JPS59200244A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
- Publication number
- JPS59200244A JPS59200244A JP7381583A JP7381583A JPS59200244A JP S59200244 A JPS59200244 A JP S59200244A JP 7381583 A JP7381583 A JP 7381583A JP 7381583 A JP7381583 A JP 7381583A JP S59200244 A JPS59200244 A JP S59200244A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- amorphous
- type
- electrophotographic photoreceptor
- glow discharge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術〕
この発明は、耐久性に秀れ、高い光感度を有する電子写
真感光体に関する。
真感光体に関する。
現在電子写真感光体としては、Ｓ ｅ ｍ Ｃｄ ｓｒ
ＯＰ Ｃ等が実用されているが、これらは機械的強度
、感〜等に難点があり、又Ｓｅ、ＣｄＳ等は、有毎でも
あるので、硬く機械的強度に秀れ、ｇ度も優秀でかつ無
害なａ−８ｉを電子写真感光体に用いるべく鋭意研究が
なされている。しかしａ−８ｉは比抵抗が１０’Ω−ｃ
ｍ程であるのでｓｅの様に単にＡ！基板の上に蒸着する
だけでは充分なる誘電緩和時間を稼げないので通常は、
Ａｉｄｙ板とａ−８ｉとの間にｐ ＜＞ Ｌ ＜はｎ型
のａ、−３ｉ層を形成してＡｌ基１反かｌ−７） ｃａ
ｒｒｉｅｒの注入を阻止して誘電緩和時間を長くとる。
ＯＰ Ｃ等が実用されているが、これらは機械的強度
、感〜等に難点があり、又Ｓｅ、ＣｄＳ等は、有毎でも
あるので、硬く機械的強度に秀れ、ｇ度も優秀でかつ無
害なａ−８ｉを電子写真感光体に用いるべく鋭意研究が
なされている。しかしａ−８ｉは比抵抗が１０’Ω−ｃ
ｍ程であるのでｓｅの様に単にＡ！基板の上に蒸着する
だけでは充分なる誘電緩和時間を稼げないので通常は、
Ａｉｄｙ板とａ−８ｉとの間にｐ ＜＞ Ｌ ＜はｎ型
のａ、−３ｉ層を形成してＡｌ基１反かｌ−７） ｃａ
ｒｒｉｅｒの注入を阻止して誘電緩和時間を長くとる。
こうするとａ−８ｉでも電子写真感光体が”１来るが、
例えば通常用いられる正帯電用の感光体を形成する場合
、ａ−８ｉの正孔のμτ績は高々１０−７ｃｍ２／Ｖで
あるので膜厚はせいぜい３０μ程度にしか出来ない。−
刃表面電位は通常５００ｖ以上要求さｉ’Ｌるので感光
体中の電界は〜２Ｘ Ｉ Ｏ５Ｖ ／ｃｒｎ という
非常に大きなものになる。
例えば通常用いられる正帯電用の感光体を形成する場合
、ａ−８ｉの正孔のμτ績は高々１０−７ｃｍ２／Ｖで
あるので膜厚はせいぜい３０μ程度にしか出来ない。−
刃表面電位は通常５００ｖ以上要求さｉ’Ｌるので感光
体中の電界は〜２Ｘ Ｉ Ｏ５Ｖ ／ｃｒｎ という
非常に大きなものになる。
このため上記の感光体では基板からのｃａｒｒｉｅｒの
注入を阻止している層がｂｒｅａｋ ｄｏｗｎ ｆ起こ
し易く、その結−采画像に１１３が出来易い。従って歩
留９が非常に悪く生産性が著しく低い。
注入を阻止している層がｂｒｅａｋ ｄｏｗｎ ｆ起こ
し易く、その結−采画像に１１３が出来易い。従って歩
留９が非常に悪く生産性が著しく低い。
この発明は上記の従来技術の欠点を改良したもので充分
長い誘電緩和時間と充分な耐圧を有し、その結果良好な
画像を安定して得ることの出来るａ Ｓｒ電子写真感
光体を提供することにある。
長い誘電緩和時間と充分な耐圧を有し、その結果良好な
画像を安定して得ることの出来るａ Ｓｒ電子写真感
光体を提供することにある。
本発明においては、基板と感光層の間に設ける基板から
のｃａｒｒｉｅｒの注入全阻止するいわゆるｂｌｏｃｋ
ｉｎｇｔｖｉ ｗ例えは正帯電の場合には、ｂｌｏｃｋ
ｉｎｇ層を基板側からＢ等ｋ ｄｏｐｅｌ、７ｚ Ｉ）
Ｗａ−８ｉ 、 ｉ ５１− ａ−１３ｉ 。
のｃａｒｒｉｅｒの注入全阻止するいわゆるｂｌｏｃｋ
ｉｎｇｔｖｉ ｗ例えは正帯電の場合には、ｂｌｏｃｋ
ｉｎｇ層を基板側からＢ等ｋ ｄｏｐｅｌ、７ｚ Ｉ）
Ｗａ−８ｉ 、 ｉ ５１− ａ−１３ｉ 。
Ｐ等をｄｏｐｅ したｎ型ａ−８ｉあるいはｐ型ａりＩ
ｐｎ型ａ−８ｉの順に禎層したいわゆるｐ−１−ｎ接合
あるいはｐ−ｎ接合にして、ｌ）ｌｏｃｋｉｎｇ層の制
圧を向上させ良好な画像全安定して得られるにした。
ｐｎ型ａ−８ｉの順に禎層したいわゆるｐ−１−ｎ接合
あるいはｐ−ｎ接合にして、ｌ）ｌｏｃｋｉｎｇ層の制
圧を向上させ良好な画像全安定して得られるにした。
本発明ではｂｌｏｃｋｉｎｇ層を例えば正帯電の場合基
板からｐ−１−ｎ、あるいはｐ−ｎ接合にしているので
ｂｌ ｏｃｋ ｉｎｇ層の耐圧が着しく同上し、その結
果表面電位を上げて画像を出させてもｂｌｏｃｋｉｎｇ
Ｉｆｌはｂｒｅａｋ ｄｏｗｎせず画像に傷ができず
良好な絵が安定して得られる。従って歩留りも向上し生
産性が著しく向上する。
板からｐ−１−ｎ、あるいはｐ−ｎ接合にしているので
ｂｌ ｏｃｋ ｉｎｇ層の耐圧が着しく同上し、その結
果表面電位を上げて画像を出させてもｂｌｏｃｋｉｎｇ
Ｉｆｌはｂｒｅａｋ ｄｏｗｎせず画像に傷ができず
良好な絵が安定して得られる。従って歩留りも向上し生
産性が著しく向上する。
正帯電用感光体の場合を例に挙げる。基板としてはＡｌ
ドラムを用いこれ全脱脂処理した後、通常に良（知られ
たグロー放電分解によりＳｉＨ４ガス等の）唄科ガス全
分解してａ−８ｉを堆積する。
ドラムを用いこれ全脱脂処理した後、通常に良（知られ
たグロー放電分解によりＳｉＨ４ガス等の）唄科ガス全
分解してａ−８ｉを堆積する。
すなわち’−ｒｙ ｌドラム１）？：２ｏｏ″ＧＫ昇？
ｕ Ｌ タｎＲＳ Ｉｎ２とＢ２Ｈｏの混合ガスｆ Ｏ
，５ｔｏｒｒ 、 ２５Ｗ チクｃ＋ −放′１に分ｉ
ｑ”ｊ してＢを対Ｓｌ比１０−ｓｄｏｐｅ ＬＪｃ
ｐ型ａ−３ｉ：Ｈ層２）會０．１μ堆λｈし１．跣いて
Ｂを対Ｓｉ比１０ ’ ｄｏｐｅシたＩ 型ａ Ｓ Ｉ
：Ｈ％３）”ｔ ｌ Ａ 、更にｓｉＨ，とＰＩ（３
の混合ガスｆ Ｑ、 ５ ｔｏｒｒ ＋ ２５Ｗテグロ
一放硯分〕ｊ６シてＰ’ｅ対Ｓｉ比１０ ’ ｄｏｐｅ
したｎ型ａ−８ｉ：Ｈ３’） ｆｏ、１ｐ形成し
てｂｌｏｃｋｉｎｇ１苦５）とした。そしてこの上にＢ
ｆｆｉ対Ｓｉ比ｘＯ’ｄｏｐｅｌ、た１ａａ−８ｉ：Ｈ
層？： ０．５ ｔｏｒｒ １００Ｗのグロー放・五で
２０μ堆債して感光層６）とし、この上にＣＨ４とＳｉ
ｎ、の混合ガスのグロー放電によりａ−ＳｉＣｘ：Ｈを
０．１μ形Ｙ、シシて保護層７）とした。こうして得ら
れた感光体ドラム８）は、表面ぺ位５５０Ｖ、現像バイ
アス１００Ｖで画像を出させてもｈｌｏｃｋ−団ｇ雫（
まｂｒｅａｋ ｃｉｏｚ川せず傷のない良好な画像を得
ることが出来た。
ｕ Ｌ タｎＲＳ Ｉｎ２とＢ２Ｈｏの混合ガスｆ Ｏ
，５ｔｏｒｒ 、 ２５Ｗ チクｃ＋ −放′１に分ｉ
ｑ”ｊ してＢを対Ｓｌ比１０−ｓｄｏｐｅ ＬＪｃ
ｐ型ａ−３ｉ：Ｈ層２）會０．１μ堆λｈし１．跣いて
Ｂを対Ｓｉ比１０ ’ ｄｏｐｅシたＩ 型ａ Ｓ Ｉ
：Ｈ％３）”ｔ ｌ Ａ 、更にｓｉＨ，とＰＩ（３
の混合ガスｆ Ｑ、 ５ ｔｏｒｒ ＋ ２５Ｗテグロ
一放硯分〕ｊ６シてＰ’ｅ対Ｓｉ比１０ ’ ｄｏｐｅ
したｎ型ａ−８ｉ：Ｈ３’） ｆｏ、１ｐ形成し
てｂｌｏｃｋｉｎｇ１苦５）とした。そしてこの上にＢ
ｆｆｉ対Ｓｉ比ｘＯ’ｄｏｐｅｌ、た１ａａ−８ｉ：Ｈ
層？： ０．５ ｔｏｒｒ １００Ｗのグロー放・五で
２０μ堆債して感光層６）とし、この上にＣＨ４とＳｉ
ｎ、の混合ガスのグロー放電によりａ−ＳｉＣｘ：Ｈを
０．１μ形Ｙ、シシて保護層７）とした。こうして得ら
れた感光体ドラム８）は、表面ぺ位５５０Ｖ、現像バイ
アス１００Ｖで画像を出させてもｈｌｏｃｋ−団ｇ雫（
まｂｒｅａｋ ｃｉｏｚ川せず傷のない良好な画像を得
ることが出来た。
なお上の実施例では保櫻層をａ −Ｓｉ Ｃ）：とした
がこれはａ−８ｉｏｘ、ａ−８ｉＮｘでも同等の性能を
得ることが出来る。
がこれはａ−８ｉｏｘ、ａ−８ｉＮｘでも同等の性能を
得ることが出来る。
図面は本発明の詳細な説明する為の図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１１所定の導電性基板上に形成される、基板と感光層
との間に電荷注入阻止層を有する電子写真感光体におい
、て、前記感光層が非晶質Ｓｉで、前記電荷注入阻止層
が基板側から正孔全多数キャリアーとするｐ一層、はぼ
真性である’ −Ｊ通ｅ を子を多数キャリアーとする
ｎ一層をこのＪｉ［で、あるいは逆の順で積層した構成
を有するか又は、前記電荷注入阻止層が基板側からｐ一
層、ｎ一層の順あるいはこの逆の）１順序で積層しり構
成２有することを特徴とする’４子写真感光体。 （２）感光層が微鑵のＢ金倉む非晶質３４である前記特
許請求の範囲第１項記載の電子写真感光体。 （３）感光層が水素もしくはハロゲン元素を含む非晶質
Ｓｉである前記特許請求の範囲第１項又は第２項記載の
電子写真感光体。 （４１ｐ ！・Ｊ 、 ｎ層がそれぞれ非晶質Ｓｉある
いは水素又はハロゲン元素を含む非晶質３ｉに周期律表
■ａ族の元素ｓ Ｖ ａ族の元素を加えたものである前
記特許請求の範囲第１項記載の電子写真感光体。 （５）１層が水素もしくはハロゲン元素を含む非晶質Ｓ
ｉ、又は水素もしくはハロゲン元素を含む非晶質ＳｉＫ
微量のＩｌｌ添加した非晶質Ｓｉである前記特許請求の
範囲第１項記載の電子写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7381583A JPS59200244A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7381583A JPS59200244A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59200244A true JPS59200244A (ja) | 1984-11-13 |
Family
ID=13529025
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7381583A Pending JPS59200244A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59200244A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61223848A (ja) * | 1985-03-29 | 1986-10-04 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPS63125942A (ja) * | 1986-11-17 | 1988-05-30 | Fujitsu Ltd | アモルフアスシリコン電子写真感光体 |
-
1983
- 1983-04-28 JP JP7381583A patent/JPS59200244A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61223848A (ja) * | 1985-03-29 | 1986-10-04 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPH0554953B2 (ja) * | 1985-03-29 | 1993-08-13 | Shindengen Electric Mfg | |
| JPS63125942A (ja) * | 1986-11-17 | 1988-05-30 | Fujitsu Ltd | アモルフアスシリコン電子写真感光体 |
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