JPS6373263A - 電子写真感光体 - Google Patents

電子写真感光体

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JPS6373263A
JPS6373263A JP21844986A JP21844986A JPS6373263A JP S6373263 A JPS6373263 A JP S6373263A JP 21844986 A JP21844986 A JP 21844986A JP 21844986 A JP21844986 A JP 21844986A JP S6373263 A JPS6373263 A JP S6373263A
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JP
Japan
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layer
photoconductive layer
electrophotographic photoreceptor
photoconductive
crystallinity
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Application number
JP21844986A
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English (en)
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Hideji Yoshizawa
吉澤 秀二
Tatsuya Ikesue
龍哉 池末
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Toshiba Corp
Toshiba Intelligent Technology Co Ltd
Original Assignee
Toshiba Corp
Toshiba Intelligent Technology Co Ltd
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Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Toshiba Intelligent Technology Co Ltd filed Critical Toshiba Corp
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Publication of JPS6373263A publication Critical patent/JPS6373263A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/08Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
    • G03G5/082Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
    • G03G5/08214Silicon-based
    • G03G5/08264Silicon-based comprising seven or more silicon-based layers

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明はシリコンを光導′F11mに用いた耐環境性の
良好な電子写真感光体に関し、特に帯電特性、暗減衰特
性および光感度特性等を改善した電子写真感光体に係る
(従来の技術) 水IHを含有するアモルファスシリコン(以下、a−3
i:@と略す)は、近年光電変換材料として注目されて
おり、太陽電池、薄膜トランジシスタ、およびイメージ
センサ等の外、電子写真プロセスの感光体にも応用され
ている。
電子写真感光体としてのa−8i:@は下記のような特
長を有しているため、従来広く使用されて来た電子写真
感光体の光導電層構成材料、即ちCdS、ZnO,Se
、若しくは5e−Te等の無線材料や、ポリ−N−ビニ
ルカルバゾール(PVCz)若しくはトリニトロフルオ
レノン(TNF)等の有機材料に代る電子写真プロセス
の感光体として注目されている。
第一の特長は、a−3i  :Hが無公害物質であるた
め、前記の無は材料および荷載0籾のように回収処理の
必要がないことである。
第二の特長は、可視光領域で高い分光感度を有し、また
表面硬度が高く耐摩耗性および耐雨撃性が浸れている等
の利点を有してことである。
上記特長を有するa−8t:@は、カールソン方式(ゼ
ログラフィ一方式)による感光体とじて検討が進められ
ている。この場合、感光体には光感度が高いことのみな
らず、表面電荷を充分に保持できる高い抵抗が要求され
るが、この両特性をa−3i  :)lの単一膜構造で
満足させることは困難である。このため、a−3i:日
光導電層と導電性支持体との間に障壁層を設け、且つ光
導電層上に表面電荷保持層を設けた積層型の構造とする
ことによって電荷保持能力を高め、上記の要求を満足さ
せる手段が採用されている。
(発明が解決しようとする問題点) 通常の場合、上記のa−Si:HFIはシラン系ガスを
使用したグロー放電分解法により形成され、その際に膜
中に取り込まれる水素によってシリコンのダングリング
ボンドが飽和される。従って、取込まれる水素量の差に
よって電気的および光学的特性が大きく変動する。
即ち、a−3i:H膜に浸入する水素の伍が多くなると
、ダングリングボンドの飽和度が高くなって光学的バン
ドギャップが大きくなる。これはa−3i:Hの抵抗を
高くする反面、長波長光に対する光感度を低下させるた
め、例えば長波長の半導体レーザ光源を搭載したレーザ
ビームプリンタに使用するのは困難となる。また、 a−3i:H膜中の水素含有伍が過剰になると、成膜条
件によってはS l−3i結合の開裂を伴って膜中の大
部分に(SiH2)rL及びSiH2等の結合構造が形
成されることがある。これはボイドの増加をもたらし、
また新たなシリコンダングリングボンドを生成させるた
め、光導電特性が劣化し、電子写真感光体として使用不
能になってしまう。
逆にa−3i:H中に取込まれる水素の巳が低下すると
、光学的バンドギャップは小さくなる。
このため抵抗は小さくってしまうが、長波長光に対する
光感度は増加する。また、シリコンダングリングボンド
が飽和されずに残留するから、発生するキャリアの移動
度が低下し、キャリア寿命が短くなる。そのため光5s
電特性が劣化し、電子写真感光体としては使用し隷いも
のとなる。
上記のように、電子写真感光体の光導電層を単一のa−
sr  sH届のみで構成した場合、a−3i:H膜の
製造条件によって特性が大きく変化し、望ましい特性が
得られない問題がある。
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、a−3i:
H感光体と同様に基板との密着性およびn1環境性に優
れると共に、帯電能に優れ、残留電位が低く、しかも近
赤外領域までの広い波長領域に亙って感度が高い電子写
真感光体をj?供することを課題とするものである。
[発明の構成〕 (問題点を解決するための手段) 発明者は種々研究を重ねた結果、感光体の少なくとも一
部に、相互に光学的バンドギャップが異なる厚さ30〜
500人の薄い半導体層を積層したヘテロ接合超格子構
造を使用することによって上記の課題を達成できること
に想到し、本発明に至ったものである。
即ち、本発明による電子写真感光体は、導電性支持体と
、光導電層とを有する電子写真感光体において、前記光
導電層は、その少なくとも一部が光学的バンドギャップ
が相互に異なり且つ厚みが30〜500人である二種以
上の半導体層を積層して構成されていることを特徴とす
るもので、ヘテロ接合超格子を構成する前記半導体層と
して結晶化度の異なるマイクロクリスタリンシリコン(
μc−8i)を用いる。
上記μC−3iは、粒径が約数十オンゲストロムの微結
晶シリコンと非晶質シリコンとの混合層により形成され
ているものと考えられ、以下のような物性上の特徴を有
している。第一に、XP;A回折測定では2θが28〜
28.5″付近にある結晶回折パターンを示し、ハロー
のみが現れる無定形のa−3iから明確に区別される。
第二に、μc−8tの暗抵抗は1010Ω・α以上に調
整することができ、暗抵抗が1050・cmのポリクリ
スタリンシリコンからも明確に区別される。
更に、μc−8iは結晶化度によって光学的バ・pt ンドギャップ(Eo   )が異なり、結晶化度が・p
t 増加するとEa   は減少する。従って、結晶化度の
異なるμc−8i薄層の組合せによって超格子構造を形
成することができる。
本発明におけるμc−3iは、所要旦の水素を添加する
ことによりμC−8i:Hとして使用するのが望ましい
。これによりμc−8iのEo’Ptを調整でき、また
シリコンのダングリングボンドが補償されるため暗抵抗
と明抵抗との調和がとれ、光+9711f特性を向上で
きる。また、μc−8iのEa”ptを調整するために
、必要に応じて炭素、酸素、窒素のうちの少なくとも一
種の元素を含有させてもよい。
なお、実際のμc−8ii!は、製造条件等の具体的な
要因によって弱いP型またはN型を帯びることが多い(
特にN型になり易い)。そこで、超格子構造を形成する
ために必要なI型とするために、夫々逆の導電型を有す
る不純物を軽くドープして前記のP型またはN型を打消
すのが望ましい。
(作用) 本発明の電子写真感光体では、光導電層に前記超格子構
造が設けられているため、この領域では発生したキャリ
アの寿命が長く、移a度も太きくなる。その理論につい
ては未だ充分に確立しているとは言えないが、超格子構
造に特長的な周期的井戸型ポテンシャルによるH子効果
であることは疑いがなく、これは特に超格子効果といわ
れる。
こうして光s電iでのキャリアの移動度が大きくなり、
またキャリアの寿命が長くなることによって電子写真感
光体の感度は著しく向上することになるが、その詳細に
ついては後述する通りである。
また、μc−3iに炭素、M素、窒素のうちの少なくと
も一種を含有させた場合には、前記のようにバンドギャ
ップを調整するだけでなく、光導電層の抵抗を増大して
表面の電荷保持能力を高めることができる。
(実施例) 第1図は、本発明の一実流例になる電子写真感光体の断
面構造を示す図である。同図において、1は導電性支持
体である。該導電性支持体の上には障壁層2が形成され
、その上には光導電層3が形成されている。更に、光導
電層3の上には表面層4が形成されている。
第2図は本発明の他の実施例になる電子写真感光体の断
面構造を示す図で、この実施例では電荷発生層および電
荷輸送層からなる機能分離型の光導電層が用いられてい
る。即ち、導電性支持体1及び障壁層2の上に電荷輸送
層5が形成され、該電荷輸送層の上に電荷発生層6が形
成されている。
更に、電荷発生層6の上には表面層4が形成されている
上記第1図およびM2図の実流例に′おける各部の詳細
は、次に説明する通りである。
導電性支持体1は、通常はアルミニウム製のドラムで構
成される。
障壁層2はμc−8iやa−8tを用いて形成してもよ
く、またa−BN : H(窒素および水素を添加した
アモルファス硼素)を使用してもよい。
更に、絶縁性の膜を用いてもよい。例えば、μc−3i
  : H及びa−8i:Hに炭素C,窒素N及び酸素
0から選択された元素の一種以上を含有させることによ
り、高抵抗の絶縁性障壁層を形成することができる。障
壁層2の膜厚は100人〜10譚が好ましい。
上記!4壁居2は、導電性支持体1と光導電層3(また
は電荷発生層5)との間の電荷の流れを抑制することに
より感光体表面の電荷保持機能を高め、感光体の帯電能
を高めるために形成されるものである。従って、半導体
層を障壁層に用いてカールソン方式の感光体を構成する
場合には、表面に帯電させた電荷の保持能力を低下させ
ないために、rj5壁層2をP型またはN型とする。即
ち、感光体表面を正帯電させる場合には障壁層2をP型
とし、表面電荷を中和する電子が光導?H層に注入され
るのを防止する。逆に表面を負帯電させる場合には障壁
層2をN型とし、表面電荷を中和す、るホールが光導f
f1lilへ注入されるのを防止する。障壁層2から注
入されるキャリアは光の入射で光導ff11m3.6内
に発生するキャリアに対してノイズとなるから、上記の
ようにしてキャリアの注入を防止することは感度の向上
をもたらす。なお、uC−8i:Hやa−3i:@をP
型にするためには、周期律表の第■族に属する元素、例
えば硼素B1アルミニウムA2、ガリウムGa1インジ
ウムln、及びタリウムTβ等をドーピングすることが
好ましい。また、μc−8i:Hやa−8i:HをN型
にするためには周期律表の第V族に属する元素、例えば
窒素、燐P、砒素As。
アンチモン3b、及びビスマス3i等をドーピングする
ことが好ましい。
第1図の実施例における光導電層3および第2図の実施
例における電荷発生層26は、第3図にその断面を拡大
して示すように、膜厚が夫々30〜500人の範囲にあ
るμC−8i:HiiI層11゜12を交互に積層して
構成されている。
μc−3i:H薄層11の結晶化度は20%、・pt Eg  は1,62 eVである。また、μc−3i:
H薄層12の結晶化度は70%、Eaoptは1,53
 eVである。これらμc−3iN薄層11.12には
水素Hを0.01乃至30原子%、好ましくは1乃至2
5原子%含有させる。これにより、シリコンのダングリ
ングボンドが補償され、暗抵抗と明抵抗との調和がとれ
、光導電特性が向上する。
上記のように、μc−8i:H薄層111.12は光学
的バンドギャップ(EQopt )が相違するから、厚
さ方向を横軸、縦軸にEgoptをとったエネルギーバ
ンド図は第4図のようになる。図から明らかなように、
EQ’Ptの大きい結晶化度20%のμC−8t  :
Hilillがポテンシャルバリアとなり、Egopt
の小さい結晶化度70%のμc−8t  :+−N11
12がポテンシャル井戸となる周期的なポテンシャル、
即ち超格子ポテンシャルが形成される。なお、超格子構
造を構成する11i11.12のEgoptと膜厚を変
更することにより、ペテロ接合超格子構造における見か
けのバンドギャップを自由に調整することができる。
上記のような超格子構造ではバリア薄層が極めて薄いの
で、電子はトンネル効果によりバリアを通過して超格子
構造中を走行する。また、相互に近接するポテンシャル
井戸のエネルギー準位間で相互に摂動が生じ、超格子H
e造全全体広がるエネルギーバンドが形成される(超格
子効果)。このため、超格子構造内ではバルク半導体領
域に比べて著しく大きいキャリア移動度が得られる。ま
た、前記超格子効果によってキャリアに対する再結合中
心の影響が小さくなり、従ってキャリアの寿命はバルク
内での寿命の5〜10倍と長くなる。こうして光導電層
内でのキャリアの移動度および寿命が向上することによ
り、電子写真感光体としての感度は著しく高くなる。こ
れについては更に後述する。
第2図の実施例における電荷輸送層5としては、例えば
a−8i  :H,uc−8i  :HノJ:ウニR壁
層2および電荷発生層6との被着性が良好なものを用い
る。その場合、EQoptが前記超格子構、pt 造におけるポテンシャル井戸のEQ   と同程度にな
るようにする。また、a−8i:Hやμc−8i:Hを
用いる場合には、酸素、炭素および/または窒素を添加
して抵抗を増大させ、表面電荷の保持能力を向上させる
のが好ましい。
表面層4は、a−8iN:H(窒素および水素を添加し
たアモルファスシリコン)。
a−3i0:H(W素および水素を添加したアモルファ
スシリコン)、a−8iC:H(炭素および水素を添加
したアモルファスシリコン)等の無礪化合物、或いはポ
リ塩化ビニル及びポリアミド等の有鴻材料で形成される
。このような表面層4を設けるのは次の理由からである
。即ち、光導電層3や電荷発生層6のa−3t:H等は
屈折率が3乃至3.4と比較的大きいため、表面での光
反射が起き易い。この光反射は光導電層3または電荷発
生層6に吸収される光示の割合を低下させ、光損失を太
きするため、表面層4を設けて反射を防止するのである
。また、表面層4を設けることによって光導電層3又は
電荷発生層6を損傷から保護し、更に帯電能を向上して
表面に電荷が良くのるようにすることができる。
次に、上記実施例になる電子写真感光体の全体的な作用
について、第5図を参照して説明する。
なお、以下の説明は第2図に示した載面分離型の実施倒
閣するものであるが、第1図の実施例についても略同様
にあてはまるものである。
まず、コロナ放電を用いることにより、電子写真感光体
の表面層4を約500 Vの正電圧で帯電させる。これ
により表面層4と導電性支持体1との間には電界が誘起
され、第7図に示すようなボテシャルが形成される。こ
の感光体の所定領域に選択的に光(hν)を入射すると
、光入射領域では電荷発生層6内で電子−正孔のキャリ
ア対が発生し、これら各キャリアは感光体中の電界によ
って夫々の導電帯を移動する。即ち、正孔は導電性支持
体1側に向けて加速され、電荷輸送層5および障壁層2
を通って導電性支持体1に流出する。一方、電子は表面
層4側に向けて加速され、表面層4に到達して既に表面
に帯電されている正電荷を中和する。その結果、光入射
領域では表面層2に帯電されていた正電荷が消失し、光
が入射されなかった領域にのみ正電荷が残留するから、
表面層4には光の入射分布に対応した静電潜像が形成さ
れる。従って、負に帯電したトナーを散布して現像処理
を行なえば前記静T1潜像に対応したトナーによる顕像
が形成され、これを紙表面に熱転写することによって印
刷された画像が得られる。
上記の作用説明から明らかなように、カールソン方式に
よる電子写真感光体の感度は、最初に感光体表面に帯電
された正電荷の保持能力と、光入射で発生した電子(光
電子)が前記正電荷を中和する効率に依存する。既述の
ように、この実施例の感光体では障壁層2の存在によっ
て、表面に帯電された正電荷が光電子の中和によらない
で消失することを防止している。また、電荷発生層6の
超格子構造により光電子の移動度が大きく且つ寿命が長
いから、発生した光電子は途中で消滅することなく高い
効率で表面の正電荷を中和する。また、表面層4で入射
光の反射を防止していることも感度の向上に寄与する。
これらの要素によって、上記実施例の電子写真感光体は
極めて高い光導電特性を有し、従来の感光体よりも鮮明
な画像を得ることができる。なお、表面を負に帯電させ
た場合の作用も、上記と略同様である。
次に、上記実施例の電子写真感光体を構成する1tc−
3i:H膜、a−3i  :f−(膜を形成スル方法に
ついて説明する。
a−8i  :Hg!はグロー放電分解法で形成するこ
とができる。即ち、原料としてSiH4及び5i2)−
1s等のシラン類ガスを反応室に導入し、高周波により
グロー放電することにより、a−3i薄層を成膜すると
同時に、該薄層中にHを添加することができる。この場
合、必要に応じて水素またはヘリウムをシラン類のキャ
リアガスとして使用することができる。水素をキャリア
ガスに使用すれば、S i F4ガス及び5iCffi
+ガス等のハロゲン化珪素を原料ガスとして使用するこ
とができる。また、シランン類ガスとしてハロゲン化硅
素ガスとの混合ガスで反応させても、同様にHを含有す
るa−8i:Hを成膜することができる。なお、グロー
放電分解法によらず、例えばスパッタリング等の物理的
な方法によっても、これ等の薄層を形成することができ
る。
μc−8iも、a−3i:Hの場合と同様ノ高周波グロ
ー放電分解法により、シランガスを原料として形成する
ことができる。その場合、成膜基体の温度をa−81:
Hを形成する場合よりも高く設定し、且つ高周波電力を
a−8i:Hの場合よりも高く設定することにより、μ
c−3iHを形成し易くなると共に、シランガス等の原
料ガスの流出を増大させて成膜速度を早くすることがで
きる。また、原料ガスのSiH+及び5i2Hs等の高
次のシランガスを水素で稀釈したガスを使用すれば、μ
c−8i:Hを一層効率良く形成することができる。
既述のように障壁層2としてa−BN:8層を用いるこ
ともできるが、この成膜にはB2 H6とN2もしくは
NH3の高周波グロー放電分解法による。
以下に第6図を参照し、上記実施例の電子写真感光体を
グロー放電法により製造する装置、並びに製造方法を説
明する。同図において、ガスボンベ21,22,23.
24には、例えば夫々S i H4、B2 H6、H2
、CH4等の原料ガスが収容されている。これらガスボ
ンベ内のガスは、流ffi調整用のバルブ26及び配管
27を介して混合器28に供給されるようになっている
。各ボンベには圧力計25が設置されており、該圧力計
25を監視しつつバルブ26を調整することにより混合
器28に供給する各原料ガスの流量及び混合比を調節で
きる。混合器28にて混合されたガスは反応容器29に
供給される。反応容器2つの底部31には、回転軸30
が鉛直方向の回りに回転可能に取付けられている。該回
転軸30の上端に、円板状の支持竿32がその面を回転
軸30に垂直にして固定されている。反応容器29内に
は、円筒状の電極33がその軸中心を回転軸30の軸中
心と一致させて底部31上に設置されている。
感光体のドラム基体34が支持台32上にその軸中心を
回転軸30の軸中心と一致させて載置されており、この
ドラム基体34の内側にはドラム基体加熱用のヒータ3
5が配設されている。電極33とドラム基体34との間
には高周波電源36が接続されており、電極33および
ドラム基体34間に高周波電流が供給されるよういなっ
ている。回転軸30はモータ38により回転駆動される
。反応容器29内の圧力は圧力計37により監視され、
反応容器29はゲートバルブ38を介して真空ポンプ等
の適宜の排気手段に連結されている。
上記製造装置により感光体を製造する場合には、反応容
器29内にドラム基体34を設置した後、ゲートバルブ
39を開にして反応容器29内を約0、I Torrの
圧力以下に排気する。次いで、ボンベ21.22.23
.24から所要の反応ガスを所定の混合比で混合して反
応容器29内に導入する。この場合に、反応容器29内
に導入するガス流量は反応容器29内の圧力が0.1乃
至1.OT orrになるように設定する。次いで、モ
ータ38を作動させてドラム基体343回転させ、ヒー
タ35によりドラム基体34を一定温度に加熱すると共
に、高周波電源36により電極33とドラム基体34と
の間に高周波電流を供給して、両者間にグローM’tを
形成する。これにより、ドラム基体34上にμc−8t
  :Hやa−8t:Hが堆積する。なお、原料ガス中
にN20.NH3。
NO2、N2 、CH4、C2H4,02ガス等を使用
することにより、これらの元素を μc−3i:Hやa−8i:H中に含有させルコとがで
きる。
このように、この発明に係る電子写真感光体は、クロー
ズドシステムの製造装置で製造することができるため、
人体に対して安全である。
Rmに、本発明に係る電子写真感光体を成膜し、電子写
真特性を試験した結果について説明する。
製 例および特性試験例 必要に応じて干渉防止のための酸処理、アルカリ処理お
よびサンドブラスト処理を施した直径80m+++、幅
350mrAのアルミニウム製ドラム基体を反応容器内
に装着し、反応容器を約10− ’ Torrの真空度
に排気した。ドラム基体を250℃に加熱し、10 r
pmで自転させツツ、SiH4ガスを5003CCM、
B2 HsガスをSiH+ガスに対する流a比で10−
6、CH4ガスを100SCC〜1の流量で反応容器内
に導入し、反応容器内を 1’rorrt、:調節した
。続いて13.56 M @ zの高周波電力を印加し
てプラズマを住起させ、P型のa−s+  :Hr4壁
層を形成した。
次11rl”、B2 H6/S i H4比を1O−T
1CH4ガスを0に設定し、500 Wの高周波電力を
投入して膜厚20pのi型a−8i  :)l電荷輸送
層を形成した。
次に、放電を一旦停止してSiH4ガスを3003CC
M、H2ガスを3005CCI14人7ると共に、反応
圧力を1.2 Torrに肩面した後、600wの高周
波電力を印加して膜j5o人、結晶化度20%のμC−
3i:@薄層を形成した。続いて、1kWの高周波電力
を印加して膜厚50人、結晶化度70%のa−3i  
: H@fflを形成した。このような操作を繰返して
、結晶化度20%のμC−3iIH薄層250層と結晶
化度70%のμc−3+:H旧居250層を交互に積層
し、ヘテロ接合超格子構造の電荷発生層を5IEnの厚
さに形成した。次いで、表面層として厚さ0.5−のa
−3t:8表面層を形成した。
このようにして形成した感光体表面を約500 Vで正
帯電し、白色光を露光すると、この光は電荷発生層で吸
収され、電子正孔対のキャリアが発生する。この試験例
では多数のキャリアが発生し、キャリアの寿命が高く、
高い走行性が得られた。
その結果、鮮明で高品質の画像が得られた。また、この
試験例で製造された感光体を繰返し帯電させたところ、
転写画像の再現性および安定性は極めて良好であり、更
に、耐コロナ性、耐湿性、および耐摩耗性等の耐久性が
優れていることが実証された。
加えて、このようにして製造された感光体は半導体レー
ザの発振波長である780乃至790 nmの長波長光
に対しても高い感度を有する。この感光体を半導体レー
ザプリンタに搭載してカールソンプロセスにより画像を
形成したところ、感光体表面の露光伍が25 erot
tn2である場合でも、鮮明で高解像度の11ii@を
得ることができた。
更に、この感光体を繰返し帯電して使用したところ、転
写画像の再現性および安定性が高く、耐コロナ性、i!
i1湿度性および耐摩耗性等の耐久性に帰れてることが
明らかになった。
なお、上記の例では電荷発生層の厚みを5−としたが、
これに限らす1または3−等に設定しても感光体として
実用可能である。薄層は、上記試験例のa−8i:Hl
及びuc−3i:Hに限らないことは勿論である。
[発明の効果] 以上詳述したように、本発明の電気写真感光体では光導
電層の一部または全部に、光学的バンドギャップが相互
に異なる薄層を積層して構成される超格子構造を使用す
るから、可視光から近赤外光の広い′a長j?R域に亙
って高感度であり、キャリアの走行性が高いと共に、高
抵抗で帯電特性が優れる等、顕著な効果を(qることが
できる。特に、本弁明では薄層を形成する材料を適宜組
合わせることにより、任意の波艮帯の光に対してP、 
’rDの光導電特性を有する感光体を1qることかでき
る利点がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例になる電子写真感光体を示す
断面図であり、第2図は他の実施例になる電子写真感光
体を示す断面図、第3図は第1図および第2図の一部を
拡大して示す断面図、第4図は超格子構造のエネルギー
バンドを示す図、第5図は第2図の実施例になる電子写
真感光体の全体的な作用を示す説明図、第6図は本発明
の電子写真感光体を製造する装冒を示す図である。 1・・・導電性支持体、2・・・障壁層、3・・・光導
電層、4・・・表面層、5・・・電荷輸送層、6・・・
電荷発生層、11・・・μc−8iH薄層、12・・z
c−3iH薄層出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第1図 第2図 第3図 〈)¥二方向〉 第4図

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)導電性支持体と、光導電層とを有する電子写真感
    光体において、前記光導電層はその少なくとも一部が、
    厚さが30〜500Åであり、結晶化度が異なるマイク
    ロクリスタリンシリコンを交互に積層して構成されるこ
    とを特徴とする電子写真感光体。
  2. (2)前記マイクロクリスタリンシリコンは、水素を含
    有することを特徴とする特許請求の範囲第(1)項記載
    の電子写真感光体。
  3. (3)前記光導電層は炭素、酸素、窒素のうち少なくと
    も一種の元素を含有することを特徴とする特許請求の範
    囲第(1)項記載の電子写真感光体。
  4. (4)前記光導電層は、周期律表の第III族または第V
    族に属する元素から選択された少なくとも一種の元素を
    含有することを特徴とする特許請求の範囲第(1)項、
    第(2)項または第(3)項記載の電子写真感光体。
  5. (5)前記光導電層と支持体との間に障壁層が介挿され
    、更に前記光導電層上に表面層が形成されていることを
    特徴とする特許請求の範囲第(1)項に記載の電子写真
    感光体。
  6. (6)前記光導電層が、前記結晶化度の相違するマイク
    ロクリスタリンシリコンを交互に積層して構成された電
    荷発生層と、その下に積層されている電荷輸送層とから
    なることを特徴とする特許請求の範囲第(1)項〜第(
    5)項の何れか1項記載の電子写真感光体。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1993025940A1 (en) * 1992-06-18 1993-12-23 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photoreceptor provided with light-receiving layer made of non-single crystal silicon and having columnar structure regions, and manufacturing method therefor

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1993025940A1 (en) * 1992-06-18 1993-12-23 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photoreceptor provided with light-receiving layer made of non-single crystal silicon and having columnar structure regions, and manufacturing method therefor
US5624776A (en) * 1992-06-18 1997-04-29 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member provided with a light receiving layer composed of a non-single crystal silicon material containing columnar structure regions and process for the production thereof

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