JPH0458016B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0458016B2 JPH0458016B2 JP57197101A JP19710182A JPH0458016B2 JP H0458016 B2 JPH0458016 B2 JP H0458016B2 JP 57197101 A JP57197101 A JP 57197101A JP 19710182 A JP19710182 A JP 19710182A JP H0458016 B2 JPH0458016 B2 JP H0458016B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- gas
- sih
- amorphous silicon
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 38
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 29
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 21
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 claims description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 5
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 24
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 7
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 6
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 3
- 206010034960 Photophobia Diseases 0.000 description 2
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 2
- 208000013469 light sensitivity Diseases 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018110 Se—Te Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 231100000167 toxic agent Toxicity 0.000 description 1
- 239000003440 toxic substance Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
〔発明の技術分野〕
本発明は、たとえば電子複写機、電子プリンタ
等に適用し得る電子写真感光体の改良に関する。 〔発明の技術的背景とその問題点〕 従来電子写真感光体としては、Se，Se−Te，
Se−As系およびCdS系、有機光導電体（O.P.
C.），ZnOとう用いられて来た。ところでSe−系
感光体はビツカース硬度が40前後と小さいことに
より機械的摩耗に弱く、またガラス転移点が45℃
近辺にあるため、複写機内が45℃を越えてしまう
と、結晶化してしまい表面電位の低下等の特性の
劣化が起こる。CdS系は、CdS自身が有毒物質で
あるという基本的問題を内在している。O.P.C.，
ZnO等は塗布によつて作成できるため安価である
という反面、寿命が短かく、耐湿性が劣るという
欠点がある。 そこで近年、アモルフアス・シリコン（以下ａ
−Siと記す）感光体が注目をあびて来た。ａ−Si
感光体はビツカース硬度が1000以上と硬い上、ガ
ラス転移点が300℃以上であり、感光体の長寿命
化が可能である。また分光感度が800μｍと長波
長の側にまで延ばすことが可能であり、その応用
範囲がSe，CdSに比べて広い。近年の報告ではこ
のSiにＢ（ホウ素）またはＰ（リン）をドープする
と、Ｐ型、Ｎ型の光導電体に自由に変えることが
可能であるというメリツトがある。 ａ−Si感光体は主にSiH4ガスのプラズマ放電
によつてAl等の導電性基板上に成膜される。と
ころがSiH4ガスのプラズマ分解によつて成膜さ
れたａ−Si；Ｈ膜では最良の特性であつても暗抵
抗ρD＝1011Ωcmである。一方では電子写真感光体
として直流のコロナ帯電によつて表面電位500V
以上得るためにはρD＝1013Ωcm以上の高暗抵抗で
なければならないことが種々の文献、特許等で知
られている。そこで種々の不純物ガスのドープに
よつてこの暗抵抗を上げる成膜条件の検討がなさ
れている。例えば、O2／SiH4流量比で４％以上
の酸素をドープした混合ガスのプラズマ状態によ
つて成膜されたａ−Si；Ｈ，Ｏ膜ではρD＝1013Ω
cm以上の高暗抵抗を得られるが、同時に光抵抗も
大きくなつてしまい高い静電コントラストが得ら
れない。 一方では、CH4／SiH4流量比100％以上で、高
周波電力（R.F.パワー）が200W以上の高パワー
でCH4，SiH4ガスをプラズマ分解するとCH3ラ
ジカルが少なくなりＣ−Ｈが多くなることからＣ
−ドープのａ−Si；Ｈ，Ｃ膜であつてもρD＝1012
Ωcm，ρpｈ＝108Ωcmの好特性が得られる成膜条
件の実験の結果判明している。 そこで例えばCH4／SiH4流量比200％でパワー
400W、圧力1.0torr、基板温度200℃でAlドラム
基板上へ単層で成膜した電子写真感光体を試作し
た。この様に作成されたａ−Si；Ｈ，Ｃ感光体
の直流コロナ帯電を行なつたところ＋550Vの表
面電位を得、10luxのタングステン光に対して
7.0l.a.の光感度を示した。また機械による画出し
を行なつても良好な画質が得られた。 ところが、このサンプルのオプテイカルバンド
ギヤツプを測定したところEgopt＝2.3eVであつ
た。これは分光吸収端では540μｍに相当する。
この結果をもとに、この感光体ドラムを用いてカ
ラー原稿に画出しを行なつたところ、黄や赤に光
感度がないことが判明した。 〔発明の目的〕 本発明は、上記事情にもとずきなされたもの
で、高感度で広い分光吸収を示し、カラー原稿に
対しても良好な画質が得られるアモルフアス・シ
リコン感光体を提供しようとするものである。 〔発明の概要〕 本発明は、導電性基板上に、第１層として水素
および炭素を含むアモルフアス・シリコン膜、第
２層として暗抵抗が109Ωcm以上で光抵抗が107Ω
cm以下の水素、炭素およびホウ素を含むとともに
SiH4ガス、CH4／SiH4流量比100％以上のCH4ガ
ス、及びB2H6／SiH4流量比10-2〜10-3のB2H6ガ
スの混合ガスによるプラズマ状態下で成膜された
アモルフアス・シリコン膜および第３層として暗
抵抗が1013Ωcm以上の水素および炭素を含むアモ
ルフアス・シリコン膜を順次積層したことを特徴
とするものである。 〔発明の実施例〕 以下、本発明を第１図に示す一実施例を参照し
て説明する。 ａ−Si感光体は前述したようにＢをドープする
ことにより容易にＰ型光導電体に変えることが出
来る。Ｃ及びＢをドープしたSiはB2H6／SiH4流
量比で10-3〜10-2とヘビードープするとＰ型光導
電体になると同時にオプテイカルバンドギヤツプ
Egoptが1.9eVと小さくなることが実験的に判明
している。ところがＢをヘビードープしたａ−
Si；Ｈ，Ｃ，Ｂ膜のρD＝109，ρpｈ＝106と暗抵抗
が小さくなることも測定の結果判明している。従
つてＢをヘビードープしたａ−Si；Ｈ，Ｃ，Ｂ膜
単層では、直流のコロナ帯電で表面電位が乗らな
いことは明らかである。 そこで、第１図に示す様な３層構成の感光体を
発明した。これは導電性基板１上に第１の層とし
てρD＝1013Ωcm以上、ρpｈ＝108Ωcm、及びEgopt
＝1.9eVのａ−Si；Ｈ，Ｃ膜２を10μｍ以上成膜
し、次いで第２の層としてＢをヘビードープした
ａ−Si；Ｈ，Ｃ，Ｂ膜３、ρD＝109Ωcm，ρpｈ＝
106Ωcm，Egopt＝1.9eVを200〜10000Å成膜し、
さらに最後に第３の層としてρD＝1013Ωcm以上、
Egopt＝2.5eV以上のａ−Si；Ｈ，Ｃ膜４を200〜
2000Å積層したものである。 この３層構成の感光体の帯電、及び光感度の機
態は、まず直流のコロナ帯電を行なつた時はρDが
1013Ωcm以上のａ−Si；Ｈ，Ｃ膜２，４で耐圧を
もたせて表面電位を乗せ、光照射時にはEgopt＝
2.5eVのａ−Si；Ｈ，Ｃ膜４ではほとんどの光が
透過し、Egopt＝1.9eVでρpｈ＝106Ωcmのａ−
Si；Ｈ，Ｃ，Ｂ層で650nmの波長の光まで吸収
し、キヤリアを発生する。発生したキヤリアはρp
ｈ＝108Ωcmのａ−Si；Ｈ，Ｃ膜２を通過して表
面電位の光減衰が起こる。 つぎに、本発明の作成手順の１例を説明する。
まず、径が130mmのAlドラム基板上を真空キヤン
バー内で200℃に加熱しキヤンバー内を10-6torr
まで真空に引いた後、 SiH4流量180SCCM、及びCH4／SiH4流量比
200％のCH4をキヤンバー内に導入する。真空
排気系のバルブの調接によつてキヤンバー内圧
力を1.0torrにした後13.56MHzのR.H.パワーを
400W対向電極に印加し、５時間（約18μｍ）
ａ−Si；Ｈ，Ｃ膜を成膜する。 R.FパワーをOFFにした後前述のSiH4，CH4
以外にB2H6／SiH4流量比10-3のB2H6ガス（水
素ベース）をさらにキヤンバー内に導入し、圧
力0.4，R.Fパワー25Wで30分間（約5000Å）ａ
−Si；Ｈ，Ｃ，Ｂ膜を成膜する。 R.FパワーをOFFにした後B2H6ガスを切り、
SiH473SCCM，CH4／SiH4流量比300％にした
後、圧力0.4torrでR.Fパワー25Wで約10分間
500Åａ−Si；Ｈ，Ｃ膜を成膜した。 それぞれの膜の特性は先に小片プレート成膜し
たサンプルの測定によつて判明しており、下記の
表の通りである。
等に適用し得る電子写真感光体の改良に関する。 〔発明の技術的背景とその問題点〕 従来電子写真感光体としては、Se，Se−Te，
Se−As系およびCdS系、有機光導電体（O.P.
C.），ZnOとう用いられて来た。ところでSe−系
感光体はビツカース硬度が40前後と小さいことに
より機械的摩耗に弱く、またガラス転移点が45℃
近辺にあるため、複写機内が45℃を越えてしまう
と、結晶化してしまい表面電位の低下等の特性の
劣化が起こる。CdS系は、CdS自身が有毒物質で
あるという基本的問題を内在している。O.P.C.，
ZnO等は塗布によつて作成できるため安価である
という反面、寿命が短かく、耐湿性が劣るという
欠点がある。 そこで近年、アモルフアス・シリコン（以下ａ
−Siと記す）感光体が注目をあびて来た。ａ−Si
感光体はビツカース硬度が1000以上と硬い上、ガ
ラス転移点が300℃以上であり、感光体の長寿命
化が可能である。また分光感度が800μｍと長波
長の側にまで延ばすことが可能であり、その応用
範囲がSe，CdSに比べて広い。近年の報告ではこ
のSiにＢ（ホウ素）またはＰ（リン）をドープする
と、Ｐ型、Ｎ型の光導電体に自由に変えることが
可能であるというメリツトがある。 ａ−Si感光体は主にSiH4ガスのプラズマ放電
によつてAl等の導電性基板上に成膜される。と
ころがSiH4ガスのプラズマ分解によつて成膜さ
れたａ−Si；Ｈ膜では最良の特性であつても暗抵
抗ρD＝1011Ωcmである。一方では電子写真感光体
として直流のコロナ帯電によつて表面電位500V
以上得るためにはρD＝1013Ωcm以上の高暗抵抗で
なければならないことが種々の文献、特許等で知
られている。そこで種々の不純物ガスのドープに
よつてこの暗抵抗を上げる成膜条件の検討がなさ
れている。例えば、O2／SiH4流量比で４％以上
の酸素をドープした混合ガスのプラズマ状態によ
つて成膜されたａ−Si；Ｈ，Ｏ膜ではρD＝1013Ω
cm以上の高暗抵抗を得られるが、同時に光抵抗も
大きくなつてしまい高い静電コントラストが得ら
れない。 一方では、CH4／SiH4流量比100％以上で、高
周波電力（R.F.パワー）が200W以上の高パワー
でCH4，SiH4ガスをプラズマ分解するとCH3ラ
ジカルが少なくなりＣ−Ｈが多くなることからＣ
−ドープのａ−Si；Ｈ，Ｃ膜であつてもρD＝1012
Ωcm，ρpｈ＝108Ωcmの好特性が得られる成膜条
件の実験の結果判明している。 そこで例えばCH4／SiH4流量比200％でパワー
400W、圧力1.0torr、基板温度200℃でAlドラム
基板上へ単層で成膜した電子写真感光体を試作し
た。この様に作成されたａ−Si；Ｈ，Ｃ感光体
の直流コロナ帯電を行なつたところ＋550Vの表
面電位を得、10luxのタングステン光に対して
7.0l.a.の光感度を示した。また機械による画出し
を行なつても良好な画質が得られた。 ところが、このサンプルのオプテイカルバンド
ギヤツプを測定したところEgopt＝2.3eVであつ
た。これは分光吸収端では540μｍに相当する。
この結果をもとに、この感光体ドラムを用いてカ
ラー原稿に画出しを行なつたところ、黄や赤に光
感度がないことが判明した。 〔発明の目的〕 本発明は、上記事情にもとずきなされたもの
で、高感度で広い分光吸収を示し、カラー原稿に
対しても良好な画質が得られるアモルフアス・シ
リコン感光体を提供しようとするものである。 〔発明の概要〕 本発明は、導電性基板上に、第１層として水素
および炭素を含むアモルフアス・シリコン膜、第
２層として暗抵抗が109Ωcm以上で光抵抗が107Ω
cm以下の水素、炭素およびホウ素を含むとともに
SiH4ガス、CH4／SiH4流量比100％以上のCH4ガ
ス、及びB2H6／SiH4流量比10-2〜10-3のB2H6ガ
スの混合ガスによるプラズマ状態下で成膜された
アモルフアス・シリコン膜および第３層として暗
抵抗が1013Ωcm以上の水素および炭素を含むアモ
ルフアス・シリコン膜を順次積層したことを特徴
とするものである。 〔発明の実施例〕 以下、本発明を第１図に示す一実施例を参照し
て説明する。 ａ−Si感光体は前述したようにＢをドープする
ことにより容易にＰ型光導電体に変えることが出
来る。Ｃ及びＢをドープしたSiはB2H6／SiH4流
量比で10-3〜10-2とヘビードープするとＰ型光導
電体になると同時にオプテイカルバンドギヤツプ
Egoptが1.9eVと小さくなることが実験的に判明
している。ところがＢをヘビードープしたａ−
Si；Ｈ，Ｃ，Ｂ膜のρD＝109，ρpｈ＝106と暗抵抗
が小さくなることも測定の結果判明している。従
つてＢをヘビードープしたａ−Si；Ｈ，Ｃ，Ｂ膜
単層では、直流のコロナ帯電で表面電位が乗らな
いことは明らかである。 そこで、第１図に示す様な３層構成の感光体を
発明した。これは導電性基板１上に第１の層とし
てρD＝1013Ωcm以上、ρpｈ＝108Ωcm、及びEgopt
＝1.9eVのａ−Si；Ｈ，Ｃ膜２を10μｍ以上成膜
し、次いで第２の層としてＢをヘビードープした
ａ−Si；Ｈ，Ｃ，Ｂ膜３、ρD＝109Ωcm，ρpｈ＝
106Ωcm，Egopt＝1.9eVを200〜10000Å成膜し、
さらに最後に第３の層としてρD＝1013Ωcm以上、
Egopt＝2.5eV以上のａ−Si；Ｈ，Ｃ膜４を200〜
2000Å積層したものである。 この３層構成の感光体の帯電、及び光感度の機
態は、まず直流のコロナ帯電を行なつた時はρDが
1013Ωcm以上のａ−Si；Ｈ，Ｃ膜２，４で耐圧を
もたせて表面電位を乗せ、光照射時にはEgopt＝
2.5eVのａ−Si；Ｈ，Ｃ膜４ではほとんどの光が
透過し、Egopt＝1.9eVでρpｈ＝106Ωcmのａ−
Si；Ｈ，Ｃ，Ｂ層で650nmの波長の光まで吸収
し、キヤリアを発生する。発生したキヤリアはρp
ｈ＝108Ωcmのａ−Si；Ｈ，Ｃ膜２を通過して表
面電位の光減衰が起こる。 つぎに、本発明の作成手順の１例を説明する。
まず、径が130mmのAlドラム基板上を真空キヤン
バー内で200℃に加熱しキヤンバー内を10-6torr
まで真空に引いた後、 SiH4流量180SCCM、及びCH4／SiH4流量比
200％のCH4をキヤンバー内に導入する。真空
排気系のバルブの調接によつてキヤンバー内圧
力を1.0torrにした後13.56MHzのR.H.パワーを
400W対向電極に印加し、５時間（約18μｍ）
ａ−Si；Ｈ，Ｃ膜を成膜する。 R.FパワーをOFFにした後前述のSiH4，CH4
以外にB2H6／SiH4流量比10-3のB2H6ガス（水
素ベース）をさらにキヤンバー内に導入し、圧
力0.4，R.Fパワー25Wで30分間（約5000Å）ａ
−Si；Ｈ，Ｃ，Ｂ膜を成膜する。 R.FパワーをOFFにした後B2H6ガスを切り、
SiH473SCCM，CH4／SiH4流量比300％にした
後、圧力0.4torrでR.Fパワー25Wで約10分間
500Åａ−Si；Ｈ，Ｃ膜を成膜した。 それぞれの膜の特性は先に小片プレート成膜し
たサンプルの測定によつて判明しており、下記の
表の通りである。
【表】
上記の条件で作成された３層構成感光体にの
直流コロナ帯電を行なつたところ、第１層ρD＝
1013Ωcm，18μｍの耐圧のために600Vの表面電
位を得かつ、タングステン光10luxの照射に対し
て半減露光で0.7l.sの高感度を示した。 さらにはモノクロメーターを用いて分光感度を
測定したところ700nmまで光感度を示し、赤外ま
で感度があることが判明した。 (a) 第１層のａ−Si；Ｈ，Ｃ膜２は作成条件から
ρD＝1013以上有りρpｈの方は種々の実験結果さ
ら第２層の高感度層がる場合には109Ωcm程度
の抵抗であつても全体層で5l.s程度の半減露光
感度が得られることがわかつた。 (b) また第２層のａ−Si；Ｈ，Ｃ，Ｂ膜３はρDが
109Ωcm以上ないと光照射時に発生したキヤリ
アが横方向に広がつてしまい、文字のボケが生
ずることがわかつている。また、感光体の層全
体で1.0〜5.0l.sの高感度を得るためにはρpｈは
107Ωcm以下でなければならない。分光波長が
少なくとも650nmまであるためにはEgoptが
2.0eV以下でなければならないことも判明して
いる。 (c) 第３層のａ−Si；Ｈ，Ｃ膜４は第２層のρDが
小さいため帯電電荷を保持するための層である
が、そのためにρDは少なくとも1013Ωcm以上必
要である。また、照射した光が第２層にまで入
りこむため、透明に近くなければならずそのた
めEgoptは少なくとも2.5eV以上必要である。 (d) 第１層のａ−Si；Ｈ，Ｃ膜の膜厚は、少なく
とも＋500V以上の表面電位を得るためには5μ
ｍ以上必要であるが、第２層で発生したキヤリ
アが速やかに基板側へ走行するためには80μｍ
以下が適当である。 (e) 第２層のａ−Si；Ｈ，Ｃ，Ｂ膜の膜厚は、多
くのキヤリアをくり返し発生するためには50Å
以上は必要である。しかし膜厚があまり厚くな
るとρDが109Ωcmと小さいため光照射時に発生
したキヤリアが第２層を走行中に横方向へ広が
つてしまうので10000Å以下が望ましい。 (f) 第３層のａ−Si；Ｈ，Ｃ膜の膜厚は表面電位
を保持するために最低200Å必要であるが、
2000Å以上の厚さになると、光照射時の残留電
位の上昇及び光感度を悪くしてしまう。 〔発明の効果〕 本発明は、以上説明したように、高感度で広い
分光吸収を示し、カラー原稿に対しても良好な画
質形成が可能となるといつた効果を奏する。
直流コロナ帯電を行なつたところ、第１層ρD＝
1013Ωcm，18μｍの耐圧のために600Vの表面電
位を得かつ、タングステン光10luxの照射に対し
て半減露光で0.7l.sの高感度を示した。 さらにはモノクロメーターを用いて分光感度を
測定したところ700nmまで光感度を示し、赤外ま
で感度があることが判明した。 (a) 第１層のａ−Si；Ｈ，Ｃ膜２は作成条件から
ρD＝1013以上有りρpｈの方は種々の実験結果さ
ら第２層の高感度層がる場合には109Ωcm程度
の抵抗であつても全体層で5l.s程度の半減露光
感度が得られることがわかつた。 (b) また第２層のａ−Si；Ｈ，Ｃ，Ｂ膜３はρDが
109Ωcm以上ないと光照射時に発生したキヤリ
アが横方向に広がつてしまい、文字のボケが生
ずることがわかつている。また、感光体の層全
体で1.0〜5.0l.sの高感度を得るためにはρpｈは
107Ωcm以下でなければならない。分光波長が
少なくとも650nmまであるためにはEgoptが
2.0eV以下でなければならないことも判明して
いる。 (c) 第３層のａ−Si；Ｈ，Ｃ膜４は第２層のρDが
小さいため帯電電荷を保持するための層である
が、そのためにρDは少なくとも1013Ωcm以上必
要である。また、照射した光が第２層にまで入
りこむため、透明に近くなければならずそのた
めEgoptは少なくとも2.5eV以上必要である。 (d) 第１層のａ−Si；Ｈ，Ｃ膜の膜厚は、少なく
とも＋500V以上の表面電位を得るためには5μ
ｍ以上必要であるが、第２層で発生したキヤリ
アが速やかに基板側へ走行するためには80μｍ
以下が適当である。 (e) 第２層のａ−Si；Ｈ，Ｃ，Ｂ膜の膜厚は、多
くのキヤリアをくり返し発生するためには50Å
以上は必要である。しかし膜厚があまり厚くな
るとρDが109Ωcmと小さいため光照射時に発生
したキヤリアが第２層を走行中に横方向へ広が
つてしまうので10000Å以下が望ましい。 (f) 第３層のａ−Si；Ｈ，Ｃ膜の膜厚は表面電位
を保持するために最低200Å必要であるが、
2000Å以上の厚さになると、光照射時の残留電
位の上昇及び光感度を悪くしてしまう。 〔発明の効果〕 本発明は、以上説明したように、高感度で広い
分光吸収を示し、カラー原稿に対しても良好な画
質形成が可能となるといつた効果を奏する。
図面は本発明の一実施例を示す概略的縦断側面
図である。 １……導電性基板、２……第１のアモルフア
ス・シリコンＨ，Ｃ膜、３……第２のアモルフア
ス・シリコンＨ，Ｃ，Ｂ膜、４……第３のアモル
フアス・シリコンＨ，Ｃ膜。
図である。 １……導電性基板、２……第１のアモルフア
ス・シリコンＨ，Ｃ膜、３……第２のアモルフア
ス・シリコンＨ，Ｃ，Ｂ膜、４……第３のアモル
フアス・シリコンＨ，Ｃ膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 導電性基板上に、第１層として水素および炭
素を含むアモルフアス・シリコン膜、第２層とし
て暗抵抗が109Ωcm以上で光抵抗が107Ωcm以下の
水素、炭素およびホウ素を含むとともにSiH4ガ
ス、CH4／SiH4流量比100％以上のCH4ガス、お
よびB2H6／SiH4流量比10-2〜10-3のB2H6ガスの
混合ガスによるプラズマ状態下で成膜されたアモ
ルフアス・シリコン膜および第３層として暗抵抗
が1013Ωcm以上の水素および炭素を含むアモルフ
アス・シリコン膜を順次積層したことを特徴とす
る電子写真感光体。 ２ 第１層としてのアモルフアス・シリコン膜が
具体的にはCH4ガスとCH4／SiH4流量比100％以
上のCH4ガスとの混合ガスを用いて高周波電力
200W以上のＣ−Ｈ結合の多いプラズマ状態下で
成膜されたことを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の電子写真感光体。 ３ 第３層としてのアモルフアス・シリコン膜が
具体的にはSiH4ガスとCH4／SiH4流量比100％以
上のCH4ガスとの混合ガスを用いて高周波電力
50W以下のＣ−Ｈラジカルの少ないプラズマ状態
下で成膜されたことを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の電子写真感光体。 ４ 第１層としてのアモルフアス・シリコン膜の
膜厚が5μｍ以上80μｍ以下であることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項または第２項記載の電子
写真感光体。 ５ 第２層としてのアモルフアス・シリコン膜の
膜厚が50Å〜10000Åであることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の電子写真感光体。 ６ 第３層としてのアモルフアス・シリコン膜の
膜厚が200Å〜2000Åであることを特徴とする特
許請求の範囲第１項または第３項記載の電子写真
感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19710182A JPS5987461A (ja) | 1982-11-10 | 1982-11-10 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19710182A JPS5987461A (ja) | 1982-11-10 | 1982-11-10 | 電子写真感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5987461A JPS5987461A (ja) | 1984-05-21 |
| JPH0458016B2 true JPH0458016B2 (ja) | 1992-09-16 |
Family
ID=16368737
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19710182A Granted JPS5987461A (ja) | 1982-11-10 | 1982-11-10 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5987461A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5664346A (en) * | 1979-10-30 | 1981-06-01 | Fuji Photo Film Co Ltd | Electrophotographic receptor and its preparation |
| JPS5717952A (en) * | 1980-07-09 | 1982-01-29 | Oki Electric Ind Co Ltd | Electrophotographic receptor |
| JPS58194732A (ja) * | 1982-05-06 | 1983-11-12 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | アモルフアス炭化シリコン層の形成方法 |
| JPS5967545A (ja) * | 1982-10-11 | 1984-04-17 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 記録体 |
-
1982
- 1982-11-10 JP JP19710182A patent/JPS5987461A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5664346A (en) * | 1979-10-30 | 1981-06-01 | Fuji Photo Film Co Ltd | Electrophotographic receptor and its preparation |
| JPS5717952A (en) * | 1980-07-09 | 1982-01-29 | Oki Electric Ind Co Ltd | Electrophotographic receptor |
| JPS58194732A (ja) * | 1982-05-06 | 1983-11-12 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | アモルフアス炭化シリコン層の形成方法 |
| JPS5967545A (ja) * | 1982-10-11 | 1984-04-17 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 記録体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5987461A (ja) | 1984-05-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0094224B1 (en) | A photoreceptor | |
| JPH0792611B2 (ja) | 無定形ケイ素および酸化ケイ素からなる不均質電子写真像形成部材 | |
| JPH0458016B2 (ja) | ||
| JPS6183544A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPH0546539B2 (ja) | ||
| JPH0233148B2 (ja) | ||
| JPH0233144B2 (ja) | Denshishashinkankotai | |
| JPH0789232B2 (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPH0234020B2 (ja) | Denshishashinkankotai | |
| JPS62211660A (ja) | 感光体 | |
| JPH0234019B2 (ja) | Denshishashinkankotai | |
| JPS6059364A (ja) | 非晶質半導体装置 | |
| JPS6228763A (ja) | 感光体 | |
| JPS6122351A (ja) | アモルフアスシリコン感光体 | |
| JPS62198865A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS61289357A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPH0356635B2 (ja) | ||
| JPS6228761A (ja) | 感光体 | |
| JPH0256662B2 (ja) | ||
| JPH01185640A (ja) | 感光体 | |
| JPH0262860B2 (ja) | ||
| JPS6228747A (ja) | 感光体 | |
| JPH0256663B2 (ja) | ||
| JPS61223752A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPS627059A (ja) | 感光体 |