JPS61295571A

JPS61295571A - 光導電性部材

Info

Publication number: JPS61295571A
Application number: JP13821885A
Authority: JP
Inventors: Akira Miki; 明三城; Hideji Yoshizawa; 吉澤　秀二; Wataru Mitani; 渉三谷; Mariko Yamamoto; 山本　万里子; Tatsuya Ikesue; 龍哉池末
Original assignee: Toshiba Corp; Toshiba Automation Equipment Engineering Ltd
Current assignee: Toshiba Corp; Toshiba Intelligent Technology Co Ltd
Priority date: 1985-06-25
Filing date: 1985-06-25
Publication date: 1986-12-26

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［発明の技術分野］この発明は、電子写真感光体等に使用され、帯電特性、
光感度特性及び耐環境性等が優れた光導電性部材に関す
る。

［発明の技術的背景とその問題点〕従来、電子写真感光体の光導電層を形成する材料として
、Ｃｄ５５ＺｎＯ１Ｓｅ、５ｅ−Ｔｅ若しくはアモルフ
ァスシリコン等の無機材料又はポリ−Ｎ−ビニルカルバ
ゾール（ＰＶＣｚ）若しくはトリニトロフルオレン（Ｔ
ＮＦ）等の有機材料が使用されている。しかしながら、
これらの従来の光導電性材料においては、光導電特性上
、又は製造上、種々の問題点があり、感光体システムの
特性をある程度犠牲にして使用目的に応じ゛にれらの材
料を使い分けている。

例えば、Ｓｅ及びＣｄＳは、人体に対して有害な材料で
あり、その製造に際しては、安全対策上、特別の配慮が
必要である。従って、製造装置が複雑となるため製造コ
ストが高いと共に、特に、Ｓｅは回収する必要があるた
め回収コストが付加されるという問題点がある。また、
Ｓｅ又は５ｅ−Ｔｅ系においては、結晶化温度が６５℃
と低いため、ｔ９写を繰り返している間に、残本等によ
り光導電特性上の問題が生じ、このため、寿命が短いの
で実用性が低い。

更に、ＺｎＯは、酸化還元が生じやすく、環境雰囲気の
影響を著しく受けるため、使用上、信頼性が低いという
問題点がある。

更にまた、ＰＶＣｚ及びＴＮＦ等の有機光導電性材料は
、発癌性物質である疑いが持たれており、人体の健康上
問題があるのに加え、有機材料は熱安定性及び耐摩耗性
が低く、寿命が短いという欠点がある。

一方、アモルファスシリコン（以下、ａ−５ｉと略す）
は、近時、光導電変換材料として注目されており、太陽
電池、薄膜トランジスタ及びイメージセンサへの応用が
活発になされている。このａ−８ｉの応用の一環として
、ａ−Ｓｔを電子写真感光体の光導電性材料として使用
する試みがなされており、ａ−３ｔを使用した感光体は
、無公害の材料であるから回収処理の必要がないこと、
他の材料に比して可視光領域で高い分光感度を何するこ
と、表面硬度が高く耐摩耗性及び耐衝撃性が優れている
こと等の利点を有する。

このａ−Ｓｉは、カールソン方式に基づく感光体として
検討が進められているが、この場合に、感光体特性とし
て抵抗及び光感度が高いことが要求される、しかしなが
ら、この両特性を単一層の感光体で満足させることが困
難であるため、光導電層と導電性支持体との間に障壁層
を設け、光導電層上に表面電荷保持層を設けた積層型の
構造にすることにより、このような要求を満足させてい
る。

ところで、ａ−３ｉは、通常、シラン系ガスを使用した
グロー放電分解法により形成されるが、この際に、ａ−
８ｉ膜中に水素が取り込まれ、水素量の差により電気的
及び光学的特性が大きく変動する。即ち、ａ−５ｉ膜に
侵入する水素の皿が多くなると、光学的バンドギャップ
が大きくなり、ａ−５ｉの抵抗が高くなるが、それにと
もない、長波長光に対する光感度が低下してしまうので
、例えば、半導体レーザを搭載したレーザビームプリン
タに使用することが困難である。また、ａ−５ｉ膜中の
水素の含有量が多い場合は、成膜条件によって、（Ｓ　
ｉ　Ｈ２）　ｎ及びＳ　Ｌ　Ｈ２等の結合構造を有する
ものが膜中で大部分の領域を占める場合がある。そうす
ると、ボイドが増加し、シリコンダングリングボンドが
増加するため、光導電特性が劣化し、電子写真感光体と
して使用不能になる。逆に、ａ−Ｓｉ中に侵入する水素
の量が低下すると、光学的バンドギャップが小さくなり
、その抵抗が小さくなるが、長波長光に対する光感度が
増加する。しかし、水素含有量が少ないと、シリコンダ
ングリングボンドと結合してこれを減少させるべき水素
が少なくなる。このため、発生するキャリアの移動度か
低下し、寿命が短くなると共に、光導電特性か劣化して
しまい、電子写真感光体として使用し難いものとなる。

なお、長波長光に対する感度を高める技術として、シラ
ン系ガスとゲルマンＧ　ｅ　Ｈ４とを混合し、グロー放
電分解することにより、光学的バンドギャップが狭い膜
を生成するものがあるが、一般に、シラン系ガスとＧ　
ｅ　Ｈ４とでは、最適基板温度が異なるため、生成した
膜は構造欠陥が多く、良好な光導電特性を得ることがで
きない。また、Ｇ　ｅ　Ｈ４の廃ガスは酸化されると有
毒ガスとなるので、廃ガス処理も複雑である。従って、
このような技術は実用性がない。

［発明の目的］この発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであって
、帯電能が優れ、ており、残留電位が低く、広波長領域
に亘って感度が高く、基板との密着性が良く、耐環境性
が優れた光導電性部材を提供することを目的とする。

［発明の概要コこの発明に係る光導電性部材は、導電性支持体と、この
導電性支持体の上に形成された障壁層と、この障壁層の
上に形成された光導電層と、この光導電層の上に形成さ
れた表面層と、を有する光導電性部材において、前記障
壁層は、水素及び／又はハロゲン元素、周期律表の第■
族又は第Ｖ族に属する元素、並びに炭素、窒素及び酸素
から選択された少なくとも一種の元素を含有するアモル
ファスシリコンで形成されており、前記光導電層は、そ
の少なくとも一部が、水素及び／又はハロゲン元素、並
びに周期律表の第■族又は第Ｖ族に属する元素を自白゛
するマイクロクリスタリンシリコンで形成されており、
前記表面層は、水素及び／又はハロゲン元素、並びに炭
素、窒素及び酸素から選択された少なくとも一種の元素
を含有するアモルファスシリコンで形成されていること
を特徴とする。

この発明は、前述の従来技術の欠点を解消し、優れた光
導電特性（電子写真特性）と耐環境性とを兼備した光導
電性部材を開発すべく本願発明者等が種々実験研究を重
ねた結果、マイクロクリスタリンシリコン（以下、μＣ
−３ｔと略す）を光導電性部材の少なくとも一部に使用
することにより、この目的を達成することができること
に想到して、この発明を完成させたものである。

［発明の実施例］以下、この発明について具体的に説明する。この発明の
特徴は、従来のａ−３ｉの替りにμＣ−３ｔを使用【７
たことにある。つまり、光導電層の全ての領域又は一部
の領域がマイクロクリスタリンシリコン（μＣ−３ｔ）
で形成されているか、マイクロクリスタリンシリコンと
アモルファスシリコン（ａ−８ｉ）との混合体で形成さ
れているか、又はマイクロクリスタリンシリコンとアモ
ルファスシリコンとの積層体で形成されている。また、
機能分離型の光導電性部材においては、電荷発生層にμ
Ｃ−３ｉを使用している。

μＣ−８ｉは、以下のような物性上の特徴により、ａ−
５ｉ及びポリクリスタリンシリコン（多結晶シリコン）
から明確に区別される。即ち、Ｘ線回折測定においては
、ａ−３ｉは、無定形であるため、ハローのみが現れ、
回折パターンを認めることができないが、μＣ−３ｉは
、２θが２７乃至２８．５°付近にある結晶回折パター
ンを示す。また、ポリクリスタリンシリコンは暗抵抗が
１０６Ω・印であるのに対し、μＣ−３ｉは１０１１Ω
・印以上の暗抵抗を有する。このμＣ−５ｉは粒径が約
数十オングストローム以上である微結晶が集合して形成
されている。

μＣ−３ｉどａ−３ｉとの混合体とは、μＣ−５ｉの結
晶領域かａ−Ｓｉ中に混在ｊ７てぃて、μＣ−３ｉ及び
ａ−３ｉが同程度の体積比で存在するものをいう。また
、μＣ−８ｔとａ−３ｔとの積層体とは、大部分がａ−
３ｉからなる層と、μＣ−８ｔが充填された層とが積層
されているものをいう。

このようなμＣ−８ｉを有する光導電層は、ａ−ＳＬと
同様に、高周波グロー放電分解法により、シランガスを
原料として、導電性支持体上にμＣ−５ｉを堆積させる
ことにより製造することができる。この場合に、支持体
の温度をａ−３ｉを形成する場合よりも高く設定し、高
周波電力もａ−３ｉの場合よりも高く設定すると、μＣ
−５ｔを形成しやすくなる。また、支持体温度及び高周
波電力を高くすることにより、シランガスなどの原料ガ
スの流量を増大させることができ、その結果、成膜速度
を早くすることができる。また、原料ガスのＳ　１．　
Ｈ４及びＳｉ２Ｈ６等の高次のシランガスを水素で希釈
したガスを使用することにより、μＣ−３ｔを一層高効
率で形成することができる。

第１図は、この発明に係る光導電性部材を製造する装置
を示す図である。ガスポーンベ１．２，３゜４には、例
えば、夫々Ｓ　ｉ　ＨＴ　　Ｂ　　Ｈｒ　Ｈ２＋ＣＨ４
等の原料ガスが収容されている。これらのガスボンベ１
，２，３．４内のガスは、流量調整用のバルブ６及び配
管７を介して混合器８に供給されるようになっている。

各ボンベには、圧力計５が設置されており、この圧力計
５を監視しつつ、バルブ６を調整することにより、混合
器８に供給する各原料ガスの流量及び混合比を調節する
ことができる。混合器８にて混合されたガスは反応容器
９に供給される。反応容器９の底部１１には、回転軸１
０が鉛直方向の回りに回転可能に取りつけられており、
この回転軸１０の上端に、円板状の支持台１２がその面
を回転軸１０に垂直にして固定されている。反応容器９
内には、円筒状の電極１３がその軸中心を回転軸１０の
軸中心と一致させて底部１１上に設置されている。感光
体のドラム基体１４が支持台１２上にその軸中心を回転
軸１０の軸中心と一致させて載置されており、このドラ
ム基体１４の内側には、ドラム基体加熱用のヒータ１５
が配設されている。電極１３とドラム基体１４との間に
は、高周波型［１６が接続されており、電極１３及びド
ラム基体１４間に高周波電流が供給されるようになって
いる。回転軸１０はモータ１８により回転駆動される。

反応容器９内の圧力は、圧力計１７により監視され、反
応容器９は、ゲートバルブ１８を介して真空ポンプ等の
適宜の排気手段に連結されている。

このように構成される装置により感光体を製造する場合
には、反応容器９内にドラム基体１４を設置した後、ゲ
ートバルブ１９を開にして反応容器９内を約０，１トル
（Ｔｏｒｒ）の圧力以下に排気する。次いで、ボンベ１
，２，３．４かう所要の反応ガスを所定の混合比で混合
して反応容器９内に導入する。この場合に、反応容器９
内に導入するガス流量は、反応容器９内の圧力が０．１
乃至１トルになるように設定する。次いで、モータ１８
を作動させてドラム基体１４を回転させ、ヒータ１５に
よりドラム基体１４を一定温度に加熱すると共に、高周
波電源１６により電極１３とドラム基体１４との間に高
周波電流を供給して、両者間にグロー放電を形成する。

これにより、ドラム基体１４上にマイクロクリスタリン
シリコン（μＣ−３ｉ）が堆積する。なお、原料ガス中
にＮ　　Ｏ，ＮＨ、ＮＨ、ＮＯ、Ｎ２．ＣＨ４゜ＣＨ、
Ｏ。ガス等を使用することにより、これらの元素をμＣ
−５ｔ中に含有させることができる。

このように、この発明に係る光導電性部材は従来のａ−
３ｉを使用したものと同様に、クローズドシステムの製
造装置で製造することができるため、人体に対して安全
である。また、この光導電性部材は、耐熱性、耐湿性及
び耐摩耗性が優れているため、長期に亘り繰り返し使用
しても劣化が少なく、寿命が長いという利点がある。さ
らに、Ｇ　ｅ　Ｈ４等の長波長増感用ガスが不要である
ので、廃ガス処理設備を設ける必要がなく、工業的生産
性が著しく高い。

μＣ−３ｉには、水素を０．１乃至３ｏ原子％含有させ
ることが好ましい。これにより、暗抵抗と明抵抗とが調
和のとれたものになり、光導電特性７）（向上する。μ
Ｃ−５ｉ層への水素のドーピングは、例えば、グロー放
電分解法による場合は、ＳｉＨ及びＳ　ｌ　２　Ｈｅ等
のシラン系の原料ガスと、水素等のキャリアガスとを反
応容器内に導入してグロー放電放電させるか、Ｓ　ｉＦ
　４及び５ｉＣ１等のハロゲン化ケイ素と、水素ガスと
の混合ガスを使用してもよいし、また、シラン系ガスと
、ハロゲン化ケイ素との混合ガスで反応させてもよい。

更に、グロー放電分解法によらず、スパッタリング等の
物理的な方法によってもμＣ−５ｉ層を形成することが
できる。なお、μＣ−８１を含む光導電層は、光導電特
性上、１乃至８０μｍの膜厚を有することが好ましく、
史に膜厚を５乃至５０μｍにすることが望ましい。

光導電層は、実質的に全ての領域をμＣ−３ｉで形成し
てもよいし１、ａ−８ｉとμＣ−３ｔとの混合体又は積
層体で形成してもよい。帯電能は、積層体の方が高低光
感度は、その体積比にもよるが、赤外領域の長波長領域
では混合体の方が高く、可視光領域では両者はほとんど
同一である。

このため、感光体の用途により、実質的に全ての領域を
μＣ−５ｔにするか、又は混合体若しくは積層体で構成
すればよい。

μＣ−５ｔに、窒素Ｎ１炭素Ｃ及び酸素Ｏから選択され
た少なくとも１種の元素をドーピングすることか好まし
い−これにより、μＣ−５ｔの暗抵抗を高くして光導電
特性を高めることができる。

これらの元素はμＣ−８ｉの粒界に析出し、またシリコ
ンダングリングボンドのターミネータとして作用して、
バンド間の禁制米中に存在する状態密度を減少させ、こ
れにより、暗抵抗が高くなると考えられる。

この発明においては、導電性支持体と光導電層との間に
、障壁層を配設する。この障壁層は、導電性支持体と、
光導電層との間の電６：ｆの流れを抑制することにより
、光導電性部材の表面における電荷の保持機能を高め、
光導電性部材の帯電能を高める。カールソン方式におい
ては、感光体表面に正帯電させる場合には、支持体側か
ら光導電層へ電子が注入されることを防止するために、
障壁層をｐ型にする。一方、感光体表面に負帯電させる
場合には、支持体側から光導電層へ正孔が注入されるこ
とを防止するために、障壁層をｎ型にする。また、障壁
層として、絶縁性の膜を支持体の上に形成することも可
能である。障壁層はμＣ−５ｊを使用して形成してもよ
いし、ａ−Ｓｉを使用して障壁層を構成することも可能
である。

μＣ−５ｔ及びａ−３ｉをｐ型にするためには、周期律
表の第■族に属する元素、例えば、ホウ素Ｂ５アルミニ
ウムＡＩ、ガリウムＧａ、インジウムＩｎ、及びタリウ
ムＴＩ等をドーピングすることが好ましく、μＣ−３ｉ
層をｎ型にするためには、周期律表の第Ｖ族に属する元
素、例えば、窒素Ｎ１リンＰ１ヒ素Ａｓ、アンチモンＳ
ｂ１及びビスマスＢｉ等をドーピングすることが好まし
い。

このｎ型不純物又はｎ型不純物のドーピングにより、支
持体側から光導電層へ電荷が移動することが防止される
。

光導電層の上に表面層を設けることが好ましい。

光導７（ｉ層のμＣ−５ｉは、その屈折率が３乃至４と
比較的大きいため、表面での光反射が起きやすい。この
ような光反射が生じると、光導電層に吸収される光量の
割合いが低下し、光損失が大きくなる。このため、表面
層を設けて反射を防止することが好ましい。また、表面
層を設けることにより、光導電層が損傷から保護される
。さらに、表面層を形成することにより、帯電能が向上
し、表面に電荷かよくのるようになる。表面層を形成す
る材料としては、Ｓｉ　　Ｎ　　％ＳｉＯ、ＳｉＣ。

Ａ　１　０　　、ａ　　Ｓ　ｉＮ　；　Ｈ％　ａ−８ｔ
　Ｏ；　Ｈｓ及びａ−５ｉＣ；Ｈ等の無機化合物及びポ
リ塩化ビニル及びポリアミド等の有機材料がある。

電子写真感光体に適用される光導電性部材としては、上
述のごとく、支持体上に障壁層を形成し、この障壁層上
に光導電層を形成し、この光導電層の１上に表面層を形
成したものに限らず、支持体の上に電荷輸送Ｊｆｆｌ　
（ＣＴＬ）を形成し、電荷輸送層の上に電荷発生層（Ｃ
Ｇ　Ｌ）を形成した機能分離型の形態に構成することも
できる。この場合に、電荷輸送層と、支持体との間に、
障壁層を設けてもよい。電荷発生層は、光の照射により
キャリアを発生する。この電荷発生層は、層の一部又は
全部がマイクロクリスタリンシリコンμＣ−５ｉででき
ており、その厚さは０．１乃至１０μｍにすることが好
ましい。電荷輸送層は電荷発生層で発生したキャリアを
高効率で支持体側に到達させる層であり、このため、キ
ャリアの寿命が長く、移動度が大きく輸送性が高いこと
が必要である。電荷輸送層はａ−５ｉで形成してもよく
、またμＣ−５ｔで形成してもよい。暗抵抗を高めて帯
電能を向−ヒさせるために、周期律表の第■族又は第Ｖ
族のいずれか一方に属する元素をライトドーピングする
ことが好ましい。また、帯電能を一層向上させ、電荷輸
送層と電荷発生層との両機能を持たせるために、Ｃ，Ｎ
、Ｏの元素のうち、いずれか１種以上を３何させてもよ
い。電荷輸送層は、その膜厚が薄過ぎる場合及び厚過ぎ
る場合はその機能を充分に発揮しない。このため、電荷
輸送層の厚さは３乃至８０μｍであることが好ましい。

障壁層を設けることにより、電荷輸送層と電荷発生層と
を有する機能分離型の光導電性部材においても、その電
荷保持機能を高め、帯電能を向上させることができる。

なお、障壁層をｐ型にするか、又はｎ型にするかは、そ
の帯電特性に応じて決定される。この障壁層は、ａ　・
−Ｓ　ｉて形成してもよく、またμＣ−３ｉで形成して
もよい。

この出願に係る発明の特徴は、光導電層の少なくとも一
部が、周期律表の第■族又は第Ｖ族に属する元素を含有
するμＣ−８ｉで形成されており、障壁層が、周期律表
の第■族又は第Ｖ族に属する元素並びに炭素、窒素及び
酸素から選択された少なくとも一種の元素を含有するａ
−５ｉで形成されていることにある。第２図及び第３図
は、この発明を具体化した光導電性部キイの断面図であ
り、第２図においては、導電性支持体２１」二に障壁層
２２が形成され、障壁層２２上に光導電層２３が形成さ
れている。一方、第３図においては、導電性支持体ｊ体
２１の−１−に障壁層２２か形成され、障壁層２２の」
二に、光導電層２３及び表面層２４がこの順に積層され
ている。光導電層２３は、少なくともその一部がμＣ−
５ｉからなる。

障壁層は、ａ−８Ｎで形成することができる。

この障壁層２２には、周期律表第■族又は第Ｖ族に属す
る元素がドーピングされており、これにより障壁層２２
がｐ型又はｎ型の半導体になっている。その含有量は、
１０−３乃至１０原子％であることが好ましい。また、
障壁層２２に、Ｃ１０゜Ｎのうち少なくとも１種以上の
元素を、２０原子％以下の範囲で含有させると、電荷ブ
ロッキング能が一層向−卜するので、電子写真特性上、
好ましい。Ｃ，Ｏ，Ｎは、障壁層２２内に均一に分布し
ている方が成膜が容易であるが、支持体２１側から光導
電層２３に向けてその濃度が低下するように変化してい
てもよい。また、Ｃ，Ｏ，Ｎが光導電層２３内にも含有
されるように分布していてもよい。このように障壁層２
２をｐ型又はｎ型にし、Ｃ，０，Ｎのうち少なくとも一
種以上の元素を含有させることによって、障壁層２２に
おいて、支持体２１側から光導電層２３への電子又は正
孔の注入を高効率で阻止することが可能になる。このた
め、光導電性部材の電荷保持能が向」ニする。

光導電層は、主としてμＣ−３ｔで形成されているが、
μＣ−５ｉ自体は、若干、ｎ型である。

このため、このμＣ−５ｉ層に周期律表の第■族に属す
る元素をライトドープ（１０乃至１ｏ−７原子％）する
ことが好ましい。これにより、光導電層２３は、ｎ型（
真性）半導体になり、暗抵抗が高くなり、ＳＮ比と帯電
能が向−トする。また、ｆ導電層２３には、Ｃ，Ｏ，Ｎ
がら選択された少なくとも一種の元素を、２ｏ原子％の
範囲で含有させることが好ましい。これにより、帯電能
を向上させることができる。μＣ−３ｉ中に水素を含有
させることが、光導電特性を向上させる上で好ましい。

この場合に、水素はマイクロクリスタリンシリコンの粒
子間の境界に存在するアモルファスシリコン中に、又は
μＣ−３ｉの粒子の周囲をＪ■りまいて存在しており、
Ｓｉ原子と結合していると考えられる。この水素量は、
通常、０．１乃至３０原子％、好ましくは、１乃至１ｏ
原子％である。

また、光導電層２３の上に形成された表面層２４は、Ｃ
，Ｏ，Ｎのうち、少なくとも１種以上の元素を含有する
ａ−３ｉで形成されている。これにより、光導電層の表
面が保護され、耐環境性が向上すると共に、帯電能が向
上する。このＣ２０゜Ｎの含有量は、１０乃至５０原子
％であることが好ましい。なお、この表面層２４を構成
する物質は、ａ−３ｉＣ；　　（Ｈ，Ｘ）　、　　ａ−
Ｓ　ｉＣ；Ｈ。

ａ−ＳｊＣ；Ｘ、ａ−３ｉＮ；　　（Ｈ，Ｘ）、ａ　−
８ｉＮ；Ｈ，ａ−３ｉＮ；Ｘ、ａ−８ｉｎ；　　（Ｈ。

Ｘ）、ａ−ＳｉＯ；Ｈ，ａ−ＳｉＯ；Ｘ、ａ　−３ｉＣ
Ｎ；　　（Ｈ，Ｘ）、ａ−３ｉＣＮ；Ｈ，ａ　＝ＳｉＣ
Ｎ；Ｘ等がある。

この発明においては、光導電層２３を形成しているμＣ
−３ｉ及び障壁層２１及び表面層２４を形成しているａ
−３ｉに水素及び／又はハロゲン元素を含有させること
を特徴とする。このように、μＣ−８ｉ又はａ−Ｓｉに
、Ｈ及び又はフッ素Ｆ等のハロゲン元素を含有させるこ
とによって、光導電性部材の耐熱性が向上し、熱に対す
る強度が高まり、劣化か抑制されるので、耐環境性が向
上する。このＦ等は、μＣ−５ｔの周囲のａ−３ｔ内に
侵入してＳｉ原子と結合していると考えられる。Ｆ等を
食合するμＣ−５ｉ又はａ−５ｉを形成するためには、
シランガスＳｉＨ及びＨ２ガスにＳ　Ｉ　Ｆ　４ガスを
混合させればよい。

次に、この発明の実施例について説明する。

実施例１導電性基板としてのＡｌ製ドラムを洗浄し乾燥させた後
、反応容器内を拡散ポンプで排気しつつ、３５０℃に加
熱した。約１時間後、反応容器内の真空度が３Ｘ１０−
５）ルに達し、ドラム温度が安定した。次いで、３００
５ＣＣＭの流量のＳｉＨガス、このＳ　Ｉ　Ｈ４ガス流
量に対する流量比が５Ｘ１０−４のＢ　　Ｈガス、６０
ＳＣＣＭＧのＣＨ４ガス、及び２００３ＣＣＭのアルゴンガスを混
合して反応容器に供給した。１３．５６ＭＨｚで２００
ワツトの高周波電力を印加してグロー放電させ、障壁層
２１を形成した。このときの反応容器内圧力は約０．８
トルてあり、ｉすられた層厚は１，２μｍであった。次
に、全てのガスを停止させてガスバージを１５分間実施
した。その後、Ｓ　ｉＦ　４ガスの流量を１１００５Ｃ
Ｃ。

Ｓ　Ｉ　Ｈ４の流計を６００ＳＣＣＭ、水素ガスの流量
を２００ＳＣＣＭＳＢ　　ＨのＳ　Ｉ　Ｈ４に対する流
量比をｌＸｌ０−７になるように設定し、反応圧力が１
．５トル、高周波電力が３５０ワツトの条件で３０μｍ
の層厚の光導電層を形成した。次いで、全てのガスを停
止ｌ−Ｌ、容器内を１５分間ガスパージした後、Ｓ　ｉ
Ｈ４の流量を１１００５ＣＣ，ＣＨ４の流量を４００Ｓ
ＣＣＭに設定して高周波電力を２００ワツト印加し、１
．５μｍの表面層を形成した。このときの反応圧力は０
，７トルであった。このようにして成膜した感光体に対
し、７９０ｎｍの発振波長の半導体レーザを搭載したレ
ーザプリンタで画像を形成したところ、解像度が高く鮮
明な画（象を形成することができた。

また、電子写真特性も、表面電位が５５０Ｖ、白地電位
が５０ｅｒｇ／ｃｄの露光量に対してＩＯＶであり、半
減露光量が９ｅｒｇ／ｃｄと極めて良好であった。

実施例２導電性基板としてのＡｌ製ドラムを洗浄し乾燥させた後
、反応容器内を拡散ポンプで排気しつつ、３２０℃に加
熱した。約１時間後、反応容器内の真空度か５Ｘ１０−
５）ルに達し、ドラム温度が安定した。次いで、４００
３ＣＣＭの流量のＳｉＨガス、このＳ　Ｉ　Ｈ４ガス流
量に対する流量比が５Ｘ１０−’のＢＨガス、１００Ｓ
ＣＣＭのＣＨ４ガス、及び２００３ＣＣＭのヘリウムガ
スを混合して反応容器に供給した。１３．５６ＭＨｚで
２００ワツトの高周波電力を印加してグロー放電させ、
０．９トルで１分間成膜した。その後、高周波電力を０
にし、ＣＨ４ガスの流量を５０５ＣＣＭに設定して５分
間ガスをあがした。

次いで、高周波電力を２００ワツトにし、０．８５トル
の反応圧力で３０秒間グロー放電し、その後、高周波電
力を切り、ＣＨ４を５ＳＣＣＭに設定して５分間流した
。次いで、高周波電力を２００ワツトにし、０．８３ト
ルの反応圧力の下でグロー放電を２０秒間実施して、障
壁層２１を形成した。得られた層厚は１．８μｍであっ
た。次に、全てのガスを停止させてガスパージを１５分
間実施した。その後、Ｓ　ｉＦ　４の流量を２００５Ｃ
ＣＭ　−Ｓ　ｉＨ４ノ流ｆ［−６５０５ＣＣＭ、水素ガ
スの流量を３００ＳＣＣＭ、Ｂ　　ＨのＳ　Ｉ　Ｈｚ、
に対するｉＲｆｉｔ比を８Ｘ１０−８になるように設定
し、反応圧力が１．７１−ル、高周波電力が４００ワツ
トで、４２μｍの光導電層を成膜した。次いて、すべて
のガスを停止１−シ、容器内を１５分間パージした後、
Ｓ　ｉＨ４ガスの流量を１１００５ＣＣ。

ＳｉＦ　　ガスの流量を５０ＳＣＣＭＳＮ２ガスの流量
を４００ＳＣＣＭに設定し、反応圧力が０゜７トルの下
で２００ワツトの高周波電力を印加して１．８μｍの表
面層を形成した。このようにして成膜した感光体に対し
、７９０ｎｍの発振波長の半導体レーザを搭載したレー
ザプリンタで画像を形成したところ、解像度が高＜、濃
度及びかぶり共に欠点がない鮮明な画像を形成すること
かできた。また、電子写真特性も？９０ｎｍでの半減露
光量が８．５ｅｒｇ、／ｃｄと極めて良好であった。

［発明の効果］この発明によれば、高抵抗で帯電特性が優れており、ま
た可視光及び近赤外光領域において高光感度特性を有し
、製造か容易であり、実用性が高い光導電性部材を得る
ことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明に係る光導電性部材の製造装置を示す
図、第２図及び第３図はこの発明の実施例に係る光導電
性部材を示す断面図である。１．２，３，４；ボンベ、５；圧力計、６；バルブ、７
；配管、８；混合器、９；反応容器、１０−回転軸、１
３；電極、１４；ドラム基体、１５；ヒータ、１６；高
周波電源、１９；ゲートバルブ、２１；支持体、２２；
障壁層、２３；光導電層、２４；表面層。出願人代理人　弁理士　鈴江武彦ｄ第１図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）導電性支持体と、この導電性支持体の上に形成さ
れた障壁層と、この障壁層の上に形成された光導電層と
、この光導電層の上に形成された表面層と、を有する光
導電性部材において、前記障壁層は、水素及び／又はハ
ロゲン元素、周期律表の第III族又は第Ｖ族に属する元
素、並びに炭素、窒素及び酸素から選択された少なくと
も一種の元素を含有するアモルファスシリコンで形成さ
れており、前記光導電層は、その少なくとも一部が、水
素及び／又はハロゲン元素、並びに周期律表の第III族
又は第Ｖ族に属する元素を含有するマイクロクリスタリ
ンシリコンで形成されており、前記表面層は、水素及び
／又はハロゲン元素、並びに炭素、窒素及び酸素から選
択された少なくとも一種の元素を含有するアモルファス
シリコンで形成されていることを特徴とする光導電性部
材。
（２）光導電層は、炭素、酸素及び窒素から選択された
少なくとも一種の元素を含有することを特徴とする特許
請求の範囲第１項に記載の光導電性部材。
（３）前記光導電層は、マイクロクリスタリンシリコン
の領域とアモルファスシリコンの領域とが混在している
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項に記
載の光導電性部材。
（４）前記光導電層は、マイクロクリスタリンシリコン
の層とアモルファスシリコンの層とが積層されているこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項に記載
の光導電性部材。