JPS616654A - 電子写真感光体及びその製造方法 - Google Patents
電子写真感光体及びその製造方法Info
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- JPS616654A JPS616654A JP12651284A JP12651284A JPS616654A JP S616654 A JPS616654 A JP S616654A JP 12651284 A JP12651284 A JP 12651284A JP 12651284 A JP12651284 A JP 12651284A JP S616654 A JPS616654 A JP S616654A
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- layer
- photoreceptor
- substrate
- forbidden band
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
-
- G—PHYSICS
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- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08235—Silicon-based comprising three or four silicon-based layers
- G03G5/08242—Silicon-based comprising three or four silicon-based layers at least one with varying composition
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、電子写真感光体及びその製造法に係シ、特に
アモルファスシリコン電子写真感光体とその製造法に関
するものである。
アモルファスシリコン電子写真感光体とその製造法に関
するものである。
従来技術
従来、複写機、レーザープリンターなど電子写真装置の
感光体としては、アルミニウムなどの金属基板上にＳｅ
’、 ＺｎＯ、ＣｄＳ或いは有機半導体などの光感度
を有する材料を蒸着、塗布などの方法によって薄層にし
て形成したものが用いられている。
感光体としては、アルミニウムなどの金属基板上にＳｅ
’、 ＺｎＯ、ＣｄＳ或いは有機半導体などの光感度
を有する材料を蒸着、塗布などの方法によって薄層にし
て形成したものが用いられている。
しかし極く最近になって、これらの材料とは異なる新規
な材料として、他の半導体素子材料として注目されてい
る無定形（非晶質）ケイ素（いわゆるアモルファスシリ
コン、以下ａ−３ｉと略す）を電子写真感光体材料とし
て用いると優れた特性のものが得られることが見いださ
れた。
な材料として、他の半導体素子材料として注目されてい
る無定形（非晶質）ケイ素（いわゆるアモルファスシリ
コン、以下ａ−３ｉと略す）を電子写真感光体材料とし
て用いると優れた特性のものが得られることが見いださ
れた。
このａ−８ｔを用いた感光体やかかるａ−３ｉ層の製造
方法などは、例えば本出願人による特開昭５７’−３７
３５２号公報や特開昭５７−７８５４６号公報などに詳
細に述べられている。このａ−８ｉを電子写真感光体材
料として用いると、従来の感光体材料に比し遜色のない
むしろ優れた帯電特性、光感度特性を有するだけでなく
、従来よシも機械的及び熱的強度が優れた長寿命で無公
害の感光体が得られるとととなり、これを用いた複写機
など電子写真装置の開発が鋭意すすめられている。
方法などは、例えば本出願人による特開昭５７’−３７
３５２号公報や特開昭５７−７８５４６号公報などに詳
細に述べられている。このａ−８ｉを電子写真感光体材
料として用いると、従来の感光体材料に比し遜色のない
むしろ優れた帯電特性、光感度特性を有するだけでなく
、従来よシも機械的及び熱的強度が優れた長寿命で無公
害の感光体が得られるとととなり、これを用いた複写機
など電子写真装置の開発が鋭意すすめられている。
ａ−８ｉを基板上に薄層として形成する方法としては、
蒸着法、反応性スパッタソング法、イオンブレーティン
グ法、クラスターイオンビーム法など種々考えられる。
蒸着法、反応性スパッタソング法、イオンブレーティン
グ法、クラスターイオンビーム法など種々考えられる。
上記発明においては真空容器内に基板を置き、ＳｉＨ４
などのガスを導入して外部電源から供給される高周波電
力を真空容器内に置かれた電極に供給してグロー放電を
おこさせてＳｉＨ４ガスを分解しａ−８ｉ層を基板上に
堆積させる、いわゆるプラズマＣＶ Ｄ （Ｃｈｅｍｉ
ｃａｌ ＶａｐｏＹＤｅｐ。
などのガスを導入して外部電源から供給される高周波電
力を真空容器内に置かれた電極に供給してグロー放電を
おこさせてＳｉＨ４ガスを分解しａ−８ｉ層を基板上に
堆積させる、いわゆるプラズマＣＶ Ｄ （Ｃｈｅｍｉ
ｃａｌ ＶａｐｏＹＤｅｐ。
５ｉｔｉｏｎ）法が採用され、形成したａ−８ｉ層の中
には多くの水素原子がとりこまれ、その他微小Ｓｉ単結
晶、５ｌｎＨ２ｎなどが混在していてａ−８ｉ層の電気
的性質を左右している。電子写真感光体の場合、とのａ
−８ｉ層を数＋μｍの厚みで堆積させるのであるが、高
抵抗であることが要求されるので、Ｂ。
には多くの水素原子がとりこまれ、その他微小Ｓｉ単結
晶、５ｌｎＨ２ｎなどが混在していてａ−８ｉ層の電気
的性質を左右している。電子写真感光体の場合、とのａ
−８ｉ層を数＋μｍの厚みで堆積させるのであるが、高
抵抗であることが要求されるので、Ｂ。
Ｂと０或いはＢとＮなどの不純物を適当量添加すること
が行われる。また、感光体としての特性を向上させるた
めに、場合によりこのａ−３ｉ層の上面（表面）が下面
（裏面）或いは両面に極めて抵抗の高い絶縁層（以下、
これをブロッキング層という）を、形成する。
が行われる。また、感光体としての特性を向上させるた
めに、場合によりこのａ−３ｉ層の上面（表面）が下面
（裏面）或いは両面に極めて抵抗の高い絶縁層（以下、
これをブロッキング層という）を、形成する。
第１図にａ−８ｉ層の上下面にブロッキング層を有する
積層型ａ−８ｉ感光体の基本構造が示されている。ここ
で、ａ−８ｉ感光体層１を挾んだ上面に上部ブロッキン
グ層３が、また金属性基板２とａ−Ｓｔ感光体層１との
間に下部ブロッキング層３′が形成されている。上部ブ
ロッキング層３及び下部ブロッキング層イとしては、５
ｉｘＮｌ−Ｘ、 ５ｉｘＣ，−ｘ。
積層型ａ−８ｉ感光体の基本構造が示されている。ここ
で、ａ−８ｉ感光体層１を挾んだ上面に上部ブロッキン
グ層３が、また金属性基板２とａ−Ｓｔ感光体層１との
間に下部ブロッキング層３′が形成されている。上部ブ
ロッキング層３及び下部ブロッキング層イとしては、５
ｉｘＮｌ−Ｘ、 ５ｉｘＣ，−ｘ。
燐（Ｐ）添加のａ−８ｉ 、 ５ｉＸＯ＋ −ｚ ＋
酸素（０）添加のａ−８ｉなどが用いられ、下部ブロ
ッキング層３′は基板２がＡｌであることが多いのでＡ
ｌ１２０３ も多用される。
酸素（０）添加のａ−８ｉなどが用いられ、下部ブロ
ッキング層３′は基板２がＡｌであることが多いのでＡ
ｌ１２０３ も多用される。
これらのブロッキング層を設けるのは次の理由による。
電子写真プロセスでは感光体表面をコロナ放電によって
帯電させ電荷を蓄積させる必要があり、ａ−８ｉ層の抵
抗率を上げてもこれをさほど大きくできず帯電させても
電荷がａ−ｓｉＮを移動して表面に電荷が蓄積されない
。このため、ブロッキング層を設けることによって表面
電位が高くとれなくなることを防ぎ、また基板側の方か
ら表面に蓄積される電荷と逆の符号の電荷が注入されて
表面電位が低くなることを阻止することにあり、特に上
部ブロッキング層には上記コロナ放電にょるａ−８ｉ表
面層の損傷を防ぐ目的も兼ねている場合がある。
帯電させ電荷を蓄積させる必要があり、ａ−８ｉ層の抵
抗率を上げてもこれをさほど大きくできず帯電させても
電荷がａ−ｓｉＮを移動して表面に電荷が蓄積されない
。このため、ブロッキング層を設けることによって表面
電位が高くとれなくなることを防ぎ、また基板側の方か
ら表面に蓄積される電荷と逆の符号の電荷が注入されて
表面電位が低くなることを阻止することにあり、特に上
部ブロッキング層には上記コロナ放電にょるａ−８ｉ表
面層の損傷を防ぐ目的も兼ねている場合がある。
しかしながら、かかる従来法でなるａ−８ｉ感光体にお
いてもその優れた特性を発揮できない以下の如き問題点
がある。
いてもその優れた特性を発揮できない以下の如き問題点
がある。
前述のことから、ａ−８ｉ表面層に電荷を蓄積させるこ
とによって暗減衰を少なくし電荷保持能力を高め、表面
を高電位にして高分解能の画質を得ようとするためには
、上部ブロッキング層は高抵抗であることが望ましい。
とによって暗減衰を少なくし電荷保持能力を高め、表面
を高電位にして高分解能の画質を得ようとするためには
、上部ブロッキング層は高抵抗であることが望ましい。
抵抗率が一定ならばブロッキング層の厚みを増せば高抵
抗にはなる。しかし、この厚みを増せばａ−８ｉ層の光
感度特性は悪くなり、また画像光を照射しても電荷が残
留し表面残留電位が低くならないので画質が極端に劣化
してしまうことになる。よってブロッキング層の厚みは
電荷が伝導キャリヤとしてトンネルしていく程度の厚さ
しか許されないのである。このためブロッキング層の高
抵抗化と感光体としての帯、霊能力及び光感度を高くす
ることとは両立しなかった。従って実用的な光感度を有
するａ−８ｉ感光体として用いるには、分解能が多少低
下するがブロッキング層を薄くして表面電位を低くして
用いる方法しか採れなかったのである。
抗にはなる。しかし、この厚みを増せばａ−８ｉ層の光
感度特性は悪くなり、また画像光を照射しても電荷が残
留し表面残留電位が低くならないので画質が極端に劣化
してしまうことになる。よってブロッキング層の厚みは
電荷が伝導キャリヤとしてトンネルしていく程度の厚さ
しか許されないのである。このためブロッキング層の高
抵抗化と感光体としての帯、霊能力及び光感度を高くす
ることとは両立しなかった。従って実用的な光感度を有
するａ−８ｉ感光体として用いるには、分解能が多少低
下するがブロッキング層を薄くして表面電位を低くして
用いる方法しか採れなかったのである。
一方、本体のａ−８ｉ層の伝導型と異なる伝導型を有す
るａ−８ｉ層をブロッキング層とし、その整流性によっ
て電荷の移動をブロックする方法を採ったとしても、伝
導型を明確なｐ型、ｎ型としてしまうと低抵抗となるた
め、この方法にも限界があり充分な効゛果が得られてい
ないのが現状である。
るａ−８ｉ層をブロッキング層とし、その整流性によっ
て電荷の移動をブロックする方法を採ったとしても、伝
導型を明確なｐ型、ｎ型としてしまうと低抵抗となるた
め、この方法にも限界があり充分な効゛果が得られてい
ないのが現状である。
目 的
本発明の目的は、暗減衰が少なく表面電位が高くとれ且
つ光感度が長波長領域まで低下しないａ−８ｉ電子写真
感光体及びその製造方法を提供することにある。
つ光感度が長波長領域まで低下しないａ−８ｉ電子写真
感光体及びその製造方法を提供することにある。
概要
本発明においては、ａ−８ｉ悪感光を製造するに際し、
ａ−３ｉに炭素原子及び窒素原子のいずれか一方を該ａ
−８ｉ層の基板側から表面側に向かって漸次増加するよ
うに添加することに特徴を有する。
ａ−３ｉに炭素原子及び窒素原子のいずれか一方を該ａ
−８ｉ層の基板側から表面側に向かって漸次増加するよ
うに添加することに特徴を有する。
発明の開示
本発明によシ得られる電子写真感光体としてのａ−８ｉ
層の内部構造を、第２図に示すａ−８ｉ悪感光のエネル
ギー帯構造の模式図により説明すると、基板２側（第１
図において）にのみ下部ブロッキング層３′が存在して
いるａ−８ｉ感光体において、ａ−８ｉ悪感光層１の実
質的な禁制帯幅が基板２から表面へ向かって広くなるよ
うな構造となっている。この禁制帯域の違いによる電気
的性質、光学的性質の変化を利用して感光体の特性を向
上させるものである。
層の内部構造を、第２図に示すａ−８ｉ悪感光のエネル
ギー帯構造の模式図により説明すると、基板２側（第１
図において）にのみ下部ブロッキング層３′が存在して
いるａ−８ｉ感光体において、ａ−８ｉ悪感光層１の実
質的な禁制帯幅が基板２から表面へ向かって広くなるよ
うな構造となっている。この禁制帯域の違いによる電気
的性質、光学的性質の変化を利用して感光体の特性を向
上させるものである。
本発明の製造方法の一例を述べる前に、上記構造による
利点を記述する。
利点を記述する。
ａ−８ｉ半導体のエネルギー帯構造、禁制帯幅は単結晶
Ｓｉのそれとは同じには論じられないが、非晶質といえ
ども短距離秩序性は存在するわけであるから、実質的な
光学的禁制帯幅を考えれば第２図の概念図を用いて一応
のａ−３ｉの定性的解析説明はできる。一般的にいって
、半導体の禁制帯幅が大きくなればなるほど高抵抗の半
導体となり、光伝導が起きるだめの光の波長は短波長側
へ移動し、長波長の光は内部まで透過浸透し易くなる。
Ｓｉのそれとは同じには論じられないが、非晶質といえ
ども短距離秩序性は存在するわけであるから、実質的な
光学的禁制帯幅を考えれば第２図の概念図を用いて一応
のａ−３ｉの定性的解析説明はできる。一般的にいって
、半導体の禁制帯幅が大きくなればなるほど高抵抗の半
導体となり、光伝導が起きるだめの光の波長は短波長側
へ移動し、長波長の光は内部まで透過浸透し易くなる。
従って、ａ−８ｉの表面領域の禁制帯幅が広くなるよう
に製作すれば感光体表面付近の電気抵抗が高くなるので
感光体表面の帯電性が良くなりその表面を高電位にする
ことができ、且つ暗減衰が少ない状態にすることができ
る。しかしながら禁制帯幅の広いａ−８ｉ層領域を基板
測寸で連続させれば帯電性、暗減衰は良くなるが、短波
長の光しかキャリヤの伝導性の向上に寄与しなくなるの
で、光。
に製作すれば感光体表面付近の電気抵抗が高くなるので
感光体表面の帯電性が良くなりその表面を高電位にする
ことができ、且つ暗減衰が少ない状態にすることができ
る。しかしながら禁制帯幅の広いａ−８ｉ層領域を基板
測寸で連続させれば帯電性、暗減衰は良くなるが、短波
長の光しかキャリヤの伝導性の向上に寄与しなくなるの
で、光。
感度は非常に低下してしまうし、使用できる光波長範囲
は極めて限定される。そのため基板に近い側のａ−８ｉ
層の禁制帯幅を逆に狭くすれば表面層と逆の性質があら
れれその領域の電気抵抗は減少するし、また光の吸収端
も長波長まで伸びることになる。つまり表面に向かって
実質的な禁制帯幅が広くなるような内部構造を有するａ
−８ｉ層が得られれば、帯電を表面の禁制帯幅の広い領
域で受けもたせ、光感度の波長範囲を大きくとるために
この領域を透過してしまう比較的長波長の光を基板側の
狭禁制帯幅領域で吸収させることにょシ帯電性に優れ且
つ長波長の光に対しても感度が充分な感光体を実現でき
ることが予想されたので、このような構造を有する感光
体を製造したところ、極めて優れた特性を有する感光体
が得られたのである。
は極めて限定される。そのため基板に近い側のａ−８ｉ
層の禁制帯幅を逆に狭くすれば表面層と逆の性質があら
れれその領域の電気抵抗は減少するし、また光の吸収端
も長波長まで伸びることになる。つまり表面に向かって
実質的な禁制帯幅が広くなるような内部構造を有するａ
−８ｉ層が得られれば、帯電を表面の禁制帯幅の広い領
域で受けもたせ、光感度の波長範囲を大きくとるために
この領域を透過してしまう比較的長波長の光を基板側の
狭禁制帯幅領域で吸収させることにょシ帯電性に優れ且
つ長波長の光に対しても感度が充分な感光体を実現でき
ることが予想されたので、このような構造を有する感光
体を製造したところ、極めて優れた特性を有する感光体
が得られたのである。
このａ−８ｉの実質的な禁制帯幅を基板側から表面側に
向かって第２図のように連続的に広くするのではなく、
第３図に示したように階段状に広くなるような構造にし
てもよいことは勿論である。
向かって第２図のように連続的に広くするのではなく、
第３図に示したように階段状に広くなるような構造にし
てもよいことは勿論である。
尚、図中、ｃＢは伝導帯、ＶＢは価電子□帯、ＥＦはフ
ェルミレベルを示す。
ェルミレベルを示す。
以下、実施例によって本発明をさらに説明する。
実施例
真空容器の内容積的１４Ａ’のプラズマＣＶＤ装置を用
い、との容器には油回転ポンプ、油拡散ポンプ、メカニ
カルブースターポンプの排気系が接続され到達真空度は
約２ ｘ １０ ’Ｐａである。周波数１３．５６ Ｍ
Ｈ２の高周波電源（出力可変）から高周波電力が真空容
器内の円筒電極に供給され、ａ−８ｉ層を堆積する基板
とは容量結合されている。
い、との容器には油回転ポンプ、油拡散ポンプ、メカニ
カルブースターポンプの排気系が接続され到達真空度は
約２ ｘ １０ ’Ｐａである。周波数１３．５６ Ｍ
Ｈ２の高周波電源（出力可変）から高周波電力が真空容
器内の円筒電極に供給され、ａ−８ｉ層を堆積する基板
とは容量結合されている。
まず、ＪＩＳ３００３の鏡面研磨したＡ１円筒形ドラム
（外径８０龍？、内径７４罷ψ、長さ３５０ｍｍ ）を
基板とし円筒電極内に設置した。この基板を回転させな
がら２３０℃まで加熱し一定に保つ。
（外径８０龍？、内径７４罷ψ、長さ３５０ｍｍ ）を
基板とし円筒電極内に設置した。この基板を回転させな
がら２３０℃まで加熱し一定に保つ。
一旦真空排気された真空容器に流量５００ ＳＣＣＭの
５ｉＨ４（２０％１ｎＨ２） ６０ ＳＣＣＭのＢ２Ｈ
，（０，１％１ｎＨ２）ガスを導入し約１３０Ｐ６Ｌに
保ちなからＲＦ電力を電極面積に対しｏ、３ｗ／ｃｒＩ
Ｌでグロー放電分解を起こさせａ−８ｉ ４基板上に堆
積しはじめる。１分後にＮ２ガスを１０ ＳＣＣＭ加え
１０分間堆積させその後Ｎ２ガスを２０８ＣＣＭに増加
させてまた１０分間堆積させる。これを１０分毎に繰り
返して行ないＮ原子の混入量を増加させていき６１分後
にＮ２ガスを７０ ’ＳＣＣＭ 、５分間、１００３Ｃ
ＣＭ 、 ２分間、５００８ＣＣＭ 、 ２分間、ｉｏ
ｏｏＳｃｃＭ、 ２分間の堆積後ＲＦ電力の供給を停止
し終了させる。
５ｉＨ４（２０％１ｎＨ２） ６０ ＳＣＣＭのＢ２Ｈ
，（０，１％１ｎＨ２）ガスを導入し約１３０Ｐ６Ｌに
保ちなからＲＦ電力を電極面積に対しｏ、３ｗ／ｃｒＩ
Ｌでグロー放電分解を起こさせａ−８ｉ ４基板上に堆
積しはじめる。１分後にＮ２ガスを１０ ＳＣＣＭ加え
１０分間堆積させその後Ｎ２ガスを２０８ＣＣＭに増加
させてまた１０分間堆積させる。これを１０分毎に繰り
返して行ないＮ原子の混入量を増加させていき６１分後
にＮ２ガスを７０ ’ＳＣＣＭ 、５分間、１００３Ｃ
ＣＭ 、 ２分間、５００８ＣＣＭ 、 ２分間、ｉｏ
ｏｏＳｃｃＭ、 ２分間の堆積後ＲＦ電力の供給を停止
し終了させる。
この最終時のモル比はＮ２／５ｉＨ４＝ ｔ ｏである
。この時のａ−８ｉ層の膜厚は約２１μｍであった。
。この時のａ−８ｉ層の膜厚は約２１μｍであった。
得られた膜の実質的な光学的禁制帯幅を測定した結果、
最初の１分間の製作条件で得られた値は約１．６５ ｅ
ｖであり、最後の２分間の製作条件で得られた値は約５
．１ ｅＶであυ、上述した方法で禁制帯幅を変化させ
るのに成功した。
最初の１分間の製作条件で得られた値は約１．６５ ｅ
ｖであり、最後の２分間の製作条件で得られた値は約５
．１ ｅＶであυ、上述した方法で禁制帯幅を変化させ
るのに成功した。
上述の方法で製作した感光体を２４時間暗順応させた後
、帯電特性、光感度特性を調べた結果、下表に示すよう
に従来のａ−８ｉ感光体に比し極めて優れた特性を得る
ことができた。
、帯電特性、光感度特性を調べた結果、下表に示すよう
に従来のａ−８ｉ感光体に比し極めて優れた特性を得る
ことができた。
本発明法で得られたａ−８ｉ感光体を市販の複写機を改
造した試験用複写機に組み込んで試験をしたところ極め
て鮮明な画像が得られ、本方法で得られたａ−８ｉ感光
体の優秀性が実証された。
造した試験用複写機に組み込んで試験をしたところ極め
て鮮明な画像が得られ、本方法で得られたａ−８ｉ感光
体の優秀性が実証された。
上記の実施例ではプラズマＣＶＤ法でＳｉＨ４ガスに対
するＮ７分圧を上げながら行なったわけであるが、前に
述べた反応性スノ（ツタリング、イオンブレーティング
、クラスターイオンビーム法、蒸着法でも同様にＮ２分
圧を序々に増加することで第２図及び第３図のような内
部構造を有するａ−８ｉ層を得ることができる。
するＮ７分圧を上げながら行なったわけであるが、前に
述べた反応性スノ（ツタリング、イオンブレーティング
、クラスターイオンビーム法、蒸着法でも同様にＮ２分
圧を序々に増加することで第２図及び第３図のような内
部構造を有するａ−８ｉ層を得ることができる。
また上記実施例では基板側のａ−３ｉ層はｐ型となるか
ら、コロナ放電で正帯電を行なわせれは基板側からの電
子の注入に対してブロッキング層がなくともブロッキン
グし得る。一方、ａ−８ｉ層の表面側では組成はＳ ｉ
ｘＮ＋ −ｘとなり絶縁膜に近くなるから、表面層に
ブロッキング層が形成されているとみてもよい。これら
のこととは無関係にａ−８ｉの上面および／または下面
に別途のブロッキング層を設けてもよい。
ら、コロナ放電で正帯電を行なわせれは基板側からの電
子の注入に対してブロッキング層がなくともブロッキン
グし得る。一方、ａ−８ｉ層の表面側では組成はＳ ｉ
ｘＮ＋ −ｘとなり絶縁膜に近くなるから、表面層に
ブロッキング層が形成されているとみてもよい。これら
のこととは無関係にａ−８ｉの上面および／または下面
に別途のブロッキング層を設けてもよい。
前記の実施例ではａ−３ｉ内に第■族不純物を入れてｐ
型にしたものを述べたが、ＰＨ８などのガスによって第
■族不純物を添加したｎ型のａ−８ｉ層を構成すること
もできることは勿論である。
型にしたものを述べたが、ＰＨ８などのガスによって第
■族不純物を添加したｎ型のａ−８ｉ層を構成すること
もできることは勿論である。
第２図及び第３図に示した内部構造を有するａ−８ｉ層
金得るために、ＳｉＨ４のプラズマＣＶＤ法でＮ２ガス
の混入量を変化させることで行なったが、この他ＮＨ３
ガスを用いても同様の効果を得ることが判った。また、
Ｎ原子の代りにＣＨ４或いはＣ２Ｈ４ガスを用いてＣ原
子の混入によっても禁制帯幅を変化させることが判った
。
金得るために、ＳｉＨ４のプラズマＣＶＤ法でＮ２ガス
の混入量を変化させることで行なったが、この他ＮＨ３
ガスを用いても同様の効果を得ることが判った。また、
Ｎ原子の代りにＣＨ４或いはＣ２Ｈ４ガスを用いてＣ原
子の混入によっても禁制帯幅を変化させることが判った
。
発明の効果
以上述べてきたことから理解されるように、本発明によ
れば第２図及び第３図に示すような実質的な禁制帯幅が
変化した内部構造を有するａ−８ｉ悪感光を製造するこ
とができ、これによって帯電性に優れ、暗減衰が少なく
表面が高電位にできるとともに長波長域まで充分に光感
度を有する優れた感光体が得られる。しかも得られたａ
−３ｉ感光体はその表面が高抵抗であるのて一定の表面
電位を得るためのコロナ放電電流が少なくて済む。従っ
て、表面損傷が小さくなシ長寿命にもなる。また表面電
位が光感度の低下なしに高くとれるので、コロナ帯電の
時間を短縮でき、高速電子写真プロセスに対応できる。
れば第２図及び第３図に示すような実質的な禁制帯幅が
変化した内部構造を有するａ−８ｉ悪感光を製造するこ
とができ、これによって帯電性に優れ、暗減衰が少なく
表面が高電位にできるとともに長波長域まで充分に光感
度を有する優れた感光体が得られる。しかも得られたａ
−３ｉ感光体はその表面が高抵抗であるのて一定の表面
電位を得るためのコロナ放電電流が少なくて済む。従っ
て、表面損傷が小さくなシ長寿命にもなる。また表面電
位が光感度の低下なしに高くとれるので、コロナ帯電の
時間を短縮でき、高速電子写真プロセスに対応できる。
しかも、本発明法によればａ−８ｉを堆積させる工程の
中に特定ガスの流量を変化させるだけで行なえるので、
その製造が極めて容易となる。
中に特定ガスの流量を変化させるだけで行なえるので、
その製造が極めて容易となる。
第１図はａ−８ｉ悪感光の基本構造を示す一部断面図、
第２図及び第３図は本発明によって得られるａ−８ｉ感
光体層の禁制帯幅の変化状態を示すエネルギー帯構造の
模式図であシ、第２図は連続的な変化状態を、第３図は
階段状に変化している状態を示すものである。 １・・・・ａ−３ｉ層、２・・・・基板、３，３′・・
・・ブロッキング層、ＣＢ・・・・伝導帯、ＶＢ・・・
・価電子帯、ＥＦ・・・・フェルミレベル。 第１図 第２図 ３′ 第３図
第２図及び第３図は本発明によって得られるａ−８ｉ感
光体層の禁制帯幅の変化状態を示すエネルギー帯構造の
模式図であシ、第２図は連続的な変化状態を、第３図は
階段状に変化している状態を示すものである。 １・・・・ａ−３ｉ層、２・・・・基板、３，３′・・
・・ブロッキング層、ＣＢ・・・・伝導帯、ＶＢ・・・
・価電子帯、ＥＦ・・・・フェルミレベル。 第１図 第２図 ３′ 第３図
Claims (4)
- （１）感光体層の基板側から表面側へ向かって該感光体
層の実質的な禁制帯幅を漸次広くなるように構成したこ
とを特徴とする電子写真感光体。 - （２）前記感光体層がアモルファスシリコン層でなるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の電子写真
感光体。 - （３）アモルファスシリコンを感光体層とする電子写真
感光体の製造方法において、該アモルファスシリコンに
不純物として炭素原子及び窒素原子の少なくとも一方の
原子を該不純物の添加量が基板側から表面側へ向かって
漸次増加するように添加することを特徴とする、上記電
子写真感光体の製造方法。 - （４）前記アモルファスシリコンが伝導型決定不純物と
して第III族元素及び第Ｖ族元素の少なくとも一方の元
素を含むことを特徴とする、特許請求の範囲第３項に記
載の電子写真感光体の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12651284A JPS616654A (ja) | 1984-06-21 | 1984-06-21 | 電子写真感光体及びその製造方法 |
| DE19853521950 DE3521950A1 (de) | 1984-06-21 | 1985-06-20 | Lichtempfaenger fuer elektrofotografie und verfahren zu seiner herstellung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12651284A JPS616654A (ja) | 1984-06-21 | 1984-06-21 | 電子写真感光体及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS616654A true JPS616654A (ja) | 1986-01-13 |
Family
ID=14937038
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12651284A Pending JPS616654A (ja) | 1984-06-21 | 1984-06-21 | 電子写真感光体及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS616654A (ja) |
| DE (1) | DE3521950A1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62170954A (ja) * | 1986-01-24 | 1987-07-28 | Fuji Photo Film Co Ltd | 乾式画像形成方法 |
| JPS62187346A (ja) * | 1986-02-13 | 1987-08-15 | Fuji Photo Film Co Ltd | 転写画像形成方法 |
| DE112009002265B4 (de) | 2008-10-23 | 2020-06-18 | Fuji Seiko Co., Ltd. | Verfahren und Vorrichtung für die Herstellung eines Wulstes |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5821257A (ja) * | 1981-07-30 | 1983-02-08 | Seiko Epson Corp | 電子写真感光体の製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4490453A (en) * | 1981-01-16 | 1984-12-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoconductive member of a-silicon with nitrogen |
| US4539283A (en) * | 1981-01-16 | 1985-09-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Amorphous silicon photoconductive member |
-
1984
- 1984-06-21 JP JP12651284A patent/JPS616654A/ja active Pending
-
1985
- 1985-06-20 DE DE19853521950 patent/DE3521950A1/de not_active Ceased
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5821257A (ja) * | 1981-07-30 | 1983-02-08 | Seiko Epson Corp | 電子写真感光体の製造方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62170954A (ja) * | 1986-01-24 | 1987-07-28 | Fuji Photo Film Co Ltd | 乾式画像形成方法 |
| JPS62187346A (ja) * | 1986-02-13 | 1987-08-15 | Fuji Photo Film Co Ltd | 転写画像形成方法 |
| DE112009002265B4 (de) | 2008-10-23 | 2020-06-18 | Fuji Seiko Co., Ltd. | Verfahren und Vorrichtung für die Herstellung eines Wulstes |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3521950A1 (de) | 1986-01-02 |
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