JPS632068A - 電子写真用光受容部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する技術分野〕 本発明は光（ここでは広義の光であって紫外線、可視光
線、赤外線、Ｘ線、γ線などを意味する。）のような電
磁波顛対して感受性のある電子写真用光受容部材に関す
る。

〔従来の技術の説明〕

像形成分野ておける電子写真用光受容部材における光受
容層を形成する光導電材料としては、高感度で、ＳＮ比
〔光電流（工ｐ）／暗電流（Ｉｄ）］が高く、照射する
電磁波のスはクトル特性に適合した吸収スはクトル特性
を有すること、光応答性が速く、所望の暗抵抗値を有す
ること、使用時において人体に対して無公害であること
、等の特性が要求される。殊に、事務機としてオフィス
で使用される電子写真装置内に組込まれる電子写真用光
受容部材の場合には、上記の使用時における無公害性は
重要な点である。

この様な点に立脚して最近注目されている光導電材料に
アモルファスシリコン（以後Ａ−８ｉと表記す）がるり
、例えば、独国公開第２７４６９６７号公報、同第２８
５５７１８号公報には電子写真用光受容部材としての応
用が記載されている。

しかしながら、従来のＡ−８ｉで構成された光受容層を
有する電子写真用光受容部材は、暗抵抗値、光感度、光
応答性などの電気的、光学的、光導電的！￥！ｆ性およ
び使用環境特性の点、更には経時的安定性及び耐久性の
点において、各々、個々ては特性の向上が計られている
が、総合的な特性向上を計る上で更に改良される余地が
存するのが実情である。

例えば、電子写真用光受容部材に適用した場合に、高光
感度化、高暗抵抗化を同時に計ろうとすると従来におい
てはその使用時ておいて残留電位が残る場合が度々観測
され、この種の光受容部材は長時間繰返し使用し続ける
と、繰返し使用てよる疲労の蓄積が起こって、残像が生
ずる所謂ゴースト現象を発する様になる等の不都合な点
が少なくなかった。

又、Ａ−８ｉ材料で光受容層を構成する場合ては、その
電気的、光導電的特性の改良を計るために、水素原子或
いは弗素原子や塩素原子などのハロゲン原子、７および
電気的伝導型の制御のために硼素原子や燐原子等が或い
はその他の特性改良のため【他の原子が、各々構成原子
として光導電層中に含有されるが、これ等の構成原子の
含有の仕方如何によっては、形成した層の電気的あるい
は光４電的特性や耐圧性に問題が生ずる場合があった。

即ち、例えば、形成した光導電層中に光照射によって発
生したフォトキャリアの該層中での寿命が充分でないこ
とや、或いは、転写紙に転写された画像に俗に「白ヌケ
」と呼ばれる、局所的な放電破壊現象によると思われる
画像欠陥や、クリーニングにブレードを用いるとその摺
擦によると思われる、俗に「白スジ」と云われている画
像欠陥が生じたりしていた。又、多湿雰囲気中で使用し
たり、或いは多湿雰囲気中て長時間放置した直後に使用
すると俗に云う画像のボケが生ずる場合が少なくなかっ
た。

更には、層厚が十数μ以上になると５層形成用の真空堆
積室より取り出した後、窒気中での放置時間の経過と共
に、支持体表面からの層の浮きや剥離、或いは層に亀裂
が生ずる等の現象を引起し勝ちになる。この現象は、殊
て支持体が通常、電子写真分野に於いて使用されている
ドラム状支持体の場合に多く起る等、経時的安定性の点
に於いて解決されるべき点がある。

従ってＡ−８ｉ材料そのものの特性改良が計られる一方
で光受容部材を設計する際て、上記したような問題の総
てが解決されるように層構成、各層の化学的組成、作成
法などが工夫される必要がある。

〔発明の目的〕

本発明は、上述のとときＡ−８ｉで構成された従来の光
受容層を有する電子写真用光受容部材における諸問題を
解決することを目的とするものである。

即ち、本発明の主たる目的は、電気的、光学的、光導電
的特性が使用環境に殆んど依存することなく実質的に金
時安定しており、耐光疲労に優れ、繰返し使用に際して
も劣化現象を起こさず耐久性、耐湿性に優れ、残留電位
が全くがまたは殆んど観測されない、Ａ−８ｉ及び多結
晶シリコンの夫々で構成された層で構成された光受容層
を有する電子写真用光受容部材を提供することにある。

本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層と支持体
との間や積層される層の各層間に於ける密着性に優れ、
構造配列的に緻密で安定的であり、膜品質の高い、Ａ−
８ｉ及び多結晶シリコンの夫々で構成された層で構成さ
れた光受容層を有する光受容部材を提供することにある
。

本発明の更に他の目的は、電子写真用光受容部材として
適用させた場合、静電像形成のための帯電処理の際の電
荷保持能力が充分であり、通常の電子写真法が極めて有
効に適用され得る優れた電子写真特性を示す、Ａ−８ｉ
及び多結晶シリコンの夫々で構成された層で構成された
光受容層を有する電子写真用光受容部材を提供すること
にある。

本発明の別の目的は、長期の使用に於いて画像欠陥や画
像のボケが全くなく、濃度が高く、ハーフトーンが鮮明
に出て且つ解像度の高い高品質画像を得ることが容易に
できる、電子写真用のＡ−３ｉ及び多結晶シリコンで構
成された光受容層を有する電子写真用光受容部材を提供
することにある。

本発明の更に別の目的は、高光感度性、高ＳＮ比特性お
よび高電気的耐圧性を有する、Ａ−８ｉ及び多結晶シリ
コンで構成された光受容層を有する電子写真用光受容部
材を提供することにある。

〔発明の構成及び作用の説明〕

本発明は上記の目的を達成し、電子写真用像形成部材や
固体撮像装置、読取装置等に使用される光受容部材とし
てのＡ−３ｉの製品成立性、適用性、応用性等の事項を
含めて総括的に鋭意研究を続けた結果、本発明の電子写
真用光受容部材は、支持体と、該支持体上に、シリコン
原子を母体とし、伝導性を制御する物質を含有する多結
晶材料で構成された電荷注入阻止層と、シリコン原子を
母体とし、水素原子、及びハロゲン原子の少なくともい
ずれか一方を構成要素として含む非晶質材料（以後ｒ　
Ａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）　Ｊと略記する）で構成され、光導
電性を示す光導電層と、シリコン原子と炭素原子と水素
原子とを構成要素として含む非晶質材料で構成されてい
る表面層とからなる光受容層とを有し、前記表面層にお
いて、水素原子が４１〜７０原子チ含有されている事を
特徴としている。

又、本発明は、前記支持体と前記電荷注入阻止層との間
にシリコン原子とゲルマニウム原子と、必要に応じて水
素原子とハロゲン原子の少なくともいずれか一方とを含
有する多結晶材料又は非晶質材料で構成された長波長光
吸収層〔以下、「ＩＲ層」と略記する。〕を設けてもよ
い。

更に、前記支持体と前記電荷注入阻止層の間、又は前記
支持体と前記ＩＲ層との間に、シリコン原子を母体とし
酸素原子、炭素原子又は窒素原子の少なくとも一つを含
有する非晶質材料又は多結晶材料で構成された密着層を
設けてもよい。

前記電荷注入阻止層は、水素原子又はハロゲン原子の少
なくともいずれか一方を含有してもよく、又、窒素原子
、酸素原子及び炭素原子の中から選ばれる少なくとも一
種を含有してもよい。

又、前記光導電層は構成原子として酸素原子、窒素原子
及び伝導性を制御する物質の牛歩なくとも一種を含有し
てもよい。

更に、前記長波長光吸収層は窒素原子、酸素原子、炭素
原子、及び伝導性を制御する物質のうち少なくとも一種
を含有してもよい。

上記した様な層構成を取る採知して設計された本発明の
電子写真用光受容部材は、前記した諸問題の総てを解決
し得、極めて優れた電気的、光学的、光導電的特性、耐
圧性及び使用環境特性を示す。

すなわち、電子写真用光受容部材として適用させた場合
には、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電
気的特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するも
のであって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が
高く、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い、
高品質の画像を安定して繰返し得ることができる。

さらて本発明の電子写真用光受容部材は、全可祝光域に
おいて光感度が高く、殊に半導体し−ザとのマツチング
に優れ、且つ光応答が速い。

以下、図面に従って本発明の電子写真用光受容部材に就
て詳細に説明する。

第１（Ａ）図乃至第１０）図は、本発明の電子写真用光
受容部材を説明するために模式的に示した模式的構成図
である。

第１囚図乃至第１０）図において１（１０は光受容層、
１（１１は支持体、１０２は電荷注入阻止層、１０５は
光導電層、１０４は表面層、１０５は自由表面、１０６
はＩＲ層、１０７は密着層を表わす。

第１（Ａ）図に示す電子写真用光受容部材は、支持体１
（１１上に、電荷注入阻止層１０２、光導電層１（１３
及び表面層１０４とからなる光受容層１（１０を有して
いる。表面層１０４は自由表面１０５を有している。

第１の）図に示す電子写真用光受容部材は、支持体１（
１１上に、ＩＲ層１０６、電荷注入阻止層１０２、光導
電層１（１３及び表面層１０４とからなる光受容層１（
１０を有している。

第１（Ｃ）図に示す電子写真用光受容部材は、支持体１
（１１上に密着層１０７、ＩＲ層１ｏ６、電荷注入阻止
層１０２、光導電層１（１３及び表面層１０４とからな
る光受容層１（１０を有している。

第１（Ｄ）図に示す電子写真用光受容部材は、支持体１
（１１上Ｋ、密着層１０７、電荷注入阻止層１０２、光
導電層１（１３及び表面層１０４とからなる光受容層１
（１０を有している。

以下本発明の電子写真用光受容部材を構成する各層につ
いて記載する。

支持体１（１１ 本発明において使用される支持体１０ｔとしては、導電
性でも電気絶縁性であっても良い。導電性支持体として
は、例えば、ＮｉＣｒ、ステンレス、Ａｔ、　Ｃｒ、　
Ｍｏ、　Ａｕ、　Ｎｂ、　Ｔａ５Ｖ、　Ｔｉ、Ｐｔ１Ｐ
ｄ等の金属又はこれ等の合金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルローズアセテート、ポリプ
ロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ
スチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシー
ト、ガラス、セラミック、紙などが通常使用される。こ
れ等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一
方の表面を導電処理され、該導電処理された表面側に他
の層が設けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｉＣｒ、Ａｔ
、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｎｂ１Ｔａ、　ＶＳＴｉ、
Ｐｔ、Ｐｄ。

Ｉｎ２Ｏ３、Ｓｎ○２　、ＩＴ○（Ｉｎ２（１３＋５ｎ
Ｏ２）等から成る薄膜を設けることによって導電性が付
与され、或いはポリエステルフィルム等の合成樹脂フィ
ルムであれば、ＮｉＣｒ　％Ａｔ、　Ａｇ　１Ｐｂ　、
　Ｚｎ　％Ｎｉ　、Ａｕ　。

Ｃｒ　、Ｍｏ　１１ｒ　ＳＮｂ　、Ｔａ　、　Ｖ、Ｔｉ
、Ｐｔ等の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、ス
、ｏツタリング等でその表面に設け、又は前記金属でそ
の表面をラミネート処理して、その表面に導電性が付与
される。支持体の形状としては、円筒状、ベルト状、板
状等任意の形状とし得、所望によって、その形状は決定
されるが、例えば、連続高速複写の場合には、無端ベル
ト状又は円筒状とするのが望ましい。支持体の厚さは、
所望通りの電子写真用光受容部材が形成される様に適宜
決定されるが、電子写真用光受容部材として可撓性が要
求される場合ては、支持体としての機能が充分発揮され
る範囲内であれば可能な限り薄くされる。しかしながら
、この様な場合、支持体の製造上及び取扱い上、機械的
強度等の点から、通常（１）０ｒ以上とされる。

特にレーザー元などの可干渉性光を用いて像記録を行な
う場合ては、可視画像において現われる、所謂、干渉縞
模様による画像不良を解消するために、支持体表面ば凹
凸を設けてもよい。

支持体表面に設けられる凹凸は、７字形状の切刃を有す
るバイトをフライス磐、旋盤等の切削加工機械の所定位
置に固定し、例えば円筒状支持体をあらかじめ所望に従
って設計されたプログラムに従って回転させながら規則
的に所定方向に移動させることにより、支持体表面を正
確に切削加工することで所望の凹凸形状、ピッチ、深さ
で形成される。この様な切削加工法例よって形成される
凹凸が作り出す逆Ｖ字形線状突起部は、円筒状支持体の
中心軸を中心にした標線構造を有する。逆Ｖ字形突起部
の標線構造は、二重、三重の多重標線構造、又は交叉標
線構造とされても差支えない。

或いは、標線構造に加えて中心軸に沿った平行線構造を
導入しても良い。

支持体表面に設けられる凹凸の凸部の縦断面形状は形成
される各層の微小カラム内に於ける層厚の管理された不
均一化と、支持体と該支持体上に直接設けられる層との
間の良好な密着性や所望の電気的接触性を確保する為に
逆■字形とされるが、好ましくは第２０図に示される様
に実質的に二等辺三角形、直角三角形成いは不等辺三角
形とされるのが望ましい。これ等の形状の中殊に二等辺
三角形、直角三角形が望ましい。

本発明に於ては、管理された状態で支持体表面に設けら
れる凹凸の各デイメンジョンは、以下の点を考慮した上
で、本発明の目的を結果的に達成出来る様に設定される
。

即ち、第１は光受容層を構成する多結晶シリコン層やＡ
−３ｉ（Ｈ，Ｘ）層は、層形成される表面の状態に構造
敏感であって、表面状態に応じて層品質は大きく変化す
る。

従って、多結晶シリコン層やＡ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）層の層
品質の低下を招来しない様に支持体表面に設けられる凹
凸のデイメンジョンを設定する必要がある。

第２には光受容層の自由表面に極端な凹凸があると、画
像形成後のクリーニングに於てクリーニングを完全に行
なうことが出来なくなる。

又、ブレードクリーニングを行う場合、ブレードのいた
みが早くなるという問題がある。

上記した層堆積上の問題点、電子写真法のプロセス上の
問題点および、干渉縞模様を防ぐ条件を検討した結果、
支持体表面の凹部のピッチは、好ましくは５（１０μｍ
〜０．３μｍ、より好ましくは２（１０μｍ〜１μｍ、
最適には５０μｍ〜５μｍであるのが望ましい。

また、凹部の最大の深さは、好ましくは０．１μｍ〜５
μｍ、より好ましくは０．３μｍ〜６μｍ、最適には０
６μｍ〜２μｍとされるのが望ましい。支持体表面の凹
部のピッチと最大深さが上記の範囲にある場合、凹部（
又は線上突起部）の傾斜面の傾きは、好ましく（１）度
〜２０度、より好ましくは３度〜１５度、最適には４度
〜１０度とされるのが望ましい。

又、この様な支持体上に堆積される各層の層圧の不均一
に基く層厚差の最大は、同一ピッチ内で好ましくは（１
１μｍ〜２μｍ、より好ましくは０．１μｍ〜１．５μ
ｍ、最適には０２μｍ〜１μｍとされるのが望ましい。

又、レーザー元などの可干渉性光を用いた場合の、干渉
縞模様による画像不良を解消する別の方法として、支持
体表面に複数の球状痕跡窪みによる凹凸形状を設けても
よい。

即ち支持体の表面が電子写真用光受容部材に要求される
解像力よりも微小な凹凸を有し、しかも該凹凸は、複数
の球状痕跡窪みによるものである。

以下に、本発明の電子写真用光受容部材における支持体
の表面の形状及びその好適な製造例を第２２図及び第２
３図により説明するが、本発明の光受容部材における支
持体の形状及びその製造法は、これによって限定される
ものではない。

第２２図は、本発明の電子写真用光受容部材における支
持体の表面の形状の典型的−例を、その凹凸形状の一部
を部分的に拡大して模式的に示すものである。

第２２図に於て２２（１１は支持体、２２０２は支持体
表面、２２（１３は剛体真球、２２０４は球状痕跡窪み
を示している。

更に第２２図は、該支持体表面形状を得るのに好ましい
製造方法の１例をも示すものである。

即ち、剛体真球２２（１３を支持体表面２２０２より所
定の高さの位置より自然落下させて支持体表面２２０２
に衝突させることにより、球状窪み２２０４を形成しう
ろことを示している。そして、はぼ同一径Ｂ′の剛体真
球２２（１３を複数皿用い、それらを同一の高さｈより
、開時あるいは逐次、落下させることてより、支持体表
面２２０２に、はぼ同一曲率半径Ｒ及び同一幅りを有す
る複数の球状痕跡窪み２２０４を形成することができる
。

前述のごとくして、表面に複数の球状痕跡窪みによる凹
凸形状の形成された支持体の典型例を第２６図に示す。

ところで、本発明の電子写真用光受容部材の支持体表面
の球状痕跡窪みによる凹凸形状の曲率半径Ｒ及び幅りは
、こうした本発明の光受容部材における干渉縞の発生を
防止する作用効果を効率的に達成するためには重要な要
因である。

本発明者らは、各種実験を重ねた結果以下のところを究
明した。即ち、曲率半径Ｒ・及び幅りが次式： ％式％ を満足する場合には、各々の痕跡窪み内にシェアリング
干渉によるニュートンリングが０，５本以上存在するこ
ととなる。更に次式： ％式％ を満足する場合には、各々の痕跡窪み内にシェアリング
干渉によるニュートンリングが１本以上存在することと
なる。

こうした事から、光受容部材の全体に発生する干渉縞を
各々の痕跡窪み内に分散せしめ、光受容部材における干
渉縞の発生を防止する為には、前記百を０．（１３５、
好ましくは０．０５５以上とすることが望ましい。

また、痕跡窪みによる凹凸の幅りは、大きくとも５（１
０μｍ程度、好ましくは２（１０μ口以下、より好まし
く（１）（１０μｍ以下とするのが好ましい。

第２）図は、上記方法で作成した支持体２）（１１上に
各層を形成した場合の例を示す。

第２）図に示す例においては、支持体２）（１１上に、
密着層２）０７、ＩＲ層２）０６、電荷注入阻止層２）
０２、光導電層２）（１３及び表面層２）Ｑ４とからな
る光受容層２）（１０が形成されている。

密着層 本発明における密着層１０７は窒素原子、酸素原子、炭
素原子の少なくとも１つとシリコン原子と必要て応じて
水素原子とハロゲン原子の少なくともいずれか一方とを
含有する多結晶材料又は非晶質材料で構成される。さら
に前記密着層は構成原子として伝導性を制御する物質を
含有してもよい。

すなわち、支持体と電荷注入阻止層又はＩＲ層との密着
性を向上させることが核層の主たる目的である。又、伝
導性を制御する物質を核層に含有させることにより、支
持体と電荷注入阻止層との間の電荷の輸送を一層効率よ
く行なうことが可能となる。

密着層に含有される窒素原子、酸素原子、炭素原子の少
なくとも一種と、必要に応じて核層に含有される水素原
子とハロゲン原子の少なくとも一方と、伝導性を制御す
る物質は、いずれも該層中に万偏無く均一されても良い
し、或いは層厚方向に不均一な分布状態で分布してもよ
い。

本発明において、形成される密着層中に含有される炭素
原子、酸素原子又は窒素原子の量は所望に応じて適宜決
定されねばならないが、好ましくはｏ、ｏｏｏｓ〜７０
原子係、より好適にはｏ、ｏｏｉ〜５０原子係、最適に
は０．（１０２〜３ｏ原子係とされるのが望ましい。

密着層の層厚は密着性、電荷の輸送効率、生産効率を考
慮し適宜法められるが、好ましくは０．（１１μｍ〜１
０μｍ、より好適には０．０２μｍ〜５μｍとされるの
が望ましい。

密着層中に含有される水素原子の量又はハロゲン原子の
量又は水素原子とハロゲン原子の量の和は好ましくは０
．１〜７０原子係、より好ましくは０５〜５０原子係、
最適に（１）．０〜３０原子矛とされるのが望ましい。

本発明におけるＩＲ層１ｏ６（又は２）０６）は、シリ
コン原子とゲルマニウム原子と、必要に応じて水素原子
又は／及びハロゲン原子を含有する多結晶材料（ｒｐｏ
ｌｙ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）　Ｊと記す）又は非晶質材料
（ｒＡ−８ｉＣ）ｓ（Ｈ，Ｘ）　Ｊと記す）で構成され
、核層に含有されるゲルマニウム原子は該層中に万偏無
く均一に分布されても良いし、或いは、層厚方向には万
偏無く含有されてはいるが分布濃度が不均一であっても
良い。百年ら、いずれの場合疋も支持体の表面と平行な
面内方向に於いては、均一な分布で万偏無く含有される
ことが、面内方向に於ける特性の均一化を計る点からも
必要である。すなわち、ＩＲ層１０６の層厚方向には万
偏無く含有されていて且つ前記支持体１（１１の設けら
れである側とは反対の側（光受容層１（１０の自由表面
１０５側）の方に対して前記支持体１（１１側の方に多
く分布した状態となる様にするか、或いは、この逆の分
布状態となる様に前記ＩＲ層中に含有される。

本発明の光受容部材においては、前記した様にＩＲ層中
に含有されるゲルマニウム原子の分布状態は、層厚方向
においては、前記の様な分布状態を取り、支持体の表面
と平行な面内方向には均一な分布状態とされるのが望ま
しい。

又、好ましい実施態様例の１つに於いては、長波長光感
光層中に於けるゲルマニウム原子の分布状態は全層領域
にゲルマニウム原子が連続的て万偏無く分布し、ゲルマ
ニウム原子の層厚方向の分布濃度Ｃが支持体側より電荷
注入阻止層に向って減少する変化が与えられているので
、ＩＲ層と電荷注入阻止層との間に於ける親和性に優れ
、且つ後述する様に、支持体側端部に於いてゲルマニウ
ム原子の分布濃度Ｃを極端に大きくすることにより、半
導体レーザ等を使用した場合の、光導電層では殆んど吸
収し切れない長波長側の光をＩＲ層に於いて、実質的に
完全に吸収することが出来、支持体面からの反射てよる
干渉を防止することが出来る。

第２図乃至第７図には、本発明における光受容部材のＩ
Ｒ層中に含有されるゲルマニウムの層厚方向の分布状態
が不均一な場合の典型的例が示される。

第２図乃至第７図において、横軸はゲルマニウム原子の
分布濃度Ｃを、縦軸は、ＩＲ層の層厚を示し、ｔＢは支
持体側のＩＲ層の端面の位置を、ｔＴは支持体側とは反
対側のＩＲ層の端面の位置を示す。即ち、ゲルマニウム
原子の含有されるＩＲ層はｔＢ側よりｔＴ側に向って層
形成がなされる。

第２図には、ＩＲ層中に含有されるゲルマニウム原子の
層厚方向の分布状態の第１の典型例が示される。

第２図に示される例では、ゲルマニウム原子の含有され
るＩＲ層が形成される表面と該ＩＲ層の表面とが接する
界面位置ｔＢよりｔｌの位置までは、ゲルマニウム原子
の分布濃度Ｃが（１１なる一定の値を取り乍らゲルマニ
ウム原子氷形成されるＩＲ層に含有され、位置ｔ１より
は濃度Ｃ２より界面位置ｔＴに至るまで徐々に連続的に
減少されている。界面位置ｔＴにおいてはケ゛ルマニウ
ム原子の分布濃度ＣはＣ３とされる。

第３図に示される例においては、含有されるゲルマニウ
ム原子の分布濃度Ｃは位置ｔＢより位置ｔＴに至るまで
濃度Ｃ４から徐々に連続的に減少して位置ｔＴにおいて
濃度Ｃ５となる様な分布状態を形成している。

第４図の場合には、位置ｂＢより位置ｔ２まではゲルマ
ニウム原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ６と一定値とされ、位
置ｔ２と位置ｔＴとの間において、徐々に連続的に減少
され、位置ｔ７において、分布濃度Ｃは実質的に零とさ
れている（ここで実質的に零とは検出限界量未満の場合
である）。

第５図の場合には、ケ゛ルマニウム原子の分布濃度Ｃは
位置ｔＢより位置ｔＴに至るまで、濃度Ｃ８より連続的
に徐々に減少され、位置ｔＴにおいて実質的に零とされ
ている。

第６図に示す例においては、ゲルマニウム原子の分布濃
度Ｃは、位置ｔＢと位置１３間においては、濃度Ｃ９と
一定値であり、位置ｔＴにおいては濃度Ｃ１０とされる
。位置ｔ３と位置ｔＴとの間では、分布濃度Ｃは一次関
数的に位置ｔ３より位置ｔＴに至るまで減少されている
。

第７図に示す例においては、位置ｔＢより位置ｔＴに至
るまで、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ１１よ
り実質的に零て至る様に一次関数的に減少している。

以上、第２図乃至第７図により、ＩＲ層中に含有される
ケ゛ルマニウム原子の層厚方向の分布状態の典型例の幾
つかを説明した様に、本発明においては、支持体側にお
いて、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃの高い部分を有し
、界面ｔＴ側においては、前記分布濃度Ｃは支持体側て
較べて可成り低くされた部分を有するゲルマニウム原子
の分布状態が長波長光感光層に設けられている場合は、
好適な例の１つとして挙げられる。

ゲルマニウム原子の層厚方向の分布状態としてゲルマニ
ウム原子の分布濃度の最大値ｃ　ｍａｘ　がシリコン原
子との和に対して、好ましく（１）（１００原子ｐｐｍ
以上、より好適【は５（１００原子ｐｐｍ以上、最適に
（１）Ｘ１０４原子ｐｐｍ以上とされるような分布状態
となり得るよって層形成されるのが望ましい。

本発明において、ＩＲ層中に含有されるゲルマニウム原
子の含有量としては、本発明の目的が効果的に達成され
る様に所望に従って適宜法められるが、シリコン原子と
の和に対して、好ましく（１）〜１０Ｘ１０５原子ｐｐ
ｍ、より好ましく（１）（１０〜９．５ｘ１０５原子ｐ
ｐｍ、最適には５ｏＯ〜８×１０５原子ｐｐｍとされる
のが望ましい。

前記ＩＲ層はさらに伝導性を制御する物質を含有しても
よい。

前記の伝導性を制御する物質としては、半導体分野にお
ける、いわゆる不純物を挙げることができ、本発明にお
いては、ｐ型伝導特性を与える周期律表第■族に属する
原子（以下「第■族原子」という。）、またはＮ型伝導
特性を与える周期律表第、Ｖ族に属する原子（以下「第
Ｖ族原子」という。）を用いる。第■族原子としては、
具体的には、Ｂ（硼素）、Ａｔ（アルミニウム）、Ｇａ
　（ガリウム）、Ｉｎ　（インジウム）　、Ｔｔ（タリ
ウム）等があり、特にＢ、Ｇａが好適である。

第Ｖ族原子としては、具体的ては、Ｐ（燐）、Ａｓ　（
砒素）、ｓｂ　（アンチモン）、Ｂｉ（ビスマス）等が
あり、特にＰ、Ａｓが好適でおる。

本発明に於いて、ＩＲ層中に含有される伝導特性を制御
する物質の含有量としては、好ましくは、０．（１１〜
５Ｘ１０５原子ｐｐｍ、より好ましくは０．５〜１Ｘ１
０４原子ｐｐｍ、最適て（１）〜５Ｘ　１０５原子ｐｐ
ｍとされるのが望ましいものである。

ＩＲ層中に含有される窒素原子（Ｎ）酸素原子（○）及
び炭素原子（Ｃ）の中から選ばれる少なくとも１種の量
は好ましくは゛０．（１１〜４０原子係、より好ましく
は０．０５〜６０原子チ、最適には０．１〜２５原子チ
とされるのが望ましい。

本発明においてＩＲ層の層厚は、好ましくは、６０Ｘ〜
５０μｍ、より好ましくは４０Ｘ〜４０μｍ、最適には
５０Ｘ〜３０μｍとされるのが望ましい。

電荷注入阻止層１０２（又は２）０２）本発明における
電荷注入阻止層１０２又は２）０２、多結晶シリコン（
（ｐｏｌｙ−８ｉ（Ｈ，Ｘ））　）で構成され、核層１
０２の全層領域に伝導性を制御する物質を均一に又は好
ましくは支持体側に多く分布するように不均一状態で含
有する。さらに必要に応じて核層１０２の全層領域又は
−部の層領域に酸素原子又は／及び窒素原子を均一に、
又は好ましくは支持体側に多く分布するように不均一状
態で含有させることで、核層１０２とＩＲ層との間の密
着性の改善や、バンドギャップの調整を計ることが出来
る。

電荷注入阻止層に含有される前記の伝導性を制御する物
質としては、半導体分野における、いわゆる不純物を挙
げることができ、本発明においては、ｐ型伝導特性を与
える周期律表第■族に属する原子（以下「第■族原子」
という。）、ま′たはＮ型伝導特性を与える周期律表第
Ｖ族に属する原子（以下「第Ｖ族原子」という。）を用
いる。第■族原子としては、具体的には、Ｂ（硼素）、
Ａｔ（アルミニウム）、Ｇａ　（ガリウム）、Ｉｎ　（
インジウム）、Ｔｔ　（タリウム）等があり、特にＢ、
Ｇａが好適である。第Ｖ族原子としては、具体的には、
Ｐ（燐）、Ａｓ　（砒素）、５ｂ（−アンチモン）、Ｂ
ｉ（ビスマス）等があり、特にＰ、Ａｓが好適である。

第８図乃至！１２図には電荷注入阻止層に含有される第
■族原子又は第■族原子の層厚方向の分布状態の典型的
例が示される。第８図乃至第１２図の例において横軸は
第■族原子又は第■族原子の分布濃度Ｃを、縦軸は電荷
注入阻止層の層厚ｔを示し、ｔＢは支持体側の界面位置
を、ｔＴは支持体側とは反対側の界面の位置を示す。

即ち、電荷注入阻止層はｔＢ側よりｔＴ側に向って層形
成がなされる。

第８図には電荷注入阻止層中に含有される第■族原子又
は第■族原子の層厚方向に分布状態の第一の典型例が示
される。

第８図に示される例では界面位置ｔＢよりｔｌの位置ま
では、第■族原子又は第Ｖ族原子の含有濃度ＣがＣ１０
なる一定の値を取り乍ら含有され、位置ｔ４より分布濃
度Ｃは界面位置ｔＴに至るまでＣ１３より徐々に連続的
に減少されている。

界面位置ｔＴにおいては分布濃度ＣはＣ１４とされる。

第９図に示される例においては、含有される第■族原子
又は第Ｖ族原子の分布濃度Ｃは位置ｔＢより位置ｔＴに
至るまでＣ１５から徐々に連続的に減少して位１ｉｔＴ
においてＣ１０となる様な分布状態を形成している。

第１０図に示す例においては、第■族原子又は第■族原
子の分布濃度Ｃは、位置ｔＢと位置ｔＢ間においては、
Ｃ１０と一定値であり、位置ｔＴにおいては（１１８と
される。位置ｔ５と位置ｔＴとの間では、分布濃度Ｃは
一次関数的に位置ｔ５より位置ｔＴに至るまで減少され
ている。

第１１図に示される例に於ては、分布濃度Ｃは位置ｔＢ
より位置ｔ６まではＣ１９の一定値を取り、位置ｔ６よ
り位置ｔＴまではＣ２０よりＣ２）まで一次関数的に減
少する分布状態とされている。

第１２図に示される例においては、分布濃度Ｃは位置ｔ
Ｂより位置ｔＴまでＣ２２の一定値を取る。

本発明において電荷注入阻止層が第■族原子又は第■族
原子を支持体側において多く分布する分布状態で含有す
る場合、第■族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度値の最大
値が好ましくは５０原子ｐｐｍ以上、好適には８０原子
ｐｐｍ以上、最適に（１）（１０原子ｐｐｍ以上とされ
るような分布状態となり得る様て層形成されるのが望ま
しい。

本発明において電荷注入阻止層中に含有される第■族原
子又は第■族原子の含有量としては、本発明の目的が効
果的に達成される様に所望に従って適宜法められるが好
ましくは３０〜５Ｘ１０４原子ｐｐｍ、より好ましくは
５０〜１Ｘ１０４原子ｐｐｍ、最適に（１）Ｘ１０２〜
５×１（１３原子ｐｐｍとされるのが望ましいものであ
る。

電荷注入阻止層１０２（又は２）０２）は前記したよう
に窒素原子、酸素原子および炭素原子の中から選ばれる
少なくとも一種の含有によって、重点的にＩＲ層１０６
と該電荷注入阻止層との間の密着性の向上及び該電荷注
入阻止層と光導電層１（１３との間の密着性の向上又は
、核層１０２のバンドギャップの調整が図られる。

第１５図乃至第１９図には電荷注入阻止層１０２に含有
される窒素原子、酸素原子及び炭素原子の層厚方向の典
型的例が示される。第１３図乃至第１９図の例において
横軸は窒素原子、酸素原子及び炭素原子の中から選ばれ
る少なくとも一種の分布濃度Ｃを、縦軸は電荷注入阻止
層の層厚ｔを示し、ｔＢは支持体側１（１１の界面位置
を、ｔＴは支持体側１（１１とは反対側の界面の位置を
示す。即ち、電荷注入阻止層はｔＢ側よりｔＴ側に向っ
て層形成がなされる。

第１６図には電荷注入阻止層中に含有される窒素原子、
酸素原子及び炭素原子の中から選ばれる少なくとも一種
の層厚方向の分布状態の第一の典型例が示される。

第１３図に示される例では界面位置ｔＢよりｔ４の位置
までは、窒素原子、酸素原子及び炭素原子の中から選ば
れる少なくとも一種の含有濃度Ｃが０２３なる一定の値
を取り乍ら含有され位置ｔ７より分布濃度Ｃは界面位置
ｔＴに至るまでＣ２４より徐々に連続的に減少されてい
る。界面位置ｔＴにおいては分布濃度ＣはＣ２５とされ
る。

第１４図に示される例においては、含有される窒素原子
、酸素原子及び炭素原子の中から選ばれる少なくとも一
種の含有濃度Ｃは位置ｔＢより位置ｔＴに至るまでＣ２
６から徐々に連続的に減少して位置ｔＴにおいてＣ２７
となる様な分布形態を形成している。

第１５図の場合には、位置ｔＢより位置ｔ８までは窒素
原子、酸素原子及び炭素原子の中から選ばれる少なくと
も一種の分布濃度ＣはＣ２８と一定値とされ、位置ｔ８
と位置ｔＴとの間ておいて、徐々に連続的に減少され、
位置ｔＴにおいて、質的に零とされている。

第１６図の場合には、窒素原子、酸素原子及び炭素原子
の中から選ばれる少なくとも一種は位置ｔＢより位置ｔ
ｌに至るまで、分布濃度ＣはＣ３Ｏより連続的に徐々に
減少され、位置ｔＴにおいて実質的に零とされている。

第１７図に示す例においては、窒素原子、酸素原子及び
炭素原子の中から選ばれる少なくとも一種の分布濃度Ｃ
は位置ｔＢより位置ｔ９まではＣ３１の一定値を取り、
位置ｔ９より位置ｔＴ″！ではＣ３１よりＣ３２まで一
次関数的て減少する分布状態とされている。

第１８図に示す例においては、窒素原子、酸素原子及び
炭素原子の中から選ばれる少なくとも一種の分布濃度Ｃ
は、位置ｔＢと位置ｔ１ｏ間においては、Ｃ５３と一定
値であり、位置ｔｌｏと位置ｔＴとの間では、分布濃度
Ｃは一次関数的にＣ３４よりＣ３５に至るまで減少され
ている。

第１９図に示される例に於ては、分布濃度Ｃは位置ｔＢ
より位置ｔＴまではＣ３６の一定値を取る。

本発明ておいて電荷注入阻止層が窒素原子、酸素原子及
び炭素原子の中から選ばれる少なくとも一種を支持体１
（１１側において多く分布する分布状態で含有する場合
、窒素原子、酸素原子及び炭素原子の中から選ばれる少
くとも一種の分布濃度値又は両原子の和の最大値が、好
ましくは５（１０原子ｐｐｍ以上、好適には８（１０原
子ｐｐｍ以上、最適に（１）（１００原子ｐｐｍ以上と
されるような分布状態となり得る様に層形成されるのが
望ましい。

本発明において電荷注入阻止層中に含有される窒素原子
、酸素原子及び炭素原子の中から選ばれる少なくとも一
種の含有量又は両者の和としては、本発明の目的が効果
的に達成される様に所望に従って適宜法められるが好ま
しくは０．（１０１〜５０原子係、より好ましくは０．
（１０２〜４０原子係、最適には０．（１０５〜′５０
原子チとされるのが望ましい。

本発明ておいて電荷注入阻止層１０２（又は２）０２）
の層厚は所望の電子写真特性が得られること及び経済的
効果等の点から、好ましくは０．（１１〜１０μ、より
好ましくは０．０５〜８μ、最適には０．１〜５μとさ
れるのが望ましい。

光導電層 本発明における光導電層１０６は、Ａ−８ｉ　（Ｈ，Ｘ
）で構成され所望の電子写真特注を満足する光導電特性
を有する。

尚、核層１（１３の全層領域に伝導性を制御する物質を
核層１（１３に要求される特性を損なわない範囲に於い
て含有してもよい。

また、核層１（１３の全層領域に核層に要求される特性
を損なわない範囲に於いて酸素原子及び窒素原子の牛歩
なくとも一方を含有してもよい。

前記伝導性を制御する物質としては前述の電荷注入阻止
層の場合と同様に、第ｍ族原子や第■族原子を用いるこ
とが出来る。

本発明における光導電層１（１３の全層領域に第ｍ族原
子又は第Ｖ族原子を含有する場合は主として伝導型及び
／又は伝導率を制御する効果を奏し、前記第■族原子又
は第Ｖ族原子の含有量は比較的少量であり、好適てはｌ
Ｘ１０−５〜３Ｘ１０２原子ｐｐｍ、より好適には５Ｘ
１’０−’〜１０２原子ｐｐｍ、最適にはｌＸ１０−２
〜５０原子ｐｐｍとされるのが望ましい。

又、本発明における光導電層１０６の全層領域に酸素原
子又は／及び窒素原子を含有する場合は、主として高暗
抵抗化と、電荷注入阻止層と光導電層との間の密着性の
向上等の効果を奏する。また、核層の光導電特性を劣化
させないようにするために核層に酸素原子又は／及び窒
素原子を含有せしめることができ、その場合それらの原
子の含有量は比較的少量で充分である。

窒素原子の場合は、上記の点に力０えて、例えば第出族
原子、殊にＢとの共存に於いて光感度の向上を図る事が
出来る。光導電層１（１３中に含有される酸素原子又は
窒素原子の量は、好ましくはｏ、ｏｏｏｓ〜３０原子係
、より原子例はｏ、　ｏ、　ｏ　ｉ〜２０原子係、最適
にはＯ，ＯＯ２〜１５原子係とされるのが望ましい。

本発明に於いて、その目的を効果的に達成する為に、支
持体１（１１上に形成され、光受容層１（１０の一部を
構成する光導電層１（１３は下記に示す半導体特性を有
し、照射される光に対して光導電性を示すＡ−８ｉ　（
Ｈ，Ｘ）で構成される。

■　ｐ型Ａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）・・・・・・アクセプター
のみを含むもの。或いはドナーとアクセプターとの両方
を含み、アクセプターの相対的濃度が高いもの。

■　ｐ−型Ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）・・・・・・■のタイプ
に於いてアクセプターの濃度（Ｎａ）が低いか、又はア
クセプターの相対的濃度が低いもの。

■　ｎ　ｆＢＪ　Ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）・・・・・・ドナ
ーのみを含むもの。

或いはドナーとアクセプターの両方を含み、ドナーの相
対的濃度が高いもの。

■　ｎ−型Ａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）・・・・・・■のタイプ
に於いてドナーの濃度（Ｎｄ）が低いか、又はアクセプ
ターの相対的濃度が低いもの。

■　１型Ａ−８ｉ　（Ｈ，Ｘ）−・−・Ｎａ；Ｎｂ＝○
のもの又は、ＮａχＮｂのもの。

光導電層１（１３の層厚は、所定のスペクトル特性を有
する光の照射によって発生されるフォトキャリアが効率
良く輸送されるように所望に従って適宜法められ、通常
（１）〜１（１０μ、好適ては２〜５０μとされるのが
望ましい。

表面層 光導電層１（１３上に形成される表面層１０４は、自由
表面１０５を有し、主に耐湿性、連続繰返し使用特性、
電気的耐圧性、使用環境特性、耐久性において本発明の
目的を達成するために設けられる。

また、本発明においては、光受容層１（１０を構成する
光導電層１０６と表面層１０４とを形成する非晶質材料
の各々がシリコン原子という共通の構成要素を有してい
るので、積層界面において化学的な安定性の確保が充分
酸されている。

表面層１０４は、シリコン原子と炭素原子と水素原子と
で構成される非晶質材料［Ａ−（ｓ１ｘｃ４−ｘ）ｙ：
Ｈｌ−Ｙ　、但し０＜ｘ　、　ｙ＜１　〕で形成される
。

本発明に於る表面層１０４は、その要求される特性が所
望通りに与えられる様に注意深く形成される。

即ち、Ｓｉ　、　Ｃ及びＨを可成原子とする物質はその
作成条件によって購造的には結晶からアモルファスまで
の形態を取り、電気物性的には導電性から半導体性、絶
縁性までの間の性質を、また光導電的性質から非光導電
的性質までの間の性質を各々示すので、本発明に於ては
、目的に応じた所望の特性を有するＡ−ＥｌｉｘＣ＋−
）（が形成される様に、所望に従ってその作成条件の選
択が厳密に成される。

例えば１表面層１０４を耐圧性の向上を主な目的として
設けるには、Ａ−（ｓｉｚｃｌ−ｘ）ｙ：Ｈｌ−ｙは使
用環境に於て電気絶縁性的挙動の顕著な非晶質材料とし
て作成される。又、連続繰返し使用特性や使用環境特性
の向上を主たる目的として表面層１０４が設けられる場
合には、上記の電気絶縁性の度合はある程度緩和され、
照射される光に対しである程度の感度を有する非晶質材
料としてＡ−８ｉｘＣ＋−１，が作成される。

本発明の電子写真用光受容部材に於る表面層１０４に含
有される炭素原子及び水素原子の帯は、本発明の目的を
達成する所望の特性が得られる表面層１０４が形成され
る重要な因子である。本発明に於る表面層１０４に含有
される炭素原子の量はシリコン原子と炭素原子の総量に
対して、好ましく（１）　Ｘ　１０−３〜９０原子チ、
より好ましく（１）〜９０原子係、最適に（１）０〜８
０原子チとされるのが望ましいものである。水素原子の
含有量としては、構成原子の総量に対して通常の場合４
１〜７０原子チ、好適には４１〜６５原子チ、最適には
４５〜６０原子チとされるのが望ましく、これ等の範囲
に水素含有量がある場合に形成される光受容部材は、実
際面に於て従来にない格段に優れたものとして充分適用
させ得るものである。

即ち、Ａ−（ｓｉｘｃｌ−ｘ）ｙ：Ｈｌ−Ｙで構成され
る表面層内に存在する欠陥（主にシリコン原子や炭素原
子のダングリングボンド）は電子写真用光受容部材とし
ての特性に悪影響を及ぼすことが知られ、例えば自由表
面からの電荷の注入による帯電特性の劣化、使用環境、
例えば高い湿度のもとて表面構造が変化することによる
帯電特性の変動、さらにコロナ帯電時や光照射時に光４
電層より表面層に電荷が注入し、前記表面層内の欠陥に
電荷がトラップされることによる繰返し使用時の残像現
象等があげられる。しかしながら表面層中の水素含有量
を４１原子係以上に制御することで表面層中の欠陥が大
巾に減少し、その結果、前記の問題点は全て解消し、殊
に従来のに較べて電気的特性面及び高速連続使用性に於
て飛躍的な向上を計ることが出来る。

一方、前記表面層中の水素含有量が７１原子チ以上にな
ると表面層の硬度が低下するために、繰返し使用に耐え
られない。従って、表面層中の水素含有量を前記の範囲
内に制御することが格段に優れた所望の電子写真特性を
得る上で非常に重要な因子の１つである。表面層中の水
素含有量は、Ｈ２ガスの流量、支持体温度、放電パワー
、ガス圧等によって制御し得る。

すなわち、先のＡ−（ＳｉｘＣ１−Ｘ）７：ＨＩ　Ｙの
表示で行えば、Ｘが通常０．１〜０．９９９９９、好適
には０．１〜０．９９、最適には０．１５〜０．９、ｙ
が通常０．３〜０．５９、好適には０．３５〜０．５９
．最適には０．４〜０．５５であるのが望ましい。

本発明に於る層厚の数値範囲は、本発明の目的を効果的
に達成する為の重要な因子の１つである。

本発明に於る表面層１０４の層厚の数値範囲は、本発明
の目的を効果的に達成する様に所期の目的に応じて適宜
所望に従って定められる。

又、表面層１０４の層厚は、光導電層１０６の層厚との
関係に於ても、各々の層領域に要求される特性に応じた
有機的な関連性の下に所望に従って適宜決定される必要
がある。更に加え得るに、生産性や量産性を加味した経
性の点に於ても考慮されるのが望ましい。

本発明に於る表面層１０４の層厚としては、通常０゜（
１０３〜３０μ、好適には０．（１０４〜２０μ、最適
にはｏ、ｏｏｓ〜１０μとされるのが望ましいものであ
る。

本発明に於る電子写真用光受容部材１（１０の光受容層
の層厚としては、目的に適合させて所望に従って適宜決
定される。

本発明に於いては、光受容層１（１０の層厚としては、
光受容層１（１０を構成する光導電層１（１３と表面層
１０４に付与される特性が各々有効に活されて本発明の
目的が効果的に達成される様に光導電層１０６と表面層
１０４との層厚関係に於て適宜所望に従って定められる
ものであり、好ましくは、表面層１０４の層厚に対して
光導電層１０６の層厚が数百〜数千倍以上となる様にさ
れるのが好ましいものである。

具体的な値としては、通常６〜１（１０μ、好適には５
〜７０μ、最適には５〜５０μの範囲とされるのが望ま
しい。

本発明に於いて、密着層又は／及び工Ｒ層１０６又は／
及び電荷注入阻止層１０２又は／及び光導電層１（１３
を形成するには、例えばグロー放電法、マイクロ波放電
法、スノξツタリング法、或いはイオンブレーティング
法等の放電現象を利用する真空堆積法によって成される
。例えば、グロー放電法によって多結晶シリコンで構成
される電荷注入阻止層又は／及びＡ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で
講成される光導電層を形成するには、基本的にはシリコ
ン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の原料ガスと共
に、水素原子（＋（）導入用の又は／及びノ・ロゲン原
子（Ｘ）導入用の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積
室内に導入して、該堆積室内にグロー放電を生起させ、
予め所定位置に設置されである所定の支持体表面上に多
結晶シリコン又は／及びＡ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）からなる層
を形成させれば良い。

又、スパッタリング法で形成する場合には、例えばＡｒ
　、　Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等のガスをベースと
した混合ガスの雰囲気中でＳｉで構成されたターゲット
をスパッタリングする際、水素原子（Ｅ（）又は／及び
・・ロケ゛ン原子ヴ）導入用のガスをスパッタリング用
の堆積室に導入してやれば良い。

又、グロー放電法によってシリコン原子とケ゛ルマニウ
ム原子を含有する多結晶材料又は非晶質材料で構成され
るＩＲ層１０６を形成するには、基本的にはシリコン原
子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の原料ガスと共に、
ケ゛ルマニウム（Ｃ）ｅ　）を供給し得るＧｅ供給用の
原料カスと必要に応じて水素原子（Ｈ）導入用の又は／
及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスを、内部が減
圧（でし得る堆積室内に導入して、該堆積室内にグロー
放電を生起させ、予め所定位置に設置されである所定の
支持体表面上に層を形成させれば良い。又、ス・ξツタ
リング法で形成する場合には、例えばＡｒ。

Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等のガスをベースとした混
合ガスの雰囲気中で８１で構成されたターゲット、或い
は、該ターゲットとＧｅで構成されたターケ゛ットの二
枚を使用して、又は、ＳｌとＧｅの混合されたターゲッ
トを使用して、必要に応じて、　　Ｈｅ、Ａｒ等の稀釈
ガスで稀釈されたＧｅ供給用の原料ガスを、必要に応じ
て、水素原子（）Ｉ）又は／及びハロゲンガス（Ｘ）導
入用のガスをスパッタリング用の堆積室に導入し、所望
のガスのプラズマ雰囲気を形成することによって成され
る。

本発明に於ては使用されるＳｉ供給用の原料ガスとして
は、５ｉＨａ、　Ｓｉ２Ｈ６，５ｉｓＨｓ、　Ｓｉ４［
（＋ｏ等のガス状態の又はガス化し得る水素化硅素（シ
ラン類）が有効に使用されるものとして挙げられ、殊に
、層作成作業の扱い易さ、Ｓ１供給効率の良さ等の点で
ＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６が好ましいものとして挙げられる
。

Ｇｅ供給用の原料ガスと成り得る物質としてはａｅＨ４
，Ｇｅ２Ｈｓ、　Ｇｅ３Ｅ（ｓ、　Ｇｅ４ｕｉｏ、　Ｇ
ｅ５Ｈ１２，Ｇｅ６Ｈ１４゜Ｃ）ｅ７Ｈ１６，Ｇｅ８ｎ
（１８，Ｇｅ９Ｈ２０等のガス状態のまたはガス化し得
る水素化ケ゛ルマニウムが有効に使用されるものとして
挙げられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｇｅ供給
効率の良さ等の点で、Ｇｅｔ（４，Ｇｅ２Ｈ６，Ｇｅ５
ＫＢが好ましいものとして挙げられる。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのハロゲン化物が挙げられ、
例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化合物
、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状態のま
たはガス化し得るハロゲン化物が好ましく挙げられる。

また、更には、シリコン原子と〕・ロゲ゛ン原子とを構
成要素とするガス状態のまたはガス化し得る、・・ロゲ
゛ン原子を含む硅素化合物も有効なものとして本発明に
おいては挙げることができる。

本発明において好適に使用し得るノ・ロゲン化合物とし
ては、具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロ
ゲンガス、ＢｒＦ、　Ｃ！２．Ｆ、　ｃｉ！、Ｆ５゜Ｂ
ｒＦ５．　ＢｒＦ５．工Ｆ５．工Ｆ７．工ａｉｌ、より
ｒ等のハロゲン間化合物を挙げることができる。

ハロゲンガスを含む硅素化合物、所謂、・・ロゲン原子
で置換されたシラン誘導体としては、具体的には例えば
ＳｉＦ４．　Ｓｉ２Ｆ６．５ｉｃｆｆｉ４．　ＳｉＢｒ
４等の・・ロゲン化硅素が好ましいものとして挙げるこ
とができる。

このような・・ロケ゛ン原子を含む硅素化合物を採用し
てグロー放電法によって本発明の特徴的な光受容層を形
成する場合には、Ｓｌを供給し得る原料ガスとしての水
素化硅素ガスを使用しなくとも、所定の支持体上にノ・
ロゲ゛ン原子を構成要素として含む多結晶Ｓ１又はＡ−
８ｉ：Ｈから成る層を形成することができる。

グロー放電法にし７たがって、ハロゲン原子を含む層を
製造する場合、基本的にはＳｉ供給用の原料ガスである
ハロゲン化硅素ガスとＡｒ　＋　Ｈ２）Ｆ（ｅ等のガス
等を所定の混合比とガス流量になるようにして所望の層
を形成する堆積室内に導入し、グロー放電を生起してこ
れ等のガスのプラズマ雰囲気を形成することによって、
所定の支持体上に所望の層を形成し得るものであるが、
水素原子の導入を計るためにこれ等のガスに更に水素原
子を含む硅素化合物のガスを所定量混合して層形成して
も良い。

又、ＩＲ層を形成する場合には、ハロゲン原子導入用の
原料ガスとして上記されたハロゲン化合物或はハロゲン
を含む硅素化合物が有効なものとして使用されるもので
あるが、その他に、Ｇｅ［（Ｆ３．　Ｇｅ［（２Ｆ２．
　ＧｅＦ３．　ＧｅＨＢｒ５．　ＧｅＨ２Ｃｆｉ２゜Ｇ
ｅ［（５（４，ＧｅＨＢｒ５．　ＧｅＨＢｒ５．　Ｇｅ
［（３Ｂｒ、　ＧｅＨ工３゜ＧｅＨＢｒ５．　ＧｅＢ工
等の水素化ハロゲン化ゲルマニウム１等の水素原子を構
成要素の１つとするハロゲン化物、　ＧｅＦ４．　Ｇｅ
ＣＡ４．　ＧｅＢｚ、　ＧｅＩａ、　ＧｅＦ２゜ＧｅＣ
ｆ１２．　ＧｅＢｒ２．　Ｇｅ工２等のハロゲ゛ン化ゲ
ルマニウム、等々のガス状態のあるいはガス化し得る物
質も有効な工Ｒ層形成用の出発物質として挙げることが
できる。

また、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種
混合して使用しても差支えないものである。

反応スパッタリング法あるいはイオンブレーティング法
に依って多結晶シリコンやＡ−３１（Ｈ，Ｘ）から成る
層を形成するには、例えばス・ξツタリング法の場合に
はＳｉから成るターゲ゛ットを使用して、これを所定の
ガスプラズマ雰囲気中でスパッタリングし、イオンブレ
ーティング法の場合には、多結晶シリコンまたは単結晶
シリコンを蒸発源として蒸着ボートに収容し、このシリ
コン蒸発源を抵抗加熱法、あるいはエレクトロンビーム
法（ＥＢ法）等知よって加熱蒸発させ飛翔蒸発物を所定
のガスプラズマ雰囲気中を通過させることができる。

この際、スパッタリング法、イオンブレーティング法の
何れの場合にも形成される層中にハロゲン原子を導入す
るには、前記のハロゲン化合物またはその前記の・・ロ
ゲ゛ン原子を含む硅素化合物のガスを堆積室中に導入し
て該ガスのプラズマ雰囲気を形成してやれば良いもので
ある。

また、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の
原料ガス、例えば、　Ｈ２、あるいは前記した７ラン類
等のガスをス・ξンタリング用の堆積室中に導入して該
ガスのプラズマ雰囲気を形成してやれば良い。

本発明において、ハロゲン原子導入用の原料ガスとして
上記されたハロゲン化合物或は・・ロゲンを含む硅素化
合物あるいはハロゲンを含むゲルマニウム化合物が有効
なものとして使用されるものであるが、その他に、［（
Ｆ、　ＨＯＱ、　ＨＢｒ。

Ｉ（工等のハロゲン化合物、Ｓｉ［（２、ＳｉＨ２工２
　、５ｉＨ２Ｃ４２。

５ｉＨ（、Ｊ、　Ｓｉ［（２Ｂｒ２．５ｉＨＢｒ３等の
ハロゲ゛ン置換水素化硅素、等々のガス状態のあるいは
ガス化し得る、水素原子を構成要素の１つとするハロゲ
ン化物も有効なＩＲ層、電荷注入阻止層および光導電層
形成用の出発物質として挙げることができる。

これ等の水素原子を含むハロゲン化合は、層形成の際に
形成される層中にハロゲン化物の導入と同時に電気的あ
るいは光電的特性の制御に極めて有効な水素原子も導入
されるので、本発明においては好適なハロゲン導入用の
原料として使用される。

水素原子を、形成される層中に構造的に導入するには、
上記の他にＨ２、或は、ｓ１＋ａ　、　Ｓｉ２Ｈ６゜Ｓ
ｉ５［（８，Ｓｉ４！（１０等の水素化硅素のガスをＳ
ｌを供給するためにシリコン化合物と堆積室中に共存さ
せて放電を生起させることでも行うことができる。

例えば、反応スパッタリング法の場合には、Ｓ１ターゲ
゛ソトを使用し、ハロゲン原子導入用のガス及びＨ２ガ
スを必要に応じてＨｅ、　Ａｒ等の不活性ガスを含めて
堆積室内に導入してプラズマ雰囲気を形成し、前記Ｓ１
ターゲツトをスパッタリングすることによって、基板上
に多結晶シリコンやＡ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）から成る層が形
成される。

更には不純物のドーピングも兼ねてＢ２Ｈ６等のガスを
導入してやることもできる。

本発明において、形成される電子写真用光受容部材のＩ
Ｒ層、電荷注入阻止層および光導電層中に含有される水
素原子（Ｈ）の量またはハロヶ゛ン原子（Ｘ）の量また
は水素原子とハロヶ゛ン原子の量の和は好ましく（１）
〜４０原子チ、より好適には５〜６０原子チ、とされる
のが望ましい。

形成される層中に含有される水素原子（Ｈ）又は／及び
ハロゲン原子（Ｘ）の量を制御するには、例えば支持体
温度又は／及びハロゲン原子（Ｈ）。

あるいはハロゲン原子（Ｘ）を含有させるために使用さ
れる出発物質の体積装置系内へ導入する量、放電電力等
を制御してやれば良い。

ＩＲ層や、電荷注入阻止層や光導電層に、第■族原子ま
たは第■族原子、および炭素原子、酸素原子または窒素
原子を含有させるには、グロー放電法や反応スパッタリ
ング法等によるＩＲ層や電荷注入阻止層や光導電層の形
成の際に、第■族原子または第Ｖ族原子導入用の出発物
質。

および酸素原子導入用、窒素導入用、炭素導入用の出発
物質を夫々前記したＩＲ層や電荷注入阻止層や光導電層
形成用の出発物質と共に使用して、形成される層中にそ
の量を制御し乍ら含有してやることによって成される。

そのような炭素原子導入用の、酸素原子導入用の又は／
及び窒素原子導入用の出発物質、または第■族原子また
は第■族原子導入用の出発物質としては、少なくとも炭
素原子、酸素原子および窒素原子のいずれか、あるいは
第■族原子または第■族原子を構成原子とするガス状の
物質またはガス化し得る物質をガス化したものの中の大
概のものが使用され得る。

例えば酸素原子を含有させるのであればシリコン原子（
Ｓｌ）を構成原子とする原料ガスと、酸素原子（０）を
構成原子とする原料ガスと、必要に応じて水素原子（Ｈ
）又はおよび・・ロケ′／原子（Ｘ）を構成原子とする
原料ガスとを所望の混合比で混合して使用するか、又は
、シリコン原子（Ｓｌ）を構成原子とする原料ガスと、
酸素原子（０）および水素原子（Ｉ（）を構成原子とす
る原料ガスとを、これもまた所望の混合比で混合するか
、あるいは、シリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とする原
料ガスと、シリコン原子（Ｓｌ）、酸素原子（０）およ
び水素原子（Ｈ）の３つの構成原子とする原料ガスとを
混合して使用することができる。

また、別には、シリコン原子（Ｓｌ）と水素原子（Ｈ）
とを構成原子とする原料ガスに酸素原子＠）を構成原子
とする原料ガスを混合して使用しても良い。

酸素原子導入用の及び窒素原子導入用の出発物質となる
ものとしては具体的には、例えば酸素（０２）、オゾン
（（１３）、−酸化窒素（ＮＯ）、二酸化窒素（ＮＯ２
）　、−二酸化窒素（Ｎ２０）、三二酸化窒素（Ｎ２（
１３　）、四三酸化窒素（Ｎ２０４）、三二酸化窒素（
Ｎ２０５）、三酸化窒素（Ｎｏ３）　＊窒素（Ｎ２）、
アンモニア（ＮＭ５）、アジ化水素（Ｉ（Ｈ５）、ヒド
ラジン（ＮＦ（２ＮＩ（２）、シリコン原子（Ｓｉ）と
酸素原子（Ｏ）と水素原子（Ｈ）とを構成原子とする、
例えば、ジシロキサン（ＨＢ　５１ｏｓ１Ｈ３）、トリ
シロキサン（ｕ３ｓ１ｏｓ１Ｈ２ｏｓｉＨ３）　　等の
低級シロキサン等を挙げることができる。

炭素原子導入用の原料となる炭素原子含有化合物として
は、例えば炭素数１〜４の飽和炭化水素、炭素数２〜４
のエチレン系炭化水素、炭素数２〜６のアセチレン系炭
化水素等が挙げられる。

具体的には、飽和炭化水素としては、メタン（ｃＨａ　
）、エタン（０２Ｆ（６）、プロノξン（Ｃ３Ｈ８）、
ｎ−ブタン（ｎ−ＣａＨｔ　ｏ）、はメタン（Ｃ５Ｈ１
２）、エチレン系炭化水素としては、エチレン（０２Ｈ
４）、プロピレン（Ｃｓ　Ｈ６）、ブテン−１（Ｃ４［
（８）、ブテン−２（ｃ　４　［（８）、インブチレン
（ＣＩｌＨ８）、はメタン（ｃｓＨ＋ｏ）、アセチレン
系炭化水素としては、アセチン：／（Ｃ２［（２）、メ
チルアセチレン（ＣｓＨ４）、ブテン（ｃ４Ｈ６）等が
挙げられる。

ＳｌとＣとＨとを構成原子とする原料ガスとしては、５
ｉ（ＣＨ５）４．５ｉ（Ｃ２Ｈ４）４等のケイ化アルキ
ルを挙げることができる。

第ｍ族原子または第■族原子の含有される１８層、電荷
注入阻止層および光導電層を形成するのにグロー放電法
を用いる場合、該層形成用の原料ガスとなる出発物質は
、前記した１８層、電荷注入阻止層および光導電層形成
用の出発空買の中から適宜選択したものに、第■族原子
または第■族原子導入用の出発物質が加えられたもので
ある。そのような第■族原子または第■族原子導入用の
出発物質としては第■族原子まだは第■族原子を構成原
子とするガス状態の物質またはガス化しうる物質をガス
化したものであれば、いずれのものであってもよい。

本発明に於て第■族原子導入用の出発物質として有効に
使用されるものとしては、具体的に・は硼素原子導入用
として、Ｂ２［（６，Ｂ４［（１０，Ｂ５Ｈ９゜ＢｓＨ
ｒ＋、　ＢｓＨ＋ｏ、　ＢｓＨ＋２．　Ｂ６Ｆｈ４等の
水素化硼素、ＢＦ３．　ＢＣｆ１５．　ＢＢｒ３等のハ
ロゲン化硼素等を挙げることができるが、この他、Ａｆ
ｌＣ１３，Ｇａ（４’５゜釦ｃｆ１５．　ＴｆｌＣｆｌ
ｓ等も挙げることができる。

本発明ておいて第■族原子導入用の出発物質として有効
に使用されるのは、具体的には燐原子導入用としては、
　　Ｐ［（３，Ｐ２＋（，１等の水素比隣、Ｐ［（１１
■、　ＰＦ３．　ＰＦ５．　ＰＣｌ、５．　ｐａｎｓ、
　ＰＢｒ３．　ＰＢｒ３．Ｐ工３等のハロゲン化硼素 Ａ８Ｆ５．　Ａｓｃｆ！、ｓ、　ＡＢＢｒ３．　Ａｆｌ
ＩＦ５．５ｂＨ３，ＳｂＦ３．　ＳｂＦ５゜５ｂｃｘ５
．５ｂｃｆ１５．　ＢｉＨ３，Ｂｉ（４３，Ｂ１Ｂｒ５
等も挙げることもできる。

第■族原子または第■族原子を含有する１８層、電荷注
入阻止層および光導電層に導入される第■族原子または
第■族原子の含有量は、堆積室中に流入される第■族原
子または第Ｖ族原子導入用の出発物質のガス流量、ガス
流量比、放電・ξワー、支持体温度、堆積室内の圧力等
を制御することによって任意に制御されうる。

本発明における目的が効果的に達成されるだめの支持体
温度は、多結晶材料で構成される層を形成する場合と、
非晶質材料で構成される層を形成する場合とでは異なり
、各々、適宜最適範囲を選択するが、多結晶材料で構成
されるＩＲ層および電荷注入阻止層を形成する場合には
、好ましくは２（１０℃〜７（１０℃、よシ好適には２
５０℃〜６（１０℃とし、非晶質材料で構成されるＩＲ
層および光導電層を形成する場合には、好ましくは５０
℃〜６５０℃、より好適に（１）（１０℃〜６（１０℃
とするのが望ましい。

本発明におけるＩＲ層、電荷注入阻止層および光導電層
の形成には、層を構成する原子の組成比の微妙な制御や
層厚の制御が他の方法に比較して容易であることから、
グロー放電法やスパッタリング法の採用が望ましいが、
これ等の層形成法でＩＲ層、電荷注入阻止層および光導
電層を形成する場合には、前記の支持体温度と同様に、
層の形成の際の放電パワー、カス圧が作成されるＩＲ層
、電荷注入阻止層や光導電層の特性を左右する重要な要
因である。

即ち、本発明の目的を達成しうる特性を有する１８層、
電荷注入阻止層及び光４電層を生産性良く且つ効率的に
作成するに当っては、放電・ξワー条件については、多
結晶材料で構成される１８層及び電荷注入阻止層を形成
する場合には、基板温度を２（１０〜６５０℃の範囲に
する場合、好ましく（１）１（１０〜ｓａｏｏｗ、より
好適に（１）５（１０〜４（１００　Ｗとするのが望ま
しく基板温度を３５０〜７（１０℃の範囲にする場合、
好ましく（１）（１０〜５（１００Ｗ、より好ましくは
２（１０〜４（１００Ｗであり、非晶質材料で構成され
る１８層および光導電層を形成する場合には、好ましく
（１）０〜１（１００Ｗ１　より好適には２０〜５（１
０Ｗとするのが望ましい。また、堆積室内のガス圧につ
いては、多結晶材料で構成される１８層および電荷注入
阻止層を形成する場合、好ましく（１）０−３〜０．８
Ｔｏｒｒ、より好適には５　Ｘ　１０−５〜０．５÷ｏ
ｒｒ程度とするのが望ましく、非晶質材料で構成される
１８層および光導電層を形成する場合、好ましくは０．
（１１〜１ＴＯｒｒ、　　より好適には０．１〜０．５
　Ｔｏｒｒ程度とするのが望ましい。本発明において（
１）８層、電荷注入ＶｆＡ土層および光導電層を作成す
るだめの支持体温度、放電・ξワーの望ましい数′直範
囲とじて前記した範囲が挙げられるが、これらの層作成
ファクターは、通常は独立的に別々に決められるもので
なく、所望の特性を有するＩＲ層、電荷注入阻止層およ
び光導電層を形成すべく、相互的且つ有機的関連性に基
づいて、各層作成ファクターの最適値を決めるのが望ま
しい。

表面層の形成 Ａ−（ＳｉｘＣ１−ｘ）ｙ’Ｈ１−ｙで構成される表面
層１０４の形成はグロー放電法、ス・ξツタリング法、
イオンインプランテーション法、イオンブレーティング
法、エクストオンビーム法等によって成される。これ等
の製造法は、製造条件、設備資本投下の負荷程度、製造
規模、作製される電子写真用光受容部材に所望される特
性等の要因によって適宜選択されて採用されるが、所望
する特性を有する電子写真用光受容部材を製造するだめ
の作成条件の制御が比較的容易であるシリコン原゛子と
共に炭素原子および水素原子を作製する表面層１０４中
に導入するが容易に行える等の利点からグロー放電法あ
るいはスパッタリング法が好適に採用される。

更に、本発明においては、グロー放電法とスパッタリン
グ法とを同一装置系内で併用して表面層１０４を形成し
ても良い。

グロー放電法によって表面層１０４を形成するためには
Ａ−（Ｓ１ｚＣ：１−）Ｏｙ：Ｈｌ−Ｙ形成用の原料ガ
スを、必要に応じて稀釈ガスと所定量の混合比で混合し
て、支持体１（１１の設置しである真空堆積用の堆積室
に導入し、導入されたガスをグロー放電を“生起させる
ことでガスプラズマ化して前記支持体１（１１上に既に
形成されである光導電層１（１３上にＡ’−（ＳｉｚＣ
＋−ｘ）ｙ’Ｈ＋−ｙを堆積させればよい。本発明に於
てＡ−（ＳｉｘＣ１−ｘ）ｙ：Ｈ＋　ｙ形成用の原料ガ
スとしては、Ｓｉ、Ｏ，Ｈの中の少なくとも１つを構成
原子とするガス状の物質またはガス化し得る物質をガス
化したものの中の大概のものが使用され得る。

Ｓｉ　、　Ｃ、Ｈの中の１つとしてＳｌを構成原子とす
る原料ガスを使用する場合は、例えばＳｉを構成原子と
する原料ガスと、Ｃを構成原子とする原料ガスと、Ｈを
構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して使
用するか、または、Ｓｌを構成原子とする原料ガスと、
ＣおよびＨを構成原子とする原料ガスとを、これもまだ
所望の混合比で混合するか、あるいはＳｉを構成原子と
する原料ガスと、Ｓｉ、ＣおよびＨの３つを構成原子と
する原料ガスとを混合して使用することができる。

また、別にはＳｌとＨとの構成原子とする原料ガスにＣ
を構成原子とする原料ガスを混合して使用しても良い。

本発明に於て、表面層１０４形成用の原料ガスとして有
効に使用されるのは、　ＳｉとＨとを構成原子とするＳ
ｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６，５ｉ３１（３，５ｉ４Ｈ＋ｏ等の
シラン（５ｉｌａｎｅ）類等の水素化珪素ガス、ＣとＨ
とを構成原子とする、例えば炭素数１〜４の飽和炭化水
素、炭素数２〜４のエチレン系炭素化水素、炭素数２〜
３のアセチレン系炭素化水素等が挙げられる。

具体的には、飽和炭化水素としては、メタン（（Ｊ（４
）、エタン（Ｃ２Ｈ６）、ゾロノクン（Ｃ３［（８）、
ｎ−ブタン（ｎ−ｃ４Ｈ１ｏ）、ズンタン（Ｃ５Ｈ１２
）、エチレン系炭化水素としては、エチレン（Ｃ２Ｈ４
）、プロピレン（Ｃ３［（６）、ブテン−１（Ｃａｔ（
ａ）、ブテン−２（Ｃ４Ｈ８）、インブチレン（Ｃ４Ｈ
８）、はシラン（ＣｓＨ＋ｏ）、アセチレン系炭化水素
としては、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、メチルアセチレン
（ｃ３Ｈａ）、ブチン（Ｃ４Ｈ６）等が挙げられる。

ＳｌとＣとＨとを構成原子とする原料ガスとしては、　
　５ｉ（ＣＨ３）ａ、　５ｉ（Ｃ２Ｈｓ）４等のケイ化
アルキルを挙げることが出来る。これ等の原料ガスの他
、Ｈ導入用の原料ガスとしては勿論Ｈ２も有効なものと
して使用される。

スパッタリング法によって表面層１０４を形成ウェーハ
ー又はＳｌとＣが混合されて含有されているウェーハー
をターゲットとして、これ等を種々のカス雰囲気中でス
パッタリングするととによって行なえば良い。

例、ｔ　Ｉｄ　、　Ｓｉウェーハーをターゲ゛ットとし
て使用すれば、ＣとＨを導入する為の原料ガスを、必要
に応じて稀釈ガスで稀釈して、ス・ξツタ用の堆積室中
に導入し、これ等のガスのガスプラズマを形成して前記
８１ウエーノ・−をスパッタリングすれば良い。又、別
にはＳｉとＣとは別々のターゲ゛ットとして、又はＳｌ
とＣの混合した一枚のターダットを使用することによっ
て、少なくとも水素原子を含有するガス雰囲気中でスパ
ッタリングすることによって成される。

Ｃ又はＨ導入用の原料ガスとしては、先述したグロー放
電の例で示した原料ガスが、スパッタリングの場合にも
有効なガスとして使用され得る。

本発明に於て、表面層１０４をグロー放電法又はスパッ
タリング法で形成する際に使用される稀釈ガスとしては
、所謂・希ガス、例えばＨｅ　。

Ｈｅ、　Ａｒ等が好適なものとして挙げられることが出
来る。

光導電層１０６の表面にＡ−（ｓＩＸａｌ−ｘ）ｙ：Ｈ
ｌ−た・ら成る表面層１０４を形成する際、層形成中の
支持体温度は、形成される層の構造及び特性を左右する
重要な因子であって、本発明に於ては、目的とする特性
を有するＡ−（ＳｉｘＣ１−ｘ）ｙ：Ｈ４Ｙが所望通り
に作成され得る様に層構成時の支持体温度が厳密に制御
されるのが望ましい。

本発明に於る目的が効果的に達成される為の表面層１０
４を形成する際の支持体温度としては表面層１０４の形
成法に併せて適宜最適範囲が選択されて、表面層１０４
の形成が実行されるが、好ましくは、５０℃〜６５０℃
、より好適（で（１）（１０℃〜６（１０℃とされるの
が望ましいものである。

表面層１０４の形成には、層を構成する原子の組成比の
微妙な制御や層厚の制御が他の方法に較べて比較的容易
である事などの為に、グロー放電法やスパッタリング法
の採用が有利であるが、これ等の層形成法で表面層１０
５を形成する場合には、前記の支持体温度と同様に層形
成の際の放電パワー、ガス圧が作成されるＡ−（Ｓｉ〆
１−ｘ）ｙ：Ｈｌｙの特性を左右する重要な因子の１つ
である。本発明に於る目的が達成される為の特性を有す
るｐ、−（ＳｉｘＣ＋　−Ｘ）７：Ｈｌ−Ｙが生産性良
く効果的に作成される為の放電・２ワ一条件としては、
好ましくは、１０〜１（１００Ｗ、より好適には２０〜
５（１０Ｗとされるのが望ましい。堆積室内のガス圧は
好ましくは０．（１１〜Ｉ　Ｔｏｒｒ、　　より好適に
は０．１〜０．５　Ｔｏｒｒ程度とされるのが望ましい
。

本発明に於ては、表面層１０４を作成する為の支持体温
度、放電パワーの望ましい数値範囲として前記した範囲
の値が挙げられるが、これ等の層構成ファクターは、独
立的して別々に定められるものではなぐ、所望特性のＡ
−３ｉｘＣＳ−Ｘから成る表面層１０４が形成される様
に相互的有機的関連性に基いて、各層形成ファクターの
最適値が決められるのが望ましい。

第２４図に電子写真用光受容部材の製造装置の一例を示
す。

図中！７）２４０２〜２４０６のカスボンベには、本発
明の夫々の層を形成するための原料ガスが患封されてお
り、その−例として例えば２４０２は、５ｉＨ４（純度
９９．９９９係）ボン（，２４０６はＨ２で稀釈された
Ｂ２Ｈ６ガス（純度９９．９９９係、以下Ｂ２）（６／
Ｈｅと略す。）、２４０４はＨ２ガス（純度９９．９９
９９９％）ボンベ、２４０５はＮＯガス（純度９９．９
９９係）ボン（，２４０６はｃＨ４ガス（純度９９．９
９％）ホ゛ンベである。

これらのガスを反応室２４（１１に流入させるには。

ガスボンベ２４０２〜２４０６のバルブ２４２２〜２４
２６、リーク・・ルブ２４３５が閉じられていることを
確認し、又、流入／２ルブ２４１２〜２４１６、流出ノ
・ルブ２４１７〜２４２）　、補助バルブ２４３２．２
４３５が開かれていることを確認して先づメインバルブ
２４３４を開いて反応室２４（１１、ガス配管内を排気
する。

次に真空計２４３６の読みが約５　Ｘ　１　（ｊ６ｔｏ
ｒｒになった時点で補助バルブ２４３２．２４３３、流
出バルブ２４１７〜２４２）を閉じる。

次（（ンリンター状基体２４３７上：て第１（Ａ）図（
で示す層構成の電子写真用光受容部材を形成する場合の
一例をあげると、カスボンへ２４０２よりＳｉＨ４ガス
、ガスボン−：　１１０４よりＨ２ガスを、ガスボ／ぺ
２４（１３よりＢ２［（６／　Ｉ（２ガスを、ガスボン
ベ２４０５よりＮＯＯ２０夫々バルブ２４２２〜２４２
５を開いて出口圧ゲージ２４２７〜２４３０の圧を夫々
１に９／ｃｒｎ２に調整し、流入バルブ２４１２〜２４
１５を夫夫徐々に開けて、マスフロコントローラ２４０
７〜２４１０内に夫々流入させる。引き続いて流出バル
ブ２４１７〜２４２０補助バルブ２４３２を徐々に開い
て夫々のガスを反応室２４（１１に流入させる。このと
きの５ｉｔ（４ガス流量とＢ２Ｈ６／Ｈ２ガス流量、Ｎ
ｏガス流量との比が所望の値になるように流出・２ルブ
２４１７〜２４２０を調整し、又、反応室内の圧力が所
望の値になるように真空計２４３６の読みを見ながらメ
インバルブ２４３４の開口を調整する。

そして基体シリンダー２４３７の温度が加熱ヒーター２
４３８により５０〜６５０℃の範囲の温度に設定されて
いることを確認された後、電源２４４０を所望の電力に
設定して反応室２４（１１内にグロー放電を生起させ、
同時にあらかじめ設計された変化率曲線に従ってＢ２Ｈ
６／　Ｈ２ガス又は／及びＮつガスの流量を手動あるい
は外部駆動モータ等の方法によってバルブ２４１８又は
／及び２４２ｏを漸次変化させる操作を行なって形成さ
れる層中に含有される硼素原子又は／及び酸素原子の層
厚方向の分布濃度を制御する。

上記の様にして、所望層厚に硼素原子と酸素原子の含有
された電荷注入阻止層が形成された時点で、流出バルブ
２４２０及び２４１８を閉じ、反応室１１（１１内への
Ｂ２Ｈ６／　Ｈ２ガス及びＮＯＯ２０流入を遮断し同時
に流出バルブ２４１７及び２４１９を調整してＳｉＨ４
ガス及びＨ２ガスの流量を制御し、引き続き層形成を行
なうことによって、酸素原子及び硼素原子を含有しない
光導電層を電荷注入阻止層上に所望の層厚に形成する。

また、酸素原子又は／及び硼素原子を含有する光導電層
を形成する場合には流出バルブ２４１８又は／及び２４
２０を閉じるかわりに所望の流量に調整すればよい。

電荷注入阻止層及び光導電層中にハロゲ゛ン原子を含有
させる場合には上記のガスにたとえばＳｉＦ４ガスを、
更に付加して反応室２４ｏ１内（・で送り込む。

各層を形成する際ガス種の選択によっては、層形成速度
を更に高めることが出来る。例えば５ｉＩ（４ガスのか
わりにＳｉ２Ｈ６ガスを用いて層形成を行なえば、数倍
高めることが出来、生産性が向上する。

上記の様にして作成された光導電層上に表面層を形成す
るには、光導電層の形成の際と同様なバルブ操作によっ
て例えば、　ＳｉＨ＋ガス、　　ＣＨ４ガス及び、必要
に応じてＨ２等の稀釈ガスを、所望の流量比で反応室２
４（１１中に流し、所望の条件に従って、グロー放電を
生起させることによって成される。

表面層中に含有される炭素原子の量は例えば５ｉ）（４
ガスと、　　ＣＨ４ガスの反応室２４（１１内に導入さ
れる流量比を所望に従って任意に変えることによって、
所望に応じて制御することが出来る。

又、表面層中に含有される水素原子の量は例えば、Ｈ２
ガスの反応室２４（１１内に導入される流量を所望に従
って任意て変えることによって、所望に応じて制御する
ことが出来る。

夫々の層を形成する際に必要なガス以外の流をはかるた
め基体シリンダー２４３７は、モータ２４６９によって
所望される速度で一定に回転させる。

〈実施例１〉 第２４図の製造装置を用い、第１表の作製条件に従って
鏡面加工を施したアルミシリンダー上に電子写真用光受
容部材を形成した。又、第２４図と同型の装置を用い、
同一仕様のシリンダー上に表面層のみを形成したもの及
び電荷注入阻止層のみを形成させたものをそれぞれサン
プルとして別個に用意した。光受容部材（以後ドラムと
表現）の方は、電子写真装置にセットして、種々の条件
のもとに、初期の帯電能、残留電位、ゴースト等の電子
写真特性をチエツクし、又、１５０万枚実機耐久後の帯
電能低下、感度劣化、画像欠陥の増加を調べた。更に、
６５℃℃、８５係の高温・高湿の雰囲気中でのドラムの
画像流れについても評価した。又、表面層のみのサンプ
ルの方は、画像部の上・中・下に相当する部分を切り出
し、有機元素分析計を利用して膜中に含まれる水素の定
量分析に供した。

電荷注入阻止層のみのサンプルの方は、同要領で切り出
し後、Ｘ線回折装置にて回折角２７°付近の５ｉ（１１
１）に対応する解析パターンを求め、結晶性の有無を調
べた。上記の評価結果及び水素の分析値を及び結晶性の
有無を総合して第２表に示す。第２表に見られる様に、
特に初期帯電能、画像流れ、残留電位、ゴースト、画像
欠陥の増加各項目について著しい優位性が認められた。

〈比較例１〉 作製条件を第３表のように変えた以外は、実姉例１と同
様の装置、方法でドラム及びサンプルを作製し、同様の
評価に供した。その結果を第４表に示す。

第４表にみられるように、実施例１と比べて諸々の項目
について劣ることが認められた。

〈実施例２〉 第２４図の製造装置を用い、第５表の作製条件に従って
鏡面加工を施したアルミシリンダー上に電子写真用光受
容部材を形成した。又、第２４図と同型の装置を用い、
同一仕様のシリンダー上に表面層のみを形成したもの及
び電荷注入阻止層のみを形成させたものをそれぞれサン
プルとしてを別個に用意した。光受容部材（以後ドラム
と表現）の方は、電子写真装置にセットして、種々の条
件のもとに、初期の帯電能、残留電位、ゴースト等の電
子写真特性をチエツクし、又、１５０万枚実機耐久後の
帯電能低下、感度劣化、画像欠陥の増加を調べた。更に
、３５ｔｌ：、８５％の高温・高湿雰囲気中でのドラム
の画像流れについても評価した。

そして、ドラム評価の終了したドラムは、中央の一部分
を切り出し、■ＭＡによる厚さの方向の成分分布の分析
に供した。又、表面層のみのサンプルの方は、画像部の
上・中・下に相当する部分を切り出し、有機元素分析計
を利用して膜中に含まれる水素の定量分析に供した。電
荷注入阻止層のみのサンプルの方は、同要領で切り出し
後、Ｘ線回折装置にて回折角２７°付近の５ｉ（１１１
）に対応する解析パターンを求め、結晶性の有無を調べ
た。上記の評価結果及び水素の分析値及び結晶性の有無
を総合して第６表に示す。又、電荷注入阻止層における
、層厚方向でのホウ素（Ｂ）　、酸素（○）の成分プロ
ファイルを第２７図に示す。第６表に見られるようＫ、
特に、初期帯電能、残留電位、ゴースト、画像欠陥、画
像欠陥の増加の各項目について著しい優位性が認められ
た。

〈実施例３（比較例２）〉 表面層の作製条件を第７表に示す数種の条件に変え、そ
れ以外は実施例１と同様の条件にて複数のドラム及び表
面層のみを形成させた分析用サンプルを用意した。これ
らのドラム及びサンプルを実施例１と同様の評価・分析
にかけた結果、第８衣に示すような結果を得た。

〈実施例４〉 光導電層の作製条件を第９表に示す数種の条件に変え、
それ以外は実施例１と同様の条件にて複数のドラムを用
意した。これらのドラムを実施例１と同様の評価にかけ
た結果、第１０表に示すような結果を得だ。

〈実施例５〉 電荷注入阻止層の作製条件を第１１表に示す数種の条件
（で変え、そｈ以外は実施例１と同様の条件にて複数の
ドラム及び電荷注入阻止層のみを形成させたサンプルを
用意した。これらのドラム及び分析用サンプルを実施例
１と同様の評価・分析にかけた結果、第１２表（Ｃ示す
ような結果を得た。

〈実施例６〉 電荷注入阻止層の作製条件を第１３表に示す数種の条件
に変え、それ以外は実施例１と同様の条件にて複数のド
ラム及び電荷注入阻止層のみを形成させたサンプルを用
意した。これらのドラム及び分析用サンプルを実施例１
と同様の評価・分析にかけた結果、第１４表に示すよう
々結果を得た。

〈実施例７〉 基体７リンダー上に第１５表に示す数種の作製条件のも
とで、密着層を形成し、更にその上に実施例１と同様の
作製条件のもとて光受容部材を形成した。これと別に密
着層のみを形成させたサンプルを用意した。光受容部材
の方は、実施例１と同様の評価てかけ、又、サンプルの
方は一部を切り出し、Ｘ線回折装置にて回折角２７°付
近の５ｉ（１１１）に対応する回折パターンを求め結晶
性の有無を調べた。以上の結果を第１６表に示す。

〈実施ｅタリ８　〉 基体シリンダー上に第１７表に示す数種の作製条件のも
とで、密着層を形成し、更にその上に実施例１と同様の
作製条件のもとて光受容部材を形成した。これらの光受
容部材を実施例１と同様の評価にかけた結果、第１８表
に示すような結果を得た。

〈実施例９〉 鏡面加工を施しだシリンダーを、更に様々な角度を持つ
鍔バイトによる旋盤加工に供し、第２５図のような断面
形状で第１９表の様な種々の断面パターンを持つシリン
ダーを複数本用意した。該シリンダーを順次、第２４図
の製造装置にセットし、実施例１と同様の作製条件のも
とにドラム作製に供した。作製されたドラムは７８０　
ｎｍの波長を有する半導体１／−ザーを光源としたデジ
タル露光機能の電子写真装置により種々の評価を行ない
、第２０表の結果を得だ。

〈実施例１０〉 鏡面加工を施したシリンダーの表面を、引続き多数のベ
アリング剛球の落下のもとてさらして、シリンダー表面
に無数の打痕を生せしめるいわゆる表面デインプル化処
理を施し、第２６図の様な断面形状で第２）表の様な種
々の断面パターンを持つシリンダーを複数本用意した。

核シリンダーを順次、第２４図の製造装置にセットし、
実施例１と同様の作製条件のもとにドラム作製に供した
。作製されたドラムは、７８０ｎｍの波長を有する半導
体レーザーを光源としたデフタル露光機能の電子写真装
置により種々の評価を行ない、第２２表の結果を得だ。

〈実施例１１〉 第２４図の製造装置を用い、第２６表の作製条件に従っ
て鏡面加工を施したアルミシリンダー上に電子写真用光
受容部材を形成した。又、第２４図と同型の装置を用い
、同一仕様のシリンダー上に表面層のみを形成したもの
及び電荷注入阻止層のみを形成させたもの又、　ＩＲ層
のみを形成させたものをそれぞれサンプルとして別個に
用意（−だ。光受容部材（以後ドラムと表現）の方は、
７８０　ｎｍの波長を有する半導体レーザーを光源とし
たデジタル露光機能の電子写真装置にセントして、種々
の条件のもとに、初期の帯電能、残留電位、ゴースト等
の電子写真特性をチエツクし、また、１５０万枚実機耐
久後の帯電能低下、感度劣化、画像欠陥の増加を調べた
。さらに、３５℃、８５％の高７里・高湿雰囲気中での
ドラムの画像流れについても評価した。又、表面層のみ
のす／プルの方は、画像部の上・中・下に相当する部分
を切り出し、有機元素分析計を利用して膜中に含まれる
水素の定量分析に供した。電荷注入阻止層のみのサンプ
ル及びＩＲ層のみのサンプルの方は、同要領で切り出し
後、Ｘ線回折装置にて回折角２７°付近の５ｉ（１１１
）に対応する回折パターンを求め、結晶性の有無を調べ
た。上記の評価結果及び゛水素の分析値及び電荷注入阻
止層とＩＲ層の結晶性の有無を総合して第２４表に示す
。第２４表に見られる様に、特に初期帯電能、画像流れ
、残留電位、ゴースト、画像欠陥の増加各項目について
著しい優位性が認められた。

く比較例３〉 作成条件を第２５表のように変えた以外は、実施例１１
と同様の装置、方法でドラム及びサンプルを作成し、同
様の評価に哄した。その結果を第２，６表に示す。

第２６表にみられる様に、実施例１１と比べて諸々の項
目：ｆ（ついて劣ることが認められた。

〈実施例１２〉 第２４図の製造装置を用い、第２７表の作製条件に従っ
て鏡面加工を施したアルミシリンダー上に電子写真用光
受容部材を形成した。又、第２４図と同型の装置を用い
、同一仕様のシリンダー上に表面層のみを形成したもの
及び電荷注入阻止層のみを形成させたもの又、　ＩＲ層
のみを形成させたものをそれぞれサンプルとして別個に
用意した。光受容部材（以後ドラムと表現）の方は、７
８０　ｎｍの波長を有する半導体レーザーを光源とした
デジタル露光機能の電子写真装置にセットして、種々の
条件のもとに、初期の帯電能、残留電位、ゴースト等の
電子写真特性をチエツクし、また、１５０万枚実機耐久
後の帯電能低下、感度劣化、画像欠陥の増加を調べだ。

さらに、３５℃、８５チの高温・高湿雰囲気中でのドラ
ムの画像流れについても評価した。

そして、評価の終了したドラムは、中央の一部分を切、
り出し、ＩＭＡによる厚さの方向の成分分析に供した。

又、表面層のみのサンプルの方は、画像部の上・中・下
に相当する部分を切り出し、有機元素分析計を利用して
膜中て含まれる水素の定量分析に供した。電荷注入阻止
層のみのサンプル及びＩＲ層のみのサンプルの方は、同
要領で切り出し後、Ｘ線回折装置にて回折角２７°付近
の５ｉ（１１１）に対応する回折パターンを求め、結晶
性の有無を調べた。上記の評価結果及び水素の分析値及
び電荷注入阻止層とＩＲ層の結晶性の有無を総合して第
２８表に示す。また電荷注入阻止層における層厚方向で
のホウ素（８人酸素（０）の成分プロファイル及びＩＲ
層における層厚方向でのケ゛ルマニウム（Ｇｅ）の成分
プロファイルを第２８図に示す。第２８表に見られる様
に、特に、初期帯電能、画像流れ、残留電位、ゴースト
、画像欠陥、画像欠陥の増加、及び干渉縞の多項目につ
いて、著しい優位性が認められた。

〈実施例１６（比較例４）〉 表面層の作製条件を第２９表に示す数種の条件に変え、
それ以外は実施例１１と同様の条件にて複数のドラム及
び表面層のみを形成させた分析用サンプルを用意した。

これらのドラム及びサンプルを実施例１１と同様の評価
・分析にかけた結果、第３０表に示すような結果を得た
。

〈実施例１４〉 光導電層の作製条件を第６）表に示す数種の条件に変え
、それ以外は実施例１１と同様の条件てて複数のドラム
を用意した。これらのドラムを実施例１１と同様の評価
にかけた結果、第６２表に示すような結果を得た。

〈実施例１５〉 電荷注入阻止層の作製条件を第６３表に示す数種の条件
に変え、それ以外は実施例１１と同様の条件にて複数の
ドラム及び電荷注入阻止層のみを形成させたサンプルを
用意した。これらのドラム及び分析用サンプルを実施例
１１と同様の評価・分析にかけた結果、第６４表に示す
ような結果を得た。

〈実施例１６〉 電荷注入阻止層の作製条件を第６５表に示す数種の条件
に変え、それ以外は実施例１１と同様の条件にて複数の
ドラム及び電荷注入阻止層のみを形成させたサンプルを
用意した。これらのドラム及び分析用サンプルを実施例
１１と同様の評価・分析にかけた結果、第６６表に示す
ような結果を得た。

〈実施例１７〉 ＩＲ層の作製条件を第３７表に示す数種の条件に変え、
それ以外は、実施例１１と同様の条件にて複数のドラム
及びＩＲ層のみを形成させた分析用サンプルを用意した
。ドラムの方は、実施例１１と同様の評価にかけ、また
サンプルの方は、−部を切り出し、Ｘ線回折装置にて回
折角２７゜付近の５１（１１１）に対応する回折パター
ンを求め結晶性の有無を調べた。以上の結果を第３８表
に示す。

〈実施例１８〉 ＩＲ層の作製条件を第３９表に示す数種の条件に変え、
それ以外は、実施例１１と同様の条件にて複数のドラム
及びＩＲ層のみを形成させた分折用サンプルを用意した
。ドラムの方は、実施例１１と同様の評価にかけ、また
サンプルの方は、−部を切り出し、Ｘ線回折装置にて回
折角２７°付近の５ｔ（Ｎ１）に対応する回折・ξター
ンを求め結晶の有無を調べた。以上の結果を第４０表に
示す。

〈実施例１９〉 ＩＲ層の作製条件を第４１表に示す数種の条件に変え、
それ以外は実施例１１と同様の条件にて複数のドラム及
びＩＲ層のみを形成させた分析用サンプルを用意した。

ドラムの方は、実施例１１と同様の評価にかけ、またサ
ンプルの方は、−部を切り出し、Ｘ線回折装置にて回折
角２７°付近の５ｉ（１１１）に対応する回折・ぐター
ンを求め結晶性の有無を調べた。以上の結果を、第４２
表に示す。

〈実施例２０〉 ＩＦｔ層の作製条件を第４６表に示す数種の条件て変え
、それ以外は実施例１１と同様の条件にて複数のドラム
及びＩＲ層のみを形成させた分析用サンプルを用意した
。ドラムの方は、実施例１１と同様の評価にかけ、また
サンプルの方は、−部を切り出し、Ｘ線回折装置にて回
折角２７゜付近の５ｉ（１１１）に対応する回折・ξタ
ーンを求め結晶性の有無を調べた。以上の結果を、第４
４表に示す。

〈実施例２）〉 基体シリンダー上に第４５表に示す数種の作製条件のも
とで、密着層を形成し、さらにその上に実施例１１と同
様の作製条件のもとて光受容部材を形成した。これと別
に密着層のみを形成させたサンプルを用意した。光受容
部材の方は、実施例１１と同様の評価にかけ、またサン
プルの方は一部を切り出し、Ｘ線回折装置にて回折角２
７°付近の６ｉｉ（１１１）に対応する回折・ぐターン
を求め結晶性の有無を調べた。以上の結果を第４６表に
示す。

〈実施例２２〉 基体シリンダー上に第４７表に示す数種の作製条件のも
とで、密着層を形成し、さらにその上に実施例１１と同
様の作製条件のもとて光受容部材を形成した。これと別
に密着層のみを形成させたサンプルを用意した。光受容
部材の方は、実施例１１と同様の評価にかけ、またサン
プルの方は一部を切り出し、Ｘ線回折装置にて回折角２
７°付近の５ｉ（１１１）に対応する回折パターンを求
め結晶性の有無を調べた。以上の結果を゛第４８表に示
す。

〈実施例２３〉 鏡面加工を施したシリンダーを更に、様々々内角度持つ
剣・ぐイトによる旋盤加工に供し、第２５図のような断
面形状で第４９表のような種々の断面パターンを持つシ
リンダーを複数本用意した。

該シリンダーを順次、第２４図の製造装置にセットし、
実施例１１と同様の作製条件のもとにド′ラム作製に供
した。作製されたドラムは７８０ｎｍの波長を有する半
導体レーザーを光源としたデジタル露光機能の電子写真
装置により、種々の評価を行ない、第５０表の結果を得
た。

〈実施例２４〉 鏡面加工を施したシリンダーの表面を、引続き多数のベ
アリング用法の落下のもとにさらしてシリンダー表面に
無数の打痕を生ぜしめるいわゆる表面デインプル化処理
を施し、第２６図のような断面形状で第５１表のような
種々の断面・ξターンを持つシリンダーを複数本用意し
た。

該シリンダーを順次、第２４図の製造装置にセットし、
実施例１１と同様の作製条件のもとにドラム作製に供し
た。作製されたドラムは、７８０ｎｍの波長を有する半
導体レーザーを光源としたデジタル露光機能の電子写真
装置により、種々の評価を行ない、第５２表の結果を得
た。

〔発明の効果の概略〕

本発明の光受容部材は、Ａ−ｓｌ（Ｈ，ｘ）で構成され
た光導電層を有する電子写真用光受容部材の層構成を前
述のごとき特定の層構成としたことにより、　　Ａ−８
ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成された従来の電子写真用光受容部材
における諸問題を全て解決することができ、特に極めて
優れた耐湿性、連続繰返し使用特性、電気的尉圧性、使
用環境特性および耐久性等を有するものである。又、残
留電位の影響が全くなく、その電気的特性が安定してお
り、それを用いて得られる画像は、濃度が高く、ハーフ
トーンが鮮明に出る等、すぐれた極めて秀でたものとな
る。

特に本発明における電子写真用光受容部材において、電
荷注入阻止層を設けたことにより、比較的広範囲、の波
長の光に感度を有する、比較的低抵抗な光導電層を用い
毛ことが可能になった。しかも前述のごとき特定の層構
成としたことにより光照射及び熱的に励起された多数の
電荷が、光導電層だけでなく電荷注入阻止層や表面層中
においても充分に速く掃き出されるため、いかなる露光
条件のもとでも、残留電位やゴーストが全く生じない、
且つ解像度の高い、高品質な画像を安定して繰り返し得
ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１（Ａ）図乃至第１（Ｄ）図は本発明の電子写真用光
受容部材の層構成を説明する為の模式的層構成図、 第２図乃至第７図は各々、工Ｒ層を構成するケ゛ルマニ
ウム原子の分布状態を説明するだめの説明図、 第８図乃至第１２図は各々、電荷注入阻止層を構成する
第■族原子又は第■族原子の分布状態を説明するだめの
説明図、 第１５図乃至第１９図は各々電荷注入阻止層を構成する
酸素原子、窒素原子及び炭素原子の中から選ばれる少な
くとも１種の分布状態を説明するだめの説明図、 第２０図乃至第２３図は支持体表面の凹凸形状及び該凹
凸形状を作製する方法を説明するだめの模式図、 第２４図は本発明の電子写真用光受容部材の光受容層を
形成するだめの装置の一例でグロー放電、去により製造
装置の模式的説明図である。 第２５図、第２６図は支持体の形状を示す模層中の分布
を示す分布図である。 第１図てついて １（１０・・光受容層、 １（１１・・支持体、 １０２・・・電荷注入阻止層、 １（１３・光導電層、 １０４・・表面層、 １０５・自由表面、 １０６・工Ｒ層。 １０７・密着層。 第２）図について ２）（１０・・光受容層、 ２）（１１・・支持体、 ２）０２・電荷注入阻止層、 ２）（１３・・光導電層、 ２）０４−・表面層、 ２）０５−自由表面、 ２）０６　・ＩＲ瑠、 ２）０７−密着層。 第２２．２３図について ２２（１１．２３（１１　　支持体、 ２２０２　、２３０２・支持体表面、 ２２（１３．２３（１３　　剛体真球、２２０４　、２
３０４・球状痕跡窪み。 第２４図について、 ２４（１１　−反応室、 ２４０２〜２４０６　　ガスホ′ンベ、２４０７〜２４
１１−マスフロコントローラ、２４１２〜２４１６−・
流入バルブ、 ２４１７〜２４２）・−流出バルブ、 ２４２２〜２４２６　　バルブ、 ２４２７〜２４６）　　圧力調整器、 ２４６２〜２４３３・・補助バルブ、 ２４３４・メイン／・ルブ、 ２４３５　　リークバルブ、 ２４３６・真空計、 ２４３７　　基体シリンダー、 ２４６８・・・加熱ヒーター、 ２４３９・・・モーター、 ２４４０・・・高周波電源。

Claims (18)

【特許請求の範囲】
1. （１）支持体と、該支持体上に、シリコン原子を母体と
   する多結晶質材料で構成され、伝導性を制御する物質を
   含有し、前記支持体からの電荷の注入を阻止する電荷注
   入阻止層、シリコン原子を母体とする非晶質材料で構成
   され、光導電性を有する光導電層、シリコン原子と炭素
   原子と水素原子とを構成要素として含む非晶質材料で構
   成され、水素原子の含有量が４１〜７０原子％である表
   面層、とを有する事を特徴とする電子写真用光受容部材
   。
2. （２）前記電荷注入阻止層が支持体側に多く分布する分
   布状態で伝導性を制御する物質を含有している特許請求
   の範囲第（１）項に記載の電子写真用光受容部材。
3. （３）前記電荷注入阻止層が窒素原子、酸素原子及び炭
   素原子の中から選ばれる少なくとも一種を含有している
   特許請求の範囲第（１）項又は第（２）項に記載の電子
   写真用光受容部材。
4. （４）前記電荷注入阻止層が支持体側に多く分布する分
   布状態で窒素原子、酸素原子及び炭素原子の中から選ば
   れる少なくとも一種を含有している特許請求の範囲第（
   ２）項又は第（３）項に記載の電子写真用光受容部材。
5. （５）前記光導電層が、窒素原子、酸素原子及び伝導性
   を制御する物質の中から選ばれる少なくとも一種を含有
   している特許請求の範囲第（１）項乃至第（４）項のい
   ずれかに記載の電子写真用光受容部材。
6. （６）前記伝導性を制御する物質が周期率表第III族に
   属する原子である特許請求の範囲第（１）項、第（２）
   項又は第（５）項に記載の電子写真用光受容部材。
7. （７）支持体と電荷注入阻止層との間に、シリコン原子
   を母体とし窒素原子、酸素原子及び炭素原子の中から選
   ばれる少なくとも一種と、必要に応じて水素原子とハロ
   ゲン原子の少なくとも一方を含有する非晶質材料で構成
   された密着層を有することを特徴とする特許請求の範囲
   第（１）項乃至第（６）項のいずれかに記載の電子写真
   用光受容部材。
8. （８）支持体と電荷注入阻止層との間に、シリコン原子
   を母体とし窒素原子、酸素原子及び炭素原子の中から選
   ばれる少なくとも一種と、必要に応じて水素原子とハロ
   ゲン原子の少なくとも一方を含有する多結晶質材料で構
   成された密着層を有することを特徴とする特許請求の範
   囲第（１）項乃至第（７）項のいずれかに記載の電子写
   真用光受容部材。
9. （９）支持体と該支持体上に、シリコン原子とゲルマニ
   ウム原子を含有し、非晶質又は多結晶材料で構成された
   長波長光吸収層と、シリコン原子を母体とする多結晶材
   料で構成され、伝導性を制御する物質を含有する電荷注
   入阻止層と、シリコン原子を母体とし、少なくとも水素
   原子、およびハロゲン原子の少なくともいずれか一方を
   構成要素として含む非晶質材料で構成され、光導電性を
   示す光導電層と、シリコン原子と炭素原子と水素原子と
   を構成要素として含む非晶質材料で構成されている表面
   層と、を有する光受容層とを有し、前記表面層において
   水素原子が４１〜７０原子％含有されている事を特徴と
   する電子写真用光受容部材。
10. （１０）電荷注入阻止層が窒素原子、酸素原子及び炭素
    原子の中から選ばれる少なくとも一種を含有している特
    許請求の範囲第（９）項に記載の電子写真用光受容部材
    。
11. （１１）前記電荷注入阻止層が支持体側に多く分布する
    分布状態で伝導性を制御する物質を含有している特許請
    求の範囲第（９）項又は第（１０）項に記載の電子写真
    用光受容部材。
12. （１２）電荷注入阻止層が支持体側に多く分布する分布
    状態で窒素原子、酸素原子及び炭素原子の中から選ばれ
    る少なくとも一種を含有している特許請求の範囲第（１
    ０）項又は第（１１）項に記載の電子写真用光受容部材
    。
13. （１３）前記光導電層が伝導性を制御する物質、酸素原
    子、又は／及び窒素原子を含有する特許請求の範囲第（
    ９）項乃至第（１２）項のいずれかに記載の電子写真用
    光受容部材。
14. （１４）長波長光感光層が伝導性を制御する物質、酸素
    原子、窒素原子及び炭素原子の中から選ばれる少なくと
    も１つを含有している特許請求の範囲第（９）項乃至第
    （１３）項のいずれかに記載の電子写真用光受容部材。
15. （１５）伝導性を制御する物質が周期率表第II族に属す
    る原子である特許請求の範囲第（９）項、第（１１）項
    又は第（１４）項に記載の電子写真用光受容部材。
16. （１６）伝導性を制御する物質が周期率表第Ｖ族に属す
    る原子である特許請求の範囲第（９）項、第（１１）項
    又は第（１４）項に記載の電子写真用光受容部材。
17. （１７）支持体と電荷注入阻止層との間に、シリコン原
    子を母体とし、窒素原子、酸素原子及び炭素原子の中か
    ら選ばれる少なくとも一種と、必要に応じて水素原子又
    はハロゲン原子の少なくとも一種を含有する非晶質材料
    で構成された密着層を有することを特徴とする特許請求
    の範囲第（９）項乃至第（１６）項のいずれかに記載の
    電子写真用光受容部材。
18. （１８）支持体と電荷注入阻止層との間に、シリコン原
    子を母体とし窒素原子、酸素原子及び炭素原子の中から
    選ばれる少なくとも一種と、必要に応じて水素原子とハ
    ロゲン原子の少なくとも一方を含有する多結晶質材料で
    構成された密着層を有することを特徴とする特許請求の
    範囲第（９）項乃至第（１６）項のいずれかに記載の電
    子写真用光受容部材。