JPS6295540A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、帯電特性、光感度特性及び耐環境性等が優
れた電子写真感光体に関する。

［従来の技術及びその問題点コ 従来、電子写真感光体の光導電層を形成する材料として
、ＣｄＳ、ＺｎＯ，Ｓｅ、５ｅ−Ｔｅ若しくはアモルフ
ァスシリコン等の無機材料又はポリ−Ｎ−ビニルカルバ
ゾール（ＰＶＣＺ　）若しくはトリニトロフルオレン（
ＴＮＦ）等の有機材料が使用されている。しかしながら
、これらの従来の光導電性材料においては、光導電特性
上、又は製造上、種々の問題点があり、感光体システム
の特性をある程度犠牲にして使用目的に応じてこれらの
材料を使い分けている。

例えば、Ｓｅ及びＣｄＳは、人体に対して有害な材料で
あり、その製造に際しては、安全対策上、特別の配慮が
必要である。従って、製造装置が複雉となるため製造コ
ストが高いと共に、特に、Ｓｅは回収する必要があるた
め回収コストが付加されるという問題点がある。また、
Ｓｅ又は５ｅ−Ｔｅ系においては、結晶化温度が６５℃
と低いため、複写を繰り返している間に、残雪等により
光導電特性上の問題が生じ、このため、寿命が短いので
実用性が低い。

更に、ＺｎＯは、酸化還元が生じやすく、環境雰囲気の
影響を著しく受けるため、使用上、信頼性が低いという
問題点がある。

更にまた、ｐｖｃｚ及びＴＮＦ等の有機光導電性材料は
、発癌性物質である疑いが持たれており、人体の健康上
問題があるのに加え、有機材料は熱安定性及び耐摩耗性
が低く、寿命が短いという欠点がある。

一方、アモルファスシリコン（以下、ａ−８ｉと略す）
は、近時、光導電変換材料として注目されており、太陽
電池、薄膜トランジスタ及びイメージセンサへの応用が
活発になされている。このａ−３ｉの応用の一環として
、ａ−３ｉを電子写真感光体の光導電性材料として使用
する試みがなされており、ａ−３ｉを使用した感光体は
、無公害の材料であるから回収処理の必要がないこと、
他の材料に比して可視光領域で高い分光感度を有するこ
と、表面硬度が高＜ｒｆ４摩耗性及び耐衝撃性が優れて
いること等の利点を有する。

このａ−３ｉは、カールソン方式に基づく感光体として
検討が進められているが、この場合に、感光体特性とし
て抵抗及び光感度が高いことが要求される、しかしなが
ら、この両特性を単−帝の感光体で満足させることが困
ｆｆ１ｆであるため、光導Ｎ層と導電性支持体との間に
障壁層を設け、光導電、＠上に表面電荷保持層を設けた
積層型の＠造にすることにより、このような要求を満足
させている。

ところで、ａ−３ｉは、通常、シラン系ガスを使用した
グロー放電分解法により形成されるが、この際に、ａ−
３ｉ膜中に水素が取り込まれ、水素量の差により電気的
及び光学的特性が大きく変動する。即ち、ａ−８ｉ膜に
侵入する水素の量が多くなると、光学的バンドギャップ
が大きくなり、ａ−８ｉの抵抗が高くなるが、それにと
もない、長波長光に対する光感度が低下してしまうので
、例えば、半導体レーザを搭載したレーザビームプリン
タに使用することが困難である。また、ａ−８ｉｌｌｌ
中の水素の含有量が多い場合は、成膜条件によって、（
ＳｉＨ２）ｎ及びＳｉＨ２等の結合構造を有するものが
膜中で大部分の領域を占める場合がある。そうすると、
ボイドが増加し、シリコンダングリングボンドが増加す
るため、光導電特性が劣化し、電子写真感光体として使
用不能になる。逆に、ａ−３ｉ中に侵入する水素の量が
低下すると、光学的バンドギャップが小さくなり、その
抵抗が小さくなるが、長波長光に対する光感度が増加す
る。しかし、通常の成膜条件で作成した従来のａ−３ｉ
においては、水素含有量が少ないと、シリコンダングリ
ングボンドと結合してこれを減少させるべき水素が少な
くなる。このため、発生するキャリアの移動度が低下し
、寿命が短くなると共に、光導電特性が劣化してしまい
、電子写真感光体として使用し難いものとなる。

なお、長波長光に対する感度を高める技術として、シラ
ン系ガスとゲルマンＧｅＨ＋とを混合し、グロー放電分
解することにより、光学的バンドギャップが狭い膜を生
成するものがあるが、一般に、シラン系ガスとＧｅＨ＋
とでは、最適基板温度が異なるため、生成した膜は構造
欠陥が多く、良好な光導電特性を得ることができない。

また、ＱｅＨ４の廃ガスは酸化されると有毒ガスとなる
ので、廃ガス処理も複雑である。従って、このような技
術は実用性がない。

この発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであって
、帯電能が優れており、残留電位が低く、近赤外領域ま
での広い波長領域に亘って感度が高く、帯電及び除雪の
繰返しによる光疲労が抑制され、基板との密着性が良く
、耐環境性が優れた電子写真感光体を提供することを目
的とする。

［問題点を解決するための手段］ この発明に係る電子写真感光体は、４電性支持体と、光
導電層と、導電性支持体と光導電層との問に配設された
障壁層とを有する電子写真感光体において、前記光導電
層及び障壁層は、周期律表の第■族又は第Ｖ族に属する
元素から選択された少なくとも１種の元素を含有し、そ
の少なくとも一部の領域にて、その含有量が光導電層又
は障壁層の層厚方向に変化していることを特徴とする。

この発明は、前述の従来技術の欠点を解消し、優れた光
導電特性（電子写真特性）と耐環境性とを兼備し、光疲
労が抑制され、帯電能が高く、残留電位が低い電子写真
感光体を開発すべく本願発明者等が神々実験研究を重ね
た結果、マイクロクリスタリンシリコン〈以下、μｃ−
３ｉと略す）を電子写真感光体の少なくとも一部に使用
すると共に、結晶粒径が相互に異なるμｃ−３ｉを２層
以上積層することにより、この目的を達成することがで
きることに想到して、この発明を完成させたものである
。

以下、この発明について具体的に説明する。この発明の
特徴は、従来のａ−３ｉの替りに、μＣ−８ｉを使用し
たことにある。つまり、光導電層及び障壁層の全ての領
域又は一部の領域がμＣ−３ｉの単体で形成されている
か、μｃ−８ｉとアモルファスシリコン（以下、ａ−３
ｉと略す）との混合体で形成されているか、又は１又は
２以上のμｃ−３ｉ層及びａ−８ｉＦＩＪの積層体で形
成されている。

μＣ−３ｉは、以下のような物性上の特徴により、ａ−
８ｉ及びポリクリスタリンシリコン（多結晶シリコン）
から明確に区別される。即ち、Ｘ線回折測定においては
、ａ−３ｉは、無定形であるため、ハローのみが現れ、
回折パターンを認めることができないが、μｃ−３ｉは
、２θが２８乃至２８．５°付近にある結晶回折パター
ンを示す。また、ポリクリスタリンシリコンは暗抵抗が
１０”Ω・ａｐｒであるのに対し、μｃ−３ｉは１０１
１Ω・α以上の暗抵抗を有する。このμＣ−８ｉは粒径
が約数子Å以上である微結晶が集合して形成されている
。

例えば、μｃ−３ｉとａ−３ｉとの混合体とは、μｃ−
８ｉの結晶領域が８−３ｉ中に混在していて、μｃ−８
ｉ及びａ−３ｉが同程度の体積比で存在するものをいう
。また、μｃ−３ｉとａ−３ｉとの積層体とは、大部分
がａ−３ｉからなる層と、μＣ−８ｉが充填された層と
が積層されているものをいう。

この発明においては、光導電層及び障壁層が、μＣ−８
ｉ層で形成されており、そのμｃ−３ｉ衷には、周期律
表の第■族又は第Ｖ族に属する元素から選択された少な
くとも１種の元素が含有され、この（又はこれらの）元
素の含有量は、光導電層又は１４壁層の層厚方向に変化
している。光導電層においては、光が照射されると、キ
ャリア（Ｔｉ子及び正孔の対）が発生する。そして、感
光体表面を正帯電させた場合には、電子が感光体表面で
正電荷と中和し、正孔が光導電層及び障壁層を走行して
導電性支持体まで移動する。一方、感光体表面を負帯電
させた場合には、正孔が感光体表面で負電荷と中和し、
電子が光導電層及び障壁層を走行して導電性支持体まで
移動する。このようにして、感光体表面には、電荷が残
存する領域と中和した領域とが存在し、静電潜像が形成
される。この場合に、μｃ−３ｉの光学的バンドギャッ
プＥａは、１．６０乃至１．６５ｅＶであり、ａ−３ｉ
の光学的バンドギャップＥａ　（１，７０ｅＶ以上）に
比して低い。ところで、光導電層は、その光学的バンド
ギャップより大きなエネルギの光の入射によって、キャ
リアを発生する。従って、ａ−３ｉは、可視光に対して
は十分な光感度を有するが、可視光よりもエネルギが小
さい近赤外光等の長波長光に対しては、光感度を有しな
い。これに対し、光学的バンドギャップが小さいμＣ−
８１はこのような長波長光も吸収してキャリアを発生す
る。このため、μｃ−８ｉは、可視光から近赤外光に至
る広い波長領域に亘って光感度が高く、発振波長が７９
０ｎｍの半導体レーザ光に対しても充分の感度を有する
から、この発明に係る電子写真感光体は、ＲＰＣ（酋通
紙複写機）のみならず、半導体レーザを搭載したレーザ
プリンタに適用することができる。

障壁層は、導電性支持体と光導電層との間に配設されて
おり、この障壁層は、導電性支持体から、光導電層への
キャリアの流れを抑制することにより、電子写真感光体
の表面における電荷の保持機能を高め、電子写真感光体
の帯電能を高める。カールソン方式においては、感光体
表面に正帯電させる場合には、支持体側から光導電層へ
電子が注入されることを防止するために、障壁層をｎ型
にする。一方、感光体表面に負帯電させる場合には、支
持体側から光導電層へ正孔が注入されることを防止する
ために、障壁層をｎ型にする。この障壁層はμｃ−８ｉ
で形成されている。

光導電層及び障壁層は、キャリアを捕獲するトラップが
存在しないことが理想的である。しかし、シリコン層は
、単結晶でない以上、多少の不規則性が存在し、ダング
リングボンドが存在する。この場合に、水素を含有させ
ると、水素がシリコンダングリングボンドのターミネー
タとして作用し、結合を補償する。この発明において使
用するμＣ−８ｉｌｔ！においては、少量の水素′を含
有させることにより、ダングリングボンドが高効率で補
償される。このため、この光導？ｌＫ１及び障壁層は、
キャリアの走行性が高く、良好な光導電性を示す。

なお、光導電層の層厚は、３乃至８０μｍ、好ましくは
、１０乃至５０μｍ、更に好ましくは、１５乃至３０μ
ｍである。また、障壁層の層厚は０．０１乃至１０μｍ
であることが好ましい。

このようなμｃ−８ｉ層は、ａ−８ｉ層と同様に、高周
波グロー放電分解法により、シランガスを原料として、
導電性支持体上に堆積させることにより製造することが
できる。しかしながら、その成膜条件は従来のａ−３ｉ
を成膜するときの条件と異なる。つまり、支持体の温度
はａ−３ｉを形成する場合よりも高く設定し、高周波電
力もａ−３ｉの場合よりも高く設定する。このように、
支持体温度を高くし、高周波電力を大きくすることによ
り、原料ガス（シランガス等）の流量を増大させること
ができ、その結果、成膜速度を速くすることができる。

また、原料ガス（Ｓ　ｉ　Ｈ４ガス及び５ｉ２Ｈｓガス
を含む）を水素ガスで希釈すると、μｃ−８ｉが形成さ
れやすい。

第１図は、この発明に係る電子写真感光体を製造する装
置を示す図である。ガスボンベ１，２゜３．４には、例
えば、夫々ＳｉＨ＋　、Ｂ２　Ｎ５　。

Ｎ２　、Ｈｅ、Ａｒ、ＣＨ４、Ｎ２等の原料ガスが収容
されている。これらのガスボンベ１．２，３゜４内のガ
スは、流量調整用のバルブ６及び配管７を介して混合器
８に供給されるようになっている。

各ボンベには、圧力計５が設置されており、この圧力計
５を監視しつつ、バルブ６を調整することにより、混合
器８に供給する各原料ガスの流の及び混合比を調節する
ことができる。混合器８にて混合されたガスは反応容器
９に供給される。反応容器９の底部１１には、回転軸１
０が鉛直方向の回りに回転可能に取りつけられており、
この回転軸１０の上端に、円板状の支持台１２がその面
を回転軸１０に垂直にして固定されている。反応容器９
内には、円筒状の電極１３がその軸中心を回転軸１０の
軸中心と一致させて底部１１上に設置されている。感光
体のドラム基体１４が支持台１２上にその軸中心を回転
軸１０の軸中心と一致させて載置されており、このドラ
ム基体１４の内側には、ドラム基体加熱用のヒータ１５
が配設されている。電極１３とドラム基体１４との間に
は、高周波電源１６が接続されており、電極１３及びド
ラム基体１４間に高周波電流が供給されるようになって
いる。回転軸１ｏはモータ１８により回転駆動される。

反応容器９内の圧力は、圧力計１７により監視され、反
応容器９は、ゲートバルブ１８を介して真空ポンプ等の
適宜の排気手段に連結されている。

このように構成される装置により感光体を製造する場合
には、反応容器９内にドラム基体１４を設置した後、ゲ
ートバルブ１つを開にして反応容器９内を約０．１トル
（Ｔｏｒｒ）の圧力以下に排気する。次いで、ボンベ１
．２．３．４から所要の反応ガスを所定の混合比で混合
して反応容器９内に導入する。この場合に、反応容器９
内に導入するガス流量は、反応容器９内の圧力が０．１
乃至１トルになるように設定する。次いで、モータ１８
を作動させてドラム基体１４を回転させ、ヒータ１５に
よりドラム基体１４を一定温度に加熱すると共に、高周
波型１ｌｉ１６により電極１３とドラム基体１４との間
に高周波電流を供給して、両者間にグロー放電を形成す
る。これにより、ドラム基体１４上にμｃ−８ｉ又はａ
−３ｉが堆積する。なお、原料ガス中にＮ２０．ＮＨ３
。

ＮＯ２、Ｎ２　、ＣＨ４、Ｃ２Ｈ４，０２ガス等を使用
することにより、これらの元素をμｃ−３ｉ又はａ−３
ｉ中に含有させることができる。

このように、この発明に係る電子写真感光体は従来のａ
−８ｉを使用したものと同様に、クローズドシステムの
製造装置で製造することができるため、人体に対して安
全である。また、この電子写真感光体は、耐熱性、耐湿
性及び耐摩耗性が優れているため、長期に亘り繰り返し
使用しても劣化が少なく、寿命が長いという利点がある
。さらに、ＧｅＨ＋等の長波長増感用ガスが不要である
ので、廃ガス処理設備を設ける必要がなく、工業的生産
性が著しく高゛い。

ｕｃ−８ｉｆｉ１には、水１ｔ−１を０．０１乃至３０
原子％、好ましくは、０．０５乃至２０原子％含有させ
ることが好ましい。これにより、光導電層の暗抵抗と明
抵抗とが調和のとれたものになり、光導電特性が向上す
る。μｃ−８ｉへの水素のドーピングは、例えば、グロ
ー放電分解法による場合は、ＳｉＨ４及び５ｉ２Ｈｓ等
のシラン系の原料ガスと、水素、アルゴン又はヘリウム
等のキャリアガスとを反応容器内に導入してグロー放電
させるか、Ｓ　ｉ　Ｆ４及び５ｉＣＩ＋等のハロゲン化
ケイ素と、水素ガス、アルゴンガス又はヘリウムガスと
の混合ガスを使用してもよいし、また、シラン系ガスと
、ハロゲン化ケイ素との混合ガスで反応させてもよい。

更に、グロー放電分解法によらず、スパッタリング等の
物理的な方法によってもμＣ−５ｉ層を形成することが
できる。

μＧ−３ｉに、窒素Ｎ１炭素Ｃ及び酸素Ｏから選択され
た少なくとも１種の元素をドーピングすることが好まし
い。これにより、μｃ−８ｔの暗抵抗を高くして光導電
特性を高めることができる。

これらの元素はシリコンダングリングボンドのターミネ
ータとして作用して、バンド間の禁制帯中に存在する状
態密度を減少させ、これにより、暗抵抗が高くなると考
えられる。

μＣ−８ｉをｐ型にするためには、周期律表の第■族に
属する元素、例えば、ホウ素Ｂ、アルミニウムＡｈガリ
ウムＧａ、インジウムＩｎ１及びタリウム下１等をドー
ピングすることが好ましく、μｃ−３ｉ層をｎ型にする
ためには、周期律表の第Ｖ族に属する元素、例えば、窒
素Ｎ１リンＰ１ヒ素ＡＳ、アンチモンＳｂ１及びビスマ
スＢｉ等をドーピングすることが好ましい。このｎ型不
純物又はｎ型不純物のドーピングにより、支持体側から
光導電層へ電荷が移動することが防止される。また、こ
れらの元素をドーピングすることにより、光感度特性を
向上させることができ、更に、その少量のドーピング（
ライトドープ）でμｃ−３ｉを真性半導体（１型）にし
てその抵抗を高めることができる。

また、バンドギャップを拡げることにより、障壁層を形
成することもできる。これは、μｃ−８ｉにＣ，Ｏ，Ｎ
を含有させればよい。このＣ９○、Ｎを含有するμＣ−
３ｉに周規律表の第■族又は第Ｖ族に属する元素をドー
ピングすることによって、そのブロッキング能を一層高
めることができる。更に、Ｃ，Ｏ，Ｎを含有するμＣ−
３ｉ層と、周規律表の第■族又は第Ｖ族に属する元素を
含有するμｃ−３ｉＲとを積層させることによっても、
帯電能及び電荷保持能が高い障壁層を得ることができる
。

上述のように、μｃ−３ｉＭに周期律表の第■族又は第
Ｖ族に属する元素を含有させることにより、電子写真感
光体の緒特性を向上させることができる。しかしながら
、光導電層と、障壁層との機能上の相違により、光導電
層と障壁層とにおけるこれらの元素の含有量は通常具な
る。この場合に、光導ｉｌｌと障壁層とにおいて、これ
らの元素の含有量が夫々一定である場合には、それらの
接合界面において含有量が著しく相違し、このため、こ
の接合界面にてダングリングボンドが増加する。

このダングリングボンドは、キャリアを捕獲するトラッ
プとなるため、接合界面にこのような大きな濃度差が存
在すると、感光体の光疲労が発生する。この発明におい
ては、先導Ｍ層と障壁層との間の接合界面において、ド
ーピング元素の含有量を連続的にかつ滑かに変化させる
。これにより、接合界面において、ダングリングボンド
の発生を抑制することができ、キャリアが接合界面、に
て捕獲されることなく、高効率で導電性支持体まで走行
し、キャリアの寿命が延長される。これにより、光疲労
が少ない感光体を得ることができる。胴中の、例えば、
Ｂ含有量を連続的に変化させるためには、ＳｉＨ４ガス
に対する８２　Ｈｓガスの１ｆｆｉ比を連続的に変化さ
せればよい。また、基板の温度、Ｓ　Ｉ　Ｈ４ガス流量
、反応圧力、投入電力等のプラズマ条件を変更すること
により、層中の８含有量を変化させることもできる。

光導電層の上に表面層を設けることが好ましい。

光導電層のμｃ−８ｉは、その屈折率が３乃至４と比較
的大きいため、表面での光反射が起きやすい。このよう
な光反射が生じると、光導°躍層に吸収される先帝の割
合いが低下し、光損失が大きくなる。このため、表面層
を設けて反射を防止することが好ましい。また、表面層
を設けることにより、光導Ｎ層が損傷から保護される。

さらに、表面層を形成することにより、帯電能が向上し
、表面に電荷がよくのるようになる。表面層を形成する
材料としては、Ｓｉ３Ｎ＋、ＳｉＯ２，５ｉＣ１ＡＩ２
０３．８Ｎ、ａ−８ｉＮ：）−１，ａ−８ｉＱ；Ｈ，ａ
−８ＩＣ：Ｈ１μｃ−ｓ　ｒ　Ｎ、μｃ−８ｉ　Ｃ及び
μｃ−３ｉＱ等の無機化合物及びポリ塩化ビニル及びポ
リアミド等の有機材料がある。

電子写真感光体としては、上述のごとく、支持体上に障
壁層を形成し、この障壁層上に光導電層を形成し、この
光導電層の上に表面層を形成したものに限らず、支持体
の上に電荷移ｖＪ層（ＣＴＬ）を形成し、電荷移動層の
上に電荷発生層＜ＣＧＬ）を形成した機能分離型の形態
に構成することもできる。この場合に、電荷移動層と、
支持体との間に、障壁層を設けてもよい。電荷発生層は
、先の照射によりキャリアを発生する。この電荷発生層
は、層の一部又は全部がμｃ−３ｉで形成されているこ
とが好ましい。このようなμｃ−８ｉｌｌは、その光学
的バンドギャップＥａがａ−８ｉより小さいので広い波
長領域に亘って高感度である。従って、特に、半導体レ
ーザを使用したレーザプリンタ用の感光体として好適で
ある。この電荷発生層の厚さは０．１乃至１０μｍにす
るのが好ましい。電荷移動層は電荷発生層で発生したキ
ャリアを高効率で支持体側に到達させる層であり、この
ため、キャリアの寿命が長く、移動度が大きく輸送性が
高いことが必要である。電荷移動層はμＣ−３ｉ又はａ
−８ｉの１又は２以上の材料で形成することができる。

電荷移動層には、暗抵抗を高めて帯電能を向上させるた
めに、周期律表の第■族又は第Ｖ族のいずれか一方に属
する元素をライトドーピングすることが好ましい。また
、帯電能を一層向上させ、電荷移動層と電荷発生層との
両機能を持たせるために、Ｃ，’Ｎ、Ｏの元素のうち、
いずれか１種以上を含有させてもよい。電荷移動層は、
その膜厚が薄過ぎる場合及び厚過ぎる場合はその機能を
充分に発揮しない。このため、電荷移１Ｉｌｌｌｌｌの
厚さは３乃至８０μｍ、好ましくは、１０乃至３０μｍ
である。

障壁層を設けることにより、Ｎ荷移動層と電荷発生層と
を有する機能分離型の感光体においても、その電荷保持
機能を高め、帯電能を向上させることができる。なお、
障壁層をｐ型にするか、又はｎ型にするかは、その帯電
特性に応じて決定される。この障壁層は、μＣ−３ｉで
形成することができる。

［実施例コ 第２図及び第３図は、この発明を具体化した電子写真感
光体を示す一部断面図である。第２図に示す感光体にお
いては、導電性支持体２１の上に、障壁層２２が形成さ
れ、障壁層２２の上に光導電層２３が形成されている。

第３図においては、光導電層２３の上に、表面層２４が
形成されている。

光導電層２３及び障壁層２２は、水素を含有するμｃ−
３ｉで形成されており、この光導電層２３及び障壁層２
２には周規律表の第■族又は第Ｖ族に属する元素がドー
ピングされている。また、Ｃ１○、Ｎのうち、少なくと
も１種の元素を含有させることによって、帯電能及び電
荷保持能を高めることができる。光導ＮＭ２３のμｃ−
３ｉは、光学的バンドギャップがａ−８ｉよりも小さい
ので、長波長光までの広い波長領域に亘って高感度であ
る。この光導電層２３及び障壁層２２は生母の水素でシ
リコンダングリングボンドが高効率で補償されるので、
欠陥が少なくキャリアの走行性が一苦高い。

光導電層２３及び障壁層２２に含有される周期律表の第
■族又は第Ｖ族に属する元素の含有量は、第４図（ｒ）
に示すように、各層内において一定ではなく、第４図（
ａ）乃至（Ｑ）に示すように、光導電層２３から障壁層
２２に向けて含有量が増１ノロするか、又はその接合界
面において滑らかに変化している。これにより、接合界
面でのダングリングボンドを減少させることができる。

なお、第４図（Ｓ）乃至（Ｕ）に示すように、光導電層
２３側の含有量が障壁層２２よりも大きくなるようにし
てもよい。

次に、この発明の実施例について説明する。

見１１上 導電性基板としてのＡＩ製トドラム直径８０ｍ、長さ３
５０ｓ＋）をトリクレンで脱脂した後、反応容器内に装
填し、反応容器内を、図示しない拡散ポンプにより、排
気し、約１ｏうトルの真空度にする。なお、必要に応じ
て、ドラム基体表面を酸処理、アルカリ処理及びサンド
ブラスト処理等する。その後、ドラム基体を加熱して約
３００’Ｃに保持し、２００ＳＣＣＭｆ７）流１（７）
Ｓ　＋　Ｈ４カス、このＳｉＨ＋ガス流量に対する流量
比が１０４の８２　Ｈ５ガス、及び２８ＬＭのＨ２ガス
を混合して反応容器に供給した。その後、メカニカルブ
ースタポンプ及びロータリポンプにより反応容器内を排
気し、その圧力を１トルに調整した。ドラム基体を回転
（毎分１０回転）させつつ、電極に１３．５６ＭＨ２で
２ｋＷの高周波電力を印加して、′Ｆ１１極とドラム基
体との間に、ＳｉＨ４゜Ｂ２　Ｈ６及びＨ２のプラズマ
を生起させ、所定時間成膜を継続した後、ガスの供給及
び電力の印加を停止した。これにより、ｐ型のμｃ−３
ｉからなる障壁層を形成した。

その後、Ｓ　ｉ　Ｈ４ガス流量を２００ＳＣＣＭ、Ｂ２
Ｈεガス流量をＳ　ｉ　Ｈ４ガスに対する流量比で１ｏ
−ｒに設定した。この条件でμｃ−８ｉ光導電層を３０
μｍだけ形成したが、このμｃ−３１唐を形成する間に
、８２８６ガス流量を徐々に変化させ、層中のＢ含有量
を第４図に示すように変化させた。次いで、同様の操作
により、Ｃ，Ｏ。

Ｎを含有するａ−８ｉからなる表面層を形成した。

このようにして成膜した電子写真感光体を半導体レーザ
プリンタに装着してカールソンプロセスにより画像を形
成したところ、感光体表面の露光量が２５ｅｌ”ｇ／ｆ
ｆｌであっても、鮮明で解像度が高い画像を得ることが
できた。また、複写を繰返して転写プロセスの再現性及
び安定性を調査したところ、転写画像は極めて良好であ
り、耐コロナ性、耐湿性及び耐摩耗性等の耐久性が優れ
ていることが実証された。

［発明の効果］ この発明によれば、高抵抗で帯電特性が優れており、ま
た可視光及び近赤外光領域において高光感度特性を有し
、光疲労が少なく、製造が容易であり、実用性が高い電
子写真感光体を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明に係る電子写真感光体の製造装置を示
す図、第２図及び第３図はこの発明の実施例に係る電子
写真感光体を示す断面図、第４図（ａ）乃至（Ｕ）は層
中のドーピング元素（Ｂ等）の含有量の変化を示す模式
図である。 １．２，３．４；ボンベ、５：圧力計、６；バルブ、７
：配管、８；混合器、９：反応容器、１０：回転軸、１
３：１！極、１４ニドラム基体、１５：ヒータ、１６：
高周波電源、１９：ゲートバルブ、２１；支持体、２２
；障壁層、２３：光導電層、２４；表面層 出願人代理人　弁理士　鈴江武彦 ］６ 第１図 ＠　２　ｒ、Ｆ！ 第　３図 （ｍ）　　　　　　　　　　　（ｎ） 第４図 （ｕ）

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）導電性支持体と、光導電層と、導電性支持体と光
   導電層との間に配設された障壁層とを有する電子写真感
   光体において、前記光導電層及び障壁層は、周期律表の
   第III族又は第Ｖ族に属する元素から選択された少なく
   とも１種の元素を含有し、その少なくとも一部の領域に
   て、その含有量が光導電層又は障壁層の層厚方向に変化
   していることを特徴とする電子写真感光体。
2. （２）前記光導電層及び障壁層は、水素を含有すること
   を特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の電子写真感
   光体。
3. （３）前記光導電層及び障壁層は、炭素、酸素及び窒素
   から選択された少なくとも１種の元素を含有することを
   特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項に記載の電
   子写真感光体。
4. （４）前記光導電層の上に表面層が形成されていること
   を特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の電子写真感
   光体。