JPS632067A - 電子写真用光受容部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する技術分野〕 本発明は光（ここでは広義の光であって紫外線、可視光
線、赤外線、Ｘ線、γ勝などを意味する。）のような電
磁波に対して感受性のある電子写真用光受容部材に関す
る。

〔従来の技術の説明〕

像形成分野において、電子写真用光受容部材における光
受容層を形成する光導電材料としては、高感度で、ＳＮ
比〔充電流（Ｉｐ）／暗電流（Ｉｄ）］が高く、照射す
る電磁波のスペクトル特性に適合した吸収スペクトル特
性を有すること、光応答性が速く、所望の暗抵抗値を有
すること、使用時において人体に対して無公害であるこ
と、等の特性が要求される。殊に、事ｇ機としてオフィ
スで愛用される電子写真装置内に組込まれる電子写真用
光受容部材の場合には、上記の使用時における無公害性
は重要な点である。

このような点に立脚して最近注目されている光導電材料
にアモルファスシリコン（以後Ａ−８ｉと表記す）があ
り、たとえば、独国公開第２７４６９６７号公報、同第
２８５５７１８号公報には電子写真用光受容部材として
の応用が記載されている。

しかしながら、従来のＡ−８ｉで構成された光受容層を
有する電子写真用光受容部材は、暗抵抗値、光感度、光
応答性などの電気的、光学的、光導電的特性および使用
環境特性の点、更には経時的安定性および耐久性の点に
おいて、各々、個々には特注の向上が計られているが、
総合的な特注向上を計る上で更に改良される余地が存す
るのが実情である。

たとえば、電子写真用光受容部材に適用した場合に、高
光感度化、高暗抵抗化を陶時に計ろうとすると従来にお
いてはその使用時において残留電位が残る場合が度々＠
測され、この種の光受容部材は長時間次返し便用し続け
ると、繰返し使用による疲労の讐積が起こって、残像が
生ずる所謂ゴースト現象を発する様になる等の不都合な
点が少なくなかった。

また、Ａ−８ｉ材料で光受容層を構成する場合には、そ
の電気的、光導電的特性の改良を計るために、水素原子
あるいは弗素原子や塩素原子などのハロゲン原子、およ
び電気的伝導型の制御のために硼素原子や燐原子などが
或いはその他の特性改良のために他の原子が、各々構成
原子として光導電層中に含有されるが、これらの構成原
子の含有の仕方如何によっては、形成した層の電気的あ
−るいは光導電的特性や耐圧性に間鴎が生ずる場合があ
った。

即ち、例えば、形成した光導電層中に光照射によって発
生したフォトキャリアの該層中での寿命が充分でないこ
とや、或いは、転写紙に転写された画像に俗に「白ヌケ
」と呼ばれる、局所的な放電破壊現象によると思われる
画像欠陥や、クリーニングにブレードを用いると、その
摺擦によると思われる、俗Ｋｒ白スジ」と云われている
画像欠陥が生じたりしていた。また、多湿雰囲気中で使
用したり、或いは多湿雰囲気中に長時間放置した直後に
使用すると俗に云う画像のボケが生ずる場合が少なくな
かった。

更には、層厚が十数μ以上になると層形成用の真空堆積
室より取り出した後、空気中での放置時間の経過と共に
、支持体表面からの層の浮きや剥離、或いは層に亀裂が
生ずる等の現象を引起し勝ちになる。この現象は、殊に
支持体が通常、電子写真分野に於いて使用されているド
ラム状支持体の場合に多く起る等、経時的安定性の点に
於いて解決されるべき点がある。

従ってＡ−８ｉ材料そのものの特性改良が計られる一方
で光受容部材を設計する際に、上記したような問題の総
てが解決されるように層講成、各層の化学的組成、作成
法などが工夫される必要がある。

〔発明の目的〕

本発明は、上述の如きＡ−８ｉで構成された従来の光受
容層を有する電子写真用光受容部材における諸問題を解
決することを目的とするものである。

即ち、本発明の王たる目的は、電気的、光学的、光導電
的特性が使用環境に殆んど依存することなく実質的に常
時安定しており、耐光疲労に優れ、繰返し使用に際して
も劣化現象を起こさず耐久性、耐湿性に優れ、残留電位
が全くかまたは殆んど観測されない、Ａ−３ｉで構成さ
れた光受容層を有する電子写真用光受容部材を提供する
ことにある。

本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層と支持体
との間や積層される層の各層間における密着性に優れ、
構造配列的に緻密で安定的であり、面品質の高い、Ａ−
３ｉで構成された光受容層を有する電子写真用光受容部
材を提供することにある。

本発明の更に他の目的は、電子写真用光受容部材として
適用させた場合、静電像形成のための帯電処理の際の電
荷保持能力が充分であり、通常の電子写真法が極めて有
効に適用され得る優れた電子写真特性を示す、Ａ−８ｉ
で構成された光受容層を有する電子写真用光受容部材を
提供することにある。

本発明の別の目的は、長期の使用において画像欠陥や画
像のボケが全くなく、濃度が高く、ハーフトーンが鮮明
て出て、且つ解像度の高い高品質画像を得ることが容易
にできる、電子写真用のＡ−８ｉで構成された光受容層
を有する光受容部材を提供することにある。

本発明の更に別の目的は、高光感度性、高ＳＮ比特性お
よび高電気的耐圧性を有する、Ａ−８ｉで構成された光
受容層を有する電子写真用光受容部材を提供することに
ある。

〔発明の構成及び作用の説明〕

本発明は上記の目的を達成するものであって、電子写真
用光受容部材に使用される光受容部材としてのＡ−Ｓｔ
の製品成立性、適用性、応用性等の事項を含めて総括的
に鋭意研死を続けた結果完成したものであり、本発明の
電子写真用光受容部材は、支持体と、該支持体上に、シ
リコン原子を母体とし、伝導性を制御する物質を含有す
る電荷注入阻止層と、シリコン原子を母体とし、水素原
子（Ｈ）およびハロゲン原子（Ｘ）の少なくともいずれ
か一方を含有するアモルファス材料、いわゆる水素化ア
モルファスシリコン、ハロゲ′ン化アモルファスシリコ
ン、あるいはハロゲン含有水素化アモルファスシリコン
〔以下これらの総称的表記としてｒＡ−３ｉ　（Ｈ，Ｘ
）Ｊを使用する〕で構成され光導電性を示す光導電層と
、シリコン原子と炭素原子と水素原子とを構成要素とし
て含む非晶質材料で構成されている表面層とからなる光
受容層とを有し、前記表面層において、水素原子が４１
〜７０％含有されている事を特徴としている。

又、本発明の電子写真用光受容部材は、前記支持体と前
記電荷注入阻止層との間に、長波長光を吸収する長波長
光吸収層を有していてもよく、あるいは更て前記支持体
と該長波長光感光層との間又は前記支持体と前記電荷注
入阻止層との間に窒素原子、酸素原子、炭素原子の少な
くとも１つとシリコン原子と必要に応じて水素原子およ
びハロゲン原子の少なくとも１つとを含有する非晶質材
料で構成された密着層を有していてもよい。

本発明の電子写真用光受容部材において、前記光導電層
には、酸素原子又は／及び窒素原子を含有してもよい。

又、前記電荷注入阻止層は層厚方向に均一に、又は支持
体側に多く分布する分布状態で構成要素として伝導性を
制御する物質を含有する。さらに該電荷注入阻止層は層
厚方向に均一に又は支持体側に多く分布する分布状態で
構成要素として窒素原子、酸素原子及び炭素原子の中か
ら選ばれる少なくとも一種を含有してもよい。又さらに
、前記電荷注入阻止層中の窒素原子、酸素原子又は炭素
原子は支持体側に内在してもよい。

更に、前記長波長光吸収層は、構成要素としてシリコン
原子とゲルマニウム原子と必要に応じて水累原子及びハ
ロゲン原子の少なくとも１つとを含有する非晶質材料、
いわゆる水素化アモルファスシリコンゲルマニウム、ハ
ロゲン化アモルファスシリコンゲ゛ルマニウム、あるい
はハロケン含有水素化アモルファスシリコンゲルマニウ
ム〔以後これらの総称的表記としてｒ　Ａ−３ｉＣｅ（
Ｈ，Ｘ）　Ｊを使用する〕から構成されていることを特
徴とする。

史に又、前記長波長光吸収層は構成要素として窒素原子
、酸素原子、炭素原子及び伝導性を制御する物質の中か
ら選ばれる少なくとも一種を含有してもよい。

上記した様な層構成を取る様にして設計された本発明の
電子写真用光受容部材は、前記した諸問題の総てを解決
し得、極めて優れた電気的、光学的、光導電的特性、耐
圧性及び使用環境特性を示す。

すなわち、電子写真用光受容部材として適用させた場合
には、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電
気的特注が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するも
のであって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が
高く、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い、
高品質の画像を安定して繰返し得ることができる。

更に、本発明の光導電部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、殊に半導体レーザーとのマツチングに優れ、
且つ光応答が速い。

以下、図面に従って本発明の電子写真用光受容部材につ
いて詳細に説明する。

第１（ロ）図乃至第１（Ｄ）図は、本発明の電子写真用
光受容部材の典型的層構成のいくつかを説明するために
模式的に示した模式的構成図であり、図中、１００は光
受容層、ｉｏｉは支持体、１０２は電荷注入阻止層、１
０３は光導′成層、１０４は表面層、１０５は自由表面
、１０６は長波長光吸収層、１０７は密着層を表わす。

第１（３）図は、本発明の電子写真用光受容部材の基本
的層溝成を示すものであり、支持体１ｏ１上に、電荷注
入阻止層１０２、光導電層１０３及び表面層１０４をこ
の順に有するものである。

第１（Ｂ）図に示す電子写真用光受容部材は、支持体１
０１上に、長波長光吸収層１０６、電荷注入阻止層１０
２、光導電層１０３及び表面層１０４をこの順に有する
ものである。

第１（Ｃ）図に示す電子写真用光受容部材は、支持体１
０１上に、密着層１０７、長波長光吸収層１０６、電荷
注入阻止層１０２、光導電層１０３及び表面層１０４を
この順に有するものである。

第１（Ｄ）図に示す電子写真用光受容部材はく支持体１
０１上に、密着層１０７、電荷注入阻止層１０２、光導
電層１０６及び表面層１０４をこの順に有するものであ
る。

以下、本発明の電子写真用光受容部材を構成する各層に
ついて記載する。

支持体 本発明において使用される支持体１０１としては、導電
性でも電気絶縁性であっても良い。導電性支持体として
は、例えば、ＮｉＣｒ、ステンレス、Ａｔ、　ＣｒｌＭ
ｏ５Ａｕ１Ｎｂ、　Ｔａ１Ｖ、　Ｔｉ、ｐｔ、ｐｂ等の
金属またはこれ等の合金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルローズアセテート、ポリプ
ロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ
スチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシー
ト、ガラス、セラミック、紙などが通常使用される。こ
れ等の電気絶縁性支持体は、好適には一少なくともその
一方の表面を導電処理され、該導電処理された表面側に
他の層が設けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｉＣｒ、ｋＬ
、　Ｃｒ、　Ｍｏ、Ａｕ、　工ｒ、　Ｎｂ、　Ｔａ、　
Ｖ、Ｔｉ５Ｐｔ、　Ｐｄ。

工ｎ２０３、ＳｎＯ２、ＩＴＯ（工ｎ２０３＋　５ｎＯ
２）等から成る薄膜を設けることによって導電性が付与
され、或いはポリエステルフィルム等の合成樹脂フィル
ムであれば、ＮｉＣｒ、　ｋＬＳＡｇ、　Ｐｂ、　Ｚｎ
、　Ｎｉ、Ａｕ１Ｃｒ、Ｍｏ、Ｉｒ、　Ｎｂ、　Ｔａ、
　Ｖ、Ｔ１、ｐｔ等の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビー
ム蒸着、スパッタリング等でその表面に設け、又は前記
金属でその表面をラミネート処理して、その表面に導電
性が付与される。支持体の形状としては、円筒状、ベル
ト状、板状等任意の形状とし得、所望によって、その形
状は決定されるが、例えば、連続高速複写の場合には、
無端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。支持体の
厚さは、所望通りの電子写真用光受容部材が形成される
様に適宜決定されるが、電子写真用光受容部材として可
撓性が要求される場合には、支持体としての機能が十分
発揮される範囲内であれば可能な限り薄くされる。しか
しながら、この様な場合、支持体の製造上及び取扱い上
、機械的強度等の点から、通常は１０μ以上とされる。

特にレーザー光などの可干渉性光を用いて像記録を行な
う場合には、可視画像において現われる、所謂、干渉縞
模様による画像不良を解消するために、支持体表面に凹
凸を設けてもよい。

支持体表面に設けられる凹凸は、１字形状の切刃を有す
るバイトをフライス盤、旋盤等の切削加工機械の所定位
置に固定し、例えば円筒状支持体をあらかじめ所望に従
って設計されたプログラムに従って回転させながら規則
的に所定方向に移動させることにより、支持体表面な正
確に切削加工することで所望の凹凸形状、ピッチ、深さ
で形成される。この様な切削加工法によって形成される
凹凸が作り出す逆Ｖ字形線状突起部は、円筒状支持体の
中心軸を中心にした綿線構造を有する。逆■字形突起部
の綿線構造は、二重、三重の多重線線構造、又は交叉綿
線構造とされても差支えない。

或いは、綿線構造に加えて中心軸に沿った連線構造を導
入しても良い。

支持体表面て設けられる凹凸の凸部の縦断面形状は形成
される各層の微小カラム内て於ける層厚の管理された不
均一化と、支持体と該支持体上に直接設けられる層との
間の良好な密着性や所望の電気的接触性を確保する為に
逆■字形とされるが、好ましくは第２０図に示される様
に実質的に二等辺三角形、直角三角形成いは不等辺三角
形とされるのが望ましい。これ等の形状の中殊に二等辺
三角形、直角三角形が望ましい。

本発明に於いては、管理された状態で支持体表面に設け
られる凹凸の各デイメンジョンは、以下の点を考慮した
上で、本発明の目的を結果的て達成出来る様に設定され
る。

即ち、第１は光受容層を構成するＡ−８ｉ　（Ｈ、Ｘ）
層は、層形成される表面の状態に構造敏感であって、表
面状態に応じて層品質は大きく変化する。

従って、Ａ−ｓｉ（Ｈ，ｘ）層の層品質の低下を招来し
ない様に支持体表面に設けられる凹凸のデイメンジョン
を設定する必要がある。

第２には光受容層の自由表面に極端な凹凸があると、画
像形成後のクリーニングに於てクリーニングを完全に行
なうことが出来すくする。

又、ブレードクリーニングを行う場合、ブレードのいた
みが早くなくなるという間須がある。

上記した層堆積上の問題点、電子写真法のプロセス上の
問題点及び、干渉縞模様を防ぐ条件を検討した結果、支
持体表面の凹部ピッチは、好ましくは５００μｍ〜０３
μｍ、より好ましくは２００μｍ〜１μｍ、最適には５
０μｍ〜５μｍであるのが望ましい。

また、凹部の最大の深さは、好ましくは０．１μｍ〜５
μｍ、より好ましくは０．３μｍ〜３μｍ、最適には０
．６μｍ〜２μｍとされるのが望ましい。支持体表面の
凹部のピッチと最大深さが上記の範囲にある場合、凹部
（又は線上突起部）の傾斜面の傾きは、好ましくは１度
〜２０度、より好ましくは３度〜１５度、最適には４度
〜１０度とされるのが望ましい。

又、この様な支持体上に堆積される各層の層圧の不均一
に基く層厚差の最大は、同一ピッチ内で好ましくは０．
１μｍ〜２μｍ、より好ましくは０．１μｍ〜１．５μ
ｍ、最適には０．２μｍ〜１μｍとされるのが望ましい
。

又、レーザー光などの可干渉性光を用いた場合の、干渉
縞模様による画像不良を解消する別の方法として、支持
体表面に複数の球状痕跡窪みによる凹凸形状を設けても
よい。

即ち支持体の表面が電子写真用光受容部材に要求される
解像力よりも微小な凹凸を有し、し、かも該凹凸は、複
数の球状痕跡窪みによるものである。

以下に、本発明の電子写真用光受容部材における支持体
の表面の形状及びその好適な製造例を第２２図により説
明するが、本発明の光受容部材における支持体の形状及
びその製造法は、これによって限定されるものではない
。

第２２図は、本発明の電子写真用光受容部材における支
持体の表面の形状の典型的−例を、その凹凸形状の一部
を部分的に拡大して模式的に示すものである。

第２２図において２２０１は支持体、２２０２は支持体
表面、２２０３は剛体真球、２２０４は球状痕跡窪みを
示している。

更に第２２図は、該支持体表面形状を得るのに好ましい
製造方法の１例をも示すものである。

即ち、剛体真球２２０６を支持体表面２２０２より所定
の高さの位置より自然落下させて支持体表面２２０２に
衝突させることにより、球状窪み２２０４を形成し得る
ことを示している。そして、はぼ同一径Ｒ′の剛体真球
２２０３を複数個用い、それらを同一の高さｈより、同
時或いは逐時、落下させることにより、支持体表面２２
０２に、はぼ同一曲線半径Ｒ及び同一幅りを有する複数
の球状痕跡窪み２２０４を形成することができる。

前述のごとくして、表面て複数の球状痕跡窪みによる凹
凸形状の形成された支持体の典型例を第２３図に示す。

ところで、本発明の電子写真用光受容部材の支持体表面
の球状痕跡窪みによる凹凸形状の曲率半径Ｒ及び＠Ｄは
、こうした本発明の光受容部材における干渉縞の発生を
防止する作用効果を効率的に達成するためには重要な要
因である。

本発明者らは、各種実験を重ねた結果以下のところを究
明した。即ち、曲率半径Ｒ及び幅りが次式。

一≧００３５ を満足する場合には、各々の痕跡窪み内にシェアリンク
干渉によるニュートンリンクが０５本以上存在すること
になる。更に次式： ％式％ を満足する場合には、各々の痕跡窪み内にシェアリング
干渉によるニュートンリングが１本以上存在することと
なる。

こうした事から、光受容部材の全体に発生する干渉縞を
各々の痕跡窪み内に分散せしめ、光受容部材に於ける干
渉縞の発生を防止する為にすることが望ましい。

又、痕跡窪みによる凹凸の幅りは、大きくとも５００μ
ｍ程度、好ましくは２００μ出以下、より好ましくは１
００μｍ以下とするのが好ましい。

第２１図は、上記方法で作成した支持体２１０１上に、
密着層２１０７、長波長光感光層２１０６、電荷注入阻
止層２１０２、光導電層２１０６、表面層２１０４から
成る光受容層２１００を形成した例を示している。表面
層２１０４は自由表面２１０５を有している。

密着層 本発明における密着層１０７は窒素原子、酸素原子、炭
素原子の少なくとも１つとシリコン原子と必要に応じて
水素原子とハロゲン原子の少なくともいずれか一方とを
含有するアモルファス材料で構成される。さらに前記密
着層は構成原子として伝導性を制御する物質を含有して
もよい。

すなわち、支持体と電荷注入阻止層又は長波長光吸収層
との密着性を向上させることが核層の主たる目的である
。又、伝導性を制御する物質を核層に含有させることに
より、支持体と電荷注入阻止層との間の電荷の輸送を一
層効率よく行なうことが可能となる。

核層に含有される窒素原子、酸素原子、炭素原子の少な
くとも１つと必要に応じて核層に含有される水素原子と
ハロゲン原子の少なくとも一方と伝導性を制御する物質
はいずれも該層中に万偏無く均一されても良いし、或い
は層厚方向に不均一な分布状態で分布してもよい。

本発明において、形成される密着層中に含有される炭素
原子、酸素原子又は窒素原子の量は所望に応じて適宜決
定されねばならないが、好ましくは０．０００５〜７０
原子係、より好適には０．００１〜５０原子係、最適に
は０．００２〜３０原子チとされるのが望ましい。

密着層の層厚は密着性、電荷の輸送効率、生産効率を考
慮し適宜法められるが、好ましくは０．０１μｍ〜１０
μｍ、より好適ては０．０２μｍ〜５μｍとされるのが
望ましい。

密着層中に含有される水素原子の量又はハロゲン原子の
量又は水素原子とハロゲン原子の量の和は好ましくは０
．１〜７０原子係、より好ましくは０．５〜５０原子チ
、最適には１．０〜６０原子係とされるのが望ましい。

長波長光吸収層 本発明における長波長光吸収層１０６は、Ａ−３ｉＧｅ
（Ｈ，Ｘ）で構成され、前述の支持体１０１上又は密着
層１０７上に設けられている。核層に含有されるケ゛ル
マニウム原子は該層中に万偏無く均一に分布されても良
いし、或いは、層厚方向には万偏無く含有されてはいる
が分布濃度が不均一であっても良い。面乍ら、いずれの
場合にも支持体の表面と平行な面内方向て於いては、均
一な分布で万偏無く含有されることが、面内方向に於け
る特性の均一化を計る点からも必要である。すなわち、
長波長光吸収層１０６の層厚方向には万偏無く含有され
ていて且つ前記支持体１０１の設けられである側とは反
対の側（光受答層の自由表面１０５側）の方て対しそ前
記支持体１０１側の方に多く分布した状態となる様にす
るか、或いは、この逆の分布状態となる様に前記長波長
光吸収層中に含有される。

本発明の光受容部材においては、前記した様に長波長光
吸収層中に含有されるゲルマニウム原子の分布状態は、
層厚方向においては、前記の様な分布状態を取り、支持
体の表面と平行な面内方向には均一な分布状態とされる
のが望ましい。

又、好ましい実施態様例の１つに於いては、長波長光吸
収層中に於けるゲルマニウム原子の分布状態は全層領域
にゲルマニウム原子が連続的に万偏無く分布し、ゲルマ
ニウム原子の層厚方向の分布濃度Ｃが支持体側より電荷
注入阻止層に向って減少する変化が与えられているので
、長波長光吸収層と電荷注入阻止層との間に於ける親和
性に優れ、且つ後述する様に、支持体側端部に於いてゲ
ルマニウム原子の分布濃度Ｃを極端に大きくすることに
より、半導体レーザー等を使用した場合の、光導電層で
は殆んど吸収し切れない長波長側の光を長波長光吸収層
に於いて、実質的て完全に吸収することが出来、支持体
面からの反射による干渉を防止することが出来る。

第２図乃至第７図には、本発明における光受容部材の長
波長光吸収層中に含有されるゲルマニウムの層厚方向の
分布状態が不均一な場合の典型的例が示される。

第２図乃至第７図において、横軸はゲルマニウム原子の
分布濃度Ｃを、縦軸は、長波長光吸収層の層厚を示し、
ｔＢは支持体側の長波長光吸成層の端面の位置を、ｔＴ
は支持体側とは反対側の長波長光吸収層の端面の位置を
示す。即ち、ゲルマニウム原子の含有される長波長光吸
収層はｔＢ側よりｔＴ側に向って層形成がなされる。

第２図には、長波長光吸収層中に含有されるゲルマニウ
ム原子の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示される
。

第２図に示される例では、ゲルマニウム原子の含有され
る長波長光吸収層が形成される表面と該長波長光吸収層
の表面とが接する界面位置ｔＢよりｔｌの位置までは、
ケ゛ルマニウム原子の分布濃度Ｃが０１なる一定の値を
取り乍らゲルマニウム原子が形成される長波長光吸収層
に含有され、位置ｔ１よりは濃度Ｃ２より界面位置ｔＴ
に至るまで徐々に連続的に減少されている。界面位＃ｔ
Ｔにおいてはゲルマニウム原子の分布濃度ＣはＣ３とさ
れる。

第６図に示される例においては、含有されるゲルマニウ
ム原子の分布濃度Ｃは位置ｔＢより位置ｔＴに至るまで
濃度Ｃ４から徐々に連続的に減少して位置ｔＴにおいて
濃度Ｃ５となる様な分布状態を形成している。

第４図の場合には、位置ｔＢより位置ｔ２−！ではゲル
マニウム原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ６と一定値とされ、
位置ｔ２と位置ｔＴとの間において、徐々に連続的に減
少され、位置ｔＴにおいて、分布濃度Ｃは実質的に零と
されている（ここで実質的に零とは検出限界量未満の場
合である）。

第５図の場合には、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは位
置ｔＢよジ位置ｔＴに至るまで、濃度Ｃ８よジ連続的に
徐々に減少され、位置ｔＴにおいて実質的に零とされて
いる。

第６図に示す例においては、ゲルマニウム原子の分布濃
度ＣＨ，位置ｔＢと位置１５間においては、濃度Ｃ９と
一定値であり、位置ｔ１．においては濃度ＣＩＯとされ
ろ。位置ｔ３と位置１．−との間でに、分布濃度Ｃは一
次関数的に位置も５より位置ｔＴに至るまで減少されて
いる。

第７図に示す例においては、位置ｔＢ、１．ｖ位置ｔＴ
に至るまで、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ４
１より実質的に零に至る様に一次関数的に減少している
。

以上、第２図乃至第７図により、長波長光吸収層中に含
有されるゲルマニウム原子の層厚方向の分布状態の典型
例の幾つかを説明した様に、本発明においては、支持体
側において、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃの高い部分
を有し、界面ｔＴ側においては、前記分布濃度Ｃは支持
体側に較べて仮成り低くされた部分を有するゲルマニウ
ム原子の分布状態が長波長光感光層に設けられている場
合は、好適な例の１つとして挙げられる。ゲルマニウム
原子の層厚方向の分布状態としてゲルマニウム原子の分
布濃度の最大値Ｃｍａｘがシリコン原子との和て対して
、好ましくは１０００原子ｐｐｍ以上、より好適には５
０００原子ｐｐｍ以上、最適にはＩＸＩＱ４原子ｐｐｍ
以上とされる様な分布状態となり得る様に層形成される
のが望ましい。

本発明において、長波長光吸収層中に含有されるゲルマ
ニウム原子の含有量としては、本発明の目的が効果的て
達成される様に所望に従って適宜法められるが、シリコ
ン原子との和に対して、好ましくは１〜１０Ｘ１０５原
子ｐｐｍ、より好ましくは１００〜９．５　Ｘ　１０５
原子ｐｐｍ、最適には５００〜８Ｘ１０５原子ｐｐｍと
されるのが望ましい。

前記、長波長光吸収層はさらに伝導性を制御する物質、
窒素原子、酸素原子、及び炭素原子の中から選ばれる少
なくとも１種を含有してもよい。

長波長光吸収層中に含有される窒素原子（Ｎ）、酸素原
子（０）及び炭素原子（Ｃ）の中から選ばれる少なくと
も１種の量は、好ましくは００１〜４０原子係、より好
ましくは０．０５〜３０原子係、最適には０．１〜２５
原子係とされるのが望ましい。

また、前記の伝導性を制御する物質としては、半導体分
野における、いわゆる不純物を挙げることができ、本発
明においては、ｐ型伝導特性を与える周期律表第■族に
属する原子（以下「第１１１族原子」という。）、また
はＮ型伝導特性を与える周期律表第■族に属する原子（
以下「第Ｖ族原子」という。）を用いる。第■族原子と
しては、具体的には、Ｂ（硼素）、Ａｔ（アルミニウム
）、Ｇａ　（ガリウム）、Ｉｎ　（インジウム）、Ｔｔ
　（タリウム）等があり、特にＢ、Ｃ）ａが好適である
。第Ｖ族原子としては、具体的には、Ｐ（燐）、Ａｓ（
砒素）、ｓｂ　（アンチモン）、Ｂｉ（ビスマス）等が
あり、特にＰ、Ａｓが好適である。

本発明に於いて、長波長光吸収層中に含有される伝導特
性を制御する物質の含有量としては、好ましくは、０．
０１〜５Ｘ　１０５原子ｐｐｍ、より好ましくは０，５
〜ＩＸＩＱ４原子ｐｐｍ、最適には１〜５Ｘ１０５原子
ｐｐｍとされるのが望ましいものである。

本発明に於いて長波長光吸収層の層厚は〈好ましくは、
３０Ｘ〜５０μｍ、より好ましくは４０Ｘ〜４０μｍ、
最適には５０Ｘ〜３０μｍとされるのが望ましい。

電荷注入阻止層 本発明に於ける電荷注入阻止層１０２は、Ａ−８ｉ（Ｈ
，Ｘ）で構成され、核層の全層領域に伝導性を制御する
物質を均一に又は支持体側に多く分布して含有し、更に
核層の全層領域又は−部の層領域に窒素原子、酸素原子
及び炭素原子の中から選ばれる少なくとも一種を均一に
又は支持体側に多く分布して含有することを特徴とする
層であり、前述の支持体１０１上、長波長光吸収層１０
６上又は密着層１０７上に設けられている。

本発明に於いて、電荷注入阻止層１０２中に含有される
ノ・ロゲン原子＜Ｘ＞として好適なのはＦ、ＣＬ、　Ｂ
ｒ、■であり、殊にＦ、　ＣＬが望ましいものである。

そして、該層１０２中に含有される水素原子（Ｈ）の量
又は・・ロゲン累子（Ｘ）の量又は水素原子とノ・ロゲ
ン原子の量の和は好ましくは１〜４０原子係、より好適
には５〜６０原子係とされるのが望ましい。

前記の伝導性を制御する物質としては前述の長波長光吸
収層１０６と同様に、第ｍ族原子や第Ｖ族原子を用いる
ことが出来る。

第８図乃至第１２図には電荷注入阻止層に含有される第
ｍ族原子又は第■族原子の層厚方向の分布状態の典型的
例が示される。

第８図乃至第１２図の例において横軸は第■族原子又は
第■族原子の分布濃度Ｃを、縦軸は電荷注入阻止層の層
厚ｔを示し、ｔＢは支持体側の界面位置を、ｔＴは支持
体側とは反対側の界面の位置を示す。即ち、電荷注入阻
止層はｔＢ側よりｔＴ側に向って層形成がなされる。

第８図には電荷注入阻止層中て含有される第■族原子又
は第■族原子の層厚方向の分布状態の第一の典型例が示
される。

第８図に示される例では界面位置ｔＥ側より＋４の位置
までは、第ｍ族原子又は第■族原子の含有濃度Ｃが０１
２なる一定の値を取り乍ら含有され位置ｔ４より分布濃
度Ｃは界面位置ｔＴに至るまでＣ１３より徐々に連続的
に減少されている。

界面位置ｔＴに於いては分布濃度ＣはＣ１４とされる。

第９図に示される例に於いては、含有される第■族原子
又は第ｖＨ原子の分布濃度Ｃは位置ｔＢより位置ｔＴに
至るまでＣ＋５から徐々に連続的に減少して位置ｔＴに
於いてＣ１６となる様な分布状態を形成している。

第１０図に示す例に於いては、第■族原子又は第■族原
子の分布濃度Ｃは、位置ｔＥと位置＋５間に於いては、
Ｃ＋７と一定値であり、位置ｔＴに於いてはＣ１８とさ
れる。位置ｔ５と位置ｔＴとの間では、分布濃度Ｃは一
次関数的に位置ｔ５より位置ｔＴに至るまで減少されて
いる。

第１１図に示される例に於いては、分布濃度Ｃは位置ｔ
Ｂより位置ｔ６まではＣ＋９の一定値を取り、位置ｔ６
より位置ｔＴまではＣ２０よりＣ２１まで一次関数的に
減少する分布状態とされている。

第１２図に示される例に於いては、分布濃度Ｃは位置１
．Ｂより位置ｔＴ壕でＣ２２の一定値を取る。

本発明に於いて電荷注入阻止層が第■族原子又は第■族
原子を支持体側に於いて多く分布する分布状態で含有す
る場合、第■族原子又は第■族原子の分布濃度須の最大
値が通常は５０原子ｐｐｍ以上、好適には８０原子ｐｐ
ｍ以上、最適には１００原子ｐｐｍ以上とされる様な分
布状態となり得る様て層形成されるのが望ましい。

本発明に於いて電荷注入阻止層中に含有される第■族原
子又は第Ｖ族原子の含有量としては、本発明の目的が効
果的て達成される様に所望に従って適宜決められるが好
ましくは６０〜５０×１０４原子ｐｐｍ、より好ましく
は５０〜ＩＸＩＱ４原子ｐｐｍ、最適にはＩＸＩＱ２〜
５ＸＩＱ５原子ｐｐｍとされるのが好ましいもので′あ
る。

電荷注入阻止層１０２は窒素原子、酸素原子及び炭素原
子の中から選ばれる少なくとも１種の含有によって、重
点的に長波長光感光層と電荷注入阻止層との間の密着性
の向上及び電荷注入阻止層と光導電層１０４との間の密
着性の向上が図られる。

第１６図乃至第１９図には電荷注入阻止層に含有される
窒素原子、酸素原子及び炭素原子の中から選ばれる少な
くとも１種の層厚方向の分布状態の典型的例が示される
。

第１３図乃至第１９図の例に於いて横軸は窒素原子、酸
素原子及び炭素原子の中から選ばれる少なくとも１種の
分布濃度Ｃを、縦軸は電荷注入阻止層の層厚ｔを示し、
ｔＢは支持体側の界面位置を、ｔＴは支持体側とは反対
側の界面の位置を示す。即ち、電荷注入阻止層はｔＥ側
よりｔＴ側に向って層形成がなされる。

第１３図には電荷注入阻止層中に含有される窒素原子、
酸素原子及び炭素原子の中から選ばれる少なくとも１種
の層厚方向の分布状態の第一の典型例が示される。

第１３図に示される例では界面位置ｔＢよりｔ７の位置
までは、窒素原子、酸素原子及び炭素原子の中から選ば
れる少なくとも１種の含有濃度ＣがＣ２３なる一定の値
を取り乍ら含有され、位置ｔ７より分布濃度Ｃは界面位
置ｔＴに至るまでＣ２４より徐々に連続的て減少されて
いる。界面位置ｔＴに於いては分布濃度ＣはＣ２５とさ
れる。

第１４因に示される例に於いては、含有される窒素原子
、酸素原子及び炭素原子の中から選ばれる少なくとも１
種の分布濃度Ｃは位置ｔＢより位置ｔＴに至るまでＣ２
６から徐々に連続的に減少して位置ｔＴに於いてＣ２７
となる様な分布状態を形成している。

第１５図の場合には、位置ｔＢより位置ｔ８までは窒素
原子、酸素原子及び炭素原子の中から選ばれる少なくと
も１種の分布濃度ＣはＣ２８と一定値とされ、位置ｔ８
と位置ｔＴとの間に於いて、徐々に連続的に減少され、
位置ｔＴに於いて、実質的に零とされている。

第１６図の場合には、窒素原子、酸素原子及び炭素原子
の中から選ばれる少なくとも１種は位置ｔＢより位置ｔ
Ｔに至るまで、分布濃度ＣはＣ３０より連続的に徐々に
減少され、位置ｔＴに於いて実質的て零とされている。

第１７図に示す例に於いては、窒素原子、酸素原子及び
炭素原子の中から選ばれる少なくとも１種の分布′ａ度
Ｃは、位置ｔＢと位１ｔｔ９間に於いては、Ｃ３ｊと一
定値であり、位置ｔＴに於いてはＣ３２とされる。位置
ｔ９と位置ｔＴとの間では、分布濃度Ｃは一次関数的に
位置ｔ９より位置ｔ−ｒに至るまで減少されている。

第１８図に示される例に於いては、分布濃度Ｃは位置ｔ
Ｂより位置ｔ１０まではＣ３３の一定値を取り、位置ｔ
１０より位置ｔＴまではＣ５４よりＣ３５まで一次関数
的１に減少する分布状態とされている。

第１９図に示される例（Ｃ於いては、分布濃度Ｃは位置
ｔＢより位［ｔＴまでＣ５６の一定値を取る。

本発明に於いて電荷注入阻止層が窒素原子、酸素原子及
び炭素原子の中から選ばれる少なくとも１種を支持体側
に於いて多く分布する分布状態で含有する場合、窒素原
子、酸素原子及び炭素原子の中から選ばれる少なくとも
１種の分布濃度値の最大値が通常は５００原子ｐ１）ｍ
以上、好適には８００原子ｐｐｍ以上、最適には１００
０原子ｐｐｍ以上とされる様な分布状態となり得る様に
層形成されるのが望ましい。

本発明に於いて電荷注入阻止層中に含有される窒素原子
、酸素原子及び炭素原子の中から選ばれる少なくとも１
種の含有量としては本発明の目的が効果的に達成される
様に所望に従って適宜法められるが好ましくはｏ、ｏｏ
ｉ〜５０原子チ、より好ましくは、０．００２〜４０原
子係、最適には０．００３〜３０原子係とされるのが望
ましい。

本発明に於いて電荷注入阻止層の層厚は所望の電子写真
特注が得られること及び経済的効果等の点から、好まし
くは０．０１〜１０μ、より好ましくは０．０５〜８μ
、最適には０．１〜５μとされるのが望ましい。

光導電層 本発明に於いて、その目的を効果的に達成する為に、支
持体１０１上に形成され、光受容層１００の一部を構成
する光導電層１０３は下記π示す半導体特性を有し、照
射される元に対して光導電性を示すＡ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）
で構成される。

°■　ｐ型Ａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）　；アクセプターのみを
含むもの。或いはドナーとアクセプターとの両方を含み
、アクセプターの相対的濃度が高いもの。

■　ｐ−型Ａ−３ｉ　（Ｈ，Ｘ）　；■のタイプに於い
てアクセプターの濃度（Ｎａ）が低いか、又はアクセプ
ターの相対的濃度が低いもの。

■　ｎ型Ａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）　；ドナーのみを含むもの
。

或いはドナーとアクセプターの両方を含み、ドナーの相
対的濃度が高いもの。

■　ｎ−型Ａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）　；■のタイプに於いて
ドナーの濃度（Ｎｄ）が低いか、又はアクセプターの相
対的濃度が低いもの。

■　１型Ａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）　：　Ｎａ＝Ｎｂ＝Ｏ（７
）もの又は、ＮａユＮｄのもの。

光導電＠１０３の半導体特性を■〜■の中の所望のもの
とするには、該層形成の際に、ｎ型不純物又は、ｐ型不
純物、或いは両不純物を形成される層中にその量を制御
し乍らドーピングしてやる事によって成される。

その様な不純物としては、ｐ型不純物として周期律表第
■族に属する原子、例えば、Ｂ、　ＡＡ、Ｇａ、Ｉｎ、
Ｔｔ等が好適なものとして挙げられ、ｎ型不純物として
は、周期律表Ｖ族に属する原子、例えば、Ｐ、　Ａｓ、
　Ｓｂ、　Ｂｉ等が好適なものとじて挙げられるが、殊
にＢ、　Ｇａ、　Ｐ、　Ｓｂ等が最適である。そして、
該層中１０３中の前記第■族原子又は第Ｖ族原子の含有
量は比較的少量であり、好適にはＩ　Ｘ　１０−５〜３
　Ｘ　１０２ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　、より好適には５
　Ｘ　１０−５〜１０２１０２ａｔｏ　ｐｐｍ、最適に
は１×１０−２〜５０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとされる
のが望ましい。

また、核層１０３の全層領域に核層１０３に要求される
特性を損わない範囲に於いて酸素原子又は／及び窒素原
子を含有してもよい。光導電層１０３の全層領域に酸素
原子又は／及び窒素原子を含有する場合は、主として高
暗抵抗化と、電荷注入阻止層と光導電１との間の密着性
の向上等の効果を奏するが、殊に核層１０３の光導電特
性を劣化させないために酸素原子又は／及び窒素原子の
含有量は比較的少量とされるのが望ましい。

窒素原子の場合は、上記の点に加えて、例えば第■族原
子、殊にＢとの共存に於いて光郡度の向上を計ることが
出来る。

光導電層１０６中に含有される酸素原子又は窒素原子の
含有量、又は、両者の和は形成される電子写真月光受答
部材の特性を大きく左右するものであって、所望に応じ
て適宜決定されねばならないが、好ましくは０．０００
５〜３０原子係、より好適には０００１〜２０原子係、
最適には０．００２〜１５原子係とされるのが望ましい
。

本発明に於いて、光導電層１０３中に含有されるハロゲ
ン原子（Ｘ）として好適なのはＦ、　ＣＬ、Ｂｒ、　Ｉ
であり、殊にＦ、　Ｃｔが望ましいものである。そして
該層１０６中に含有されろ水素原子（Ｈ）の量又はハロ
ゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン原子の量の
和は好ましくは１〜４０原子係、より好適には５〜３０
原子係とされるのが望ましい。

光導電層１０６の層厚は、所望のスペクトル特注を有す
る光の照射によって発生されるフォトキャリアが効率良
く輸送される様て所望に従って適宜法められ、通常は１
〜１００μ、好適シては２〜５０μとされるのが望まし
い。

表面１．槽 光導電層１０３上に形成される表面積１０４は、自由表
面１０５を有し、主に耐湿性、連続繰返し使用４′！性
、電気的耐圧性使用環境特性、耐久性に於いて本発明の
目的を達成する為に設けられる。

又、本発明に於いては、光受容層１００を構成する光導
電層１０３と表面層１０４とを形成する非晶質材料の各
々がシリコン原子という共通の構成要素を有しているの
で、積層界面に於いて化学的な安定性の確保が充分成さ
れている。

表面層１０４は、シリコン原子と炭素原子と水素原子と
で構成される非晶質材料（Ａ−（ＳｉｘＣ１−ｘ）ｙＨ
ｌ−ｙ、但しＯ＜ｘ、ｙ＜１：］で形成される。

本発明に於ける表面層１０４は、その要求される特注が
所望通りに与えられる様に注意深く形成される。

即ち、Ｓｌ、Ｃ及びＨな構成原子とする物質はその作成
条件によって構造的には結晶からアモルファスまでの形
態を取り、電気物性的には導電性から半導体性、絶縁性
までの間の性質を、又光導電的性質から非光４電的性質
までの間の性質を各々示すので、本発明に於いては、目
的に応じた所望の特性を有するＡ−８ｉＸＣ１−ｘが形
成される様に、所望に従ってその作成条件の選択が厳密
に成される。

例えば、表面層１０４を耐圧性の向上を主な目的として
設けるては、Ａ−（Ｓｌ）（Ｃ＋　−ｘ）ｙ　”　ｉ−
Ｖは使用環境に於いて電気絶縁性的挙動の顕著な非晶質
材料として作成される。

又、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上を主たる
目的として表面層１０４が設けられる場合には、上記の
電気絶縁性の度合はある程度緩和され、照射される元て
対しである程度の感度を有する非晶質材料としてＡ−３
ｉ）（Ｃ４−ｘが作成される。

本発明の電子写真用光受容部材に於ける表面層１０４に
含有される炭素原子及び水素原子の量は、表面層１０４
の作製条件と同様、本発明の目的を達成する所望の特性
が得られる表面層１０４が形成される重要な因子である
。

本発明に於ける表面層１０４ＶＣ含有される炭素原子の
量はシリコン原子と炭素原子の総量に対して通常は、好
ましくはＩＸＩＱ−５〜９０原子係、最適には１０〜８
０原子係とされるのが望ましいものである。水素原子の
含有量としては、構成原子の総量に対して通常の場合４
１〜７０原子チ、好適には４１〜６５原子係、最適には
４５〜６０原子係とされるのが望ましく、これ等の範囲
に水素含有量がある場合に形成される光受容部材は、実
際面に於いて従来にない格段に優れたものとして充分適
用させ得るものである。

すなわち、Ａ−（Ｓ　ｉｘＣ１−ｘ　）ｙＨｌ−ｙで構
成される表面層内に存在する欠陥（王にシリコン原子や
炭素原子のダングリングボンド）は電子写真用光受容部
材としての特性に悪影響を及ぼすことが知られ、例えば
自由表面からの電荷の注入による帯電特性の劣化、使用
環境、例えば高い湿度のもとで表面構造が変化すること
による帯電特性の変動、さらにコロナ帯電時や光照射時
に光導電層より表面層に′電荷が注入し、前記表面層内
の欠陥に電荷がトラップされることによる繰り返し使用
時の残像現象等があげられる。

しかしながら表面層中の水素含有量を４１原子係以上に
制御することで表面層中の欠陥が大巾に減少し、その結
果、前記の問題点は全て解消し、殊に従来のに較べて電
気的特性面及び高速連続使用性に於いて飛躍的な向上を
計ることが出来る。

一方、前記表面層中の水素含有量が７１原子係以上にな
ると表面層の硬度が低下するために、繰り返し使用に耐
えられない。従って、表面層中の水素含有量を前記の範
囲内に制御することが格段に優れた所望の電子写真特性
を得る上で非常に重要な因子の１つである。表面層中の
水素含有量は、Ｈ２ガスの流量、支持体温度、放電パワ
ー、ガス圧等によって制御し得る。

即ち、先のＡ−（ＳｉｘＣｊ−ｘ）ｙ’Ｈ＋−ｙの表示
で行えばＸが通常は０１〜０．９９９９９、好適には０
．１〜０９９、最適には０．１５〜０．９、ｙが通常０
．３〜０５９、好適には０３５〜０５９、最適には０４
〜０．５５であるのが望ましい。

本発明に於ける表面層１０４の層厚の数値範囲は、本発
明の目的を効果的に達成する様に所期の目的に応じて適
宜所望に従って決められる。

又、表面層１０４の層厚は、光導電層１０３の層厚との
関係に於いても、各々の層領域に要求される特性に応じ
た有機的な関連性の下に所望に従って適宜決定される必
要がある。更に加え得るに、生産性や量産性を加味した
経済性の点に於いても考慮されるのが望ましい。

本発明に於ける表面層１０４の層厚としては、通常００
０３〜３０μ、好適には０．００４〜２０μ、最適には
０．００５〜１０μとされるのが望ましいものである。

本発明に於ける電子写真用光受容部材の光受容層の層厚
としては、目的に適合させて所望に従って適宜決定され
る。

本発明て於いては、光受容層１００の層厚としては、光
受容層１００を構成する光導電層１０３と表面、１Ｍ１
ｌＱ４に付与される特性が各々有効に活されて本発明の
目的が効果的に達成される様に光導電層１０６と表面層
１０４との層厚関係に於いて適宜所望に従って決められ
るものであり、好ましくは、表面層１０４の層厚に対し
て光導電層１０３ノ層厚が数百〜数千倍以上となる様に
されるのが好ましいものである。

光受容層の層厚は具体的な値としては、通常３〜１００
μ、好適には５〜７０μ、最適には５〜５０μの範囲と
されるのが望ましい。

次に、本発明の電子写真用光受容部材の光受容層１００
形成方法について説明する。

本発明に於いて、Ａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される光導
電層１０６を形成するには、例えばグロー放電法、マイ
クロ波放電法、スパッタリング法、或いはイオンブレー
ティング法等の放電視像を利用する真空堆積法によって
成される。例えば、グロー放電法によってＡ−８ｉ（Ｈ
，Ｘ）で構成される光導電層１０３を形成するには、基
本的にはソリコン原子（Ｓｌ）を供給し得るＳｉ供給用
の原料カスと共（で、水素原子（Ｈ）導入用の又は／及
びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスを、内部が威圧
にし得る堆積室内に導入して、該堆積室内にグロー放電
を生起させ、予め所定位置に設置されである所定の支持
体表面上にＡ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成させれ
ば良い。又、スパッタリング法で形成する場合には、例
えばＡｒ、　Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等のガスをベ
ースとした混合ガスの雰囲気中で８１で構成されたター
ゲットをス・ξツタリングする際、水素原子（Ｈ）又は
／及びハロケン原子（Ｘ）　４人用のガスをスパッタリ
ング用の堆積室に導入してやれば良い。

本発明に於いて使用されるＳｉ供給用の原料ガスとして
は、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６，５ｉ３Ｈａ　、５ｉ４Ｈ＋
ｏ等のカス状態の又はガス化し得る水素化硅素（シラン
類）が有効に使用されるものとして挙げられ、殊に、層
作成作業の扱い易さ、Ｓ１供給効率の良さ等の点でＳｉ
Ｈ４，５１２Ｈ６が好ましいものとして挙げられる。

本発明に於いて使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げられ
、例えば・・ロゲンカス、・・ロケ゛ン化物、ハロケ゛
／間化合物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガ
ス状態の又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙
げられる。

又、更には、ソリコン原子とハロケン原子とを溝底要素
とするガス状態の又はカス１′ヒし得る、ハロゲン原子
を含む硅素化合物も有効なものとして不発明に於いては
挙げる事が出来る。

本発明に於いて好適に使用し得ろハロゲン化合物として
は、具体的には、フン素、塩素、臭素、ヨウ累のハロゲ
ンガス、ＢｒＦ　、　ｃｔＦ　、　Ｃ４Ｆ’３、ＢｒＦ
５　、ＢｒＦ５　、ＩＦ３　、ＩＦ７　、ｒｃＬ　、よ
りｒ等のハロゲン闇化合物を挙げる＄が出来る。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、所ヨ５、ハロケン原子
で置換されたシラン誘導体としては、具体的には例えば
ＳｉＦ４　、Ｓｉ２Ｆ６．５ＩＣｔ４、ＳｉＢｒ４等の
ハロゲン化硅素が好ブし贋ものとして挙げる事が出来る
。

この様なハロケン原子を言む硅素化合物を探用してタロ
ー放電法によって不発明の特徴的な光導電部材を形成す
る場合には、Ｓｌを供給し得る原料ガスとしての水素化
硅素ガスを使用しなくとも、所定の支持体上にハロゲン
原子を構成要素として含むＡ−３ｉ　：　Ｈから成る層
を形成する事が出来る。

グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む層を製造す
る場合、基本的にはＳ１供給用の原料ガスであるハロゲ
ン化硅素ガスとＡｒ　、　Ｈ２、Ｈｅ等のガス等を所定
の混合比とガス流量になる様にして所望の層を形成する
堆積室内に導入し、グロー放電を生起してこれ等のガス
のプラズマ雰囲気を形成する事によって、所定の支持体
上に所望の層を形成し得るものであるが、水素原子の導
入を計る為にこれ等のガスに更に水素原子を含む硅素化
合物のガスを所定量混合して層形成しても良い。

又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。

反応スフ４ツタリング法或いはイオンブレーティング法
に依ってＡ−３ｉ　（Ｈ，Ｘ）から成る層を形成するに
は、例えばスパッタリング法の場合にはＳｌから成るタ
ーゲットを使用して、これを所定のガスプラズマ雰囲気
中でスパッタリングし、イオンブレーティング法の場合
には、多結晶シリコン又は単結晶シリコンを蒸発源とし
て蒸着ボートに収容し、このシリコン蒸発源を抵抗加熱
法、或いはエレクトロンビーム法（ＥＢ法）　等によっ
て加熱蒸発させ飛翔蒸発物を所定のガスプラズマ雰囲気
中を通過させる事で行う事が出来る。

この際、スパッタリング法、イオンブレーティング法の
何れの場合にも形成される層中にハロゲン原子を導入す
るには、前記のハロゲン化物又は前記のハロゲン原子を
含む硅素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガスのプ
ラズマ雰囲気を形成してやれば良いものである。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｈ２、或いは前記したシラン類等のガ
スをスパッタリング用の堆積室中に導入して該ガスのプ
ラズマ雰囲気を形成してやれば良い。

本発明に於いては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
て上記されたハロゲン化物或いはハロケ゛ンを含む硅素
化合物が有効なものとして使用されるものであるが、そ
の他に、ＨＦ　、　Ｈｅ６、ＨＢｒ、ＨＩ等の／Ｓ　Ｏ
ゲン化水素、ＳｉＨ２Ｆ２．５ｉＨ２Ｉ２．５ｉＨ２Ｃ
４２，５ｉＨＣ４３，５ｉＨ２Ｂｒ２．５ｉＨＢｒ３等
のハロゲン置換水素化硅素、°等々のガス状態の或いは
ガス化し得る、水素原子を構成要素の１つとするハロゲ
ン化物も有効な光導電層形成用の出発物質として挙げる
事が出来る。

これ等の水素原子を含むハロゲン化物は、層形成の際に
形成される層中にハロゲン化物の導入と同時て電気的或
いは光電的特性の制御に極めて有効な水素原子も導入さ
れるので、本発明て於いては好適なハロゲン導入用の原
料として使用される。

水素原子を、形成される層中に構造的に導入するには、
上記の他にＨ２、或いはＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６，５ｉｓ
Ｈｓ　、５ｘ４Ｈ＋　ｏ等の水素化硅素のガスを８１を
供給する為のシリコン化合物と堆積室中に共存させて放
電を生起させる事でも行う事が出来る。

例えば、反応スパッタリング法の場合には、Ｓ１ターゲ
ツトを使用し、ハロゲン原子導入用のガス及びＨ２ガス
を必要に応じてＨｅ、　Ａｒ等の不活性ガスを含めて堆
積室内に導入してプラズマ雰囲気を形成し、前記Ｓ１タ
ーゲツトをスパッタリングする事によって、基板上にＡ
−３ｉ（Ｈ，Ｘ）から成る層が形成される。

更には、不純物のドーピングも兼ねてＢ２Ｈ６等のガス
を導入してやることも出来る。

形成される層中に含有される水素原子（Ｈ）又は／及び
ハロゲン原子（Ｘ）の量を制御するには、例えば支持体
温度又は／及び水素原子（Ｈ）、或いはハロゲン原子（
Ｘ）を含有させろ為に使用されろ出発物質の体積装置系
内へ導入する量、放電電力等を制御してやれば良い。

窒素原子、酸素原子又は炭素原子、あるいは、第１ＩＩ
族原子又は第■族原子を含有するＡ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で
構成されろ密着層、電荷注入阻止層あるいは光導電層を
形成するには、グロー放電法や反応スパッタリング法等
による密着層、電荷注入阻止層又は光導電層の形成の際
に、第■族原子又は第■族原子導入用の出発物質、及び
酸素原子導入用、窒素原子導入用、炭素原子導入用の出
発物質を夫々前記したＡ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）　１ｍ形成用
の出発物質と共に使用して、形成される層中にその量を
制御し乍ら含有してやる事によって成される。

具体的には、例えば、グロー放電法により、Ａ−８ｉ（
Ｈ，Ｘ）中に窒素原子、酸素原子及び炭素原子の中から
選ばれる少なくとも１種を含有する密着層を形成させる
には、炭素原子導入用の、酸素原子導入用の、又は／及
び蓋素原子導入用の出発物質を、Ａ−３ｉ　（Ｈ，Ｘ）
層を形成する原料ガスと共に内部を減圧にし得る堆積室
内に導入して、該堆積室内でグロー放電を生起させて密
着層を形成すればよい。

その様な炭素原子導入用の、酸素原子導入用の又は／及
び窒素原子導入用の出発物質とじては、少なくとも炭素
原子、酸素原子及び窒素原子のいずれかを構成原子とす
るガス状の物質又はガス化し得る物質をガス化したもの
の中の大概のものが使用され得る。

例えば酸素原子を含有させるのであればシリコ７原子（
Ｓｌ）を構成原子とする原料ガスと、酸素原子（０）を
構成原子とする原料ガスと、必要に応じて水素原子（Ｈ
）又は及びハロゲン原子（ｘ）を構成原子とする原料ガ
スとを所望の混合比で混合して使用するか、又は、シリ
コン原子（ｓｌ）を構成原子とする原料ガスと、酸素原
子（○）及び水素原子（Ｈ）を構成原子とする原料ガス
とを、これも又所望の混合比で混合するか、或いは、シ
リコン原子（Ｓｌ）を構成原子とする原料ガスと、シリ
コン原子（Ｓｌ）、酸素原子（０）及び水素原子（Ｈ）
の６つを構成原子とする原料ガスとを混合して使用する
ことが出来る。

又、別には、シリコン原子（ｓｌ）と水素原子（財）と
を構成原子とする原料ガスに酸素原子（０）を構成原子
とする原料ガスを混合して使用しても良い。

その様な炭素原子導入用の原料となる炭素原子含有化合
物としては、例えば炭素数１〜４の飽和炭化水素、炭素
数２〜４のエチレン系炭化水素、炭素数２〜３のアセチ
レン系炭化水素等が挙げられる。

具体的には、飽和炭化水素としては、メタン（ＣＨ４）
、エタン（Ｃ２Ｈ６）、プロパン（Ｃ３Ｈ８）、ｎ−ブ
タ７　（ｎ−Ｃ４Ｈ１ｏ）　、　：メタン（Ｃ５Ｈ１２
）、エチレン系炭化水素としては、エチレン（０２Ｈ４
）、プロピレン（Ｃ５Ｈ６）、ブテン−１（Ｃ４Ｈｓ）
、ブテン−２（Ｃ４Ｈ８）、インブチレン（Ｃ４Ｈ８）
　、はンテン（Ｃ５Ｈ１ｏ　）、アセチレン系炭化水素
としては、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、メチルアセチレン
（Ｃ３Ｈ４）、ブチン（Ｃ４Ｈ６）　、が挙げられる。

ＳｌとＣとＨとを構成原子とする原料ガスとしては、Ｓ
ｉ（ＣＨ３）４．５ｉ（Ｃ２Ｈ４）４等のケイ化アルキ
ルを挙げる事が出来る。

酸素原子導入用の原料となる酸素原子含有化合物として
は、例えば酸素（０２）、−酸化炭素（Ｃｏ）、二酸化
炭素（ＣＯ２）、−酸化窒素、二酸化窒素、等が挙げら
れる。

又、窒素原子導入用の原料となる窒素原子含有化合物と
しては、例えば、窒素（Ｎ２）、−酸化炭素、二酸化窒
素、アンモニア等が挙げられる。

又、例えば窒素原子又は／及び酸素原子を含有する光導
電層をス・ぐツタリング法で形成する場合には、所望の
混合比とし、例えば、（Ｓ１＋５ｉ３Ｎ４）又は（Ｓｉ
＋Ｓｉ○２）なる成分で混合成形したスパッター用のタ
ーゲットを使用するか、Ｓ１ウエハーとＳｉ３Ｎ４ウェ
ハーの二枚、又はＳ１ウエハーと５ｉ０２ウエハーの二
枚のターゲットを使用して、スパッタリングを行うか、
又は、窒素を含んだ化合物のガス、又は酸素を含んだ化
合物のガスを、例えばＡｒカス等のスパッター用のカス
と共に堆積室内に導入して、Ｓｌ又はターゲットを使用
してスパッタリングを行って光導電層を形成すれば良い
。

第■族原子又は第■族原子の含有される密着層、電荷注
入阻止層又は光導電層を形成するのにグロー放電法を用
いる場合、該層形成用の原料ガスとなる出発物質は、前
記したＡ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される層形成用の出発
物質の中から適宜選択したものに、第■族原子又は第Ｖ
族原子導入用の出発物質が加えられたものである。その
様な第■族原子又は第■族原子導入用の出発物質として
は第■族原子又は第Ｖ族原子を構成原子とするガス状態
の物質又はガス化しうる物質をガス化したものであれば
、いずれのものであってもよい。

本発明に於いて第田族原子導入用の出発物質として有効
１（使用されるものとしては、具体的には硼素原子導入
用として、Ｂ２Ｈ６、Ｂ４Ｈ１０、Ｂ５Ｈ９、Ｂ５Ｈ１
１、Ｂ６Ｈ＋ｏ　、　Ｂ６Ｈ＋２　、Ｂ６ＨＬ４等の水
素化硼素、ＢＦ３　、ＢＣＬ３、ＢＢｒ３等のハロゲ′
ン化硼累等を挙げることができるが、この他、ＡＡＣＡ
ｓ　、０＆Ｃ１５、工ｎＣｔｘ　、ＴｔＣＬｓ等も挙げ
ることができる。

本発明に於いて第■族原子導入用の出発物質として有効
に使用されるのは、具体的には燐原子導入用としては、
ＰＨ５、Ｐ２Ｈ４等の水素比隣、ＰＨ４Ｉ　、ＰＦ３　
　、ＰＦｓ　、ＰＣＬｓ　、ＰＣＡｓ　、ＰＢｒ３　、
ＰＢｒｓ　、ＰＩ３等のハロゲ゛ン化燐が挙げられる。

この他、ＡｓＨｓ　、ＡＳＦ３　、ＡｓＣＡ３、ＡｓＢ
ｒ３　、ＡｓＦ５　、ＳｂＨ３、ＳｂＦ３、ＳｂＦ５．
５ｂＣＬ３．５ｂＣＬ５、ＢＩＨ５、ＢＩＣｔ３、Ｂ１
Ｂｒ３等も挙げることができる。

第１■族原子又は第■族原子を含有する密着層、電荷注
入阻止層又は光導電層に導入される第ｍ族原子又は第Ｖ
族原子の含有量は、堆積室中に流入される第■族原子又
は第■族原子導入用の出発物質のガス流量、ガス流量比
、放電パワー、支持体温度、堆積室内の圧力等を制御す
る事によって任意に制御されうる。

本発明に於ける目的が効果的に達成される為の支持体温
度は、適宜最適範囲を選択するが好ましくは、５０℃〜
５５０℃、より好適には１００℃〜２５０Ｃとするのが
望ましハ。

本発明に於ける密着層、電荷注入阻止層又は光導電層の
形成には、層を構成する原子の組成比の微妙な制御や層
厚の制御が他の方法て比較して容易であることから、グ
ロー放電法やスパッタリング法の採用が望ましいが、こ
れ等の層形成法で密着層、電荷注入阻止層又は光導電層
を形成する場合には、前記の支持体温度と同様に、層の
形成の際の放電パワー、ガス圧が作成される密着層、電
荷注入阻止層又は光導電層の特性を左右する重要な要因
である。

本発明の目的を達成しつる特性を有する密着、層、電荷
注入阻止層又は光導電層を生産性良く且つ効率的に作成
するに当っては、放電パワー条件については、好ましく
は１０〜１０００Ｗ、より好適ては２０〜５００Ｗとす
るのが望ましく、また、堆積室内のカス圧については、
好ましくは００１〜１ＴＯｒｒ、より好適には０．１〜
０５ＴＯｒｒ程度とするのが望ましい。

本発明に於いては、密着層、電荷注入阻止層又は光導電
層を作成するための支持体温度、放電パワーの望ましい
数値範囲として前記した範囲が挙げられるが、これらの
層作成ファクターは、通常は独立的て別々て決められる
ものではなく、所望の特性を有する電荷注入阻止層及び
光導電層を形成すべく、相互的且つ有機的関連性に基づ
いて、各層作成ファクターの最適値を決めるのが望まし
い。

本発明において、Ａ−８ｉ（）ｅ　（Ｈ、Ｘ）で構成さ
れる長波長光吸収層の形成もグロー放電法、スパッタリ
ング法、或いはイオンブレーティング法等の放電現象を
利用する真空堆積法によって成される。例えば、グロー
放電法によって、Ａ−３ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）で構成される
長波長光吸収層を形成するには、基本的にはシリコン原
子（Ｓｌ）を供給し得るＳ１供給用の原料ガスとゲルマ
ニウム原子（Ｏｅ）を供給し得るＧｅ供給用の原料ガス
と、必要て応じて水素原子（Ｈ）導入用の原料ガス又は
／及びハロゲ゛ン原子（Ｘ）導入用の原料ガスを、内部
が減圧にし得る堆積室内に所望のガス圧状態で導入して
、該堆、積室内・ンこグロー放電を生起させ、予め所定
位置に設置されである所定の支持体表面上にＡ−３ｉＣ
）ａ（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成すれば良い。又、ゲル
マニウム原子を不均一な分布状態で含有させるには、ゲ
ルマニウム原子の分布濃度を所望の変化率曲線に従って
制御しながらＡ−８ｉ（）ｅ（Ｈ，Ｘ）からなる層を形
成させれば良い。

又、スパッタリング法で形成する場合には、例えばＡｒ
、Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等のガスをベースとした
混合ガスの雰囲気中で８１で構成されたターゲット、或
いは、該ターゲットとＧｅで構成されたターゲットの二
枚を使用して、又は、ＳｌとＧｅの混合されたターゲッ
トを使用して、必要に応じて、Ｈｅ、Ａｒ等の稀釈ガス
で稀釈されたＧｅ供給用の原料ガスを、必要に応じて、
水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の
ガスをスパッタリング用の堆積室に導入し、所望のガス
のプラズマ雰囲気を形成することによって成される。ケ
゛ルマニウム原子の分布を均一にする場合には、前記Ｇ
ｅ供給用の原料ガスのガス流量を所望の変化率曲線て従
って制御し乍ら、前記のターゲットを虫ノξツタリング
してやれば良い。

イオンブレーティング法の場合には、例えば多結晶シリ
コン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマニウム又は単結
晶ゲルマニウムとを、夫々蒸発源として蒸着ボードに収
容し、この蒸発源を抵抗加熱法、或いは、エレクトロン
ビーム法（ＦＢ法）等によって加熱蒸発させ、飛翔蒸発
物を所望のガスプラズマ雰囲気中を通過させる以外は、
スパッタリング法の場合と同様にする事で行うことがで
きる。

本発明において使用されるＳ１供給用の原料ガスと成り
得る物質としては、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６，５ｉ３Ｈｓ
　、５ｉ４Ｈ１ｏ等のガス状態の又はガス化し得る水素
化硅素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙げ
られ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｓｉ供給効率
の良さ等の点でＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６が好ましいものと
して挙げられる。

Ｇｅ供給用の原料ガスと成り得る物質としては、ＧｅＨ
４、Ｇｅ２Ｈ６、Ｇｅ３Ｈ８、Ｇｅ４Ｈ１０、Ｇｅ５Ｈ
１２、Ｇｅ６Ｈ１４、（）ｅ７Ｈ［、Ｇｅ１３Ｈ１８，
０ｅ９Ｈ２０等のガス状態の、又はガス化し得る水素化
ゲルマニウムが有効に使用されるものとして挙げられ、
殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｇｅ供給効率の良さ
等の点でＧｅＨ４、Ｇｅ２Ｈ６、Ｇｅ３Ｈ８が好ましい
ものとして挙げられる。

本発明に於いて使用される）・ロゲン原子導入用の原料
ガスとして有効なのは、多くのノ・ロゲン化合物が挙げ
られ、例えばノ・ロゲンガス、ノ・ロｉ゛ン化物、ノ・
ロゲン間化合物、ノ・ロゲ゛ンで置換されたシラン誘導
体等のガス状態の又はガス化し得るハロゲン化硅素が好
ましく挙げられる。

又、更には、シリコン原子とノ＼ロゲン原子とを構成要
素とするガス状態の又はガス化し得るハロゲン原子を含
む水素化硅素化合物も有効なものとして本発明に於いて
は挙げる事が出来る。

本発明に於いて好適に使用し得るノ・ロゲン化合物とし
ては、具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロ
ゲンガス、ＢｒＦ　、　ＣＡＦ　、　ＣｌＦ５、ＢｒＦ
５　、ＢｒＦ３、ＩＦ３　、工Ｆ７　、ＩＣ４，よりｒ
等のハロゲン間化合物を挙げることが出来る。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲン原子で
置換されたシラン誘導体としては、具体的には例えば５
ＩＦ４．５１２Ｆ６．５ＩＣ２４、ＳｉＢｒ４等のハロ
ゲン化硅素、が好ましいものとして挙げることが出来る
。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光導電部材を形成す
る場合には、Ｇｅ供給用の原料ガスと共にＳｉを供給し
得る原料ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくとも
、所望の支持体上にハロゲン原子を含むＡ−Ｓ　ｉ　Ｃ
）ａから成る長波長光吸収層を形成することができる。

グロー放電法に従ってハロゲン原子を含む長波長光吸収
層を製造する場合、基本的には、例えばＳ１供給用の原
料ガスとなるハロゲン化硅素とＧｅ供給用の原料ガスと
なる水素化ゲルマニウムとＡｒ、Ｈ２、Ｈｅ等のガス等
を所定の混合比とガス流量になる様にして長波長光吸収
層を形成する堆積室に導入し、グロー放電を生起してこ
れ等のガスのプラズマ雰囲気を形成することによって、
所望の支持体上に長波長光吸収層を形成し得るものであ
るが、゛水素原子の導入割合の制御を一層容易になる様
に図る為にこれ等のガスに更に水素ガス又は水素原子を
含む硅素化合物のガスも所望量混合して層形成しても良
い。

又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。

スパッタリング法、イオンブレーティング法の何れの場
合にも形成される層中てハロゲ゛ン原子を導入するには
、前記のハロゲン化合物又は前記にハロゲン原子を含む
硅素化合物のガスを堆積室中て導入して該ガスのプラズ
マ雰囲気を形成してやれば良いものである。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｆ２、或いは前記したシラン類又は／
及び水素化ゲルマニウム等のガス類をスパッタリング用
の堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲気を形成
してやれば良い。

本発明に於いては、ハロゲン原子導入用の原料カスとし
て上記されたハロゲン化合物、或いはハロケ′ンを含む
硅素化合物が有効なものとして使用されるものであるが
、その他に、ＨＦ、ＨＣｌ　、　ＨＢｒ　１ＨＩ等のハ
ロゲン化水素、ＳｉＨ２Ｆ２．５ｉＨ２Ｉ２．５ｉＨ２
Ｃ４２，５ｉＨＣＡ３．５ｉＨ２Ｂｒ２．５ｉＨＢｒ３
等のハロゲン置換水素化硅素及びＧｅＨＦ３、ＧｅＦ２
Ｆ２　、ＧｅＨ３Ｆ　１０ｅＨＣ４５、ＧｅＨ２Ｃｔ２
　、ＧｅＨ５Ｃ１゜ＧｅＨＢｒ！１１ＧｅＨ２Ｂｒ２　
、　ＧｅＨ３Ｂｒ　、　Ｃ）ｅＨＩｘ　、０ｅＨ２Ｉ２
、（）ｅＨ３Ｉ等の水素化ハロゲン化ケ゛ルマニウム、
等の水素原子を構成要素の１つとする・・ロゲン化物、
ＧｅＦ４、ＧｅＣ４４、ＧｅＢｒ４、Ｇｅ工４、ＧｅＦ
２、ＧａＣｌ２、Ｇ５Ｂｒ２　、　（）ｅＩ２　等のハ
ロゲン化ケルマニウム、等のガス状態の或いはガス化し
得る物質も有効な長波長光吸収層形成用の出発物質とし
て挙げる事ができる。これ等の物質の中、水素原子を含
むハロゲン化物は、長波長光吸収層形成の際に層中にハ
ロゲン原子の導入と同時に電気的或いは光電的特注の制
御に極めて有効な水素原子も導入されるので、本発明て
於いては好適なノ・ロゲン導入用の原料として使用され
る。

水素原子を長波長光吸収層中に構造的に導入するには、
上記の他にＦ２．或いはＳｉＨ４、ＳｉＨ６，５ｉ３Ｈ
ｓ　、５ｉ４Ｈ１ｏ等の水素化硅素をＧｅを提供するた
めのゲルマニウム又はゲルマニウム化合物と、或いは、
ＧｅＨ４，０ｅ２Ｈｓ　、　Ｃ）ｅ３Ｈ８、Ｇｅ４Ｈ＋
　Ｏ、０ｅｓＨ＋２、Ｇｅｔ５Ｈ１４、Ｃｒｅ７Ｈ１６
、Ｃｒｅ８Ｈ４８、ＧｆＢ９Ｈ２０等の水素化ゲルマニ
ウムと８１を供給する為のシリコン又はシリコン化合物
と、を堆積室中に共存させて放電を生起させる事でも行
う事が出来る。

本発明の好ましい例に於いて形成される光受容部材の長
波長光吸収層中に含有される水素原子（Ｈ）の量又はハ
ロゲン原子＜Ｘ＞の量又は、水素原子とハロゲ“ン原子
の量の和（Ｈ＋Ｘ）は好ましくは０．０１〜４０原子係
、より好ましくは０．０５〜３０原子係、最適ては０１
〜２５原子チとされるのが望ましい。

長波長光吸収層中に含有される水素原子（Ｈ）又は／及
びハロゲ゛ン原子（Ｘ）の量を制御するには、例えば支
持体温度又は／及び水素原子（Ｈ）、或いはハロゲン化
物（Ｘ）を含有させる為に使用される出発物質の堆積装
置系内へ導入する量、放電々力等を制御してやれば良い
。

本発明に於いて、長波長光吸収層に窒素原子、酸素原子
及び炭素原子の中から選ばれる少なくとも１種を含有さ
せるには、長波長光吸収層の形成の際に、窒素原子、酸
素原子又は炭素原子導入用の出発物質を前記した長波長
光吸収層形成用の出発物質と共に使用して、形成される
層中にその量を制御し乍ら含有してやれば良い。

その様な窒素原子、酸素原子又は炭素原子導入用の出発
物質としては、少なくとも窒素原子、酸素原子又は炭素
原子を構成原子とするガス状の物質又はガス化し得る物
質をガス化したものの中の大概のものが使用され得る。

例えばシリコン原子（Ｓｌ）を構成原子とする原料ガス
と、窒素原子（Ｎ）、酸素原子（○）又は炭素原子（Ｃ
）を構成原子とする原料カスと、必要に応じて水素原子
（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（χ）を構成原子とする
原料ガス、とを所望の混合比で混合して使用するか、又
は、シリコン原子（Ｓｌ）を構成原子とする原料カスと
、窒素１ｇ子（Ｎ）、ｌｌ’ｉ！素原子（Ｏ）又は炭素
原子（Ｃ）、及び水素原子（Ｈ）を構成原子とする原料
ガスとを、これも又所望の混合比で混合するか、或いは
シリコン原子（Ｓｌ）を構成原子とする原料ガスと、シ
リコン原子（Ｓｌ）、窒素原子（Ｎ）、酸素原子（○）
又は炭素原子（Ｃ）及び水素原子（Ｈ）の３つを構成原
子とする原料ガスとを混合して使用する事が出来る。

又、別には、シリコン原子（Ｓｌ）と水素原子（６）と
を構成原子とする原料ガスに、窒素原子（Ｎ）、酸素原
子（○）又は炭素原子（Ｃ）を構成原子とする原料ガス
を混合して使用しても良い。

窒素原子（Ｎ）導入用の原料ガスに成り得るものとして
有効に使用される出発物質は、Ｎを構成原子とする、或
いはＮとＨとを構成原子とする例えば窒素（Ｎ２）　、
アンモニア（ＮＨ３）、ヒドラジン（Ｈ２ＮＮＨ２）、
アジ化水素（ＨＮ５）、アジ化アンモニウム（ＮＨ４Ｎ
３）等のガス状の又はガス化し得る窒素、窒化物及びア
ジ化物等の窒素化合物を挙げる事が出来る。この他に窒
素原子（Ｎ）の導入に加えてハロゲン原子（Ｘ）の導入
も行えるという点から、三弗化窒素（Ｆ５Ｎ）、四弗化
窒素（Ｆ４Ｎ２）等のハロゲン化窒素化合物を挙げる事
が出来る。

酸素原子を長波長光感光層に導入する為の酸素原子導入
用の原料ガスとしては、例えば酸素（０２）、オゾン（
０３）、−酸化窒素（１ｈｏ）、二酸化窒素（ＮＯ３）
、−二酸化窒素（Ｎ２０）、三二酸化窒素（Ｎ２０３）
、四三酸化窒素（Ｎ２０４）、三二酸化窒素（Ｎ２０５
）、三酸化窒素（ＮＯ３）、シリコン原子（Ｓｌ）と酸
素原子（○）と水素原子（Ｈ）とを構成原子とする、例
えば、ジシロキサン（Ｈ３ＳｉＯ３ｉＨ３）、トリシロ
キサ”　（ＨｓＳｉＯ３ｉＨ２０ＳｉＨ３）等の低級シ
ロキサン等を挙げる事が出来る。

炭素原子導入用の原料となる炭素原子含有化合物として
は、例えば炭素数１〜４の飽和炭化水素、炭素数２〜４
のエチレン系炭化水素、炭素数２〜６のアセチレン系炭
化水素等が挙げられる。

具体的には、飽和炭化水素としては、メタン（Ｃ）（４
）、エタン（Ｃ２Ｈ６）、プロパン（Ｃ３！（８）、ｎ
−ブタン（ｎ−Ｃ４Ｈ１ｏ）、はブテン（Ｃ５Ｈ１２）
　、エチレン系炭化水素としては、エチレン（Ｃ２Ｈ４
）、プロピレン（Ｃ３Ｈ６）、ブテン−１（Ｃ４Ｈ８）
、ブテン−２（Ｃ４Ｈ８）、インブチレン（Ｃ４Ｈ８）
　、はブテン（Ｃ５Ｈ１ｏ　）、アセチレン系炭化水素
としては、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、メチルアセチレン
（Ｃ５Ｈ４）、ブチン（Ｃ４Ｈ６）等が挙げられる。

ＳｌとＣとＨとを構成原子とする原料ガスとしては、Ｓ
ｉ（ＣＨ３）４．５ｉ（Ｃ２Ｈ４）４等のケイ化アルキ
ルを挙げる事が出来る。

スパッタリング法によって長波長光吸収層を形成するに
は、長波長光吸収層形成の際、（Ｓ１＋５ｉ３Ｎ４）　
、（Ｓｉ＋５ｉＣ）又は（ｓｉ＋５１ｏ２）なる成分で
混合成形したスパッター用のターゲットを使用するか、
ＳｉウェハーとＳｉ３Ｎ４ウェハーの二枚、Ｓ１ウエハ
ーとＳＩＣウェハーの二枚、又はＳ１ウニバーと８１０
２ウエハーの二枚のターゲットを使用して、スパッタリ
ングを行うか、又は炭素を含んだ化合物のガス、窒素を
含んだ化合物のガス、又は酸素を含んだ化合物のカスを
、例えばＡｒガス等のスパッター用のガスと共に堆積室
内に導入して、Ｓｌ又はターゲットを使用してスパッタ
リングを行って長波長光吸収層を形成すればよい。

本発明に於いて、長波長光吸収層の形成の際に、核層に
含有されろ窒素原子、酸素原子又は炭素原子の分布濃度
Ｃ（Ｎ−０，Ｃ）を層厚方向に変化させて、所望の層厚
方向の分布状態（ｄｅｐｔｈｐｒｏｆｉｌｅ　）を有す
る層を形成するには、グロー放電の場合には、分布濃度
Ｃ（Ｎ、Ｏ，Ｃ）を変化させるべき窒素原子、酸素原子
又は炭素原子導入用の出発物質のガスを、そのガス流量
を所望の変化率曲線に従って適宜変化させ乍ら、堆積室
内に導入する事によって成されろ。

例えば手動或いは外部駆動モータ等の通常用いられてい
る何らかの方法により、カス流路系の余や：Ｃ設け１り
れた。所定り〕二一ドルバルフの開口を適宜変化でせろ
操作を行えば良い。

スパッタリンク法によって形成する場合、窒素原子、酸
素原子又は炭素原子の５層厚方向の分布濃度Ｃを層厚方
向で変化させて、窒素原子、酸素原子又は炭素原子の層
厚方向の所望の分布状態（ｄｅｐｔｈ　ｐｒｏｆｉｌｅ
　）を形成するては、第一にはグロー放電法による場合
と同様に窒素原子、酸素原子又は炭素原子導入用の出発
物質をガス状態で使用し、該ガスを堆積室中へ導入する
際のガス流量を所望に従って適宜変化させる事によって
成される。

第二にはスパッタリング用のターゲットを例えばＳｌと
Ｓｉ３Ｎ４との混合されたターゲットを使用するのであ
れば、ＳｌとＳｉ３Ｎ４との混合比を、ターゲットの層
厚方向て於いて、予め変化させておく事によって成され
る。

長波長光吸収層中に、伝導特性を制御する物質、例えば
第■族原子、或いは第■族原子を構造的に導入するには
、層形成の際に第■族原子導入用の出発物質、或いは第
■族原子導入用の出発物質をガス状態で堆積室中に長波
長光吸収層を形成する為の他の出発物質と共に導入して
やれは艮カ。この様な第■族原子導入用の出発物質と成
り得るものとしては、常温常圧でガス状の、又は少なく
とも層形成条件下で容易てガス化し得るものが採用され
るのが望ましい。その様な第■族原子導入用の出発物質
として具体的には硼素原子導入用としては、Ｂ２Ｈ６、
Ｂ４Ｈ４０１Ｂ５Ｈ９、Ｂ５Ｈ１ｏ　、Ｂ６Ｈ１ｏ　、
　Ｂ６Ｈ１２、Ｂ６Ｈ＋４等の水素化硼素、ＢＦ３　、
ＢＣｌ２　、ＢＢｒｓ等のハロゲン化硼素等が挙げられ
る。この他、ＡｔＣｌ３．０ａＣ２３、（）ａ（ＣＨ３
）３、ＩｎＣ６２、ＴｔＣ２５等も挙げる事が出来る。

第Ｖ族原子導入用の出発物質として本発明て於いて有効
に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ５、Ｐ
２Ｈ４等の水素比隣、ＰＨ４Ｉ　、ＰＦ５、ＰＦｓ　、
ＰＣｌ３．　ＰＣ４ｓ　、　ＰＢｒ３、ＰＢｒｓ　、Ｐ
Ｉ３等のハＯダン比隣が挙げられる。この他、ＡＳＩ（
５、ＡＳＦ３、ＡｓＣＬｓ　、ＡｓＢｒ３、ＡｓＦ５　
、ＳｂＨ３、ＳｂＦ３．５ｂＦｓ、５ｂＣ４３，５ｂＣ
Ｌ５　、ＢｉＩ３、Ｂ１ＣＡ３、Ｂ１Ｂｒ３なども第■
族原子導入用の出発物質の有効なものとして挙げる事が
出来る。

Ａ−（ＳｉｚＣｌ−ｘ）ｙ　：Ｈｌ−ｙで構成される表
面層１０４の形成もグロー放電法、スパッタリング法、
イオンインプランテーンヨン法、イオンブレーティング
法、エレクトオンビーム法等によって成される。これ等
の製造法は、製造条件、設備資本投下の負荷程度、製造
規模、作製される電子写真用光受容部材に所望される特
性等の要因によって適宜選択されて採用されるが、所望
する特性を有する電子写真用光受容部材を製造する為の
作成条件の制御が比較的容易である、シリコン原子と共
に炭素原子及び水素原子を作製する表面層１０４中に導
入するが容易て行える等の利点からグロー放電法或いは
ス・ξツタリング法が好適に採用される。

更に、本発明て於いては、グロー放電法とスパッタリン
グ法とを同一装置系内で併用して表面層１０４を形成し
ても良い。

クロー放電法によって表面層１０４を形成するには、Ａ
−（Ｓ１ｘＣ＋　−ｘ）ｙ　：Ｈｌ−ｙ形成用の原料ガ
スを、必要に応じて稀釈カスと所定量の混合比で混合し
て、支持体１０１の設置しである真空堆積用の堆積室に
導入し、導入されたガスをグロー放電を生起させる事で
カスプラズマ化して前記支持体１０１上に既に形成され
である光導電層１０３上にＡ−（ＳｉｘＣ１−ｘ）ｙ　
’　Ｈｌ−Ｙを堆積させれば良い。

本発明に於いてＡ−（ＳｉＸＣ＋−ｘ）ｙ’Ｈ４−Ｙ形
成用の原料ガスとしては、Ｓｉ、Ｃ，Ｈの中の少なくと
も１つを構成原子とするガス状の物質又はガス化し得る
物質をガス化したものの中の大概のものが使用され得る
。

Ｓｌ、Ｃ，Ｈの中の１つとしてＳｌを構成原子とする原
料ガスを使用する場合は、例えばｓｌを構成原子とする
原料ガスと、Ｃを構成原子とする原料ガスと、Ｈを構成
原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して使用す
るが、又は、ｓｌを構成原子とする原料ガスと、Ｃ及び
Ｈを構成原子とする原料ガスとを、これも又所望の混合
比で混合するか、或いはＳｌを構成原子とする原料ガス
と、Ｓｌ、Ｃ及びＨの３つを構成原子とする原料ガスと
を混合して使用することが出来る。

又、別にはＳｌとＨとを構成原子とする原料ガスにＣを
構成原子とする原料ガスを混合して使用しても良い。

本発明に於いて、表面層１０４形成用の原料ガスとして
有効に使用されるのは、ＳｌとＨとを構成原子とする５
ＩＨ４，５１２Ｈ６，５１３Ｈ３，５１４Ｈ１ｏ等のシ
ラン（Ｓｉｌａｎｅ）類等の水素化硅素ガス、ＣとＨと
を構成原子とする、例えば炭素数１〜４の飽和炭化水素
、炭素数２〜４のエチレン系炭化水素、炭素数２〜３の
アセチレン系炭化水素等が挙げられる。

具体的には、飽和炭化水素としては、メタン（ＣＨ４）
、エタン（Ｃ２Ｈ６）、プロパン（Ｃ３Ｈ８）、ｎ−ブ
タ７　（ｎ−ＣａＨ＋ｏ）　、ペンタン（Ｃ５Ｈ１２）
、エチレン系炭化水素としては、エチレン（Ｃ２Ｈ４）
、プロピレン（ＣｓＨ６）、ブテン−１（Ｃ４Ｈａ）、
ブテン−２（Ｃ４Ｈ８）、インブチレン（Ｃ４Ｈ８）　
、はシラン（Ｃ５Ｈ１０）、アセチレン系炭化水素とし
ては、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、メチルアセチレン（Ｃ
３Ｈ４）、ブチン（Ｃ４Ｈ６）等が挙げられる。

ＳｌとＣとＨとを構成原子とする原料ガスとしては、Ｓ
ｉ（ＣＨ３）４．５ｉ（Ｃ２Ｈｓ）４等のケイ化アルキ
ルを挙げることが出来る。これ等の原料ガスの他、Ｈ導
入用の原料ガスとしては勿論Ｈ２も有効なものとして使
用される。

スパッタリング法によって表面層１０４を形成するには
、単結晶又は多結晶のＳ１ウエーハー又はＣウェーハー
又はＳｌとＣが混合されて含有されているウェーハーを
ターケ゛ットとして、これ等を種々のカス雰囲気中でス
パッタリンクすることによって行えば良い。

例えば、Ｓ１ウエーハーをターゲットとして使用すれば
、ＣとＨを導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀釈
ガスで稀釈して、スパッタ用の堆積室中に導入し１、こ
れ等のガスのカスプラズマを形成して前記８１ウエーノ
・−をスパッタリンクすれば良い。

又、別にはＳｌとＣとは別々のターゲットとして、又は
ＳｌとＣの混合した一枚のターケ゛ットを使用すること
によって、少なくとも水素原子を含有するガス雰囲気中
でスパッタリンクすることによって成される。

Ｃ又はＨ導入用の原料ガスとしては、先述したグロー放
電の例で示した原料ガスが、スパッタリンクの場合にも
有効なガスとして使用され得る。

本発明に於いて、表面層１０４をグロー放電法又はスパ
ッタリング法で形成する際に使用される稀釈ガスとして
は、所謂、希ガス、例えばＨｅ、Ｎｅ、　Ａｒ等が好適
なものとして挙げることが出来る。

光導電層１０６の表面にＡ−（ＳｉｘＣ１−ｘ）ＹＨ４
−ｙ　カら成る表面層１０４を形成する際、層形成中の
支持体温度は、形成される層の構造及びｔｒｆ性を左右
する重要な因子であって、本発明に於いては、目的とす
る特性を有するＡ−（ｓｉ）ｃｃｌ−ｘ）ｙＨ＋−ｙが
所望通りに作成され得る様に層作成時の支持体温度が厳
密て制御されるのが望ましい。

本発明に於ける目的が効果的に達成される為の表面層１
０４を形成する際の支持体温度としては表面層１０４の
形成法に併せて適宜最適範囲が選択されて、表面層１０
４の形成が実行されるが、通常の場合、５０℃〜３５０
Ｃ１好適には１０００〜３００Ｃとされるのが望ましい
ものである。表面層１０４の形成には、層を構成する原
子の組成比の微妙な制御や層厚の制御が他の方法に較べ
て比較的容易である事などの為に、グロー放電法やスパ
ッタリング法の採用が有利であるが、これ等の層形成法
で表面層１０４を形成する場合には、前記の支持体温度
と同様に層形成の際の放電パワー、ガス圧が作成される
Ａ−（Ｓｉ）（１：＋　−ｘ）ｙ二Ｈ，−ｙの特性を左
右する重要な因子の１つである。

本発明に於ける目的が達成される為の特注を有するＡ−
（Ｓ１ｘＣ＋　−ｘ）ｙ　’　Ｈ＋−ｙが生産性良く効
果的に作成される為の放電・ξワー条件としては、通常
、１０〜１０００Ｗ、好適には２０〜５００Ｗとされる
のが望ましい。堆積室内のカス圧は通常００１〜１Ｔｏ
ｒｒ、好適には０．１〜０．５　Ｔｏｒｒ　ｇ度とされ
るのが望ましい。

本発明に於いては、表面層１０４を作成する為の支持体
＠度、放電・ξワーの望ましい数値範囲として前記した
範囲の値が挙げられるが、これ等の層作成ファクターは
、独立的：・て別々（で決められるものではなく、所望
特性のＡ−（ＳｉＸＣ４−Ｘ）Ｙ：Ｈｌ−ｙから成る表
面層１０４が形成される様に相互的有機的関連性に基い
て、各層形成ファクターの最適値が決められるのが望ま
しい。

〔実施例〕

以下、実施例１〜３０および比較例１〜７により本発明
の電子写真用光受容部材についてより詳しく説明するが
、本発明はこれ等によって限定されるものではない。

各実施例においては、光受容層１００をグロー放電法を
用いて形成した。第２４図はグロー放電法による本発明
の電子写真用光受容部材の製造装置を模式的に示す図で
ある。

図中、２４０２〜２４０６のガスボンベには、本発明の
電子写真用光受容部材の夫々の層を形成するための原料
ガスが密封されており、その−例としてたとえば２４０
２は、５ｉＨａ　（純度９９．９９９％）ボンベ、２４
０３はＨ２で稀釈されたＢ２Ｈ６ガス（純度９９．９９
９％、以下Ｂ２Ｈ６／）Ｉ２　　と略す。）、２４０４
はＨ２カス（純度９９．９９９９９％）ボンベ、２４０
５はＮｏガス（純度９９．９９９％）ボンベ、２４０６
はＣＨ４ガス（純度９９９９％）ボンベである。

これらのガスを反応室２４０１　　に流入させるにはガ
スボンベ２４０２〜２４０６のバルブ２４２２〜２４２
６、リークバルブ２４６５が閉じられていることを確認
し、又、流入バルブ２４１２〜２４１６、流出バルブ２
４１７〜２４２１　、補助バルブ２４３２．２４３３が
開かれていることを確認して先づメインバルブ２４３４
を開いて反応室２４０１、ガス配管内を排気する。次に
真空計２４３６の読みが約５　Ｘ　１０−６ｔｏｒｒに
なった時点で補助バルブ２４３２　、２４３３、流出／
２ルブ２４１７〜２４２１を閉じる。

次にシリンダー状基体２４６７上に第１／Ａ）図に示す
層構成の電子写真用光受容部材を形成する場合の一例を
あげると、ガスボンへ２４０２よりＳｉＨ４ガス、ガス
ボンベ２４０４よりＨ２ガスを、ガスボンベ２４０３よ
りＢ２Ｈ６／Ｈ２ガスを、カスボンベ２４０５よりＮｏ
ガスを夫々バルブ２４２２〜２４２５を開いて出口圧ゲ
ージ２４２７〜２４３０の圧を夫々１ｋｇ／ｃ！ｎ２に
調整し、流入バルブ２４１２〜２４１５を夫々徐々ニ開
ケて、マスフロコントローラ２４０７〜２４１０内て夫
々流入させる。引き続いて流出バルブ２４１７〜２４２
０補助バルブ２４３２を徐々に開いて夫夫のガスを反応
室２４０１　Ｋ流入させる。このときのＳ　ｉＨ４ガス
流量とＢ２Ｈ６／’Ｈ２ガス流量、Ｎｏガス流量との比
が所望の値になるように流出バルブ２４１７〜２４２０
を調整し、又、反応室内の圧力が所望の値になるように
真空計２４６６の読みを見ながらメインバルブ２４３４
の開口を調整する。そして基体シリンダー２４３７の温
度が加熱ヒーター２４３８　Ｋより５０〜６５０℃の範
囲の温度て設定されていることを確認された後、電源２
４４０を所望の電力に設定して反応室２４０１内にグロ
ー放電を生起させ、同時にあらかじめ設計された変化率
曲線て従ってＢ２Ｈ６Ａ２ガス又は／及びＮｏガスの流
量を手動あるいは外部惠動モータ等の方法によってバル
ブ２４１８又は／及び２４２０を漸次変化させる操作を
行なって形成される層中に含有される硼素原子又は／及
び酸素原子の層厚方向の分布濃度を制御する。

上記の様にして、所望層厚に硼素原子と酸素原子の含有
された電荷注入阻止層が形成された時点で、流出バルブ
２４２０及び２４１８を閉じ、反応室２４０１内へのＢ
　２　Ｈ６／Ｈ２ガス及びＮｏガスの流入を遮断し同時
に流出バルブ２４１７及び２４１９を調整してＳｉＨ４
ガス及びＨ２ガスの流量を制御し、引続き層形成を行な
うことによって、酸素原子及び硼素原子を含有しない光
導電層を電荷注入阻止層上に所望の層厚に形成する。

又、酸素原子又は／及び硼素原子を含有する光導電層を
形成する場合ては流出バルブ２４１８又は／及び２４２
０を閉じるかわりに所望の流量に調整すればよい。

電荷注入阻止層及び光導電層中にハロゲン原子を含有さ
せる場合には上記のガスにたとえばＳｉＦ４ガスを、更
に付加して反応室２４０１内に送り込む。

各層を形成する際ガス種の選択によっては、層形成速度
を更に高めることが出来る。例えばＳｉＨ４ガスのかわ
りにＳｉ２Ｈ６ガスを用いて層形成を行なえば、数倍高
めることが出来、生産性が向上する。

上記の様てして作成された光導電層上に表面層を形成す
るには、光導電層の形成の際と同様なバルブ操作によっ
て例えば、５ｉＨ４ｔＪ’ス、ＣＨ４ガス及び、必要に
応じてＨ２等の稀釈ガスを、所望の流量比で反応室２４
０１中に流し、所望の条件に従って、グロー放電を生起
させることによって成される。

表面層中に含有される炭素原子の量は例えば、Ｓ　ｉＨ
４ガスと、ＣＨ４ガスの反応室２４０１内に導入される
流量比を所望に従って任意に変えることによって、所望
に応じて制御することが出来る。

又、表面層中に含有される水素原子の量は例えば、Ｈ２
ガスの反応室２４０１内に導入される流量を所望に従っ
て任意に変えることによって、所望に応じて制御するこ
とが出来る。

夫々の層を形成する際に必要なガス以外の流出バルブは
全て閉じることは言うまでもなく、又、夫々の層を形成
する際、前層の形成に使用したガスが反応室２４０１内
、流出バルブ２４１７〜２４２１から反応室２４０１内
に至る配管内に残留することを避けるために、流出バル
ブ２４１７〜２４２１を閉じ補助バルブ２４６２を開い
てメインバルブ２４３４を全開して系内な一旦高真空に
排気する操作を必要に応じて行う。

又、層形成を行っている間は層形成の均一化を図るため
基体シリンダー２４６７は、モータ２４６９によって所
望される速度で一定に回転させる。

〈実施例１〉 第２４図の製造装置を用い、第１表の作製条件に従って
鏡面加工を施したアルミシリンダー上に電子写真用光受
容部材を形成した。又、第２４図と同型の装置を用い、
同一仕様のシリンダー上知表面層のみを形成したものを
別個に用意した。光受容部材（以後ドラムと表現）の方
は、電子写真装置をセットして、種々の条件のもとに、
初期の帯電能、残留電位、ゴースト等の電子写真特性を
チエツクし、又、１５０万枚実機耐久後の帯電能低下、
感度劣化、画像欠陥の増加を調べた。更に、３５Ｃ１８
５％の高温、高湿雰囲気中でのドラムの画像流れについ
ても評価した。又、表面層のみの方は、（以後サンプル
と表現）画像部の上・中・下足相当する部分を切り出し
、有機元素分析計を利用して膜中に含−まれる水素の定
量分析に供した。上記の評価結果及び水素の分析値を第
２表に示す。第２表に見られる様に、特に初期帯電能、
画像流れ、画像欠陥、感度劣化の各項目について著しい
優位性が認められた。

〈比較例１〉 作製条件を第６表のように変えた以外は、実施例１と同
様の装置、方法でドラムおよびサンプルを作成し、同様
の評価に供した。その結果を第４表に示す。

第４表にみられる様に、実施例１と比べて諸諸の項目に
ついて劣ることが認められた。

〈実施例２〉 第２４図の製造装置を用い、第５表の作製条件に従って
鏡面加工を施したアルミシリンダー上に電子写真用光受
容部材を形成した。又、第２４図と同型の装置を用い同
一仕様のシリンダー上に表面層のみを形成したものを別
個に用意した。光受容部材（以後ドラムと表現）の方は
、電子写真装置にセットして、種々の条件のもとに、初
期の帯電能、残留電位、ゴースト等の電子写真特性をチ
エツクし、また、１５０万枚実機耐久後の帯電能低下、
感度劣化、画像欠陥の増加を調べた。さらに、６５℃、
８５％の高温、高湿雰囲気中でのドラムの画像流れにつ
いても評価した。そして、ドラム評価の終了したドラム
は、中央の一部分を切り出し、■）ＬΔ、による厚さ方
向の成分分布の分析に供した。又、表面層のみの方は（
以後サンプルと表現）、画像部の上・中・下に相当する
部分を切り出し、有機元素分析計を利用して膜中に含ま
れる水素の定量分析に供した。上記の評価結果及び水素
の分析値を第６表に、又、電荷注入阻止層における、層
厚方向でのホウ素（、Ｂ）、酸素（０）の成分プロファ
イルを第２７図に示す。第６表に見られる様に、特に、
初期帯電能、残留な位、コースト、画像流れ、画像欠陥
の増加の各項目について著しい優位性が認められた。

〈実施例３（比較例２）〉 表面層の作製条件を第５表に示す数種の条件に変え、そ
れ以外は実施例１と同様の条件にて複数のドラムおよび
分析用サンプルを用意した。

これらのドラムおよびサンプルを実施例１と同様の評価
・分析にかけた結果、第６表に示すような結果を得た。

〈実施例４〉 光導電層の作製条件を第９表に示す数種の条件に変え、
それ以外は実施例１と同様の条件にて複数のドラムを用
意した。これらのドラムを実施例１と同様の評価にかけ
た結果、第１Ｄ表に示すような結果を得た。

〈実施例５〉 電荷注入阻止層の作製条件を第１１表に示す数種の条件
に変え、それ以外は実施例１と同様の条件にて複数のド
ラムを用意した。これらのドラムを実施例１と同様の評
価にかけた結果、第１２表に示すような結果を得た。

〈実施例６〉 電荷注入阻止層の作製条件を第１３表に示す数種の条件
に変え、それ以外は実施例１と同様の条件にて複数のド
ラムを用意した。これらのドラムを実施例１と同様の評
価てかけた結果、第１４表に示すような結果を得た。

〈実施例７〉 鏡面加工を施したシリンダーを更に様々な角度を持つ剣
ノｚイｌ−による旋盤加工に供し、第２５図のような判
断形状で第１５表−のような種々の断面パターンを持つ
シリンダーを複数本用意した。該シリンダーを順次第２
４図の製造装置にセットし、実施例１と同様の作製条件
の基にドラム作製に供した。作製されたドラムは、７８
０ｎｍの波長を有する半導体レーザーを光源としたデン
タル露光機能の電子写真装置により、種々の評価を行な
い、第１６表の結果を得た。

〈実施例８〉 鏡面加工を施したシリンダーの表面を、引続き多数のベ
アリング剛球の落下の基にさらしてシリンダー表面に無
数の打痕を生せしめる、所謂表面デインプル化処理を施
し、第２６図のような判断形状で、第１７表のような種
々の断面パターンを持つシリンダーを複数本用意した。

該シリンダーを順次第１８図の製造装置にセットし、実
施例１と同様の作製条件の基にドラム作製に供した。作
製されたドラムは、７８０　ｎｍの波長を有する半導体
レーザーを光源としたデジタル露光機能の電子写真装置
により種々の評価を行ない、第１８表の結果を得た。

〈実施例９〉 第２４図の製造装置を剛力、第１９表（以下、表中、長
波長光吸収層をｒＩＲ層」と表記する。）の作製条件に
従って鏡面加工を施したアルミシリンダー上に電子写真
用光受容部材を形成した。

又、第２４図と同型の装置を用い、同一仕様のシリンタ
ー上に表面層のみを形成したものを別個に用意した。光
受容部材（以後ドラムと表現）の方は、７８０　ｎｍの
波長を有する半導体レーザーを光源としたデジタル露光
機能の電子写真装置にセットして、種々の条件のもとに
、初期の帯電能、残留電位、ゴースト等の電子写真特性
をチエツクし、又、１５０万枚実機耐久後の帯電能低下
、感度劣化、画像欠陥の増加を調べた。

更に、３５℃、８５％の高温・高湿の雰囲気中でのドラ
ムの画像流れについても評価した。又、表面層のみの方
は、（以後サンプルと表現）が画像部の上・中・下に相
当する部分を切り出し、有機元素分析計を利用して膜中
に含まれる水素の定量分析に供した。上記の評価結果及
び水素の分析値を第２０表に示す。第２０表に見られる
様に、特に、初期帯電能、画像流れ、残留電位、ゴース
トの各項目【ついて著しい優位性が認められた。

〈比較例６〉 作成条件を第２１表のように変えた以外は、実施例９と
同様の装置、方法でドラム及びサンプルを作成し、同様
の評価：で供した。その結果を第２２表に示す。

第２２表にみられる様に、実施例９と比べて諸々の項目
について劣ることが認められた。

〈実施例１０〉 第２４図の製造装置を用い、第２３表の作製条件に従っ
て鏡面加工を施したアルミシリンダー上に電子写真用光
受容部材を形成した。又、第２４図と同型の装置を用い
、同一仕様のシリンダー上に表面層のみを形成したもの
を別個に用意した。光受容部材（以後ドラムと表現）の
方は、７８０　ｎｍの波長を有する半導体レーザーを光
源としたデジタル露光機能の電子写真装置にセットして
、種々の条件のもとて、初期の帯電能、残留電位、ゴー
スト等の電子写真特注をチエツクし、又、１５０万枚実
機耐久後の帯電能低下、感度劣化、画像欠陥の増加を調
べた。更に、３５℃、８５％の高温・高湿の雰囲気中で
のドラムの画像流れについても評価した。

そして、ドラム評価の終了したドラムは、中央の一部分
を切り出し、ＩＭＡによる厚さの方向の成分分布の分析
に供した。又、表面層のみの方は（以後女ンプルと表現
）、画像部の上・中・下に相当する部分を切り出し、有
機元素分析計を利用して膜中て含まれる水素の定量分析
に供した。上記の評価結果及び水素の分析値を第２４表
に、又、電荷注入阻止層における、層厚方向でのホウ素
（Ｂ）、酸素（０）の成分プロファイル及び長波長光吸
収層（ＩＲ層）における層厚方向でのゲルマニウム（Ｏ
ｅ’）の成分プロファイルを第２８図に示す。第２４表
に見られる様に、特に、初期帯電能、残留電位、ゴース
ト、画像流れ、画像欠陥の増加の各項目について著しい
優位性が認められた。又、干渉縞に関しても非常に良好
な結果を示した。

〈実施例１１（比較例４）〉 表面層の作製条件を第２５表に示す数種の条件に変え、
それ以外は実施例９と同様の条件にて複数のドラム及び
分析用サンプルを用意した。

これらのドラム及びサンプルを実施例９と同様の計画・
分析にかけた結果、第２６表て示すような結果を得た。

〈実施例１２〉 光導電層の作製条件を第２７表に示す数種の条件に変え
、それ以外は実施例９と同様の条件にて複数のドラムを
用意した。これらのドラムを実施例９と同様の評価にか
けた結果、第２８表て示すような結果を得た。

〈実施例１３〉 電荷注入阻止層の作製条件を第２９表に示す数種の条件
に変え、それ以外は実施例９と同様の条件にて複数のド
ラムを用意した。これらのドラムを実施例９と同様の評
価にかけた結果、第３０表に示すような結果を侍た。

〈実施例１４〉 電荷注入阻止層の作製条件を第３１表に示す数種の条件
に変え、それ以外は実施例９と同様の条件にて複数のド
ラムを用意した。これらのドラムを実施例９と同様の評
価にかけた結果、第６２表に示すような結果を得た。

〈実施例１５〉 長波長光吸収層（ＩＲ’ｉ）の作製条件を第３３表に示
す数種の条件て変え、それ以外は実施例９と同様の条件
にて複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例９と同様の評価にかけた結果、
第３４表に示すような結果を得た。

〈実施例１６〉 長波長光吸収層（工Ｒ層）の作製条件を第６５表に示す
数種の条件に変え、それ以外は実施例９と同様の条件に
て複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例９と同様の評価にかけた結果、
第６６表に示すような結果を得た。

〈芙方例１７〉 鏡面加工を施したシリンダーを更に、様々な角度を持つ
剣ハイドによる旋盤加工に供し、第２５図のような断面
形状で第６７表のような種種の断面パターンを持つシリ
ンダーを複数本用意した。該シリンダーな頴次、第２４
図の製造装置にセットし、実施例９と同様の作製条件の
もとてドラム作製に供した。作成されたドラムは７８０
　ｒｘｍの波長を有する半導体レーザーを光源としたテ
シタル露光８能の電子写真装置によリ、種々の評価を行
ない、第３８表の結果を得た。

〈実施例１８〉 鏡面加工を施したシリンダーの表面を、引続き多数のベ
アリング川原の落下のもとにさらして、シリンダー表面
に無数の打痕を生せしめるいわゆる表面デインプル化処
理を施し、第２６図のような断面形状で第６９表のよう
な種々の断面・ξターンを持つシリンダーを複数本用意
した。該シリンダーを順次、第２４図の製造装置にセッ
トし、実施例９と同様の作製条件のもとにドラム作製に
供した。作成されたドラムは７８０　ｎｍの波長を有す
る半導体レーザーを光源としたデジタル露光機能の電子
写真装置により、種々の評価を行ない、第４０表の結果
を得た。

〈実施例１９〉 第２４図の製造装置を用い、第４１表の作製条件に従っ
て鏡面加工を施したアルミシリンダー上に電子写真用光
受容部材を形成した。又、第２４図と同型の装置を用い
、同一仕様のシリンダー上て表面層のみを形成したもの
を別個に用意した。光受容部材（以後ドラムと現現）の
方は、７８０　ｎｍの波長を有する半導体レーザーを光
源としたデジタル露光機能の電子写真装置てセットして
、種々の条件のもとＫ、初期の帯電能、残留電位、ゴー
スト等の電子写真特性をチエツクし、また、１５０万枚
実機耐久後の帯電能低下、感度劣化、画像欠陥の増加を
調べた。

さらに、３５℃、８５％の高温・高湿雰囲気中でのドラ
ムの画像流れについても評価した。又、表面層のみの方
は、（以後サンプルと表現）画像部の上・中・下て相当
する部分を切り出し、有機元素分析計を利用して膜中に
含まれる水素の定量分析に供した。上記の評価結果及び
水素の分析値を第４２表て示す。第４２表に見られる様
に、特に初期帯電能、画像流れ、残留電位、ゴースト、
画像欠陥の各項目について著しい優位性が認められた。

く比較例５〉 作成条件を第４３表のように変えた以外は、実施例１９
と同様の装置、方法でドラム及びサンプルを作成し、同
様の評価に供した。その結果を第４４表に示す。

第４４表にみられる様に、実施例１と比べて諸々の項目
について劣ることが認められた。

〈実施例２０〉 第２４図の製造装置を用い、第４５表の作製条件に従っ
て鏡面加工を施したアルミシリンダー上に電子写真用光
受容部材を形成した。又、第２４図と同型の装置を用い
、同一仕様のシリンダー上に表面層のみを形成したもの
を別個に用意した。光受容部材（以後ドラムと表現）の
方は、７８０　ｎｍの波長を有する半導体レーザーを光
源としたデジタル露光機能の電子写真装置にセットして
、種々の条件のもとに、初期の帯電能、残留電位、ゴー
スト等の電子写真特性をチエツクし、また、１５０万枚
実機耐久後の帯電能低下、感度劣化、画像欠陥の増加を
調べた。

さらに、３５℃、８５係の高温・高湿雰囲気中でのドラ
ムの画像流れについても評価した。

そして、ドラム評価の終了したドラムは、中央の一部分
を切り出し、工ＭＡによる厚さ方向の成分分布の分析に
供した。又、表面層のみの方は（以後サンプルと表現）
、画像部の上・中・下に相当する部分を切り出し、有機
元素分析計を利用して膜中に含゛まれる水素の定量分析
に供した。上記の評価結果及び水素の分析値を第４６表
に、また電荷注入阻止層における、層厚方向でのホウ素
（Ｂ）、酸素（○）の成分プロファイル及び長波長光吸
収層（ＩＲ層）における層厚方向テノゲルマニウム（Ｏ
ｅ　）の成分プロファイルヲ第２８図に示す。第４６表
に見られる様に、特に、初期帯電能、残留電位、ゴース
ト、画像流れ、画像欠陥、画像欠陥の増加及び干渉縞の
多項目にわたって、著しい優位性が認められた。

〈実施例２１（比較例６）〉 表面層の作製条件を第４７表に示す数種の条件に変え、
そｈ以外シま実施す」１９と同様の条件にて複数のドラ
ム及び分析゛用サンプルを用意した。これらのトラム及
びサンプルを笑施タリ１９と同様の評価・分析にかけた
結果、第４８表に示すような結果を得た。

〈実施例２２〉 光導電層の作製条件を第４９表に示す数種の条件に変え
、それ以外は実施例１９と同様の条件にて複数のドラム
を用意した。これらのドラムを実施例１９と同様の評価
にかけた結果、第５０表に示すような結果を得た。

〈実施例２３〉 電荷注入阻止層の作製条件を第５１表に示す数種の条件
に変え、それ以外は実施例１９と同様の条件にて複数の
ドラムを用意した。これらのドラムを実施例１９と同様
の評価にかけた結果、第５２表に示すような結果を得た
。

〈実施例２４〉 電荷注入阻止層の作製条件を第５６表に示す数種の条件
に震え、それ以外は実施例１９と同様の条件にて複数の
ドラムを用意した。これらのドラムを実施例１９と同様
の評価にかけた結果、第５４表に示すような結果を得た
。

〈実施例２５〉 長波長光吸収層（ＩＲ層）の作製条件を第５５表に示す
数種の作製条件に変え、それ以外は、実施例１９と同様
の条件にて複数のドラムを用意した。これらのドラムを
実施例１９と同様の評価にかけた結果、第５６表に示す
ような結果を得た。

〈実施例２６〉 長波長光吸収層（ＩＲ層）の作製条件を第５７表に示す
、数種の条件に変え、それ以外は、実施例１９と同様の
条件にて複数のドラムを用意した。これらのドラムを実
施′例１９と同様の評価にかけた結果、第５８表に示す
ような結果を得た。

〈実施例２７〉 密着層の作製条件を第５９表に示す数種の条件に変え、
それ以外は実施例１９と同様の条件の光受容部材を形成
せしめた複数のドラムを用意した。これらのドラムを実
施例１９と同様の評価にかけた結果、第６０表に示すよ
うな結果を得た。

〈実施例２８〉 鏡面加工を施したシリンダーを更に、様々な角度を持つ
剣バイトによる旋盤加工に供し、第２５図のような断面
形状で第６１表のような種種の断面パターンを持つシリ
ンダーを複数本用意した。該シリンダーを順次、第２４
図の製造装置にセットし、実施例１９と同様の作製条件
のもとにドラム作製に供した。作成されたドラムは、７
８０　ｎｍの波長を有する半導体レーザーを光源とした
デジタル露光機能の電子写真装置（（より、種々の評価
を行ない、第６２表の結果を得た。

〈実施例２９〉 鏡面加工を施したシリンダーの表面を、引続き多数のベ
アリング川原の落下のもとにさらしてシリンダー表面に
無数の打痕を生ぜしめるいわゆる表面デインプル化処理
を施し、第２６図のような断面形状で、第６６表のよう
な種々の断面パターンを持つシリンダーを複数本用意し
た。該シリンダーを順次、第２４図の製造装置にセット
し、実施例１９と同様の作製条件のもとにドラム作製に
供した。作成されたドラムは、７８０　ｎｍの波長を有
する半導体レーザーを光源としたデジタル露光機能の電
子写真装置により種々の評価を行ない、第６４表の結果
を得た。

く実施例３０〉 第２４図の製造装置を用い、第６５表の作製条件に従っ
て鏡面加工を施したアルミシリンダー上に電子写真用光
受容部材を形成した。又、第２４図と同型の装置を用い
、同一仕様のシリンダー上に表面層のみを形成したもの
を別個に用意した。光受容部材（以後ドラムと表現）の
方は、電子写真装置をセットして、種々の条件のもとて
、初期の帯電能、残留電位、ゴースト等の電子写真特注
をチエツクし、又、１５０万枚実機耐久後の帯電能低下
、感度劣化、画［象欠陥の増加を調べた。更に、３５℃
、８５％の高温、高湿雰囲気中でのドラムの画像流れに
ついても評価１−だ。又、表面層のみの方は、（以後サ
ンプルと表現）画像部の上・中・下に相当する部分を切
り出し、有機元素分析計を利用して膜中に含まれる水素
の定量分析に供した。上記の評価結果及び水素の分析値
を第６６表に示す。第６６表に見られる様に、特に初期
帯電能、画像流れ、画像欠陥、感度劣化の各項目につい
て著しい優位性が認められた。

〈比較例７〉 作製条件を第６７表のように変えた以外は、実施例３０
と同様の装置、方法でドラムおよびサンプルを作成し、
同様の評価に供した。その結果を第６８表に示す。

第６８表にみられる様に、実施例３０と比べて諸々の項
目について劣ることが認められた。

層の名称　　　　使用ガス及び流量（ＳＣＣＭＩ　　　
　　基板温５ｉＨ４１５０ Ｈ２３５０ ＳｉＨ４１０ Ｈ２５００ 第　　　： ◎・・・非常て良好　　○・・・良好　　Δ・・・実表 度〔℃ ３００　　　　　　　　０．４　　　　　　　　２０２
００　　　　　　　　０．４５　　　　　　　０．５−
表 ○　○　Ｑ　　５２ 用土さしつかえない　　Ｘ・・非実用的第　　　　７　
　　　表 ？：ｉ、量　５ｉＨ４１０５ｉＨ４１０５ｉＨａ　１０
［ＳＣＣＭＩ　ＣＨ４５００ＣＨ４５００ＣＨａ　５０
０Ｈ２３００Ｈ２５００Ｈ２７００ 基板温度　［’Ｃ］　　　　　　２５０　　　　　　　
２５０　　　　　　　２５０ＲＦパワー　［：Ｗ］　　
　　　　　　２００　　　　　　　　　　１００　　　
　　　　　　２００内圧［ｔｏｒｒ〕０．４　　　　　
　０．４５　　　　　０．４８膜厚〔μ口’］　　　０
．５　　　　０．５　　　０．５３０４　　　　　　３
０５　　　　　　　　比較例２ＳｉＴ（４１０ＳｉＨ４
１０ＳｉＨ４１０ＣＨａ　　　５００　　　　　ＣＨ４
５００ＣＨａ　　　５００Ｈ２７００Ｈ２７００Ｈ２８
００ ０，４８０，４８０，６５ ０、５０，５０，５ 第　　　９　　　表 ５ｉＨ４３５０５ｉＨ４２００５ｉＨ４３５０Ｂ２Ｈ６
０，３ｐｐｍ （ＳｉＨ４に対して） 基板温度　（Ｃ〕　　　　　　２５０　　　　　　２５
０　　　　　　２５０ＲＦパフ−［ｗ〕　　　　　、　
　　２００　　　　　　　　　４００　　　　　　　　
１０内圧（：ｔｏｒｒ）　　　　０．４　　　　０．４
２　　　０．４膜厚〔μｍ〕；’０　　　２０　　　２
０ＳｉＨ４３５０ＳｉＨ４３５０５ｉＨａ　　２００Ａ
ｒ　　　　３５０　　　　Ｈｅ　　　　３５０　　　　
ＳｉＦ４１００Ｂ２Ｈ６０，３ｐｐ＋ｎ　　　Ｈ２３０
０（ＳｉＨ４に対して） ０．４５　　　　　　　０．４　　　　　　　　　０．
３８第　　１０　　表 ４０１０　　◎　◎　◎　◎ ４０２　　　◎　　　○　　　◎　　　　◎　　　◎４
０３　００　◎　◎　◎ ４０４　　◎　Ｏ◎　◎　◎ ４０５　００　◎　◎　◎ ４０６　　◎　○　◎　◎　◎ ◎・・・非常に良好 ○・・・良好 Δ・・・実用上さしつかえない ×・・・非実用的 Ｏ○　　　　０ 第　　　１１　　　表 トラム７％　　　　　　５−０１　　　　　　５０２　
　　　　　５０３ＳＩＨａ　１５０５ｉＨａ　１５０５
ｉＨ４１５０流　　量　　　　　　　Ｂ２Ｈ６５００ｐ
ｐｍ　　　Ｂ２Ｈ６１１００ｐｐ　　　ＰＨ３１００ｐ
ｌ）ｍ１００ｐｌ）　　　　（Ｓｉ’Ｈ４に対して）　
　　　（ＳｉＨ４に討して）　　　　（ＳｉＨ４に対し
て）ＮＯｌＯＮＯ５ＮＯ５ Ｈ２３５０Ｈ２３５０Ｈ２３５０ 基板温度　Ｃ℃）　　　　　２５０　　　　　　２５０
　　　　　　２５０ＲＦパワー〔”ＩＪ”Ｊ　　　　　
　１５０　　　　　　　　１５０　　　　　　　　１５
０内圧〔ｔｏｒｒ：］　　　０．２５　　　０，２５　
　　０．２５嘆厚〔μｍ：）　　　５　　　　３　　　
　３傘　光導電層の作成条件のみドラム扁４０′５０４
　　　　　　　　５０５　”　　　　　　　　　５０６
ＳｉＨ４１５０５ｉＨａ　　　　４５０　　　　ＳｉＨ
４１００ＳｉＦ４　　５０ Ｂ２Ｈ６５００ｐｐｍ　　、Ｂ２Ｈ６５００ｐｐ　　　
Ｂ２Ｈ６５００ｐｐｍ（ＳｉＨ４に灯して）　　　（Ｓ
ｉＨ４に対して）　　　　（ＳｉＨａに対して）Ｎｏ　
　　　　ｉＱ　　　　Ｎｏ　　　　　　１０　　　　Ｎ
ｏ　　　　　１０Ａｒ　　　　３５０　　　　Ｈｅ　　
　　　３５０　　　　Ｈ２３５０１５０ｔ５０　　　　
　　　　　１５００２５　　　　　　　０．２５　　　
　　　　　　０．２５５と同じ ５０１　　　◎　　　○　　　○　　　◎５０２　　０
　　０　　　◎　　　◎ ５０４　　　◎　　　○　　　○　　　◎５０５　　０
　　０　　　◎　　　◎ ５０６　　　◎　　　○　　　○　　　○・◎・・非常
に段重 ○・良好 Δ　・実用上さし ×・・・非実用的 一只゛ 表 ◎　　　Ｏ○　　　○ ◎　　　○　　　ＯＯ ○　　　　○　　　　Ｏ○　　　（−）帯電○　　　　
○　　　　○　　　　○ ◎　　　○　　　○　　　○ ○　　　○　　　○　　　○ 、つかえない 第　　　１３　　　表 ５ｉＨ４１５０５ｉＨａ　１５０５ｉＨ４１５０流量　
Ｂ２Ｈ６５００ｐｐ計ＯＢ２Ｂ２Ｈ６１００ｐｐ＋ＯＰ
Ｈ３１００ｐｐ討０（ＳＣＣＭ）　　　　（ＳｉＨ４に
対して）　　　　（ＳｉＨ４に対して）　　　　（Ｓｉ
Ｈ４に対して）ＮＯ１Ｑ→０Ｎ０５→０Ｎ０５→Ｏ Ｈ２３５０Ｈ２３５０Ｈ２３５０ 基板温度　［１１−：］　　　　　２５０　　　　　　
２５０　　　　　　２５０ＲＦパワー　ＣＷ）　　　　
　　１５０　　　　　　　　１５０　　　　　　　　１
５０内圧１：ｔｏｒｒ〕０．２５　　　０．２５　　　
０．２５膜厚Ｃ１１ｍ１　　３　　　　３　　　　３傘
　光導電層の作成条件のみドラムＡ４０５゜６０４　　
　　　　　　６０５°　　　　　　　　６０６ＳｉＨ４
４５０ＳｉＨ４１５０ＳｉＨ４１００ＳＩＦ４　　　５
０ Ｂ２Ｈ６５００ｐｐｍ−＋ＯＢ２Ｂ２Ｈ６１０００ｐｐ
＋ＯＢ２Ｈ６５０Ｏｐ声−〇（ＳｉＨ４に対して）　　
　（ＳｉＨａに対して）　　　　（ＳＩＨ４に対して）
Ｎｏ　　　１０→ＯＮｏ　　　　１０→ＯＮｏ　　　　
１０→ＯＡｒ　　　　　３５０　　　　Ｈｅ　　　　　
　３５０　　　　　Ｈ２３５００，２５０，２５０，２
５ ヒ同じ 第　　１４　１ ６０１　　　◎　　　　○　　　　○　　　　◎　　　
　◎６０２　　　０　　　　０　　　　　◎　　　　◎
　　　　◎６０３　　　０　　　　０　　　　０　　　
　◎　　　　◎６０４　　　　◎　　　　○　　　　Ｏ
◎　　　　０６０５　　０　　　０　　　　◎　　　　
◎　　　　◎６０６　　　◎　　　　○　　　　○　　
　　◎　　　　○◎・・・非常に良好 ○　・良好 △・・笑用土さしつかえない ×　・・非実用的 Ｑ’）１− ◎　　　　○　　　　・◎ ○　　　　○　　　　　○ ○　　　　○　　　　　○ ○　　　　○　　　　　○ ○　　　　Ｏ◎ ○　　　　○　　　　○ ドラム扁　　　　　　１１０１　　　　　１１０２Ｓｉ
Ｈ４１０ＳｉＨ４１０ 流量　　ＣＨ４５００ＣＨ４５００ Ｃ８ＣＣＭ〕 Ｈ２３００８２５００ 基板温度　［Ｃ：］　　　　　２５０　　　　　　２５
０ＲＦパワー（Ｗ〕　　　　　２００　　　　　　’　
　１００内圧［ｔｏｒｒ］０．４　　　０．４５膜厚〔
μｍ）　　　０．５　　　０．５第　　　２５　　　表 ＳｉＨ４１，ＯＳｉＨ４１０ＳｉＨ４１０ＳｉＨ４１０
ＣＨ４５００ＣＨ４５００ＣＨ４５００ＣＨ４５００Ｈ
２７００Ｈ２７００Ｈ２７００Ｈ２８０００゜４８　　
　　　　　０，４８　　　　　　　０，４８　　　　　
　０，６５０、５　　　　　　　　０．５　　　　　　
　　０．５　　　　　　　０．５第　　２６ １１０１　　　　◎　　　　○　　　　ＯＯ◎　　　　
０１１０２　　　◎　　　　○　　　　◎　　　　○　
　　　◎　　　　◎１＋０３　　　０　　　　０　　　
　◎　　　　Ｏ◎　　　　◎１１０４　　　０　　　０
　　　　◎　　　　○　　　　○　　　　つ比較例４　
　　×　　　　○　　　　ＯＯＸ　　　　Δ◎・・・非
常に良好 ○・・・良好 Δ・・・実用上さしつかえない Ｘ・・・非実用的 画　ｆ′Ｊ　　　感　度　　画像欠陥　　サノプル　　
水素含有孟○　　　　○　　　　○　　　＋１０１−１
　　　　４６０　　　　０　　　　０　　　　＋１ｏｓ
−１６１×　　　　○　　　　×　　　収鰺１４−１　
　　８５第　　　２７ ＳｉＨ４３５０ＳｉＨ４２００５ｉＨａ　　３５０ｐｐ （Ｓ　ｉ　Ｈａ　ｑシて） 基板温度ＣＣ）　　　　　　２５０　　　　　　　２５
０　　　　　　２５０ＲＦパワー　（：ｗ：］　　　　
　　　　　２００　　　　　　　　　　４ｏｏ　　　　
　　　　　　３０゜内圧［ｔｏｒｒｌ　　　　　Ｏ，４
０，４２０，４膜厚〔μｎ＋３　　　２０　　　　２０
　　　２０ＳｉＨ４３５０ＳｉＨ４３５０ＳｉＨ４２０
０Ａｒ　　　　３５０　　　　　Ｈｅ　　　　３５０　
　　　５ｉＦａ　　１００１ＩＩ　　　　　　　　　　
　　　Ｂ２Ｈ６０，３ｐｐｍ　　　Ｈ２３００（ＳｉＨ
４に対して） ０．４　　　　　　　　　０．４　　　　　　　　　０
．３８１２０１　　０　　　◎　　　◎ １２０２　　　◎　　　Ｏ◎ １２０３　０　　０　　　◎ １２０４　　　◎　　　Ｏ◎ １２０５　０　　０　　　◎ １２０６　　　◎　　　○　　　◎ ◎・ Ｏ・ Δ　・ Ｘ　・ 第　　２８　　表 Ｏ◎　　　◎　　　ＯＯＯ Ｏ◎　　　◎　　　００　　　０ ０　　　◎　　　◎　　　ＯＯＯ Ｏ◎　　　◎　　　○　　　○　　　ＯＯ◎　　　◎　
　　ＯＯＯ Ｏ◎　　　◎　　　ＯＯ○ ・・非常に良好 ・・良好 ・・実用上さしつかえない ・・非実用的 第　　　２９ ドラム、％　　　　　　　　　　＋３０１　　　　　　
　　　　　１３０２　　　　　　　　　　１３０ＳｉＨ
４１５０ＳｉＨ４１５０ＳｉＨ４流　　量　　　　　　
　Ｂ２Ｈ６５００ｐｐｍ　　　Ｂ２Ｈ６１１００ｐＩ）
　　’ＰＨ３１〔８００”〕　　　（ＳｉＨ４に討して
）　　　　（ＳｉＨａに対して）　　　　ｆＳｉＨｏＳ
Ｎｏ　　　　　　１ＯＮＯＳ、ＮＯ Ｈ２３５０Ｈ２３５０Ｈ２ 基板温度　（Ｃ）　　　　　２５０　　　　　　　２５
０　　　　　　２５［ＲＦ）８’７−　　　ｒ−”Ｎ〕
　　　　　　　　　　１５０　　　　　　　　　　　　
　　　　１５０　　　　　　　　　　　　　　　１５＋
内圧〔ｔＯｒｒ）　　　０．２５　　　０，２５　　　
０．２　！膜厚　〔μｍ〕３　　　　３　　　　５プク
考 表 １５０　　　　ＳｉＨ４１５０５ｉＨａ　　　１５０　
　　　ＳｉＨ４１００ＳｉＦ４　５０ ００ｐｐｍ　　　Ｂ２Ｈ６５００ｐｐｍ　　　Ｂ２Ｈ６
１ｏｏｏｐｐｍ　　　Ｂ２Ｈ６５００ｐｌ）ｍ寸して）
　　　　（ＳｉＨ４に対して）　　　（ＳｉＨａに対し
て）　　　　（ＳｉＨ４に対して）５　　　　Ｎｏ　　
　　　１ＯＮＯ１ＯＮＯ１０３５０Ａｒ　　　　３５０
　　　　Ｈｅ　　　　　３５０　　　　Ｈ２３５０］　
　　　　　　　　２５０　　　　　　　　２５０　　　
　　　　　　２５００．２５　　　　　　　　０，２５
　　　　　　　　　０．２５３　　　　　　　　　３　
　　　　　　　　　ｚ７と同じ 第３０表 １３０１　　　◎　　　○　　　Ｏ○　　　◎　　　◎
１３０２　　０　　　０　　　◎　　　○　　　◎　　
　◎１３０４　　　◎　　　０００　　　　◎　　　０
１３０５　　０　　　０　　　◎　　　Ｏ◎　　　◎１
３０６　　　◎　　　○　　　ｏｏｏ。

◎・・・非常に良好 ○・・・良好 Δ・・・実用上さしつかえな（ ×・・・非実用的 ○　　　ＯＯ ○　　　Ｏ０ ０００（−滞電 Ｏ○　　　○ ＯＯＯ ○　　　００ 第３１表 ５ｉＨａ　　　１５０　　　　ＳｉＨ４１５Ｑ　　　　
ＳｉＨ４１５０流　量　　　　　　　Ｂ２Ｈ６５００ｐ
ｐｍ　　　　Ｂ２Ｈ６１１００ｐｐ　　　　ＰＨ３１ｏ
ｏｐｐｍＣ８００Ｍ］　　　　（ＳｉＨ４に対して）　
　　　（ＳｉＨ４に対して）　　　　（ＳｉＨ４１Ｃ対
して）Ｎｏ　　　　１Ｏ−ＴＯＮｏ　　　　　５−Ｑ　
　　　Ｎｏ　　　　　５−４０Ｈ２３５０Ｈ２３５０Ｈ
２３５０ 基板温度　〔Ｃ）　　　　　２５０　　　　　　　２５
０　　　　　　２５０’ＲＦパワー　（ｗ）　　　　　
　１５０　　　　　　　　１５０　　　　　　　　１５
０内圧Ｃｔｏｒｒ〕０．２５　　　０，２５　　　０．
２５膜厚〔μｍ）　　　３　　　　３　　　　３備考 ＳｉＨ４１５０８ｉＨ４１５０５ｉＨａ　　　１００Ｓ
ｉＦ４　　　５０ Ｂ２Ｈ６５００ｐｐｍ　　　　Ｂ２Ｈ６１１０００ｐｐ
　　　　Ｂ２Ｈ６５００ｐｐｍ（ＳｉＨ４に幻して）　
　　　（ＳｉＨａに対して）　　　　　（ＳｉＨ４に対
して）Ｎｏ　　　１０→Ｑ　　　　Ｎｏ　　　　　１０
→Ｑ　　　　Ｎｏ　　　　ＩＱ→ＯＡｒ　　　　　３５
０　　　　　Ｈｅ　　　　　　３５０　　　　Ｈ２３５
００，２５０，２５０，２５ と同じ ｉ　　　　３３ ＳｉＨ４１５０５ｉＦ（４１５０５ｉＨａ　　　１５Ｏ
ＮＯ１ＯＮＯ５ＮＯ５ ＧｅＨａ　　　　３０　　　　ＧｅＨ４５０ＧｅＨ４７
０Ｈ２３５０Ｈ２３５Ｄ　　　Ｈ２３５０基板温度　〔
Ｃ：］　　　　　２５０　　　　　　２５０　　　　　
　２５０ＲＦノξワー　ＣＷ：］　　　　　　　　　　
１５０　　　　　　　　　　　　　　２００　　　　　
　　　　　　　　　　１５０内圧［：ｔｏｒｒ″Ｉ　　
　Ｏ，２７０，２７０，２７膜厚〔μｍ〕０．５　　　
０．５　　　０．５備考 ＳｉＨ４１５０ＳｉＨ４１５０ＳｉＨ４１５０ＳＩＦ４
　　　５０ Ｂ２Ｈ６５００ｐｐｍ　　　Ｂ２Ｈ６１０００ｐｐｍ８
２Ｈ６１０００ｐｐｍ（ＳｉＨ４に対して）　　　（Ｓ
ｉＨ４に対して）　　　　（ＳｉＨ４に対しテンＮｏ　
　　　　１０　　　　　Ｎｏ　　　　　１０　　　　　
Ｎｏ　　　　　ＩＱＧｅＨ４１０ＧｅＨ４’５０　　　
　　Ｃ）ｅＨ４５０Ａｒ　　　　３５０　　　　　Ｈｅ
　　　　　３５０　　　　　Ｈ２３５００，２７０，２
７０，２７ ０，５０，５０，４ 同じ　　　同じ 第３４表 １５０１　　　◎　　　ＯＯＯＧ １５０２　　　◎　　　○　　　◎　　　◎　　　Ｇ１
５０３　　　◎　　　○　　　○　　　○　　　Ｇ１５
０４　　０　　　◎　　　○　　　○　　　◎４５０５
−１　０　　０　　　◎　　　◎　　　Ｇ１５０５−２
　０　　０　　　◎　　　◎　　　Ｇ１５０６　　　◎
　　　○　　　○　　　◎　　　◎◎・・非常に良好 Ｏ・・良好 Δ・・・実用上さしつか。

×・・・非実用的 ◎　　　○　　　Ｏ○ ◎　　　　○　　　　○　　　　○ ◎　　　　Δ　　　　○　　　　Δ ○　　　Ｏ○　　　　○ ◎　　　　ＯＯ○ ◎　　　○　　　○　　　　○ ＯＯ○　　　　○ えない 第　　　３５　　　： ＳｉＨ４１５０５ｉＨａ　　　４５０　　　　ＳｉＨ４
ｉｓ。

流　量　　　　　　　ＢＢ２Ｈ６１０００ｐｐ　　　Ｂ
２Ｈ６５００ｐｐｍ　　　ＰＨ３１１００ｐｐ　　Ｅ、
　　　　〔ＳＣＣＭＩ　　　　（ＳｉＨ４に灯して）　
　　（ＳｉＨ４に対して）　　　（ＳｉＨ４に対して）
　　（Ｎｏ　　　　　　１０　　　　Ｎｏ　　　　　　
　５　　　　Ｎｏ　　　　　　　５　　　　ＤＧｅＨ４
３０−１０ＧｅＨ４５０→ＯＧ５Ｈ４７０−＋Ｏ（Ｈ２
３５０Ｈ２３５’ＯＨ２，３５０メ基板温度　〔Ｃ）　
　　　　２５０　　　　　　２５０　　　　　　２５０
ＲＦパワー［：Ｗ）　　　　　　１５０　　　　　　　
　２００　　　　　　　　１５０内圧［：ｔｏｒｒ：Ｉ
　　　Ｏ，２７０，２７０，２７膜厚〔μｎｏ）　　　
０．５　　　　０．５　　　０．５備考 −Ｒ’ｌ＞Ｑ− ＳｉＨ４１５０ＳｉＨ４１５０５ｉＨａ　　　１００Ｓ
ｉＦ４　　５０ １２Ｈ６５００ｐｐｍ　　　　Ｂ２ＨＩＳ　　１１００
０ｐｐ　　　Ｂ２Ｈ６１Ｂ２Ｈ６１０００ｐｐに対して
）　　　（ＳｉＨａに対して）　　　（ＳｉＨａに対し
て）Ｔｏ　　　　　１０　　　　Ｎｏ　　　　　　１０
　　　　Ｎｏ　　　　　　ｉｎ＋ＱＨ４１０−＋ＯＧｅ
Ｈａ　　　５０−＋Ｏ（）ｅＨ４５Ｏ−）Ｏｙｒ　　　
３５０　　　　　Ｈｅ　　　　３５０　　　　　Ｈ２３
５００，２７０，２７０，２７ ０，５０，５０，４ 第　　　４１　　　表 ５ｉＨ４１５０ ＳｉＨａ　　　１５０ Ｂ２Ｈ６（ＳｉＨ４に対して）１０００ｐｐｍＩＲ層Ｎ
ｏ　　　　’１０　２５０ ０ｅＨａ　　　　５０ Ｈ２３５０ ＳｉＨ４１５０ Ｈ２３５０ １Ｈ４１０ 表面層　ＣＨ４５００２５０ Ｈ２５００ 第　　　４２　　　表 ◎　　　　Ｏ◎　　　　Ｏ◎　　　　◎ＲＦパワーＣＷ
）　　　内圧［：ｔｏｒｒ：］　　　膜厚（μｒｒ、　
）１５０　　　　　　　　　０．２５　　　　　　　　
０１１５０　　　　　　　　　０．２７　　　　　　　
　０．５１５０　　　　　　　　　０．２５　　　　　
　　　　３３００　　　　　　　　　０．４　　　　　
　　　　２０２００　　　　　　　　　０、４５　　　
　　　　０．５◎　　　　○　　　　　○　　　　　　
　５２第　　　４７ ＳｉＨ２１０５ＩＨａ　　１０　　　　５ｉＨａ　　１
Ｑ流　量　　　　　　　　ＣＨ，Ｉ　　５００　　　　
ＣＨ４５００ＣＨ４５００基板温度　（Ｃ）　　　　２
５０　　　　　２５０　　　　　　２５０ＲＦパワーＣ
Ｗ）　　　　　２００　　　　　　　１００　　　　　
　　２００内圧［ｔｏｒｒ’：Ｉ　　　Ｏ，４０，４５
０，４８膜厚〔μｍ）　　　０．５　　　０．５　　　
０．５２１０４　　　　　２１０５　　　　　　比較例
６ＳＩＨ＋　　１０　　　　５ＩＨＩＩ　　１０　　　
　　３１三４　　Ｔ。

ＣＥ（ａ　　５００　　　　　ＣＨ４５００二ＦＬ＋　
　５００８２　　７０Ｄ　　　　　Ｈ２７００三２　８
０００．４８　　　　　　　　０，４８　　　　　　　
　０，６５０、５　　　　　　　　　０．５　　　　　
　　　　０．５第　　４８ ２１０１　　　　◎　　　　○　　　　Ｏ○　　　　◎
　　　　Ｑ２１０２　　　　◎　　　　○　　　　◎　
　　　○　　　　・◎　　　　◎２１０６　　　０　　
　０　　　　◎　　　　○　　　　◎　　　　◎２１Ｑ
４　　　　Ｑ　　　　　○　　　　◎　　　　ＯＯ◎上
ｔプ＋ｉｉチリ６　　　　Ｘ　　　　　　ＯＯＯＸ　　
　　　　Δ◎・・・非常に良好 ○・・良好 ム・・実用上さしつかえない Ｘ　非実用的 表 像　　感　度　　画像欠陥　　サンプル　　水素含有量
◎　　　　○　　　　０　　２１０１−１４５◎　　　
　○　　　　０　　２１０２−１　　　　５８◎　　　
　Ｏ○　　　２１０４−１　　　　６６×　　　　Ｏ×
　　　比較例６−１　　８５第　　　４９　　　表 ５ｉＨ４３５０５ｉＨ４２００５ｉＨ４３５０（ＳｉＨ
ａに対して） 基板温度　ＣＣＩ　　　　　　２５０　　　　　　　２
５０　　　　　　２５０ＲＦパフ−ＣＷ：ｌ　　　　　
　　　　２０ｏ　　　　　　　　　　　４００　　　　
　　　　　３００内圧［：ｔｏｒｒ］　　　　　０．４
　　　　０．４２　　　　　［１，４膜厚〔μ口］　　
　　２０　　　２０　　　２０ＳｉＨ４３５０ＳｉＨ４
３５０５ｉＨａ　　２００Ａｒ　　　　３５０　　　　
Ｈｅ　　　　３５０　　　　　ＳｉＦ４１００Ｂ２Ｈ６
Ｏ３ｐｐｍ　　　Ｈ２３００ （ＳｉＨ４に対して） ０．４　　　　　　　　　０．４　　　　　　　　０．
３８第　　５０　　表 ２２０１０　◎　◎　Ｏ◎ ２２０２◎　○　◎　○　◎ ２２０３００　◎　Ｏ◎ ２２０４　◎　○　◎　○　◎ ２２０５００　◎　○　◎ ２２０６　◎　○　◎　Ｏ◎ ◎・非常て良好 Ｏ・・・良好 △・・英用土さしつかえに ×・・・非実用的 ◎　　　・◎　　　Ｏ○ ◎　　　◎　　　００ ◎　　　　○　　　　○　　　　○ ◎　　　◎　　　Ｏ○ ◎　　　◎　　　○　　　　○ ◎　　　◎　　　Ｏｖ 二い 第　　　５１　　　表 ５ｉＨ４１５０５ｉＨａ　１５０５ｉＨ４１５０流　ｔ
　　　　　　Ｂ２Ｈ６５００ｐｐｍ　　Ｂ２Ｈ６１１０
０ｐｐ　　ＰＨ１００ｐｐｚ［ＳＣＣＭ］ （ＳｉＨａに対して）　　　　（ＳｉＨ４に対して）　
　　　（ＳｉＨ４に対して）Ｎｏ　　　　　　１０　　
　　Ｎｏ　　　　　　　５　　　　Ｎｏ　　　　　　　
５Ｈ２３５０Ｈ２３５０Ｈ２３５０ 基板温度　［１：：］　　　　　２５０　　　　　　　
２５０　　　　　　　２５０ＲＦ、’！クワ−〔Ｗ）　
　　　　　１５０　　　　　　　　１５０　　　　　　
　　１５０内圧Ｃｔｏｒｒ］　　　０．２５　　　０，
２５　　　０．２５膜厚　〔μｍ’ｌ　　　　３　　　
　３　　　　３備　　　考 ＳｉＨ４１５０ＳｉＨ４１５０５ｉＨａ　　　１００Ｓ
ｉＦ４　　　５０ Ｂ２Ｈ６５００ｐｐｍ　　　Ｂ２Ｈ６１１０００ｐｐ　
　　８２Ｈ６５００ｐｐｍ（ＳｉＨ４１Ｑ’ｊして）　
　　　（ＳｉＨａに対して）　　　　（ＳｉＨ４に対し
て）Ｎｏ　　　　　　１０　　　　Ｎｏ　　　　　　　
１０　　　　Ｎｏ　　　　　　　１０Ａｒ　　　　　３
５０　　　　Ｈｅ　　　　　　３５０　　　　Ｈ２３５
０１５０ｉｓｏ　　　　　　　　　　　１５００．２５
　　　　　　　　　０，２５　　　　　　　　　　０．
２５５　　　　　　　　　　　　３　　　　　　　　　
　　２．７と同じ 第　　５２　　表 ２３０１◎　ＯＯＯ◎　◎ ２３０２０　０　◎　Ｏ◎　◎ ２３０４◎　Ｏ○　０　◎　０ ２３０５００　◎　○　◎　◎ ２３０６◎　○　○　○　○　○ ◎・・・非常に良好 Ｏ・・・良好 Δ・・・実用上さしつかえない ×・・・非実用的 ◎　　　○　　　○ ◎　　　Ｏ○ ○　　　Ｏ○　　（−斤量 ◎　　　○　　　Ｏ ◎　　　Ｏ○ ◎　　　Ｏ○ 第５３表 ３ｔＢｉ４　１５０　　　５ｉＨａ　　　１５０　　　
　ＳｉＨ４１５０未　π　　　　　　Ｂ２ＨＳ　５００
ｐｐ叱−１０８２Ｈ６＋００ｐｐ吸（罪　＋０Ｏｐｐよ
（Ｃ８ＣＣＮ２　　　ｆｓｔＨａ；Ｃｉして）　　　（
ＳｉＨ＋ｌ’Ｃ対して）　　　　（ＳｉＨ４１／Ｇ’ｔ
Ｌ、て）ご＋０　　４０→Ｑ　　　　Ｎｏ　　　　　５
→ＯＮｏ　　　　　５→ＯＨ２３５０！（２３５０Ｈ２
３５０ 基板温度　（Ｃ）　　　　　２５０　　　　　　２５０
　　　　　　２５０ＲＦパワー　〔−ＩＩ〕　　　　　
　１５Ｑ　　　　　　　　　　　１５０　　　　　　　
　　　１５０内圧〔ｚｏｒｒ〕０．２５　　　　０，２
５　　　０．２５摸厚〔μｍ３　　３　　　　５　　　
　３筒考 ＳｉＨ４１５０５ｉＨａ　　　　１５０　　　　ＳｉＨ
４１００ＳｉＦａ　　　　　５０ Ｂ２Ｈ６５ｏａｐｐ叱−／ｌ　　Ｂ２Ｈ６１０００ｐｐ
上（Ｂ２Ｈ６５００ｐｐ＋■（ＳｉＨ４に対して）　　
　　（ＳｉＨ４に対して）　　　　（ＳｉＨ４にηして
）Ｎｏ　　　　ＴＯ→ＯＮｏ　　　　　１０→ＯＮｏ　
　　　１０→ＯＡｒ　　　　　３５０　　　　Ｈｅ　　
　　　、５５０　　　　Ｈ２３５００，２５０，２５０
，２５ ３３２，７ と同じ 第　　　５５ ＳｉＨ４１５０ＳｉＨ４１５０ＳｉＨ４１５０流ｔ　　
　Ｂ２Ｈ，５１１０００ｐｐ　ＢＢ２Ｈ６５００ｐｐ　
ＰＨ３１１００ｐｐ［：ＳＣＣＭ］　　　　（ＳｉＨ４
に対して）　　　（ＳｉＨ４に対して）　　　（ＳｉＨ
４に対して）ＮＯＩＯＮＯ５ＮＯ５ ＧｅＨ４３００ｅＨ４５０Ｇ１３Ｈ４７０Ｈ２３５０Ｈ
２３５０Ｈ２３５０ 基板温度　（Ｃ）　　　　　　２５０　　　　　　　２
５０　　　　　　　　２５０ＲＦパワー（Ｗ〕　　　　
　１５０　　　　　　　２００　　　　　　　　　１５
０内圧（ｔｏｒｒ）　　　０．２７　　　０，２７　　
　　０．２７膜厚〔μｍｌ　　　Ｏ，５０，５０，５備
考 ＳｉＨ４１５０ＳｉＨ４１５０ＳｉＨ４１００ＳｉＦａ
　　　　５０ Ｂ２Ｈ６５００ｐｐｍ　　　Ｂ２Ｈ６１１０００ｐｐ　
　　　Ｂ２Ｈ６１０００ｐｐｔｎ（ＳｉＨ４に対して）
　　　　（ＳｉＨ４に対して）　　　　（３ｉＨａに対
して）Ｎｏ　　　　　１０　　　　ＮＯＩＱ　　　　　
Ｎｏ　　　　　１００ｅＨ４ｉＤ　　　　ＣｋｅＨａ　
　　　５０　　　　　ＧｅＨ４５０Ａｒ　　　　３５０
　　　　Ｈｅ　　　　　３５０　　　　　Ｈ２３５００
，２７０，２７０，２７ ０、５０，５０，４ 同じ　　　同じ 第　　５６　　表 ２５０１　◎　○　○　Ｏ◎ ２５０２　◎　○　◎　◎　◎ ２５０３　◎　○　○　Ｏ◎ ２５０４００００　◎ ２５０５−１００　◎　Ｏ◎ ２５０５−２００　◎　◎　◎ ２５０６　◎　Ｏ○　・◎　◎ ◎・非常に良好 ○・・良好 △・・実用上さしつかえ ×・・非実用的 ◎　　　◎　　　○　　　　○ ◎　　　◎　　　○　　　　○ ◎　　　○　　　○　　　　○ ○　　　◎　　　○　　　　○ ◎　　　◎　　　○　　　　○ ◎　　　◎　　　Ｏ○ Ｏ◎　　　　○　　　　○ ない ｖｇ５７ ＳｉＨ４１５０ＳｉＨ４１５０ＳｉＨ４１５０流　ｆａ
　　　　　　　　Ｂ２Ｈ６１１０００ｐｐ　　Ｂ２Ｈ６
５００ｐｐｍ　　　ＰＨｓ　　　ｉｏｏｐｐｍ（ＳＣＣ
Ｍ）　　　　（ＳｉＨ４に対して）　　　（ＳｉＨ４に
対して）　　　（ＳｉＨ４に対して）ＮＯｌＯＮＯ５Ｎ
Ｏ５ ＧｅＨａ　　３０−＋ＯＧｅＨａ　　５０−＋ＯＧｅＨ
ａ　　７Ｏ−）ＯＨ２３５０Ｈ２３５０Ｈ２３５０ 基版温度　ｔｊ：）　　　　　２５０　　　　　２５０
　　　　　　２５０ＲＦパワー（Ｗ）　　　　　　１５
０　　　　　　　２００　　　　　　　　１５０内圧［
ｔｏｒｒ：］　　　０．２７　　　０，２７　　　０．
２７頃厚〔μｍ］　　　０．５　　　０．５　　　０．
５備考 ＳｉＨ４１５０５ｉＨａ　　　　１５０　　　　　Ｓｉ
Ｈ４１００ＳｉＦ４　　５０ Ｂ２Ｈ６５００ｐｐｍ　　　Ｂ２Ｈ６１（］ＧＧｐｐｍ
　　　Ｂ２Ｈ６１０００ｐｐ１０００ｐｐに対して）　
　　（ＳｉＨ４に対して）　　　　（ＳｉＨ４に対して
〕Ｎｏ　　　　　１０　　　　Ｎｏ　　　　　　１０　
　　　　Ｎｏ　　　　　　１０ＧｅＨａ　　１Ｏ−）Ｏ
ＧｅＨ４５０−ＯＧｅＨ４５Ｏ−ＯＡｒ　　　３５０　
　　　　Ｈｅ　　　　！５０　　　　　Ｈ２３５００，
２７０，２７０，２７ ０、５０，５０，５ 同じ　　　同じ 第　　５ ２６０１　　　◎　　　○　　　Ｏ◎ ２６０２　　　◎　　　Ｏ◎　　　◎ ２６０３　　◎　　　○　　　Ｏ◎ ２６０４　０　　　◎　　　○　　　　０２６０５−１
　０　　０　　１◎　　　◎２６０５−２　０　　０　
　　◎　　　◎２６０６　　　◎　　　○　　　○　　
　◎・◎・・・非常・ ○・・良好 Δ・・・冥用。

×・・非冥。

１８表 ◎　　　◎　　　◎　　　○　　　　○◎　　　◎　　
　◎　　　Ｏ○ ◎　　　◎　　　ＯＯ○ ◎　　　○　　　◎　　　Ｏ◎ ◎　　　◎　　　◎　　　○　　　　○◎　　　◎　　
　◎　　　○　　　　Ｏ◎　　　Ｏ◎　　　Ｏ○ て良好 丘さしつかえない 弔的 第　　　５９ ＳｉＨ４１５０ＳｉＨ４，１５０ＳｉＨ４１５０流　４
１　　　　　　Ｂ２Ｈ６１１０００ｐｐ　　ＢＢ２Ｈ６
５００ｐｐ　　ＰＨ３１００ｐｐｍ（１００ｐｐ　　　
　（ＳｉＨ４に対して）　　　（ＳｉＨ４に対して）　
　　（ＳｉＨ４に対して）Ｎｏ　　　　　ＩＱ　　　Ｎ
ｏ　　　　　３０　　　Ｎｏ　　　　　１０Ｈ２３５０
’Ｈ２３５０Ｈ２３５０ 基板温度　ＣＣＤ　　　　２５０　　　　　　２５０　
　　　　　２５０ＲＦパ’７−［：Ｗ］　　　　　　＋
５０　　　　　　　　１５０　　　　　　　　１５０内
圧［ｔｏｒｒ］　　　０．２５　　　　０，２５　　　
　０．２５、膜厚〔μｍ）　　　０．１　　　０．１　
　　０．１備　　　考 ＳｉＨ４１５０５ｉＨａ　　　　１５０　　　　　　Ｓ
ｉＨ４１００ＳｉＦａ　　　　５０ Ｂ２Ｈ６５００ｐｐｍ　　　Ｂ２ＨＩ３　　　５００ｐ
ｐｍ　　　Ｂ２Ｈ６１０Ｂ２Ｈ６１０００ｐｐに対して
）　　　（ＳｉＨ４に対して）　　　　　　（ＳｉＨ４
に対して）Ｎｏ　　　　　　５　　　　Ｎｏ　　　　　
　　ｉｎ　　　　　　　Ｎｏ　　　　　１０Ａｒ　　　
　３５０　　　　Ｈｅ　　　　　　３５０　　　　　　
　Ｈ２５５０２５０’２５０　　　　　　　　　　　　
２５００．２５　　　　　　　　　０．２５　　　　　
　　　　　　　０，２５０、１　　　　　　　　　　　
０．１　　　　　　　　　　　　　０．１と同じ　と同
じと同じ　と同じ 第　　６０ ２７０１　　　　◎　　　○　　　○　　　○　　　◎
２７０２　　◎　　　○　　　◎　　　Ｏ◎２７０３　
　　◎　　　○　　　○　　　○　　　◎２７０４　　
◎　　　○　　　○　　　Ｏ◎２７０５−１０　　０　
　　◎　　　○　　　◎２７０５−２　０　　０　　　
◎　　　◎　　　◎２７０５−３　０　　０　　　◎　
　　◎　　　◎２７０５−４　　Ｑ　　　　○　　　◎
　　　◎　　　◎２７０６　　　◎　　　○　　　○　
　　○　　　◎◎・・非常に良好　　Ｏ・・・良好　　
Δ・・実用上さしつ−９’ＪＱ− ◎　　　◎　　　○　　　　○ ◎　　　◎　　　○　　　　○ ◎　　　◎　　　○　　　　Ｏ ◎　　　◎　　　Ｏ○ ◎　　　◎　　　Ｏ○ ◎　　　◎　　　○　　　　○ ◎　　　◎　　　ＯＯ ◎　　　◎　　　○　　　　○ ◎　　　◎　　　Ｏ○ かえない　　Ｘ・・・非実用的 第６７表 ＳｉＨ４１５０ Ｈ２３５０ ＳｉＨ４１５０ Ｈ２３５０ ＳｉＨ４１０ 表面層　ＣＨ４５００１５０ Ｈ２１０００ 第　　　６８　　　表 Ｘ　○　○　○　×　△ ＲＦパワー〔Ｗ〕　　　内圧（ｔ、ｏｒｒ〕模厚［μｒ
ｐＨ５００，２５０，１ １５００，２５３ ３０００，４２０ １０００，７０，５ ×　　　　　○　　　　　×８７ 〔発明の効果の概略〕 本発明の光受容部材は、Ａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成され
た光導電層を有する電子写真用光受容部材の層構成を前
述のごとき特定の層構成としたことにより、Ａ−３ｉで
構成された従来の電子写真用光受容部材における諸問題
を全て解決することができ、特に極めて優れた耐湿性、
連続繰返し使用特性、電気的耐圧性、使用環境特性およ
び耐久性等を有するものである。又、残留電位の影響が
全くなく、その電気的特性が安定しており、それを用い
て得られる画像は、濃度が高く、ハーフトーンが鮮明に
出る等、すぐれた極めて秀でたものとなる。

特に本発明における電子写真用光受容部材において、電
荷注入阻止層を設けたことにより、比較的広範囲の波長
の光に感度を有する、比較的低抵抗な光導電層を用いる
ことが可能になった。しかも前述のごとき特定の層構成
としたことにより光照射及び熱的に励起された多数の電
荷が、光導電層だけでなく電荷注入阻止層や表面層中に
おいても充分に速く掃き出されるため、いかなる露光条
件のもとでも、残留電位やゴーストが全く生じない、且
つ解像度の高い、高品質な画像を安定して繰り返し得る
ことができる。

【図面の簡単な説明】

第１囚図乃至第１（Ｄ）図は本発明の電子写真用光受容
部材の層構成を説明する為の模式的１構成図、 第２図乃至第７図は各々、長波長光吸収層を構成するケ
゛ルマニウム原子の分布状態を説明するための説明図、 第８図乃至第１２図は各々、電荷注入阻止層を構成する
第■族原子又は第Ｖ族原子の分布状態を説明するだめの
説明図、 第１６図乃至第１９図は各々電荷注入阻止層を構成する
窒素原子、酸素原子及び炭素原子の中から選ばれる少な
くとも１種の分布状態を説明するための説明図、 第２０図乃至第２３図は支持体表面の凹凸形状及び該凹
凸形状を作製する方法を説明するための模式図、 第２４図は本発明の電子写真用光受容部材の光受容層を
形成するための装置の一例でグロー放電法による製造装
置の模式的説明図、第２５図及び第２６図は支持体の断
面形状を説明する模式的説明図、 第２７図及び第２８図は含有される各原子の含有量を示
すグラフである。 第１００図乃至第１（Ｄ）図について １００・・・光受容層、 １０１・・・支持体、 １０２・・・電荷注入阻止層、 １０３・・・光導電層、 １０４・・表面層、 １０５・・・自由表面、 １０６・・・長波長光吸収層、 １０７・・密着層。 第２１図について ２１００　　・光受容層、 ２１０１・　支持体、 ２１０２・・・電荷注入阻止層、 ２１０３・・・光導電層、 ２１０４・・・表面層、 ２１０５・・・　自由表面、 ２１０６・・・長波長光吸収層、 ２１０７・・・密着層。 第２２．２３図について ２２０１　、２３０１・・・支持体、 ２２０２　、２３０２・・・支持体表面、２２０３　、
２３０３・・・剛体真球、２２０４　、２３０４・・・
球状痕跡窪み。 第２４図について ２４０１・・・反応室、 ２４０２〜２４０６・・・ガスボンベ、２４０７〜２４
１１・・・マスフロコントローラ、２４１２〜２４１６
・・・流入バルブ、２４１７〜２４２１・・・流出バル
ブ、２４２２〜２４２６・・・バルブ、 ２４２７〜２４３１・・・圧力Ｖ＠整器、２４３２　、
２４５３・・補助バルブ、２４６４・・・メインバルブ
、 ２４３５・・・リークバルブ、 ２４３６・・・真空計、 ２４３７・・・基体シリンター、 ２４３８・・・加熱ヒーター、 ２４３９・・・モーター、 ２４４０・・・高周波電源。

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. （１）支持体と、該支持体上に、シリコン原子を母体と
   し、伝導性を制御する物質を含有する電荷注入阻止層と
   、シリコン原子を母体とし、水素原子およびハロゲン原
   子の少なくともいずれか一方を構成要素として含む非晶
   質材料で構成され、光導電性を示す光導電層と、シリコ
   ン原子と炭素原子と水素原子とを構成要素として含む非
   晶質材料で構成されている表面層とからなる光受容層と
   を有し、前記表面層において、水素原子が４１〜７０原
   子％含有されている事を特徴とする電子写真用光受容部
   材。
2. （２）前記光導電層に、酸素原子又は／及び窒素原子を
   含有する特許請求の範囲第（１）項に記載の電子写真用
   光受容部材。
3. （３）前記電荷圧入阻止層が窒素原子、酸素原子及び炭
   素原子の中から選ばれる少なくとも一種を含有している
   特許請求の範囲第（１）項又は第（２）項に記載の電子
   写真用光受容部材。
4. （４）前記電荷注入阻止層が支持体側に多く分布する分
   布状態で伝導性を制御する物質を含有している特許請求
   の範囲第（１）項乃至第（３）項のいずれかに記載の電
   子写真用光受容部材。
5. （５）前記電荷注入阻止層が支持体側に多く分布する分
   布状態で窒素原子、酸素原子及び炭素原子の中から選ば
   れる少なくとも一種を含有している特許請求の範囲第（
   ３）項又は第（４）項に記載の電子写真用光受容部材。
6. （６）前記電荷注入阻止層に含有される窒素原子、酸素
   原子及び炭素原子の中から選ばれる少なくとも一種が支
   持体側に内在している特許請求の範囲第（３）項乃至第
   （５）項のいずれかに記載の電子写真用光受容部材。
7. （７）支持体と電荷注入阻止層との間に、シリコン原子
   とゲルマニウム原子とを構成要素として含む非晶質材料
   で構成され、長波長光を吸収する長波長光吸収層を有す
   る特許請求の範囲第（１）項乃至第（６）項のいずれか
   に記載の電子写真用光受容部材。
8. （８）前記長波長光吸収層が伝導性を制御する物質、窒
   素原子、酸素原子及び炭素原子の中から選ばれる少なく
   とも一種を含有している特許請求の範囲第（７）項に記
   載の電子写真用光受容部材。
9. （９）前記伝導性を制御する物質が周期率表第III族に
   属する原子である特許請求の範囲第（１）項、第（４）
   項又は第（８）項に記載の電子写真用光受容部材。
10. （１０）前記伝導性を制御する物質が周期率表第Ｖ族に
    属する原子である特許請求の範囲第（１）項、第（４）
    項又は第（８）項に記載の電子写真用光受容部材。
11. （１１）前記支持体と前記長波長光吸収層との間あるい
    は前記支持体と前記電荷注入阻止層との間に、窒素原子
    、酸素原子及び炭素原子の中から選ばれる少なくとも一
    種とシリコン原子とを含有する非晶質材料で構成された
    密着層を有する特許請求の範囲第（１）項乃至第（１０
    ）項のいずれかに記載の電子写真用光受容部材。