JPH028857A - 電子写真感光体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、電子写真法をもちいて画像形成を行う画像形
成装置に使用される電子写真感光体に関し、特に半導体
レーザーを光源とするレーザープリンター等の感光体と
して利用される電子写真用感光体に関する。

〈従来技術〉 最近、半導体レーザーを光源とするレーザープリンター
等の感光体として、ゲルマニウムを含むアモルファス・
シリコン（ａ−３ｉＧｅと称ス）層を光導電層とする感
光体あるいはアモルファス・シリコン（ａ−３ｉと称す
）とａ−３ｉＧｅとを積層する層を光導電とする感光体
が、以下に示す利点によりその実用化が望まれている。

■　長寿命である。

■　人体に対して無害である。

■　長波長に対して高感度である。

この際、特開昭５８−１７１０５４号公報ではａ−Ｓｉ
Ｇｅ層及びａ−８ｉ層のいづれも、その膜中Ｈｌは厳に
ｌＯ〜４０　ａｔｃｍｉｃ％であるものと限定され、プ
ラズマＣＶＤ法（Ｐ−ＣＶＤ法）・スパッター法により
作成されていた。

現在実用化されている半導体レーザーにて高い出力が安
定して得られる最長発振波長は７８０〜８３０　ｎ−ｍ
である。ところが、この波長領域においてＧｅ原子を含
まないａ−８ｉ感光体は充分な感度を有せず半導体レー
ザーを光源とするレーザープリンター等の感光体として
使用しようとするならば、何等かの対策が必要であった
。これに答えてＨを１０〜４０　ａｔｏｍｉｃ％含有す
るａ−３ｉ感光体にＧｅ原子を添加しくａ−３ｉＧｅ）
長波長感度を向上させようという考えが特開昭６０−１
５６４３号公報で報告されている。

〈発明が解決しようとする問題点〉 しかし、この従来のＨを１０〜４０　ａｔｏｍｉｃ％含
有するａ−８ｉＧｅ膜は光学的バンド・ギャップを小さ
くするることはできるものの、その膜中Ｈｆｆｉを１０
〜４　Ｑ　ａｔｏｍｉｃ％と厳に限定されていたため、
膜の暗比抵抗が小さくなってしまい帯電保持能力に著し
く劣り、そのうえ充分な光感度も得ることはできなっか
た。

また従来の製造法では製膜速度およびガス利用効率が小
さく、特にａ−３ｉＧｅ層を作成する際に原料ガスとし
てＧｅＨ４・ＧｅｔＨａ等の高価なガスを使用した場合
はコストの非常に高い感光体となってしまっていた。　
しかも、従来の製造法では、製膜速度を上げようとする
とどうしても（Ｓ　ｉ　Ｈ，）。（ただしｎは１以上の
整数）を主とするポリマー粉が発生してしまい、これが
製膜中に感光体の基板に付着し正常な膜成長を妨げ、そ
の感光体を不良品としてしまい、この点からしてもコス
トの非常に高い感光体となってしまっていた。

つまり、従来のプラズマＣＶＤ法・スパッター法により
作成された膜中Ｈｆｆｔを１０〜４０　ａｔｏｍｉｃ％
と厳に限定されていたａ−３ｉＧｅ層あるいは、同じく
膜中Ｆ−１１１を１０〜４０　ａｔｏｔａｉｃ％とした
ａ−５ｉ層との積層された層を光導電層とした電子写真
感光体は電気的特性上の問題・コスト上の問題により実
用化には程遠いものであった。

く問題を解決するための手段〉 本発明の電子写真感光体は、Ｈ及び／又はハロゲンを４
０　ａｔｏｍｉｃ％以上含むａ−８ｉＧｅ層と、Ｈ及び
／又はハロゲンを４　Ｑ　ａｔｏｍｉｃ％以上含むａ−
３ｉｎとの積層されたことを特徴とする。又、そのａ−
３ｉＧｅをエレクトロン・サイクロトロン・レゾナンス
法により作成している。

〈作　用〉 本発明の感光体によればＨ及び又はハロゲンを４０　ａ
ｔｏｍｉｃ％以上含有させることにより、ａ　−３ｉＧ
ｅ層は長波長（７８０〜８３０ｎｍ）ｉ：対して充分な
光感度を有する。また、Ｈ及び／又はハロゲンを４０　
ａｔｏｍｉｃ％以上含むａ−Ｓｉはボロンをドープしな
いにもかかわらす１０’″Ωｃｍと非常に高い比抵抗を
示し、かつ、充分な光感度を有することから分かる通り
、励起された電荷を電界の存在の下輸送する能力も充分
に有するものである。

そこで、主に電荷発生の役目を果たす層としてこのＨ及
び又はハロゲンを４０　ａｔｏｍｉｃ％以上含むａ−３
ｉＧｅを用い、また、主に電荷輸送・電荷保持の役目を
果たす層としてこのＨ及び／又はハＣｆｆゲンを４Ｑａ
ｔｏｍｉｃ％以上含むａ−３ｉを用いることにより、長
波長に対して充分な感度を有し、かつ、・帯電保持能力
にも優れたレーザー・プリンタ用の感光体を創出できる
。

しかも、これをエレクトロン・サイクロトロン・レゾナ
ンス法により作成することにより良品率、及び、製膜速
度を高くすることができコストの低減を達成できる。

〈実施例〉 第１図は本発明の電子写真感光体の層構造を示す断面図
である。

Ａ１等からなる導電性支持体１上に、支持体側からの電
荷の注入を阻止するための中間層２、ａ−３ｉ層３とａ
−３ｉＧｅ層４を積層した光導電層５、表面被覆層６を
順次積層したものを電子写真感光体とする。ただし、中
間層２と表面被覆層６は必要に応じて設ければ良く、特
に設ける必要はない。

第２図はエレクトロン・サイクロトロン・レゾナンス法
によりａ−３ｉＧｅ膜を作成する製膜装置を示す。

装膜装置において、プラズマ室１１には空胴共振器構成
となっており、マイクロ波電源２０より発生した２、４
５０ｏｚのマイクロ波を導波管１４を通して導入される
。尚、マイクロ波導入窓１５はマイクロ波が通過できる
石英ガラスでできている。プラズマ室１１には導入管１
７よりＨ３が導入される。また、このプラズマ室１１の
回りには磁気コイル１６が設置されており、ここで発生
したプラズマを引き出すための発散磁場が印加されてい
る。堆積室１２にはＡＩ等よりなる導電性基板１８が設
置されており、この実施例の場合はドラム状であるため
支持体に支持され回転される。

堆積室１２には原料ガスとして例えば５ＩＨ４・Ｓｉ、
ＨＩｌ−８ｉＦ４・Ｓ　ｉ　Ｃ１４・５ｉＨＣ１，・Ｓ
ｉＨ，ＣＩ、などＨあるいはハロゲンを含むケイ素化合
物、　Ｇｅ１−Ｉｔ”ＧｅＦ＊−ＧｅＣ１４Ｇ　ｅ　Ｆ
　２　　・ＧｅＣＩｔなどＨあるいはノ＼ロゲンを含む
ゲルマ化合物を混合して導入する。まず、フ。

ラズマ室１１・堆積室１２が排気され、それぞれの室に
導入管１７より１１１．導入管１９より原料ガスが導入
される。この時のガス圧はｌ　Ｏ−’ｔｏｒｒ〜１０−
’　ｔｏｒｒに設定される。ここで、プラズマ室１１に
マイクロ波を導入するとともに、磁界をも印加しプラズ
マを励起する。プラズマ化された１（、および原料ガス
は発散磁場により導電性基板１８へと導かれａ−３ｉＧ
ｅが堆積することとなる。支持体は回転されるため均一
に製膜される。

さらにプラズマ引き出し窓１３の位置や大きさを調整す
ることにより膜の均一性を向上することが可能である。

以上のような構成の製膜装置にて、原料ガスとしてＳｉ
Ｈ，ガスとＧｅＨ，ガスを混合して製膜実験を行った。

この時の製膜条件は、原料ガス流量がＳ　ｉＨ，＋Ｇｅ
Ｈ，＝１２Ｑ　ｓｃｃｍ、Ｓ　ｉＨ。

／　（Ｓ　ｉＨ４＋Ｇ　ｅ　Ｈ４）　＝０．　８８．マ
イクロ波パワーが２，５ｋｗとし、ガス圧を２．５〜５
．０ｍＴｏｒｒの間で変化させて、ＡＩ基板上にａ−３
ｉＧｅ層を積層した。また基板加熱は施していない。

このようにして形成したａ−３ｉＧｅ膜の、膜中Ｈｆｆ
ｌ・８３０ｎｍの半導体レーザーを光源としたときの明
導電率（ημτ）・暗比抵抗率（ρｄ）のガス圧依存特
性を第４図、第５図及び第６図にそれぞれを示した。尚
、この時の膜中Ｇｅ含有率は、すべての膜ともＳｉ原子
に対して４５〜６１ａｔｏｍｉｃ％の範囲に含まれてい
た。

上述のように各図面に示されたとおり、Ｈｆｆｉを４０
　ａｔｏｍｉｃ％以上にすることにより、初めて暗比抵
抗が１０日Ωｃｍ以上となり、しかも明導電率が高い（
光感度が高い）ａ−３ｉＧｅ膜が作成出来た。このよう
に暗比抵抗が１０”０ｃｍ以上となり、しかも明導電率
が高い（光感度が高い）ａ−３ｉＧｅ膜は、従来の膜中
Ｈｆ１ｌが４０　ａｔｏｍｉｃ％以下のａ−３ｉＧｅ膜
では達成することが出来なかった。ただし、Ｈｆｆｉを
６５　ａｔｏｍｉｃ％以上とすると光学的バンドギャグ
が再び上昇し、Ｇｅ添加による減少効果を打ち消してし
まい長波長感度も劣化してしまった。つまり、膜中Ｈｆ
ｉは通常は４０〜６５　ａｔｏｍｉｃ％であって、最も
好ましくは４０〜５５　ａｔｏｍｉｃ％という値である
。

次に、膜中１１ｆｆｌを４３〜４８　ａｔｏｍｉｃ％の
範囲に規定してガス原料比を変化させて膜中Ｇｅｆｉを
変化させたところＳｉ原子に対して５　、　３　ａｔｏ
ｍｉｃ％以下では光学的バンド・ギャップの減少効果は
殆ど見られず長波長感度も改善することは出来なかった
。　一方、膜中Ｇｅｆｉが、Ｓｉ原子に対してｌ　５０
　ａｔｏｍｉｃ％以上となると光学的バンド・ギャップ
は減少するものの暗比抵抗が小さくなり過ぎ電子写真感
光体の電荷輸送機能をも有する光導電層としてはもとよ
り電荷発生層としてさえも適さない事が判明した。つま
り、膜中Ｇｅｌとしては通常はＳｉ原子に対して５．３
〜１５０ａｔｏｍｉｃ％、好ましくは１８〜８２　ａｔ
ｏｍｉｃ％、最も好ましくは４３〜６７　ａｔｏｍｉｃ
％という値である。

また、暗比抵抗がｉｏ”Ωｃｍ以上となり、しかも明導
電率が高い膜が作成できた。それにガス圧（２，５〜３
．　５ｍｔｏｒｒ）にて、製膜速度も約０５μｍ／ｍｉ
ｎと他のガス圧に比べて高く、従来法に比べても５〜６
倍という高い値を達成出来た。

つまり、本発明では高い製膜速度が得られる条件にて電
気的特性も向上するという従来法では一般に見られない
利点が存在する。

また、本発明では、（ＳｉＨ，）ｎを主としたポリマー
扮は全く発生せず良品率を高く出来、この点も従来法に
は見られない利点として挙げられる。

本発明では原料ガスとしてハロゲンを含むケイ素化合物
あるいはゲルマニウム化合物か導入される場合には膜中
Ｈｆｆｉ及びハロゲン量の合計が通常は４０〜６５　ａ
ｔｏｍｉｃ％、最も好ましくは４０〜５５　ａｔｏｍｉ
ｃ％という値であることは言うまでもない。

次に、エレクトロン・サイクロトロンｅレゾナンス法に
よりａ−３ｉ膜を作成した場合を示す。

この時の製膜装置は、先のａ−３ｉＧｅ膜を作成したと
きと全く同じである。

堆積室１２には原料ガスとして例えばＳｉＨ，・Ｓｉ、
Ｈ，・５ｉＦａ・５ｉＣ１４・Ｓ　ｒ　ＨＣＩ　ｓ・５
ｉＨ２Ｃ！ｔなどＨあるいはハロゲンを含むケイ素化合
物あるいは、それらを混合して導入する。

まず、プラズマ室１１・堆積室１２が排気され、それぞ
れの室にＨ量、原料ガスが導入される。この時のガス圧
はｌ　０−３ｔｏｒｒ〜ｌ　Ｑ　−’ｔｏｒｒに設定さ
れる。このようにして、原料ガスとして５ｉＨａガスを
用いガス圧を振って製膜実験を行った。尚、この時基板
には加熱は施されていない。このａ−３ｉ膜の、膜中Ｈ
量・Ｈｅ−Ｎｅレーザー（６３２，８ｎｍ）を光源とし
た際の明導電率（ｒ／μτ）・暗比抵抗率（ρｄ）のガ
ス圧依存特性を第７図、第８図及び第９図にそれぞれ示
す。

これらに示されたとおり、Ｈｊｌを４　Ｑ　ａｔｏｍｉ
ｃ％以上にすることにより、ボロンをドープすることな
しにもかかわらず初めて暗比抵抗が１０”Ωｃｍ以上と
なり、しかも明導電率が高い（光感度が高い）ａ−Ｓｉ
膜が作成出来た。このように暗比抵抗が１０１！Ωｃｍ
以上となり、しかも明導電率が高い（光感度が高い）　
ａ−３ｉ膜は、従来の膜中Ｈｆｉが４　Ｑ　ａｔｏｍｉ
ｃ％以下のａ−Ｓｉ膜では達成することが出来なかった
。Ｈ量を４　Ｑ　ａｔｏｍｉｃ％以上にすることにより
このように特性の優れたａ−ＳｉｌｌＩを作製出来た理
由としては充分なＩ］を膜中に含くませることによりＳ
ｉ原子のダングリグ・ボンドを減少さすことが出来たこ
と、あるいは、光学的バンドギャップをやや大きくする
ことにより熱励起キャリヤーを減少さすことが可能にな
ったためと考えられる。

本発明では、エレクトロン・サイクロトロン・レゾナン
ス法によってａ−３ｉ膜を作成することによりａ−３ｉ
Ｇｅ膜作成時と同様に（ｓ　Ｉ　Ｈｚ）ｎなる粉は全く
発生しなりかた。しかも、この時、製膜速度・ガス利用
効率ともガス圧に大きく依存し、ガス圧を選ぶことによ
り従来法に比べて６〜ＩＯ倍とかなり高い値を得た。更
に好ましいことにはＨｆｆｉを４０　ａｔｏｍｉｃ％以
上にするガス圧、つまり、暗比抵抗が１０”Ωｃｍ以上
となり、しかも明導電率が高い（光感度が高い）ａ−３
ｉ膜を作製することが出来るガス圧（２〜３　、５　ｍ
ｔｏｒｒ）において製膜速度・ガス利用効率とも高い値
を示す事が判明した。これに対して従来法により作製さ
れたＨを４０　ａｔｏｍｉｃ％以下含有するａ−３ｉ膜
では一般に製膜速度が大きくなる領域においては光感度
が劣化してしまうという傾向があった。

この点からしても従来法にない本発明の優位な点が存在
することが判明した。

原料ガスとしてハロゲンを含むケイ素化合物が導入され
る場合には膜中Ｈｆｆｉ及びハロゲン量の合計が４０　
ａｔｏｍｉｃ％以上である必要があることは言うまでも
ない。更に鋭意実験を重ねた結果、膜中のＨｆｆｉ及び
／又はハロゲン量を６５　ａｔｏｍｉｃ％以上にすると
ａ−３ｉＧｅ膜との電気的及び機械的ミスマツチが発生
し残留電位の上昇を招いてしまい実用上の問題となる事
が確かめられた。つまり、膜中のＨｆｆｉ及び／又はハ
ロゲン量は好適には４０〜６５　ａｔｏＩｌｉｃ％、最
も好ましくは４０〜５５ａｔｏｍｉｃ％という値である
。

次に、この本発明に開示された膜中Ｈｆｉ及び／または
ハロゲン量を４０　ａｔｏｍｉｃ％以上含有するａ−３
ｉＧｅと同じく本発明に開示された膜中Ｈ量及び／また
はハロゲン量を４０　ａｔｏｍｉｃ％以上含有するａ−
３ｉが積層された層を電子写真感光体の光導電層として
用いた実施例を示す。尚、ここでは、ａ−３ｉＧｅを主
に電荷発生機能を果たす層として、また、ａ−３ｉを主
に電荷保持機能・電荷輸送機能を果たす層としてとらえ
ることができる。

（実施例１） Ａ１からなる導電性基板上に、ボロンが多量にドープさ
れたａ−Ｓｉからなる層厚２５μの中間層、Ｈ含有量が
４８　ａｔｏｍｉｃ％で少量のボロンがドープされた層
厚２５μｍのａ−３ｉ層とＧｅ原子含有ｆｆ１（Ｇｅ／
Ｓｉ値）が５４　ａｔｏｍｉｃ％でありＨｌを４６　ａ
ｔｏＩＩｌｉｃ％含有し少量のボロンがドープされた層
厚が５μｍのａ−３ｉＧｅ層とからなる光導電層、ａ−
３ｉＣ膜からなる層厚０．３μｍの表面被覆層とを順次
積層して正帯電用電子写真感光体を作成した。このとき
の作成条件を表１にまとめておく。ボロンをドープする
ためのガスとしては、Ｂ、Ｈ，・ＢＣＩ、・ＢＨ，など
ボロンとＨあるいはハロゲンとの化合物が好ましい。

また、ボロンと同じ働きをもった原子としては例えばア
ルミニウム・ガリニウム・インジュウムなどが適してい
る。

表　　ま ただし、中間層、ａ−３ｉ層、ａ−３ｉＧｅ層のＢ、Ｈ
，はそれぞれＨ，中３０００．３０．３０　ｐｐｍに希
釈されている。

このとき（Ｓ＋Ｈ＊）ｎを主としたポリマー粉は全く発
生せず、しかも、製膜速度・ガス利用効率とも従来法に
比べて６〜１０倍とかなり高い値を得た。更に作成され
た感光体の特性を測定したところ、特に帯電特性に優れ
ていた。また、これを市販の正帯電用レーザー・プリン
ターに搭載し画出しを行ったところ良好な画を得た。

尚、表面被覆層としてエレクトロン・サイクロトロン・
レゾナンス法により作成されたａ−３ｉＮ膜あるいはａ
−３ｉＯ膜を用いた場合でも良好な結果が得られている
。

（実施例２） 光導電層を構成するａ−３ｉＧｅ層及びａ−Ｓｉ層それ
ぞれの作成時のガス圧を２．４〜４．８ｍＴｏｒｒ及び
２．８〜５．０ｍＴｏｒｒに変化させ、その他の条件は
全〈実施例１と同じにした場合のそれぞれの結果を表２
に示す。ここに示されたとおり、ガス圧を選びａ−３ｉ
Ｇｅ層及びａ−８ｉ層ともＨｆｆｉを４０　ａｔｏｍｉ
ｃ％以上含んだとき良好な結果を得ている。　尚、この
時のａ−ＳｉＧｅ層中のＧｅ原子含有１（Ｇｅ／Ｓｉ値
）は、いずれの場合とも４５〜６１　　ａｔｏｍｉｃ％
の範囲に含まれている。

また、各層の膜厚は、実施例１と全く同一としである。

表　　　２ 上段：帯電特性、下段：画像特性 ◎−Ｏ−△−× 良い　　　　　　　　　　悪い （実施例３） 光導電層及び中間層のドーピングガスＢ、Ｈ，の代わり
にＰ型不純物であるリンをドープするためＰＨ，を使用
した以外は実施例１と同じ条件にて感光体を作成し、負
帯電用レーザー・プリンターに搭載し画出しを行った所
良好な画を得た。

ただし、このときのＰＨ，ガスの流量は、中間層、ａ−
３ｉ層、ａ−３ｉＧｅ層の製膜のときそれぞれ、１０．
　　Ｉ、　　１２　ｓｃｃｍである。リンをドープする
ためのガスとしてはＰＨ，・ＰＣｌ、・Ｐｃｔ、などリ
ンとＨあるいはハロゲンとの化合物が適している。また
、リンと同じ働きをもった原子としてはしては窒素・ア
ンチモン・酸素などが適している。

このとき（ＳｉＨ２）ｎを主としたポリマー粉は全く発
生せず、しかも、製膜速度・ガス利用効率とも従来法に
比べてかなり高い値を得た。更に作成された感光体の特
性を測定したところ、特に帯電特性に優れていた。

（実施例４） 実施例１にて示した光導電層のうちａ−３ｉＧｅ層の作
成時にＧｅＨ４ガス流量をＯ〜１５ｓｅｃｍに連続的に
増加させ、ａ−ＳｉＧｅ層の表面層側にＧｅ含有量が多
く含まれる様に作成した。このように作成された感光体
の特性を測定したところ特に残留電位の少ない良好なの
特性を有することが’Ｉ’ｌ＋明した。また、この感光
体を正帯電用レーザー・プリンターに搭載して画出しを
行ったところ、良好な結果を得た。なお、この感光体に
てＧｅを含む層はその全域においてＨを４　Ｑ　ａｔｏ
ｍｉｃ％以上含んでいることは言うまでもない。　尚、
ａＳ　ｉＧｅ層でのＧｅ原子の分布は、第３図に示され
た通り数多くあり、どれも残留電位の低下効果のあるこ
とが確かめられた。ただし、図中ＴＯはａ−ｓｉ層との
境界面、ＴＩは表面被覆層との境界面を０表している。

また、Ｇｍａｘ％Ｇｍ１ｎはＳ１原子に対するＧｅの含
有量の比の最大値、最小値をそれぞれ示している。これ
らの総てに共通していることは、Ｇｅ原子が連続的に分
布しており、しかも、表面層側に多く分布していること
である。本発明の様にその膜中にＨを４０　ａｔｏｍｉ
ｃ％以上含み光学的バンド・ギャップを大きくしたａ−
３ｉ層と光学的バンド・ギャップを小さくしたａ−３ｉ
Ｇｅ層とを積層する場合、上記ａ−Ｓｉ層と上記ａ−３
ｉＧｅ層との電気的及び機械的ミスマツチを緩和するの
にＧｅの分布が公知技術にてｔ旨摘する以上の効果が有
った。

く効　　果〉 本発明の感光体によれば、Ｈ及び／又はハロゲンを４０
　ａｔｏｍｉｃ％以上含むａ−３ｉＧｅ層と、Ｉ］及び
／又はハロゲンを４０　ａｔｏｍｉｃ％以上含むａ−３
ｉ層との積層された層を感光体の光導電層として用いる
。本発明に開示されたＨ及び又はハロゲンを４０　ａｔ
ｏｍｉｃ％以上含むａ−３ｉＧｅは長波長く７８０〜８
３０ｎｍ）に対して充分な光感度を有する。同じく本発
明に開示された１１及び／又はハロゲンを４０　ａｔｏ
ｍｉｃ％以上含むａ−３ｉはボロンをドープなしにもか
かわらず１０”Ωｃｍと非常に高い比抵抗を示し、かつ
、充分な光感度を有することから分かる通り、励起され
た電荷を電界の存在の下輸送する能力も充分に有するも
のである。

そこで、主に電荷発生の役目を果たす層としてこのＨ及
び又はハロゲンを４　Ｑ　ａｔｏｍｉｃ％以上含むａ−
３ｉＧｅを用い、また、主に電荷輸送・電荷保持の役目
を果たす層としてこのＨ及び／又はハロゲンを４０　ａ
ｔｏｍｉｃ％以上含むａ−３〕を用いることにより、長
波長に対して充分な感度を有し、かつ、帯電保持能力に
も優れたレーザー・プリンタ用の感光体を創出できる。

また、このａ−３ｉＧｅ膜及びａ−”Ｓ　ｉ膜をエレク
トロン−サイクロトロン・レゾナンス法により作成する
ことにより（ＳｉＨ，）ｎを主としたポリマー粉は全く
発生せず、しかも、製膜速度・ガス利用効率とも従来法
に比べてがなり高い値を得、その結果安価なレーザー・
プリンター用の電子写真感光体を作成できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明にかかる電子写真感光体の構造を示す断
面図、第２図は本発明のａ−８ｉ層、ａＳｉＧｅｉを作
成するエレクトロン・サイクロトロン・レゾナンス法に
よる製膜装置を示す断面図、第３図は本発明の電子写真
感光体の光導電層を構成する１つの層であるａ−５ｉＧ
ｅ層のＧｅ原子の含有分布を示す図、第４乃至９図はａ
−３ｉＧｅ層及びａ−３ｉ層のＨ含有量、明導電率、導
電率のガス圧依存特性を示す特性図である。 １；導電性支持体　２；中間層 ３；ａ−３ｉ層　４：ａ−３ｉＧｅ層 ５；光導電層　６；表面被覆層 代理人　弁理士　杉山毅至（他１名） 暗 は喝〆 第３ω 第１已

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、導電性基体と、光導電層とを具備する電子写真感光
   体において、上記光導電層が４０ａｔｏｍｉｃ％以上の
   水素及び／又はハロゲンを含むアモルファス・シリコン
   ゲルマニウム（ａ−Ｓｉ＿（＿１＿−＿Ｘ＿−＿Ｙ＿−
   ＿Ｚ＿）Ｇｅ＿ＸＨ＿ＹＸ＿Ｚ、ただしＸ：ハロゲン）
   と４０ａｔｏｍｉｃ％以上の水素及び／又はハロゲンを
   含むアモルファス・シリコンを積層したものから成るか
   らなる事を特徴とする電子写真感光体。 ２、上記アモルファス・シリコンゲルマニウム層及び上
   記アモルファス・シリコン層共エレクトロン・サイクロ
   トロン・レゾナンス法により作成された事を特徴とする
   特許請求範囲第１項記載の電子写真感光体。