JPH0548912B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0548912B2 JPH0548912B2 JP58115967A JP11596783A JPH0548912B2 JP H0548912 B2 JPH0548912 B2 JP H0548912B2 JP 58115967 A JP58115967 A JP 58115967A JP 11596783 A JP11596783 A JP 11596783A JP H0548912 B2 JPH0548912 B2 JP H0548912B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrophotographic photoreceptor
- layer
- photosensitive layer
- charge injection
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は良好なる長波長感度を有するアモルフ
アスシリコン電子写真感光体に関する。
アスシリコン電子写真感光体に関する。
従来電子写真感光体としてはａ−Seが広く用
いられてきたがａ−Seは機械的強度が不足して
いるために耐久性に乏しい。又、近年光源にレー
ザーを用いられ始めているが、半導体レーザーの
波長は800nm位で比較的長波長であるのでａ−
Seでは対応が難しい。一方、近年注目をあびて
いるａ−Siは硬く機械的強度に秀れ、又光感度も
良好なので電子写真感光体に適していて、各所で
実用化研究が行なわれている。ａ−Siはａ−Se
に比べて長波長感度に秀れているか、光学的バン
ドギヤプは1.7eV前後であるので800nm付近の感
度をあげるためには更に光学的バンドギヤツプを
小さくする必要がある。そのために通常は、Ge
をドープして光学的バンドギヤツプを小さくして
いるが、本発明者はSiを主とする半導体層表面に
ａ−Siを成長する場合、Geをいれすぎると非常
に脆くなり下地である上記半導体層からの剥離を
生じ易くなるという問題点を見出した。
いられてきたがａ−Seは機械的強度が不足して
いるために耐久性に乏しい。又、近年光源にレー
ザーを用いられ始めているが、半導体レーザーの
波長は800nm位で比較的長波長であるのでａ−
Seでは対応が難しい。一方、近年注目をあびて
いるａ−Siは硬く機械的強度に秀れ、又光感度も
良好なので電子写真感光体に適していて、各所で
実用化研究が行なわれている。ａ−Siはａ−Se
に比べて長波長感度に秀れているか、光学的バン
ドギヤプは1.7eV前後であるので800nm付近の感
度をあげるためには更に光学的バンドギヤツプを
小さくする必要がある。そのために通常は、Ge
をドープして光学的バンドギヤツプを小さくして
いるが、本発明者はSiを主とする半導体層表面に
ａ−Siを成長する場合、Geをいれすぎると非常
に脆くなり下地である上記半導体層からの剥離を
生じ易くなるという問題点を見出した。
本発明は上記問題点を克服し、長波長感度に秀
れ、更に感光層の剥離のない非常に秀れた電子写
真感光体を提供することを目的とする。
れ、更に感光層の剥離のない非常に秀れた電子写
真感光体を提供することを目的とする。
本発明の電子写真感光体は、基板と、前記基板
上に形成されシリコンを主とする半導体からなる
電荷注入阻止層と、前記電荷注入阻止層表面に形
成され非晶質シリコンを母体としゲルマニウム及
び炭素を共に含む感光層とを具備することを特徴
とし、上記構成により光学的バンドギヤツプを小
さくすると同時に感光層の歪を小さく抑え下地で
ある上記半導体層からの剥離を防ぐことができ
る。
上に形成されシリコンを主とする半導体からなる
電荷注入阻止層と、前記電荷注入阻止層表面に形
成され非晶質シリコンを母体としゲルマニウム及
び炭素を共に含む感光層とを具備することを特徴
とし、上記構成により光学的バンドギヤツプを小
さくすると同時に感光層の歪を小さく抑え下地で
ある上記半導体層からの剥離を防ぐことができ
る。
本発明の電子写真感光体においては、ａ−Siよ
りなる感光層の一部又は全部にGeとＣを添加し、
光学的バンドギヤツプを小さくすると同時に膜の
ひずみを小さく抑えクラツクや基板からの膜の剥
離を防いで長波長増感を実現した。
りなる感光層の一部又は全部にGeとＣを添加し、
光学的バンドギヤツプを小さくすると同時に膜の
ひずみを小さく抑えクラツクや基板からの膜の剥
離を防いで長波長増感を実現した。
本発明の電子写真感光体においては長波長増感
をａ−SiにGeとＣを同時に添加することにより
実現している。この場合Geのみを添加するのと
違つてGeとSiの原子の大きさの差に起因する膜
中の歪を原子半径の小さいＣを少量Siのnetwork
に入れることにより緩和しているので、クラツク
や基板からの剥離と言つた機械的なトラブルは生
じない。一般にＣをａ−Si中にドープするとバン
ド・ギヤツプは大きくなるがGeをドーブして生
ずる歪みを緩和するにはごく微量のＣがnetwork
にとり込まれれば良いからバンド・ギヤツプは
1.5eV以下にすることも容易である。GeとＣを同
時に添加した長波長増感層は又、内部応力が充分
に緩和されているのでmid gap statesが少なく、
暗導電率は充分小さいので電子写真に用いること
ができる。更に、クラツク等を生じないので生産
の際の再現性、歩留に秀れている。
をａ−SiにGeとＣを同時に添加することにより
実現している。この場合Geのみを添加するのと
違つてGeとSiの原子の大きさの差に起因する膜
中の歪を原子半径の小さいＣを少量Siのnetwork
に入れることにより緩和しているので、クラツク
や基板からの剥離と言つた機械的なトラブルは生
じない。一般にＣをａ−Si中にドープするとバン
ド・ギヤツプは大きくなるがGeをドーブして生
ずる歪みを緩和するにはごく微量のＣがnetwork
にとり込まれれば良いからバンド・ギヤツプは
1.5eV以下にすることも容易である。GeとＣを同
時に添加した長波長増感層は又、内部応力が充分
に緩和されているのでmid gap statesが少なく、
暗導電率は充分小さいので電子写真に用いること
ができる。更に、クラツク等を生じないので生産
の際の再現性、歩留に秀れている。
ここでは、基板にAlドラムを用いた正帯電用
の電子写真感光体を例に挙げる。
の電子写真感光体を例に挙げる。
脱脂洗浄したAlドラム１を、通常良く知られ
たグロー放電によるａ−Si堆積装置に装着して
10-6torr台の真空中で200℃まで昇温する。次に
この堆積装置中に100％シラン、99.95％メタン、
並びに水素ベース2000ppmのジボランをそれぞれ
150SCCM、150SCCM、75SCCM導入してガス圧
を0.5torrとしてRF電力25Wでグロー放電プラズ
マを生起せしめAlドラム１の上に暗導電率10-4υ
cm-1以上のｐ型ａ−SiC膜２を2μ成膜して電荷注
入阻止層とした。続いてガスを100％シラン
150SCCM、と水素ベース20ppmのジボラン
7.5SCCMに切り換え50WのRF電力のプラズマに
より暗導電率10-12υcm-1以下のｉ型ａ−Si：Ｈ層
３を15μ形成し、又この上にガスを150SCCMの
100％シラン、50SCCMの99.95％メタン、
150SCCMの水素ベース10％ゲルマンに切り換え
てRF電力25Wで光学的バンドギヤツプ1.45eVの
Ｃ、Geをドープしたａ−Si：Ｈ層４を3μ成膜し、
更に３と同じｉ型ａ−Si：Ｈ層５を2μ形成して感
光層６とした。最後に100％SiH4と99.95％メタン
とをそれぞれ150SCCM堆積空中に導入してガス
圧1.0torr、RF電力100Wでプラズマをたて暗導
電率10-14υcm-1以下のａ−SiC膜７を0.1μ形成し
て電子写真感光体８とした。
たグロー放電によるａ−Si堆積装置に装着して
10-6torr台の真空中で200℃まで昇温する。次に
この堆積装置中に100％シラン、99.95％メタン、
並びに水素ベース2000ppmのジボランをそれぞれ
150SCCM、150SCCM、75SCCM導入してガス圧
を0.5torrとしてRF電力25Wでグロー放電プラズ
マを生起せしめAlドラム１の上に暗導電率10-4υ
cm-1以上のｐ型ａ−SiC膜２を2μ成膜して電荷注
入阻止層とした。続いてガスを100％シラン
150SCCM、と水素ベース20ppmのジボラン
7.5SCCMに切り換え50WのRF電力のプラズマに
より暗導電率10-12υcm-1以下のｉ型ａ−Si：Ｈ層
３を15μ形成し、又この上にガスを150SCCMの
100％シラン、50SCCMの99.95％メタン、
150SCCMの水素ベース10％ゲルマンに切り換え
てRF電力25Wで光学的バンドギヤツプ1.45eVの
Ｃ、Geをドープしたａ−Si：Ｈ層４を3μ成膜し、
更に３と同じｉ型ａ−Si：Ｈ層５を2μ形成して感
光層６とした。最後に100％SiH4と99.95％メタン
とをそれぞれ150SCCM堆積空中に導入してガス
圧1.0torr、RF電力100Wでプラズマをたて暗導
電率10-14υcm-1以下のａ−SiC膜７を0.1μ形成し
て電子写真感光体８とした。
こうしてつくられた電子写真感光体は表面電位
500V、800nmの感度5erg／cm2と良好でレーザー
ビームプリンターに適用でき、機械的強度に秀れ
10万枚以上コピーしても全く劣化しなかつた。
500V、800nmの感度5erg／cm2と良好でレーザー
ビームプリンターに適用でき、機械的強度に秀れ
10万枚以上コピーしても全く劣化しなかつた。
又、上記の実施例では、感光層６の一部にGe、
Ｃをdopeしたａ−Si：Ｈ層を形成しているが、
感光層６全体をGe、Ｃをdopeしたａ−Si：Ｈ層
にすれば更に長波長感度に秀れた電子写真感光体
を作ることが出来る。
Ｃをdopeしたａ−Si：Ｈ層を形成しているが、
感光層６全体をGe、Ｃをdopeしたａ−Si：Ｈ層
にすれば更に長波長感度に秀れた電子写真感光体
を作ることが出来る。
図面は本発明の実施例を説明する断面図であ
る。
る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板と、前記基板上に形成されシリコンを主
とする半導体からなる電荷注入阻止層と、前記電
荷注入阻止層表面に形成され非晶質シリコンを母
体としゲルマニウム及び炭素を共に含む感光層と
を具備することを特徴とする電子写真感光体。 ２ 前記感光層は水素またはハロゲン元素を含有
することを特徴とする前記特許請求の範囲第１項
記載の電子写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58115967A JPS608847A (ja) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58115967A JPS608847A (ja) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | 電子写真感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS608847A JPS608847A (ja) | 1985-01-17 |
| JPH0548912B2 true JPH0548912B2 (ja) | 1993-07-22 |
Family
ID=14675566
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58115967A Granted JPS608847A (ja) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS608847A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63135954A (ja) * | 1986-11-27 | 1988-06-08 | Kyocera Corp | 電子写真感光体 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54145539A (en) * | 1978-05-04 | 1979-11-13 | Canon Inc | Electrophotographic image forming material |
| JPS54145540A (en) * | 1978-05-04 | 1979-11-13 | Canon Inc | Electrophotographic image forming material |
| JPS57105744A (en) * | 1980-12-23 | 1982-07-01 | Canon Inc | Photoconductive member |
| JPS5860747A (ja) * | 1981-10-07 | 1983-04-11 | Oki Electric Ind Co Ltd | 電子写真感光体 |
| JPS5888753A (ja) * | 1981-11-24 | 1983-05-26 | Oki Electric Ind Co Ltd | 電子写真感光体 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55121239U (ja) * | 1979-02-21 | 1980-08-28 |
-
1983
- 1983-06-29 JP JP58115967A patent/JPS608847A/ja active Granted
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54145539A (en) * | 1978-05-04 | 1979-11-13 | Canon Inc | Electrophotographic image forming material |
| JPS54145540A (en) * | 1978-05-04 | 1979-11-13 | Canon Inc | Electrophotographic image forming material |
| JPS57105744A (en) * | 1980-12-23 | 1982-07-01 | Canon Inc | Photoconductive member |
| JPS5860747A (ja) * | 1981-10-07 | 1983-04-11 | Oki Electric Ind Co Ltd | 電子写真感光体 |
| JPS5888753A (ja) * | 1981-11-24 | 1983-05-26 | Oki Electric Ind Co Ltd | 電子写真感光体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS608847A (ja) | 1985-01-17 |
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