JPS6383727A

JPS6383727A - 電子写真感光体

Info

Publication number: JPS6383727A
Application number: JP22799486A
Authority: JP
Inventors: Hideji Yoshizawa; 吉澤　秀二; Tatsuya Ikesue; 龍哉池末
Original assignee: Toshiba Corp; Toshiba Intelligent Technology Co Ltd
Current assignee: Toshiba Corp; Toshiba Intelligent Technology Co Ltd
Priority date: 1986-09-29
Filing date: 1986-09-29
Publication date: 1988-04-14

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［発明の目的］（産業上の利用分野）この発明は、帯電特性、暗減衰特性、光感度特性および
耐環境特性等に優れた電子写真感光体に関する。

（従来の技術）水素Ｈを含むアモルファスシリコン（以下。

ａ−Ｓｉ：Ｈという）は、近年光電変換材料として注目
されており、太陽電池、薄膜トランジスタ、およびイメ
ージセンサ等のほか、電子写真プロセスの感光体にも応
用されている。

電子写真感光体としてのａ−３ｔ二Ｈは、下記のような
特長を有しているため、従来広く使用されてきた電子写
真感光体の光導電層構成材料すなわち、ＣｄＳ、ＺｎＯ
１ＳｅもしくはＳｅ−Ｔｅ等の無機材料や、ポリ（Ｎ−
ビニルカルバゾール（ＰＶＣｚ）もしくはトリニトロフ
ルオレノン（ＴＮＦ）等の無機材料に代る電子写真プロ
セスの感光体として注目されている。

ａ−３ｉ：Ｈの第１の特長は、これが無公害物質である
ため、前記の無機および有機材料のように回収処理の必
要がないことである。

第２の特長は、可視光領域で高い分光感度を有し、また
表面硬度が高く耐摩耗性および耐衝撃性が優れている等
の利点を有していることである。

このような特長を有するａ−５ｆ：Ｈは、カールソン方
式（ゼログラフィ一方式）による感光体として検討が進
められている。この場合、感光体には光感度が高いこと
ばかりでなく、表面電荷を充分に保持できる高い抵抗が
髪束されるが、この両特性を単一のａ−Ｓｉ：Ｈ構造で
満足させることは困難である。このため、ａ−Ｓｔ：Ｈ
光導電層と導電性支持体との間に障壁層を設け、かつ光
導電層上に表面電荷保持層を設けた積層型の構造とする
ことによって電荷保持能力を高め、上記の裳求を満足さ
せる手段が採用されている。

（発明が解決しようとする問題点）通常、ａ−Ｓｔ＋ＨＩ＆！はシラン系ガスを使用したグ
ロー放電分解法により形成され、その際に膜中に取り込
まれる水素によってシリコンのダングリングボンドが飽
和される。従って、取り込まれる水素量の多少によって
電気的および光学的特性が大きく変動する。

すなわち、ａ−３ｉ：Ｈ膜に取込まれる水素の量が多く
なると、ダングリングボンドの飽和度が高くなって光学
的バンドギャップが大きくなる。

これはａ−５ｉ：Ｈの抵抗を高くする反面、長波長光に
対する光感度を低下させるため、例えば長波長の半導体
レーザ光源を搭載したレーザビームプリンタに使用する
のは困難となる。また、ａ　−Ｓｉ　：Ｈ膜中の水素含
量が過剰になると、成膜条件によっては５ｉ−５ｉ結合
の開裂を伴なって膜中の大部分に（ＳｉＨ２，）ｎおよ
びＳ　ｉ　Ｈ２等の結合構造が形成されることがある。

これはボイドの増加をもたらし、また新たなシリコンダ
ングリングボンドを生成させるため、光導電特性が劣化
し、電子写真感光体として使用不爺になってしまう。

逆に、ａ−５ｉ：Ｈ膜中に取込まれる水素の量が低下す
ると、光学的バンドギャップは小さくなる。このため抵
抗は小さくなってしまうが、長波長に対する光感度は増
加する。また、シリコンダングリングボンドが飽和され
ずに残留するから。

発生するキャリアの移動度が低下し、キャリア寿命が短
くなる。そのため、光導電特性が劣化し。

電子写真感光体としては使用し難いものとなる。

上記のように、電子写真感光体の光導ＩＴ！層を単一の
ａ−３ｉ：Ｈ層のみで構成した場合、ａ−３ｉ：ＨＩＩ
Ｉ２の製造条件によって特性が大きく変化し、望ましい
特性が得られないとう問題がある。

この発明は、上記コ１９情に鑑みてなされたものであっ
て、帯電俺が優れており、残留電位が低く、近赤外領域
までの広い波長領域にわたって感度が高く、基板との密
着性が良好で、耐環境性に優れた電子写真感光体を提供
することを目的とする。

［発明の構成］（問題点を解決するための手段）本発明者らは、種々検討を重ねた結果、感光体の少なく
とも一部に、相互に光学的バンドギャップの異なる厚さ
〜５００Ａの薄い半導体層を交互に積層したヘテロ接合
超格子構造を使用することによって上記の目的を達成で
きることに想到し、この発明に至ったものである。

すなわち、この発明の電子写真感光体は、導電性支持体
と、光導電層とを有する電子写真感光体において、前記
光導電層はその少なくとも一部が、光学的バンドギャッ
プが相互に異なりかつ厚さが３０〜５００Ａである２種
以上の半導体層を蹟層して構成されていることを特徴と
し、ヘテロ接合超格子構造を構成する半導体層として水
素含量が異なるａ−Ｓｉ：Ｈを用いるものである。

′　　この発明は、光導電層が電荷発生層と電荷輸送層
とを有する機箭分離型のものも含み、その場合、電荷発
生層の少なくとも一部の領域を上記超格子構造とする。

（作用）この発明の電子写真感光体における光導電層の超格子構
造は、光学的バンドギャップが小さい層を基準として光
学的バンドギャップが大きい層がバリアとなる周期的な
ポテンシャルバリアを有する超格子構造となっている。

この超格子構造においては、バリア薄層が極めて薄いの
で、キャリアはトンネル効果によりバリアを通過して超
格子構造中を走行する。また、このような超格子構造に
おいては、光の入射により発生するキャリアの数が多い
、このようなことから、この領域では発生したキャリア
の寿命が長く、移動度も大きくなり、電子写真感光体の
感度は著しく向上する。

（実施例）第１図は゛、この発明の一実施例に係る電子写真感光体
の断面図を示している。この電子写真感光体は、通常ア
ルミニウム製のドラムで構成される導電性支持体１１を
備えている。

支持体１１の表面には、障壁ｙＦｊ１２が形成され、こ
の障壁層の上には以後説明する超格子構造をとる光導電
層１３が形成されている。光導電層１３の上には表面層
１４が形成されている。光導電層１３は、光の入射によ
りキャリアを発生し、このキャリアは一方の極性のもの
が感光体表面の帯電電荷と中和し、他方の極性のものが
光導電層１３内を支持体１１まで走行する。

第２図は、この発明の他の実施例に係る電子写真感光体
の断面図を示している。この電子写真感光体は、光導電
層２０が、障壁層１２の上に形成された電荷輸送層２１
およびその上に形成された電荷発生層２２からなること
以外は、第１図に示す電子写真感光体と同じ構成である
。この機能分離型光導電層２０において、電荷発生Ｍ２
２が超格子構造をとる。第２図に示す感光体おいては、
光の入射により電荷発生層２２でキャリアが発生し、こ
のキャリアの一方は電荷輸送層２１内を走行して支持体
１１まで到達する。

さて、第１図および第２図に示す実施例において、光導
電層１３および電荷発生層２２は、第３図にその断面を
拡大して示すように、膜厚がそれぞれ３０〜５００Ａで
相互に水素含量が異なる（したがって、光学的バンドギ
ャップが異なる）ａ−３ｉ　：Ｈ薄膜３１および３２を
交互に積層して構成されている。

光学的バンドギャップの高い薄膜（例えば薄膜３１）に
は、好ましくは２０〜４５原子％の水素を含有させ、光
学的バンドギャップの低い薄膜（例えば薄膜３２）には
、好ましくは１〜２５Ｍ子％の水素を含有させ、両者の
水素含量の差を約２０原子％とすることが望ましい、こ
のように水素を含有させることにより、シリコンダング
リングボンドも補償され、暗抵抗と明抵抗との調和がと
れ光導電特性も向上する。

このようなａ−３ｉ：Ｈ２Ｎ膜を形成するには、原料と
してＳｉＨ４やＳ　ｌ　２　Ｈ６等のシラン類ガスを反
応室に導入し、高周波によりグロー放電することにより
薄膜中に水素を添加することができる。必要に応じて、
水素またはヘリウムガスをシラン類のキャリアガスとし
て用いることができる。また、原料ガスとしてＳｉＦ＋
や５ｉＣ１十等のハロゲン化ケイ素ガスをシラン類ガス
とともに用いることもできる。なお、グロー放電分解法
以外に、スパッタリング等の物理的な方法を用いてもａ
−３ｔ：Ｈを形成できる。

また、ａ−３ｉ：ＨＱ膜をｐ型またはｎ型とすることに
よって、支持体１１側から光導電層へ電荷が移動するこ
とを防止することができる。ａ−５ｆ　：Ｈをか型とす
るためには周期率表第ＩＩＩ族に屈する元素例えば、ホ
ウ素Ｂ、アルミニウムＡＩ、ガリウムＧａ、インジウム
Ｉｎ、タリウムＴＩ等をドープする。また、ａ−Ｓｉ：
Ｈをｎ型とするためには、周期率表第Ｖ族に属する元素
例えば、窒素Ｎ、リンＰ、ヒ素Ａｓ、アンチモンｓｂ、
ビスマスＢｉ等をドープする。

また、ａ−５ｉ：Ｈに炭素、酸素、窒素のうちの少なく
とも一種を添加すると、光導゛准層の抵抗が増大し、表
面の電荷保持能力を高めることができる。このような元
素を添加するには、例えば、グロー放電によるａ−５１
：Ｈの成膜時に原料ガス中にＮ　　Ｏ，ＮＨ、ＮｏＺ、
Ｎ２．、ＣＨ＋、２．３Ｃ２Ｈ＋、０．ガス等を添加すればよい。

第３図に示す超格子構造において、薄膜３１として光学
的バンドギャップが１，７５ｅＶのａ　−Ｓｉ：Ｈ（水
素含量２０Ｍ子％）を用い、薄膜３２として光学的バン
ドギャップが１．６５ｅＶのａ−Ｓｉ：Ｈ（水素含量８
原子％）を用いた場合、そのエネルギーバンド図は、第
４図に示すようになる。このバンド図において、光学的
パンドギ＋−／プが１．７５　ｅＶのａ−Ｓｉ：Ｈがポ
テンシャルのバリアとなり、光学的バンドギャップが１
．６５ｅＶｃ７）ａ−３ｉ　：Ｈがポテンシャルの井戸
を形成している。

このように光学的バンドギャップが相互に異なる薄膜３
１　、３２を積層することによって、光学的バンドギャ
ップの大きさ自体にかかわりなく、光学的バンドギャッ
プが小さい層を基準にして光学的バンドギャップが大き
い層がバリアとなる周期的なポテンシャルバリアを有す
る超格子構造が形成される。この超格子構造においては
、バリア薄層は極めて薄いので、キャリアはトンネル効
果によりバリアを通過して超格子構造中を走行する。ま
た、このような超格子構造においては、光の入射により
発生するキャリア数が多く、光感度が高くなる。なお、
超格子構造の薄層のバンドギャップと層厚を変更するこ
とによって、ヘテロ接合超格子構造を有する層のみかけ
のバンドギャップをＩ］由に調整することができる。

古び、第１図および第２図に戻ると、障壁層１２は、支
持体１１と光導電層１３または電荷発生層２２との間の
電荷の流れを抑制することにより、感光体表面における
電荷の保持機能を高め、もって感光体の帯電１ｂを高め
るものである。

障壁層１２はａ−３ｉ：Ｈまたはマイクロクリスタリン
シリコン（以下、４ｃｍＳｉという）で形成することが
できる。４ｃｍＳｉは、以下のような物性上の特徴によ
りａ−５ｔ：Ｈおよび多結晶シリコンから明確に区別さ
れる。すなわち、Ｘ＆１回折測定においては、ａ−３ｉ
：Ｈは、無定形であるため、ハローのみが現われ、回折
パターンを認めることができないが、ｇｃ−５ｔは、２
θが２８〜２８．５付近にある結晶回折パターンを示す
、また多結晶シリコンは暗抵抗が１０５Ω・Ｃ１１であ
るのに対し、ｇｃ−３ｔは１０　Ω・ｃｍ以上の暗抵抗
を有するように調整することができる。

ｇｃ−３ｔは粒径が約数十オングストローム以上である
微結晶のシリコンと非晶質シリコンとの混合相により形
成されているものである。

ＡＬｃ−５ｉはａ−Ｓｉ：Ｈと同様に、高周波グロー放
電分解法により、シランガスを原料として導電性支持体
１１北に障壁層１２として成膜させることができる。そ
の場合、ａ−Ｓｉ：Ｈを形成する場合よりも支持体の温
度を高く設定し、高周波電力もａ−５ｉ：Ｈを形成する
ときよりも高く設定すると、ｐ−ｃ−５ｉ：Ｈを形成し
やすくなる。また、支持体温度および高周波電力を高く
することにより、シランガス等の原料ガスの魔斌を増大
させることができ、その結果、成膜速度を速くすること
ができる。また、原料ガスであるＳ　ｉ　Ｈ４。

Ｓｉ２Ｈ６等の高次のシラン類ガスを水素で稀釈したガ
スを使用することにより、４ｃｍＳｉ：Ｈをより高効率
で形成することができる。

障壁層１２をｐｃ−Ｓｉ１１（、ａ−３ｔ　：Ｈｃｌ）
いずれで形成する場合でも、カールソン方式においては
、感光体表面を正帯電させる場合には、支持体１１側か
ら光導電層へ電子が注入されることを防止するために、
障壁層１２をｐ型とする。また、感光体表面を負帯電さ
せる場合には、支持体１１側から光導電層哀正孔が注入
されることを防止するために、障壁層１２をｎ型とする
。さらに、障壁層１２として、絶縁性の高いものを用い
ることもできる。

障壁層１２をｐ型またはｎ型にするには、光導電層をＰ
型またはｎ型とする場合と同様の不純物をドープすれば
よい。また、障壁層１２を絶縁性の高いものとするには
、光導電層を高抵抗化する場合と同様に、炭素、窒素お
よび（または）酸素を添加すればよい。

障壁層１２の厚さは、１００ＡないしｌＯｐｍであるこ
とが好ましい。

光導電層１３または電荷発生層２２の上には、表面層１
４が形成されている。光導電層１３または電荷発生層２
２を構成するａ−５ｉ：Ｈは、その屈折率が３〜３．４
と比較的大きいため、表面における光反射が起やすい、
このような光反射が生じると。

光導電層１３または電荷発生層２２に吸収される光量の
割合が低下し、光損失が太きくなる。それ故、表面層１
４を設けて光の反射を防止することが好ましい、この表
面層１４は、光導電層１３または電荷発生層２２を損傷
から保護するものでもある。また、この表面層１４を形
成することにより、帯電箋が向上し、表面に電荷がよく
のるようになる。

表面層１４を形成する材料としては、ａ−５ｉ　Ｎ：Ｈ
（窒素および水素を含有するアモルファスシリコン）、
ａ−５ｆＯ：Ｈ（酸素および水素を含有スるアモルファ
スシリコン）、ａ−３ｉＣ：Ｈ（炭素および水素を含有
するアモルファスシリコン）等の無機材料、あるいはポ
リ塩化ビニル、ポリアミド等の有機材料がある。

第２図に示す実施例における電荷輸送層２１としては、
例えばａ−３ｉ：Ｈ等のように障壁Ｉｆ！１２および電
荷発生層２２との被着性が良好なものを用いる。その場
合、酸素、炭素および（または）窒素を添加して抵抗を
増大させ１表面電荷の保持能力を向上させることが好ま
しい。

上記実施例に係る電子写真感光体の表面をコロナ放電に
より約５００Ｖの正電圧で帯電させると、第２図に示す
機渣分離型の光導電層を有する電子写真感光体の場合に
は、第５図に示すようなポテンシャルバリアが形成され
る。この感光体に光（ｈν）が入射すると、電荷発生層
２２の超格子構造において電子と正孔のキャリアが発生
する。

この伝導帯の電子は、感光体中の電界により、表面層１
４に向けて加速され、正孔は導電性支持体ｌｌ側に向け
て加速される。この場合に、光学的バンドギャップが異
なる薄層の境界で発生するキャリアの数は、バルクで発
生するキャリアの数よりも極めて多い、このため、この
超格子構造においては、光感度が高い、またポテンシャ
ルの井戸層においては、量子効果のため、超格子構造で
ない単−層の場合と比べて、キャリアの寿命が５〜１０
倍長くなる。さらに、超格子構造においては、バンドギ
ャップの不連続性により、周期的なバリア層が形成され
るが、キャリアはトンネル効果により容易にバリア層を
通り抜けるので、キャリアの実効移動度はバルクにおけ
る移動度と同等であり、キャリアの走行性が優れている
。

以上のように、光学的バンドギャップが異なるａ−Ｓｉ
：Ｈ薄層を積層した超格子構造によれば、高光導電特性
を得ることができ、従来の感光体よりも鮮明な画像を得
ることができる。

第６図は、この発明の電子写真感光体をグロー放電によ
り製造するための装置を示している。ガスボンベ４１．
４２．４３．４４には１例えば、シランＳ　ｉ　Ｈ＋　
、ジポランＢ、２．Ｈ６、水素、メタンがそれぞれ収容
されている。これらガスボンベ内のガスは、！ｉ、量調
整用のバルブ４Ｂおよび配管４７を介して混合器４８に
供給゛“ｉ’ｙＡ、；る、各ボンベには、圧力計４５が
設δされ、この圧力計４５を監視しつつバルブ４６を調
整することにより、混合器４８に供給する各ガスの流量
および混合比を調節する。混合器４日によって混合され
た混合ガスは、反応容器４９に導入される。

反応容器４９の底部５１には１回転軸５０が鉛直方向の
回りに回転可能に取りつけられており、この回転軸５０
の上端に、円板状の支持台５２がその面を回転軸５０に
垂直に向けて固定されている。また、反応容器４９内に
は、円筒状の電極５３がその軸中心を回転軸５０の軸中
心と一致させて底部５１上に設首されている。感光体と
してのドラム基体５４が支持台５２上にその軸中心を回
転軸５０の軸中心と一致させて載ｔされいる。ドラム基
体５４の内側には、ドラム基体加熱用のヒータ５５が配
設されている。電極５３とドラム基体５４との間には高
周波電源５Ｂが接続されており、電極５３とドラム基体
１４との間に高周波電流を供給する０回転軸５０はモー
タ５８により回転駆動される０反応容器４９は、ゲート
バルブ５８を介して真空ポンプ等の排気手段に連結され
、反応容器４９の圧力は、圧力計５７により監視される
。

この装置により感光体を製造するには、反応容器４９内
にドラム基体５４を設置した後、ゲートバルブ５９を開
にして反応容器４８内を約０　、　ｌ　Ｔａｒｒ以下の
圧力に排気する。ついで、ボンベ４１，４２，４３゜４
４から所要のガスを所定の混合比で混合して反応容器４
９内に導入する。この場合、反応容器４９内に導入する
ガス流量は反応容器４９内の圧力が０．１〜ＩＴｏｒｒ
になるように設定する０次に、モータ５８を駆動してド
ラム基体５４を回転させ、ヒータ５５によりドラム基体
５４を一定の温度に加熱するとともに高周波電源５６に
より電極５３とドラム基体５４との間に高周波電流を供
給して両者間にグロー放電を形成する。これによりドラ
ム基体上にａ−３ｉ：Ｈが堆積する。なお、原料ガス中
にＮ２，０、Ｎ　Ｎ３、Ｎ０２、Ｎ２．、ＣＨ４、Ｃ２
Ｈ＋、０２．ガス等を添加することによって、窒素、酸
素および（または）炭素をａ−５ｔ：Ｈ中に含有させる
ことができる。

このように、この発明に係る電子写真感光体は、クロー
ズドシステムの製造装置を用いて製造することができる
ため、人体に対しで安全である。

以下に、この発明に係る電子写真感光体を作製し、電子
写真特性を試験した結果を示す。

試験例　ｌ必要に応じて、干渉防止のために酸処理、アルカリ処理
およびサンドブラスト処理を施して直径８０　ｍｍ、　
＠　３５０　ｍｍのアルミニウム製ドラム基体を反応容
器内に設置した後、反応容器を約１０　　Ｔｏｒｒの真
空度に排気した。ドラム基体を２５０℃に加熱し、１０
ｒｐｍで自転させつつ、シランガスを５００ＳＣＣＭ、
ジポランガスをシランガスに対する流量比で１０　　、
およびメタンガスをｉ１００５ｅｃの流量で反応容器内
に導入し、反応容器内をｌ　Ｔｏｒｒに調部した。つい
で、１３．５６ＭＨｚの高周波電力を印加してプラズマ
を生起させ、ｐ型のａ−３ｉＣ：Ｈ障壁層を形成した。

次に、ジポラン／シラン比を１０−７、メタンガスをＯ
に設定し、５００Ｗの高周波電力を投入して厚さ２０ｇ
ｍのｉ型ａ−Ｓｉ：Ｈ電荷輸送層を形成した。

その後、放電を一旦停止し、８００Ｗの高周波電力を印
加して厚さが５ＯＡで光学的バンドギヤーｙプが１．６
５ｅＶのａ−Ｓｔ：Ｈ薄層を形成した。ついで、シラン
ガス流量が５００ＳＣＣＭ、ジポラン／シランが１０−
となるように設定し、５００Ｗの高周波電力を印加して
、厚さが５ＯＡで光学的バンドギャップが１．７５ｅＶ
のａ−３ｉ：Ｈ薄層を形成した。この操作を繰返して、
各ａ−Ｓｉ：Ｈ薄層２５０層ずつをそれぞれ交互に積層
してヘテロ接合超格子構造の電荷発生層を５ＪＬｍの厚
さに形成した。最後に、厚さ０．５ＪＬｍのａ−５ｉＣ
：Ｈ表面層を形成した。

こうして得た感光体表面を約５００■で正帯電させ、白
色光を露光すると、この光は電荷発生層で吸収され、電
子・正孔対のキャリアが発生する。この試験例において
は、多数のキャリアが発生し、キャリアの寿命が長く、
高い走行性が得られた。これにより、鮮明で高品質の画
像が得られた。また、この試験例で製造された感光体を
繰返し帯電させたところ、転写画像の再現性および安定
性は極めて良好であり、さらに、耐コロナ性、耐湿性お
よび耐摩耗性等の耐久性が優れていることが実証された
。

また、上記感光体は、半導体レーザの発振波長である７
８０〜７９０ｎｍの長波長光に対しても高い感度を有す
る。この感光体を半導体レーザプリンタに搭載してカー
ルソンプロセスにより画像を形成したところ、感光体表
面の露光量が２５ｅｒｇｃｖ１２である場合でも、ｇ明
で高解像度の画像を得ることができた。

さらに、白色光の場合と同様、この感光体を繰返し帯電
させたところ、転写画像の再現性および安定性は極めて
良好であり、さらに、耐コロナ性、＃湿性および耐摩耗
性等の耐久性が優れていた。

なお、上記の例では電荷発生層の厚さを５７Ｌｍとした
が、これに限らず、■または３＃Ｌｍ等に設定しても感
光体として実用可能である。薄層は。

上記試験例のａ−５ｉ：Ｈに限らないことは勿論である
。また、薄層の種類は、上記試験例のように２種類に限
らず２３種類以上の薄層を薄層してもよく、要するに、
光学的バンドギャップが異なるＥＩ層の境界を形成すれ
ばよい。

［発明の効果］以上詳述したように、この発明の電子写真感光体におい
ては、光導電層の一部または全部に。

光学的バンドギャップが相互に異なる薄層を薄層して構
成される超格子構造を使用しているので。

可視光から近赤外の広い波長領域にわたって高感度であ
り、キャリアの走行性が高いとともに、高抵抗で帯電特
性が優れる等顕著な効果を得ることができる。特に、こ
の発明においては、薄層を形成する材料を適宜組合せる
とこにより、任意の波長帯の光に対して最適の光導電特
性を有する感光体を得ることができる利点がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は、この発明の一実施例に係る電子写真感光体を
示す断面図、第２図は、この発明の他の実施例に係る電
子写真感光体を示す断面図、第３図は、第１図および第
２図の一部を拡大して示す断面図、第４図は、超格子構
造のエネルギーバンドを示す図、第５図は感光体のエネ
ルギーギャップを示す模式図、第６図は、この発明の電
子写真感光体を製造するための装置の一例を示す図。１１・−・導電性支持体、　１２・・・障壁層、１３・
壽・光導電層、　１４・・・表面層、２１・・パ電荷輸
送層、２２・・・電荷発生層、３１．３２＊　ｅ　・ａ
−５ｉ　：Ｈ薄層出願人代理人　弁理士　　鈴　江　武
　金弟１図第２図第３図第４図第５図Ｎ　　　　　　Ｉｆ）

Claims

【特許請求の範囲】

（１）導電性支持体と、光導電層とを有する電子写真感
光体において、前記光電層はその少なくとも一部が、厚
さが３０〜５００Ａであり水素含量が異なるアモルファ
ルシリコンを交互に積層して構成されていることを特徴
とする電子写真感光体。
（２）前記光導電層は炭素、酸素、窒素のうち少なくと
も一種の元素を含有することを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の電子写真感光体。
（３）前記光導電層は、周期率表第III族または第Ｖ族
に属する元素から選択された少なくとも一種の元素を含
有することを特徴とする特許請求の範囲第１項または第
２項記載の電子写真感光体。
（４）前記光導電層と支持体との間に障壁層が介挿され
、さらに前記光導電層上に表面層が形成されていること
を特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第３項のいず
れか１項に記載の電子写真感光体。