JPS61295577A - 光導電性部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の技術分野］ この発明は、電子写真感光体等に使用され、帯電特性、
光感度特性及び耐環境性等が優れた光導電性部材に関す
る。

［発明の技術的背景とその問題点コ 従来、電子写真感光体の光導電層を形成する材料として
、Ｃｄ　Ｓ　ｓ　Ｚ　ｎ　ＯＳＳ　ｅ　、Ｓ　ｅ　　Ｔ
　ｅ若しくはアモルファスシリコン等の無機材料又はポ
リ−Ｎ−ビニルカルバゾール（ＰＶＣｚ）若しくはトリ
ニトロフルオレン（ＴＮＦ）等の有機＋、ｔ　料が使用
されている。しかしながら、これらの従来の光導電性材
料においては、光導電特性上、又は製造」二、種々の問
題点があり、感光体システムの特性をある程度犠牲にし
て使用目的に応じてこれらの材料を使い分けている。

例えば、Ｓｅ及びＣｄＳは、人体に対して有害な材料で
あり、その製造に際しては、安全対策上、特別の配慮が
必要である。従って、製造装置が複雑となるため製造コ
ストが高いと共に、特に、Ｓｅは回収する必要があるた
め回収コストが付加されるという問題点がある。また、
Ｓｅ又は５ｅ−Ｔｅ系においては、結晶化温度が６５℃
と低いため、１夏写を繰り返している間に、残霜等によ
り光導電特性］二の問題が生じ、このため、寿命が短い
ので実用性が低い。

更に、ＺｎＯは、酸化還元が生じやすく、環境雰囲気の
影響を著しく受けるため、使用上、信頼性が低いという
問題点がある。

更にまた、ＰＶＣｚ及びＴＮＦ等の有機光導電性＋（料
は、発癌性物質である疑いが持。たれており、人体の健
康」二問題があるのに加え、有機材料は熱安定性及び耐
摩耗性が低く、寿命が短いという欠点がある。

一方、アモルファスシリコン（以下、、ａ−３ｉと略す
）は、近時、光導電変換材料として注目されており、太
陽電池、薄膜トランジスタ及びイメージセンサへの応用
が活発になされている。このａ−３ｉの応用の一環とし
て、ａ−８ｉを電子写真感光体の光導電性材料として使
用する試みがなされており、ａ−３ｉを使用した感光体
は、無公害の材料であるから回収処理の必要がないこと
、他の材料に比して可視光領域で高い分光感度を有する
こと、表面硬度が高く耐摩耗性及び耐衝撃性か優れてい
ること等の利点を有する。

このａ−３ｉは、カールソン方式に基づく感光体として
検討が進められているが、この場合に、感光体特性とし
て抵抗及び光感度が高いことが要求される、しかしなが
ら、この両特性を単一層の感光体で満足させることが困
難であるため、光導電層と導電性支持体との間に障壁層
を設け、光導電層上に表面電荷保持層を設けた積層型の
構造にすることにより、このような要求を満足させてい
る。

ところで、ａ−３ｉは、通常、シラン系ガスを使用した
グロー放電分解法により形成されるが、この際に、ａ−
３ｔ膜中に水素が取り込まれ、水素量の差により電気的
及び光学的特性か大きく変動する。即ち、ａ−３ｉ膜に
侵入する水素の計が多くなると、光学的バンドギャップ
が大きくなり、ａ−５ｉの抵抗か高くなるが、それにと
もない、長波長光に対する光感度が低下してしまうので
、例えば、半導体レーザを搭載したレーザビームプリン
タに使用することが困難である。また、ａ　−３ｉ膜中
の水素の含有量が多い場合は、成膜条件によって、（Ｓ
　ＩＨ２）ｎ及びＳ　ｓ　Ｈ２等の結合構造を何するも
のが膜中で大部分の領域を占める場合がある。そうする
と、ボイドが増加し、シリコンダングリングボンドが増
加するため、光導電特性が劣化し、電子写真感光体とし
て使用不能になる。逆に、ａ−３ｉ中に侵入する水素の
量が低下すると、光学的バンドギャップが小さくなり、
その抵抗が小さくなるが、長波長光に対する光感度が増
加する。しかし、水素含有量が少ないと、シリコンダン
グリングボンドと結合してこれを減少させるべき水素が
少なくなる。このため、発生するキャリアの移動度が低
下し、寿命が短くなると共に、光導電特性か劣化してし
まい、電子写真感光体として使用し難いものとなる。

なお、長波長光に対する感度を高める技術として、シラ
ン系ガスとゲルマンＧ　ｅ　Ｈ４とを混合し、グロー放
電分解することにより、光学的バンドギャップが狭い膜
を生成するものがあるが、一般に、シラン系ガスとＧ　
ｅ　Ｈ４とでは、最適基板温度が異なるため、生成した
膜は構造欠陥が多く、良好な光導電特性を得ることがで
きない。また、Ｇ　ｅ　Ｈ４の廃ガスは酸化されると有
毒ガスとなるので、廃ガス処理も複雑である。従って、
このような技術は実用性がない。

［発明の目的］ この発明は、かかるＳ１ｆ情に鑑みてなされたものであ
って、帯電能が優れており、残留電位か低く、広波長領
域に亘って感度か高く、基板との密着性が良く、耐環境
性が優れた光導電性部材を提供することを目的とする。

［発明のｌＩＷ要コ この発明に係る光導電性部材は、導電性支持体と、この
導電性支持体の一層に形成された障壁層と、この障壁層
の−にに形成された光導電層と、を有する光導電性部材
において、前記障壁層は、水素、周期律表の第■族叉は
第り族に属する元素、並びに炭素、酸素及び窒素から選
択された少なくとも一種の元素を４．６−するマイクロ
クリスタリンシリコンで形成されており、前記光導電層
は、その少なくとも一部が水素を１１Ｈするマイクロク
リスタリンシリコンからなる第一層と、水素及び酸素を
合釘するアモルファスシリコンからなる第二層と、を白
゛し、第一層及び第二層は光導電層の層厚り向に積層し
ていることを特徴とする。

この発明は、前述の従来技術の欠点を解消し、優れた光
導電特性（電子写真特性）と耐環境性とを兼備した光導
電性部材を開発すべく本願発明者等か種々実験研究を重
ねた結果、マイクロクリスタリンシリコン（以下、μＣ
−３ｉと略す）を先導電性部材の少なくとも一部に使用
することにより、この目的を達成することができること
に想到して、この発明を完成させたものである。

［発明の実施例］ 以下、この発明について具体的に説明する。この発明の
特徴は、従来のａ−Ｓｉの替りにμＣ−８１を使用した
ことにある。つまり、光導電層の全ての領域又は一部の
領域がマイクロクリスタリンシリコン（μＣ−５ｉ）で
形成されているか、マイクロクリスタリンシリコンとア
モルファスシリコン（ａ−５ｉ）との混合体で形成され
ているか、又はマイクロクリスタリンシリコンとアモル
ファスシリコンとの積層体で形成されている。また、機
能分離型の光導電性部材においては、電荷発生層にμＣ
−３ｉを使用している。

μＣ−３ｉは、以下のような物性上の特徴により、ａ−
３ｉ及びポリクリスタリンシリコン（多結晶シリコン）
から明確に区別される。即ち、Ｘ線回折測定においては
、ａ−３ｉは、無定形であるため、ハローのみが現れ、
回折パターンを認めることができないが、μＣ−３ｉは
、２θが２７乃至２８．５°付近にある結晶回折パター
ンを示す。また、ポリクリスタリンシリコンは暗抵抗が
１０６Ω・ｃｍであるのに対し、μＣ−３ｉは１０１１
Ω・ｃｍ以上の暗抵抗を有する。このμＣ−８１は粒径
が約数十オングストローム以上である微結晶が集合して
形成されている。

μＣ−３ｉとａ−Ｓｉとの混合体とは、μＣ−３ｉの結
晶領域がａ−３ｉ中に混在していて、μＣ，−３ｉ及び
ａ−３ｉが同程度の体積比で存在するものをいう。また
、μＣ−５ｉとａ−３ｉとの積層体とは、大部分かａ−
３ｉからなる層と、μＣ−５ｉが充填された層とが積層
されているものをいう。

このようなμＣ−５ｉをＨする光導電層は、ａ−３ｉと
同様に、高周波グロー放電分解法により、シランガスを
原料として、導電性支持体上にμＣ−３ｉを堆積させる
ことにより製造することができる。この場合に、支持体
の温崩をａ−３ｉを形成する場合よりも高く設定し、高
周波７ヒカもａ−８１の場合よりも高く設定すると、μ
Ｃ−３ｉを形成しやすくなる。また、支持体ｌ：Ｌ度及
び高周波電力を高くすることにより、シランガスなどの
ＩＩバ料ガスの流量を増大させることかでき、そのイー
ｉ宋、成膜速度を早くすることができる。また、原料ガ
スのＳｉＨ及び５ｉ２Ｈｅ等の高次のシランガスを水素
で希釈したガスを使用することにより、μＣ−３ｉを一
層高効率で形成することができる。

第１図は、この発明に係る光導電性部材を製造する装置
を示す図である。ガスボンベ１，２，３゜４には、例え
ば、夫々Ｓ　ｉＨ、Ｂ　　Ｈ、Ｈ２。

　　２　Ｇ ＣＨ４等の原料ガスが収容されている。これらのガスボ
ンベ１．２，３．４内のガスは、１７！Ｅ　ｍ調整用の
バルブ６及び配管７を介して混合器８に供給されるよう
になっている。各ボンベには、圧力計５が設置されてお
り、この圧力計５を監視しつつ、ハルプロを調整するこ
とにより、混合器８に供給する各原料ガスの流量及び混
合比を調節することができる。混合器８にて混合された
ガスは反応容器９に供給される。反応容器９の底部１１
には、回転軸１０が鉛直方向の回りに回転可能に取りつ
けられており、この回転軸１０の上端に、円板状の支持
台１２がその面を回転軸１０に垂直にして固定されてい
る。反応容器９内には、円筒状の７ヒ極１３かその軸中
心を回転軸１０の軸中心と一致させて底部１１上に設置
されている。感光体のドラムＪ１（体１４か支持台１２
］二にその軸中心を回転軸１０の軸中心と一致させて載
置されており、このトラムフ、（体１４の内側には、ド
ラム基体加熱用のヒータ１５が配設されている。電極１
３とドラム状体１４との間には、高周波電源１６が接続
されており、電極１３及びドラム基体１４間に高周波電
流か供給されるようになっている。回転軸１０はモータ
１８により回転駆動される。反応容器９内の圧力は、圧
力計１７により監視され、反応容器９は、ゲートバルブ
１８を介して真空ポンプ等の適宜の排気手段に連結され
ている。

このように構成される装置により感光体を製造する場合
には、反応容器９内にドラム基体１４を設置した後、ゲ
ートバルブ１９を開にして反応容器９内を約０．１１−
ル（Ｔｏ　ｒ　ｒ）の圧力以下に排気する。次いで、ボ
ンベ１．２，３．４かう所要の反応ガスを所定の混合比
で混合して反応容器９内に導入する。この場合に、反応
容器９内に導入するガス流量は、反応容器９内の圧力が
０．１乃至１トルになるように設定する。次いで、モー
タ１８を作動さ−せてドラム基体１４を回転させ、ヒー
タ１５によりドラム基体１４を一定温度に加熱すると共
に、高周波電源１６により電極１３とドラム基体１４と
の間に高周波電流を供給して、両者間にグロー放電を形
成する。これにより、ドラム基体１４上にマイクロクリ
スタリンシリコン（μＣ−３ｉ）が堆積する。なお、原
料ガス中にＮ　　Ｏ，ＮＨ、ＮＨ、Ｎｏ　　、Ｎ２．Ｃ
Ｈ４゜ＣＨ，０２ガス等を使用することにより、これら
の元素をμＣ−３ｉ中に含有させることができる。

このように、この発明に係る光導電性部材は従来のａ−
３ｉを使用したものと同様に、クローズドシステムの製
造装置で製造することができるため、人体に対して安全
である。また、この光導電性部材は、耐熱性、耐湿性及
び耐摩耗性が優れているため、長間に亘り繰り返し使用
しても劣化が少なく、寿命が長いという利点がある。さ
らに、Ｇ　ｅ　Ｈ４等の長波長増感用ガスが不要である
ので、廃ガス処理設備を設ける必要がなく、工業的生産
性が杆しく高い。

μＣ−５ｉには、水素を０．１乃至３ｏ原子％含何させ
ることが好ましい。これにより、暗抵抗と明抵抗とが調
和のとれたものになり、光導電特性が向」ニする。μＣ
−３ｉ層への水素のドーピングは、例えば、グロー放電
分解法による場合は、ＳｉＨ４及び　　２６等のシラン
系の原料ガスＳｉ　　　　Ｈ と、水素等のキャリアガスとを反応容器内に導入してグ
ロー放電放電させるか、Ｓ　ＩＦ　４及びＳ　Ｌ　ＣＩ
　４等のハロゲン化ケイ素と、水素ガスとの混合ガスを
使用してもよいし、また、シラン系ガスと、ハロゲン化
ケイ素との混合ガスで反応させてもよい。更に、グロー
放電分解法によらず、スパツタリング等の物理的な方法
によってもμＣ−５ｉ層を形成することができる。なお
、μＣ−５ｉを含む光導電層は、先導ｒｖ特性上、１乃
至８０μｍの膜厚を有することが好ましく、更に膜厚を
５乃至５０μｍにすることが望ましい。

光導電層は、実質的に全ての領域をμＣ−３ｉで形成し
てもよいし１、ａ−ＳｉとμＣ−５ｔとの混合体又は積
層体で形成してもよい。帯電能は、積層体の方が高く、
光感度は、その体積比にもよるか、赤外領域の長波長領
域では混合体の方が高く、可視光領域では両者はほとん
ど同一である。

このため、感光体の用途により、実質的に全ての領域を
μＣ−３ｉにするか、又は混合体若しくは積層体で構成
すればよい。

μＣ−３ｉに、窒素Ｎ、炭素Ｃ及び酸素Ｏから選択され
た少なくとも１種の元素をドーピングすることか好まし
い。これにより、μＣ−５ｉの暗抵抗を高くして光導電
特性を高めることができる。

これらの元素はμＣ−３ｉの粒界に析出し、またシリコ
ンダングリングボンドのターミネータとして作用して、
バンド間の禁制帯中に存在する状態密度を減少させ、こ
れにより、暗抵抗が高くなると考えられる。

この発明においては、導電性支持体と光導電層との間に
、障壁層を配設する。この障壁層は、導電性支持体と、
光導電層との間の電荷の流れを抑１、すすることにより
、光導電性部材の表面における電＜１１の保持機能を高
め、光導電性部材の帯電能を高める。カールソン方式に
おいては、感光体表面に正帯電させる場合には、支持体
側から光導電層へ電子が注入されることを防止するため
に、障壁層をｐ　型にする。一方、感光体表面に負帯電
させる場合には、支持体側から光導電層へ正孔が注入さ
れることを防止するために、障壁層をｎ型にする。また
、障壁層として、絶縁性の膜を支持体の上に形成するこ
とも可能である。障壁層はμＣ−５五を使用して形成し
てもよいし、ａ−３ｉを使用して障壁層を構成すること
も可能である。

μＣ−３ｉ及びａ−３ｉをｐ型にするためには、周ｊｔ
Ｊ１律表の第■族に属する元素、例えば、ホウ素Ｂ１ア
ルミニウムＡＩ、ガリウムＧａ、インジウムＩｎ、及び
タリウムＴ１等をドーピングすることが好ましく、μＣ
−５ｉ層をｎ型にするためには、周期律表の第り族に属
する元素、例えば、窒素Ｎ、リンＰ１ヒ素Ａｓ、アンチ
モンＳｂ１及びビスマスＢｉ等をドーピングすることが
好ましい。

このｎ型不純物又はｎ型不純物のドーピングにより、支
持体側か−ら光導電層へ電６Ｉが移動することが防止さ
れる。

光導電層の」二に表面層を設けることが好ましい。

光導電層のμＣ−３ｔは、その屈折率が３乃至４と比較
的大きいため、表面での光反射か起きやすい。このよう
な光反射が生じると、光導電層に吸収される光量の割合
いが低下し、光損失が大きくなる。このため、表向層を
設けて反射を防止することが好ましい。また、表面層を
設けることにより、光導電層が損傷から保護される。さ
らに、表面層を形成することにより、帯電能が向上し、
表面に電荷がよくのるようになる。表面層を形成する＋
イ料としテハ、ｓｉ　　Ｎ　　、ＳｉＯ、ｓｌｃ。

ＡＩ　　Ｏ、ａ−３ｉＮ；Ｈ，ａ−ＳｉＯ；Ｈｓ及びａ
−５ｉＣ；Ｈ等の無機化合物及びポリ塩化ビニル及びポ
リアミド等の有機材料がある。

電子写真感光体に適用される光導電性部材としては、上
述のごとく、支持体上に障壁層を形成し、この障壁層」
二に光導電層を形成し、この先導７ｕ層の上に表面層を
形成したものに限らず、支持体の上に電荷輸送層（ＣＴ
Ｌ）を形成し、電荷輸送層の−Ｌに電荷発生層（ＣＧＬ
）を形成した機能分離型の形態に構成することもできる
。この場合に、電荷輸送層と、支持体との間に、障壁層
を設けてもよい。電荷発生層は、光の照射によりキャリ
アを発生する。この電荷発生層は、層の一部又は全部が
マイクロクリスタリンシリコンμＣ−５ｉでできており
、その厚さは０．１乃至１０μｍにすることが好ましい
。電荷輸送層は電荷発生層で発生したキャリアを高効率
で支持体側に到達させる層であり、このため、キャリア
の寿命が長く、移動度が大きく輸送性が高いことが必要
である。電荷輸送層はａ−３ｉで形成してもよく、また
μＣ−３ｉで形成してもよい。暗抵抗を高めて帯電能を
向トさせるために、周期律表の第■族又は第り族のいず
れか一方に属する元素をライトドーピングすることが好
ましい。また、帯電能を一層向」ニさせ、電荷輸送層と
電荷発生層との両機能を持たせるために、Ｃ，Ｎ、Ｏの
元素のうち、いずれか１種以上を３白゛させてもよい。

電荷輸送層は、その膜厚か薄過ぎる場合及び厚過ぎる場
合はその機能を充分に発揮゛しない。このため、電荷輸
送層の厚さは３乃至８０μｍであることが好ましい。障
壁層を設けることにより、電イ；：ｆ輸送層と電荷発生
層とを有する機能分離型の光導電性部Ｈにおいても、そ
の電６：ｊ保持機能を高め、帯電能を向」ニさせること
ができる。なお、障壁層をｐ型にするか、又はｎ型にす
るかは、その帯電特性に応じて決定される。。この障壁
層は、ａ−５ｉで形成してもよく、またμＣ−８ｌで形
成してもよい。

この出願に係る発明の特徴は、先導Ｔヒ層が、その少な
くとも一部か水素を含有するμＣ−５ｉからなる第一層
と、水素及び酸素を含有するａ−８１からなる第二層と
を有することにある。第２図、第３図及び第４図は、こ
の発明を具体化した先導電性部材の断面図であり、第２
図においては、導電性支持体２１トに、光導電層が形成
されており、この光導電層は、その少なくとも一部が水
素を３ＨするμＣ−３ｉからなる第一層２３と、この第
一層の上に形成された水素及び酸素を含有するａ−３ｉ
からなる第二層２４とを有する。一方、第３図において
は、第一層２３及び第二層２４をＨする光導電層と、支
持体２１との間に、障壁層２２が形成されている。第４
図においては、光導電層の上に、表面層２５が形成され
ている。

光導電層の第一層２３は、主としてμＣ−３ｉて形成さ
れているか、μＣ−３ｉ自体は、若干、ｎ型である。こ
のため、主としてこのμＣ−８ｉからなる゛第一層に周
期律表の第■族に属する元素をライトドープ（１０乃至
１０−３原子％）することが好ましい。これにより、第
一層２３は、ｎ型（真性）半導体になり、暗抵抗が高く
なり、ＳＮ比と帯電能が向上する。また、第一層２３に
は、Ｃ，Ｏ，Ｎのうちの少なくとも一種の元素を含有す
ることが好ましい。これにより、先導電性部材の電画保
持機能を一層高めることができる。

障壁層２２は、暗時に支持体２１から光導電層への電子
又は正孔の注入を１（１１止し、光照射時には、光導電
層で発生する電荷を高効率で支ＹＪｊ体２１側に通過さ
せる機能を有する。この障壁層２２はμＣ−８ｉ又はａ
−３ｔで形成することができるか、μＣ−３ｉＯ方が電
荷の移動度が高く走行性か良好であるので、障壁層２２
をμＣ−５ｉで形成することが好ましい。障壁層２２に
は、周ｉｔＢ律表第■族又は第り族に属する元素がドー
ピングされており、これにより、障壁層２２がｎ型又は
ｎ型の半導体になっている。その含有全は、１ｏ−３乃
至１０原子％であることが好ましい。また、障壁層２２
に、Ｃ，Ｏ，Ｎのうち少なくとも１種以上の元素を、（
１，１乃至２０原子％の範囲で３白。

させると、電荷ブロッキング能か一層向上するので、電
子写真特性」二、好ましい。さらに、障壁層２２の膜厚
は、０．０１乃至１０μｍであることが好ましく、更に
好ましくは０．１乃至２μｍである。

第３図に示すように、第二層２４の上に表面層２５を形
成した先導電性部材においては、この表面層２５が、Ｃ
，Ｏ，Ｎのうち、少なくとも１押点−Ｌの元素を含有す
るａ−３ｉで形成されている。

これにより、光導電層の表面が保訛され、耐環境性か向
」−すると共に、帯電能が向上する。このＣ１０、Ｎの
含ａ量は、１０乃至５０原子％であることか好ましい。

この発明においては、第一層２３が主として水素を３白
°するμＣ−３ｉからなり、第二層が水素及び酸素を３
　、ｌ、−するａ−Ｓｉからなることを特徴とする。可
視光に対する光感度は、Ｃを含有するａ−３ｉからなる
第二層２４か高く、近赤外光に対する光感度は主として
μＣ−３ｉからなる第一層２３が高い。このような第一
層及び第二層を積層することによって、光導電層（第一
層２３及び第二層２４）が高抵抗になり、帯電能が向上
すると共に、可視光から近赤外光（例えば、半導体レー
ザの発振波長である７９０ｎｍ付近）に亘る高範囲の領
域で光感度が極めて高くなる。これにより、ＰＰＣ（管
通紙複写機）及びレーザプリンタの双方にこの先導電性
部材を使用することか可能になる。第一層及び第二層の
積層順序は、第２図乃至第４図に記載のように、導電性
支持体２１側に第一層を形成し、表面（又は表面層２５
）側に第二層２４を形成するパターンに限らず、この積
層順序を逆にしたパターンであってもよい。しかし、光
感度の点においては、第２図乃至第４図に記４表のよう
に、ａ−３ｉからなる第二層２４の方が表面側にある方
か好ましい。μＣ−５ｉ層が表面側に存（１：すると、
可視光もこのμＣ−３ｉ層で吸収されてしまい、ａ−３
ｉ層を設ける利点が若干減少するからである。第二層２
４内のＣ及び第一層２３内のＣ，０，Ｎの濃度は０．１
乃至２０原子％であることが好ましい。第一層２３と、
第二層２４との層厚比は適宜選択すればよいが、第一層
２３は０．１μｍ以上、第二層２４は２μｍ以上である
ことが好ましい。この第一層及び第二層か積層して得ら
れる光導電層は３乃至８０μｍ、好ましくは１０乃至５
０μｍの層厚を有する。

次に、この発明の実施例について説明する。

実施例 導電性基板としてのＡＩ製トドラム洗浄し乾燥させた後
、反応容器内を拡散ポンプで排気しつつ、３５０℃に加
熱した。約１時間後、反応容器内の真空度が３Ｘ１０”
−５トルに達し、ドラム温度が安定した。次いで、３０
０３ＣＣＭの流量のＳｉＨガス、このＳ　Ｉ　Ｈ、ｉガ
ス流量に対する流量比が５×１０　のＢ２Ｈ６ガス、６
０ＳＣＣＭのＣＨ４ガス、及び２００５ＣＣＭのアルゴ
ンガスを混合して反応容器に供給した。１３．５６ＭＨ
ｚ：２００ワツトの高周波電力を印加して２分間グロー
放電させた。次いで、ＣＨ４ガスの流量を３０３　ＣＣ
Ｍに低下させて３０秒間成膜し、その後、ＣＨ４ガスの
流量を１　’ＯＳ　ＣＣＭにして３０秒間成膜し、障壁
層２１を形成した。このときの反応容器内圧力は約０．
８トルであり、得られた層厚は１．２μｍであった。次
に、全てのガスを停止させてガスバージを１５分間実施
した。

その後、ＳｉＨ４の流量を６００３ＣＣＭ、水素ガスの
流量を５００ＳＣＣＭ１Ｂ２Ｈ６のＳｉＨに対する流量
比を８Ｘ１０−８になるように設定し、反応圧力が１．
５トル、高周波電力か３５０ワツトで成膜し、２５μｍ
厚のμＣ−５ｉを有する第一層２３を形成した。次いで
、ＳｉＨガスを６００ＳＣＣＭ、０２ガスを１５０３　
ＣＣＭ　（＊し、５分間保持した。ガスの流計が安定し
てから、高周波電力を３５０ワツトにして、反応圧力が
１．２トルの状態で成膜し、Ｏをｉ３　’ｈするａ−Ｓ
ｉからなる第二層を５μｍ形成した。

次いて、すべてのガスを停止し、容器内を１５分間ガス
パージした後、Ｓ　Ｉ　Ｈ４ガスの流量を１１００５Ｃ
Ｃ，ＣＨ４ガスの流量を４００ＳＣＣＭに設定して、２
００ワツトの高周波電力を印加し、０．７トル下で１．
５μｍの層厚の表面層を形成した。このようにして成膜
した感光体に対し、７９０ｎｍの発振波長の半導体レー
ザを搭載したレーザプリンタで画像を形成したところ、
解像度が高く、濃度及びかぶり共に欠点がない鮮明な画
像を形成することができた。また、電子写真特性も光感
度か１０ｅｒｇ／ｃＪと極めて良好であった。

さらに、２５°Ｃ及び５５％湿度の環境下で繰返し試験
を実施したとろろ、表面電位が１０００回後に３０Ｖ低
下し、残留電位が４０ｅｒｇｌｃ＆の露光量で１０００
回後に２Ｖ低下した。このように、この発明においては
、電位の変動か少なく耐久性か優れた感光体を得ること
ができる。

［発明の効果］ この発明によれば、高抵抗で帯電特性が優れており、ま
た１■視光及び近赤外光領域において高光感度特性を有
し、製造が容易であり、実用性が高い光導電性部材を得
ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図−はこの発明に係る光導電性部材の製造装置を示
す図、第２図、第３図及び第４図はこの発明の実施例に
係る先導電性部材を示す断面図である。 １．２，３．４；ボンベ、５；圧力計、６；ノＡルブ、
７；配管、８；混合器、９：反応容器、１０；回転軸、
１３；電極、１４；トラム基体、１５；ヒータ、１６；
高周波電源、１９；ゲートバルブ、２１．支持体、２２
：障壁層、２３．第一層、２４；第二層、２５；表面層
。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）導電性支持体と、この導電性支持体の上に形成さ
   れた障壁層と、この障壁層の上に形成された光導電層と
   、を有する光導電性部材において、前記障壁層は、水素
   、周期律表の第III族又は第Ｖ族に属する元素、並びに
   炭素、酸素及び窒素から選択された少なくとも一種の元
   素を含有するマイクロクリスタリンシリコンで形成され
   ており、前記光導電層は、その少なくとも一部が水素を
   含有するマイクロクリスタリンシリコンからなる第一層
   と、水素及び酸素を含有するアモルファスシリコンから
   なる第二層と、を有し、第一層及び第二層は光導電層の
   層厚方向に積層していることを特徴とする光導電性部材
   。
2. （２）前記光導電層は、周期律表の第III族又は第り族
   に属する元素を含有していることを特徴とする特許請求
   の範囲第１項に記載の光導電性部材。
3. （３）前記第一層は、炭素、酸素及び窒素から選択され
   た少なくとも一種の元素を含有することを特徴とする特
   許請求の範囲第１項又は第２項に記載の光導電性部材。
4. （４）前記第一層は、マイクロクリスタリンシリコンの
   領域とアモルファスシリコンの領域とが混在しているこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第３項のいず
   れか１項に記載の光導電性部材。
5. （５）前記第一層は、マイクロクリスタリンシリコンの
   層とアモルファスシリコンの層とが積層されていること
   を特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第３項のいずれ
   か１項に記載の光導電性部材。