JPS62198866A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
- Publication number
- JPS62198866A JPS62198866A JP61040706A JP4070686A JPS62198866A JP S62198866 A JPS62198866 A JP S62198866A JP 61040706 A JP61040706 A JP 61040706A JP 4070686 A JP4070686 A JP 4070686A JP S62198866 A JPS62198866 A JP S62198866A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- photoconductive
- photoconductive layer
- hydrogen
- barrier layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 87
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 28
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 28
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 26
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 23
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims abstract description 21
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims abstract description 10
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 7
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 claims description 35
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims description 5
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 9
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 7
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 abstract description 4
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 abstract 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 31
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 8
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 6
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 6
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 5
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 5
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- XMIJDTGORVPYLW-UHFFFAOYSA-N [SiH2] Chemical compound [SiH2] XMIJDTGORVPYLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 3
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 3
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 239000002912 waste gas Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- FKNIDKXOANSRCS-UHFFFAOYSA-N 2,3,4-trinitrofluoren-1-one Chemical compound C1=CC=C2C3=C([N+](=O)[O-])C([N+]([O-])=O)=C([N+]([O-])=O)C(=O)C3=CC2=C1 FKNIDKXOANSRCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000282412 Homo Species 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004014 SiF4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 231100000357 carcinogen Toxicity 0.000 description 1
- 239000003183 carcinogenic agent Substances 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000078 germane Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001475 halogen functional group Chemical group 0.000 description 1
- 230000036541 health Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 230000033116 oxidation-reduction process Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000000053 physical method Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 230000001235 sensitizing effect Effects 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- -1 silicon halide Chemical class 0.000 description 1
- ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N silicon tetrafluoride Chemical compound F[Si](F)(F)F ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000007847 structural defect Effects 0.000 description 1
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 1
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000002341 toxic gas Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
- G03G5/147—Cover layers
- G03G5/14704—Cover layers comprising inorganic material
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08221—Silicon-based comprising one or two silicon based layers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
この発明は、帯電特性、光感度特性及び耐環境性等が優
れた電子写真感光体に関する。
れた電子写真感光体に関する。
(従来の技術)
従来、電子写真感光体の光導mmを形成する材料として
、CdS、ZnO1Se、5e−Te若しくはアモルフ
ァスシリコン等の無機材料又はポリ−N−ビニルカルバ
ゾール(PVCZ)若しくはトリニトロフルオレノン(
TNF)等の有機材料が使用されている。しかしながら
、これらの従来の光導電性材料においては、光導電特性
上、又は製造上、種々の問題点があり、感光体システム
の特性をある程度犠牲にして使用目的に応じてこれらの
材料を使い分けている。
、CdS、ZnO1Se、5e−Te若しくはアモルフ
ァスシリコン等の無機材料又はポリ−N−ビニルカルバ
ゾール(PVCZ)若しくはトリニトロフルオレノン(
TNF)等の有機材料が使用されている。しかしながら
、これらの従来の光導電性材料においては、光導電特性
上、又は製造上、種々の問題点があり、感光体システム
の特性をある程度犠牲にして使用目的に応じてこれらの
材料を使い分けている。
例えば、Ss及びCdSは、人体に対して有害な材料で
あり、その製造に際しては、安全対策上、特別の配慮が
必要である。従って、製造装置が複雑となるため製造コ
ストが高いと共に、特に、Seは回収する必要があるた
め回収コストが付加されるという問題点がある。また、
Se又は5e−6je系においては、結晶化温度が65
℃と低いため、複写を繰り返している間に、残留電位等
の光導電特性上の問題が生じ、このため、寿命が短いの
で実用性が低い。
あり、その製造に際しては、安全対策上、特別の配慮が
必要である。従って、製造装置が複雑となるため製造コ
ストが高いと共に、特に、Seは回収する必要があるた
め回収コストが付加されるという問題点がある。また、
Se又は5e−6je系においては、結晶化温度が65
℃と低いため、複写を繰り返している間に、残留電位等
の光導電特性上の問題が生じ、このため、寿命が短いの
で実用性が低い。
更に、znOは、酸化還元が生じやすく、環境雰囲気の
影響を著しく受けるため、使用上、信頼性が低いという
問題点がある。
影響を著しく受けるため、使用上、信頼性が低いという
問題点がある。
更にまた、PVCz及びTNF等の有機光導電性材料は
、発癌性物質である疑いが持たれており、人体の健康上
問題があるのに加え、有機材料は熱安定性及び耐摩耗性
が低く、寿命が短いという欠点がある。
、発癌性物質である疑いが持たれており、人体の健康上
問題があるのに加え、有機材料は熱安定性及び耐摩耗性
が低く、寿命が短いという欠点がある。
一方、アモルファスシリコン(以下、a−3iと略す)
は、近時、光導電変換材料として注目されており、太陽
電池、薄膜トランジスタ及びイメージセンサへの応用が
活発になされている。このa−8iの応用の一環として
、a−8iを電子写真感光体の光導電性材料として使用
する試みがなされており、a−5iを使用した感光体は
、無公害の材料であるから回収処理の必要がないこと、
他の材料に比して可視光領域で高い分光感度を有するこ
と、表面硬度が高く耐摩耗性及び耐衝撃性が優れている
こと等の利点を有する。
は、近時、光導電変換材料として注目されており、太陽
電池、薄膜トランジスタ及びイメージセンサへの応用が
活発になされている。このa−8iの応用の一環として
、a−8iを電子写真感光体の光導電性材料として使用
する試みがなされており、a−5iを使用した感光体は
、無公害の材料であるから回収処理の必要がないこと、
他の材料に比して可視光領域で高い分光感度を有するこ
と、表面硬度が高く耐摩耗性及び耐衝撃性が優れている
こと等の利点を有する。
このa−8iは、カールソン方式に基づく電子写真法用
の感光体として検討が進められているが、この場合に、
感光体特性として抵抗及び光感度が高いことが要求され
る、しかしながら、この両特性を単一層の感光体で満足
させることが困難であるため、光導電層と導電性支持体
との間に障壁層を設け、光導電層上に表面電荷保持層を
設けた積層型の構造にすることにより、このような要求
を満足させている。
の感光体として検討が進められているが、この場合に、
感光体特性として抵抗及び光感度が高いことが要求され
る、しかしながら、この両特性を単一層の感光体で満足
させることが困難であるため、光導電層と導電性支持体
との間に障壁層を設け、光導電層上に表面電荷保持層を
設けた積層型の構造にすることにより、このような要求
を満足させている。
(発明が解決しようとする問題点)
ところで、a−8iは、通常、シラン系ガスを使用した
グロー放電分解法により形成されるが、この際に、a−
3i11中に水素が取り込まれ、水素量の差により電気
的及び光学的特性が大きく変動する。即ち、a−3i1
1に侵入する水素の量が多くなると、光学的バンドギャ
ップが大きくなり、a−3iの抵抗が高くなるが、それ
にともない、長波長光に対する光感度が低下してしまう
ので、例えば、半導体レーザを搭載しだレーザビームプ
リンタに使用することが困難である。また、a−8il
ll中の水素の含有量が多い場合は、成膜条件によって
、(SiH2)rL及びSiH2等の結合構造を有する
ものが膜中で大部分の領域を占める場合がある。そうす
ると、ボイドが増加し、シリコンダングリングボンドが
増加するため、光導電特性が劣化し、電子写真感光体と
して使用不能になる。逆に、a−8i中に侵入する水素
の量が低下すると、光学的バンドギャップが小さくなり
、その抵抗が小さくなるが、長波長光に対する光感度が
増加する。しかし、通常の成膜条件で作成した従来のa
−8iにおいては、水素含有層が少ないと、シリコンダ
ングリングボンドと結合してこれを減少させるべき水素
が少なくなる。このため、発生するキャリアの移動度が
低下し、寿命が短くなると共に、光導電特性が劣化して
しまい、電子写真感光体として使用し難いものとなる。
グロー放電分解法により形成されるが、この際に、a−
3i11中に水素が取り込まれ、水素量の差により電気
的及び光学的特性が大きく変動する。即ち、a−3i1
1に侵入する水素の量が多くなると、光学的バンドギャ
ップが大きくなり、a−3iの抵抗が高くなるが、それ
にともない、長波長光に対する光感度が低下してしまう
ので、例えば、半導体レーザを搭載しだレーザビームプ
リンタに使用することが困難である。また、a−8il
ll中の水素の含有量が多い場合は、成膜条件によって
、(SiH2)rL及びSiH2等の結合構造を有する
ものが膜中で大部分の領域を占める場合がある。そうす
ると、ボイドが増加し、シリコンダングリングボンドが
増加するため、光導電特性が劣化し、電子写真感光体と
して使用不能になる。逆に、a−8i中に侵入する水素
の量が低下すると、光学的バンドギャップが小さくなり
、その抵抗が小さくなるが、長波長光に対する光感度が
増加する。しかし、通常の成膜条件で作成した従来のa
−8iにおいては、水素含有層が少ないと、シリコンダ
ングリングボンドと結合してこれを減少させるべき水素
が少なくなる。このため、発生するキャリアの移動度が
低下し、寿命が短くなると共に、光導電特性が劣化して
しまい、電子写真感光体として使用し難いものとなる。
なお、長波長光に対する感度を高める技術として、シラ
ン系ガスとゲルマンGeH+とを混合し、グロー放電分
解することにより、光学的バンドギャップが狭い膜を生
成するものがあるが、一般に、シラン系ガスとGeH+
とでは、最適基板温度が異なるため、生成した膜は構造
欠陥が多く、良好な光導電特性を得ることができない。
ン系ガスとゲルマンGeH+とを混合し、グロー放電分
解することにより、光学的バンドギャップが狭い膜を生
成するものがあるが、一般に、シラン系ガスとGeH+
とでは、最適基板温度が異なるため、生成した膜は構造
欠陥が多く、良好な光導電特性を得ることができない。
また、GeH+の廃ガスは酸化されると有毒ガスとなる
ので、廃ガス処理も複雑である。従って、このような技
術は実用性がない。 ゛ また、従来、光導1i層の上の表面層を、炭素、窒素又
は酸素等を含有し、絶縁性を示すa−3iで形成してい
る。しかしながら、このa−8i表面層は、水分及び窒
化物がその表面に吸着しやすく、このような吸着により
、画像の流れが発生するという問題点がある。
ので、廃ガス処理も複雑である。従って、このような技
術は実用性がない。 ゛ また、従来、光導1i層の上の表面層を、炭素、窒素又
は酸素等を含有し、絶縁性を示すa−3iで形成してい
る。しかしながら、このa−8i表面層は、水分及び窒
化物がその表面に吸着しやすく、このような吸着により
、画像の流れが発生するという問題点がある。
この発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであって
、帯電能が優れており、残留電位が低く、近赤外領域ま
での広い波長領域に亘って感度が高く、基板との密着性
が良く、耐環境性が優れた電子写真感光体を提供するこ
とを目的とする。
、帯電能が優れており、残留電位が低く、近赤外領域ま
での広い波長領域に亘って感度が高く、基板との密着性
が良く、耐環境性が優れた電子写真感光体を提供するこ
とを目的とする。
[発明の構成]
(問題点を解決するための手段)
この発明に係る電子写真感光体は、導電性支持体と1、
この導電性支持体の上に形成された障壁層と、この障壁
層の上に形成された光導電層と、この光導電層の上に形
成された表面層と、を有する電子写真感光体において、
障壁層は周期律表の第1族又は第V族に属する元素から
選択された少なくとも1種の元素並びに窒素、炭素及び
酸素から選択された少なくとも1種の元素を含有するマ
イクロクリスタリンシリコンで形成され、光導電層は水
素を含有するアモルファスシリコンで形成されており、
表面層は水素を含有する窒化硼素で形成されていること
を特徴とする。
この導電性支持体の上に形成された障壁層と、この障壁
層の上に形成された光導電層と、この光導電層の上に形
成された表面層と、を有する電子写真感光体において、
障壁層は周期律表の第1族又は第V族に属する元素から
選択された少なくとも1種の元素並びに窒素、炭素及び
酸素から選択された少なくとも1種の元素を含有するマ
イクロクリスタリンシリコンで形成され、光導電層は水
素を含有するアモルファスシリコンで形成されており、
表面層は水素を含有する窒化硼素で形成されていること
を特徴とする。
(作用)
この発明においては、障壁層を炭素C1窒素N及び酸素
0から選択された少なくとも1種の元素を含有するマイ
クロクリスタリンシリコン(以下、μc−3iと略す)
で形成したから、比抵抗が高く電荷保持能が優れている
。また、障壁層に周期律表の第1族又は第V族に属する
元素を含有させることにより、障壁層をp型又はn型に
することができる。また、光導電層は水素を含有するa
−8iで形成されているから、長波長光に対する感度が
^い。更に、表面層は、水素を含有する窒化硼素(BN
)で形成したから、表面層には水分及び窒化物等が吸着
しにくく、画像の乱れが防止される。また、8Nは光学
的バンドギャップが大きく入射光を吸収しにくいので、
入射光は高効率で光導電層に到達しこの光導電層にて吸
収される。従って、キャリアの発生効率が高い。なお、
光導電層を電荷発生層と電荷移動層とに分離した機能分
離型に構成しても良い。
0から選択された少なくとも1種の元素を含有するマイ
クロクリスタリンシリコン(以下、μc−3iと略す)
で形成したから、比抵抗が高く電荷保持能が優れている
。また、障壁層に周期律表の第1族又は第V族に属する
元素を含有させることにより、障壁層をp型又はn型に
することができる。また、光導電層は水素を含有するa
−8iで形成されているから、長波長光に対する感度が
^い。更に、表面層は、水素を含有する窒化硼素(BN
)で形成したから、表面層には水分及び窒化物等が吸着
しにくく、画像の乱れが防止される。また、8Nは光学
的バンドギャップが大きく入射光を吸収しにくいので、
入射光は高効率で光導電層に到達しこの光導電層にて吸
収される。従って、キャリアの発生効率が高い。なお、
光導電層を電荷発生層と電荷移動層とに分離した機能分
離型に構成しても良い。
なお、μc−8tは、以下のような物性上の特徴により
、a−8i及びポリクリスタリンシリコン(多結晶シリ
コン)から明確に区別される。即ち、X線回折測定にお
いては、a−3iは、無定形であるため、ハローのみが
現れ、回折パターンを認めることができないが、μc−
3iは、2θが28乃至28.5’付近にある結晶回折
パターンを示す。また、ポリクリスタリンシリコンは暗
抵抗が106Ω・αであるのに対し、μc−8iは10
11Ω・0以上の暗抵抗を有する。このμc−3iは粒
径が約数子Å以上である微結晶が集合して形成されてい
る。
、a−8i及びポリクリスタリンシリコン(多結晶シリ
コン)から明確に区別される。即ち、X線回折測定にお
いては、a−3iは、無定形であるため、ハローのみが
現れ、回折パターンを認めることができないが、μc−
3iは、2θが28乃至28.5’付近にある結晶回折
パターンを示す。また、ポリクリスタリンシリコンは暗
抵抗が106Ω・αであるのに対し、μc−8iは10
11Ω・0以上の暗抵抗を有する。このμc−3iは粒
径が約数子Å以上である微結晶が集合して形成されてい
る。
(実施例)
以下、添附の図面を参照してこの発明の実施例について
具体的に説明する。第1図はこの発明の実施例に係る電
子写真感光体の一部断面図である。アルミニウム基板等
の導電性支持体21の上に、障壁層22が形成されてお
り、この障壁層22の上に光導電l!23が形成されて
おり、光導電層23の上に表面層24が形成されている
。障壁層22はC,O,Nを含有するμc−8iで形成
されており、このμc−3i障壁層は更に周期律表の第
1族又は第V族に属する元素から選択された少なくとも
1種の元素を含有する。光導電層23は、水素を含有す
るa−8iで形成されており、表面層24は、C,O,
Nから選択された少なくとも1種の元素を含有するμC
−8iで形成されている。
具体的に説明する。第1図はこの発明の実施例に係る電
子写真感光体の一部断面図である。アルミニウム基板等
の導電性支持体21の上に、障壁層22が形成されてお
り、この障壁層22の上に光導電l!23が形成されて
おり、光導電層23の上に表面層24が形成されている
。障壁層22はC,O,Nを含有するμc−8iで形成
されており、このμc−3i障壁層は更に周期律表の第
1族又は第V族に属する元素から選択された少なくとも
1種の元素を含有する。光導電層23は、水素を含有す
るa−8iで形成されており、表面層24は、C,O,
Nから選択された少なくとも1種の元素を含有するμC
−8iで形成されている。
障壁層22は、導電性支持体から、光導電層へのキャリ
ア(電子又は正孔)の流れを抑制することにより、電子
写真感光体の表面における電荷の保持機能を高め、電子
写真感光体の帯電能を高める。カールソン方式において
は、感光体表面に正帯電させる場合には、支持体側から
先導′I!1層へ電子が注入されることを防止するため
に、障壁層をp型にする。一方、感光体表面に負帯電さ
せる場合には、支持体から光導電層に正孔が注入される
ことを防止するために、障壁層をn型にする。この障W
mの層厚は0.01乃至10μmであることが好ましい
。
ア(電子又は正孔)の流れを抑制することにより、電子
写真感光体の表面における電荷の保持機能を高め、電子
写真感光体の帯電能を高める。カールソン方式において
は、感光体表面に正帯電させる場合には、支持体側から
先導′I!1層へ電子が注入されることを防止するため
に、障壁層をp型にする。一方、感光体表面に負帯電さ
せる場合には、支持体から光導電層に正孔が注入される
ことを防止するために、障壁層をn型にする。この障W
mの層厚は0.01乃至10μmであることが好ましい
。
μc−8iをp型にするためには1、周期律表の第1族
に属する元素、例えば、硼素B、アルミニウムAI、ガ
リウムQa、インジウムIn及びタリウムT1等をドー
ピングすることが好ましく、μc−8tをn型にするた
めには、周期律表の第V族に属する元素、例えば、窒素
N、リンP、ヒ素AS1アンチモンsb及びビスマス3
i等をドーピングすることが好ましい。このn型不純物
又はn型不純物のドーピングにより、支持体側から光導
電層へキャリアが移動することが防止される。
に属する元素、例えば、硼素B、アルミニウムAI、ガ
リウムQa、インジウムIn及びタリウムT1等をドー
ピングすることが好ましく、μc−8tをn型にするた
めには、周期律表の第V族に属する元素、例えば、窒素
N、リンP、ヒ素AS1アンチモンsb及びビスマス3
i等をドーピングすることが好ましい。このn型不純物
又はn型不純物のドーピングにより、支持体側から光導
電層へキャリアが移動することが防止される。
また、バンドギャップを拡げることにより、障壁層を形
成することも1きる。これは、μC−8iにC,O,、
Nを含有させればよい。このC90、Nを含有するμc
−8iに周期律表の第1族又は第V族に属する元素をド
ーピングすることによって、そのブロッキング能を一層
高めることができる。更に、C,O,Nを含有するμC
−8i層と、周期律表の第1族又は第V族に属する元素
を含有するμc−8illとを積層させることによって
も、帯電能及び電荷保持能が高い障壁層を得ることがで
きる。
成することも1きる。これは、μC−8iにC,O,、
Nを含有させればよい。このC90、Nを含有するμc
−8iに周期律表の第1族又は第V族に属する元素をド
ーピングすることによって、そのブロッキング能を一層
高めることができる。更に、C,O,Nを含有するμC
−8i層と、周期律表の第1族又は第V族に属する元素
を含有するμc−8illとを積層させることによって
も、帯電能及び電荷保持能が高い障壁層を得ることがで
きる。
一般的に、光導電部材はその光学的バンドギャップより
大きなエネルギの光が入射されるとキャリアを発生する
。従って、光学的バンドギャップが小さいμc−3iは
エネルギが小さい長波長光も吸収してキャリアを発生す
る。このため、μC−3iは、可視光から近赤外光に至
る広い波長領域に亘って光感度が高く、発振波長が79
0nmの半導体レーザ光に対しても充分の感度を有する
。
大きなエネルギの光が入射されるとキャリアを発生する
。従って、光学的バンドギャップが小さいμc−3iは
エネルギが小さい長波長光も吸収してキャリアを発生す
る。このため、μC−3iは、可視光から近赤外光に至
る広い波長領域に亘って光感度が高く、発振波長が79
0nmの半導体レーザ光に対しても充分の感度を有する
。
この実施例においては、障壁層22がμC−9iで形成
されているから、障壁層22は光導電層23を透過して
きた光を広い波長範囲に亘って吸収する。このため、陣
11m22と支持体21との界面にて反射する光が減少
し、この反射光と感光体表面にて反射する光との干渉に
よる干渉縞の発生が抑制される。
されているから、障壁層22は光導電層23を透過して
きた光を広い波長範囲に亘って吸収する。このため、陣
11m22と支持体21との界面にて反射する光が減少
し、この反射光と感光体表面にて反射する光との干渉に
よる干渉縞の発生が抑制される。
光導電層23はa−3iで形成されており、水素を含有
する。この水素含有量は1乃至10原子%であることが
好ましい。光導電層は、キャリアを捕獲するトラップが
存在しないことが一理想的である。しかし、シリコン層
は、単結晶でない以上、多少の不規則性が存在し・、ダ
ングリングボンドが存在する。この場合に、水素を含有
させると、水素がシリコンダングリングボンドのターミ
ネータとして作用し、結合を補償してキャリアの走行性
を向上させる。水素の含有量は1乃至10原子%である
。水素量が10原子%を超えると、SiH2又は(S+
82)n等の結合が支配的となり、その結果、ダングリ
ングボンドが増加し、光導電性が劣化して所望の感光体
特性を得ること、ができない。一方、水素量が1原子%
よりも少ないと1.ダングリングボンドを補償しえなく
なり、キャリアの移動度及びライフタイムが低下する。
する。この水素含有量は1乃至10原子%であることが
好ましい。光導電層は、キャリアを捕獲するトラップが
存在しないことが一理想的である。しかし、シリコン層
は、単結晶でない以上、多少の不規則性が存在し・、ダ
ングリングボンドが存在する。この場合に、水素を含有
させると、水素がシリコンダングリングボンドのターミ
ネータとして作用し、結合を補償してキャリアの走行性
を向上させる。水素の含有量は1乃至10原子%である
。水素量が10原子%を超えると、SiH2又は(S+
82)n等の結合が支配的となり、その結果、ダングリ
ングボンドが増加し、光導電性が劣化して所望の感光体
特性を得ること、ができない。一方、水素量が1原子%
よりも少ないと1.ダングリングボンドを補償しえなく
なり、キャリアの移動度及びライフタイムが低下する。
光導電層23の上の表面層24は水素を含有する絶縁性
のa−BNで形成されている。このa−BN表面層は、
水分及び窒化物が吸着し難いので、画像の流れが抑制さ
れる。表面層を設けることにより、光導電層が損傷から
保護されと共に、表面層を形成することにより、帯電能
が向上し、表面に電荷がよくのるようになる。また、光
導電層のa−8iは、その屈折率が3乃至4と比較的大
きいため、表面での光反射が起きやすい。このような光
反射が生じると、光導電層に吸収される光量の割り合い
が低下し、光損失が大きくなる。このため、表面層を設
けて反射を防止する。
のa−BNで形成されている。このa−BN表面層は、
水分及び窒化物が吸着し難いので、画像の流れが抑制さ
れる。表面層を設けることにより、光導電層が損傷から
保護されと共に、表面層を形成することにより、帯電能
が向上し、表面に電荷がよくのるようになる。また、光
導電層のa−8iは、その屈折率が3乃至4と比較的大
きいため、表面での光反射が起きやすい。このような光
反射が生じると、光導電層に吸収される光量の割り合い
が低下し、光損失が大きくなる。このため、表面層を設
けて反射を防止する。
uc−8i又はa−8iに窒素N1炭素C及び酸素0か
ら選択された少な(とも1種の元素をドーピングするこ
とにより、μc−8:又はa−8iの暗抵抗を高くして
光導電特性を高めることができる。
ら選択された少な(とも1種の元素をドーピングするこ
とにより、μc−8:又はa−8iの暗抵抗を高くして
光導電特性を高めることができる。
a−8i及びμc−8i中の窒素はその濃度を層厚方向
に変化させることが好ましい。これにより、各1IrI
Aの密着性を高めると共に、キャリアの走行を滑らかに
することができる。
に変化させることが好ましい。これにより、各1IrI
Aの密着性を高めると共に、キャリアの走行を滑らかに
することができる。
第2図は、光導電1140が電荷発生1i!3’4と電
荷輸送1133とに分離された機能分離型の実施例を示
す。つまり、この実施例においては一導電性支持体31
の上に、μc−8i陣壁層32と、a−3i又はμc−
3iで形成された電荷輸送層33と、a−5i電荷発生
層34と、a−BN表面層35とが形成されている。電
荷発生134は光の照射によりキャリアを発生する。電
荷移動層33は電荷発生層34にて発生したキャリアを
高効率で導電性支持体に移動させる。電荷移動層33に
水素をドーピングすることにより、そのキャリアの走行
性を高めることができる。また、電荷移動層33に周期
律表の第■族又は第V族に属する元素をライトドープす
ることにより、その暗抵抗を高めて帯電能を向上させる
ことができる。
荷輸送1133とに分離された機能分離型の実施例を示
す。つまり、この実施例においては一導電性支持体31
の上に、μc−8i陣壁層32と、a−3i又はμc−
3iで形成された電荷輸送層33と、a−5i電荷発生
層34と、a−BN表面層35とが形成されている。電
荷発生134は光の照射によりキャリアを発生する。電
荷移動層33は電荷発生層34にて発生したキャリアを
高効率で導電性支持体に移動させる。電荷移動層33に
水素をドーピングすることにより、そのキャリアの走行
性を高めることができる。また、電荷移動層33に周期
律表の第■族又は第V族に属する元素をライトドープす
ることにより、その暗抵抗を高めて帯電能を向上させる
ことができる。
第3図は、この発明に係る電子写真感光体を製造する装
置を示す図である。ガスボンベ1,2゜3.4には、例
えば、夫々SiH+ 、82 H6。
置を示す図である。ガスボンベ1,2゜3.4には、例
えば、夫々SiH+ 、82 H6。
H2、He、A、r、CH4、N2等の原料ガスが収容
されている。これらのガスボンベ1.2,3゜4内のガ
スは、流量調整用のバルブ6及び配管7を介して混合器
8に供給されるようになっている。
されている。これらのガスボンベ1.2,3゜4内のガ
スは、流量調整用のバルブ6及び配管7を介して混合器
8に供給されるようになっている。
各ボンベには、圧力計5が設置されており、この圧力計
5を監視しつつ、パルプ6を調整することにより、混合
器8に供給する各原料ガスの流量及び混合比を調節する
ことができる。混合器8にて混合されたガスは反応容器
9に供給される。反応容器9の底部11には、回転軸1
0が鉛直方向の回りに回転可能に取りつけられており、
この回転軸10の上端に、円板状の支持台12がその面
を回転軸10に垂直にして固定されている。反応容器9
内には、円筒状の電極13がその軸中心を回転軸10の
軸中心と一致させて底部11上に設置されている。感光
体のドラム基体14が支持台12上にその軸中心を回転
軸10の軸中心と一致させて載置されており、このドラ
ム基体14の内側には、ドラム基体加熱用のヒータ15
が配設されている。電極13とドラム基体14との間に
は、高周波電源16が接続されており、電極13及びド
ラム基体14問に高周波電流が供給されるようになって
いる。回転軸10はモータ18により回転駆動される。
5を監視しつつ、パルプ6を調整することにより、混合
器8に供給する各原料ガスの流量及び混合比を調節する
ことができる。混合器8にて混合されたガスは反応容器
9に供給される。反応容器9の底部11には、回転軸1
0が鉛直方向の回りに回転可能に取りつけられており、
この回転軸10の上端に、円板状の支持台12がその面
を回転軸10に垂直にして固定されている。反応容器9
内には、円筒状の電極13がその軸中心を回転軸10の
軸中心と一致させて底部11上に設置されている。感光
体のドラム基体14が支持台12上にその軸中心を回転
軸10の軸中心と一致させて載置されており、このドラ
ム基体14の内側には、ドラム基体加熱用のヒータ15
が配設されている。電極13とドラム基体14との間に
は、高周波電源16が接続されており、電極13及びド
ラム基体14問に高周波電流が供給されるようになって
いる。回転軸10はモータ18により回転駆動される。
反応容器9内の圧力は、圧力計17により監視され、反
応容器9は、ゲートバルブ18を介して真空ポンプ等の
適宜の排気手段に連結されている。
応容器9は、ゲートバルブ18を介して真空ポンプ等の
適宜の排気手段に連結されている。
このように構成される装置により感光体を製造する場合
には、反応容器9内にドラム基体14を設置した後、ゲ
ートバルブ19を開にして反応容器9内を約0.1トル
(Torr)の圧力以下に排気する。次いで、ボンベ1
.2,3.4から所要の反応ガスを所定の混合比で混合
して反応容器9内に導入する。この場合に、反応容器9
内に導入するガス流量は、反応容器9内の圧力−が0.
1乃至1トルになるように設定する。次いで、モータ1
8を作動させてドラム基体14を回転させ、ヒータ15
によりドラム基体14を一定濃度に加熱すると共に、高
周波電源16により電極13とドラム基体14との間に
高周波電流を供給して、両者間にグロー放電を形成する
。これにより、ドラム基体14上にa−3i 、μc−
3i又ハa −BNが堆積する。なお、原料ガス中にN
20゜N1−13 、 NO2、N2 、 CH4、C
2H4、02ガス等を使用することにより、N、C,O
等の元素をμc−3i又はa−8i中に含有させること
ができる。
には、反応容器9内にドラム基体14を設置した後、ゲ
ートバルブ19を開にして反応容器9内を約0.1トル
(Torr)の圧力以下に排気する。次いで、ボンベ1
.2,3.4から所要の反応ガスを所定の混合比で混合
して反応容器9内に導入する。この場合に、反応容器9
内に導入するガス流量は、反応容器9内の圧力−が0.
1乃至1トルになるように設定する。次いで、モータ1
8を作動させてドラム基体14を回転させ、ヒータ15
によりドラム基体14を一定濃度に加熱すると共に、高
周波電源16により電極13とドラム基体14との間に
高周波電流を供給して、両者間にグロー放電を形成する
。これにより、ドラム基体14上にa−3i 、μc−
3i又ハa −BNが堆積する。なお、原料ガス中にN
20゜N1−13 、 NO2、N2 、 CH4、C
2H4、02ガス等を使用することにより、N、C,O
等の元素をμc−3i又はa−8i中に含有させること
ができる。
μc−8i又はa−3iへの水素のドーピングは、例え
ば、グロー放電分解法による場合には、SiH+及び5
i2Hs等のシラン系の原料ガスと、水素又はヘリウム
等のキャリアガスとを反応容器内に導入してグロー放電
させるか、S i F4及び5iCI+等のハロゲン化
シリコンと、水素ガス又はヘリウムガスとの混合ガスを
使用しても良いし、また、シラン系ガスと、ハロゲン化
シリコンとの混合ガスで反応させても良い。更に、グロ
ー放電分解法によらず、スパッタリング等の物理的な方
法によってもμc−3i又はa−3i層を形成すること
ができる。
ば、グロー放電分解法による場合には、SiH+及び5
i2Hs等のシラン系の原料ガスと、水素又はヘリウム
等のキャリアガスとを反応容器内に導入してグロー放電
させるか、S i F4及び5iCI+等のハロゲン化
シリコンと、水素ガス又はヘリウムガスとの混合ガスを
使用しても良いし、また、シラン系ガスと、ハロゲン化
シリコンとの混合ガスで反応させても良い。更に、グロ
ー放電分解法によらず、スパッタリング等の物理的な方
法によってもμc−3i又はa−3i層を形成すること
ができる。
このように、この発明に係る電子写真感光体は、クロー
ズドシステムの製造装置で製造することができるため1
人体に対して安全である。また、この電子写真感光体は
、耐熱性、耐湿性及び耐摩耗性が優れているため、長期
に亘り繰り返し使用しても劣化が少なく、寿命が長いと
いう利点がある。
ズドシステムの製造装置で製造することができるため1
人体に対して安全である。また、この電子写真感光体は
、耐熱性、耐湿性及び耐摩耗性が優れているため、長期
に亘り繰り返し使用しても劣化が少なく、寿命が長いと
いう利点がある。
さらに、GeH+等の長波長増感用ガスが不要であるの
で、廃ガス処理設備を設ける必要がなく、工業的生産性
が著しく高い。
で、廃ガス処理設備を設ける必要がなく、工業的生産性
が著しく高い。
次に、この発明の実施例について説明する。
m二
導電性支持体を加熱して約300℃に保持し、200S
CCMの流量のS i H4ガス、このSiH4ガスに
対する流量比が10′″Bの82 Haガス、及び11
005CCのN2ガスを混合して反応容器に供給した。
CCMの流量のS i H4ガス、このSiH4ガスに
対する流量比が10′″Bの82 Haガス、及び11
005CCのN2ガスを混合して反応容器に供給した。
その後、メカニカルブースタポンプ及びロータリポンプ
等により反応容器内を排気して反応圧力を1トルに調整
した。
等により反応容器内を排気して反応圧力を1トルに調整
した。
そして、13.56MHzで600Wの高周波電力を印
加して、電極とドラムとの間にSiHs、B2 Hs及
びN2のプラズマを生起させ、p型のNを含むμc−8
tからなる障壁層を形成した。
加して、電極とドラムとの間にSiHs、B2 Hs及
びN2のプラズマを生起させ、p型のNを含むμc−8
tからなる障壁層を形成した。
次いで、S i H4ガス流量を500SCCM。
82 H6ガス流lをSiH+ガス流量に対して10−
7に設定してこれらのガスを反応容器内に導入した。そ
して、反応圧力が1.2トル、高周波電力が400Wと
いう条件で30μmのa−3i光導電層を形成した。
7に設定してこれらのガスを反応容器内に導入した。そ
して、反応圧力が1.2トル、高周波電力が400Wと
いう条件で30μmのa−3i光導電層を形成した。
その後、窒素ガスで10%に希釈したB2 H6ガスを
5008CCM反応容器に導入し、400Wの高周波電
力を印加してa−BNからなる表面層を形成した。
5008CCM反応容器に導入し、400Wの高周波電
力を印加してa−BNからなる表面層を形成した。
このようにして製造した電子写真感光体を半導体レーザ
プリンタに装着してカールソンプロセスにより画像を形
成したところ、感光体表面の露光層が25 era /
co+2であっても、鮮明で鮮像度が高い画像を得る
ことができた。また、複写を繰り返して転写プロセスの
再現性及び安定性を調査したところ、転写画像は極めて
良好であり、耐コロナ性、耐湿性及び耐磨耗性等の耐久
性が優れていることが実証された。
プリンタに装着してカールソンプロセスにより画像を形
成したところ、感光体表面の露光層が25 era /
co+2であっても、鮮明で鮮像度が高い画像を得る
ことができた。また、複写を繰り返して転写プロセスの
再現性及び安定性を調査したところ、転写画像は極めて
良好であり、耐コロナ性、耐湿性及び耐磨耗性等の耐久
性が優れていることが実証された。
11L
この実施例においては、光導電層を成膜する際に、Si
H+ガス及びB2H6ガスに加えて、N2ガスを508
CCMだけ反応容器内に導入した点のみが実施例1と異
なる。これにより、Nを含有するa−8iからなる光導
電層を形成した。
H+ガス及びB2H6ガスに加えて、N2ガスを508
CCMだけ反応容器内に導入した点のみが実施例1と異
なる。これにより、Nを含有するa−8iからなる光導
電層を形成した。
このようにして製造した感光体においても、実施例1と
同様に、鮮明で解像度が高い画像が得られ、転写プロセ
スの再現性及び安定性も高く、耐久性も優れていた。
同様に、鮮明で解像度が高い画像が得られ、転写プロセ
スの再現性及び安定性も高く、耐久性も優れていた。
[発明の効果]
この発明によれば、高抵抗で帯電特性が優れており、ま
た可視光及び近赤外光領域において高光感度特性を有し
、製造が容易であり、実用性が高い電子写真感光体を得
ることができる。
た可視光及び近赤外光領域において高光感度特性を有し
、製造が容易であり、実用性が高い電子写真感光体を得
ることができる。
第1図及び第2図はこの発明の実施例に係る電子写真感
光体を示す断面図、第3図はこの発明に係る電子写真感
光体の製造装置を示す図である。 1.2.3.4:ボンベ、5;圧力計、6;バルブ、7
:配管、8;混合器、9;反応容器、10;回転軸、1
3:電極、14;ドラム基体、15;ヒータ、16;高
周波電源、19;ゲートバルブ、21.31 :支持体
、22.32;障壁層、23,40:光導電層、24.
35:表面層、33:電荷移動層、34:電荷発生層 第 1 図 第2 図
光体を示す断面図、第3図はこの発明に係る電子写真感
光体の製造装置を示す図である。 1.2.3.4:ボンベ、5;圧力計、6;バルブ、7
:配管、8;混合器、9;反応容器、10;回転軸、1
3:電極、14;ドラム基体、15;ヒータ、16;高
周波電源、19;ゲートバルブ、21.31 :支持体
、22.32;障壁層、23,40:光導電層、24.
35:表面層、33:電荷移動層、34:電荷発生層 第 1 図 第2 図
Claims (4)
- (1)導電性支持体と、この導電性支持体の上に形成さ
れた障壁層と、この障壁層の上に形成された光導電層と
、この光導電層の上に形成された表面層と、を有する電
子写真感光体において、障壁層は周期律表の第III族又
は第V族に属する元素から選択された少なくとも1種の
元素並びに窒素、炭素及び酸素から選択された少なくと
も1種の元素を含有するマイクロクリスタリンシリコン
で形成され、光導電層は水素を含有するアモルファスシ
リコンで形成されており、表面層は水素を含有する窒化
硼素で形成されていることを特徴とする電子写真感光体
。 - (2)光導電層は0.1乃至10原子%の水素を含有す
ることを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の電子
写真感光体。 - (3)光導電層は炭素、酸素及び窒素から選択された少
なくとも1種の元素を含有することを特徴とする特許請
求の範囲第1項に記載の電子写真感光体。 - (4)障壁層、表面層又は光導電層において、窒素濃度
が層厚方向に変化していることを特徴とする特許請求の
範囲第3項に記載の電子写真感光体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61040706A JPS62198866A (ja) | 1986-02-26 | 1986-02-26 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61040706A JPS62198866A (ja) | 1986-02-26 | 1986-02-26 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62198866A true JPS62198866A (ja) | 1987-09-02 |
Family
ID=12588017
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61040706A Pending JPS62198866A (ja) | 1986-02-26 | 1986-02-26 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62198866A (ja) |
-
1986
- 1986-02-26 JP JP61040706A patent/JPS62198866A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4704343A (en) | Electrophotographic photosensitive member containing amorphous silicon and doped microcrystalline silicon layers | |
JPS62198866A (ja) | 電子写真感光体 | |
JPS62198865A (ja) | 電子写真感光体 | |
JPS62198868A (ja) | 電子写真感光体 | |
JPS6343160A (ja) | 電子写真感光体 | |
JPS62198867A (ja) | 電子写真感光体 | |
JPS6299759A (ja) | 電子写真感光体 | |
JPS63187258A (ja) | 電子写真感光体 | |
JPS62226157A (ja) | 電子写真感光体 | |
JPS6283755A (ja) | 電子写真感光体 | |
JPS61295567A (ja) | 光導電性部材 | |
JPS6258265A (ja) | 電子写真感光体 | |
JPS63294567A (ja) | 電子写真感光体 | |
JPS6258262A (ja) | 電子写真感光体 | |
JPS6221160A (ja) | 電子写真感光体 | |
JPS6343159A (ja) | 電子写真感光体 | |
JPS6283756A (ja) | 電子写真感光体 | |
JPS6295542A (ja) | 電子写真感光体 | |
JPS6294851A (ja) | 電子写真感光体 | |
JPS62210468A (ja) | 電子写真感光体 | |
JPS6258268A (ja) | 電子写真感光体 | |
JPH07109517B2 (ja) | 光導電性部材 | |
JPS61295565A (ja) | 電子写真感光体 | |
JPS6221165A (ja) | 電子写真感光体 | |
JPS6221158A (ja) | 電子写真感光体 |