JPS6258263A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の技術分野］ この発明は、帯電特性、光感度特性及び耐環境性等が優
れた電子写真感光体に関する。

［発明の技術的背景とその問題点］ 従来、電子写真感光体の光導電層を形成する材料として
、ＣｄＳ、ＺｎＯ’、Ｓｅ、５ｅ−Ｔｅ若しくはアモル
ファスシリコン等の無機材料又はポリ−Ｎ−ビニルカル
バゾール （ＰＶＣｚ）若しくはトリニトロフルオレン（ＴＮＦ）
等の有機材料が使用されている。しかしながら、これら
の従来の光導電性材料においては、光導電特性上、又は
製造上、種々の問題点があり、感光体システムの特性を
ある程度犠牲にして使用目的に応じてこれらの材料を使
い分けている。

例えば、Ｓｅ及びＣｄＳは、人体に対して有害な材料で
あり、その製造に際しては、安全対策上、特別の配慮が
必要である。従って、製造装置が複雑となるため製造コ
ストが高いと共に、特に、ｓｅは回収する必要があるた
め回収コストが付加されるという問題点がある。また、
Ｓｅ又は５ｅ−Ｔｅ系においては、結晶化温度が６５℃
と低いため、複写を繰り返している間に、残雪等に□　
より光導電特性上の問題が生じ、このため、寿命が短い
ので実用性が低い。

更に、ＺｎＯは、酸化還元が生じやすく、環境雰囲気の
影響を著しく受けるため、使用上、信頼性が低いという
問題点がある。

更にまた、ＰＶＣｚ及びＴＮＦ等の有機光導電性材料は
、発癌性物質である疑いが持たれており、人体の健康上
問題があるのに加え、有機材料は熱安定性及び耐摩耗性
が低く、寿命が短いという欠点がある。

一方、アモルファスシリコン（以下、ａ−３ｉと略す）
は、近時、光導電変換材料として注目されており、太陽
電池、薄膜トランジスタ及びイメージセンサへの応用が
活発になされている。このａ−８ｉの応用の一環として
、ａ−８ｔを電子写真感光体の光導電性材料として使用
する試みがなされており、ａ−３ｉを使用した感光体は
、無公害の材料であるから回収処理の必要がないこと、
他の材料に比して可視光領域で高い分光感度を有するこ
と、表面硬度が高く耐摩耗性及び耐衝撃性が優れている
こと等の利点を有する。

このａ−８ｉは、カールソン方式に基づく感光体として
検討が進められているが、この場合に、感光体特性とし
て抵抗及び光感度が高いことが要求される、しかしなが
ら、この両特性を単一層の感光体で満足させることが困
難であるため、光導電層と導電性支持体との間に障壁層
を設け、光導電層上に表面電荷保持層を設けた積層型の
構造にすることにより、このような要求を満足させてい
る。

ところで、ａ−８ｉは、通常、シラン系ガスを使用した
グロー放電分解法により形成されるが、この際に、ａ−
３ｉ膜中に水素が取り込まれ、水素量の差により電気的
及び光学的特性が大きく変動する。即ち、ａ−８ｉ膜に
侵入する水素の量が多くなると、光学的バンドギャップ
が大きくなり、ａ−３ｉの抵抗が高くなるが、それにと
もない、長波長光に対する光感度が低下してしまうので
、例えば、半導体レーザを搭載したレーザビームプリン
タに使用することが困難である。また、ａ−３ｉ膜中の
水素の含有量が多い場合は、成膜条件によって、（Ｓｉ
Ｈ２）ａ及びＳｉＨ２等の結合構造を有するものが膜中
で大部分の領域を占める場合がある。そうすると、ボイ
ドが増加し、シリコンダングリングボンドが増加するた
め、光導電特性が劣化し、電子写真感光体として使用不
能になる。逆に、ａ−３ｉ中に侵入する水素の量が低下
すると、光学的バンドギャップが小さくなり、その抵抗
が小さくなるが、長波長光に対する光感度が増加する。

しかし、水素含有量が少ないと、シリコンダングリング
ボンドと結合してこれを減少させるべき水素が少なくな
る。このため、発生するキャリアの移動度が低下し、寿
命が短くなると共に、光導電特性が劣化してしまい、電
子写真感光体として使用し難いものとなる。

なお、長波長光に対する感度を高める技術として、シラ
ン系ガスとゲルマンＧｅＨ＋とを混合し、グロー放電分
解することにより、光学的バンドギャップが狭い膜を生
成するものがあるが、一般に、シラン系ガスとＧｅｔ−
１＋とでは、最適基板温度が異なるため、生成した膜は
構造欠陥が多く、良好な光導電特性を得ることができな
い。また、ＧｅＨ＋の廃ガスは酸化されると有毒ガスと
なるので、廃ガス処理も複雑である。従って、このよう
な技術は実用性がない。

［発明の目的］ この発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであって
、帯電能が優れており、残留電位が低く、近赤外領域ま
での広い波長領域に亘って感度が高く、基板との密着性
が良く、耐環境性が優れた電子写真感光体を提供するこ
とを目的とする。

［発明の概要］ この発明に係る電子写真感光体は、導電性支持体と、こ
の導電性支持体の上に形成された障壁層と、この障壁層
の上に形成された光導電層と、を有する電子写真感光体
において、前記光導電層は、光学的バンドギャップが１
．６乃至１．８ｅＶのアモルファスシリコンで形成され
た第１層と、光学的バンドギャップが１．４乃至１．６
５ｅＶのマイクロクリスタリンシリコンで形成された第
２層との積層体であることを特徴とする。

この発明は、前述の従来技術の欠点を解消し、優れた光
導電特性（電子写真特性）と耐環境性とを兼備した電子
写真感光体を開発すべく本願発明者等が種々実験研究を
重ねた結果、マイクロクリスタリンシリコン（以下、μ
ｃ−ｊ３ｉと略す）を電子写真感光体の少なくとも一部
に使用することにより、この目的を達成することができ
ることに想到して、この発明を完成させたものである。

［発明の実施例］ 以下、この発明について具体的に説明する。この発明の
特徴は、従来のａ−３ｉの替りにμｃ−８ｉを使用した
ことにある。つまり、光導電層の全ての領域又は一部の
領域がマイクロクリスタリンシリコン（μｃ−３ｉ）で
形成されているか、マイクロクリスタリンシリコンとア
モルファスシリコン（ａ−３ｉ）との混合体で形成され
ているか、又はマイクロクリスタリンシリコンとアモル
ファスシリコンとの積層体で形成されている。また、機
能分離型の電子写真感光体においては、電荷発生層にμ
ｃ−３ｉを使用している。

μｃ−８ｉは、以下のような物性上の特徴により、ａ−
３ｉ及びポリクリスタリンシリコン（多結晶シリコン）
から明確に区別される。即ち、Ｘ線回折測定においては
、ａ−３ｉは、無定形であるため、ハローのみが現れ、
回折パターンを認めることができないが、μｃ−３ｉは
、２θが２７乃至２８．５６付近にある結晶回折パター
ンを示す。また、ポリクリスタリンシリコンは暗抵抗が
１０６Ω・１であるのに対し、μｃ−８ｉは１０１１Ω
・１以上の暗抵抗を有する。このμｃ−８ｉは粒径が約
数十オングストローム以上である微結晶が集合して形成
されている。

μｃ−８ｉとａ−８ｉとの混合体とは、μｃ−３ｉの結
晶領域がａ−３ｉ中に混在していて、μｃ−３ｉ及びａ
−８：が同程度の体積比で存在するものをいう。また、
μｃ−８ｉとａ−８ｉとの積層体とは、大部分がａ−３
ｉからなる層と、μｃ−３ｉが充填された層とが積層さ
れているものをいう。

このようなμＣ−８ｉを有する光導電層は、ａ−８ｉと
同様に、高周波グロー放電分解法により、シランガスを
原料として、導電性支持体上にμＣ−８＋を堆積させる
ことにより製造することができる。この場合に、支持体
の温度をａ−８ｉを形成する場合よりも高く設定し、高
周波電力もａ−３ｉの場合よりも高く設定すると、μＣ
−８ｉを形成しやすくなる。また、支持体温度及び高周
波電力を高くすることにより、シランガスなどの原料ガ
スの流量を増大させることができ、その結果、成膜速度
を早くすることができる。

また、原料ガスのＳｉＨ＋及び５ｉ２Ｈｓ等の高次のシ
ランガスを水素で希釈したガスを使用することにより、
μｃ−３ｉを一層高効率で形成することができる。

第１図は、この発明に係る電子写真感光体を製造する装
置を示す図である。ガスボンベ１，２゜３．４には、例
えば、夫々ＳｉＨ＋　、Ｂ２　Ｈ６。

Ｈ２、ＣＨ４等の原料ガスが収容されている。これらの
ガスボンベ１，２．３．４内のガスは、流量調整用のバ
ルブ６及び配管７を介して混合器８に供給されるように
なっている。各ボンベには、圧力計５が設置されておリ
ミこの圧力計５を監視しつつ、パルプ６を調整すること
により、混合器８に供給する各原料ガスの流量及び混合
比を調節することができる。混合器８にて混合されたガ
スは反応容器９に供給される。反応容器９の底部１１に
は、回転軸１０が鉛直方向の回りに回転可能に取りつけ
られており、この回転軸１０の上端に、円板状の支持台
１２がその面を回転軸１０に垂直にして固定されている
。反応容器９内には、円筒状の電極１３がその軸中心を
回転軸１０の軸中心と一致させて底部１１上に設置され
ている。

感光体のドラム基体１４が支持台１２上にその軸中心を
回転軸１０の軸中心と一致させて載置されており、この
ドラム基体１４の内側には、ドラム基体加熱用のヒータ
１５が配設されている。電極１３とドラム基体１４との
間には、高周波電源１６が接続されており、電極１３及
びドラム基体１４間に高周波電流が供給されるようにな
っている。回転軸１０はモータ１８により回転駆動され
る。反応容器９内の圧力は、圧力計１７により監視され
、反応容器９は、ゲートバルブ１８を介して真空ポンプ
等の適宜の排気手段に連結されている。

このように構成される装置により感光体を製造する場合
には、反応容器９内にドラム基体１４を設置した後、ゲ
ートバルブ１９を開にして反応容器９内を約０．１トル
（Ｔｏ　ｒ　ｒ　）の圧力以下に排気する。次いで、ボ
ンベ１，２，３．４から所要の反応ガスを所定の混合比
で混合して反応容器９内に導入する。この場合に、反応
容器９内に導入するガス流量は、反応容器９内の圧力が
０．１乃至１トルになるように設定する。次いで、モー
タ１８を作動させてドラム基体１４を回転させ、ヒータ
１５によりドラム基体１４を一定温度に加熱すると共に
、高周波電源１６により電極１３とドラム基体１４との
間に高周波電流を供給して、両者間にグロー放電を形成
する。これにより、ドラム基体１４上にマイクロクリス
タリンシリコン（μｃ−８ｉ）が堆積する。なお、原料
ガス中にＮ２０．ＮＨ３、ＮＯ２、Ｎ２　、ＣＨ４。

Ｃ２Ｈ４，０２ガス等を使用することにより、これらの
元素をμｃ−３ｉ中に含有させることができる。

このように、この発明に係る電子写真感光体は従来のａ
−３ｉを使用したものと同様に、クローズドシステムの
製造装置で製造することができるため、人体に対して安
全である。また、この電子写真感光体は、耐熱性、耐湿
性及び耐摩耗性が優れているため、長期に亘り繰り返し
使用しても劣化が少なく、寿命が長いという利点がある
。さらに、ＧｅＨ＋等の長波長増感用ガスが不要である
ので、廃ガス処理設備を設ける必要がなく、工業的生産
性が著しく高い。

μｃ−８ｉには、水素を０．１乃至３０原子％含有させ
ることが好ましい。これにより、暗抵抗と明抵抗とが調
和のとれたものになり、光導電特性が向上する。μｃ−
８ｉの光学的エネルギギャップＥａは、ａ−３ｉの光学
的エネルギギャップＥａ　（１，６５乃至１．７０ｅＶ
）に比較して小さい。つまり、μｃ−８ｉの光学的エネ
ルギギャップは、μｃ−３ｉ微結晶の結晶粒径及び結晶
化度により変化し、結晶粒径及び結晶化度の増加により
、その光学的エネルギギャップが低下して、結晶シリコ
ンの光学的エネルギギャップ１．１ｅｖに近づく。とこ
ろで、μｃ−８ｉ層及びａ−３ｉ層は、この光学的エネ
ルギギャップよりも大きなエネルギの光を吸収し、小さ
なエネルギの光は透過する。このため、ａ−８ｉは可視
光エネルギしか吸収しないが、ａ−３ｉより光学的エネ
ルギギャップが小さなμｃ−８ｔは、可視光より長波長
であってエネルギが小さな近赤外光までも吸収すること
ができる。従って、μｃ−８ｉは広い波長領域に亘って
高い光感度を有する。

このような特性を有するμｃ−８ｉは、半導体レーザを
光源に使用したレーザプリンタ用の感光体材料として好
適である。このａ−８ｉをレーザプリンタ用の感光体に
使用すると、半導体レーザの光波長が７９０ｎｍとａ−
３ｉが高感度である波長領域より長いため、感光体感度
が不十分になり、このため、半導体レーザの能力以上の
レーザ強度を感光体に印加する必要があって、実用上問
題がある。一方、μｃ−８ｉで感光体を形成した場合に
は、その高感度領域が近赤外領域にまでのびているので
、光感度特性が極めて優れた半導体レーザプリンタ用の
感光体を得ることができる。

このような優れた光感度特性を有する μＣ−８ｉの光導電特性を一層向上させるために、μＣ
−８ｉに水素を含有させることが好ましい。

μＣ−３ｉ層への水素のドーピングは、例えば、グロー
放電分解法による場合は、ＳｉＨ＋及び５ｉ２Ｈｓ等の
シラン系の原料ガスと、水素等のキャリアガスとを反応
容器内に導入してグロー放電させるか、Ｓ　ｉ　Ｆ４及
び５ｉＣＩ４等のハロゲン化ケイ素と、水素ガスとの混
合ガスを使用してもよいし、また、シラン系ガスと、ハ
ロゲン化ケイ素との混合ガスで反応させてもよい。更に
、グロー放電分解法によらず、スパッタリング等の物理
的な方法によってもμｃ−８ｉ層を形成することができ
る。なお、μｃ−３ｉを含む光導電層は、光導電特性上
、１乃至８０μｍの膜厚を有することが好ましく、更に
膜厚を５乃至５０μｍにすることが望ましい。

光導電層は、実質的に全ての領域をμｃ−８ｉで形成し
てもよいし、ａ−８ｉとμｃ−８ｉとの混合体又は積層
体で形成してもよい。帯電能は、積層体の方が高く、光
感度は、その体積比にもよるが、赤外領域の長波長領域
では混合体の方が高く、可視光領域では両者はほとんど
同一である。

このため、感光体の用途により、実質的に全ての領域を
μｃ−３ｉにするか、又は混合体若しくは積層体で構成
すればよい。

μｃ−８ｉに、窒素Ｎ１炭素Ｃ及び酸素０から選択され
た少なくとも１種の元素をドーピングすることが好まし
い。これにより、μｃ−８ｉの暗抵抗を高くして光導電
特性を高めることができる。

これらの元素はμｃ−８ｉの粒界に析出し、またシリコ
ンダングリングボンドのターミネータとして作用して、
バンド間の禁制布中に存在する状態密度を減少させ、こ
れにより、暗抵抗が高くなると考えられる。

導電性支持体と光導電層との間に、障壁層を配設するこ
とが好ましい。この障壁層は、導電性支持体と、光導電
層との間の電荷の流れを抑制することにより、光導電性
部材の表面における電荷の保持機能を高め、光導電性部
材の帯電能を高める。

カールソン方式においては、感光体表面に正帯電させる
場合には、支持体側から光導電層へ電子が注入されるこ
とを防止するために、障壁層をｐ型にする。一方、感光
体表面に負帯電させる場合には、支持体側から光導電層
へ正孔が注入されることを防止するために、障壁層をｎ
型にする。また、障壁層として、絶縁性の膜を支持体の
上に形成することも可能である。障壁層はμｃ−３ｉを
使用して形成してもよいし、ａ−３ｉを使用して障壁層
を構成することも可能である。

μｃ−３ｉ及びａ−３ｉをｐ型にするためには、周期律
表の第■族に属する元素、例えば、ホウ素Ｂ１アルミニ
ウムＡＩ、ガリウムＱａ、インジウムＩｎ、及びタリウ
ムＴ１等をドーピングすることが好ましく、μｃ−８ｉ
ｌｌをｎ型にするためには、周期律表の第Ｖ族に属する
元素、例えば、窒素Ｎ１リンＰ１ヒ素Ａｓ、アンチモン
ｓｂ１及びビスマス８１等をドーピングすることが好ま
しい。

このｎ型不純物又はｎ型不純物のドーピングにより、支
持体側から光導電層へ電荷が移動することが防止される
。

光導電層の上に表面層を設けることが好ましい。

光導電層のμｃ−３ｉは、その屈折率が３乃至４と比較
的大きいため、表面での光反射が起きやすい。このよう
な光反射が生じると、光導電層に吸収される光量の割合
いが低下し、光損失が大きくなる。このため、表面層を
設けて反射を防止することが好ましい。また、表面層を
設けることにより、光導電層が損傷から保護される。さ
らに、表面層を形成することにより、帯電能が向上し、
表面に電荷がよくのるようになる。表面層を形成する材
料トシテハ、５ｉｓＮ＋、ＳｉＯ２、ＳｉＣ。

Ａ　１２０ｇ、ａ−８ｉ　Ｎ　：Ｈ，ａ−８ｉｏ：Ｈ。

及びａ−８ｉＣ：Ｈ等の無機化合物及びポリ塩化ビニル
及びポリアミド等の有機材料がある。

電子写真感光体としては、上述のごとく、支持体上に障
壁層を形成し、この障壁層上に光導電層を形成し、この
光導電層の上に表面層を形成したものに限らず、支持体
の上に電荷移動層（ＣＴＬ）を形成し、電荷移動層の上
に電荷発生層（ＣＧＬ）を形成した機能分離型の形態に
構成することもできる。この場合に、電荷移動層と、支
持体との間に、障壁層を設けてもよい。電荷発生層は、
光の照射によりキャリアを発生する。この電荷発生層は
、層の一部又は全部がマイクロクリスタリンシリコンμ
Ｃ−８ｉでできており、その厚さは１乃至１０μｍにす
ることが好ましい。電荷移動層は電荷発生層で発生した
キャリアを高効率で支持体側に到達させる層であり、こ
のため、キャリアの寿命が長く、移動度が大きく輸送性
が高いことが必要である。電荷移動層はａ−８ｉで形成
することができる。暗抵抗を高めて帯電能を向上させる
ために、周期律表の第■族又は第Ｖ族のいずれが一方に
属する元素をライトドーピングすることが好ましい。ま
た、帯電能を一層向上させ、電荷移動層と電荷発生層と
の両機能を持たせるために、Ｃ，Ｎ、０の元素のうち、
いずれか１種以上を含有させてもよい。電荷移動層は、
その膜厚が薄過ぎる場合及び厚過ぎる場合はその機能を
充分に発揮しない。このため、電荷移動層の厚さは３乃
至８０μｍであることが好ましい。

障壁層を設けることにより、電荷移動層と電荷発生層と
を有する機能分離型の感光体においても、その電荷保持
機能を高め、帯電能を向上させることができる。なお、
障壁層をｐ型にするか、又はｎ型にするかは、その帯電
特性に応じて決定される。この障壁層は、ａ−３ｉで形
成してもよく、またμｃ−３ｉで形成してもよい。

この出願に係る発明の特徴は、光導電層が、ａ−８ｉで
形成された第１層と、μｃ−８ｉで形成された第２層と
の積層体であり、第１層の光学的バンドギャップが１．
６乃至１．８．ｅＶであり、第２層の光学的バンドギャ
ップが１．４乃至１゜６５８Ｖであることにある。第２
図は、この発明を具体化した電子写真感光体の断面図で
ある。第２図において、導電性支持体２１の上に障壁層
２２が形成されており、障壁層２２の上に光導電層３１
が形成されている。この光導電層３１は障壁層２２の上
にμｃ−８ｔで形成された第２層２３と第２層２３の上
に８−３ｉで形成された第１層２４とを有する。光導電
層３１の上には、表面層２５が形成されている。

光導電層３１が、ａ−８ｉで形成された第１層と、μｃ
−３ｉで形成された第２層との積層体であるから、電子
写真感光体を可視光領域から近赤外領域（例えば、半導
体レーザの発振波長である７９０ｎｍ付近）まで、高感
度化することができる。つまり、μｃ−８ｉの光学的バ
ンドギャップは１．４乃至１．６５６Ｖであり、ａ−３
ｉの光学的バンドギャップは１．６乃至１．８２ｉＶで
ある。このため、長波長光のようにエネルギが小さい光
はａ−８ｉのバンドギャップを励起してキャリアを発生
させることができず、ａ−８ｉで吸収されない。しかし
、μｃ−３ｉは光学的バンドギャップが小さいので、エ
ネルギが小さい長波長光でも励起され、キャリアを発生
させる。従って、入射光のうち、波長が短い可視光はａ
−８ｉで形成された第１層で吸収され、第１層で吸収さ
れずに残る長波長光がμｃ−８ｉで形成された第２層で
吸収される。このため、この発明に係る感光体は、可視
光から近赤外光までの広い波長領域に亘って高い分光感
度を有し、このため、ＰＰＣ（普通紙複写機）及びレー
ザプリンタの双方にこの感光体を使用することが可能で
ある。

μｃ−３ｉ及びａ−８ｉ自体は、若干、ｎ型であるが、
このμｃ−８ｉ及びａ−８ｉで形成された光導電層３１
に周期律表の第■族に属する元素をライトドープ（１０
′″３乃至１原子％）することにより、光導電層２４は
、ｉ型（真性）半導体になり、暗抵抗が高くなり、ＳＮ
比と帯電能が向上する。また、光導電層３１に、Ｃ，Ｏ
，Ｎから選択された少なくとも一種の元素を含有させた
場合には、更に一層、光導電層３１の暗比抵抗を高め、
帯電能及び電荷保持機能を一層高めることができる。こ
の場合に、Ｃ，Ｏ，Ｎのドーピング量は、０．１乃至１
０原子％であることが好ましい。

障壁層２２は、μｃ−８＋又はａ−８ｉで形成すること
ができる。μＣ−８＋は電荷の移動度が高く、走行性が
良好であるが、成膜速度が比較的遅く、製造が若干困難
である。一方、ａ−３１は走行性が比較的低いが、製造
が容易である。また、障壁層を構成するμｃ−３ｉ又は
ａ−８ｉ中には、周期律表第■族又は第Ｖ族に属する元
−素がドーピングされており、これにより、障壁層２２
がｐ型又はｎ型の半導体になっている。その含有量は、
１０°３乃至１０原子％であることが好ましい。感光体
表面に正帯電する場合には、支持体２１側からの電子の
注入を阻止するために、障壁層をｐ型にする。この場合
に、ａ−３ｉ又はμｃ−３ｉにＢをドーピングすること
により、障壁層をｐ型にすることが一般的である。一方
、感光体を負帯電で使用する場合には、ａ−３ｉ又はμ
ｃ−８ｉにＰをドーピングしてｎ型にする。また、バン
ドギャップを拡大することにより、障壁層を形成するこ
とも可能である。この場合には、障壁層２２に、Ｃ，Ｏ
，Ｎのうち少なくとも１種以上の元素を、０．１乃至２
０原子％の範囲で含有させることが好ましい。これによ
り、支持体２１側から電荷輸送層２３への電荷及び正孔
の注入を有効に阻止することができ、電荷保持機能が著
しく向上する。

このＣ，０，Ｎの量は、電子写真特性上、２０％以下に
することが好ましい。

表面層２５は、Ｃ，Ｏ，Ｎのうち、少なくとも１種以上
の元素を含有するａ−３ｉ　（ａ−８ｉ　Ｃ；Ｈ，ａ−
ｓｉｏ：）−１，ａ−８ｉＮ；Ｈ。

ａ−８ｉＣＮ；Ｈ等）で形成されている。これにより、
光導電層の表面が保護され、耐環境性及び帯電能が向上
する。このＣ，０，Ｎの含有量は、１０乃至５０原子％
であることが好ましい。

次に、この発明の実施例について説明する。

ＬＬＬ 導電性基板としてのＡＩ製トドラム反応容器内に装填し
、反応容器内を、図示しない拡散ポンプにより、排気し
て約１０４の真空度にする。その後、ドラム基体を加熱
し、約２５０℃に保持する。

次いで、ＳｉＨ＋ガス、このＳｉＨ＋ガス流最に対する
流量比が１０”の８２１−１ｓガス、及び４０％のＣ）
−１４ガスを混合して反応容器に供給し、反応圧力を０
．４トルに調整し、電極に１３．５６ＭＨｚで８０ワツ
トの高周波電力を印加して、１時間成膜して障壁層２２
を形成した。その後、ＳｉＨ＋に対する流量比が５倍の
Ｈ２を流し、反応圧力が０．８トル、高周波電力が３０
０ワツトで５時間成膜し、９μｍのμｃ−８ｉ第２層を
形成した。この第２層の光学的バンドギャップは１．５
５ｅＶであった。次いで、Ｂ２　Ｈ６のＳｉＨ＋に対す
る流量比を１０う、Ｈ２ガスの流量を５ｉｌ−１４ガス
流量の１００％に設定してこれらのガスを反応容器内に
導入した。反応圧力が０．４トルの状態で８０ワツトの
電力を投入して１時間成膜し、ａ−８ｉ第１ｍ！を形成
した。次いで、ＳｉＨ４ガス流量に対してＣＨ４ガス流
量を５倍に設定し、反応圧力が０．４トル、高周波電　
、力が８０ワツトで１０分間成膜し、表面層２５を形成
した。一方、比較のために、光導電層がａ−３ｉの単層
で構成された従来の感光体を製造した。光導電層の成膜
条件は実施例１のａ−８ｉ第１１と同様であるが、成膜
時間は６時間である。

この光導電層の層厚は１５μｍであり、光学的バンドギ
ャップは１．７５ｅＶであった。他の層の成膜条件は実
施例１と同一である。このようにして成膜した感光体に
対し、０．４５μＣ／ｃＩｉの流入電流を流したところ
、いずれも４００■の表面電位が得られた。しかしなが
ら、各波長に対する感度を測定したところ、第３図に示
すように、従来の感光体は、長波長において分光感度が
著しく低下するのに対し、実施例の感光体は、７９０ｎ
ｍ付近の感度が高い値を保持しており、実施例は従来の
感光体に比して極めて高い感度を有していた。これらの
感光体をレーザプリンタに装着して画像を形成したとこ
ろ、従来の感光体はカブリ及び活字のツブシ等が認めら
れたのに対し、実施例の感光体においては、このような
欠点は認められず、高解像度及び高コントラストの画像
を形成することができた。更に、１０万回の連続使用試
験においても、画像の劣化はほとんど認められず、極め
て良好な画像が得られた。

１ｉ九り この実施例においては、実施例１の光導電層のμｃ−８
ｉ第２閣の成膜条件を、Ｂ２　Ｈ６ガス流量がＳｉＨ＋
ガス流量に対して１０−７になるように変更した点以外
は実施例１と同様である。この実施例２においては、長
波長光に対する感度が実施例１よりも約２割向上した。

なお、第２層の光学的バンドギャップは１．５ｅＶであ
った。

［発明の効果］ この発明によれば、高抵抗で帯電特性が優れており、ま
た可視光及び近赤外光領域において高光感度特性を有し
、製造が容易であり、実用性が高い電子写真感光体を得
ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明に係る電子写真感光体の製造装置を示
す図、第２図はこの発明の実施例に係る２６一 電子写真感光体を示す断面図、第３図は感光体の分光感
度を示すグラフ図である。 １．２．３．４：ボンベ、５；圧力計、６；バルブ、７
；配管、８：混合器、９：反応容器、１０：回転軸、１
３；電極、１４；ドラム基体、１５；ヒータ、１６：高
周波電源、１９；ゲートバルブ、２１：支持体、２２；
障壁層、２３：第１層、２４；第２層、２５；表面層、
３１；光導電層。 出願人代理人　弁理士　鈴江武彦 第２図 ］ ｊ炙長（ｍｍ） 第３図 手続補正書 ｒｓｓ　％１・３カ２６８ 特許庁長官　　宇　賀　道　部　殿 １、事件の表示 特願昭６０−１９８９３９号 ２、発明の名称 電子写真感光体 ３、補正をする者 事件との関係　　特許出願人 （３０７）株式会社　東芝 （ばか１名） ４、代理人 ５、自発補正 ２、特許請求の範囲 （１）　　導電性支持体と、この導電性支持体の上に形
成された障壁層と、この障壁層の上に形成された光導電
層と、を有する電子写真感光体において、前記光導電層
は、光学的バンドギャップが１．６乃至１．８　ｅ　Ｖ
のアモルファスシリコンで形成された第１層と、光学的
バンドギャップが１．４乃至１．６５　ｅ　Ｖのマイク
ロクリスタリンシリコンで形成された第２層との積層体
であることを特徴とする電子写真感光体。 （２）前記光導電層は、周期律表の第１族又は第■族に
属する元素を含有することを特徴とする特許請求の範囲
第１項に記載の電子写真感光体。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）導電性支持体と、この導電性支持体の上に形成さ
   れた障壁層と、この障壁層の上に形成された光導電層と
   、を有する電子写真感光体において、前記光導電層は、
   光学的バンドギャップが１．６乃至１．８ｅＶのアモル
   ファスシリコンで形成された第１層と、光学的バンドギ
   ャップが１．４乃至１．６５ｅＶのマイクロクリスタリ
   ンシリコンで形成された第２層との積層体であることを
   特徴とする電子写真感光体。
2. （２）前記光導電層は、周規律表の第III族又は第Ｖ族
   に属する元素を含有することを特徴とする特許請求の範
   囲第１項に記載の電子写真感光体。