JPS6295542A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、帯電特性、光感度特性及び耐環境性等が侵
れた電子写真感光体に関する。

［従来の技術及びその問題点］ 従来、電子写真感光体の光導電層を形成する材料として
、ＣｄＳ、ＺｎＯ，Ｓｅ、５ｅ−Ｔｅ若しくはアモルフ
ァスシリコン等の無芸材料又はポリ−Ｎ−ビニルカルバ
ゾール（ＰＶＣｚ）若しくはトリニトロフルオレン（Ｔ
ＮＦ＞等の有機材料が使用されている。しかしながら、
これらの従来の光′４毒性材料においては、光導電特性
上、又は製造上、種々の問題点があり、感光体システム
の特性をある程度犠牲にして使用目的に応じてこれらの
材料を使い分けている。

例えば、Ｓｅ及びＣｄＳは、人体に対して有害な材料で
あり、その製造に際しては、安全対策上、特別の配慮が
必要である。従って、製造装装置が複雑となるため製ｊ
沓コストが高いと共に、特に、Ｓｅは回収する必要があ
るため回収コストが付加されるという問題点がある。ま
た、Ｓｅ又は５ｅ−Ｔｅ系においては、結晶化温度が６
５°Ｃと低いため、複写を繰り返している間に、残雪等
により光４電特性上の問題が生じ、このため、寿命が短
いので実用性が低い。

更に、ＺｎＯは、酸化還元が生じやすく、環境雰囲気の
影響を著しく受けるため、使用上、信頼性が低いという
問題点がある。

更にまた、ＰＶＣｚ及びＴＮＦ等の有機光導電性材料は
、発癌性物質である疑いが持たれており、人体の健康上
問題があるのに加え、有機材料は熱安定性及び耐摩耗性
が低く、寿命が短いという欠点がある。

一方、アモルファスシリコン（以下、ａ−８ｉと略す）
は、近時、光導電変換材料として注目されており、太陽
電池、薄膜トランジスタ及びイメージセンサへの応用が
活発になされている。このａ−８ｉの応用の一環として
、ａ−３ｉを電子写真感光体の光導電性材料として使用
する試みがなされており、ａ−８ｉを使用した感光体は
、無公害の材料であるから回収処理の必要がないこと、
他の材料に比して可視光領域で高い分光感度を有するこ
と、表面硬度が高く耐摩耗性及び＃４酎撃性が優れてい
ること等の利点を有する。

このａ−３ｉは、カールソン方式に基づく感光体として
検討が進められているが、この場合に、感光体特性とし
て抵抗及び光感度が高いことが要求される、しかしなが
ら、この両特性を単一層の感光体で満足させることが困
難であるため、光導電否と導電性支持体との間に障壁層
を設け、光導Ｎ層上に表面電荷保持層を設けた積層型の
構造にすることにより、このような要求を満足させてい
る。

ところで、ａ−３ｉは、通常、シラン系カスを使用した
グロー放電分解法により形成されるが、この際に、ａ−
３ｉｖｉ中に水素が取り込まれ、水１１１ｆｉの差によ
り電気的及び光学的特性が大きく変動する。即ち、ａ−
３ｉｌ！！ｌに侵入する水素の世が多くなると、光学的
バンドギャップが大きくなり、ａ−３ｉの抵抗が高くな
るが、それにともない、長波長光に対する光感度が低下
してしまうので、〃１えば、半導体レーザを搭載したレ
ーザご−ムプリンタに使用することが困難である。また
、ａ−３Ｉ膜中の水素の含有Φが多い場合は、成膜条件
によって、（ＳｉＨ２）ｒＬ及びＳ　ｉ　Ｈ２等の結合
構造を有するものが膜中で大部分の領域を占める場合が
ある。そうすると、ボイドが増加し、シリコンダングリ
ングボンドが増加するため、光導電特性が劣化し、電子
写真感光体として使用不能になる。逆に、ａ−３ｉ中に
侵入する水素の燈が低下すると、光学的バンドギャップ
が小さくなり、その抵抗が小さくなるが、長波長光に対
する光感度が増加する。しかし、通常の成膜条件で作成
した従来のａ−３ｉにおいては、水素含有量が少ないと
、シリコンダングリングボンドと結合してこれを減少さ
せるべき水素が少なくなる。このため、発生するキャリ
アの移動度が低下し、寿命が短くなると共に、光導電特
性が劣化してしまい、電子写真感光体として使用し難い
ものとなる。

なお、長波長光に対する感度を高める技１）・ｉとして
、シラン系ガスとゲルマンＧｅＨ＋とを混合し、グロー
放電分解することにより、光学的バンドギャップが狭い
横を生成するものがあるが、−役に、シラン系ガスとＧ
ｅＨ＋とでは、最適基板温度が異なるため、生成した膜
は構造欠陥が多く、良好な光導電特性を得ることができ
ない。また、００日４の廃ガスは酸化されると有毒ガス
となるので、廃ガス処理も複雑である。従って、このよ
うな技術は実用性がない。

この発明は、かがる事情に鑑みてなされたものであって
、帯電能が優れており、残留電位が低く、近赤外領域ま
での広い波長領域に亘って感度が高く、帯電及び除電の
繰返しによる光疲労が抑制され、基板との密着性が良く
、耐環境性が優れた電子写真感光体を提供することを目
的とする。

［問題点を解決するための手段］ この発明に係る電子写真感光体は、導電性支持体と、光
導電層と、導電性支持体と光導電層との間に配設された
障壁層とを有する電子写真感光体において、前記光導電
層及び障壁層は、その結晶化度が相互に異なるマイクロ
クリスタリンシリコンで形成されていることを￥’ｔｔ
ａとする。

この発明は、前述の従来技術の欠点を解消し、優れた光
導電特性（電子写真特性）と耐環境性とを兼備し、光疲
労が抑制され、帯電能が高く、残留電位が低い電子写真
感光体を開発すべく本願発明者等が種々実験研究を重ね
た結果、マイクロクリスタリンシリコン、（以下、μｃ
−８ｉと略す）を電子写真感光体の少なくとも一部に使
用すると共に、結晶化度が相互に異なるμｃ−８ｉを２
Ｒ以上積層することにより、この目的を達成することが
できることに想到して、この発明を完成させたものであ
る。

以下、この発明について具体的に説明する。この発明の
特徴は、従来のａ−３ｉの替りに、μＣ−３ｉを使用し
たことにある。つまり、光導電層及び１４壁層の全ての
領域又は一部の領域がμＣ−＄１の単体で形成されてい
るか、μｃ−３ｉとアモルファスシリコン（以下、ａ−
８ｉと略す）との混合体で形成されているか、又は１又
は２以上のμｃ−３ｉ層及びａ−３ｉ層の積層体で形成
されている。

μｃ−８ｉは、以下のような物性上の特徴により、ａ−
８ｉ及びポリクリスタリンシリコン（多結晶シリコン〉
から明確に区別される。即ち、Ｘ線回折測定においては
、ａ−８ｉは、無定形であるため、ハローのみが現れ、
回折パターンを認めることができないが、μｃ−３ｉは
、２θが２８乃至２８．５°付近にある結晶回折パター
ンを示す。また、ポリクリスタリンシリコンは暗抵抗が
１０６Ω・ｃｍであるのに対し、μｃ−３ｉは１０工１
Ω・ｃｍ以上の暗抵抗を有する。このμＣ−３ｉは粒径
が約故十Å以上である微結晶が集合して形成されている
。

例えば、μｃ−８ｉとａ−８ｉとの混合体とは、μｃ−
８ｉの結晶領域がａ−８ｉ中に混在していて、μｃ−８
ｉ及びａ−８ｉが同程度の体積比で存在するものをいう
。また、μｃ−８ｉとａ−３ｉとの積層体とは、大部分
がａ−３ｉからなる層と、μｃ−８ｉが充填された層と
が積層されているものをいう。

この発明においては、光導電層及び障壁層が、μＣ−３
ｉで形成されており、その結晶化度が相互に異なる。光
導電層においては、光が照射されると、キャリア（電子
及び正孔の対）が発生する。

そして、感光体表面を正帯電させた場合には、電子が感
光体表面で正電荷と中和し、正孔が光導電層及び障壁層
を走行して導電性支持体まで移動する。一方、感光体表
面を負帯電させた場合には、正孔が感光体表面で負電荷
と中和し、電子が光導電層及び障壁層を走行して導電性
支持体まで移動する。このようにして、感光体表面にお
ける電荷が残存する領域と、電荷が中和して消失した領
域とから、静電潜像が形成される。μｃ−８ｉの光学的
バンドギャップＥａは、１．６０乃至１．６５８Ｖであ
り、ａ−８ｉの光学的バンドギャップＥａ（１，７０ｅ
Ｖ以上）に比して低い。

ところで、光導電層は、その光学的バンドギャップより
大きなエネルギの光の入射によってキャリアを発生する
。従って、ａ−３ｉは、可視光に対しては十分な光感度
を有するが、可視光よりもエネルギが小さい近赤外光等
の長波長光に対しては、光感度を有しない。これに対し
、光学的バンドギャップが小さいμｃ−３ｉはこのよう
な長波長光も吸収してキャリアを発生する。このため、
μＣ−３ｉは、可視光から近赤外光に至る広い波長領域
に亘って光感度が高く、発振波長が７９０ｎｍの半導体
レーザ光に対しても充分の感度を有するから、この発明
に係る電子写真感光体は、ＰＰＣ（普通紙複写間）のみ
ならず、半導体レーザを搭載したレーザプリンタに適用
する口とができる。

障壁層は、導電性支持体と光導電層との間に配設されて
おり、この障壁層は、導電性支持体から、光導Ｎ層への
キャリアの流れを抑制することにより、電子写真感光体
の表面における電荷の保持機能を高め、電子写真感光体
の帯電能を高める。カールソン方式においては、感光体
表面に正帯電させる場合には、支持体側から光導電層へ
電子が注入されることを防止するために、障壁層をｐＷ
にする。一方、感光体表面に負帯電させる場合には、支
持体側から光導電層へ正孔が注入されることを防止する
ために、障１１ＦＪをｎ型にする。この障壁層はμｃ−
３ｉで形成されている。

ところで、μｃ−８ｉの物理的特性は、その結晶化度に
依存して変化することが多い。例えば、導電性は、μｃ
−３ｉの結晶化度が高い程、大きくなる。従って、感光
体の障壁層を形成するμＣ−３１＠の結晶化度を、光導
電層を形成するμＣ−８ｉｔ！！の結晶化度より高くす
ることが好ましい。

これにより、光導電層で発生したキャリアが迅速に障壁
層を走行して導電性支持体まで移動する。

一方、結晶化度が高いμｃ−３ｉは若干製造が困難であ
るので、キャリアの移動にそれ程関与しない光導電層の
μｃ−８ｉは、結晶化度を低くして、製造を容易にした
ほうが好ましい。

一方、ｖ５ａ化度が相違する光導電層と障壁層との接合
界面においては、結晶化度が大きく変化すると、ダング
リングボンドが多量に存在してしまう。このダングリン
グボンドはキャリアの捕獲サイトとなり、感光体の光疲
労を発生さぼる。このため、接合界面において〈微結晶
の結晶化度を連続的に変化させることが好ましい。これ
により、ダングリングボンドの発生が抑制され、光疲労
か軽減し、帯電能及び電荷保持能を向上させることがで
きる。結晶化度は、投入電力、支持体温度、ＳｉＨ＋ガ
ス流量、希釈ガス流量及び反応圧力等のプラズマ形成条
件を変更させることにより、連続的に変化させることが
できる。

光導電層及びＶａ壁層は、キャリアを捕獲するトラップ
が存在しないことが理想的である。しかし、シリコン層
は、単結晶でない以上、多少の不規則性が存在し、ダン
グリングボンドが存在する。この場合に、水素を含有さ
せると、水素がシリコンダングリングボンドのターミネ
ータとして作用し、結合な補償する。この発明において
使用するμＣ−３ｉｌにおいては、少量の水素を含有さ
せることにより、ダングリングボンドが高効率で補償さ
れる。このため、この先導Ｎ層及び障壁層は、キャリア
の走行性が高く、良好な光導電性を示す。

μＣ−３ｉの結晶化度（体積分率）は、透過型電子ｍｙ
！１ｍ写真、Ｘ線スペクトル及びラマンスペクトル等に
より、測定することができる。通常、μｃ−３ｉにおい
ては、平均粒径が２０乃至数百人であり、その結晶化度
はＯ乃至１００％の範囲にある。なお、光導電層の層厚
は、３乃至８０μｍ、好ましくは、１０乃至５０μｍ１
更に好ましくは、１５乃至３０μｍである。また、障壁
層の層厚は０．０１乃至１０μｍであることが好ましい
。

このようなμｃ−３ｉ層は、ａ−８ｉ唐と同様に、高周
波グロー放電分解法により、シランがスを原料として、
導電性支持体上にＪＩ！？Ｉさせることにより製造する
ことができる。しかしながら、その成膜条件は従来のａ
−８ｉを成膜するときの条件と異なる。つまり、支持体
の温度はａ−３ｉを形成する場合よりも高く設定し、高
周波電力もａ−３ｉの場合よりも高く設定する。このよ
うに、支持体温度を高くし、高周波電力を大きくするこ
とにより、原料ガス（シランガス等）のｆｌｍを増大さ
せることができ、その結果、成膜速度を速くすることが
できる。また、原料ガス（Ｓ　ｉ　Ｈ４ガス伎び５ｉ２
）−１ｓ、ガスを含む）を水素ガスで希釈すると、μｃ
−８ｉが形成されやすい。

第１図は、この発明に係る電子写真感光体を製造する装
胃を示す図である。ガスボンベ１．２゜３．４には、例
えば、夫々ＳｉＨ＋　、８２　Ｈ６。

Ｈ２，１−１ｅ、△ｒ、ＣＨ４、Ｎ２等の原料ガスが収
容されている。これらのガスボンベ１．２．３゜４内の
ガスは、流量調整用のバルブ６及び配管７を介して混合
器８に供給されるようになっている。

各ボンベには、圧力計５が設置されており、この圧力計
５を監視しつつ、バルブ６を調整することにより、混合
器８に供給する各原料ガスの流量及び混合比を調節する
ことができる。混合器８にて混合されたガスは反応容器
９に供給される。反応容器９の底部１１には、回転＠１
０が鉛直方向の回りに回転可能に取りつけられており、
この回転軸１０の上端に、円板状の支持台１２がその面
を回転軸１０に垂直にして固定されている。反応容器９
内には、円筒状の電極１３がその軸中心を回転軸１０の
軸中心と一致させて底部１１上に設置されている。感光
体のドラム基体１４が支持台１２上にその軸中心を回転
軸１０の軸中心と一致させてｔｌ、置されており、この
ドラム基体１４の内側には、ドラム基体加熱用のヒータ
１５が配設されている。電極１３とドラム基体１４との
間には、高周波電源１６が接続されており、電極１３及
びドラム基体１４間に高周波電流が供給されるようにな
っている。回転軸１０はモータ１８により回転駆動され
る。反応容器９内の圧力は、圧力計１７により監視され
、反応容器９は、ゲートバルブ１８を介して真空ポンプ
等の適宜の排気手段に連結されている。

このように構成される装置により感光体を製造する場合
には、反応容器９内にドラム基体１４を設置した後、ゲ
ートバルブ１つを開にして反応容器９内を約０．１トル
（ＴＯｒｒ＞の圧力以下に排気する。次いで、ボンベ１
．２，３．４から所要の反応ガスを所定の混合比で混合
して反応容器９内に導入する。この場合に、反応容器９
内に導入するガス流量は、反応容器９内の圧力が０．　
１乃至１トルになるように設定する。次いで、モータ１
８を作動させてドラム基体１４を回転させ、ヒータ１５
によりドラム基体１４を一定温度に加熱すると共に、高
周波電源］６により電極１３とドラム基体１４との間に
高周波電流を供給して、両者間にグロー放電を形成する
。これにより、ドラム基体１４上にμＣ−３ｉ又はａ−
３ｉが堆積する。なお、原料ガス中にＮ２０．ＮＨ３゜
ＮＯ２、Ｎ２　、ＣＨ４、Ｃ２Ｈ４，０２ガス等を使用
することにより、これらの元素をμｃ−３ｉ又はａ−８
ｉ中に含有させることができる。

このように、この発明に係る電子写真感光体は従来のａ
−３ｉを使用したものと同様に、クローズドシステムの
製造装置で製造することができるため、人体に対して安
全である。また、この電子写真感光体は、耐熱性、耐湿
性及び耐摩耗性が優れているため、長期に亘り繰り返し
使用しても劣化が少なり、寿命が長いという利点がある
。さらに、ＧｅＨ＋等の長波長増感用ガスが不要である
ので、廃ガス処理設備を設ける必要がなく、工業的生産
性が著しく高い。

μｃ−８ｉ層には、水素Ｈを０．０１乃至３０原子％、
好ましくは、０．０５乃至２０原子％含有させることが
好ましい。これにより、光導電層の暗抵抗と明抵抗とが
調和のとれたものになり、光導電特性が向上する。μｃ
−８ｉへの水素のドーピングは、例えば、グロー放電分
解法による場合は、Ｓ　ｉ　Ｈ４及び５ｉ２Ｈｓ等のシ
ラン系の原料ガスと、水素、アルゴン又はヘリウム等の
キャリアガスとを反応容器内に導入してグロー放電させ
るか、Ｓ　ｉ　Ｆ４及び５ｉＣ１４等のハロゲン化ケイ
素と、水素ガス、アルゴンガス又はヘリウムガスとの混
合ガスを使用してもよいし、また、シラン系ガスと、ハ
ロゲン化ケイ素との混合ガスで反応させてもよい。更に
、グロー放電分解法によらず、スパッタリング等の物理
的な方法によってもμＧ−３ｉ層を形成することができ
る。

μＧ−３ｉに、窒素Ｎ、炭素Ｃ及び酸素０から選択され
た少なくとも１種の元素をドーピングすることが好まし
い。これにより、μｃ−３ｉの暗抵抗を高くして光導電
特性を高めることができる。

これらの元素はシリコンダングリングボンドのターミネ
ータとして作用して、バンド間の禁制府中に存在する状
態密度を減少させ、これにより、暗抵抗が高くなると考
えられる。

μｃ−８ｉをｐ型にするためには、周期律表の第■族に
屈する元素、例えば、ホウ素Ｂ１アルミニウムＡＩ、ガ
リウムＧａ、インジウム７ｎ、及びタリウムＴＩ等をド
ーピングすることが好ましく、μｃ−３ｉ層をｎ型にす
るためには、周ｗＪ律表の第Ｖ族に属する元素、例えば
、窒素Ｎ、リンＰ、ヒ素ＡＳ、アンチモン３ｂ、及びビ
スマス８１等をドーピングすることが好ましい。このｎ
型不純物又はｎ型不純物のドーピングにより、支持体側
から光導電層へ電荷が移動することが防止される。また
、これらの元素をドーピングすることにより、光感度特
性を向上させることができ、更に、その少市のドーピン
グ（ライトドープ）でμｃ−３ｉを真性半導体（ｉ型〉
にしてその抵抗を高めることができる。

また、バンドギャップを拡げることにより、障壁層を形
成することもできる。これは、μｃ−８ｉにＣ１○、Ｎ
を含有させればよい。このＣ，Ｏ，Ｎを含有するμｃ−
３ｉに周規律表の第■族又は第Ｖ族に属する元素をドー
ピングすることによって、そのブロッキング能を一層高
めることができる。更に、Ｃ，Ｏ，Ｎを含有するμＣ−
３ｉ層と、周ｐＡ神表の第■族又は第Ｖ族に属する元素
を含有するμｃ−３ｉ居とを積層させることによっても
、帯電能及び電荷保持能が高い障壁層を得ることができ
る。

先導Ｎ層の上に表面層を設けることが好ましい。

光導電層のμＣ−３ｉは、その屈折率が３乃至４と比較
的大きいため、表面での光反射が起きやすい。このよう
な光反射が生じると、光導電層に吸収される光量の割合
いが低下し、光損失が大きくなる。このため、表面層を
設けて反射を防止することが好ましい。また、表面層を
設けることにより、光導電層が損傷から保護される。さ
らに、表面層を形成することにより、帯電能が向上し、
表面にＮ荷がよくのるようになる。表面層を形成する材
料としては、Ｓｉ３Ｎ４　、ＳｉＯ２，５ｉＣ１ＡＩ２
０３　、ＢＮ、ａ−８ｉＮ：Ｈ，ａ−８ｉｎ：Ｈ，ａ−
８ｉＣ：Ｈｌ、ｃｚｃｓｉＮ、μｃ−８ｉＣ及びμｃ−
８ｉ　Ｏ等の無機化合物及びポリ塩化ビニル及びポリア
ミド等の有曙材制がある。

電子写真感光体としては、上述のごとく、支持体上に障
壁層を形成し、この障壁層上に光導゛躍層を形成し、こ
の光導電層の上に表面層を形成したものに限らず、支持
体の上に電荷移動層（Ｃ丁Ｌ）を形成し、電荷移動層の
上に電荷発生層（ＣＧＬ）を形成した機能分離型の形態
に構成することもできる。この場合に、電荷移Ｕ層と、
支持体との間に、障壁層を設けてもよい。電荷発生層は
、光の照割によりキャリアを発生する。この電荷発生層
は、層の一部又は全部がμｃ−８ｉで形成されているこ
とが好ましい。このようなμｃ−３ｉ１ｉは、その光学
的バンドギャップＥａがａ−８ｉより小さいので広い波
長領域に亘って高感度である。従って、特に、半導体レ
ーザを使用したレーザプリンタ用の感光体として好適で
ある。この電荷発生層の厚さは０．１乃至１０μｍにす
るのが好ましい。電荷移動層は゛電荷発生層で発生した
キャリアを高効率で支持体側に刺違させる層であり、こ
のため、キャリアの寿命が長く、移動度が大きく輸送性
が高いことが必要である。電荷移動層はμＣ−３ｉ又は
ａ−３ｉの１又は２以上の材料で形成することができる
。電荷移動層には、暗抵抗を高めて帯電能を向上さぼる
ために、周期律表の第■族又は第Ｖ族のいずれか一方に
属する元素をライトドーピングすることが好ましい。ま
た、帯電能を一層向上させ、電荷移動層と電荷発生層と
の両機能を持たせるために、Ｃ，Ｎ、○の元素のうち、
いずれか１種以上を含有させてもよい。電荷移動層は、
その膜厚が簿過ぎる場合及び厚過ぎる場合はその１能を
充分に発揮しない。このため、電荷移動層の厚さは３乃
至８０μｍ、好ましくは、１０乃至３０ｕｍである。

障壁層を設けることにより、電荷移動、苦と電荷発生層
とを有する鏝能分離型の感光体においても、その電荷保
持機能を高め、帯電能を向上させることができる。なお
、障壁層をｐ型にするか、又はｎ型にするかは、その帯
電特性に応じて決定される。この障壁層は、μｃ−３ｉ
で形成することができる。

［実施例］ 第２図及び第３図は、この発明を具体化した電子写真感
光体を示す一部断面図である。第２図に示す感光体にお
いては、導電性支持体２１の上に、障壁層２２が形成さ
れ、障壁層２２の上に光導電層２３が形成されている。

第３図においては、光導電層２３の上に、表面層２４が
形成されている。

光導電層２３及び障壁層２２は、水素を含有するμｃ−
８ｉで形成されており、この光導電層２３及び障壁＠２
２には周規律表の第■族又は第Ｖ族に属する元素をドー
ピングすることが好ましい。また、Ｃ，Ｏ，Ｎのうち、
少なくとも１種の元素を含有させることによって、帯電
能及び電荷保持能を高めることができる。更に、光導電
層２３のμｃ−３ｉは、光学的バンドギャップがａ−８
ｉよりも小さいので、長波長光までの広い波長ｉ’ｎ域
に亘って高感度である。感光体に入射した光は、表面側
の光導電層２３で主として吸収され、キャリアが発生す
る。この場合に、結晶化度が高いほうが、導電性が高く
なり、キャリアが迅速に高効率で移動する。従って、障
壁層２２の結晶化度が、光導電層２３の結晶化度よりも
高いことが好ましい。また、この光導電層及び障壁層は
少偵の水素でシリコンダングリングボンドが高効率で補
償されるので、欠陥が少なくキャリアの走行性が高い。

光導電層２３及び障壁層２２における結晶化度は、第４
図（ｒ）に示すように、各層内において一定にしてもよ
い。しかし、第４図（ａ＞乃至（ｑ）に示すように、光
導電層２３から障壁層２２に向けて結晶化度が高くなる
か、又はその接合面において滑らかに変化するようにす
ることが好ましい。これにより、接合界面でのダングリ
ングボンドを減少させることができる。なお、第４図（
Ｓ）乃至（Ｕ）に示すように、光導電層２３の結晶化度
を障壁層２２よりも高くしてもよい。

次に、この発明の実施例について説明する。

実施例１ １ｇＴｉ性基板としてのＡ１製ドラム（直径８０馴、長
さ３５０＋ｓ）をトリクレンで脱脂した後、反応容器内
に装填し、反応容器内を、図示しない拡散ポンプにより
、排気し、約１０つトルの真空度にする。なお、必要に
応じて、ドラム基体表面を酸処理、アルカリ処理及びサ
ンドブラスト処理等する。その後、ドラム基体を加熱し
て約３００　’Ｃに保持し、１５０ＳＣＣＭの流四のＳ
　ｉ　Ｈ４ガス、この５ｉ）Ｉ＋ガス流世に対する流ω
比が１０鵠の８２　Ｈ６ガス、及び２８ＬＭのＨ２ガス
を混合して反応容器に供給した。その後、メカニカルブ
ースタポンプ及びロータリポンプにより反応容器内を排
気し、その圧力を１トルに調整した。ドラム基体を回転
（毎分１０回転）させつつ、電極に１３．５６ＭＨｚで
２ｋＷの高周波電力を印）＋Ｉ］　Ｌ、。

て、電極とドラム基体との間に、ＳｉＨｓ。

８２　Ｈｓ及びＨ２のプラズマを生起させ、所定時間成
咳を継続した後、ガスの供給及び電力の印加を停止した
。これにより、ｐ型のμｃ−３ｉからなる障壁層を形成
した。

その後、ＳｉＨ＋ガス流巾を２００　Ｓ　ＣＣＭ、Ｂ２
　Ｈ６ガス流量をＳｉＨ＋ガスに対する流量比で１０−
’ｔ、：ｆｆＱ定した。そして、反応圧力が１．２トル
、高周波電力が２ｋＷの条件で、光導電層を形成した。

この先導Ｍ層は、結晶化度が障壁層より低く、層厚が３
０μｍである。その後、同様の操作により、Ｃ，Ｏ及び
Ｎを含有したａ−Ｓｌからなる表面層を形成した。

このようにして成膜した電子写真感光体を半導体レーザ
プリンタにＩ！してカールソンプロセスにより画像を形
成したところ、感光体表面の露光量が２５８ｒｇ／　ｃ
ｍであっても、鮮明で解像度が高い画像を得ることがで
きた。また、複写を繰返して転写プロセスの再現性及び
安定性を調査したところ、転写画像は極めて良好であり
、耐コロナ性。

耐湿性及び耐摩耗性等の耐久性が層れていることが実証
された。

実施例２ 障壁層は、実施例１と同様の条件で形成した。

その後、８２　Ｈ６ガス流量を減少させ、Ｂ２　Ｈ６ガ
ス流量をＳｉＨ４ガスに対する流量比で１０−７に設定
した。このＢ２　）−Ｉ５ガス流儀を絞ると共に、Ｓｉ
Ｈ＋ガスの流醗を１５０ＳＣＣＭから徐々に２００８Ｃ
ＣＭまで増加させ、結晶化度を徐々に低下させた。この
光導電層の層厚は３０μｍである。その後、同様の操作
により、Ｃ１Ｏ及びＮを含有したａ−３ｉからなる表面
層を形成した。

このようにして成膜した゛電子写真感光体を半導体レー
ザプリンタにａｔしてカールソンプロセスにより画像を
形成したところ、感光体表面の露光量が２５　ｅｒ（＋
　／　ｃｉであっても、鮮明で解像度が高い画像を傳る
ことができた。また、複写を繰返して転写プロセスの再
現性及び安定性を調査したところ、転写画像は極めて良
好であり、耐コロナ性、耐湿性及び耐摩耗性等の耐久性
がＦ覆れでいることが実証された。

［発明の効果１ この発明によれば、高抵抗で帯電特性が浸れており、ま
た可視光及び近赤外光領域において高光感度特性を有し
、光疲労が少なく、製造が容易であり、実用性が高い電
子写真感光体を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明に係る電子′写真感光体の製造１．２
，３．４：ボンベ、５：圧力計、６：バルブ、７：配管
、８；混合器、９；反応容器、１０：回転軸、１３；電
極、１４；ドラム基体、１５：ヒータ、１６；高周波電
源、１９：ゲートバルブ、２１；支持体、２２；障壁層
、２３：光導電層、２４；表面層 出願人代理人　弁理士　鈴江武彦 ］６ 第１　図 第２図 第３図 第４図 （Ｃ） （ｉ）

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. （１）導電性支持体と、光導電層と、導電性支持体と光
   導電層との間に配設された障壁層とを有する電子写真感
   光体において、前記光導電層及び障壁層は、その結晶化
   度が相互に異なるマイクロクリスタリンシリコンで形成
   されていることを特徴とする電子写真感光体。
2. （２）前記光導電層及び障壁層の少なくとも一部におい
   て、結晶化度がその層厚方向に変化することを特徴とす
   る特許請求の範囲第１項に記載の電子写真感光体。
3. （３）前記光導電層及び障壁層は、水素を含有すること
   を特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項に記載の
   電子写真感光体。
4. （４）前記光導電層及び障壁層は、周規律表の第III族
   又は第Ｖ族に属する元素から選択された少なくとも１種
   の元素を含有することを特徴とする特許請求の範囲第１
   項乃至第３項のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
5. （５）前記光導電層及び障壁層は、炭素、酸素及び窒素
   から選択された少なくとも１種の元素を含有することを
   特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第４項のいずれか
   １項に記載の電子写真感光体。
6. （６）前記光導電層の上に表面層が形成されていること
   を特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の電子写真感
   光体。