと
、シリコンダングリングボンドと結合してこれを減少さ
せるべき水素が少なくなる。このため、発生するキャリ
アの移動度が低下し、寿命が短くなると共に、光導電特
性が劣化してしまい、電子写真感光体として使用し難い
ものとなる。

なお、長波長光に対する感度を高める技術として、シラ
ン系ガスとゲルマンＧ　ｅ　Ｈ４とを混合し、グロー放
電分解することにより、光学的バンドギャップが狭い膜
を生成するものがあるが、一般に、シラン系ガスとＧ　
ｅ　Ｈ、ｓとでは、最適基板温度が異なるため、生成し
た膜は構造欠陥が多く、良好な光導電特性を得ることが
できない。また、Ｇ　ｅ　Ｈ４の廃ガスは酸化されると
有毒ガスとなるので、廃ガス処理も復雑である。従って
、このような技術は実用性がない。

「発明の目的コ この発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであって
、帯電能が優れており、残留電位が低く広い波長領域に
亘フて感度が高く、基板との密着性が良く、耐環境性が
優れた光導電性部材を提供することを目的とする。

［発明の概要］ この発明に係る光導電性部材は、導電性支持体と、この
導電性支持体の上に形成された障壁層とこの障壁層の上
に形成された光導電層と、を有する光導電性部材におい
て、前記障壁層及び光導電層はその少なくとも一部が周
期律表の第１族又は第Ｖ族に属する元素を含有するマイ
クロクリスタリンシリコンで形成されており、先導電層
及び障壁層の表面側及び導電性支持体側の適宜領域が、
炭素、酸素及び窒素から選択された少なくとも一種の元
素を含有しているいることを特徴とする。

この発明は、前述の従来技術の欠点を解消し、優れた光
導電特性（電子写真特性）と耐環境性とを兼備した光導
電性部材を開発すべく本願発明者等が種々実験研究を重
ねた結果、マイクロクリスタリンシリコン（以下、μＣ
−３ｉと略す）を光、　導電性部材の少なくとも一部に
使用することにより、この目的を達成することができる
ことに想到して、この発明を完成させたものである。

［発明の実施例〕 以下、この発明について具体的に説明する。この発明の
特徴は、従来のａ−３ｔの替りにμＣ−１Ｓｉを使用し
たことにある。つまり、光導電層の全ての領域又は一部
の領域がマイクロクリスタリンシリコン（μＣ−３ｉ）
で形成されているか、マイクロクリスタリンシリコンと
アモルファスシリコン（ａ−３ｉ）との混合体で形成さ
れているか、又はマイクロクリスタリンシリコンと、ア
モルファスシリコンとの積層体で形成されている。また
、機能分離型の光導電性部材においては、電荷発生層に
μＣ−５ｉを使用している。

μＣ−５ｔは、以下のような物性上の特徴により、ａ−
３ｉ及びポリクリスタリンシリコン（多結晶シリコン）
から明確に区別される。即ち、Ｘ線回折測定においては
、ａ−５ｔは、無定形であるため、ハローのみが現れ、
回折パターンを認めることができないが、μＣ−５ｉは
、２θが２７乃至２８．５°付近にある結晶回折パター
ンを示す。また、ポリクリスタリンシリコンは暗抵抗が
１０６Ω・ｃｍであるのに対し、μＣ−３ｉは１０１１
Ω・ｃｍ以上の暗抵抗を有する。このμＣ−３ｉは粒径
が約敗十オングストローム以上である微結晶が集合して
形成されている。

μＣ−５ｉとａ−５ｉとの混合体とは、μＣ−３ｉの結
晶領域がａ−Ｓｉ中に混在していて、μＣ−５ｆ及びａ
−３ｉが同程度の体積比で存在するものをいう。また、
μＣ−３ｉとａ−３ｉとの積層体とは、大部分がａ−Ｓ
ｉからなる層と、μＣ−５ｉが充填された層とが積層さ
れているものをいう。

このようなμＣ−３ｉを有する先導電層は、ａ−５ｉと
同様に、高周波グロー放電分解法により、シランガスを
原料として、導電性支持体上にμＣ−５ｉを堆積させる
ことにより製造することができる。どの場合に、支持体
の温度をａ−３ｔを形成する場合よりも高く設定し、高
周波電力もａ　−ＳＬの場合よりも高く設定すると、μ
Ｃ−５ｉを形成しやすくなる。また、支持体温度及び高
周波電力を高くすることにより、シランガスなどの原料
ガスの流量を増大させることができ、その結果、成膜速
度を早くすることができる。また、原料ガスのＳｉＨ及
びＳｉ２Ｈ６等の高次のシランガスを水素で希釈したガ
スを使用することにより、μＣ−５ｉを一層高効率で形
成することができる。

第１図は、この発明に係る光導電性部材を製造する装置
を示す図である。ガスボンベ１，２，３゜４には、例え
ば、夫々ＳｉＨ、Ｂ　　Ｈ、Ｈ。

ＣＨ４等の原料ガスが収容されている。これらのガスボ
ンベ１，２，３．４内のガスは、流量調整用のバルブ６
及び配管７を介して混合器８に供給されるようになって
いる。各ボンベには、圧力計５が設置されており、この
圧力計５を監視しつつ、バルブ６を：Ａ整することによ
り、混合器８に供給する各原料ガスの流量及び混合比を
調節することができる。混合器８にて混合さ・れたガス
は反応容器９に供給される。反応容器９の底部１１には
、回転軸１０か鉛直方向の回りに回転可能に取りつけら
れており、この回転軸１０の上端に、円板状の支持台１
２がその面を回転軸１０に垂直にして固定されている。

反応容器９内には、円筒状の電極１３がその軸中心を回
転軸１０の軸中心と一致させて底部１１上に設置されて
いる。感光体のドラム基体１４が支持台１２上にその軸
中心を回転軸１０の軸中心と一致させて載置されており
、このドラム基体１４の内側には、ドラム基体加熱用の
ヒータ１５が配設されている。電極１３とドラム基体１
４との間には、高周波電源１６が接続されており、電極
１３及びドラム基体１４間に高周波電流が供給されるよ
うになっている。回転軸１０はモータ１８により回転駆
動される。反応容器９内の圧力は、圧力計１７により監
視され、反応容器９は、ゲートバルブ１８を介して真空
ポンプ等の適宜の排気手段に連結されている。

このように構成される装置により感光体を製造する場合
には、反応容器９内にドラム基体１４を設置した後、ゲ
ートバルブ１９を開にして反応容器９内を約０．１トル
（Ｔｏ　ｒ　ｒ）の圧力以下に排気する。次いで、ボン
ベ１，２，３．４がら所要の反応ガスを所定の混合比で
混合して反応容器９内に導入する。この場合に、反応容
器９内に導入するガス流量は、反応容器９内の圧力が０
．　１乃至１トルになるように設定する。次いで、モー
タ１８を作動させてドラム基体１４を回転させ、ヒータ
１５によりドラム基体１４を一定温度に加熱すると共に
、高周波電源１６により電極１３とドラム基体１４との
間に高周波電流を供給して、両者間にグロー放電を形成
する。これにより、ドラム基体１４上にマイクロクリス
タリンシリコン（μＣ−５ｉ）が堆積する。なお、原料
ガス中にＮ　　Ｏ，ＮＨ、ＮＨ、Ｎｏ　　、Ｎ２．ＣＨ
４゜ＣＨ，Ｏ□ガス等を使用することにより、これらの
元素をμＣ−５ｉ中に含何させることができる。

このように、この発明に係る光導電性部材は従来のａ−
３ｉを使用したものと同様に、クローズドシステムの製
造装置で製造することができるため、人体に対して安全
である。また、この光導電性部材は、耐熱性、耐湿性及
び耐摩耗性が優れているため、長期に亘り繰り返し使用
しても劣化が少なく、寿命が長いという利点がある。さ
らに、Ｇ　ｅ　Ｈ４等の長波長増感用ガスが不要である
ので、廃ガス処理設備を設ける必要がなく、交互湯的生
産性が著しく高い。

μＣ−３ｉには、水素を０．１乃至３ｏ原子％含有させ
ることが好ましい。これにより、暗抵抗と明抵抗とが調
和のとれたものになり、光導電特性が向上する。μＣ−
５ｉ層への水素のドーピングは、例えば、グロー放電分
解法による場合は、Ｓ　ｉＨ４及びＳｉ２Ｈ６等のシラ
ン系の原料ガスと、水素等のキャリアガスとを反応容器
内に導入してグロー放電放電させるか、Ｓ　Ｉ　Ｆ　４
及びＳ　ｉ　Ｃ１４等のハロゲン化ケイ素と、水素ガス
との混合ガスを使用してもよいし、また、シラン系ガス
と、ハロゲン化ケイ素との混合ガスで反応させてもよい
。更に、グロー放電分解法によらず、スパッタリング等
の物理的な方法によってもμＣ−３ｉ層を形成すること
ができる。なお、μＣ−３ｉを含む光導電層は、光導電
特性上、１乃至８０μｍの膜厚を有することが好ましく
、更に膜厚を５乃至５０μｍにすることが望ましい。

光導電層は、実質的にすべての領域をμＣ−３ｉで形成
してもよいし、ａ−ＳｉとμＣ−３ｉとの混合体又は積
層体で形成してもよい。帯電能は、積層体の方が高く、
光感度は、その体積比にもよるが、赤外領域の長波長領
域では混合体の方が高く、可視光領域では両者はほとん
ど同一である。このため、感光体の用途により、実質的
に全ての領域をμＣ−５ｉにするか、又は混合体もしく
は積層体で構成すればよい。

μＣ−５ｉに、窒素Ｎ１炭素Ｃ及び酸素０から選択され
た少なくとも１種の元素をドーピングすることが好まし
い。これにより、μＣ−３ｉの暗抵抗を高くして光導電
特性を高めることができる。

これらの元素はμＣ−５ｉの粒界に析出し、またシリコ
ンダングリングボンドのターミネータとして作用して、
バンド間の禁制骨中に存在する状態密度を減少させ、こ
れにより、暗抵抗が高くなると考えられる。

この発明においては、導電性支持体と光導電層との間に
、障壁層を配設する。この障壁層は、導電性支持体と、
先導電層との間の電荷の流れを抑制することにより、光
導電性部材の表面における電荷の保持機能を高め、光導
電性部キイの帯電能を高める。カールソン方式において
は、感光体表面にｉＦ、帯電させる場合には、支持体側
から先導電層へ電子か注入されることを防止するために
、障壁層をｐ型にする。一方、感光体表面に負帯電させ
る場合には、支持体側から光導電層へ正孔が注入される
ことを防止するために、障壁１司をｎ型にする。また、
障壁層として、絶縁性の膜を支持体の５Ｉ：、に形成す
ることも可能である。障壁層はμＣ−Ｓｉを使用して形
成してもよいし、ａ−３ｉを使用して障壁層を構成する
ことも可能である。

μＣ−３ｔ及びａ−５ｉをｐ型にするためには、周期律
表の第■族に属する元素、例えば、ホウ素Ｂ１アルミニ
ウムＡＩ、ガリウムＧ　ａ　ｓインジウムＩｎ、及びタ
リウムＴ１等をドーピングすることが好ましく、μＣ−
３ｉ層をｎ　ｑ９にするためには、周期律表の第Ｖ族に
属する元素、例えば、窒素Ｎ、リンＰ１ヒ４　Ａ　ｓ　
ｓアンチモンＳｂ１及びビスマスＢｉ等をドーピングす
ることが好ましい。

このｐ型不純物又はｎ型不純物のドーピングにより、支
持体側から光導電層へ電荷が移動することが防１１−さ
れる。

光導電層の］二に表面層を設けることが好ましい。

光導電層のμＣ−５ｉは、その屈折率が３乃至４と比較
的大きいため、表面での光反射が起きやすい。このよう
な光反射が生じると、光導電層に吸収される光量の割合
いが低下し、光ｊｆｌ失が大きくなる。このため、表面
層を設けて反射を防止することが好ましい。また、表面
層を設けることにより、光導電層が損傷から保護される
。さらに、表面層を形成することにより、帯電能か向ヒ
し、表面に電荷かよくのるようになる。表面層を形成す
る材料としては、Ｓｉ　　Ｎ　　％ＳｉＯ、ＳｉＣＡｌ
　　Ｏ、ａ−３ｉＮ；Ｈ，ａ−３ｉＯ；Ｈ。

及びａ−８ｉＣ；Ｈ等の無機化合物及びポリ塩化ビニル
及びポリアミド等の有機材料がある。

電子写真感光体に適用される光導電性部材としては、上
述のごとく、支持体上に障壁層を形成しこの障壁層上に
光導電層を形成し、この光導電層の上に表面層を形成し
たものに限らず、支持体の上に電荷輸送層（ＣＴＬ）を
形成し、電荷輸送層の上に電荷発生層 （ＣＧＬ）を形成した機能分離型の形態に構成すること
もできる。この場合に、電荷輸送層と、支持体との間に
、障壁層を設けてもよい。電荷発生層は、光の照射によ
り電荷を発生する。この電荷発生層は、層の一部又は全
部がマイクロクリスタリンシリコンμＣ−８ｉでできて
おり、その厚さは０．１乃至１０μｍにすることが好ま
しい。電荷輸送層は電荷発生層で発生したキャリアを高
効率で支持体側に到達させる層であり、このため、キャ
リアの寿命が長く、移動度が大きく輸送性が、　高いこ
とが必要である。電荷輸送層はａ−３ｔで形成してもよ
く、またμＣ−３ｉで形成してもよい。暗抵抗を高めて
帯電能を向上させるために、周期律表の第■族又は第Ｖ
族のいずれか一方に属する元素をライトドーピングする
ことが好ましい。

、　また、帯電能を一層向上させ、電荷輸送層と電荷発
生層との両機能を持たせるために、Ｃ，Ｎ、０の元素の
うち、いずれか１秤量」二を含有させてもよい。電荷輸
送層は、その膜厚が薄過ぎる場合及び厚過ぎる場合はそ
の機能を充分に発揮しない。

このため、電荷輸送層の厚さは３乃至８０μｍであるこ
とか好ましい。障壁層を設けることにより、電荷輸送層
と電荷発生層とを白゛する機能分離型の光導電性部材に
おいても、その電荷保持機能を高め、帯電能を向」−さ
せることができる。なお、障壁層をｐ型にするか、又は
ｎ型にするかは、その帯電特性に応じて決定される。こ
の障壁層は、ａ−３ｔて形成してもよく、またμＣ−５
ｉで形成してもよい。

この出願に係る発明の特徴は、光導電層及び障壁層が、
その少なくとも一部がμＣ−８ｉで形成されており、そ
の層に周期律表の第■族又は第Ｖ族に属する元素が含有
されていることにある。第２図及び第３図は、この発明
を具体化した光導電性部材の断面図であり、第２図にお
いては、導電性支持体２１上に、障壁層２２が形成され
、障壁層２２上に先導電層２３が形成されている。一方
、第３図においては、光導電層２３の上に更に表面層２
４が形成されている。光導電層２３及び障壁層２２は、
少なくともその一部が、μＣ−５ｔからなり、周期律表
の第■族又は第Ｖ族に属する元素を含有する。

光導電層が主としてμＣ−５ｉで形成されていることに
より、光導電性部材を可視光領域から近赤外領域（例え
ば、半導体レーザの発振波長である７９（ｉｎｍ付近）
まで、高感度化゛することができ、これにより、ｒｐｃ
（１通紙複写機）及びレーザプリンタの双方にこの光導
電性部材を使用することが可能になる。μＣ−３ｉ自体
は、若干、ｎ型であるが、主としてこのμＣ−３ｉから
なる光導電層に周期律表の第■族に属する元素をライト
ドーブ（１０乃至１０−３原子％）することにより、光
導電層２３は、ｉ型（真性）半導体になり、暗抵抗が高
くなり、ＳＮ比と帯電能が向上する。また、光導電層は
、３乃至８０μｍの膜厚を有することが好ましく、さら
に好ましくは、１０乃至４０μｍである。

また、障壁層を構成するμＣ−８ｔ中にも、周期律表第
■族又は第Ｖ族に属する元素がドーピングされている。

その含有量は、１０−３乃至１０原子％であることが好
ましい。このように障壁層をμＣ−５ｔで構成すること
により、低抵抗になり、ブロッキング能が一層向上する
。光導電層２３及び障壁層２２の結晶化度は、１０乃至
３０体積％であることが好ましい。これにより、電子写
真特性として調和がとれた好ましいものになる。

第３図に示すように、光導電層２３の上に表面層２４を
形成した先導電性部材においては、この表面層２４が、
Ｃ，Ｏ，Ｎのうち、少なくとも１種以上の元素を含有す
るａ−５ｔで形成されている。これにより、光導電層の
表面が保護され、耐環境性が向上すると共に、帯電能が
向上する。このＣ，Ｏ，Ｎの含有量は、１０乃至５０原
子％であることが好ましい。更に、表面層２４及び障壁
層２２の膜厚は、０，０１乃至１０μｍであることが好
ましく、更に好ましくは、０．１乃至２μｍである。

この発明においては、光導電層２３及び障壁層２２の表
面側及び導電性支持体２１側の適宜領域に、Ｃ，Ｏ，Ｈ
のうち、少なくとも１種以上の元素を含有させることを
特徴とする。導電性支持体側の領域においては、Ｃ９０
，又はＮの濃度が一定であってもよく、支持体から光導
電層に向けて次第に濃度が減少してもよい。また、この
領域は障壁層において一定の濃度を有し、光導電層の障
壁層側から表面層側に向けて次第に濃度が減少するよう
にしてもよい。さらに、表面側の領域においては、光導
電層２３の上部に局所的に存在していてもよく、その濃
度が不均一になるようにこれらの元素が分布していても
よい。いずれにしても、表面側及び導電性支持体側の領
域に含有されるＣ１０、Ｎの総量は２０原子％以下であ
ることが好ましい。

このように、μＣ−３ｉにＣ１０，又はＮを含有させる
ことによって、光照射時のキャリアの通過が阻止されず
、キャリアの流れが良くなってキャリアが高効率で移動
する。また、障壁層２２及び表面層２４にＣ，Ｏ，Ｎを
ドーピングした場合に、光導電層２３と、これらの障壁
層２２及び表面層２４とで、Ｃ９Ｏ又はＮの濃度が急激
に変化する。しかしながら、この発明のように、これら
の境界領域にＣ９０又はＮを含有させることによって、
これらの元素の急激な濃度変化を防止して境界でのキャ
リアの流れを円滑にすることができる。これらの効果に
より、繰返し使用に際して、感光体の残留電位を低く押
えることができ、良好な電子写真特性を得ることができ
る。更に、成膜時に、異物質間の応力集中による膜の剥
離を防止すると共に、膜の内部応力の歪み等による割れ
発生を防止することも出来る。

次に、この発明の実施例について説明する。

実施例Ｉ ＡＩ製トドラム３００℃に加熱しつつ、ＳｉＨガスに、
このＳｉＨ４ガス流回に対し、０．０１乃至３．０％の
Ｂ２Ｈ８ガス、１乃至３００％のＮ　及びＣＨ４混合ガ
ス、１０乃至１０００％のＨ及びＨｅ混合ガスを混合し
て反応容器に供給した。反応圧力は０．２トルで、１５
０ワットの高周波電力を印加してグロー放電させ、３０
分間成膜することにより障壁層２１を形成した。次に、
光導電層を、Ｓ　Ｉ　Ｈ４ガスに、ＳｉＨガス流量に対
し、Ｂ２Ｈ６を０．０１乃至１％、Ｈ２とＨｅとの混合
ガスを１０乃至２０００％混合して反応圧力が０．３ト
ル、高周波電力が３００ワツトという条件で５時間成膜
した。

更に、表面層として、ＳｉＨガスと、Ｓ　ｉＨ４ガス流
量に対し総量で等量乃至数十倍の流量のＣＨ及びＮ２ガ
スとを流し、反応圧力０．３トル及び高周波電力１５０
ワツトという条件で５分間成膜した。前膜厚は２０μｍ
であった。このようにして成膜した感光体に対し、＋０
．４５μＣ／　ｃシの電流を供給したところ、２５０Ｖ
の電位が得られた。また、この感光体を複写機に装着し
て画像を出したところ、極めて良好な画像を得ることが
できた。

実施例２　　Ｂ　２　Ｈａの代りに、ＰＨ３を、Ｓ　Ｉ
　Ｈｉ、流量に対して０．０１乃至２．０％混合して障
壁層を形成し、１％以以下台して光導電層を形成した意
思外は実施例１と同様の条件で成膜した。この実施例２
においてもこの感光体ドラムを央写機に装着したところ
、良好な画像を得ることができた。

［発明の効果］ この発明によれば、高抵抗で帯電特性が、５にれており
、また可視光及び近赤外光領域において高光感度特性を
有し、製造が容易であり、実用性が高い光導電性部材を
得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明に係る光導電性部材の製造装置を示す
図、第２図及び第３図はこの発明の実施例に係る光導電
性部材を示す断面図である。 １．２，３，４　、ボンベ、５；圧力計、６；バルブ、
７；配管、８；混合器、９：反応容器、１０；回転軸、
１３；電極、１４；ドラム基体、１５；ヒータ、１６；
高周波電源、１９；ゲートバルブ、２１：支持体、２２
；障壁層、２３；光導電層、２４：表面層。 出願人代理人　弁理士　鈴江武彦 ｄ 第１図

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）導電性支持体と、この導電性支持体の上に形成さ
   れた障壁層と、この障壁層の上に形成された光導電層と
   、を有する光導電性部材において、前記障壁層及び光導
   電層はその少なくとも一部が周期律表の第III族又は第
   Ｖ族に属する元素を含有するマイクロクリスタリンシリ
   コンで形成されており、光導電層及び障壁層における表
   面側及び導電性支持体側の適宜領域が、炭素、酸素及び
   窒素から選択された少なくとも一種の元素を含有してい
   ることを特徴とする光導電性部材。
2. （２）光導電層の上には、炭素、酸素及び窒素から選択
   された少なくとも一種の元素を含有するアモルファスシ
   リコンからなる表面層が形成されていることを特徴とす
   る特許請求の範囲第１項に記載の光導電性部材。
3. （３）前記光導電層は、水素を含有することを特徴とす
   る特許請求の範囲第１項に記載の光導電性部材。
4. （４）前記光導電層は、マイクロクリスタリンシリコン
   の領域とアモルファスシリコンの領域とが混在している
   ことを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第３項のい
   ずれか１項に記載の光導電性部材。
5. （５）前記光導電層は、マイクロクリスタリンシリコン
   の層とアモルファスシリコンの層とが積層されているこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第３項のいず
   れか１項に記載の光導電性部材。