JPS61295575A - 光導電性部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の技術分野］ この発明は、電子写真感光体等に使用され、帯電特性、
光感度特性及び耐環境性等が優れた光導電性部材に関す
る。

［発明の技術的背景とその問題点］ 従来、電子写真感光体の光導電層を形成する材料として
、Ｃｄ５５ＺｎＯ１Ｓｅ、５ｅ−Ｔｅ若しくはアモルフ
ァスシリコン等の無機材料又はポリ−Ｎ−ビニルカルバ
ゾール（ＰＶＣｚ）若しくはトリニトロフルオレン（Ｔ
ＮＦ）等の宵機材料が使用されている。しかしながら、
これらの従来の光導電性材料においては、光導電特性上
、又は製造上、種々の問題点があり、感光体システムの
特性をある程度犠牲にして使用目的に応じてこれらの材
料を使い分けている。

例えば、Ｓｅ及びＣｄＳは、人体に対して有害な材料で
あり、その製造に際しては、安全対策上、特別の配慮が
必要である。従って、製造装置か複雑となるため製造コ
ストが高いと共に、特に、Ｓｅは回収する必要があるた
め回収コストが付加されるという問題点がある。また、
Ｓｅ又は５ｅ−Ｔｅ系においては、結晶化温度が６５℃
と低いため、複写を繰り返している間に、残霜等により
光導電特性上の問題が生じ、このため、寿命が短いので
実用性が低い。

更に、ＺｎＯは、酸化還元が生じやすく、環境雰囲気の
影響を著しく受けるため、使用上、信頼性が低いという
問題点がある。

更にまた、ＰＶＣｚ及びＴＮＦ等の有機光導電性制料は
、発癌性物質である疑いが持たれており、人体の健康上
問題があるのに加え、有機材料は熱安定性及び耐摩耗性
が低く、寿命が短いという欠点がある。

一方、アモルファスシリコン（以下、ａ−ｓｉと略す）
は、近時、光導電変換材料として注目されており、太陽
電池、薄膜トランジスタ及びイメージセンサへの応用が
活発になされている。このａ−Ｓｉの応用の一環として
、ａ−３ｉを電子写真感光体の光導電性材料として使用
する試みがなされており、ａ−８ｉを使用した感光体は
、無公害の材料であるから回収処理の必要がないこと、
他の材料に比して可視光領域で高い分光感度を有するこ
と、表面硬度が高く耐摩耗性及び耐衝撃性が優れている
こと等の利点を有する。

このａ−８ｉは、カールソン方式に基づく感光体として
検討が進められているが、この場合に、感光体特性とし
て抵抗及び光感度が高いことが要求される、しかしなが
ら、この両特性を単一層の感光体で満足させることが困
難であるため、光導電層と導電性支持体との間に障壁層
を設け、光導電層上に表面電荷保持層を設けた積層型の
構造にすることにより、このような要求を満足させてい
る。

ところで、ａ−ＳＬは、通常、シラン系ガスを使用した
グロー放電分解法により形成されるが、この際に、ａ−
Ｓｉ膜中に水素が取り込まれ、水素量の差により電気的
及び光学的特性が大きく変動する。即ち、ａ−３ｉ膜に
侵入する水素の量が多くなると、光学的バンドギャップ
が大きくなり、ａ−Ｓｉの抵抗が高くなるが、それにと
もない、長波長光に対する光感度が低下してしまうので
、例えば、半導体レーザを搭載したレーザビームプリン
タに使用することが困難である。また、ａ−８ｉ膜中の
水素の含有量が多い場合は、成膜条件によって、（Ｓｉ
Ｈ）　　及びＳ　ｉＨ２等の結合ｎ 構造を有するものが膜中で大部分の領域を占める場合が
ある。そうすると、ボイドが増加し、シリコンダングリ
ングボンドが増加するため、光導電特性が劣化し、電子
写真感光体として使用不能になる。逆に、ａ−３ｔ中に
侵入する水素の量か低下すると、光学的バンドギャップ
が小さくなり、その抵抗が小さくなるが、長波長光に対
する光感度が増加する。しかし、水素含有量が少ないと
、シリ２ンダングリングボンドと結合してこれを減少さ
せるべき水素が少なくなる。このため、発生するキャリ
アの移動度か低下し、寿命が短くなると共に、光導電特
性が劣化してしまい、電子写真感光体として使用し難い
ものとなる。

なお、長波長光に対する感度を高める技術として、シラ
ン系ガスとゲルマンＧ　ｅ　Ｈ４とを混合し、グロー放
電分解することにより、光学的バンドギャップが狭い膜
を生成するものがあるが、一般に、シラン系ガスとＧ　
ｅ　Ｈ４とでは、最適基板温度が異なるため、生成した
膜は構造欠陥が多く、良好な光導電特性を得ることがで
きない。また、Ｇ　ｅ　Ｈ４の廃ガスは酸化されると有
ｄ；ガスとなるので、廃ガス処理も複雑である。従って
、このような技術は実用性がない。

［発明の目的］ この発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであって
、帯電能が優れており、残留電位が低く、広い波長領域
に亘って感度が高く、基板との密着性が良く、耐環境性
が優れた光導電性部材を提供することを目的とする。

［発明の概要コ この発明に係る光導電性部材は、導電性支持体と、光導
電層と、を有する光導電性部材において、前記光導電層
は、その少なくとも一部が水素を含有するマイクロクリ
スタリンシリコンからなる第一層と、水素及び酸素を含
有するアモルファスシリコンからなる第二層と、を有し
、第一層及び第二層は光導電層の層厚方向に積層してい
ることを特徴とする。

二の発明は、前述の従来技術の欠点を解消し、優れた光
導電特性（電子写真特性）と耐環境性とを兼備した光導
電性部材を開発すべく本願発明者等が種々実験研究を重
ねた結果、マイクロクリスタリンシリコン（以下、μＣ
−５ｉと略す）を光導電性部材の少なくとも一部に使用
することにより、この目的を達成することができること
に想到して、この発明を完成させたものである。

［発明の実施例］ 以下、この発明について具体的に説明する。こ　。

の発明の特徴は、従来のａ−３ｉの替りにμＣ−３ｉを
使用したことにある。つまり、光導電層の全ての領域又
は一部の領域がマイクロクリスタリンシリコン（μＣ−
５ｔ）で形成されているか、マイクロクリスタリンシリ
コンとアモルファスシリコン（ａ−３ｔ）との混合体で
形成されているか、又はマイクロクリスタリンシリコン
とアモルファスシリコンとの積層体で形成されている。

また、機能分離型の光導電性部材においては、電荷発生
層にμＣ−３ｉを使用している。

μＣ−５ｉは、以下のような物性上の特徴により、ａ−
Ｓｉ及びポリクリスタリンシリコン（多結晶シリコン）
から明確に区別される。即ち、Ｘ線回折測定においては
、ａ−Ｓｉは、無定形であるため、ハローのみが現れ、
回折パターンを認めることができないが、μＣ−３ｉは
、２θが２７乃至２８．５°付近にある結晶回折パター
ンを示す。また、ポリクリスタリンシリコンは暗抵抗が
１０６Ω・印であるのに対し、μＣ−５ｉは１ｏ１１Ω
・印点上の暗抵抗を何する。このμＣ−８ｉは粒径が約
数十オングストローム以上である微結晶が集合して形成
されている。

μＣ−３ｉとａ−３ｉとの混合体とは、μＣ−３ｉの結
晶領域がａ−３ｉ中に混在していて、μＣ−３ｉ及びａ
−８ｉが同程度の体積比で存在するものをいう。また、
μＣ−３ｉとａ−５ｉとの積層体とは、大部分がａ−Ｓ
ｉからなる層と、μＣ−３ｉが充填された層とが積層さ
れているものをいう。

このようなμＣ−３ｉを有する光導電層は、ａ−５ｉと
同様に、高周波グロー放電分解法により、シランガスを
原料として、導電性支持体上にμＣ−８ｉを堆積させる
ことにより製造することができる。この場合に、支持体
の温度をａ−Ｓｉを形成する場合よりも高く設定し、高
周波電力もａ−３ｉの場合よりも高く設定すると、μＣ
−５ｉを形成しやすくなる。また、支持体温度及び高周
波電力を高くすることにより、シランガスなどの原料ガ
スの流量を増大させることができ、その結果、成膜速度
を早くすることができる。また、原料ガスのＳｉＨ及び
Ｓ　Ｌ　２　Ｈｅ等の高次のシランガスを水素で希釈し
たガスを使用することにより、μＣ−３ｉを一層高効率
で形成することができる。

第１図は、この発明に係る光導電性部材を製造する装置
を示す図である。ガスボンベ、２，３゜４には、例えば
、夫々Ｓ　ｉＨ＋　　Ｂ　　Ｂ　　＋　Ｈ２＋ＣＨ４等
の原料ガスが収容されている。これらのガスボンベ、２
，３．４内のガスは、流ｆｆｉ調整用のバルブ６及び配
管７を介して混合器８に供給されるようになっている。

各ボンベには、圧力計５が設置されており、この圧力計
５を監視しつつ、バルブ６を調整することにより、混合
器８に供給する各原料ガスの流量及び混合比を調節する
ことができる。混合器８にて混合されたガスは反応容器
９に供給される。反応容器９の底部１１には、回転軸１
０が鉛直方向の回りに回転可能に取りつけられており、
この回転軸１０の上端に、円板状の支持台１２がその面
を回転軸１０に垂直にして固定されている。反応容器９
内には、円筒状の電極１３がその軸中心を回転軸１０の
軸中心と一致させて底部１１上に設置されている。感光
体のドラム基体１４が支持台１２上にその軸中心を回転
軸１０の軸中心と一致させて載置されており、このドラ
ム基体１４の内側には、ドラム基体加熱用のヒータ１５
が配設されている。電極１３とドラム基体１４との間に
は、高周波電源１６が接続されており、電極１３及びド
ラム基体１４間に高周波電流が供給されるようになって
いる。回転軸１０はモータ１８により回転駆動される。

反応容器９内の圧力は、圧力計１７により監視され、反
応容器９は、ゲートバルブ１８を介して真空ポンプ等の
適宜の排気手段に連結されている。

このように構成される装置により感光体を製造する場合
には、反応容器９内にドラム基体１４を設置した後、ゲ
ートバルブ１９を開にして反応容器９内を約０．１トル
（Ｔｏｒｒ）の圧力以下に排気する。次いで、ボンベ、
．２．３．４から所要の反応ガスを所定の混合比で混合
して反応容器９内に導入する。この場合に、反応容器９
内に導入するガス流量は、反応容器９内の圧力が０．１
乃至１トルになるように設定する。次いで、モータ１８
を作動させてドラム基体１４を回転させ、ヒータ１５に
よりドラム基体１４を一定温度に加熱すると共に、高周
波電源１６により電極１３とドラム基体１４との間に高
周波電流を供給して、両者間にグロー放電を形成する。

これにより、ドラム基体１４上にマイクロクリスタリン
シリコン（μＣ−８ｉ）が堆積する。なお、原料ガス中
にＮ　　Ｏ，ＮＨ、ＮＨ、ＮＯ、Ｎ２．ＣＨ４゜ＣＨ，
Ｏガス等を使用することにより、これらの元素をμＣ−
５ｉ中に含有させることができる。

このように、この発明に係る光導電性部材は従来のａ−
３ｉを使用したものと同様に、クローズドシステムの製
造装置で製造することができるため、人体に対して安全
である。また、この光導電性部材は、耐熱性、耐湿性及
び耐摩耗性が優れているため、長期に亘り繰り返し使用
しても劣化が少なく、寿命が長いという利点がある。さ
らに、Ｇ　ｅ　Ｈ４等の長波長増感用ガスが不要である
ので、廃ガス処理設備を設ける必要がなく、工業的生産
性が著しく高い。

μＣ−３ｉには、水素を０，１乃至３ｏ原子％含有させ
ることが好ましい。これにより、暗抵抗と明抵抗とが調
和のとれたものになり、光導電特性が向上する。μＣ−
３ｉ層への水素のドーピングは、例えば、グロー放電分
解法による場合は、Ｓ　Ｉ　Ｈ４及びＳｉ２Ｈ６等のシ
ラン系ガスの原料ガスと、水素等のキャリアガスとを反
応容器内に導入してグロー放電放電させるか、Ｓ　ｉ　
Ｆ　４及びＳ　ｉ　Ｃｌ　４等のハロゲン化ケイ素と、
水素ガスとの混合ガスを使用してもよいし、また、シラ
ン系ガスと、ハロゲン化ケイ素との混合ガスで反応させ
てもよい。更に、グロー放電分解法によらず、スパッタ
リング等の物理的な方法によってもμＣ−３ｉ層を形成
することができる。なお、μＣ−５ｔを含む光導電層は
、光導電特性上、１乃至８０μｍの膜厚を仔することが
好ましく、更に膜厚を５乃至５０μｍにすることが望ま
しい。

光導電層は、実質的に全ての領域をμＣ−５ｉで形成し
てもよいし１、ａ−３ｉとμＣ−５ｉとの混合体又は積
層体で形成してもよい。帯電能は、積層体の方が高く、
光感度は、その体積比にもよるが、赤外領域の長波長領
域では混合体の方が高く、可視光領域では両者はほとん
ど同一である。

このため、感光体の用途により、実質的に全ての領域を
μＣ−３ｉにするか、又は混合体若しくは積層体で構成
すればよい。

μＣ−５ｉに、窒素Ｎ１炭素Ｃ及び酸素０から選択され
た少なくとも１種の元素をドーピングすることが好まし
い。これにより、μＣ−３ｉの暗抵抗を高くして光導電
特性を高めることができる。

これらの元素はμＣ−５ｉの粒界に析出し、またシリコ
ンダングリングボンドのターミネータとして作用して、
バンド間の禁制米中に存在する状態密度を減少させ、こ
れにより、暗抵抗が高くなると考えられる。

この発明においては、導電性支持体と光導電層との間に
、障壁層を配設する。この障壁層は、導電性支持体と、
光導電層との間の電荷の流れを抑制することにより、光
導電性部材の表面における電荷の保持機能を高め、光導
電性部材の帯電能を高める。カールソン方式においては
、感光体表面に正帯電させる場合には、支持体側から光
導電層へ電子が注入されることを防止するために、障壁
層をｐ型にする。一方、感光体表面に負帯電させる場合
には、支持体側から光導電層へ正孔が注入されることを
防止するために、障壁層をｎ型にする。また、障壁層と
して、絶縁性の膜を支持体のにに形成することも可能で
ある。障壁層はμＣ−８１を使用して形成してもよいし
、ａ−５ｔを使用して障壁層を構成することも可能であ
る。

μＣ−５ｉ及びａ−３ｉをｐ型にするためには、周期律
表の第■族に属する元素、例えば、ホウ素Ｂ１アルミニ
ウムＡ１、ガリウムＧａ、インジウムＩ　ｎ−、及びタ
リウムＴ１等をドーピングすることか好ましく、μＣ−
３ｉ層をｎ型にするためには、周ｔｔｐ＋律表の第Ｖ族
に属する元素、例えば、窒素Ｎ１リンＰ１ヒ索Ａｓ、ア
ンチモンＳｂ１及びビスマスＢｉ等をドーピングするこ
とが好ましい。

このｐ型不純物又はｎＱ不純物のドーピングにより、支
持体側から光導電層へ電イ奇が移動することが防止され
る。

光導電層の上に表向層を設けることが好ましい。

光導電層のμＣ−５ｉは、その屈折率が３乃至４と比較
的大きいため、表面での光反射が起きやすい。このよう
な光反射が生じると、光導電層に吸収される光量の割合
いが低下し、光損失が大きくなる。このため、表面層を
設けて反射を防止することが好ましい。また、表面層を
設けることにより、先導電層が損傷から保護される。さ
らに、表面層を形成することにより、帯電能が向上し、
表面に電荷がよくのるようになる。表面層を形成する材
料としては、Ｓｉ　　Ｎ　　、、ＳｉＯ、ＳｉＣ。

Ａｌ　　Ｏ、ａ−５ｉＮ；Ｈ，ａ−５ｉＯ；Ｈ。

及びａ−ＳｉＣ；Ｈ等の無機化合物及びポリ塩化ビニル
及びポリアミド等の有機材料がある。

電子写真感光体に適用される光導電性部材としては、上
述のごとく、支持体上に障壁層を形成し、この障壁層上
に光導電層を形成し、この光導電層の上に表向層を形成
したものに限らず、支持体の上に電荷輸送層（ＣＴＬ）
を形成し、電荷輸送層の上に電荷発生層（ＣＧＬ）を形
成した機能分離型の形態に構成することもできる。この
場合に、電荷輸送層と、支持体との間に、障壁層を設け
てもよい。電荷発生層は、光の照射によりキャリアを発
生する。この電荷発生層は、層の一部又は全部がマイク
ロクリスタリンシリコンμＣ−３ｉでできており、その
厚さは０．１乃至１０μｍにすることが好ましい。電荷
輸送層は電子ｔニア発生層で発生したキャリアを高効率
で支持体側に到達させる層であり、このため、キャリア
の寿命か長く、移動度が大きく輸送性が高いことが必要
である。電荷輸送層はａ−５ｉで形成してもよく、また
μＣ−５ｔで形成してもよい。暗抵抗をＴ’ＡＩめで帯
電能を向上させるために、周期律表の第■族又は第Ｖ族
のいずれか一方に属する元素をライトドーピングするこ
とが好ましい。また、帯電能を一層向上させ、電荷輸送
層と電荷発生層との両機能を持たせるために、Ｃ，Ｎ、
Ｏの元素のうち、いずれか１種以上を含有させてもよい
。電荷輸送層は、その膜厚が薄過ぎる場合及び厚過ぎる
場合はその機能を充分に発揮しない。このため、電荷輸
送層の厚さは３乃至８０μｍであることが好ましい。障
壁層を設けることにより、電荷輸送層と電荷発生層とを
有する機能分離型の光導電性部材においても、その電荷
保持機能を高め、帯電能を向上させることかできる。な
お、障壁層をｐ型にするか、又はｎ型にするかは、その
帯電特性に応じて決定される。この障壁層は、ａ−３ｉ
で形成してもよく、またμＣ−５ｊで形成してもよい。

この出願に係る発明の特徴は、先導電層が、その少なく
とも一部か水素を含有するμＣ−３ｉからなる第一層と
、水素及び酸素を３何するａ−５ｉからなる第二層とを
有することにある。第２図、第３図及び第４図は、この
発明を具体化した光導電性部材の断面図であり、第２図
においては、導電性支持体２１」二に、光導電層が形成
されており、この先導電層は、その少なくとも一部が水
素を含有するμＣ−３ｉからなる第一層２３と、この第
一層のにに形成された水素及び酸素を３白″するａ−８
ｉからなる第二層２４とを白゛する。一方、第３図にお
いては、第一層２３及び第二層２４を何する光導電層と
、支持体２１との間に、障壁層２２が形成されている。

第４図においては、光導電層の上に、表面層２５が形成
されている。

光導電層の第一層２３は、主としてμＣ−５ｉで形成さ
れているが、μＣ−５ｉ自体は、若干、ｎ’Ｍである。

このため、主としてこのμＣ−３ｉからなる第一層に周
期律表の第■族に属する元素をライトドープ（１０−７
乃至１０−３原子％）することか好ましい。これにより
、第一層２３は、ｉ型（真性）半導体になり、暗抵抗が
高くなり、ＳＮ比と帯電能が向−１ニする。また”、第
一層２３には、Ｃ，Ｏ，Ｈのうちの少なくとも一種の元
素を含有することが好ましい。これにより、光導電性部
材の電荷保持機能を一層高めることができる。

障壁層２２は、暗時に支持体２Ｊから光導電層への電子
又は正孔の注入を阻１１二し、光照射時には、光導電層
で発生する電＜１：ｊを高効率で支持体２１側に通過さ
せる機能を有する。この障壁層２２はμＣ−５ｉ又はａ
−３ｉて形成することができるが、μＣ−３ｉの方が電
荷の移動度が高く走行性が良好であるので、障壁層２２
をμＣ−３ｉて形成することが好ましい。障壁層２２に
は、周期律表第■族又は第Ｖ族に属する元素がドーピン
グされており、これにより、障壁層２２がｐ型又はｎ型
の半導体になっている。その含有量は、１０−３乃至１
０原子９６であることが好ましい。また、障壁層２２に
、Ｃ１○、Ｎのうち少なくとも１種以上の元素を、０．
１乃至２０原子％の範囲で含有させると、電荷ブロッキ
ング能が一層向」ニするので、電子写真特性上、好まし
い。さらに、障壁層２２の膜厚は、０，０１乃至１０μ
ｍであることが好ましく、更に好ましくは０．１乃至２
μｍである。

第３図に示すように、第二層２４の上に表面層２５を形
成した光導電性部材においては、この表　　　・面層２
５が、Ｃ，Ｏ，Ｎのうち、少なくとも１種以上の元素を
ｊＴｈ−するａ−３ｉで形成されている。

これにより、光導電層の表面か保護され、＋ｔｊＪ環境
性環境上すると共に、電荷保持機能かあるので帯電能か
向上する。このＣ，Ｏ，Ｈの含有量は、１０乃至５０原
子％であることか好ましい。

この発明においては、第一層２３か主として水素を含有
するμＣ−５ｉからなり、第二層か水素及び酸素を含有
するａ−５ｉからなることを特徴とする。可視光に対す
る光感度は、ＣをＡ　何するａ−６ｉからなる第二層２
４か高く、近赤外光に対する光感度は主としてμＣ−３
ｉからなる第一層２３が高い。このような第一層及び第
二層を積層することによって、光導電層（第一層２３及
び第二層２４）が高抵抗になり、帯電能が向上すると共
に、可視光から近赤外光（例えば、半導体レーザの発振
波長である７　９０　ｎｍ付近）に亘る高範囲の領域で
光感度が極めて高くなる。これにより、ＰＰＣ（普通紙
複写機）及びレーザプリンタの双方にこの光導電性部材
を使用することか可能になる。第一層及び第二層の積層
順序は、第２図乃至第４図に記載のように、導電性支持
体２１側に第一層を形成し、表面（又は表面層２５）側
に第二層２４を形成するパターンに限らず、この積層順
序を逆にしたパターンであってもよい。しかし、光感度
の点においては、第２図乃至第４図に記載のように、ａ
−ＳＬからなる第二層２４の方が表面側にある方が好ま
しい。μＣ−３ｉ層か表面側に存在すると、可視光もこ
のμＣ−３ｉ層で吸収されてしまい、ａ−３ｉ層を設け
る利点かｒ、゛干減少するからである。第二層２４内の
Ｃ及び第一層２３内のＣ，Ｏ，Ｎの濃度は０．１乃至２
０原子９６であることか好ましい。第一層２３と、第二
層２４との層厚比は適宜選択すればよいか、第一層２３
は０．１μｍ以」二、第二層２４は２μｍ以上であるこ
とが好ましい。この第一層及び第二層が積層して得られ
る光導電層は３乃至８０μｍ、好ましくは、１０乃至５
０μｍの層厚を有する。

次に、この発明の実施例について説明する。

実施例 導電性基板としてのＡＩ製トドラム洗浄し乾燥させた後
、反応容器内を拡散ポンプで排気しつつ、３５０℃に加
熱した。約１時間後、反応容器内の真空度か３Ｘ１０−
５トルに達し、トラム温度が安定した。次いで、３００
３ＣＣＭのＩＮ、ｎのＳ　Ｉ　Ｈ４ガス、このＳ　ｔ　
Ｈ４ガス流ａに対する流量比が５Ｘ１０−４のＢＨガス
、６０ＳＣＣＭのＣＨ４ガス、及び２００５ＣＣＭのア
ルゴンガスを混合して反応容器に供給した。１３．５６
ＭＨｚで２００ワツトの高周波電力を印加して２分間グ
ロー放電させた。次いで、ＣＨ４ガスの流量を３０８　
ＣＣＭに低下させて３０秒間成膜し、その後、ＣＨ４ガ
スの流量をＩＯ３ＣＣＭにして３０秒間成膜し、障壁層
２１を形成した。このときの反応容器内圧力は約０．８
トルであり、得られた層厚は、２μｍであった。次に、
全てのガスを停止させてガスバージを１５分間実施した
。

その後、Ｓ　ｉ　Ｈ４の流量を６００５ＣＣＭ、水素ガ
スの流量を５００　ＳＣＣＭ、Ｂ２Ｈ６のＳｉＨに対す
る流量比を８Ｘ１０−８になるように設定し、反応圧力
か、５トル、高周波電力が３５０ワツトで成膜し、２５
μｍ厚のμＣ−３ｉを有する第一層２３を形成した。次
いで、Ｓ　ｉ　Ｈ４ガスを６００ＳＣＣＭ、０２ガスを
１５０　Ｓ　ＣＣＭ流し、５分間保持した。ガスの流量
が安定してから、高周波電力を３５０ワットにして、反
応圧力が、２トルの状態で成膜し、０を含有するａ−５
ｉからなる第二層を５μｍ形成した。

次いで、すべてのガスを停止し、容器内を１５分間ガス
パージした後、Ｓ　ｉＨ４ガスの流量を１１００５ＣＣ
％ＣＨ４ガスの流量を４００５ＣＣＭに設定して、２０
０ワツトの高周波電力を印加し、０．７トル下で、５μ
ｍの層厚の表面層を形成した。このようにして成膜した
感光体に対し、７９０ｎｍの発振波長の半導体レーザを
搭載したレーザプリンタで画像を形成したところ、解像
度が高く、濃度及びかぶり共に欠点がない鮮明な画像を
形成することができた。また、電子写真特性も光感度か
１０ｅｒｇ／ｃ−と極めて良好であった。

さらに、２５℃及び５５％湿度の環墳下で繰返し試験を
実施したところ、表面電位が１０００回後に３０Ｖ低下
し、残留電位が４０ｅｒｇ／ｃｄの露光量で１０００回
後に２■低下した。このように、この発明においては、
電位の変動が少なく耐久性が優れた感光体を得ることが
できる。

［発明の効果］ この発明によれば、高抵抗で帯電特性が優れており、ま
た可視光及び近赤外光領域において高光感度特性を有し
、製造が容易であり、実用性が高い光導電性部材を得る
ことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明に係る光導電性部材の製造装置を示す
図、第２図、第３図及び第４図はこの発明の実施例に係
る光導電性部材を示す断面図である。 、２，３，４；ボンベ、５；圧力計、６；ノにルブ、７
：配管、８；混合器、９；反応容器、１０；回転軸、１
３；電極、１４；ドラム基体、１５；ヒータ、１６；高
周波電源、１９；ゲートバルブ、２１：支持体、２２：
障壁層、２３；第一層、２４；第二層、２５１表面層。 第１　図

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）導電性支持体と、光導電層と、を有する光導電性
   部材において、前記光導電層は、その少なくとも一部が
   水素を含有するマイクロクリスタリンシリコンからなる
   第一層と、水素及び酸素を含有するアモルファスシリコ
   ンからなる第二層と、を有し、第一層及び第二層は光導
   電層の層厚方向に積層していることを特徴とする光導電
   性部材。
2. （２）前記光導電層は、周期律表の第III族又は第Ｖ族
   に属する元素を含有していることを特徴とする特許請求
   の範囲第１項に記載の光導電性部材。
3. （３）前記第一層は、炭素、酸素及び窒素から選択され
   た少なくとも一種の元素を含有することを特徴とする特
   許請求の範囲第１項又は第２項に記載の光導電性部材。
4. （４）前記第一層は、マイクロクリスタリンシリコンの
   領域とアモルファスシリコンの領域とが混在しているこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第３項のいず
   れか１項に記載の光導電性部材。
5. （５）前記第一層は、マイクロクリスタリンシリコンの
   層とアモルファスシリコンの層とが積層されていること
   を特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第３項のいずれ
   か１項に記載の光導電性部材。