JPS6294851A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、帯電特性、光感度特性及び耐環境性等が優
れた電子写真感光体に関する。

［従来の技術及びその問題点］ 従来、電子写真感光体の光導電層を形成する材料として
、ＣｄＳ、Ｚｎ０％３ｅ、５ｅ−Ｔｅ若しくはアモルフ
ァスシリコン等の無機材料又はポリ−Ｎ−ビニルカルバ
ゾール（ＰＶＣＺ）若しくはトリニトロフルオレン＜Ｔ
ＮＦ）等の有機材料が使用されている。しかしながら、
これらの従来の光導電性材料においては、光導電特性上
、又は製造上、種々の問題点があり、感光体システムの
特性をある程度犠牲にして使用目的に応じてこれらの材
料を使い分けている。

例えば、Ｓｅ及びＣｄＳは、人体に対して有害な材料で
あり、その製造に際しては、安全対策上、特別の配慮が
必要である。従って、製造ｖＲ冒が複雑となるため製造
コストが高いと共に、特に、Ｓｅは回収する必要がある
ため回収コストが付加されるという問題点がある。また
、Ｓｅ又は５ｅ−Ｔｅ系においては、結晶化温度が６５
℃と低いため、複写を繰り返している間に、残量等によ
り光導電特性上の問題が生じ、このため、寿命が短いの
で実用性が低い。

更に、ＺｎＯは、酸化還元が生じやすく、環境雰囲気の
影響を著しく受けるため、使用上、信頼性が低いという
問題点がある。

更にまた、ｐｖｃｚ及びＴＮＦ等の有機光導電性材料は
、発癌性物質である疑いが持たれており、人体の健康上
問題があるのに加え、有機材料は熱安定性及び耐摩耗性
が低く、寿命が短いという欠点がある。

一方、アモルファスシリコン〈以下、ａ−３ｉと略す）
は、近時、光導電変換材料として注目されており、太陽
電池、薄膜トランジスタ及びイメージセンサへの応用が
活発になされている。このａ−３ｉの応用の一環として
、ａ−３ｉを電子写真感光体の光導電性材料として使用
する試みがなされており、ａ−３ｉを使用した感光体は
、無公害の材料であるから回収処理の必要がないこと、
他の材料に比して可視光領域で高い分光感度を有するこ
と、表面硬度が高く耐摩耗性及び耐衝撃性が優れている
こと等の利点を有する。

このａ−８ｉは、カールソン方式に基づく感光体として
検討が進められているが、この場合に、感光体特性とし
て抵抗及び光感度が高いことが要求される、しかしなが
ら、この両特性を単−唐の感光体で満足させることが困
難であるため、光導電層と導電性支持体との間に障壁層
を設け、光導′Ｍ層上に表面電荷保持層を設【プた積層
型の構造にすることにより、このような要求を満足させ
ている。

ところで、ａ−３ｉは、通常、シラン系ガスを使用した
グロー放電分解法により形成されるが、この際に、ａ−
８ｉｌｌ中に水素が取り込まれ、水素ｍの差により電気
的及び光学的特性が大きく変動する。即ち、ａ−８ｉ膜
に侵入する水素の讃が多くなると、光学的バンドギャッ
プが大きくなり、ａ−３ｉの抵抗が高くなるが、それに
ともない、長波長光に対する光感度が低下してしまうの
で、例えば、半導体レーザを搭載したレーザビームプリ
ンタに使用することが困難である。また、ａ−８ｉｌｌ
中の水素の含有量が多い場合は、成膜条件によって、（
ＳｉＨ２）ｎ及びＳｉＨ２等の結合構造を有するものが
膜中で大部分の領域を占める場合がある。そうすると、
ボイドが増加し、シリコンダングリングボンドが増加す
るため、光導電特性が劣化し、電子写真感光体として使
用不能になる。逆に、ａ−８ｉ中に侵入する水素の量が
低下すると、光学的バンドギャップが小さくなり、その
抵抗が小さくなるが、長波長光に対する光感度が増加す
る。しかし、通常の成膜条件で作成した従来のａ−３ｉ
においては、水素含有量が少ないと、シリコンダングリ
ングボンドと結合してこれを減少させるべき水素が少な
くなる。このため、発生するキャリアの移動度が低下し
、寿命が短くなると共に、光導電特性が劣化してしまい
、電子写真感光体として使用し難いものとなる。

なお、長波長光に対する感度を高める技術として、シラ
ン系ガスとゲルマンＧｅＨ４とを混合し、グロー放電分
解することにより、光学的バンドギャップが狭い膜を生
成するものがあるが、一般に、シラン系ガスとＧｅＨ４
とでは、最適基板温度が異なるため、生成した膜は構造
欠陥が多く、良好な光導電特性を得ることができない。

また、ＧｅＨ４の廃ガスは酸化されると有毒ガスとなる
ので、廃ガス処理も複雑である。従って、口のような技
術は実用性がない。

この発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであって
、帯電能が優れており、残留電位が低く、近赤外領域ま
での広い波長領域に亘って感度が高く、帯電及び除電の
繰返しによる光疲労が抑制され、曇板との密着性が良く
、耐環境性が優れた電子写真感光体を提供することを目
的とする。

［問題点を解決するための手段］ この発明に係る電子写真感光体は、導電性支持体と、光
導電層と、導電性支持体と光導電層との間に配設された
障壁層とを有する電子写真感光体において、前記光導電
層及び障壁層は、炭素、窒素及び酸素から選択された少
なくとも１種の元素を含有し、その少なくとも一部の領
域にて、その含有量が光導電層又は障壁層の層厚方向に
変化していることを特徴とする。

この発明は、前述の従来技術の欠点を解消し、帰れた光
導電特性（ｆｌ子写真特性）と耐環境性とを兼備し、光
疲労が抑制され、帯電能が高く、残留電位が低い電子写
真感光体を開発すべく本願発明者等が種々実験研究を重
ねた結果、マイクロクリスタリンシリコン（以下、μｃ
−８ｉと略す）を電子写真感光体の少なくとも一部に使
用すると共に、結晶粒径が相互に異なるμｃ−３ｉを２
１１以上積層することにより、この目的を達成すること
ができることに想到して、この発明を完成させたもので
ある。

以下、この発明について具体的に説明する。この発明の
特徴は、従来のａ−８ｉの替りに、μＣ−５ｉを使用し
たことにある。つまり、光導電層及び障壁層の全ての領
域又は一部の領域がμＣ−３ｉの単体で形成されている
か、μｃ−８ｉとアモルファスシリコン（以下、ａ−３
ｉと略す）との混合体で形成されているか、又は１又は
２以上のμｃ−８ｉｌｌ及びａ−３ｉ層の積層体で形成
されている。

μｃ−８ｉは、以下のような物性上の特徴により、ａ−
３ｉ及びポリクリスタリンシリコン（多結晶シリコン）
から明確に区別される。即ら、Ｘ線回折測定においては
、ａ−３ｉは、無定形であるため、ハ〇−のみが現れ、
回折パターンを認めることができないが、μｃ−３ｉは
、２θが２８乃至２８．５”付近にある結晶回折パター
ンを示す。また、ポリクリスタリンシリコンは暗抵抗が
１０６Ω・値であるのに対し、μｃ−３ｉは１０１１Ω
・１以上の暗抵抗を有する。このμＣ−８ｉは粒径が約
数十Å以上、である微結晶が集合して形成されている。

例えば、μｃ−８ｉとａ−８ｉとの混合体とは、μｃ−
３ｉの結晶領域がａ−３を中に混在していて、μｃ−８
ｉ及びａ−３ｉが同程度の体積比で存在するものをいう
。また、μｃ−８ｉとａ−Ｓｉとの積層体とは、大部分
がａ−８ｉからなる層と、μｃ−８ｉが充填された層と
が積層されているものをいう。

この発明においては、光導電層及び障壁層が、μｃ−３
ｉ層で形成されており、そのμｃ−８ｉ層には、炭素、
窒素及び酸素から選択された少なくとも１種の元素が含
有され、この（又はこれらの）元素の含有量は、光導電
層又は障壁層の層厚方向に変化している。光導電層にお
いては、光が照射されると、キャリア（電子及び正孔の
対）が発生する。そして、感光体表面を正帯電させた場
合には、電子が感光体表面で正電荷と中和し、正孔が光
導電層及び障壁層を走行して導電性支持体まで移動する
。一方、感光体表面を負帯電させた場合には、正孔が感
光体表面で負電荷と中和し、電子が光導電層及び障壁層
を走行して導電性支持体まで移動する。このようにして
、感光体表面には、電荷が残存するｆｌＡ域と中和した
領域とが存在し、静ｉ！潜像が形成される。この場合に
、μＣ−８ｉの光学的バンドギャップＥａは、１．６０
乃至１．６５ｅＶであり、ａ−３ｉの光学的バンドギャ
ップＥａ　（１，７０ｅＶ以上）に比して低い。

ところで、光導電層は、その光学的バンドギャップより
大きなエネルギの光の入射によって、キャリアを発生す
る。従って、ａ−３ｉは、可視光に対しては十分な光感
度を有するが、可視光よりもエネルギが小さい近赤外光
等の長波長光に対しては、光感度を有しない。これに対
し、光学的バンドギャップが小さいμｃ−３ｉはこのよ
うな長波長光も吸、収してキャリアを発生する。このた
め、μｃ−８ｉは、可撓光から近赤外光に至る広い波長
領域に亘って光感度が高く、発振波長が７９０ｎｍの半
導体レーザ光に対しても充分の感度を有するから、この
発明に係る電子写真感光体は、ｐｐｃ　＜普通紙複写機
）のみならず、半導体レーザを搭載したレーザプリンタ
に適用することができる。

陣ａｒｉａは、導電性支持体と光導電層との間に配設さ
れており、この障Ｉ！Ｉ！層は、導電性支持体から、光
導ＭＩＪへのキャリアの流れを抑制することにより、電
子写真感光体の表面における電荷の保持機能を高め、電
子写真感光体の帯電能を高める。カールソン方式におい
ては、感光体表面に正帯電させる場合には、支持体側か
ら光導電層へ電子が注入されることを防止するために、
障壁層をｐ型にする。一方、感光体表面に負帯電させる
場合には、支持体側から光導Ｉｌｌへ正孔が注入される
ことを防止するために、障壁層をｎ型にする。この障壁
層はμＣ−３ｉで形成されている。

光導電層及び障壁層は、キャリアを捕獲するトラップが
存在しないことが理想的である。しかし、シリコン層は
、単結晶でない以上、多少の不規則性が存在し、ダング
リングボンドが存在する。この場合に、水素を含有させ
ると、水素がシリコンダングリングボンドのターミネー
タと、して作用し、結合を補償する。この発明において
使用するμＣ−３ｉ層においては、少量の水素を含有さ
せることにより、ダングリングボンドが高効率で補償さ
れる。このため、この光導電層及びＩ４壁層は、キャリ
アの走行性が高く、良好な光導電性を示す。

なお、光導電層め層厚は、３乃至８０μｍ、好ましくは
、１０乃至５０μｍ１更に好ましくは、１５乃至３０μ
ｍである。また、障壁層の層厚は０．０１乃至１０μｍ
であることが好ましい。

このようなμｃ−３ｉ層は、ａ−３ｉ層と同様に、高周
波グロー放電分解法により、シランガスを原料として、
導電性支持体上に堆積させることにより製造することが
できる。しかしながら、その成膜条件は従来のａ−８ｉ
を成膜するときの条件と異なる。つまり、支持体の温度
はａ−３ｉを形成する場合よりも高く設定し、高周波電
力もａ−８ｉの場合よりも高く設定する。このように、
支持体温度を高くし、高周波電力を大きくすることによ
り、原料ガス（シランガス等）の流量を増大させること
ができ、その結果、成膜速度を速くすることができる。

また、原料ガス（Ｓ　ｉ　Ｈ４ガス及び５ｉ２Ｈｓガス
を含む）を水素ガスで希釈すると、μｃ−８ｉが形成さ
れやすい。

第１図は、この発明に係る電子写真感光体を製造する装
置を示す図である。ガスボンベ１．２゜３．４には、例
えば、夫々ＳｉＨ４，８２１−１ｓ。

Ｈ２、Ｈｅ、Ａｒ、ＣＨ４、Ｎ２等の原料ガスが収容さ
れている。これらのガスボンベ１．２，３゜４内のガス
は、流ＩＩＩ整用のバルブ６及び配管７を介して混合器
８に供給されるようになっている。

各ボンベには、圧力計５が設置されており、この圧力計
５を監視しつつ、バルブ６を調整することにより、混合
器８に供給する各原料ガスの流量及び混合比を１１１１
ｉ５することができる。混合器８にて混合されたガスは
反応容器９に供給される。反応容器９の底部１１には１
回転軸１０が鉛直方向の回りに回転可能に取りつけられ
ており、この回転軸１０の上端に、円板状の支持台１２
がその面を回転軸１０に垂直にして固定されている。反
応容器９内には、円筒状の電極１３がその軸中心を回転
軸１０の軸中心と一致させて底部１１上に設置されてい
る。感光体のドラム基体１４が支持台１２上にその軸中
心を回転軸１０の軸中心と一致させて載置されており、
このドラム基体１４の内側には、ドラム基体加熱用のヒ
ータ１５が配設されている。電極１３とドラム基体１４
との間には、高周波電源１６が接続されており、電極１
３及びドラム基体１４間に高周波電流が供給されるよう
になっている。回転軸１０はモータ１８により回転駆動
される。反応容器９内の圧力は、圧力計１７により監視
され、反応容器９は、ゲートバルブ１８を介して真空ポ
ンプ等の適宜の排気手段に連結されている。

このように構成される装置により感光体を製造する場合
には、反応容器９内にドラム基体１４を設置した後、ゲ
ートバルブ１９を開にして反応容器９内を約０．１トル
（Ｔｏｒｒ）の圧力以下に排気する。次いで、ボンベ１
．２．３．４から所要の反応ガスを所定の混合比で混合
して反応容器９内に導入する。この場合に、反応容器９
内に導入するガス流量は、反応容器９内の圧力が０．１
乃至１トルになるように設定する。次いで、モータ１８
を作動させてドラム基体１４を回転させ、ヒータ１５に
よりドラム基体１４を一定温度に加熱すると共に、高周
波電源１６により電極１３とドラム基体１４との間に高
周波電流を供給して、両者間にグロー放電を形成する。

これにより、ドラム基体１４上にμｃ−８ｉ又はａ−８
ｉが堆積する。なお、原料ガス中にＮ２０．ＮＨ３。

ＮＯ２、Ｎ２　、ＣＨ４、Ｃ２Ｈ４，０２ガス等を使用
することにより、これらの元素をμｃ−８ｉ又はａ−３
ｉ中に含有させることができる。

このように、この発明に係る電子写真感光体は従来のａ
−３ｉを使用したものと同様に、クローズドシステムの
製造装置で製造することができるため、人体に対して安
全である。また、この電子写真感光体は、耐熱性、耐湿
性及び耐摩耗性が優れているため、長期に亘り繰り返し
使用しても劣化が少なく、寿命が長いという利点がある
。さらに、ＧｅＨ＋等の長波長増感用ガスが不要である
ので、廃ガス処理設備を設ける必要がなく、工業的生産
性が著しく＾い。

μｃ−８ｉ層には、水素Ｈを０．０１乃至３０原子％、
好ましくは、０．０５乃至２０原子％含有させることが
好ましい。これにより、光導電層の暗抵抗と明抵抗とが
調和のとれたものになり、光導電特性が向上する。μｃ
−８ｉへの水素のドーピングは、例えば、グロー放電分
解法による場合は、Ｓ　ｉ　Ｈ４及び５ｉ２Ｈｓ等のシ
ラン系の原料ガスと、水′素、アルゴン又はヘリウム等
のキャリアガスとを反応容器内に導入してグロー放電さ
せるか、Ｓ　ｉ　Ｆ４及び５ｉＣｌ＋等のハロゲン化ケ
イ素と、水素ガス、アルゴンガス又はヘリウムガスとの
混合ガスを使用してもよいし、また、シラン系ガスと、
ハロゲン化ケイ素との混合ガスで反応させてもよい。更
に、グロー放電分解法によらず、スパッタリング等の物
理的な方法によってもμｃ−８ｉｌｌを形成することが
できる。

μｃ−８ｉに、窒素Ｎ、炭素Ｃ及び酸素Ｏから選択され
た少なくとも１種の元素をドーピングすることが好まし
い。これにより、μｃ−８ｉの暗抵抗を高くして光導電
特性を高めることができる。

これらの元素はシリコンダングリングボンドのターミネ
ータとして作用して、バンド間の禁制帯中に存在する状
態密度を減少させ、これにより、暗抵抗が高くなると考
えられる。

μｃ−３ｉをｐ型にするためには、周期律表の第■族に
属する元素、例えば、ホウ素Ｂ１アルミニウムＡＩ、ガ
リウムＱａ、インジウムＩｎ１及びタリウムＴ１等をド
ーピングすることが好ましく、μｃ−３ｉｌをｎ型にす
るためには、周期律表の第Ｖ族に属する元素、例えば、
窒素Ｎ、リンＰ１ヒ素ＡＳ、アンチモンＳｂ１及びビス
マス８１等をドーピングすることが好ましい。このｎ型
不純物又はｎ型不純物のドーピングにより、支持体側か
ら光導電層へ電荷が移動することが防止される。また、
これらの元素をドーピングすることにより、光感度特性
を向上させることができ、更に、その少量のドーピング
（ライトドープ）でμｃ−３ｉを真性半導体（１型）に
してその抵抗を＾めることができる。

また、バンドギャップを拡げることにより、障壁層を形
成することもできる。これは、μｃ−８ｉにＣ，Ｏ，Ｎ
を含有させればよい。このＣ，Ｏ，Ｎを含有するμｃ−
８ｉに周規律表の第■族又は第Ｖ族に属する元素をドー
ピングすることによって、そのブロッキング能を一層高
めることができる。更に、Ｃ，Ｏ，Ｎを含有するμＣ−
３ｉ謂と、周規律表の第■族又は第Ｖ族に属する元素を
含有するμＣ−３ｉ層とを積層させることによっても、
帯電能及び電荷保持能が高い障壁層を得ることができる
。

上述のように、μｃ−８ｉ層にＣ，Ｏ，Ｎから選択され
た少なくとも１種の元素を含有させることにより、電子
写真感光体の緒特性を向上させることができる。しかし
ながら、光導電層と、障壁層との機能上の相違により、
光導電層と障壁層とにおけるこれらの元素の含有量は通
常具なる。この場合に、光導′Ｉｓ層と障壁層とにおい
て、これらの元素の含有量が夫々一定である場合には、
それらの接合界面において含有ｍが著しく相違し、この
ため、この接合界面にてダングリングボンドが増加する
。このダングリングボンドは、キャリアを捕獲するトラ
ップとなるため、接合界面にこのような大きな濃度差が
存在すると、感光体の光疲労が発生する。この発明にお
いては、光導電層と障壁層との間の接合界面において、
ドーピング元素の含有量を連続的にかつ滑かに変化させ
る。これにより、接合界面において、ダングリングボン
ドの発生を抑制することができ、キャリアが接合界面に
て捕獲されることなく、高効率で導電性支持体まで走行
し、キャリアの寿命が延長される。

これにより、光疲労が少ない感光体を得ることができる
。層中の、例えば、Ｃ含有量を連続的に変化させるため
には、ＣＨ４ガスの流謹を連続的に変化させればよい。

また、基板の温度、ＳｉＨ＋ガス流量、反応圧力、投入
電力等のプラズマ条件を変更することにより、層中の８
含有量を変化させることもできる。

光導ＩＮＩの上に表面層を設けることが好ましい。

光導電層のμｃ−８ｉは、その屈折率が３乃至４と比較
的大きいため、表面での光反射が起きやすい。このよう
な光反射が生じると、光導電層に吸収される光量の割合
いが低下し、光損失が大きくなる。このため、表面層を
設けて反射を防止することが好ましい。また、表面層を
設けることにより、光導電層が損傷から保護される。さ
らに、表面層を形成することにより、帯電能が向上し、
表面に電荷がよくのるようになる。表面層を形成する材
料としては、Ｓ　ｉ　３　Ｎ　４　、Ｓ　ｉ　Ｏ２、Ｓ
　Ｉ　Ｃ１Ａｌ２Ｏ３、ＢＮ、ａ−８ｉＮ：Ｈ，ａ−８
ｉｎ：Ｈ，ａ−８ｉＣ：Ｈ，μｃ−８ｉＮ、μｃ−８ｉ
Ｃ及びμｃ−３ｉＱ等の無機化合物及びポリ塩化ビニル
及びポリアミド等の有機材料がある。

電子写真感光体としては、上述のごとく、支持体上に障
壁層を形成し、この障壁層上に光導電層を形成し、この
光導電層の上に表面層を形成したものに限らず、支持体
の上に電荷移動層（Ｃ丁Ｌ）を形成し、電荷移動層の上
に電荷発生層（ＣＧＬ）を形成した機能分離型の形態に
構成することもできる。この場合に、電荷移動層と、支
持体との間に、障壁層を設けてもよい。電荷発生層は、
光の照射によりキャリアを発生する。この電荷発生層は
、層の一部又は全部がμｃ−８ｉで形成されていること
が好ましい。このようなμｃ−３ｉ１１は、その光学的
バンドギャップＥａがａ−８ｉより小さいので広い波長
領域に亘って高感度である。従って、特に、半導体レー
ザを使用したレーザプリンタ用の感光体として好適であ
る。この電荷発生層の厚さは０．１乃至１０μｍにする
のが好ましい。電荷移動層は電荷発生層で発生したキャ
リアを高効率で支持体側に到達させる圓であり、このた
め、キャリアの寿命が良く、移動度が大きく輸送性が高
いことが必要である。電荷移動層はμＣ−３ｉ又はａ−
８ｉの１又は２以上の材料で形成することができる。電
荷移動層には、暗抵抗を高めて帯電能を向上させるため
に、周期律表の第■族又は第■族のいずれか一方に属す
る元素をライトドーピングすることが好ましい。また、
帯電能を一層向上させ、電荷移動層と電荷発生層との両
機能を持たせるために、Ｃ，Ｎ、Ｏの元素のうち、いず
れか１種以上を含有させてもよい。電荷移動層は、その
膜厚が薄過ぎる場合及び厚過ぎる場合はその機能を充分
に発揮しない。このため、電荷移動層の厚さは３乃至８
０μｍ、好ましくは、１０乃至３０μｍである。

障壁層を設けることにより、電荷移動層と電荷発生層と
を有する機能分離型の感光体においても、その電荷保持
機能を高め、帯電能を向上させることができる。なお、
障壁層をｐ型にするか、又はｎ型にするかは、その帯電
特性に応じて決定される。この障壁層は、μｃ−３ｉで
形成することができる。

［実施例］ 第２図及び第３図は、この発明を具体化した電子写真感
光体を示す一部断面図である。第２図に示す感光体にお
いては、導電性支持体２１の上に、障壁！！Ｉ２２が形
成され、障壁層２２の上に光導電１１２３が形成されて
いる。第３図においては、光導電層２３の上に、表面！
２４が形成されている。

先導１！ｌ！！２３及び障壁層２２は、水素を含有する
μｃ−８ｉで形成されており、この光導電唐２３及び障
壁層２２には周規律表の第■族又は第Ｖ族に属する元素
がドーピングされている。また、Ｃ，Ｏ，Ｎのうち、少
なくとも１種の元素を含有させることによって、帯電能
及び電荷保持能を高めることができる。光導電層２３の
μＣ−８ｉは、光学的バンドギャップがａ−３ｉよりも
小さいので、長波長光までの広い波長領域に亘って高感
度である。この光導電１１２３及び障壁層２２は少量の
水素でシリコンダングリングボンドが高効率で補償され
るので、欠陥が少なくキャリアの走行性が一層高い。

光導電層２３及び障壁１１２２に含有される周期律表の
第■族又は第Ｖ族に属する元素の含有量は、第４図（ｒ
）に示すように、各層内において一定ではなく、第４図
（ａ）乃至（ａ）に示すように、光導電１ｍ２３から障
壁層２２に向けて含有量が増加するか、又はその接合界
面において滑らかに変化している。これにより、接合界
面でのダングリングボンドを減少させることができる。

なお、第４図（Ｓ）乃至（Ｕ）に示すように、光導電層
２３側の含有量が障壁ＩＦＮ２２よりも大きくなるよう
にしてもよい。

次に、この発明の実施例について説明する。

支１１上 導電性基板としてのＡ１製ドラム（直径８０ｍ。

長さ３５０ａｗ）をトリクレンで脱脂した後、反応容器
内に装填し、反応容器内を、図示しない拡散ポンプによ
り、排気し、約１０′３トルの真空度にする。なお、必
要に応じて、ドラム基体表面を酸処理、アルカリ処理及
びサンドブラスト処理等する。その後、ドラム基体を加
熱して約３００℃に保持し、２００８ＣＣＭの流量のＳ
　ｉ　Ｈ４ガス、このＳｉＨ＋ガス流量に対する流量比
が１０４の８２Ｈ６ガス、５ＳＣＣＭのＣ）−１４ガス
及び２８ＬＭのＨ２ガスを混合して反応容器に供給した
。その後、メカニカルブースタポンプ及びロータリポン
プにより反応容器内を排気し、その圧力を１１−ルに調
整した。ドラム基体を回転（毎分１０回転）させつつ、
電極に１３．５６Ｍ１−１ｚで２ｋＷの高周波電力を印
加して、Ｍ極とドラム基体との間に、ＳｉＨ＋、Ｂ２Ｈ
６及びＨ２のプラズマを生起させ、所定時間成膜を継続
した慢、ガスの供給及び電力の印加を停止した。これに
より、ｐ型のμｃ−３ｉからなる障壁層を形成した。

その後、Ｂ２ガス流曲を絞り、８２　Ｈｓガス流隋を５
ｉｔ−Ｉｓガスに対する流量比で１０−１に設定した。

この条件でμＣ−８ｉ光導電層を３０μｍだけ形成した
が、このＢ２　Ｈ６ガス流量を絞ると共に、ＣＨ４ガス
？１ＩＥｌを５ＳＣＣＭから徐々に２８ＣＣＭまで絞り
、層中のＣ含有量を第４図（ａ）等に示すように徐々に
低下させた。次いで、同様の操作により、Ｃ，Ｏ，Ｎを
含有するａ−８ｉからなる表面層を形成した。

このようにして成膜した電子写真感光体を半導体レーザ
プリンタに装着してカールンンプロセスにより画像を形
成したところ、感光体表面の露光層が２５ｅｒｇ／ａＩ
であっても、鮮明で解像度が高い画像を得ることができ
た。また、複写を繰返して転写プロセスの再現性及び安
定性を調査したところ、転写両会は極めて良好であり、
耐コロナ性、耐湿性及び耐摩耗性等の耐久性が優れてい
ることが実証された。

［発明の効果］ この発明によれば、高抵抗で帯電特性が浸れており、ま
た可視光及び近赤外光領域において高光感度特性を有し
、光疲労が少なく、製造が容易であり、実用性が高い電
子写真感光体を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明に係る電子写真感光体の製造装置を示
す図、第２図及び第３図はこの発明の実施例に係る電子
写真感光体を示す断面図、第４図（ａ）乃至（ＬＪ）は
層中のドーピング元素（Ｃ等）の含有量の変化を示す模
式図である。 １．２．３，４：ボンベ、５：圧力計、６：バルブ、７
：配管、８；混合器、９：反応容器、１０；回転軸、１
３：電極、１４；ドラム基体、１５：ヒータ、１６；高
周波電源、１９；ゲートバルブ、２１；支持体、２２；
陣Ｗ！層、２３；光導電層、２４：表面層 第４図 度−ブ 第３図 ；（ｂ）　　　　　　　　　　（ｃ） （ｅ　）　　　　　　　　　　　（ｆ　）第４図

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）導電性支持体と、光導電層と、導電性支持体と光
   導電層との間に配設された障壁層とを有する電子写真感
   光体において、前記光導電層及び障壁層は、炭素、窒素
   及び酸素から選択された少なくとも１種の元素を含有し
   、その少なくとも一部の領域にて、その含有量が光導電
   層又は障壁層の層厚方向に変化していることを特徴とす
   る電子写真感光体。
2. （２）前記光導電層及び障壁層は、水素を含有すること
   を特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の電子写真感
   光体。
3. （３）前記光導電層及び障壁層は、周期律表の第III族
   又は第Ｖ族に属する元素から選択された少なくとも１種
   の元素を含有することを特徴とする特許請求の範囲第１
   項又は第２項に記載の電子写真感光体。
4. （４）前記光導電層の上に表面層が形成されていること
   を特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の電子写真感
   光体。