JPS6383725A

JPS6383725A - 電子写真感光体

Info

Publication number: JPS6383725A
Application number: JP22799286A
Authority: JP
Inventors: Hideji Yoshizawa; 吉澤　秀二; Tatsuya Ikesue; 龍哉池末
Original assignee: Toshiba Corp; Toshiba Intelligent Technology Co Ltd
Current assignee: Toshiba Corp; Toshiba Intelligent Technology Co Ltd
Priority date: 1986-09-29
Filing date: 1986-09-29
Publication date: 1988-04-14

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［発明の目的］（産業上の利用分野）この発明は、機南分離型の光導電層を有する電子写真感
光体に係り、特には、帯電特性、暗誠衰特性、光感度特
性および耐環境特性等に優れた電子写真感光体に関する
。

（従来の技術）水素Ｈを含むアモルファスシリコン（以下、ａ−Ｓｉ：
Ｈという）は、近年光電変換材料として注目されており
、太陽電池、薄膜トランジスタ、およびイメージセンサ
等のほか、電子写真プロセスの感光体にも応用されてい
る。

電子写真感光体としてのａ−３ｉ：Ｈは、下記のような
特長を有しているため、従来広く使用されてきた電子写
真感光体の光導電層構成材料すなわち、ＣｄＳ、ＺｎＯ
，Ｓｅもしくは５ｅ−Ｔｅ等の無機材料や、ポリ（Ｎ−
ビニルカルバゾール（ＰＶＣＺ）　もしくはトリニトロ
フルオレノン（ＴＮＦ）等の無機材料に代る電子写真プ
ロセスの感光体として注目されている。

ａ−５ｒ：Ｈの第１の特長は、これが無公害物質である
ため、前記の無機および有機材料のように回収処理の必
要がないことである。

第２の特長は、可視光領域で高い分光感度を有し、また
表面硬度が高く耐摩耗性および耐衝撃性が優れている等
の利点を有していることである。

このような特長を有するａ−３ｉ：Ｈは、カールソン方
式（ゼログラフィ一方式）による感光体として検討が進
められている。この場合、感光体には光感度が高いこと
ばかりでなく、表面電荷を充分に保持でさる高い抵抗が
要求されるが、この両特性を単一のａ−Ｓｔ：Ｈ構造で
満足させることは困難である。このため、ａ−３ｉ：Ｈ
光導電層と導電性支持体との間に障壁層を設け、かつ光
導電層上に表面電荷保持層を設けた積層型の構造とする
ことによって電荷保持使方を高め、上記の要求を満足さ
せる手段が採用されている。

（発明が解決しようとする問題点）通常、ａ−Ｓｔ：Ｈ膜はシラン系ガスを使用したグロー
放電分解法により形成され、その際に膜中に取り込まれ
る水素によってシリコンのダングリングボンドが飽和さ
れる。従って、取り込まれる水素量の多少によって電気
的および光学的特性が大きく変動する。

すなわち、ａ　　Ｓ　ｉ：　Ｈｇに取込まれる水素のに
が多くなると、ダングリングボンドの飽和度が高くなっ
て光学的バンドギャップが大きくなる。

これはａ−５ｉ：Ｈの抵抗を高くする反面、反波長光に
対する光感度を低下させるため１例えば長波長の半導体
レーザ光源を搭載したレーザビームプリンタに使用する
のは困難となる。また、ａ−３ｔ　：Ｈ膜中の水素含量
が過剰になると、成膜条件によってはＳ　ｉ−５ｉ結合
の開裂を伴なって膜中の大部分に（ＳｉＨ）ｎおよびＳ
　ｉＨｚ″：ｇの結合構造が形成されることがある。こ
れはボイドの増加をもたらし、また新たなシリコンダン
グリングボンドを生成させるため、光導電特性が劣化し
、電子写真感光体として使用不能になってしまう。

逆に、ａ−５ｉ：ＨＷＪ、中に取込まれる水素の量が低
下すると、光学的バンドギャップは小さくなる。このた
め抵抗は小さくなってしまうが、長波長に対する光感度
は増加する。また、シリコンダングリングボンドが飽和
されずに残留するから、発生するキャリアの移動度が低
下し、キャリア寿命が短くなる。そのため、光導電特性
が劣化し、電子写真感光体としては使用し難いものとな
る。

上記のように、電子写真感光体の光導電層を単一のａ−
３ｉ：Ｈ層のみで構成した場合、ａ−５ｉ：Ｈｌｌｑの
製造条件によって特性が大きく変化し、望ましい特性が
得られないどう問題がある。

この発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、
基板との密着性および耐環境性に優れるとともに、？ｆ
Ｆ電能電源れ、残留電位が低く、シかも近赤外領域まで
の広い波長領域にわたって感度が高い電子写真感光体を
提供することを目的とする。

［発明の構ｒ！ｉ、］（問題点を解決するための手段）本発明者らは１種々検討を重ねた結果、感光体の少なく
とも上に、相互に光学的バンドギャップの異なるの薄い
半導体層を交互に積層したヘテロ接合超格子構造を使用
することによって上記の目的を達成できることに想到し
、この発明に至ったものである。

すなわち、この発明の電子写真感光体は、導電性支持体
と、電荷発生層および電荷輸送層によって構成された光
導電層とを有する電子写真感光体において、前記電荷輸
送層はケイ素を母体とした非晶質材料からなり、一方、
前記電荷発生層はケイ素を母体とし、その少なくとも一
部（すなわち、一部または全部）が微結晶化した半導体
層を積層して構成され前記半導体層の少なくとも一方が
炭素を含むことによって上記超格子構造をとるようにし
ている。

（作用）この発明の電子写真感光体における電荷発生層の超格子
構造は、光学的バンドギャップが小さい層を基準として
光学的バンドギャップが大きい層がバリアとなる周期的
なポテンシャルバリアを有する超格子構造となっている
。この超格子構造においては、バリア薄層が極めて薄い
ので、キャリアはトンネル効果によりバリアを通過して
超格子構造中を走行する。また、このような超格子構造
においては、光の入射により発生するキャリアの数が多
い、このようなことから、この領域では発生したキ；リ
アの寿命が長く、移動度も大きくなり、電子写真感光体
の感度は著しく向上する。

（実施例）第１図は、この発明の一実施例に係る電子写真感光体の
断面図を示している。この電子写真感光体は、通常アル
ミニウム製のドラムで構成される導電性支持体！ｌを備
えている。支持体１１の表面には、障壁層１２が形成さ
れ、この障壁層１２の上には、電荷輸送層２１および以
後説明する超格子構造をとる電荷発生層２２によって構
成される光導電層１３が形成されている。光導電層１３
の上には表面層！４が形成されている。

第１図に示す感光体おいては、光の入射により電荷発生
層２２でキャリアが発生し、このキャリアの一方は電荷
輸送層２１内を走行して支持体１１まで到達する。

さて、第１図に示す実施例において、電荷発生層２２は
、第２図にその断面を拡大して示すように、膜厚がそれ
ぞれ３０〜５００Ａで光学的バンドギャップが相互に異
なる炭素を含むマイクロクリスタリンシリコン（ｇｃ−
３ｉ　：　Ｃ）　５１１１９３１゜３２を交互に積層し
て構成されている。

光学的バ、ンドギャップの高い薄ｒｓｅ例えば薄膜３１
）には、好ましくは０．２〜４０原子％の炭素を含有さ
せる。

電荷輸送層２１は、例えばａ−３ｉ：Ｈやａ−３ｉＣ：
Ｈ等で形成することができる。

ｐｃ−Ｓｉおよび４ｃｍ５ｔ：Ｃには、０．０１ないし
３０原子％、好ましくは１ないし２５原子％の割合で水
素を添加することが好ましい、これによりシリコンダン
グリングボンドが補償され、暗抵抗と明抵抗との調和が
とれ、光導電特性が向上する。

ｐｃ−Ｓｉは、以下のような物性上の特徴によりａ−３
ｉ：Ｈおよび多結晶シリコンから明確に区別される。す
なわち、ＸＭ回折測定においては、ａ−５ｉ：Ｈは、無
定形であるため、ハローのみが現われ、回折パターンを
認めることができないが、ＪＬｃ−５ｉは、２θが２８
〜２８．５付近にある結晶回折パターンを示す、また多
結晶シリコンは暗抵抗が１０５Ω・Ｃｃｍであるのに対
し、ｐ、ｃ−３ｉは１ｏ　Ω・０ｍ以上の暗抵抗を有す
るように調整することができる。ｐ、、ｃ−５ｉは粒径
が約数十オングストローム以上である微結晶のシリコン
と非晶質シリコンとの混合相により形成されているもの
である。この発明では、このような１４．　Ｃ−Ｓ　ｉ
の炭素濃度の異なる（０である場合も含む）ものを交互
に積層して超格子構造とするものである。

ｇｃ−３ｉはａ−Ｓｉ：Ｈと同様に、高周波グロー放電
分解法により、シランガスを原料として導電性支持体ｌ
ｌ上に障壁層１２として成膜させることができる。その
場合、ａ−３ｉ：Ｈを形成する場合よりも支持体の温度
を高く設定し、高周波電力もａ−３ｔ：Ｈを形成すると
きよりも高く設定すると、ｇｃ−３ｉ：Ｈを形成しやす
くなる。また、支持体温度および高周波電力を高くする
ことにより、シランガス等の原料ガスの流量を増大させ
ることができ、その結果、成膜速度を速くすることがで
きる。また、原料ガスであるＳ　ｉ　Ｈ４、Ｓ　ｉ２　
Ｈ６等の高次のシラン類ガスを水素で稀釈したガスを使
用することにより、ｇｃ−Ｓｉ：Ｈをより高効率で形成
することができる。なお、炭素源としてメタン等の炭化
水素を原料中に添加すると、炭素を含むＩＬｃ−５Ｒ：
Ｃが形成される。

また、光導電層２２（ｐｃ−３ｆ　：　Ｃ，ｇｃ　−５
ｉ）をｐ型またはｎ型とすることによって、支持体１１
側から光導電層２２へ電荷が移動することを防止するこ
とができる。ｐ−ｃ−３ｉ：Ｃをｐ型とするためには周
ｗＩ率表第ＩＩＩ族に属する元素例えば、ホウ素Ｂ、ア
ルミニウムＡ１．ガリウムＧａ、インジウムＩｎ、タリ
ウムＴＩ等をドープする。また、ａ−３ｔ：Ｈをｎ型と
するためには、周期率表第Ｖ族に属する元素例えば、窒
素Ｎ、リンＰ、ヒ素ＡＳ、アンチモンｓｂ、ビスマスＢ
ｉ等をドープする。

第２図に示す超格子構造において、薄膜３１として光学
的バンドギャップが１．６５ｅＶＩ７１４ｃｍＳｉ：Ｃ
を′用い、ＦＭ膜３２として光学的バンドギャップが１
．５ｅＶのｇｃ−５ｉを用いた場合、そのエネルギーバ
ンド図は、第３図に示すようになる。このバンド図にお
いて、光学的バンドギ＋　７ブが１　、６５　ｅＶノｐ
ｃ−３ｉ　：　Ｃがポテンシャルのバリアとなり、光学
的バンドギャップ力１　、５　ｅ　Ｖのｇｃ−５ｔがポ
テンシャルの井戸を形成する。

このように光学的バンドギャップが相互に異なる薄膜３
１　、３２を積層することによって、光学的バンドギャ
ップの大きさ自体にかかわりなく、光学的バンドギャッ
プが小さい層を基準にして光学的バンドギャップが大き
い層がバリアとなる周期的なポテンシャルバリアを有す
る超格子構造が形成される。この超格子構造においては
、バリアＮ層は極めて薄いので、キャリアはトンネル効
果によりバリアを通過して超格子構造中を走行する。ま
た、このような超格子構造においては、光の入射により
発生するキャリア数が多く、光感度が高くなる。なお、
超格子構造の＃１層のバンドギヤー２プと層厚を変更す
ることによって、ヘテロ接合超格子構造を有する層のみ
かけのバンドギャップを自由に調整することができる。

再び、第１図に戻ると、障壁層１２は、支持体１１と電
荷発生層２２との間の電荷の流れを抑制することにより
、感光体表面における電荷の保持機部を高め、もって感
光体の帯電壱を高めるものである。

障壁層１２はａ−５ｉ：Ｈまたはｇｃ−３ｉ：Ｈで形成
することができる。

障壁層１２を７ｚｃ−５ｔ：Ｈ，ａ−３ｔ　：Ｈ（１）
いずれで形成する場合でも、カールソン方式においては
、感光体表面を韮帯電させる場合には、支持体！■側か
ら光導電層へ電子が注入されることを防止するために、
障壁層１２をｐ型とする。また、感光体表面を負帯電さ
せる場合には、支持体１１側から光導電層へ正孔が注入
されることを防上するために、障壁層１２をｎ型とする
。さらに、障壁Ｍ１２として、絶縁性の高いものを用い
ることもできる。

障壁層１２をｐ型またはｎ！！！にするには、光導電層
をｐ型またはｎ型とする場合と同様の不純物をドープす
ればよい、また、障壁層１２を高抵抗の絶縁性の高いも
のとするには、炭素、窒素および（または）酸素を添加
すればよい。

障壁層１２の厚さは、１００Ａないし１０ｐｍであるこ
とが好ましい。

電荷発生層２２の上には、表面層！４が形成されている
。電荷発生ＦＦ＋２２を構成する用ｃ−Ｓｉ、トＣ−５
ｉ：Ｃは、その屈折率が３〜３．４と比較的大きいため
１表面における光反射が起やすい、このような光反射が
生じると、電荷発生層２２に吸収される光量の割合が低
下し、光損失が大きくなる。それ故、表面層１４を設け
て光の反射を防止することが好ましい、この表面層１４
は、電荷発生層２２を損傷から保護するものでもある。

また、この表面層１４を形成することにより、帯電１爺
が向上し１表面に電荷がよくのるようになる。

表面層１４を形成する材料としては、ａ−５ＬＮ：Ｈ（
窒素および水素を含有するアモルファスシリコン）、ａ
−ＳｉＯ：Ｈ（酸素および水素を含有スるアモルファス
シリコン）、ａ−５ｉＣ：Ｈ（炭素および水素を含有す
るアモルファスシリコン）等の無機材料、あるいはポリ
塩化ビニル、ポリアミド等の有機材料がある。

上記第１図に示す実施例に係る電子写真感光体の表面を
コロナ放電により約５００ｖの正電圧で帯電させると、
第４図に示すようなポテンシャルバリアが形成される。

この感光体に光（ｈν）が入射すると、電荷発生層２２
の超格子構造において電子と正孔のキャリアが発生する
。この伝導帯の電子は、感光体中の電界により、表面層
１４に向けて加速され、正孔は導電性支持体１１側に向
けて加速される。この場合に、光学的バンドギャップが
異なる薄層の境界で発生するキャリアの数は、バルクで
発生するキャリアの数よりも極めて多い。

このため、この超格子構造においては、光感度が高い、
またポテンシャルの井戸層においては、量子効果のため
、超格子構造でない単一層の場合と比べて、キャリアの
寿命が５〜ｌＯ倍長くなる。

さらに、超格子構造においては、バンドギャップの不連
続性により、周期的なバリア層が形成されるが、キャリ
アはトンネル効果により容易にバリア層を通り抜けるの
で、キャリアの実効移動度はバルクにおける移動度と同
等であり、キャリアの走行性が優れている。

以上のように、光学的バンドギャップが異なるＦＪ層を
ａ層した超格子構造によれば、高光導電特性を得ること
ができ、従来の感光体よりも鮮明な画像を得ることがで
きる。

第５図は、この発明の電子写真感光体をグロー放電によ
り製造するための装置を示している。ガスボンベ４１．
４２．４３．４４には、例えば、シランＳ　ｉ　Ｈ４、
ジポランＢ２Ｈ６，水素、メタンがそれぞれ収容されて
いる。これらガスボンベ内のガスは、流量調整用のバル
ブ４６および配管４７を介して混合器４８に供給される
。各ボンベには、圧力計４５が設置され、この圧力計４
５を監視しつつバルブ４６を調整することにより、混合
器４８に供給する各ガスの流量および混合比をｍ箇する
。混合器４８によって混合された混合ガスは、反応容器
４３に導入される。

反応容器４８の底部５１には、回転軸５０が鉛直方向の
回りに回転可能に取りつけられており、この回転軸５０
の上端に、円板状の支持台５２がその面を回転軸５０に
垂直に向けて固定されている。また、反応容器４９内に
は、円筒状の電極５３がその軸中心を回転軸５０の軸中
心と一致させて底部５１上に設置されている。感光体と
してのドラム基体５４が支持台５２上にその軸中心を回
転軸５０の軸中心と一致させてａｉされいる。ドラム基
体５４の内側には、ドラム基体加熱用のヒータ５５が配
設されている。電極５３とドラム基体５４との間には高
周波電源５Ｂが接続されており、電極５３とドラム基体
１４との間に高周波電流を供給する６回転軸５０はモー
タ５８により回転駆動される０反応容器４９は、ゲート
バルブ５８を介して真空ポンプ等の排気手段に連結され
、反応容器４９の圧力は、圧力計５７により監視される
。

この装置により感光体を製造するには、反応容器４８内
にドラム基体５４を設置した後、ゲートバルブ５８を開
にして反応容器４ｓ内を約０　、　ｉ　Ｔｏｒｒ以下の
圧力に排気する。ついで、ボンベ４１，４２，４３゜４
４から所要のガスを所定の混合比で混合して反応容器４
９内に導入する。この場合、反応容器４Ｓ内に導入する
ガス流量は反応容器４θ内の圧力が０６１〜１Ｔｏｒｒ
になるように設定する０次に、モータ５８を駆動してド
ラム基体５４を回転させ、ヒータ５５によりドラム基体
５４を一定の温度に加熱するとともに高周波電源５６に
より電極５３とドラム基体５４との間に高周波電流を供
給して両者間にグロー放電を形成する。これによりドラ
ム基体上にｐｃ−３ｔが堆積する。なお、原料ガス中に
Ｎ２０、ＮＨ３、Ｎｏ２　、Ｎ２．ＣＨ＋、ＣＨ，０２
，ガス等をΣ＋添加することによって、窒素、酸素および（または）炭
素を所要の膜中に含有させることができる。

このように、この発明に係る電子写真感光体は、クロー
ズドシステムの製造装置を用いて製造することができる
ため、人体に対して安全である。

以下に、この発明に係る電子写真感光体を作製し、電子
写真特性を試験した結果を示す。

試験例　ｌ必要に応じて、干渉防止のために酸処理、アルカリ処理
およびサンドブラスト処理を施して直径８０ｍｍ・幅３
５０　ｍ　ｍのアルミニウム製ドラム基体を反応容器内
に設置した後、反応容器を約１０−ゞＴｏｒｒの真空度
に排気した。ドラム基体を３５０℃に加熱し、１０ｒｐ
ｍで自転させつつ、シランガスを５００ＳＣＣＭ、ジポ
ランガスをシロランガスに対する！ｉ量比でｌＯ、およびメタンガスを
１１００５ＣＣの流量で反応容器内に導入し、反応容器
内をｌτｏｒｒに調節した。ついで、１３．５６ＭＨｚ
の高周波電力を印加してプラズマを生起させ、ｐ型のａ
−ＳｉＣ：Ｈ障壁層を形成した。

ｑ次に、ジポラン／シラン比を１０　　、　　メタンガス
をＯに設定し、５００Ｗの高周波電力を投入して厚さ２
０ｇｍのｉ型ａ−３ｉ：Ｈ電荷輸送層を形成した。

その後、′放電を一旦停止し、シランガスを１１００５
ＣＣ、メタンガスを２ＳＣＣＭおよび水素ガスを１２０
０３Ｃ−ＣＭの割合で導入し、圧力を１　、８Ｔｏｒｒ
に調節し、１．２ＫＷの高周波電力を印加して厚さが５
ＯＡのｐ−ｃ−Ｓｉ：Ｃ（結晶化度６０％、結晶粒径３
０Ａ）薄層を形成した。ついで、電力を印加したままメ
タンガスを５ＳＣＣＭに上げて厚さ５０Ａのｇｃ−３ｔ
：Ｃ（結晶化度７０％、結晶粒径４０Ａ）薄層を形成し
た。この操作を繰返して、各薄層２５０層ずつをそれぞ
れ交互に積層してヘテロ接合超格子構造の電荷発生層を
５ｇｍの厚さに形成した。最後に、厚さ０．１弘ｍのａ
−Ｓｉ：Ｃ表面層を形成した。

こうして得た感光体表面を約５ｏｏｖで正帯電させ、白
色光を露光すると、この光は電荷発生層で吸収され、電
子・正孔対のキャリアが発生する。この試験例において
は、多数のキャリアが発生し、キャリアの寿命が長く、
高い走行性が得られた。これにより、鮮明で高品質の画
像が得られた。また、この試験例で製造された感光体を
鰻返し帯電させたところ、転写画像の再現性および安定
性は極めて良好であり、さらに、耐コロナ性、耐湿性お
よび１１Ｐｊ耗性等の耐久性が優れていることが実証さ
れた。

また、」二足感光体は、半導体レーザの発振波長である
７８０〜７９０ｎｍの長波長光に対しても高い感度を有
する。この感光体を半導体レーザプリンタに搭・成して
カールソンプロセスにより画像を形成したところ、感光
体表面の露光量が２５２層ｇｃｌＩＺである場合でも、
鮮明で高解像度の画像を得ることができた。

さらに、白色光の場合と同様、この感光体を繰返し帯電
させたところ、転写画像の再現性および安定性は極めて
良好であり、さらに、耐コロナ性、耐湿性および耐摩耗
性等の耐久性が優れていた。

試験例　２この試験例においては、障壁層としてｐ型ルＣ−５ｉ：
Ｃを用いた以外は試験例１と同様の感光体を作製−した
、ｐ！１終ｃ−５ｉ：Ｃは、シランガスを１１００５Ｃ
Ｃ、水素ガスを１５００ＳＣＣＭ、メタンガスを２０３
　ＣＣＭ、ジポラン／シラン比を１ｘｌＯとなるように
導入し、１　、５　Ｔｏｒｒの圧力下、１．２ＫＷの高
周波電力を印加して厚さ０　、５　ｇｍの薄層とした。

この薄層の結晶化度が６５％であり、結晶粒径は７０Ａ
であった。

この感光体を複写機およびレーザプリンタに搭載して画
像を形成させたととる、いずれの場合も鮮明で高解像度
の画像が得られた。さらに、繰返し帯電させたところ、
いずれの場合の画像の再現性および安定性が高く耐コロ
ナ性、耐湿性および＃摩耗性などの耐久性も優れている
ことが実証された。

なお、上記の各試験例では電荷発生層の厚さを５μｍと
したが、これに限らず、ｌまたは３ｐｍ等に設定しても
感光体として実用可能である。ＦＪ層は、上記試験例の
ものに限らないこと！±勿論である。また、８Ｒの種類
は、上記試験例のように２種類に限らず、３種類以上の
薄層を積層してもよく、要するに、光学的バンドギャッ
プが異なる薄層の境界を形成すればよい。

［発明の効果］以上詳述したように、この発明の電子写真感光体におい
ては、電荷発生層の一部または全部に、光学的バンドギ
ャップが相互に異なる薄層を薄層して構成される超格子
構造を使用しているので、可視光から近赤外の広い波長
領域にわたって高感度であり、キャリアの走行性が高い
とともに、高抵抗で帯電特性が優れる等顕著な効果を得
ることができる。特に、この発明においては、薄層を形
成する材料を適宜組合せるとこにより、任意の波長帯の
光に対して最適の光導電特性を有する感光体を得ること
ができる利点がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は、この発明の一実施例に係る電子写真感光体を
示す断面図、第２図は、第１図の一部を拡大して示す断
面図、第３図は、超格子構造のエネルギーバンドを示す
図、第４図は感光体のエネルギーバンドンプを示す模式
図、第５図は、この発明の電子写真感光体を製造するた
めの装置の一例を示す図。１１・・・導電性支持体、１２・・φ障壁層。！３會・−光導電層、１４・・・表面層、２！・・Φ電
荷輸送層、２２・・１１電荷発生層。３１．３２ｍｍａＩＬｃ−５ｉ：Ｃ薄層出願人代理人　
弁理士　　鈴　江　武　金弟１図第２図第３図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）導電性支持体と、電荷発生層および電荷輸送層に
よって構成された光導電層とを有する電子写真感光体に
おいて、前記電荷輸送層はケイ素を母体とした非晶質材
料からなり、前記電荷発生層はケイ素を母体とし、その
少なくとも一部が微結晶化した半導体層を積層して構成
され前記半導体層の少なくとも一方が炭素を含むことを
特徴とする電子写真感光体。
（２）前記電荷発生層を構成する半導体層がそれぞれ３
０〜５００Ａの厚さを有することを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の電子写真感光体。
（３）前記電荷輸送層は炭素を含むことを特徴とする特
許請求の範囲第１項または第２項記載の電子写真感光体
。
（４）前記支持体と前記光導電層との間に、ケイ素を母
体とした非晶質層または少なくとも一部が微結晶化した
半導体層からなる障壁層を有する特許請求の範囲第１項
ないし第３項のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
（５）前記光導電層は、周期率表第III族または第Ｖ族
に属する元素から選択された少なくとも一種の元素を含
有することを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第
３項のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
（６）前記障壁層は、周期率表第III族または第Ｖ族に
属する元素から選択された少なくとも一種の元素を含有
することを特徴とする特許請求の範囲第４項記載の電子
写真感光体。
（７）前記障壁層は炭素、酸素、窒素のうち少なくとも
一種の元素を含有することを特徴とする特許請求の範囲
第４項または第６項記載の電子写真感光体。
（８）前記光導電層の上に表面層が形成されていること
を特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第７項のいず
れか１項に記載の電子写真感光体。