JPS6295541A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野１ この発明は、帯電特性、光感度特性及び耐環境性等が優
れた電子写真感光体に関する。

［従来の技術及びその問題点］ 従来、電子写真感光体の光導’ＩＩを形成する材料とし
て、Ｃｄ５１ＺｎＯ，Ｓｅ、５ｅ−Ｔｅ若しくはアモル
ファスシリコン等の無機材料又はポリーＮ−ビニルカル
バゾｒル（ＰＶＣＺ）若しくはトリニトロフルオレン（
ＴＮＦ）等の有機材料が使用されている。しかしながら
、これらの従来の光導電性材料においては、光導電特性
上、又は製造上、種々の問題点があり、感光体システム
の特性をある程度犠牲にして使用目的に応じてこれらの
材料を使い分けている。

例えば、Ｓｅ及びＣｄＳは、人体に対して有害な材料で
あり、その製造に際しては、安全対策上、特別の配慮が
必要である。従って、製造装置が複雑となるため製造コ
ストが高いと共に、特に、Ｓｅは回収する必要があるた
め回収コストが付加されるという問題点がある。また、
Ｓｅ又は５ｅ−Ｔｅ系においては、結晶化温度が６５℃
と低いため、複写を繰り返している間に、浅型等により
光導電特性上の問題が生じ、このため、寿命が短いので
実用性が低い。

更に、ｚｎＯは、酸化還元が生じやすく、環境雰囲気の
影響を著しく受けるため、使用上、信頼性が低いという
問題点がある。

更にまた、ＰＶＣｚ及びＴＮＦ等の有機光導電性材料は
、発癌性物質である疑いが持たれており、人体の健康上
問題があるのに加え、有機材料は熱安定性及び耐摩耗性
が低く、寿命が短いという欠点がある。

一方、アモルファスシリコン（以下、ａ−３ｉと略す）
は、近時、光導電変換材料として注目されており、太陽
電池、薄膜トランジスタ及びイメージセンサへの応用が
活発になされている。このａ−８ｉの応用の一環として
、ａ−８ｉを電子写真感光体の光導電性材料として使用
する試みがなされており、ａ−３ｉを使用した感光体は
、無公害の材料であるから回収処理の必要がないこと、
他の材料に比して可視光領域で高い分光感度を有するこ
と、表面硬度が高く耐摩耗性及び耐衝撃性が優れている
こと等の利点を有する。

このａ−３ｉは、カールソン方式に基づく感光体として
検討が進められているが、この場合に、感光体特性とし
て抵抗及び光感度が高いことが要求される、しかしなが
ら、この両特性を単一層の感光体で満足させることが困
難であるため、光導電層と導電性支持体との間に障壁層
を設け、光導電層上に表面電荷保持層を設けた積層型の
構造にすることにより、このような要求を満足させてい
る。

ところで、ａ−８ｔは、通常、シラン系ガスを使用した
グロー放電分解法により形成されるが、この際に、ａ−
３ｉ膜中に水素が取り込まれ、水素量の差により電気的
及び光学的特性が大きく変動する。即ち、ａ−８ｉ膜に
侵入する水素の量が多くなると、光学的バンドギャップ
が大きくなり、ａ−８ｉの抵抗が高くなるが、それにと
もない、長波長光に対する光感度が低下してしまうので
、例えば、半導体レーザを搭載したレーザビームプリン
タに使用することが困難である。また、ａ−８ｉｌｌ中
の水素の含有量が多い場合は、成膜条件によって、（Ｓ
ｉＨ２）ｒＬ及びＳｉＨ２等の結合構造を有するものが
膜中で大部分のＩｊｌｌを占める場合がある。そうする
と、ボイドが増加し、シリコンダングリングボンドが増
加するため、光導電特性が劣化し、電子写真感光体とし
て使用不能になる。逆に、ａ−３ｉ中に侵入する水素の
台が低下すると、光学的バンドギャップが小さくなり、
その抵抗が小さくなるが、長波長光に対する光感度が増
加する。しかし、通常の成膜条件で作成した従来のａ−
８ｉにおいては、水素含有量が少ないと、シリコンダン
グリングボンドと結合してこれを減少させるべき水素が
少なくなる。このため、発生するキャリアの移動度が低
下し、寿命が短くなると共に、光導電特性が劣化してし
まい、電子写真感光体として使用し難いものとなる。

なお、長波長光に対する感度を高める技術として、シラ
ン系ガスとゲルマンＱｅＨ４とを混合し、グロー放電分
解することにより、光学的バンドギャップが狭い膜を生
成するものがあるが、一般に、シラン系ガスとＧｅＨ４
とでは、最適基板温度が異なるため、生成した膜は構造
欠陥が多く、良好な光導電特性を得ることができない。

また、ＧｅＨ＋の廃ガスは酸化されると有毒ガスとなる
ので、廃ガス処理もｉ！雑である。従って、このような
技術は実用性がない。

この発明は、かかる事情に鑑みてなされたちのであって
、帯電能が浸れており、残留電位が低く、近赤外領域ま
での広い波長領域に亘って感度が高く、帯電及び除電の
繰返しによる光疲労が抑制され、基板との密着性が良く
、耐環境性が優れた電子写真感光体を提供することを目
的とする。

［問題点を解決するための手段］ この発明に係る電子写真感光体は、導電性支持体と、光
導電層と、導電性支持体と光導Ｎ層との間に配設された
障壁層とを有する電子写真感光体において、前記光導電
層及び障壁層は、その平均粒径が相互に異なるマイクロ
クリスタリンシリコンで形成されていることを特徴とす
る。

この発明は、前述の従来技術の欠点を解消し、優れた光
導電特性（電子写真特性）と耐環境性とを兼備し、光疲
労が抑制され、帯電能が高く、残留電位が低い電子写真
感光体を開発すべく本願発明者等が種々実験研究を重ね
た結果、マイクロクリスタリンシリコン（以下、μｃ−
８ｉと略す）を電子写真感光体の少なくとも一部に使用
すると共に、結晶粒径が相互に異なるμｃ−８ｉを２層
以上積層することにより、この目的を達成することがで
きることに想到して、この発明を完成させたものである
。

以下、この発明について具体的に説明する。この発明の
特徴は、従来のａ−３ｉの替りに、μＣ−８ｉを使用し
たことにある。つまり、光導電層及び障壁層の全ての領
域又は一部の領域がμＣ−３ｉの単体で形成されている
か、μｃ−８ｉとアモルファスシリコン（以下、ａ−８
ｔと略す）との混合体で形成されているか、又は１又は
２以上のμｃ−８ｉ層及びａ−８ｉ　ｌの積層体で形成
されている。

μｃ−３ｉは、以下のような物性上の特徴により、ａ−
３ｉ及びポリクリスタリンシリコン（多結晶シリコン）
から明確に区別される。即ち、Ｘ線回折測定においては
、ａ−８ｉは、無定形であるため、ハローのみが現れ、
回折パターンを認めることができないが、μｃ−８ｔは
、２θが２８乃至２８．５°付近にある結晶回折パター
ンを示す。また、ポリクリスタリンシリコンは暗抵抗が
１０６Ω・ｃｍであるのに対し、μｃ−８ｉは１０１１
Ω・ｃｍ以上の暗抵抗を有する。このμＣ−８ｉは粒径
が約数子Å以上である微結晶が集合して形成されている
。

例えば、μｃ−３ｉとａ−８ｉとの混合体とは、μｃ−
３ｉの結晶領域がａ−８ｉ中に混在していて、μＣ−８
ｉ及びａ−３ｉが同程度の体積比で存在するものをいう
。また、μｃ−８ｉとａ−３ｉとの積層体とは、大部分
がａ−８ｉからなる伯と、μｃ−８ｉが充填された層と
がｆａ　、１ｍされているものをいう。

この発明においては、光導電層及び障壁層が、μｃ−３
ｍ層で形成されており、その平均結晶粒径が相互に異な
る。光導電層においては、光が照射されると、キャリア
（電子及び正孔の対）が発生する。そして、感光体表面
を正帯電させた場合には、電子が感光体表面で正電荷と
中和し、正孔が光導電層及び１Ｊｌｉ壁層を走行して導
電性支持体まで移動する。一方、感光体表面を負帯電さ
せた場合には、正孔が感光体表面で負電荷と中和し、電
子が光導電層及び障壁層を走行して導電性支持体まで移
動する。このようにして、感光体表面には、電荷が残存
する領域と中和した領域とが存在し、静電潜像が形成さ
れる。この場合に、μｃ−８ｉの光学的バンドギャップ
Ｅａは、１．６０乃至１．６５ｅＶであり、ａ−８ｉの
光学的バンドギャップＥａ　（１，７０ｅｖ以上）に比
して低い。

ところで、先導ＩＮは、その光学的バンドギャップより
大きなエネルギの光の入射によって、キャリアを発生す
る。従って、ａ−８ｔは、可視光に対しては十分な光感
度を有するが、可視光よりもエネルギが小さい近赤外光
等の長波長光に対しては、光感度を有しない。これに対
し、光学的バンドギャップが小さいμｃ−８ｉはこのよ
うな長波長光も吸収してキャリアを発生する。このため
、μｃ−３ｉは、可視光から近赤外光に至る広い波長領
域に亘って光感度が高く、発振波長が７９０ｎｍの半導
体レーザ光に対しても充分の感度を有するから、この発
明に係る電子写真感光体は、ＲＰＣ（普通紙複写機）の
みならず、半導体装置ザを搭載したレーザプリンタに適
用することができる。

障壁層は、導電性支持体と光導電層との間に配設されて
おり、この障壁層は、導電性支持体から、光導電層への
キャリアの流れを抑制することにより、電子写真感光体
の表面における電荷の保持握鮨を高め、電子写真感光体
の帯電能を高める。カールソン方式においては、感光体
表面に正帯電させる場合には、支持体側から光導Ｎｗａ
へ電子が注入されることを防止するために、障壁層をｐ
型にする。一方、感光体表面に負帯電させる場合には、
支持体側から光導電層へ正孔が注入されることを防止す
るために、障壁層をｎ型にする。この障壁層はμｃ−３
ｉで形成されている。

ところで、μｃ−３ｉは、その平均粒径が大きい程、キ
ャリアの移動度が大きい。従って、感光体の障壁層を形
成するμｃ−３ｉの平均粒径を、光導電層を形成するμ
ｃ−８ｉの平均粒径より大きくすることにより、光導電
層で発生したキャリアが障壁層を高効率で走行し、迅速
に光導電層まで移動することができる。このため、帯電
及び露光除電を繰り返した場合の光疲労を軽減すること
ができる。

一方、平均粒径が相違する光導電層と障壁層との接合界
面においては、粒径が大きく変化すると、その接合界面
にダングリングボンドが多量に存在してしまう。このダ
ングリングボンドはキャリアの捕獲サイトとなり、感光
体の光疲労を発生させる。このため、接合界面において
、微結晶の粒径を連続的に変化させることが好ましい。

これにより、ダングリングボンドの発生が抑制され、光
疲労が軽減し、帯電能及び電荷保持能が向上する。

結晶粒径は、投入電力、支持体温度、ＳｉＨ４ガス流量
、希釈ガス流口及び反応圧力等のプラスマ形成条件を変
更することにより、連続的に変化させることができる。

光導電層及び障壁、苦は、キャリアを捕獲するトラップ
が存在しないことが理想的である。しかし、シリコン層
は、単結晶でない以上、多少の不規則性が存在し、ダン
グリングボンドが存在する。この場合に、水素を含有さ
せると、水素がシリコンダングリングボンドのターミネ
ータとして作用し、結合を補償する。この発明において
使用するμＣ−３ｉ層においては、少串の水素を含有さ
せることにより、ダングリングボンドが高効率で補償さ
れる。このため、この光導電層及び障壁層は、キャリア
の走行性が高く、良好な光導電性を示す。

μｃ−３１の平均粒径は、透過型電子顕微鏡写真、Ｘ＠
スペクトル及びラマンスペクトル等により、測定するこ
とができる。通常、μＣ−８ｉにおいては、平均粒径が
２０乃至故百人である。なお、光導電層の層厚は、３乃
至８０μｍ、好ましくは、１０乃至５０μｍ、更に好ま
しくは、１５乃至３０μｍである。また、障壁層の層厚
は０．０１乃至１０μｍであることが好ましい。

このようなμＣ−３ｉ１ｉｉは、ａ−８ｉ層と同様に、
高周波グロー放電分解法により、シランガスを原料とし
て、導電性支持体上に堆積させることにより製造するこ
とができる。しかしながら、その成膜条件は従来のａ−
３ｉを成膜するときの条件と異なる。つまり、支持体の
温度はａ−，５ｉを形成する場合よりも高く設定し、高
周波電力もａ−８ｉの場合よりも高く設定する。このよ
うに、支持体温度を高くし、高周波電力を大きくするこ
とにより、原料ガス（シランガス等）の流口を増大させ
ることができ、その結果、成膜速度を速くすることがで
きる。また、原料ガス（Ｓ　ｉ　Ｈ４ガス及び５ｉ２Ｈ
ｉガスを含む）を水素ガスで希釈すると、μｃ−３ｉが
形成されやすい。

第１図は、この発明に係る電子写真感光体を製造する装
置を示す図である。ガスボンベ１．２゜３．４には、例
えば、夫々Ｓ　ｉ　Ｈ４、８２Ｈ６。

”Ｈ２、Ｈｅ、Ａｒ、ＣＨ４、Ｎ２等の原料カスが収容
されている。これらのガスボンベ１，２，３゜４内のガ
スは、流量調整用のバルブ６及び配管７を介して混合器
８に供給されるようになっている。

各ボンベには、圧力計５が設置されており、この圧力計
５を監視しつつ、バルブ６を調整することにより、混合
器８に供給する各原料ガスの流量及び混合比を調節する
ことができる。混合器８にて混合されたガスは反応容器
９に供給される。反応容器９の底部１１には、回転軸１
０が鉛直方向の回りに回転可能に取りつけられており、
この回転軸１０の上端に、円板状の支持台１２がその面
を回転軸１０に垂直にして固定されている。反応容器９
内には、円筒状の電極１３がその軸中心を回転軸１ｏの
軸中心と一致させて底部１１上に設置されている。感光
体のドラム基体１４が支持台１２上にその軸中心を回転
軸１０の軸中心と一致させて載置されており、このドラ
ム基体１４の内側には、ドラム基体加熱用のヒータ１５
が配設されている。電極１３とドラム基体１４との間に
は、高周波電源１６が接続されており、電極１３及びド
ラム基体１４間に高周波電流が供給されるようになって
いる。回転軸１０はモータ１８により回転駆動される。

反応容器９内の圧力は、圧力計１７により監視され、反
応容器９は、ゲートバルブ１８を介して真空ポンプ等の
適宜の排気手段に連結されている。

このように構成される装置により感光体を製造する場合
には、反応容器９内にドラム基体１４を設置した後、ゲ
ートバルブ１９を開にして反応容器９内を約０．１トル
（７ｏｒｒ）の圧力以下に排気する。次いで、ボンベ１
．２．３．４から所要の反応ガスを所定の混合比で混合
して反応容器９内に導入する。この場合に、反応容器９
内に導入するガス流量は、反応容器９内の圧力が０．１
乃至１トルになるように設定する。次いで、モータ１８
を作動させてドラム基体１４を回転させ、ヒータ１５に
よりドラム基体１４を一定温度に加熱すると共に、高周
波筒１１６により電極１３とドラム基体１４との間に高
周波電流を供給して、両者間にグロー放電を形成する。

これにより、ドラム基体１４上にμｃ−８ｉ又はａ−８
ｉが堆積する。なお、原料ガス中にＮ２０．ＮＨ３。

ＮＯ２、Ｎ２　、ＣＨ４、Ｃ２Ｈ４，０２ガス等を使用
することにより、これらの元素をμｃ−８ｉ又はａ−３
ｉ中に含有させることができる。

このように、この発明に係る電子写真感光体は従来のａ
−８ｉを使用したものと同様に、クローズドシステムの
製造装置で製造することができるため、人体に対して安
全である。また、この電子写真感光体は、耐熱性、耐湿
性及び耐摩耗性が優れているため、長期に亘り繰り返し
使用しても劣化が少なく、寿命が長いという利点がある
。さらに、ＧｅＨ＋等の長波長増感用ガスが不要である
ので、廃ガス処理設備を設ける必要がなく、工業的生産
性が著しく高い。

μｃ−３ｉ層には、水素Ｈを０．０１乃至３０原子％、
好ましくは、０．０５乃至２０原子％含有させることが
好ましい。これにより、先導７ｊＦｒＨの暗抵抗と明抵
抗とが調和のとれたものになり、光導電特性が向上する
。μｃ−８ｉへの水素のドーピングは、例えば、グロー
放電分解法による場合は、ＳｉＨ＋及び５ｉ２Ｈｓ等の
シラン系の原料ガスと、水素、アルゴン又はヘリウム等
のキャリアガスとを反応容器内に導入してグロー放電さ
せるか、Ｓ　ｉ　Ｆ４及び５ｉＣｌ＋等のハロゲン化ケ
イ素と、水素ガス、アルゴンガス又はヘリウムガスとの
混合ガスを使用してもよいし、また、シラン系ガスと、
ハロゲン化ケイ素との混合ガスで反応させてもよい。更
に、グロー放電分解法によらず、スパッタリング等の物
理的な方法によってもμｃ−８ｉ層を形成することがで
きる。

μｃ−３ｉに、窒素Ｎ、炭素Ｃ及び酸素Ｏから選択され
た少なくとも１種の元素含ドーピングすることが好まし
い。これにより、μｃ−３ｉの暗抵抗を高くして光導電
特性を高めることができる。

これらの元素はシリコンダングリングボンドのターミネ
ータとして作用して、バンド間の禁制帯中に存在する状
態密度を減少させ、これにより、暗抵抗が高くなると考
えられる。

μｃ−３ｉをｐ型にするためには、周期律表の第１族に
属する元素、例えば、ホウ素Ｂ１アルミニウムＡＩ、ガ
リウムＧａ、インジウムＩｎ、及びタリウムＴ１等をド
ーピングすることが好ましく、μｃ−３ｉ層をｎ型にす
るためには、周期律表の第Ｖ族に属する元素、例えば、
窒素Ｎ、リンＰ、ヒ素△Ｓ１アンチモン３ｂ、及びビス
マス８１等をドーピングすることが好ましい。このρ型
不純物又はｎ型不純物のドーピングにより、支持体側か
ら光導電層へ電荷が移動することが防止される。また、
これらの元素をドーピングすることにより、光感度特性
を向上させることができ、更に、その少量のドーピング
（ライトドープ）でμｃ−３ｉを真性半導体（ｉ型）に
してその抵抗を高めることができる。

また、バンドギャップを拡げることにより、障壁層を形
成することもできる。これは、μｃ−８ｉにＣ，Ｏ，Ｎ
を含有させればよい。このＣ，Ｏ，Ｎを含有するμｃ−
８ｉに周規律表の第■族又は第Ｖ族に屈する元素をドー
ピングすることによって、そのブロッキング能を一層高
めることができる。更に、Ｃ，Ｏ，Ｎを含有するμＣ−
３ｉ層と、周規律表の第■族又は第Ｖ族に屈する元素を
含有するμｃ−８ｉ層とを積層させることによっても、
帯電能及び電荷保持能が高い障壁層を得ることができる
。

光導電層の上に表面層を設けることが好ましい。

光導電層のμｃ−８ｉは、その屈折率が３乃至４と比較
的大きいため、表面での光反射が起きやすい。このよう
な光反射が生じると、光導電層に吸収される光量の割合
いが低下し、光損失が大きくなる。このため、表面層を
設けて反射を防止することが好ましい。また、表面層を
設けることにより、光導電層が損傷から保護される。さ
らに、表面層を形成することにより、帯電能が向上し、
表面に電荷がよくのるようになる。表面層を形成する材
料としては、Ｓｉａ　Ｎ４．５ｉ０２．５ｉＣ１ＡＩ２
０３　、ＢＮ、ａ−８ｉＮ：Ｈ，ａ−８ｉｎ：Ｈ，ａ−
８ｉＣ：Ｈ１μｃ−３ｉＮ、 μｃ−８ｉＣ及びμｃ−８ｉＯ等の無礪化合物及びポリ
塩化ビニル及びポリアミド等の有機材料がある。

電子写真感光体としては、上述のごとく、支持体上に障
壁層を形成し、この障壁層上に光導電層を形成し、この
光導Ｎ層の上に表面層を形成したものに限らず、支持体
の上に電荷移！ＩＩＪ層（ＣＴＬ）を形成し、電荷移動
層の上に電荷発生ｆｉｌ（ＣＧＬ）を形成した機能分離
型の形態に構成することもできる。この場合に、電荷移
動層と、支持体との間に、障壁層を設けてもよい。電荷
発生層は、光の照射によりキャリアを発生する。この電
荷発生層は、層の一部又は全部がμｃ−８ｉで形成され
ていることが好ましい。このようなμＣ−３ｉ層は、そ
の光学的バンドギャップＥａがａ−８ｉより小・さいの
で広い′ｇｌ長領域に亘って高感度である。従って、特
に、半導体レーザを使用したレーザプリンタ用の感光体
として好適である。この電荷発生層の厚さは０．１乃至
１０μｍにするのが好ましい。電荷移動層は電荷発生層
で発生したキャリアを高効率で支持体側に到達させる層
であり、このため、キャリアの寿命が長く、移動度が大
きく輸送性が高いことが必要である。電荷移動層はμＣ
−８ｉ又はａ−８ｉの１又は２以上の材料で形成するこ
とができる。電荷移動層には、暗抵抗を高めて帯電能を
向上させるために、周期律表の第■族又は第Ｖ族のいず
れか一方に属する元素をライトドーピングすることが好
ましい。また、帯電能を一層向上させ、電荷移動層と電
荷発生層との両機能を持たせるために、Ｃ，Ｎ、○の元
素のうち、いずれか１種以上を含有させてもよい。電荷
移動層は、その膜厚が薄過ぎる場合及び厚過ぎる場合は
その機能を充分に発揮しない。このため、電荷移動層の
厚さは３乃至８０μｍ、好ましくは、１０乃至３０μｍ
でのる。

障壁層を設けることにより、電荷移動層と電荷発生層と
を有する機能分離型の感光体においても、その電荷保持
様能を高め、帯電能を向上させることができる。なお、
障壁層をｐ型にするか、又はｎ型にするかは、その帯電
特性に応じて決定される。この障壁層は、μｃ−８ｉで
形成することができる。

し実施例］ 第２図及び第３図は、この発明を具体化した電子写真感
光体を示す一部断面図である。第２図に示す感光体にお
いては、導電性支持体２１の上に、障壁層２２が形成さ
れ、障壁層２２の上に光導電！！２３が形成されている
。第３図においては、光導電層２３の上に、表面層２４
が形成されている。

光導電層２３及びｒ４壁苦２２は、水素を含有するμｃ
−８ｉで形成されており、この光導電層２３及び障壁層
２２には周規律表の第■族又は第Ｖ族に属する元素をド
ーピングすることが好ましい。また、Ｃ，０，Ｎのうち
、少なくとも１伸の元素を含有させることによって、帯
電能及び電荷保持能を高めることができる。光導電層２
３のμｃ−３ｉは、光学的バンドギャップがａ−３ｉよ
りも小さいので、長波長光までの広い波長領域に亘って
高感度である。一方、ｒＪＪ壁苦２２は、その平均結晶
粒径が光導電、否２３の平均結晶粒径よりも大きいこと
が好ましい。結晶粒径が大きいほうか、キャリアの移動
度が速く、走行性が良好であるから、Ｉ４壁層２２の結
晶粒径を大きくすることにより、光導電層２３で発生し
たキャリアが障壁層２２を伝搬して導電性支持体２１に
速やかに移動する。また、この光導電層２３及び障壁層
２２は少量の水素でシリコンダングリングボンドが高効
率で補償されるので、欠陥が少なくキャリアの走行性が
一層高い。

光導電層２３及び障壁層２２における結晶粒径は、第４
図（ｒ）に示すように、各層内において一定にしてもよ
い。しかし、第４図（ａ）乃至（ｑ）に示すように、光
導電層２３から障壁層２２に向けて結晶粒径が増加する
か、又はその接合界面において滑らかに変化するように
することが好ましい。これにより、接合界面でのダング
リングボンドを減少させることができる。なお、第４図
（Ｓ）乃至（Ｕ）に示すように、光導電層２３の平均粒
径を障壁層２２よりも大きくしてもよい。

次に、この発明の実施例について説明する。

１１工 °導電性基板としての△１製ドラム（直径８０＃、長さ
３５０眉）をトリクレンで脱脂した後、反応容器内に装
填し、反応容器内を、図示しない拡散ポンプにより、排
気し、約１０ろトルの真空度にする。なお、必要に応じ
て、ドラム基体表面を酸処理、アルカリ処理及びサンド
ブラスト処理等する。その後、ドラム基体を加熱して約
３００　’Ｃに保持し、２００　Ｓ　ＣＣＩｖｌの流量
のＳｉＨ４ガス、このＳ　ｉ　Ｈ４ガス流量に対する流
ｍ比が１０４の８２　Ｈａガス、及び２８工ＭのＨ２ガ
スを混合して反応容器に供給した。その後、メカニカル
ブースタポンプ及びロータリポンプにより反応容器内を
排気し、その圧力を１トルに調整した。ドラム基体を回
転（毎分１０回転）させつつ、電極に１３．５６ＭＨ２
で２ｋＷの高周波電力を印加して、電極とドラム基体と
の間に、ＳｉＨ４゜Ｂ２　Ｈ６及びＨ２のプラズマを生
起させ、所定時間成膜を０！読した後、ガスの供給及び
電力の印加を停止した。これにより、ｐ型のμｃ−８ｉ
からなる障壁層を形成した。

その後、８２　Ｈ６ガス流量をＳ　ｉ　Ｈ４ガスに対す
る流量比で１０−Ｔに設定した。そして、高周波電力を
２．５ｋＷに設定して微結晶粒の粒径が障壁層より小さ
いμｃ−８ｉ光導電層を形成した。

この光導電層の層厚は３０μｍである。その後、同様の
操作により、Ｃ３○及びＮを含有したａ−３ｉからなる
表面層を形成した。

このようにして成膜した電子写真感光体を半導体レーザ
プリンタに装着してカールソンプロぜスにより画像を形
成したところ、感光体表面の露光量が２５ｅｒｇ／ｃ！
ｉであっても、鮮明で解ｌｔ１度が高い画像を得ること
ができた。また、複写を操返して転写プロセスの再現性
及び安定性を調査したところ、転写画像は穫めて良好で
あり、耐コロナ性、耐湿性及び耐摩耗性等の耐久性が優
れていることが実訂された。

！ 障壁層は、実施例１と同様の条件で形成した。

その後、Ｂ２　Ｈ６ガス流量を減少させ、　８２　Ｈ６
ガス流量をＳｉＨ＋ガス流量に対する流ｍ比で１０＝７
に設定した。この８２　Ｈ５ガス流量を絞ると共に、投
入電力を２ｋＷから２．５ｋＷまで徐々に増加させ、微
結晶の粒径が次第に小さくなるようにしてμｃ−８ｉを
形成した。この光４電層の層厚は３０μｍである。その
後、同様の操作により、Ｃ１○及びＮを含有したａ−８
ｉからなる表面層を形成した。

このようにして成膜した電子写真感光体を半導体レーザ
プリンタに装着してカールソンプロセスにより画像を形
成したところ、感光体表面の露光量が２５０ｒｇ／ｃ！
Ａであっても、鮮明で解像度が高い画像を得ることがで
きた。また、複写を繰返して転写プロセスの再現性及び
安定性を調査したところ、転写画像は汐めて良好であり
、耐コロナ性、耐湿性及び耐摩耗性等の耐久性が優れて
いることが実証された。

「発明の効果」 この発明によれば、高抵抗で帯電特性が優れており、ま
た可視光及び近赤外先頭域において高光感度特性を有し
、光疲労が少なく、製造が容易であり、実用性が高い電
子写真感光体を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明に係る電子写真感光体の製造装置を示
す図、第２図及び第３図はこの発明の実施例に係る電子
写真感光体を示す断面図、第４図（ａ）乃至（Ｕ）は平
均結晶粒径の変化を示す模式図である。 １．２．３．４＋ボンベ、５；圧力計、６；バルブ、７
：配管、８：混合器、９；反応容器、１０；回転軸、１
３：電極、１４；ドラム基体、１５；ヒータ、１６；高
周波電源、１９；ゲートバルブ、２１：支持体、２２：
障壁層、２３；光導電層、２４；表面層 出願人代理人　弁理士　鈴江武彦 ］ｄ 第１図 第２図 第３図 （ｄ） （ｊ） （ｂ）　　　　　　　　　　（Ｃ） （ｅ）　　　　　　　　　　　（ｆ） （ｈ）　　　　　　　　　　（ｉ　） （ｋ） 第４図 ９ＣＱ−

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. （１）導電性支持体と、光導電層と、導電性支持体と光
   導電層との間に配設された障壁層とを有する電子写真感
   光体において、前記光導電層及び障壁層は、その平均粒
   径が相互に異なるマイクロクリスタリンシリコンで形成
   されていることを特徴とする電子写真感光体。
2. （２）前記光導電層及び障壁層の少なくとも一部におい
   て、平均粒径がその層厚方向に変化することを特徴とす
   る特許請求の範囲第１項に記載の電子写真感光体。
3. （３）前記光導電層及び障壁層は、水素を含有すること
   を特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項に記載の
   電子写真感光体。
4. （４）前記光導電層及び障壁層は、周規律表の第III族
   又は第Ｖ族に属する元素から選択された少なくとも１種
   の元素を含有することを特徴とする特許請求の範囲第１
   項乃至第３項のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
5. （５）前記光導電層及び障壁層は、炭素、酸素及び窒素
   から選択された少なくとも１種の元素を含有することを
   特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第４項のいずれか
   １項に記載の電子写真感光体。
6. （６）前記光導電層の上に表面層が形成されていること
   を特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の電子写真感
   光体。