JPS6280664A - 光導電体 - Google Patents
光導電体Info
- Publication number
- JPS6280664A JPS6280664A JP22018385A JP22018385A JPS6280664A JP S6280664 A JPS6280664 A JP S6280664A JP 22018385 A JP22018385 A JP 22018385A JP 22018385 A JP22018385 A JP 22018385A JP S6280664 A JPS6280664 A JP S6280664A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- atoms
- germanium
- substrate
- boron
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08292—Germanium-based
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/043—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure
- G03G5/0433—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure all layers being inorganic
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08221—Silicon-based comprising one or two silicon based layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08278—Depositing methods
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、シリコン原子およびゲルマニウム原子を主成
分とする非晶質材料と周期率表節ｍｂ族原子を含有する
窒化ゲルマニウムから構成される光導電体に関するもの
である （従来の技術） 非晶質水素化シリコン（以下ａ−ｓｉ：）ｌと略す）は
光導電性、耐熱性に優れ、しかも無公害であることがら
撮像デバイスや電子写真感光体への開発研究が活発であ
る。これらの撮像デバイスに要求される高感度低暗電流
を実現する方法して、電荷注入阻止層を光導電層の界面
に形成したブロッキング構成が有効である。たとえば光
導電層への電子の流入を阻止する電子のブロッキング層
の場合、従来では、Ａ１１．０３や５ｉｎｘなどの酸化
物やポリカーボネートのような有機高分子ＳｉＮｘが提
案されている。
分とする非晶質材料と周期率表節ｍｂ族原子を含有する
窒化ゲルマニウムから構成される光導電体に関するもの
である （従来の技術） 非晶質水素化シリコン（以下ａ−ｓｉ：）ｌと略す）は
光導電性、耐熱性に優れ、しかも無公害であることがら
撮像デバイスや電子写真感光体への開発研究が活発であ
る。これらの撮像デバイスに要求される高感度低暗電流
を実現する方法して、電荷注入阻止層を光導電層の界面
に形成したブロッキング構成が有効である。たとえば光
導電層への電子の流入を阻止する電子のブロッキング層
の場合、従来では、Ａ１１．０３や５ｉｎｘなどの酸化
物やポリカーボネートのような有機高分子ＳｉＮｘが提
案されている。
（参考文献：特開昭５６−２４３５６号、特開昭５７−
５８１６１号） （発明が解決しようとする問題点） 電子のブロッキング層を従来のＳｉＮｘ、 ５ｉｎｘ。
５８１６１号） （発明が解決しようとする問題点） 電子のブロッキング層を従来のＳｉＮｘ、 ５ｉｎｘ。
１２０、および有機高分子などで構成すると、光導電層
中の正孔に体して障壁を形成し、動作電圧の低減（撮像
デバイスや電子写真感光体においては残像の低減）化に
問題を生じていた。
中の正孔に体して障壁を形成し、動作電圧の低減（撮像
デバイスや電子写真感光体においては残像の低減）化に
問題を生じていた。
本発明の目的は、従来の欠点を解消し、周期率表節ｍｂ
族原子を含有する窒化ゲルマニウムを主成分する膜を電
子ブロッキング層とし、低暗電流、低動作電圧を可能に
する光導電体を提供することである。
族原子を含有する窒化ゲルマニウムを主成分する膜を電
子ブロッキング層とし、低暗電流、低動作電圧を可能に
する光導電体を提供することである。
（問題点を解決するための手段）
本発明の光導電体は、水素原子またはハロゲン原子を含
有する非晶質シリコンを主成分とする膜、非晶質シリコ
ンゲルマニウムを主成分とする膜、および非晶質ゲルマ
ニウムを主成分とする膜のうち何れか１つ、あるいはそ
れらの組合せからなる第１の層と、その第１の層の少な
くとも一方の界面上に周期率表第ＩＩＩｂ族の原子を含
有する窒化ゲルマニウムを主成分とする第２の層を形成
するものである。
有する非晶質シリコンを主成分とする膜、非晶質シリコ
ンゲルマニウムを主成分とする膜、および非晶質ゲルマ
ニウムを主成分とする膜のうち何れか１つ、あるいはそ
れらの組合せからなる第１の層と、その第１の層の少な
くとも一方の界面上に周期率表第ＩＩＩｂ族の原子を含
有する窒化ゲルマニウムを主成分とする第２の層を形成
するものである。
また、第１の層が、酸素原子、窒素原子、炭素原子のう
ち何れか１つ、またはそれらの組合せを含有するもので
あり、また第１の層が、硼素原子および燐原子のうち少
なくとも１つを含有するものであり、また第２の層であ
る周期率表節ｍｂ族原子を含有する窒化ゲルマニウムが
酸素原子または炭素原子の何れか１つあるいは両方を含
有するものであり、また第２の層である周期率表節ｍｂ
族原子を含有する窒化ゲルマニウムを形成した第１の層
の他方の界面上に、窒化ゲルマニウムあるいは窒化シリ
コンあるいは炭化珪素あるいは酸化シリコンを形成する
ものであり、さらに第２の層である周期率表節ｍｂ族原
子を含有する窒化ゲルマニウムを形成した第１の層の他
方の界面上に、燐原子を含有し、かつ少なくとも水素原
子またはハロゲン原子を含有する非晶質シリコン、非晶
質シリコンゲルマニウムおよび非晶質ゲルマニウムのう
ち何れか１つを形成するものである。
ち何れか１つ、またはそれらの組合せを含有するもので
あり、また第１の層が、硼素原子および燐原子のうち少
なくとも１つを含有するものであり、また第２の層であ
る周期率表節ｍｂ族原子を含有する窒化ゲルマニウムが
酸素原子または炭素原子の何れか１つあるいは両方を含
有するものであり、また第２の層である周期率表節ｍｂ
族原子を含有する窒化ゲルマニウムを形成した第１の層
の他方の界面上に、窒化ゲルマニウムあるいは窒化シリ
コンあるいは炭化珪素あるいは酸化シリコンを形成する
ものであり、さらに第２の層である周期率表節ｍｂ族原
子を含有する窒化ゲルマニウムを形成した第１の層の他
方の界面上に、燐原子を含有し、かつ少なくとも水素原
子またはハロゲン原子を含有する非晶質シリコン、非晶
質シリコンゲルマニウムおよび非晶質ゲルマニウムのう
ち何れか１つを形成するものである。
（作用）
上記構成において、窒化ゲルマニウム（以下ＧｅＮｘと
略す）はｎ型伝導を示すが、周期率表第１ＩＩｂ族原子
を含有させると、Ｐ型伝導を示す。従って周期率表節［
ｂ広原子をＧａＮｘは、光導電層である非晶質シリコン
へ外部から電子が注入されるのを阻止し、しかも非晶質
シリコン中の正孔に対して障壁を形成しないため、暗電
流が減少し、動作電圧が低下する。また、光導電層が禁
止帯幅の狭い非晶質シリコンゲルマニウムまたは非晶質
ケルマニウムで構成・されている場合においでも、Ｇｅ
Ｎｘの窒素の組成比率Ｘを減少させることにより、Ｇｅ
Ｎｘの禁止帯幅を減少させることが容易であることから
、周期率表第１＋１ｂｔｌＡ原子を含有するＧｅＮＸは
、禁止帯幅の狭い光導電層に対しても電子ブロッキング
層として有効に働き、光導電層が非晶質シリコンの場合
と同様な効果を得ることができる。
略す）はｎ型伝導を示すが、周期率表第１ＩＩｂ族原子
を含有させると、Ｐ型伝導を示す。従って周期率表節［
ｂ広原子をＧａＮｘは、光導電層である非晶質シリコン
へ外部から電子が注入されるのを阻止し、しかも非晶質
シリコン中の正孔に対して障壁を形成しないため、暗電
流が減少し、動作電圧が低下する。また、光導電層が禁
止帯幅の狭い非晶質シリコンゲルマニウムまたは非晶質
ケルマニウムで構成・されている場合においでも、Ｇｅ
Ｎｘの窒素の組成比率Ｘを減少させることにより、Ｇｅ
Ｎｘの禁止帯幅を減少させることが容易であることから
、周期率表第１＋１ｂｔｌＡ原子を含有するＧｅＮＸは
、禁止帯幅の狭い光導電層に対しても電子ブロッキング
層として有効に働き、光導電層が非晶質シリコンの場合
と同様な効果を得ることができる。
（実施例）
本発明の実施例を第１図ないし第５図に基づいて説明す
る。
る。
ＧｅＮＸの作成には、Ｇａ）１． ＋ Ｇｅ２）１．
、 Ｇｅ３Ｈ，、ＧｅＦ４゜ＧｅＨＦ３． ＧｅＨ，Ｆ
２． ＧｅＨ，Ｆ、 Ｇｅ（Ｊ、、 ＧｅＨＣら、 Ｇ
ｅＨ，Ｃ１１２゜ＧｅＨｌＣ（１，ＧｅＦ２． ＧｅＣ
Ｑ、などのＧｅ原子の原料ガス。
、 Ｇｅ３Ｈ，、ＧｅＦ４゜ＧｅＨＦ３． ＧｅＨ，Ｆ
２． ＧｅＨ，Ｆ、 Ｇｅ（Ｊ、、 ＧｅＨＣら、 Ｇ
ｅＨ，Ｃ１１２゜ＧｅＨｌＣ（１，ＧｅＦ２． ＧｅＣ
Ｑ、などのＧｅ原子の原料ガス。
およびＮ２． ＮＨ，、ｌ（、ＮＮ）＋２． ＨＮ、、
ＮＨ４Ｎ３． Ｆ、Ｎ、 Ｆ４１’ｌｌ。
ＮＨ４Ｎ３． Ｆ、Ｎ、 Ｆ４１’ｌｌ。
などのＮ原子の原料ガスを用いたプラズマＣＶＤ法と、
ターゲットをＧｅまたはＧｅ、 Ｎ４としＡｒ、Ｈ２゜
Ｎ２．ＮＨ，での反応性スパッリング法や蒸着法が使用
される。
ターゲットをＧｅまたはＧｅ、 Ｎ４としＡｒ、Ｈ２゜
Ｎ２．ＮＨ，での反応性スパッリング法や蒸着法が使用
される。
実施例上ないし実施例３まではプラズマＣＶＤ法を用い
た例について、実施例４では反応性スパッタリング法を
用いた例について説明する。
た例について、実施例４では反応性スパッタリング法を
用いた例について説明する。
実施例１
第１図は本発明の光導電体の断面図である。同図におい
て、鏡面研磨したＡＩ基板１を容量結合方式プラズマＣ
ＶＤ装置内に配置し、反応容器内を５ Ｘ １０−’
Ｔｏｒｒ以下に排気したのち、ＡＩ！基板を１５０ない
し２５０’Ｃに加熱する。ＧｅＦ４：１ないし５ｓｅｃ
ｍ。
て、鏡面研磨したＡＩ基板１を容量結合方式プラズマＣ
ＶＤ装置内に配置し、反応容器内を５ Ｘ １０−’
Ｔｏｒｒ以下に排気したのち、ＡＩ！基板を１５０ない
し２５０’Ｃに加熱する。ＧｅＦ４：１ないし５ｓｅｃ
ｍ。
ＮＨ３：１９０ないし２００ｓｃｅｍ、 Ｈｅで希釈し
た濃度１％のＢ２Ｈ，：０．５ないし２８ＣＣＩ１１を
装置内に導入し、反応容器内の圧力を０．２ないし１
、０Ｔｏｒｒに調整したのち、１３．５６Ｍ＋１ｚ（７
）高周波電力３００なイシ８００ｗテ硼素添加したＧｅ
Ｎ、層２をＡ（基板１上に０．２μｍ形成し、次に、５
ｉ）１．：１００ｓｅｃＩ１１．水素で希釈した４０ｐ
ｐｍ濃度のＢ、Ｈ６：２ないし４ ｓｅｃｍを導入し、
圧力１ 、０Ｔｏｒｒに高周波電力１５０ないし４００
ｗで硼素添加したａ−５ｉ：ＨＷ３を８μｍ形成する。
た濃度１％のＢ２Ｈ，：０．５ないし２８ＣＣＩ１１を
装置内に導入し、反応容器内の圧力を０．２ないし１
、０Ｔｏｒｒに調整したのち、１３．５６Ｍ＋１ｚ（７
）高周波電力３００なイシ８００ｗテ硼素添加したＧｅ
Ｎ、層２をＡ（基板１上に０．２μｍ形成し、次に、５
ｉ）１．：１００ｓｅｃＩ１１．水素で希釈した４０ｐ
ｐｍ濃度のＢ、Ｈ６：２ないし４ ｓｅｃｍを導入し、
圧力１ 、０Ｔｏｒｒに高周波電力１５０ないし４００
ｗで硼素添加したａ−５ｉ：ＨＷ３を８μｍ形成する。
さらに、メゞバッタリング法でＩＴＯ透明電極４を形成
する。
する。
第１図に示すようにへρ基板１が負、上部のＩＴＯ電極
４が正となるように電圧を印加し場合の暗電流および波
長４３５ｎｍの光に対する光電流の電圧依存性を第３図
に示す。比較のため従来例として第２図に示すように、
第１図の硼素添加したＧｅＮｘ層２のかわりに、５ｉｌ
（４：２ないし１０１０５ｅ、ＮＨ，：５０ないし１０
１００５ｅ、ガス圧力０．２ないし１ 、０Ｔｏｒｒ
、放電電力１００ないし４００すで製作したＳｉＮｘ層
５．０．２μｍをブロッキング層として用いた構成での
電圧−電流特性を第３図に示す。同図から明らかなよう
に、本発明の実施例は、低動作電圧で高感度、しかも低
暗電流である。
４が正となるように電圧を印加し場合の暗電流および波
長４３５ｎｍの光に対する光電流の電圧依存性を第３図
に示す。比較のため従来例として第２図に示すように、
第１図の硼素添加したＧｅＮｘ層２のかわりに、５ｉｌ
（４：２ないし１０１０５ｅ、ＮＨ，：５０ないし１０
１００５ｅ、ガス圧力０．２ないし１ 、０Ｔｏｒｒ
、放電電力１００ないし４００すで製作したＳｉＮｘ層
５．０．２μｍをブロッキング層として用いた構成での
電圧−電流特性を第３図に示す。同図から明らかなよう
に、本発明の実施例は、低動作電圧で高感度、しかも低
暗電流である。
ＳｉＮｘ層５は、硼素添加したＧｅＮｘ層２と同様に電
子のブロッキング層として働いているが、硼素添加した
ａ−５ｉ：）１層３中の正孔に対して障壁を形成してお
り、障壁を形成しない硼素添加したＧｅＮｘ層２に比較
して動作電圧が高くなってし、る。
子のブロッキング層として働いているが、硼素添加した
ａ−５ｉ：）１層３中の正孔に対して障壁を形成してお
り、障壁を形成しない硼素添加したＧｅＮｘ層２に比較
して動作電圧が高くなってし、る。
また、第１図の光導電体を電子写真感光体（第１図でＩ
ＴＯ電極４および外部回路を除去した状態）として正帯
電で使用した場合、飽和表面電位は ・４７０Ｖ、残留
電位は５ｖ以下であった。本発明の実施例は、電荷受容
度が大きく残留電位の小さい電子写真感光体を提供する
。
ＴＯ電極４および外部回路を除去した状態）として正帯
電で使用した場合、飽和表面電位は ・４７０Ｖ、残留
電位は５ｖ以下であった。本発明の実施例は、電荷受容
度が大きく残留電位の小さい電子写真感光体を提供する
。
また、硼素添加したａ−５ｉ：Ｉ（、のかわりに、非晶
質ゲルマニウム（ａ−Ｇｅ：Ｈ，ａ−Ｇｅ：Ｈ：Ｘ、
Ｘ：ハロゲン原子）または非晶質シリコンゲルマニウム
（ａ−５ｉ１−、Ｇｅｘ：Ｈ，ａ−５ｉ、−ｘＧｅ、：
Ｈ：Ｘ）を使用しても、硼素添加したＧｅＮｘは、上記
と同様な効果がある。
質ゲルマニウム（ａ−Ｇｅ：Ｈ，ａ−Ｇｅ：Ｈ：Ｘ、
Ｘ：ハロゲン原子）または非晶質シリコンゲルマニウム
（ａ−５ｉ１−、Ｇｅｘ：Ｈ，ａ−５ｉ、−ｘＧｅ、：
Ｈ：Ｘ）を使用しても、硼素添加したＧｅＮｘは、上記
と同様な効果がある。
実施例２
第４図は本発明の第２図の実施例になる光導電体の断面
図である。同図において、鏡面研磨した１基板１０を容
量結合方式プラズマＣＶＤ装置内に配置し、反応容器内
を５ Ｘ １０””Ｔｏｒｒ以下に排気したのち、ＡＩ
基板１０を１５０ないし２５０’Ｃに加熱する。
図である。同図において、鏡面研磨した１基板１０を容
量結合方式プラズマＣＶＤ装置内に配置し、反応容器内
を５ Ｘ １０””Ｔｏｒｒ以下に排気したのち、ＡＩ
基板１０を１５０ないし２５０’Ｃに加熱する。
Ｇｅ）＋４： １ないし５ｓｅｃｍ、Ｎ２：１９０ない
し２００ｓｅｃｍ、Ｈｅで希釈した１％濃度のＢ、Ｈ，
：０．５ないし２ ｓｅｃｍ導入 ゛し、反応容器内
の圧力を０．２ないし１．０Ｔｏｒｒとし、高周波電力
３００ないしａｏｏｗで硼素添加したＧｅＮ、層１１を
０．２ないし１．０ ｐ ｍ形成し、次にＧｅＦ３：１
ないし５ ｓｅｃｍ ｒ ＳＪ＊ ： １００ないし２
００ｓｅｃｍ導入し、圧力０．２ないし１．０Ｔｏｒｒ
、高周波電力１５０ないし４００Ｗで非晶質シリコンゲ
ルマニウム層１２を１ないし３μｍ形成し、次に、 Ｓ
ｉＨ４：１００ないし２００ｓｅｃｍ、水素希釈した２
０ｐｐｍ濃度のＰＨ，：５ないし１０１０５ｅ、圧力０
．２ないし１．０Ｔｏｒｒ、高周波電力１５０ないし４
００Ｗの製作条件で燐添加したａ−５ｉ：８Ｍ１３を１
０ないし１５μｍ形成する。
し２００ｓｅｃｍ、Ｈｅで希釈した１％濃度のＢ、Ｈ，
：０．５ないし２ ｓｅｃｍ導入 ゛し、反応容器内
の圧力を０．２ないし１．０Ｔｏｒｒとし、高周波電力
３００ないしａｏｏｗで硼素添加したＧｅＮ、層１１を
０．２ないし１．０ ｐ ｍ形成し、次にＧｅＦ３：１
ないし５ ｓｅｃｍ ｒ ＳＪ＊ ： １００ないし２
００ｓｅｃｍ導入し、圧力０．２ないし１．０Ｔｏｒｒ
、高周波電力１５０ないし４００Ｗで非晶質シリコンゲ
ルマニウム層１２を１ないし３μｍ形成し、次に、 Ｓ
ｉＨ４：１００ないし２００ｓｅｃｍ、水素希釈した２
０ｐｐｍ濃度のＰＨ，：５ないし１０１０５ｅ、圧力０
．２ないし１．０Ｔｏｒｒ、高周波電力１５０ないし４
００Ｗの製作条件で燐添加したａ−５ｉ：８Ｍ１３を１
０ないし１５μｍ形成する。
さらに、ＳｉＨ４：５０ないし１０１００５ｅ、ＣＨ４
：２０ないし８０ｓｃｃｍ 、圧力０．２ないし１ 、
０Ｔｏｒｒ ＋高周波電力１５０ないし３００ｗで炭化
珪素層（以下ＳｉＣ，を略す）１４を１０００ないし２
０００人形成する。
：２０ないし８０ｓｃｃｍ 、圧力０．２ないし１ 、
０Ｔｏｒｒ ＋高周波電力１５０ないし３００ｗで炭化
珪素層（以下ＳｉＣ，を略す）１４を１０００ないし２
０００人形成する。
このようにして製作した感光体の正帯電における分光感
度は、４００ないし８００ｎｍの広範囲にわたって高感
度であり、非晶質シリコンゲルマニウム層を光導電層と
して燐添加したａ−５ｉ：ｔ（層１３に付加したことに
より赤外線領域の光感度の向上を確認できた。この感光
体を８００ｎｍの半導体レーザを光源とするレーザビー
ムプリンタに実装し、鮮明な印字を確認した。この場合
の硼素添加したＧｅＮｘ層１１層重１素の組成比Ｘを小
さくして禁止帯幅を狭くしてあり、電子のブロッキング
層として働いているだけでなく、レーザ光の吸収層とし
ての役割も兼ね備えており、ＡＩ２基板１０表面でレー
ザ光が反射して解像度が低下するのを防止している。
度は、４００ないし８００ｎｍの広範囲にわたって高感
度であり、非晶質シリコンゲルマニウム層を光導電層と
して燐添加したａ−５ｉ：ｔ（層１３に付加したことに
より赤外線領域の光感度の向上を確認できた。この感光
体を８００ｎｍの半導体レーザを光源とするレーザビー
ムプリンタに実装し、鮮明な印字を確認した。この場合
の硼素添加したＧｅＮｘ層１１層重１素の組成比Ｘを小
さくして禁止帯幅を狭くしてあり、電子のブロッキング
層として働いているだけでなく、レーザ光の吸収層とし
ての役割も兼ね備えており、ＡＩ２基板１０表面でレー
ザ光が反射して解像度が低下するのを防止している。
さらに、感光体の安定化および高抵抗化を図るため、非
晶質シリコンゲルマニウム層１２または、添加したａ−
３ｉ：ＨＪｌ１３に炭素原子、酸素原子、あるいは窒素
原子を添加してもよく、また硼素添加したにｅＮｘ層１
１とＡＲ基板１０と接着をよくするため、酸素原子ある
いは炭素原子を硼素添加したＧｅＮ１層１１に添加して
もよい。またこの場合、表面保護層として５ｉＣｘ層１
４を使用したが、５ｉＣｘのかわりに５ｉｎｘ。
晶質シリコンゲルマニウム層１２または、添加したａ−
３ｉ：ＨＪｌ１３に炭素原子、酸素原子、あるいは窒素
原子を添加してもよく、また硼素添加したにｅＮｘ層１
１とＡＲ基板１０と接着をよくするため、酸素原子ある
いは炭素原子を硼素添加したＧｅＮ１層１１に添加して
もよい。またこの場合、表面保護層として５ｉＣｘ層１
４を使用したが、５ｉＣｘのかわりに５ｉｎｘ。
ＧａＮｘ、 ＳｉＮｘなどを用いてよい。また光導電層
の非晶質シリコンゲルマニウム層１２と燐添加したａ−
５ｉ：ｔ１層１３のかわりに、 ａ−Ｇｅ：）Ｉと燐添
加した非晶質シリコンゲルマニウムの積層あるいは、ａ
−Ｇｅ：Ｈと燐添加したａ−５ｉ：Ｈの積層を使用して
も、硼素添加したＧｅＮｘ層１１層重１のブロッキング
層として有効に働く。
の非晶質シリコンゲルマニウム層１２と燐添加したａ−
５ｉ：ｔ１層１３のかわりに、 ａ−Ｇｅ：）Ｉと燐添
加した非晶質シリコンゲルマニウムの積層あるいは、ａ
−Ｇｅ：Ｈと燐添加したａ−５ｉ：Ｈの積層を使用して
も、硼素添加したＧｅＮｘ層１１層重１のブロッキング
層として有効に働く。
実施例３
実施例２と同様にプラズマＣＶＤ法により、１５０ない
し２５０°Ｃに加熱したＡＩ！基板上にＳｉＨ４：１０
０ないし２００ｓｅｃｍ、水素希釈した２０ｐｐｍ、濃
度ｐｉ３：１ｏ。
し２５０°Ｃに加熱したＡＩ！基板上にＳｉＨ４：１０
０ないし２００ｓｅｃｍ、水素希釈した２０ｐｐｍ、濃
度ｐｉ３：１ｏ。
ないし２００ｓｅｃｍ、ガス圧力０．２ないし１．０Ｔ
ｏｒｒ、高周波電力１００ないし４ＱＯｌｉｌで燐添加
したｎ型ａ−３ｉ：ｔ（膜を０．２ないし１μｍ形成し
、次に５ｉｌｌ、 ： １００ないし２００ｓｃｃｍ、
ガス圧力０．２ないし１．０Ｔｏｒｒ、高周波電力１０
０ないし４００すでａ−３ｉ：ｌ（膜を１０ないし２０
μｍ形成する。さらに、ＧｅＨ４：０．５ないし１ ｓ
ｅｃ＋ａ、Ｎ２：１５０ないし２００ｓｅｃｍ、Ｈｅで
希釈した濃度１％のＢＦ３：０．５ないし２ｓｅｃｍ、
ガス圧力０．２ないし１．０Ｔｏｒｒ、高周波電力３０
０ないし６００Ｗで硼素添加したＧｅＮ、層１０００な
いし５０００人形成し、電子写真感光体を作製した。
ｏｒｒ、高周波電力１００ないし４ＱＯｌｉｌで燐添加
したｎ型ａ−３ｉ：ｔ（膜を０．２ないし１μｍ形成し
、次に５ｉｌｌ、 ： １００ないし２００ｓｃｃｍ、
ガス圧力０．２ないし１．０Ｔｏｒｒ、高周波電力１０
０ないし４００すでａ−３ｉ：ｌ（膜を１０ないし２０
μｍ形成する。さらに、ＧｅＨ４：０．５ないし１ ｓ
ｅｃ＋ａ、Ｎ２：１５０ないし２００ｓｅｃｍ、Ｈｅで
希釈した濃度１％のＢＦ３：０．５ないし２ｓｅｃｍ、
ガス圧力０．２ないし１．０Ｔｏｒｒ、高周波電力３０
０ないし６００Ｗで硼素添加したＧｅＮ、層１０００な
いし５０００人形成し、電子写真感光体を作製した。
この電子写真感光体を市販の複写機に実装したところ、
負帯電で５０万枚の耐刷性と良好な画像が得られること
を確認できた。
負帯電で５０万枚の耐刷性と良好な画像が得られること
を確認できた。
実施例４
第５図は本発明の第４の実施例による光導電体の断面図
である。同図においてＩＴＯ透明電極２０を表面に形成
したガラス基板２１をマグネトロンスパッタリング装置
内に配置し、基板温度２５０°ＣでＧｅ多結晶をターゲ
ットとし、Ａｒ：１ないし３ ｍＴｏｒｒ。
である。同図においてＩＴＯ透明電極２０を表面に形成
したガラス基板２１をマグネトロンスパッタリング装置
内に配置し、基板温度２５０°ＣでＧｅ多結晶をターゲ
ットとし、Ａｒ：１ないし３ ｍＴｏｒｒ。
Ｎ２：２ないし６ ｍＴｏｒｒ、１３．５６Ｍ！ｌｚ高
周波電力３００ないし５００すでＧｅＮＸ層２２を１０
００ないし３０００人形成する。
周波電力３００ないし５００すでＧｅＮＸ層２２を１０
００ないし３０００人形成する。
次にＳｉ多結晶をターゲットとし、 Ａｒ：１ないし１
０ｍＴｏｒｒ水素で希釈した２０ｐｐｍ濃度のＢ、Ｈ，
：０．３ないし０．４ｍＴｏｒｒ、高周波電力３００な
いし８００ｖで硼素添加したａ−３ｉ：Ｉｔ層２３を２
ないし３μｍ形成する。つづいてＧｅ多結晶をターゲッ
トとし、Ａｒで希釈した１０％濃度Ｂ２Ｈ，：１ないし
３ ｍＴｏｒｒ、Ｎ、 ： ２ないし６ｍＴｏｒｒ 、
高周波電力３００ないし５００すで硼素添加したＧｅＮ
１層２４を１０００ないし３０００人形成する。さらに
電子ビームランディング層５ｂ２Ｓ３２５を１０００人
蒸着して製作した撮像管ターゲットである。ＩＴＯ電極
２０はカンード２６に対して正にバイアスされているた
め・ガラス基板２１側からの入射光によって生成された
電子、正孔対は膜中の電界により分離する。正孔は硼素
添加したａ−３ｉ：０２３層中を上部の表面ヘトリフト
し、電子は、ＩＴＯ電極２０に集まる。硼素添加したＧ
ｅＮＸ層２４層圧４が走行しやすく、電子のブロッキン
グ層として働き、ＧｅＮｘ層２２層重２が走行しやすく
、正孔のブロッキング層として働く。また硼素添加によ
りａ−５ｉ：Ｉ１層２３中の正孔は動きやすくなってお
り、動作電圧が低く、焼付けおよび残像の少ない良好な
特性が得られた。
０ｍＴｏｒｒ水素で希釈した２０ｐｐｍ濃度のＢ、Ｈ，
：０．３ないし０．４ｍＴｏｒｒ、高周波電力３００な
いし８００ｖで硼素添加したａ−３ｉ：Ｉｔ層２３を２
ないし３μｍ形成する。つづいてＧｅ多結晶をターゲッ
トとし、Ａｒで希釈した１０％濃度Ｂ２Ｈ，：１ないし
３ ｍＴｏｒｒ、Ｎ、 ： ２ないし６ｍＴｏｒｒ 、
高周波電力３００ないし５００すで硼素添加したＧｅＮ
１層２４を１０００ないし３０００人形成する。さらに
電子ビームランディング層５ｂ２Ｓ３２５を１０００人
蒸着して製作した撮像管ターゲットである。ＩＴＯ電極
２０はカンード２６に対して正にバイアスされているた
め・ガラス基板２１側からの入射光によって生成された
電子、正孔対は膜中の電界により分離する。正孔は硼素
添加したａ−３ｉ：０２３層中を上部の表面ヘトリフト
し、電子は、ＩＴＯ電極２０に集まる。硼素添加したＧ
ｅＮＸ層２４層圧４が走行しやすく、電子のブロッキン
グ層として働き、ＧｅＮｘ層２２層重２が走行しやすく
、正孔のブロッキング層として働く。また硼素添加によ
りａ−５ｉ：Ｉ１層２３中の正孔は動きやすくなってお
り、動作電圧が低く、焼付けおよび残像の少ない良好な
特性が得られた。
（発明の効果）
本発明による光導電体は、低暗電流、低動作電圧で、電
子写真感光体として使用できる。特に、レーザビームプ
リンタ用の感光体として使用する場合、硼素添加したＧ
ｅＮｘの禁止帯幅を小さくすることにより、電子のブロ
ッキングだけでなく、レーザ光を有効に吸収するため、
実用上極めて有効な素子構成である。
子写真感光体として使用できる。特に、レーザビームプ
リンタ用の感光体として使用する場合、硼素添加したＧ
ｅＮｘの禁止帯幅を小さくすることにより、電子のブロ
ッキングだけでなく、レーザ光を有効に吸収するため、
実用上極めて有効な素子構成である。
第１図は本発明の一実施例における光導電体の断面図、
第２図は従来の光導電体の断面図、第３図はそれらの暗
電流と光電流の電圧依存性の特性図、第４図は本発明に
おける光導電体の電子写真感光体への一応用例の断面図
、第５図は同撮像管ターゲットへの一応用例の断面図で
ある。 １．１０・・・ＡＩ基板、２，１１．２４・・・硼素添
加ＧｅＮｘ層、 ３．２３−・・硼素添加ａ−５ｉ：
８層。 ４− ＩＴＯ電極、５ ・・・５ｉｆｔ（ｘ層、１２−
・・非晶質シリコンゲルマニウム層、１３・・・燐添加
ａ−５ｉ：８層、１４−５ｉＣｘ層、２１ ・・・ ガ
ラス基板、２２・・・ＧｅＮｘ層、２５ ・Ｓｂ、３３
層、２６−・・カソード。 特許出願人 松下電器産業株式会社 第１区 第２図 第３図 シＰ力υ（化（Ｖ） 第４図 第５図
第２図は従来の光導電体の断面図、第３図はそれらの暗
電流と光電流の電圧依存性の特性図、第４図は本発明に
おける光導電体の電子写真感光体への一応用例の断面図
、第５図は同撮像管ターゲットへの一応用例の断面図で
ある。 １．１０・・・ＡＩ基板、２，１１．２４・・・硼素添
加ＧｅＮｘ層、 ３．２３−・・硼素添加ａ−５ｉ：
８層。 ４− ＩＴＯ電極、５ ・・・５ｉｆｔ（ｘ層、１２−
・・非晶質シリコンゲルマニウム層、１３・・・燐添加
ａ−５ｉ：８層、１４−５ｉＣｘ層、２１ ・・・ ガ
ラス基板、２２・・・ＧｅＮｘ層、２５ ・Ｓｂ、３３
層、２６−・・カソード。 特許出願人 松下電器産業株式会社 第１区 第２図 第３図 シＰ力υ（化（Ｖ） 第４図 第５図
Claims (6)
- （１）水素原子またはハロゲン原子を含有する非晶質シ
リコンを主成分とする膜、非晶質シリコンゲルマニウム
を主成分とする膜および非晶質ゲルマニウムを主成分と
する膜のうち何れか１つ、あるいはそれらの組合せから
なる第１の層と、該第１の層の少なくとも一方の界面上
に周期率表第IIIｂ族の原子を含有する窒化ゲルマニウ
ムを主成分とする第２の層を形成することを特徴とする
光導電体。 - （２）第１の層が、酸素原子、窒素原子、炭素原子のう
ち何れか１つまたはそれらの組合せを含有することを特
徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の光導電体。 - （３）第１の層が、硼素原子および燐原子のうち少なく
とも１つを含有することを特徴とする特許請求の範囲第
（１）項または第（２）項記載の光導電体。 - （４）第２の層である周期率表第IIIｂ族原子を含有す
る窒化ゲルマニウムが酸素原子または炭素原子の何れか
１つあるいは両方を含有することを特徴とする特許請求
の範囲第（１）項ないし第（３）項の何れか１つに記載
の光導電体。 - （５）第２の層である周期率表第IIIｂ族原子を含有す
る窒化ゲルマニウムを形成した第１の層の他方の界面上
に、窒化ゲルマニウム、あるいは窒化シリコン、あるい
は炭化珪素、あるいは酸化シリコンを形成することを特
徴とする特許請求の範囲第（１）項ないし第（４）項の
何れか１つに記載の光導電体。 - （６）第２の層である周期率表第３ｂIII族原子を含有
する窒化ゲルマニウムを形成した第１の層の他方の界面
上に、燐原子を含有しかつ少なくとも水素原子またはハ
ロゲン原子を含有する非晶質シリコン、非晶質シリコン
ゲルマニウムおよび非晶質ゲルマニウムのうち何れか１
つを形成することを特徴とする特許請求の範囲第（１）
項ないし第（４）項の何れか１つに記載の光導電体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22018385A JPS6280664A (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 | 光導電体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22018385A JPS6280664A (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 | 光導電体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6280664A true JPS6280664A (ja) | 1987-04-14 |
Family
ID=16747180
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22018385A Pending JPS6280664A (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 | 光導電体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6280664A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008216546A (ja) * | 2007-03-02 | 2008-09-18 | Ricoh Co Ltd | 電子写真感光体、画像形成方法、画像形成装置及び画像形成装置用プロセスカートリッジ |
| CN108865819A (zh) * | 2017-05-08 | 2018-11-23 | 广州康昕瑞基因健康科技有限公司 | 基因测序反应小室 |
-
1985
- 1985-10-04 JP JP22018385A patent/JPS6280664A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008216546A (ja) * | 2007-03-02 | 2008-09-18 | Ricoh Co Ltd | 電子写真感光体、画像形成方法、画像形成装置及び画像形成装置用プロセスカートリッジ |
| CN108865819A (zh) * | 2017-05-08 | 2018-11-23 | 广州康昕瑞基因健康科技有限公司 | 基因测序反应小室 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0772803B2 (ja) | 電子写真感光体 | |
| JP2933177B2 (ja) | 非単結晶炭化珪素半導体、及びその製造方法、及びそれを用いた半導体装置 | |
| JPS639219B2 (ja) | ||
| JPS6280664A (ja) | 光導電体 | |
| US4729937A (en) | Layered amorphous silicon electrophotographic photosensitive member comprises BN surface layer and BN barrier layer | |
| JP2855300B2 (ja) | 非単結晶ゲルマニウム半導体 | |
| JPH0652428B2 (ja) | 光導電体 | |
| EP0300807A2 (en) | Electrophotographic photosensitive member | |
| JPS6273275A (ja) | 光導電体 | |
| US4704343A (en) | Electrophotographic photosensitive member containing amorphous silicon and doped microcrystalline silicon layers | |
| JPS6298361A (ja) | 光導電体 | |
| US6322942B1 (en) | Xerographic photoreceptor primarily formed by the hydrogenated amorphous silicon material and the method for manufacturing the same | |
| JPS58186748A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| EP0348843B1 (en) | Photosensitive member for electrophotography | |
| JPS6194049A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPH0789232B2 (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS6261056A (ja) | 光導電体 | |
| Nakayama et al. | New types of electrophotographic photoreceptors using photosensitive a-SiC: H and a-Si: H | |
| JPS6239870A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS59200244A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS62210469A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS6343160A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS63135954A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPH028857A (ja) | 電子写真感光体の製造方法 | |
| JPS60205457A (ja) | 電子写真感光体 |