JPS61295573A - 光導電性部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の技術分野］ この発明は、電子写真感光体等に使用され、帯電特性、
光感度特性及び耐環境性等が優れた光導電性部材に関す
る。

［発明の技術的背景とその問題点］ 従来、電子写真感光体の光導電層を形成する材料として
、ＣｄＳ、Ｚｎ０ＳＳｅ、、５ｅ−Ｔｅ若しくはアモル
ファスシリコン等の無機材料又はポリ−Ｎ−ビニルカル
バゾール（ＰＶＣｚ）若しくはトリニトロフルオレン（
ＴＮＦ）等の有機材料が使用されている。しかしながら
、これらの従来の光導電性材料においては、光導電特性
上、又は製造北、種々の問題点かあり、感光体システム
の特性をある程度犠牲にして使用目的に応じてこれらの
材料を使い分けている。

例えば、Ｓｅ及びＣｄＳは、人体に対して有害な材料で
あり、その製造に際しては、安全対策」二、特別の配慮
が必要である。従って、製造装置が１夏雑となるため製
造コストが高いと共に、特に、Ｓｅは回収する必要があ
るため回収コストか付加されるという問題点がある。ま
た、Ｓｅ又は５ｅ−Ｔｅ系においては、結晶化温度が６
５℃と低いため、複写を繰り返している間に、残本等に
より光導電特性上の問題が生じ、このため、寿命が短い
ので実用性が低い。

更に、ＺｎＯは、酸化還元が生じやすく、環境雰囲気の
影響を著しく受けるため、使用上、信頼性が低いという
問題点がある。

更にまた、ＰＶＣｚ及びＴＮＦ等の有機光導電性材ｉｌ
ｌは、発癌性物質である疑いが持たれており、人体の健
康上問題かあるのに加え、有機材料は熱安定性及び耐摩
耗性が低く、寿命か短いという欠点がある。

一方、アモルファスシリコン（以下、ａ−３ｉと略す）
は、近時、光導電変換材料として注目されており、太陽
電池、薄膜トランジスタ及びイメージセンサへの応用が
活発になされている。このａ−Ｓｉの応用の一環として
、ａ−５ｉを電子写真感光体の光導電性材料として使用
する試みがなされており、ａ−Ｓｉを使用した感光体は
、無公害の材料であるから回収処理の必要がないこと、
他の材料に比して可視光領域で高い分光感度を有するこ
と、表面硬度が高く耐摩耗性及び耐衝撃性が優れている
こと等の利点を有する。

こρａ−３３は、カールソン方式に基づく感光体として
検討が進められているが、この場合に、感光体特性とし
て抵抗及び光感度が高いことが要求される、しかしなが
ら、この両特性を単一層の感光体で満足させることが困
難であるため、光導電層と導電性支持体との間に障壁層
を設け、光導電層上に表面電荷保持層を設けた積層型の
構造にすることにより、このような要求を満足させてい
る。

ところで、ａ−３ｉは、通常、シラン系ガスを使用した
グロー放電分解法により形成されるが、この際に、ａ−
３ｉ膜中に水素が取り込まれ、水素量の差により電気的
及び光学的特性か大きく変動する。即ち、ａ−３ｉ膜に
侵入する水素の量が多くなると、光学的バンドギャップ
が大きくなり、ａ−３ｉの抵抗が高くなるが、それにと
もない、長波長光に対する光感度か低下してしまうので
、例えば、半導体レーザを搭載したレーザビームプリン
タに使用することが困難である。また、ａ−８１膜中の
水素の含有ｍが多い場合は、成膜条件によって、（Ｓ　
ＩＨ２）　ｎ及びＳ　ｉ　Ｈ２等の結合構造を有するも
のが膜中で大部分の領域を占める場合がある。そうする
と、ボイドが増加し、シリコンダングリングボンドが増
加するため、光導電特性が劣化し、電子写真感光体とし
て使用不能になる。逆に、ａ−３ｉ中に侵入する水素の
量が低下すると、光学的バンドギャップが小さくなり、
その抵抗か小さくなるか、長波長光に対する光感度が増
加する。しかし、水素含有量か少ないと、シリコンダン
グリングボンドと結合してこれを減少させるべき水素が
少なくなる。このため、発生するキャリアの移動度が低
下し、寿命が短くなると共に、光導電特性が劣化してし
まい、電子写真感光体として使用し難いものとなる。

なお、長波長光に対する感度を高める技術として、シラ
ン系ガスとゲルマンＧ　ｅ　Ｈ４とを混合し、グロー放
電分解することにより、光学的バンドギャップが狭い膜
を生成するものがあるが、一般に、シラン系ガスとＧ　
ｅ　Ｈ、ｉとでは、最適基板温度が異なるため、生成し
た膜は構造欠陥が多く、良好な光導電特性を得ることが
できない。また、Ｇ　ｅ　Ｈ４の廃ガスは酸化されると
有毒ガスとなるので、廃ガス処理も複雑である。従って
、このような技術は実用性がない。

〔発明の目的］ この発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであって
、帯電能が優れており、残留電位が低く、広波長領域に
亘って感度が高く、基板との密着性が良く、耐環境性か
優れた光導電性部材を提供することを目的とする。

［発明の概要コ この発明に係る光導電性部材は、導電性支ｔＩｊ体と、
この等電性支持体のＬに形成された障壁層と、この障壁
層の」二に形成された光導電層と、を有する光導電性部
材において、前記障壁層及び光導電層はその少なくとも
一部か周期律表の第■族又は第■族に属する元素を３何
するマイクロクリスタリンシリコンで形成されているこ
とを特徴とする。

この発明は、前述の従来技術の欠点を解消し７、優れた
光導電特性（電子写真特性）と耐環境性とを兼備した光
導電性部材を開発すべく本願発明者等が種々実験研究を
重ねた結果、マイク０クリスタリンシリコン（以下、μ
Ｃ−５ｔと略す）を光導７ヒ性部祠の少なくとも一部に
使用することにより、こめ目的を達成することができる
ことに想到して、この発明を完成させたものである。

［発明の実施例］ 以下、この発明について具体的に説明する。この発明の
特徴は、従来のａ−３ｉの替りにμＣ−８ｉを使用した
ことにある。つまりミ光導電層の全ての領域又は一部の
領域がマイクロクリスタリンシリコン（μＣ−３ｉ）で
形成されているか、マイクロクリスタリンシリコンとア
モルファスシリコン（ａ　　Ｓｉ）との混合体で形成さ
れているか、又はマイクロクリスタリンシリコンとアモ
ルファスシリコンとの積層体で形成されている。また、
機能分離型の光導電性部Ｈにおいては、電＜１１発生層
に／ＩＣ−Ｓ　ｉを使用している。

μＣ−５ｔは、以下のような物性上の特徴により、ａ−
８ｉ及びポリクリスタリンシリコン（多結晶シリコン）
から明確に区別される。即ち、Ｘ線回折測定においては
、ａ−３ｔは、無定形であるため、ハローのみが現れ、
回折パターンを認めることかできないが、μＣ−３ｉは
、２θか２７乃至２８．５°付近にある結晶回折パター
ンを示す。また、ポリクリスタリンシリコンは暗抵抗か
１０６Ω・印であるのに対し、μＣ−５ｉは１０１１Ω
・ａｍ以上の暗抵抗を有する。このμＣ−８１は粒径が
約数十オングストローム以上である微結晶か集合して形
成されている。

μＣ−３ｉとａ−８ｉとの混合体とは、μＣ−３ｉの結
晶領域がａ−８ｉ中に混在していて、μＣ−３ｉ及びａ
−Ｓｉが同程度の体積比で存在するものをいう。また、
μＣ−３ｔとａ−３ｉとの積層体とは、大部分がａ−３
ｉからなる層と、μＣ−３ｉか充填された層とが積層さ
れているものをいう。

このようなμＣ−３ｉを有する光導電層は、ａ−８ｉと
同様に、高周波グロー放電分解法により、シランガスを
原料として、導電性支ｒｆ体上にμＣ−８ｉを堆積させ
ることにより製造することかできる。この場合に、支持
体の彪度をａ−Ｓｉを形成する場合よりも高く設定し、
高周波電力もａ−３ｉの場合よりも高く設定すると、μ
Ｃ−３ｉを形成しやすくなる。また、支持体温度及び高
周波電力を高くすることにより、シランガスなどの原料
ガスの流量を増大させることができ、その結果、成膜速
度を早くすることができる。また、原料ガスのＳｉＨ及
びＳ　ｌ　２　Ｈｃ等の高次のシランガスを水素で希釈
したガスを使用することにより、μＣ−５ｔを一層高効
率で形成することができる。

第１図は、この発明に係る光導電性部材を製造する装置
を示す図である。ガスボンベ１，２．３゜４には、例え
ば、夫々ＳｉＨ、Ｂ　　Ｈ、Ｈ。

ＣＨ４等の原料ガスが収容されている。これらのガスボ
ンベ１，２，３．４内のガスは、流量調整用のバルブ６
及び配管７を介して混合器８に供給されるようになって
いる。各ボンベには、圧力計５が設置されており、この
圧力計５を監視しつつ、バルブ６を調整することにより
、混合器８に供給する各原料ガスの流１ユ及び混合比を
調節することかできる。混合器８にて混合されたガスは
反応容器９に供給される。反応容器９の底部１１には、
回転軸１０が鉛直方向の回りに回転可能に取りつけられ
ており、この回転軸１０の上端に、円板状の支持台１２
がその面を回転軸１０に垂直にして固定されている。反
応容器９内には、円筒状の７ｕ極１３がその軸中心を回
転軸１０の軸中心と一致させて底部１１上に設置されて
いる。感光体のドラム基体１４が支持台１２上にその軸
中心を回転軸１０の軸中心と一致させて載置されており
、このドラム基体１４の内側には、ドラム基体加熱用の
ヒータ１５が配設されている。電極１３とドラム基体１
４との［１Ｈには、高周波電源１６が接続されており、
電極１３及びドラム基体１４間に高周波電流か供給され
るようになっている。回転軸１０はモータ１８により回
転駆動される。反応容器９内の圧力は、圧力計１７によ
り監視され、反応容器９は、ゲートバルブ１８を介して
真空ポンプ等の適宜の排気手段に連結されている。

このように構成される装置により感光体を製造する場合
には、反応容器９内にドラム基体１４を設置した後、ゲ
ートバルブ１９を開にして反応容器９内を約０．１トル
（Ｔｏｒｒ）の圧力以下に排気する。次いで、ボンベ１
，２，３．４かう所要の反応ガスを所定の混合比で混合
して反応容器９内に導入する。この場合に、反応容器９
内に導入するガス流口゛は、反応容器９内の圧力が０．
　１乃至１トルになるように設定する。次いで、モータ
１８を作動させてドラム基体１４を回転させ、ヒータ１
５によりドラム基体１４を一定温度に加熱すると共に、
高周波電源１６により電極１３とドラム基体１４との間
に高周波電流を供給して、両者間にグロー放電を形成す
る。これにより、ドラム基体１４上にマイクロクリスタ
リンシリコン（μＣ−５ｉ）が堆積する。なお、原料ガ
ス中にＮ　　Ｏ，ＮＨ、ＮＨ、Ｎｏ　　、Ｎ　　、ＣＨ
４゜ＣＨ、０２ガス等を使用することにより、これらの
元素をμＣ−８ｉ中に含有させることができる。

このように、この発明に係る光導電性部材は従来のａ−
５ｉを使用したものと同様に、クローズドシステムの製
造装置で製造することができるため、人体に対して安全
である。また、この光導電性部材は、耐熱性、耐湿性及
び耐摩耗性が優れているため、長期に亘り繰り返し使用
しても劣化が少なく、寿命が長いという利点がある。さ
らに、６ｅ１４等の長波長増感用ガスが不要であるので
、廃ガス処理設備を設ける必要がなく、工業的生産性が
著しく高い。

μＣ−３ｉには、水素２を０．１乃至３０原子９６含角
°させることが好ましい。これにより、暗抵抗と明抵抗
とが調和のとれたものになり、光導電特性が向上する。

μＣ−３ｉ層への水素のドーピングは、例えば、グロー
放電分解法による場合は、ＳｉＨ及び５ｉ２Ｈ６等のシ
ラン系の原料ガスと、水素等のキャリアガスとを反応容
器内に導入してグロー放電放電させるか、Ｓ　ｉＦ　４
及びＳ　ｉ　Ｃ１４等のハロゲン化ケイ素と、水素ガス
との混合ガスを使用してもよいし、また、シラン系ガス
と、ハロゲン化ケイ素との混合ガスで反応させてもよい
。更に、グロー放電分解法によらず、スパッタリング等
の物理的な方法によってもμＣ−３ｉ層を形成すること
ができる。なお、μＣ−３ｔを含む光導電層は、光導電
特性上、１乃至８０μｍの膜厚を有することが好ましく
、更に膜厚を５乃至５０μｍにすることが望ましい。

光導電層は、実質的に全ての領域をμＣ−５ｉで形成し
てもよいし１、ａ−５ｉとμＣ−５ｉとの混合体又は積
層体で形成してもよい。帯電能は、積層体の方が高く、
光感度は、その体積比にもよるが、赤外領域の長波長領
域では混合体の方が高く、可視光領域では両者はほとん
ど同一である。

このため、感光体の用途により、実質的に全ての領域を
μＣ−３ｉにするか、又は混合体若しくは積層体で構成
すればよい。

μＣ−３ｔに、窒素Ｎ１炭素Ｃ及び酸素０から選択され
た少なくとも１種の元素をドーピングすることか好まし
い。これにより、μＣ−３ｉの暗抵抗を高くして光導電
特性を高めることができる。

°これらの元素はμＣ−５ｉの粒界に析出し、またシリ
コンダングリングボンドのターミネータとして作用して
、バンド間の禁制米中に存在する状態密度を減少させ、
これにより、暗抵抗が高くなると考えられる。

この発明においては、導電性支持体と光導電層との間に
、障壁層を配設する。この障壁層は、導電性支持体と、
光導電層との間の電荷の流れを抑制することにより、光
導電性部材の表面における電荷の保持機能を高め、光導
電性部材の帯電能を高める。カールソン方式においては
、感光体表面に正帯電させる場合には、支持体側から光
導電層へ電子が注入されることを防止するために、障壁
層をｐ型にする。一方、感光体表面に負帯電させる場合
には、支持体側から光導電層へ正孔が注入されることを
防止するために、障壁層をｎ型にする。また、障壁層と
して、絶縁性の膜を支持体の上に形成することも可能で
ある。障壁層はμＣ−８ｉを使用して形成してもよいし
、ａ−８ｉを使用して障壁層を構成することも可能であ
る。

ｐＣ−Ｓｔ及びａ−３ｉｆｉ：ｐ型にするためには、周
期律表の第■族に属する元素、例えば、ホウ素Ｂ１アル
ミニウムＡＩ、ガリウムＧａ、インジウムＩｎ、及びタ
リウムＴ１等をドーピングすることが好ましく、μＣ−
３ｉ層をｎ型にするためには、周期律表の第Ｖ族に属す
る元素、例えば、窒素Ｎ１リンＰ１ヒ素Ａｓ、アンチモ
ンＳｂ１及びビスマスＢｉ等をドーピングすることが好
ましい。

このｐ型不純物又はｎ！４２不純物のドーピングにより
、支持体側から光導電層へ電荷が移動することが防止さ
れる。

光導電層の上に表面層を設けることが好ましい。

光導電層のμＣ−５ｉは、その屈折率か３乃至４と比較
的大きいため、表面での光反射が起きやすい。このよう
な光反射が生じると、光導電層に吸収される光量の割合
いが低下し、光損失が大きくなる。このため、表面層を
設けて反射を防止することが好ましい。また、表面層を
設けることにより、光導電層が損傷から保護される。さ
らに、表面層を形成することにより、帯電能か向上し、
表面に電荷がよくのるようになる。表面層を形成する材
料としては、Ｓｉ　　Ｎ　　、ＳｉＯ、ＳｉＣ。

Ａｌ　　Ｏ、ａ−ＳｉＮ；Ｈ，ａ−３ｉＯ；Ｈ。

及びａ−３ｉＣ；Ｈ等の無機化合物及びポリ塩化ビニル
及びポリアミド等の有機材料があ之。

電子写真感光体に適用される光導電性部材としては、」
二連のごとく、支持体上に障壁層を形成し、この障壁層
上に光導電層を形成し、この光導電層の」二に表面層を
形成したものに限らず、支持体の上に電荷輸送層（ＣＴ
Ｌ）を形成し、電荷輸送層の上に電荷発生層（ＣＧＬ）
を形成した機能分離型の形態に構成することもできる。

この場合に、電荷輸送層と、支持体との間に、障壁層を
設けてもよい。電荷発生層は、光の照射によりキャリア
を発生する。この電荷発生層は、層の一部又は全部がマ
イクロクリスタリンシリコンμＣ−３ｉでできており、
その厚さは０．１乃至１０ｔ１ｍにすることが好ましい
。電荷輸送層は電荷発生層で発生したキャリアを高効率
で支持体側に到達させる層であり、このため、キャリア
の寿命が長く、移動度が大きく輸送性が高いことが必要
である。電荷輸送層はａ−３ｉで形成してもよく、また
μＣ−８ｉで形成してもよい。暗抵抗を高めて帯電能を
向」ニさせるために、周期律表の第■族又は第Ｖ族のい
ずれか一方に属する元素をライトドーピングすることが
好ましい。また、帯電能を一層向上させ、電荷輸送層と
電荷発生層との両機能を持たせるために、Ｃ，Ｎ、Ｏの
元素のうち、いずれが１種以上を含有させてもよい。電
荷輸送層は、その膜厚が薄過ぎる場合及び厚過ぎる場合
はその機能を充分に発揮しない。このため、電荷輸送層
の厚さは３乃至８０μｍであることが好ましい。障壁層
を設けることにより、電荷輸送層と電荷発生層とを有す
る機能分離型の光導電性部材においても、その電荷保持
機能を高め、帯電能を向上させることができる。なお、
障壁層をｐ型にするか、又はｎ型にするかは、その帯電
特性に応じて決定される。この障壁層は、ａ−Ｓｉで形
成してもよく、またμＣ−５ｉで形成してもよい。

こ゛の出願に係る発明の特徴は、先導電層が、その少な
くとも一部が水素を含有するμＣ−５ｉからなる第一層
と、水素及び窒素を含有するａ　−８ｉからなる第二層
とを有することにある。第２図、第３図及び第４図は、
この発明を具体化した光導電性部材の断面図であり、第
２図においては、導電性支持体２１上に、光導電層が形
成されており、この光導電層は、その少なくとも一部が
水素を含有するμＣ−８ｉからなる第一層２３と、この
第一層の上に形成された水素及び窒素を＋３　ｈするａ
−３ｉからなる第二層２４とを有する。一方、第３図に
おいては、第一層２３及び第二層２４を有する光導電層
と、支持体２１との間に、障壁層２２が形成されている
。第４図においては、光導電層の」二に、表面層２５が
形成されている。

光導電層の第一層２３は、主としてμＣ−５ｉで形成さ
れているが、μＣ−３ｉ自体は、若干、ｎ型である。こ
のため、主としてこのμＣ−３ｔからなる第一層に周期
律表の第■族に属する元素をライトドープ（１０乃至１
０−３原子％）することが好ましい。これにより、第一
層２３は、ｎ型（真性）半導体になり、暗抵抗が高くな
り、ＳＮ比と帯電能が向上する。また、第一層２３には
、Ｃ，Ｏ，Ｎのうちの少なくとも一種の元素を含有する
ことが好ましい。これにより、光導電性部材の電荷保持
機能を一層高めることができる。

障壁層２２は、暗時に支持体２１から光導電層への電子
又は正孔の注入を阻止し、光照射時には、光導電層で発
生する電荷を高効率で支持体２１側に通過させる機能を
有する。この障壁層２２はμＣ−３ｉ又はａ−３ｉで形
成することができるが、μＣ−３ｉの方が電荷の移動度
が高く、走行性か良好であるので、障壁層２２をμＣ−
８ｉで形成することが好ましい。障壁層２２には、周期
律表第■族又は第■族に属する元素がドーピングされて
おり、これにより、障壁層２２がｐ型又はｎ型の半導体
になっている。その含有量は、１０−３乃至１０原子％
であることが好ましい。また、障壁層２２に、Ｃ，Ｏ，
Ｎのうち少なくとも１種以上の元素を、０．１乃至２０
原子％の範囲で含有させると、電荷ブロッキング能が一
層向上するので、電子写真特性上、好ましい。さらに、
障壁層２２の膜厚は、０．０１乃至１０μｍであること
が好ましく、更に好ましくは０．１乃至２μｍである。

第３図に示すように、第二層２４の」二に表向層２５を
形成した光導電性部材においては、この表面層２５が、
Ｃ，０，Ｎのうち、少なくとも１種以」二の元素を含有
するａ−Ｓｉで形成されている。

これにより、光導電層の表面が保護され、耐環境性が向
上すると共に、帯電能が向−卜する。このＣ２０、Ｎの
含Ｋｍは、１０乃至５０原子％であることか好ましい。

この発明においては、第一層２３が主として水素を含有
するμＣ−３ｉからなり、第二層が水素及び窒素を含有
するａ−３ｉからなることを特徴とする。可視光に対す
る光感度は、Ｃを含有するａ−３ｉからなる第二層２４
が高く、近赤外光に対する光感度は主としてμＣ−８ｉ
からなる第一層２３が高い。このような第一層及び第二
層を積層することによって、光導電層（第一層２３及び
第二層２４）が高抵抗になり、帯電能が向上すると共に
、可視光から近赤外光（例えば、半導体レーザの発振波
長である７９０ｎｍ付近）に亘る高範囲の領域で光感度
が極めて高くなる。これにより、ＰＰＣ（ｆｆ通紙複写
機）及びレーザプリンタの双方にこの光導電性部材を使
用することが可能になる。第一層及び第二層の積層順序
は、第２図乃至第４図に記載のように、導電性支持体２
１側に第一層を形成し、表面（又は表面層２５）側に第
二層２４を形成するパターンに限らず、この積層順序を
逆にしたパターンであってもよい。しかし、光感度の点
においては、第２図乃至第４図に記載のように、ａ−３
ｉからなる第二層２４の方が表面側にある方が好ましい
。μＣ−３ｉ層が表面側に存在すると、可視光もこのμ
Ｃ−３ｉ層で吸収されてしまい、ａ−Ｓｉ層を設ける利
点か若干減少するからである。第二層２４内のＮ及び第
一層２３内のＣ，Ｏ，Ｎの濃度は０，１乃至２０原子％
であることが好ましい。第一層２３と、第二層２４との
層厚比は、適宜選択すれはよいが、第一層２３は０．１
μｍ以上、第二層２４は２μｍ以」二であることが好ま
しい。この第一層及び第二層が積層されて得られる光導
電層は３乃至８０μｍ１好ましくは、１０乃至５０μｍ
の層厚を有する。

次に、この発明の実施例について説明する。

及亘通 導電性基板としてのＡＩ製トドラム洗浄し乾燥させた後
、反応容器内を拡散ポンプで排気しつつ、３５０℃に加
熱した。約１時間後、反応容器内の真空度が３×１０−
５トルに達し、ドラム温度が安定した。次いで、３０Ｑ
ＳＣＣＭの流量のＳｉＨ，ガス、このＳ　ｉ　Ｈ４ガス
流量に対する流量比が５Ｘ１０”−’のＢＨガス、６０
ＳＣＣＭＧ のＣＨ４ガス、及び２０ＱＳＣＣＭのアルゴンガスを混
合して反応容器に供給した。１３．５６Ｍ　Ｈｚで２０
０ワツトの高周波電力を印加して２分間グロー放電させ
た。次いで、ＣＨ４ガスの流量を３０５ＣＣＭに低下さ
せて３０秒間成膜し、その後、ＣＨ４ガスの流量を１．
０ＳＣＣＭにして３０秒間成膜し、障壁層２１を形成し
た。このときの反応容器内圧力は約０．８トルであり、
得られた層厚は１．２μｍであった。次に、全てのがス
を停止させてガスパージを１５分間実施した。

その後、ＳｉＨ４の流量を６０ＱＳＣＣＭ、水素ガスの
流量を５００　ＳＣＣＭ、Ｂ２Ｈ６のＳｉＨに対する流
量比を８Ｘ１０−８になるように設定し、反応圧力が１
．５トル、高周波電力が３５０ワツトで成膜し、２５μ
ｍ厚のμＣ−３ｉを有する第一層２３を形成した。次い
で、Ｓ　ｉ　Ｈ４ガスを６０ＱＳＣＣＭＳＮ２ガスを１
５ＱＳＣＣＭ流し、５分間保持した。ガスの流量が安定
してから、高周波電力を３５０ワツトにして、反応圧力
が１．２トルの状態で成膜し、Ｎを６１するａ−５ｉか
らなる第二層を５μｍ形成した。

次いで、すべてのガスを停止し、容器内を１５分間ガス
パージした後、Ｓ　Ｌ　Ｈ、ｉガスの流量を１１００５
ＣＣ，ＣＨ４ガス（７）流量を４０ＱＳＣＣＭに設定し
て、２００ワツトの高周波電力を印加し、０．７トル下
で１．５μｍの層厚の表面層を形成した。このようにし
て成膜した感光体に対し、７９０ｎｍの発振波長の半導
体レーザを搭載したレーザプリンタで画像を形成したと
ころ、解像度が高＜、濃度及びかぶり共に欠点がない鮮
明な画像を形成することができた。また、電子写真特性
も光感度が１０　ｅ　ｒ　ｇ／ｃｉと極めて良好であっ
た。

さらに、２５℃及び５５％湿度の環境下で繰返し試験を
実施したところ、表面電位が１０００回後に３０Ｖ低下
し、残留電位が４０ｅｒｇ／ｃａの露光量で１０００回
後に２Ｖ低下した。このように、この発明においては、
電位の変動が少なく耐久性が優れた感光体を得ることが
できる。

［発明の効果］ この発明によれば、高抵抗で帯電特性が優れており、ま
た可視光及び近赤外光領域において高光感度特性を有し
、製造が容易であり、実用性が高い光導電性部材を得る
ことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明に係る先導電性部材の製造装置を示す
図、第２図、第３図及び第４図はこの発明の実施例に係
る光導電性部材を示す断面図である。 １．２，３，４．ボンベ、５；圧力計、６；バルブ、７
；配管、８；混合器、９；反応容器、１０；回転軸、１
３；電極、１４；ドラム基体、１５；ヒータ、１６；高
周波電源、１９；ゲートバルブ、２１；支持体、２２；
障壁層、２３；第一層、２４；第二層、２５；表面層。 出願人代理人　弁理士　鈴江武彦 ］ｄ 第１図

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）導電性支持体と、光導電層と、を有する光導電性
   部材において、前記光導電層は、その少なくとも一部が
   水素を含有するマイクロクリスタリンシリコンからなる
   第一層と、水素及び窒素を含有するアモルファスシリコ
   ンからなる第二層と、を有し、第一層及び第二層は光導
   電層の層厚方向に積層していることを特徴とする光導電
   性部材。
2. （２）前記光導電層は、周期律表の第III族又は第Ｖ族
   に属する元素を含有していることを特徴とする特許請求
   の範囲第１項に記載の光導電性部材。
3. （３）前記第一層は、炭素、酸素及び窒素から選択され
   た少なくとも一種の元素を含有することを特徴とする特
   許請求の範囲第１項又は第２項に記載の光導電性部材。
4. （４）前記第一層は、マイクロクリスタリンシリコンの
   領域とアモルファスシリコンの領域とが混在しているこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第３項のいず
   れか１項に記載の光導電性部材。
5. （５）前記第一層は、マイクロクリスタリンシリコン層
   とアモルファスシリコン層とが積層されていることを特
   徴とする特許請求の範囲第１項乃至第３項のいずれか１
   項に記載の光導電性部材。